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KR20060018730A - Method for manufacturing of array substrate and a array substrate thereof - Google Patents

Method for manufacturing of array substrate and a array substrate thereof Download PDF

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KR20060018730A
KR20060018730A KR1020040067235A KR20040067235A KR20060018730A KR 20060018730 A KR20060018730 A KR 20060018730A KR 1020040067235 A KR1020040067235 A KR 1020040067235A KR 20040067235 A KR20040067235 A KR 20040067235A KR 20060018730 A KR20060018730 A KR 20060018730A
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KR
South Korea
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line
data lines
static electricity
data
data line
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Application number
KR1020040067235A
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Korean (ko)
Inventor
강현호
Original Assignee
삼성전자주식회사
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Publication date
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Abstract

정전기 위험을 방지하기 위한 어레이 기판의 제조 방법 및 그의 어레이 기판을 제공한다. 어레이 기판은 복수의 데이터 배선들과, 정전기 분산 저항과, 제1 어레이 검사부를 갖는다. 데이터 배선들은 제1 방향으로 형성되고, 정전기 분산 저항은 인접한 제1 데이터 배선과 제2 데이터 배선을 연결하여 외부로부터 유입된 정전기를 분산시킨다. 어레이 검사부는 데이터 배선들에 테스트 신호를 인가하여 어레이 검사를 수행한다. 이에 따라, 데이터 배선 간에 정전기 분산 저항을 형성하여 상호 연결시킴으로써 외부로부터 유입되는 정전기 위험성을 방지할 수 있다.  Provided are a method of manufacturing an array substrate and an array substrate thereof to prevent the risk of static electricity. The array substrate has a plurality of data wires, an electrostatic dispersion resistor, and a first array inspection unit. The data lines are formed in the first direction, and the electrostatic dissipation resistor connects the adjacent first data line and the second data line to dissipate static electricity introduced from the outside. The array inspecting unit applies the test signal to the data lines to perform array inspection. Accordingly, by forming and distributing an electrostatic dissipation resistor between the data lines, it is possible to prevent the risk of static electricity flowing from the outside.

정전기 분산 저항, 데이터 배선, 2G2DStatic Dissipation Resistor, Data Wiring, 2G2D

Description

어레이 기판의 제조 방법 및 그의 어레이 기판{METHOD FOR MANUFACTURING OF ARRAY SUBSTRATE AND A ARRAY SUBSTRATE THEREOF} A manufacturing method of an array substrate and an array substrate thereof {METHOD FOR MANUFACTURING OF ARRAY SUBSTRATE AND A ARRAY SUBSTRATE THEREOF}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 모기판에 대한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of a mother substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 모기판의 일부분을 발췌한 부분 확대도이다. FIG. 2 is an enlarged view illustrating a portion of the mother substrate of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라서 절단한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 4a 내지 도 4d는 어레이 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 4A to 4D are process diagrams for describing a method of manufacturing an array substrate.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 모기판의 일부분을 발췌한 부분 확대도이다.5 is an enlarged partial view of a portion of a mother substrate according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

200 : 모기판 100 : 어레이 기판200: mother substrate 100: array substrate

220 : 제1 어레이 검사부 211 : 제1 정전기 분산 배선220: first array inspection unit 211: first static dispersion wiring

221,222 : 제1 어레이 검사 패드 223,224 : 제1 어레이 검사 배선221,222: first array test pad 223,224: first array test wiring

250 : 정전기 분산 저항250: electrostatic dispersion resistance

본 발명은 어레이 기판의 제조방법 및 그의 어레이 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전기에 대한 위험을 방지하기 위한 어레이 기판의 제조방법 및 그의 어레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an array substrate and an array substrate thereof, and more particularly, to a method for manufacturing an array substrate and an array substrate thereof for preventing the risk of static electricity.

일반적으로 액정 표시 패널은 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 마주하는 상부 기판, 및 상기 어레이 기판과 상기 상부 기판과의 사이에 개재된 액정층으로 이루어진다. 상기 어레이 기판은 화소 영역과 신호인가영역을 갖는다. In general, a liquid crystal display panel includes an array substrate, an upper substrate facing the array substrate, and a liquid crystal layer interposed between the array substrate and the upper substrate. The array substrate has a pixel area and a signal application area.

상기 화소 영역은 제1 방향으로 연장된 데이터 배선과 제2 방향으로 연장되어 상기 데이터 배선과 직교하는 스캔 배선, 및 상기 스캔 배선과 데이터 배선에 연결되는 화소 전극을 포함하며, 상기 신호인가영역은 데이터 신호를 인가하는 구동 칩이 실장되는 제1 구동 칩 패드와, 상기 스캔 배선에 스캔 신호를 인가하는 구동 칩이 실장되는 제2 구동 칩 패드를 포함한다.The pixel area may include a data line extending in a first direction, a scan line extending in a second direction and orthogonal to the data line, and a pixel electrode connected to the scan line and the data line. And a first driving chip pad on which a driving chip for applying a signal is mounted, and a second driving chip pad on which a driving chip for applying a scan signal to the scan wiring is mounted.

상기와 같은 어레이 기판은 모기판 상에 다수의 표시 셀로 형성되며, 상기 데이터 배선들의 최단부에는 외부로부터의 유입된 정전기를 분산시키기 위한 정전기 분산 배선이 형성된다. 상기 정전기 분산 배선은 데이터 배선들을 하나의 병렬배선으로 묶음에 따라서 상기 데이터 배선들의 전기적인 동작 상태를 검사하는 어레이 검사(2G2D)시에는 별도의 오픈 공정을 통해서 상기 정전기 분산 배선과 데이터 배선들을 오픈시키는 공정을 수행한다. 이와 같은 오픈 공정 후 상기 데이터 배선들은 전기적으로 플로팅 상태됨에 따라서 외부로부터 유입되는 정전기에 노출되는 문제점을 갖는다.The array substrate is formed of a plurality of display cells on a mother substrate, and at the shortest end of the data lines, an electrostatic dispersion line for dispersing static electricity from the outside is formed. The static electricity distribution wiring is configured to open the static electricity distribution wiring and the data wirings through a separate open process during array inspection (2G2D) in which the data wirings are bundled into one parallel wiring. Perform the process. After such an open process, the data lines have a problem of being exposed to static electricity flowing from the outside as they are electrically floating.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 정전기 위험을 방지하기 위한 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an array substrate for preventing the risk of static electricity.

상기 본 발명의 다른 목적은 상기 어레이 기판을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide the array substrate.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 제1 방향으로 형성된 데이터 배선들과, 제2 방향으로 형성된 스캔 배선들과, 제1 전류 전극이 상기 데이터 배선에 연결되고, 제어 전극이 상기 스캔 배선에 연결된 스위칭 소자를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법에서, (a) 상기 데이터 배선들의 단부에 형성되어, 인접한 제1 데이터 배선과 제2 데이터 배선을 연결하는 정전기 분산 저항의 채널층과, 상기 스위칭 소자의 채널층을 형성하는 단계; (b) 제2 금속층으로 상기 데이터 배선들과, 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 데이터 배선을 각각 연결하는 상기 정전기 분산 저항의 제1 및 제2 전류 전극과, 상기 스위칭 소자의 제1 및 제2 전류 전극을 형성하는 단계; (c) 상기 정전기 분산 저항의 제1 및 제2 전류 전극과, 상기 스위칭 소자의 제1 및 제2 전류 전극 상에 패시베이션층을 형성하는 단계; (d) 상기 패시베이션층의 일부를 제거하여 상기 홀수번째 데이터 배선과 짝수번째 데이터 배선에 대응하여 상기 정전기 분산 저항의 채널층을 분리하는 제1 홀과, 상기 스위칭 소자의 제2 전류전극을 노출시키는 제2 홀을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제2 홀을 통해 상기 스위칭 소자의 제2 전류 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다. Data lines formed in a first direction, scan lines formed in a second direction, a first current electrode are connected to the data line, and a control electrode is provided. A method of manufacturing an array substrate including a switching element connected to a scan line, the method comprising: (a) a channel layer of an electrostatic dissipation resistor formed at an end of the data lines and connecting an adjacent first data line and a second data line; Forming a channel layer of the switching element; (b) first and second current electrodes of the electrostatic dispersion resistor connecting the data lines, the first data line and the second data line to a second metal layer, respectively; Forming a two current electrode; (c) forming a passivation layer on the first and second current electrodes of the electrostatic dispersion resistor and on the first and second current electrodes of the switching element; (d) removing a portion of the passivation layer to expose a first hole for separating the channel layer of the electrostatic dispersion resistor in response to the odd-numbered data line and the even-numbered data line, and exposing a second current electrode of the switching element; Forming a second hole; And (e) forming a pixel electrode connected to the second current electrode of the switching element through the second hole.                     

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 어레이 기판은, 제1 방향으로 형성된 복수의 데이터 배선들과, 인접한 제1 데이터 배선과 제2 데이터 배선을 연결하여 외부로부터 유입된 정전기를 분산시키는 정전기 분산 저항, 및 제2 방향으로 형성되어 상기 데이터 배선들에 테스트 신호를 인가하는 제1 어레이 검사부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, an array substrate includes a plurality of data lines formed in a first direction, and connecting adjacent first data lines and second data lines to prevent static electricity from outside. And a first array inspection unit formed in a second direction to apply the test signal to the data lines.

상기 데이터 배선들의 외곽에 제2 방향으로 형성되어 외부로부터 유입된 정전기를 분산시키는 제1 정전기 분산 배선을 더 포함하며, 상기 제1 데이터 배선 및 제2 데이터 배선 중 어느 하나는 상기 제1 정전기 분산 배선과 연결되며, 다른 하나는 상기 제1 정전기 분산 배선과 분리된 것을 특징으로 한다.And a first static electricity distributing wire which is formed in a second direction on the outside of the data wires to disperse static electricity introduced from the outside, wherein one of the first data wire and the second data wire is one of the first static electricity distributing wires. It is connected to, and the other is characterized in that separated from the first electrostatic dispersion wiring.

이러한 어레이 기판의 제조 방법 및 그의 어레이 기판에 의하면, 데이터 배선 간에 정전기 분산 저항을 형성하여 상호 연결시킴으로써 외부로부터 유입되는 정전기 위험성을 방지할 수 있다. According to the method of manufacturing the array substrate and the array substrate thereof, it is possible to prevent the static electricity flowing from the outside by forming and interconnecting the electrostatic dispersion resistors between the data lines.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 모기판(Mother Board)에 대한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of a mother board according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 모기판(200)은 복수의 어레이 기판(100)과, 제1 및 제2 정전기 분산 배선(Shorting Bar)(211,212), 제1 및 제2 어레이 검사부(220,230) 및 절단선(270)을 포함하며, 또한, 상기 제1 정전기 분산 배선(211)과 제1 어레이 검사부(220) 사이에는 다수의 정전기 분산 저항(미도시)이 형성된다. Referring to FIG. 1, the mother substrate 200 includes a plurality of array substrates 100, first and second electrostatic scattering bars 211 and 212, first and second array inspection units 220 and 230, and cut lines. 270, and a plurality of electrostatic dispersion resistors (not shown) are formed between the first electrostatic dispersion wiring 211 and the first array inspection unit 220.

어레이 기판(100)은 화소부(110)와, 화소부(110)의 외곽에는 제1 V/I 검사부 (120) 및 제2 V/I 검사부(130)를 갖는다.The array substrate 100 includes a pixel unit 110 and a first V / I inspection unit 120 and a second V / I inspection unit 130 outside the pixel unit 110.

화소부(110)는 제1 방향으로 형성된 복수의 데이터 배선들과, 제2 방향으로 형성된 복수의 스캔 배선들과, 상기 데이터 배선과 스캔 배선에 연결되는 스위칭 소자(TFT)와, 상기 스위칭 소자(TFT)에 연결되는 액정 캐패시터(CLC)의 제1 전극(또는 화소전극) 및 스토리지 캐패시터(CST)를 포함한다.The pixel unit 110 includes a plurality of data lines formed in a first direction, a plurality of scan lines formed in a second direction, a switching element TFT connected to the data lines and the scan line, and the switching element ( A first electrode (or pixel electrode) and a storage capacitor CST of the liquid crystal capacitor CLC connected to the TFT are included.

제1 V/I 검사부(120)는 제1 V/I 패드(121)와 제1 V/I 배선(123) 및 복수개의 제1 구동 칩 패드(125)를 갖는다. 제1 구동 칩 패드(125)는 구동 칩을 실장하기 위한 패드로서, 소정 단위로 그룹핑된 데이터 배선들의 집합이다. 제1 V/I 패드(121) 및 제1 V/I 배선(123)은 제1 구동 칩 패드(125)별로 각각 분리되어 형성된다. 제1 V/I 패드(121)는 3D 방식에 따라서 3n-2, 3n-1, 3n(여기서, n=1,2,3,...인 자연수)번째 배선별로 묶은 3개의 패드를 갖는다. The first V / I inspection unit 120 includes a first V / I pad 121, a first V / I wiring 123, and a plurality of first driving chip pads 125. The first driving chip pad 125 is a pad for mounting the driving chip and is a set of data wires grouped by a predetermined unit. The first V / I pad 121 and the first V / I wiring 123 are separately formed for each of the first driving chip pads 125. The first V / I pad 121 has three pads grouped by 3n-2, 3n-1, 3n (where n = 1, 2, 3, ...) th wiring in accordance with the 3D method.

제2 V/I 검사부(130)는 제2 V/I 패드(131)와 제2 V/I 배선(133) 및 복수개의 제2 구동 칩 패드(135)를 갖는다. 제2 구동 칩 패드(135)는 구동 칩이 실장되는 패드로서, 소정 단위의 그룹핑된 스캔 배선들의 집합이다. 제2 V/I 패드(131) 및 제2 V/I 배선(133)은 구동 칩 패드 별로 각각 형성되며, 제2 V/I 패드(131)는 2G 방식에 따라서 2n-1, 2n(여기서, n=1,2,3,...인 자연수)번째 배선별로 묶은 2개의 패드를 갖는다. The second V / I inspection unit 130 includes a second V / I pad 131, a second V / I wiring 133, and a plurality of second driving chip pads 135. The second driving chip pad 135 is a pad on which the driving chip is mounted and is a set of grouped scan lines in a predetermined unit. The second V / I pad 131 and the second V / I wiring 133 are formed for each driving chip pad, respectively, and the second V / I pad 131 is 2n-1, 2n according to the 2G method (here, natural numbers where n = 1, 2, 3, ...

제1 정전기 분산 배선(Shorting Bar)(211)은 어레이 기판(100)상에 제1 방향으로 형성된 복수의 데이터 배선들에 외부의 정전기가 직접적으로 유입되는 것을 분산한다. 제1 정전기 분산 배선(211)은 제1 어레이 검사부(220)의 최외곽에 상기 복수의 데이터 배선들을 병렬로 묶는 제2 방향으로 형성된 단일 배선이다(1D 방식). 한편, 2G2D 방식의 어레이 검사를 용이하게 하기 위해서 제1 어레이 검사 배선(223,224)과, 제1 정전기 분산 배선(211) 사이는 오픈 공정을 통해 오프닝된다. The first electrostatic scattering bar 211 distributes external static electricity directly into the plurality of data wires formed in the first direction on the array substrate 100. The first static electricity distribution wiring 211 is a single wiring formed in a second direction that bundles the plurality of data wires in parallel at the outermost portion of the first array inspecting unit 220 (1D method). Meanwhile, in order to facilitate 2G2D array inspection, the first array inspection wirings 223 and 224 and the first electrostatic dispersion wiring 211 are opened through an open process.

상기 정전기 분산 저항(미도시)은 상기 오픈 공정을 통해 전기적으로 플로팅 상태인 복수의 데이터 배선들 사이에 형성된다. 이하 도 2 내지 도 4d를 참조하여 상세하게 설명한다. The electrostatic dissipation resistor (not shown) is formed between the plurality of data lines electrically floating through the open process. Hereinafter, a detailed description will be given with reference to FIGS. 2 to 4D.

제2 정전기 분산 배선(212)은 어레이 기판(100)상에 제2 방향으로 형성된 복수의 스캔 배선들에 외부의 정전기가 직접적으로 유입되는 것을 차단한다. 제2 정전기 분산 배선(212)은 제2 어레이 검사부(230)의 최외곽에 상기 복수의 스캔 배선들을 병렬로 묶는 제1 방향으로 형성된 단일 배선이다(1G 방식). 한편, 2G2D 방식의 어레이 검사를 용이하게 하기 위해서 제2 어레이 검사 배선(233,234)과, 제2 정전기 분산 배선(212) 사이는 오픈 공정을 통해 오프닝된다. The second static electricity distribution line 212 prevents external static electricity from directly flowing into the plurality of scan lines formed in the second direction on the array substrate 100. The second static electricity distribution wiring 212 is a single wiring formed in a first direction to bundle the plurality of scan wirings in parallel at the outermost portion of the second array inspection unit 230 (1G method). In order to facilitate the 2G2D array inspection, the second array inspection wiring 233 and 234 and the second electrostatic dispersion wiring 212 are opened through an open process.

제1 어레이 검사부(220)는 어레이 기판(100)상에 형성된 복수의 데이터 배선들의 전기적인 동작 상태를 검사하는 테스트 신호가 인가된다. 제1 어레이 검사부(220)는 제1 어레이 검사 패드(221,222)와, 제1 어레이 검사 배선(223,224)을 포함한다.The first array inspector 220 receives a test signal that inspects an electrical operation state of a plurality of data lines formed on the array substrate 100. The first array inspection unit 220 includes first array inspection pads 221 and 222 and first array inspection wires 223 and 224.

제1 어레이 검사 패드(221,222)는 2D 방식에 따라서 홀수번째 데이터 배선에 제1 테스트 신호를 인가하는 패드(221)와 짝수번째 데이터 배선에 제2 테스트 신호를 인가하는 패드(222)를 포함한다. 제1 어레이 검사 배선(223,224) 역시, 홀수번째 데이터 배선과 연결되는 배선(223)과 짝수번째 데이터 배선과 연결되는 배선 (224)을 포함한다. The first array test pads 221 and 222 include pads 221 for applying a first test signal to odd-numbered data lines and pads 222 for applying a second test signal to even-numbered data lines in a 2D manner. The first array test wirings 223 and 224 also include a wiring 223 connected to an odd-numbered data line and a wiring 224 connected to an even-numbered data line.

제2 어레이 검사부(230)는 어레이 기판(100)상에 형성된 복수의 스캔 배선들의 전기적인 동작 상태를 검사하는 테스트 신호가 인가된다. 제2 어레이 검사부(230)는 제2 어레이 검사 패드(231,232)와, 제2 어레이 검사 배선(233,234)을 포함한다. The second array inspection unit 230 is applied with a test signal for inspecting an electrical operation state of the plurality of scan lines formed on the array substrate 100. The second array tester 230 includes second array test pads 231 and 232 and second array test wirings 233 and 234.

제2 어레이 검사 패드(231,232)는 2G 방식에 따라서 홀수번째 스캔 배선에 제1 테스트 신호를 인가하는 패드(231)와 짝수번째 스캔 배선에 제2 테스트 신호를 인가하는 패드(232)를 포함한다. 제2 어레이 검사 배선(233,234) 역시, 홀수번째 스캔 배선과 연결되는 배선(233)과 짝수번째 스캔 배선과 연결되는 배선(234)을 포함한다. The second array test pads 231 and 232 include a pad 231 for applying the first test signal to the odd-numbered scan line and a pad 232 for applying the second test signal to the even-numbered scan line according to the 2G method. The second array test wirings 233 and 234 also include a wiring 233 connected to the odd-numbered scan wiring and a wiring 234 connected to the even-numbered scan wiring.

도 2는 도 1의 모기판의 일부분을 발췌한 부분 확대도이다. FIG. 2 is an enlarged view illustrating a portion of the mother substrate of FIG. 1. FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 모기판(200)은 제1 영역(IR) 및 제2 영역(PR)을 포함한다. 상기 제1 영역(IR)에는 제1 방향으로 형성된 복수의 데이터 배선들의 전기적인 동작 상태를 검사하기 위한 테스트 신호가 인가되는 제1 어레이 검사 인터페이스부가 형성되고, 상기 제2 영역(PR)에는 상기 복수의 데이터 배선들과 연결되는 스위칭 소자들(170) 및 스위칭 소자들(170)에 연결된 화소 전극들(190)을 포함하는 화소부가 형성된다.1 and 2, the mother substrate 200 includes a first region IR and a second region PR. A first array inspection interface unit is formed in the first region IR to which a test signal for inspecting an electrical operation state of a plurality of data lines formed in a first direction is formed, and the plurality of regions are formed in the second region PR. A pixel portion including switching elements 170 connected to the data lines of the pixel and pixel electrodes 190 connected to the switching elements 170 is formed.

구체적으로, 제1 어레이 검사 인터페이스부는 제1 정전기 분산 배선(211), 제1 어레이 검사 패드(221,223), 제1 어레이 검사 배선(222,224) 및 정전기 분산 저항(250)을 포함한다. In detail, the first array test interface unit includes a first electrostatic dispersion wire 211, first array test pads 221 and 223, first array test wires 222 and 224, and an electrostatic dispersion resistor 250.                     

제1 정전기 분산 배선(211)은 제1 방향을 갖는 복수의 데이터 배선들(DL1, DL2,..DLm)을 병렬로 연결하는 제2 방향을 갖는 단일 배선이다. 제1 정전기 분산 배선(211)은 외부의 정전기가 직접적으로 복수의 데이터 배선들(DL1, DL2,..DLm)에 인가되는 것을 차단한다. The first static electricity distribution wiring 211 is a single wiring having a second direction for connecting the plurality of data lines DL1, DL2,... DLm having the first direction in parallel. The first static electricity distribution wiring 211 blocks external static electricity from being directly applied to the data lines DL1, DL2,... DLm.

제1 어레이 검사 패드는 2D 방식에 따라서 제1 패드(221) 및 제2 패드(222)를 포함한다. 제1 패드(221)는 홀수번째 데이터 배선들(DL1,DL3,..)에 인가되는 제1 테스트 신호가 공급된다. 제2 패드(222)는 짝수번째 데이터 배선들(DL2,DL4,..)에 인가되는 제2 테스트 신호가 공급된다. The first array test pad includes a first pad 221 and a second pad 222 in a 2D manner. The first pad 221 is supplied with a first test signal applied to odd-numbered data lines DL1, DL3,... The second pad 222 is supplied with a second test signal applied to even-numbered data lines DL2, DL4,...

제1 어레이 검사 배선은 2D 방식에 따라서, 제1 배선(223) 및 제2 배선(224)을 포함한다. 제1 배선(223)은 제1 패드(221)로부터 인가된 제1 테스트 신호를 제1 접촉점(227)을 통해 홀수번째 데이터 배선들(DL1,DL3,..)에 각각 인가한다. 제2 배선(224)은 제2 패드(222)로부터 인가된 제2 테스트 신호를 제2 접촉점(226)을 통해 짝수번째 데이터 배선들(DL2,DL4,..)에 각각 인가한다. 상기 제1 접촉점(227)은 제1 배선(223)과 홀수번째 데이터 배선들(DL1,DL3,..)을 전기적으로 접촉시킨다. 상기 제2 접촉점(226)은 제2 배선(224)과 짝수번째 데이터 배선들(DL2,DL4,..)을 전기적으로 접촉시킨다.The first array test wiring includes a first wiring 223 and a second wiring 224 according to the 2D method. The first wire 223 applies the first test signal applied from the first pad 221 to the odd-numbered data wires DL1, DL3,... Through the first contact point 227. The second wire 224 applies a second test signal applied from the second pad 222 to the even-numbered data wires DL2, DL4,... Through the second contact point 226, respectively. The first contact point 227 electrically contacts the first wire 223 and the odd-numbered data wires DL1, DL3,... The second contact point 226 electrically contacts the second wire 224 and the even-numbered data wires DL2, DL4,...

정전기 분산 저항(250)은 상기 제1 정전기 분산 배선(211)과 복수의 데이터 데이터 배선들(DL) 간의 오픈 공정 이후, 상기 데이터 배선들에 유입되는 정전기를 분산시키기 위하여 상기 홀수번째 데이터 배선(DL1,DL3,..)과 짝수번째 데이터 배선(DL2,DL4,..)을 연결한다. 이에 의해 홀수번째 데이터 배선에 유입되는 정전기를 짝수번째 데이터 배선으로 분산시키며, 짝수번째 데이터 배선에 유입되는 정전기를 홀수번째 데이터 배선으로 분산시킨다. The static electricity dissipation resistor 250 is configured to disperse static electricity flowing into the data lines after the opening process between the first static electricity distributing line 211 and the plurality of data data lines DL. , DL3, ..) and even-numbered data lines DL2, DL4, .. are connected. As a result, the static electricity flowing into the odd-numbered data wires is distributed to the even-numbered data wires, and the static electricity flowing into the even-numbered data wires is distributed to the odd-numbered data wires.

또한, 홀수번째 데이터 배선(DL1,DL3,..)과 짝수번째 데이터 배선(DL2,DL4,..) 사이에 형성된 상기 정전기 분산 저항(250)은 전기적으로는 차단된 상태이다. 이에 의해, 2G2D 어레이 검사 공정시, 홀수번째 데이터 배선(DL1,DL3,..)에 인가되는 테스트 신호가 짝수 데이터 배선(DL2,DL4,..)으로 인가되는 것을 차단함으로써 어레이 검사를 용이하게 할 수 있다. In addition, the electrostatic dispersion resistor 250 formed between the odd-numbered data lines DL1, DL3,... And the even-numbered data lines DL2, DL4 ... Thus, during the 2G2D array inspection process, the test signal applied to the odd-numbered data lines DL1, DL3,... Can be prevented from being applied to the even data lines DL2, DL4 ... Can be.

도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라서 절단한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 투명 기판(200)상에 게이트 금속층이 형성되며, 상기 게이트 금속층은 제1 배선(221)과, 제2 배선(222) 및 스위칭 소자(170)의 게이트 전극(171)을 형성한다. 상기 게이트 금속층 위에는 게이트 절연층(282)이 형성된다.2 and 3, a gate metal layer is formed on the transparent substrate 200, and the gate metal layer includes a first wiring 221, a second wiring 222, and a gate electrode of the switching element 170. 171 is formed. A gate insulating layer 282 is formed on the gate metal layer.

상기 게이트 절연층(282) 위에 정전기 분산 저항(250)의 채널층(251)을 형성하고, 상기 게이트 전극(171) 위에 채널층(173)을 형성한다. 채널층(251,173)은 활성층(251a,173a) 및 저항성 접촉층(251b,173b)으로 이루어진다.The channel layer 251 of the electrostatic dispersion resistor 250 is formed on the gate insulating layer 282, and the channel layer 173 is formed on the gate electrode 171. The channel layers 251 and 173 are formed of the active layers 251a and 173a and the ohmic contacts 251b and 173b.

소오스 및 드레인 금속층은 제1 정전기 분산 배선(211)과 복수의 데이터 배선들(DL)과, 상기 홀수번째 데이터 배선(DL1,DL3,..)과 짝수번째 데이터 배선(DL2,DL4,..)에 연결되는 정전기 분산 저항(250)의 소오스 및 드레인 전극(254)과, 스위칭 소자(170)의 소오스 및 드레인 전극(174)을 형성한다. 상기 소오스 및 드레인 금속층 위에는 패시베이션층(284)이 형성되며, 상기 패시베이션층(284) 위에는 절연층(286)이 형성이 형성된다. 물론, 상기 절연층(286)은 형성되지 않을 수도 있다. The source and drain metal layers may include a first static electricity distribution line 211 and a plurality of data lines DL, odd-numbered data lines DL1, DL3, .., and even-numbered data lines DL2, DL4, .. The source and drain electrodes 254 of the electrostatic dispersion resistor 250 and the source and drain electrodes 174 of the switching element 170 are formed. A passivation layer 284 is formed on the source and drain metal layers, and an insulating layer 286 is formed on the passivation layer 284. Of course, the insulating layer 286 may not be formed.

게이트 금속층으로 형성된 제2 배선(222)과 소오스 및 드레인 금속층으로 형성된 짝수번째 데이터 배선(DL2,DL4,..)을 서로 연결하기 위해 제2 접촉점(226)이 형성된다. 제2 접촉점(226)은 제2 배선(222)을 노출시키는 콘택홀(EC1)과, 짝수번째 데이터 배선(DL4)을 노출시키는 콘택홀(EC2)을 포함한다. 콘택홀(176)은 스위칭 소자(170)의 드레인 전극(174)을 노출시킨다. 상기 콘택홀들을 형성할 때, 상기 정전기 분산 저항(250)의 채널층(251)을 분리하는 분리홀(256)을 형성하여 상기 홀수번째 데이터 배선(DL3)과 짝수번째 데이터 배선(DL4)을 전기적으로 분리시킨다. The second contact point 226 is formed to connect the second interconnection 222 formed of the gate metal layer and the even-numbered data interconnects DL2, DL4,... Formed of the source and drain metal layers to each other. The second contact point 226 includes a contact hole EC1 exposing the second wire 222 and a contact hole EC2 exposing the even-numbered data wire DL4. The contact hole 176 exposes the drain electrode 174 of the switching element 170. When forming the contact holes, a separation hole 256 is formed to separate the channel layer 251 of the electrostatic dispersion resistor 250 to electrically connect the odd-numbered data line DL3 and the even-numbered data line DL4. To separate.

투명 전극층(190)이 형성되면서, 콘택홀(EC1,EC2)을 통해 제2 배선(222)과 짝수번째 데이터 배선(DL4)은 투명 전극층(190)에 의해 전기적으로 연결된다. 또한, 콘택홀(176)을 통해 투명 전극층(190)과 스위칭 소자(170)의 드레인 전극(174)은 전기적으로 연결된다. As the transparent electrode layer 190 is formed, the second wiring 222 and the even-numbered data wiring DL4 are electrically connected by the transparent electrode layer 190 through the contact holes EC1 and EC2. In addition, the transparent electrode layer 190 and the drain electrode 174 of the switching element 170 are electrically connected through the contact hole 176.

도 4a 내지 도 4d는 도 3의 어레이 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 4A through 4D are process diagrams for describing a method of manufacturing the array substrate of FIG. 3.

도 4a를 참조하면, 투명 기판(200) 상에 스퍼터링(sputtering)등의 방법으로 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등을 증착하여 게이트 금속층을 형성한다. 상기 게이트 금속층을 포토 리소그래픽(photolithography) 공정으로 패터닝하여 투명 기판(200)상에 제1 배선(221)과 제2 배선(222) 및 스위칭 소자(170)의 게이트 전극(171)을 형성한다. Referring to FIG. 4A, a gate metal layer is formed by depositing aluminum (Al), copper (Cu), or the like on the transparent substrate 200 by sputtering or the like. The gate metal layer is patterned by a photolithography process to form the first wiring 221, the second wiring 222, and the gate electrode 171 of the switching element 170 on the transparent substrate 200.                     

이후, 투명 기판(200)상에 형성된 게이트 금속층을 덮도록 게이트 절연층(282)을 증착한다. 게이트 절연층(282)은 질화 실리콘 또는 산화 실리콘과 같은 절연물질로 형성한다.Thereafter, the gate insulating layer 282 is deposited to cover the gate metal layer formed on the transparent substrate 200. The gate insulating layer 282 is formed of an insulating material such as silicon nitride or silicon oxide.

도 4b를 참조하면, 게이트 절연층(282) 위에 활성층(251a,173a) 및 저항성 접촉층(251b,173b)을 순차적으로 증착한다.Referring to FIG. 4B, active layers 251a and 173a and ohmic contacts 251b and 173b are sequentially deposited on the gate insulating layer 282.

활성층(251a,173a) 및 저항성 접촉층(251b,173b)을 홀수번째 데이터 배선(DL3)과 짝수번째 데이터 배선(DL4) 사이에 형성되는 정전기 분산 저항(250)에 대응하는 부분과, 스위칭 소자(170)의 게이트 전극(171)에 대응하는 부분에만 잔류하도록 포토 리소그래픽 공정으로 패터닝한다. 여기서, 포토 리소그래픽 공정은 포토 레지스트 도포, 포토 레지스트 패터닝, 노광, 현상, 에천트를 이용한 식각과정 등을 포함한다. A portion of the active layers 251a and 173a and the ohmic contacts 251b and 173b corresponding to the electrostatic dispersion resistor 250 formed between the odd-numbered data line DL3 and the even-numbered data line DL4 and a switching element ( Patterning is performed by a photolithography process so that only the portion corresponding to the gate electrode 171 of the 170 remains. Here, the photolithographic process includes photoresist coating, photoresist patterning, exposure, development, etching using etchant, and the like.

이후, 저항성 접촉층(251b,173b)을 덮도록 소오스 및 드레인 금속층을 증착하고, 포토 레지스트 노광 및 현상하여 포토 레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 상기 포토 레지스트 패턴(미도시)을 마스크로 하여 소오스 및 드레인 금속층을 식각한다. Thereafter, the source and drain metal layers are deposited to cover the ohmic contacts 251b and 173b, and photoresist exposure and development are performed to form a photoresist pattern (not shown). The source and drain metal layers are etched using the photoresist pattern (not shown) as a mask.

이에 의해 소오스 및 드레인 금속층은 제1 정전기 분산 배선(211)과, 복수의 데이터 배선들(DL)과, 상기 홀수번째 데이터 배선(DL3)과 짝수번째 데이터 배선(DL4)에 연결되는 정전기 분산 저항(250)의 소오스 및 드레인 전극(254)과, 스위칭 소자(170)의 소오스 및 드레인 전극(174)을 형성한다. 이후, 스위칭 소자(170)는 소오스 및 드레인 전극(174)을 마스크로 하여 노출된 저항성 접촉층(173b)을 식각 하여 채널층(173)을 형성한다. As a result, the source and drain metal layers may be disposed on the first static electricity distribution line 211, the plurality of data lines DL, the odd data lines DL3, and the even data lines DL4. The source and drain electrodes 254 of 250 and the source and drain electrodes 174 of the switching element 170 are formed. Thereafter, the switching element 170 forms the channel layer 173 by etching the exposed ohmic contact layer 173b using the source and drain electrodes 174 as a mask.

도 4c를 참조하면, 소오스 및 드레인 금속층 위에 패시베이션층(284)이 형성되며, 상기 패시베이션층(284) 위에는 절연층(286)이 형성된다. 물론, 상기 절연층(286)은 형성되지 않을 수도 있다. 이후, 포토 리소그래픽 공정으로 패시베이션층(284) 및 절연층(286)에 콘택홀들을 형성한다. Referring to FIG. 4C, a passivation layer 284 is formed on the source and drain metal layers, and an insulating layer 286 is formed on the passivation layer 284. Of course, the insulating layer 286 may not be formed. Thereafter, contact holes are formed in the passivation layer 284 and the insulating layer 286 by a photolithographic process.

도 4d를 참조하면, 정전기 분산 저항(250)을 홀수번째 데이터 배선(DL3)과 짝수번째 데이터 배선(DL4)에 대해서 상호 분리시키기 위해 활성층(251a)과 저항성 접촉층(251b)를 분리하기 위한 분리홀(256)을 형성한다. 이에 의해 홀수번째 데이터 배선(DL3)과 짝수번째 데이터 배선(DL4) 사이를 연결하는 정전기 분산 저항(250)은 실질적으로 전기적으로 분리된 상태가 된다. 이에 의해 홀수번째 데이터 배선(DL3)과 짝수번째 데이터 배선(DL4) 간의 누설전류를 방지한다.Referring to FIG. 4D, isolation for separating the active layer 251a and the ohmic contact layer 251b to separate the static dispersion resistor 250 from the odd-numbered data line DL3 and the even-numbered data line DL4. The hole 256 is formed. As a result, the static electricity dissipation resistor 250 connecting between the odd-numbered data line DL3 and the even-numbered data line DL4 is substantially in an electrically separated state. This prevents a leakage current between the odd data line DL3 and the even data line DL4.

또한, 콘택홀(EC1)은 게이트 금속층으로 형성된 제2 배선(222)을 노출시키고, 콘택홀(EC2)은 소오스 및 드레인 금속층으로 형성된 짝수번째 데이터 배선(DL4)을 노출시킨다. 또한, 콘택홀(176)은 스위칭 소자(170)의 드레인 전극(174)을 노출시킨다. In addition, the contact hole EC1 exposes the second wiring 222 formed of the gate metal layer, and the contact hole EC2 exposes the even-numbered data wiring DL4 formed of the source and drain metal layers. In addition, the contact hole 176 exposes the drain electrode 174 of the switching element 170.

이 후, 절연층(286) 위에 투명한 전도성 물질인 투명 전극층(190)을 증착하여 패터닝한다. 상기 투명한 전도성 물질인 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO), 인듐-아연-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide : IZO) 또는 인듐-틴-아연 옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide)를 증착하여 패터닝한다. 물론, 상기 절연층(286)이 형성되지 않는 경우에는 패시베이션층(284) 위에 투명 전극층(190)이 형성된다. Thereafter, the transparent electrode layer 190, which is a transparent conductive material, is deposited on the insulating layer 286 to be patterned. Indium-Tin-Oxide (ITO), Indium-Zinc-Oxide (IZO) or Indium-Tin-Zinc-Oxide as the transparent conductive material Is deposited and patterned. Of course, when the insulating layer 286 is not formed, the transparent electrode layer 190 is formed on the passivation layer 284.                     

따라서, 접촉점(226)에 의해 제2 배선(222)과 짝수번째 데이터 배선(DL4)을 투명 전극층(190)에 의해 전기적으로 연결된다. 또한, 콘택홀(176)에 의해 스위칭 소자(170)의 드레인 전극(174)과 투명 전극층(또는 화소 전극)(190)과 전기적으로 연결된다. Therefore, the second wiring 222 and the even-numbered data wiring DL4 are electrically connected to each other by the contact point 226 by the transparent electrode layer 190. In addition, the contact hole 176 is electrically connected to the drain electrode 174 and the transparent electrode layer (or pixel electrode) 190 of the switching element 170.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 모기판의 일부분을 발췌한 부분 확대도이다. 도 5를 참조하면, 상기한 도 2에 도시된 일 실시예에 따른 표시패널용 모기판에 도시된 동일부재에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하여 설명한다. 5 is an enlarged partial view of a portion of a mother substrate according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the same members shown in the mother substrate for display panel according to the exemplary embodiment shown in FIG. 2 will be described with the same reference numerals.

도시된 바와 같이, 모기판은 어레이 검사 인터페이스부와, 복수의 데이터 배선들에 연결되는 스위칭 소자들(170)과, 상기 스위칭 소자들(170)에 연결된 화소 전극들(190)을 포함하는 화소부가 형성된다. 구체적으로 제1 어레이 검사 인터페이스부는 정전기 분산 배선(211)과, 제1 어레이 검사 패드(221,223)와, 제1 어레이 검사 배선(222,224) 및 정전기 분산 저항(250)을 포함한다. As illustrated, the mother substrate includes a pixel portion including an array inspection interface, switching elements 170 connected to a plurality of data wires, and pixel electrodes 190 connected to the switching elements 170. Is formed. In detail, the first array test interface unit includes an electrostatic dispersion wire 211, first array test pads 221 and 223, first array test wires 222 and 224, and an electrostatic dispersion resistor 250.

제1 정전기 분산 배선(211)은 제1 방향을 갖는 복수의 데이터 배선들(DL1, DL2,..DLm)에 대해 제2 방향을 형성된 단일 배선이다. 제1 정전기 분산 배선(211)은 홀수번째 데이터 배선들 및 짝수번째 데이터 배선들 중 어느 하나와 연결되고, 다른 하나와는 분리된 구조를 갖는다. 여기서는 도시된 바와 같이, 홀수번째 데이터 배선들이 상기 제1 정전기 분산 배선(211)과 연결되고, 짝수번째 데이터 배선들이 상기 제2 정전기 분산 배선(211)과 분리된 구조이다. The first static electricity distribution wiring 211 is a single wiring in which a second direction is formed with respect to the plurality of data wires DL1, DL2,... DLm having the first direction. The first static electricity distribution line 211 is connected to any one of the odd-numbered data lines and the even-numbered data lines, and has a structure separated from the other. As shown, odd-numbered data lines are connected to the first static electricity distribution line 211 and even-numbered data lines are separated from the second static electricity distribution line 211.

제1 어레이 검사 패드는 2D 방식에 따라서 제1 패드(221) 및 제2 패드(222)를 포함한다. 제1 패드(221)는 홀수번째 데이터 배선들(DL1,DL3,..)에 인가되는 제 1 테스트 신호가 공급된다. 제2 패드(222)는 짝수번째 데이터 배선들(DL2,DL4,..)에 인가되는 제2 테스트 신호가 공급된다. The first array test pad includes a first pad 221 and a second pad 222 in a 2D manner. The first pad 221 is supplied with a first test signal applied to odd-numbered data lines DL1, DL3,... The second pad 222 is supplied with a second test signal applied to even-numbered data lines DL2, DL4,...

제1 어레이 검사 배선은 2D 방식에 따라서, 제1 배선(223) 및 제2 배선(224)을 포함한다. 제1 배선(223)은 제1 패드(221)로부터 인가된 제1 테스트 신호를 제1 접촉점(227)을 통해 홀수번째 데이터 배선들(DL1,DL3,..)에 각각 인가한다. 제2 배선(224)은 제2 패드(222)로부터 인가된 제2 테스트 신호를 제2 접촉점(226)을 통해 짝수번째 데이터 배선들(DL2,DL4,..)에 각각 인가한다. 상기 제1 접촉점(227)은 제1 배선(223)과 홀수번째 데이터 배선들(DL1,DL3,..)을 전기적으로 접촉시킨다. 상기 제2 접촉점(226)은 제2 배선(224)과 짝수번째 데이터 배선들(DL2,DL4,..)을 전기적으로 접촉시킨다. The first array test wiring includes a first wiring 223 and a second wiring 224 according to the 2D method. The first wire 223 applies the first test signal applied from the first pad 221 to the odd-numbered data wires DL1, DL3,... Through the first contact point 227. The second wire 224 applies a second test signal applied from the second pad 222 to the even-numbered data wires DL2, DL4,... Through the second contact point 226, respectively. The first contact point 227 electrically contacts the first wire 223 and the odd-numbered data wires DL1, DL3,... The second contact point 226 electrically contacts the second wire 224 and the even-numbered data wires DL2, DL4,...

정전기 분산 저항(250)은 복수의 데이터 배선들(DL)의 단부에 형성된다. 즉, 홀수번째 데이터 배선(DL1,DL3,..)과 짝수번째 데이터 배선(DL2,DL4,..) 사이를 연결하도록 형성한다. 즉, 상기 제1 정전기 분산 배선(211)과 연결된 홀수번째 데이터 배선들과 상기 제1 정전기 분산 배선(211)과 연결되지 않은 짝수번째 데이터 배선들 사이에 상기 정전기 분산 저항(250)을 형성한다. The static electricity dissipation resistor 250 is formed at an end portion of the data lines DL. That is, it is formed so as to connect between the odd-numbered data lines DL1, DL3,... And the even-numbered data lines DL2, DL4 ... That is, the static dispersion resistor 250 is formed between odd-numbered data wires connected to the first static electricity distribution line 211 and even-numbered data wires not connected to the first static electricity distribution line 211.

이에 의해 짝수번째 데이터 배선에 유입되는 정전기를 홀수번째 데이터 배선으로 분리시킴으로써 정전기에 의한 위험성을 막을 수 있다. As a result, the static electricity flowing into the even-numbered data line can be separated into the odd-numbered data line, thereby preventing the risk of static electricity.

또한, 상기 정전기 분산 저항(250)은 기계적으로는 상기 홀수번째 데이터 배선과 짝수번째 데이터 배선을 연결하고 있지만, 전기적으로는 분리된 상태이다. 따라서, 2G2D 어레이 검사 공정시, 홀수번째 데이터 배선(DL1,DL3,..)에 인가되는 테 스트 신호가 짝수 데이터 배선(DL2,DL4,..)으로 인가되는 것을 방지함으로써 어레이 검사를 용이하게 할 수 있다. In addition, the electrostatic dispersion resistor 250 is mechanically connected to the odd-numbered data line and the even-numbered data line, but is electrically disconnected. Therefore, during the 2G2D array inspection process, it is possible to facilitate the array inspection by preventing the test signal applied to the odd-numbered data lines DL1, DL3, .. from being applied to the even-numbered data lines DL2, DL4, .. Can be.

또한, 이상의 실시예에서는 홀수번째 데이터 배선과 짝수번째 데이터 배선사이에 정전기 분산 저항을 형성하는 경우를 예로 하였으나, 인접한 데이터 배선간에 상기 정전기 분산 저항을 형성할 수 있음은 당연하다. 예컨대, 첫 번째 데이터 배선(DL1)과 두 번째 데이터 배선(DL2) 사이에, 두 번째 데이터 배선(DL2)과 세 번째 데이터 배선(DL3) 사이에, 이와 같은 방식으로 인접한 데이터 배선들 사이에 정전기 분산 저항을 형성하여 기계적으로는 상호 연결되고, 전기적으로 상호 분리된 구조를 갖도록 형성한다. In addition, in the above embodiment, the case where the static dispersion resistor is formed between the odd-numbered data lines and the even-numbered data wires is taken as an example, but it is natural that the static dispersion resistors may be formed between adjacent data lines. For example, static electricity is distributed between adjacent data lines in this manner between the first data line DL1 and the second data line DL2, between the second data line DL2 and the third data line DL3. The resistors are formed to have mechanically interconnected and electrically separated structures.

이에 의해 실질적으로 플로팅 상태인 복수의 데이터 배선들에 유입되는 정전기를 분산시킴으로써 정전기 위험성을 극복할 수 있다. 또한, 전기적으로 인접한 데이터 배선들을 분리시킴으로써 2G2D 검사를 용이하게 할 수 있다.As a result, it is possible to overcome the risk of static electricity by dispersing static electricity flowing into the plurality of data wires which are substantially in a floating state. In addition, 2G2D inspection can be facilitated by separating electrically adjacent data wires.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 전기적으로 플로팅 상태에 있는 복수의 데이터 배선들 사이에 정전기 분산 저항을 형성하여 외부로부터 유입되는 정전기를 분사시킨다. 이에 의해 복수의 데이터 배선들을 정전기의 위험성으로부터 해결할 수 있다. As described above, according to the present invention, an electrostatic dispersion resistor is formed between the plurality of data wires in the electrically floating state to inject static electricity flowing from the outside. As a result, a plurality of data lines can be solved from the risk of static electricity.

또한, 상기 정전기 분산 저항은 상기 복수의 데이터 배선들과 전기적으로 차단된 상태이므로 연결된 데이터 배선간의 누설전류를 방지할 수 있다. 이에 의해 2G2D 검사 공정을 용이하게 할 수 있다. In addition, since the static electricity dissipation resistor is electrically disconnected from the plurality of data lines, leakage current between the connected data lines can be prevented. Thereby, the 2G2D inspection process can be facilitated.                     

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

Claims (9)

제1 방향으로 형성된 데이터 배선들과, 제2 방향으로 형성된 스캔 배선들과, 제1 전류 전극이 상기 데이터 배선에 연결되고, 제어 전극이 상기 스캔 배선에 연결된 스위칭 소자를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법에서, A method of manufacturing an array substrate including data lines formed in a first direction, scan lines formed in a second direction, and a switching element having a first current electrode connected to the data line and a control electrode connected to the scan line. in, (a) 상기 데이터 배선들의 단부에 형성되어, 인접한 제1 데이터 배선과 제2 데이터 배선을 연결하는 정전기 분산 저항의 채널층과, 상기 스위칭 소자의 채널층을 형성하는 단계;(a) forming a channel layer of an electrostatic dissipation resistor formed at an end of the data lines to connect an adjacent first data line and a second data line, and a channel layer of the switching element; (b) 제2 금속층으로 상기 데이터 배선들과, 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 데이터 배선을 각각 연결하는 상기 정전기 분산 저항의 제1 및 제2 전류 전극과, 상기 스위칭 소자의 제1 및 제2 전류 전극을 형성하는 단계;(b) first and second current electrodes of the electrostatic dispersion resistor connecting the data lines, the first data line and the second data line to a second metal layer, respectively; Forming a two current electrode; (c) 상기 정전기 분산 저항의 제1 및 제2 전류 전극과, 상기 스위칭 소자의 제1 및 제2 전류 전극 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;(c) forming a passivation layer on the first and second current electrodes of the electrostatic dispersion resistor and on the first and second current electrodes of the switching element; (d) 상기 패시베이션층의 일부를 제거하여 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 데이터 배선에 대응하여 상기 정전기 분산 저항의 채널층을 분리하는 제1 홀과, 상기 스위칭 소자의 제2 전류전극을 노출시키는 제2 홀을 형성하는 단계; 및 (d) exposing a first hole for removing a portion of the passivation layer to separate the channel layer of the electrostatic dispersion resistor in response to the first data line and the second data line, and a second current electrode of the switching element. Forming a second hole to make; And (e) 상기 제2 홀을 통해 상기 스위칭 소자의 제2 전류 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.(e) forming a pixel electrode connected to the second current electrode of the switching element through the second hole. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스위칭 소자의 제어 전극과, 상기 홀수번째 데이터 배선들에 제1 테스트 신호를 인가하는 제1 검사 배선과, 짝수번째 데이터 배선들에 제2 테스트 신호를 인가하는 제2 검사 배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.Forming a control electrode of the switching element, a first test wire for applying a first test signal to the odd-numbered data wires, and a second test wire for applying a second test signal to even-numbered data wires; The method of manufacturing an array substrate further comprising. 제1항에 있어서, 상기 단계(b)에서는, The method of claim 1, wherein in step (b), 상기 데이터 배선들의 외곽에 제2 방향으로 형성되어 외부로부터 유입된 정전기를 분산시키는 정전기 분산 배선을 형성하며,Formed in the second direction on the outside of the data lines to form a static electricity distribution wiring for dispersing the static electricity flowing from the outside, 상기 제1 데이터 배선 및 제2 데이터 배선 중 어느 하나는 상기 정전기 분산 배선과 연결되며, 다른 하나는 상기 정전기 분산 배선과 분리된 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.Any one of the first data line and the second data line is connected to the electrostatic dispersion line, and the other is separated from the electrostatic dispersion line. 제1항에 있어서, 상기 단계(d)에서, The method of claim 1, wherein in step (d), 상기 홀수번째 데이터 배선과 상기 제1 검사 배선을 연결하는 제1 접촉홀을 형성하고, 상기 짝수번째 데이터 배선과 상기 제2 검사 배선을 연결하는 제2 접촉홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.Forming a first contact hole connecting the odd-numbered data line and the first test line, and forming a second contact hole connecting the even-numbered data line and the second test line. Manufacturing method. 제4항에 있어서, 상기 단계(e)에서, The method of claim 4, wherein in step (e), 투명전극층을 이용하여 상기 제1 접촉홀과 상기 제2 접촉홀을 통해 상기 홀수번째 데이터 배선과 상기 제1 검사 배선을 연결하고, 상기 짝수번째 데이터 배선 과 상기 제2 검사 배선을 연결하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.The odd-numbered data line and the first test line are connected through the first contact hole and the second contact hole using a transparent electrode layer, and the even-numbered data line and the second test line are connected to each other. The manufacturing method of an array substrate. 제1 방향으로 형성된 복수의 데이터 배선들;A plurality of data wires formed in a first direction; 인접한 제1 데이터 배선과 제2 데이터 배선을 연결하여 외부로부터 유입된 정전기를 분산시키는 정전기 분산 저항; 및An electrostatic dispersion resistor configured to disperse static electricity introduced from the outside by connecting adjacent first data lines and second data lines; And 상기 데이터 배선들에 테스트 신호를 인가하여 검사하는 제1 어레이 검사부를 포함하는 어레이 기판.And a first array inspection unit configured to apply a test signal to the data lines to inspect the data lines. 제6항에 있어서, 상기 데이터 배선들의 외곽에 제2 방향으로 형성되어 외부로부터 유입된 정전기를 분산시키는 제1 정전기 분산 배선을 더 포함하며,The apparatus of claim 6, further comprising: a first static electricity dispersing wire formed in a second direction on the outside of the data wires to disperse static electricity introduced from the outside; 상기 제1 데이터 배선 및 제2 데이터 배선 중 어느 하나는 상기 제1 정전기 분산 배선과 연결되며, 다른 하나는 상기 제1 정전기 분산 배선과 분리된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.And one of the first data line and the second data line is connected to the first electrostatic dispersion line, and the other is separated from the first electrostatic dispersion line. 제7항에 있어서, 상기 홀수번째 데이터 배선들이 상기 제1 정전기 분산 배선에 연결되고, 짝수번째 데이터 배선들 상기 제1 정전기 분산 배선과 분리된 경우, The method of claim 7, wherein the odd-numbered data lines are connected to the first electrostatic dispersion line, and even-numbered data lines are separated from the first electrostatic line. 상기 정전기 분산 저항은 상기 홀수번째 데이터 배선과 짝수번째 데이터 배선의 단부 사이에 형성되어 상기 짝수번째 데이터 배선으로 유입되는 정전기를 분산시키는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.And the static electricity dissipation resistor is formed between the odd-numbered data lines and the ends of the even-numbered data lines to dissipate static electricity flowing into the even-numbered data lines. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 제2 방향으로 형성된 복수의 스캔 배선들;A plurality of scan wires formed in a second direction; 상기 스캔 배선들의 외곽에 상기 제1 방향으로 형성되어 외부로부터 유입된 정전기를 분산시키는 제2 정전기 분산 배선; 및A second static electricity distribution line formed in the first direction on the outer side of the scan lines to disperse static electricity introduced from the outside; And 상기 제1 방향으로 형성되어 상기 스캔 배선들에 테스트 신호를 인가하는 제2 어레이 검사부를 더 포함하는 어레이 기판.And a second array inspection unit formed in the first direction to apply a test signal to the scan lines.
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