KR20060017450A

KR20060017450A - 터치 패널 장치 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20060017450A
Application number: KR1020040089090A
Authority: KR
Inventors: 사노사또시; 가쯔끼다까시; 다까하시유우지; 나까자와후미히꼬
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 2004-08-20
Filing date: 2004-11-04
Publication date: 2006-02-23
Also published as: JP4357389B2; JP2006059169A; KR100677794B1; US20080316187A1; CN1737827A; US8040327B2; CN100347647C; US7423636B2; TW200608272A; TWI272520B; US20060038792A1

Abstract

본 발명의 과제는 터치 패널 장치의 프레임의 폭을 가능한 한 좁게 하고, 게다가 터치 패널 장치의 두께가 커지지 않도록 하는 것이다.

터치 패널 장치의 각 변환기(20)는 압전 박막(21)과, 압전 박막(21)의 한 쪽 표면에 배치된 평판 전극(22)과, 압전 박막(21)의 다른 쪽 표면에 배치된 복수의 빗살형 전극 핑거(24) 및 각각의 일단부측에 접속되는 직선형 버스 전극(25)을 갖는 빗살형 전극(23)으로 이루어지고, 어느 하나의 변환기의 외측이며 상기 변환기의 버스 전극(25)과 평행 형상으로, 어느 하나의 변환기의 버스 전극(25) 및 평판 전극(22)에 접속된 복수개의 배선 전극(30, 31)이 설치되어 있고, 각 배선 전극(30, 31)은 기판(11)의 표면에 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 베이스부(301, 311)와, 전극 베이스부 상에 큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 본체(302, 312)로 이루어진다.

변환기, 압전 박막, 버스 전극, 배선 전극, 전극 본체

Description

터치 패널 장치 및 그 제조 방법 {TOUCH PANEL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

도1은 본 발명의 제1 실시 형태의 터치 패널 장치의 정면도.

도2는 터치 패널 장치의 일부를 확대하여 도시한 도면.

도3은 변환기의 부분을 확대하여 도시한 단면도.

도4는 접속 부분의 위치를 설명하는 도면.

도5는 변환기의 전압 분포의 예를 나타낸 그래프.

도6은 여진 신호와 수신 신호의 파형의 예를 나타낸 그래프.

도7은 변환기의 제조 공정의 개략을 설명하는 도면.

도8은 배선 전극의 베이스부에 앵커를 설치한 예를 도시한 단면도.

도9는 본 발명의 제2 실시 형태의 터치 패널 장치의 변환기의 부분을 확대하여 도시한 단면도.

도10은 도9에 대응하는 평면도.

도11은 본 발명의 제3 실시 형태의 터치 패널 장치의 변환기의 부분을 확대하여 도시한 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1, 1B, 1C : 터치 패널 장치

11 : 유리 기판(기판)

20 : 변환기

21, 21B, 21C : 압전 박막(압전체)

22, 22B, 22C : 평판 전극(전극)

23, 23B, 23C : 빗살형 전극(전극)

24, 24B, 24C : 빗살형 전극 핑거

25, 25B, 25C : 버스 전극

30, 30B, 30C : 배선 전극

31, 31B, 31C : 배선 전극

36 : 거들(거들벽)

251 : 전극 베이스부(버스 전극 베이스부)

252 : 전극 베이스부(버스 전극 본체)

301, 311 : 전극 베이스부

302, 312 : 전극 본체

TE : 터치 영역

SB : 접속 부분

EA, EB : 영역

본 발명은 물체의 접촉에 의한 표면 탄성파의 감쇠 위치를 검지하여 물체의 접촉 위치를 검출하는 터치 패널 장치에 관한 것으로, 예를 들어 퍼스널 컴퓨터나 휴대 정보 단말 등의 입력 장치로서 사용된다.

퍼스널 컴퓨터나 모바일 컴퓨터, 또는 휴대 정보 단말 장치(PDA : Personal Digital Assistant) 등의 입력 장치로서, 표시 장치의 표시면 상에 손가락이나 펜을 접촉시킴으로써 정보의 입력을 행하는 터치 패널 장치가 종종 이용된다.

그러한 터치 패널 장치로서, 저항막을 이용한 것과 표면 탄성파(SAW : Surface Acoustic Wave)를 이용한 것이 있다. 저항막 방식의 것은 터치 영역에 복수층의 저항막이 형성되므로, 이에 의해 빛이 착란되어 투과율이 낮다. 표면 탄성파 방식의 터치 패널 장치는 표면 탄성파를 여진하거나 또는 수신하는 변환기를 터치 영역의 좌우 상하에 배치하여, 터치 영역에 손가락 등이 접촉되었을 때에 그 접촉 위치를 표면 탄성파의 감쇠 위치를 기초로 하여 검출한다. 표면 탄성파 방식의 것은 저항막과 같은 층이 터치 영역에 존재하지 않으므로 투과율이 높고, 표시면의 시인성이 우수하고 흠집에 대해 강하다고 하는 이점이 있다.

표면 탄성파 방식의 터치 패널 장치로서 압전 박막을 빗살형 전극과 평판 전극 사이에 끼워 넣음으로써 1개의 면에 1개의 전극만을 배치하는 전극 구조의 변환기(SPT : Single Phase Transducer)를 이용하고, 또한 く자형의 빗살형 전극을 연속하여 배치하는 쉐브론형 전극 구성으로 한 터치 패널 장치를 본 출원인은 앞서 제안하였다(특허 문헌 1).

그 터치 패널 장치는 직사각형의 투명한 기판의 상부 모서리부 및 하부 모서 리부에 여진용 변환기가, 좌측 모서리부 및 우측 모서리부에 수신용 변환기가 각각 합계 4개 배치되어 구성된다. 4개의 변환기로 둘러싸인 부분이 터치 영역이다. 각 변환기는 이상에 서술한 SPT 구조이며, 쉐브론형 전극 구성으로 되어 있다.

각각의 변환기는 길이 방향의 일단부에 있어서, 배선 전극과 빗살형 전극 및 평판 전극과의 접속 부분이 근접하여 설치되어 있다. 이 접속 부분에 대해 배선 전극으로부터 공급되는 여진 전압이 인가되어 이에 의해 신호 급전이 행해지고, 또한 접속 부분으로부터 배선 전극으로 수신 신호가 취출되어 이에 의해 신호 취출이 행해진다. 각 배선 전극의 타단부는 기판의 1부위에 결선부로서 배치되어 있고, 결선부에 부착되는 가요성 케이블 등에 의해 신호 처리 회로에 접속된다.

상하에 배치된 변환기에 여진 전압을 인가하여 표면 탄성파를 발생시키고, 발생된 표면 탄성파를 기판에 의해 대각선 방향에 따라서 전파시켜 좌우에 배치된 변환기에서 수신한다. 터치 영역의 1부위에 손가락이나 펜 등을 접촉시키면, 접촉된 부분의 표면 탄성파가 감쇠한다. 따라서, 수신 신호의 레벨이 감쇠한 위치를 기초로 하여 신호 처리를 행함으로써, 그 접촉 위치를 검출할 수 있다.

[특허 문헌 1]

일본 특허 공개 제2004-171213호

그런데, 이상에 서술한 터치 패널 장치에 있어서 가능한 한 터치 영역(TE)을 넓게 하고 변환기의 영역을 작게 하는 것이 요망된다. 특히, PDA 등에 사용되는 소형의 터치 패널 장치에서는 PDA의 소형화를 위해, 터치 패널 장치에 있어서의 변 환기 및 배선 전극의 부분으로 이루어지는 프레임의 폭을 가능한 한 좁게 할 필요가 있다.

이상에 서술한 SPT 구조의 변환기에서는, 압전 박막의 각 표면에는 각각 1개의 전극만이 배치되므로, 1개의 면에 2개의 전극이 배치되는 대향 전극 구조의 것보다도 폭을 좁게 할 수 있어, 그 만큼 프레임의 폭을 좁게 할 수 있다.

그러나, 변환기에 급전하기 위한 배선 전극이 변환기의 외주에 따라서 배치되어 있고, 그 배선 전극의 부분에 대해서도 폭을 가능한 한 좁게 할 필요가 있다. 그런데, 배선 전극의 폭을 좁게 하기 위해서는 그에 의해 저항치가 높아지지 않도록 배선 전극의 높이를 높게 하여 단면적이 작아지지 않도록 할 필요가 있다. 배선 전극의 높이를 높게 한 경우에는, 그에 의해 터치 패널 장치의 두께가 두꺼워져 바람직하지 않다.

본 발명은 상술한 점에 비추어 이루어진 것으로, 터치 패널 장치의 프레임의 폭을 가능한 한 좁게 하는 것이 가능하고, 게다가 터치 패널 장치의 두께가 커지지 않도록 하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 관한 터치 패널 장치는 투명한 기판의 중앙부에 터치 영역이 마련되고, 표면 탄성파를 여진하거나 또는 수신하는 변환기가 상기 터치 영역의 주변부에 배치되어 있는 터치 패널 장치이며, 상기 각 변환기는 압전 박막과, 상기 압전 박막의 한 쪽 표면에 배치된 평판 전극과, 상기 압전 박막의 다른 쪽 표면에 배치된 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 복수의 빗살형 전극 핑거의 각각의 일단부측 에 접속되는 직선형의 버스 전극을 갖는 빗살형 전극으로 이루어지고, 어느 하나의 상기 변환기의 외측이며 상기 변환기의 상기 버스 전극과 평행 형상으로, 어느 하나의 변환기의 상기 평판 전극 및 상기 버스 전극에 접속된 복수개의 배선 전극이 설치되어 있고, 상기 각 배선 전극은 상기 기판의 표면에 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 베이스부와, 상기 전극 베이스부 상에 큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 본체로 이루어진다.

바람직하게는, 상기 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 버스 전극은 모두 상기 압전 박막의 다른 쪽 표면에 배치되어 있고, 또한 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 전극 베이스부와 동일한 공정으로 형성된다.

더욱 바람직하게는, 상기 복수의 배선 전극의 상호간에 배선 전극의 인쇄시의 스며듬 방지를 위해 산화아연에 의한 거들벽이 형성된다.

다른 형태에서는, 상기 버스 전극은 상기 기판의 표면에 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 버스 전극 베이스부와 상기 버스 전극 베이스부 상에 큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 버스 전극 본체로 이루어진다.

그 경우에, 바람직하게는 상기 복수의 배선 전극의 상호간 및 상기 배선 전극과 상기 버스 전극 사이에 산화아연에 의한 거들벽이 각각 형성된다.

또한 바람직하게는, 상기 복수의 배선 전극 및 상기 버스 전극을 덮고, 상기 기판 주위의 전영역에 걸쳐 흡음 방습층이 형성된다.

그리고, 상기 평판 전극은 상기 압전 박막과 상기 기판 사이에 설치되어 있 고, 상기 평판 전극과 상기 배선 전극의 접속을 위한 접촉 부분은 상기 평판 전극이 상기 압전 박막의 하부로부터 상기 기판 상으로 비어져 나온 부분 뿐이며, 상기 접촉 부분이 상기 흡음 방습층에 의해 덮인다.

본 발명에 관한 제조 방법에 의하면, 상기 기판의 표면에 상기 평판 전극을 형성하는 단계와, 상기 평판 전극 상에 상기 압전 박막을 형성하는 단계와, 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 버스 전극을 상기 압전 박막의 표면에 형성하는 것과 상기 평판 전극 및 상기 버스 전극에 접속되는 배선 전극의 전극 베이스부를 상기 기판의 표면에 형성하는 것을 동시에 행하는 단계와, 큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 배선 전극의 전극 본체를 상기 전극 베이스부 상에 형성하는 단계를 갖는다.

다른 제조 방법에 의하면, 상기 기판의 표면에 상기 평판 전극을 형성하는 단계와, 상기 평판 전극 상에 상기 압전 박막을 형성하는 단계와, 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 복수의 빗살형 전극 핑거를 상기 압전 박막의 표면에 형성하는 것과 상기 버스 전극 및 상기 평판 전극 및 상기 버스 전극에 접속되는 배선 전극의 각각의 전극 베이스부를 상기 기판의 표면에 형성하는 것을 동시에 행하는 단계와, 큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 버스 전극 및 배선 전극의 전극 본체를 상기 각 전극 베이스부 상에 형성하는 단계를 갖는다.

필요에 따라서, 상기 압전 박막을 형성하는 단계에 있어서 상기 압전 박막을 산화아연에 의해 형성하는 동시에, 상기 기판의 표면 상이며 상기 복수의 배선 전 극의 상호간에 배선 전극의 인쇄시의 스며듬 방지를 위한 거들벽을 산화아연에 의해 형성한다.

[제1 실시 형태]

도1은 본 발명의 제1 실시 형태의 터치 패널 장치(1)의 정면도, 도2는 터치 패널 장치(1)의 일부를 확대하여 도시한 도면, 도3은 터치 패널 장치(1)의 변환기(20) 및 배선 전극(30, 31)의 부분을 확대하여 도시한 단면도, 도4는 접속 부분(SB)의 위치를 설명하는 도면, 도5는 변환기(20)의 전압 분포의 예를 나타낸 그래프, 도6은 여진 신호와 수신 신호의 파형의 예를 나타낸 그래프, 도7은 변환기(20)의 제조 공정의 개략을 설명하는 도면, 도8은 배선 전극(30, 31)의 베이스부에 앵커(35)를 설치한 예를 나타낸 단면도이다.

도1에 있어서, 터치 패널 장치(1)는 직사각형의 투명한 유리 기판(11)의 주변부에 4개의 변환기(20a 내지 20d)가 설치되고, 또한 그 외주에 따라 배선 전극(30a 내지 30d, 31a 내지 31d)이 설치됨으로써 구성되어 있다. 터치 패널 장치(1)의 중앙부, 즉 변환기(20a 내지 20d)로 둘러싸인 직사각형의 부분은 터치 영역(TE)으로 되어 있다.

상변부 및 하변부에 설치된 2개의 변환기(20a, 20b)는 여진용이고, 좌변부 및 우변부에 설치된 2개의 변환기(20c, 20d)는 수신용이다. 여진용 변환기(20a, 20b)에 여진 전압(여진 신호, 도6 참조)을 인가하여 표면 탄성파를 발생시키고, 발생된 표면 탄성파를 유리 기판(11)에 의해 대각선 방향에 따라 전파시켜 수신용의 변환기(20c, 20d)에서 수신한다.

구체적으로는, 상변부의 변환기(20a)로부터의 표면 탄성파는 우측 하부 경사 방향(채널 1) 및 좌측 하부 경사 방향(채널 2)으로 전파되어 우변부 및 좌변부의 변환기(20c, 20d)에서 각각 수신되고, 하변부의 변환기(20b)로부터의 표면 탄성파는 우측 상부 경사 방향(채널 3) 및 좌측 상부 경사 방향(채널 4)으로 전파되어 우변부 및 좌변부의 변환기(20c, 20d)에서 각각 수신된다. 또한, 여진용의 2개의 변환기(20a, 20b)로의 여진 전압의 인가는 서로 시간을 옮겨 행해진다.

표면 탄성파의 전파에 요하는 시간은 그 거리에 비례하므로, 표면 탄성파가 수신용 변환기(20c, 20d)에 도달하는 데, 송신용 변환기(2Oa, 20b)로부터 각각 먼 쪽의 단부로 갈수록 지연된다. 따라서, 수신용 변환기(20c, 20d)에서의 수신 신호는 표면 탄성파가 최초에 도달하였을 때부터 마지막으로 도달할 때까지의 동안에 있어서 약간 감쇠하면서 지속하는 사다리꼴 형상의 신호가 된다(도6 참조). 터치 영역(TE)의 1부위에 손가락이나 펜 등을 접촉시키면, 접촉된 부분의 표면 탄성파가 감쇠한다. 수신 신호의 레벨이 감쇠된 위치를 기초로 하여, 접촉 위치를 검출한다.

변환기(20a 내지 20d)는 모두 동일한 구조이다. 따라서, 변환기의 구조에 대해서는 1개의 변환기(20a)에 대해서만 설명한다. 본 명세서 및 도면에 있어서, 모든 변환기(20a 내지 20d) 또는 그 일부를「변환기(20)」라 기재하는 경우가 있다.

또한, 도1에 있어서는 터치 영역(TE)에 대해 변환기(20) 및 배선 전극이 확대되어 그려져 있다. 실제 치수는, 예를 들어 유리 기판(11)의 1변의 길이가 수 ㎝ 내지 수십 ㎝, 두께가 10분의 수 ㎜ 내지 수십 ㎜, 각 변환기(20)의 폭이 수 ㎜ 정도이다. 즉, 유리 기판(11)의 표면은 그 주연부의 약간의 부분을 제외하고 대부분이 터치 영역(TE)이다. 또한, 도3에 있어서는 횡방향보다도 종방향이 크게 확대되어 있다.

도2 및 도3에 잘 도시된 바와 같이, 변환기(20a)는 압전 박막(21)을 평판 전극(22)과 빗살형 전극(23) 사이에 끼워 넣은 구조(SPT 구조)로 되어 있다. 빗살형 전극(23)은 평면으로부터 보아 く자형의 복수의 빗살형 전극 핑거(24, 24, 24 …)와, 복수의 빗살형 전극 핑거(24)의 각각의 일단부측에 접속되는 직선형의 버스 전극(25)으로 이루어진다. 또한, 평판 전극(22)은 빗살형 전극(23)의 빗살형 전극 핑거(24)와 압전 박막(21)을 거쳐서 대향한다.

압전 박막(21)은 산화아연(ZnO)으로 이루어지고, 두께가 예를 들어 2 ㎛ 정도, 폭이 예를 들어 2 ㎜강 정도이다. 평판 전극(22)은, 예를 들어 알루미늄으로 이루어지고, 두께가 예를 들어 0.4 ㎛ 정도, 폭이 예를 들어 2 ㎜ 정도이다. 빗살형 전극(23)은, 예를 들어 나노 은 페이스트(미세 입경의 은 페이스트)를 인쇄하여 소성함으로써 형성된다. 빗살형 전극 핑거(24)는, 두께가 예를 들어 1 내지 1.5 ㎛, 폭이 예를 들어 60 ㎛ 정도, 간격이 예를 들어 90 ㎛ 정도, 따라서 피치가 예를 들어 150 ㎛ 정도이다. 버스 전극(25)은, 두께가 예를 들어 2.5 ㎛ 정도, 폭이 예를 들어 150 ㎛ 정도이다.

또한, 압전 박막(21), 평판 전극(22) 및 빗살형 전극(23)의 치수는, 이상에 서술한 이외의 값으로 해도 좋다. 예를 들어, 압전 박막(21)의 폭은 예를 들어 1 내지 3 ㎜ 정도의 범위로부터, 평판 전극(22)의 두께는 예를 들어 0.3 내지 0.4 ㎛ 정도의 범위로부터, 폭은 예를 들어 1 내지 2 ㎜ 정도의 범위로부터, 빗살형 전극 핑거(24)의 두께는 예를 들어 1 내지 2 ㎛ 정도의 범위로부터, 폭은 예를 들어 50 내지 75 ㎛ 정도의 범위로부터, 간격은 예를 들어 75 내지 100 ㎛ 정도의 범위로부터, 버스 전극(25)의 두께는 예를 들어 2 내지 3 ㎛ 정도의 범위로부터, 폭은 예를 들어 100 내지 250 ㎛ 정도의 범위로부터 각각 선택해도 된다.

각 변환기(20a 내지 20d)의 빗살형 전극(23) 및 평판 전극(22)은, 각각 접속 부분(SB)에 있어서 배선 전극(30a 내지 30d, 31a 내지 31d)과 접속되어 있다. 각 배선 전극(30a 내지 30d, 31a 내지 31d)은 변환기(20)의 외측의 주위에 따라 유리 기판(11) 상에 배치되고, 유리 기판(11)의 도1에 있어서의 우측 하방의 1부위에 결선부(KS)로서 인출되어 있다. 결선부(KS)에는, 도시하지 않은 가요성 케이블 등이 부착되어 신호 처리 회로와 접속된다. 또한, 배선 전극(30a 내지 30d 또는 31a 내지 31d) 전부 또는 그 일부를 각각「배선 전극(30)」「배선 전극(31)」이라 기재하는 경우가 있다.

도3에 있어서, 배선 전극(30, 31)은 각각 유리 기판(11)의 표면에 나노 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 베이스부(301, 311)와, 전극 베이스부(311) 상에 하이브리드 나노 은 페이스트(큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트)의 인쇄에 의해 형성된 전극 본체(302, 312)로 이루어진다. 버스 전극(25) 및 평판 전극(22)은 각각의 접속 부분(SB)으로부터 전극 베이스부(301, 311)에 이어져 있다.

전극 베이스부(301, 311)는, 두께가 예를 들어 2 내지 3 ㎛ 정도, 폭이 예를 들어 200 ㎛ 정도이다. 전극 본체(302, 312)는, 두께가 예를 들어 20 ㎛ 정도, 폭이 예를 들어 200 ㎛ 정도이다. 배선 전극(30)과 배선 전극(31)의 간격은 200 ㎛ 정도, 배선 전극(30)과 버스 전극(25)[압전 박막(21)]의 간격은 150 ㎛ 정도이다.

또한, 전극 베이스부(301, 311)의 치수나 간격은 이상에 서술한 이외의 값으로 해도 좋다. 예를 들어, 전극 베이스부(301, 311) 및 전극 본체(302, 312)의 폭은 100 내지 250 ㎛ 정도의 범위로부터, 배선 전극(30)과 배선 전극(31)의 간격은 수십 내지 250 ㎛ 정도의 범위로부터, 배선 전극(30)과 버스 전극(25)[압전 박막(21)]의 간격은 수십 내지 150 ㎛ 정도의 범위로부터 각각 선택해도 된다.

그런데, 나노 은 페이스트에는 직경이 수 ㎚ 정도인 미세 입경의 은 입자가 이용되고 있다. 하이브리드 나노 은 페이스트에는 직경이 수 ㎚ 정도인 미세 입경의 은 입자와 직경이 1 내지 2 ㎛ 정도인 큰 입경의 은 입자가 혼합되어 있다. 저항율을 낮추기 위해 바인더 성분을 배제해 두어도 좋다. 나노 은 페이스트를 이용한 경우에는, 종래 이용되고 있는 보통의 은 페이스트(직경이 1 내지 2 ㎛ 정도인 큰 입경의 은 입자가 이용되고 있음)를 이용한 경우와 비교하여, 저항율을 10분의 1 정도로 저감시킬 수 있고, 또한 막 두께가 1 ㎛ 정도인 얇은 것으로도 형성할 수 있다. 하이브리드 나노 은 페이스트를 이용한 경우에는, 종래의 보통의 은 페이스트를 이용한 경우와 비교하여, 저항율을 동일하게 10분의 1 정도로 저감시킬 수 있다. 이들, 나노 은 페이스트 및 하이브리드 나노 은 페이스트 모두 다중 인쇄가 가능하므로 후막화하는 것이 가능하다. 그 경우에, 하이브리드 나노 은 페이스트이면 적은 인쇄 횟수로 쉽게 후막화하는 것이 가능하다. 예를 들어, 이상에 서술 한 20 ㎛ 정도의 두께이면 하이브리드 나노 은 페이스트를 한 번 인쇄함으로써 형성하는 것이 가능하다. 또한, 나노 은 페이스트 및 하이브리드 나노 은 페이스트는 모두 시판되고 있고 그 자체는 공지이다.

두꺼운 막의 전극 본체(302, 312)가 존재함으로써, 배선 전극(30, 31)의 전체의 저항치가 작아진다. 전극 베이스부(301, 311)가 존재함으로써 인쇄시에 유리 기판(11)에 스며들어 확대되어 버리는 일이 없고, 전극 본체(302, 312)와의 전기적 및 기계적인 결합도 양호하다. 이들의 결과, 적은 단면적으로 충분히 낮은 저항치의 배선 전극(30, 31)을 형성할 수 있다.

따라서, 배선 전극(30, 31)의 영역의 폭을 좁게 하고, 또한 두께를 얇게 할 수 있다. 그 결과, 터치 패널 장치(1)의 프레임의 폭을 좁게 할 수 있고, 게다가 터치 패널 장치(1)의 두께는 두꺼워지지 않는다.

덧붙여, 배선 전극(30, 31)의 전체에 종래의 보통의 은 페이스트를 이용한 경우에는, 저항율이 높으므로 두께를 10배인 200 ㎛ 정도로 해야만 해, 그로 인해 변환기(20)의 두께가 두꺼워져 버려 인쇄 횟수도 많아진다. 게다가, 인쇄시에 유리 기판(11)에 스며들어 확대되어 버리는 경향이 있으므로, 배선 전극(30, 31)의 간격 및 배선 전극(30)과 버스 전극(25)의 간격을 넓혀 둘 필요가 있어 프레임의 폭 치수가 커져 버린다. 또한, SPT 구조의 변환기(20)에서는 여진되는 표면 탄성파의 효율은 압전 박막(21) 상에 실린 빗살형 전극(23)의 막 두께가 표면 탄성파의 파장(피치)(λ)의 100분의 1을 넘으면 급격하게 저하되므로, 종래의 보통의 은 페이스트를 이용한 경우에는 막 두께가 두꺼워져 효율을 올리기 어렵다.

또한, 빗살형 전극(23)은 기본적으로는 빗살형 전극 핑거(24)의 폭 및 길이 및 압전 박막(21)의 두께에 의해 정전 용량이 결정되므로, 빗살형 전극 핑거(24)의 폭을 정밀도 좋게 만드는 것이 중요하다. 한편, 표면 탄성파의 여진을 위한 빗살형 전극 핑거(24)의 파인 패턴에는 박막화가 필요하다. 빗살형 전극 핑거(24)와 버스 전극(25)을 동시 형성하는 것도 가능하지만, 빗살형 전극 핑거(24)와 버스 전극(25)의 패턴 폭이 수배 정도 다르므로, 최적의 인쇄 조건이 다른 경우가 있다. 이를 회피하기 위해, 빗살형 전극 핑거(24)와 버스 전극(25)을 분리한 패턴을 이용하여 수율 좋게 형성할 수도 있다.

그런데, 본 실시 형태에 있어서 배선 전극(30, 31)과 빗살형 전극(23) 및 평판 전극(22)의 접속 부분(SB)은 다음에 설명하는 위치에 설치되어 있다. 즉, 도4에 잘 도시된 바와 같이, 변환기(20)를 버스 전극(25)의 길이 방향(M1)에 있어서 2등분한 경우의 2개의 영역(EA, EB) 중 한 쪽 영역(EA)에 버스 전극(25)과 배선 전극(30)의 접속 부분(SB)이 설치되고, 다른 쪽 영역(EB)에 평판 전극(22)과 배선 전극(31)의 접속 부분(SB)이 설치되어 있다.

게다가, 본 실시 형태에 있어서는 이들 2개의 접속 부분(SB)이 변환기(20)의 길이, 즉 2개의 영역(EA, EB)을 합친 영역의 길이를 대략 3등분하는 위치에 있다.

여진용 변환기(20)는 이러한 2개의 접속 부분(SB)으로부터 여진 전압의 급전을 받는다. 즉, 접속 부분(SB)은 급전점이다. 변환기(20)에 급전한 경우의 전압 분포는 다음과 같다.

도5에 있어서, 변환기(20)의 여진 영역의 길이를 약 120 ㎜로 하여 횡축에 취하고, 이상에 서술한 2개의 접속 부분(SB)(급전점 1, 2)으로부터 급전을 행하였을 때의 전압 강도를 종축에 취하였을 때의 전압 분포가 곡선(JR1)으로 나타나 있다. 이에 의하면, 급전점 1, 2에 있어서 전압 강도가 가장 낮고, 급전점 1, 2로부터 멀어짐에 따라서 높아지고 있다. 그러나, 전체적으로 큰 변동은 없고, 여진 영역의 전체에 걸쳐 거의 똑같은 전압 분포로 되어 있다.

또한, 도5에는 급전을 종래와 같이 한 쪽 단부(여진 단부 1)로부터 행한 경우의 전압 분포의 예가 곡선(JRj)으로 나타나 있다. 곡선(JR1)과 곡선(JRj)을 비교하면, 곡선(JR1) 쪽이 곡선(JRj)보다도 전압 강도의 변동(진폭의 변화)이 작고, 전압 분포가 똑같이 되어 있는 것을 알 수 있다.

다음에, 변환기(20)의 제조 공정의 개략에 대해 도7을 참조하여 설명한다.

우선, 도7의 (a)에 도시한 바와 같이 유리 기판(11)을 준비하여 표면을 세정한다. 다음에, 유리 기판(11)의 한 쪽 표면에 스패터나 증착 등에 의해 알루미늄의 박막(22x)을 성막하고, 박막(22x) 상에 레지스트(61)를 형성한다[도7의 (b)]. 박막(22x)을 에칭함으로써 평판 전극(22)을 형성한다[도7의 (c)]. 레지스트(61)를 제거하여 산화아연의 박막(21x)을 성막하고, 박막(21x) 상에 레지스트(62)를 형성한다[도7의 (d)]. 박막(21x)을 에칭함으로써 압전 박막(21)을 형성한다[도7의 (e)]. 레지스트(62)를 제거하고 빗살형 전극(23) 및 배선 전극(30, 31)을 인쇄하여 소성함으로써 형성한다[도7의 (f)].

또한, 도3에 2점 쇄선으로 나타낸 바와 같이 배선 전극(30, 31), 접속 부분(SB) 및 버스 전극(25)을 덮도록, 유리 기판(11) 주위의 전영역에 걸쳐 흡음 방습 층(41)을 형성한다. 흡음 방습층(41)은 빗살형 전극 핑거(24)에 의한 여진 영역에는 걸리지 않도록 한다. 흡음 방습층(4l)은 SiO₂ 등을 두껍게 증착한 방습층에 흡음성이 높은 수지를 겹쳐 형성함으로써, 또한 흡음재를 겸한 방습 수지로 이루어지는 유기 절연막을 도포함으로써 실현 가능하다. 예를 들어, 아크릴 수지나 에폭시 수지 등과 같이 투수성이 낮고 절연성이 높은 재료를 이용하면 좋다. 감광성 또는 자외선 경화성의 수지를 이용한 경우에는, 원하는 영역만을 성막하는 것이 용이하다.

흡음 방습층(41)의 두께는 표면 탄성파의 파장의 4분의 1 정도 이상으로 할 필요가 있다. 흡음 방습층(41)이 얇은 경우에는 표면 탄성파가 유리 기판(11)의 단부면에서 반사되고, 이에 의해 SN비가 저하될 우려가 있기 때문이다. 예를 들어, 파장(λ)이 150 ㎛인 경우에는 흡음 방습층(41)의 두께를 예를 들어 40 ㎛ 정도로 한다. 그리고, 흡음 방습층(41)을 여진을 방해하지 않는 영역으로부터 유리 기판(11)의 단부면까지의 영역을 일괄하여 커버하고 인쇄 성형함으로써, 전극 부분에 수분이 침입하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 변환기(20)의 부분에는 손가락 등이 직접적으로 접촉하지 않도록 구성하는 것이 바람직하다. 그러나, 터치 패널 장치의 성질상 화면 세정제나 땀 등과 같이 산이나 알칼리 성분을 포함한 수분이 침입하는 것을 생각할 수 있다. 그 경우를 고려하여, 빗살형 전극(23) 및 압전 박막(21)의 표면 및 단부면에 보호막을 설치한다. 예를 들어, 박막이고 내약품성이 있는 재료, 예를 들어 사이톱 등의 불 소 수지나 벤조시클로부텐(BCB) 수지 등의 방향족의 구조를 갖는 재료에 의해 유기 박막을 형성해 둔다. 특히, BCB 수지는 감광성을 갖는 것이 있어, 원하는 영역에만 박막을 형성하고 패터닝하는 것이 용이하다.

이와 같이, 배선 전극(30, 31) 및 버스 전극(25)의 영역을 덮도록 흡음 방습층(41)을 형성한 후, 빗살형 전극 핑거(24) 및 압전 박막(21)을 포함한 영역에 보호막을 형성한다. 그리고, 또한 유리 기판(11)의 터치 영역(TE)의 표면에 발수 발유 코트를 실시한다. 이에 의해, 터치 패널 장치(1)의 신뢰성이 향상된다.

이상에 서술한 실시 형태에 있어서, 배선 전극(30 및 31)의 간격 및 배선 전극(31)과 버스 전극(25)의 간격을 좁게 하기 위해서는, 그들의 사이를 분리하기 위해 절연성을 갖는 거들(벽)을 설치하면 좋다. 그와 같은 거들은, 예를 들어 산화아연으로 구성하고, 압전 박막(21)을 형성할 때에 패터닝을 행하고 동시에 거들을 형성하도록 하면 좋다.

또한, 배선 전극(30, 31)의 유리 기판(11)과의 기계적인 접합을 보다 견고하게 하기 위해, 도8에 도시한 바와 같이 유리 기판(11)의 표면에 밀착성이 양호한 재료에 의한 복수의 앵커(35, 35, 35 …)를 형성해 두면 좋다. 그와 같은 앵커(35)에 의해 다수조의 홈이 형성되므로, 전극 베이스부(301, 311)가 그 홈에 인입되고, 유리 기판(11)과의 기계적인 결합력이 증대된다. 이 경우에, 앵커(35)는 배선 전극(30 및 31)의 사이를 분리하는 거들의 기능도 감당한다. 그와 같은 앵커(35)는, 예를 들어 산화아연으로 구성하고, 압전 박막(21)을 형성할 때에 패터닝을 행하여 압전 박막(21)과 동시에 앵커(35)를 형성하도록 하면 좋다.

이와 같이, 거들 또는 앵커(35)를 설치함으로써, 배선 전극(30, 31) 및 버스 전극(25)의 간격을 좁게 할 수 있어 터치 패널 장치(1)의 프레임의 폭을 보다 좁게 하는 것이 가능해진다.

[제2 실시 형태]

여기서는, 제1 실시 형태와 서로 다른 부분에 대해서만 설명한다.

도9는 본 발명의 제2 실시 형태의 터치 패널 장치(1B)의 변환기(20B) 및 배선 전극(30B, 31B)의 부분을 확대하여 도시한 단면도, 도10은 도9에 대응하는 평면도이다.

도9 및 도10에 있어서, 버스 전극(25B)은 압전 박막(21B)의 표면 상이 아닌 유리 기판(11)의 표면 상에 형성되어 있다. 즉, 버스 전극(25B)은 유리 기판(11)의 표면에 나노 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 베이스부(251)와 전극 베이스부(251) 상에 하이브리드 나노 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 본체(252)로 이루어진다. 전극 베이스부(251)는 두께가 예를 들어 2 내지 3 ㎛ 정도, 폭이 예를 들어 100 내지 150 ㎛ 정도, 전극 본체(252)는 두께가 예를 들어 20 ㎛ 정도, 폭이 예를 들어 100 내지 150 ㎛ 정도이다. 이에 의해, 버스 전극(25B)의 저항치를 충분히 낮게 할 수 있고, 게다가 두께를 충분히 작게 할 수 있다.

배선 전극(30B, 31B)의 구성 및 치수는 제1 실시 형태의 배선 전극(30, 31)과 거의 동일하다. 배선 전극(30B)과 배선 전극(31B)의 간격은 30 내지 200 ㎛ 정도, 배선 전극(31B)과 버스 전극(25B)의 간격은 30 내지 150 ㎛ 정도이다. 배선 전극(30B와 31B) 사이 및 배선 전극(31B)과 버스 전극(25B) 사이에 거들(36, 36)이 설치되어 있다. 거들(36)은 산화아연에 의해 압전 박막(21B)의 형성과 동시에 형성된다. 또한, 빗살형 전극 핑거(24B)는 나노 은 페이스트의 인쇄에 의해 압전 박막(21B)의 표면으로부터 버스 전극(25B)까지 연장되어 형성된다. 흡음 방습층(41B)은 배선 전극(30B, 31B) 및 버스 전극(25B)을 덮고, 유리 기판(11)의 주위의 전영역에 걸쳐 형성된다.

거들(36)에 의해 배선 전극(30B, 31B) 및 버스 전극(25B)의 인쇄시의 스며듬이 방지되어, 이들의 간격을 좁힐 수 있다. 거들(36) 대신에, 도8에 도시한 바와 같은 앵커(35)를 설치해도 좋다. 또한, 거들(36)을 생략해도 좋다.

제2 실시 형태의 터치 패널 장치(1B)에 있어서도 프레임의 폭을 좁게 할 수 있다.

[제3 실시 형태]

도11은 본 발명의 제3 실시 형태의 터치 패널 장치(1C)의 변환기(20C) 및 배선 전극(30C, 31C)의 부분을 확대하여 도시한 단면도이다. 도11에서는 평판 전극(22C)과 배선 전극(31C)과의 접속 부분(SB)을 포함하여 단면한 상태가 도시되어 있다.

도11에 있어서, 유리 기판(11)의 표면에 평판 전극(22C), 압전 박막(21C) 및 빗살형 전극(23C)이 형성되어 있다. 평판 전극(22C)은 두께가 예를 들어 0.3 ㎛ 정도인 알루미늄의 박막으로, 압전 박막(21C)의 하부로부터 약간 비어져 나와 설치된다. 압전 박막(21C)은 두께가 예를 들어 2 ㎛ 정도인 산화아연의 박막이다. 빗 살형 전극 핑거(24C)는 두께가 예를 들어 1 내지 1.5 ㎛ 정도인 나노 은 페이스트에 의한 박막이다.

평판 전극(22C)은 접속 부분(SB)에 있어서 배선 전극(31C)과 접속되어 있다. 여기서의 접속 부분(SB)은 평판 전극(22C)이 압전 박막(21C)의 하부로부터 비어져 나온 부분 뿐이다. 알루미늄의 평판 전극(22C)과 은의 배선 전극(31C)이 접촉하는 부분은, 그 간극에 수분이 침입하면 전지 효과에 의한 전위차가 발생하여 이에 의한 전류에 의해 부식의 원인이 된다. 그로 인해, 접촉 부분에 수분이 침입하지 않도록 수분을 차단하는 부재로 이루어지는 흡음 방습층(41C)을 그 상부에 형성한다. 즉, 흡음 방습층(41C)은 평판 전극(22C)과 배선 전극(31C)이 접촉하는 부분을 덮고 있다. 이에 의해, 평판 전극(22C)과 은의 배선 전극(31C)과의 접촉 부분으로의 수분의 침입이 저지되어, 전지 효과에 의한 부식의 발생이 방지된다. 흡음 방습층(41C)의 재료 및 형성 방법은 이상에 서술한 흡음 방습층(41)과 동일하다.

배선 전극(31C)은 유리 기판(11) 상에 배치되고, 그 선단부인 결선부(KS)에 있어서 금의 미립자를 함유한 접착제(ACF)(50)에 의해 구리 합금의 전극(51)을 갖는 가요성 케이블(가요성 패드)(52)이 접속되어 있다.

이와 같이, 제3 실시 형태에서는 평판 전극(22C)은 압전 박막(21C)의 하부로부터 약간 비어져 나온 부분까지이며, 그 부분에 있어서 배선 전극(31C)과 접속된다. 따라서, 부식의 발생 가능한 부분이 한정되고, 방습 또는 방수를 요하는 부분은 매우 좁은 영역이 되어 흡음 방습층(41C)에 의해 거의 완전한 방습 효과를 얻을 수 있다.

덧붙여, 기초 전극인 평판 전극(22C)을 그대로 결선부(KS)까지 신장하고 그 상부에 배선 전극(31C)을 형성하는 것도 생각할 수 있지만, 그 경우에는 알루미늄과 은이 접촉하는 부분이 길어지고 흡음 방습층에 의한 방습 효과는 저하되므로 장기에 걸쳐 부식을 방지하는 것은 곤란하다.

또한, 도면에 있어서는 배선 전극(31C)의 길이 방향에 있어서 그 중간 부분이 생략되어 그려져 있다. 또한, 도면에는 도시되어 있지 않지만 버스 전극과 배선 전극의 접속 부분(SB) 및 그 배선 전극의 선단부의 결선부(KS)에 대해서도 이상에 서술한 배선 전극(31C)인 경우와 동일한 구성이며 동일한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 압전 박막(21C), 빗살형 전극 핑거(24C) 및 흡음 방습층(41C)의 표면 및 단부면의 전영역에 걸쳐 보호막(42)이 설치된다. 보호막(42)은 이상에 서술한 바와 같이, BCB 수지 등에 의해 형성된다. 보호막(42)은 두께가 예를 들어 1 ㎛ 정도이다. 터치 영역(TE)에는 그 표면에 발수 발유 코트가 실시되어 있다. 이들에 의해 신뢰성이 높은 터치 패널 장치(1C)를 얻을 수 있다.

이상에 서술한 각 실시 형태에 있어서, 각 변환기(20a 내지 20d)에 있어서의 접속 부분(SB)으로부터 결선부(KS)까지의 전기적인 길이에 대해서는 특별히 고려되어 있지 않지만, 그들이 서로 동등해지도록 배선 전극(30a 내지 30d, 31a 내지 31d) 및 결선부(KS)를 배치해도 좋다.

이상에 서술한 각 실시 형태에 있어서, 변환기(20), 배선 전극(30, 31) 및 터치 패널 장치(1, 1B, 1C)의 전체 또는 각부의 구조, 형상, 치수, 개수, 재질, 형성 방법 등은 본 발명의 취지에 따라 적절하게 변경할 수 있다.

본 발명은 퍼스널 컴퓨터, 모바일 컴퓨터 또는 휴대 정보 단말 장치 등의 입력 장치로서 이용된다.

본 발명에 따르면, 터치 패널 장치의 프레임의 폭을 가능한 한 좁게 하는 것이 가능하고, 게다가 터치 패널 장치의 두께가 커지지 않도록 할 수 있다.

청구항 3 및 청구항 5의 발명에 따르면, 배선 전극의 인쇄시의 스며듬이 방지되므로 배선 전극의 간격을 작게 할 수 있어, 그 만큼 터치 패널 장치의 프레임의 폭을 좁게 하는 것이 가능하다.

청구항 6 및 청구항 7의 발명에 따르면, 평판 전극과 배선 전극의 접촉 부분으로의 수분의 침입이 저지되어 전지 효과에 의한 부식의 발생이 방지된다.

Claims

투명한 기판의 중앙부에 터치 영역이 마련되고, 표면 탄성파를 여진하거나 또는 수신하는 변환기가 상기 터치 영역의 주변부에 배치되어 있는 터치 패널장치이며,

상기 각 변환기는 압전 박막과, 상기 압전 박막의 한 쪽 표면에 배치된 평판 전극과, 상기 압전 박막의 다른 쪽 표면에 배치된 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 복수의 빗살형 전극 핑거의 각각의 일단부측에 접속되는 직선형 버스 전극을 갖는 빗살형 전극으로 이루어지고,

어느 하나의 상기 변환기의 외측이며 상기 변환기의 상기 버스 전극과 평행 형상으로, 어느 하나의 변환기의 상기 평판 전극 및 상기 버스 전극에 접속된 복수개의 배선 전극이 설치되어 있고,

상기 각 배선 전극은 상기 기판의 표면에 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 베이스부와, 상기 전극 베이스부 상에 큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 전극 본체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치 패널 장치.
제1항에 있어서, 상기 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 버스 전극은 모두 상기 압전 박막의 다른 쪽 표면에 배치되어 있고, 또한 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 전극 베이스부와 동일한 공정으로 형성되어 있는 터치 패널 장 치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 배선 전극의 상호간에 배선 전극의 인쇄시의 스며듬 방지를 위해 산화아연에 의한 거들벽이 형성되어 있는 터치 패널 장치.
제1항에 있어서, 상기 버스 전극은 상기 기판의 표면에 미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 버스 전극 베이스부와, 상기 버스 전극 베이스부 상에 큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 형성된 버스 전극 본체로 이루어지는 터치 패널 장치.
제4항에 있어서, 상기 복수의 배선 전극의 상호간 및 상기 배선 전극과 상기 버스 전극 사이에 산화아연에 의한 거들벽이 각각 형성되어 있는 터치 패널 장치.
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 복수의 배선 전극 및 상기 버스 전극을 덮고, 상기 기판 주위의 전영역에 걸쳐 흡음 방습층이 형성되어 있는 터치 패널 장치.
제6항에 있어서, 상기 평판 전극은 상기 압전 박막과 상기 기판 사이에 설치되어 있고, 상기 평판 전극과 상기 배선 전극의 접속을 위한 접촉 부분은 상기 평 판 전극이 상기 압전 박막의 하부로부터 상기 기판 상으로 비어져 나온 부분 뿐이며, 상기 접촉 부분이 상기 흡음 방습층에 의해 덮여 있는 터치 패널 장치.
투명한 기판의 중앙부에 터치 영역이 마련되고, 상기 터치 영역의 주변부에 압전 박막, 상기 압전 박막의 한 쪽 표면에 배치되는 평판 전극 및 상기 압전 박막의 다른 쪽 표면에 배치되는 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 복수의 빗살형 전극 핑거의 각각의 일단부측에 접속되는 직선형의 버스 전극을 갖는 빗살형 전극으로 이루어지는 변환기가 배치되어 이루어지는 터치 패널 장치의 제조 방법이며,

상기 기판의 표면에 상기 평판 전극을 형성하는 단계와,

상기 평판 전극 상에 상기 압전 박막을 형성하는 단계와,

미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 버스 전극을 상기 압전 박막의 표면에 형성하는 것과 상기 평판 전극 및 상기 버스 전극에 접속되는 배선 전극의 전극 베이스부를 상기 기판의 표면에 형성하는 것을 동시에 행하는 단계와,

큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 배선 전극의 전극 본체를 상기 전극 베이스부 상에 형성하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 터치 패널 장치의 제조 방법.
투명한 기판의 중앙부에 터치 영역이 마련되고, 상기 터치 영역의 주변부에 압전 박막, 상기 압전 박막의 한 쪽 표면에 배치되는 평판 전극 및 상기 압전 박막 의 다른 쪽 표면에 배치되는 복수의 빗살형 전극 핑거 및 상기 복수의 빗살형 전극 핑거의 각각의 일단부측에 접속되는 직선형 버스 전극을 갖는 빗살형 전극으로 이루어지는 변환기가 배치되어 이루어지는 터치 패널 장치의 제조 방법이며,

상기 기판의 표면에 상기 평판 전극을 형성하는 단계와,

상기 평판 전극 상에 상기 압전 박막을 형성하는 단계와,

미세 입경의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 복수의 빗살형 전극 핑거를 상기 압전 박막의 표면에 형성하는 것과 상기 버스 전극 및 상기 평판 전극 및 상기 버스 전극에 접속되는 배선 전극의 각각의 전극 베이스부를 상기 기판의 표면에 형성하는 것을 동시에 행하는 단계와,

큰 입경 미세 입경 혼합의 은 페이스트의 인쇄에 의해 상기 버스 전극 및 배선 전극의 전극 본체를 상기 각 전극 베이스부 상에 형성하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 터치 패널 장치의 제조 방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 압전 박막을 형성하는 단계에 있어서 상기 압전 박막을 산화아연에 의해 형성하는 동시에, 상기 기판의 표면 상이며 상기 복수의 배선 전극의 상호간에 배선 전극의 인쇄시의 스며듬 방지를 위한 거들벽을 산화아연에 의해 형성하는 터치 패널 장치의 제조 방법.