KR20050102324A - Particle detector system and method of thin film forming process - Google Patents
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Abstract
박판 성형공정에서 정밀 도막 작업이나 미세 박판 부착 작업을 위한 작업 대상물의 표면에 존재하는 이물질 입자를 검출하여 세정 상태를 정밀하게 검사할 수 있도록 하는 이물질 검출장치 및 방법에 관한 것으로,The present invention relates to a foreign matter detection device and method for detecting foreign matter particles present on the surface of an object for precision coating or fine plate attachment in a thin sheet forming process to precisely inspect a cleaning state.
작업 대상물이 얼라인되는 스크린의 상부면에 설치되고, 작업 대상물의 폭 방향으로 포커싱 된 후 반사되는 빛의 파장별 세기를 통하여 이물질 입자의 존재여부를 검출하는 광학 파티클 센서가 복수개 배치되며, 이송되는 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가지는 라인 형태로 설치되는 것을 특징으로 하는 이물질 검출장치를 제공한다.A plurality of optical particle sensors are installed on the upper surface of the screen on which the work object is aligned, and are disposed in a plurality of optical particle sensors for detecting the presence of foreign matter particles through the intensity for each wavelength of the reflected light after being focused in the width direction of the work object. It provides a foreign matter detection device, characterized in that installed in the form of a line having a right angle or a predetermined inclination angle with respect to the direction.
또한, 작업 작업물이 투입되어 스크린상에 얼라인되면 광 이물질 센서는 광을 발생시켜 조사하는 과정, 상기 조사되는 광에서 두 개의 광을 추출하여 상기 작업 대상물 상의 고정된 각각의 위치에 조사하는 과정, 상기 작업 대상물에서 반사되는 광을 상기 추출된 두 개의 광으로 분리하는 과정, 상기 반사되는 두 개의 광에 대한 파장을 구분하여 감도를 추출하는 과정, 상기 추출된 두 개 광에 대한 파장의 감도를 연산하여 설정된 기준값과 비교하는 과정, 상기의 비교 결과에 따라 작업 대상물 표면상에 이물질 입자가 존재하는지를 판단하는 과정 및 이물질 입자가 존재하는 것으로 판단되면 그에 대한 정보를 표시함과 동시에 연동되는 주변장치에 해당 정보를 제공하는 과정을 포함한다.In addition, when the workpiece is placed and aligned on the screen, the optical foreign matter sensor generates light and irradiates the light, and extracts two lights from the irradiated light and irradiates the fixed positions on the workpiece. Separating the light reflected from the work object into the two extracted light, extracting the sensitivity by dividing the wavelength of the two reflected light, and determining the sensitivity of the wavelength to the extracted two light. The process of comparing with the reference value set by the calculation, the process of determining whether there is foreign matter particles on the surface of the workpiece according to the comparison result, and if it is determined that the foreign matter particles are present, the information is displayed on the peripheral device to be linked This includes providing the information.
따라서, 박판 성형 작업에 있어 고가의 작업 대상물의 손실이 발생되지 않으며, 연동되는 주변장치에 해당 정보를 전송하여 적절한 조치를 취할 수 있도록 함으로써 고가 장비의 파손을 줄일 수 있으며, 기판의 불량률을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the loss of expensive work objects does not occur in sheet metal forming work, and by transmitting the corresponding information to the interlocking peripheral device to take appropriate measures, it is possible to reduce the damage of expensive equipment and significantly reduce the defective rate of the board. There is an effect that can be reduced.
Description
본 발명은 박판 성형공정에서 이물질을 검출하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정밀 도막 작업이나 미세 박판 부착 작업을 위한 작업 대상물의 표면에 존재하는 입자를 검출하여 세정 상태를 정밀하게 검사할 수 있도록 하는 이물질 검출장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for detecting a foreign matter in the sheet forming process, and more particularly to detect the particles present on the surface of the work object for the precision coating operation or the micro thin plate attachment operation to precisely inspect the cleaning state. It relates to a foreign matter detection apparatus and method.
일반적으로 박판 성형공정은 형광체 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등을 이용하여 평판 디스플레이 패널의 글라스(LCD), 격자 배열을 갖는 PDP 패널, 전지 코일 등에 정밀 도막 또는 미세 박판을 부착시키는 것으로, 작업 대상물의 표면에 이물질이 존재하는 상태에서 정밀 도막 작업 또는 미세 박판 부착 작업이 이루어지는 경우 고가의 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치의 파손이 유발되고, 고가의 작업 대상물이 불량 처리되는 문제점이 발생한다.In general, a thin plate forming process is to attach a fine coating film or a fine thin plate to a glass (LCD) of a flat panel display panel, a PDP panel having a lattice arrangement, a battery coil, or the like by using a phosphor coating liquid discharge device or a film attachment device. When a fine coating operation or a fine thin plate attachment operation is performed in a state in which foreign matter is present on the surface of the surface, damage of an expensive coating liquid discharge device or a film attachment device is caused, and an expensive work object is poorly processed.
따라서, 작업 대상물이 박판 성형 공정에 투입되는 과정에서 정밀한 세정이 이루어지고 있으나, 다양한 조건에 의한 영향으로 작업 대상물의 표면에 이물질이 흡착될 수 있으므로, 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치가 이송되는 방향 측에 기판 상에 존재할 수 있는 이물질을 검출하는 장치가 배치된다. Therefore, precise cleaning is performed in the process of inserting the work object into the sheet forming process, but foreign matter may be adsorbed on the surface of the work object under the influence of various conditions, so that the coating liquid ejecting device or the film attaching device is transported. On the side is arranged an apparatus for detecting foreign matter which may be present on the substrate.
종래의 이물질 검출장치는 작업 대상물이 얼라인(Align)되는 스크린의 일측에 적외선을 발생하는 광원이 설치되고, 다른 일측에 상기 광원에서 발생하는 적외선을 수광하는 광센서를 대응되게 설치되어, 상기 광원과 광센서 사이의 빛의 감도로부터 작업 대상물의 표면에 이물질이 존재하고 있는지를 검출하고 있다.Conventional foreign matter detection device is provided with a light source for generating infrared light on one side of the screen to align the work object, and an optical sensor for receiving the infrared light generated by the light source on the other side correspondingly, the light source The sensitivity of the light between the light sensor and the light sensor detects the presence of foreign matter on the surface of the workpiece.
그러나, 상기한 바와 같은 이물질 검출장치는 작업 대상물의 표면에 흡착되어 있는 이물질이 광원 혹은 광센서에 근접되어 있는 경우와 광원 혹은 광센서로부터 일정거리 이상 이격되어 있는 경우, 즉 거리에 따라 빛의 감도가 이물질 입자와 충돌함에 따른 회절 현상에 의해 균일하지 않으므로, 이물질 검출에 있어 신뢰성이 저하되고 이에 따라 동작의 안정성의 확보가 어려운 단점이 있다. However, the foreign matter detection device as described above is a case where the foreign matter adsorbed on the surface of the work object is close to the light source or the light sensor, and is separated from the light source or the light sensor by more than a certain distance, that is, the sensitivity of the light according to the distance. Since it is not uniform due to the diffraction phenomenon due to the collision with the foreign matter particles, there is a disadvantage that the reliability in the detection of the foreign matter is lowered, thereby securing the stability of the operation.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 박판 성형공정에서 작업 대상물의 표면 상부 소정 위치에 광학 시스템을 포함하는 라인 CCD(Charged Coupled Device)를 설치하고, 작업 대상물의 표면에 흡착되어 있는 이물질 입자의 높이와 검출 영역의 높이에 해당하는 곳에 서로 다른 파장(주파수 스펙트럼)을 갖는 광원의 초점을 고정시켜 작업 대상물의 표면을 측정 및 검출함으로써, 정밀 도막 작업이나 미세 박판 부착 작업을 위한 작업 대상물의 표면에 존재하는 미세한 이물질 입자의 크기 및 두께를 정밀하게 검출할 수 있도록 한 것이다.The present invention has been proposed to solve the above problems, the object of which is to install a line CCD (Charged Coupled Device) including an optical system at a predetermined position on the surface of the workpiece in the sheet forming process, the surface of the workpiece It is possible to perform precise coating work or micro thin film attachment work by measuring and detecting the surface of the work object by fixing the focus of a light source having a different wavelength (frequency spectrum) at a position corresponding to the height of the foreign matter particles adsorbed and the detection area height. It is to be able to accurately detect the size and thickness of the fine foreign particles present on the surface of the work object.
또한, 작업 대상물의 표면에 흡착되어 있는 미세한 이물질 입자의 검출을 통해 형광체 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등 작업기구의 동작을 보호하고, 이물질 입자의 흡착에 따른 도막 품질 저하를 방지하며, 작업 대상물의 세정 상태 확인 및 제품의 검사가 동시에 수행되도록 한 것이다.In addition, by detecting the fine foreign particles adsorbed on the surface of the work object to protect the operation of the work tool, such as phosphor coating liquid discharge device or film attachment device, to prevent the deterioration of the coating film quality due to the adsorption of foreign matter particles, The cleaning status of the product and the inspection of the product are to be performed at the same time.
또한, 라인 CCD를 복수개 배열함으로써, 작업 대상물 표면에 대한 이물질 입자(P)의 흡착 여부 검출에 고속성과 정밀성을 제공하도록 한 것이다.Further, by arranging a plurality of line CCDs, high speed and precision are provided to detect whether or not foreign matter particles P adsorb on the surface of the workpiece.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 박판 성형공정에 있어서, 작업 대상물이 얼라인되는 스크린의 상부면에 설치되고, 작업 대상물의 폭 방향으로 이물질 입자에서 반사되는 빛의 파장에 따라 다른 초점거리를 가지는 것에 의하여 이물질 입자의 존재여부를 검출하는 광학 파티클 센서가 복수개 배치되며, 이송되는 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가지는 라인 형태로 설치되는 것을 특징으로 하는 이물질 검출장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a focal length different in accordance with the wavelength of the light reflected from the foreign matter particles in the width direction of the workpiece is installed in the upper surface of the screen, the workpiece is aligned in the sheet forming process It is provided with a plurality of optical particle sensor for detecting the presence of foreign matter particles by having a foreign matter detection apparatus, characterized in that installed in the form of a line having a right angle or a predetermined inclination angle with respect to the conveying direction.
본 발명은 박판 성형공정에 있어서, 작업 작업물이 투입되어 스크린상에 얼라인되면 광 파티클 센서는 광을 발생시켜 조사하는 과정; 상기 조사되는 광에서 특정 파장을 갖는 두 개의 광을 작업 대상물 상의 고정된 각각의 위치에 조사하는 과정; 상기 작업 대상물에서 반사되는 광을 두 개의 광으로 분리하는 과정; 상기 반사되는 두 개의 광에 대한 파장을 검출하여 감도를 추출하는 과정; 상기 추출된 두 개 광에 대한 파장의 감도를 연산하여 설정된 기준값과 비교하는 과정; 상기의 비교 결과에 따라 작업 대상물 표면상에 이물질이 존재하는지를 판단하는 과정; 이물질이 존재하는 것으로 판단되면 그에 대한 정보를 표시함과 동시에 연동되는 주변장치에 해당 정보를 제공하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이물질 검출방법을 제공한다.The present invention is a thin plate forming process, when the workpiece is put on the screen and aligned, the optical particle sensor generates light and irradiates; Irradiating two lights having a specific wavelength in the irradiated light to respective fixed positions on a workpiece; Separating the light reflected from the work object into two lights; Extracting sensitivity by detecting wavelengths of the two reflected light beams; Calculating a sensitivity of the wavelengths of the two extracted light beams and comparing them with a set reference value; Determining whether foreign matter exists on the surface of the workpiece according to the comparison result; When it is determined that the foreign matter exists, the present invention provides a foreign matter detection method comprising displaying information on the same and providing the corresponding information to the peripheral device to be interlocked.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1에 대하여 작업 대상물의 이송 방향으로 일부를 절개하여 개념적으로 도시한 도면으로, 작업 대상물(G), 상기 작업 대상물(G)의 일면(상부)에 배치되는 이물질 검출장치(100)를 도시하고 있다.1 is a schematic perspective view for explaining an embodiment according to the present invention, Figure 2 is a conceptual view showing a part cut in the transport direction of the workpiece with respect to Figure 1, the workpiece (G), the work The foreign substance detection apparatus 100 arrange | positioned at one surface (upper part) of the object G is shown.
상기 이물질 검출장치(100)는 작업 대상물(G)의 표면에 흡착되어 있는 이물질 입자(P; 파티클 이라고도 한다.)의 존재 유무와 이물질 입자의 크기 및 두께를 검출할 수 있도록, 작업 대상물(G)의 폭 방향으로 복수개의 광학 파티클 센서(103)가 일정한 간격으로 배치되며 이송되는 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가지는 라인 형태로 설치된다.The foreign matter detection device 100 is configured to detect the presence or absence of foreign matter particles (P; also referred to as particles) adsorbed on the surface of the work object G and the size and thickness of the foreign matter particles. A plurality of optical particle sensors 103 are arranged at regular intervals in the width direction of and are installed in a line shape having a right angle or a predetermined inclination angle with respect to the conveying direction.
따라서, 라인 형태를 가지는 이물질 검출장치(100)는 이송하는 상태에서 작업 대상물(G)의 표면의 전체 영역에 존재할 수 있는 이물질 입자(P)를 정밀하게 검출할 수 있게 된다.Therefore, the foreign matter detection device 100 having a line shape can accurately detect the foreign matter particles P that may exist in the entire region of the surface of the work object G in the transported state.
상기 광학 파티클 센서(103)는 서로 다른 파장(스펙트럼)을 갖는 두 개의 광을 조사하며 광의 초점을 설정된 상한과 하한에 맞추어 조사하는 부분과, 조사된 두 개의 광이 작업 대상물(G)의 표면 혹은 이물질 입자(P)에 반사되는 광을 수광하는 부분 및 수광된 두 개의 광에 대한 파장(스펙트럼)의 감도를 분석하여 이물질 입자(P)의 존재 여부와 입자의 크기 및 두께를 판단하는 부분으로 이루어진다.The optical particle sensor 103 irradiates two pieces of light having different wavelengths (spectrums) and irradiates the light with a set upper and lower limits, and the two pieces of irradiated light are provided on the surface of the work object G. It consists of a part that receives the light reflected by the foreign matter particles (P) and the sensitivity of the wavelength (spectrum) for the two received light to determine the presence of the foreign matter particles (P) and the size and thickness of the particles. .
상기의 도 1에서 실선 화살표는 작업 대상물(G)이 이동되는 방향을 나타내거나 또는 본 발명의 이물질 검출장치가 이동되는 방향을 나타내며, 본 발명의 설명에서는 편의상 이물질 검출장치(100)가 이송되는 것을 예로 설명한다. In FIG. 1, the solid arrow indicates the direction in which the work object G is moved or the direction in which the foreign matter detection device of the present invention is moved. In the description of the present invention, the foreign matter detection device 100 is conveyed for convenience. An example will be described.
상기 이물질 검출장치(100)를 이루는 광학 파티클 센서(103)의 구조 및 원리에 대하여 도 3 내지 도 5를 통하여 더욱 상세하게 설명한다.The structure and principle of the optical particle sensor 103 constituting the foreign matter detection device 100 will be described in more detail with reference to FIGS. 3 to 5.
상기 광학 파티클 센서(103)는 광, 바람직하게는 두 파장의 광원(레이저)을 조사하는 광 조사수단(120), 상기 광조사수단(120)에서 조사된 광을 집속하여 상기 작업 대상물(G)의 조정된 위치에 초점을 고정시키는 광 집속수단(140), 상기 작업 대상물(G)의 표면에서 반사되는 광의 방향을 전환시키는 빔 스플리터(160), 그리고 상기 빔 스플리터(160)의 방향 전환에 따라 검출되는 광의 파장(스펙트럼)을 검출하는 검출수단(180)을 구비할 수 있다. The optical particle sensor 103 focuses the light irradiating means 120 for irradiating light, preferably a light source (laser) of two wavelengths, and the light irradiated from the light irradiating means 120 to the work object G. In accordance with the light focusing means 140 for fixing the focus at the adjusted position of the beam splitter 160 to change the direction of the light reflected from the surface of the workpiece (G), and the direction of the beam splitter 160 It may be provided with a detection means 180 for detecting the wavelength (spectrum) of the light to be detected.
그리고 상기 검출수단(180)은 검출된 빛의 감도를 센싱하고, 센싱된 파장의 감도 차이값을 연산하여 파장(스펙트럼)에 따른 초점 거리의 차이로부터 작업 대상물(G)의 표면에 이물질 입자(P)가 존재하고 있는지와 이물질 입자(P)의 크기 및 두께를 판별하는 컨트롤러(C)에 검출된 값을 전송할 수 있는 구조를 가진다. The detection unit 180 senses the sensitivity of the detected light, calculates a sensitivity difference value of the sensed wavelength, and calculates a difference value of the detected wavelength from the difference in the focal length according to the wavelength (spectrum). ) And transmits the detected value to the controller (C) which determines whether the foreign matter particles (P) size and thickness.
상기 광 조사수단(120)은 케이스(도시생략)에 제공되는 광원(LS), 상기 광원(LS)에서 발생되어 조사되는 빛을 모으는 렌즈 어셈블리(121), 상기 렌즈 어셈블리(121)에서 모아진 빛을 일정한 길이의 슬릿(123a)을 통과시키는 빛 통과부재(123), 그리고 상기 빛 통과부재(123)를 통과한 빛에서 원하는 두개의 파장(스펙트럼)에 대하여 선폭을 더욱 좁게 하는 제1 필터(125)를 포함한다.The light irradiating means 120 includes a light source LS provided to a case (not shown), a lens assembly 121 for collecting light emitted from the light source LS, and light collected from the lens assembly 121. The light passing member 123 passing the slit 123a of a predetermined length, and the first filter 125 further narrowing the line width with respect to two desired wavelengths (spectrum) in the light passing through the light passing member 123. It includes.
상기 광원(LS)은 레이저나 엘이디(LED)를 조사할 수 있는 것이며, 통상의 것이 사용될 수 있다. The light source LS may irradiate a laser or an LED, and a conventional one may be used.
상기 빛 통과부재(123)는 상기 렌즈 어셈블리(121)의 초점 위치에 배치되며, 슬릿(123a)을 통하여 광원(LS)의 빛이 가장 강한 빛으로 통과할 수 있는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. The light passing member 123 is disposed at the focal position of the lens assembly 121 and is preferably disposed at a position through which the light of the light source LS passes through the slit 123a as the strongest light.
특히, 상기 빛 통과부재(123)에 제공되는 슬릿(123a)은 작업 대상물(G)의 진행 방향에 대하여 수직 또는 일정한 경사를 가지도록 긴 형태의 장홀로 이루어지는 것 바람직하다. In particular, the slit 123a provided in the light passing member 123 may be formed of a long hole having a long shape so as to have a vertical or constant inclination with respect to the traveling direction of the work object G.
상기 제1 필터(125)는 두 그룹의 파장(스펙트럼)을 가지는 빛 이외에 불필요한 다른 빛을 차단할 수 있도록 필터링하는 역할을 한다.The first filter 125 serves to filter out unnecessary light in addition to light having two groups of wavelengths (spectrum).
상기 광 집속수단(140)은 색수차에 의하여 파장(스펙트럼)에 따라 초점 거리가 달라질 수 있는 렌즈 어셈블리로 이루어질 수 있는 것이 바람직하다. The light converging means 140 may be formed of a lens assembly in which a focal length may vary according to a wavelength (spectrum) due to chromatic aberration.
상기 광 집속수단(140)은 그 초점이 작업 대상물(G)의 상단(고정된 제1위치)에 맺혀지는 제1파장(스펙트럼)의 초점(A, 실제로는 특정 영역 파장의 그룹이며, 편의상 하나의 파장으로 구분하여 설명함)과, 상기 작업 대상물(G)에서 일정한 거리가 떨어지는 위치(고정된 제2위치) 상에 맺혀지는 제2파장(스펙트럼)의 초점(B, 실제로는 특정 영역 파장의 그룹이며, 편의상 하나의 파장으로 구분하여 설명함)을 가지는 구성을 가질 수 있다.The light converging means 140 is a focal point A of a first wavelength (spectrum) in which the focal point is formed at an upper end (fixed first position) of the work object G, and is actually a group of wavelengths of a specific region. And the focal point B of the second wavelength (spectrum) formed on a position (fixed second position) at a predetermined distance from the work object G. It is a group, and for convenience, it can be divided into one wavelength).
이러한 광 집속수단(140)은 존 플레이트 또는 플래널 렌즈가 사용될 수 있다.The light focusing unit 140 may be a zone plate or a panel lens.
한편, 상기한 빔 스플리터(160)는 상기 광 조사수단(120)과 상기 광 집속수단(140) 사이에 배치되어 상기 광원(LS)의 빛을 통과시키고, 광 집속수단(140)을 통과하여 작업 대상물(G)에서 반사되는 빛을 검출수단(180)측으로 조사되도록 방향을 전환시키는 역할을 한다.On the other hand, the beam splitter 160 is disposed between the light irradiation means 120 and the light focusing means 140 to pass the light of the light source (LS), the light through the light focusing means 140 to work It serves to change the direction so that the light reflected from the object (G) is irradiated to the detection means 180 side.
상기 검출수단(180)은 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환되어 조사되는 빛이 통과될 수 있는 슬릿이 구비된 또 다른 빛 통과부재(181), 이 빛 통과부재(181)를 지나온 빛을 모을 수 있는 또 다른 렌즈 어셈블리(183), 이 렌즈 어셈블리(183)를 통과하는 빛을 각각의 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 두 위치로 나누는 또 다른 빔 스플리터(185), 이 빔 스플리터(185)에 의하여 통과된 빛에서 노이즈로 작용하는 대역의 파장을 필터링하여 광 조사수단(120)에서 선택한 하나의 파장만을 통과시키는 제2 필터(187), 상기 검출수단(180)에 제공되는 빔 스플리터(185)에 의하여 반사되는 빛에서 노이즈로 작용하는 대역의 파장을 필터링하여 광 조사수단(120)에서 선택된 다른 하나의 파장만을 통과시키는 제3 필터(189), 그리고 상기 제2, 3 필터(187, 189)를 통과한 빛을 감지하는 제1, 2 촬상소자(191, 193)를 포함할 수 있다.The detection means 180 is another light passing member 181 having a slit through which the light irradiated by being turned by the beam splitter 160 can pass therethrough, and the light passing through the light passing member 181. Another lens splitter 183 which can be collected, another beam splitter 185 which passes the light passing through the lens assembly 183 according to the respective wavelengths or reflects at a predetermined angle and divides it into two positions, the beam splitter The second filter 187 and the beam provided to the detection means 180 filter the wavelength of the band acting as noise in the light passed by 185 to pass only one wavelength selected by the light irradiation means 120. A third filter 189 for filtering only the wavelength of the band acting as noise in the light reflected by the splitter 185 and passing only another wavelength selected by the light irradiation means 120, and the second and third filters ( 187, 189) It may include first and second image sensing device (191, 193) for sensing light.
상기 검출수단(180)에 제공되는 빛 통과부재(181)는 상기 빔 스플리터(160)에서 반사되는 빛의 파장들 중에서 가장 초점이 잘 맺힌 파장을 가지는 빛일수록 가장 강한 세기로 통과시킬 수 있다. The light passing member 181 provided to the detection unit 180 may pass the light having the most focused wavelength among the wavelengths of the light reflected by the beam splitter 160 at the strongest intensity.
또한, 상기 검출수단(180)에 제공된 렌즈 어셈블리(183)는 빛을 모아 상기 검출수단(180)에 제공된 빔 스플리터(185)에서 특정한 파장이 통과 또는 반사되도록 하는 역할을 한다.In addition, the lens assembly 183 provided to the detecting means 180 collects light and serves to pass or reflect a specific wavelength in the beam splitter 185 provided to the detecting means 180.
상기 컨트롤러(C)는 작업 대상물(G)에서 검출되는 두 개의 파장(스펙트럼)의 감도를 설정된 알고리즘으로 연산하여, 연산된 결과의 분석으로 작업 대상물(G)의 표면에 이물질 입자(P)가 존재하고 있는지와 이물질 입자(P)의 크기 및 두께를 검출한다.The controller C calculates the sensitivity of the two wavelengths (spectrum) detected by the work object G with a set algorithm, and foreign matter particles P exist on the surface of the work object G by analyzing the calculated result. And the size and thickness of the foreign matter particles (P).
상기 컨트롤러(C)에는 표시수단이 구비되어 검출되는 이물질 입자(P)에 대한 정보, 즉 이물질 입자(P)의 존재 여부와 이물질 입자(P)의 두께 및 크기에 대한 정보를 표시하여 주도록 한다.The controller (C) is provided with a display means to display information on the foreign matter particles (P) detected, that is, the presence or absence of the foreign matter particles (P) and information on the thickness and size of the foreign matter particles (P).
상기의 컨트롤러(C)의 도시되지 않은 메모리수단에는 작업 대상물(G)의 표면에 존재하는 이물질 입자(G)의 크기 및 두께에 따라 제1, 2 촬상소자(191, 193)를 통해 도 4와 같이 검출되는 두 개의 파장에 대한 감도를 학습 연산하여 얻은 기준 데이터가 도 5와 같이 선형화되는 1차원 곡선의 값으로 저장된다.In the memory unit (not shown) of the controller C, the first and second imaging devices 191 and 193 may be connected to each other according to the size and thickness of the foreign matter particles G present on the surface of the work object G. The reference data obtained by learning the sensitivity of the two wavelengths detected as described above is stored as a value of a one-dimensional curve that is linearized as shown in FIG. 5.
또한, 상기 컨트롤러(C)는 작업 대상물(G)의 표면에서 이물질 입자(P)의 존재가 검출되는 경우 연동되는 주변장치인 형광체 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치에 해당 정보를 제공하여, 이물질 입자(P)의 존재에 따른 적절한 대응이 수행될 수 있도록 한다.In addition, the controller C provides the corresponding information to the phosphor coating liquid ejecting device or the film attaching device, which is a peripheral device that is interlocked when the presence of the foreign matter particles P is detected on the surface of the work object G, thereby providing foreign matter particles. Ensure that the appropriate response to the presence of (P) can be performed.
상기의 컨트롤러(C)는 차동 증폭기와 A/D변환수단이 포함되며, 검출수단(180)내의 제1,제2촬상소자(191,193)를 통해 검출되는 두 개 파장의 감도를 차동 증폭기 이용하여 미분 혹은 차 연산하여 두 파장간의 감도를 1차원 함수로 추출하고, 추출된 함수값을 A/D변환수단을 통해 디지털 신호로 변환하며, 이를 도 5의 기준 데이터에 적용 비교하여 파장의 깊이를 추출함으로써, 이물질 입자(P)의 존재 여부와 이물질 입자(P)의 크기 및 두께를 추출하도록 한다.The controller C includes a differential amplifier and an A / D conversion means, and differentials the sensitivity of two wavelengths detected by the first and second image pickup devices 191 and 193 in the detection means 180 using a differential amplifier. Alternatively, by extracting the sensitivity between the two wavelengths as a one-dimensional function by calculating the difference, and converts the extracted function value into a digital signal through the A / D conversion means, by applying the comparison to the reference data of Figure 5 to extract the depth of the wavelength To extract the presence or absence of foreign matter particles (P) and the size and thickness of the foreign matter particles (P).
이와 같이 이루어지는 본 발명에 적용될 수 있는 이물질 감지기(100)를 통하여 작업 대상물(G)의 표면상에 이물질 입자(P)가 존재하는지를 검출하는 동작에 대하여 도 6과 함께 상세하게 설명하면 다음과 같다.The operation of detecting whether foreign matter particles P are present on the surface of the work object G through the foreign matter detector 100 applicable to the present invention as described above will be described in detail with reference to FIG. 6.
세정이 완료된 작업 대상물(G)이 박판 성형공정에 투입되어 스크린상에 얼라인이 완료되면 본 발명에 따른 이물질 검출장치(100)를 구성하고 있는 복수개의 광 파티클 센서(103)의 광 조사수단(120)내 광원(LS)에서는 두 개의 파장을 갖는 빛을 발생시켜 스크린상에 얼라인되어 있는 작업 대상물(G)에 조사한다(S101).When the work object G, which has been cleaned, is put into a thin plate forming process and alignment is completed on the screen, light irradiation means of the plurality of optical particle sensors 103 constituting the foreign matter detection device 100 according to the present invention ( The light source LS in 120 generates light having two wavelengths and irradiates the work object G aligned on the screen (S101).
상기 광원(LS)에서 발생되는 두개의 파장을 갖는 빛은 렌즈 어셈블리(121)에 의해 집속되어 빛 통과부재(123)의 슬릿(123a)을 통과한 다음 제1필터(124)를 통과하게 된다.Light having two wavelengths generated by the light source LS is focused by the lens assembly 121 and passes through the slit 123a of the light passing member 123 and then passes through the first filter 124.
이때, 제1 필터(125)는 광원(LS)의 빛을 필터링하여 설정된 두 개의 좁은 선폭(스펙트럼)을 가지는 빛만을 통과시켜 광 집속수단(140)에 조사한다(S102).At this time, the first filter 125 filters only the light of the light source LS and passes through only the light having two narrow line widths (spectrums) and irradiates the light focusing unit 140 (S102).
상기 광 집속수단(140)은 렌즈 어셈블리를 이용한 색수차에 의하여 상기 두 개의 파장(스펙트럼)에 대하여 그 중 하나의 파장(스펙트럼)은 작업 대상물(G)의 고정된 제1위치에 초점(A)이 맺히도록 하고, 다른 하나의 파장(스펙트럼)은 작업 대상물(G)상의 고정된 제2위치에 대한 초점(B)이 맺히도록 한다(S103).The optical focusing unit 140 has a focal point A at a fixed first position of the workpiece G with respect to the two wavelengths (spectrum) due to chromatic aberration using the lens assembly. The other wavelength (spectrum) causes the focus B to be fixed to the second fixed position on the work object G (S103).
상기와 같이 작업 대상물(G) 상의 고정된 제1위치 및 제2위치에 초점이 맺히도록 조사된 광은 작업 대상물(G)의 표면으로부터 반사되며, 반사되는 광은 빔 스플리터(160)에 의해 진행 방향이 전환되어 검출수단(180)측으로 조사된다.The light irradiated to focus on the fixed first position and the second position on the work object G as described above is reflected from the surface of the work object G, and the reflected light travels by the beam splitter 160. The direction is switched and irradiated to the detection means 180 side.
이때, 상기 검출수단(180)내의 빛 통과부재(181)는 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환되어 조사되는 빛을 통과시켜 렌즈 어셈블리(183)를 통해 집속시킨 다음 빔 스플리터(185)를 통해 반사되는 빛을 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 두 개의 빛으로 분리한다(S104).At this time, the light passing member 181 in the detecting means 180 passes through the light irradiated by the beam splitter 160 and is focused through the lens assembly 183 and then through the beam splitter 185. Passing the reflected light according to the wavelength or by reflecting at a predetermined angle is separated into two lights (S104).
상기와 같이 검출수단(180)내의 빔 스플리터(185)에 의해 분리된 각각의 빛중에서 하나의 빛은 제2필터(187)에 의해 전송 과정에서 포함된 노이즈 대역이 필터링되어 제1촬상소자(191)에 입력되어 컨트롤러(C)에 전송되고, 다른 하나의 빛은 제3필터(189)에 의해 전송 과정에서 포함된 노이즈 대역이 필터링되어 제2촬상소자(193)에 입력되어 컨트롤러(C)에 전송된다.Among the lights separated by the beam splitter 185 in the detection unit 180 as described above, one light is filtered by the second filter 187 to filter out the noise band included in the transmission process. ) Is transmitted to the controller (C), and the other light is filtered by the third filter (189) and the noise band included in the transmission process is input to the second image pickup device (193) to the controller (C). Is sent.
상기의 컨트롤러(C)는 제1촬상소자(191) 및 제2촬상소자(193)에서 입력되는 작업 대상물(G)로부터의 두 개 광에 대한 파장의 감도를 검출한 다음(S105), 내부의 차동 증폭기 이용하여 미분(B = S2/S1) 혹은 차 연산(B = S2-S1)하여 두 파장간의 감도를 1차원 함수로 추출한다(S106).The controller C detects the sensitivity of the wavelength to the two light beams from the work object G input from the first image pickup device 191 and the second image pickup device 193 (S105). Differential amplifiers (B = S2 / S1) or differential calculations (B = S2-S1) are used to extract the sensitivity between two wavelengths as a one-dimensional function (S106).
이후, 추출된 함수값을 A/D변환수단을 통해 디지털 신호로 변환하며, 이를 도 5의 기준 데이터에 적용 비교하여 해당 파장을 추출하고(S107), 이로부터 광조사수단(120)에서 조사된 빛의 파장에 대한 깊이 정보를 추출함으로써, 작업 대상물(G)의 표면상에 이물질 입자(P)의 존재 여부와 이물질 입자(P)의 크기 및 두께를 추출하도록 한다(S108).Thereafter, the extracted function value is converted into a digital signal through the A / D conversion means, and applied to the reference data of FIG. 5 to compare and extract the corresponding wavelength (S107), from which the light irradiation means 120 is irradiated. By extracting the depth information on the wavelength of light, it is to extract the presence or absence of foreign matter particles (P) on the surface of the workpiece (G) (S108).
상기에서 광 조사수단(120)에서 작업 대상물(G)의 표면 고정된 각각의 위치에 조사되는 광의 경우 고정된 위치에 초점이 정확하게 맺히는 경우 반사되어 컨트롤러(C)에 검출되는 파장의 감도는 가장 강한 값으로 되며, 작업 대상물(G)의 표면상에 이물질 입자(P)가 존재함에 따라 고정된 위치에 초점이 정확하게 맺히지 않는 경우 이물질 입자(P)의 표면에서 산란됨에 따라 반사되어 컨트롤러(C)에 검출되는 파장의 감도는 가장 강한값 보다 낮은 감도로 검출되어진다.In the case of the light irradiated to the respective positions fixed on the surface of the object (G) in the light irradiation means 120 in the case where the focus is precisely at the fixed position, the sensitivity of the wavelength detected by the controller C is the strongest If the focus is not precisely set at a fixed position due to the presence of foreign matter particles P on the surface of the work object G, it is reflected as scattered from the surface of the foreign matter particles P and is reflected to the controller C. The sensitivity of the detected wavelength is detected with a sensitivity lower than the strongest value.
따라서, 컨트롤러(C)는 상기와 같이 검출되는 두 개의 광에 대한 감도를 미분 혹은 차 연산하여 감도의 차이를 1차 함수로 추출하고, 이를 메모리수단에 저장되어 있는 도 5의 기준 데이터와 비교함으로써, 작업 대상물(G)에 이물질 입자(P)가 존재하고 있는지의 여부와 그 크기 및 두께를 검출할 수 있게 된다.Accordingly, the controller C extracts the difference in sensitivity as a first-order function by differentially or differentially calculating the sensitivity of the two lights detected as described above, and compares it with the reference data of FIG. 5 stored in the memory means. The presence or absence of the foreign matter particles P in the work object G can be detected.
상기와 같이 추출되는 작업 대상물(G)의 표면상에 대한 이물질 입자(P)의 존재 유무에 대한 정보는 표시수단을 통해 표시되며(S109), 작업 대상물(G)의 표면에서 이물질 입자(P)의 존재가 검출되는 경우 연동되는 주변장치인 형광체 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치에 해당 정보를 제공하여, 이물질 입자(P)의 존재에 따른 적절한 대응이 수행될 수 있도록 한다(S110).Information on the presence or absence of foreign matter particles (P) on the surface of the work object (G) extracted as described above is displayed through the display means (S109), foreign matter particles (P) on the surface of the work object (G) When it is detected that the corresponding information is provided to the phosphor coating liquid ejecting device or the film attaching device, which is the peripheral device to be interlocked, so that the appropriate response according to the presence of the foreign matter particles (P) can be performed (S110).
상기한 예의 설명에서는 작업 대상물을 평판 디스플레이에 대하여 예로 하였으나, 본 발명의 경우 도 6에 도시된 바와 같이 전극재를 도포하기 위한 전지 코일에 적용하는 방법도 본 발명의 범위에 포함하며, 도 7에 도시된 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 글라스의 격자 배열에 형광체 막을 도포하는 성형 과정에서 적용하는 방법도 본 발명의 범위에 포함하며, 이는 전술한 실시 예와 같이 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 바, 구체적인 설명은 생략한다.In the description of the above example, the workpiece is an example for the flat panel display, but the method of applying the same to the battery coil for applying the electrode material, as shown in FIG. 6, is also included in the scope of the present invention. As shown in the drawing, a method applied in a molding process of applying a phosphor film to a lattice arrangement of glass of a plasma display panel is also included in the scope of the present invention, which can be easily carried out by those skilled in the art as in the above-described embodiments. Description is omitted.
이와 같이 본 발명은 박판 성형공정에서 스크린상에 얼라인되는 작업 대상물의 표면에 이물질 입자가 존재하는지의 여부를 신속하고 신뢰성 있게 검출함으로써, 박판 성형 작업에 있어 고가의 작업 대상물의 손실이 발생되지 않으며, 작업의 신뢰성 및 안정성이 제공된다.As described above, the present invention can quickly and reliably detect whether or not foreign particles exist on the surface of the workpiece to be aligned on the screen in the sheet forming process, so that expensive workpieces are not lost in the sheet forming operation. The reliability and stability of the work is provided.
또한, 작업 대상물의 표면에 이물질 입자가 존재하는 것으로 검출되는 경우 연동되는 주변장치에 해당 정보를 전송함으로써 적절한 조치를 취할 수 있도록 함으로써 고가 장비의 파손을 줄일 수 있으며, 기판의 불량률을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, if foreign matter particles are detected on the surface of the workpiece, appropriate information can be taken by transmitting the information to the peripheral device to be interlocked, thereby reducing damage to expensive equipment and significantly reducing the defective rate of the substrate. It can be effective.
또한, 작업 대상물의 표면에 존재하는 이물질 입자의 크기 및 두께를 검출함으로써 세정 공정에서의 정밀도를 확인할 수 있게 된다.In addition, by detecting the size and thickness of the foreign matter particles present on the surface of the workpiece, the accuracy in the cleaning process can be confirmed.
도 1은 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 박판 성형공정에서 이물질 검출장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a foreign matter detection apparatus in a thin plate forming process for explaining an embodiment according to the present invention.
도 2는 도 1의 A-A부를 절개하여 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the cut portion A-A of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 박판 성형공정에서 이물질 검출장치에 대한 상세 구성도이다. Figure 3 is a detailed configuration of the foreign matter detection apparatus in the sheet forming process according to an embodiment of the present invention.
도 4 내지 도 5는 본 발명에 적용될 수 있는 센서의 작동원리를 설명하기 위한 그래프이다.4 to 5 are graphs for explaining the operation principle of the sensor that can be applied to the present invention.
도 6 내지 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 박판 성형공정에서 이물질 검출장치의 다른 적용 예를 보인 단면도이다. 6 to 7 are cross-sectional views showing another application example of the foreign matter detection apparatus in the sheet forming process according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박판 성형공정에서 이물질 검출을 실행하는 흐름도이다.8 is a flow chart for performing foreign material detection in the sheet forming process according to an embodiment of the present invention.
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Families Citing this family (2)
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Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
JP3434977B2 (en) * | 1996-07-09 | 2003-08-11 | シャープ株式会社 | LCD display board inspection equipment |
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KR100386793B1 (en) * | 1998-04-21 | 2003-06-09 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | Apparatus and method for measuring thickness of thin film and method and apparatus for manufacturing thin film device using the same |
KR100622835B1 (en) * | 1998-07-29 | 2006-09-12 | 에누티에누 가부시키가이샤 | pattern amendment appratus and method |
JP3723392B2 (en) * | 1999-11-29 | 2005-12-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Film thickness measuring apparatus and film thickness measuring method |
JP3939179B2 (en) | 2002-03-26 | 2007-07-04 | シャープ株式会社 | Fine particle detection device, fine particle production device |
KR100511816B1 (en) * | 2002-08-22 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | Semiconductor device processing method and plasma processing method and its apparatus |
KR100669944B1 (en) * | 2004-04-21 | 2007-01-18 | 주식회사 나래나노텍 | Thin film forming system having particle remover and detector |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8643845B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-02-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Interferometric surface inspection using a slit-shaped reference beam from inspection surface |
KR102485850B1 (en) * | 2022-08-18 | 2023-01-09 | 주식회사 제덱스 | Optical foreign substances detection device using light scattering and image processing |
WO2024039005A1 (en) * | 2022-08-18 | 2024-02-22 | 주식회사 제덱스 | Optical foreign matter detection device using light scattering and image analysis |
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