[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20050068794A - 유기전계 발광소자와 그 제조방법 - Google Patents

유기전계 발광소자와 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050068794A
KR20050068794A KR1020030100603A KR20030100603A KR20050068794A KR 20050068794 A KR20050068794 A KR 20050068794A KR 1020030100603 A KR1020030100603 A KR 1020030100603A KR 20030100603 A KR20030100603 A KR 20030100603A KR 20050068794 A KR20050068794 A KR 20050068794A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electrode
light emitting
layer
organic light
Prior art date
Application number
KR1020030100603A
Other languages
English (en)
Inventor
박재용
이남양
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020030100603A priority Critical patent/KR20050068794A/ko
Priority to US10/878,512 priority patent/US7649311B2/en
Priority to CNB2004100625409A priority patent/CN100499152C/zh
Publication of KR20050068794A publication Critical patent/KR20050068794A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 별도의 컬러수단(컬러필터층, CCM층)을 포함하는 듀얼플레이트 구조의 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 컬러를 구현하기 위해, 유기 발광부 외에 컬러수단(CCM층과 컬러필터층)을 더욱 구성하고자 할 때, 컬러수단을 유기발광 패널 외부(빛이 나아가는 방향)에 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성은, 상기 컬러수단으로부터 유기 발광부로 수분 및 이물질이 침투하는 문제 등이 발생하지 않아 소자의 동작에 나쁜 영향을 미치지 않는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 어레이부와 발광부를 별도로 구성하고 이를 합착하여 제작하기 때문에 탑에미션(top emission)방식으로 구동하는 것이 가능하여, 고개구율 및 고휘도를 구현할 수 있고 생산관리의 측면에서 양호한 장점이 있다.

Description

유기전계 발광소자와 그 제조방법{The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same}
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 유기전계 발광소자의 외부에 별도의 컬러수단(컬러필터 및 CCM(color medium change)층)을 구비한 듀얼플레이트 구조(dual plate structure)의 유기전계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광소자는 전자 주입전극(cathode electrode)과 정공 주입전극(anode electrode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정표시소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.
또한, 유기전계 발광소자는 고품위 패널특성(저 전력, 고휘도, 고 반응속도, 저중량)을 나타낸다. 이러한 특성 때문에 OLED는 이동통신 단말기, CNS(Car Navigation System), PDA, Camcorder, Palm PC등 대부분의 consumer전자 응용제품에 사용될 수 있는 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다.
또한 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 LCD보다 많이 줄일 수 있는 장점이 있다.
이러한 유기전계 발광소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.
상기 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순 하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할 수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.
반면 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 높은 발광효율과 고 화질을 제공할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 유기전계 발광소자(10)는 투명하고 유연성이 있는 제 1 기판(12)의 상부에 박막트랜지스터(T) 어레이부(14)와, 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)의 상부에 화소마다 독립적으로 패턴된 제 1 전극(16)과, 유기 발광층(18)과, 유기 발광층 상부의 기판의 전면에 제 2 전극(20)을 구성한다.
이때, 상기 발광층(18)은 적(R),녹(G),청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 상기 각 화소(P)마다 적,녹,청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.
상기 제 1 기판(12)이 흡습제(22)가 부착된 제 2 기판(28)과 실런트(26)를 통해 합착됨으로써 유기전계 발광소자(10)가 완성된다.
이때, 상기 흡습제(22)는 캡슐내부에 침투할 수 있는 수분을 제거하기 위한 것이며, 기판(28)의 일부를 식각하고 식각된 부분에 분말형태의 흡습제(22)를 놓고 테이프(25)를 부착함으로서 흡습제(22)를 고정한다.
전술한 바와 같은 구성은, 투명한 양극전극(16)이 어레이부에 형성되어 하부 발광식으로 동작하게 된다.
전술한 바와 같은 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 구성을 이하, 도 2의 등가회로도를 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 종래의 유기전계 발광소자의 한 화소에 해당하는 등가회로도이다.
도시한 바와 같이, 기판(30)의 일 방향으로 게이트 배선(36)과 이와는 수직하게 교차하는 데이터 배선(49)이 구성된다.
상기 데이터 배선(49)과 게이트 배선(36)의 교차지점에는 스위칭 소자(TS)가 구성되고, 상기 스위칭 소자(TS)와 전기적으로 연결된 구동 소자(TD)가 구성된다.
이때, 상기 구동 소자(TD)는 p타입 박막트랜지스터이기 때문에, 박막트랜지스터의 소스 전극(52)과 게이트 전극(34)사이에 스토리지 캐패시터(CST)가 구성되고, 상기 구동 소자(TD)의 드레인 전극(54)은 유기 발광층(E)의 양극 전극(도 1의 16, anode electrode)과 접촉하여 구성된다.
전술한 구성에서, 상기 구동소자(TD)의 게이트 전극(34)과 소스 전극(52)사이에 스토리지 캐패시터(CST)가 구성된다.
상기 구동 소자(TD)의 소스 전극(52)과 전원배선(62)을 연결하여 구성한다.
전술한 바와 같이 구성된 유기전계 발광소자의 동작특성을 이하, 간략히 설명한다.
먼저, 상기 스위칭 소자(TS)의 게이트 전극(32)에 게이트 신호가 인가되면 상기 데이터 배선(49)을 흐르는 전류 신호는 상기 스위칭 소자(TS)를 통해 전압 신호로 바뀌어 구동 소자(TD)의 게이트 전극(34)에 인가된다.
이와 같이 하면, 상기 구동 소자(TD)가 동작되어 상기 발광부(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 유기발광층은 그레이 스케일(grey scale)을 구현할 수 있게 된다.
이때, 상기 스토리지 캐패시터(CST)에 저장된 신호는 상기 게이트 전극(34)의 신호를 유지하는 역할을 하기 때문에, 상기 스위칭 소자(TS)가 오프 상태가 되더라도 다음신호가 인가될 때까지 상기 발광부(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
상기 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)는 비정질 박막트랜지스터 또는 다결정 박막트랜지스터로 구성할 수 있으며, 비정질 박막트랜지스터는 다결정 박막트랜지스터에 비해 간편한 공정으로 제작할 수 있다는 장점이 있다.
그런데, 전술한 종래의 유기전계 발광소자는 단일 기판 상에 박막트랜지스터 어레이부와 발광부를 형성하는 경우, 박막트랜지스터의 수율과 유기 발광층의 수율의 곱이 박막트랜지스터와 유기 발광층을 형성한 패널의 수율을 결정하게 된다.
따라서, 종래의 경우와 같이 구성된 하판은 상기 유기 발광층의 수율에 의해 패널의 수율이 크게 제한되는 문제점을 가지고 있었다.
특히, 박막트랜지스터가 양호하게 형성되었다 하더라도, 1000Å정도의 박막을 사용하는 유기 발광층의 형성시 이물이나 기타 다른 요소에 의해 불량이 발생하게 되면 패널은 불량등급으로 판정된다.
이로 인하여 양품의 박막트랜지스터를 제조하는데 소요되었던 제반 경비 및 원재료비의 손실로 이어지고, 수율이 저하되는 문제점을 가지고 있었다.
또한, 전술한 바와 같은 하부 발광방식은 인캡슐레이션에 의한 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
앞서 설명하지는 않았지만, 종래의 상부 발광방식은 빛이 상부로 나오기 때문에 빛이 나아가는 방향이 하부의 박막트랜지스터 어레이부와 무관하여 박막트랜지스터 설계가 용이하고, 개구율 향상이 가능하기 때문에 제품수명 측면에서 유리하지만, 기존의 상부 발광방식 구조에서는 유기전계 발광층 상부에 통상적으로 음극이 위치함에 따라 재료 선택폭이 좁기 때문에 투과도가 제한되어 광효율이 저하되는 점과, 광투과도의 저하를 최소화하기 위해 박막형 보호막을 구성해야 하는 경우 외기를 충분히 차단하지 못하는 문제점이 있었다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자를 상부 발광식인 듀얼 플레이트 구조로 형성한다.
특히, 상기 듀얼플레이트 구조의 유기전계 발광소자의 외부에 별도의 컬러수단(컬러 필터 또는 CCM, 컬러필터와 CCM의 적층구조)을 더욱 구성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 듀얼플레이트 구조의 유기전계 발광소자는, 종래의 구조와 달리 투명한 애노드전극(anode)층이 기판의 상부에 위치할 수 있으므로, 탑에미션(top emission)방식으로 동작이 가능하여 개구영역을 더욱 확보할 수 있어 고휘도를 구현할 수 있는 장점이 있다.
또한, 하부 어레이부를 설계할 때 개구영역에 대해 고려할 필요가 없기 때문에 설계의 자유도가 매우 높고, 어레이부와 발광부를 별도로 제작하기 때문에 불량이 발생하여도 불량난 기판만을 교체하면 되므로 생산 수율을 개선할 수 있는 장점이 있다.
더욱이, 상기 컬러수단을 유기전계 발광소자의 외부에 별도로 구성함으로써, 상기 유기전계 발광소자의 내부에 컬러수단을 구성하는 경우 보다 신뢰성있는 유기전계 발광소자를 제작할 수 있는 장점이 있다.
만약, 상기 유기 전계 발광소자의 내부에 상기 컬러수단을 별도로 구성할 경우에는 아래와 같은 문제가 있다.
일반적으로, 상기 컬러수단은 코팅방식으로 형성이 가능하기 때문에 솔벤트(solvent)가 베이스(base)로 되어있다.
따라서, 전술한 컬러필터 또는 CCM층을 형성한 후에는 상기 솔벤트 등을 날려보내기 보내기 위해 베이킹(baking)공정을 거치게 된다.
그런데, 상기 베이킹 공정을 통해 막내에 잔존하는 솔벤트 성분을 완전히 제거하기 어렵고 또한, 이를 완전히 제거하기 위해서는 시간적인 손실이커 생산성을 떨어뜨리는 문제가 있다. 또한, 막내에 잔존하는 솔벤트 또는 수분에 의해 유기 발광층에 암점(dark spot)이 발생하게 되며 이는 점점 커져 급기야는 화질에 영향을 미치게 되는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명에서는 상기 컬러수단을 유기전계 발광소자의 외부에 구비한 유기전계 발광소자의 구성과 제조방법을 제안한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 제 1 특징에 따른 유기전계 발광소자는 이격 하여 구성되고 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과, 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자와; 상기 제 2 기판의 마주보는 일면에 구성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 발광층과; 상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성되고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극과; 상기 제 2 기판의 타면에, 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성된 컬러수단 을 포함한다.
상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성되며, 상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 것을 특징으로 한다.
상기 컬러 수단은, 컬러 필터 또는 CCM층(color change medium)이거나, 컬러 필터와 CCM층이 적층되어 구성되며, 상기 컬러 수단에 CCM층을 포함할 경우, 상기 유기 발광층은 청색을 발광하는 것을 특징으로 한다.
상기 컬러 수단의 경계에 대응하여 구성된 블랙매트릭스를 더욱 포함하며, 상기 컬러수단과 블랙매트릭스가 구성된 기판의 전면에 투명한 보호층이 구성된다.
상기 보호층의 상부에 이를 보호하는 투명막이 더욱 구성될 수 있다.
본 발명의 특징에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 이격된 제 1 기판과, 제 2 기판에 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 형성된 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자를 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판의 마주보는 일면에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 위치하고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판의 타면에, 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성된 컬러수단을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 컬러수단과 블랙매트릭스가 구성된 기판의 전면에 투명한 보호층이 더욱 형성되고, 상기 보호층의 상부에 이를 보호하는 투명막 또는 제거 가능한 희생층이 더욱 형성된다.
이때, 상기 희생층을 제거하는 단계를 더욱 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 이격 하여 구성되고 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과, 제 2 기판과 제 3 기판과; 상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 구성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 발광층과; 상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성되고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극과; 상기 제 2 기판과 마주 보는 제 3 기판의 일면에 구성된 컬러 수단을 포함한다.
상기 컬러수단과 블랙매트릭스가 구성된 기판의 전면에 투명한 보호층이 구성된다.
상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 기판의 전면에 대해 투명한 접착층을 통해 합착되며 또한, 상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 또한 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 이격된 제 1 기판과, 제 2 기판과 제 3 기판에 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 형성된 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 위치하고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판과 마주보는 제 3 기판의 일면에 컬러수단을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 기판의 전면에 대해 투명한 접착층을 통해 합착되거나, 상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 또한 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 제 1 실시예 --
본 발명의 제 1 실시예의 특징은, 발광부를 형성한 제 1 기판과 박막트랜지스터 어레이부를 형성하는 제 2 기판을 합착하는 듀얼플레이트 구조에 있어서, 상기 유기전계 발광소자의 외부에 별도의 컬러수단을 더욱 구성하는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼플레이트 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 구조의 유기전계 발광소자(99)는 박막트랜지스터(T) 어레이부(A)를 구성한 제 1 기판(100)과, 상기 제 1 기판(100)의 마주보는 일면에는 발광부(E)를 구성하고, 마주보지 않는 타면에는 컬러부(C)를 구성한 제 2 기판(200)을 실런트(400)를 통해 합착한 형상이다.
상세히 설명하면 도시하지는 않았지만, 상기 제 1 기판(100)상에 스위칭 소자(미도시)와 이에 연결된 구동 소자(TD)와, 상기 스위칭 소자와 연결된 게이트 및 데이터 배선과, 상기 구동소자와 연결된 전원 배선(power line)을 구성한다.
상시 스위칭 소자(미도시)와 구동 소자(TD)는 화소 영역(P)마다 형성한다.
상기 제 1 기판(100)과 마주보는 제 2 기판(200)의 일면에는 제 1 전극인 양극 전극(anode electrode)(214)을 구성하고, 제 1 전극(214)의 하부에는 유기 발광층(220)을 구성하고, 유기 발광층(222)의 하부에는 제 2 전극인 음극 전극(222,cathode electrode)을 구성한다.
상기, 유기 발광층(222)은 화소 영역(P)의 경계에 위치한 격벽(218)에 의해 증착과 동시에 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴될 수 있다.
이때, 상기 격벽(218)의 하부에는 차단층(216)을 더욱 구성하여, 상기 제 1 전극(214)과 제 2 전극(222)이 접촉하는 불량이 발생하지 않도록 한다.
상기 음극 전극(222)은 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴하며, 어레이기판(A)의 구동 소자(TD)와 연결하여 구성한다.
상기 제 1 기(100)판과 마주보지 않는 제 2 기판(200)의 타면에 구성된 컬러부(C)는 컬러수단(204a,b,c)과 컬러수단(204a,b,c)을 보호하는 보호층(206, 평탄화층을 구성한다.)으로 구성한다.
더욱 상세히는 상기 제 2 기판(200)의 타면에 상기 화소 영역(P)의 경계에 대응하여 블랙매트릭스(202)를 형성하고, 상기 화소 영역(204)에는 적,녹,청의 컬러수단(204a,b,c)과, 컬러수단(204a,b,c)과 블랙 매트릭스(202)를 포함한 제 2 기판(202)의 전면에는 상기 보호층(206)을 형성한다.
상기 컬러수단(204a,204b,204c)은 제 2 기판(200)면에 컬러필터층 또는 CCM(color change medium)층을 구성하거나, 컬러필터층과 CCM층을 적층하여 구성한다.
상기 컬러 수단(204a,204b,204c)에 CCM층을 사용할 경우에는, 하부 유기 발광층(220)은 화소영역 마다 청색을 발광하는 유기 물질을 패턴하여 구성하며, 청색 빛이 상기 CCM층에 흡수되면 상기 CCM층은 적색과 녹색과 청색의 빛을 발광하게 된다.
이때, 상기 CCM층은 각 색을 발광하는 물질이 다르므로, 각 화소 영역마다 별도로 패턴하여 형성한다.
상기 발광부(E)와 박막트랜지스터 어레이부(A)가 구성된 두 기판(100,200)의 갭을 고려하여 소정 높이를 가지는 연결 전극(400)을 음극 전극(222)과 구동소자(TD)사이에 구성할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 발광부(발광기판)의 제조방법을 설명한다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 발광부(발광기판)의 제조방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(200)다수의 화소 영역(P)을 정의한다.(이때, 기판에 표시한 화살표는 유기전계 발광소자로 제작되었을 때, 빛이 나아가는 방향을 나타낸다.)
상기 화소 영역(P)의 경계에 대응하는 기판(200)의 일면에 블랙수지(black resin) 또는 크롬(Cr)과 같은 불투명한 금속층으로 블랙 매트릭스(202)를 형성한다.
다음으로, 상기 화소 영역(P)에 대응하여 컬러 필터 혹은 CCM층 또는 이들의 조합으로 이루어진 컬러수단(204a,204b,204c)을 형성한다.
상기 컬러 수단(204a,204b,204c)은 적색과 녹색과 청색의 컬러를 나타내며, 각 색을 표현하는 컬러수단(204a,204b,204c)을 상이 다수의 화소 영역(P)에 순차 형성한다.
다음으로, 상기 컬러수단(204a,204b,204c)이 형성된 기판(200)의 전면에 투명한 보호층(206)을 형성한다.
상기 보호층(206)은 유기 절연막 재질로 형성하며, 유기 절연막은 일반적으로 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide)등을 포함하는 투명한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 형성할 수 있다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 기판(200)을 뒤집어, 상기 컬러수단(204a,204b,204c)이 형성되는 면과 반대되는 면에 제 1 전극(214)을 형성한다. 상기 제 1 전극(214)은 유기 발광층(미도시)에 홀(hole)을 주입하는 홀 주입 전극으로 주로 투명하며 일 함수(work function)가 높은 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하여 형성한다.
다음으로, 상기 제 1 전극(214)의 앞서 언급한 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 화소 영역의 경계에 대응하여 차단층(216)을 형성한다. 상기 차단층(216)은 상기 제 1 전극(214)과 이후 형성된 제 2 전극간의 상하 쇼트(shot)를 방지하기 위한 것이다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 차단층(216)이 형성된 기판(200)의 전면에 감광성 유기막을 두텁게 도포한 후 패턴하여, 상기 화소 영역(P)의 경계에 대응하는 차단층(216)의 상부에 격벽(218)을 형성한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 격벽으로 주변이 둘러싸인 화소 영의 제 1 전극 상에 적(R), 녹(G), 청색(B)의 빛을 발광하는 유기 발광층(220)을 형성한다.
이때, 상기 유기 발광층(220)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 상기 유기 발광층이 다층으로 구성될 경우에는, 발광층(220a)에 홀 수송층(Hole Transporting Layer)(220b)과 전자 수송층(Electron Transporting Layer : ETL)(220c)을 더욱 구성한다.
다음으로, 상기 발광층(220a)이 형성된 기판(200)의 전면에 일함수(work function)가 낮은 도전성 금속을 증착하여, 상기 각 화소 영역(P)에 독립적으로 증착된 제 2 전극(222)을 형성한다.
상기 제 2 전극(222)은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg)중 선택된 하나로 형성하거나 리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속층으로 형성할 수 있다.
상기 제 2 전극(222)을 화소영역(P)마다 독립적으로 증착하기 위해서는, 전술한 바와 같이 양측이 역테이퍼지게 형성한 격벽(218)을 통해 증착과 동시에 화소 영역(P)마다 별도로 증착될 수 있도록 할 수 도 있고, 상기 격벽 없이 별도의 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 화소 영역마다 독립적으로 형성할 수 있다.
전술한 바와 같은 공정을 통해 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼플레이트 구조의 유기 발광 기판을 형성할 수 있다.
전술한 제 1 실시예에서, 상기 기판(200)의 일면에 보호층을 형성한 후 기판을 뒤집어 발광부를 형성하는 공정에서, 보호층을 형성하는 물질이 스크래치(scratch)에 약한 물질일 경우에는 상기 보호층을 보호하기 위한 별도의 희생층을 구성한다.
이에 대해, 이하 제 2 실시예를 통해 설명한다.
-- 제 2 실시예 --
본 발명의 제 2 실시예의 특징은 제 1 실시예의 구성에서, 보호층의 상부에 희생층을 더욱 구성하는 것이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼 플레이트 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 구조의 유기전계 발광소자(99)는 박막트랜지스터(T) 어레이부(A)를 구성한 제 1 기판(100)과, 상기 제 1 기판(100)의 마주보는 일면에는 발광부(E)를 구성하고, 마주보지 않는 타면에는 컬러수단(C)을 구성한 제 2 기판(200)을 실런트(400)를 통해 합착한 형상이다.
상세히 설명하면 도시하지는 않았지만, 상기 제 1 기판(100)상에 스위칭 소자(미도시)와 이에 연결된 구동 소자(TD)와, 상기 스위칭 소자와 연결된 게이트 및 데이터 배선과, 상기 구동소자와 연결된 전원 배선(power line)을 구성한다.
상시 스위칭 소자(미도시)와 구동 소자(TD)는 화소 영역(P)마다 형성한다.
상기 제 1 기판(100)과 마주보는 제 2 기판의 일면에는 제 1 전극인 양극 전극(anode electrode)(214)을 구성하고, 제 1 전극(214)의 하부에는 유기 발광층(220)을 구성하고, 유기 발광층(222)의 하부에는 음극 전극(222,cathode electrode)을 구성한다.
상기, 유기 발광층(222)은 화소 영역(P)의 경계에 위치한 격벽(218)에 의해 증착과 동시에 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴될 수 있다.
이때, 상기 격벽(218)의 하부에는 차단층(216)을 더욱 구성하여, 상기 제 1 전극(214)과 제 2 전극(222)이 접촉하는 불량이 발생하지 않도록 한다
상기 음극 전극(222)은 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴하며, 어레이기판(AS)의 구동 소자(TD)와 연결하여 구성한다.
상기 제 1 기(100)판과 마주보지 않는 제 2 기판(200)의 타면에는 컬러수단(204a,b,c)과 컬러수단(204a,b,c)을 보호하는 보호층(206)을 구성한다.
더욱 상세히는 상기 제 2 기판(200)의 타면에 상기 화소 영역(P)의 경계에 대응하여 블랙매트릭스(202)를 형성하고, 상기 화소 영역(204)에는 적,녹,청의 컬러수단(204a,b,c)과, 컬러수단(204a,b,c)과 블랙 매트릭스(202)를 포함한 제 2 기판(202)의 전면에는 상기 보호층(206)을 형성한다.
상기 보호층(206)의 상부에는 투명한 보호막(208)즉 희생층을 형성한다.
상기 보호막(208)은 제거될 수도 있고, 제거 되지 않을 수도 있는데 제거되는 경우에는 희생층으로서 사용되므로 불투명이어도 좋고 물질 자체에 스크래치가 가도 괜찮다.
단, 제거되지 않을 경우에는 반드시 투명막이어야 하고 스크래치가 발생하지 않아야 한다.
상기 컬러수단(204a,204b,204c)은 제 2 기판(200)면에 컬러필터층 또는 CCM(color change medium)층을 구성하거나, 컬러필터층과 CCM층을 적층하여 구성한다.
상기 컬러 수단(204a,204b,204c)에 CCM층을 사용할 경우에는, 하부 유기 발광층(220)은 화소영역 마다 청색을 발광하는 유기 물질을 패턴하여 구성하며, 청색 빛이 상기 CCM층에 흡수되면 상기 CCM층은 적색과 녹색과 청색의 빛을 발광하게 된다.
이때, 상기 CCM층은 각 색을 발광하는 물질이 다르므로, 각 화소 영역마다 별도로 패턴하여 형성한다.
상기 발광부(E)와 박막트랜지스터 어레이부(A)가 구성된 두 기판(100,200)의 갭을 고려하여 소정 높이를 가지는 연결 전극(400)을 음극 전극(222)과 구동소자(TD)사이에 구성할 수 있다.
전술한 바와 같은 공정으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼플레이트 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.
-- 제 3 실시예 --
본 발명의 제 3 실시예의 특징은 상기 컬러수단을 별도의 기판에 구성하고, 이를 본 발명에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자에 부착하는 것을 특징으로 한다.
도 6은 본 발명에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 구조의 유기전계 발광소자(99)는 박막트랜지스터(T) 어레이부(A)를 구성한 제 1 기판(100)과, 상기 제 1 기판(100)의 마주보는 면에 발광부(E)가 구성된 제 2 기판과, 컬러수단이 구성된 제 3 기판(300)을 포함한다.
이때, 상기 박막트랜지스터 어레이부(A)와 발광부(E)가 형성된 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)은, 기판의 둘레에 라인 형상의 실런트 패턴(300)을 형성하여 합착하고, 상기 컬러수단(204a,204b,204c)이 구성된 제 3 기판(300)은 전면에 위치하는 별도의 접착층(308)을 통해 상기 제 2 기판(300)과 합착하여 구성하는 것을 특징으로 한다.
전술한 유기전계 발광소자의 구성을 좀더 상세히 설명하면, 도시하지는 않았지만, 상기 제 1 기판(100)상에 스위칭 소자(미도시)와 이에 연결된 구동 소자(TD)와, 상기 스위칭 소자와 연결된 게이트 및 데이터 배선과, 상기 구동소자와 연결된 전원 배선(power line)을 구성한다.
상기 스위칭 소자(미도시)와 구동 소자(TD)는 화소 영역(P)마다 형성한다.
상기 제 1 기판(100)과 마주보는 제 2 기판의 일면에는 제 1 전극인 양극 전극(anode electrode)(214)을 구성하고, 제 1 전극(214)의 하부에는 유기 발광층(220)을 구성하고, 유기 발광층(222)의 하부에는 음극 전극(222,cathode electrode)을 구성한다.
상기, 유기 발광층(222)은 화소 영역(P)의 경계에 위치한 격벽(218)에 의해 증착과 동시에 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴될 수 있다.
이때, 상기 격벽(218)의 하부에는 차단층(216)을 더욱 구성하여, 상기 제 1 전극(214)과 제 2 전극(222)이 접촉하는 불량이 발생하지 않도록 한다
상기 음극 전극(222)은 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴하며, 어레이기판(AS)의 구동 소자(TD)와 연결하여 구성한다.
상기 발광부(E)가 구성되지 않은 제 2 기판(200)면과 마주보는 제 3 기판(300)의 일면에는 상기 화소 영역(P)의 경계에 대응하여 블랙매트릭스(302)를 형성하고, 상기 화소 영역(304)에는 적,녹,청의 컬러수단(304a,b,c)과, 컬러수단(204a,b,c)과 블랙 매트릭스(302)를 포함한 제 3 기판(302)의 전면에는 보호층(306)을 형성한다.
상기 컬러수단(304a,304b,304c)은 제 3 기판(300)면에 컬러필터층 또는 CCM(color change medium)층을 구성하거나, 컬러필터층과 CCM층을 적층하여 구성한다.
상기 컬러 수단(304a,304b,304c)에 CCM층을 사용할 경우에는, 하부 유기 발광층(220)은 화소영역 마다 청색을 발광하는 유기 물질을 패턴하여 구성하며, 청색 빛이 상기 CCM층에 흡수되면 상기 CCM층은 적색과 녹색과 청색의 빛을 발광하게 된다.
이때, 상기 CCM층은 각 색을 발광하는 물질이 다르므로, 각 화소 영역마다 별도로 패턴하여 형성한다.
상기 발광부(E)와 박막트랜지스터 어레이부(A)가 구성된 두 기판(100,200)의 갭을 고려하여 소정 높이를 가지는 연결 전극(400)을 음극 전극(222)과 구동소자(TD)사이에 구성할 수 있다.
전술한 구성은, 상기 컬러수단(304a,304b,304c)을 제 3 기판(300)에 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 제 3 기판(300)에 컬러수단(304a,304b,304c)을 형성하는 공정을 앞서 설명한 도 4a의 공정과 동일하므로 설명을 생략하도록 한다.
전술한 제 3 실시예의 변형된 예를 이하, 제 4 실시예를 통해 설명한다.
-- 제 4 실시예 --
본 발명에 따른 제 4 실시예는 전술한 제 3 실시예의 구성에서, 상기 제 3 기판을 제 2 기판과 합착할 때, 기판의 주변으로 라인형상의 실패턴(seal pattern)을 인쇄하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 설명한다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 구조의 유기전계 발광소자(99)는 박막트랜지스터(T) 어레이부(A)를 구성한 제 1 기판(100)과, 상기 제 1 기판(100)의 마주보는 면에 발광부(E)가 구성된 제 2 기판(300)과, 컬러수단이 구성된 제 3 기판을 포함한다.
이때, 상기 박막트랜지스터 어레이부(A)와 발광부(E)가 형성된 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)은, 기판의 둘레에 라인 형상의 실런트 패턴(300)을 형성하여 합착하고, 상기 컬러수단(204a,204b,204c)이 구성된 제 3 기판(300) 또한 둘레에 라인 형상의 실런트 패턴(500)을 형성하여 상기 제 2 기판(300)과 합착하여 구성하는 것을 특징으로 한다.
전술한 유기전계 발광소자의 구성을 좀더 상세히 설명하면, 도시하지는 않았지만, 상기 제 1 기판(100)상에 스위칭 소자(미도시)와 이에 연결된 구동 소자(TD)와, 상기 스위칭 소자와 연결된 게이트 및 데이터 배선과, 상기 구동소자와 연결된 전원 배선(power line)을 구성한다.
상기 스위칭 소자(미도시)와 구동 소자(TD)는 화소 영역(P)마다 형성한다.
상기 제 1 기판(100)과 마주보는 제 2 기판의 일면에는 제 1 전극인 양극 전극(anode electrode)(214)을 구성하고, 제 1 전극(214)의 하부에는 유기 발광층(220)을 구성하고, 유기 발광층(222)의 하부에는 음극 전극(222,cathode electrode)을 구성한다.
상기, 유기 발광층(222)은 화소 영역(P)의 경계에 위치한 격벽(218)에 의해 증착과 동시에 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴될 수 있다.
이때, 상기 격벽(218)의 하부에는 차단층(216)을 더욱 구성하여, 상기 제 1 전극(214)과 제 2 전극(222)이 접촉하는 불량이 발생하지 않도록 한다
상기 음극 전극(222)은 화소 영역(P)마다 독립적으로 패턴하며, 어레이기판(AS)의 구동 소자(TD)와 연결하여 구성한다.
상기 발광부(E)가 구성되지 않은 제 2 기판(200)면과 마주보는 제 3 기판(300)의 일면에는 상기 화소 영역(P)의 경계에 대응하여 블랙매트릭스(302)를 형성하고, 상기 화소 영역(304)에는 적,녹,청의 컬러수단(304a,b,c)과, 컬러수단(204a,b,c)과 블랙 매트릭스(302)를 포함한 제 3 기판(302)의 전면에는 보호층(306)을 형성한다.
상기 컬러수단(304a,304b,304c)은 제 3 기판(300)면에 컬러필터층 또는 CCM(color change medium)층을 구성하거나, 컬러필터층과 CCM층을 적층하여 구성한다.
상기 컬러 수단(304a,304b,304c)에 CCM층을 사용할 경우에는, 하부 유기 발광층(220)은 화소영역 마다 청색을 발광하는 유기 물질을 패턴하여 구성하며, 청색 빛이 상기 CCM층에 흡수되면 상기 CCM층은 적색과 녹색과 청색의 빛을 발광하게 된다.
이때, 상기 CCM층은 각 색을 발광하는 물질이 다르므로, 각 화소 영역마다 별도로 패턴하여 형성한다.
상기 발광부(E)와 박막트랜지스터 어레이부(A)가 구성된 두 기판(100,200)의 갭을 고려하여 소정 높이를 가지는 연결 전극(400)을 음극 전극(222)과 구동소자(TD)사이에 구성할 수 있다.
전술한 바와 같은 구성으로 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여 앞서 제 1 내지 제 4 실시예에서 간략하게 설명하였던 박막트랜지스터 어레이부의 제조공정을 설명한다.
상기 박막트랜지스터로 비정질 박막트랜지스터 및 결정질 박막트랜지스터를 모두 사용할 수 있으나, 비정질 박막트랜지스터의 공정을 예를 들어 설명한다.
도 8은 전술한 제 1 내지 제 4 실시예에서 구성한 컬러수단을 더욱 포함한 발광부와 합착되는 박막트랜지스터 어레이 기판의 한 화소에 대한 단면 구성을 도시한 확대 단면도이다.
도시한 바와 같이 기판(100)상에 화소 영역(P)을 정의하고, 화소 영역(P)의 일측에 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)을 정의한다.
상기 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)에 각각 게이트 전극(102,104)을 형성하고, 게이트 전극(102,104)이 형성된 기판(100)의 전면에 게이트 절연막(106)을 형성한다.
상기 각 게이트 전극(102,104)상부의 게이트 절연막(106)상에 액티브층(110,114)과 오믹 콘택층(112,116)을 형성한다.
다음으로, 상기 오믹 콘택층(112,116)이 형성된 기판(100)의 전면에 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 구동 영역(D)과 스위칭 영역(S)의 오믹 콘택층(112,116) 상에 각각 이격된 소스 전극(118,122)과 드레인 전극(120,124)을 형성한다.
이때, 상기 스위칭 영역(S)의 드레인 전극(120)이 구동 영역(D)의 게이트 전극(104)과 연결되도록 형성한다.
이로써, 상기 스위치 영역(S)과 구동 영역(D)에 각각 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)를 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 스위칭 영역(S)과 구동 영역(D)이 형성된 기판(100)의 전면에 앞서 언급한 무기절연물질 그룹 중 선택한 물질을 증착하여 제 1 보호막(124)을 형성하고, 상기 구동 소자(TS)의 소스 전극(122)을 노출한다.
다음으로, 상기 제 1 보호막(124)의 상부에는 전원 배선(126)을 형성하는데 이때, 상기 전원 배선(126)은 구동 소자(TS)의 소스 전극(122)과 연결되도록 한다.
상기 전원 배선(126)이 형성된 기판(100)의 전면에 제 2 보호막(128)을 형성한 후 상기 구동소자(TS)의 드레인 전극(124)을 노출하는 공정을 진행한다.
다음으로, 앞서 유기 발광 기판에 형성된 제 2 전극(222)과 접촉하는 연결전극(400)을 상기 드레인 전극(124)에 연결하여 형성한다.
이때, 유기 발광기판과 어레이 기판의 갭을 고려하여, 상기 연결전극(400)을 높여줄 필요가 있는데, 이를 위해 연결전극(400)의 하부에 소정 높이를 가지는 유기막 패턴(350)을 더욱 형성하기도 한다.
이와 같이 구성된 박막트랜지스터 어레이부를 상기 컬러수단을 포함하는 발광부와 합착하여, 본 발명에 따른 듀얼플레이트 구조의 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 유기 발광부에 별도로 컬러필터 또는 CCM층 또는 이 둘의 조합으로 형성된 컬러수단을 구성하는 구조에 있어서, 상기 박막트랜지스터 어레이부가 구성된 제 1 기판과 상기 유기 발광부가 구성된 제 2 기판을 합착한 후, 빛이 진행하는 방향의 패널(제 2 기판의 바깥면)의 외부에 컬러수단을 구성함으로써, 상기 컬러수단으로부터 유기 발광부로 유입되는 수분 또는 개스 성분과 이물질을 차단할 수 있다.
따라서, 소자의 동작을 개선하는 효과와 함께 소자의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.
또한, 유기전계 발광소자를 듀얼플레이트 구조로 형성하여, 종래의 구조와 달리 투명한 애노드 전극(anode)층이 기판의 상부에 위치할 수 있으므로, 탑에미션(top emission)방식으로 동작이 가능하여 개구영역을 더욱 확보할 수 있어 고휘도를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 하부 어레이부를 설계할 때 개구영역에 대해 고려할 필요가 없기 때문에 설계의 자유도가 매우 높고, 어레이부와 발광부를 별도로 제작하기 때문에 불량이 발생하여도 불량난 부분만 교체하면 되므로 생산 수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 종래의 유기전계 발광소자의 한 화소를 나타내는 등가회로도이고,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 발광부(발광기판)의 제조방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 5는 본 발명의제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 6은 본 발명의제 3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 8은 박막트랜지스터 어레이부의 한 화소를 도시한 확대 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 제 1 기판 200 : 제 2 기판
202 : 블랙 매트릭스 204(a,b,c) : 컬러수단
206 : 보호막 214 : 양극 전극
216 : 차단층 220 : 발광층
222 : 제 2 전극 300 : 씰패턴
400 : 연결 전극

Claims (37)

  1. 이격 하여 구성되고 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과, 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자와;
    상기 제 2 기판의 마주보는 일면에 구성된 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극의 상부에 구성된 발광층과;
    상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성되고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극과;
    상기 제 2 기판의 타면에, 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성된 컬러수단
    을 포함하는 유기전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러 수단은, 컬러 필터 또는 CCM층(color change medium)이거나, 컬러 필터와 CCM층이 적층되어 구성된 유기전계 발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 컬러 수단에 CCM층을 포함할 경우, 상기 유기 발광층은 청색을 발광하는 유기물질로 구성된 유기전계 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러 수단의 경계에 대응하여 구성된 블랙매트릭스를 더욱 포함하는 유기전계 발광소자.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컬러수단과 블랙매트릭스가 구성된 기판의 전면에 투명한 보호층이 구성된 유기전계 발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보호층의 상부에 이를 보호하는 투명막이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  9. 이격된 제 1 기판과, 제 2 기판에 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 형성된 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자를 형성하는 단계와;
    상기 제 2 기판의 마주보는 일면에 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 위치하고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 기판의 타면에, 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성된 컬러수단을 형성하는
    단계를 포함하는 유기전계 발광 소자 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 포함하는 일함수가 큰 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성하고, 상기 제 2 전극은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg),리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속을 포함하는 일 함수가 낮은 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 컬러 수단은, 컬러 필터 또는 CCM층(color change medium)이거나, 컬러 필터와 CCM층이 적층되어 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 컬러수단에 CCM층을 포함할 경우, 상기 유기발광층은 청색빛을 발광하는 물질로 패턴된 유기전계 발광소자 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 컬러 수단의 경계에 대응하여 블랙매트릭스가 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  16. 제 9 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컬러수단과 블랙매트릭스가 구성된 기판의 전면에 투명한 보호층이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호층의 상부에 이를 보호하는 투명막 또는 제거 가능한 희생층이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 희생층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  19. 이격 하여 구성되고 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과, 제 2 기판과 제 3 기판과;
    상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자와;
    상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 구성된 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극의 상부에 구성된 발광층과;
    상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성되고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극과;
    상기 제 2 기판과 마주 보는 제 3 기판의 일면에 구성된 컬러 수단
    을 포함하는 유기전계 발광 소자.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 컬러 수단은, 컬러 필터 또는 CCM층(color change medium)이거나, 컬러 필터와 CCM층이 적층되어 구성된 유기전계 발광소자.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 컬러 수단에 CCM층을 포함할 경우, 상기 유기 발광층은 청색을 발광하는 유기물질로 구성된 유기전계 발광소자.
  24. 제 29 항에 있어서,
    상기 컬러 수단의 경계에 대응하여 구성된 블랙매트릭스를 더욱 포함하는 유기전계 발광소자.
  25. 제 19 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컬러수단과 블랙매트릭스가 구성된 기판의 전면에 투명한 보호층이 구성된 유기전계 발광소자.
  26. 제 19 항에 있어서,
    상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 기판의 전면에 대해 투명한 접착층을 통해 합착된 유기전계 발광소자.
  27. 제 19 항에 있어서,
    상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 또한 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착된 유기전계 발광소자.
  28. 이격된 제 1 기판과, 제 2 기판과 제 3 기판에 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 이에 수직한 타측에 각각 형성된 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 구동소자를 형성하는 단계와;
    상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 발광층의 상부에 상기 화소 영역마다 독립적으로 위치하고, 상기 구동소자와 연결된 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 기판과 마주보는 제 3 기판의 일면에 컬러수단을 형성하는
    단계를 포함하는 유기전계 발광 소자 제조방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 양극 전극(anode electrode)이고, 상기 제 2 전극은 음극 전극(cathode electrode)인 유기전계 발광소자 제조방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 포함하는 일함수가 큰 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성하고, 상기 제 2 전극은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg),리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속을 포함하는 일 함수가 낮은 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 컬러 수단은, 컬러 필터 또는 CCM층(color change medium)이거나, 컬러 필터와 CCM층이 적층되어 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 컬러수단에 CCM층을 포함할 경우, 상기 유기발광층은 청색빛을 발광하는 물질로 패턴된 유기전계 발광소자 제조방법.
  33. 제 28 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 연결된 전원배선이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  34. 제 28 항에 있어서,
    상기 컬러 수단의 경계에 대응하여 블랙매트릭스가 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  35. 제 28 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컬러수단과 블랙매트릭스가 구성된 기판의 전면에 투명한 보호층이 더욱 형성된 유기전계 발광소자 제조방법.
  36. 제 28 항에 있어서,
    상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 기판의 전면에 대해 투명한 접착층을 통해 합착된 유기전계 발광소자 제조방법.
  37. 제 28 항에 있어서,
    상기 1 기판과 제 2 기판은 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착되고, 상기 제 2 기판과 제 3 기판은 또한 기판의 주변에서 실런트 패턴을 통해 합착된 유기전계 발광소자 제조방법.
KR1020030100603A 2003-12-30 2003-12-30 유기전계 발광소자와 그 제조방법 KR20050068794A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030100603A KR20050068794A (ko) 2003-12-30 2003-12-30 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US10/878,512 US7649311B2 (en) 2003-12-30 2004-06-29 Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
CNB2004100625409A CN100499152C (zh) 2003-12-30 2004-06-30 有机电致发光显示器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030100603A KR20050068794A (ko) 2003-12-30 2003-12-30 유기전계 발광소자와 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050068794A true KR20050068794A (ko) 2005-07-05

Family

ID=34698780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030100603A KR20050068794A (ko) 2003-12-30 2003-12-30 유기전계 발광소자와 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7649311B2 (ko)
KR (1) KR20050068794A (ko)
CN (1) CN100499152C (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7893918B2 (en) 2007-01-09 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electrophoretic display apparatus and manufacturing method thereof
WO2016195323A1 (ko) * 2015-06-03 2016-12-08 동우화인켐 주식회사 플렉서블 컬러필터와 그를 포함하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US11069750B2 (en) 2015-06-03 2021-07-20 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Flexible color filter, flexible organic light emitting display device comprising same, and manufacturing method therefor

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049308A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置、その製造方法、及びその製造装置
US7915822B2 (en) * 2004-08-04 2011-03-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and method and apparatus for manufacturing the same
KR100665941B1 (ko) * 2004-09-17 2007-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100603836B1 (ko) * 2004-11-30 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
EP1875777B1 (en) * 2005-03-25 2017-10-25 LG Display Co., Ltd. Light emitting device
KR101252083B1 (ko) * 2005-12-22 2013-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US20070170846A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Choi Dong-Soo Organic light emitting display and method of fabricating the same
CN100353403C (zh) * 2006-02-09 2007-12-05 友达光电股份有限公司 有机发光显示器
KR101440105B1 (ko) * 2007-02-23 2014-09-17 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
US7990060B2 (en) * 2007-05-31 2011-08-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2009107201A1 (ja) * 2008-02-26 2009-09-03 パイオニア株式会社 有機ｅｌパネル及びその製造方法
US7977868B2 (en) * 2008-07-23 2011-07-12 Cbrite Inc. Active matrix organic light emitting device with MO TFT backplane
US8742658B2 (en) * 2008-07-23 2014-06-03 Cbrite Inc. Full-color active matrix organic light emitting display with hybrid
US10264637B2 (en) 2009-09-24 2019-04-16 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof
US9713211B2 (en) 2009-09-24 2017-07-18 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof
US8476836B2 (en) 2010-05-07 2013-07-02 Cree, Inc. AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments
JP2013012477A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Cbrite Inc ハイブリッドのフルカラー・アクティブ・マトリクス有機発光ディスプレイ
US9510413B2 (en) 2011-07-28 2016-11-29 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods of forming
US8742671B2 (en) * 2011-07-28 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry
US9277605B2 (en) 2011-09-16 2016-03-01 Cree, Inc. Solid-state lighting apparatus and methods using current diversion controlled by lighting device bias states
KR101339000B1 (ko) * 2011-12-14 2013-12-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR101452768B1 (ko) 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN104576693B (zh) * 2014-12-08 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制造方法
CN205900543U (zh) * 2016-05-18 2017-01-18 武汉华星光电技术有限公司 一种oled显示面板
JP6822471B2 (ja) * 2016-05-24 2021-01-27 ソニー株式会社 表示モジュール及び表示モジュールの製造方法
CN106449702B (zh) * 2016-09-20 2019-07-19 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
KR102714103B1 (ko) * 2016-12-23 2024-10-07 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102551354B1 (ko) * 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20200006647A (ko) * 2018-07-10 2020-01-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111290165B (zh) * 2018-12-10 2021-06-25 Tcl科技集团股份有限公司 一种光源板、背光模组及显示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0809420B1 (en) * 1995-02-06 2002-09-04 Idemitsu Kosan Company Limited Multi-color light emission apparatus and method for production thereof
US6175345B1 (en) * 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
US6137221A (en) * 1998-07-08 2000-10-24 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device with full color characteristics
JP2001177509A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Oki Electric Ind Co Ltd クロック載せ換え方法及び装置
JP3840926B2 (ja) * 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、並びに電子機器
KR100365519B1 (ko) 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
GB0107236D0 (en) 2001-03-22 2001-05-16 Microemissive Displays Ltd Method of creating an electroluminescent device
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6548961B2 (en) * 2001-06-22 2003-04-15 International Business Machines Corporation Organic light emitting devices
KR100401378B1 (ko) 2001-08-09 2003-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자
US6844673B1 (en) * 2001-12-06 2005-01-18 Alien Technology Corporation Split-fabrication for light emitting display structures
AU2002347476A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. El display device and method of manufacturing the same
KR100635042B1 (ko) * 2001-12-14 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100426964B1 (ko) * 2002-03-20 2004-04-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100464864B1 (ko) 2002-04-25 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100435054B1 (ko) * 2002-05-03 2004-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100473590B1 (ko) * 2002-07-25 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100474001B1 (ko) * 2002-08-14 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100497096B1 (ko) * 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100551131B1 (ko) 2003-03-07 2006-02-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7893918B2 (en) 2007-01-09 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electrophoretic display apparatus and manufacturing method thereof
WO2016195323A1 (ko) * 2015-06-03 2016-12-08 동우화인켐 주식회사 플렉서블 컬러필터와 그를 포함하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US11069750B2 (en) 2015-06-03 2021-07-20 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Flexible color filter, flexible organic light emitting display device comprising same, and manufacturing method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
US7649311B2 (en) 2010-01-19
US20050140282A1 (en) 2005-06-30
CN1638555A (zh) 2005-07-13
CN100499152C (zh) 2009-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050068794A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100500147B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100544436B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100465883B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100642491B1 (ko) 유기전계발광 소자
KR100551131B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100579548B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20030086167A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100579549B1 (ko) 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP2005197228A (ja) 有機電界発光素子とその製造方法
KR100473590B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100489591B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20030086165A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US7282749B2 (en) Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
KR101859479B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100473999B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100554494B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20040007823A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100556525B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20050068441A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100557728B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100515465B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20050068440A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100557729B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100625591B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E801 Decision on dismissal of amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060412

Effective date: 20070730