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KR20050010110A - 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20050010110A
KR20050010110A KR1020030048993A KR20030048993A KR20050010110A KR 20050010110 A KR20050010110 A KR 20050010110A KR 1020030048993 A KR1020030048993 A KR 1020030048993A KR 20030048993 A KR20030048993 A KR 20030048993A KR 20050010110 A KR20050010110 A KR 20050010110A
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드의 활성층과 격자 상수가 유사한 In 조성이 낮은 In GaN층을 형성함으로써 광도를 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 사파이어 기판 상에 배치되어 있는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 배치되어 있는 질화갈륨층; 상기 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 도핑된 질화갈륨층; 상기 질화 갈륨층 상에 배치되어 있는 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층; 상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 활성층; 및 상기 활성층 상에 배치되어 있는 p형 질화갈륨층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층의 조성식은 In(x)Ga(1-x)N이고, x의 범위는 0＜x＜0.2 이고, 상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층의 두께는 50~200Å인 것을 특징으로 한다.

Description

발광 다이오드 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 발광 다이오드에 형성되는 활성층과 격자상수를 비슷한 인듐(In)을 포함한 층을 형성함으로써 광효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드(Light Emitting Diode: 이하 LED라고 함)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받는데, 사용되는 반도체의 일종으로 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용된다.
상기 LED의 동작원리는 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극(Positive-negative)의 접합(jUndopedction) 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데, 전자와 정공의 결합에 의하여 에너지 준위가 떨어져 빛이 방출되는 것이다.
또한, LED는 보편적으로 0.25㎟로 매우 작으며 크기로 제작되며, 엑폭시 몰드와 리드 프레임 및 PCB에 실장된 구조를 하고 있다. 현재 가장 보편적으로 사용하는 LED는 5㎜(T 1 3/4) 플라스틱 패키지(Package)나 특정 응용 분야에 따라 새로운 형태의 패키지를 개발하고 있다. LED에서 방출하는 빛의 색깔은 반도체 칩 구성원소의 배합에 따라 파장을 만들며 이러한 파장이 빛의 색깔을 결정 짓는다.
특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화(slim) 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며 PCB(Printed Circuit Board: 이하 PCB라고 함) 기판에 직접 장착하기 위하여 표면실장소자(Surface MoUndopedt Device)형으로 만들어지고 있다.
이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다. 이러한 SMD는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
그리고, 최근 들어 반도체 소자에 대한 고밀도 집적화 기술이 발전되고 수요자들이 보다 컴팩트한 전자제품을 선호함에 따라 표면실장기술(SMT)이 널리 사용되고, 반도체 소자의 패키징 기술도 BGA(Ball Grid Arrary), 와이어 본딩, 플립칩 본딩 등 설치 공간을 최소화하는 기술이 채택되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, Al2O3으로되어 있는 사파이어 기판(100) 상에 GaN 버퍼층(101)을 형성한다. 그런 다음, 상기 GaN 버퍼층(GaN buffer layer: 101) 상에 불순물이 도핑되지 않은(이하 Undoped 라함) GaN 층(103)을 형성한다.
상기에서와 같이 사파이어 기판(100) 상에 3족 계열의 원소를 박막 성장하기 위하여는 일반적으로 금속화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD)을 사용하고, 성장압력을 일정하게 유지하면서, 레이어를 형성한다.
상기 Undoped GaN층(103) 상에는 n형 GaN 층(105)을 형성하는 데, 이를 형성하기 위해서는 사수소화 실리콘(SiH4) 또는 이수소화 실리콘(Si2H6)가스를 이용한 실리콘이 사용되어 진다.
상기 N형 질화갈륨층(GaN:105)이 성장되면, 상기 N형 질화갈륨층(105) 상에 활성층(109)을 성장시킨다. 상기 활성층(109)을 발광 영역으로서 질화인듐갈륨(InGaN)으로된 발광체 물질을 첨가한 반도체 층이다. 상기활성층(109)이 성장되면, 계속해서 P형 질화갈륨층(110)을 형성한다.
상기 P형 질화갈륨층(110)은 상기 N형 질화갈륨층(103)과 대조되는 것으로 상기 N형 질화갈륨층(103)은 외부에 인가되는 전압에 의하여 전자들이 이동하고, 상대적으로 상기 P형 질화갈륨층(110)은 외부에 인가되는 전압에 의하여 정공(hole)들이 이동하여 상기 활성층(109)에서 정공과 전자가 서로 결합하여 발광하게 된다.
상기 P형 질화갈륨층(110) 상에 투명한 ITO 금속계열의 TM층(TM:Transparent Metal)을 형성하여 상기 활성층(109)에서 발생하는 광을 투과시켜 외부로 발광하게 된다.
상기 TM(TM: Transparent Metal) 층을 형성한 다음, P 전극을 형성하여 발광 다이오드를 완성하게 된다.
그러나, 상기와 같은 구조를 갖는 발광 다이오드는 활성층의 InGaN 층과 하부의 GaN층 간의 격자 상수 불일치로 인하여 스트레인(strain)을 상승시켜 활성층에서 발생되는 광량을 감소시키는 문제가 있다.
아울러, 이와 같은 격장상수 불일치는 전체 발광다이오드의 제품 신뢰를 떨어트리는 원인이 된다.
또한, 상기 활성층과 인접한 하부의 n형 GaN 층 위에 활성층의 성장은 2차원 평면 형태를 취하고, 3차원 성장 형태에 비해 광의 광도가 상대적으로 낮은 문제점이 있다.
본 발명은, 발광 다이오드의 활성층과 n 형 GaN 층 사이에 In 조성이 낮은 GaN 층을 형성함으로써, 활성층과의 격자 상수 불일치 정도를 줄여 광효율 증가와 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 제조 공정을 설명하기 위한 도면.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 공정을 설명하기 위한 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
200: 사파이어 기판 201: 버퍼층(buffer layer)
203: Undoped 질화갈륨층 205: n형 질화갈륨층
207: InGaN 층 209: 활성층
210: P형 GaN층
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 발광 다이오드는,
사파이어 기판 상에 배치되어 있는 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 배치되어 있는 질화갈륨층;
상기 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 n 형 질화갈륨층;
상기 n 형 질화 갈륨층 상에 배치되어 있는 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층;
상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 활성층; 및
상기 활성층 상에 배치되어 있는 p형 질화갈륨층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층의 조성식은 In(x)Ga(1-x)N이고, x의 범위는 0＜x＜0.2 이고, 상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층의 두께는 50~200Å인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법은,
사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계;
상기 질화갈륨층 상에 n 형 질화갈륨층을 형성하는 단계;
상기 n 형 질화갈륨층 상에 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층을 형성하는 단계;
상기 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
상기 활성층 상에 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층의 구조는 In(x)Ga(1-x)N이고, x의 범위는 0＜x＜0.2 이고, 상기 인듐 조성을 갖는 층의 두께는 50~200Å이고, 상기 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층의 성장 온도는 600~800℃인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 사파이어 기판 상에 형성되는 n 형 GaN층과 활성층 사이에 인듐(In) 조성이 낮은 In GaN층을 형성함으로써 상기 활성층과의 격자상수 불일치에 의한 광효율 저하를 막아 광효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
아울러, 인듐 조성이 낮은 In GaN 층은 성장시 표면이 입체적 구조를 갖는데, 이와 같은 표면이 3차원 성장 형태를 갖는 경우 광효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 내지 도 2d에 도시된 바와 같이, 사파이어(Al2O3) 기판(200) 상에 온도500~600℃ 상태에서 In(x)Ga(1-x)N 조성을 갖는 버퍼 층(GaN buffer layer: 201)을 형성하고, 상기 GaN 버퍼층(201) 상에 불순물을 첨가하지 않은 GaN 층을 온도 1000~1100℃ 상태에서 1~3㎛의 두께로 성장시킨다.(도 2a)
상기 In(x)Ga(1-x)N에서 x의 범위는 0＜x＜1 조성을 만든다.
상기 도핑되지 않은 GaN층(203) 상에 n 형 GaN 층(205)을 1~3㎛ 두께로 1000~1100℃ 온도에서 성장시킨다.(도 2b)
상기 n 형 GaN 층(205)이 형성되면, 활성층(209)을 형성하기 전에 In 조성이 낮은 GaN층(207)을 온도 600~800℃ 상태에서 성장시킨다.(도 2c)
상기 InGaN 층(207)에서 In 조성비는 In(x)Ga(1-x)N(0＜x＜0.2) 로써, 상기 사파이어 기판(200) 상에 형성되는 버퍼층(201)의 InGaN층보다 In 조성이 낮도록 한다.
상기 In(x)Ga(1-x)N(0＜x＜0.2) 층의 두께는 50~200Å 정도로 성장시킨다.
상기 In(x)Ga(1-x)N(0＜x＜0.2)층이 형성되면, 계속해서 GaN 층을 10~30Å 정도의 두께로 성장하여, 전자가 양자 우물층 터널링을 하게 하여, 홀들이 상기 In(x)Ga(1-x)N(0＜x＜0.2)층으로 침투되는 것을 막도록 하였다.
다중양자 우물구조를 갖는 InGaN/GaN의 구조를 갖는 활성층(209)은 600~800℃ 온도 상태에서 1주기에서 7주기 정도로 성장시킨다.
상기 활성층(209)이 형성되면 980~1020℃ 온도 상태에서 Mg 성분의 불순물로 도핑된 P 형 GaN층(210)을 두께 750~1500℃로 성장시킨다.
상기에서와 같이 본 발명에 다중 양자 우물 구조를 갖도록 활성층(209)을 성장시키고, n 형 GaN 층(205) 상에 In 조성비가 낮은 GaN층(207)을 저온에서 얇게 성장시킴으로써 상기 활성층(209)과의 격자상수 불일치를 감소시켜 광효율을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 활성층(209)의 InGaN층이 3차원적인 성장을 하면서 형성되므로, 활성층(209)에서 발생하는 광의 광도가 상승하는 이점이 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 사파이어 기판 상에 형성되는 n 형 GaN층과 활성층 사이에 조성이 낮은 In GaN층을 형성함으로써 상기 활성층과의 격자상수 불일치를 감소시켜 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
아울러, 조성이 낮은 In GaN 층은 성장시 표면이 입체적 구조를 갖는데, 이와 같은 표면이 3차원 구조를 갖는 경우 광효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (7)

  1. 사파이어 기판 상에 배치되어 있는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 배치되어 있는 질화갈륨층;
    상기 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 n 형 질화갈륨층;
    상기 n형 질화 갈륨층 상에 배치되어 있는 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층;
    상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층 상에 배치되어 있는 활성층; 및
    상기 활성층 상에 배치되어 있는 p형 질화갈륨층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층의 조성식은 In(x)Ga(1-x)N이고, x의 범위는 0＜x＜0.2 인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 인듐(In) 조성을 갖는 질화갈륨층의 두께는 50~200Å인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계;
    상기 질화갈륨층 상에 n 형 질화갈륨층을 형성하는 단계;
    상기 n 형 질화갈륨층 상에 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층을 형성하는 단계;
    상기 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상에 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층의 구조는 In(x)Ga(1-x)N이고, x의 범위는 0＜x＜0.2 인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층의 두께는 50~200Å인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 인듐 조성을 갖는 질화 갈륨층의 성장 온도는 600~800℃인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
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US13/169,887 US8674337B2 (en) 2003-07-18 2011-06-27 Gallium nitride based light emitting diode and fabrication method thereof
US13/939,845 US8680571B2 (en) 2003-07-18 2013-07-11 Gallium nitride based light emitting diode
US14/166,387 US8927960B2 (en) 2003-07-18 2014-01-28 Gallium nitride based light emitting diode
US14/555,979 US9362454B2 (en) 2003-07-18 2014-11-28 Gallium nitride based light emitting diode

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KR (1) KR101034055B1 (ko)
CN (1) CN100502063C (ko)
GB (1) GB2420013B8 (ko)
WO (1) WO2005008794A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101034055B1 (ko) 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
MX2007016237A (es) 2005-06-27 2008-03-07 Glaxosmithkline Biolog Sa Composicion inmunogenica.
KR101684859B1 (ko) * 2011-01-05 2016-12-09 삼성전자주식회사 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드
FR2984751B1 (fr) * 2011-12-21 2014-08-29 Sidel Participations Dispositif de decontamination par irradiation de l'interieur d'un objet
CN102738290B (zh) * 2012-06-20 2016-06-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 异质结太阳能电池及其制备方法
JP2015023164A (ja) 2013-07-19 2015-02-02 株式会社東芝 半導体発光素子、半導体ウェーハ及び半導体発光素子の製造方法
KR102435523B1 (ko) 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102476036B1 (ko) * 2016-05-09 2022-12-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5103271A (en) * 1989-09-28 1992-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
JP3230638B2 (ja) * 1993-02-10 2001-11-19 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
US5432808A (en) 1993-03-15 1995-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semicondutor light-emitting device
US5537433A (en) * 1993-07-22 1996-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitter
US5656832A (en) 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
US6005258A (en) 1994-03-22 1999-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III Nitrogen compound having emission layer doped with donor and acceptor impurities
JP3717196B2 (ja) 1994-07-19 2005-11-16 豊田合成株式会社 発光素子
US5557115A (en) 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
US5693963A (en) * 1994-09-19 1997-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device with nitride
FR2726126A1 (fr) * 1994-10-24 1996-04-26 Mitsubishi Electric Corp Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible
JP3593952B2 (ja) * 1994-12-22 2004-11-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JPH08264833A (ja) 1995-03-10 1996-10-11 Hewlett Packard Co <Hp> 発光ダイオード
JP3773282B2 (ja) * 1995-03-27 2006-05-10 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
JPH08288544A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP3599896B2 (ja) 1995-05-19 2004-12-08 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
JP2839077B2 (ja) * 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3700872B2 (ja) * 1995-12-28 2005-09-28 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置およびその製造方法
JP2872096B2 (ja) 1996-01-19 1999-03-17 日本電気株式会社 低抵抗ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
US6072197A (en) * 1996-02-23 2000-06-06 Fujitsu Limited Semiconductor light emitting device with an active layer made of semiconductor having uniaxial anisotropy
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
JP3341576B2 (ja) * 1996-03-27 2002-11-05 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
US5977566A (en) * 1996-06-05 1999-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor light emitter
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
JPH1056236A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体レーザ素子
US5796771A (en) 1996-08-19 1998-08-18 The Regents Of The University Of California Miniature self-pumped monolithically integrated solid state laser
JP3304787B2 (ja) * 1996-09-08 2002-07-22 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
TW365071B (en) * 1996-09-09 1999-07-21 Toshiba Corp Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same
US6020602A (en) * 1996-09-10 2000-02-01 Kabushiki Kaisha Toshba GaN based optoelectronic device and method for manufacturing the same
US6043515A (en) * 1996-09-17 2000-03-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device
US6034404A (en) * 1996-12-05 2000-03-07 California Institute Of Technology Schottky-barrier semiconductor device
JP2820140B2 (ja) * 1996-12-13 1998-11-05 日本電気株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ
US5977612A (en) 1996-12-20 1999-11-02 Xerox Corporation Semiconductor devices constructed from crystallites
US5741724A (en) * 1996-12-27 1998-04-21 Motorola Method of growing gallium nitride on a spinel substrate
KR100660152B1 (ko) 1997-01-09 2006-12-21 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물반도체소자
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JPH10209506A (ja) * 1997-01-24 1998-08-07 Rohm Co Ltd 半導体発光素子の製法
US6333522B1 (en) 1997-01-31 2001-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor
JPH10233529A (ja) * 1997-02-14 1998-09-02 Hewlett Packard Co <Hp> 窒化物半導体素子およびその製造方法
JPH10294531A (ja) * 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp 窒化物化合物半導体発光素子
JP3713118B2 (ja) * 1997-03-04 2005-11-02 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
US5831277A (en) 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
JPH10275936A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子の製法
JPH10303458A (ja) * 1997-04-24 1998-11-13 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
US6069021A (en) * 1997-05-14 2000-05-30 Showa Denko K.K. Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer
JPH1168150A (ja) 1997-08-11 1999-03-09 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JPH1168158A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体装置
US6825501B2 (en) * 1997-08-29 2004-11-30 Cree, Inc. Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
US6266355B1 (en) * 1997-09-12 2001-07-24 Sdl, Inc. Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
JP3932466B2 (ja) * 1997-09-25 2007-06-20 富士フイルム株式会社 半導体レーザ
US6479839B2 (en) * 1997-11-18 2002-11-12 Technologies & Devices International, Inc. III-V compounds semiconductor device with an AlxByInzGa1-x-y-zN non continuous quantum dot layer
JPH11251685A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Toshiba Corp 半導体レーザ
CA2322490C (en) 1998-03-12 2010-10-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US6194744B1 (en) * 1998-03-17 2001-02-27 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer
US6078064A (en) * 1998-05-04 2000-06-20 Epistar Co. Indium gallium nitride light emitting diode
TW501160B (en) 1998-05-08 2002-09-01 Samsung Electronics Co Ltd Method of activating compound semiconductor layer to p-type compound semiconductor layer
JP4166885B2 (ja) * 1998-05-18 2008-10-15 富士通株式会社 光半導体装置およびその製造方法
JP3426962B2 (ja) * 1998-05-19 2003-07-14 株式会社日立製作所 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置
US6657300B2 (en) * 1998-06-05 2003-12-02 Lumileds Lighting U.S., Llc Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices
EP1040653A2 (en) * 1998-07-01 2000-10-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray examination apparatus including an x-ray filter
US6233265B1 (en) * 1998-07-31 2001-05-15 Xerox Corporation AlGaInN LED and laser diode structures for pure blue or green emission
US6226335B1 (en) * 1998-08-05 2001-05-01 Lucent Technologies Inc. Methods and apparatus for automatic frequency control in wireless receivers
US6120909A (en) * 1998-08-19 2000-09-19 International Business Machines Corporation Monolithic silicon-based nitride display device
US6121639A (en) * 1998-08-20 2000-09-19 Xerox Corporation Optoelectronic devices based on ZnGeN2 integrated with group III-V nitrides
WO2000016411A1 (en) * 1998-09-10 2000-03-23 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
US6459100B1 (en) * 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
US6608330B1 (en) * 1998-09-21 2003-08-19 Nichia Corporation Light emitting device
US6153894A (en) * 1998-11-12 2000-11-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device
JP2000261105A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ
US6389051B1 (en) 1999-04-09 2002-05-14 Xerox Corporation Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
GB9912583D0 (en) * 1999-05-28 1999-07-28 Arima Optoelectronics Corp A light emitting diode having a two well system with asymmetric tunneling
US6287947B1 (en) * 1999-06-08 2001-09-11 Lumileds Lighting, U.S. Llc Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer
JP3786544B2 (ja) * 1999-06-10 2006-06-14 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
JP3609661B2 (ja) * 1999-08-19 2005-01-12 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2001094212A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
DE19955747A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2001196699A (ja) * 2000-01-13 2001-07-19 Sony Corp 半導体素子
US6526082B1 (en) * 2000-06-02 2003-02-25 Lumileds Lighting U.S., Llc P-contact for GaN-based semiconductors utilizing a reverse-biased tunnel junction
JP5145617B2 (ja) 2000-07-03 2013-02-20 日亜化学工業株式会社 ｎ型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子
US6495867B1 (en) 2000-07-26 2002-12-17 Axt, Inc. InGaN/AlGaN/GaN multilayer buffer for growth of GaN on sapphire
US6852161B2 (en) 2000-08-18 2005-02-08 Showa Denko K.K. Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device
JP3940673B2 (ja) 2000-08-18 2007-07-04 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
KR100344103B1 (ko) 2000-09-04 2002-07-24 에피밸리 주식회사 질화갈륨계 결정 보호막을 형성한 반도체 소자 및 그 제조방법
JP2002111134A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US7102158B2 (en) * 2000-10-23 2006-09-05 General Electric Company Light-based system for detecting analytes
JP4431925B2 (ja) * 2000-11-30 2010-03-17 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
BR0116577A (pt) * 2000-12-28 2003-12-23 Thomson Licensing Sa Representação visual na tela como auxìlio a diagnóstico
TW488088B (en) * 2001-01-19 2002-05-21 South Epitaxy Corp Light emitting diode structure
JP2002222989A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP4678805B2 (ja) * 2001-02-14 2011-04-27 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP5283293B2 (ja) * 2001-02-21 2013-09-04 ソニー株式会社 半導体発光素子
JP2002335048A (ja) * 2001-03-06 2002-11-22 Sony Corp 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
JP4291960B2 (ja) 2001-03-09 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6489636B1 (en) 2001-03-29 2002-12-03 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
JP4770060B2 (ja) * 2001-05-30 2011-09-07 ソニー株式会社 窒化物系半導体光素子の作製方法
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
TW493287B (en) * 2001-05-30 2002-07-01 Epistar Corp Light emitting diode structure with non-conductive substrate
JP3876649B2 (ja) 2001-06-05 2007-02-07 ソニー株式会社 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
JP3645233B2 (ja) * 2001-06-07 2005-05-11 日本電信電話株式会社 半導体素子
WO2003005459A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
TW502438B (en) * 2001-07-23 2002-09-11 Uni Light Technology Inc Semiconductor device with ohmic contact and method for producing the same
US6977953B2 (en) * 2001-07-27 2005-12-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
JP3804485B2 (ja) * 2001-08-02 2006-08-02 ソニー株式会社 半導体レーザー素子の製造方法
US20030102473A1 (en) * 2001-08-15 2003-06-05 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate
EP1420463A4 (en) * 2001-08-22 2008-11-26 Sony Corp NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US6746885B2 (en) 2001-08-24 2004-06-08 Densen Cao Method for making a semiconductor light source
US6634770B2 (en) * 2001-08-24 2003-10-21 Densen Cao Light source using semiconductor devices mounted on a heat sink
CA2396325C (en) * 2001-09-06 2010-03-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Zn1-xmgxsyse1-y pin photodiode and zn1-xmgxsyse1-y avalanche-photodiode
US20040129200A1 (en) * 2001-09-26 2004-07-08 John Kouvetakis Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN
JP4290358B2 (ja) * 2001-10-12 2009-07-01 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
US6949395B2 (en) * 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
CN1300901C (zh) * 2001-10-26 2007-02-14 波兰商艾蒙诺公司 使用氮化物块状单晶层的发光元件结构
US6618418B2 (en) * 2001-11-15 2003-09-09 Xerox Corporation Dual III-V nitride laser structure with reduced thermal cross-talk
TW515116B (en) * 2001-12-27 2002-12-21 South Epitaxy Corp Light emitting diode structure
TWI278995B (en) * 2002-01-28 2007-04-11 Nichia Corp Nitride semiconductor element with a supporting substrate and a method for producing a nitride semiconductor element
TW546852B (en) * 2002-04-15 2003-08-11 Epistar Corp Mixed-light type LED and the manufacturing method thereof
US20040104384A1 (en) * 2002-04-22 2004-06-03 Moustakas Theodore D. Growth of high temperature, high power, high speed electronics
ATE459107T1 (de) * 2002-05-15 2010-03-15 Panasonic Corp Lichtemittierendes halbleiterelement
US6967981B2 (en) * 2002-05-30 2005-11-22 Xerox Corporation Nitride based semiconductor structures with highly reflective mirrors
AU2003258919A1 (en) 2002-06-26 2004-01-19 Ammono Sp.Zo.O. Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance
SG115549A1 (en) * 2002-07-08 2005-10-28 Sumitomo Chemical Co Epitaxial substrate for compound semiconductor light emitting device, method for producing the same and light emitting device
KR101002271B1 (ko) * 2002-07-16 2010-12-20 나이트라이드 세마이컨덕터스 코포레이션, 리미티드 질화갈륨계 화합물 반도체장치
US6744196B1 (en) * 2002-12-11 2004-06-01 Oriol, Inc. Thin film LED
US6900067B2 (en) 2002-12-11 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers
US6990132B2 (en) * 2003-03-20 2006-01-24 Xerox Corporation Laser diode with metal-oxide upper cladding layer
US7358539B2 (en) * 2003-04-09 2008-04-15 Lumination Llc Flip-chip light emitting diode with indium-tin-oxide based reflecting contacts
US7001791B2 (en) * 2003-04-14 2006-02-21 University Of Florida GaN growth on Si using ZnO buffer layer
KR20110042249A (ko) * 2003-06-04 2011-04-25 유명철 수직 구조 화합물 반도체 디바이스의 제조 방법
KR101034055B1 (ko) 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US6958494B2 (en) * 2003-08-14 2005-10-25 Dicon Fiberoptics, Inc. Light emitting diodes with current spreading layer
US20050173724A1 (en) * 2004-02-11 2005-08-11 Heng Liu Group III-nitride based LED having a transparent current spreading layer
KR20050032159A (ko) * 2003-10-01 2005-04-07 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
US7009215B2 (en) * 2003-10-24 2006-03-07 General Electric Company Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates
US7012281B2 (en) * 2003-10-30 2006-03-14 Epistar Corporation Light emitting diode device and manufacturing method
US20050136851A1 (en) 2003-12-19 2005-06-23 Fujitsu Limited Information processing unit
KR100576857B1 (ko) * 2003-12-24 2006-05-10 삼성전기주식회사 ＧａＮ 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7119374B2 (en) * 2004-02-20 2006-10-10 Supernova Optoelectronics Corp. Gallium nitride based light emitting device and the fabricating method for the same
US20050274964A1 (en) * 2004-05-29 2005-12-15 Ting-Kai Huang Light emitting diode structure

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