KR20020027538A - 고효율 형광물질 - Google Patents

Abstract

본 발명은 티오철산염류의 형광물질, 바람직하게는 티오갈산염류의 형광물질에 관한 것이다. 상기 티오철산염은 (AS)w(B₂S₃)의 공식에 일치하도록 구성되는데, 상기 공식에서 A는 Mg, Ca 및 Sr 그룹에서 선택된 하나 이상의 2가의 양이온이며, 상기 B는 Al, Ga 및 Y 그룹에서 선택된 하나 이상의 3가의 양이온이며, 상기 인수 w는 0.8 ≤w ≤0.98의 범위내에 있거나 또는 1.02 ≤w ≤1.2의 범위내에 있을 수 있다.

Description

고효율 형광물질{HIGHLY EFFICIENT FLUORESCENT MATERIAL}

US 3 639 254호 및 US 5 834 053호에 이미 공지되어 있는 티오갈산염의 방사 스펙트럼은 청색의 스펙트럼영역 또는 녹색의 스펙트럼영역에 있다. 상기 형광물질은 AGa₂S₄의 공식을 따르며, 상기 공식에서 A는 특히 Ca, Ba, Sr 또는 Zn인 알칼리토류금속으로된 하나 이상의 원소를 나타낸다. 활성제는 유로퓸, 납 또는 세륨이다. 그러나 높은 광 효율을 필요로 하는 적용예(예를 들면 조명공학)에 있어서는 상기 형광물질의 방사효율이 너무 낮다. 상기 방사효율은 소위 양자효율 QE(흡수된 들뜸 양자 수량에 대한 방사된 양자 수량의 비율)로 표시된다. 상기 형광물질에 대한 전형적인 양자효율 값은 60% 내지 70% 사이에 있다.

WO 98/18721호에는, Sr을 가지거나, 또는 Ga, Al 또는 In이 3가의 양이온 역할을 하는 가운데 2가의 양이온으로서 다른 알칼리토류금속을 가진 티오갈산염 그룹에서 선택된 전기발광 형광물질이 공지되어 있다. 특히 상기 간행물에서는 일정량의 잔여산소를 유지하는 가운데 이루어지는 제조 공정이 설명된다.

본 발명은, 청구항 제 1 항의 서문에 따른, 티오철산염류의 형광물질에 관한 것으로써, 상기 티오철산염은 일반식 AB₂S₄:D²⁺에 근거하며,상기 일반식에서 A는 Mg, Ca 및 Sr로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 2가(二價)의 양이온이며, 상기 B는 Al, Ga 및 Y로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 3가의 양이온이며, 상기 도핑제/활성제 D는 유로퓸 및/또는 세륨이다. 2가의 양이온 A의 함량은 첨가되는 활성제 D의 함량 t만큼 감소한다. 특별히 여기서는 녹색의 스펙트럼영역에서 빛을 방사하는 티오갈산염이 해당된다. 이 경우에 상기 형광물질의 조성은, 2가의 이온 A 대 3가의 이온 B의 몰비가 일반 실험식 AB₂S₄와 정확하게는 일치하지 않도록, 즉 A:B = 1:2의 비율에 일치하지 않도록 구성된다.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 상세하게 설명된다.

도 1은 실시예에 기술된 방법에 따라 제조된 형광물질

(Sr_0.105Ca_0.210Mg_0.630Eu_0.055)S1.1Ga₂S₃에 대한 방사 스펙트럼이며,

도 2는 도 1의 형광물질에 대한 반사 스펙트럼이다.

본 발명의 목적은, 청구항 제 1 항의 서문에 따른, 설정된 방사 파장에 최대한 높은 양자효율을 가진 형광물질을 제공하는데 있다.

상기 목적은 청구항 제 1 항에 있는 특징에 의해서 달성된다. 특히 바람직한 구성은 종속항에서 찾을 수 있다.

본 발명에 따른 형광물질의 조성은, 일반 실험식 AB₂S₄를 기반으로 하여, 2가의 이온 A 대 3가의 이온 B의 함량 비율이 A:B = 1:2의 비율과는 상이하게 선택된다. 또한 본 발명에 따른 구상은, 본래의 실험식 AB₂S₄에 의한 티오철산염이 ASB₂S₃의 형태로된 AS 성분 및 B₂S₃성분의 곱으로서 표기된다면, 다른 표기 방식으로도 표현될 수 있다. B₂S₃성분에 대한 AS 성분의 비율은 다음과 같이 인수 w = B₂S₃/AS로 표기된다. 종합적인 결과로서 상기 티오철산염은 (AS)w(B₂S₃)로 표기된다. 바로 (AS)w(B₂S₃)의 조성을 갖는 형광물질은 0.8 ≤w ≤0.98의 범위뿐만 아니라 1.02 ≤w ≤1.2의 범위내에서도 w = 1의 조성을 갖는 형광물질에 비해서 보다 향상된 양자효율을 제공하는 것으로 판명되었다.

A타입 및 B타입의 다양한 양이온의 조합에 의하여 상이한 방사 파장 및 색도 좌표가 달성되고, 개개의 적용에 적합하게 할 수가 있다. 또한 효율적인("밝은") 형광물질을 위해서는 들뜬 영역에서의 근소한 반사 및 높은 양자효율이 전제되어야 한다.

개별적으로 또는 바람직하게 조합된 Mg, Ca, Sr이 양이온 A로서 적합하다. 특히 이 3가지 금속을 함께 사용하는 것이 적절한 것으로 증명되었다. 부분적으로 A를 대체하는 활성제로서는 유로퓸 또는 세륨이 적합하다. 양이온 B로서는 Ga, 또는 Al 및 Y가 적합하다. 이 경우에 특히 갈륨은 부분적으로 (10 mol%까지) 알루미늄으로 대체될 수 있다. 도핑제 D(D = 유로퓸 및/또는 세륨)는 완벽하게 보조성분 AS에 가산되며, 전체 공식은 A_1-tD_tS로 나타낸다.

a+b+c+t = 1인 경우에 A = Mg_aCa_bSr_cEu_t인 가운데, (AS)w(B₂S₃)의 조성을 갖는 형광물질은 특히 하기의 범위에서 높은 양자효율을 나타낸다: 0.4 ≤a ≤0.7; 0.1 ≤b ≤0.4; 0 ≤c ≤0.4; 0.01 ≤t ≤0.1이며, x+y+z = 1인 경우에 B = (Ga_xAl_yY_z)₂이고 0.9 ≤x ≤1 및 0 ≤y ≤0.1 및 0 ≤z ≤0.1 및 0.8 ≤w ≤0.98 또는 1.02 ≤w ＜1.25이며, 바람직하게 w ≤1.2이다. 바람직하게 c ≥0.01이다.

제조 공정은 하기의 단계를 적용한다:

a) 원하는 조성에 일치하는 질산염 현탁액 제조 단계;

b) 미세하게 분산된 질산염 혼합물을 제조하기 위하여, 잔여 수분 함량이 전 중량의 ＜1%가 될 때까지 T ≤ 300℃의 온도로 상기 현탁액을 건조시키는 단계;

c) 실온에서 10분 내지 60분 동안, 바람직하게는 15분 내지 25분 동안 상기 질산염 혼합물을 모르타르 분쇄기(mortar mill)로 분쇄하는 단계.

d) 원하는 조성을 갖는 미세하게 분산된 금속 산화물 혼합물을 생성하기 위하여, Ar- 또는 N₂-분위기에서 500℃ 내지 700℃의 온도로, 바람직하게는 600℃의 온도로 상기 분쇄된 질산염 혼합물을 열분해하는 단계.

e) 유동하는 H₂S- 혹은 CS₂- 분위기 또는 상기 물질의 조합물내에서 800℃ 내지 1000℃의 온도로, 바람직하게는 900℃ 내지 950℃의 온도로 1시간 내지 6시간 동안, 바람직하게는 4시간동안 상기 금속 산화물 혼합물을 제 1 반응시키는 단계.

f) 상기 반응 생성물을 c)단계에서와 같이 분쇄하는 단계;

g) 유동하는 H₂S- 혹은 CS₂- 분위기 또는 상기 물질의 조합물내에서 800℃ 내지 1000℃의 온도로, 바람직하게는 900℃ 내지 950℃의 온도로 1시간 내지 6시간 동안, 바람직하게는 2시간 동안 제 2 반응시키는 단계.

상기 e) 및 g)단계에서 정량적인 유량(flow rate)은 50 내지 500 ml/min이며, 바람직하게는 120 ml/min에 달하며, 가스 분위기는 H₂S 또는 CS₂및 Ar 또는 N₂로 구성되는데, 상기 기체는 10% 내지 50%의 H₂S 및 CS₂및 혼합물을 갖는, 바람직하게는 30%의 H₂S 또는 CS₂또는 혼합물을 갖는 운반 기체로서 작용한다.

상기 e) 및 g)단계에서는, 반응 온도에 이를 때까지 0.5 내지 20 K/min의 비율로, 바람직하게는 10 K/min의 비율로 점진적인 가열이 이루어진다.

또한 상기 e) 및 g)단계에서는, 반응후에는 5 내지 20 K/min의 비율로, 바람직하게는 10 K/min의 비율로 점진적인 냉각이 이루어진다.

본 발명에 따른 형광물질은 컬러 변환(color conversion)을 위해서 자외선을 방사하는 LED 또는 청색을 방사하는 LED에 사용하기에 적합하다. 본 발명에 따른 형광물질은 단독으로 이용될 수 있으며 또는 다른 형광물질과 조합하여, 특히 본 발명에 따른 다른 형광물질과 조합하여 이용될 수 있다. 또 다른 가능한 적용으로서 플라즈마 표시장치(plasma display)를 들 수 있다. 또한 이 경우에도, 단파 플라즈마 방전 광선을 가시 광선으로 변환시키기 위하여, 상기 형광물질은 단독으로 이용될 수 있거나 또는 다른 형광물질과 조합하여, 특히 본 발명에 따른 다른 형광물질과 조합하여 이용될 수 있다.

(Sr_0.105Ca_0.210Mg_0.630Eu_0.055)S1.1Ga₂S₃의 조성을 갖는 형광물질을 제조하기 위하여 그 시발 재료로서 상기 공식에 부합하는 량의 고순도 산화물 및/또는 탄산염의 무게가 측정되며, 동질의 미세하게 분쇄된 산화물의 혼합물이 제조된다. 이 원료 혼합물은 약 30%의 질산과 동일한 몰량으로 혼합되고, 비등될 때까지 서서히 가열되어, 질산염으로 변환된다. 하기의 반응 방정식이 해당된다:

0.210 mol CaCO₃+ 0.105 mol SrCO₃+ 0.630 mol MgO + 0.0275 mol Eu₂O₃+ 1.100 mol Ga₂O₃+ 8.6 mol HNO₃ 0.210 mol Ca²⁺+ 0.105 mol Sr²⁺+ 0.630 mol Mg²⁺+ 0.055 mol Eu³⁺+ 2.200 mol Ga³⁺+ 8.6 mol NO₃+ 4.3 mol H₂O + 0.315 mol CO₂↑

이제 침전된 질산염의 흰색 현탁액이 생성된다. 상기 현탁액은 고점성의 상태가 될 때까지 응축된다. 이렇게 얻어진 질산염 현탁액은 석영 보우트(quartz boat)로 옮겨지고, 300℃의 질소기체 흐름내에서 건조된다.

건조된 질산염 혼합물은 모르타르 분쇄기내에서 20분간 분쇄된 다음에, 다음과 같은 반응 방정식에 따라, 질소하에서 600℃의 온도로 4시간동안 열분해된다:

0.210 mol Ca(NO₃)₂+ 0.105 mol Sr(NO₃)₂+ 0.630 mol Mg(NO₃)₂+ 0.055 mol Eu(NO₃)₃+ 2.200 mol Ga(NO₃)₃

1 mol [0.210 CaO0.105 SrO0.630 MgO0.055 Eu₂O₃ 1.100Ga₂O₃] + 8.6mol NO₂+ 2.15 mol O_2.

이렇게 생성된 산화물 혼합물은 석영 보우트에 주입되고, 비활성 기체(아르곤)하에 관형로(tubular furnace)내에서 900℃까지 가열된다. 반응 온도에 도달하게 되면, 질소기체내에 30%의 H₂S가 사용되는 가운데, 120 ml/min의 황화수소가 도입되고, 상기 산화물 혼합물은 4시간 이내에, 다음과 같은 반응 방정식에 따라 티오갈산염으로 변환된다:

1 mol[0.210 CaO0.105 SrO0.630 MgO0.055 Eu₂O₃ 1.100 Ga₂O₃]+ 4.3275 mol H₂S1 mol[(Sr_0.105Ca_0.21Mg_0.63Eu_0.0275)S1.1Ga₂S₃]+ 4.3275 mol H₂O+ 0.0275 mol S.

870℃ 내지 930℃의 온도가 고효율 형광물질을 위한 최적의 반응 온도인 것으로 증명되었다.

상기 반응 생성물은 모르타르 분쇄기내에서 10분간 분쇄되고, 다시 3시간동안 900℃에서 20% 강도의 황화수소 기체 흐름내에서 반응한다.

상기 형광물질은, 공식 (Sr_0.105Ca_0.210Mg_0.630Eu_0.055)S1.0Ga₂S₃(w = 1)에 따른 형광물질에 비해서, 방사 스펙트럼이 변하지 않고 유지되는 가운데, 17%의 개선된 양자효율을 가지며, 최대 548㎚ ±1㎚의 세기를 갖는다.

전술한 방법에 의해서 상기 조성에 따른 고효율 형광물질을 재생적으로 제조할 수 있다.

또 다른 실시예는 표 1에 기술된 형광물질에 대한 조성으로 나타난다. 본 표에서, 상기 실시예와 유사하게 제조된 형광물질의 양자효율 검출에 대한 결과가 A 양이온 혼합물 Sr_0.105Ca_0.210Mg_0.630Eu_0.055로, 그러나 각각 별개의 비율 w = B₂S₃/AS로 요약된다. w가 1보다 낮거나 또는 높게 선택된 경우에, 방사 파장이 최대의 방사 세기 548㎚ 내지 549㎚에서 변동없이 유지되는 가운데, 양자효율은 분명하게 향상된다. w = 1.25일때 ＜ 10 %의 분명히 낮은 양자효율이 확인되는데, 이것은 관련 형광물질 형성이 존재범위를 초과한 것을 가리킨다. 특히 615㎚의 대역을 뜻하는 방사 파장은, 활성제 Eu²⁺의 격자 형성이 더이상 원하는 방식으로 이루어지지 않는다는 것을 가리킨다. 상기 한계 값은 양이온 혼합물 A에 대한 정확한 조성에 따라 약간씩 변화된다.

본 실시예에서 명시된 형광물질 조성의 형성에 관련한 복합 반응 메카니즘(reaction mechanism) 및 이 조성내에서의 변화에 따른 원자 결정 구조 변동의 형성으로 인하여, 다수의 효과가 양이온 비율 A:B에 대한 관찰된 양자효율의 의존성에 기여한다는 사실을 추측하게 한다. 한편으로, A:B 비율을 바꾸는 것은 한층 개선된 반응 생성물의 변환에 기여할 수 있다. 이로 인하여 단점적인 2차 생성물, 그 밖의 전구체 생성물 및 중간 생성물이 회피된다. 다른 한편으로, 티오철산염 결정 격자를 보다 완벽하고 분열이 적게 구성한다는 관점에서, 활성제 Eu²⁺의 구성도 또한 유리할 수 있다. 또한 올바른 균형을 이루며, 코어-쉘(core shell) 형성 모델에 따라 국소적인 원자 양이온 조성에 보다 적합한 황 화학량론에 더 성공적으로 달성할 수 있다. 전체적으로, 변화된 형광물질 조성은 완벽한 형광물질의 생성을 향상시키며 또한 QE를 감소시키는 비방사성(non-radiating) 재조합 중심을 감소시킨다.

도 1은 상기 실시예(w = 1.1)에 있는 형광물질 (Sr_0.105Ca_0.210Mg_0.630Eu_0.055)S1.1(Ga₂S₃)에 대한 방사 스펙트럼이 도시된다.비교에 있어서: 과거 방식으로 상기 형광물질은 대략 (Mg_0.63Ca_0.21Sr_0.105Eu_0.055)_0.9Ga₂S_3.9으로 표기된다. 방사 대역은 약 500㎚ 내지 620㎚사이의 녹색 스펙트럼영역내에 있다. 방사 최대는 548㎚에 있으며, 평균 파장은 557㎚에 있다. 색도 좌표 성분 x = 0.366; y = 0.618이다. 양자효율은 400㎚의 협소 밴드(narrow-band) 여기시에 81%에 이른다. 비교 해보면, w = 1.1 대신에 w = 1.1을 가진 화학량론적인 형광물질의 양자효율은 70% 보다 적다.

본 발명에 따른 형광물질은 300㎚ 내지 500㎚의 단파 광선에 의해서 우수하게 된다. 특히, 바람직하게는 컬러 변환용 LED, 소위 LED-컨버어터(LED converter)에서 사용하기에 적합하다. 이 경우에, 자외선을 방사하는 LED의 방사선 광선은 단일 또는 다수의 형광물질에 의해서 가시 광선으로 변환(이 경우에는 녹색 또는 청록색으로)되거나 또는 (적색, 녹색 및 청색을 방사하는 형광물질의 혼합인)백색광으로 변환된다. 청색의 LED를 사용할 경우에는 제 2 변형예가 1개 또는 2개의 형광물질(예컨대 황색 또는 녹색 및 적색을 방사하는 형광물질)을 사용함으로써 이 경우에도 백색광이 나타난다. 이에 관한 기술적인 세부사항은 예컨대US-A 5 998 925호에서 찾을 수 있다.

상기 형광물질을 LED-컨버어터로서의 적용은, 예컨대 에폭시 수지를 고형주입성형(solid casting)하는 가운데 성공적으로 이루어진다. 이를 위해서 형광물질 분말이 에폭시 수지에 분산되고, 방울 형태로 칩위에 놓이게 되고, 가황(加黃)된다. 여기서 중요한 점은, 상기 티오철산염이 습윤(濕潤)이 잘되는 비극성 수지의 것과 유사한 비극성 표면을 갖는 것이다. 그 밖의 장점으로는, YAG:Ce 또는 YAG:Ce에 기반을 둔 형광물질과 같은, 다른 형광물질과 혼합이 잘 이루어진다는 사실이며, 그 이유는 상기 양쪽 형광물질류의 비중량이 유사하기 때문에, 유사한 입자크기에서는 침강 효과에 의한 분리가 일어나지 않게된다. 일반적인 티오철산염의 상대 밀도는 약 4.4 내지 4.5 g/㎤에 달하며, 반면에 YAG:Ce에 기반을 둔 형광물질의 비중량은 일반적으로 4.6 내지 4.7 g/㎤에 달한다. 수지내에서의 침강은 ＜ 5 ㎛의 평균 입자크기에 의해서, 특히 2 ±1 ㎛만큼 극소화된다. 입자크기는 볼 분쇄기(ball mill)의 분쇄에 의하여 조정된다.

표 1:

A 양이온 혼합물 Sr_0.105Ca_0.21Mg_0.63Eu_0.055및 변동 비율 w(w = B₂S₃/AS)를 갖는 형광물질에 대한 양자효율 검출 결과.

w	Sr몰비	Ca몰비	Mg몰비	Eu몰비	QE%	방사 파장nm
0.9	0.105	0.21	0.63	0.055	72	549
1	0.105	0.21	0.63	0.055	64	548
1.1	0.105	0.21	0.63	0.055	81	548
1.2	0.105	0.21	0.63	0.055	76	549
1.25	0.105	0.21	0.63	0.055	＜ 10	549-615

Claims (11)

1. 일반식 AB₂S₄:D²⁺에 근거하며,상기 일반식에서 A는 Mg, Ca 및 Sr로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 2가의 양이온이며, 상기 B는 Al, Ga 및 Y로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 3가의 양이온이며, 상기 D는 활성제로서 유로퓸 및/또는 세륨이 선택되는, 티오철산염류의 고효율 형광물질에 있어서,

   상기 형광물질의 조성은 일반식 (AS)w(B₂S₃)에 일치하도록 구성되며, 상기 인수 w는 0.8 ≤w ≤0.98의 범위내에 있거나 또는 1.02 ≤w ≤1.2의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 고효율 형광물질.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 양이온 B로서는, 부분적으로 알루미늄으로 대체될 수 있는 갈륨이 선택되는 것을 특징으로 하는 티오철산염 형광물질.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 양이온 A로서는, Mg, Ca, Sr으로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 금속이 개별적으로 또는 조합하여 선택되는 것을 특징으로 하는 티오철산염 형광물질.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 (A를 치환하는)활성제로서는 유로퓸이 선택되는 것을 특징으로 하는 티오철산염 형광물질.
5. 제 1 항에 있어서,

   1.05 ≤w ≤1.15이고 a+b+c+t = 1인 경우에 A = Mg_aCa_bSr_cEu_t: 0.4 ≤a ≤0.7; 0.1 ≤b ≤0.4; 0 ≤c ≤0.4; 0.01 ≤t ≤0.1인 공식 (AS)w(Ga₂S₃)이 적용되는 것을 특징으로 하는 티오철산염 형광물질.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 상기 티오철산염류의 고효율 형광물질에 대한 제조 방법에 있어서,

   a) 제 1 항 내지 제 5 항에 있어서, 원하는 조성에 일치하는 질산염 현탁액 제조 단계;

   b) 미세하게 분산된 질산염 혼합물을 제조하기 위하여, 잔여 수분 함량이 전 중량의 ＜1%가 될 때까지 T ≤ 300℃의 온도로 상기 현탁액을 건조시키는 단계;

   c) 실온에서 10분 내지 60분 동안, 바람직하게는 15분 내지 25분 동안 상기 질산염 혼합물을 모르타르 분쇄기로 분쇄하는 단계.

   d) 원하는 조성을 갖는 미세하게 분산된 금속 산화물 혼합을 생성하기 위하여, Ar- 또는 N₂-분위기에서 500℃ 내지 700℃의 온도로, 바람직하게는 600℃의 온도로 상기 분쇄된 질산염 혼합물을 열분해하는 단계.

   e) 유동하는 H₂S- 또는 CS₂-분위기 또는 상기 물질의 조합물내에서 800℃ 내지 1000℃의 온도로, 바람직하게는 900℃ 내지 950℃의 온도로 1시간 내지 6시간 동안, 바람직하게는 4시간동안 상기 금속 산화물 혼합물을 제 1 반응시키는 단계.

   f) 상기 반응 생성물을 c)단계에서와 같이 분쇄하는 단계;

   g) 유동하는 H₂S- 또는 CS₂-분위기 또는 상기 물질의 조합물내에서 800℃ 내지 1000℃의 온도로, 바람직하게는 900℃ 내지 950℃의 온도로 1시간 내지 6시간 동안, 바람직하게는 2시간동안 제 2 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 e) 및 g)단계에서 정량적인 유량은 50 내지 500 ml/min이며, 바람직하게는 120 ml/min에 달하며, 가스 분위기는 H₂S 또는 CS₂및 Ar 또는 N₂로 구성되는데, 상기 기체는 10% 내지 50%의 H₂S 및 CS₂및 혼합물을 갖는, 바람직하게는 30%의 H₂S 또는 CS₂또는 혼합물을 갖는 운반 기체로서 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제 6 항에 있어서,

   상기 e) 및 g)단계에서 반응 온도에 이를 때까지의 가열은 0.5 내지 20K/min, 바람직하게는 10 K/min에 달하는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 제 6 항에 있어서,

   상기 e) 및 g)단계에서 냉각은 5 내지 20 K/min, 바람직하게는 10 K/min에 달하는 것을 특징으로 하는 방법.
10. 제 1 항 내지 제 5 항에 있어서,

    자외선을 방사하는 LED 또는 청색을 방사하는 LED에서는 컬러 변환을 위하여, 단독으로 또는 다른 형광물질과 조합하여, 특히 제 1 항 내지 제 5 항에 따른 다른 형광물질과 조합하여 사용되는 상기 형광물질의 용도.
11. 제 1 항 내지 제 5 항에 있어서,

    플라즈마 표시장치에서는 단파 플라즈마 방전 광선을 가시 광선으로 변환시키기 위하여, 단독으로 또는 다른 형광물질과 조합하여, 특히 제 1 항 내지 제 5 항에 따른 다른 형광물질과 조합하여 사용되는 상기 형광물질의 용도.