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JPH0272592A - 薄膜el素子 - Google Patents

薄膜el素子

Info

Publication number
JPH0272592A
JPH0272592A JP63221281A JP22128188A JPH0272592A JP H0272592 A JPH0272592 A JP H0272592A JP 63221281 A JP63221281 A JP 63221281A JP 22128188 A JP22128188 A JP 22128188A JP H0272592 A JPH0272592 A JP H0272592A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
base material
emitting layer
elements
blue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63221281A
Other languages
English (en)
Inventor
Koyata Takahashi
小弥太 高橋
Akio Kondo
近藤 昭夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tosoh Corp filed Critical Tosoh Corp
Priority to JP63221281A priority Critical patent/JPH0272592A/ja
Publication of JPH0272592A publication Critical patent/JPH0272592A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、交流電界の印加によってEL(Electr
oluminescence)発光を呈するEL素子に
関するものであり、特にその薄膜発光層に特徴のあるE
L素子に関するものである。
(従来の技術) 一般的に薄膜EL素子は第1図に示すとおりガラス等の
透明基板1上に透明電極2を形成し、この透明電極2上
に第一絶縁層3、発光層4、第二絶縁層5を順次形成し
、さらにその上に背面電極6を形成した二重絶縁構造を
有している。
現在、この様な構造の薄膜EL素子の発光層の母材とし
てZnSを用いたものが実用化されており、さらに近年
、EL水素子多色化を目的として赤色、緑色、青色を呈
するEL発光層について検討されている。このようなE
L発光層として、CaS、SrS等のアルカリ土類金属
硫化物を母材とした発光層が注目されており、例えばC
aS母材にEuをドープしてなる発光層を有するEL水
素子赤色に、SrS母材にCeをドープしてなる発光層
を有するEL水素子青緑色に発光することが知られてい
る。また、SrS母材にCeとEuをドープしてなる発
光層を有するEL水素子、白色発光素子として期待され
ている。
また、青色発光を呈するEL水素子関しては、SrS母
材にCeをドープしてなる発光層を何する青緑色発光E
L素子とカラーフィルタを組合せた素子やSrS母材に
CeとEuをドープしてなる発光層を有するEL水素子
が検討されているが、これらの素子は青色、赤色の強度
、青色の色純度あるいは発光効率が不十分であるという
問題を有する。
(発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は、高輝度で広い発光スペクトル領域を有
するEL水素子提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明者等は上記問題点を解決するために、鋭意検討を
行った結果、CaS、SrS及びBaSからなる群から
選ばれた一種以上の硫化物とGa2S3の混合組成物か
らなる材料を母材としたEL発光層は、CaSまたはS
、r Sを母材としたEL発光層にないスペクトル領域
での良好な発光特性を有することを見出し、本発明を完
成するに至った。
すなわち本発明は、組成式が (MS)  争Ga2S3 (ただし、0.7≦x≦1.5゜ MはCa、Sr及びBaからなる群から選ばれた1種以
上の元素を示す。) で示される母材に1種以上の光学的に活性な元素をドー
プしてなる発光層を有することを特徴とする薄膜EL素
子である。
本発明の薄膜EL素子の構造としては例えば、TS1図
に示すとおりガラスなどの基板1上にIn    OS
n0     1TOS ZnO二 /j)  な23
1   2ゝ どの材料からなる透明電極2を形成し、透明電極2上に
Y  OTiOSiN、All  203.2  3ゝ
       2ゝ S 1Aff ON、S io 2、T、a205.5
rTiO8などの単層ある。いは多層からなる第一絶縁
層3を形成し、さらにその上層に発光層4、第一絶縁層
と同様の材料からなる第二絶縁層5、Allなどからな
る背面電極6で構成されたものなどが挙げられる。
本発明の薄膜EL素子における発光層の母材は組成式(
MS)  ・Ga2S3で示されるが、x=1の前後で
最大の輝度特性を示し、Xが0.7未満あるいはXが1
.5を越える領域では、発光特性が著しく低下してしま
う。
更に本発明のEL水素子おける・発光層は、上記の母材
に1種以上の光学的に活性な元素をドープしてなるもの
であり、これらの元素としてはCu。
Sn、Pbなどの遷移金属、Ce、Sm、Eu。
Er、Tmなどの希土類元素などを例示することができ
る。また、これらのドープ量は母材に対して0,05〜
10a+o1%であることが好ましく、この範囲より多
い場合、得られるEL水素子発光特性が低下し、少ない
場合、発光が弱くなるおそれがある。
更に、ドープ元素のうち特にPb、Eu及びCeを選択
し、発光層の組成式を (MS)   φGa  S  :Ce  、Eu  
X    23    y    z b   A 1’   ti (ただし、0.7≦x≦1.5+ O≦y<0.1.O≦zo0.1゜ 0≦1くΩ、1,0≦cm<0.1゜ AはL 1SNa、KSRb、F、CΩ、BrまたはI
MはCa、Sr及びBaからなる群から選ばれた1種以
上の元素を示す。) とすることにより、yまたはlが2より遥かに大きい場
合、青色から白色を紅でオレンジまでの発光を呈するE
L素子が得られる。このとき、1が0に近づく程、EL
素子の発光色は青緑色に近づき、yが0に近づく程オレ
ンジ色を呈する。また、途中の組成で?すられる白色光
は420から720nmの波長領域を有し青、赤共に広
い発光スペクトル領域が得られ、これらの発光層にEu
をドーブスことにより緑色の発光が改善される。更にA
は、電荷補償のために用いられるものであり、Ce濃度
と同程度にドープすることによりEL素子の発光特性の
安定化がなされる。
本発明のEL素子の発光層は、蒸着法、スパッタリング
法、MOCVD法、ALE法などにより得られ、発光層
以外の層についても、従来の蒸着法、スパッタリング法
、MOCVD法、ALE法などにより調製することがで
きる。
(実施例) 以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない
実施例1 第1図に示すEL素子を次の手順で作製した。
始めに、透明電極2をバターニングしたガラス基板1上
にSt   A、Q   ON   の組成の5.5 
 0.5 0.5 7.5 ターゲツトを用い、A r : N 2の比率を3:1
とした混合ガス中でスパッタリングを行うことにより、
厚さ200nmの第一絶縁層3を調製した。
その後、Ga2S3のペレットとSrSのペレットにC
e F aを0.5s+o1%′混合したペレットを用
い、温度200℃、  5 X 10−5torrのH
3雰囲気中で、電子ビーム共蒸着法により、第一絶縁層
3上に11000nの厚みの発光層4を調製した。また
、このときのGa2S3とSrSは(S r S ) 
 ・G a 2 S aでXが0.5〜1.8+   
 X まで変化させ、種々の組成比の発光層を有するEL素子
を得た。次いでA「ガス気流中で600℃の温度で熱処
理を1時間行った後、前述の第一絶縁層3と同じ方法で
厚さ200nmの第二絶縁層5を調製し、ざらにAfi
からなる背面電極6を電子ビーム蒸着法により調製し薄
膜EL素子を得た。
得られた薄膜EL素子の発光層中のCe濃度は5rSa
度が変化してもほぼ0,5mo1%であった。第2図に
得られた薄膜EL素子を5 k II zで交流駆動し
たときの飽和輝度と発光層中のSrS濃度との関係を示
す。第2図よりEL素子の飽和輝度は!−1,0付近ま
で増加し、それを越えたところでで減少していることが
わかる。第3図にx=1.0の場合の発光スペクトルと
高輝度のCRTの青色材料であるZnS : Agの発
光スペクトルを示す。この図より得られたEL素子の発
光スペクトルはCRTの青色材料の発光スペクトルと近
似し、純度の良い青色を呈することがわかる。
実施例2 実施例1と同様の方法で発光層の組成についてのみ、 5rS−Ga  S  :Ce  、’Pb   、に
2 3    y    O,04Y として、yを0.0005から0,01まで変化させて
発光特性を調べた。その結果、得られたEL素子は、0
.001 < y < 0.003において白色を示し
、得られた白色光は420から720nmの波長領域を
有しSrS;Ce、Euと比較して青、赤共に広いもの
であった。更に、この発光層中にEuを0.0005ド
ープすることにより得られたEL素子の赤、緑、腎の発
光のバランスが改善された。
実施例3 実施例1と同様の方法でEL素子を作製し、発光層の組
成についてのみ、 (BaS)   ・Ga  S  :Cex     
2 3   0.005”としたところ実施例1と同様
にEL素子の飽和輝度は!−1,0付近まで増加し、そ
れ以上で減少した。発光スペクトルに関しても同様にか
なりZnS:Agのものに近く、純度の良い青色であっ
た。
(発明の効果) 以上述べたとおり、本発明の薄膜EL素子は、従来のC
a5SSrSを母材とする発光層を有するEL素子には
ないスペクトル領域での高輝度な発光がjlられるもの
である。また、この母材にCeをドープしたEL素子は
CRTの青色にほぼ相当する青色を呈する素子となり、
実用化に近い緑、赤のEL材料と組合せることによりに
フルカラーのEL素子を作ることができる。更に、この
母材にCe、Eu、Pbをドープした発光層を有するE
L素子は非常に広いスペクトル領域での発光が得られ、
カラーフィルターとmねることにより容易にフルカラー
のEL素子を作ることができる。
光層(X−1,0)及びCRTの青色材料であるZnS
:Agの発光スペクトルを示す図である。
図中、 1・・・透明基板    2・・・透明電極3・・・第
一絶縁層   4・・・発光層5・・・第二絶縁層  
 6・・・背面電極を各々示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)組成式が (MS)_x.Ga_2S_3 (ただし、0.7≦x≦1.5, MはCa,Sr及びBaからなる群から選 ばれた1種以上の元素を示す。) で示される発光層母材に1種以上の光学的に活性な元素
    をドープしてなる発光層を有することを特徴とする薄膜
    EL素子。
  2. (2)組成式が (MS)_x.Ga_2S_3:Ce_y,Eu_z,
    Pb_l,A_m (ただし、0.7≦x≦1.5, 0≦y<0.1,0≦z<0.1, 0≦l<0.1,0≦m<0.1, AはLi、Na、K、Rb、F、Cl、 BrまたはI MはCa,Sr及びBaからなる群から選 ばれた1種以上の元素を示す。) で示される発光層を有することを特徴とする薄膜EL素
    子。
JP63221281A 1988-09-06 1988-09-06 薄膜el素子 Pending JPH0272592A (ja)

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