KR200143994Y1 - 웨이퍼 습식세정장비의 화학용액 히팅장치 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 16M DRAM급 반도체의 제조시 PIO(Polyimide Isoindroquina zdine)에칭후 웨이퍼의 표면에 남아 있는 포토 레지스트를 제거하는 장비인 웨이퍼 습식세정장비에서 공정 진행시 화학용액을 히팅하는 장치에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 그 구조를 개선하여 화학용액의 히팅온도 분포를 균일하게 유지시킬 수 있도록 한 것이다.
이를 위해, 히팅블럭(6)의 내부에 복수개의 히터(8)를 내장하여 배쓰(3)내에 담겨진 화학용액(2)을 가열하도록 된 것에 있어서, 히팅블럭(6)에 상향 절곡부(6a)를 형성하여 상기 상향 절곡부에 히터(8a)를 내장하고 배쓰(3)의 양측면에는 히팅블럭(6a)을 감싸는 커버(11)를 일체로 형성하여서 된 것이다.
Description
제1도는 종래의 장치를 나타낸 종단면도.
제2도는 본 고안의 장치를 나타낸 종단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 화학용액 3 : 배쓰
4 : 웨이퍼 5 : 카세트
6, 6a : 히팅블럭 8, 8a : 히터
11 : 커버
본 고안은 16M DRAM급 반도체의 제조시 PIO(Polyimide Isoindroquinazdi ne)에칭후 웨이퍼의 표면에 남아 있는 포토 레지스트를 제거하는 장비인 웨이퍼 습식세정장비에서 공정 진행이 화학용액을 히팅하는 장치에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 그 구조를 개선하여 화학용액의 히팅온도 분포를 균일하게 유지시킬 수 있도록 한 것이다.
첨부도면 제1도는 종래의 장치를 나타낸 종단면도로써, 배쓰간 차단막(1) 내부에 화학용액(2)이 담겨지는 배쓰(3)가 설치되어 있어 상기 배쓰내에 웨이퍼(4)가 담겨진 카세트(5)를 로딩하도록 되어 있고 상기 배쓰의 하부에는 평판형태의 히팅블럭(6)이 지지대(7)에 의해 배쓰(3)의 바닥면과 일정간격 유지되게 설치되어 있으며 상기 히팅블럭의 내부에는 8개의 히터(8)가 설치되어 각 히터가 단자판(9)과 전원선(10)으로 연결되어 있다.
석영재질의 배쓰(3)내에 담겨지는 화학용액은 ST-502A이며, 그 온도는 약 90℃정도이고, 히터(8)의 용량은 300W이다.
따라서 단자판(9)과 전원선(10)으로 연결된 히팅블럭(6)내의 각 히터(8)에 전원을 인가하면 히터가 발열하여 배쓰(3)내의 화학용액(2)을 약 90℃정도로 가열한다.
이러한 상태에서 포토 레지스트 에칭후 웨이퍼의 표면에 남아 있는 포토 레지스트를 제거하기 위해 웨이퍼가 담긴 카세트(5)를 로봇과 같은 이송수단(도시는 생략함)이 배쓰(3)내의 화학용액(2)에 로딩하여 일정시간(약 20분정도)동안 공정을 진행하므로서, 웨이퍼의 표면에 묻어 있던 포토 레지스트가 화학용액에 의해 세정된다.
상기한 공정으로 웨이퍼(4)의 표면에 묻어 있던 포토 레지스트를 화학용액에 의해 세정하고 나면 이송수단이 배쓰(3)내에 있던 카세트(5)를 순수(DI)가 담겨진 배쓰로 이송시키게 된다.
그러나 이러한 종래의 장치는 히팅블럭(6)이 평판형태로 형성되어 있어 배쓰(3)내에 담겨진 화학용액(2)의 중앙부위는 공정에 필요한 온도를 유지시킬 수 있지만, 배쓰(3)의 양측면은 외부공기와 가깝게 위치되어 중앙부위보다 온도가 낮기 때문에 이 부근에 위치되는 웨이퍼의 세정효율이 저하되었음은 물론 화학용액을 드레인시킨 후 새로운 화학용액을 공정에 필요한 온도까지 승온시키는데 많은 시간이 소요되었으므로 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 공정완료후 이송수단이 배쓰(3)내의 카세트(5)를 다음고정으로 이송시킬 때 카세트 및 웨이퍼(4)에 묻어 있던 화학용액이 배쓰(3)의 측벽을 타고 하방으로 흘러 내려 배쓰(3)와 히팅블럭(6)사이로 유입되므로 히터(8)의 발열에 따른 열전달 효율을 저하시키게 되는 문제점도 있었다.
본 고안은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, 외부의 공기에 의한 배쓰내의 온도 불균일을 해소시킴과 동시에 카세트의 이송시 흘러 내리는 화학용액이 배쓰의 저면과 히팅블럭사이로 유입되는 것을 미연에 방지할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 형태에 따르면, 히팅블럭의 내부에 복수개의 히터를 내장하여 배쓰내에 담겨진 화학용액을 가열하도록 된 것에 있어서, 히팅블럭에 상향 절곡부를 형성하여 상기 상향 절곡부에 히터를 내장하고 배쓰의 양측면에는 히팅블럭을 감싸는 커버를 일체로 형성함을 특징으로 하는 웨이퍼 습식 세정장비의 화학용액 히팅장치가 제공된다.
이하, 본 고안을 일 실시예로 도시한 첨부된 도면 제2도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
이하, 본 고안을 일 실시예로 도시한 첨부도면 도면 제2도를 참고로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부도면 제2도는 본 고안의 장치를 나타낸 종단면도로써, 본 고안의 구성중 종래의 구성과 동일한 부분은 그 설명을 생략하고 동일부호를 부여하기로 한다.
본 고안은 배쓰(3)의 바닥면에 설치되는 히팅블럭(6)에 상향 절곡부(6a)가 형성되어 있고 상기 상향 절곡부(6a)에는 수평부에 설치되는 히터(8)보다 용량이 큰 히터(8a)가 내장되어 있으며 배쓰(3)의 양측면에는 히팅블럭(6a)을 감싸는 커버(11)가 일체로 형성되어 있다.
상기 히팅블럭(6)의 수평부위에 내장되는 히터(8)의 용량보다 상향 절곡부(6a)에 용량이 큰 히터(8a)를 내장하는 이유는 배쓰(3)의 양측면이 외부공기와 접속되어 온도가 배쓰(3)의 중앙부위보다 낮기 때문에 이를 보상하여 배쓰(3)내에 담겨진 화학용액(2)의 온도분포를 균일하게 유지시킬 수 있도록 하기 위함이다.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용, 효과를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 단자판(9)과 전원선(10)으로 연결된 히팅블럭(6)(6a)내의 각 히터(8)(8a)에 전원을 인가하면 히터(8)(8a)가 발열하여 배쓰(3)내의 화학용액(2)을 가열하는데, 이때 상향 절곡부(6a)에 내장된 히터(8a)의 용량이 수평부에 설치된 히터(8)의 용량보다 크기 때문에 배쓰(3)의 양측면이 외부의 공기와 접하고 있더라고 배쓰(3)내에 담겨진 화학용액의 온도분포를 균일하게 유지하게 된다.
이러한 상태에서 포토 레지스트 에칭후 웨이퍼(4)의 표면에 남아 있는 포토 레지스트를 제거하기 위해 웨이퍼가 담긴 카세트(5)를 로보트와 같은 이송수단(도시는 생략함)이 배쓰(3)내의 화학용액(2)에 로딩하여 일정시간(약 20분정도)동안 공정을 진행하면 배쓰(3)내에 담겨진 화학용액의 온도분포가 균일하므로 웨이퍼의 표면에 묻어 있던 포토 레지스트가 화학용액에 의해 깨끗하게 세정된다.
상기한 공정으로 웨이퍼(4)의 표면에 묻어 있던 포토 레지스트를 화학용액에 의해 세정하고 나면 이송수단이 배쓰(3)내에 있던 카세트(5)를 순수(DI)가 담겨진 배쓰로 이송시키게 되는데, 이송수단에 의해 카세트(5)가 배쓰(3)의 바깥측으로 빠져나옴에 따라 카세트(5)와 웨이퍼(4)에 묻어 있던 화학용액이 배쓰(3)의 측벽을 타고 흘러 내리더라도 화학용액이 배쓰(3)의 양측면에 형성된 커버(11)에 의해 배쓰(3)의 저면과 히팅블럭(8a)사이로 스며들지 않고 배쓰(3)의 하방으로 떨어지게 된다.
이상에서와 같이 본 고안은 히팅블럭(5)의 상향 절곡부(6a)에 내장된 히터(8a)에 의해 배쓰(3)내에 담겨진 화학용액(2)을 균일하게 가열하게 되므로 웨이퍼(4)의 표면에 묻어 있는 포토 레지스트를 균일하게 세정하게 됨은 물론 화학용액을 드레인후 새로운 화학용액을 공정에 필요한 온도까지 승온시키는데 걸리는 시간을 최소화하게 되므로 생산성을 향상시키게 된다.
또한, 카세트의 이송시 카세트와 웨이퍼(4)에 묻어 있던 화학용액(2)이 배쓰(3)의 측벽을 타고 흘러 내리더라도 커버(11)에 의해 배쓰의 저면과 히팅블럭(8a)의 사이로 스며들지 않게 되므로 열전달 효율이 저하되는 것을 미연에 방지하게 되는 효과를 얻게 된다.
Claims (2)
- 히팅블럭의 내부에 복수개의 히터를 내장하여 배쓰내에 담겨진 화학용액을 가열하도록 된 것에 있어서, 히팅블럭을 상향되게 절곡부를 형성하는 상기 절곡부에 히터를 내장하고 배쓰의 양측면에는 히팅블럭을 감싸는 커버를 일체로 형성함을 특징으로 하는 웨이퍼 습식세정장비의 화학용액 히팅장치.
- 제1항에 있어서, 히팅블럭의 수평부위에 내장되는 히터의 용량보다 상향 절곡부에 용량이 큰 히터를 내장함을 특징으로 하는 웨이퍼 습식세정장비의 화학용액 히팅장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR2019950047439U KR200143994Y1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 웨이퍼 습식세정장비의 화학용액 히팅장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR2019950047439U KR200143994Y1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 웨이퍼 습식세정장비의 화학용액 히팅장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970046724U KR970046724U (ko) | 1997-07-31 |
| KR200143994Y1 true KR200143994Y1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19438292
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR200143994Y1 (ko) |
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