KR20010103214A - Power circuit potection method in inverter microwave oven - Google Patents
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Abstract
본 발명은 인버터 전자레인지의 파워소자보호방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 온도에 따른 파워소자의 파손을 방지할 수 있는 파워소자보호방법에 관한 것이다. 본 발명의 파워소자보호방법은, 파워스위칭소자의 온도를 감시하고 검출된 온도범위에 따라서 차등적인 제어가 이루어지도록 제어한다. 따라서 본 발명은 파워소자의 파손을 방지하면서 전자레인지를 안정된 상태로 구동하는 것이 가능하여, 제품에 대한 신뢰도를 높일 수 있는 잇점이 있다.The present invention relates to a power device protection method of an inverter microwave oven, and more particularly, to a power device protection method that can prevent damage to the power device according to temperature. The power element protection method of the present invention monitors the temperature of the power switching element and controls the differential control according to the detected temperature range. Therefore, the present invention is capable of driving the microwave oven in a stable state while preventing damage to the power device, thereby increasing the reliability of the product.
Description
본 발명은 인버터 전자레인지의 파워소자보호방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 온도에 따른 파워소자의 파손을 방지할 수 있는 파워소자보호방법에 관한 것이다.The present invention relates to a power device protection method of an inverter microwave oven, and more particularly, to a power device protection method that can prevent damage to the power device according to temperature.
인버터 전자레인지는, 구동원인 마그네트론을 인버터 방식에 의해서 제어한다. 상기 인버터 방식은 구동원인 마그네트론의 고주파 출력량을 가변하는 것이 가능하다.The inverter microwave oven controls the magnetron which is a drive source by the inverter system. The inverter method can vary the amount of high frequency output of the magnetron as a driving source.
상기 마그네트론은, 내부 히터가 정상 발열이 이루어진 후에야 비로소 상기 마그네트론의 양극에 전류가 흐르게 되면서 고주파 출력을 발진한다. 이때 발생되는 전류를 양극전류라 하며, 상기 양극전류의 곱과 양극전압의 곱이 마그네트론에 인가되는 전력(P)이 된다. 상기 전력에 마그네트론의 효율이 곱해지면, 그 크기에 따라서 고주파 출력량이 발생되는 것이다.The magnetron oscillates a high frequency output until current flows to the anode of the magnetron only after the internal heater generates heat. The current generated at this time is called a positive current, and the product of the positive current and the positive voltage is the power P applied to the magnetron. When the power is multiplied by the efficiency of the magnetron, a high frequency output amount is generated according to the magnitude.
따라서 상기 마그네트론에 흐르는 전류량은 상기 고주파의 출력량에 대응되며, 상기 전류를 많이 흐르게 동작시키면 출력이 높아지고, 적게 흐르도록 동작시키면 고주파 출력이 낮아지게 된다.Therefore, the amount of current flowing through the magnetron corresponds to the output amount of the high frequency, and when the current flows a lot, the output increases, and when the current flows low, the high frequency output decreases.
이와 같은 인버터용 전자제품의 가장 큰 특징은 IGBT와 같은 고가의 파워 스위칭소자를 이용하여, 매우 높은 고압을 발생하여 제품의 구동원으로 이용하는 점이다. 따라서 상기 IGBT가 온도와 같은 영향으로 파손되었을때, 제품 자체를 재사용하기위한 수리비용이 매우 많이 소요된다는 점이다.The biggest feature of such electronics for inverters is the use of expensive power switching devices, such as IGBTs, to generate very high voltages and use them as driving sources of products. Therefore, when the IGBT is damaged due to the same temperature, it is very expensive to repair the product itself.
따라서 종래의 인버터 전자레인지는, 상기 파워소자의 파손을 방지하기 위해서, 일정시간 사용 후 온도가 상승되었을때, 인버터 구동자체를 할 수 없도록 제어되고 있다. 이러한 점으로 인해서 제품이 정상적으로 구동을 하지 못하게 되는 경우가 발생되고, 이때 요리 자체를 할 수 없게 된다. 이러한 문제로 인해서 종래의 인버터 전자레인지는, 사용상의 불안정성을 갖게 되고, 결과적으로 제품에 대한 신뢰도를 저하시키는 문제점을 발생시켰다.Therefore, the conventional inverter microwave oven is controlled so that the inverter drive itself cannot be made when the temperature rises after a certain period of time in order to prevent damage to the power element. Due to this, the product may not operate normally, and cooking may not be possible at this time. Due to these problems, conventional inverter microwave ovens have instability in use, resulting in a problem of lowering the reliability of the product.
따라서 본 발명의 목적은 제품 내 파워소자의 파손을 방지하면서도 요리를 수행할 수 있도록 제어하는 인버터 전자레인지의 파워소자보호방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a power device protection method of an inverter microwave oven that controls cooking so as to prevent damage to power devices in a product.
도 1은 본 발명에 따른 인버터 전자레인지의 구성도,1 is a configuration diagram of an inverter microwave oven according to the present invention;
도 2는 본 발명에 따른 인버터 전자레인지의 파워소자보호방법을 도시하는 동작 흐름도.2 is an operation flowchart showing a power device protection method of the inverter microwave oven according to the present invention;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 전원 15,50 : 정류부10: power supply 15,50: rectifier
20 : 인덕터 25 : 트랜스20: inductor 25: transformer
30 : 파워스위칭부 40 : 마그네트론30: power switching unit 40: magnetron
45 : 전류트랜스 55 : 인버터구동부45: current transformer 55: inverter drive unit
35 : 마이크로컴퓨터 R1,R2 : 저항35: microcomputer R1, R2: resistance
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 인버터 전자레인지의 파워소자보호방법은, 인버터 구동에 따른 파워소자의 온도를 검출하는 단계와; 요리초기에 검출온도가 K℃ 이상이거나, 최대전력상태에서 검출온도가 K1℃ 이상 계속될 때, 파워레벨을 소정범위만큼 낮추어서 제어하는 단계와; 검출온도가 K1보다 높고 K2℃ 이하에서 소정시간 계속될 때, 현재 파워레벨을 소정범위까지 단계적으로 상승시키는 단계와; 검출온도가 K3℃ 이상에서 소정시간 계속될 때, 현재 파워레벨을 소정범위까지 단계적으로 하강시키는 단계를 포함하여 구성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for protecting a power device of an inverter microwave oven, the method comprising: detecting a temperature of a power device according to driving of an inverter; Controlling the power level by lowering the power level by a predetermined range when the detection temperature is higher than K ° C or the detection temperature continues at higher than K1 ° C in the initial stage of cooking; Stepwise raising the current power level to a predetermined range when the detection temperature is higher than K1 and continues for a predetermined time below K2 占 폚; And when the detection temperature continues for a predetermined time above K3 占 폚, gradually lowering the current power level to a predetermined range.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 인버터 전자레인지의 파워소자보호방법에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a power device protection method of an inverter microwave oven according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 인버터 전자레인지의 구성도이다.1 is a block diagram of an inverter microwave oven according to the present invention.
본 발명의 인버터 전자레인지는, 도 1에 도시하고 있는 바와 같이, 입력되는교류전원(10)을 정류하는 정류회로(15)를 포함하며, 상기 정류회로(15)에서 정류된 전류는 인덕터(20)를 통해서 트랜스(25)의 일차측으로 인가되도록 한다. 상기 트랜스(25)의 이차측에는 마이크로웨이브를 발생하는 마그네트론(40)이 장착되고 있다. 즉, 상기 마그네트론(40)은 상기 트랜스(25)의 2차측에 유기된 전압에 의해서 구동되어, 마이크로웨이브를 발생한다.Inverter microwave oven of the present invention, as shown in Figure 1, includes a rectifier circuit 15 for rectifying the input AC power supply 10, the current rectified in the rectifier circuit 15 is inductor 20 ) To be applied to the primary side of the transformer 25. On the secondary side of the transformer 25, a magnetron 40 for generating microwaves is mounted. That is, the magnetron 40 is driven by the voltage induced on the secondary side of the transformer 25 to generate a microwave.
한편, 상기 트랜스(25)의 일차측 전압은 파워스위칭부(30)에 의해서 제어된다. 상기 파워스위칭부(30)는 인버터 구동부(55)에서 출력하는 PWM제어신호에 의해서 온/오프 제어되어, 상기 트랜스(25)에 인가되는 높은 전압을 제어하게 된다. 상기 인버터 구동부(55)는 마이크로컴퓨터(35)의 제어를 받아서 동작한다.On the other hand, the primary side voltage of the transformer 25 is controlled by the power switching unit 30. The power switching unit 30 is turned on / off by the PWM control signal output from the inverter driver 55 to control the high voltage applied to the transformer 25. The inverter driver 55 operates under the control of the microcomputer 35.
그리고 상기 마그네트론(40)에 흐르는 전류는 전류 트랜스(45)에 의해서 검출되고, 상기 검출된 전류는 정류회로(50)를 통해서 변환된 후 출력된다. 상기 전류 트랜스(45)에서 검출된 상기 마그네트론(40)에 흐르는 전류량신호는 마이크로컴퓨터(35)로 인가된다.The current flowing through the magnetron 40 is detected by the current transformer 45, and the detected current is output through the rectifying circuit 50. The current amount signal flowing through the magnetron 40 detected by the current transformer 45 is applied to the microcomputer 35.
한편, 상기 마그네트론(40)은, 내부의 히터가 가열되어 열전자가 방출될 때까지는 마그네트론의 양극에 전류는 흐르지 않고, 상기 트랜스(25)로부터 고전압만 인가되는 상태가 된다. 이때의 상태를 비발진영역이라 하며, 상기 마그네트론(40)의 히터가 정상적으로 열전자를 방출하여, 고주파를 발생하기까지 약 2초의 시간이 소요된다.On the other hand, the magnetron 40 is in a state where only a high voltage is applied from the transformer 25 without current flowing to the anode of the magnetron until the heater inside is heated to release the hot electrons. The state at this time is called a non-oscillation region, and it takes about 2 seconds for the heater of the magnetron 40 to normally emit hot electrons and generate a high frequency wave.
즉, 히터에 의한 마그네트론(40)의 정상 발진이 이루어진 후에야 비로소 상기 마그네트론(40)의 양극에 전류가 흐르게 된다. 이때의 전류를 양극전류라하며, 상기 양극전류의 곱과 양극전압의 곱이 마그네트론(40)에 인가되는 전력(P)이 된다. 상기 전력(P)에 마그네트론(40)의 효율이 곱해지면, 그 크기에 따라서 고주파가 발생되는 것이다.That is, the current flows to the anode of the magnetron 40 only after the normal oscillation of the magnetron 40 is performed by the heater. The current at this time is called an anode current, and the product of the anode current and the anode voltage is the power P applied to the magnetron 40. When the power P is multiplied by the efficiency of the magnetron 40, high frequency is generated according to the magnitude.
따라서 상기 마그네트론(40)에 흐르는 전류는 상기 고주파의 출력에 대응되며, 상기 전류를 많이 흐르게 동작시키면 출력이 높아지고, 적게 흐르도록 동작시키면 고주파 출력이 낮아지게 된다. 즉, 상기 전류 트랜스(45)에서 검출된 전류량은 마이크로컴퓨터(35)에 인가되어져, 상기 마그네트론(40)에 흐르는 전류량을 제어하여, 발생되는 고주파 출력을 제어하는데 이용되는 것이다.Therefore, the current flowing in the magnetron 40 corresponds to the output of the high frequency, and when the current is operated to flow a lot, the output is high, and when operated to flow less, the high frequency output is lowered. That is, the amount of current detected by the current transformer 45 is applied to the microcomputer 35 to control the amount of current flowing through the magnetron 40 and used to control the generated high frequency output.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 인버터 전자레인지에서 IGBT 파워소자의 인버터 제어는 다음과 같이 이루어진다.Inverter control of the IGBT power element in the inverter microwave oven of the present invention having the above configuration is made as follows.
마이크로컴퓨터(35)는, IGBT의 파워스위칭부(30)가 구동될 때, 별도의 온도센서(도시하지 않음)를 이용하여 IGBT 온도를 계속해서 감시하고, 상기 온도센서의 검출온도를 읽어들인다(제 100 단계). 그리고 검출된 IGBT 파워스위칭부(30)의 온도가 어느 범위에 포함되는지를 판단한다.When the power switching unit 30 of the IGBT is driven, the microcomputer 35 continuously monitors the IGBT temperature using a separate temperature sensor (not shown), and reads the detected temperature of the temperature sensor ( Step 100). Then, it is determined in which range the temperature of the detected IGBT power switching unit 30 is included.
상기 제 100 단계에서 읽어들인 온도가 소정온도(K ℃)보다 낮을때(제 103 단계), 정상적인 제어에 의한 요리를 수행한다(제 106 단계). 상기 제 106 단계에서의 정상적인 제어는, 기설정된 요리과정에 의한 제어를 의미한다. 즉, 이때는 상기 전류트랜스(45)로부터 검출되는 전류량에 기초해서 상기 파워 스위칭부(30)의 듀티비를 제어하여, 상기 마그네트론(40)의 구동을 제어하게 된다.When the temperature read in step 100 is lower than a predetermined temperature (° C.) (step 103), cooking under normal control is performed (step 106). The normal control in step 106 refers to control by a preset cooking process. That is, at this time, the duty ratio of the power switching unit 30 is controlled based on the amount of current detected from the current transformer 45 to control the driving of the magnetron 40.
상기 제 106 단계의 수행 후, 마이크로컴퓨터(35)는 제 100 단계로 리턴하여, IGBT 파워스위칭부(30)의 구동을 제어하면서 파워스위칭부(30)의 온도를 계속해서 감시한다.After performing step 106, the microcomputer 35 returns to step 100 to continuously monitor the temperature of the power switching unit 30 while controlling the driving of the IGBT power switching unit 30.
다음, 소정시간 가열이 이루어진 후, 상기 제 100단계에서 읽어들인 온도가 소정온도(K ℃)보다 높을때, 마이크로컴퓨터(35)는, 검출된 온도가 소정온도(K1 ℃)보다도 높은지를 판단한다(제 109 단계).Next, after heating for a predetermined time, when the temperature read in the 100th step is higher than the predetermined temperature (K ° C), the microcomputer 35 determines whether the detected temperature is higher than the predetermined temperature (K1 ° C). (Step 109).
상기 제 109 단계에서 검출온도가 소정온도(K1 ℃)보다는 높지 않다고 판단되었을때, 검출온도의 온도범위는 K ℃보다는 높고 K1 ℃보다는 낮은 상태가 된다. 이러한 온도범위가 요리의 시작과 동시에 검출된 온도인지를 판단한다(제 112 단계).When it is determined in step 109 that the detection temperature is not higher than the predetermined temperature (K1 ° C), the temperature range of the detection temperature is higher than K ° C and lower than K1 ° C. It is determined whether the temperature range is the temperature detected at the same time as the start of cooking (step 112).
상기 제 112 단계에서 요리의 시작과 동시에 검출온도가 K℃ 이상으로 판단되면, 상기 마그네트론(40)의 출력레벨을 20% 정도 낮추어서 제어하게 된다(제 118 단계). 즉, 상기 마이크로컴퓨터(35)는 상기 파워스위칭부(30)의 출력주파수를 20% 낮추어서 제어한다.When the detection temperature is determined to be equal to or higher than K ° C. at the same time as the start of cooking in step 112, the output level of the magnetron 40 is reduced by about 20% to control (step 118). That is, the microcomputer 35 controls the output frequency of the power switching unit 30 by 20%.
그러나 상기 제 112 단계에서 요리의 시작상태가 아니라고 판단되고, 요리의 진행 중에 검출온도가 K℃ 이상이라고 판단되면 마이크로컴퓨터(35)는, 다시 현재의 출력상태가 풀 파워(Full Power) 상태인지를 판단한다(제 115 단계).However, if it is determined in the step 112 that the cooking state is not the start state and the cooking temperature is determined to be higher than K ° C. during the cooking process, the microcomputer 35 again checks whether the current output state is a full power state. (Step 115).
상기 제 115 단계의 판단후, 요리 중에 K℃ 이상이 풀 파워 상태에서 계속되면 파워 출력레벨을 20% 낮추어서 제어한다(제 118 단계).After the determination of the 115th step, if K ℃ or more continues in the full power state during cooking, the power output level is reduced by 20% and controlled (step 118).
그리고 상기 제 112 단계에서 요리 중 K℃ 이상이고, 제 115 단계에서 현재의 출력이 풀 파워상태가 아니라고 판단되면, 마이크로컴퓨터는, 정상적인 요리상태로 판단하고, 기설정된 제어방법으로 요리제어를 수행한다(제 106 단계).If it is determined that cooking is equal to or greater than K ° C. in step 112 and the current output is not in the full power state in step 115, the microcomputer determines the normal cooking state and performs cooking control using a preset control method. (Step 106).
다음, 상기 제 103 단계에서 검출온도가 K℃ 이상이고, 상기 제 109 단계에서 검출온도가 K1℃ 이상이며, 검출온도가 K3℃도 이상에 도달하면, 요리중 처음으로 K3℃ 이상에 도달한 것인지를 판단한다(제 121 단계).Next, when the detection temperature is at least K ° C in step 103, the detection temperature is at least K1 ° C in step 109, and the detection temperature reaches at least K3 ° C, whether the temperature reaches K3 ° C or higher for the first time during cooking. Determine (step 121).
상기 제 121 단계에서 요리중 처음으로 K3℃ 이상에 도달한 경우에는, 파워 레벨을 약 10% 낮추어서 제어하고, 플래그1을 세팅시킨다(제 124 단계).When the cooking temperature reaches K3 ° C or higher for the first time in the 121st step, the power level is reduced by about 10% and the flag 1 is set (step 124).
상기 제 124 단계에서 플래그 1이 세팅상태가 되면(제 127 단계), 검출온도가 K3℃ 이상에서 소정시간(N초) 이상 계속되는지를 판단한다(제 130 단계).When the flag 1 is set in the step 124 (step 127), it is determined whether the detection temperature continues for more than a predetermined time (N seconds) above K3 ° C (step 130).
상기 제 121 단계에서 검출온도가 K3℃ 이상되었으나, 상기 제 130 단계에서 검출온도가 K℃ 이상에서 소정시간(N초) 이상 계속되지 않았을때, 제 142 단계로 진행되어 검출온도가 K2℃ 이상에서 소정시간(N1초) 계속 유지되고 있는지를 판단한다.When the detection temperature is greater than or equal to K3 ° C in step 121, but the detection temperature is not continued for more than a predetermined time (N seconds) in K130 or more in step 130, the process proceeds to step 142 and the detection temperature is greater than or equal to K2 ° C. It is determined whether the predetermined time (N1 second) is maintained.
상기 제 142 단계의 조건을 만족할 때, 현재의 파워레벨이 90%까지 도달한 상태인지를 판단하고(제 145 단계), 상기 제 145 단계의 조건을 만족하지 않았을때, 파워레벨을 1단계 상승시켜서 조절한다(제 148 단계).When the condition of step 142 is satisfied, it is determined whether the current power level reaches 90% (step 145). When the condition of step 145 is not satisfied, the power level is increased by one step. Adjust (step 148).
만일, 제 142 단계에서 검출온도가 K2℃ 이상에서 소정시간(N1초) 계속 유지되고 있고, 제 145 단계에서 현재의 파워레벨이 90%에 도달한 상태일때, 요리종료 상태인지를 판단하는 과정을 통해서 인버터 구동에 따른 전자레인지의 요리 제어를 종료시키게 된다(제 151 단계).In step 142, when the detection temperature is maintained at a predetermined time (N1 second) above K2 ° C, and in step 145, the current power level reaches 90%. The cooking control of the microwave oven according to the drive of the inverter is terminated (step 151).
한편, 요리중 온도가 K3℃에 도달하여, 플래그 1이 세팅되고(제 127 단계),상기 제 130 단계에서 검출온도가 K3℃ 이상에서 N초 이상 계속 유지되면, 상기 파워스위칭부(30)의 제어에 의한 마그네트론(40)의 출력레벨을 10% 낮추어서 제어한다(제 133 단계).On the other hand, when the cooking temperature reaches K3 ° C, the flag 1 is set (step 127), and if the detection temperature is maintained at the K3 ° C or higher for more than N seconds in step 130, the power switching unit 30 The output level of the magnetron 40 by the control is lowered by 10% and controlled (step 133).
상기 제 133 단계의 조절에 의한 출력레벨이 50% 이하까지 떨어졌을때, 마이크로컴퓨터(35)는 현재 출력상태에서 요리진행을 할 수 없다고 판단하여 인버터구동부(55)의 동작을 정지시키게 된다(제 139 단계).When the output level by the adjustment of the step 133 falls below 50%, the microcomputer 35 determines that cooking cannot be performed in the current output state and stops the operation of the inverter driver 55 (S139). step).
즉, 본 발명은 전자레인지의 구동에 따라서 파워스위칭부(30)의 온도를 감시하고, 상기 파워스위칭부(30)의 온도가 어느 범위에 존재하는 지를 판단하여, 인버터 출력레벨을 감소시키거나 증가시키는 제어를 수행한다.That is, the present invention monitors the temperature of the power switching unit 30 according to the driving of the microwave oven, and determines the range of the temperature of the power switching unit 30 to reduce or increase the inverter output level. To perform the control.
따라서 본 발명에서는 파워스위칭부(30)의 출력레벨 조절을 위한 특정온도(K℃)를 설정하고 있다. 그리고 상기 특정온도(K℃)를 기준으로, 상기 특정온도(K℃)보다 높은 제 1 온도(K1℃)와, 상기 제 1 온도(K2℃)보다 높은 제 2 온도(K2℃)와, 상기 제 2 온도(K2℃)보다 높은 제 3 온도(K3℃)를 설정하고, 그에 따른 적절한 제어를 수행하도록 한다.Therefore, in the present invention, the specific temperature (K ° C) for adjusting the output level of the power switching unit 30 is set. And a first temperature K1 ° C. higher than the specific temperature K ° C., a second temperature K2 ° C. higher than the first temperature K2 ° C., based on the specific temperature K ° C. A third temperature (K3 ° C) higher than the second temperature (K2 ° C) is set, and appropriate control is performed accordingly.
상기 제 103 단계에서의 검출온도가 K℃ 이하인가를 판단하는 것은, 초기동작에서 기설정되어 있는 요리방법으로 요리를 제어하기 위한 것이다.The determination of whether the detected temperature in step 103 is equal to or lower than K ° C is for controlling cooking by a cooking method preset in the initial operation.
상기 제 109 단계에서의 검출온도가 K℃ 이상이고, K1℃ 이하인가를 판단하는 것은, 소정시간 가열 후 검출온도인지 또는 연속가열 등에 의한 초기상태에서의 이상고온 상태인지를 판단하기 위한 것이다. 따라서 상기 제 109 단계에서의 온도 판단 후, 초기동작여부를 제 112 단계에서 판단하고, 풀 파워 상태인지를 제 115단계에서 판단하여, 정상동작상태 또는 파워레벨을 약 20% 정도 낮춰줘야 하는 상태 등으로 판단하여 제어하게 된다.The determination of whether the detection temperature in step 109 is equal to or higher than K ° C and equal to or lower than K1 ° C is for determining whether the detection temperature is a detection temperature after heating for a predetermined time or an abnormal high temperature state in the initial state by continuous heating or the like. Therefore, after determining the temperature in the step 109, it is determined in the step 112 whether the initial operation or not, and in step 115 whether it is in the full power state, the normal operating state or the state to lower the power level by about 20%, etc. It is determined by the control.
또한, 제 121 단계에서의 검출온도가 K1℃보다 높고, K3℃ 이하에 존재하는 경우에 있어서도 상기 제 112 단계 및 제 115 단계의 판단에 의해서 마그네트론(40)의 출력레벨을 조절해준다.In addition, even when the detection temperature in step 121 is higher than K1 ° C and below K3 ° C, the output level of the magnetron 40 is adjusted according to the determination of steps 112 and 115 above.
그리고 제 121 단계에서 검출온도가 K3℃ 이상으로 상승되었을때, 검출온도가 소정시간(N초) 동안 계속해서 유지되는지를 판단하고(제 130 단계), 상기 제 130 단계의 조건을 만족하지 않았을 때, 검출온도가 K2℃ 이상에서 소정시간(N1초) 계속되는지를 판단한다(제 142 단계).When the detection temperature rises above K3 ° C. in step 121, it is determined whether the detection temperature is continuously maintained for a predetermined time (N seconds) (step 130), and when the condition of step 130 is not satisfied. In step 142, it is determined whether the detection temperature continues for a predetermined time (N1 second) above K2 占 폚.
상기 제 142 단계의 조건이 만족되면, 현재의 파워레벨이 90% 이하 존재하는가를 판단하여, 파워 레벨을 단계적으로 올려주는 제어를 수행한다.When the condition of step 142 is satisfied, it is determined whether the current power level is 90% or less, and control is performed to raise the power level step by step.
상기와 같은 제어가 이루어지면서 파워레벨이 상승되었을때, 검출온도가 K3℃ 이상에서 소정시간(N초) 동안 계속해서 유지되면, 다시 제 133 단계에 의한 파워레벨을 단계적으로 낮춰주는 제어를 수행한다. 이와 같은 제어에 의해서도 파워스위칭부의 온도가 낮아지지 않고, 파워레벨이 50% 이하까지 낮아졌을때 마이크로컴퓨터(35)는 정상적인 요리의 수행이 어렵다고 판단하여 인버터 구동을 정지하는 제어를 수행한다.When the power level is increased while the control is performed as described above, if the detection temperature is continuously maintained for more than a predetermined time (N seconds) at K3 ° C or higher, the control is performed to step down the power level by step 133 again. . Even when such a control does not lower the temperature of the power switching unit and when the power level is lowered to 50% or less, the microcomputer 35 determines that normal cooking is difficult to perform the control to stop driving the inverter.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 인버터 전자레인지의 파워소자보호방법은, 파워스위칭소자의 온도를 감시하고 검출된 온도범위에 따라서 차등적인 제어가 이루어지도록 제어한다. 따라서 본 발명은 파워소자의 파손을 방지하면서 전자레인지를 안정된 상태로 구동하는 것이 가능하여, 제품에 대한 신뢰도를 높일 수 있는 잇점이 있다.As described above, the power element protection method of the inverter microwave oven according to the present invention monitors the temperature of the power switching element and controls the differential control according to the detected temperature range. Therefore, the present invention is capable of driving the microwave oven in a stable state while preventing damage to the power device, thereby increasing the reliability of the product.
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20000508 |
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PG1501 | Laying open of application | ||
PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |