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KR20000069782A - 유전 필터 및 유전 필터의 대역통과 특성을 조정하기 위한 방법 - Google Patents

유전 필터 및 유전 필터의 대역통과 특성을 조정하기 위한 방법 Download PDF

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Publication number
KR20000069782A
KR20000069782A KR1019997005921A KR19997005921A KR20000069782A KR 20000069782 A KR20000069782 A KR 20000069782A KR 1019997005921 A KR1019997005921 A KR 1019997005921A KR 19997005921 A KR19997005921 A KR 19997005921A KR 20000069782 A KR20000069782 A KR 20000069782A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stripline
resonator
dielectric
filter
electrode
Prior art date
Application number
KR1019997005921A
Other languages
English (en)
Inventor
케니치 호리에
Original Assignee
요트.게.아. 롤페즈
코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 요트.게.아. 롤페즈, 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 요트.게.아. 롤페즈
Publication of KR20000069782A publication Critical patent/KR20000069782A/ko

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Abstract

유전 필터(10)는 필터사이에 삽입되는 유전체 층과 각각 평행한 면에 배치되고, 서로가 전자기학적으로 연결되는 두 개의 스트립라인 공진기(20,40)를 포함한다. 두 스트립라인 공진기(20,40)는 각각 근거리 종단에 접지된 제 1 스트립라인 부분과, 상기 제 1 스트립라인 부분의 원거리 종단에서부터 상기 제 1 스트립라인 부분이 확장하는 방향으로 확장하는 제 2 스트립라인 부분을 포함한다. 상기 제 1 스트립라인 부분의 너비는 상기 제 2 스트립라인 부분의 너비보다 약간 작다. 제 2 스트립라인 부분의 측면 모서리는, 상기 제 1 스트립라인 부분의 각 측면 모서리 에 비례하여, 상기 제 1 및 제 2 스트립라인 부분이 연장하는 방향에 수직인 방향으로 이동된다. 일반적인 직사각형의 노치필터는 필터의 한 측면 모서리로부터 제 2 스트립라인 부분으로 연장한다.

Description

유전 필터 및 유전 필터의 대역통과 특성을 조정하기 위한 방법{DIELECTRIC FILTER AND METHOD FOR ADJUSTING BANDPASS CHARACTERISTICS OF SAME}
이동 전화기와 같은 휴대용 무선 통신 장치에서의 사용을 위해 소형의 고 주파 필터의 수요가 증가하고 있다. 이러한 고주파 필터는 양호한 주파수 선택도를 갖으며, 동시에 낮은 비용으로도 제조될 수 있어야 한다. 이러한 요건을 만족시키는 고주파 필터로써, 스트립라인(stripline) 전극이 공진기(일예로, WO96/19843에서 인용된)로써 장착된 다중 구조의 세라믹 필터가 제안되고 있다. 이러한 형태의 유전 필터는 그 크기가 감소될 수 있다는 장점이 있는데, 그 원인은 필터 내에 사용된 신호의 실효 파장이 사용되는 세라믹 유전체 물질의 높은 유전 상수에 의하여 더 짧아질 수 있고, 그에 따라 공진기의 길이도 더 짧아질 수 있기 때문이다.
그러나 높은 유전 상수를 갖는 유전체 물질이 사용되는 상기 타입의 유전 필터는, 필터 주파수 특성이 필터에 제공된 전극 크기의 작은 변화에 의해 크게 영향을 받는다는 단점을 갖는다. 이러한 이유로, 이러한 형태의 유전 필터에서 사용된 유전체 물질의 유전 상수는 특정 상위 값에 의해 제한되는데, 여기서 상위 값은 약 100이다. 상기 제한된 유전 상수를 갖는 유전체 물질로 크기가 더 감소될 수 있는 유전체 필터로써, 특별히 고안된 형태의 공진기 전극을 갖는, 이른바 SIR(Stepped Impedance Resonator) 방식의 유전 필터가 예컨대 일본 특허 출원 공개 공보 7-312503에 제시되어 있다. 상기 SIR 방식의 각 공진기는 근거리 종단에 접지되어 있는 높은 임피던스의 좁은 제 1 공진기 부분과, 제 1 공진기 부분의 원거리 종단에 인접한 낮은 임피던스의 더 넓은 제 2 공진기 부분을 포함하되, 제 2 공진기 부분은 제 1 공진기 부분의 원거리 종단에 개방되어 있다. 이러한 SIR 방식의 공진기는 동일한 주파수에서 더 짧아질 수 있기 때문에, 상기 필터는 크기에 있어서 더 감소될 수 있다. 그러나, 상술한 SIR 방식의 유전 필터는, 공진기의 좁은 제 1 공진기 부분에서의 전류의 집중은 상당한 손실을 발생하고, 이것은 상기 필터의 삽입손실을 증가시킨다는 단점이 있다.
본 발명은 일반적으로 이동 전화기와 같은 고주파 무선 장치에서 사용하기에 적합한 유전 필터에 관한 것으로서, 특히 유전체 층 사이에 삽입된 다수의 전극을 갖는 적층 유전체 층으로 구성된 소형의 칩-타입 유전 필터에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 유전 필터의 대역통과 특성을 조정하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유전 필터의 사시 분해도.
도 2는 도 1의 실시예의 정면도.
도 3은 도 1의 실시예의 우측을 보여주는 도면.
도 4는 도 1의 실시예의 유전체 층(10c)의 평면도.
도 5는 도 1의 실시예의 유전체 층(10d)의 평면도.
도 6은 도 1의 실시예의 유전체 층(10e)의 평면도.
도 7은 도 1의 실시예의 유전체 층(10f)의 평면도.
도 8은 도 1의 실시예의 유전체 층(10g)의 평면도.
도 9는 도 1의 실시예의 등가 회로도.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유전 필터의 사시 분해도.
그러므로, 본 발명의 목적은 크기가 작고, 낮은 삽입손실을 갖는 SIR 방식의 유전 필터를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 쉬운 방법으로 주파수 특성을 조정할 수 있는 유전 필터를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 유전 필터의 대역통과 특성을 쉽고 정교하게 조정하는 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 유전 필터는, 하나 이상의 유전체 층이 샌드위치 방식으로 삽입된 개개의 평행한 평면에 장착되고, 서로가 전자기적으로 연결된 두 개 이상의 스트립라인 공진기를 포함하는 유전체 필터에 있어서, 두 개 이상의 스트립라인 공진기 각각은 공진기의 근거리 종단에 접지된 제 1 스트립라인 부분과, 상기 제 1 스트립라인 부분의 원거리 종단으로부터 제 1 스트립라인 부분이 연장한 것과 같은 동일한 방향으로 연장하는 제 2 스트립라인 부분을 포함하되, 제 1 스트립라인 부분의 너비는 제 2 스트립라인 부분의 너비보다 약간 작고, 제 2 스트립라인 부분의 측면 모서리는 제 1 및 제 2 스트립라인 부분이 연장하는 방향과 수직인 동일 방향으로 상기 제 1 스트립라인 부분의 각 측면 모서리에 상대적으로 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 구조를 갖는 필터를 사용하면, 상기 스트립라인 공진기의 제 1 스트립라인 부분 너비는 제 2 스트립라인 부분의 너비보다 약간 작기 때문에, 상기 제 1 스트립라인 부분은 종래 SI 방식 공진기의 전류 밀도 보다 낮아서 더 낮은 손실을 가질 것이다. 따라서 상기 필터는 더 낮은 삽입 손실을 가질 것이다.
본 발명에 따른 상술된 유전 필터는 최소 하나의 공진기 측면 모서리 부분에서 적어도 하나의 스트립라인 공진기의 제 2 스트립라인 부분에 형성된 일반적으로 하나 이상의 정사각형 절취부(cut-out)를 가질 수 있다. 이러한 절취부를 제공함으로서, 부가적인 인덕턴스와 커패시턴스가 상기 공진기에서 조성되고, 따라서 상기 필터의 중앙 주파수는 더 낮아질 수 있고, 또한, 차단 특성(cutting-off characteristic)도 개선될 것이다. 게다가, 상기 필터의 대역통과 특성은 이러한 절취부의 위치, 깊이 및/또는 넓이의 조정을 통해 정교하게 조정될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 유전 필터는 스트립라인 공진기 사이의 전자기 커플링 조정을 위해, 스트립라인 공진기 사이에 삽입된 적어도 하나의 유전체 층에, 하나 이상의 스트립 형태의 튜닝 전극을 구비할 수 있는데, 하나 이상의 스트립 형태의 튜닝 전극 종단 중 하나만이 접지된다. 이런 구조를 이용함으로서, 상기 필터의 대역통과 특성을 정교하게 조정하는 것이 가능해질 것이다.
본 발명에 따른 유전 필터는, 최소 하나의 스트립라인 공진기의 제 2 스트립라인 부분에 전기 용량으로 연결을 위해 용량형 전극이 제공되는 스트립라인 공진기의 외부쪽으로 배치된 하나 이상의 추가 유전체 층을 가질 수도 있다. 이러한 구조를 이용함으로써, 상기 필터의 중앙 주파수를 더 낮추고 및/또는 조정하는 것이 가능해질 것이다.
본 발명에 따른 상기 필터의 대역 특성을 조정하기 위한 방법은, 적절한 제 2 스트립라인 부분에서의 절취부는 깊이와 너비 및/또는 위치가 조정된다는 특징이 있다. 상기 방법에 따라, 상기 필터의 대역통과 특성은 쉽고 정교하게 조정될 수 있다.
이후로 본 발명의 실시예가 참조한 도면을 참고하여 기술될 것이다.
도 1내지 도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유전 필터(10)를 도시한다. 상기 필터는 블록형(또는 칩형)이고, 다수의 박막으로된 금속 전극이 샌드위치 방식으로 그 사이에 삽입된 8 개의 직사각형의 유전판(10a-10h)을 적재 및 소결시킴으로써 구성된다. 각 판은 세라믹 물질로 제조되었고, 소정의 두께를 각각 갖는다. 필터(10)는 관련된 측면을 각각 완전히 덮고 있는 접지 단자 전극(11a와 11b)을 갖는 한 쌍의 대향 측면(이들 측면 중 하나는 도 2에 도시됨)상에 제공된다. 상기 필터(10)는 입력/출력 단자 전극(12a와 12b)과 같은 스트립을 각각 갖는 다른 한 쌍의 대향 측면(이들 측면 중 하나는 도 3에 도시됨)상에 더 제공되는데, 상기 각 단자 전극(12a와 12b)은 필터(10)의 두께 방향으로 관련된 측면의 중앙 부분으로 연장한다.
상기 필터(도 1의 상위면)의 표면 중의 하나의 측면에 위치한 유전판(10a)은 보호용으로 제공된다. 상기 보호용 유전판(10a)은 실드(shield) 전극(14)을 갖는 판(10a)에 마주한 표면에 제공되는 유전판(10b)에 인접하되, 상기 실드 전극(14)은 대체적으로 유전판(10b)의 반대편 면(도 1에서 더 짧은 면)을 따라 연장한 한계 부분(13 및 13) 제외한 면을 완전히 덮고 있다. 두 곳의 가장자리부분(13)은 실드 전극(14)이 입력/출력 단자 전극(12a와 12b)과의 단락 방지를 위해 제공된다.
유전판(10b)은 입력 단자 전극(12a)에 인접하는 판(10c)의 측면의 중간 부분에서 확장되는 입력 전극(16)이 유전판(10b)에 마주하는 표면상에 제공되고, 측면(15)에 대체적으로 수직 방향으로 참조 번호(15)로 지정된 유전판(10c)에 인접해 있다. 연장한다. 상기 입력 전극(16)은 근거리 하프(half)(16b)보다 폭이 훨씬 더 넓은 원거리 하프(16a)를 갖는다. 유전판(10c)에는 접지 단자 전극(11a)에 인접한 판의 측면을 따라 연장한 스트립과 같은 커패시턴스 전극(18)을 추가로 위에서 언급한 것과 같이 동일한 면에 제공된다. 상기 커패시턴스 전극(18)은 입력 전극(16)의 원거리 하프(16a)의 측면으로 배치된다.
상기 유전판(10c)은 유전판(10c)에 마주하는 표면상에, 제 1 스트립라인 공진기로써 동작하는 공진기 전극(20)이 제공되는 유전판(10d)에 인접한다. 상기 공진기 전극(20)은 근거리 공진기 부분(20a)으로서, 일정한 너비(w1)를 갖는 접지 단자 전극(11b)에 인접한 판(10d) 측면의 어느 부분으로부터 상기 측면에 대체적으로 수직인 방향으로 연장하는 상기 공진기 부분(20a)을 포함하는데, 근거리 공진기 부분(20a)이 연장하는 측면 부분은 상기 측면의 중간에서부터 입력 단자 전극(12a)의 방향으로 이동된다. 상기 공진기 전극(20)은 근거리 공진기 부분(20a)이 연장하는 방향과 동일한 방향으로 일정한 너비(w2)를 갖는, 근거리 공진기 부분(20a)의 원거리 종단으로부터 연장하는 원거리 공진기 부분(20b)을 더 포함하는데, 상기 원거리 공진기 부분의 너비(w2)는 근거리 공진기 부분(20a)의 너비보다 조금 더 크다. 원거리 공진기 부분(20b)의 원거리 종단은 정사각형 자유단을 가정한다. 원거리 공진기 부분(20b)의 축은 근거리 공진기 부분(20a)의 축을 따라 출력 단자 전극(12b)의 방향으로 이동되어, 입력 단자 전극(12a)의 측면상의 원거리 공진기 부분(20b)의 측면 모서리는, 출력 단자 전극(12b)의 방향으로 입력 단자 전극(12a)의 측면상에서의 w3의 거리만큼 근거리 공진기 부분(20a)의 측면 모서리로부터 이동된다. 상기 거리(w3)는 "0"보다 큰 임의의 값이 될 수 있고, 거리(w3)가 "0"일 경우, 입력 단자 전극(12a)의 측면상의 원거리 공진기 부분(20b)의 측면 모서리는 입력 단자 전극(12a)의 측면상의 근거리 공진기 부분(20a)의 측면 모서리와 일직선이 된다. 상기 원거리 공진기 부분(20b)의 원거리 종단 부분은 필터(10)의 두께 방향으로 볼 때 앞서 말한 커패시턴스 전극(18)과 겹친다. 원거리 공진기 부분(20b)은 출력 단자 전극(12b)의 측면에 형성되는데, 상기 단자 전극(12b)은 상기 공진기 부분의 중앙에서, 대체적으로 전극(12b) 길이의 방향으로 배치된 부분에서의 소정의 너비와 깊이의 대체적으로 방형 절취부(21)를 구비한다.
상기 유전판(10d)은 유전판(10e)에 인접하는데, 상기 유전판(10d)에 마주하는 상기 유전판(10e) 표면에는 제 1 스트립과 같은 튜닝 전극(24)과 같은 튜닝 전극(23)과 제 2 스트립 및 튜닝 전극(25)과 같은 제 3 스트립이 제공된다. 상기 제 1 튜닝 전극(23)은 상기 측면에 수직한 접지 단자 전극(11b)에 인접한 판(10e)의 측면의 중간 부분부터 상기 판의 중앙 부분으로 연장한다. 상기 제 2 튜닝 전극(24)은 위의 전극(23)의 원거리 종단으로부터 소정 거리로 이격되고, 전극(23)의 중심선에 수직 방향으로 소정 길이에 걸쳐 연장한다. 상기 제 3 튜닝 전극(25)은 접지 단자 전극(11a) 방향으로 전극(24)으로부터 소정 거리로 이격되고, 전극(24)과 평행하여 연장한다.
유전판(10e)은 유전판(10f)에 인접하고, 상기 유전판(10e)에 마주하는 상기 유전판(10f) 표면에는 전극(40)이 제공되는데, 상기 전극(40)은 도 1에서 필터(10)를 좌우 반으로 분할하는 가상 평면을 참조하면 유전판(10d)상의 전극(20)과 대칭이다. 상기 유전판(10f)은 유전판(10g)에 인접하고, 상기 유전판(10f)과 마주하는 유전판(10g) 표면에는 전극(36과 38)이 제공되는데, 상기 전극(36과 38)은 상술된 가상 평면을 참조로 하면 유전판(10c)의 전극(16과 18)과 각각 대칭이다. 상기 공진기 전극(20)에 대응하는 유전판(10f)상의 전극(40)은 상기 필터의 제 2 스트립라인 공진기를 구성하고, 근거리 공진기 부분(40a)과 절취부(41)가 형성되는 원거리 공진기 부분(40b)을 포함한다. 입력 전극(16)에 대응하는 유전판(10g)상의 전극(36)은 상기 필터의 출력 전극을 구성하고, 반면 커패시턴스 전극(18)에 대응하는 유전판(10g)상의 전극(38)은 상기 필터의 제 2 커패시턴스 전극을 구성한다.
상기 유전 필터(10g)에 인접하고 상기 필터의 다른 표면(도 1의 더 낮은 표면)의 측면에 배치되는 유전판(10h)은 보호와 차폐용으로 제공된다. 상기 유전판은 차폐 전극(14)과 유사한 차폐 전극(34)을 갖는 판(10g)에 마주하는 면에 제공된다.
이제 상술된 구조를 갖는 필터(10)의 기능이 등가회로를 참조로 하여 기술될 것이다.
도 9는 도 1 내지 도 8에서 도시된 유전 필터(10)의 등가회로를 도시하고 있다. 도 9에 도시된 것처럼, 필터(10)의 입력 단자 전극(12a)에 대응하는 입력 단자(112a)는 입력 전극(16)과 공진기 전극(20) 사이의 커패시터(116)를 통해 제 1 공진기 전극(20)에 대응하는 제 1 공진회로(120)에 접속된다. 상기 공진회로(120)의 접지되지 않은 종단은 두 공진기 전극(20과 40)사이의 커패시터(130)를 통해 제 2 공진기 전극(40)에 대응하는 제 2 공진회로(140)에 접속된다. 상기 제 2 공진회로(140)의 접지되지 않은 종단은 공진기 전극(40)과 출력 전극(36) 사이의 커패시터(136)를 통해 출력 단자 전극(12b)에 대응하는 출력 단자(112b)에 접속된다.
상기 등가회로의 상술된 부분에 있어서, 공진기 전극(20과 40)은 종래 SIR 방식 필터의 공진기 보다 더 넓고 가까운 공진기 부분을 갖기 때문에, 상기 공진기 부분에서의 전류 밀도는 비교적 작다. 그러므로, 관련 통과대역에서의 공진회로(120과 140)처럼 도시된 이들 공진기에서의 전도손실은 작기 때문에, 본 발명에 따른 필터(10)의 삽입손실은 종래 SIR 방식 필터 손실보다 대체적으로 더 작다. 그러나, 상기 공진기 전극(20과 40)의 근거리 공진기 부분 너비의 증가로 인해, 이러한 공진기는 종래 SI(Stepped Impedance) 공진기 보다 더 낮은 임피던스, 특히 더 작은 인덕턴스 성분을 갖는다. 결과적으로, 상기 필터(10)의 공진기를 통해 중앙 주파수를 낮추는 효과는 종래 SI 공진기를 통해서 하는 것보다 더 작은 효과를 갖는다. 일예로, 종래 SI 공진기가 보통의 스트립라인 공진기에 비해 거의 600 MHz까지 중앙 주파수를 낮추는 효과를 가질 때, 본 발명에 따른 상기 필터(10)의 공진기는 보통의 스트립라인 공진기와 비교해서 단지 중앙 주파수를 거의 400 MHz까지 낮추는 효과가 있다.
위의 사실을 볼 때, 본 발명에 따른 필터(10)는 커패시턴스 전극(18과 38)을 포함하는데, 상기 전극(18과 38)은 공진기 전극(20과 40)에 관련한 추가적인 커패시턴스를 형성하는 역할 뿐 아니라 공진기 전극(20과 40)상에서 그것들의 개방 종단 방향으로 전자 전하를 밀어내고, 그로 인하여 상기 공진기 전극의 인덕턴스 성분이 증가하게 한다. 따라서, 공진회로(120과 140)처럼 도시된 공진기의 공진 주파수는 낮아진다.
상기 공진기의 중앙 주파수가 단지 커패시턴스 전극(18과 38) 제공을 통해 낮아지는 경우에 있어서, 커패시턴스 전극(18과 38)과 공진기 전극(20과 40) 사이의 작은 거리의 변화가 중앙 주파수로 하여금 상당히 변하도록 야기시키는 것을 가능하게 한다. 상기의 이유로, 본 발명에 따른 필터(10)에 있어서, 커패시턴스 전극은 크기에서 더 제한되지만, 그 대신에, 공진기 전극(20과 40)이 절취부를 갖는 각각의 원거리 공진기 부분들에 제공된다.
따라서 공진기 전극(20과 40)의 원거리 공진기 부분(20b와 40b)은 절취부(21과 41)로 구성되기 때문에, 상기 공진기 부분의 전류는 각 절취부의 가장자리를 따라 흐르고, 결과적으로 추가적인 인덕턴스와 커패시턴스가 이러한 공진기에서 전개된다. 공진기 전극(20과 40)(이후로는 공진회로(120과 140))상의 추가적인 인덕턴스와 커패시턴스의 효과가 공진회로(121과 141)로써 표현되었는데, 상기 공진회로(121과 141)는 도 9에서 도시된 것처럼 공진회로(120과 140)에 각각 병렬로 연결되었다. 따라서, 공진기 전극(20과 40)의 공진 주파수는 절취부가 전혀 제공되지 않았을 경우와 비교해서 대체적으로 더 낮다. 상기 절취부(21과 41)의 위치와, 크기(너비 및 깊이) 및/또는 다른 매개변수를 변경함으로, 필터(10)의 통과대역 특성이 정교하게 조정될 수 있다는 사실이 인지될 것이다. 공진회로(121과 141)로써 도시된 절취부가 통과대역의 더 높은 주파수 측면에 배치된 주파수 영역에서 감쇠 폴(poles)을 생성하기 때문에, 필터(10)의 절취 특성은 개선될 것이라는 사실이 또한 인지될 것이다.
필터(10)의 판(10e)에 제공된 전극(23,24 및 25)은 공진기 전극(20과 40)사이에서의 연결을 조정하는 역할을 하고, 도 9에서 도시된 등가회로(150)를 통해 표현될 수 있다. 전극(23,24 및 25)은 절취부 주파수 영역에서 감쇠 폴을 생성한다. 일예로, 전극(23)은 일종의 노치필터(notch filter)로써 기능하고, 공진기 전극(20,40)의 길이보다 더 짧은 길이를 갖는다. 그러므로 상기 전극(23)은 필터(10)의 통과 대역 폭 중앙 주파수보다 훨씬 더 높은 주파수에서 공진점을 갖고, 그로 인해 필터(10)의 차단 특성이 개선된다.
상술된 실시예에서, 상기 절취부(21과 41)는 그것의 특성 측면 모서리 부분에서 공진기 전극(20과 40)의 원거리 공진기 부분에 제공된다. 그러나, 상기 절취부는 그것의 양쪽의 측면 모서리 부분에서 각 원거리 공진기 부분에 제공될 수도 있다. 더욱이, 다수의 절취부의 개수는 하나로 제한되지 않고 하나 이상으로 될 필요가 있다. 또한, 각 유전판(10a-10h)은 각각의 필요한 두께를 갖도록 선택될 수 있는데, 상기 판(10b,10c,10f 및 10g)의 각 두께는 바람직하게 반사의 감쇠량이 최적으로 선택되어야 한다.
이제 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유전 필터가 도 10을 참조로 하여 기술될 것이다.
상기 제 2 실시예에 따른 유전 필터(210)는 다음의 관점에 있어서 제 1 실시예에 따른 필터(10)와 다르다. 필터(210)에 있어서, 3개의 유전판(210i, 210j 및 210k)은 제 1 공진기 전극(220)이 제공되는 유전판(210d)과 제 2 공진기 전극(240)이 제공되는 유전판(210f) 사이에 삽입된다. 공진기 전극(220,240) 사이에서 연결을 조정하기 위해서, 상기 판(210i,210j 및 210k)상에는 전극(226,227 및 228)이 각각 제공된다.
상기 판(210i)에 제공되고 소정 길이를 갖는 스트립과 같은 전극(226)은 스트립은 접지 단자 전극(211a와 211b)으로부터 소정의 거리만큼 이격되고, 전극(211a,211b)과 평행하게 연장한다. 필터(210)의 두께 방향으로 볼 때, 상기 전극(226)은 일부에서 공진기 전극(220)의 원거리 공진기 부분과 겹쳐진다. 상기 판(210k)상의 전극(228)은 도 10에서 필터(210)를 좌우 반으로 분할하는 가상 평면을 참조로 하면 전극(226)과 대칭이다.
판(210j)에 제공된 전극(227)은 SI 방식의 공진기를 구성하고, 근거리 종단에서 접지 전극(211b)에 연결되고 상기 접지 전극으로부터 일정한 너비를 갖는 판(210j)의 중앙 부분 방향에 수직으로 확장하는 근거리 공진기 부분(227a)과, 증가된 일정 너비를 갖는 근거리 공진기 부분으로부터 더 연장하고 개방된 원거리종단을 갖는 근거리 공진기 부분(227b)을 포함한다. 공진기 부분(227b)은 그 양측 에지부에 형성된 절취부(229a 및 229b)를 구비한다.
상술된 제 2 실시예에 따라 필터(210)와 함께 제 1 실시예의 필터(10)에서 획득된 효과와 유사한 유효한 효과가 획득될 수 있다. 또한 전극(226-228)의 위치, 형태 및 크기에 기초한 필터(210)의 대역 특성을 조정하는 것이 가능하다.
다양한 개선과 변경이 본 발명의 사상과 범주를 벗어남이 없이 이루어질 수 있음은 당업자에게는 자명할 것이다. 다음의 청구범위에 의해 표시되는 본 발명의 사상과 범주에 대해, 명세서와 실시예는 단지 예시적일 뿐이다.

Claims (9)

  1. 유전체 필터로서, 하나 이상의 유전체 층이 샌드위치 방식으로 삽입된 각각의 평행한 평면에 배치되고, 서로 전자기적으로 접속되는 두 개 이상의 스트립라인 공진기를 포함하는 유전 필터에 있어서,
    상기 두 개 이상의 스트립라인 공진기 각각은, 공진기의 근거리 종단부에 접지된 제 1 스트립라인 부분과, 상기 제 1 스트립라인 부분이 확장과 동일한 방향에서 상기 제 1 스트립라인 부분의 근거리 종단부로부터 연장하는 제 2 스트립라인 부분을 포함하되,
    상기 제 1 스트립라인 부분의 폭은 상기 제 2 스트립라인 부분의 폭보다 약간 더 작으며, 상기 제 2 스트립라인 부분의 측면 에지부는,
    상기 제 1 및 제 2 스트립라인 부분이 연장하는 방향과 수직한 동일 방향으로 상기 제 1 스트립라인 부분의 각 측면 모서리에 대해 이동되는 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 스트립라인 부분의 대응 측면 모서리에 대해 상기 제 2 스트립라인 부분의 한 쪽의 측면 모서리 이동은 실질적으로 "0" 인 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 일반적으로 정사각형 형태의 하나 이상의 절취부가 적어도 하나의 측면 모서리 부분에서 상기 스트립라인 공진기 중 적어도 하나의 제 2 스트립라인 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 스트립과 같은 튜닝 전극은, 상기 스트립라인 공진기 사이의 전자기 커플링 조정을 위해, 상기 스트립라인 공진기 사이에 삽입된 적어도 하나의 유전체 층에 제공되되, 상기 하나 이상의 스트립과 같은 튜닝 전극의 종단 중 최대 하나가 접지되는 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 하나 이상의 스트립과 같은 튜닝 전극이 하나의 종단에서 접지되고, 상기 스트립라인 공진기와 같은 동일한 방향으로 연장하는 제 1 튜닝 전극과, 플로팅 상태에 있고 상기 스트립라인 공진기가 연장하는 방향에 수직인 방향으로 연장하는 적어도 하나의 제 2 튜닝 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 스트립라인 공진기 사이에 삽입되는 최소 하나의 상기 유전체 층은, 제 1 튜닝 전극이 하나의 종단에 접지되고 상기 스트립라인 공진기가 제공되는 동일한 방향으로 연장하는 제 1 유전체 층과, 플로팅 상태에 있고 상기 스트립라인 공진기가 연장하는 방향에 수직인 방향으로 연장하는 적어도 하나의 제 2 튜닝 전극이 제공되는 제 2 유전체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필터는 최소 하나의 스트립라인 공진기의 상기 제 2 스트립라인 위치에 전기 용량적인 연결을 위해 용량성 전극이 제공되는 상기 스트립라인 공진기의 외부에 배치되는 하나 이상의 다른 유전체 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 각 유전체 층은 그 두께의 방향으로 볼 때 정사각형 형태를 갖고, 상기 두 개 이상의 스트립라인 공진기는 한 쌍의 스트립라인 공진기로 이루어지되, 상기 하나의 스트립라인선로 공진기의 제 1 스트립라인 부분은 더 긴 측면에 대체적으로 수직한 방향으로의 동일한 유전체 층의 하나의 더 짧은 측면 가까이에 상기 하나의 스트립라인 공진기가 제공되는 상기 유전체 층의 상기 하나의 더 긴 측면의 부분으로부터 확장하고, 상기 하나의 스트립라인 공진기의 제 2 스트립라인 부분은 상기 제 1 스트립라인 부분에 대해 상기 유전체 층의 다른 더 짧은 측면의 방향으로 이동되고, 상기 한 쌍의 스트립라인 공진기의 나머지 부분은 상기 한 쌍의 스트립라인 공진기 중 상기 하나에 대해 역-반사 관계로 되는 것을 특징으로 하는 유전 필터.
  9. 유전 필터의 대역 특성을 조정하는 방법에 있어서,
    제 3항 내지 제 8항의 어느 한 항에서 청구되어진 바와 같이 상기 관련된 제 2 스트립라인 일부에서의 상기 절취부의 깊이, 너비 및/또는 위치가 조정되는 유전 필터의 대역 특성을 조정하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687421B1 (ko) * 2005-10-27 2007-02-26 주식회사 에이스테크놀로지 반사파의 위상을 이용한 필터의 튜닝 장치 및 그 방법과그에 의해 튜닝된 필터

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19962028A1 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Philips Corp Intellectual Pty Filteranordnung
US20020158305A1 (en) * 2001-01-05 2002-10-31 Sidharth Dalmia Organic substrate having integrated passive components
US6900708B2 (en) * 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
US6987307B2 (en) * 2002-06-26 2006-01-17 Georgia Tech Research Corporation Stand-alone organic-based passive devices
US7260890B2 (en) * 2002-06-26 2007-08-28 Georgia Tech Research Corporation Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures
US7489914B2 (en) * 2003-03-28 2009-02-10 Georgia Tech Research Corporation Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates
US8345433B2 (en) * 2004-07-08 2013-01-01 Avx Corporation Heterogeneous organic laminate stack ups for high frequency applications
JP4502937B2 (ja) * 2005-11-22 2010-07-14 京セラ株式会社 積層ストリップラインフィルタ
US7439840B2 (en) 2006-06-27 2008-10-21 Jacket Micro Devices, Inc. Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors
US7808434B2 (en) 2006-08-09 2010-10-05 Avx Corporation Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices
US7989895B2 (en) * 2006-11-15 2011-08-02 Avx Corporation Integration using package stacking with multi-layer organic substrates
KR100867042B1 (ko) 2007-01-30 2008-11-04 레이티언 캄파니 분산-공급 커플드-링 공진기-쌍 타원-함수 필터용 장치 및 방법과 이 필터를 포함하는 전송기 및 수신기
JP2008278360A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサ
US10158153B2 (en) * 2015-03-17 2018-12-18 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Bandstop filters with minimum through-line length
US11862835B2 (en) * 2020-08-13 2024-01-02 Cyntec Co., Ltd. Dielectric filter with multilayer resonator

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU470880A1 (ru) * 1973-10-29 1975-05-15 Ленинградский Электротехнический Институт Связи Им.Профессора М.А.Бонч-Бруевича Фильтр свч
US5105173A (en) * 1989-11-20 1992-04-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Band-pass filter using microstrip lines
JP3126155B2 (ja) * 1991-01-31 2001-01-22 ティーディーケイ株式会社 高周波フィルタ
WO1992012548A1 (en) * 1990-12-26 1992-07-23 Tdk Corporation High-frequency device
JP2502824B2 (ja) * 1991-03-13 1996-05-29 松下電器産業株式会社 平面型誘電体フィルタ
US5374909A (en) * 1992-02-28 1994-12-20 Ngk Insulators, Ltd. Stripline filter having internal ground electrodes
KR940704070A (ko) * 1992-10-14 1994-12-12 모리시다 요오이찌 필터 및 그 제조방법(filter and method of manufacturing the same)
DE69432059T2 (de) * 1993-08-24 2003-11-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Geschichtetes dielektrisches Filter
JP3529848B2 (ja) * 1993-08-24 2004-05-24 松下電器産業株式会社 誘電体フィルタ
DE69523041T2 (de) * 1994-12-19 2002-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Streifenleitungsfilter, empfänger mit einem streifenleitungsfilter und verfahren zur abstimmung eines derartigen filters
DE69708104T2 (de) * 1996-07-31 2002-07-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mehrschichtiger zweiband-bandpassfilter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687421B1 (ko) * 2005-10-27 2007-02-26 주식회사 에이스테크놀로지 반사파의 위상을 이용한 필터의 튜닝 장치 및 그 방법과그에 의해 튜닝된 필터

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Publication number Publication date
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US6127905A (en) 2000-10-03

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