JP2008278360A - 積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサ - Google Patents
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Abstract
【課題】
減衰回路を追加することなく新たに減衰極を発生させることができ、かつ、減衰極の周波数を独立に制御することにより、フィルタの減衰特性を改善することができる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサを提供すること。
【解決手段】
本発明による積層型バンドパスフィルタは、積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器が、第一のインダクタ導体と、第二のインダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、各第一の共振器において、前記第二のインダクタ導体と、前記接地導体と容量結合する導体とで第二の直列共振器を形成し、前記第一の共振器の共振周波数帯域より高域側の周波数帯域に、前記第二の直列共振器によるノッチの周波数を設定して成る。
【選択図】 図１
減衰回路を追加することなく新たに減衰極を発生させることができ、かつ、減衰極の周波数を独立に制御することにより、フィルタの減衰特性を改善することができる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサを提供すること。
【解決手段】
本発明による積層型バンドパスフィルタは、積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器が、第一のインダクタ導体と、第二のインダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、各第一の共振器において、前記第二のインダクタ導体と、前記接地導体と容量結合する導体とで第二の直列共振器を形成し、前記第一の共振器の共振周波数帯域より高域側の周波数帯域に、前記第二の直列共振器によるノッチの周波数を設定して成る。
【選択図】 図１
Description
本発明は、マイクロ波帯域で使用され得る積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサに関する。
従来から、複数の誘電体層を積層して成る共振器を備えたフィルタにおいて、共振器のインダクタ導体としてビアホールを用いる構造は提案されている。
具体的には、特許文献１において、積層される複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を厚み方向に貫通するビアホールによって形成される複数のインダクタと、前記複数の誘電体層間に形成されるコンデンサ電極間に形成される複数のコンデンサとを備え、前記インダクタを前記コンデンサ電極の主面に直交する方向に設け、前記複数のインダクタ及び前記複数のコンデンサをそれぞれ並列接続し、前記複数のインダクタ及び前記複数のコンデンサによって複数のＬＣ共振器を形成し、前記複数のＬＣ共振器の前記複数のインダクタを電磁結合したＬＣフィルタが提案されている。
具体的には、特許文献１において、積層される複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を厚み方向に貫通するビアホールによって形成される複数のインダクタと、前記複数の誘電体層間に形成されるコンデンサ電極間に形成される複数のコンデンサとを備え、前記インダクタを前記コンデンサ電極の主面に直交する方向に設け、前記複数のインダクタ及び前記複数のコンデンサをそれぞれ並列接続し、前記複数のインダクタ及び前記複数のコンデンサによって複数のＬＣ共振器を形成し、前記複数のＬＣ共振器の前記複数のインダクタを電磁結合したＬＣフィルタが提案されている。
また、特許文献２において、入力端子および出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に電気的に接続された少なくとも二つのＬＣ共振器と、前記入力端子と前記ＬＣ共振器との間に電気的に接続された入力側ＬＣトラップ回路と、前記出力端子と前記ＬＣ共振器との間に電気的に接続された出力側ＬＣトラップ回路とを備え、前記入力端子に電気的に接続されたＬＣ共振器を形成するインダクタの一部分が前記入力側ＬＣトラップ回路を形成するインダクタとして共用され、かつ、前記出力端子に電気的に接続されたＬＣ共振器を形成するインダクタの一部分が前記出力側ＬＣトラップ回路を形成するインダクタとして共用されている積層型ＬＣフィルタが提案されている。この特許文献２においても、前記LC共振器及びLCトラップ回路のインダクタを、複数の誘電体層を厚み方向に貫通するビアホールで形成することが開示されている。
図１３は、特許文献２において開示されている積層型ＬＣフィルタの分解斜視図である。
図１３に示すように、積層型ＬＣフィルタ１００は、結合コンデンサ導体１１０を表面に設けた絶縁体シート１０３と、共振器用コンデンサ導体１１１，１１２を表面に設けた絶縁体シート１０４と、ＬＣトラップ用コンデンサ導体１１３，１１４、１１５及び１１６をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート１０６及び１０７と、インダクタ用ビアホール１１７ｂ，１１８ｂ、１１７ｅ，１１８ｅをそれぞれ設けた絶縁体シート１０５，１０８と、グランド導体１１９，１２０をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート１０２，１０９にて構成されている。
共振器用コイル導体であるインダクタ用ビアホール１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅは、それぞれ絶縁体シート１０２〜１０９の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４の長さの共振器用インダクタＬ１０１，Ｌ１０２を構成し、これら共振器用インダクタＬ１０１，Ｌ１０２の軸方向は絶縁体シート１０２〜１０９の表面に対して垂直である。
前記絶縁体シート１０４において、共振器用コンデンサ導体１１１の引出し部１１１ａはシート１０４の左辺に露出し、入力端子に接続され、共振器用コンデンサ導体１１２の引出し部１１２ａはシート１０４の右辺に露出し、出力端子に接続される。
図１２は、図１３に示した積層型ＬＣフィルタ１００の電気等価回路図である。
共振器用インダクタＬ１０１と共振器用コンデンサＣ１０１は並列共振回路を形成し、ＬＣ共振器Ｑ１０１を形成している。共振器用インダクタＬ１０２と共振器用コンデンサＣ１０２は並列共振回路を形成し、ＬＣ共振器Ｑ１０２を形成している。ＬＣ共振器Ｑ１０１，Ｑ１０２は結合コンデンサＣ１０３を介して相互に電気的に接続され、２段のバンドパスフィルタを形成している。また、共振器用インダクタＬ１０１の一部分Ｌ１０１ａとＬＣトラップ用コンデンサＣ１０４とは入力側ＬＣトラップ回路Ｔ１０１を形成している。同様に、共振器用インダクタＬ１０２の一部分Ｌ１０２ａとＬＣトラップ用コンデンサＣ１０５とは出力側ＬＣトラップ回路Ｔ１０２を形成している。
図１３に示すように、積層型ＬＣフィルタ１００は、結合コンデンサ導体１１０を表面に設けた絶縁体シート１０３と、共振器用コンデンサ導体１１１，１１２を表面に設けた絶縁体シート１０４と、ＬＣトラップ用コンデンサ導体１１３，１１４、１１５及び１１６をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート１０６及び１０７と、インダクタ用ビアホール１１７ｂ，１１８ｂ、１１７ｅ，１１８ｅをそれぞれ設けた絶縁体シート１０５，１０８と、グランド導体１１９，１２０をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート１０２，１０９にて構成されている。
共振器用コイル導体であるインダクタ用ビアホール１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅは、それぞれ絶縁体シート１０２〜１０９の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４の長さの共振器用インダクタＬ１０１，Ｌ１０２を構成し、これら共振器用インダクタＬ１０１，Ｌ１０２の軸方向は絶縁体シート１０２〜１０９の表面に対して垂直である。
前記絶縁体シート１０４において、共振器用コンデンサ導体１１１の引出し部１１１ａはシート１０４の左辺に露出し、入力端子に接続され、共振器用コンデンサ導体１１２の引出し部１１２ａはシート１０４の右辺に露出し、出力端子に接続される。
図１２は、図１３に示した積層型ＬＣフィルタ１００の電気等価回路図である。
共振器用インダクタＬ１０１と共振器用コンデンサＣ１０１は並列共振回路を形成し、ＬＣ共振器Ｑ１０１を形成している。共振器用インダクタＬ１０２と共振器用コンデンサＣ１０２は並列共振回路を形成し、ＬＣ共振器Ｑ１０２を形成している。ＬＣ共振器Ｑ１０１，Ｑ１０２は結合コンデンサＣ１０３を介して相互に電気的に接続され、２段のバンドパスフィルタを形成している。また、共振器用インダクタＬ１０１の一部分Ｌ１０１ａとＬＣトラップ用コンデンサＣ１０４とは入力側ＬＣトラップ回路Ｔ１０１を形成している。同様に、共振器用インダクタＬ１０２の一部分Ｌ１０２ａとＬＣトラップ用コンデンサＣ１０５とは出力側ＬＣトラップ回路Ｔ１０２を形成している。
特許文献１及び２に記載のフィルタは、上記したように、共振器のインダクタ導体としてビアホールを用いている。そして、ビアホールの断面積は、ストリップラインの断面積より大きくなるため、導体の損失を低減し、挿入損失値を改善することが可能になる。
しかし、特許文献１におけるフィルタにおいて、二つの共振器を用いてバンドパスフィルタを構成する場合、共振器間の結合が容量性であれば通過帯域の低域側に、磁界性（誘導性）であれば通過帯域の高域側に、一つの減衰極を発生させることはできるが、二つ以上の減衰極を発生させる為には新たに減衰回路を追加しなければならない。即ち、追加回路を形成する為のスペースを確保しなければならないため、小型化の妨げとなるという問題がある。
しかし、特許文献１におけるフィルタにおいて、二つの共振器を用いてバンドパスフィルタを構成する場合、共振器間の結合が容量性であれば通過帯域の低域側に、磁界性（誘導性）であれば通過帯域の高域側に、一つの減衰極を発生させることはできるが、二つ以上の減衰極を発生させる為には新たに減衰回路を追加しなければならない。即ち、追加回路を形成する為のスペースを確保しなければならないため、小型化の妨げとなるという問題がある。
特許文献２では、新たに減衰回路（トラップ回路）を追加することが提案されている。このトラップ回路では、ＬＣ並列共振回路を形成するインダクタ電極をλ/4共振器を形成するインダクタ電極の一部と共用させ、またＬＣ並列共振回路を形成する為の接続電極を共振器用コンデンサ形成層と同一層に形成することで、導体印刷層を増大させることなくトラップ回路の追加を可能としている。しかしながらこの構成において入出力インピーダンスを調整する為には、入出力端子と共振器に電気的に接続されたトラップ回路の「電気的な接続位置」を調整する必要がある。具体的には図１３における引出し部１１１ａ及び１１２ａの積層方向の位置を調整する必要があり、必ずしも共振器用コンデンサ形成層と同一層に配置させることが最適となる訳ではなく、状況によってはやはり接続電極を印刷する為の層を追加しなければならなくなり、小型化の妨げとなるという問題がある。
本発明は、減衰回路を追加することなく新たに減衰極を発生させることができ、かつ、減衰極の周波数を独立に制御することにより、フィルタの減衰特性を改善することができる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサを提供することを目的としている。
本発明は、減衰回路を追加することなく新たに減衰極を発生させることができ、かつ、減衰極の周波数を独立に制御することにより、フィルタの減衰特性を改善することができる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサを提供することを目的としている。
上記の目的を達成するために、本発明による積層型バンドパスフィルタは、積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器が、第一のインダクタ導体と、第二のインダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、各第一の共振器において、前記第二のインダクタ導体と、前記接地導体と容量結合する導体とで第二の直列共振器を形成し、前記第一の共振器の共振周波数帯域より高域側の周波数帯域に、前記第二の直列共振器によるノッチの周波数を設定したことを特徴とする。
また、本発明によれば、第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとにより形成されたダイプレクサにおいて、前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、前記バンドパスフィルタから成るダイプレクサが提供され得る。
また、本発明によれば、第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとにより形成されたダイプレクサにおいて、前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、前記バンドパスフィルタから成るダイプレクサが提供され得る。
本発明による積層型バンドパスフィルタは、積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器が、第一のインダクタ導体と、第二のインダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、各第一の共振器において、前記第二のインダクタ導体と、前記接地導体と容量結合する導体とで第二の直列共振器を形成し、前記第一の共振器の共振周波数帯域より高域側の周波数帯域に、前記第二の直列共振器によるノッチの周波数を設定する。
このように、第一の共振器の共振周波数より高域側の周波数帯域で共振して減衰極を発生させる第二の直列共振器が、第一の共振器を形成する第二のインダクタ導体及び接地導体と容量結合する導体を用いて形成されているので、新たに減衰回路を追加することなく、所望の通過帯域の高域側の減衰特性を改善することができる。
上記した構成において、第一の共振器の共振周波数は積層体の厚みを変えて第一のインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。また、接地導体との容量結合の大きさを変化させることにより調整され得る。一方、第二の共振器の共振周波数は、接地導体と容量結合する導体の容量を変えることにより、または積層体の厚みを変えて第二のインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。
ここで、接地導体と容量結合する導体の容量を変えることによる第一の共振器の共振周波数に対する影響は、積層体の厚みを変えて第一のインダクタの大きさを変化させることにより相殺することができる。このため、第一の共振器と第二の共振器の共振周波数を各々独立して調整することが可能になり、その結果、周波数調整を容易に行うことができ、設計の自由度を広げることができる。
さらにまた、第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとを備えたダイプレクサにおいて、前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、前記バンドパスフィルタであることにより、減衰特性に優れたダイプレクサが提供され得る。
このように、第一の共振器の共振周波数より高域側の周波数帯域で共振して減衰極を発生させる第二の直列共振器が、第一の共振器を形成する第二のインダクタ導体及び接地導体と容量結合する導体を用いて形成されているので、新たに減衰回路を追加することなく、所望の通過帯域の高域側の減衰特性を改善することができる。
上記した構成において、第一の共振器の共振周波数は積層体の厚みを変えて第一のインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。また、接地導体との容量結合の大きさを変化させることにより調整され得る。一方、第二の共振器の共振周波数は、接地導体と容量結合する導体の容量を変えることにより、または積層体の厚みを変えて第二のインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。
ここで、接地導体と容量結合する導体の容量を変えることによる第一の共振器の共振周波数に対する影響は、積層体の厚みを変えて第一のインダクタの大きさを変化させることにより相殺することができる。このため、第一の共振器と第二の共振器の共振周波数を各々独立して調整することが可能になり、その結果、周波数調整を容易に行うことができ、設計の自由度を広げることができる。
さらにまた、第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとを備えたダイプレクサにおいて、前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、前記バンドパスフィルタであることにより、減衰特性に優れたダイプレクサが提供され得る。
以下、添付図面に示した幾つかの実施例を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のバンドパスフィルタの一実施例の回路構成を概略的に示す図である。
図１に示すように、このバンドパスフィルタは、二つの共振線路を備えている。
一方の共振線路は、コンデンサＣ１１及び共振素子Ｌ１１，Ｌ１２から成り、他方の共振線路は、コンデンサＣ２１及び共振素子Ｌ２１，Ｌ２２から成る。
一方の共振線路における共振素子Ｌ１１，Ｌ１２の接続点はコンデンサＣ１２を介して入力端子ＩＮに接続され、かつ、コンデンサＣ３１を介して、他方の共振線路における共振素子Ｌ２１、Ｌ２２間の接続点にも接続されている。前記共振素子Ｌ２１、Ｌ２２間の接続点は、コンデンサＣ２２を介して出力端子ＯＵＴにも接続されている。
また、一方の共振線路における共振素子Ｌ１１及びコンデンサＣ１１は各々接地されている。他方の共振線路における共振素子Ｌ２１及びコンデンサＣ２１は各々接地されている。
図１に示す符号Ｍは、共振素子Ｌ１１、Ｌ２１間及び共振素子Ｌ１２、Ｌ２２間の誘導性結合を示し、共振素子間の間隔に応じてその大きさが設定され得る。
上記したように構成されたバンドパスフィルタは、所望の通過帯域で共振する二つの第一共振器Ｒ１，Ｒ２と、前記通過帯域の高域側に減衰極を発生させる二つの第二直列共振器Ｒ３,Ｒ４とを有する。
所望の通過帯域で共振する一方の第一共振器Ｒ１は、共振素子Ｌ１１，Ｌ１２及びコンデンサＣ１１から成り、他方の第一共振器Ｒ２は、共振素子Ｌ２１，Ｌ２２及びコンデンサＣ２１から成る。
また、第一共振器の共振周波数の高域側に減衰極を発生させる一方の第二直列共振器Ｒ３は、前記第一共振器Ｒ１を形成する共振素子Ｌ１２及びコンデンサＣ１１から成り、他方の第二直列共振器Ｒ４は、前記第一共振器Ｒ２を形成する共振素子Ｌ２２及びコンデンサＣ２１から成る。
図１は、本発明のバンドパスフィルタの一実施例の回路構成を概略的に示す図である。
図１に示すように、このバンドパスフィルタは、二つの共振線路を備えている。
一方の共振線路は、コンデンサＣ１１及び共振素子Ｌ１１，Ｌ１２から成り、他方の共振線路は、コンデンサＣ２１及び共振素子Ｌ２１，Ｌ２２から成る。
一方の共振線路における共振素子Ｌ１１，Ｌ１２の接続点はコンデンサＣ１２を介して入力端子ＩＮに接続され、かつ、コンデンサＣ３１を介して、他方の共振線路における共振素子Ｌ２１、Ｌ２２間の接続点にも接続されている。前記共振素子Ｌ２１、Ｌ２２間の接続点は、コンデンサＣ２２を介して出力端子ＯＵＴにも接続されている。
また、一方の共振線路における共振素子Ｌ１１及びコンデンサＣ１１は各々接地されている。他方の共振線路における共振素子Ｌ２１及びコンデンサＣ２１は各々接地されている。
図１に示す符号Ｍは、共振素子Ｌ１１、Ｌ２１間及び共振素子Ｌ１２、Ｌ２２間の誘導性結合を示し、共振素子間の間隔に応じてその大きさが設定され得る。
上記したように構成されたバンドパスフィルタは、所望の通過帯域で共振する二つの第一共振器Ｒ１，Ｒ２と、前記通過帯域の高域側に減衰極を発生させる二つの第二直列共振器Ｒ３,Ｒ４とを有する。
所望の通過帯域で共振する一方の第一共振器Ｒ１は、共振素子Ｌ１１，Ｌ１２及びコンデンサＣ１１から成り、他方の第一共振器Ｒ２は、共振素子Ｌ２１，Ｌ２２及びコンデンサＣ２１から成る。
また、第一共振器の共振周波数の高域側に減衰極を発生させる一方の第二直列共振器Ｒ３は、前記第一共振器Ｒ１を形成する共振素子Ｌ１２及びコンデンサＣ１１から成り、他方の第二直列共振器Ｒ４は、前記第一共振器Ｒ２を形成する共振素子Ｌ２２及びコンデンサＣ２１から成る。
上記した回路構成により、共振を生じさせる所望の通過帯域は、第一共振器Ｒ１及びＲ２を構成する素子により調整され、第一共振器の通過帯域の高域側の減衰極は、第二共振器Ｒ３及びＲ４を構成する素子により調整される。
ここで、共振が生じる所望の通過帯域の高域側に減衰極を発生させる第二共振器Ｒ３及びＲ４は、各々所望の通過帯域で共振する第一共振器Ｒ１及びＲ２を形成する共振素子の一部Ｌ１２，Ｌ２１及びコンデンサＣ１１，Ｃ２１で形成されているが、第二共振器Ｒ３及びＲ４の素子を用いて、高域側の減衰極の周波数を調整しても、その調整が第一共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に与える影響は比較的小さい。また必要に応じて第一共振器Ｒ１及びＲ２を形成する共振素子の一部Ｌ１１，Ｌ２１を用いて調整することができる。このように、別途回路を追加することなく、第一共振器の通過帯域の高域側に減衰極を発生させる独立して調整可能な第二共振器を設けることができるため、フィルタを大型化することなく、第一共振器の通過帯域の高域側の減衰極特性を改善することが可能になる。
ここで、共振が生じる所望の通過帯域の高域側に減衰極を発生させる第二共振器Ｒ３及びＲ４は、各々所望の通過帯域で共振する第一共振器Ｒ１及びＲ２を形成する共振素子の一部Ｌ１２，Ｌ２１及びコンデンサＣ１１，Ｃ２１で形成されているが、第二共振器Ｒ３及びＲ４の素子を用いて、高域側の減衰極の周波数を調整しても、その調整が第一共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に与える影響は比較的小さい。また必要に応じて第一共振器Ｒ１及びＲ２を形成する共振素子の一部Ｌ１１，Ｌ２１を用いて調整することができる。このように、別途回路を追加することなく、第一共振器の通過帯域の高域側に減衰極を発生させる独立して調整可能な第二共振器を設けることができるため、フィルタを大型化することなく、第一共振器の通過帯域の高域側の減衰極特性を改善することが可能になる。
以下に、上記した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの幾つかの具体的実施例を説明していく。
図２は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの一実施例の外観の斜視図である。
このバンドパスフィルタは、６枚の誘電体層Ｍ１〜Ｍ６を積層した多層基板で構成され、縦幅約２．０ｍｍ、横幅約２．５ｍｍ、高さ約０．８５ｍｍの寸法を有する。
図２中、符号Ｔ１及びＴ２は接地端子を示し、符号ＩＮは入力端子を、符号ＯＵＴは出力端子を各々示している。
図３は、図２に示すバンドパスフィルタを構成する各誘電体層の概略平面図を、図４は図２に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
誘電体層Ｍ１、Ｍ３、Ｍ５及びＭ６は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ２及びＭ４は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
各誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ１及びＴ２、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。
図２は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの一実施例の外観の斜視図である。
このバンドパスフィルタは、６枚の誘電体層Ｍ１〜Ｍ６を積層した多層基板で構成され、縦幅約２．０ｍｍ、横幅約２．５ｍｍ、高さ約０．８５ｍｍの寸法を有する。
図２中、符号Ｔ１及びＴ２は接地端子を示し、符号ＩＮは入力端子を、符号ＯＵＴは出力端子を各々示している。
図３は、図２に示すバンドパスフィルタを構成する各誘電体層の概略平面図を、図４は図２に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
誘電体層Ｍ１、Ｍ３、Ｍ５及びＭ６は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ２及びＭ４は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
各誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ１及びＴ２、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。
以下、各誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の構成について詳細に説明していく。
最も下に位置する誘電体層Ｍ１上には、接地端子Ｔ１及びＴ２に接続されたグランド電極１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ２上には、共振器Ｒ１及びＲ３を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極２と、及び共振器Ｒ２及びＲ４を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ１におけるグランド電極１の対応する部分２’，３’で形成される。
最も下に位置する誘電体層Ｍ１上には、接地端子Ｔ１及びＴ２に接続されたグランド電極１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ２上には、共振器Ｒ１及びＲ３を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極２と、及び共振器Ｒ２及びＲ４を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ１におけるグランド電極１の対応する部分２’，３’で形成される。
第３の誘電体層Ｍ３上には、コンデンサＣ１２，Ｃ２２及びＣ３１の一方の電極４，５及び６が形成され、かつ、第４の誘電体層Ｍ４上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２及びＣ３１の他方の電極４’，５’及び６‘が形成されている。
これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は直列に接続された構成になる。
第３の誘電体層Ｍ３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ５上には、接地端子Ｔ１及びＴ２に接続されたグランド電極７が形成されている。
これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は直列に接続された構成になる。
第３の誘電体層Ｍ３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ５上には、接地端子Ｔ１及びＴ２に接続されたグランド電極７が形成されている。
前記誘電体層Ｍ３，Ｍ４及びＭ５には、共振素子を構成するビア導体が形成されている。ここで、ビア導体とは、誘電体層に設けられた貫通孔（ビアホール）の中に柱状の導電性材料を形成するか、又は貫通孔の内壁に沿って導電性材料を設けるかして、誘電体層間を電気的に接続するための導電経路のことをいう。
図３及び図４において、符号８，９は誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体を示し、符号１０，１１は誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体を示し、符号１２，１３は誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体８は、誘電体層Ｍ３を貫通し、その上端がコンデンサＣ３１を形成する一方の電極６に接続され、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２に接続されている。
誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体９は、誘電体層Ｍ３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極３に接続されている。
誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体１０は、誘電体層Ｍ４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４’に接続され、その下端がコンデンサＣ３１を形成する一方の電極６を通して誘電体層Ｍ３のビア導体８に接続されている。
誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体１１は、誘電体層Ｍ４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極５’及びコンデンサＣ３１を形成する他方の電極６’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ３のビア導体９に接続されている。
誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体１２は、誘電体層Ｍ５を貫通し、その上端がグランド電極７に接続され、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４’を通して誘電体層Ｍ４のビア導体１０に接続されている。
誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体１３は、誘電体層Ｍ５を貫通し、その上端がグランド電極７に接続され、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極５’及びコンデンサＣ３１を形成する他方の電極６’を通して誘電体層Ｍ４のビア導体１１に接続されている。
上記した構成により、ビア導体８，１０及び１２とコンデンサＣ１１を形成する電極２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体９，１１及び１３とコンデンサＣ２１を形成する電極３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体８，１０及び１２とコンデンサＣ１１を形成する電極２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極４，４’及び６により、ビア導体８及び１０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体１２からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体９，１１及び１３とコンデンサＣ２１を形成する電極３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極５，５’及び６’により、ビア導体９及び１１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体１３からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
図３及び図４において、符号８，９は誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体を示し、符号１０，１１は誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体を示し、符号１２，１３は誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体８は、誘電体層Ｍ３を貫通し、その上端がコンデンサＣ３１を形成する一方の電極６に接続され、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２に接続されている。
誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体９は、誘電体層Ｍ３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極３に接続されている。
誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体１０は、誘電体層Ｍ４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４’に接続され、その下端がコンデンサＣ３１を形成する一方の電極６を通して誘電体層Ｍ３のビア導体８に接続されている。
誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体１１は、誘電体層Ｍ４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極５’及びコンデンサＣ３１を形成する他方の電極６’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ３のビア導体９に接続されている。
誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体１２は、誘電体層Ｍ５を貫通し、その上端がグランド電極７に接続され、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４’を通して誘電体層Ｍ４のビア導体１０に接続されている。
誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体１３は、誘電体層Ｍ５を貫通し、その上端がグランド電極７に接続され、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極５’及びコンデンサＣ３１を形成する他方の電極６’を通して誘電体層Ｍ４のビア導体１１に接続されている。
上記した構成により、ビア導体８，１０及び１２とコンデンサＣ１１を形成する電極２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体９，１１及び１３とコンデンサＣ２１を形成する電極３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体８，１０及び１２とコンデンサＣ１１を形成する電極２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極４，４’及び６により、ビア導体８及び１０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体１２からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体９，１１及び１３とコンデンサＣ２１を形成する電極３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極５，５’及び６’により、ビア導体９及び１１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体１３からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
上記したように構成された積層型バンドパスフィルタにおいて、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数は、誘電体層Ｍ３，Ｍ４及びＭ５に形成されたビアホール８〜１３によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、積層型バンドパスフィルタの厚みにより調整され得る。またコンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ２における電極２及び３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２の厚みを変化させることでも調整され得る。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように各素子が設定され、かつ、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ２における電極２及び３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２の厚みを変化させることでも調整され得る。さらに、Ｍ３及びＭ５に形成されたビアホール８〜１１によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、誘電体層Ｍ３及びＭ４の厚みにより調整され得る。
誘電体層Ｍ２における電極２及び３の大きさを調整すること、及び誘電体層Ｍ３及びＭ４の厚みを変えることによる第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に対する影響は、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数に与える影響よりも小さい為、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数の調整が、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に与える影響は小さい。また必要に応じて誘電体層Ｍ５の厚みを変えることで第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数を調整することが出来る為、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数と、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数とは各々独立して調整することができる。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように各素子が設定され、かつ、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ２における電極２及び３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２の厚みを変化させることでも調整され得る。さらに、Ｍ３及びＭ５に形成されたビアホール８〜１１によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、誘電体層Ｍ３及びＭ４の厚みにより調整され得る。
誘電体層Ｍ２における電極２及び３の大きさを調整すること、及び誘電体層Ｍ３及びＭ４の厚みを変えることによる第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に対する影響は、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数に与える影響よりも小さい為、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数の調整が、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に与える影響は小さい。また必要に応じて誘電体層Ｍ５の厚みを変えることで第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数を調整することが出来る為、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数と、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数とは各々独立して調整することができる。
図２〜図４に示した実施例において、誘電体層Ｍ１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ５の厚みは０．５４９ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ６の厚みは０．０３ｍｍである。
図５（ａ）は、減衰極を発生させるための直列共振器を持たない従来の積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフであり、図５（ｂ）は、図２〜図４に示した本発明に係る積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフである。
図５（ａ）に示すように、従来のバンドパスフィルタでは、８ＧＨｚの周波数帯域にのみ減衰極が発生している。
これに対して、本発明に係る積層型バンドパスフィルタでは、８ＧＨｚの周波数帯域において第一共振器Ｒ１及びＲ２の共振器間結合による減衰極が発生し、かつ、それより高域側の１２ＧＨｚ付近の周波数帯域において第二共振器Ｒ３及びＲ４による減衰極が発生していることが図５（ｂ）から分かる。
図５（ａ）は、減衰極を発生させるための直列共振器を持たない従来の積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフであり、図５（ｂ）は、図２〜図４に示した本発明に係る積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフである。
図５（ａ）に示すように、従来のバンドパスフィルタでは、８ＧＨｚの周波数帯域にのみ減衰極が発生している。
これに対して、本発明に係る積層型バンドパスフィルタでは、８ＧＨｚの周波数帯域において第一共振器Ｒ１及びＲ２の共振器間結合による減衰極が発生し、かつ、それより高域側の１２ＧＨｚ付近の周波数帯域において第二共振器Ｒ３及びＲ４による減衰極が発生していることが図５（ｂ）から分かる。
次に、図６及び図７を参照して、図１に示す回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第二実施例を説明する。
図６は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第二実施例の各誘電体層の概略平面図を、図７は図６に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
図面に示すように、この積層型バンドパスフィルタは、７枚の誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７で構成されている。
ここで、誘電体層Ｍ１１、Ｍ１３、Ｍ１６及びＭ１７は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ１２、Ｍ１４及びＭ１５は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
誘電体層Ｍ１１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ１２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ１４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１５の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１６の厚みは、０．５０ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ１７の厚みは０．０３ｍｍである。
各誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。
図６は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第二実施例の各誘電体層の概略平面図を、図７は図６に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
図面に示すように、この積層型バンドパスフィルタは、７枚の誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７で構成されている。
ここで、誘電体層Ｍ１１、Ｍ１３、Ｍ１６及びＭ１７は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ１２、Ｍ１４及びＭ１５は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
誘電体層Ｍ１１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ１２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ１４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１５の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１６の厚みは、０．５０ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ１７の厚みは０．０３ｍｍである。
各誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。
以下、各誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の構成について詳細に説明していく。
最も下に位置する誘電体層Ｍ１１上には、接地端子Ｔ２１、Ｔ２２及びＴ２３に接続されたグランド電極２１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ１２上には、共振器Ｒ１及びＲ３を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極２２と、及び共振器Ｒ２及びＲ４を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極２３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ１１におけるグランド電極２１の対応する部分２２’，２３’で形成される。
最も下に位置する誘電体層Ｍ１１上には、接地端子Ｔ２１、Ｔ２２及びＴ２３に接続されたグランド電極２１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ１２上には、共振器Ｒ１及びＲ３を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極２２と、及び共振器Ｒ２及びＲ４を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極２３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ１１におけるグランド電極２１の対応する部分２２’，２３’で形成される。
第３の誘電体層Ｍ１３上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の一方の電極２４及び２５が形成され、かつ、第４の誘電体層Ｍ１４上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極２４’及び２５’が形成されている。
第３の誘電体層Ｍ１３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極２４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ１３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極２５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ１５には、コンデンサＣ３１の一方の電極を形成する電極２６が形成されており、第６の誘電体層Ｍ１６には、接地端子Ｔ２１及びＴ２２に接続されたグランド電極２７が形成されている。
前記コンデンサＣ３１の他方の電極は、誘電体層Ｍ１４に形成されたコンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極２４’及び２５’より形成される。これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は、直列に接続された構成になる。
第３の誘電体層Ｍ１３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極２４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ１３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極２５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ１５には、コンデンサＣ３１の一方の電極を形成する電極２６が形成されており、第６の誘電体層Ｍ１６には、接地端子Ｔ２１及びＴ２２に接続されたグランド電極２７が形成されている。
前記コンデンサＣ３１の他方の電極は、誘電体層Ｍ１４に形成されたコンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極２４’及び２５’より形成される。これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は、直列に接続された構成になる。
前記誘電体層Ｍ１３，Ｍ１４、Ｍ１５及びＭ１６には、共振素子を形成するビア導体が形成されている。
図６及び図７において、符号２８，２９は誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体を示し、符号３０，３１は誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体を示し、符号３２，３３は誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体を示し、符号３４，３５は誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体２８は、誘電体層Ｍ１３を貫通し、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２２に接続されている。
誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体２９は、誘電体層Ｍ１３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極２３に接続されている。
誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体３０は、誘電体層Ｍ１４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極２４’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１３のビア導体２８に接続されている。
誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体３１は、誘電体層Ｍ１４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極２５’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１３のビア導体２９に接続されている。
誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体３２は、誘電体層Ｍ１５を貫通し、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極２４’を通して誘電体層Ｍ１４のビア導体３０に接続されている。
誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体３３は、誘電体層Ｍ１５を貫通し、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極２５’を通して誘電体層Ｍ１４のビア導体３１に接続されている。
誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体３４は、誘電体層Ｍ１６を貫通し、その上端がグランド電極２７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１５のビア導体３２に接続されている。
誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体３５は、誘電体層Ｍ１６を貫通し、その上端がグランド電極２７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１５のビア導体３３に接続されている。
上記した構成により、ビア導体２８，３０，３２及び３４とコンデンサＣ１１を形成する電極２２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体２９，３１，３３及び３５とコンデンサＣ２１を形成する電極２３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体２８，３０，３２及び３４とコンデンサＣ１１を形成する電極２２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極２４，２４’及び２６により、ビア導体２８及び３０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体３２及び３４からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体２９，３１，３３及び３５とコンデンサＣ２１を形成する電極２３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極２５，２５’及び２６により、ビア導体２９，３１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体３３及び３５からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
図６及び図７において、符号２８，２９は誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体を示し、符号３０，３１は誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体を示し、符号３２，３３は誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体を示し、符号３４，３５は誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体２８は、誘電体層Ｍ１３を貫通し、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２２に接続されている。
誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体２９は、誘電体層Ｍ１３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極２３に接続されている。
誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体３０は、誘電体層Ｍ１４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極２４’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１３のビア導体２８に接続されている。
誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体３１は、誘電体層Ｍ１４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極２５’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１３のビア導体２９に接続されている。
誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体３２は、誘電体層Ｍ１５を貫通し、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極２４’を通して誘電体層Ｍ１４のビア導体３０に接続されている。
誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体３３は、誘電体層Ｍ１５を貫通し、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極２５’を通して誘電体層Ｍ１４のビア導体３１に接続されている。
誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体３４は、誘電体層Ｍ１６を貫通し、その上端がグランド電極２７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１５のビア導体３２に接続されている。
誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体３５は、誘電体層Ｍ１６を貫通し、その上端がグランド電極２７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１５のビア導体３３に接続されている。
上記した構成により、ビア導体２８，３０，３２及び３４とコンデンサＣ１１を形成する電極２２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体２９，３１，３３及び３５とコンデンサＣ２１を形成する電極２３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体２８，３０，３２及び３４とコンデンサＣ１１を形成する電極２２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極２４，２４’及び２６により、ビア導体２８及び３０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体３２及び３４からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体２９，３１，３３及び３５とコンデンサＣ２１を形成する電極２３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極２５，２５’及び２６により、ビア導体２９，３１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体３３及び３５からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
上記したように構成された積層型バンドパスフィルタにおいて、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数は、誘電体層Ｍ１３，Ｍ１４，Ｍ１５及びＭ１６に形成されたビアホール２８〜３５によって構成されたインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、積層型バンドパスフィルタの厚みにより調整され得る。またコンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ１２における電極２２及び２３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ１２の厚みを変化させることでも調整され得る。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように各素子が設定され、かつ、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ１２における電極２２及び２３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ１２の厚みを変化させることでも調整され得る。さらに、誘電体層Ｍ１３及びＭ１４に形成されたビアホール２８〜３１によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、誘電体層Ｍ１３及びＭ１４の厚みにより調整され得る。
誘電体層Ｍ１２における電極２２及び２３の大きさを調整すること、及び誘電体層Ｍ１３及びＭ１４の厚みを変えることによる第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に対する影響は、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振主巣端数に与える影響よりも小さい為、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数の調整が、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に与える影響は小さい。また必要に応じて誘電体層Ｍ１５及びＭ１６の厚みを変えることで第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数を調整することが出来る為、
第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数と、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数とは各々独立して調整することができる。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように各素子が設定され、かつ、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ１２における電極２２及び２３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ１２の厚みを変化させることでも調整され得る。さらに、誘電体層Ｍ１３及びＭ１４に形成されたビアホール２８〜３１によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、誘電体層Ｍ１３及びＭ１４の厚みにより調整され得る。
誘電体層Ｍ１２における電極２２及び２３の大きさを調整すること、及び誘電体層Ｍ１３及びＭ１４の厚みを変えることによる第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に対する影響は、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振主巣端数に与える影響よりも小さい為、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数の調整が、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に与える影響は小さい。また必要に応じて誘電体層Ｍ１５及びＭ１６の厚みを変えることで第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数を調整することが出来る為、
第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数と、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数とは各々独立して調整することができる。
次に、図８〜図１０を参照して、図１に示す回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第三実施例を説明する。
図８は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第三実施例の外観の斜視図であり、図９は、図８に示した積層型バンドパスフィルタの各誘電体層の概略平面図を、図１０は図８に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
図面に示すように、この積層型バンドパスフィルタは、７枚の誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７で構成されている。
ここで、誘電体層Ｍ２１、Ｍ２３、Ｍ２６及びＭ２７は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ２２、Ｍ２４及びＭ２５は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
誘電体層Ｍ２１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ２２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ２４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２５の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２６の厚みは、０．５２６ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ２７の厚みは０．０３ｍｍである。
各誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７の一対の対向した長辺側面にはそれぞれ三つの接地端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３、Ｔ３４、Ｔ３５及びＴ３６が印刷されており、各誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７の一対の対向した短辺側面には入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが各々印刷されている。
図８は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第三実施例の外観の斜視図であり、図９は、図８に示した積層型バンドパスフィルタの各誘電体層の概略平面図を、図１０は図８に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
図面に示すように、この積層型バンドパスフィルタは、７枚の誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７で構成されている。
ここで、誘電体層Ｍ２１、Ｍ２３、Ｍ２６及びＭ２７は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ２２、Ｍ２４及びＭ２５は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
誘電体層Ｍ２１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ２２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ２４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２５の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２６の厚みは、０．５２６ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ２７の厚みは０．０３ｍｍである。
各誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７の一対の対向した長辺側面にはそれぞれ三つの接地端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３、Ｔ３４、Ｔ３５及びＴ３６が印刷されており、各誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７の一対の対向した短辺側面には入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが各々印刷されている。
以下、各誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７の構成について詳細に説明していく。
最も下に位置する誘電体層Ｍ２１上には、接地端子Ｔ３１〜Ｔ３６に接続されたグランド電極４１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ２２上には、共振器Ｒ１及びＲ３を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極４２と、及び共振器Ｒ２及びＲ４を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極４３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ２１におけるグランド電極４１の対応する部分４２’，４３’で形成される。
最も下に位置する誘電体層Ｍ２１上には、接地端子Ｔ３１〜Ｔ３６に接続されたグランド電極４１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ２２上には、共振器Ｒ１及びＲ３を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極４２と、及び共振器Ｒ２及びＲ４を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極４３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ２１におけるグランド電極４１の対応する部分４２’，４３’で形成される。
第３の誘電体層Ｍ２３上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の一方の電極４４及び４５が形成され、かつ、第４の誘電体層Ｍ２４上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極４４’及び４５’が形成されている。
第３の誘電体層Ｍ２３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ２３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極４５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ２５には、コンデンサＣ３１の一方の電極を形成する電極４６が形成されており、第６の誘電体層Ｍ２６には、接地端子Ｔ３１〜Ｔ３６に接続されたグランド電極４７が形成されている。
前記コンデンサＣ３１の他方の電極は、誘電体層Ｍ２４に形成されたコンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極４４’及び４５’より形成される。これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は、直列に接続された構成になる。
第３の誘電体層Ｍ２３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ２３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極４５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ２５には、コンデンサＣ３１の一方の電極を形成する電極４６が形成されており、第６の誘電体層Ｍ２６には、接地端子Ｔ３１〜Ｔ３６に接続されたグランド電極４７が形成されている。
前記コンデンサＣ３１の他方の電極は、誘電体層Ｍ２４に形成されたコンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極４４’及び４５’より形成される。これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は、直列に接続された構成になる。
前記誘電体層Ｍ２３，Ｍ２４、Ｍ２５及びＭ２６には、共振素子を形成するビア導体が形成されている。
図９及び図１０において、符号４８，４９は誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体を示し、符号５０，５１は誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体を示し、符号５２，５３は誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体を示し、符号５４，５５は誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体４８は、誘電体層Ｍ２３を貫通し、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極４２に接続されている。
誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体４９は、誘電体層Ｍ２３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極４３に接続されている。
誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体５０は、誘電体層Ｍ２４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４４’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２３のビア導体４８に接続されている。
誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体５１は、誘電体層Ｍ２４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極４５’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２３のビア導体４９に接続されている。
誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体５２は、誘電体層Ｍ２５を貫通し、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４４’を通して誘電体層Ｍ２４のビア導体５０に接続されている。
誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体５３は、誘電体層Ｍ２５を貫通し、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極４５’を通して誘電体層Ｍ２４のビア導体５１に接続されている。
誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体５４は、誘電体層Ｍ２６を貫通し、その上端がグランド電極４７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２５のビア導体５２に接続されている。
誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体５５は、誘電体層Ｍ２６を貫通し、その上端がグランド電極４７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２５のビア導体５３に接続されている。
上記した構成により、ビア導体４８，５０，５２及び５４とコンデンサ電極Ｃ１１を形成する電極４２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体４９，５１，５３及び５５とコンデンサ電極Ｃ２１を形成する電極４３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体４８，５０，５２及び５４とコンデンサ電極Ｃ１１を形成する電極４２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極４４，４４’及び４６により、ビア導体４８及び５０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体５２及び５４からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体４９，５１，５３及び５５とコンデンサ電極Ｃ２１を形成する電極４３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極４５，４５’及び４６により、ビア導体４９及び５１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体５３及び５５からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
図９及び図１０において、符号４８，４９は誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体を示し、符号５０，５１は誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体を示し、符号５２，５３は誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体を示し、符号５４，５５は誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体４８は、誘電体層Ｍ２３を貫通し、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極４２に接続されている。
誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体４９は、誘電体層Ｍ２３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極４３に接続されている。
誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体５０は、誘電体層Ｍ２４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４４’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２３のビア導体４８に接続されている。
誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体５１は、誘電体層Ｍ２４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極４５’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２３のビア導体４９に接続されている。
誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体５２は、誘電体層Ｍ２５を貫通し、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４４’を通して誘電体層Ｍ２４のビア導体５０に接続されている。
誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体５３は、誘電体層Ｍ２５を貫通し、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極４５’を通して誘電体層Ｍ２４のビア導体５１に接続されている。
誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体５４は、誘電体層Ｍ２６を貫通し、その上端がグランド電極４７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２５のビア導体５２に接続されている。
誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体５５は、誘電体層Ｍ２６を貫通し、その上端がグランド電極４７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２５のビア導体５３に接続されている。
上記した構成により、ビア導体４８，５０，５２及び５４とコンデンサ電極Ｃ１１を形成する電極４２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体４９，５１，５３及び５５とコンデンサ電極Ｃ２１を形成する電極４３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２７の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体４８，５０，５２及び５４とコンデンサ電極Ｃ１１を形成する電極４２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極４４，４４’及び４６により、ビア導体４８及び５０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体５２及び５４からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体４９，５１，５３及び５５とコンデンサ電極Ｃ２１を形成する電極４３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極４５，４５’及び４６により、ビア導体４９及び５１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体５３及び５５からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
上記したように構成された積層型バンドパスフィルタにおいて、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数は、誘電体層Ｍ２３，Ｍ２４，Ｍ２５及びＭ２６に形成されたビアホール４８〜５５によって構成されたインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、積層型バンドパスフィルタの厚みにより調整され得る。またコンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ２２における電極４２及び４３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２２の厚みを変化させることでも調整され得る。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように各素子が設定され、かつ、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ２２における電極４２及び４３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２２の厚みを変化させることでも調整され得る。さらに、誘電体層Ｍ２３及びＭ２４に形成されたビアホール４８〜５１によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、誘電体層Ｍ２３及びＭ２４の厚みにより調整され得る。
図１１に、誘電体層Ｍ２２における電極４２及び４３の寸法を矢印の方向に０．５ｍｍ〜０．７ｍｍまで０．０５ｍｍ間隔で変更した時の積層型バンドパスフィルタの周波数特性を示す。
図１１から、電極４２及び４３の寸法を小さくする程、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数が、高域側へ移動していくことが分かる。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように各素子が設定され、かつ、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ２２における電極４２及び４３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２２の厚みを変化させることでも調整され得る。さらに、誘電体層Ｍ２３及びＭ２４に形成されたビアホール４８〜５１によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、誘電体層Ｍ２３及びＭ２４の厚みにより調整され得る。
図１１に、誘電体層Ｍ２２における電極４２及び４３の寸法を矢印の方向に０．５ｍｍ〜０．７ｍｍまで０．０５ｍｍ間隔で変更した時の積層型バンドパスフィルタの周波数特性を示す。
図１１から、電極４２及び４３の寸法を小さくする程、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数が、高域側へ移動していくことが分かる。
以上説明した実施例では、一つの通過帯域を有する積層型バンドパスフィルタを例に挙げて説明しているが、本発明によれば、第一の通過帯域を持つバンドパスフィルタと、第二の通過帯域を持つバンドパスフィルタとにより形成されたダイプレクサにおいて、何れか一方又は両方を、本発明に係るバンドパスフィルタで形成することにより、高域側の減衰特性に優れたダイプレクサを提供することができる。
具体的には、前記ダイプレクサとしては、前記したように第一の通過帯域を有するバンドパスフィルタと、第二の通過帯域を有するバンドパスフィルタとの両方を上記した実施例に挙げた分布定数タイプのバンドパスフィルタで形成したダイプレクサが例として挙げられる。
また、別の例として、第一の通過帯域を有するバンドパスフィルタを上記した実施例に挙げた分布定数タイプのバンドパスフィルタで形成すると共に、第二の通過帯域を有するバンドパスフィルタを集中定数タイプのバンドパスフィルタで形成したダイプレクサが挙げられる。
具体的には、前記ダイプレクサとしては、前記したように第一の通過帯域を有するバンドパスフィルタと、第二の通過帯域を有するバンドパスフィルタとの両方を上記した実施例に挙げた分布定数タイプのバンドパスフィルタで形成したダイプレクサが例として挙げられる。
また、別の例として、第一の通過帯域を有するバンドパスフィルタを上記した実施例に挙げた分布定数タイプのバンドパスフィルタで形成すると共に、第二の通過帯域を有するバンドパスフィルタを集中定数タイプのバンドパスフィルタで形成したダイプレクサが挙げられる。
Ｒ１ 第一共振器
Ｒ２ 第一共振器
Ｒ３ 第二共振器
Ｒ４ 第二共振器
Ｃ１１ コンデンサ
Ｃ１２ コンデンサ
Ｌ１ 共振素子
Ｌ１１ 共振素子
Ｌ１２ 共振素子
Ｃ２１ コンデンサ
Ｃ２２ コンデンサ
Ｌ２ 共振素子
Ｌ２１ 共振素子
Ｌ２２ 共振素子
Ｃ３１ コンデンサ
Ｔ１ 接地端子
Ｔ２ 接地端子
ＩＮ 入力端子
ＯＵＴ 出力端子
Ｍ１〜Ｍ６ 誘電体層
１ グランド電極
２ コンデンサＣ１１の一方の電極
２’ コンデンサＣ１１の他方の電極
３ コンデンサＣ２１の一方の電極
３’ コンデンサＣ２１の他方の電極
４ コンデンサＣ１２の一方の電極
４’ コンデンサＣ１２の他方の電極
５ コンデンサＣ２２の一方の電極
５’ コンデンサＣ２２の他方の電極
６ コンデンサＣ３１の一方の電極
６’ コンデンサＣ３１の他方の電極
７ グランド電極
８ 共振素子Ｌ１２の一部を構成するビア導体
９ 共振素子Ｌ２２の一部を構成するビア導体
１０ 共振素子Ｌ１２の一部を構成するビア導体
１１ 共振素子Ｌ２２の一部を構成するビア導体
１２ 共振素子Ｌ１１を構成するビア導体
１３ 共振素子Ｌ２１を構成するビア導体
Ｍ１１〜Ｍ１７ 誘電体層
Ｔ２１ 接地端子
Ｔ２２ 接地端子
Ｔ２３ 接地端子
２１ グランド電極
２２ コンデンサＣ１１の一方の電極
２２’ コンデンサＣ１１の他方の電極
２３ コンデンサＣ２１の一方の電極
２３’ コンデンサＣ２１の他方の電極
２４ コンデンサＣ１２の一方の電極
２４’ コンデンサＣ１２の他方の電極
２５ コンデンサＣ２２の一方の電極
２５’ コンデンサＣ２２の他方の電極
２６ コンデンサＣ３１の一方の電極
２７ グランド電極
２８ ビア導体
２９ ビア導体
３０ ビア導体
３１ ビア導体
３２ ビア導体
３３ ビア導体
３４ ビア導体
３５ ビア導体
Ｍ２１〜Ｍ２７ 誘電体層
Ｔ３１ 接地端子
Ｔ３２ 接地端子
Ｔ３３ 接地端子
Ｔ３４ 接地端子
Ｔ３５ 接地端子
Ｔ３６ 接地端子
４１ グランド電極
４２ コンデンサＣ１１の一方の電極
４２’ コンデンサＣ１１の他方の電極
４３ コンデンサＣ２１の一方の電極
４３’ コンデンサＣ２１の他方の電極
４４ コンデンサＣ１２の一方の電極
４４’ コンデンサＣ１２の他方の電極
４５ コンデンサＣ２２の一方の電極
４５’ コンデンサＣ２２の他方の電極
４６ コンデンサＣ３１の一方の電極
４７ グランド電極
４８ ビア導体
４９ ビア導体
５０ ビア導体
５１ ビア導体
５２ ビア導体
５３ ビア導体
５４ ビア導体
５５ ビア導体
Ｒ２ 第一共振器
Ｒ３ 第二共振器
Ｒ４ 第二共振器
Ｃ１１ コンデンサ
Ｃ１２ コンデンサ
Ｌ１ 共振素子
Ｌ１１ 共振素子
Ｌ１２ 共振素子
Ｃ２１ コンデンサ
Ｃ２２ コンデンサ
Ｌ２ 共振素子
Ｌ２１ 共振素子
Ｌ２２ 共振素子
Ｃ３１ コンデンサ
Ｔ１ 接地端子
Ｔ２ 接地端子
ＩＮ 入力端子
ＯＵＴ 出力端子
Ｍ１〜Ｍ６ 誘電体層
１ グランド電極
２ コンデンサＣ１１の一方の電極
２’ コンデンサＣ１１の他方の電極
３ コンデンサＣ２１の一方の電極
３’ コンデンサＣ２１の他方の電極
４ コンデンサＣ１２の一方の電極
４’ コンデンサＣ１２の他方の電極
５ コンデンサＣ２２の一方の電極
５’ コンデンサＣ２２の他方の電極
６ コンデンサＣ３１の一方の電極
６’ コンデンサＣ３１の他方の電極
７ グランド電極
８ 共振素子Ｌ１２の一部を構成するビア導体
９ 共振素子Ｌ２２の一部を構成するビア導体
１０ 共振素子Ｌ１２の一部を構成するビア導体
１１ 共振素子Ｌ２２の一部を構成するビア導体
１２ 共振素子Ｌ１１を構成するビア導体
１３ 共振素子Ｌ２１を構成するビア導体
Ｍ１１〜Ｍ１７ 誘電体層
Ｔ２１ 接地端子
Ｔ２２ 接地端子
Ｔ２３ 接地端子
２１ グランド電極
２２ コンデンサＣ１１の一方の電極
２２’ コンデンサＣ１１の他方の電極
２３ コンデンサＣ２１の一方の電極
２３’ コンデンサＣ２１の他方の電極
２４ コンデンサＣ１２の一方の電極
２４’ コンデンサＣ１２の他方の電極
２５ コンデンサＣ２２の一方の電極
２５’ コンデンサＣ２２の他方の電極
２６ コンデンサＣ３１の一方の電極
２７ グランド電極
２８ ビア導体
２９ ビア導体
３０ ビア導体
３１ ビア導体
３２ ビア導体
３３ ビア導体
３４ ビア導体
３５ ビア導体
Ｍ２１〜Ｍ２７ 誘電体層
Ｔ３１ 接地端子
Ｔ３２ 接地端子
Ｔ３３ 接地端子
Ｔ３４ 接地端子
Ｔ３５ 接地端子
Ｔ３６ 接地端子
４１ グランド電極
４２ コンデンサＣ１１の一方の電極
４２’ コンデンサＣ１１の他方の電極
４３ コンデンサＣ２１の一方の電極
４３’ コンデンサＣ２１の他方の電極
４４ コンデンサＣ１２の一方の電極
４４’ コンデンサＣ１２の他方の電極
４５ コンデンサＣ２２の一方の電極
４５’ コンデンサＣ２２の他方の電極
４６ コンデンサＣ３１の一方の電極
４７ グランド電極
４８ ビア導体
４９ ビア導体
５０ ビア導体
５１ ビア導体
５２ ビア導体
５３ ビア導体
５４ ビア導体
５５ ビア導体
Claims (2)
- 積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、
各第一の共振器が、第一のインダクタ導体と、第二のインダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、
各第一の共振器において、前記第二のインダクタ導体と、前記接地導体と容量結合する導体とで第二の直列共振器を形成し、
前記第一の共振器の共振周波数帯域より高域側の周波数帯域に、前記第二の直列共振器によるノッチの周波数を設定した
ことを特徴とする積層型バンドパスフィルタ。 - 第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとにより構成されたダイプレクサにおいて、
前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、請求項１に記載のバンドパスフィルタから成る
ことを特徴とする積層型バンドパスフィルタを用いたダイプレクサ。
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