KR20000062334A - Patterning chemical liquid centralized controller - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 235000015073 liquid stocks Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 3
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 3
- -1 tetramethyl ammonia hydroxide Chemical compound 0.000 description 3
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003918 potentiometric titration Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
복수의 현상실(7)로부터 보내져 오는 처리필 현상액을 집중적으로 모아서 일시 저장하는 제1 탱크(12)와, 제1 탱크(12)에 저장되어 있는 현상액의 일부가 공급되는 제2 탱크(22)와, 제2 탱크(22)에 저장되어 있는 현상액의 일부가 공급되는 제3 탱크(68)와, 제2 탱크(22)에 저장되어 있는 현상액의 pH값을 측정하는 pH 측정수단(24)과, 제2 탱크(22)에 저장되어 있는 현상액에 포함되어 있는 수지농도를 측정하는 농도 측정 수단(26)과, 상기 측정 수단(24 ,26)의 측정결과가 일정 범위가 되도록 제2 탱크(22)에 공급되는 현상원액 및/또는 순수의 양을 제어하는 제어밸브(50, 52)와, 상기 제2 탱크(22)에 저장되어 있는 현상액의 품질이 일정 범위내인 경우에만 제2 탱크(22)의 현상액의 일부를 제3 탱크(68)에 공급하는 제어밸브(42)를 가지는 장치. 패턴 가공을 행하기 위한 약액을 집중적으로 관리하고 재사용 가능한 약액을 최대한으로 재이용할 수 있으며, 또한 복수의 처리실에 일정 품질의 약액을 자동적으로 공급할 수 있다.The first tank 12 for intensively collecting and temporarily storing the treated developer sent from the plurality of developing chambers 7 and the second tank 22 to which a part of the developer stored in the first tank 12 is supplied. And a third tank 68 to which a part of the developer stored in the second tank 22 is supplied, a pH measuring means 24 for measuring the pH value of the developer stored in the second tank 22, and Concentration measuring means 26 for measuring the resin concentration contained in the developer stored in the second tank 22, and the second tank 22 so that the measurement result of the measuring means 24, 26 is in a predetermined range. Control valves 50 and 52 for controlling the amount of the developing stock solution and / or the pure water supplied to the second tank 22 and the second tank 22 only when the quality of the developing solution stored in the second tank 22 is within a predetermined range. And a control valve (42) for supplying a part of the developer in the third tank (68). The chemical liquid for pattern processing can be centrally managed, the chemical liquid reusable can be reused to the maximum, and chemical liquid of a certain quality can be automatically supplied to the plurality of processing chambers.
Description
액정기판 등의 미세가공에 이용하는 현상액을 관리하는 장치로서는 예를 들면 특개평5-40345호 공보에 개시된 관리 장치가 알려져 있다.As a device for managing a developer used for microfabrication such as a liquid crystal substrate, for example, a management device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-40345 is known.
이 관리 장치에서는 각 현상실마다 현상액 관리 장치가 장착되어 있고, 각 현상실마다 현상액의 품질을 관리하며 현상액을 재이용하고 있다. 이 관리 장치에서는 사용필(使用畢) 현상액이 저장되는 탱크내의 현상액의 용해 수지 농도와 알칼리 농도가 소정 범위가 되도록 제어하고, 그 탱크내의 현상액을 직접 공급하는 구성으로 되어 있다. 즉, 이 관리 장치에서는 사용필 현상액이 저장되는 탱크내의 현상액의 용해 수지 농도와 알칼리 농도가 소정범위가 되도록 제어할 때에 센서에 의해 농도를 측정한 후에 이 농도가 소정범위가 되도록 탱크로부터 배수를 행하고 현상 원액 및/또는 순수를 추가하도록 하고 있다.In this management apparatus, each developing chamber is equipped with a developing solution management apparatus, and each developing chamber manages the quality of the developing solution and reuses the developing solution. In this management apparatus, the solubilizing resin concentration and alkali concentration of the developing solution in the tank in which the used developer is stored are controlled so as to be within a predetermined range, and the developing solution in the tank is directly supplied. That is, in this management apparatus, when the dissolved resin concentration and alkali concentration of the developer in the tank in which the used developer is stored are controlled to be within a predetermined range, the concentration is measured by a sensor, and then drained from the tank so that the concentration is within the predetermined range. The developing stock solution and / or pure water are added.
그러나 이 관리 장치에서는 사용필 현상액이 저장되어 있는 탱크내의 현상액을 직접 가공대상이 되는 기판에 공급하는 구성이기 때문에, 패턴 가공의 대상이 되는 기판에 공급되는 현상액의 품질이 불안정하다고 하는 과제를 가진다. 즉, 탱크내의 사용필 현상액의 농도를 측정한 후에 그 농도가 일정 범위가 되도록 제어할 때까지의 사이에도 그 현상액이 계속 공급되기 때문에, 허용할 수 있는 범위외의 품질의 현상액이 계속 사용될 우려가 있다.However, in this management apparatus, since the developer in the tank in which the used developer is stored is directly supplied to the substrate to be processed, there is a problem that the quality of the developer supplied to the substrate to be processed is unstable. That is, since the developer is continuously supplied even after the concentration of the used developer in the tank is measured until the concentration is controlled to be within a certain range, there is a possibility that a developer having an acceptable range of quality can be used continuously. .
이와 같은 우려를 피하기 위해서는, 농도제어를 위한 파라메터가 되는 농도 허용 범위를 실제보다도 좁혀서 조금이라도 용해 수지 농도가 증대한 경우에는 탱크내의 현상액의 배출을 행하고 현상 원액 및 순수의 추가를 행하는 제어를 행할 필요가 있다. 그러나 이와 같은 제어에서는 재이용 가능한 사용필 현상액을 함부로 버리게 되어 현상액의 재이용을 도모하려는 의의가 적어지게 된다.In order to avoid such a concern, in the case where the concentration of dissolved resin, which is a parameter for concentration control, is narrowed down more than the actual amount and the dissolved resin concentration is increased even a little, it is necessary to control the discharge of the developing solution in the tank and the addition of the developing stock solution and the pure water. There is. However, in such a control, the reusable used developer is thrown away, so that the meaning of reusing the developer is reduced.
본 발명은 이와 같은 실상을 감안한 것으로, 예를 들면 액정기판 혹은 반도체 웨이퍼의 패턴 가공을 행하기 위한 현상액 등의 약액을 집중적으로 관리하고, 재사용이 가능한 약액을 최대한으로 재이용할 수 있으며, 또한 복수의 처리실에 일정 품질의 약액을 자동적으로 공급할 수 있는 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such a situation. For example, it is possible to intensively manage a chemical solution such as a developer for performing pattern processing on a liquid crystal substrate or a semiconductor wafer, and reuse the chemical solution that can be reused to the maximum, and a plurality of An object of the present invention is to provide a chemical processing apparatus for pattern processing that can automatically supply chemicals of a certain quality to a processing chamber.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치는, 복수의 처리실에서 보내져 오는 처리필 약액을 집중적으로 모아서 일시 저장하는 제1 탱크와,In order to achieve the above object, the chemical liquid concentration management apparatus for pattern processing according to the present invention comprises a first tank for intensively collecting and temporarily storing the processed chemical liquids sent from the plurality of processing chambers;
상기 제1 탱크에 저장되어 있는 약액의 일부를 공급받은 제2 탱크와,A second tank supplied with a part of the chemical liquid stored in the first tank,
상기 제2 탱크에 저장되어 있는 약액의 일부를 공급받은 제3 탱크와,A third tank supplied with a part of the chemical liquid stored in the second tank,
상기 제2 탱크에 저장되어 있는 약액의 전해질 이온 농도치를 측정하는 전해질 이온 농도 측정 수단과,Electrolyte ion concentration measuring means for measuring an electrolyte ion concentration value of the chemical liquid stored in the second tank;
상기 제2 탱크에 저장되어 있는 약액에 포함된 패턴 가공 대상물의 농도를 측정하는 가공 대상물 농도 측정 수단과,Processing object concentration measuring means for measuring the concentration of the pattern processing object contained in the chemical liquid stored in the second tank;
상기 전해질 이온 농도 측정 수단 및/또는 가공 대상물 농도 측정 수단에서의 측정 결과가 일정 범위가 되도록 제2 탱크에 공급되는 약액 원액 및/또는 희석액의 양을 제어하는 제어수단과,Control means for controlling the amount of the chemical liquid stock solution and / or the dilution liquid supplied to the second tank such that the measurement result in the electrolyte ion concentration measuring means and / or the object concentration measuring means is within a predetermined range;
상기 제2 탱크에 저장되어 있는 약액의 품질이 일정 범위내인 경우에만 제2 탱크에 저장되어 있는 약액의 일부를 상기 제3 탱크에 공급하는 배치식(batch式) 약액 공급수단과,A batch chemical liquid supply means for supplying a part of the chemical liquid stored in the second tank to the third tank only when the quality of the chemical liquid stored in the second tank is within a predetermined range;
상기 제3 탱크에 저장되어 있는 약액을 복수의 처리실에 공급하는 약액 주공급수단을 가진다.And a chemical liquid main supply means for supplying the chemical liquid stored in the third tank to the plurality of processing chambers.
상기 제3 탱크에 저장되어 있는 약액이 소정 이하인 경우에 상기 제3 탱크내에 전해질 이온 농도치가 조정된 신선한 약액을 공급하는 제4 탱크를 가지는 것이 더욱 바람직하다.It is more preferable to have a 4th tank which supplies the fresh chemical liquid whose electrolyte ion concentration value was adjusted in the said 3rd tank, when the chemical liquid stored in the said 3rd tank is predetermined or less.
상기 약액은 예를 들면 노광 후의 레지스트 막을 소정 패턴으로 패턴 가공하기 위한 현상액이고, 상기 처리실은 예를들면 현상실이다. 본 발명에 관한 약액으로서는 패턴 가공된 후의 레지스트막 등을 박리하기 위한 박리액이어도 된다. 본 발명에 관한 장치에 의하면 박리액의 재이용도 가능하다.The chemical liquid is, for example, a developing solution for patterning a resist film after exposure into a predetermined pattern, and the processing chamber is, for example, a developing chamber. The chemical liquid according to the present invention may be a peeling liquid for peeling a resist film after pattern processing. According to the apparatus concerning this invention, reuse of a peeling liquid is also possible.
본 발명에서는, 전해질 이온 농도 측정 수단으로서는 약액의 pH를 측정할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 전위차 적정법, 분극 적정법, 전류 적정법 등의 전기 적정법을 이용한 측정기, pH계, 도전율계를 이용할 수 있다.In the present invention, the electrolyte ion concentration measuring means is not particularly limited as long as the pH of the chemical liquid can be measured. For example, a measuring instrument, a pH meter, and a conductivity meter using an electric titration method such as potentiometric titration, polarization titration, and current titration can be used. Can be.
또, 가공 대상물 농도 측정 수단으로서는 약액에 의해 패턴 가공되는 패턴 가공 대상물의 약액중 농도를 측정할 수 있는 수단이면 특별히 한정되지 않고, 예를들면 굴절계 ; TOC (Total Organic Carbon) 분석계 ; COD계 ; 흡광 광도계 ; 형광 분석계, 인광 분석계 등의 발광 분석계 등을 이용할 수 있다. 그 중에서도 특히 약액과 프리즘의 계면에서 발생하는 빛의 굴절율을 측정함으로써 농도를 구하는 굴절율계는 약액에 의해 패턴 가공되는 패턴 가공 대상물의 약액중 농도를 정확하게 측정할 수 있기 때문에 바람직하다.Moreover, as a means to measure a process object concentration, if it is a means which can measure the density | concentration in the chemical solution of the pattern process object pattern-processed by a chemical liquid, it will not specifically limit, For example: Refractometer; TOC (Total Organic Carbon) Analyzer; COD system; Absorbance photometer; Luminescence spectrometers, such as a fluorescence spectrometer and a phosphorescence spectrometer, can be used. Among them, a refractometer for determining the concentration by measuring the refractive index of light generated at the interface between the chemical liquid and the prism is particularly preferable because it can accurately measure the concentration in the chemical liquid of the pattern processing object to be pattern-processed by the chemical liquid.
본 발명에 관한 패턴 가공용 집중 관리 장치에서는 복수의 처리실로부터 보내져 오는 처리필의 약액이 먼저 제1 탱크내에 집중적으로 일시 저장된다. 제1 탱크내에 저장되어 있는 약액의 일부는 제2 탱크로 보내진다. 제2 탱크로 보내진 양은 예를들면 제1 탱크에 단위시간당 유입되는 약액의 양과 대략 동일하다.In the central processing apparatus for pattern processing which concerns on this invention, the chemical liquid of the process liquid sent from several process chambers is temporarily and temporarily stored in a 1st tank. Some of the chemical liquid stored in the first tank is sent to the second tank. The amount sent to the second tank is approximately equal to the amount of chemical liquid introduced per unit time into the first tank, for example.
제2 탱크에서는 전해질 이온 농도 측정 수단에 의해 탱크내의 pH가 측정되고, 가공 대상물 농도 측정 수단에 의해 약액중의 패턴 가공 대상물 농도가 측정되며, 그것들의 측정치가 일정 범위가 되도록 제어된다. 보다 구체적으로는 약액중의 패턴 가공 대상물 농도가 허용 범위보다도 증대한 경우에는 그대로 재이용할 수 있는 약액이라고는 말할 수 없기 때문에, 제2 탱크내의 약액을 배출하고 동시 또는 그 후에 약액 원액 및/또는 희석액을 제2 탱크내에 공급한다. 또, 그것과 평행하게 제2 탱크내의 약액의 전해질 이온 농도가 측정되어 그 전해질 이온 농도가 소정 범위가 되도록 제2 탱크에 약액 원액 및/또는 희석액의 공급량을 제어한다.In the second tank, the pH in the tank is measured by the electrolyte ion concentration measuring means, the concentration of the pattern processing object in the chemical liquid is measured by the processing object concentration measuring means, and the measured values thereof are controlled to be within a certain range. More specifically, when the concentration of the pattern processing object in the chemical liquid is higher than the allowable range, it cannot be said that the chemical liquid can be reused as it is, so that the chemical liquid in the second tank is discharged and at the same time thereafter, the chemical liquid stock solution and / or dilution liquid. Is fed into the second tank. In addition, the electrolyte ion concentration of the chemical liquid in the second tank is measured parallel to it, and the supply amount of the chemical liquid stock solution and / or dilution liquid is controlled in the second tank so that the electrolyte ion concentration is within a predetermined range.
배치식 약액 공급 수단에서는 제2 탱크에 저장되어 있는 약액의 품질(전해질 이온 농도치 및 약액중 가공 대상물 농도)이 일정 범위내인 경우에만 제2 탱크에 저장되어 있는 약액의 일부를 상기 제3 탱크에 공급한다. 제3 탱크에의 공급량은 제3 탱크내에 저장되어 있는 약액의 액면 레벨 등을 기초로 결정된다. 예를들면 제3 탱크의 약액의 액면 레벨이 낮은 경우에는 제2 탱크로부터 제3 탱크로의 공급량을 증대시킨다. 다만, 허용 범위를 넘는 품질의 약액은 제3 탱크로 보내지 않고 제2 탱크로 되돌려 보낸다.In the batch type chemical liquid supply means, a part of the chemical liquid stored in the second tank is transferred to the third tank only when the quality (electrolyte ion concentration value and the concentration of the object to be processed in the chemical liquid) stored in the second tank is within a predetermined range. Supply. The supply amount to the third tank is determined based on the liquid level of the chemical liquid stored in the third tank and the like. For example, when the liquid level of the chemical liquid of the third tank is low, the supply amount from the second tank to the third tank is increased. However, chemicals of quality beyond the acceptable range are returned to the second tank without being sent to the third tank.
만약 스타트 업(start-up) 할 때나 비상시의 경우 등과 같이 제3 탱크에 저장되어 있는 약액의 양이 매우 적은 경우에는 백업용의 제4 탱크로부터 전해질 이온 농도치가 조정된 신선한 약액을 제3 탱크에 공급한다.If the amount of chemical liquid stored in the third tank is very small, such as during start-up or in case of an emergency, fresh chemical liquid with adjusted electrolyte ion concentration is supplied from the fourth tank for backup to the third tank. do.
제3 탱크에서는 약액 주공급수단에 의해 각 처리실에 약액이 공급된다.In the third tank, the chemical liquid is supplied to each treatment chamber by the chemical liquid main supply means.
본 발명에 관한 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치에서는 처리필의 약액은 제1 탱크 및 제2 탱크를 통해 제3 탱크로 보내지고, 여기에서부터 각 처리실로 보내진다. 따라서 사용필 약액의 재사용이 가능해진다. 또한, 제3 탱크에 저장되는 약액은 항상 일정 품질의 약액만이 저장되도록 고안되어 있기 때문에, 각 처리실에 공급되는 약액의 품질이 안정하게 된다. 또, 각 처리실에 공급되는 약액을 저장하는 탱크와 농도 조절이 행해지는 탱크가 다르기 때문에, 농도가 제어되기 전의 약액이 처리실에 공급될 우려가 적어지게 되고, 또한 폐기하는 약액의 양도 적게 할 수 있다.In the chemical liquid concentration management apparatus for pattern processing according to the present invention, the chemical liquid to be processed is sent to the third tank through the first tank and the second tank, and is sent to each processing chamber from there. Therefore, it is possible to reuse the used chemicals. In addition, since the chemical liquid stored in the third tank is designed so that only chemical liquid of a certain quality is always stored, the quality of the chemical liquid supplied to each processing chamber becomes stable. In addition, since the tanks for storing the chemical liquids supplied to the respective treatment chambers and the tanks for adjusting the concentration are different, there is less possibility that the chemical liquids before the concentration is controlled are supplied to the treatment chamber, and the amount of the chemical liquids to be discarded can be reduced. .
본 발명은 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 예를 들면 액정기판 혹은 반도체 웨이퍼의 패턴 가공을 행하기 위한 현상액 등의 액약을 집중적으로 관리하고, 약액의 재이용을 도모하는 동시에 복수의 처리실에 일정 품질의 약액을 자동적으로 공급할 수 있는 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical liquid concentration management apparatus for pattern processing. More specifically, the chemical liquid, such as a developer for performing pattern processing on a liquid crystal substrate or a semiconductor wafer, can be intensively managed, and a plurality of chemical liquids can be reused. The chemical liquid concentration management apparatus for pattern processing which can automatically supply a chemical | medical solution of a certain quality to the process chamber of this invention.
도1은 본 발명의 1실시형태에 관한 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치의 개략 구성도, 도2는 복수 처리실의 개념도, 도3은 굴절율계와 레지스트 농도의 상관관계를 도시하는 그래프이다.1 is a schematic configuration diagram of a chemical liquid concentration management apparatus for pattern processing according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a conceptual diagram of a plurality of processing chambers, and FIG. 3 is a graph showing a correlation between a refractive index meter and a resist concentration.
이하, 본 발명을 도면에 도시하는 실시형태에 따라 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail according to embodiment shown in drawing.
도1에 도시하는 본 실시형태에 관한 관리 장치(2)는, 예를 들면 도2에 도시하는 복수의 코터(4, 4, 4…)의 각 현상실(7, 7, 7…)로부터 사용필 현상액을 모으고, 집중적으로 농도 관리 제어를 행하여 제어된 현상액을 각 현상실(7, 7, 7…)에 공급하기 위한 장치이다. 도2에 도시하는 것과 같이 각 코터(4)는 예를 들면 레지스트 도포실(5), 노광실(6) 및 현상실(7)을 가진다.The management apparatus 2 which concerns on this embodiment shown in FIG. 1 is used from each developing chamber 7, 7, 7 ... of the some coater 4, 4, 4 ... shown in FIG. It is an apparatus for collecting the peeling developer and intensively performing concentration management control to supply the controlled developer to each of the developing chambers 7, 7, 7. As shown in Fig. 2, each coater 4 has a resist coating chamber 5, an exposure chamber 6, and a developing chamber 7, for example.
레지스트 도포실(5)에서는 예를 들면 액정 표시 장치의 유리기판(8)의 표면에 레지스트를 스핀코트법 등으로 도포한다. 노광실(6)에서는 레지스트가 도포된 기판(8)의 표면에 소정의 패턴을 노광한다. 현상실(7)에서는 소정의 패턴이 노광된 레지스트의 표면에 현상액을 스프레이 도포 혹은 디핑하여 현상을 행한다. 현상에 의해 레지스트는 소정 패턴으로 가공되고, 가공된 레지스트를 구성하는 수지는 사용필 현상액에 포함된 상태로 복귀 라인(10)을 통해 도1에 도시하는 제1 탱크(12)로 보내진다.In the resist coating chamber 5, a resist is applied to the surface of the glass substrate 8 of the liquid crystal display device by, for example, a spin coating method. In the exposure chamber 6, a predetermined pattern is exposed on the surface of the substrate 8 to which the resist is applied. In the developing chamber 7, development is carried out by spray coating or dipping a developer onto the surface of the resist to which a predetermined pattern is exposed. The resist is processed into a predetermined pattern by development, and the resin constituting the processed resist is sent to the first tank 12 shown in FIG. 1 through the return line 10 in a state contained in the used developer.
도1에 도시하는 것과 같이 제1 탱크(12)에는 제1 배출 라인(14)이 접속되어 있다. 제1 배출 라인(14)에는 펌프(16)가 장착되어 있다. 배출 라인(14)은 펌프(16)의 토출측에서 순환 라인(18)과 전송 라인(20)으로 분기하고 있다. 각 라인(18, 20)에는 개폐제어밸브(19, 20)가 장착되어 있다. 개폐제어밸브(19, 20)는 제1 탱크의 액면 레벨, 제2 및 제3 탱크의 상태에 따라 제어장치에 의해 개폐상태가 절환된다.As shown in FIG. 1, a first discharge line 14 is connected to the first tank 12. The first discharge line 14 is equipped with a pump 16. The discharge line 14 branches into the circulation line 18 and the transmission line 20 on the discharge side of the pump 16. Opening / closing control valves 19 and 20 are attached to each line 18 and 20. The open / close control valves 19 and 20 are switched by the control device in accordance with the liquid level of the first tank, and the states of the second and third tanks.
제1 배출 라인(14)을 통해 펌프(16)에 의해 보내진 제1 탱크(12)내의 사용필 현상액의 일부는 전송 라인(20)을 통해 개폐제어밸브(21)의 절환에 의해 제2 탱크(22)로 보내진다. 제2 탱크로 보내지는 양은 제1 및 제3 탱크(12, 68)의 액면 레벨에 따른 제어장치의 연산에 의해 행해지고, 복귀 라인(10)으로부터 제1 탱크로 되돌아오는 사용필 현상액과 대략 동일 양이 전송 라인(20)을 통해 제2 탱크(22)에 공급된다.A part of the used developer in the first tank 12 sent by the pump 16 through the first discharge line 14 is transferred to the second tank (by switching of the opening / closing control valve 21 through the transmission line 20). 22) is sent. The amount sent to the second tank is performed by calculation of the control device according to the liquid level levels of the first and third tanks 12 and 68, and is about the same amount as the used developer which returns from the return line 10 to the first tank. It is supplied to the second tank 22 via this transmission line 20.
순환 라인(18)에서는 교반을 위하여 제1 탱크(12)로부터 제2 탱크(22)로의 공급이 없는 경우에 제1 배출 라인(14)을 통해 펌프(16)에 의해 보내진 제1 탱크(12)내의 사용필 현상액이 제1 탱크(12)내에 되돌아오도록 되어 있다.In the circulation line 18, the first tank 12 sent by the pump 16 through the first discharge line 14 when there is no supply from the first tank 12 to the second tank 22 for stirring. The used developer inside is returned to the first tank 12.
제2 탱크(22)에는 측정 라인(23)이 접속되어 있다. 이 측정 라인(23)에는 전해질 이온 농도 측정 수단(24)과, 가공 대상물 농도 측정 수단(26)과, 입자 측정 수단(28)이 병렬로 장착되어 있다. 전해질 이온 농도 측정 수단(24)에서는 제2 탱크(22)내에 저장되어 있는 현상액의 전해질 이온 농도치를 측정하고, 가공 대상물농도 측정 수단(26)에서는 가공 대상물인 레지스트 수지의 농도를 측정하며, 입자 측정 수단(28)에서는 현상액중에 포함되어 있는 먼지 등의 불순물의 비율이 측정가능하게 되어 있다. 이들 측정 수단(24, 26, 28)의 측정 데이터는 도시를 생략하고 있는 제어장치에 출력하도록 되어 있다. 제어장치로서는 특정의 전기회로이어도, 마이크로컴퓨터나 퍼스널 컴퓨터를 이용한 제어장치이어도 된다.The measurement line 23 is connected to the 2nd tank 22. In this measuring line 23, an electrolyte ion concentration measuring means 24, a workpiece concentration measuring means 26, and a particle measuring means 28 are mounted in parallel. In the electrolyte ion concentration measuring means 24, the electrolyte ion concentration value of the developer stored in the second tank 22 is measured. In the object concentration measuring means 26, the concentration of the resist resin which is the object to be processed is measured. In the means 28, the ratio of impurities such as dust contained in the developing solution can be measured. The measurement data of these measuring means 24, 26, 28 is output to the control apparatus which is not shown in figure. The control device may be a specific electric circuit or a control device using a microcomputer or a personal computer.
제어장치에서는 이들 측정 데이터를 기초로 제2 탱크(22)에 저장되는 현상액의 전해질 이온 농도치, 현상액중에 포함되어 있는 가공 대상물로서의 레지스트(수지)의 농도, 현상액 중의 입자의 비율이 소정의 허용치가 되도록 후술하는 유량제어밸브를 제어한다. 현상액 농도가 소정의 허용범위라는 것은 현상되는 레지스트의 종류나 현상액의 종류에 의해서도 다르지만, 예를 들면 일례로서 현상액으로서 테트라메틸 암모니아 수산화물(TMAH)을 사용한 경우, TMAH 농도는 2.38±0.05% 정도가 바람직하다. 이 허용 범위를 초과하는 품질의 현상액이 현상실에 공급되면, 현상할 때의 감도가 변동하여, 일정 선폭의 패턴을 얻을 수 없게 될 우려가 있어 바람직하지 않다.In the control apparatus, the electrolyte ion concentration value of the developer stored in the second tank 22, the concentration of the resist (resin) as the processing target contained in the developer, and the ratio of particles in the developer are set to the predetermined allowable values based on these measured data. The flow control valve, described later, is controlled. The concentration of the developer is in a predetermined allowable range also depends on the type of resist to be developed or the type of developer. For example, when tetramethyl ammonia hydroxide (TMAH) is used as the developer, the TMAH concentration is preferably about 2.38 ± 0.05%. Do. If a developer having a quality exceeding this allowable range is supplied to the developing chamber, the sensitivity at the time of developing may fluctuate, which may make it impossible to obtain a pattern having a constant line width.
현상액중에 포함되어 있는 수지 농도의 허용범위는 패턴 가공된 레지스트의 선폭 등에 따라 결정되지만, 예를 들면 일례로서 5μm 패턴으로 선폭 변동 ±5%일 때 현상액 전체를 100 중량부로 하여 0.1 중량부 이하, 바람직하게는 0.075 중량부 이하의 범위가 바람직하다. 이 수지 농도가 허용범위를 초과하는 상태의 현상액을 이용하여 포지티브형(positive型) 현상을 행한 경우에는 용해해서는 않되는 미노광 부분의 수지를 용해시키는 경향이 있어서 소망의 선폭을 얻을 수 없어 바람직하지 않다.The allowable range of the resin concentration contained in the developer is determined depending on the line width of the patterned resist and the like, but is, for example, 0.1 parts by weight or less with 100 parts by weight of the whole developer when the line width fluctuation is ± 5% in a 5 μm pattern. Preferably, the range is 0.075 parts by weight or less. In the case where positive development is carried out using a developer in which the resin concentration exceeds the allowable range, there is a tendency to dissolve the resin in the unexposed portion which should not be dissolved. not.
본 실시형태에서는 전해질 이온 농도 측정 수단(24)으로서는 도전율계가 이용되고, 가공 대상물 농도 측정 수단(26)으로서는 현상액중에 포함되어 있는 수지의 농도를 측정할 수 있는 굴절율계가 이용되고, 입자 측정 수단(28)으로서는 액중 입자 카운터가 이용된다. 굴절율계를 이용하여 실제로 현상액중에 포함되어 있는 레지스트 수지의 농도를 측정한 결과를 도3에 도시한다. 도3에 도시하는 횡축이 현상액중의 레지스트 수지의 농도를 나타내고, 종축이 굴절율계의 눈금을 나타낸다. 굴절율계로서는 (주)아타고의 제품인 DD-7 디지털시차 농도계를 이용했다. 도3의 종축에 있어서 Brix%라는 것은 자당액(蔗糖液) 100g중에 포함되는 자당의 그램수를 잰 것으로 자당을 잴 경우에는 실제 농도와 완전히 합치하고, 본 실시형태에서는 도3에 도시하는 것과 같이 레지스트 수지의 농도와 정비례관계로 일치한다. 즉, 굴절율계에 의하면, 레지스트 수지 농도를 정확하게 측정할 수 있는 것이 확인되었다. 또한, 도3중의 횡축에 있어서 「Dev」라는 것은 현상액의 의미이다.In the present embodiment, a conductivity meter is used as the electrolyte ion concentration measuring means 24, and a refractive index meter capable of measuring the concentration of the resin contained in the developer is used as the object concentration measuring means 26, and the particle measuring means 28 is used. Is a liquid particle counter. The result of measuring the density | concentration of the resist resin actually contained in the developing solution using the refractive index meter is shown in FIG. 3, the horizontal axis shows the concentration of the resist resin in the developer, and the vertical axis shows the scale of the refractive index. As a refractive index meter, the DD-7 digital parallax densitometer manufactured by Atago Co., Ltd. was used. In the longitudinal axis of Fig. 3, Brix% is the number of grams of sucrose contained in 100 g of the sucrose solution. When sucrose is subtracted, the concentration is completely consistent with the actual concentration. It is consistent with the concentration of the resist resin in direct proportion. That is, the refractive index meter confirmed that the resist resin concentration can be measured accurately. In addition, in the horizontal axis of FIG. 3, "Dev" means the developing solution.
도1에 도시하는 것과 같이, 제2 탱크(22)에는 제2 배출 라인(30)이 접속되어 있다. 제2 배출 라인(30)에는 펌프(32)와 필터(34)가 이 순서대로 장착되어 있다. 제2 배출 라인(30)은 필터(34)의 후류(後流)측에서 순환 라인(36)과 전송 라인(38)으로 분기되어 있다. 순환 라인(36)에는 개폐제어밸브(40) 및 라인 믹서(44)가 장착되어 있다. 제2 배출 라인(30)을 통해서 배출되는 현상액의 일부가 제2 탱크(22) 내부로 되돌아오도록 되어 있다. 그 때에 필터(34)를 통과함으로써 현상액 중에 포함되어 있는 입자 등의 불순물이 제거된다. 라인 믹서(44)에서는 그것을 통과하는 액의 혼합을 촉진한다. 또한, 개폐제어밸브(40 및 42)는 제2 탱크(22)에서의 조정 상태에 따라 제어장치에 의해 절환된다.As shown in FIG. 1, a second discharge line 30 is connected to the second tank 22. The pump 32 and the filter 34 are attached to this 2nd discharge line 30 in this order. The second discharge line 30 branches into the circulation line 36 and the transmission line 38 on the wake side of the filter 34. The circulation line 36 is equipped with an open / close control valve 40 and a line mixer 44. A part of the developer discharged through the second discharge line 30 is returned to the inside of the second tank 22. At that time, by passing through the filter 34, impurities such as particles contained in the developer are removed. The line mixer 44 promotes mixing of the liquid passing therethrough. In addition, the open / close control valves 40 and 42 are switched by the control device in accordance with the adjustment state in the second tank 22.
순환 라인(36)에 있어서 개폐제어밸브(40)와 라인 믹서(44)의 사이에는 현상 원액 공급 라인(46)과 순수 공급 라인(48)이 접속된다. 이들 라인(46, 48)에는 각각 유량 제어밸브(50, 52)가 접속되어 있다. 이들 유량 제어밸브(50, 52)의 개도(開度) 제어는 유량계(51)에 의해 행해진다. 현상 원액 공급 라인(46) 및 순수 공급 라인(48)을 통해서 공급되는 현상 원액(약액 원액) 및 순수(희석액)는 라인 믹서(44)를 통해서 혼합되어 제2 탱크(22)에 공급가능하도록 되어 있다.In the circulation line 36, the developing stock solution supply line 46 and the pure water supply line 48 are connected between the open / close control valve 40 and the line mixer 44. Flow lines control valves 50 and 52 are connected to these lines 46 and 48, respectively. The opening degree control of these flow control valves 50 and 52 is performed by the flowmeter 51. The developing stock solution (chemical stock solution) and the pure water (diluent) supplied through the developing stock solution supply line 46 and the pure water supply line 48 are mixed through the line mixer 44 to be able to be supplied to the second tank 22. have.
현상 원액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 수산화칼륨, 수산화나트륨, 인산나트륨, 규산나트륨 등의 무기 알칼리를 포함하는 무기 알칼리 수용액, 혹은 테트라메틸 암모니아 수산화물(TMAH), 트리메틸 모노에탄올 암모니아 수산화물(콜린) 등의 유기 알칼리 수용액 등을 예시할 수 있다.Although it does not specifically limit as a developing stock solution, For example, inorganic alkali aqueous solution containing inorganic alkali, such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium phosphate, sodium silicate, or tetramethyl ammonia hydroxide (TMAH), trimethyl monoethanol ammonia hydroxide (choline) Organic alkali aqueous solutions, such as these, can be illustrated.
현상 원액 및/또는 순수의 제2 탱크(22)에의 공급양의 제어는 전해질 이온 농도 측정 수단(24)에 의한 측정 결과에 따라 제2 탱크(22)내에 저장되는 현상액의 전해질 이온 농도치가 일정하게 되도록 유량 제어밸브(50, 52)의 개도를 제어함으로써 행한다. 또, 현상 원액 및/또는 순수의 제2 탱크(22)의 공급량의 제어는 후술하는 제3 탱크(68)에 장착되어 있는 액면 레벨계(69)의 측정결과와 드레인 라인(58)을 통해 폐기되는 현상액의 양에 따라 제2 탱크(22)로부터 제3 탱크로 보내지는 필요량을 제어장치로 산출하고 그 산출량에 따라 행해진다.In the control of the supply amount of the developing stock solution and / or pure water to the second tank 22, the electrolyte ion concentration value of the developer stored in the second tank 22 is constant according to the measurement result by the electrolyte ion concentration measuring means 24. This is carried out by controlling the opening degrees of the flow rate control valves 50 and 52 as much as possible. Further, control of the supply amount of the second tank 22 of the developing stock solution and / or pure water is discarded through the measurement result of the liquid level gauge 69 attached to the third tank 68 described later and the drain line 58. The required amount sent from the second tank 22 to the third tank in accordance with the amount of the developing solution is calculated by the controller and performed according to the calculated amount.
제2 배출 라인(30)으로부터 분기하는 전송 라인(38)은 제3 탱크(68)에 접속되어 있다. 이 전송 라인(38)에는 개폐제어밸브(42)(배치식 약액 공급 수단)이 장착되어 있다. 이 개폐제어밸브(42)는 제2 탱크(22)의 측정 라인(23)에 장착되어 있는 전해질 이온 농도 측정 수단(24)으로 측정한 전해질 이온 농도치와, 가공 대상물 농도 측정 수단(26)으로 측정한 농도와, 입자 측정 수단으로 측정한 입자량이 모두 허용범위인 경우에만 열리도록 제어되고, 허용범위 품질의 현상액만을 제3 탱크(68)에 공급하도록 되어 있다. 현상액의 품질이 허용범위외인 경우에는 그 현상액은 순환 라인(36)을 통해 제2 탱크에 되돌아도록 제어된다.The transmission line 38 branching from the second discharge line 30 is connected to the third tank 68. The transmission line 38 is equipped with an open / close control valve 42 (batch-type chemical liquid supply means). The opening / closing control valve 42 is measured by the electrolyte ion concentration value measured by the electrolyte ion concentration measuring means 24 attached to the measurement line 23 of the second tank 22 and by the processing object concentration measuring means 26. The concentration and the amount of particles measured by the particle measuring means are controlled to open only when they are within the allowable range, and only the developer having the allowable range quality is supplied to the third tank 68. If the quality of the developing solution is outside the acceptable range, the developing solution is controlled to return to the second tank via the circulation line 36.
또, 개폐제어밸브(42)는 제2 탱크(22)로부터 제3 탱크(68)에 공급되는 현상액의 양도 제어한다. 제2 탱크(22)로부터 제3 탱크(68)에 공급되는 형상액의 양은 제3 탱크(68)에 장착되어 있는 액면 레벨계(69)의 측정 결과에 따라 제어된다. 즉, 액면 레벨계(69)의 측정 결과가 낮은 경우(액면이 저하)에는 그것을 보충하는 것과 같은 현상액의 양이 공급되도록 개폐제어밸브(42)의 개폐가 제어된다. 단지, 상술한 제어(허용범위 외의 품질의 현상액은 공급하지 않는다)가 우선된다. 따라서, 제3 탱크(68)에는 항상 일정 품질의 형상액이 저장되게 된다.The opening / closing control valve 42 also controls the amount of the developer supplied to the third tank 68 from the second tank 22. The amount of the shaping liquid supplied from the second tank 22 to the third tank 68 is controlled according to the measurement result of the liquid level gauge 69 attached to the third tank 68. That is, when the measurement result of the liquid level gauge 69 is low (liquid level is lowered), the opening / closing of the opening / closing control valve 42 is controlled so that the amount of the developer, such as supplementing it, is supplied. However, the above-described control (do not supply developer with a quality outside the acceptable range) is given priority. Therefore, the shape liquid of a certain quality is always stored in the 3rd tank 68. FIG.
제2 탱크(22)에는 드레인용 배출 라인(54)도 접속되어 있다. 드레인용 배출 라인(54)에는 펌프(56)가 장착되어 있다. 드레인용 배출 라인(54)은 펌프(56)의 후류(後流)측에서 드레인 라인(58)과 순환 라인(60)으로 분기하고 있다. 드레인 라인(58)에는 개폐제어밸브(62)가 장착되어 있다.A drain line 54 for drain is also connected to the second tank 22. A pump 56 is attached to the drain line 54 for draining. The drain discharge line 54 branches into the drain line 58 and the circulation line 60 on the wake side of the pump 56. An open / close control valve 62 is attached to the drain line 58.
이 개폐제어밸브(62)는 예를 들면 가공 대상물 농도 측정 수단(26)으로 측정한 농도가 허용 범위를 초과하여 증대한 경우에 그것을 제어 장치가 검출하여 제어밸브(62)를 제어하고, 제2 탱크(22) 내부의 현상액을 드레인 라인(58)으로부터 폐기한다. 그 현상액의 폐기량은 가공 대상물 농도 측정 수단(26)에서의 측정결과와 제3 탱크(68)의 액면 레벨계(69)의 측정 결과에 따라 연산된다.When the density | concentration measured by the process target object concentration measurement means 26 increased more than an allowable range, this switching control valve 62 detects it, and controls the control valve 62, for example, 2nd The developer in the tank 22 is discarded from the drain line 58. The waste amount of the developer is calculated in accordance with the measurement result in the object concentration measuring means 26 and the measurement result of the liquid level gauge 69 of the third tank 68.
순환 라인(60)에는 유량 제어밸브(64)와 필터(66)가 접속되어 있다. 이 유량 제어밸브(64)도 도시를 생략하고 있는 제어장치에 접속되어 있고, 그 제어장치에 의해 제어된다. 이 유량 제어밸브(64)는 유량 제어밸브(62)가 열린 경우에 닫히고, 유량 제어밸브(62)가 닫힌 경우에 열리도록 제어된다. 즉, 유량 제어밸브(62)가 열리지 않는 한은 드레인용 배출 라인(54)으로부터 배출된 현상액은 순환 라인(60)을 통해 제2 탱크(22)내에 되돌아오도록 되어 있다. 그 때에는 필터(66)를 통과하기 때문에 현상액에 포함되어 있는 입자 등의 불순물 농도는 적어진다.The flow control valve 64 and the filter 66 are connected to the circulation line 60. This flow control valve 64 is also connected to the control apparatus which is not shown in figure, and is controlled by the control apparatus. The flow rate control valve 64 is closed when the flow rate control valve 62 is opened and is controlled to open when the flow rate control valve 62 is closed. That is, unless the flow control valve 62 is opened, the developer discharged from the drain discharge line 54 is returned to the second tank 22 via the circulation line 60. In that case, since it passes through the filter 66, the impurity concentration, such as particle | grains contained in a developing solution, becomes small.
제3 탱크(68)에는 약액 주공급 라인(약액 주공급 수단)(70)이 접속되어 있다. 약액 주공급 라인(70)에는 펌프(72) 및 필터(74)가 순서대로 장착되어 있다. 약액 주공급 라인(70)은 도2에 도시하는 각 현상실(7)에 접속되어 있고, 이 라인(70)을 통해 각 현상실(7)에 일정 품질의 재이용 현상액을 공급하도록 되어 있다. 또한, 이 라인(70)은 필터(74)의 후류측에서 분기 라인(69)이 접속되어 있다. 분기 라인(69)은 제3 탱크(68)으로의 복귀 라인이고, 이 라인에는 압력계(71) 및 유량 제어밸브(73)가 장착되어 있다. 유량 제어밸브(73)는 압력계(71)에 의해 측정된 압력에 의해 제어되고, 압력이 너무 높은 경우에 크게 열려 액을 탱크(68)에 되돌려 보내도록 되어 있다.A chemical liquid main supply line (chemical liquid main supply means) 70 is connected to the third tank 68. The pump 72 and the filter 74 are mounted in the chemical liquid main supply line 70 in order. The chemical liquid main supply line 70 is connected to each of the developing chambers 7 shown in Fig. 2, and supplies the reused developing solution of a certain quality to each of the developing chambers 7 through this line 70. In addition, the branch line 69 is connected to the line 70 on the downstream side of the filter 74. The branch line 69 is a return line to the third tank 68, in which a pressure gauge 71 and a flow rate control valve 73 are mounted. The flow rate control valve 73 is controlled by the pressure measured by the pressure gauge 71, and is open when the pressure is too high to return the liquid to the tank 68.
도1에 도시하는 것과 같이, 본 실시형태에 관한 장치(2)에서는 제1 탱크(12), 제2 탱크(22) 및 제3 탱크(68) 이외에 제4 탱크(76)를 가지고 있다. 이 제4 탱크(76)는 신선한 현상액이 저장된 스타트업시용(start-up時用) 혹은 비상시의 백업용 탱크이다.As shown in FIG. 1, the apparatus 2 according to the present embodiment includes a fourth tank 76 in addition to the first tank 12, the second tank 22, and the third tank 68. The fourth tank 76 is a tank for start-up or emergency backup in which fresh developer is stored.
이 제4 탱크(76)에는 전해질 이온 농도 측정 수단(88)이 장착되어 있다. 전해질 이온 농도 측정 수단(88)으로 측정한 결과는 도시를 생략하고 있는 제어장치로 출력된다. 이 제4 탱크(76)에는 현상액 공급 라인(78)이 접속되어 있다. 공급 라인(78)에는 라인 믹서(80)가 접속되어 있다. 이 공급 라인(78)의 라인 믹서(80)에는 순수 공급 라인(48)으로부터 분기한 순수 공급 분기 라인(81)과 현상 원액 공급 라인(46)으로부터 분기한 현상 원액 공급 분기 라인(82)이 접속된다.The fourth tank 76 is equipped with an electrolyte ion concentration measuring means 88. The result measured by the electrolyte ion concentration measuring means 88 is output to a control device not shown. The developer supply line 78 is connected to the fourth tank 76. The line mixer 80 is connected to the supply line 78. The pure water supply branch line 81 branched from the pure water supply line 48 and the developing stock solution supply branch line 82 branched from the developing stock solution supply line 46 are connected to the line mixer 80 of the supply line 78. do.
이들 분기 라인(81, 82)에는 유량제어밸브(84, 86)가 장착되어 있다. 이들 유량제어밸브(84, 86)는 유량계(85)의 측정결과를 기초로 하여, 도시를 생략하고 있는 제어장치에 의해 제어된다. 제어장치에서는 제4 탱크(76)내에 저장되어 있는 신선한 현상액의 액면을 감시하는 동시에 전해질 이온 농도 측정 수단(88)으로 측정한 결과에 따라 탱크내의 현상액의 전해질 이온 농도치가 소정 범위가 되도록 유량제어밸브(84, 86)의 개도를 제어하여 제4 탱크(76)내에 순수 및/또는 현상원액을 공급한다.These branch lines 81 and 82 are provided with flow control valves 84 and 86. These flow control valves 84 and 86 are controlled by a control device, not shown, based on the measurement results of the flow meter 85. The control device monitors the liquid level of the fresh developer stored in the fourth tank 76 and at the same time the electrolyte ion concentration value of the developer in the tank is in a predetermined range according to the result measured by the electrolyte ion concentration measuring means 88. The opening degrees of the 84 and 86 are controlled to supply the pure water and / or the developing stock solution into the fourth tank 76.
이 제4 탱크(76)에는 제4 배출 라인(90)이 접속되어 있다. 제4 배출 라인(90)에는 펌프(92), 필터(94) 및 입자 측정 수단(96)이 이 순서대로 장착되어 있다. 입자 측정수단(96)의 측정결과는 도시를 생략하고 있는 제어장치에 출력된다. 입자 측정 수단(96)의 후류측에서는 순환 라인(98)과 전송 라인(100)으로 분기되어 있다. 이들 라인(98, 100)에는 각각 개폐제어밸브(102, 104)가 장착되어 있다.The fourth discharge line 90 is connected to the fourth tank 76. The pump 92, the filter 94, and the particle measuring means 96 are attached to the fourth discharge line 90 in this order. The measurement result of the particle measuring means 96 is output to a control device, not shown. On the downstream side of the particle measuring means 96, it is branched into a circulation line 98 and a transmission line 100. These lines 98 and 100 are provided with on / off control valves 102 and 104, respectively.
각 개폐제어밸브(102, 104)는 도시를 생략하고 있는 제어장치에 의해 제어된다. 일반적으로는 개폐제어밸브(104)가 닫혀 있고 개폐제어밸브(102)가 열려 있으며, 제4 탱크내의 현상액은 순환 라인(98)을 통해 순환하고 있다. 장치(2)의 스타트업시나 비상시의 경우에는 제3 탱크(68)내에 현상액이 거의 저장되어 있지 않기 때문에, 그 상태를 액면센서(69)가 검지하고 그 검지신호에 따라 제어장치가 개폐제어밸브 (104)를 열고 개폐제어밸브(102)를 닫는다. 그 결과, 제4 탱크(76) 내의 신선한 현상액은 제3 탱크(68)내에 공급되고 제3 탱크(68)로부터 현상액 주공급 라인(70)을 통해서 도2에 도시하는 각 현상실(7)로 공급된다.Each open / close control valve 102 or 104 is controlled by a control device not shown. In general, the open / close control valve 104 is closed, the open / close control valve 102 is open, and the developer in the fourth tank is circulated through the circulation line 98. Since the developer is hardly stored in the third tank 68 in the case of startup or emergency of the apparatus 2, the liquid level sensor 69 detects the state and the control device opens and closes the control valve according to the detection signal. Open 104 and close the open / close control valve 102. As a result, the fresh developer in the fourth tank 76 is supplied into the third tank 68 and from the third tank 68 to each of the developing chambers 7 shown in FIG. 2 through the developer main supply line 70. Supplied.
본 실시형태에 관한 패턴 가공용 집중 관리 장치(2)에서는, 도2에 도시하는 복수의 현상실(7)로부터 보내져 오는 처리필의 현상액은 먼저 도1에 도시하는 제1 탱크(12)내에 집중적으로 일시 저장된다. 제1 탱크(12)내에 저장되어 있는 현상액의 일부는 전송 라인(20)을 통해 제2 탱크(22)로 보내진다. 제2 탱크(22)의 현상액의 전송량은 예를 들면 제1 탱크(12)에 단위시간당 유입해 오는 사용필 현상액의 양과 대략 동일하다.In the concentrated management apparatus 2 for pattern processing which concerns on this embodiment, the developing solution of the processed solution sent from the several developing chamber 7 shown in FIG. 2 concentrates first in the 1st tank 12 shown in FIG. Temporarily stored. Part of the developer stored in the first tank 12 is sent to the second tank 22 through the transmission line 20. The transfer amount of the developing solution of the second tank 22 is approximately equal to the amount of the used developer which flows into the first tank 12 per unit time, for example.
제2 탱크(22)에서는 전해질 이온 농도 측정 수단(24)에 의해 탱크(22)내의 pH가 측정되고, 가공 대상물 농도 측정 수단(26)에 의해 현상액 중의 수지농도가 측정되며 이들의 측정치가 일정 범위가 되도록 제어된다. 보다 구체적으로는 현상액 중의 수지농도가 허용범위보다도 증대한 경우에는 그대로 재사용할 수 있는 현상액이라고는 말할 수 없기 때문에, 제2 탱크(22)내의 현상액을 드레인 라인(58)을 통해 배출하고, 동시 또는 그 후에 현상원액 및/또는 순수를 공급 라인(46, 48) 및 순환 라인(36)을 통해 제2 탱크(22)내에 공급한다. 또, 그것과 평행하게 제2 탱크(22)내의 현상액의 pH가 측정되고, 그 pH가 소정의 허용범위가 되도록 제2 탱크(22)에의 현상원액 및/또는 순수의 공급량을 제어한다.In the second tank 22, the pH in the tank 22 is measured by the electrolyte ion concentration measuring means 24, the resin concentration in the developer is measured by the processing object concentration measuring means 26, and these measured values are in a certain range. Is controlled to be. More specifically, when the concentration of the resin in the developing solution is larger than the allowable range, the developing solution can not be reused as it is. Therefore, the developing solution in the second tank 22 is discharged through the drain line 58, and simultaneously or Thereafter, the developing stock solution and / or pure water are supplied into the second tank 22 through the supply lines 46 and 48 and the circulation line 36. In addition, the pH of the developing solution in the second tank 22 is measured in parallel thereto, and the supply amount of the developing stock solution and / or pure water to the second tank 22 is controlled so that the pH is within a predetermined allowable range.
개폐제어밸브(42)에서는 제2 탱크(22)에 저장되어 있는 현상액의 품질(전해질 이온 농도치, 수지농도 및 입자 함유비율)이 일정의 범위내인 경우에만 제2 탱크(22)에 저장되어 있는 현상액의 일부를 제3 탱크(68)로 보낸다. 제3 탱크(68)에의 전송 량은 제3 탱크(68)에 장착되어 있는 액면 레벨계(69)의 측정결과 등에 의해 결정된다. 예를 들면 제3 탱크(68)내에 저장되어 있는 현상액의 액면 레벨이 낮은 경우에는 전송 라인(38)의 개폐제어밸브(42)를 열고 제2 탱크(22)로부터 제3 탱크(68)로의 전송량을 증대시킨다.In the opening / closing control valve 42, the quality of the developer stored in the second tank 22 (electrolyte ion concentration value, resin concentration and particle content ratio) is stored in the second tank 22 only when it is within a predetermined range. A part of the developing solution is sent to the third tank 68. The amount of transfer to the third tank 68 is determined by the measurement result of the liquid level gauge 69 attached to the third tank 68 and the like. For example, when the liquid level of the developer stored in the third tank 68 is low, the opening / closing control valve 42 of the transmission line 38 is opened and the amount of transfer from the second tank 22 to the third tank 68. To increase.
만약 스타트업시나 비상시인 경우 등과 같이, 제3 탱크(68)에 저장되어 있는 형상액의 양이 매우 적은 경우에는 백업용의 제4 탱크(76)로부터 전송 라인(100)을 통해 전해질 이온 농도치가 조정된 신선한 약액을 제3 탱크(68)에 공급한다.If the amount of the shape liquid stored in the third tank 68 is very small, such as during startup or in an emergency, the electrolyte ion concentration value is adjusted from the fourth tank 76 for backup through the transmission line 100. The prepared fresh chemical is supplied to the third tank (68).
제3 탱크(68)에서는 현상액 주공급 라인(70)을 통해 도2에 도시하는 각 현상실(7)에 현상액이 공급된다.In the third tank 68, the developer is supplied to each of the developing chambers 7 shown in FIG. 2 through the developer main supply line 70. FIG.
본 실시형태에 관한 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치(2)에서는 처리필의 현상액이 제1 탱크(12) 및 제2 탱크(22)를 통해 제3 탱크(68)로 보내지고 여기에서 각 현상실(7)로 보내진다. 따라서, 사용필 현상액의 재이용이 가능해진다. 또한, 제3 탱크(68)에 저장되는 약액은 항상 일정 품질의 현상액만이 저장되도록 고안되어 있기 때문에, 각 현상실(7)에 공급되는 현상액의 품질이 안정하게 된다. 또, 각 현상실(7)에 공급되는 현상액을 저장하는 제3 탱크(68)와 농도조절이 행해지는 제2 탱크(22)가 다르기 때문에, 농도가 제어되기 전의 약액이 현상실에 공급될 우려가 적어지고, 또한 드레인 라인(58)을 통해 폐기하는 현상액의 양도 적게 할 수 있다.In the chemical liquid concentration management apparatus 2 for pattern processing which concerns on this embodiment, the developing solution of the processed liquid is sent to the 3rd tank 68 through the 1st tank 12 and the 2nd tank 22, and here each developing chamber ( 7) are sent to. Therefore, reuse of the used developer is attained. In addition, since the chemical solution stored in the third tank 68 is designed so that only a certain quality of developer is always stored, the quality of the developer supplied to each of the developing chambers 7 becomes stable. In addition, since the third tank 68 for storing the developer supplied to each of the developing chambers 7 and the second tank 22 for adjusting the concentration are different, the chemical liquid before the concentration is controlled may be supplied to the developing chamber. In addition, the amount of the developing solution discarded through the drain line 58 can be reduced.
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고 본 발명의 범위내에서 여러 가지로 변경할 수 있다.In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, It can change variously within the scope of this invention.
예를 들면, 상술한 실시형태에서는 약액으로서 현상액을 사용했지만, 본 발명에 관한 패턴 가공용 약액 공급 장치에 사용되는 약액으로서는 현상액에 한정되지 않고, 박리액, 세정액(이소프로페놀 등), 웨이퍼 표면 처리액, 밀착제 용액 등이어도 된다.For example, although the developing solution was used as a chemical in the above-described embodiment, the chemical used in the chemical processing apparatus for pattern processing according to the present invention is not limited to a developing solution, but is a peeling solution, a cleaning liquid (isopropphenol, etc.), and a wafer surface treatment. A liquid, an adhesive agent, etc. may be sufficient.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 처리필의 약액은 제1 탱크 및 제2 탱크를 통해 제3 탱크로 보내지고 여기에서 각 처리실로 보내진다. 따라서, 사용필 약액의 재이용이 가능해진다. 또한, 제3 탱크에 저장되는 약액은 항상 일정 품질의 약액만이 저장되도록 고안되어 있기 때문에, 각 처리실에 공급되는 약액의 품질이 안정하게 된다. 또, 각 처리실에 공급되는 약액을 저장하는 탱크와 농도조절이 행해지는 탱크가 다르기 때문에, 농도가 제어되기 전의 약액이 처리실에 공급될 우려가 적어지고, 또한 폐기하는 약액의 양도 적게 할 수 있다.As described above, according to the present invention, the chemical liquid of the treated object is sent to the third tank through the first tank and the second tank, and is sent to the respective treatment chambers. Therefore, reuse of the used chemical liquid becomes possible. In addition, since the chemical liquid stored in the third tank is designed so that only chemical liquid of a certain quality is always stored, the quality of the chemical liquid supplied to each processing chamber becomes stable. In addition, since the tanks for storing the chemical liquids supplied to the respective treatment chambers and the tanks for adjusting the concentration are different, there is less possibility that the chemical liquids before the concentration is controlled are supplied to the treatment chambers, and the amount of the chemical liquids to be discarded can be reduced.
Claims (7)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP96-356103 | 1996-12-25 | ||
| JP35610396 | 1996-12-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000062334A true KR20000062334A (en) | 2000-10-25 |
Family
ID=18447350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019997005791A KR20000062334A (en) | 1996-12-25 | 1997-12-19 | Patterning chemical liquid centralized controller |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000062334A (en) |
| TW (1) | TW386900B (en) |
| WO (1) | WO1998029900A1 (en) |
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| CN108255024A (en) * | 2018-01-31 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of developing apparatus and its developing method, lithographic equipment |
| CN112414906B (en) * | 2020-10-22 | 2023-02-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Detection device for concentration of particulate matter in liquid medicine and liquid change control method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561578B2 (en) * | 1991-08-07 | 1996-12-11 | 株式会社平間理化研究所 | Developer management device |
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-
1997
- 1997-12-19 KR KR1019997005791A patent/KR20000062334A/en not_active Application Discontinuation
- 1997-12-19 WO PCT/JP1997/004718 patent/WO1998029900A1/en not_active Application Discontinuation
- 1997-12-22 TW TW086119549A patent/TW386900B/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW386900B (en) | 2000-04-11 |
| WO1998029900A1 (en) | 1998-07-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |