KR19990075107A - Structure of cutting blade for semiconductor wafer and cutting method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체웨이퍼 절단용 블레이드의 구조 및 이를 이용한 절단 방법에 관한 것으로, 반도체웨이퍼의 절단시 칩핑(Chipping), 크랙(Crack) 등의 발생을 최소화함과 아울러 절단면의 너비(Kerf Width)를 항상 일정하게 유지시키기 위해, 반도체웨이퍼에 형성된 스크라이브래인을 따라 절단 작업을 실시하는 블레이드의 구조에 있어서, 상기 반도체웨이퍼의 스크라이브래인에 접촉되는 블레이드의 끝단은 서로 대칭되는 경사면이 형성되어 있거나 또는 라운드면이 형성된 것을 특징으로 하고, 반도체웨이퍼를 그 표면에 형성된 스크라이브래인을 따라 절단하는 방법에 있어서, 끝단에 대칭되는 경사면이 형성된 베벨블레이드 또는 라운드면이 형성된 U형블레이드를 이용하여 반도체웨이퍼 표면의 스크라이브래인을 따라서 일정 깊이의 요홈을 형성하는 단계와; 상기 베벨블레이드 및 U형블레이드보다 두께가 작은 스텝컷블레이드를 이용하여 상기 웨이퍼에 형성된 요홈을 따라서 각각의 반도체칩으로 절단하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a structure of a semiconductor wafer cutting blade and a cutting method using the same, and to minimize the occurrence of chipping, cracks, etc. during cutting of the semiconductor wafer, and to always keep the width of the cutting surface (Kerf Width) In the structure of the blade for cutting along the scribe crane formed on the semiconductor wafer in order to maintain a constant, the ends of the blades in contact with the scribe crane of the semiconductor wafer is formed in the symmetrical surface or rounded symmetry In the method for cutting the semiconductor wafer along the scribe lane formed on the surface, characterized in that the surface is formed, using a bevel blade formed with an inclined surface symmetrical at the end or a U-shaped blade formed with a round surface of the surface of the semiconductor wafer Forming grooves of a certain depth along the scribe And; And cutting each semiconductor chip along grooves formed in the wafer using a step cut blade having a smaller thickness than the bevel blades and the U-shaped blades.
Description
본 발명은 반도체웨이퍼 절단용 블레이드의 구조 및 이를 이용한 절단 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 반도체웨이퍼의 절단시 칩핑(Chipping), 크랙(Crack) 등의 발생을 최소화함과 더불어 절단면의 너비(Kerf Width)를 항상 일정하게 유지시켜 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체웨이퍼 절단용 블레이드의 구조 및 이를 이용한 절단 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a structure of a semiconductor wafer cutting blade and a cutting method using the same. More specifically, the width of the cutting surface as well as minimizing the occurrence of chipping, cracking, etc. when cutting the semiconductor wafer The present invention relates to a structure of a cutting blade for semiconductor wafers and a cutting method using the same, which can improve the reliability of a product by keeping a constant kernel width).
통상 반도체웨이퍼에는 수십개에서 수백개에 이르는 반도체칩이 동시에 형성되어 있기 때문에 이들 개별 반도체칩들을 리드프레임(Lead Frame)이나 인쇄회로기판에 접착시켜 패키징(Packaging)하기 위해서는 상기 반도체웨이퍼에서 각각의 반도체칩을 절단하는 작업이 필요하다. 이러한 반도체웨이퍼의 절단 방법에는 일반적으로 스크라이브 앤 브레이크(Scribe and Break), 레이저 절단(Laser Sawing), 다이아몬드 절단(Diamond Sawing) 등이 있으나 최근에는 다이아몬드 절단 방법이 가장 많이 이용되고 있다.Since semiconductor wafers are usually formed with dozens or hundreds of semiconductor chips at the same time, each of the semiconductor chips in the semiconductor wafer may be bonded to a lead frame or a printed circuit board for packaging. It is necessary to cut the work. The cutting method of the semiconductor wafer generally includes scribe and break, laser cutting, diamond cutting, and the like, and diamond cutting is most recently used.
도1a 및 도1b는 일반적인 블레이드의 구조 및 그 절단 방법을 도시한 것이다.1A and 1B show a structure of a general blade and a cutting method thereof.
절단에 사용되는 블레이드(10')의 구조는 통상 니켈(Ni) 원판과 그 원판의 가장자리에 미소 입자들인 다이아몬드 그릿(Diamond Grit)이 입혀져 이루어진다. 이러한 블레이드(10')는 통상 반도체웨이퍼(2)의 표면에 그려진 스크라이브래인(6)(반도체칩(4)과 반도체칩(4) 사이에 형성된 일정한 간격의 분리를 위한 래인, 스크라이브스트릿(Street)이라고도 함)을 따라 고속회전하며 저면의 태키테이프(8)에 까지 하강함으로써 각각의 독립적인 반도체칩(4)으로 절단한다.The structure of the blade 10 'used for cutting is usually made of a nickel (Ni) plate and diamond grit of fine particles on the edge of the plate. The blade 10 ′ is usually a scribe lane 6 (drawn on the surface of the semiconductor wafer 2 (lane, scribe street for separation of a constant gap formed between the semiconductor chip 4 and the semiconductor chip 4) It rotates at high speed along (), and descend | falls to the bottom surface tagi tape 8, and cut | disconnects each independent semiconductor chip 4 by it.
상기와 같은 블레이드(10')를 사용하여 반도체웨이퍼(2)를 절단하게 되면 도1b에 도시된 바와 같이 반도체웨이퍼(2)와 접촉되는 블레이드(10') 단면이 사각으로 형성되어 있고 또한 한번에 태키테이프(8)에 까지 블레이드(10')가 하강됨으로써 반도체웨이퍼(2) 절단면에 다수의 칩핑(cp)이 발생하게 되고, 또한 그 절단면에서 크랙(cr)이 발생하여 결국 수율을 저하시키는 문제가 있다. 더구나 상기 반도체웨이퍼(2)의 전,후면과 절단면의 경계부분은 정확하고 깨끗한 사각 모양으로 형성되지 않고 소정의 경사각을 가진 채 꺼칠꺼칠하게 형성됨으로서 차후에 반도체칩(4)이 고온의 환경에 노출될 경우 열응력에 의해 반도체칩(4)이 쉽게 크랙되는 원인을 제공하기도 한다.When the semiconductor wafer 2 is cut using the blade 10 'as described above, as shown in FIG. 1B, the cross section of the blade 10' contacting the semiconductor wafer 2 is formed in a quadrangular shape and is tacked at once. As the blade 10 'is lowered to the tape 8, a large number of chipping cp occurs on the cut surface of the semiconductor wafer 2, and cracks are generated on the cut surface, thereby lowering the yield. have. In addition, the front, rear and cutting surface boundary portions of the semiconductor wafer 2 are not formed in a precise and clean square shape but are formed with a predetermined inclination angle so that the semiconductor chip 4 may be exposed to a high temperature environment in the future. In this case, the semiconductor chip 4 may be easily cracked due to thermal stress.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 반도체웨이퍼의 절단시 칩핑, 크랙 등의 발생을 최소화함과 더불어 절단면의 너비를 항상 일정하게 유지시켜 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체웨이퍼 절단용 블레이드의 구조 및 이를 이용한 절단 방법을 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, while minimizing the occurrence of chipping, cracks, etc. during the cutting of the semiconductor wafer, it is possible to improve the reliability of the product by maintaining a constant width of the cut surface at all times To provide a structure and a cutting method using the blade for cutting a semiconductor wafer.
도1a 및 도1b는 반도체웨이퍼 절단용 블레이드의 구조 및 웨이퍼 절단 상태를 도시한 상태도이다.1A and 1B are state diagrams showing a structure of a semiconductor wafer cutting blade and a wafer cutting state.
도2a 내지 도2c는 본 발명에 의한 반도체웨이퍼 절단용 베벨블레이드, U형블레이드 및 웨이퍼에 요홈을 형성하는 상태를 도시한 상태도이다.2A to 2C are diagrams illustrating a state in which grooves are formed in a bevel blade for cutting a semiconductor wafer, a U-shaped blade, and a wafer according to the present invention.
도3a 및 도3f는 본 발명에 의한 U형블레이드의 다양한 실시예를 도시한 상태도이다.3A and 3F are state diagrams showing various embodiments of the U-shaped blade according to the present invention.
도4a내지 도4f는 본 발명에 의해 웨이퍼를 절단하는 방법을 도시한 설명도이다.4A to 4F are explanatory views showing a method of cutting a wafer according to the present invention.
- 도면중 주요 부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-
2 ; 반도체웨이퍼(Wafer) 4 ; 반도체칩2 ; Semiconductor wafer 4; Semiconductor chip
6 ; 스크라이브래인(Scribe Lane) 8 ; 태키테이프(Tacky Tape)6; Scribe Lane 8; Tacky Tape
10 ; 베벨블레이드(Bevel Blade) 12 ; U형블레이드10; Bevel Blade 12; U-shaped blade
14 ; 스텝컷블레이드(Step Cut Blade) 16 ; 경사면14; Step Cut Blade 16; incline
18 ; 라운드(Round)면 20 ; 요홈18; Round surface 20; Groove
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체웨이퍼 절단용 블레이드의 구조에 의하면, 반도체웨이퍼에 형성된 스크라이브래인을 따라 절단 작업을 실시하는 블레이드의 구조에 있어서, 상기 반도체웨이퍼의 스크라이브래인에 접촉되는 블레이드의 끝단은 서로 대칭되는 경사면이 형성되어 있거나 또는 라운드면이 형성되어 있는 것을 특징으로한다.According to the structure of the blade for cutting a semiconductor wafer according to the present invention in order to achieve the above object, in the structure of the blade for cutting along the scribe crane formed on the semiconductor wafer, the contact with the scribe lane of the semiconductor wafer End of the blade is characterized in that the inclined surface is formed symmetrical to each other or the round surface is formed.
여기서, 상기 블레이드 끝단의 서로 대칭되는 경사면 각도는 60°∼ 150°가 바람직하고, 상기 블레이드 끝단의 라운드면은 반경이 1mil∼4mil인 것이 바람직하다. 또한 상기 블레이드 끝단의 라운드면은 블레이드 끝단의 양쪽면 가장자리에 각각 0.5mil∼2mil의 반경을 갖도록 형성할 수도 있다.Here, it is preferable that the inclined plane angles of the blade ends that are symmetrical to each other are 60 ° to 150 °, and the round surface of the blade end has a radius of 1 mil to 4 mils. In addition, the round surface of the blade end may be formed to have a radius of 0.5mil ~ 2mil on each side edge of the blade end.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체웨이퍼 절단 방법에 의하면 끝단에 대칭되는 경사면이 형성된 베벨블레이드 또는 라운드면이 형성된 U형블레이드를 이용하여 반도체웨이퍼 표면의 스크라이브래인을 따라서 일정 깊이의 요홈을 형성하는 단계와; 상기 베벨블레이드 및 U형블레이드보다 두께가 작은 스텝컷블레이드를 이용하여 상기 웨이퍼에 형성된 요홈을 따라서 각각의 반도체칩으로 절단하는 단계(Double Saw)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.According to the semiconductor wafer cutting method according to the present invention in order to achieve the above object by using a bevel blade or a U-shaped blade formed with a rounded surface symmetrical in the end grooves of a predetermined depth along the scribe lane of the surface of the semiconductor wafer Forming a; And cutting each semiconductor chip along a groove formed in the wafer using a step cut blade having a thickness smaller than that of the bevel blade and the U-shaped blade (Double Saw).
여기서 상기 요홈의 최대 깊이는 베벨블레이드의 경사면이 갖는 수직높이 및 U형블레이드의 라운드면이 갖는 반경 이하로 제어하는 것이 바람직하다.Here, the maximum depth of the groove is preferably controlled to be equal to or less than the vertical height of the inclined surface of the bevel blade and the radius of the round surface of the U-shaped blade.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art can easily implement the present invention.
도2a 내지 도2c는 본 발명에 의한 반도체웨이퍼 절단용 베벨블레이드(10), U형블레이드(12) 및 반도체웨이퍼(2)의 절단 상태를 도시한 상태도이다.2A to 2C are state diagrams showing cutting states of the bevel blade 10 for cutting a semiconductor wafer, the U-shaped blade 12 and the semiconductor wafer 2 according to the present invention.
먼저 도2a에 도시된 바와 같이 베벨블레이드(10)는 서로 대칭되는 경사면(16)으로 끝단이 날카롭게 형성되어 있으며, 상기 경사면(16)이 이루는 각도(α)는 약 60°∼ 150° 바람직하기로는 80°∼ 130°가 바람직하다. 이러한 베벨블레이드(10)는 반도체웨이퍼(2)의 스크라이브래인(6)을 따라서 "V"자형 요홈(20)을 형성하게 되며 그 요홈(20)의 너비(kf)는 상기 경사면(16)이 어느 정도까지 반도체웨이퍼(2)쪽으로 하강하여 절단하는가에 따라서 결정된다. 참고로 상기 요홈(20)의 너비는 스크라이브래인(6)의 폭과 동일하거나 그 이하가 되도록 제어된다.First, as shown in FIG. 2A, the bevel blade 10 is sharply formed at its ends with inclined surfaces 16 symmetric to each other, and the angle α formed by the inclined surfaces 16 is preferably about 60 ° to 150 °. 80 degrees-130 degrees are preferable. The bevel blade 10 forms a “V” shaped groove 20 along the scribe lane 6 of the semiconductor wafer 2, and the width kf of the groove 20 is the inclined surface 16. To what extent it descends toward the semiconductor wafer 2 and is cut is determined. For reference, the width of the groove 20 is controlled to be equal to or less than the width of the scribe crane (6).
다음으로 도2b에 도시된 바와 같이 U형블레이드(12)는 그 끝단에 라운드면(18)이 형성되어 있되 그 끝단의 양쪽면 가장자리에 각각 소정의 반경을 갖도록 라운드면(18)이 형성되어 있거나, 또는 도2c에 도시된 바와 같이 끝단 전체에 하나의 라운드면(18)이 형성되어 있다. 이러한 U형블레이드(12)는 반도체웨이퍼(2)의 스크라이브래인(6)을 따라서 U형 모양의 요홈(20)을 형성하게 되며, 그 요홈(20)의 너비(kf)는 상기 라운드면(18)이 어느 정도까지 반도체웨이퍼(2)쪽으로 하강하여 절단하는가에 따라서 결정된다.Next, as shown in FIG. 2B, the U-shaped blade 12 has round surfaces 18 formed at the ends thereof, but the round surfaces 18 are formed to have predetermined radiuses at both edges of the ends thereof. 2C, one round face 18 is formed throughout the end. The U-shaped blade 12 forms a U-shaped groove 20 along the scribe lane 6 of the semiconductor wafer 2, and the width kf of the groove 20 is the round surface ( It is determined depending on how much 18) is lowered and cut toward the semiconductor wafer 2.
여기서 상기 요홈(20)의 너비는 스크라이브래인(6)의 폭과 동일하거나 그 이하가 되도록 제어할 수 있으며, 상기 U형블레이드(12)는 그 하강된 정도로 요홈(20)의 너비를 제어하는 방법 대신 그 U형블레이드(12)의 라운드면(18) 전체까지 반도체웨이퍼(2) 내부로 하강시킴으로써 요홈(20)의 너비를 제어할 수도 있다.Here, the width of the groove 20 can be controlled to be equal to or less than the width of the scribe crane 6, the U-shaped blade 12 to control the width of the groove 20 to the extent that is lowered Instead of the method, the width of the grooves 20 may be controlled by lowering the entire round surface 18 of the U-shaped blade 12 into the semiconductor wafer 2.
한편, 상기 베벨블레이드(10)의 두께는 스크라이브래인(6)의 폭보다 크게 구비되어도 그 경사면(16)의 하강 높이에 따라서 절단면 또는 요홈(20)의 너비(kf)가 결정되므로 그 베벨블레이드(10)의 두께는 스크라이브래인(6)의 폭보다 크게 형성된 반면, U형블레이드(12)는 스크라이브래인(6)의 폭과 같거나 작도록 형성할 수 있음으로 요홈의 너비(kf)가 스크라이브래인(6)의 폭보다 커지지 않토록 제어할 수 있다.On the other hand, even if the thickness of the bevel blade 10 is larger than the width of the scribe crane 6, the width (kf) of the cutting surface or the groove 20 is determined according to the falling height of the inclined surface 16, the bevel blade The thickness of the groove 10 is formed larger than the width of the scribe 6, while the U-shaped blade 12 may be formed to be equal to or smaller than the width of the scribe 6, so the width of the groove kf Can be controlled so as not to be larger than the width of the scribe crane 6.
따라서 상기 베벨블레이드(10)는 그 경사면(16)의 하강된 높이만을 조절하면 다양한 폭의 스크라이브래인(6)을 갖는 반도체웨이퍼(2)의 절단작업이 가능한 장점이 있기도 하다. 여기서 상기 U형블레이드(12)의 두께를 반듯이 스크라이브래인(6)의 폽과 같거나 작게 형성하는 것으로 제한하는 것은 아니며 상기 U형블레이드(12) 역시 그 두께를 스크라이브래인(6)의 폭보다 크게 형성하고, 절단시에 그 하강된 높이를 적절히 제어함으로써 상기 베벨블레이드(10)와 같은 효과를 얻을수도 있는 것이다.Therefore, the bevel blade 10 also has an advantage that the cutting operation of the semiconductor wafer 2 having the scribe lane 6 of various widths can be adjusted only by adjusting the lowered height of the inclined surface 16. Here, the thickness of the U-shaped blade 12 is not limited to being the same as or smaller than the pop of the scribe crane 6, and the U-shaped blade 12 also has the thickness of the scribe blade 6. By forming it larger and controlling the lowered height appropriately at the time of cutting, the same effect as the said bevel blade 10 may be acquired.
도3a내지 도3f는 본 발명에 의한 U형블레이드(12)의 구체적인 실시예를 도시한 것으로, 본 발명에 의한 U형블레이드(12)의 두께는 약 3mils∼6mils로 형성되어 있으며, 도3a, 도3c 및 도3e에서 처럼 끝단의 양쪽면에 각각 라운드면(18)이 형성될 경우에는 각각 반경이 1mil, 1.25mils, 1.5mils로 되도록 하였다. 또한 도3b, 도3d 및 도3f에서 처럼 끝단 전체에 하나의 라운드면(18)이 형성된 경우에는 2mils, 2.5mils, 3mils 등의 반경을 갖도록 하였다. 여기서 상기 U형블레이드(12)의 두께는 반도체웨이퍼(2)의 스크라이브래인(6) 폭과 같도록 형성하였지만, 베벨블레이드(10)와 같이 스크라이브래인(6)의 폭보다 크거나, 작게 형성하여 사용할 수도 있다.3A to 3F illustrate a specific embodiment of the U-shaped blade 12 according to the present invention. The U-shaped blade 12 according to the present invention has a thickness of about 3 mils to 6 mils. As shown in FIGS. 3C and 3E, when the rounded surfaces 18 were formed on both sides of the ends, the radiuses were 1 mil, 1.25 mils, and 1.5 mils, respectively. 3b, 3d, and 3f, when one round surface 18 is formed at the entire end, it has a radius of 2 mils, 2.5 mils, 3 mils, and the like. Here, the U-shaped blade 12 is formed to have a thickness equal to the width of the scribe crane 6 of the semiconductor wafer 2, but is larger or smaller than the width of the scribe crane 6 like the bevel blade 10. It can also be formed and used.
도4a내지 도4f는 본 발명에 의해 반도체웨이퍼(2)를 절단하는 방법을 도시한 설명도이다.4A to 4F are explanatory views showing a method of cutting the semiconductor wafer 2 according to the present invention.
먼저 끝단에 대칭되는 경사면(16)이 형성된 베벨블레이드(10) 또는 라운드면(18)이 형성된 U형블레이드(12)를 이용하여 반도체웨이퍼(2) 표면의 스크라이브래인(6)을 따라서 일정 깊이의 요홈(20)을 형성한다. 이때 상기 베벨블레이드(10)를 이용하여 요홈(20)을 형성할 경우 그 요홈의 너비(kf)는 그 베벨블레이드(10)의 경사면(16)이 하강된 높이로 제어하도록 한다. 즉, 상기 베벨블레이드(10)를 이용할 경우에도 그 스크라이브래인(6)의 폭에 따라서 블레이드의 교환없이 그 하강된 높이를 적절히 조절함으로써 절단면의 너비(kf)를 조절할 수 있는 편리한 점이 있다. 물론 상기 U형블레이드(12)를 이용하여 요홈(20)을 형성할 경우에도 U형블레이드(12)의 하강된 높이로 그 요홈의 너비(kf)를 제어할 수 있으며, 이때에는 그 요홈(20)의 너비(kf)가 그 U형블레이드(12)에 형성된 라운드면(18)의 직경에 의해 결정된다. 물론 상기 U형블레이드(12)는 스크라이브래인(6)의 폭에 상응하는 것으로 교체하여 작업하는 것도 가능하다.First, a predetermined depth along the scribe lane 6 on the surface of the semiconductor wafer 2 using the bevel blade 10 having the inclined surface 16 symmetrically at the end or the U-shaped blade 12 having the round surface 18 is formed. To form the groove 20. In this case, when the groove 20 is formed by using the bevel blade 10, the width kf of the groove is controlled so that the inclined surface 16 of the bevel blade 10 is lowered. That is, even when the bevel blade 10 is used, there is a convenience in that the width kf of the cut surface can be adjusted by appropriately adjusting the lowered height without replacing the blade according to the width of the scribe crane 6. Of course, even when the groove 20 is formed by using the U-shaped blade 12, the width kf of the groove can be controlled by the height of the U-shaped blade 12 lowered, and in this case, the groove 20 The width kf of) is determined by the diameter of the round face 18 formed on the U-shaped blade 12. Of course, it is also possible to replace the U-shaped blade 12 corresponding to the width of the scribe crane (6) to work.
이와 같이 하여 일정 깊이의 요홈(20)이 형성된 후에는 상기 베벨블레이드(10) 및 U형블레이드(12)의 두께보다 작은 스텝컷블레이드(14)를 이용하여 상기 요홈(20)의 중심을 따라서 종래와 같이 절단하게 된다. 이때 상기 반도체웨이퍼(2)의 상면에는 이미 베벨블레이드(10) 또는 U형블레이드(12)에 의해 곡선형으로 절단면이 매끄럽게 형성되어 있고, 그 요홈(20)의 중앙을 따라서 두께가 작은 스텝컷블레이드(14)로 절단이 이루어짐으로써 종래보다 칩핑 및 크랙이 적게 발생하게 되며, 절단면 또는 요홈(20)과 반도체웨이퍼(2) 표면이 매끄럽게 미리 가공됨으로써 각종 응력에 의해 발생하던 크랙도 최소화된다.After the groove 20 having a predetermined depth is formed in this manner, the step cut blade 14 smaller than the thickness of the bevel blade 10 and the U-shaped blade 12 is used along the center of the groove 20. Will be cut as follows. At this time, the upper surface of the semiconductor wafer 2 is already smoothly formed by the bevel blade 10 or the U-shaped blade 12 in a curved cut surface, the thickness of the step cut blade is small along the center of the groove (20) Since the cutting is performed at 14, less chipping and cracks are generated than before, and the cracks generated by various stresses are minimized because the cutting surface or the groove 20 and the surface of the semiconductor wafer 2 are smoothly processed in advance.
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기에만 한정되지 않으며 본 발명의 범주와 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 당업자에 의해 여러가지로 변형된 실시예가 가능할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the above embodiments, various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the present invention.
따라서 본 발명에 의한 반도체웨이퍼 절단용 블레이드의 구조 및 이를 이용한 절단 방법에 의하면, 블레이드의 끝단에 대칭된 경사면을 형성(베벨블레이드)하거나 일정한 반경을 갖도록 라운드면을 형성(U형블레이드)하여 반도체웨이퍼를 완전히 절단하기 전에 스크라이브래인을 따라 미리 요홈을 형성함으로써 반도체웨이퍼 표면과 그 요홈 또는 절단면이 매끄럽게 가공되도록 하며, 마지막에 상기 베벨블레이드 및 U형블레이드보다 두께가 작은 스텝컷블레이드로 상기 요홈을 따라 절단작업을 함으로써 반도체웨이퍼의 절단시 칩핑, 크랙 등의 발생을 최소화함과 더불어 절단면 또는 요홈의 너비를 항상 일정하게 유지시켜 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the structure of the semiconductor wafer cutting blade according to the present invention and the cutting method using the same, the semiconductor wafer by forming a symmetrical inclined surface (bevel blade) or a round surface (U-shaped blade) to have a constant radius on the blade end The grooves and the grooves or the cutting surface of the semiconductor wafer are smoothly processed by forming grooves in advance along the scribe lane before the cutting is completed. The cutting operation minimizes the occurrence of chipping, cracking, etc. when cutting the semiconductor wafer, and also maintains the width of the cutting surface or the groove at all times to improve the reliability of the product.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776905B1 (en) * | 2003-07-16 | 2007-11-19 | 산요덴키가부시키가이샤 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7888237B2 (en) | 2007-11-05 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method of cutting semiconductor wafer, semiconductor chip apparatus, and chamber to cut wafer |
| US9127376B2 (en) | 2006-12-26 | 2015-09-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing nitride semiconductor self-supporting substrate and nitride semiconductor self-supporting substrate |
-
1998
- 1998-03-17 KR KR1019980009105A patent/KR19990075107A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR100776905B1 (en) * | 2003-07-16 | 2007-11-19 | 산요덴키가부시키가이샤 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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