KR102727314B1 - 상부 표면 및 홀을 포함하는 영역의 이미지화 - Google Patents
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Abstract
상부 표면 및 홀을 포함하는 영역을 이미지화하기 위한 방법, 컴퓨터 프로그램 제품, 및 시스템이 개시된다. 방법은, 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계; 대전된 입자 이미저가 제1 구성과 상이한 제2 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계; 및 (i) 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
관련 출원들에 대한 상호-참조들
본 출원은, 2018년 6월 13일자로 출원된 미국 출원 제16/007,580호의 이익을 주장하며, 이로써 이 출원의 내용들은 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
집적 회로들은 고도로 복잡한 제조 프로세스에 의해 제조된다. 집적 회로들은, 제조 프로세스 동안 그리고 심지어 제조 프로세스의 완료 후에 평가될 수 있다.
집적 회로들의 평가는, 집적 회로를 검사하는 것, 집적 회로를 검토하는 것, 및 부가적으로 또는 대안적으로, 집적 회로의 구조적 요소들을 측정하는 것을 포함할 수 있다. 깊고 좁은 홀들은 검사하기가 어려운데, 그 이유는, 홀의 바닥 상에 충돌하는 전자들 및 홀의 측벽들 상에 충돌하는 전자들이 홀을 빠져나가지 않기 때문이다.
상부 표면 및 홀을 포함하는 영역을 검사하기 위한 효율적인 방법을 제공할 필요가 커지고 있다.
상부 표면 및 홀을 포함하는 영역을 이미지화하기 위한 방법이 제공될 수 있다. 방법은, (a) 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있다. 방법은, (b) 대전된 입자 이미저가 제1 구성과 상이한 제2 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있다. 방법은, (c) 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이의 비교에 기반하여, 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은, (d) (i) 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
컴퓨터화된 시스템에 의해 일단 실행되면 컴퓨터화된 시스템으로 하여금 단계들을 수행하게 하는 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품이 제공될 수 있으며, 명령어들은, (a) 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계를 수행하게 한다. 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있다. 명령어들은, (b) 대전된 입자 이미저가 제1 구성과 상이한 제2 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계를 수행하게 한다. 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있다. 명령어들은, (c) 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이의 비교에 기반하여, 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계를 수행하게 한다. 명령어들은, (d) (i) 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 수행하게 한다.
상부 표면 및 홀을 포함하는 영역을 이미지화하기 위한 시스템이 제공될 수 있으며, 시스템은, 대전된 입자 이미저 및 프로세서를 포함할 수 있다. 대전된 입자 이미저는, (a) 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하고, (b) 대전된 입자 이미저가 제1 구성과 상이한 제2 구성에 있는 동안, 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하도록 배열되고 해석될 수 있으며, 여기서, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있고, 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있다. 프로세서는, (a) 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이의 비교에 기반하여, 이미지 간 오프셋을 계산하고, (b) (i) 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 영역의 혼성 이미지를 생성하도록 배열되고 해석될 수 있다.
일부 실시예들에서, 대전된 입자 이미저의 초점면을 기판의 상부 표면에 설정하고 상부 표면의 2차 전자 이미지를 포함하는 영역의 제1의 2차 전자 이미지를 획득하는 단계; 대전된 입자 이미저의 초점면을 홀의 바닥에 설정하고, 영역의 제2의 2차 전자 이미지, 및 홀의 바닥의 후방산란된 전자 이미지를 포함하는 영역의 후방산란된 전자 이미지를 획득하는 단계; 제1의 2차 전자 이미지와 제2의 2차 전자 이미지 사이의 비교에 기반하여 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계; 및 (i) 상부 표면의 제1의 2차 전자 이미지, (ii) 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 홀의 바닥의 후방산란된 전자 이미지에 기반하여 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 일부 예시들에서, 홀은, 기판의 상부 표면으로부터 홀의 바닥까지 홀 내에서 연장되는 측벽들을 포함하는, 기판에 형성된 트렌치이며, 제2의 2차 전자 이미지는 상부 표면의 초점이탈된 2차 전자 이미지를 포함하고, 후방산란된 전자 이미지는 상부 표면의 후방산란된 전자 이미지 및 홀의 측벽들의 후방산란된 전자 이미지를 더 포함한다. 그리고 일부 실시예들은, 컴퓨터화된 시스템으로 하여금 위의 방법을 수행하게 하도록 컴퓨터화된 시스템에 의해 실행될 수 있는 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것인 한편, 다른 실시예들은, 영역을 이미지화하고 위의 방법을 수행하도록 구성되는 대전된 입자 이미저 및 프로세서를 포함하는 시스템에 관한 것이다.
본 발명으로 여겨지는 주제는 본 명세서의 결론 부분에서 상세히 언급되고 명료하게 청구된다. 그러나, 본 발명은, 본 발명의 기질들, 특징들, 및 이점들과 함께, 단계의 방법 및 구성 둘 모두에 관하여, 첨부된 도면들과 함께 읽을 때 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.
도 1은 물체 및 대전된 입자 이미저의 예이다.
도 2는 물체 및 대전된 입자 이미저의 예이다.
도 3은 영역 및 다양한 이미지들의 예이다.
도 4는 영역 및 다양한 이미지들의 예이다.
도 5는 방법의 예이다.
예시의 간략화 및 명확화를 위해, 도면들에 도시된 요소들이 반드시 실측으로 도시된 것은 아니라는 것이 인식될 것이다. 예컨대, 요소들 중 일부의 치수들은, 명확화를 위해, 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다. 추가로, 적절한 것으로 고려되는 경우, 대응하는 또는 유사한 요소들을 표시하기 위해, 참조 번호들이 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
도 1은 물체 및 대전된 입자 이미저의 예이다.
도 2는 물체 및 대전된 입자 이미저의 예이다.
도 3은 영역 및 다양한 이미지들의 예이다.
도 4는 영역 및 다양한 이미지들의 예이다.
도 5는 방법의 예이다.
예시의 간략화 및 명확화를 위해, 도면들에 도시된 요소들이 반드시 실측으로 도시된 것은 아니라는 것이 인식될 것이다. 예컨대, 요소들 중 일부의 치수들은, 명확화를 위해, 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다. 추가로, 적절한 것으로 고려되는 경우, 대응하는 또는 유사한 요소들을 표시하기 위해, 참조 번호들이 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
다음의 상세한 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해, 많은 특정 세부사항들이 기재된다. 그러나, 본 발명은 이러한 특정 세부사항들 없이도 실시될 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 이해될 것이다. 다른 예시들에서, 잘 알려진 방법들, 절차들, 및 구성요소들은, 본 발명을 불명료하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않는다.
방법에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 방법을 실행할 수 있는 시스템에 그리고 방법을 실행하기 위한 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에 준용하여 적용되어야 한다.
시스템에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 시스템에 의해 실행될 수 있는 방법에 그리고 방법을 실행하기 위한 명령어들을 저장하는 컴퓨터 프로그램 제품에 준용하여 적용되어야 한다.
컴퓨터 프로그램 제품에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는, 컴퓨터 프로그램 제품에 저장된 명령어들을 실행할 때 수행되는 방법에 그리고 컴퓨터 프로그램 제품에 저장된 명령어들을 실행하도록 배열되고 해석되는 시스템에 준용하여 적용되어야 한다. 컴퓨터 프로그램 제품은 비-일시적이며, 명령어들을 저장하기 위한 비-일시적인 매체를 포함할 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품의 비-제한적인 예들은 메모리 칩, 집적 회로, 디스크, 자기 메모리 유닛, 및 멤리스터 메모리 유닛이다.
다양한 구성요소들에 대한 동일한 참조 번호들의 배정은 이러한 구성요소들이 서로 유사하다는 것을 나타낼 수 있다.
상부 표면 및 홀을 포함하는 영역의 혼성 이미지를 생성하기 위한 방법이 제공될 수 있다. 홀은 나노미터 치수들을 가지며, 높은 종횡비를 갖는다. 종횡비는, 홀의 깊이와 홀의 폭 간의 비이다. 높은 종횡비는 10을 초과할 수 있다. 홀은, 홀의 폭이 약 수 나노미터(예컨대, 1 내지 9 나노미터) 또는 수십 나노미터일 수 있다는 점에서 나노미터 치수들을 갖는다.
다음의 예는 물체를 언급한다. 물체는, 반도체 웨이퍼, 또는 나노미터 치수들의 높은 종횡비 홀들을 갖는 임의의 다른 물체일 수 있다.
혼성 이미지는, (a) 영역의 상부 표면의 이미지에서 취해진 픽셀들, 및 (b) 홀의 바닥의 다른 이미지로부터 취해진 픽셀들을 포함할 수 있다. 홀의 상부 표면과 홀의 바닥 사이의 경계에 가까운 픽셀들은 혼성 이미지의 픽셀들 사이의 급격한 변화들을 방지하기 위해 수정될 수 있다. 경계에 가까운 선택된 픽셀들에 대해 평활화 함수가 적용될 수 있다. 임의의 평활화 함수가 적용될 수 있다.
경계에 가까운 (또는 경계에 근접한) 픽셀은 경계로부터의 미리 정의된 수의 픽셀들 내에 위치될 수 있는데, 예컨대, 홀의 바닥의 폭으로부터 미리 정의된 분율(예컨대, 1 내지 15 퍼센트)보다 작은 거리까지 위치될 수 있다.
영역의 하나 이상의 이미지는 제1 구성에 있는 동안 대전된 입자 이미저에 의해 취해질 수 있다. 영역의 하나 이상의 이미지는 제2 구성에 있는 동안 대전된 입자 이미저에 의해 취해질 수 있다.
제1 및 제2 구성들의 각각의 구성에서 취해진 하나 이상의 이미지는 상이한 유형들의 전자들의 이미지들, 예컨대, 후방산란된 전자 이미지들 및/또는 2차 전자 이미지들, 및/또는 다른 유형들의 대전된 입자 이미지들을 포함할 수 있다.
제2 구성은 적어도 하나의 대전된 입자 이미저 파라미터에 의해 제1 구성과 상이하다. 적어도 하나의 대전된 입자 이미저 파라미터는, 초점 조건, 랜딩(landing) 에너지 조건, 대전 조건, 강도 조건 등일 수 있다.
설명의 간략화를 위해, 제2 구성은 대전된 입자 이미저의 초점면의 위치에 의해 제1 구성과 상이하다는 것이 가정된다. 예컨대, 제1 구성에 있을 때, 대전된 입자 이미저의 초점면은 상부 표면에 대응한다(실질적으로 상부 표면 상에 있음). 제2 구성에 있을 때, 대전된 입자 이미저의 초점면은 홀의 바닥에 대응한다(실질적으로 홀의 바닥 상에 있음).
"실질적으로 ~ 상에 있음"이라는 문구는 정확히 그 상에 있거나 비-실질적인 양만큼 벗어날 수 있는 것을 포함할 수 있는데, 예컨대, 미리 정의된 양까지(예컨대, 2 내지 30 나노미터까지), 또는 홀의 깊이의 미리 정의된 퍼센트까지(예컨대, 홀의 깊이의 5 내지 30 퍼센트까지) 벗어날 수 있다.
설명을 간략화하기 위해, 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있을 때 획득되는 하나 이상의 이미지는 영역의 제1의 2차 전자 이미지를 포함하는 것으로 가정된다. 또한, 설명을 간략화하기 위해, 대전된 입자 이미저가 제2 구성에 있을 때 획득되는 하나 이상의 이미지는 영역의 제2의 2차 전자 이미지 및 영역의 제1 후방산란된 전자 이미지를 포함하는 것으로 가정된다.
영역의 제1의 2차 전자 이미지 및 영역의 제2의 2차 전자 이미지는 이미지 간 오프셋을 발견하기 위해 비교된다. 혼성 이미지는, (i) 상부 표면을 표현하기 위해 제1의 2차 전자 이미지의 픽셀들을 취하고, (ii) 홀의 바닥를 표현하기 위해 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들을 취함으로써 생성될 수 있다. 단계들 (i) 및 (ii)는 이미지 간 오프셋을 보상하는 것을 포함할 수 있다는 것(또는 이미지 간 오프셋을 보상하는 것이 이에 선행될 수 있다는 것)이 유의되어야 한다. 보상은 하나 이상의 이미지를 편이시키는 것을 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2는 물체(100) 및 대전된 입자 이미저(10)를 예시한다. 대전된 입자 이미저(10)는, 스테이지(30), 프로세서(50), 메모리 유닛(60), 제어기(70), 및 전자 광학계를 포함한다. 전자 광학계는 빔 소스(12), 집속 렌즈(14), 제1 편향기(16), 후방산란된 전자 센서(18), 제2 편향기(20), 2차 전자 검출기(22) 및 대물 렌즈(24)를 포함한다.
스테이지(30)는 물체(100)를 지지하고 물체를 이동시키도록 배열된다. 제어기(70)는 대전된 입자 이미저(10)의 동작을 제어할 수 있다. 프로세서(50)는 후방산란된 전자 센서(18) 및/또는 2차 전자 검출기(22)로부터 전송되는 검출 신호들로부터 이미지들을 생성할 수 있다. 프로세서(50)는 본 명세서에 예시된 임의의 방법의 임의의 단계를 실행하도록 (예컨대, 프로그래밍됨으로써) 배열되고 해석될 수 있다. "~ 하도록 구성"이라는 문구와 "배열되고 해석"이라는 문구는 상호교환가능한 방식으로 사용된다. 프로세서(50)는, 대전된 입자 이미저(10)와 상이한 원격 컴퓨터 또는 임의의 다른 컴퓨터화된 시스템에 위치될 수 있다는 점에 유의해야 한다.
빔 소스(12)는 1차 전자 빔(40)을 생성한다. 도 1은, 제1 편향기(16) 및 제2 편향기(20)에 의해 두 번 편향되어 대물 렌즈(24)를 통과하고 물체(100) 상에 충돌하는 것으로 1차 전자 빔(40)을 예시한다. 1차 전자 빔(40)은 임의의 다른 경로를 지날 수 있다. 예컨대, 1차 전자 빔(40)은 한 번, 또는 두 번 초과로 편향될 수 있고, 1차 전자 빔(40)은 임의의 다른 방식으로 전파될 수 있다.
2차 전자 검출기(22)는, 2차 전자들을 수신하는 4개의 세그먼트들(91, 92, 93, 및 94)을 갖는다. 2차 전자 검출기(22)는 또한 중앙 개구(23)를 가지며, 후방산란된 전자들은 이 중앙 개구를 통과하여 후방산란된 전자 센서(18)에 도달할 수 있다.
도 2는, 2차 전자 검출기(22) 상에 충돌하는 2차 전자들(31), 및 중앙 개구를 통과하여 후방산란된 전자 센서(18)에 충돌하는 후방산란된 전자들(32)을 예시한다. 후방산란된 전자들(32)은 제2 편향기(20)에 의해 후방산란된 전자 센서(18) 쪽으로 편향된다. 렌즈 내 검출기는, 대전된 입자 이미저의 컬럼 내부에 위치되는 검출기이다. 렌즈 밖 검출기는, 대전된 입자 이미저의 컬럼 외부에 위치되는 검출기이다.
도 2는, 렌즈 내 검출기들로서 2차 전자 검출기(22) 및 후방산란된 전자들(32)을 예시한다. 이는 단지 예이다. 대전된 입자 이미저(10)의 전자 광학계는 도 1 및 도 2의 전자 광학계와 상이할 수 있다는 것이 유의되어야 한다. 예컨대, 2차 전자 검출기는 임의의 렌즈 밖 2차 전자 검출기일 수 있고, 2차 전자 검출기는 임의의 렌즈 내 2차 전자 검출기일 수 있고, 2차 전자 검출기는 4개보다 적은 세그먼트를 포함할 수 있고, 2차 전자 검출기는 4개 초과의 세그먼트를 가질 수 있고, 후방산란된 전자 검출기는 임의의 렌즈 밖 후방산란된 전자 검출기일 수 있고, 후방산란된 전자 검출기는 임의의 렌즈 내 후방산란된 전자 검출기일 수 있고, 검출기들의 유형들은 2차 전자 검출기 및 후방산란된 전자 검출기와 상이할 수 있고, 임의의 수의 편향기가 존재할 수 있고, 1차 전자 빔은 물체에 수직이거나 물체에 수직이 아닐 수 있는 등의 방식으로 이루어질 수 있다.
도 3은 다음의 예이다.
a. 상부 표면(111) 및 홀(110)을 포함하는 영역(101)의 단면도. 홀(110)은 바닥(114), 경사진 측벽들(113), 및 상부 표면(112)을 포함함.
b. 영역의 평면도.
c. 상부 표면의 제1의 2차 전자 이미지(121) 및 홀의 제1의 2차 전자 이미지(124)를 포함하는, (초점면이 상부 표면에 대응할 때 획득된) 영역의 제1의 2차 전자 이미지(120). 홀로부터의 2차 전자들이 전자 광학계에 도달하지 않기 때문에, 홀의 제1의 2차 전자 이미지는 통상적으로 어떠한 정보도 포함하지 않음.
d. 상부 표면의 제2의 2차 전자 이미지(131) 및 홀의 제2의 2차 전자 이미지(134)를 포함하는, (초점면이 홀의 바닥에 대응할 때 획득된) 영역의 제2의 2차 전자 이미지(130). 홀로부터의 2차 전자들이 전자 광학계에 도달하지 않기 때문에, 홀의 제2의 2차 전자 이미지는 통상적으로 어떠한 정보도 포함하지 않음. 제2의 2차 전자 이미지(130)는 초점이탈된다.
e. 상부 표면의 제1 후방산란된 전자 이미지(141) 및 홀의 제1 후방산란된 전자 이미지를 포함하는, (초점면이 홀의 바닥에 대응할 때 획득된) 영역의 제1 후방산란된 전자 이미지(140). 영역의 제1 후방산란된 전자 이미지(140)는 또한, 홀의 측벽들의 제1 후방산란된 전자 이미지(143) 및 홀의 바닥의 제1 후방산란된 전자 이미지(144)를 포함함. 홀의 바닥의 제1 후방산란된 전자 이미지(144)는 홀의 바닥에 관한 정보를 포함함.
f. 이미지 간 오프셋(129).
g. 상부 표면의 픽셀들(151) 및 홀의 바닥의 픽셀들(154)을 포함하는 혼성 이미지(150).
도 3의 홀은 둥근 홀이고, 이미지 간 오프셋(129)은, 영역의 제1의 2차 전자 이미지와 영역의 제2의 2차 전자 이미지 사이의 최상의 상관을 제공하는 오프셋을 발견하려 시도함으로써 계산될 수 있다. 평활화 동작들은 상부 표면과 홀의 바닥 사이의 경계 근처의 선택된 픽셀들에 대해 적용될 수 있다는 것이 유의되어야 한다.
도 4는 다음의 예이다.
a. 상부 표면(104) 및 2개의 수직 트렌치들(211 및 212)을 포함하는 영역(103)의 평면도.
b. 영역의 제2의 2차 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들의 분포(221), 픽셀들은 가상선(213)을 따라 취해짐.
c. 영역의 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들의 분포(222), 픽셀들은 가상선(213)을 따라 취해짐.
분포들(221 및 222) 중 적어도 하나는 이미지 간 오프셋이 보상된다. 이미지 간 오프셋은 230으로 표시된다. 분포들(221 및 222)은 우측 교차점(224) 및 좌측 교차점(223)에서 서로 교차한다. 우측 교차점(224)과 좌측 교차점(223) 사이의 영역은 중간 구역(228)으로 지칭된다.
혼성 이미지는, 중간 구역(228)의 우측으로 분포(221)로부터 픽셀들을 선택하고, 중간 구역(228)에서 분포(222)로부터 픽셀들을 선택하고, 중간 구역(228)의 좌측으로 분포(221)로부터 픽셀들을 선택함으로써 생성될 수 있다. 우측 교차점(224) 및 좌측 교차점(223)에 근접한 선택된 픽셀들은 평활화 동작을 겪을 수 있다.
도 4는 단일 가상선(213)을 따라 취해진 픽셀들의 분포들을 예시한다. 다수의 가상선들(다수의 스트라이프들)을 따라 상이한 분포들이 취해질 수 있고, 혼성 이미지는, 다수의 스트라이프들에 걸쳐 획득되는 다수의 분포들에 대해 적용될 때, 위에 언급된 프로세스를 사용하여 생성될 수 있다.
도 5는 방법(300)의 예를 예시한다. 방법(300)은 일련의 단계들(310, 320, 330 및 340)을 포함할 수 있다. 단계(310)는, 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있다.
단계(320)는, 대전된 입자 이미저가 제2 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 구성은 제1 구성과 상이하다. 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함할 수 있다.
단계(330)는, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이의 비교에 기반하여, 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계를 포함할 수 있다. 단계(330)는, 이미지 간 오프셋을 발견하기 위해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이를 비교하는 단계를 포함할 수 있다.
단계(340)는, (i) 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 영역의 제1의 2차 전자 이미지일 수 있다. 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상부 표면의 제1의 2차 전자 이미지일 수 있다. 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지는 영역의 제2의 2차 전자 이미지일 수 있다. 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 영역의 제1 후방산란된 전자 이미지일 수 있다. 홀의 바닥의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 홀의 바닥의 제1 후방산란된 전자 이미지일 수 있다. 제2 구성은 대전된 입자 이미저의 초점면의 위치에 의해 제1 구성과 상이할 수 있다.
대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저의 초점면은 상부 표면에 대응할 수 있다. 대전된 입자 이미저가 제2 구성에 있는 동안, 대전된 입자 이미저의 초점면은 홀의 바닥에 대응할 수 있다. 홀은 트렌치일 수 있다.
단계(330)는, 영역의 제1의 2차 전자 이미지에서의 홀의 픽셀들 사이 및 영역의 제2의 2차 전자 이미지에서의 홀의 대응하는 픽셀들 사이의 위도 변위를 탐색하는 단계를 포함할 수 있다. 홀은 원형 접촉부일 수 있다. 단계(330)는, 영역의 제1의 2차 전자 이미지에서의 원형 접촉부의 픽셀들과 영역의 제2의 2차 전자 이미지에서의 원형 접촉부의 픽셀들 사이를 상관시키는 단계를 포함할 수 있다.
단계(340)는 다음을 포함할 수 있다.
a. 이미지 간 오프셋을 보상하여, 홀의 바닥의 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지를 제공하는 단계.
b. (i) 상부 표면의 제1의 2차 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들과 (ii) 홀의 바닥의 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들 사이의 교차점들을 발견하는 단계.
c. 혼성 이미지에 대해, 교차점들 사이에 정의된 중간 구역에서, 홀의 바닥의 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 대부분을 선택하는 단계.
d. 혼성 이미지에 대해, 중간 구역 외부에서, 상부 표면의 제1의 2차 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 대부분을 선택하는 단계.
방법은 교차점들에 근접한 픽셀들에 대해 평활화 함수를 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 픽셀들의 적어도 대부분은, 모든 픽셀들, 50 % 초과의 픽셀들, 또는 51 내지 99 퍼센트의 임의의 백분율의 픽셀들을 포함할 수 있다.
홀은 트렌치일 수 있고, 단계(340)는 다음을 포함할 수 있다.
a. 이미지 간 오프셋을 보상하여, 상부 표면의 이미지 간 보상된 제1의 2차 이미지를 제공하는 단계.
b. (i) 상부 표면의 이미지 간 보상된 제1의 2차 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들과 (ii) 홀의 바닥의 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들 사이의 교차점들을 발견하는 단계.
c. 혼성 이미지에 대해, 교차점들 사이에 정의된 중간 구역에서, 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 대부분을 선택하는 단계.
d. 혼성 이미지에 대해, 중간 구역 외부에서, 상부 표면의 이미지 간 보상된 제1의 2차 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 대부분을 선택하는 단계.
방법은 교차점들에 근접한 픽셀들에 대해 평활화 함수를 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 다음을 포함할 수 있는 방법이 제공될 수 있다는 것이 유의되어야 한다.
a. 대전된 입자 이미저에 의해, 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 영역의 다수의 유형들의 전자들의 제1 이미지들을 획득하는 단계.
b. 대전된 입자 이미저에 의해, 대전된 입자 이미저가 제2 구성에 있는 동안, 영역의 다수의 유형들의 전자들의 제2 이미지들을 획득하는 단계.
c. 등록을 위해 영역의 특정 유형의 전자들의 제1 및 제2 이미지들을 사용하는 단계(이미지 내 오프셋을 발견하는 단계).
d. 이미지 내 오프셋을 고려하면서, 혼성 이미지를 생성하기 위해 영역의 다른 유형의 전자들의 제1 및 제2 이미지들을 사용하는 단계.
단계 (c)는 특정 유형의 전자들을 선택하는 단계를 포함할 수 있다(또는 특정 유형의 전자들을 선택하는 단계가 그에 선행할 수 있음). 선택은, 상이한 유형들의 이미지들의, 이미지들의 평활도와 같은, 이미지들의 하나 이상의 파라미터에 기반할 수 있다. 더 평활한 이미지들은 더 정확한 등록을 제공할 수 있다. 다른 파라미터들은 신호 대 잡음비 등을 포함할 수 있다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예들의 특정 예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구항들에 기재된 바와 같은 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서, 그 특정 예들에서 다양한 수정들 및 변경들이 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다.
더욱이, 설명에서의 그리고 청구항들에서의 "앞", "뒤", "최상부", "바닥", "위", "아래" 등의 용어들은, 존재한다면, 설명의 목적들을 위해 사용되고, 반드시 영구적인 상대적인 위치들을 설명하기 위해 사용되는 것은 아니다. 그렇게 사용되는 용어들은, 본원에서 설명된 본 발명의 실시예들이, 예컨대, 본원에서 예시되거나 다른 방식으로 설명된 것들과 다른 배향들로 나아갈 수 있도록, 적절한 환경들 하에서 상호교환 가능하다는 것이 이해된다.
본원에서 논의된 바와 같은 연결들은, 예컨대 중간 디바이스들을 통해, 개개의 노드들, 유닛들, 또는 디바이스들로부터 또는 이들로 신호들을 전달하기에 적합한 임의의 유형의 연결일 수 있다. 따라서, 다르게 암시되거나 언급되지 않는 한, 연결들은, 예컨대, 직접 연결들 또는 간접 연결들일 수 있다. 연결들은, 단일 연결, 복수의 연결들, 단방향 연결들, 또는 양방향 연결들인 것으로 참조되어 예시 또는 설명될 수 있다. 그러나, 상이한 실시예들은 연결들의 구현을 변화시킬 수 있다. 예컨대, 양방향 연결들이 아니라 별개의 단방향 연결들이 사용될 수 있고, 그 반대가 또한 가능하다. 또한, 복수의 연결들은, 시간 다중화된 방식으로 또는 직렬로 다수의 신호들을 전달하는 단일 연결로 대체될 수 있다. 마찬가지로, 다수의 신호들을 반송하는 단일 연결들은, 이 신호들의 하위세트들을 반송하는 다양한 상이한 연결들로 분리될 수 있다. 따라서, 신호들을 전달하는 것에 대해 많은 선택사항들이 존재한다.
특정 전도성 유형들 또는 전위들의 극성이 예들에서 설명되었지만, 전도성 유형들 및 전위들의 극성들은 반전될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 관련 기술분야의 통상의 기술자들은, 논리 블록들 사이의 경계들은 단지 예시적이며, 대안적인 실시예들이, 논리 블록들 또는 회로 소자들을 합칠 수 있거나 다양한 논리 블록들 또는 회로 소자들에 대해 기능의 대안적인 해체를 도입할 수 있다는 것을 인지할 것이다. 따라서, 본원에 도시된 아키텍쳐들은 단지 예시적이며, 실제로, 동일한 기능을 달성하는 많은 다른 아키텍쳐들이 구현될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
동일한 기능을 달성하기 위한 구성요소들의 임의의 배열은, 원하는 기능이 달성되도록 효과적으로 "연관된다". 그러므로, 특정한 기능을 달성하도록 조합된 본원에서의 임의의 2개의 구성요소는, 아키텍쳐들 또는 중간 구성요소들과 무관하게, 원하는 기능이 달성되도록 서로 "연관된" 것으로 볼 수 있다. 마찬가지로, 그렇게 연관된 임의의 2개의 구성요소는 또한, 원하는 기능을 달성하도록 서로에 대해 "동작가능하게 연결된" 또는 "동작가능하게 결합된" 것으로 볼 수 있다.
또한, 위에서 설명된 단계들 사이의 경계들은 단지 예시적이라는 것을 관련 기술분야의 통상의 기술자들은 인지할 것이다. 다수가 단일 단계로 조합될 수 있고, 단일 단계는 부가적인 단계들로 분배될 수 있고, 단계들은 시간상 적어도 부분적으로 겹쳐서 실행될 수 있다. 더욱이, 대안적인 실시예들은, 특정 단계의 다수의 예시들을 포함할 수 있고, 단계들의 순서는 다양한 다른 실시예들에서 변경될 수 있다.
또한, 예컨대, 일 실시예에서, 예시된 예들은, 단일 집적 회로 상에 또는 동일한 디바이스 내에 위치된 회로로서 구현될 수 있다. 대안적으로, 예들은, 적합한 방식으로 서로 상호연결된, 임의의 수의 별개의 집적 회로들 또는 별개의 디바이스들로서 구현될 수 있다.
그러나, 다른 수정들, 변형들, 및 대안들이 또한 가능하다. 따라서, 본 명세서들 및 도면들은, 제한적인 의미보다는 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 청구항들에서, 괄호들 사이에 배치된 임의의 참조 기호들은 청구항을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. '포함'이라는 단어는, 청구항에서 열거된 것들 이외의 다른 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 또한, 본원에서 사용되는 바와 같은 본원의 국제 출원 명세서에서의 부정 관사 용어들("a" 또는 "an")은 하나 또는 하나 초과로서 정의된다. 또한, 청구항들에서의 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 도입 문구들의 사용은, 본원의 국제 출원 명세서에서의 "a" 또는 "an"의 부정 관사들에 의한 다른 청구항 요소의 도입이, 심지어 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"의 도입 문구들 및 본원의 국제 출원 명세서에서의 "a" 또는 "an"과 같은 부정 관사들을 포함하는 경우에도, 그러한 도입된 청구항 요소를 포함하는 임의의 특정 청구항을, 그러한 요소를 오직 하나만 포함하는 발명들로 제한한다는 것을 암시하는 것으로 해석되어서는 안된다. 이는 정관사들의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 달리 언급되지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어들은, 그러한 용어들이 설명하는 요소들을 임의로 구별하기 위해 사용된다. 따라서, 이들 용어들은, 반드시, 그러한 요소들의 시간적인, 또는 다른 우선순위 결정(prioritization)을 나타내도록 의도된 것은 아니다. 특정 측정치들이 서로 상이한 청구항들에서 언급된다는 단순한 사실은, 이 측정치들의 조합이, 유리하게 하는 데에 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
본 발명의 특정 특징들이 본원에서 예시되고 설명되었지만, 많은 수정들, 치환들, 변경들, 및 등가물들이 이제 관련 기술분야의 통상의 기술자들에게 떠오를 것이다. 따라서, 첨부된 청구항들은 본 발명의 실제 사상 내에 속하는 모든 그러한 수정들 및 변경들을 망라하도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다.
Claims (20)
- 상부 표면 및 홀을 포함하는 영역을 이미지화하기 위한 방법으로서,
대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저에 의해, 상기 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계 ― 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 상부 표면의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함함 ―;
상기 대전된 입자 이미저가 상기 제1 구성과 상이한 제2 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저에 의해, 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 상기 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계 ― 상기 영역의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함함 ―;
상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이의 비교에 기반하여, 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계; 및
(i) 상기 상부 표면의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 상기 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 상기 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 상기 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 포함하는, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 영역의 제1의 2차 전자 이미지이고, 상기 상부 표면의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 상부 표면의 제1의 2차 전자 이미지이고, 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제2 이미지는 상기 영역의 제2의 2차 전자 이미지이고, 상기 영역의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 영역의 제1 후방산란된 전자 이미지이고, 상기 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 홀의 바닥의 제1 후방산란된 전자 이미지인, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제2항에 있어서,
상기 제2 구성은, 상기 대전된 입자 이미저의 초점면의 위치에 의해 상기 제1 구성과 상이한, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제2항에 있어서,
상기 대전된 입자 이미저가 상기 제1 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저의 초점면은 상기 상부 표면에 대응하고, 상기 대전된 입자 이미저가 상기 제2 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저의 초점면은 상기 홀의 바닥에 대응하는, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제4항에 있어서,
상기 홀은 트렌치이고, 상기 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계는, 상기 영역의 상기 제1의 2차 전자 이미지에서의 상기 홀의 픽셀들 사이 및 상기 영역의 상기 제2의 2차 전자 이미지에서의 상기 홀의 대응하는 픽셀들 사이의 위도 변위를 탐색하는 단계를 포함하는, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제4항에 있어서,
상기 홀은 원형 접촉부이고, 상기 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계는, 상기 영역의 상기 제1의 2차 전자 이미지에서의 상기 원형 접촉부의 픽셀들과 상기 영역의 상기 제2의 2차 전자 이미지에서의 상기 원형 접촉부의 픽셀들 사이를 상관시키는 단계를 포함하는, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제4항에 있어서,
상기 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계는,
a) 상기 이미지 간 오프셋을 보상하여, 상기 홀의 바닥의 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지를 제공하는 단계;
b) (i) 상기 상부 표면의 제1의 2차 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들과 (ii) 상기 홀의 바닥의 상기 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들 사이의 교차점들을 발견하는 단계;
c) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 교차점들 사이에 정의된 중간 구역에서, 상기 홀의 바닥의 상기 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계; 및
d) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 중간 구역 외부에서, 상기 상부 표면의 상기 제1의 2차 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계를 포함하는, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제4항에 있어서,
상기 홀은 트렌치이고, 상기 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계는,
a) 상기 이미지 간 오프셋을 보상하여, 상기 상부 표면의 이미지 간 보상된 제1의 2차 이미지를 제공하는 단계;
b) (i) 상기 상부 표면의 상기 이미지 간 보상된 제1의 2차 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들과 (ii) 상기 홀의 바닥의 상기 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들 사이의 교차점들을 발견하는 단계;
c) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 교차점들 사이에 정의된 중간 구역에서, 상기 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계; 및
d) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 중간 구역 외부에서, 상기 상부 표면의 상기 이미지 간 보상된 제1의 2차 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계를 포함하는, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 교차점들에 근접한 선택된 픽셀들에 대해 평활화 함수를 적용하는 단계를 더 포함하는, 영역을 이미지화하기 위한 방법. - 기판 상의 영역을 이미지화하는 방법으로서,
상기 기판은 상기 기판에 형성된 상부 표면 및 홀을 포함하고, 상기 홀은 상기 기판의 상기 상부 표면으로부터 상기 홀의 바닥까지 연장되고,
상기 방법은,
대전된 입자 이미저의 초점면을 상기 기판의 상기 상부 표면에 설정하고 상기 상부 표면의 2차 전자 이미지를 포함하는 상기 영역의 제1의 2차 전자 이미지를 획득하는 단계;
상기 대전된 입자 이미저의 초점면을 상기 홀의 바닥에 설정하고, 상기 영역의 제2의 2차 전자 이미지, 및 상기 홀의 바닥의 후방산란된 전자 이미지를 포함하는 상기 영역의 후방산란된 전자 이미지를 획득하는 단계;
상기 제1의 2차 전자 이미지와 상기 제2의 2차 전자 이미지 사이의 비교에 기반하여 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계; 및
(i) 상기 상부 표면의 상기 제1의 2차 전자 이미지, (ii) 상기 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 상기 홀의 바닥의 상기 후방산란된 전자 이미지에 기반하여 상기 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 포함하는, 기판 상의 영역을 이미지화하는 방법. - 제10항에 있어서,
상기 홀은, 상기 기판의 상부 표면으로부터 상기 홀의 바닥까지 상기 홀 내에서 연장되는 측벽들을 포함하는, 상기 기판에 형성된 트렌치이며, 상기 제2의 2차 전자 이미지는 상기 상부 표면의 초점이탈된 2차 전자 이미지를 포함하고, 상기 후방산란된 전자 이미지는 상기 상부 표면의 후방산란된 전자 이미지 및 상기 홀의 측벽들의 후방산란된 전자 이미지를 더 포함하는, 기판 상의 영역을 이미지화하는 방법. - 명령어들을 저장하는 컴퓨터 판독가능 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램으로서,
상기 명령어들은, 컴퓨터화된 시스템에 의해 일단 실행되면, 상기 컴퓨터화된 시스템으로 하여금,
대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저에 의해, 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계 ― 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 영역의 상부 표면의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함함 ―;
상기 대전된 입자 이미저가 상기 제1 구성과 상이한 제2 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저에 의해, 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 상기 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하는 단계 ― 상기 영역의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 영역의 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함함 ―;
상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이의 비교에 기반하여, 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계; 및
(i) 상기 상부 표면의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 상기 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 상기 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 상기 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계를 수행하게 하는, 컴퓨터 프로그램. - 제12항에 있어서,
상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 영역의 제1의 2차 전자 이미지이고, 상기 상부 표면의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 상부 표면의 제1의 2차 전자 이미지이고, 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제2 이미지는 상기 영역의 제2의 2차 전자 이미지이고, 상기 영역의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 영역의 제1 후방산란된 전자 이미지이고, 상기 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 홀의 바닥의 제1 후방산란된 전자 이미지인, 컴퓨터 프로그램. - 제13항에 있어서,
상기 대전된 입자 이미저가 상기 제1 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저의 초점면은 상기 상부 표면에 대응하고, 상기 대전된 입자 이미저가 상기 제2 구성에 있는 동안, 상기 대전된 입자 이미저의 초점면은 상기 홀의 바닥에 대응하는, 컴퓨터 프로그램. - 제14항에 있어서,
상기 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계는, 상기 영역의 상기 제1의 2차 전자 이미지에서의 트렌치의 픽셀들 사이 및 상기 영역의 상기 제2의 2차 전자 이미지에서의 상기 트렌치의 대응하는 픽셀들 사이의 위도 변위를 탐색하는 단계를 포함하는, 컴퓨터 프로그램. - 제14항에 있어서,
상기 이미지 간 오프셋을 계산하는 단계는, 상기 제1의 2차 전자 이미지에서의 원형 접촉부의 픽셀들과 상기 제2의 2차 전자 이미지에서의 상기 원형 접촉부의 픽셀들 사이를 상관시키는 단계를 포함하는, 컴퓨터 프로그램. - 제14항에 있어서,
상기 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계는,
a) 상기 이미지 간 오프셋을 보상하여, 상기 홀의 바닥의 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지를 제공하는 단계;
b) (i) 상기 상부 표면의 제1의 2차 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들과 (ii) 상기 홀의 바닥의 상기 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들 사이의 교차점들을 발견하는 단계;
c) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 교차점들 사이에 정의된 중간 구역에서, 상기 홀의 바닥의 상기 이미지 간 보상된 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계; 및
d) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 중간 구역 외부에서, 상기 상부 표면의 상기 제1의 2차 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계를 포함하는, 컴퓨터 프로그램. - 제14항에 있어서,
상기 홀은 트렌치이고, 상기 영역의 혼성 이미지를 생성하는 단계는,
a) 상기 이미지 간 오프셋을 보상하여, 상기 상부 표면의 이미지 간 보상된 제1의 2차 이미지를 제공하는 단계;
b) (i) 상기 상부 표면의 이미지 간 보상된 제1의 2차 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들과 (ii) 상기 홀의 바닥의 상기 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 그레이 레벨들 사이의 교차점들을 발견하는 단계;
c) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 교차점들 사이에 정의된 중간 구역에서, 상기 제1 후방산란된 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계; 및
d) 상기 혼성 이미지에 대해, 상기 중간 구역 외부에서, 상기 상부 표면의 상기 이미지 간 보상된 제1의 2차 전자 이미지의 픽셀들의 적어도 50%를 선택하는 단계를 포함하는, 컴퓨터 프로그램. - 제17항 또는 제 18항에 있어서,
상기 명령어들은, 상기 컴퓨터화된 시스템에 의해 실행될 때, 상기 컴퓨터화된 시스템으로 하여금 추가로, 상기 교차점들에 근접한 선택된 픽셀들에 대해 평활화 함수를 적용하게 하는, 컴퓨터 프로그램. - 상부 표면 및 홀을 포함하는 영역을 이미지화하기 위한 시스템으로서,
대전된 입자 이미저 및 프로세서를 포함하며,
상기 대전된 입자 이미저는, (a) 상기 대전된 입자 이미저가 제1 구성에 있는 동안, 상기 영역의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하고, (b) 상기 대전된 입자 이미저가 상기 제1 구성과 상이한 제2 구성에 있는 동안, 상기 영역의 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 및 상기 영역의 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 획득하도록 배열되고 해석되며, 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 상부 표면의 제1 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함하고, 상기 영역의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지는 상기 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지를 포함하고,
상기 프로세서는, (a) 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지와 상기 영역의 상기 제1 유형의 전자들의 제2 이미지 사이의 비교에 기반하여, 이미지 간 오프셋을 계산하고, (b) (i) 상기 상부 표면의 상기 제1 유형의 전자들의 제1 이미지, (ii) 상기 이미지 간 오프셋, 및 (iii) 상기 홀의 바닥의 상기 제2 유형의 전자들의 제1 이미지에 기반하여 상기 영역의 혼성 이미지를 생성하도록 배열되고 해석되는, 영역을 이미지화하기 위한 시스템.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/007,580 | 2018-06-13 | ||
| US16/007,580 US10340116B1 (en) | 2018-06-13 | 2018-06-13 | Imaging an area that includes an upper surface and a hole |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190141097A KR20190141097A (ko) | 2019-12-23 |
| KR102727314B1 true KR102727314B1 (ko) | 2024-11-08 |
Family
ID=
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011076810A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子顕微鏡装置及びこれを用いた試料の検査方法 |
| JP2015106530A (ja) | 2013-12-02 | 2015-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査電子顕微鏡 |
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011076810A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子顕微鏡装置及びこれを用いた試料の検査方法 |
| JP2015106530A (ja) | 2013-12-02 | 2015-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査電子顕微鏡 |
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