KR102713646B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102713646B1 KR102713646B1 KR1020190118074A KR20190118074A KR102713646B1 KR 102713646 B1 KR102713646 B1 KR 102713646B1 KR 1020190118074 A KR1020190118074 A KR 1020190118074A KR 20190118074 A KR20190118074 A KR 20190118074A KR 102713646 B1 KR102713646 B1 KR 102713646B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate processing
- processing device
- air
- steam supply
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 358
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 219
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 37
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 5
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 17
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 22
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 8
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 처리 공정중에 공급되는 공기중의 습도를 조절하여 기판 주변에 과습 또는 과건 상태가 형성되는 것을 방지하고 기판의 공정 불량 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정이 이루어지는 기판 처리 공간의 습도를 조절하는 습도조절부를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정이 이루어지는 기판 처리 공간의 습도를 조절하는 습도조절부를 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 처리 공간에 공급되는 공기중의 습도를 조절하여 기판의 공정 불량 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다.
일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(Lithography), 증착(Deposition) 및 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.
각 공정은 각각의 목적에 적합한 공정유체를 이용하여 이루어지며, 각 공정마다 적합한 공정 환경이 요구된다.
각 공정은 해당하는 공정 환경이 조성되는 챔버 또는 배스에 기판을 수용하여 이루어지는 것이 일반적이며, 외부 파티클의 유입을 방지하기 위해 밀폐된 챔버 내부에 기판을 수용하여 이루어질 수 있다.
각 공정을 수행하는 기판상에는 금속 불순물, 유기물 등의 파티클이 잔존하게 되는데, 이와 같은 오염물질은 기판의 공정 불량을 일으키고 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치게 된다.
따라서 기판상에 잔존하는 파티클을 제거하기 위해 각 공정의 완료시 세정 및 건조공정이 반복적으로 수행된다.
세정은 습식세정과 건식세정으로 분류될 수 있으며, 그 중에서도 습식세정이 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다.
습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로, 산과 알칼리 용액 등을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.
세정장비에서 세정공정을 마친 기판은 순수(DI) 등의 린스액을 이용하여 린스된 후 건조장비로 이송되어 건조공정을 수행하게 된다.
건조공정에 있어서, 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 지속적으로 감소하여 미세구조 패턴이 주를 이루면서 패턴의 종횡비(Aspect Ratio)가 급격히 증가함에 따라 패턴 무너짐(Pattern leaning) 현상의 해결이 중요시되고 있다.
패턴 무너짐 현상은, 기판상에 공급된 약액이 건조되는 과정에서 패턴 사이사이에 불규칙하게 잔존하여, 잔존하는 약액의 표면장력에 의해 라플라스 압력이 발생함에 따라 패턴간에 브리지가 형성된 후, 패턴간의 흡착력으로 인해 복원되지 않고 패턴이 붕괴되는 공정 불량 현상이다.
이와 같은 패턴 무너짐 현상의 해결 방안으로, 세정과 린스 공정을 거친 기판상에 공급되어 패턴 무너짐 현상이 일어나기 전에 기판을 빠르게 건조시킬 수 있는 초임계 유체를 건조제로 이용하는 건조방법이 각광받고 있으며, 특히 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 초임계 이산화탄소가 많이 이용되고 있다.
또한, 순수에 의해 린스된 기판상에 전처리제로 이소프로필알코올(IPA)을 도포하는 전처리공정을 거친 후 초임계 이산화탄소를 공급하여, 초임계 이산화탄소와 이소프로필알코올의 반응에 의해 기판이 더욱 빠른 속도로 건조되도록 함으로써 패턴 무너짐 현상을 해결하고 있다.
도 1과 도 2를 참조하여 상기와 같은 세정 및 건조공정이 이루어지는 종래 기술에 의한 기판 처리 장치의 일실시예를 설명한다.
종래 기술에 의한 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)의 세정과 린스 및 전처리 공정이 수행되는 세정챔버(10), 상기 기판(W)의 건조공정이 수행되는 건조챔버(30), 기판(W)을 지지하여 이송하는 기판 이송부(20)를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 세정챔버(10)와 상기 건조챔버(30) 및 상기 기판 이송부(20)를 외부로부터 격리시키는 크린룸(S)과, 상기 크린룸(S)에 공기를 공급하는 공기공급부(40)가 구비된다.
상기 세정챔버(S)에서 세정과 린스 및 전처리 공정이 완료되면, 상기 기판(W)상에는 전처리제로 이루어진 박막(5, 도 2 참조)이 형성되며, 상기 기판 이송부(20)가 상기 기판(W)을 지지하여 상기 세정챔버(10)로부터 인출한 후 상기 건조챔버(30)로 이송하게 된다.
이때, 상기 공기공급부(40)는 상기 크린룸(S) 내부에 공기를 공급하여 하강기류(A)를 형성함으로써 이송중인 상기 기판(W)상에 파티클이 부착되는 것을 방지하도록 이루어진다.
상기 건조챔버(30)는, 제1하우징(31)과 제2하우징(32)이 결합되어 내부에 상기 기판(W)을 수용하는 기판 처리 공간(S-1)이 형성되도록 이루어지며, 상기 제2하우징(32)을 지지하여 승강 이동시키는 구동부(34)의 구동에 의해 개폐된다.
상기 건조챔버(30)는, 도 2 (a)에 나타난 바와 같이, 상기 구동부(34)에 의해 상기 제2하우징(32)이 하강함에 따라 개방되며, 상기 제1하우징(31)과 상기 제2하우징(32) 사이에 상기 건조챔버(30)의 내측과 외측이 연통되는 개방부(33)가 형성된다.
상기 챔버(30)는 상기 기판(W)이 챔버(30) 내측으로 반입되거나 상기 챔버(30) 내측으로부터 외측으로 반출되는 경우 개방된다.
또한, 상기 건조챔버(30)는, 도 2 (b)에 나타난 바와 같이, 상기 구동부(34)에 의해 상기 제2하우징(32)이 상승하여 상기 제1하우징(31)과 결합함에 따라 밀폐되며, 밀폐된 상기 건조챔버(30) 내부의 기판 처리 공간에 건조제가 공급되어 상기 기판(W)의 건조 공정이 수행된다.
상기와 같은 종래 기술에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 크린룸(S) 내부에 공급되는 공기중의 습도가 필요 이상으로 낮거나 높아 상기 크린룸(S) 내부에 과건(過乾) 또는 과습(過濕) 분위기가 형성된 경우, 상기 기판(W)의 처리 공정에 영향을 끼칠 수 있었다.
일례로, 공기중의 물분자가 이송중인 상기 기판(W)상에 부착될 수 있었으며, 이에 따라 상기 기판(W)의 공정 불량이 야기될 수 있었다.
또한, 상기 건조챔버(30)로 이송중인 상기 기판(W)상의 박막(5)이 상기 하강기류(A) 또는 상기 크린룸(S)에 형성된 건조 분위기에 의해 건조되어 증발함에 따라 양이 감소될 수 있었다.
또한, 상기 건조챔버(30)가 개방됨에 따라 상기 기판(W)이 상기 건조챔버(30) 내부의 기판 처리 공간(S-1)으로 인입되는 동안 상기 기판(W)상의 박막(5)이 건조될 수 있었다.
상기 박막(5)의 건조는, 상기 전처리제의 양이 줄어들어 건조공정에서 건조제와 반응할 충분한 양의 전처리제가 확보되지 못한 것을 의미하므로, 건조공정의 효율이 저하되고 패턴 무너짐 등 상기 기판(W)의 공정 불량을 야기하게 되었다.
상기한 바와 같은 기판 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 등록특허 10-1605713호 및 대한민국 등록특허 제10-0822373호가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판 처리 공정 공간에 공급되는 공기중의 습도를 조절하여 기판의 공정 불량 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정이 이루어지는 기판 처리 공간의 습도를 조절하는 습도조절부를 포함하여 이루어진다.
상기 기판 처리 공간은 외부와 차단된 크린룸일 수 있다.
상기 습도조절부는, 상기 기판 처리 공간에 공기를 공급하는 적어도 하나의 공기공급부와 쌍을 이루어 공기조절부로 구비될 수 있으며, 상기 기판 처리 공간의 복수의 위치에 복수 개의 상기 공기조절부가 각각 독립적으로 가동되도록 구비될 수 있다.
상기 습도조절부는, 공기중의 습도를 낮추는 감습부와 공기중의 습도를 높이는 가습부 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 감습부는, 공기를 가열하는 히터로 이루어지거나, 수분을 제거하는 제습수단 및 공기를 냉각하는 냉각기로 이루어질 수 있다.
상기 제습수단은 수분을 흡착하는 흡착재, 특히, 제습로터로 구성되거나, 상부가 개방된 비커 형상의 수분 포집부로 구성될 수 있다.
상기 가습부는, 공기를 냉각하는 냉각기로 이루어지거나, 수증기를 분사하는 가습기로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 습도조절부는, 기판의 처리 공간에 증기를 공급하는 증기공급부를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 기판 처리 공간은 건조챔버의 내부공간일 수 있다.
상기 건조챔버에는 내측과 외측을 연통시키는 증기공급홀이 형성될 수 있으며, 상기 증기공급홀에 상기 증기공급부가 연결되어 상기 건조챔버 내부의 기판 처리 공간으로 증기를 공급하도록 이루어질 수 있다.
또한, 상기 증기공급부는 상기 건조챔버의 외측에 구비될 수 있으며, 상기 건조챔버의 개방시 상기 건조챔버 내부의 기판 처리 공간으로 증기를 공급하도록 이루어질 수도 있다.
상기 증기공급부는 상기 건조챔버 내부의 기판 처리 공간의 상부로 증기를 공급하여 증기가 상기 건조챔버 내부의 기판 처리 공간의 상부로부터 하부로 공급되도록 이루어질 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 처리 공정 중에 공급되는 공기중의 습도를 조절하여 기판 주변에 과습 또는 과건 상태가 형성되는 것을 방지하고 기판의 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.
또한, 공기가 공급되는 공기공급부의 위치에 따라 습도가 조절되도록 이루어져 기판 처리 공정의 효율을 높이고 기판의 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.
또한, 서로 다른 위치에 복수의 공기조절부가 구비되어 각각의 위치에 따라 독립적으로 습도가 조절된 공기를 공급하도록 이루어져, 기판 처리 공정의 효율을 높이고 기판의 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.
또한, 건조챔버의 내측 공간에 증기가 공급되어 건조챔버의 내측에 증기 분위기를 형성하여 건조챔버에 반입되는 기판상의 박막이 건조되는 것을 방지하고 패턴 무너짐 등의 공정 불량을 방지할 수 있다.
또한, 증기의 공급 속도 및 공급 방향을 조절하여 증기의 체공시간을 늘리고 챔버 내측의 증기 분위기를 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 건조제와의 반응성이 높은 성분으로 이루어진 증기를 공급하여 기판의 건조공정의 효율을 높일 수 있다.
또한, 기판상에 형성된 박막과 같은 성분의 증기를 공급하여 박막의 건조를 방지할 뿐 아니라 기판의 이송 중 건조된 박막을 보완할 수 있다.
또한, 건조챔버의 내측 상부공간을 향해 수평방향으로 증기를 공급하여 증기의 체공시간을 늘리고 건조챔버 내측에 증기 분위기를 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 증기가 건조챔버의 외측에 구비되는 증기공급부로부터 챔버의 개방부를 통해 상기 챔버의 내측 상부공간에 공급되도록 하여 기존에 이용하던 기판 건조용 건조챔버를 그대로 활용할 수 있어 공정의 편의성을 높이고 부대비용을 절감할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 종래 기술에 의한 기판 처리 장치에 있어서 건조 챔버의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치의 제1실시예를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치의 제2실시예를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치에 있어서, 감습부의 제습수단의 일실시예를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치에 있어서, 감습부의 제습수단의 다른 실시예를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제1실시예를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제2실시예를 나타낸 도면.
도 9는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제3실시예를 나타낸 도면.
도 10은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제4실시예를 나타낸 도면.
도 11은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제5실시예를 나타낸 도면.
도 12는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제6실시예를 나타낸 도면.
도 13은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제7실시예를 나타낸 도면.
도 14는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제8실시예를 나타낸 도면.
도 15는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제9실시예를 나타낸 도면.
도 16은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제10실시예를 나타낸 도면.
도 2는 종래 기술에 의한 기판 처리 장치에 있어서 건조 챔버의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치의 제1실시예를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치의 제2실시예를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치에 있어서, 감습부의 제습수단의 일실시예를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치에 있어서, 감습부의 제습수단의 다른 실시예를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제1실시예를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제2실시예를 나타낸 도면.
도 9는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제3실시예를 나타낸 도면.
도 10은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제4실시예를 나타낸 도면.
도 11은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제5실시예를 나타낸 도면.
도 12는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제6실시예를 나타낸 도면.
도 13은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제7실시예를 나타낸 도면.
도 14는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제8실시예를 나타낸 도면.
도 15는 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제9실시예를 나타낸 도면.
도 16은 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제10실시예를 나타낸 도면.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
여기서, 종래기술에서 설명된 내용 및 중복되는 내용에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 본 발명에 새롭게 부가된 구성요소를 중심으로 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 의한 습도조절부와 공기공급부로 이루어진 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하여 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치의 제1실시예(2-1)에 대해 설명한다.
제1실시예(2-1)에 의하면, 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판(W)의 처리 공정이 이루어지는 기판 처리 공간(S)의 습도를 조절하는 습도조절부(200)를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 적어도 하나의 위치에 구비되어 상기 기판 처리 공간(S)에 공기를 공급하는 적어도 하나의 공기공급부(300)를 포함하되, 상기 습도조절부(200)는 상기 공기공급부(300)를 통해 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되는 공기의 습도를 조절하도록 이루어진다.
상기 공기공급부(300)와 상기 습도조절부(200)는 쌍을 이루어 상기 공기조절부(400)를 구성한다.
상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 상기 기판(W)의 형상 및 크기는 본 발명의 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
상기 기판 처리 공간(S)는, 외부와 격리되어 유체의 출입이 통제되는 크린룸으로 이루어질 수 있다.
상기 기판 처리 공간(S)에는, 상기 기판(W)의 처리 공정이 수행되는 적어도 하나의 챔버(110,130)와, 상기 기판(W)을 지지하여 이송하는 기판 이송부(120)가 구비될 수 있다.
상기 적어도 하나의 챔버(110,130)는, 상기 기판(W)의 세정공정을 수행하는 세정챔버(110)와, 상기 기판(W)의 건조공정을 수행하는 건조챔버(130)를 포함한다.
상기 세정챔버(110)에는 상기 기판(W)을 세정하기 위한 세정제가 공급된다. 상기 세정제는 처리 대상이 되는 오염물질의 종류에 따라 복수 종류로 공급될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해 유기용제, 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 산화 실리콘(SiO)을 제거하기 위해 물, 불화수소(HF), 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해 염산(HCl), 오존(O3), 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해 오존(O3), 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 불소(F), 염소(Cl), 암모니아(NH4)의 이온을 제거하기 위해 물, 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 이외에도, 암모니아 가수(加水)(APM), 질소(N2) 가스, 또는 아르곤(Ar)을 사용하여 그 밖의 파티클을 제거할 수 있다.
상기 세정챔버(110)에서는 세정공정을 수행한 상기 기판(W)상에 린스 공정 및 전처리공정이 더 수행될 수 있으며, 이에 따라 순수(DI) 등의 린스제가 공급되어 상기 기판(W)이 린스되고, 이후 전처리제가 공급되어 상기 기판(W)상에 상기 전처리제로 이루어진 박막(미도시)이 형성된다.
상기 세정챔버(110)에서 세정공정과 린스공정 및 전처리공정을 수행한 상기 기판(W)은 상기 기판 이송부(120)에 의해 상기 건조챔버(130)로 이송되며, 상기 건조챔버(130)에서 공급되는 건조제에 의해 상기 기판(W)이 건조되는 건조공정이 수행된다.
상기 기판 이송부(120)는 상기 기판(W)을 지지하여 상기 세정챔버(110)로부터 인출하여 상기 건조챔버(130)로 이송하게 되며, 상기 세정챔버(110)와 상기 건조챔버(130) 사이에 상기 기판(W)의 이송 경로인 이송라인(P)이 형성된다.
상기 건조제는 상기 기판(W)상에 공급된 세정제의 종류에 대응하여 구비되며, 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 등의 초임계유체가 이용될 수 있다.
상기 건조제로 초임계 이산화탄소가 이용되는 경우, 상기 전처리제로 이소프로필알코올(IPA)을 공급하여 상기 기판(W)상에 이소프로필알코올 박막을 형성하고 상기 건조챔버(130) 초임계 이산화탄소와 반응시킴으로써 상기 기판(W)을 더욱 빠른 속도로 건조할 수 있다.
상기 공기공급부(300)는, 상기 기판 처리 공간(S) 외부의 대기를 흡입하여 내부로 유입시키는 적어도 하나의 팬(미도시)과, 상기 기판 처리 공간(S) 내부로 유입되는 기체를 정화시키는 적어도 하나의 필터(미도시)를 포함하는 팬 필터 유닛(Fan Filter Unit)으로 이루어질 수 있다.
상기 팬 필터 유닛은 상기 적어도 하나의 팬과 상기 적어도 하나의 필터가 하나의 유니트로 모듈화된 것일 수 있다.
상기 공기공급부(300)으로부터 상기 기판 처리 공간(S)에 유입된 공기는 상기 기판 처리 공간(S) 일측에 구비되는 배기구(미도시)를 통해 배출되며, 상기 공기의 입출은 상기 챔버(S) 내부에 소정의 기류를 형성한다.
일례로, 상기 공기공급부(300)가 상기 기판 처리 공간(S)의 상부에 구비되고, 상기 배기구는 상기 기판 처리 공간(S)의 하부에 구비되어, 상기 기판 처리 공간(S) 내부에 하강기류(A)를 형성할 수 있다.
상기 하강기류(A)는 상기 기판 처리 공간(S) 내부의 파티클을 하측으로 밀어내 상기 배기구로 배출함으로써 상기 기판 처리 공간(S)의 청정도를 유지하고 기판 처리 공정을 수행하는 상기 기판(W)의 오염을 방지하게 된다.
상기 습도조절부(200)는, 공기중의 습도를 낮추는 감습부(210)와 공기중의 습도를 높이는 가습부(220) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어진다.
상기 감습부(210)는 공기를 가열하는 히터로 이루어져, 상기 히터에 의해 가열되어 상대습도가 낮아진 공기가 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되어 상기 기판 처리 공간(S) 내부의 상대습도를 낮추도록 이루어질 수 있다.
또한, 상기 감습부(220)는 공기중의 수분을 제거하는 제습수단(211, 도 5와 도 6 참조)을 포함하여 이루어져, 상기 제습수단에 의해 수분이 제거되어 절대습도가 낮아진 공기가 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되어 상기 기판 처리 공간(S) 내부의 절대습도를 낮추도록 이루어질 수 있다.
또한, 상기 감습부(220)는, 상기 제습수단으로 유동하는 공기를 냉각하는 냉각기를 더 포함하여, 상기 냉각기에 의해 냉각되어 응결된 공기중의 수분이 상기 제습수단에 의해 제거되도록 함으로써, 상기 제습수단의 수분 제거 효율을 높일 수 있다.
상기 제습수단의 실시예에 대해서는 후술하는 도 5와 도 6에서 상세히 설명한다.
또한, 상기 가습부(220)는 공기를 냉각하는 냉각기로 이루어져, 상기 냉각기에 의해 냉각되어 상대습도가 높아진 공기가 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되어 상기 기판 처리 공간(S) 내부의 상대습도를 높이도록 이루어질 수 있다.
또한, 상기 가습부(220)는 공기중에 수증기를 분사하는 가습기를 포함하여 이루어져, 상기 가습기로부터 분사되는 수증기와 혼합되어 절대습도가 높아진 공기가 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되어 상기 기판 처리 공간(S) 내부의 절대습도를 높이도록 이루어질 수 있다.
상기 습도조절부(200)의 가동은 제어부(미도시)에 의해 제어된다.
상기 제어부는, 상기 공기공급부(300)의 위치에 및 상기 기판(W)의 처리 공정의 진행에 따라 상기 감습부(210) 또는 상기 가습부(220)의 가동 여부 및 가동 정도를 조절하도록 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 공기공급부(300)를 통해 상기 기판 처리 공간(S)으로 공급되는 공기의 습도, 즉, 공급공기의 습도에 따라 상기 감습부(210) 또는 상기 가습부(220)의 가동 여부 및 가동 강도를 조절하도록 이루어질 수 있다.
일례로, 상기 공기공급부(300)가 상기 이송라인(P)의 상측에 구비되고, 상기 세정챔버(110)에서 상기 기판(W)의 세정과 린스 및 전처리공정이 완료되어 상기 기판(W)이 상기 기판 이송부(120)에 의해 이송되는 경우, 상기 제어부는 상기 공급공기의 습도의 적정 여부를 판단하여 상기 습도조절부(200)의 가동을 조절하도록 이루어질 수 있다.
이를 위해, 상기 제어부에 상기 기판(W)이 이송되는 상기 이송라인(P)상의 공기의 적정 습도 범위인 이송라인 적정 습도가 미리 설정될 수 있으며, 상기 제어부에서 상기 공급공기의 습도와 상기 이송라인 적정 습도를 비교하여 상기 습도조절부(200)의 가동을 조절하도록 이루어질 수 있다.
이에 따라, 상기 공급공기의 습도가 상기 이송라인 적정 습도보다 높은 경우 상기 감습부(210)를 가동하여 상기 공급공기의 습도를 낮추고, 상기 공급공기의 습도가 상기 이송라인 적정 습도보다 낮은 경우 상기 가습부(220)를 가동하여 상기 공급공기의 습도를 높여 상기 이송라인상의 공기 습도를 적절하게 형성하게 된다.
즉, 상기 이송라인(P)상에 공기의 과습(過濕) 또는 과건(過乾) 상태가 형성되는 것을 방지하고 상기 기판(W)의 공정 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 공급공기의 습도와 상기 이송라인 적정 습도의 차가 작은 경우 상기 감습부(210)에 의한 감습 강도 또는 상기 가습부(220)에 의한 가습 강도를 약하게 설정할 수 있으며, 상기 공급공기의 습도와 상기 이송라인 적정 습도의 차가 큰 경우 상기 감습부(210)에 의한 감습 강도 또는 상기 가습부(220)에 의한 가습 강도를 강하게 설정할 수 있다.
일례로, 상기 감습부(210)가 상기 히터로 이루어지고, 상기 공급공기의 습도가 상기 이송라인 적정 습도보다 높은 경우, 상기 제어부는, 상기 공급공기의 습도와 상기 이송라인 적정 습도의 차가 작을 수록 상기 히터의 발열량을 작게 설정하고, 상기 공급공기의 습도와 상기 이송라인 적정 습도의 차가 클 수록 상기 히터의 발열량을 크게 설정하여 상기 감습부(210)의 가동 강도를 조절할 수 있다.
도 4를 참조하여 본 발명에 의해 공기조절부가 구비된 기판 처리 장치의 제2실시예(2-2)에 대해 설명한다.
제2실시예(2-2)에 의하면, 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 상기 제1실시예(2-1, 도 3 참조)에 의한 기판 처리 장치를 따르되, 공기공급부(300)와 습도조절부(200)가 쌍을 이루는 상기 공기조절부(400,410,420,430)가 복수 개 구비되는 점에서 차이가 있다.
상기 복수의 공기조절부(400,410,420,430)는 상기 기판 처리 공간(S)의 복수의 위치에 각각 구비되며, 각각 독립적으로 가동되도록 이루어진다.
이에 따라, 제어부는 상기 복수의 공기조절부(400,410,420,430)를 제어하여, 각각의 상기 공기조절부(400,410,420,430)의 위치 및 기판 처리 공정의 진행에 따라 상기 기판(W)의 처리 공정에 적합한 서로 다른 습도의 공기를 공급하도록 이루어질 수 있다.
일례로, 상기 복수의 공기조절부(400,410,420,430)는, 상기 세정챔버(110)에 상기 기판(W)이 인입되는 인입라인(P1)의 상측에 구비되는 제1공기조절부(410)와, 이송라인(P)의 상측에 구비되는 제2공기조절부(420)와, 상기 건조챔버(130)로부터 상기 기판(W)이 인출되는 인출라인(P2)의 상측에 구비되는 제3공기조절부(430)를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 기판 처리 공간(S)의 하부에는, 상기 제1공기조절부(410)와 상기 제2공기조절부(420) 및 상기 제3공기조절부(430)와 각각 수직방향으로 대응되는 위치에 배기구(미도시)가 구비되어, 상기 제1공기조절부(410)와 상기 제2공기조절부(420) 및 상기 제3공기조절부(430)로부터 공급되는 공기가 각각 하강기류(A1,A,A2)를 형성하도록 이루어질 수 있다.
상기 제어부는, 상기 세정챔버(110)가 열리는 때부터 기판(W)이 상기 세정챔버(110)에 인입 또는 인출되고 상기 세정챔버(110)가 닫히는 때까지 상기 제1공기조절부(410)를 가동하도록 설정될 수 있다.
이때, 상기 제1공기조절부(410)의 습도조절부(200)는, 상기 인입라인(P1)으로 공급되는 공기의 습도가 상기 세정챔버(110)에 인입되는 기판의 이송 환경에 적합한 습도를 만족하도록 조절하게 되며, 상기 제어부에는 인입라인 적정 습도가 미리 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2공기조절부(420)의 습도조절부(200)는, 상기 이송라인(P)으로 공급되는 공기의 습도가 이송라인 적정 습도를 만족하도록 조절하게 되며, 상기 제어부에는 상기 이송라인 적정 습도가 미리 설정될 수 있다.
또한, 상기 제3공기조절부(430)의 습도조절부(200)는, 상기 인출라인(P2)으로 공급되는 공기의 습도가 상기 건조챔버(130)로부터 인출되는 기판의 이송 환경에 적합한 습도를 만족하도록 조절하게 되며, 상기 제어부에는 인출라인 적정 습도가 미리 설정될 수 있다.
이에 따라, 상기 제어부는 상기 제1공기조절부(410)와 상기 제2공기조절부(420) 및 상기 제3공기조절부(430)를 각각 제어하여 상기 인입라인(P1)과 상기 이송라인(P) 및 상기 인출라인(P2)에 각각 적합한 습도의 공기를 공급함으로써 상기 기판(W)의 공정 불량을 방지하고 기판 처리 공정의 효율을 높일 수 있다.
도 5와 도 6에는 본 발명에 의해 공기조절부(400)가 구비된 기판 처리 장치의 감습부(210)를 구성하는 제습수단(211)의 일실시예와 다른 실시예가 도시되어 있다.
도 5에 나타난 바와 같이, 상기 제습수단(211)은, 수분을 흡착하는 흡착재를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 흡착재는, 상기 기판 처리 공간(S) 외부의 공기가 상기 기판 처리 공간(S) 내부로 공급되는 공기유로(L)상에 구비되어, 상기 흡착재를 통과하여 상기 기판 처리 공간(S) 내부로 공급되는 공기중의 수분을 흡착함으로써 공기중의 절대습도를 낮추도록 이루어진다.
특히, 상기 제습수단(211)은, 상기 흡착재를 포함하여 이루어지되 중앙에 구비된 축을 중심으로 회전하며 제1영역(212a)과 제2영역(212b)을 교대로 통과하는 제습로터(212)로 이루어질 수 있다.
상기 제1영역(212a)은, 상기 공기유로(L)상에 구비되어, 상기 기판 처리 공간(S) 외부의 공기가 상기 제1영역(212a)을 통과하여 기판 처리 공간(S) 내부로 공급되도록 구비된다.
이때, 상기 제1영역(212a)은 공기중의 수분을 흡수하는 제습영역으로 이루어져, 상기 제1영역(212a)을 통과하는 공기의 수분이 상기 제1영역(212a)을 통과하는 상기 제습로터(212)에 흡착됨에 따라 공기중의 절대습도가 낮아지게 된다.
또한, 상기 제2영역(212b)은 상기 제1영역(212a)에서 수분이 흡착된 상기 제습로터(212)를 건조하여 재생하는 재생영역으로 이루어져, 상기 제습로터(212)가 상기 제1영역(212a)과 상기 제2영역(212b)을 교대로 통과하며 제습 및 재생을 반복하도록 이루어질 수 있다.
이때, 상기 제1영역(212a)으로 유동하는 공기를 냉각시키는 냉각기(213) 및 상기 제2영역(212b)을 가열하여 건조하는 히터(214)가 더 구비되어, 상기 제습로터(212)의 제습 및 재생 효율을 높일 수 있다.
또한, 도 6에 나타난 바와 같이, 상기 제습수단(211)은, 공기중의 수증기가 응결된 수분을 포집하는 수분 포집부(215)와, 상기 수분 포집부(215)에 포집된 수분을 외부로 배출하는 수분 배출라인(216)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 수분 포집부(215)는, 상부가 개방된 비커 형상으로 이루어지되, 공기를 냉각하는 냉각기(217)에 의해 냉각된 공기가 유동하는 공기유로(L1)의 하측에 구비되어, 공기중의 수증기가 냉각되어 응결된 수분이 중력에 의해 하강하는 것을 포집하도록 이루어진다.
이때, 상기 수분 포집부(215)의 수분 포집률을 높이기 위해, 상기 공기유로(L1)가 상하 방향으로 지그재그로 형성될 수 있다.
일례로, 상기 냉각기(217)에 의해 냉각된 공기는 상기 수분 포집부(215)의 내측(215a)으로 공급된 후 상기 수분 포집부(215)의 측벽(215b)을 따라 상승이동하여 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되도록 이루어짐으로써 상기 공기유로(L1)가 상하 방향으로 지그재그로 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 냉각된 공기가 상기 수분 포집부(215)의 상측을 유동하는 시간을 늘려 수분 포집률을 높일 수 있다.
또한, 상기 수분 배출라인(216)은 상기 수분 포집부(215)의 하단부에 연결되어 상기 수분 포집부(215)에 포집된 수분이 중력에 의해 하강하여 상기 수분 배출라인(216)으로 배출되도록 이루어질 수 있다.
이때, 상기 수분 포집부(215)의 하단부는 상기 수분 배출라인(216)과의 연결부를 기준으로 상측으로 경사지도록 형성되어, 상기 수분 포집부(215)에 포집된 수분이 상기 수분 포집부(215)의 하단부의 경사면을 따라 하강하여 상기 수분 배출라인(216)으로 배출되도록 가이드하는 구조로 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 기판 처리 공간(S)에 공급되는 공기중의 습도를 조절하여 기판(W) 주변에 과습 또는 과건 상태가 형성되는 것을 방지하고 상기 기판(W)의 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.
도 7 내지 도 16은, 본 발명에 의한 습도조절부(200)로 증기공급부(200-1)가 구비되어, 건조챔버(130) 내부의 기판 처리 공간(S-1)에 증기를 공급함으로써 상기 기판 처리 공간(S-1)의 습도를 조절하는 기판 처리 장치(3-1 내지 3-10)에 대한 도면이다.
도 7을 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부가 구비된 기판 처리 장치의 제1실시예(3-1)에 대해 설명한다.
일반적으로 건조챔버(130)는, 기판(W)이 상기 건조챔버(130) 내측으로 반입되거나 상기 건조챔버(130) 내측으로부터 외측으로 반출되는 경우 개방되며, 상기 건조챔버(130) 내부에서 상기 기판(W)의 처리 공정이 수행되는 동안 밀폐 상태를 유지한다.
상기 건조챔버(130)는 내부에 밀폐된 기판 처리 공간(S-1)을 형성하도록 상호 결합되는 제1하우징(130-1)과 제2하우징(130-2)으로 이루어진다.
상기 건조챔버(130)는, 상기 제1하우징(130-1)이 고정된 위치를 유지하도록 구비되고, 상기 제2하우징(130-2)에 구동부(136)가 구비되어, 상기 구동부(136)의 구동에 의해 상기 제2하우징(130-2)이 이동하여 상기 제1하우징(130-1)과 결합 또는 분리됨으로써 개폐되도록 이루어질 수 있다.
특히, 상기 제1하우징(130-1)은 상기 제2하우징(130-2)의 상부에 결합되도록 이루질 수 있으며, 상기 구동부(136)는 승강구동하는 실린더로 이루어져, 상기 실린더의 구동에 의해 상기 제2하우징(130-2)이 승강이동하여 상기 제1하우징(130-1)과 결합 또는 분리될 수 있다.
상기 건조챔버(130)는 상기 실린더의 신장에 의해 상기 제2하우징(130-2)이 상승이동함에 따라 상기 제1하우징(130-1)과 결합하여 밀폐되며, 상기 실린더의 수축에 의해 상기 제2하우징(130-2)이 하강이동함에 따라 상기 제1하우징(130-1)과 분리되어 개방된다.
상기 건조챔버(130)가 개방되면 상기 제1하우징(130-1)과 상기 제2하우징(130-2) 사이에 상기 건조챔버(130)의 내측과 외측을 연통시키는 개방부(135)가 형성되며, 상부에 박막(B)이 형성된 기판(W)이 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130) 내측의 기판 처리 공간(S-1)으로 반입된다.
상기 제1하우징(130-1)에는 상기 건조챔버(130)의 내측과 외측을 연통시키는 증기공급홀(133)이 형성된다.
상기 증기공급홀(133)은 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 상방 일측에 형성될 수 있으며, 상기 제1하우징(130-1)의 상부에 형성될 수 있다.
상기 증기공급홀(133)은, 상기 건조챔버(130)의 외측벽에 형성된 외측 연통구(131)와, 상기 건조챔버(130)의 내측벽에 형성된 내측 연통구(132)를 연결하도록 이루어진다.
상기 증기공급부(200-1)는 상기 증기를 공급하는 증기공급탱크(230)와 상기 증기가 유동하는 증기공급유로(231)를 포함하여 이루어지며, 상기 외측 연통구(131)에는 상기 증기공급유로(231)가 연결되어, 상기 증기공급부(200-1)로부터 상기 증기공급홀(133)로 공급되는 상기 증기가 수직 하방으로 유동하여 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 공급된다.
또한, 상기 내측 연통구(132)에는 끝단에 적어도 하나의 분사구(233)가 구비되는 증기공급노즐(232)이 연결되어, 상기 증기공급홀(133)을 통해 공급되는 상기 증기가 상기 증기공급노즐(232)을 통해 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 분사된다.
상기 증기공급노즐(232)은 상기 적어도 하나의 분사구(233)가 방사형으로 형성된 샤워헤드 형태로 구비되어, 상기 증기가 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 고르게 분산되도록 이루어질 수 있다.
상기 증기는 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 상부로부터 하방으로 하강하며 분산되어 상기 건조챔버(130)의 내측을 채우게 되며, 상기 기판(W)은 상기 증기가 채워진 상기 건조챔버(130) 내측에 반입되도록 이루어져, 상기 기판(W)상의 상기 박막(B)의 건조를 방지하고 패턴 무너짐 등의 공정 불량을 방지할 수 있다.
이때, 상기 증기공급부(200-1)는 상기 증기를 충분히 느린 유속으로 공급하도록 이루어져, 상기 증기가 충분한 체공시간을 가지며 하강하도록 함으로써 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 증기는 상기 건조챔버(130)에서 수행되는 건조공정에 이용되는 건조제와의 반응성이 높은 성분으로 이루어져, 기판(W)의 건조 효율을 높일 수 있다.
특히, 상기 증기는 상기 박막(B)과 같은 성분으로 공급되어, 상기 박막(B)의 건조를 방지할 뿐 아니라 이송 중 건조된 상기 박막(B)을 보완하도록 이루어질 수 있다.
일례로, 상기 건조챔버(130)에서 상기 건조제로 초임계 이산화탄소가 이용되는 경우, 이소프로필알코올 증기가 상기 건조챔버(130) 내측에 채워지고, 이소프로필알코올로 이루어진 박막(B)이 형성된 상기 기판(W)이 상기 건조챔버(130) 내측에 반입되어 건조되도록 함으로써, 건조공정이 개시될 때까지 상기 박막(B)의 건조를 방지하여 상기 기판(W)의 건조 효율을 높일 수 있다.
도 8을 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제2실시예(3-2)에 대해 설명한다.
제2실시예(3-2)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제1실시예(3-1, 도 7 참조)의 구성을 따르되, 증기공급홀(133)이 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 수평방향 일측에 형성되는 점에서 차이가 있다.
본 제2실시예(3-2)에 의하면, 증기공급부(200-1)로부터 공급되는 증기가 상기 증기공급홀(133)을 통해 수평방향으로 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 공급되므로, 상기 증기의 체공시간을 늘려 상기 건조챔버(130) 내측의 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
이때, 증기공급노즐(232)이 상기 건조챔버(130)의 중앙부를 향해 연장되어 상기 증기가 상기 건조챔버(130) 내측에 고르게 분산되도록 할 수 있다.
도 9를 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제3실시예(3-3)에 대해 설명한다.
제3실시예(3-3)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제2실시예(3-2, 도 8 참조)의 구성을 따르되, 증기공급홀(133)의 내측 연통구(132)가 외측 연통구(131)보다 상측에 형성되는 점에서 차이가 있다.
본 제3실시예(3-3)에 의하면, 증기공급부(200-1)로부터 공급되는 증기가 상기 증기공급홀(133)을 통해 상방으로 비스듬하게 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 공급되므로, 상기 증기의 체공시간이 더욱 늘어날 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도를 높여 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
이때, 증기공급노즐(232) 또한 끝단이 상기 건조챔버(130)의 상단을 향하도록 비스듬히 형성되어 상기 증기의 상방 공급이 원활하게 이루어지도록 할 수 있다.
도 10을 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제4실시예(3-4)에 대해 설명한다.
제4실시예(3-4)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제2실시예(3-2, 도 8 참조)의 구성을 따르되, 증기공급노즐(232)에 구비된 적어도 하나의 분사구(233)가 상기 건조챔버(130)의 상단을 향하도록 비스듬히 형성된 점에서 차이가 있다.
본 제4실시예(3-4)에 의하면, 증기공급부(200-1)로부터 공급되는 증기가 상기 적어도 하나의 분사구(233)를 통해 상방으로 비스듬하게 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 공급되므로, 상기 증기의 체공시간이 더욱 늘어날 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도를 높여 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
도 11을 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제5실시예(3-5)에 대해 설명한다.
제5실시예(3-5)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제1실시예(3-1, 도 7 참조)의 구성을 따르되, 건조챔버(130)의 외측에 구비되는 증기공급부(200-1)가 상기 건조챔버(130)의 개방시 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 증기를 공급하도록 이루어진 점에서 차이가 있다.
상기 증기공급부(200-1)는, 증기공급탱크(230)와 증기공급유로(231)를 포함하며, 끝단에 적어도 하나의 분사구(235)가 구비되는 증기공급노즐(240)을 포함하여 이루어진다.
이에 따라, 상기 증기는 상기 증기공급탱크(230)로부터 상기 증기공급유로(231)를 유동하여 상기 증기공급노즐(240)의 상기 적어도 하나의 분사구(235)를 통해 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 분사된다.
상기 적어도 하나의 분사구(235)는 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향하도록 비스듬히 형성되어 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상기 증기가 공급되도록 이루어질 수 있다.
상기 증기공급부(200-1)는 상기 건조챔버(130)가 개방되고 기판(W)이 상기 건조챔버(130)에 반입되기 전에 상기 증기의 공급을 시작하도록 이루어져, 상기 기판(W)이 증기 분위기가 형성된 상기 건조챔버(130)의 내측에 반입되도록 함으로써 상기 기판(W)상의 박막(B)의 건조를 방지하고 패턴 무너짐 등의 공정 불량을 방지할 수 있다.
도 12를 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제6실시예(3-6)에 대해 설명한다.
제6실시예(3-6)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제5실시예(3-5, 도 11 참조)의 구성을 따르되, 증기공급노즐(240)이 이동 가능하도록 구비되어, 건조챔버(130)의 개방시 상기 증기공급노즐(240)이 이동하여 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)에 반입 또는 반출되도록 이루어진 점에서 차이가 있다.
상기 증기공급노즐(240)은 직선구동부(미도시)의 구동에 의해 직선이동할 수 있으며, 상기 직선구동부는 수평방향으로 신축구동하는 실린더로 이루어져, 상기 증기공급노즐(240)을 수평방향으로 왕복이동시키도록 구비될 수 있다.
상기 증기공급노즐(240)은, 상기 건조챔버(130)의 개방시 상기 실린더의 신장구동에 의해 상기 건조챔버(130)를 향하는 방향으로 이동하여 상기 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)에 반입되며, 상기 건조챔버(130)의 내측에서 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향해 증기를 분사하도록 이루어진다. (점선표기)
이에 따라, 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상기 증기가 보다 안정적으로 공급될 수 있으며, 상기 증기가 하강하며 상기 건조챔버(130) 내측에 고르게 분산되어 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 안정적으로 형성하게 된다.
또한, 상기 증기공급노즐(240)은 상기 건조챔버(130)에 기판(W)이 반입되어 상기 건조챔버(130)가 밀폐되기 전에 상기 실린더의 수축구동에 의해 상기 건조챔버(130)와 이격되는 방향으로 이동하여 상기 건조챔버(130)로부터 반출되며, 상기 밀폐된 건조챔버(130)에서 건조공정이 수행되는 동안 상기 건조챔버(130)의 외부에서 대기하게 된다. (실선표기)
도 13을 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제7실시예(3-7)에 대해 설명한다.
제7실시예(3-7)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제6실시예(3-6, 도 12 참조)의 구성을 따르되, 증기공급노즐(240)이 회전구동부의 구동에 의해 회전이동하도록 이루어져, 건조챔버(130)의 개방시 상기 증기공급노즐(240)이 회전이동하여 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)에 반입 또는 반출되도록 이루어진 점에서 차이가 있다.
상기 회전구동부는 시계방향 또는 반시계방향으로 회전구동하는 모터로 이루어져, 상기 증기공급노즐(240)을 종방향으로 시계방향 또는 반시계방향으로 회전시키도록 구비될 수 있다.
도 13의 하단에는 상기 증기공급노즐(240)의 회전을 자세히 나타내기 위해 평면에서 바라본 확대도가 추가되어 있다.
상기 증기공급노즐(240)은, 상기 건조챔버(130)의 개방시 상기 모터의 일방향 회전구동에 의해 반시계방향 방향으로 이동하여 상기 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)에 반입되며, 상기 건조챔버(130)의 내측에서 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향해 증기를 분사하도록 이루어진다(실선표기).
또한, 상기 증기공급노즐(240)은 상기 건조챔버(130)에 기판(W)이 반입되어 상기 건조챔버(130)가 밀폐되기 전에 상기 모터의 반대방향 회전구동에 의해 시계방향으로 이동하여 상기 건조챔버(130)로부터 반출되며, 상기 밀폐된 건조챔버(130)에서 건조공정이 수행되는 동안 상기 건조챔버(130)의 외부에서 대기하게 된다(점선표기).
상기 증기공급노즐(240)의 회전각(α)은 90도~180도로 형성될 수 있다.
도 14를 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제8실시예(3-8)에 대해 설명한다.
제8실시예(3-8)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제7실시예(3-7, 도 13 참조)의 구성을 따르되, 회전구동부가 증기공급노즐(240)을 수직면상에서 시계방향 또는 반시계방향으로 회전시켜 건조챔버(130)에 반입(점선표기) 또는 반출(실선표기)시키는 점에서 차이가 있다.
본 제8실시예(3-8)에 의하면, 상기 증기공급노즐(240)의 이동경로와 기판(W)을 지지하여 상기 건조챔버(130)에 수평방향으로 반입되고 반출되는 기판 이송부(미도시)의 이동경로가 겹치지 않아 상호 간섭이 방지되므로 상기 기판 이송부와 상기 증기공급노즐(240)의 이동이 독립적으로 이루어질 수 있다.
상기 증기공급노즐(240)의 회전각(β)은 90도~180도로 형성될 수 있다.
도 15를 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제9실시예(3-9)에 대해 설명한다.
제9실시예(3-9)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제5실시예(3-5, 도 11 참조)의 구성을 따르되, 증기공급노즐(240)이 신축 가능하도록 이루어져, 건조챔버(130)의 개방시 상기 증기공급노즐(240)이 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)에 반입 또는 반출되도록 이루어진 점에서 차이가 있다.
상기 증기공급노즐(240)은 신축구동부(미도시)의 구동에 의해 신장 또는 수축하도록 구비되며, 상기 신축구동부는 신축구동하는 실린더로 이루어질 수 있다.
상기 증기공급노즐(240)은, 상기 건조챔버(130)의 개방시 상기 실린더의 신장구동에 의해 상기 건조챔버(130)를 향하는 방향으로 신장하여 상기 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)에 반입되며, 상기 건조챔버(130)의 내측에서 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향해 증기를 분사하도록 이루어진다(점선표기).
이에 따라, 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상기 증기가 보다 안정적으로 공급될 수 있으며, 상기 증기가 하강하며 상기 건조챔버(130) 내측에 고르게 분산되어 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 안정적으로 형성하게 된다.
또한, 상기 증기공급노즐(240)은 상기 건조챔버(130)에 기판(W)이 반입되어 상기 건조챔버(130)가 밀폐되기 전에 상기 실린더의 수축구동에 의해 상기 건조챔버(130)와 이격되는 방향으로 수축하여 상기 건조챔버(130)로부터 반출되며, 상기 밀폐된 건조챔버(130)에서 건조공정이 수행되는 동안 상기 건조챔버(130)의 외부에서 대기하게 된다(실선표기).
도 16을 참조하여 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치의 제10실시예(3-10)에 대해 설명한다.
제10실시예(3-10)에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제5실시예(3-5, 도 11 참조)의 구성을 따르되, 증기공급노즐(240)의 회전부(243)가 힌지부(242)를 중심으로 하여 회전하도록 이루어진 점에서 차이가 있다.
본 제10실시예(3-10)에 의하면, 상기 증기공급노즐(240)은, 상기 힌지부(242)와, 상기 힌지부(242)를 사이에 두고 형성된 고정부(241) 및 상기 회전부(243)로 이루어진다.
상기 고정부(241)는 증기공급유로(231)에 연결되며, 상대적으로 위치가 고정되어 상기 힌지부(242) 및 상기 회전부(243)를 지지한다.
상기 회전부(243)는 그 끝단에 적어도 하나의 분사구(235)가 구비되고, 상기 힌지부(242)를 중심으로 하여 회전된다.
이를 위해 힌지구동부(미도시)가 구비될 수 있으며, 상기 힌지구동부의 구동에 의해 상기 회전부(243)가 수직면상에서 시계방향 또는 시계 반대방향으로 회전하게 된다.
상기 힌지구동부는 상기 회전부(243)를 회전시키는 모터로 이루어질 수 있다.
상기 회전부(243)는, 상기 건조챔버(130)의 개방시 상기 모터의 구동에 의해 수직면상에서 시계 반대방향으로 회전하여 상기 증기공급노즐(240)의 끝단이 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향하도록 한 후, 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향해 증기를 분사하게 된다(점선표기).
따라서, 상기 증기가 상방으로 비스듬하게 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 공급되게 되므로, 상기 증기의 체공시간이 더욱 늘어날 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도를 높여 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 증기공급노즐(240)은 상기 건조챔버(130)에 기판(W)이 반입되어 상기 건조챔버(130)가 밀폐되기 전에 상기 모터의 구동에 의해 시계방향으로 회전하여 본래의 위치로 복귀하며, 상기 밀폐된 건조챔버(130)에서 건조공정이 수행되는 동안 본래의 위치에서 대기하게 된다(실선표기).
상기 제10실시예(3-10)의 증기공급노즐(240)의 구성은 상기 제6실시예 내지 상기 제9실시예(3-6, 3-7, 3-8, 3-9)에도 적용될 수 있다(미도시).
이에 따르면, 건조챔버(130)의 개방시 상기 건조챔버(130)의 내측에 증기공급노즐(240)이 반입되며, 이후 상기 증기공급노즐(240)의 회전부(243)가 힌지부(242)를 중심으로 회전하여 상기 증기공급노즐(240)의 끝단이 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향하게 되면 상기 건조챔버(130)의 내측 상방을 향해 증기를 분사하게 된다.
따라서, 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상기 증기가 보다 안정적으로 공급될 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도가 높아지고 상기 증기의 체공시간이 더욱 늘어나 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 회전부(243)의 회전에 의해 상기 힌지부(242)에서 발생할 수 있는 파티클이 상기 건조챔버(130) 내측에 유입되는 것을 방지하기 위해, 상기 회전부(243)는 상기 건조챔버(130)에 반입되나 상기 힌지부(242)는 상기 건조챔버(130)의 외측에 위치하도록 상기 증기공급노즐(240)의 이동을 제한하도록 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의해 증기공급부(200-1)가 구비된 기판 처리 장치에 의하면, 증기가 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 상부로 공급되어 하방으로 하강하며 상기 건조챔버(130)의 내측에 증기 분위기를 형성하도록 함으로써, 상기 건조챔버(130)에 반입되는 기판(W)상의 박막(B)이 건조되는 것을 방지하고 패턴 무너짐 등의 공정 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 증기가 충분히 느린 유속으로 공급되도록 하여 상기 증기가 충분한 체공시간을 가지며 하강하도록 함으로써 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 증기는 건조제와의 반응성이 높은 성분으로 이루어진 증기로 공급되어, 상기 건조챔버(130)에서 이루어지는 상기 기판(W)의 건조공정의 효율을 높일 수 있다.
또한, 상기 증기는 상기 박막(B)과 같은 성분으로 공급되어, 상기 박막(B)의 건조를 방지할 뿐 아니라 이송 중 건조된 상기 박막(B)을 보완하도록 이루어질 수 있다.
또한, 상기 증기가 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 수평방향으로 공급되도록 하여 상기 증기의 체공시간을 늘리고 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 건조챔버(130)의 증기공급홀(133)의 내측 연통구(132)가 외측 연통구(131)보다 상측에 위치되도록 하여 상기 증기를 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상방으로 비스듬하게 공급함으로써, 증기의 체공시간을 늘릴 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도를 높여 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 증기가 분사되는 증기공급노즐(232)의 적어도 하나의 분사구(233)가 상방으로 비스듬하게 형성되도록 하여 증기를 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상방으로 비스듬하게 공급함으로써, 상기 증기의 체공시간을 늘릴 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도를 높여 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 증기가 분사되는 증기공급노즐(232)의 적어도 하나의 분사구(233)가 방사형으로 형성된 샤워헤드 형태로 구비되어, 상기 증기가 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 고르게 분산되도록 할 수 있다.
또한, 상기 건조챔버(130)의 외측에 구비되는 증기공급부(200-1)로부터 상기 건조챔버(130)의 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상기 증기를 공급하도록 하여 기존에 이용하던 기판 건조용 건조챔버를 그대로 활용할 수 있어 공정의 편의성을 높이고 부대비용을 절감할 수 있다.
또한, 상기 건조챔버(130)의 외측에 구비되는 증기공급부(200-1)의 증기공급노즐(240)이 이동하여 상기 개방부(135)를 통해 상기 건조챔버(130)에 반입된 후 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)에 상기 증기를 공급하도록 하여 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 증기공급노즐(234)이 수직면상에서 회전이동하여 건조챔버(130)에 반입되도록 이루어져, 증기공급노즐(240)과 기판 이송부의 이동시 이동경로가 겹치는 경우에 초래될 수 있는 간섭이 방지되어 각각 독립된 이동경로를 통하여 이동할 수 있다.
또한, 수직면상에서 회전이동하는 상기 증기공급노즐(234)은 그 끝단이 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)을 향할 때까지 회전하도록 이루어져, 상기 증기가 상방으로 비스듬하게 공급되도록 함으로써, 상기 증기의 체공시간을 늘릴 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도를 높여 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 증기공급노즐(240)에 힌지부(242)가 구비되어 회전부(243)가 상기 힌지부(242)를 중심으로 회전되도록 이루어지며, 상기 회전부(243)는 그 끝단이 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)을 향할 때까지 회전하도록 이루어져, 상기 증기가 상방으로 비스듬하게 공급되도록 함으로써, 상기 증기의 체공시간을 늘릴 뿐 아니라 상기 건조챔버(130)의 기판 처리 공간(S-1)의 증기 밀도를 높여 상기 건조챔버(130) 내측에 증기 분위기를 보다 안정적으로 형성할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
W: 기판 A,A1,A2: 하강기류
L,L1: 공기유로 P: 이송라인
P1: 인입라인 P2: 인출라인
S: 기판 처리 공간 110: 세정챔버
120: 기판 이송부 130: 건조챔버
200: 습도조절부 210: 감습부
220: 가습부 211: 제습수단
212: 제습로터 213: 냉각기
214: 히터 215: 수분 포집부
216: 수분 배출라인 217: 냉각기
300: 공기공급부 400,410,420,430: 공기조절부
S-1: 건조챔버 내측 기판 처리 공간
130-1: 제1하우징 130-2: 제2하우징
131: 외측 연통구 132: 내측 연통구
133: 증기공급홀 135: 개방부
136: 구동부 200-1: 증기공급부
231: 증기공급유로 232: 증기공급노즐
233: 분사구 230: 증기공급탱크
240: 증기공급노즐 241: 고정부
242: 힌지부 243: 회전부
235: 분사구 B: 박막
L,L1: 공기유로 P: 이송라인
P1: 인입라인 P2: 인출라인
S: 기판 처리 공간 110: 세정챔버
120: 기판 이송부 130: 건조챔버
200: 습도조절부 210: 감습부
220: 가습부 211: 제습수단
212: 제습로터 213: 냉각기
214: 히터 215: 수분 포집부
216: 수분 배출라인 217: 냉각기
300: 공기공급부 400,410,420,430: 공기조절부
S-1: 건조챔버 내측 기판 처리 공간
130-1: 제1하우징 130-2: 제2하우징
131: 외측 연통구 132: 내측 연통구
133: 증기공급홀 135: 개방부
136: 구동부 200-1: 증기공급부
231: 증기공급유로 232: 증기공급노즐
233: 분사구 230: 증기공급탱크
240: 증기공급노즐 241: 고정부
242: 힌지부 243: 회전부
235: 분사구 B: 박막
Claims (47)
- 기판의 처리 공정이 이루어지는 기판 처리 공간의 공기중의 습도를 조절하는 습도조절부; 및
기판 처리 공간에 구비되고, 상기 기판을 수용하고, 상기 기판의 처리 공정이 수행되는 적어도 하나의 챔버를 포함하고,
상기 습도조절부는 상기 기판 처리 공간에 증기를 공급하는 증기공급부를 포함하고,
상기 기판은 상부에 박막이 형성된 상태로 상기 증기가 공급된 상기 기판 처리 공간에 유입되는, 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 공간의 적어도 하나의 위치에 구비되어 상기 기판 처리 공간에 공기를 공급하는 적어도 하나의 공기공급부;를 포함하되,
상기 습도조절부는 상기 공기공급부를 통해 상기 기판 처리 공간에 공급되는 공기의 습도를 조절하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 공간은 외부와 차단되어 유체의 출입이 통제되는 크린룸으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 습도조절부는, 공기중의 습도를 낮추는 감습부와 공기중의 습도를 높이는 가습부 중 적어도 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 감습부는, 공기를 가열하는 히터로 이루어져, 상기 히터에 의해 가열되어 상대습도가 낮아진 공기가 상기 기판 처리 공간에 공급되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 감습부는, 수분을 제거하는 제습수단을 포함하여 이루어져, 상기 제습수단에 의해 수분이 제거됨에 따라 절대습도가 낮아진 공기가 기판 처리 공간에 공급되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제6항에 있어서,
상기 감습부는, 공기를 냉각하는 냉각기를 더 포함하여 이루어져, 상기 냉각기에 의해 냉각되어 응결된 수분이 상기 제습수단에 의해 제거되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 제습수단은 수분을 흡착하는 흡착재를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제습수단은, 중앙에 구비된 축을 중심으로 회전하며 제1영역과 제2영역을 교대로 통과하는 제습로터로 이루어지되,
상기 제1영역은, 상기 기판 처리 공간 외부의 공기가 상기 기판 처리 공간 내부로 공급되는 공기유로상에 구비되며, 상기 제1영역을 통과하여 상기 기판 처리 공간 내부로 유동하는 공기중의 수분이 상기 제1영역을 통과하는 제습로터에 흡착되도록 이루어진 제습영역이고;
상기 제2영역은, 상기 제1영역에서 수분이 흡착된 상기 제습로터를 건조하여 재생하도록 이루어진 재생영역인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제9항에 있어서,
상기 재생영역을 가열하여 수분이 흡착된 상기 제습로터를 재생하는 히터가 더 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제습수단은,
상기 냉각기에 의해 냉각된 공기가 유동하는 공기유로의 하측에 구비되어 공기중의 수증기가 응결된 수분을 포집하는 상부가 개방된 비커 형상의 수분 포집부; 와,
상기 수분 포집부에 포집된 수분을 외부로 배출하는 수분 배출라인; 을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제11항에 있어서,
상기 냉각기에 의해 냉각되어 상기 기판 처리 공간에 공급되는 공기의 공기유로는 상하 방향으로 지그재그로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제11항에 있어서,
상기 수분 배출라인은 상기 수분 포집부의 하단부에 연결되고;
상기 수분 포집부의 하단부는 상기 수분 배출라인과의 연결부를 기준으로 상측으로 경사지도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 가습부는, 공기를 냉각하는 냉각기로 이루어지고,
상기 냉각기에 의해 냉각되어 상대습도가 높아진 공기가 상기 공기공급부를 통해 상기 기판 처리 공간에 공급되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 가습부는, 수증기를 분사하는 가습기로 이루어지고,
상기 가습기로부터 분사되는 수증기와 혼합되어 절대습도가 높아진 공기가 상기 공기공급부를 통해 상기 기판 처리 공간에 공급되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 습도조절부의 가동을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제16항에 있어서,
상기 제어부는 상기 공기공급부의 위치 및 상기 기판의 처리 공정의 진행에 따라 상기 감습부 및 상기 가습부의 가동 여부 및 가동 강도를 조절하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제16항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판 처리 공간으로 공급되는 공기의 습도에 따라 상기 감습부 및 상기 가습부의 가동 여부 및 가동 강도를 조절하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 공기공급부와 상기 습도조절부는 쌍을 이루어 복수의 공기조절부를 구성하고;
상기 복수의 공기조절부는 상기 기판처리공간의 복수의 위치에 각각 구비되어 각각 독립적으로 가동되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제19항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공기조절부의 가동을 각각 독립적으로 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 기판 처리 공간에는, 상기 기판을 이송하는 기판 이송부가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제21항에 있어서,
상기 적어도 하나의 챔버는, 상기 기판의 세정공정이 수행되는 세정챔버와 상기 기판의 건조 공정이 수행되는 건조챔버를 포함하고;
상기 세정챔버와 상기 건조챔버 사이에 상기 기판 이송부에 의해 상기 기판이 이송되는 경로인 이송라인이 형성되며;
상기 공기공급부는, 상기 이송라인의 상측에 구비되어, 상기 이송라인상에 하강기류를 형성하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 공기공급부는 외부의 공기를 흡입하여 상기 기판 처리 공간 내부로 유입시키는 적어도 하나의 팬을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 기판 처리 공간에는 내부의 공기가 외부로 배출되는 적어도 하나의 배기구가 구비되어, 상기 공기공급부로부터 공급된 공기가 상기 배기구를 통해 배출됨으로써 일정 방향의 기류를 형성하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제19항에 있어서,
상기 기판 처리 공간에는 내부의 공기가 외부로 배출되는 복수의 배기구가 구비되되, 상기 복수의 배기구는 상기 복수의 공기조절부에 각각 대응되도록 구비되어, 각각의 공기조절부로부터 공급된 공기가 각각 대응되는 배기구를 통해 배출됨으로써 각각 일정 방향의 기류를 형성하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 공간은 상기 기판의 건조 공정이 수행되는 챔버의 내부공간인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제27항에 있어서,
상기 챔버의 외측벽에 형성된 외측 연통구와 상기 챔버의 내측벽에 형성된 내측 연통구를 연결하여 상기 챔버의 내측과 외측을 연통시키는 증기공급홀이 형성되되,
상기 증기공급홀은 상기 챔버의 상부에 형성되고,
상기 증기공급부는 상기 증기공급홀의 상기 외측 연통구에 연결되어 상기 챔버의 외측으로부터 내측의 상기 기판처리공간으로 증기를 공급하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제28항에 있어서,
상기 증기공급부는, 상기 내측 연통구에 연결되며 끝단에 적어도 하나의 분사구가 구비되어 상기 증기공급홀을 통해 공급된 상기 증기를 상기 적어도 하나의 분사구를 통해 상기 기판 처리 공간에 분사하는 증기공급노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제29항에 있어서,
상기 증기공급노즐은 상기 적어도 하나의 분사구가 방사형으로 형성된 샤워헤드 형태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제28항에 있어서,
상기 증기공급홀은, 상기 챔버의 일측을 횡으로 관통하되, 상기 내측 연통구가 상기 외측 연통구보다 상측에 형성되어, 상기 증기가 상기 증기공급홀을 따라 비스듬하게 상승하며 상기 기판 처리 공간에 공급되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제29항에 있어서,
상기 증기공급홀은, 상기 챔버의 일측을 횡으로 관통하도록 형성되고,
상기 증기공급노즐은, 상기 기판 처리 공간의 상부 중앙을 향해 연장된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제29항에 있어서,
상기 증기공급홀은, 상기 챔버의 일측을 횡으로 관통하도록 형성되고,
상기 증기공급노즐은, 끝단이 비스듬하게 상방을 향하도록 구비되어, 상기 증기가 상기 증기공급노즐을 따라 비스듬하게 상승하며 상기 기판 처리 공간에 공급되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제29항에 있어서,
상기 증기공급홀은, 상기 챔버의 일측을 횡으로 관통하도록 형성되고,
상기 적어도 하나의 분사구는, 상기 적어도 하나의 분사구를 통과하는 상기 증기가 비스듬하게 상승하며 상기 기판 처리 공간에 공급되도록 비스듬하게 사선으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제27항에 있어서,
상기 챔버는 제1하우징과 제2하우징으로 이루어져 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합 또는 분리됨에 따라 개폐되도록 이루어지며,
상기 챔버의 개방시 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이에 상기 챔버의 내측와 외측을 연통시키는 개방부가 형성되고,
상기 증기공급부는, 상기 챔버의 외측에 구비되되, 상기 챔버의 개방시 상기 개방부를 통해 상기 기판 처리 공간이 되는 상기 챔버의 내측에 상기 증기를 공급하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제35항에 있어서,
상기 증기공급부는 상기 증기를 분사하는 증기공급노즐을 포함하고;
상기 증기공급노즐의 끝단에는 상기 증기가 분사되는 적어도 하나의 분사구가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제36항에 있어서,
상기 적어도 하나의 분사구는, 상기 적어도 하나의 분사구를 통과하는 상기 증기가 비스듬하게 상승하며 상기 챔버의 내측 상부공간에 공급되도록 비스듬하게 사선으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제36항에 있어서,
상기 증기공급노즐은 이동 가능하도록 구비되어, 상기 챔버의 개방시 상기 증기공급노즐이 이동하여 상기 개방부를 통해 상기 챔버의 내측에 반입 또는 반출되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제38항에 있어서,
상기 증기공급노즐을 직선이동시키는 직선구동부가 구비되어, 상기 증기공급노즐이 직선으로 진퇴하며 상기 개방부를 통해 상기 챔버의 내측에 반입 또는 반출되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제38항에 있어서,
상기 증기공급노즐을 회전이동시키는 회전구동부가 구비되어, 상기 증기공급노즐이 시계방향 또는 반시계방향으로 회전하며 상기 개방부를 통해 상기 챔버의 내측에 반입 또는 반출되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제40항에 있어서,
상기 회전구동부는 상기 증기공급노즐을 수평면상에서 회전시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제40항에 있어서,
상기 회전구동부는 상기 증기공급노즐을 수직면상에서 회전시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제36항에 있어서,
상기 증기공급노즐은 신축 가능하도록 구비되어, 상기 챔버의 개방시 상기 증기공급노즐이 신장 또는 수축하여 상기 개방부를 통해 상기 챔버의 내측에 반입 또는 반출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제36항에 있어서,
상기 증기공급노즐은, 회전 중심이 되는 힌지부와, 상기 힌지부를 사이에 두고 형성된 고정부 및 회전부로 이루어지며;
상기 고정부는, 상기 증기의 공급로인 상기 증기공급부의 증기공급유로에 연결되며, 상대적으로 위치가 고정되어 상기 힌지부 및 상기 회전부를 지지하고;
상기 회전부는, 상기 적어도 하나의 분사구가 구비된 상기 증기공급노즐의 끝단을 포함하며, 상기 힌지부를 회전 중심으로 하여 시계방향 또는 반시계방향으로 회전하되, 상기 증기공급노즐의 끝단이 상기 챔버의 내측 상부공간을 향하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제44항에 있어서,
상기 힌지부는 상기 챔버의 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 기판 처리 공간에 상기 기판이 유입되면 상기 기판상에 건조제를 공급하여 상기 기판의 건조 공정을 수행하도록 이루어지며,
상기 증기는 상기 박막과 같은 성분으로 이루어지되, 상기 건조제와의 반응성이 있는 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 증기가 상기 기판 처리 공간의 상부로부터 하방으로 공급되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190118074A KR102713646B1 (ko) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190118074A KR102713646B1 (ko) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210036084A KR20210036084A (ko) | 2021-04-02 |
KR102713646B1 true KR102713646B1 (ko) | 2024-10-08 |
Family
ID=75466643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190118074A KR102713646B1 (ko) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102713646B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101025881B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2011-03-30 | 신종수 | 액체포집장치 |
JP2013115065A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Hitachi High-Tech Control Systems Corp | ミニエンバイロメント搬送装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6368776B1 (en) * | 1998-03-18 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus and treatment method |
KR20170133694A (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 세메스 주식회사 | 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102417011B1 (ko) * | 2017-05-16 | 2022-07-07 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리용 챔버 |
-
2019
- 2019-09-25 KR KR1020190118074A patent/KR102713646B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101025881B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2011-03-30 | 신종수 | 액체포집장치 |
JP2013115065A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Hitachi High-Tech Control Systems Corp | ミニエンバイロメント搬送装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210036084A (ko) | 2021-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4870837B2 (ja) | 基板乾燥装置及びその方法 | |
CN103456664B (zh) | 用于干燥基板的装置和方法 | |
US10483134B2 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
KR100797079B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
US9275847B2 (en) | Recycling unit and substrate treating apparatus | |
TWI505351B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP6543481B2 (ja) | 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法 | |
JP6817748B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN104919574A (zh) | 用于高深宽比半导体器件结构的具有污染物去除的无黏附干燥工艺 | |
US20150090296A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
TW200834690A (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium | |
KR20120034948A (ko) | 기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법 | |
JP2017118026A (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
JP2016157802A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体 | |
JP6809273B2 (ja) | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 | |
JP2013251547A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2001156034A (ja) | シリコン基板(ないしウェーハ)・キャリア洗浄方法 | |
KR102713646B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20110131707A (ko) | 기판 세정 장치 및 그 장치에서의 기판 세정 방법 | |
KR102699025B1 (ko) | 기판 이송 장치 | |
JP7244171B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102470463B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20150016480A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20120077516A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2000031107A (ja) | 半導体基板の乾燥装置および半導体基板の乾燥方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |