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KR102578715B1 - Organic light emitting diode display - Google Patents

Organic light emitting diode display Download PDF

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KR102578715B1
KR102578715B1 KR1020150191816A KR20150191816A KR102578715B1 KR 102578715 B1 KR102578715 B1 KR 102578715B1 KR 1020150191816 A KR1020150191816 A KR 1020150191816A KR 20150191816 A KR20150191816 A KR 20150191816A KR 102578715 B1 KR102578715 B1 KR 102578715B1
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transistor
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driving
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채국병
김종현
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 다수의 픽셀들이 구비된 표시패널, 표시패널의 스캔라인들과 에미션라인들을 구동하는 게이트 구동회로 및 표시패널의 데이터라인들을 구동하는 데이터 구동회로를 구비하고, 픽셀은, 유기발광다이오드를 발광시키는 에미션 기간 동안, 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 유지되도록 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 보상전류를 인가하는 보상부를 구비된다.The present invention includes a display panel with a plurality of pixels, a gate driving circuit that drives the scan lines and emission lines of the display panel, and a data driving circuit that drives the data lines of the display panel, and the pixels include organic light emitting diodes. A compensation unit is provided to apply a compensation current to the gate electrode of the driving transistor so that the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor that controls the driving current is maintained during the emission period for emitting light.

Description

유기발광 표시장치{Organic light emitting diode display}Organic light emitting diode display}

본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light EmitPing Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (hereinafter referred to as “OLED”) that emits light on its own, and has the advantages of fast response speed, high luminous efficiency, brightness, and viewing angle.

자발광 소자인 OLED는 도 1과 같은 구조를 갖는다. OLED는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole InjecPion layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron InjecPion layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.OLED, a self-luminous device, has the structure shown in Figure 1. OLED includes an anode electrode and a cathode electrode, and an organic compound layer (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed between them. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron InjecPion layer). EIL). When a driving voltage is applied to the anode and cathode electrodes, holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) are moved to the emitting layer (EML) to form excitons, and as a result, the emitting layer (EML) Visible light is generated.

유기발광 표시장치는 높은 명암비와 색재현율 등의 장점을 가지고 있지만, 저전력 구동을 위해 한 프레임 기간이 60Hz에서 1Hz로 길어지면서 상대적으로 에미션 기간이 길어진다.Organic light emitting display devices have advantages such as high contrast ratio and color gamut, but for low-power operation, one frame period is lengthened from 60Hz to 1Hz, resulting in a relatively longer emission period.

에미션 기간이 길어질수록 종래의 픽셀 구조는 구동용 트랜지스터의 게이트(Gate) 단자에 인가되는 게이트 전압이 누설 전류에 의해 점진적으로 낮아진다. 이와 같이, 구동용 트랜지스터의 게이트(Gate) 단에 인가되는 게이트 전압이 점진적으로 낮아짐으로써, 구동용 트랜지스터의 소스-게이트 간 전압에 따른 구동전류도 점진적으로 낮아진다. 종래의 픽셀 구조는 점진적으로 낮아지는 구동전류에 의해 플리커(Flicker)가 발생되었다.As the emission period increases, the gate voltage applied to the gate terminal of the driving transistor in the conventional pixel structure gradually decreases due to leakage current. In this way, as the gate voltage applied to the gate terminal of the driving transistor gradually decreases, the driving current according to the voltage between the source and gate of the driving transistor also gradually decreases. In the conventional pixel structure, flicker was generated due to a gradually lowering driving current.

본 발명의 목적은 에미션 기간 동안 구동용 트랜지스터의 게이트 전극에서 누설되는 누설전류를 차단하여 구동용 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압을 일정하게 유지할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 데 있다.The purpose of the present invention is to provide an organic light emitting display device that can maintain a constant gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor by blocking leakage current leaking from the gate electrode of the driving transistor during the emission period.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다수의 픽셀들이 구비된 표시패널, 표시패널의 스캔라인들과 에미션라인들을 구동하는 게이트 구동회로 및 표시패널의 데이터라인들을 구동하는 데이터 구동회로를 구비하고, 픽셀은, 유기발광다이오드를 발광시키는 에미션 기간 동안, 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 유지되도록 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 보상전류를 인가하는 보상부를 구비한다.In order to achieve the above object, the present invention includes a display panel having a plurality of pixels, a gate driving circuit that drives the scan lines and emission lines of the display panel, and a data driving circuit that drives the data lines of the display panel. , the pixel is provided with a compensation unit that applies a compensation current to the gate electrode of the driving transistor so that the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor that controls the driving current is maintained during the emission period during which the organic light emitting diode emits light.

보상부는 고전위 구동전압의 입력단에 접속된 드레인 전극, 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 소스 전극 및 그라운드전압의 입력단에 접속된 게이트 전극을 구비하는 제4 트랜지스터를 포함하고, 보상전류는 제4 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가될 수 있다.The compensation unit includes a fourth transistor having a drain electrode connected to the input terminal of the high-potential driving voltage, a source electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and a gate electrode connected to the input terminal of the ground voltage, and the compensation current is generated by the fourth transistor. It can be applied to the gate electrode of the driving transistor through a switching operation.

픽셀들 중에서 n(n은 자연수)번째 픽셀행에 배치된 각 픽셀은, 제2 노드에 접속된 애노드전극과 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 캐소드전극을 갖는 유기발광다이오드(OLED), 제1 노드에 접속된 게이트 전극, 제2 노드에 접속된 소스 전극, 및 제3 노드에 접속된 드레인 전극을 포함하여 OLED에 인가되는 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터(TFT), 데이터라인과 제1 노드 사이에 접속된 제1 트랜지스터(TFT), 제2 노드와 초기화 입력단 사이에 접속된 제2 트랜지스터(TFT), 제3 노드와 고전위 구동전압의 입력단 사이에 접속된 제3 트랜지스터(TFT), 고전위 구동전압의 입력단과 제1 노드 사이에 접속된 제4 트랜지스터(TFT), 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 제1 커패시터 및 제2 노드와 고전위 구동전압의 입력단 사이에 접속된 제2 커패시터를 포함한다.Among the pixels, each pixel disposed in the nth pixel row (n is a natural number) is an organic light-emitting diode (OLED) having an anode electrode connected to a second node and a cathode electrode connected to an input terminal of a low-potential driving voltage, a first A driving transistor (TFT) that controls the driving current applied to the OLED, including a gate electrode connected to the node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to the third node, between the data line and the first node A first transistor (TFT) connected to, a second transistor (TFT) connected between the second node and the initialization input terminal, a third transistor (TFT) connected between the third node and the input terminal of the high potential driving voltage, high potential A fourth transistor (TFT) connected between the input terminal of the driving voltage and the first node, a first capacitor connected between the first node and the second node, and a second connected between the second node and the input terminal of the high potential driving voltage. Contains a capacitor.

한 프레임기간은, 제1 노드를 초기화하는 초기화 기간과, 구동 트랜지스터(TFT)의 문턱전압을 샘플링하여 제1 노드에 저장하는 샘플링 기간과, 샘플링된 문턱전압을 포함하여 구동 TFT의 소스-게이트 간 전압을 프로그래밍하는 프로그래밍 기간과, 프로그래밍된 소스-게이트 간 전압에 따른 구동전류로 OLED를 발광시키는 에미션 기간을 포함하고, 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 스캔신호가 인가되는 n번째 제1 스캔라인에 접속되고, 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 제n+1 스캔신호가 인가되는 n+1번째 제1 스캔라인에 접속되고, 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 에미션신호가 인가되는 n번째 제1 에미션라인에 접속되고, 제4 트랜지스터의 게이트 전극은 그라운드전압 라인에 접속되며, 초기화 기간에서, 제n 스캔신호와 제n+1 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며, 샘플링 기간에서, 제n 스캔신호와 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가되며, 프로그래밍 기간에서, 제n 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 제n+1 스캔신호와 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며, 에미션 기간에서, 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 제n 스캔신호와 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가될 수 있다.One frame period includes an initialization period for initializing the first node, a sampling period for sampling the threshold voltage of the driving transistor (TFT) and storing it in the first node, and the source-gate gap of the driving TFT, including the sampled threshold voltage. It includes a programming period for programming the voltage and an emission period for emitting the OLED with a driving current according to the programmed source-gate voltage, and the gate electrode of the first transistor is the nth first scan to which the nth scan signal is applied. line, the gate electrode of the second transistor is connected to the n+1th first scan line to which the n+1th scan signal is applied, and the gate electrode of the third transistor is connected to the nth first scan line to which the nth emission signal is applied. It is connected to the first emission line, and the gate electrode of the fourth transistor is connected to the ground voltage line. In the initialization period, the nth scan signal and the n+1th scan signal are applied at the on level, and the nth emission signal is is applied at an off level, and in the sampling period, the nth scan signal and the nth emission signal are applied at an on level, the n+1th scan signal is applied at an off level, and in the programming period, the nth scan signal is is applied at the on level, the n+1th scan signal and the nth emission signal are applied at the off level, and in the emission period, the nth emission signal is applied at the on level, and the nth scan signal and the nth+ 1 The scan signal may be applied at an off level.

제4 트랜지스터는 초기화 기간 내지 프로그래밍 기간 동안 제1 노드와 고전위 구동전압의 입력단 사이를 차단하고, 에미션 기간 동안 제1 노드에 보상 전류를 인가할 수 있다.The fourth transistor may block between the first node and the input terminal of the high-potential driving voltage during the initialization period or the programming period, and may apply a compensation current to the first node during the emission period.

초기화 기간, 샘플링 기간 및 에디션 기간 동안 제1 트랜지스터를 통해 기준전압이 제1 노드에 공급되고, 프로그래밍 기간 동안 제1 트랜지스터를 통해 데이터 전압이 제1 노드에 공급될 수 있다.A reference voltage may be supplied to the first node through the first transistor during the initialization period, sampling period, and edition period, and a data voltage may be supplied to the first node through the first transistor during the programming period.

제1 노드와 제4 노드와 사이에 접속된 제4 트랜지스터(TFT), 보상 전압의 입력단과 제4 노드 사이에 접속된 제5 트랜지스터(TFT) 및 제4 노드와 제5 노드에 접속된 제3 커패시터를 포함하고, 제5 노드는 데이터라인과 제1 트랜지스터(TFT) 사이에 접속될 수 있다.A fourth transistor (TFT) connected between the first node and the fourth node, a fifth transistor (TFT) connected between the input terminal of the compensation voltage and the fourth node, and a third connected to the fourth node and the fifth node. It includes a capacitor, and the fifth node may be connected between the data line and the first transistor (TFT).

한 프레임기간은, 제1 노드를 초기화하는 초기화 기간과, 구동 트랜지스터(TFT)의 문턱전압을 샘플링하여 제1 노드에 저장하는 샘플링 기간과, 샘플링된 문턱전압을 포함하여 구동 TFT의 소스-게이트 간 전압을 프로그래밍하는 프로그래밍 기간과, 프로그래밍된 소스-게이트 간 전압에 따른 구동전류로 상기 OLED를 발광시키는 에미션 기간을 포함하고,One frame period includes an initialization period for initializing the first node, a sampling period for sampling the threshold voltage of the driving transistor (TFT) and storing it in the first node, and the source-gate gap of the driving TFT, including the sampled threshold voltage. It includes a programming period for programming the voltage and an emission period for emitting light from the OLED with a driving current according to the programmed source-gate voltage,

제1 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 스캔신호가 인가되는 n번째 제1 스캔라인에 접속되고, 제2 트랜지스터의 게이트 전극과 제5 트랜지스터의 게이트 전극은 제n+1 스캔신호가 인가되는 n+1번째 제1 스캔라인에 접속되고, 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 에미션신호가 인가되는 n번째 제1 에미션라인에 접속되고, 제4 트랜지스터의 게이트 전극은 그라운드전압 라인에 접속되며, 초기화 기간에서, 제n 스캔신호와 제n+1 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며; 샘플링 기간에서, 제n 스캔신호와 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가되며, 프로그래밍 기간에서, 제n 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 제n+1 스캔신호와 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며, 에미션 기간에서, 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 제n 스캔신호와 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가될 수 있다.The gate electrode of the first transistor is connected to the nth first scan line to which the nth scan signal is applied, and the gate electrode of the second transistor and the gate electrode of the fifth transistor are connected to the n+1th scan line to which the n+1th scan signal is applied. It is connected to the first scan line, the gate electrode of the third transistor is connected to the nth first emission line to which the nth emission signal is applied, the gate electrode of the fourth transistor is connected to the ground voltage line, and initialization In the period, the nth scan signal and the n+1th scan signal are applied at the on level, and the nth emission signal is applied at the off level; In the sampling period, the nth scan signal and the nth emission signal are applied at the on level, the n+1th scan signal is applied at the off level, and in the programming period, the nth scan signal is applied at the on level, and the nth scan signal is applied at the on level. The n+1 scan signal and the nth emission signal are applied at an off level. In the emission period, the nth emission signal is applied at an on level, and the nth scan signal and the n+1th scan signal are applied at an off level. may be approved.

제4 트랜지스터는 초기화 기간 내지 프로그래밍 기간 동안 제1 노드와 제4 노드 사이를 차단하고, 에미션 기간 동안 제1 노드에 보상 전류를 인가할 수 있다.The fourth transistor may block between the first node and the fourth node during the initialization period or the programming period, and may apply a compensation current to the first node during the emission period.

초기화 기간과 샘플링 기간 동안 제1 트랜지스터를 통해 기준전압이 제1 노드에 공급되고, 프로그래밍 기간과 에디션 기간 동안 제1 트랜지스터를 통해 데이터 전압이 제1 노드에 공급될 수 있다.A reference voltage may be supplied to the first node through the first transistor during the initialization period and sampling period, and a data voltage may be supplied to the first node through the first transistor during the programming period and edition period.

본 발명은 구동 트랜지스터의 게이트 전극에서 누설되는 누설전류를 보상함으로써, 에미션 기간 동안 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 일정하게 유지시킬 수 있다. 본 발명의 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 게이트전압을 유지할 수 있어 OLED에 일정한 구동전류를 공급할 수 있다. 그 결과 플리커 불량을 감소하여 OLED 화질을 향상시킬 수 있다.The present invention can maintain the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor constant during the emission period by compensating for leakage current leaking from the gate electrode of the driving transistor. The gate electrode of the driving transistor of the present invention can maintain the gate voltage and thus supply a constant driving current to the OLED. As a result, OLED image quality can be improved by reducing flicker defects.

도 1은 OLED와 그 발광원리를 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 일 픽셀 구조를 보여주는 등가 회로도.
도 4는 도 3의 픽셀에 인가되는 데이터신호와 게이트신호를 보여주는 파형도.
도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d는 각각 도 4의 초기화 기간, 샘플링 기간, 프로그래밍 기간, 및 에미션 기간에 대응되는 픽셀의 등가 회로도.
도 6은 도 3에 도시된 픽셀 구조의 일 변형 예들을 보여주는 등가 회로도.
도 7은 도 6의 픽셀에 인가되는 데이터신호와 게이트신호를 보여주는 파형도.
도 8a, 도 8b, 도 8c 및 도 8d는 각각 도 7의 초기화 기간, 샘플링 기간, 프로그래밍 기간, 및 에미션 기간에 대응되는 픽셀의 등가 회로도.
도 9는 에미션 기간 동안 본 발명의 제1 노드에 인가되는 게이트전압의 변화를 보여주는 도면.
도 10은 도 9의 제1 노드에 인가되는 게이트전압에 따라 변화되는 구동전류를 보여주는 도면.
1 is a diagram showing OLED and its light-emitting principle.
Figure 2 is a diagram showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram showing one pixel structure of the present invention.
FIG. 4 is a waveform diagram showing a data signal and a gate signal applied to the pixel of FIG. 3.
FIGS. 5A, 5B, 5C, and 5D are equivalent circuit diagrams of pixels corresponding to the initialization period, sampling period, programming period, and emission period of FIG. 4, respectively.
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing one modified example of the pixel structure shown in FIG. 3.
FIG. 7 is a waveform diagram showing a data signal and a gate signal applied to the pixel of FIG. 6.
FIGS. 8A, 8B, 8C, and 8D are equivalent circuit diagrams of pixels corresponding to the initialization period, sampling period, programming period, and emission period of FIG. 7, respectively.
Figure 9 is a diagram showing the change in gate voltage applied to the first node of the present invention during the emission period.
FIG. 10 is a diagram showing a driving current that changes depending on the gate voltage applied to the first node of FIG. 9.

이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 10.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 표시장치는 픽셀들(P)이 형성된 표시패널(10)과, 데이터라인들(14)을 구동시키기 위한 데이터 구동회로(12)와, 게이트라인들(15)을 구동시키기 위한 게이트 구동회로(13)와, 데이터 구동회로(12) 및 게이트 구동회로(13)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러(11)를 구비한다.Referring to FIG. 2, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10 on which pixels P are formed, a data driving circuit 12 for driving data lines 14, and It is provided with a gate driving circuit 13 for driving the gate lines 15 and a timing controller 11 for controlling the driving timing of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 13.

표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들(14)과 다수의 게이트라인들(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀(P)들이 매트릭스 형태로 배치된다. 동일 수평라인 상에 배치된 픽셀(P)들은 하나의 픽셀 행을 이룬다. 일 픽셀 행에 배치된 픽셀(P)들은 일 게이트라인(15)에 접속되며, 일 게이트라인(15)은 적어도 하나 이상의 스캔라인(15A,15B)과 적어도 하나 이상의 에미션라인(15C)을 포함할 수 있다. 즉, 각 픽셀(P)은 1개의 데이터라인(14)과, 적어도 하나 이상의 스캔라인(15A, 15B) 및 에미션라인(15C)에 접속될 수 있다. 픽셀(P)들은 도시하지 않은 전원발생부로부터 고전위 및 저전위 구동전압(ELVDD,ELVSS), 초기화전압(Vinit), 그라운드전압(GND) 및 보상 전압(Vcp)을 공통으로 공급받을 수 있다. 초기화 기간 및 샘플링 기간에서 OLED의 불필요한 발광이 방지되도록 초기화전압(Vinit)은 OLED의 동작전압보다 충분히 낮은 전압 범위 내에서 선택됨이 바람직하며, 저전위 구동전압(ELVSS)과 같거나 그보다 낮게 설정될 수 있다.In the display panel 10, a plurality of data lines 14 and a plurality of gate lines 15 intersect, and pixels P are arranged in a matrix form in each intersection area. Pixels (P) arranged on the same horizontal line form one pixel row. Pixels P arranged in one pixel row are connected to one gate line 15, and one gate line 15 includes at least one scan line 15A, 15B and at least one emission line 15C. can do. That is, each pixel P may be connected to one data line 14, at least one scan line 15A, 15B, and an emission line 15C. The pixels P may commonly receive high and low potential driving voltages (ELVDD, ELVSS), initialization voltage (Vinit), ground voltage (GND), and compensation voltage (Vcp) from a power generator (not shown). To prevent unnecessary light emission of the OLED during the initialization period and sampling period, the initialization voltage (Vinit) is preferably selected within a voltage range sufficiently lower than the operating voltage of the OLED, and can be set equal to or lower than the low potential driving voltage (ELVSS). there is.

픽셀(P)을 구성하는 TFT들은 산화물 반도체층을 포함한 산화물 TFT로 구현될 수 있다. 산화물 TFT는 전자 이동도, 공정 편차 등을 모두 고려할 때 표시패널(10)의 대면적화에 유리하다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 TFT의 반도체층을 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 등으로 형성할 수도 있다.The TFTs constituting the pixel P may be implemented as oxide TFTs including an oxide semiconductor layer. Oxide TFT is advantageous for increasing the area of the display panel 10 when considering electron mobility, process deviation, etc. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor layer of the TFT may be formed of amorphous silicon, polysilicon, etc.

각 픽셀(P)은 구동 TFT의 문턱전압 변화를 보상하기 위해 다수의 TFT들과 스토리지 커패시터를 포함하는데, 본 발명은 에미션 기간 동안 제1 노드에 보상 전류를 공급하여 구동 전류가 일정하게 유지될 수 있는 픽셀 구조를 제안한다. 이에 대해서는 도 3 내지 도 10을 통해 상세히 후술한다.Each pixel (P) includes a plurality of TFTs and a storage capacitor to compensate for changes in the threshold voltage of the driving TFT. The present invention supplies a compensation current to the first node during the emission period so that the driving current is maintained constant. We propose a pixel structure that can This will be described in detail later with reference to FIGS. 3 to 10.

타이밍 컨트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동회로(12)에 공급한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다.The timing controller 11 rearranges digital video data (RGB) input from the outside to match the resolution of the display panel 10 and supplies it to the data driving circuit 12. In addition, the timing controller 11 operates the data driving circuit 12 based on timing signals such as the vertical synchronization signal (Vsync), the horizontal synchronization signal (Hsync), the dot clock signal (DCLK), and the data enable signal (DE). A data control signal (DDC) for controlling the operation timing of and a gate control signal (GDC) for controlling the operation timing of the gate driving circuit 13 are generated.

데이터 구동회로(12)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 컨트롤러(11)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환한다.The data driving circuit 12 converts digital video data (RGB) input from the timing controller 11 into an analog data voltage based on the data control signal (DDC).

게이트 구동회로(13)는 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 스캔신호와 에미션신호를 생성할 수 있다. 게이트 구동회로(13)는 도시되지 않았지만 스캔 구동부와 에미션 구동부를 포함할 수 있다. 스캔 구동부는 각 픽셀 행마다 연결된 적어도 하나 이상의 스캔라인을 구동하기 위해 행 순차 방식으로 스캔신호를 생성하여 스캔라인들에 공급할 수 있다. 에미션 구동부는 각 픽셀 행마다 연결된 적어도 하나 이상의 에미션라인을 구동하기 위해 행 순차 방식으로 에미션신호를 생성하여 에미션라인들에 공급할 수 있다.The gate driving circuit 13 can generate a scan signal and an emission signal based on the gate control signal (GDC). Although not shown, the gate driving circuit 13 may include a scan driver and an emission driver. The scan driver may generate scan signals in a row sequential manner to drive at least one scan line connected to each pixel row and supply the scan signals to the scan lines. The emission driver may generate an emission signal in a row sequential manner to drive at least one emission line connected to each pixel row and supply the emission signal to the emission lines.

이러한 게이트 구동회로(13)는 GIP(GaPe-driver In Panel) 방식에 따라 표시패널(10)의 비 표시영역 상에 직접 형성될 수 있다.This gate driving circuit 13 can be formed directly on the non-display area of the display panel 10 according to the GIP (GaPe-driver In Panel) method.

보상부(16)는 OLED를 발광시키는 에미션 기간 동안, 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 오차범위 내에서 일정하게 유지되도록 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 보상전류를 인가한다. 보상부(16)는 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인 전극, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속된 소스 전극 및 그라운드전압(GND)의 입력단에 접속된 게이트 전극을 포함한다. 이러한 보상부(16)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에서 누설되는 누설전류를 보상하는 보상전류를 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가하는 제4 트랜지스터(ST4)로 구비된다. 이와 같이, 본 발명은 보상부를 통해 구동 트랜지스터의 게이트 전극에서 누설되는 누설전류를 보상함으로써, 에미션 기간 동안 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 낮아지는 것을 미연에 방지하여 OLED에 일정한 구동전류를 공급할 수 있다.The compensation unit 16 is a gate electrode of the driving transistor (DT) so that the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor (DT), which controls the driving current, is kept constant within the error range during the emission period during which the OLED emits light. Apply compensation current to. The compensation unit 16 includes a drain electrode connected to the input terminal of the high potential driving voltage (EVDD), a source electrode connected to the gate electrode of the driving transistor (DT), and a gate electrode connected to the input terminal of the ground voltage (GND). . This compensation unit 16 is provided with a fourth transistor (ST4) that applies a compensation current that compensates for leakage current leaking from the gate electrode of the driving transistor (DT) to the gate electrode of the driving transistor (DT). In this way, the present invention compensates for the leakage current leaking from the gate electrode of the driving transistor through the compensation unit, thereby preventing the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor from being lowered during the emission period, thereby providing a constant driving current to the OLED. can be supplied.

도 3은 본 발명의 일 픽셀 구조를 보여주는 등가 회로도이다. 도 4는 도 3의 픽셀에 인가되는 데이터신호와 게이트신호를 보여주는 파형도이다. 그리고, 도 5a 내지도 5d는 각각 초기화 기간, 샘플링 기간, 프로그래밍 기간, 및 에미션 기간에 대한 픽셀의 등가 회로를 보여준다.Figure 3 is an equivalent circuit diagram showing one pixel structure of the present invention. FIG. 4 is a waveform diagram showing the data signal and gate signal applied to the pixel of FIG. 3. 5A to 5D show equivalent circuits of pixels for an initialization period, a sampling period, a programming period, and an emission period, respectively.

도 3 및 도 5d를 참조하면, 각 픽셀(P)은 OLED, 구동 TFT(DT), 제1 내지 제4 트랜지터(ST1~ST4, 이하 TFT로 설명함.), 제1 및 제2 커패시터(Cst1, Cst2)를 포함한다. 이 픽셀(P)은 NMOS 타입의 5 개의 트랜지스터와 2 개의 커패시터를 포함한 5T2C 회로 구조이다. Referring to FIGS. 3 and 5D, each pixel (P) includes an OLED, a driving TFT (DT), first to fourth transistors (ST1 to ST4, hereinafter described as TFT), and first and second capacitors ( Cst1, Cst2). This pixel (P) has a 5T2C circuit structure including five NMOS type transistors and two capacitors.

픽셀(P)의 1 프레임 기간은 초기화 기간(Ti), 샘플링 기간(Ts), 프로그래밍 기간(Tp), 및 에미션 기간(Te)으로 나뉘어진다.One frame period of a pixel (P) is divided into an initialization period (Ti), a sampling period (Ts), a programming period (Tp), and an emission period (Te).

제1 스캔 신호(SCAN1)는 초기화 기간(Ti), 샘플링 기간(Ts), 및 프로그래밍 기간(Tp) 동안 온(ON) 레벨로 발생되어 제1 TFT(ST1)를 턴-온(turn-on)시키고, 에미션 기간(Te)에 오프(OFF) 레벨로 반전되어 제1 TFT(ST1)를 턴-오프(turn-off)시킨다.The first scan signal (SCAN1) is generated at an ON level during the initialization period (Ti), the sampling period (Ts), and the programming period (Tp) to turn on the first TFT (ST1). and is inverted to the OFF level in the emission period Te to turn off the first TFT (ST1).

제2 스캔 신호(SCAN2)는 초기화 기간(Ti) 내에서 온(ON) 레벨로 발생되어 제2 TFT(ST2)를 턴-온(turn-on)시키고, 나머지 기간 동안 오프(OFF) 레벨을 유지하여 제2 TFT(ST2)를 오프(off) 상태로 제어한다.The second scan signal (SCAN2) is generated at an ON level within the initialization period (Ti) to turn on the second TFT (ST2), and remains at an OFF level for the remaining period. Thus, the second TFT (ST2) is controlled to be in an off state.

에미션 신호(EM)는 샘플링 기간(Ts) 내에서 온(ON) 레벨로 발생되어 제3 TFT(ST3)를 턴-온(turn-on)시키고, 초기화 기간(Ti)과 프로그래밍 기간(Tp)에 오프(OFF) 레벨로 반전되어 제3 TFT(ST3)를 턴-오프(turn-off)시킨다. 그리고, 에미션 신호(EM)는 에미션 기간(Te) 동안 내에서 온(ON) 레벨을 유지하여 제3 TFT(ST3)를 온 상태로 유지시킨다.The emission signal (EM) is generated at an ON level within the sampling period (Ts) to turn on the third TFT (ST3), and the initialization period (Ti) and programming period (Tp) is inverted to the OFF level to turn off the third TFT (ST3). Additionally, the emission signal EM maintains the ON level during the emission period Te to maintain the third TFT ST3 in the on state.

OLED는 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. OLED의 애노드와 캐소드 사이에 구비된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(ElectronInjectionlayer,EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. OLED의 애노드는 제2 노드(N2)에 연결되고, 캐소드는 저전위 전원 전압(EVSS)에 연결된다.OLED emits light by driving current supplied from the driving TFT (DT). It includes an organic compound layer provided between the anode and cathode of the OLED. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). It may include, but is not limited to. The anode of the OLED is connected to the second node (N2), and the cathode is connected to the low-potential power supply voltage (EVSS).

제1 TFT(ST1)는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 응답하여 스위칭됨으로써 데이터 라인(14)과 제1 노드(N1) 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제1 TFT(ST1)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(15A)에 접속되고, 드레인 전극은 데이터 라인(14)에 접속된다. 제1 TFT(ST1)의 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다.The first TFT (ST1) is switched in response to the first scan signal (SCAN1) to turn on/off the current path between the data line 14 and the first node (N1). The gate electrode of the first TFT (ST1) is connected to the first scan line 15A, and the drain electrode is connected to the data line 14. The source electrode of the first TFT (ST1) is connected to the first node (N1).

제2 TFT(ST2)는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 응답하여 스위칭됨으로써 초기화전압(Vini)의 입력단과 제2 노드(N2) 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제2 TFT(ST2)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(15B)에 접속되고, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제2 TFT(ST2)의 소스 전극은 초기화전압(Vini)의 입력단에 접속된다.The second TFT (ST2) is switched in response to the second scan signal (SCAN2) to turn on/off the current path between the input terminal of the initialization voltage (Vini) and the second node (N2). The gate electrode of the second TFT (ST2) is connected to the second scan line 15B, and the drain electrode is connected to the second node (N2). The source electrode of the second TFT (ST2) is connected to the input terminal of the initialization voltage (Vini).

제3 TFT(ST3)는 에미션 신호(EM)에 응답하여 스위칭됨으로써, 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 제3 노드(N3) 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제3 노드(N3)는 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극 사이에 접속된다.The third TFT (ST3) is switched in response to the emission signal (EM), thereby turning on/off the current path between the input terminal of the high-potential power supply voltage (EVDD) and the third node (N3). . The third node N3 is connected between the input terminal of the high potential power supply voltage EVDD and the drain electrode of the driving TFT DT.

제3 TFT(ST3)의 게이트 전극은 에미션 라인(15C)에 접속되고, 드레인 전극은 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단에 접속된다. 제3 TFT(ST3)의 소스 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다.The gate electrode of the third TFT (ST3) is connected to the emission line 15C, and the drain electrode is connected to the input terminal of the high potential power supply voltage (EVDD). The source electrode of the third TFT (ST3) is connected to the third node (N3).

구동 TFT(DT)는 자신의 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 소자이다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 드레인 전극은 제3 노드(N3)에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 소스 전극은 제2 노드(N2)를 통해 OLED의 애노드에 접속된다.The driving TFT (DT) is a driving element that controls the driving current flowing through the OLED according to the voltage between its gate and source. The gate electrode of the driving TFT (DT) is connected to the first node (N1), and the drain electrode is connected to the third node (N3). The source electrode of the driving TFT (DT) is connected to the anode of the OLED through the second node (N2).

제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 응답하여 스위칭됨으로써, 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 구동 TFT(DT)의 게이트 전극 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제4 TFT(ST4)의 게이트 전극은 그라운드전압(GND)의 입력단에 접속되고, 드레인 전극은 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단에 접속된다. 제4 TFT(ST4)의 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다.The fourth TFT (ST4) switches in response to the ground voltage (GND), thereby turning on/off the current path between the input terminal of the high-potential power supply voltage (EVDD) and the gate electrode of the driving TFT (DT). do. The gate electrode of the fourth TFT (ST4) is connected to the input terminal of the ground voltage (GND), and the drain electrode is connected to the input terminal of the high potential power supply voltage (EVDD). The source electrode of the fourth TFT (ST4) is connected to the first node (N1).

제1 커패시터(Cst1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되어 양단 간의 전압 차를 저장한다. 제1 커패시터(Cst1)는 소스팔로워(source-follower) 방식으로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)을 샘플링한다.The first capacitor Cst1 is connected between the first node N1 and the second node N2 and stores the voltage difference between the two ends. The first capacitor (Cst1) samples the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) in a source-follower method.

제2 커패시터(Cst2)는 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 제1 및 제2 커패시터(Cst1,Cst2)는 프로그래밍 기간(Tp)에서 데이터 전압(Vdata)에 따라 제1 노드(N1)의 전위가 변할 때, 그 변화분을 전압 분배하여 제2 노드(N2)에 반영한다.The second capacitor Cst2 is connected between the input terminal of the high potential power supply voltage EVDD and the second node N2. When the potential of the first node (N1) changes according to the data voltage (Vdata) in the programming period (Tp), the first and second capacitors (Cst1, Cst2) distribute the change as a voltage to the second node (N2) It is reflected in

이러한 픽셀(P)의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of these pixels (P) is explained as follows.

도 5a를 참조하면, 초기화 기간(Ti) 동안 제1 및 제2 TFT(ST1, ST2)가 온(ON) 레벨의 제1 및 제2 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)에 응답하여 턴-온(turn on)된다. 제3 TFT(ST3)는 오프(OFF) 레벨의 에미션 신호(EM)에 의해 초기화 기간(Ti)에서 턴-오프(turn off)된다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 초기화 기간(Ti)에서 오프(OFF) 상태가 된다. 초기화 기간(Ti) 동안, 데이터 라인(14)에 소정의 기준전압(Vref)이 공급된다. 초기화 기간(Ti) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준전압(Vref)으로 초기화되고, 제2 노드(N2)의 전압은 소정의 초기화전압(Vini)으로 초기화된다.Referring to FIG. 5A, during the initialization period Ti, the first and second TFTs (ST1, ST2) turn on in response to the first and second scan signals (SCAN1, SCAN2) at the ON level. on). The third TFT (ST3) is turned off in the initialization period (Ti) by the emission signal (EM) at the OFF level. The fourth TFT (ST4) is turned off in the initialization period (Ti) by the ground voltage (GND). During the initialization period Ti, a predetermined reference voltage Vref is supplied to the data line 14. During the initialization period Ti, the voltage of the first node N1 is initialized to the reference voltage Vref, and the voltage of the second node N2 is initialized to a predetermined initialization voltage Vini.

도 5b를 참조하면, 샘플링 기간(Ts) 동안 제3 TFT(ST3)가 온(ON) 레벨의 에미션 신호(EM)에 응답하여 턴-온(turn on)된다. 샘플링 기간(Ts) 동안 제1 TFT(ST1)는 온(ON) 레벨의 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 온(ON) 상태를 유지하는데 반해, 제2 TFT(ST2)는 오프(OFF) 레벨의 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴 오프(turn off)된다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 오프(OFF) 상태를 계속해서 유지한다. 샘플링 기간(Ts) 동안, 데이터 라인(14)에는 기준전압(Vref)이 공급된다. 샘플링 기간(Ts) 동안, 제1 노드(N1)의 전위는 기준전압(Vref)으로 유지되는데 반해, 제2 노드(N2)의 전위는 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)에 의해 상승한다. 이러한 소스팔로워(source-follower) 방식에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)으로서 샘플링되며, 이 샘플링된 문턱전압(Vth)은 제1 커패시터(Cst1)에 저장된다. 샘플링 기간(Ts) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 “Vref”이고, 제2 노드(N1)의 전압은 “Vref-Vth”이다.Referring to FIG. 5B, the third TFT (ST3) is turned on in response to the emission signal (EM) at the ON level during the sampling period (Ts). During the sampling period (Ts), the first TFT (ST1) is maintained in the ON state by the first scan signal (SCAN1) at the ON level, while the second TFT (ST2) is at the OFF level. It is turned off by the second scan signal SCAN2. The fourth TFT (ST4) continues to be in an OFF state by the ground voltage (GND). During the sampling period Ts, the reference voltage Vref is supplied to the data line 14. During the sampling period (Ts), the potential of the first node (N1) is maintained at the reference voltage (Vref), while the potential of the second node (N2) is connected to the drain-source current (Ids) of the driving TFT (DT). rises by According to this source-follower method, the gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT (DT) is sampled as the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT), and this sampled threshold voltage (Vth) is It is stored in the first capacitor (Cst1). During the sampling period Ts, the voltage of the first node N1 is “Vref” and the voltage of the second node N1 is “Vref-Vth”.

도 5c을 참조하면, 프로그래밍 기간(Tp) 동안 제1 TFT(ST1)는 온(ON) 레벨의 제1 스캔 신호(SCAN1)에 따라온(ON) 상태를 유지하고 제2 및 제3 TFT(ST2,ST3)와 구동 TFT(DT)는 턴 오프(turn off)된다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 오프(OFF) 상태를 계속해서 유지한다. 프로그래밍 기간(Tp) 동안 데이터 라인(14)에 입력 영상의 데이터 전압(Vdata)이 공급된다. 데이터 전압(Vdata)이 제1 노드(N1)에 인가되고, 제1 노드(N1)의 전위 변화분(Vdata-Vref)에 대한 제1 및 제2 커패시터(Cst1,Cst2) 간의 전압 분배 결과가 제2 노드(N2)에 반영됨으로써 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 프로그래밍된다.Referring to FIG. 5C, during the programming period (Tp), the first TFT (ST1) maintains an ON state according to the first scan signal (SCAN1) at the ON level, and the second and third TFTs (ST2, ST3) and the driving TFT (DT) are turned off. The fourth TFT (ST4) continues to be in an OFF state by the ground voltage (GND). The data voltage (Vdata) of the input image is supplied to the data line 14 during the programming period (Tp). The data voltage (Vdata) is applied to the first node (N1), and the voltage distribution result between the first and second capacitors (Cst1, Cst2) with respect to the potential change (Vdata-Vref) of the first node (N1) is the first node (N1). 2 The voltage (Vgs) between the gate and source of the driving TFT (DT) is programmed by being reflected in the node (N2).

프로그래밍 기간(Tp) 동안, 제1 노드(N1)의 전압은 데이터 전압(Vdata)이고, 제2 노드(N2)의 전압은 샘플링 기간(Ts)을 통해 설정된 "Vref-Vth"에 제1 및 제2 커패시터(Cst1,Cst2) 간의 전압 분배 결과(C'*(Vdata-Vref))가 더해져 "Vref-Vth+C'*(Vdata-Vref)"가 된다. 결국, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 프로그래밍 기간(Tp)을 통해 "Vdata-Vref+Vth-C'*(Vdata-Vref)"으로 프로그래밍된다. 여기서, C'는 CST1/(CST1+CST2)이며, CST1은 제1 커패시터(Cst1)의 제1 커패시턴스를 의미하고, CST2는 제2 커패시터(Cst2)의 제2 커패시턴스를 의미한다.During the programming period (Tp), the voltage of the first node (N1) is the data voltage (Vdata), and the voltage of the second node (N2) is the first and second nodes at “Vref-Vth” set through the sampling period (Ts). The voltage distribution result (C'*(Vdata-Vref)) between the 2 capacitors (Cst1, Cst2) is added to become "Vref-Vth+C'*(Vdata-Vref)". Ultimately, the voltage (Vgs) between the gate and source of the driving TFT (DT) is programmed as “Vdata-Vref+Vth-C'*(Vdata-Vref)” through the programming period (Tp). Here, C' is CST1/(CST1+CST2), where CST1 means the first capacitance of the first capacitor (Cst1), and CST2 means the second capacitance of the second capacitor (Cst2).

도 5d를 참조하면, 에미션 기간(Te)은 프로그래밍 기간(Tp) 이후부터 그 다음 프레임의 초기화 기간(Ti)까지 연속된다. 에미션 신호(EM)는 온(ON) 레벨로 입력되어 제3 TFT(ST3)를 턴-온(turn on)시킨다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 오프(OFF) 상태를 계속해서 유지한다. 에미션 기간(Te)에서는 프로그래밍 기간(Tp)을 통해 프로그래밍된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 구동전류(Ioled)를 OLED에 인가하여 OLED를 발광시킨다. 에미션 기간(Te) 동안, 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1, SCAN2)는 오프(OFF) 레벨로 입력되어 제1 및 제2 TFT(ST1, ST2)를 턴-오프(turn off) 시킨다. 제1 TFT(ST1)가 턴-오프(turn off)되는 동안 제1 노드(N1)의 전위는 기준전압(Vref)을 유지하는 것이 바람직하나, 에미션 기간(Te)이 길어질수록 제1 TFT(ST1)를 통해 누설되는 누설(leakage) 전류가 증가되어 기준전압(Vref)이 낮아진다. 이와 같이, 누설(leakage) 전류가 제1 TFT(ST1)를 통해 누설되는 동안, 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 제1 노드(N1)의 전위 차에 의해 보상 전류가 제4 TFT(ST4)를 통해 제1 노드(N1)에 인가된다.Referring to FIG. 5D, the emission period (Te) continues from the programming period (Tp) until the initialization period (Ti) of the next frame. The emission signal (EM) is input at an ON level to turn on the third TFT (ST3). The fourth TFT (ST4) continues to be in an OFF state by the ground voltage (GND). In the emission period (Te), a driving current (Ioled) is applied to the OLED according to the gate-source voltage (Vgs) programmed through the programming period (Tp) to cause the OLED to emit light. During the emission period Te, the first and second scan signals SCAN1 and SCAN2 are input at an OFF level to turn off the first and second TFTs ST1 and ST2. While the first TFT (ST1) is turned off, it is desirable to maintain the potential of the first node (N1) at the reference voltage (Vref). However, as the emission period (Te) becomes longer, the first TFT (ST1) The leakage current leaking through ST1) increases, lowering the reference voltage (Vref). In this way, while the leakage current leaks through the first TFT (ST1), the compensation current is supplied to the fourth TFT (ST4) by the potential difference between the input terminal of the high potential power supply voltage (EVDD) and the first node (N1). ) is applied to the first node (N1).

제1 노드(N1)에는 제1 TFT(ST1)를 통해 누설되는 누설전류에 비례하여 보상전류가 제4 TFT(ST4)를 통해 인가되어 보상된다. 제1 노드(N1)의 전위는 에미션 기간(Te)이 길어지더라도 기준전압(Vref)을 오차범위 내에서 유지할 수 있다. 이에 따라, 에미션 기간(Te) 동안 OLED에 흐르는 구동 전류(Ioled)가 낮아지는 것을 미연에 방지할 수 있다.A compensation current is applied to the first node N1 through the fourth TFT (ST4) in proportion to the leakage current leaking through the first TFT (ST1) to compensate. The potential of the first node N1 can maintain the reference voltage Vref within an error range even if the emission period Te is prolonged. Accordingly, it is possible to prevent the driving current (Ioled) flowing through the OLED from being lowered during the emission period (Te).

에미션 기간(Te) 동안 OLED에 일정하게 흐르는 구동 전류(Ioled)는 수학식 1과 같다. OLED는 이 전류에 의해 발광되어 입력 영상의 밝기를 표현한다.The driving current (Ioled) that constantly flows through the OLED during the emission period (Te) is given in Equation 1. OLED emits light using this current to express the brightness of the input image.

수학식 1에서, k는 구동 TFT(DT)의 전자 이동도, 기생 커패시턴스 및 채널 용량 등에 의해 결정되는 비례 상수를 지시한다.In Equation 1, k indicates a proportionality constant determined by the electron mobility of the driving TFT (DT), parasitic capacitance, and channel capacity.

구동전류(Ioled) 관계식은 k/2(Vgs-Vth)2인데, 프로그래밍 기간(Tp)을 통해 프로그래밍된 Vgs에는 Vth가 포함되어 있으므로, 수학식 1과 같이 구동전류(Ioled) 관계식에서 Vth 성분은 소거된다. 따라서, 문턱전압(Vth) 변화가 구동전류(Ioled)에 미치는 영향이 제거된다.The driving current (Ioled) relation is k/2(Vgs-Vth)2. Since Vgs programmed through the programming period (Tp) includes Vth, the Vth component in the driving current (Ioled) relation is as shown in Equation 1. It is erased. Accordingly, the influence of changes in threshold voltage (Vth) on driving current (Ioled) is eliminated.

도 6은 도 3에 도시된 픽셀 구조의 일 변형 예들을 보여주는 등가 회로도이다. 도 7은 도 6의 픽셀에 인가되는 데이터신호와 게이트신호를 보여주는 파형도이다. 도 8a, 도 8b, 도 8c 및 도 8d는 각각 도 7의 초기화 기간, 샘플링 기간, 프로그래밍 기간, 및 에미션 기간에 대응되는 픽셀의 등가 회로도이다.FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing one modified example of the pixel structure shown in FIG. 3. FIG. 7 is a waveform diagram showing the data signal and gate signal applied to the pixel of FIG. 6. FIGS. 8A, 8B, 8C, and 8D are equivalent circuit diagrams of pixels corresponding to the initialization period, sampling period, programming period, and emission period of FIG. 7, respectively.

도 6 및 도 8d를 참조하면, 각 픽셀(P)은 OLED, 구동 TFT(DT), 제1 내지 제5 TFT(ST1~ST4), 제1 내지 제3 커패시터(Cst1, Cst2, Ccp)를 포함한다. 이 픽셀(P)은 NMOS 타입의 6 개의 트랜지스터와 3 개의 커패시터를 포함한 6T3C 회로 구조이다.Referring to FIGS. 6 and 8D, each pixel (P) includes an OLED, a driving TFT (DT), first to fifth TFTs (ST1 to ST4), and first to third capacitors (Cst1, Cst2, Ccp). do. This pixel (P) has a 6T3C circuit structure including 6 transistors and 3 capacitors of NMOS type.

보상부(16)는 OLED를 발광시키는 에미션 기간 동안, 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 오차범위 내에서 일정하게 유지되도록 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 보상전류를 인가한다. 보상부(16)는 제1 노드(N1)와 제4 노드(N4)와 사이에 접속된 제4 트랜지스터(ST4), 보상 전압(Vcp)의 입력단과 제4 노드(N4) 사이에 접속된 제5 트랜지스터(ST5) 및 제4 노드(N4)와 제5 노드(N5)에 접속된 제3 커패시터(Ccp)를 포함한다. 본 발명은 보상부(16)를 통해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에서 누설되는 누설전류를 보상함으로써, 에미션 기간 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 낮아지는 것을 미연에 방지하여 OLED에 일정한 구동전류를 공급할 수 있다.The compensation unit 16 is a gate electrode of the driving transistor (DT) so that the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor (DT), which controls the driving current, is kept constant within the error range during the emission period during which the OLED emits light. Apply compensation current to. The compensation unit 16 includes a fourth transistor (ST4) connected between the first node (N1) and the fourth node (N4), and a fourth transistor (ST4) connected between the input terminal of the compensation voltage (Vcp) and the fourth node (N4). 5 It includes a transistor (ST5) and a third capacitor (Ccp) connected to the fourth node (N4) and the fifth node (N5). The present invention compensates for the leakage current leaking from the gate electrode of the driving transistor (DT) through the compensation unit 16, thereby preventing the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor (DT) from being lowered during the emission period. By preventing this, a constant driving current can be supplied to the OLED.

픽셀(P)의 1 프레임 기간은 초기화 기간(Ti), 샘플링 기간(Ts), 프로그래밍 기간(Tp), 및 에미션 기간(Te)으로 나뉘어진다.One frame period of a pixel (P) is divided into an initialization period (Ti), a sampling period (Ts), a programming period (Tp), and an emission period (Te).

제1 스캔 신호(SCAN1)는 초기화 기간(Ti), 샘플링 기간(Ts), 및 프로그래밍 기간(Tp) 동안 온(ON) 레벨로 발생되어 제1 TFT(ST1)를 턴-온(turn-on)시키고, 에미션 기간(Te)에 오프(OFF) 레벨로 반전되어 제1 TFT(ST1)를 턴-오프(turn-off)시킨다.The first scan signal (SCAN1) is generated at an ON level during the initialization period (Ti), the sampling period (Ts), and the programming period (Tp) to turn on the first TFT (ST1). and is inverted to the OFF level in the emission period Te to turn off the first TFT (ST1).

제2 스캔 신호(SCAN2)는 초기화 기간(Ti) 내에서 온(ON) 레벨로 발생되어 제2 TFT(ST2)와 제5 TFT(ST5)를 턴-온(turn-on)시키고, 나머지 기간 동안 오프(OFF) 레벨을 유지하여 제2 TFT(ST2)와 제5 TFT(ST5)를 오프(off) 상태로 제어한다.The second scan signal (SCAN2) is generated at the ON level within the initialization period (Ti) to turn on the second TFT (ST2) and the fifth TFT (ST5), and during the remaining period. By maintaining the OFF level, the second TFT (ST2) and the fifth TFT (ST5) are controlled to be in an off state.

에미션 신호(EM)는 샘플링 기간(Ts) 내에서 온(ON) 레벨로 발생되어 제3 TFT(ST3)를 턴-온(turn-on)시키고, 초기화 기간(Ti)과 프로그래밍 기간(Tp)에 오프(OFF) 레벨로 반전되어 제3 TFT(ST3)를 턴-오프(turn-off)시킨다. 그리고, 에미션 신호(EM)는 에미션 기간(Te) 동안 내에서 온(ON) 레벨을 유지하여 제3 TFT(ST3)를 온 상태로 유지시킨다.The emission signal (EM) is generated at an ON level within the sampling period (Ts) to turn on the third TFT (ST3), and the initialization period (Ti) and programming period (Tp) is inverted to the OFF level to turn off the third TFT (ST3). Additionally, the emission signal EM maintains the ON level during the emission period Te to maintain the third TFT ST3 in the on state.

OLED는 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. OLED의 애노드와 캐소드 사이에 구비된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(ElectronInjectionlayer,EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. OLED의 애노드는 제2 노드(N2)에 연결되고, 캐소드는 저전위 전원 전압(EVSS)에 연결된다.OLED emits light by driving current supplied from the driving TFT (DT). It includes an organic compound layer provided between the anode and cathode of the OLED. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). It may include, but is not limited to. The anode of the OLED is connected to the second node (N2), and the cathode is connected to the low-potential power supply voltage (EVSS).

제1 TFT(ST1)는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 응답하여 스위칭됨으로써 데이터 라인(14)과 제1 노드(N1) 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제1 TFT(ST1)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(15A)에 접속되고, 드레인 전극은 제4 노드(N4)에 접속된다. 제1 TFT(ST1)의 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 제4 노드(N4)는 데이터 라인(14)에 접속된다.The first TFT (ST1) is switched in response to the first scan signal (SCAN1) to turn on/off the current path between the data line 14 and the first node (N1). The gate electrode of the first TFT (ST1) is connected to the first scan line 15A, and the drain electrode is connected to the fourth node (N4). The source electrode of the first TFT (ST1) is connected to the first node (N1). The fourth node N4 is connected to the data line 14.

제2 TFT(ST2)는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 응답하여 스위칭됨으로써 초기화전압(Vini)의 입력단과 제2 노드(N2) 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제2 TFT(ST2)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(15B)에 접속되고, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제2 TFT(ST2)의 소스 전극은 초기화전압(Vini)의 입력단에 접속된다.The second TFT (ST2) is switched in response to the second scan signal (SCAN2) to turn on/off the current path between the input terminal of the initialization voltage (Vini) and the second node (N2). The gate electrode of the second TFT (ST2) is connected to the second scan line 15B, and the drain electrode is connected to the second node (N2). The source electrode of the second TFT (ST2) is connected to the input terminal of the initialization voltage (Vini).

제3 TFT(ST3)는 에미션 신호(EM)에 응답하여 스위칭됨으로써, 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제3 TFT(ST3)의 게이트 전극은 에미션 라인(15C)에 접속되고, 드레인 전극은 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단에 접속된다. 제3 TFT(ST3)의 소스 전극은 구동 TFT(DT)의 드레인 전극에 접속된다.The third TFT (ST3) is switched in response to the emission signal (EM), thereby turning on/off the current path between the input terminal of the high potential power supply voltage (EVDD) and the drain electrode of the driving TFT (DT). )do. The gate electrode of the third TFT (ST3) is connected to the emission line 15C, and the drain electrode is connected to the input terminal of the high potential power supply voltage (EVDD). The source electrode of the third TFT (ST3) is connected to the drain electrode of the driving TFT (DT).

구동 TFT(DT)는 자신의 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 소자이다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 드레인 전극은 제3 TFT(ST3)의 소스 전극에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 소스 전극은 제2 노드(N2)를 통해 OLED의 애노드에 접속된다.The driving TFT (DT) is a driving element that controls the driving current flowing through the OLED according to the voltage between its gate and source. The gate electrode of the driving TFT (DT) is connected to the first node (N1), and the drain electrode is connected to the source electrode of the third TFT (ST3). The source electrode of the driving TFT (DT) is connected to the anode of the OLED through the second node (N2).

제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 응답하여 스위칭됨으로써, 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 구동 TFT(DT)의 게이트 전극 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제4 TFT(ST4)의 게이트 전극은 그라운드전압(GND)의 입력단에 접속되고, 드레인 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. 제4 TFT(ST4)의 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다.The fourth TFT (ST4) switches in response to the ground voltage (GND), thereby turning on/off the current path between the input terminal of the high-potential power supply voltage (EVDD) and the gate electrode of the driving TFT (DT). do. The gate electrode of the fourth TFT (ST4) is connected to the input terminal of the ground voltage (GND), and the drain electrode is connected to the third node (N3). The source electrode of the fourth TFT (ST4) is connected to the first node (N1).

제5 TFT(ST5)는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 응답하여 스위칭됨으로써 보상전압(Vcp)의 입력단과 제3 노드(N3) 사이의 전류 패스를 온(on)/오프(off)한다. 제5 TFT(ST2)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(15B)에 접속되고, 드레인 전극은 보상전압(Vcp)의 입력단에 접속된다. 제5 TFT(ST5)의 소스 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.The fifth TFT (ST5) is switched in response to the second scan signal (SCAN2) to turn on/off the current path between the input terminal of the compensation voltage (Vcp) and the third node (N3). The gate electrode of the fifth TFT (ST2) is connected to the second scan line 15B, and the drain electrode is connected to the input terminal of the compensation voltage (Vcp). The source electrode of the fifth TFT (ST5) is connected to the second node (N2).

제1 커패시터(Cst1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되어 양단 간의 전압 차를 저장한다. 제1 커패시터(Cst1)는 소스팔로워(source-follower) 방식으로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)을 샘플링한다.The first capacitor Cst1 is connected between the first node N1 and the second node N2 and stores the voltage difference between the two ends. The first capacitor (Cst1) samples the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) in a source-follower method.

제2 커패시터(Cst2)는 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 제1 및 제2 커패시터(Cst1,Cst2)는 프로그래밍 기간(Tp)에서 데이터 전압(Vdata)에 따라 제1 노드(N1)의 전위가 변할 때, 그 변화분을 전압 분배하여 제2 노드(N2)에 반영한다.The second capacitor Cst2 is connected between the input terminal of the high potential power supply voltage EVDD and the second node N2. When the potential of the first node (N1) changes according to the data voltage (Vdata) in the programming period (Tp), the first and second capacitors (Cst1, Cst2) distribute the change as a voltage to the second node (N2) It is reflected in

제3 커패시터(Ccp)는 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4) 사이에 접속되어 양단 간의 전압 차를 저장한다.The third capacitor Ccp is connected between the third node N3 and the fourth node N4 and stores the voltage difference between both ends.

이러한 픽셀(P)의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of these pixels (P) is explained as follows.

도 8a를 참조하면, 초기화 기간(Ti) 동안 제1 TFT(ST1), 제2 TFT(ST2) 및 제5 TFT(ST5)가 온(ON) 레벨의 제1 및 제2 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)에 응답하여 턴-온(turn on)된다. 제3 TFT(ST3)는 오프(OFF) 레벨의 에미션 신호(EM)에 의해 초기화 기간(Ti)에서 턴-오프(turn off)된다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 초기화 기간(Ti)에서 오프(OFF) 상태가 된다. 초기화 기간(Ti) 동안, 데이터 라인(14)에 소정의 기준전압(Vref)이 공급된다. 초기화 기간(Ti) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준전압(Vref)으로 초기화되고, 제2 노드(N2)의 전압은 소정의 초기화전압(Vini)으로 초기화된다.Referring to FIG. 8A, during the initialization period Ti, the first TFT (ST1), the second TFT (ST2), and the fifth TFT (ST5) transmit the first and second scan signals (SCAN1, SCAN2) at the ON level. ) is turned on in response. The third TFT (ST3) is turned off in the initialization period (Ti) by the emission signal (EM) at the OFF level. The fourth TFT (ST4) is turned off in the initialization period (Ti) by the ground voltage (GND). During the initialization period Ti, a predetermined reference voltage Vref is supplied to the data line 14. During the initialization period Ti, the voltage of the first node N1 is initialized to the reference voltage Vref, and the voltage of the second node N2 is initialized to a predetermined initialization voltage Vini.

또한, 초기화 기간(Ti) 동안, 제3 노드에 보상전압(Vcp)이 공급된다. 보상전압(Vcp)은 제3 커패시터(Ccp)에 저장된다.Additionally, during the initialization period Ti, a compensation voltage Vcp is supplied to the third node. The compensation voltage (Vcp) is stored in the third capacitor (Ccp).

도 8b를 참조하면, 샘플링 기간(Ts) 동안 제3 TFT(ST3)가 온(ON) 레벨의 에미션 신호(EM)에 응답하여 턴-온(turn on)된다. 샘플링 기간(Ts) 동안 제1 TFT(ST1)는 온(ON) 레벨의 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 온(ON) 상태를 유지하는데 반해, 제2 TFT(ST2) 및 제5 TFT(ST5)는 오프(OFF) 레벨의 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴 오프(turn off)된다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 오프(OFF) 상태를 계속해서 유지한다. 샘플링 기간(Ts) 동안, 데이터 라인(14)에는 기준전압(Vref)이 공급된다. 샘플링 기간(Ts) 동안, 제1 노드(N1)의 전위는 기준전압(Vref)으로 유지되고, 제3 노드(N3)의 전위는 보상전압(Vcp)으로 유지되는데 반해, 제2 노드(N2)의 전위는 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)에 의해 상승한다. 이러한 소스팔로워(source-follower) 방식에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)으로서 샘플링되며, 이 샘플링된 문턱전압(Vth)은 제1 커패시터(Cst1)에 저장된다. 샘플링 기간(Ts) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 “Vref”이고, 제2 노드(N1)의 전압은 “Vref-Vth”이다.Referring to FIG. 8B, the third TFT (ST3) is turned on in response to the emission signal (EM) at the ON level during the sampling period (Ts). During the sampling period (Ts), the first TFT (ST1) is maintained in the ON state by the first scan signal (SCAN1) at the ON level, while the second TFT (ST2) and the fifth TFT (ST5) are maintained in the ON state. ) is turned off by the second scan signal SCAN2 at the OFF level. The fourth TFT (ST4) continues to be in an OFF state by the ground voltage (GND). During the sampling period Ts, the reference voltage Vref is supplied to the data line 14. During the sampling period (Ts), the potential of the first node (N1) is maintained as the reference voltage (Vref), and the potential of the third node (N3) is maintained as the compensation voltage (Vcp), while the potential of the second node (N2) is maintained as the compensation voltage (Vcp). The potential of increases due to the drain-source current (Ids) of the driving TFT (DT). According to this source-follower method, the gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT (DT) is sampled as the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT), and this sampled threshold voltage (Vth) is It is stored in the first capacitor (Cst1). During the sampling period Ts, the voltage of the first node N1 is “Vref” and the voltage of the second node N1 is “Vref-Vth”.

도 8c을 참조하면, 프로그래밍 기간(Tp) 동안 제1 TFT(ST1)는 온(ON) 레벨의 제1 스캔 신호(SCAN1)에 따라온(ON) 상태를 유지하고 제2 TFT(ST2), 제3 TFT(ST3), 제5 TFT(ST5), 및 구동 TFT(DT)는 턴 오프(turn off)된다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 오프(OFF) 상태를 계속해서 유지한다. 프로그래밍 기간(Tp) 동안 데이터 라인(14)에 입력 영상의 데이터 전압(Vdata)이 공급된다. 데이터 전압(Vdata)이 제4 노드(N4)에 인가되면, 제4 노드(N4)에 걸려 있던 기준전압(Vref)이 데이터 전압(Vdata)까지 상승한다. 제4 노드(N1)의 전위 변화분(Vdata-Vref)에 대한 제3 커패시터(Ccp) 간의 전압 상승 결과가 제3 노드(N3)에 반영됨으로써, 제3 노드(N3)에 걸려 있던 보상전압(Vcp)이 제4 노드(N1)의 전위 변화분(Vdata-Vref)만큼 상승한다.Referring to FIG. 8C, during the programming period (Tp), the first TFT (ST1) maintains an ON state according to the first scan signal (SCAN1) at the ON level, and the second TFT (ST2) and the third TFT (ST2) The TFT (ST3), the fifth TFT (ST5), and the driving TFT (DT) are turned off. The fourth TFT (ST4) continues to be in an OFF state by the ground voltage (GND). The data voltage (Vdata) of the input image is supplied to the data line 14 during the programming period (Tp). When the data voltage Vdata is applied to the fourth node N4, the reference voltage Vref applied to the fourth node N4 increases to the data voltage Vdata. The result of the voltage increase between the third capacitors (Ccp) in relation to the potential change (Vdata-Vref) of the fourth node (N1) is reflected in the third node (N3), so that the compensation voltage applied to the third node (N3) ( Vcp) increases by the potential change (Vdata-Vref) of the fourth node (N1).

데이터 전압(Vdata)이 제4 노드(N4) 거쳐 제1 노드(N1)에 인가되고, 제1 노드(N1)의 전위 변화분(Vdata-Vref)에 대한 제1 및 제2 커패시터(Cst1,Cst2) 간의 전압 분배 결과가 제2 노드(N2)에 반영됨으로써 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 프로그래밍된다.The data voltage (Vdata) is applied to the first node (N1) via the fourth node (N4), and the first and second capacitors (Cst1, Cst2) for the potential change (Vdata-Vref) of the first node (N1) ) is reflected in the second node (N2), thereby programming the gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT (DT).

프로그래밍 기간(Tp) 동안, 제1 노드(N1)의 전압은 데이터 전압(Vdata)이고, 제2 노드(N2)의 전압은 샘플링 기간(Ts)을 통해 설정된 "Vref-Vth"에 제1 및 제2 커패시터(Cst1,Cst2) 간의 전압 분배 결과(C'*(Vdata-Vref))가 더해져 "Vref-Vth+C'*(Vdata-Vref)"가 된다. 결국, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 프로그래밍 기간(Tp)을 통해 "Vdata-Vref+Vth-C'*(Vdata-Vref)"으로 프로그래밍된다. 여기서, C'는 CST1/(CST1+CST2)이며, CST1은 제1 커패시터(Cst1)의 제1 커패시턴스를 의미하고, CST2는 제2 커패시터(Cst2)의 제2 커패시턴스를 의미한다.During the programming period (Tp), the voltage of the first node (N1) is the data voltage (Vdata), and the voltage of the second node (N2) is the first and second nodes at “Vref-Vth” set through the sampling period (Ts). The voltage distribution result (C'*(Vdata-Vref)) between the 2 capacitors (Cst1, Cst2) is added to become "Vref-Vth+C'*(Vdata-Vref)". Ultimately, the voltage (Vgs) between the gate and source of the driving TFT (DT) is programmed as “Vdata-Vref+Vth-C'*(Vdata-Vref)” through the programming period (Tp). Here, C' is CST1/(CST1+CST2), where CST1 means the first capacitance of the first capacitor (Cst1), and CST2 means the second capacitance of the second capacitor (Cst2).

또한, 제4 노드(N4)의 전압은 데이터 전압(Vdata)이고, 제3 노드(N2)의 전압은 샘플링 기간(Ts)을 통해 설정된 "Vcp"에 제3 커패시터(Ccp)에 저장된 저장 값(Ccp/(Ccp+Cpar))이 더해져 “Vcp+(Ccp/(Ccp+Cpar))*(Vdata-Vref)”가 된다. 여기서, Ccp는 제3 커패시터(Ccp)의 제3 커패시턴스를 의미한다.In addition, the voltage of the fourth node N4 is the data voltage Vdata, and the voltage of the third node N2 is the storage value stored in the third capacitor Ccp at "Vcp" set through the sampling period Ts ( Ccp/(Ccp+Cpar)) is added to become “Vcp+(Ccp/(Ccp+Cpar))*(Vdata-Vref)”. Here, Ccp means the third capacitance of the third capacitor (Ccp).

도 8d를 참조하면, 에미션 기간(Te)은 프로그래밍 기간(Tp) 이후부터 그 다음 프레임의 초기화 기간(Ti)까지 연속된다. 에미션 신호(EM)는 온(ON) 레벨로 입력되어 제3 TFT(ST3)를 턴-온(turn on)시킨다. 제4 TFT(ST4)는 그라운드전압(GND)에 의해 오프(OFF) 상태를 계속해서 유지한다. 에미션 기간(Te)에서는 프로그래밍 기간(Tp)을 통해 프로그래밍된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 구동전류(Ioled)를 OLED에 인가하여 OLED를 발광시킨다. 에미션 기간(Te) 동안, 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1, SCAN2)는 오프(OFF) 레벨로 입력되어 제1 TFT(ST1), 제2 TFT(ST2) 및 제5 TFT(ST5)를 턴-오프(turn off) 시킨다. 제1 TFT(ST1)가 턴-오프(turn off)되는 동안 제1 노드(N1)의 전위는 데이터전압(Vdata)을 유지하는 것이 바람직하나, 에미션 기간(Te)이 길어질수록 제1 TFT(ST1)를 통해 누설되는 누설(leakage) 전류가 증가되어 데이터전압(Vdata)이 낮아진다. 이와 같이, 누설(leakage) 전류가 제1 TFT(ST1)를 통해 누설되는 동안, 고전위 전원 전압(EVDD)의 입력단과 제1 노드(N1)의 전위 차에 의해 보상 전류가 제4 TFT(ST4)를 통해 제1 노드(N1)에 인가된다. 이때 제4 노드(N4)에는 데이터 전압(Vdata)을 유지시킨다. 제4 노드(N4)에 데이터 전압(Vdata)이 유지됨으로써, 제3 노드(N3)의 전위가 제1 노드(N1)의 전위보다 낮아지는 것을 방지한다. 이에 제1 노드(N1)에 걸려 있던 전압이 제3 노드(N3)로 흐르는 것을 미연에 방지할 수 있다.Referring to FIG. 8D, the emission period (Te) continues from the programming period (Tp) until the initialization period (Ti) of the next frame. The emission signal (EM) is input at an ON level to turn on the third TFT (ST3). The fourth TFT (ST4) continues to be in an OFF state by the ground voltage (GND). In the emission period (Te), a driving current (Ioled) is applied to the OLED according to the gate-source voltage (Vgs) programmed through the programming period (Tp) to cause the OLED to emit light. During the emission period (Te), the first and second scan signals (SCAN1, SCAN2) are input at an OFF level to activate the first TFT (ST1), the second TFT (ST2), and the fifth TFT (ST5). Turn it off. While the first TFT (ST1) is turned off, it is desirable to maintain the potential of the first node (N1) at the data voltage (Vdata). However, as the emission period (Te) becomes longer, the first TFT ( The leakage current leaking through ST1) increases and the data voltage (Vdata) decreases. In this way, while the leakage current leaks through the first TFT (ST1), the compensation current is supplied to the fourth TFT (ST4) by the potential difference between the input terminal of the high potential power supply voltage (EVDD) and the first node (N1). ) is applied to the first node (N1). At this time, the data voltage (Vdata) is maintained at the fourth node (N4). By maintaining the data voltage Vdata at the fourth node N4, the potential of the third node N3 is prevented from being lower than the potential of the first node N1. Accordingly, it is possible to prevent the voltage applied to the first node (N1) from flowing to the third node (N3).

제1 노드(N1)에는 제1 TFT(ST1)를 통해 누설되는 누설전류에 비례하여 보상전류가 제4 TFT(ST4)를 통해 인가되어 보상된다. 제1 노드(N1)의 전위는 에미션 기간(Te)이 길어지더라도 데이터전압(Vdata)을 오차범위 내에서 유지할 수 있다. 이에 따라, 에미션 기간(Te) 동안 OLED에 흐르는 구동 전류(Ioled)가 낮아지는 것을 미연에 방지할 수 있다.A compensation current is applied to the first node N1 through the fourth TFT (ST4) in proportion to the leakage current leaking through the first TFT (ST1) to compensate. The potential of the first node N1 can maintain the data voltage Vdata within an error range even if the emission period Te is prolonged. Accordingly, it is possible to prevent the driving current (Ioled) flowing through the OLED from being lowered during the emission period (Te).

에미션 기간(Te) 동안 OLED에 일정하게 흐르는 구동 전류(Ioled)는 수학식 2와 같다. OLED는 이 전류에 의해 발광되어 입력 영상의 밝기를 표현한다.The driving current (Ioled) that constantly flows through the OLED during the emission period (Te) is given in Equation 2. OLED emits light using this current to express the brightness of the input image.

수학식 2에서, k는 구동 TFT(DT)의 전자 이동도, 기생 커패시턴스 및 채널 용량 등에 의해 결정되는 비례 상수를 지시한다.In Equation 2, k indicates a proportionality constant determined by the electron mobility of the driving TFT (DT), parasitic capacitance, and channel capacity.

구동전류(Ioled) 관계식은 k/2(Vgs-Vth)2인데, 프로그래밍 기간(Tp)을 통해 프로그래밍 된 Vgs에는 Vth가 포함되어 있으므로, 수학식 1과 같이 구동전류(Ioled) 관계식에서 Vth 성분은 소거된다. 따라서, 문턱전압(Vth) 변화가 구동전류(Ioled)에 미치는 영향이 제거된다.The driving current (Ioled) relation is k/2(Vgs-Vth)2. Since Vgs programmed through the programming period (Tp) includes Vth, the Vth component in the driving current (Ioled) relation is as shown in Equation 1. It is erased. Accordingly, the influence of changes in threshold voltage (Vth) on driving current (Ioled) is eliminated.

도 9는 에미션 기간 동안 본 발명의 제1 노드에 인가되는 게이트전압의 변화를 보여주고, 도 10은 도 9의 제1 노드에 인가되는 게이트전압에 따라 변화되는 구동전류를 보여준다.Figure 9 shows the change in gate voltage applied to the first node of the present invention during the emission period, and Figure 10 shows the driving current changed according to the gate voltage applied to the first node of Figure 9.

도 9을 참조하면, 세로방향은 제1 노드에 인가되는 전압을 나타내며, 가로방향은 에미션 기간을 나타낸다. 도 10을 참조하면, 세로방향은 OLED에 인가되는 전류를 나타내며, 가로방향은 에미션 기간을 나타낸다.Referring to FIG. 9, the vertical direction represents the voltage applied to the first node, and the horizontal direction represents the emission period. Referring to FIG. 10, the vertical direction represents the current applied to the OLED, and the horizontal direction represents the emission period.

종래의 픽셀 구조에서는 에미션 기간이 길어질수록 제1 노드에 인가되는 전압이 점진적으로 낮아짐으로써, 구동 TFT를 통해 흐르는 구동전류가 불안정하였다. 이에 구동전류를 공급받아 발광하는 OLED의 밝기가 다르게 표현되어 플리커 현상이 발생되었다.In a conventional pixel structure, as the emission period becomes longer, the voltage applied to the first node gradually decreases, making the driving current flowing through the driving TFT unstable. As a result, the brightness of the OLED that emits light when supplied with driving current was expressed differently, resulting in a flicker phenomenon.

반면에 본 발명의 픽셀 구조는 상술한 바와 같이, 제1 노드에서 누설되는 누설전류만큼 보상전류를 제1 노드에 입력할 수 있다. 이에 본 발명의 픽셀 구조는 에미션 기간이 길어지더라도 제1 노드에서 누설되는 누설전류만큼 보상전류를 통해 보상됨으로써, 구동 TFT의 게이트 전극에 안정적인 전압이 인가될 수 있다. 즉, 구동 TFT의 게이트 전극에 안정적인 전압이 드랍(Drop)되는 것을 미연에 방지할 수 있다.On the other hand, as described above, the pixel structure of the present invention can input a compensation current to the first node equal to the leakage current leaking from the first node. Accordingly, in the pixel structure of the present invention, even if the emission period is prolonged, the leakage current leaking from the first node is compensated through compensation current, so that a stable voltage can be applied to the gate electrode of the driving TFT. In other words, it is possible to prevent a stable voltage from dropping on the gate electrode of the driving TFT.

이와 같이, 구동 TFT의 게이트 전극에 안정적인 전압이 인가됨으로써, 구동 TFT를 통해 흐르는 구동전류도 안정적으로 흐를 수 있다. 이에 따라, OLED는 구동전류를 안정적으로 공급받아 발광함으로써, 일정한 OLED의 밝기를 표현할 수 있다. In this way, by applying a stable voltage to the gate electrode of the driving TFT, the driving current flowing through the driving TFT can also flow stably. Accordingly, the OLED can express constant brightness of the OLED by receiving a stable supply of driving current and emitting light.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Through the above-described content, those skilled in the art will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to what is described in the detailed description of the specification, but should be defined by the scope of the patent claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 컨트롤러
12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
14 : 데이터라인들 15 : 게이트라인들
15A : 제1 스캔 라인 15B : 제2 스캔라인
15C : 에미션 라인
10: display panel 11: timing controller
12: data driving circuit 13: gate driving circuit
14: data lines 15: gate lines
15A: 1st scan line 15B: 2nd scan line
15C: Emission line

Claims (10)

다수의 픽셀들이 구비된 표시패널;
상기 표시패널의 스캔라인들과 에미션라인들을 구동하는 게이트 구동회로; 및
상기 표시패널의 데이터라인들을 구동하는 데이터 구동회로를 포함하고;
상기 픽셀은,
유기발광다이오드를 발광시키는 에미션 기간 동안, 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 유지되도록 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 보상전류를 인가하는 보상부를 구비하고,
상기 픽셀들 중에서 n(n은 자연수)번째 픽셀행에 배치된 각 픽셀은,
제2 노드에 접속된 애노드전극과 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 캐소드전극을 갖는 상기 유기발광다이오드;
제1 노드에 접속된 게이트 전극, 상기 제2 노드에 접속된 소스 전극, 및 제3 노드에 접속된 드레인 전극을 포함하는 상기 구동 트랜지스터;
상기 데이터라인과 상기 제1 노드 사이에 접속된 제1 트랜지스터;
상기 제2 노드와 초기화 입력단 사이에 접속된 제2 트랜지스터;
상기 제3 노드와 고전위 구동전압의 입력단 사이에 접속된 제3 트랜지스터; 및
상기 고전위 구동전압의 입력단과 상기 제1 노드 사이에 접속된 제4 트랜지스터를 포함하고상기 보상부는
상기 고전위 구동전압의 입력단에 접속된 드레인 전극, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 소스 전극 및 그라운드전압의 입력단에 접속된 게이트 전극을 구비하는 상기 제4 트랜지스터로 포함하고,
상기 보상전류는 상기 제4 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 유기발광 표시장치.

A display panel equipped with a plurality of pixels;
a gate driving circuit that drives scan lines and emission lines of the display panel; and
It includes a data driving circuit that drives data lines of the display panel;
The pixel is,
A compensation unit for applying a compensation current to the gate electrode of the driving transistor so that the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor that controls the driving current is maintained during the emission period during which the organic light emitting diode emits light,
Among the pixels, each pixel placed in the nth pixel row (n is a natural number) is,
the organic light emitting diode having an anode electrode connected to a second node and a cathode electrode connected to an input terminal of a low potential driving voltage;
the driving transistor including a gate electrode connected to a first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to a third node;
a first transistor connected between the data line and the first node;
a second transistor connected between the second node and an initialization input terminal;
a third transistor connected between the third node and an input terminal of a high potential driving voltage; and
It includes a fourth transistor connected between the input terminal of the high potential driving voltage and the first node, and the compensation unit
It includes the fourth transistor having a drain electrode connected to the input terminal of the high potential driving voltage, a source electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and a gate electrode connected to the input terminal of the ground voltage,
The compensation current is applied to the gate electrode of the driving transistor by a switching operation of the fourth transistor.

삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 픽셀들 중에서 n(n은 자연수)번째 픽셀행에 배치된 각 픽셀은,
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속된 제1 커패시터; 및
상기 제2 노드와 고전위 구동전압의 입력단 사이에 접속된 제2 커패시터;를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
Among the pixels, each pixel placed in the nth pixel row (n is a natural number) is,
a first capacitor connected between the first node and the second node; and
The organic light emitting display device further includes a second capacitor connected between the second node and an input terminal of the high potential driving voltage.
제1 항에 있어서,
한 프레임기간은,
상기 제1 노드를 초기화하는 초기화 기간과, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하여 상기 제1 노드에 저장하는 샘플링 기간과, 상기 샘플링된 문턱전압을 포함하여 상기 구동 트랜지스터의 소스-게이트 간 전압을 프로그래밍하는 프로그래밍 기간과, 상기 프로그래밍된 소스-게이트 간 전압에 따른 구동전류로 상기 OLED를 발광시키는 상기 에미션 기간을 포함하고,
상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 스캔신호가 인가되는 n번째 제1 스캔라인에 접속되고, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 제n+1 스캔신호가 인가되는 n+1번째 제1 스캔라인에 접속되고, 상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 에미션신호가 인가되는 n번째 제1 에미션라인에 접속되고, 상기 제4 트랜지스터의 게이트 전극은 그라운드전압 라인에 접속되며,
상기 초기화 기간에서, 상기 제n 스캔신호와 상기 제n+1 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며;
상기 샘플링 기간에서, 상기 제n 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가되며;
상기 프로그래밍 기간에서, 상기 제n 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n+1 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며;
상기 에미션 기간에서, 상기 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n 스캔신호와 상기 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가되는 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
One frame period is:
An initialization period for initializing the first node, a sampling period for sampling the threshold voltage of the driving transistor and storing it in the first node, and programming the source-gate voltage of the driving transistor including the sampled threshold voltage. a programming period, and an emission period for emitting light from the OLED with a driving current according to the programmed source-gate voltage,
The gate electrode of the first transistor is connected to the n-th first scan line to which the n-th scan signal is applied, and the gate electrode of the second transistor is connected to the n+1-th first scan line to which the n+1-th scan signal is applied. is connected to, the gate electrode of the third transistor is connected to the n-th first emission line to which the n-th emission signal is applied, the gate electrode of the fourth transistor is connected to the ground voltage line,
In the initialization period, the nth scan signal and the n+1th scan signal are applied at an on level, and the nth emission signal is applied at an off level;
In the sampling period, the nth scan signal and the nth emission signal are applied at an on level, and the n+1th scan signal is applied at an off level;
In the programming period, the nth scan signal is applied at an on level, and the n+1th scan signal and the nth emission signal are applied at an off level;
In the emission period, the nth emission signal is applied at an on level, and the nth scan signal and the n+1th scan signal are applied at an off level.
제4 항에 있어서,
상기 제4 트랜지스터는
상기 초기화 기간 내지 상기 프로그래밍 기간 동안 상기 제1 노드와 상기 고전위 구동전압의 입력단 사이를 차단하고,
상기 에미션 기간 동안 상기 제1 노드에 상기 보상전류를 인가하는 유기발광 표시장치.
According to clause 4,
The fourth transistor is
Blocking between the first node and the input terminal of the high potential driving voltage during the initialization period to the programming period,
An organic light emitting display device that applies the compensation current to the first node during the emission period.
제4 항에 있어서,
상기 초기화 기간, 상기 샘플링 기간 및 상기 에미션 기간 동안 상기 제1 트랜지스터를 통해 기준전압이 상기 제1 노드에 공급되고,
상기 프로그래밍 기간 동안 상기 제1 트랜지스터를 통해 데이터 전압이 상기 제1 노드에 공급되는 유기발광 표시장치.
According to clause 4,
A reference voltage is supplied to the first node through the first transistor during the initialization period, the sampling period, and the emission period,
An organic light emitting display device in which a data voltage is supplied to the first node through the first transistor during the programming period.
다수의 픽셀들이 구비된 표시패널;
상기 표시패널의 스캔라인들과 에미션라인들을 구동하는 게이트 구동회로; 및
상기 표시패널의 데이터라인들을 구동하는 데이터 구동회로를 포함하고;
상기 픽셀은,
유기발광다이오드를 발광시키는 에미션 기간 동안, 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트전압이 유지되도록 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 보상전류를 인가하는 보상부를 구비하고,
상기 픽셀들 중에서 n(n은 자연수)번째 픽셀행에 배치된 각 픽셀은,
제2 노드에 접속된 애노드전극과 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 캐소드전극을 갖는 상기 유기발광다이오드;
제1 노드에 접속된 게이트 전극, 상기 제2 노드에 접속된 소스 전극, 및 제3 노드에 접속된 드레인 전극을 포함하는 상기 구동 트랜지스터;
상기 데이터라인과 상기 제1 노드 사이에 접속된 제1 트랜지스터;
상기 제2 노드와 초기화 입력단 사이에 접속된 제2 트랜지스터; 및
상기 제3 노드와 고전위 구동전압의 입력단 사이에 접속된 제3 트랜지스터를 포함하고,
상기 보상부는
상기 제1 노드와 제4 노드와 사이에 접속된 제4 트랜지스터;
보상 전압의 입력단과 상기 제4 노드 사이에 접속된 제5 트랜지스터; 및
상기 제4 노드와 제5 노드에 접속된 제3 커패시터;를 포함하는 유기발광 표시장치.
A display panel equipped with a plurality of pixels;
a gate driving circuit that drives scan lines and emission lines of the display panel; and
It includes a data driving circuit that drives data lines of the display panel;
The pixel is,
A compensation unit for applying a compensation current to the gate electrode of the driving transistor so that the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor that controls the driving current is maintained during the emission period during which the organic light emitting diode emits light,
Among the pixels, each pixel placed in the nth pixel row (n is a natural number) is,
the organic light emitting diode having an anode electrode connected to a second node and a cathode electrode connected to an input terminal of a low potential driving voltage;
the driving transistor including a gate electrode connected to a first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to a third node;
a first transistor connected between the data line and the first node;
a second transistor connected between the second node and an initialization input terminal; and
It includes a third transistor connected between the third node and an input terminal of a high potential driving voltage,
The compensation department
a fourth transistor connected between the first node and the fourth node;
a fifth transistor connected between the input terminal of the compensation voltage and the fourth node; and
An organic light emitting display device comprising: a third capacitor connected to the fourth node and the fifth node.
제7 항에 있어서,
한 프레임기간은,
상기 제1 노드를 초기화하는 초기화 기간과, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하여 상기 제1 노드에 저장하는 샘플링 기간과, 상기 샘플링된 문턱전압을 포함하여 상기 구동 트랜지스터의 소스-게이트 간 전압을 프로그래밍하는 프로그래밍 기간과, 상기 프로그래밍된 소스-게이트 간 전압에 따른 구동전류로 상기 OLED를 발광시키는 에미션 기간을 포함하고,
상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 스캔신호가 인가되는 n번째 제1 스캔라인에 접속되고, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제5 트랜지스터의 게이트 전극은 제n+1 스캔신호가 인가되는 n+1번째 제1 스캔라인에 접속되고, 상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 제n 에미션신호가 인가되는 n번째 제1 에미션라인에 접속되고, 상기 제4 트랜지스터의 게이트 전극은 그라운드전압 라인에 접속되며,
상기 초기화 기간에서, 상기 제n 스캔신호와 상기 제n+1 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며;
상기 샘플링 기간에서, 상기 제n 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가되며;
상기 프로그래밍 기간에서, 상기 제n 스캔신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n+1 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 오프 레벨로 인가되며;
상기 에미션 기간에서, 상기 제n 에미션신호는 온 레벨로 인가되고, 상기 제n 스캔신호와 상기 제n+1 스캔신호는 오프 레벨로 인가되는 유기발광 표시장치.
According to clause 7,
One frame period is:
An initialization period for initializing the first node, a sampling period for sampling the threshold voltage of the driving transistor and storing it in the first node, and programming the source-gate voltage of the driving transistor including the sampled threshold voltage. It includes a programming period and an emission period for emitting light from the OLED with a driving current according to the programmed source-gate voltage,
The gate electrode of the first transistor is connected to the n-th first scan line to which the n-th scan signal is applied, and the gate electrode of the second transistor and the gate electrode of the fifth transistor are connected to the n-th first scan line to which the n-th scan signal is applied. It is connected to the n+1th first scan line, the gate electrode of the third transistor is connected to the nth first emission line to which the nth emission signal is applied, and the gate electrode of the fourth transistor is connected to the ground voltage line. is connected to,
In the initialization period, the nth scan signal and the n+1th scan signal are applied at an on level, and the nth emission signal is applied at an off level;
In the sampling period, the nth scan signal and the nth emission signal are applied at an on level, and the n+1th scan signal is applied at an off level;
In the programming period, the nth scan signal is applied at an on level, and the n+1th scan signal and the nth emission signal are applied at an off level;
In the emission period, the nth emission signal is applied at an on level, and the nth scan signal and the n+1th scan signal are applied at an off level.
제8 항에 있어서,
상기 제4 트랜지스터는
상기 초기화 기간 내지 상기 프로그래밍 기간 동안 상기 제1 노드와 상기 제4 노드 사이를 차단하고,
상기 에미션 기간 동안 상기 제1 노드에 보상 전류를 인가하는 유기발광 표시장치.
According to clause 8,
The fourth transistor is
Blocking between the first node and the fourth node during the initialization period to the programming period,
An organic light emitting display device that applies a compensation current to the first node during the emission period.
제8 항에 있어서,
상기 초기화 기간과 상기 샘플링 기간 동안 상기 제1 트랜지스터를 통해 기준전압이 상기 제1 노드에 공급되고,
상기 프로그래밍 기간과 상기 에미션 기간 동안 상기 제1 트랜지스터를 통해 데이터 전압이 상기 제1 노드에 공급되는 유기발광 표시장치.
According to clause 8,
A reference voltage is supplied to the first node through the first transistor during the initialization period and the sampling period,
An organic light emitting display device in which a data voltage is supplied to the first node through the first transistor during the programming period and the emission period.
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