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KR101613737B1 - Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof - Google Patents

Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof Download PDF

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KR101613737B1
KR101613737B1 KR1020100032897A KR20100032897A KR101613737B1 KR 101613737 B1 KR101613737 B1 KR 101613737B1 KR 1020100032897 A KR1020100032897 A KR 1020100032897A KR 20100032897 A KR20100032897 A KR 20100032897A KR 101613737 B1 KR101613737 B1 KR 101613737B1
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driving
node
voltage
tft
emitting diode
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김중철
이지노
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 기저 전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드; 제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며, 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT; 및 상기 구동 TFT 및 유기발광다이오드에 접속되고, 상기 고전위 구동전압, 상기 구동 TFT의 문턱전압, 및 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 상기 제1 노드에 반영하는 스위치회로를 구비한다.The organic light emitting diode display device according to the present invention includes: an organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source for generating a high potential driving voltage and a base voltage source; A driving TFT having a gate electrode connected to a first node and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, the driving TFT controlling the driving current according to a source-gate voltage; And a switch circuit connected to the driving TFT and the organic light emitting diode and reflecting the high potential driving voltage, the threshold voltage of the driving TFT, and the threshold voltage of the organic light emitting diode to the first node.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법{Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof}[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로 특히, 화질을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device capable of improving image quality and a driving method thereof.

최근, 다양한 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)에 대한 개발이 가속화되고 있다. 이들 중 특히, 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, development of various flat panel displays (FPD) has been accelerated. Particularly, the organic light emitting diode display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high luminance and wide viewing angle by using a self-luminous element which emits light by itself.

유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같이 유기발광다이오드를 가진다. 유기발광다이오드는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비한다. The organic light emitting diode display device has an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode has organic compound layers (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed between the anode electrode and the cathode electrode.

유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the HTL and electrons passing through the ETL are transferred to the EML to form excitons, Thereby generating visible light.

유기발광다이오드 표시장치는 이와 같은 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 화소들의 밝기를 비디오 데이터의 계조에 따라 제어한다. 이와 같은 유기발광다이오드 표시장치는 패씨브 매트릭스(passive matrix) 방식과, 스위칭소자로써 TFT(Thin Film Transistor)를 이용하는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 이 중 액티브 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(Storage Capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다. The organic light emitting diode display device arranges the pixels including the organic light emitting diode in a matrix form and controls the brightness of the pixels according to the gray level of the video data. Such an organic light emitting diode display device is divided into a passive matrix type and an active matrix type using a TFT (Thin Film Transistor) as a switching element. Among them, the active matrix method selectively turns on the TFT as the active element to select the pixel and maintains the light emission of the pixel with the voltage held in the storage capacitor.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다. 2 is a circuit diagram showing one pixel equivalently in an active matrix type organic light emitting diode display.

도 2를 참조하면, 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 스위치 TFT(ST), 구동 TFT(DT), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 2, a pixel of an active matrix type organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode OLED, a switch TFT ST, a driver TFT DT, and a storage capacitor Cst.

스위치 TFT(ST)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온 됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 스위치 TFT(ST)는 턴 온 기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압을 구동 TFT(DT)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 자신의 게이트-소스 간의 전압(Vgs)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트전위를 소정 기간 동안 일정하게 유지시킨다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조로 구현되며, 구동 TFT(DT)의 드레인전극과 기저전압원(GND) 사이에 접속된다.The switch TFT (ST) turns on in response to a scan pulse from the gate line (GL), thereby conducting a current path between the source electrode and the drain electrode. The switch TFT (ST) applies a data voltage from the data line (DL) to the gate electrode of the driver TFT (DT) and the storage capacitor (Cst) during the turn-on period. The driving TFT DT controls the current flowing in the organic light emitting diode OLED according to the gate-source voltage Vgs of its own. The storage capacitor Cst keeps the gate potential of the driving TFT DT constant for a predetermined period. The organic light emitting diode OLED has a structure as shown in FIG. 1 and is connected between the drain electrode of the driving TFT DT and the ground voltage source GND.

도 2와 같은 화소의 밝기는 아래의 수학식 1과 같이 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)에 비례하며, 구동전류(Ioled)는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs) 및 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 의존한다.2 is proportional to the driving current Ioled flowing in the organic light emitting diode OLED and the driving current Ioled is proportional to the gate-source voltage of the driving TFT DT Vgs of the driving TFT DT and the threshold voltage Vth of the driving TFT DT.

Figure 112016015344312-pat00019
Figure 112016015344312-pat00019

여기서, 'μ'는 구동 TFT(DT)의 이동도를, 'Cox'는 구동 TFT(DT)의 기생용량을, 'W'는 구동 TFT(DT)의 채널폭을, 'L'은 구동 TFT(DT)의 채널길이를, 'Vdd'는 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 데이터전압을 각각 나타낸다. Here, 'μ' denotes the mobility of the driving TFT DT, 'Cox' denotes the parasitic capacitance of the driving TFT DT, 'W' denotes the channel width of the driving TFT DT, 'Vdd' denotes a high potential driving voltage, and 'Vdata' denotes a data voltage.

이러한, 유기발광다이오드 표시장치에서 화소들 간 휘도 편차로 인한 화질 저하는 여러 원인으로부터 비롯된다. Such image quality deterioration due to the luminance deviation between pixels in an organic light emitting diode display device is caused by various causes.

첫째, 상기 원인으로 문턱전압(Vth) 등과 같은 구동 TFT(DT)의 전기적 특성 편차를 들 수 있다.First, there is an electrical characteristic deviation of the driving TFT DT such as a threshold voltage Vth for the above reasons.

LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 백 플레인을 사용하는 패널에서는 ELA(Excimer Laser Annealing) 공정에 의해, 화소들 간 구동 TFT(DT)의 특성 편차가 발생한다. 반면, a-Si(Amorphous Silicon) 백 플레인을 사용하는 패널에서는 공정에 의한 구동 TFT(DT)의 특성 편차는 거의 없다. 하지만 패널 구동에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 쌓이는 게이트-바이어스 스트레스(Gate-Bias Stress)에 의해, 구동 TFT(DT)의 열화 정도가 화소마다 달라져 결국 화소들 간 구동 TFT(DT)의 특성 편차가 초래된다. 구동 TFT(DT)의 특성 편차 즉, 화소들 간 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 차이가 발생되면, 수학식 1에서 명확히 알 수 있듯이 동일한 데이터전압(Vdata)에 대응하여 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)값이 화소들마다 달라지게 된다. In a panel using a Low Temperature Poly Silicon (LTPS) back plane, a characteristic deviation of the driving TFT (DT) between pixels occurs due to an ELA (Excimer Laser Annealing) process. On the other hand, in a panel using an amorphous silicon (a-Si) back plane, there is almost no characteristic deviation of the driving TFT (DT) due to the process. However, due to the gate-bias stress accumulated in the gate electrode of the driving TFT DT in accordance with the panel driving, the deterioration degree of the driving TFT DT varies from pixel to pixel, Resulting in characteristic deviations. When the characteristic deviation of the driving TFT DT, that is, the difference of the threshold voltage Vth of the driving TFT DT between the pixels is generated, the organic light emitting diode (OLED) corresponding to the same data voltage Vdata The driving current Ioled flowing through the OLED varies depending on the pixels.

둘째, 상기 원인으로 IR 드롭(Drop)에 의한 고전위 구동전압(Vdd)의 편차를 들 수 있다.Second, a deviation of the high potential driving voltage (Vdd) due to the IR drop can be mentioned.

IR 드롭은 전원공급배선의 배선저항으로 인해 전압 입력단으로부터 멀어질수록 고전위 구동전압(Vdd)의 레벨이 점점 떨어지는 현상을 말한다. 따라서, 화소들에 인가되는 고전위 구동전압(Vdd)의 레벨은 화소들의 위치에 따라 서로 달라진다. 이렇게 위치에 따라 화소들 간 고전위 구동전압(Vdd)의 레벨이 달라지면, 수학식 1에서 명확히 알 수 있듯이 동일한 데이터전압(Vdata)에 대응하여 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Iolde)값이 화소들마다 달라지게 된다.The IR drop is a phenomenon in which the level of the high potential driving voltage (Vdd) gradually decreases as the distance from the voltage input terminal is decreased due to the wiring resistance of the power supply wiring. Therefore, the level of the high potential driving voltage Vdd applied to the pixels differs depending on the positions of the pixels. If the level of the high-potential driving voltage Vdd between the pixels changes according to the position, the driving current Iolde flowing through the organic light-emitting diode OLED corresponding to the same data voltage Vdata Are different for each pixel.

셋째, 상기 원인으로 장시간 구동에 따른 유기발광다이오드(OLED)의 열화를 들 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)에 대한 열화는 도 3과 같이 상대적으로 밝은 계조로 장시간 구동되는 부분에서 더 커진다. 종래 화소 구조의 경우 유기발광다이오드(OLED)에 열화가 생기면 그 위치에서 휘도 저하가 발생된다.
Thirdly, degradation of the organic light emitting diode (OLED) due to driving for a long time can be cited. The deterioration with respect to the organic light emitting diode (OLED) becomes larger in a portion that is driven for a long time with a relatively bright gradation as shown in FIG. In the conventional pixel structure, when the organic light emitting diode (OLED) is deteriorated, the luminance is lowered at the position.

따라서, 본 발명의 목적은 화소들 간 휘도 편차를 방지하여 화질을 향상시킬 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device and a method of driving the same, which can improve image quality by preventing luminance deviation between pixels.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 기저 전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드; 제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며, 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT; 및 상기 구동 TFT 및 유기발광다이오드에 접속되고, 상기 고전위 구동전압, 상기 구동 TFT의 문턱전압, 및 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 상기 제1 노드에 반영하는 스위치회로를 구비한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device including: an organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source for generating a high potential driving voltage and a base voltage source; A driving TFT having a gate electrode connected to a first node and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, the driving TFT controlling the driving current according to a source-gate voltage; And a switch circuit connected to the driving TFT and the organic light emitting diode and reflecting the high potential driving voltage, the threshold voltage of the driving TFT, and the threshold voltage of the organic light emitting diode to the first node.

상기 스위치 회로는, 상기 제1 노드와 상기 구동 TFT의 드레인전극 사이에 접속되는 제1 스위치 TFT; 제2 노드와 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되는 제2 스위치 TFT; 데이터전압이 인가되는 데이터라인과 제3 노드 사이에 접속되는 제3 스위치 TFT; 기준 전압원과 상기 제3 노드 사이에 접속되는 제4 스위치 TFT; 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되는 제5 스위치 TFT; 상기 구동 TFT와 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되는 제6 스위치 TFT; 상기 기준 전압원과 상기 제1 노드 사이에 접속되는 제7 스위치 TFT; 상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되는 제1 커패시터; 및 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 제2 커패시터를 구비한다.Wherein the switch circuit comprises: a first switch TFT connected between the first node and a drain electrode of the drive TFT; A second switch TFT connected between the second node and the organic light emitting diode; A third switch TFT connected between a data line to which a data voltage is applied and a third node; A fourth switch TFT connected between the reference voltage source and the third node; A fifth switch TFT connected between the second node and the third node; A sixth switch TFT connected between the driving TFT and the organic light emitting diode; A seventh switch TFT connected between the reference voltage source and the first node; A first capacitor connected between the first node and the third node; And a second capacitor connected between the first node and the second node.

상기 제1 내지 제3 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n 스캔신호가 인가되는 제n 스캔라인에 접속되고; 상기 제4 내지 제6 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n 에미션신호가 인가되는 제n 에미션라인에 접속되며; 상기 제7 스위치 TFT의 게이트전극은 제n-1 스캔신호가 인가되는 제n-1 스캔라인에 접속된다.A gate electrode of each of the first to third switch TFTs is connected to an n-th scan line to which an n-th scan signal is applied; A gate electrode of each of the fourth to sixth switch TFTs is connected to an nth emission line to which an nth emission signal is applied; And the gate electrode of the seventh switch TFT is connected to the (n-1) th scan line to which the (n-1) th scan signal is applied.

제1 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되며; 상기 제1 기간에 이은 제2 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호는 턴 온 레벨로 유지되며; 상기 제2 기간에 이은 제3 기간 동안 상기 제n-1 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지된다.During the first period, the n-1 scan signal and the nth emission signal are maintained at the turn-on level and the n-th scan signal is maintained at the turn-off level; The nth scan signal and the nth emission signal are maintained at a turn-off level and the nth scan signal is maintained at a turn-on level during a second period subsequent to the first period; During the third period following the second period, the (n-1) th and (n) scan signals are maintained at the turn-off level and the n-th emission signal is maintained at the turn-on level.

상기 제1 내지 제3 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n 스캔신호가 인가되는 제n 스캔라인에 접속되고; 상기 제4 및 제5 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n1 에미션신호가 인가되는 제n1 에미션라인에 접속되고; 상기 제6 스위치 TFT의 게이트전극은 제n2 에미션신호가 인가되는 제n2 에미션라인에 접속되며; 상기 제7 스위치 TFT의 게이트전극은 제n-1 스캔신호가 인가되는 제n-1 스캔라인에 접속된다.A gate electrode of each of the first to third switch TFTs is connected to an n-th scan line to which an n-th scan signal is applied; A gate electrode of each of the fourth and fifth switch TFTs is connected to an n1-th emission line to which an n1-emission signal is applied; A gate electrode of the sixth switch TFT is connected to an n2-th emission line to which an n-th emission signal is applied; And the gate electrode of the seventh switch TFT is connected to the (n-1) th scan line to which the (n-1) th scan signal is applied.

제1 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n1 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호와 상기 제n2 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며; 상기 제1 기간에 이은 제2 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n1 및 제n2 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호는 턴 온 레벨로 유지되며; 상기 제2 기간에 이은 제3 기간 동안 상기 제n-1 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n1 및 제n2 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지된다.During the first period, the n-1 scan signal and the n1 emission signal are maintained at the turn-on level and the n-th scan signal and the n2 emission signal are maintained at the turn-off level; The n-1 scan signal and the n1 and n2 emission signals are maintained at a turn-off level and the n-th scan signal is maintained at a turn-on level during a second period subsequent to the first period; During the third period subsequent to the second period, the (n-1) th and (n) scan signals are maintained at the turn-off level and the n1 and n2 emission signals are maintained at the turn-on level.

상기 구동전류는 아래의 수식과 같다.The driving current is expressed by the following equation.

Figure 112016015344312-pat00020
Figure 112016015344312-pat00020

여기서, 'Ioled'는 상기 구동전류를, 'μ'는 상기 구동 TFT의 이동도를, 'Cox'는 상기 구동 TFT의 기생용량을, 'W'는 상기 구동 TFT의 채널폭을, 'L'은 상기 구동 TFT의 채널길이를, 'Vsg'는 상기 구동 TFT의 소스-게이트 간 전압차를, 'Vth'는 상기 구동 TFT의 문턱전압을, 'Vdd'는 상기 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 상기 데이터전압을, 'Vref'는 상기 기준전압원에 의한 기준전압을, 'Vtho'는 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 각각 나타낸다. Here, 'Ioled' denotes the driving current, 'μ' denotes a mobility of the driving TFT, 'Cox' denotes a parasitic capacitance of the driving TFT, 'W' denotes a channel width of the driving TFT, 'Vdd' is the high-potential driving voltage, and 'Vdata' is the gate-to-gate voltage difference of the driving TFT, 'Vth' is the threshold voltage of the driving TFT, 'Denotes a data voltage,' Vref 'denotes a reference voltage by the reference voltage source, and' Vtho 'denotes a threshold voltage of the organic light emitting diode.

본 발명의 실시예에 따라 고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 기저 전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드와, 제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT와, 상기 제1 노드 및 상기 제1 노드와 다른 제2 및 제3 노드에 접속되어 상기 제1 노드의 전위를 제어하기 위한 스위치 회로를 갖는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법은, 제1 기간 동안, 상기 제1 내지 제3 노드의 전위를 기준전압 레벨로 초기화시키는 단계; 상기 제1 기간에 이은 제2 기간 동안, 상기 고전위 구동전압에서 상기 구동 TFT의 문턱전압을 뺀 제1 연산값을 상기 제1 노드에 인가하고, 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 상기 제2 노드에 인가하며, 데이터전압을 상기 제3 노드에 인가하는 단계; 및 상기 제2 기간에 이은 제3 기간 동안, 상기 제2 및 제3 노드의 전위를 상기 기준전압 레벨로 변동시키고 이 변동에 따른 제2 연산값을 상기 제1 노드에 반영한 후, 상기 제1 노드의 전위를 상기 제1 연산값에서 상기 제2 연산값을 뺀 보상값으로 셋팅하는 단계를 포함하고; 상기 제2 연산값은 데이터전압과 상기 유기발광다이오드의 문턱전압의 합산전압에서 상기 기준전압을 뺀 값을 지시한다.
According to an embodiment of the present invention, an organic light emitting diode that emits light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source and a base voltage source for generating a high potential driving voltage, a gate electrode connected to the first node, A driving TFT having a source electrode connected to the first node and the driving current and controlling the driving current according to a source-gate voltage; and a driving TFT connected to second and third nodes different from the first node and the first node, A method of driving an organic light emitting diode display device having a switch circuit for controlling includes the steps of initializing a potential of the first to third nodes to a reference voltage level during a first period; A first calculation value obtained by subtracting a threshold voltage of the driving TFT from the high potential driving voltage is applied to the first node during a second period subsequent to the first period and a threshold voltage of the organic light emitting diode is applied to the second node Applying a data voltage to the third node; And for varying the potential of the second and third nodes to the reference voltage level for a third period subsequent to the second period and reflecting the second calculated value according to the variation to the first node, To a compensation value obtained by subtracting the second calculation value from the first calculation value; The second calculated value indicates a value obtained by subtracting the reference voltage from the sum of the data voltage and the threshold voltage of the organic light emitting diode.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 유기발광다이오드에 흐르는 구동전류가 구동 TFT의 문턱전압 편차 및/또는 고전위 구동전압 편차에 영향받지 않는다. 그 결과, 상기 편차들이 발생되더라도 화소들 간 휘도 불균일 현상이 야기되지 않기 때문에 종래에 비해 비약적인 화질 향상을 기대할 수 있다.According to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, the driving current flowing through the organic light emitting diode is not affected by the threshold voltage deviation and / or the high potential driving voltage deviation of the driving TFT. As a result, even if the deviations are generated, luminance unevenness phenomenon between the pixels is not caused, so that a dramatic improvement in image quality can be expected compared with the conventional method.

나아가, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 유기발광다이오드의 문턱전압 증가에 비례하여 구동전류가 증가되기 때문에, 화소들 간 유기발광다이오드의 열화 편차로 인한 휘도 불균일 현상을 자동적으로 보상할 수 있어 종래에 비해 비약적인 화질 향상을 기대할 수 있다.
Further, according to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, since the driving current increases in proportion to the increase of the threshold voltage of the organic light emitting diode, luminance unevenness due to the deterioration of the organic light emitting diode between the pixels is automatically It is possible to expect remarkable image quality improvement compared to the conventional one.

도 1은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 종래 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소의 등가 회로도.
도 3은 유기발광다이오드의 열화에 의해 잔상이 발생되는 것을 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도.
도 6은 도 5에 인가되는 제어신호들과 각 노드의 전압 파형도.
도 7a는 도 6의 제1 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 7b는 도 6의 제2 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 7c는 도 6의 제3 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 8은 유기발광다이오드의 열화 정도에 따른 전압-전류 간 관계를 보여주는 그래프.
도 9는 유기발광다이오드의 열화 정도가 구동전류에 반영되는 것을 보여주는 도면.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소의 등가 회로도.
도 11은 도 10에 인가되는 제어신호들의 전압 파형도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of light emission of a general organic light emitting diode display device. FIG.
2 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a view showing a residual image generated by deterioration of an organic light emitting diode.
4 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram of a pixel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a voltage waveform diagram of control signals applied to FIG. 5 and each node. FIG.
FIG. 7A is an equivalent circuit diagram of a pixel for the first period of FIG. 6; FIG.
FIG. 7B is an equivalent circuit diagram of a pixel for the second period of FIG. 6; FIG.
FIG. 7C is an equivalent circuit diagram of a pixel for the third period of FIG. 6; FIG.
8 is a graph showing the relationship between voltage and current according to the degree of deterioration of the organic light emitting diode.
9 is a view showing that the degree of deterioration of an organic light emitting diode is reflected in a driving current.
10 is an equivalent circuit diagram of a pixel according to another embodiment of the present invention.
11 is a voltage waveform diagram of control signals applied to Fig.

이하, 도 4 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 11. FIG.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.4 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(10)과, 데이터라인들(14)을 구동시키기 위한 데이터 드라이버(12)와, 스캔라인들(15)을 구동시키기 위한 스캔 드라이버(13A)와, 에미션라인들(16)을 구동시키기 위한 에미션 드라이버(13B)와, 드라이버들(12,13A,13B)의 동작을 제어하는 타이밍 콘트롤러(11)를 구비한다. 4, an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10 in which pixels P are arranged in a matrix form, a data driver (not shown) for driving the data lines 14 A scan driver 13A for driving the scan lines 15; an emission driver 13B for driving the emission lines 16; And a timing controller 11 for controlling the operation.

표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들(14), 스캔라인들(15) 및 에미션라인들(16)이 서로 교차되고 그 교차영역마다 화소들(P)이 배치된다. 화소들(P) 각각은 고전위 구동전압(Vdd)과 기준전압(Vref)을 공급받는다. 화소들(P) 각각은 도 5와 같이 한 개의 데이터라인(14), 이웃한 두 개의 스캔라인들(15), 및 한 개의 에미션라인(16)에 접속될 수 있다. 또한, 화소들(P) 각각은 도 10과 같이 한 개의 데이터라인(14), 이웃한 두 개의 스캔라인들(15), 및 한 개의 에미션라인쌍(16P)에 접속될 수 있다. 여기서, 에미션라인쌍(16P) 각각은 제1 에미션라인과 제2 에미션라인을 포함한다. 고전위 구동전압(Vdd)은 고전위 구동전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 기준전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 기저전압과 고전위 구동전압(Vdd) 사이의 전압 레벨로 정해지되, 통상 유기발광다이오드의 문턱전압보다 낮은 레벨로 정해질 수 있다. In the display panel 10, a plurality of data lines 14, scan lines 15 and emission lines 16 are intersected with each other, and pixels P are arranged for each of the intersection areas. Each of the pixels P is supplied with a high potential driving voltage Vdd and a reference voltage Vref. Each of the pixels P may be connected to one data line 14, two neighboring scan lines 15, and one emission line 16 as shown in FIG. Each of the pixels P may be connected to one data line 14, two neighboring scan lines 15, and one pair of emission lines 16P as shown in Fig. Here, each of the pair of emission lines 16P includes a first emission line and a second emission line. The high-potential driving voltage (Vdd) is generated at a constant DC level by the high-potential driving voltage source. The reference voltage Vref is generated at a constant DC level by the reference voltage source. The reference voltage Vref is set to a voltage level between the base low voltage and the high potential driving voltage Vdd and can be generally set to a level lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode.

타이밍 콘트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 드라이버(12)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 드라이버(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 스캔 드라이버(13A)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 제어신호(SDC)와, 에미션 드라이버(13B)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 에미션 제어신호(EDC)를 발생한다. The timing controller 11 rearranges the digital video data RGB input from the outside according to the resolution of the display panel 10 and supplies the digital video data RGB to the data driver 12. [ The timing controller 11 also controls the timing of the data driver 12 based on the timing signals such as the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the dot clock signal DCLK and the data enable signal DE. A data control signal DDC for controlling the operation timing, a scan control signal SDC for controlling the operation timing of the scan driver 13A and an emission control signal for controlling the operation timing of the emission driver 13B Signal EDC.

데이터 드라이버(12)는 데이터 제어신호(DDC)에 따라 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(이하, 데이터전압이라 함)으로 변환하여 데이터라인들(14)에 공급한다. The data driver 12 converts the digital video data RGB into an analog data voltage (hereinafter, referred to as a data voltage) according to the data control signal DDC and supplies it to the data lines 14.

스캔 드라이버(13A)는 스캔 제어신호(SDC)에 따라 스캔신호를 발생하여 스캔라인들(15)에 공급한다. 스캔 드라이버(13A)는 스캔신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate In Panel) 방식에 따라 표시패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다.The scan driver 13A generates a scan signal in accordance with the scan control signal SDC and supplies the scan signal to the scan lines 15. [ The scan driver 13A includes a shift register for shifting the scan signal. The shift register can be formed directly on the display panel 10 according to the GIP (Gate In Panel) method.

에미션 드라이버(13B)는 에미션 제어신호(EDC)에 따라 에미션신호를 발생하여 에미션라인들(16)에 공급한다. 에미션 드라이버(13B)는 에미션신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate In Panel) 방식에 따라 표시패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다.The emission driver 13B generates an emission signal according to the emission control signal EDC and supplies it to the emission lines 16. [ The emission driver 13B includes a shift register for shifting the emission signal. The shift register can be formed directly on the display panel 10 according to the GIP (Gate In Panel) method.

도 5는 제n 수평라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 일 예를 나타낸다.Fig. 5 shows an example of a pixel P arranged on the nth horizontal line (n is a positive integer).

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT), 및 스위치회로(SWC)를 구비한다. Referring to FIG. 5, a pixel P according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED), a driver TFT DT, and a switch circuit SWC.

구동 TFT(DT)의 게이트전극은 제1 노드(N1)를 통해 스위치회로(SWC)에 접속되고, 구동 TFT(DT)의 소스전극은 고전위 구동전압원(VDD)에 접속되며, 구동 TFT(DT)의 드레인전극은 제4 노드(N4)를 통해 스위치회로(SWC)에 접속된다. 구동 TFT(DT)는 자신의 소스-게이트 간 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류량을 제어한다. 여기서, 구동 TFT(DT)는 P-type MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 구현될 수 있다.The gate electrode of the driving TFT DT is connected to the switch circuit SWC through the first node N1 and the source electrode of the driving TFT DT is connected to the high potential driving voltage source VDD, Is connected to the switch circuit SWC through the fourth node N4. The driving TFT DT controls the amount of current flowing in the organic light emitting diode OLED according to its source-gate voltage. Here, the driving TFT DT may be implemented as a P-type MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제5 노드(N5)를 통해 스위치회로(SWC)에 접속되고, 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극은 기저 전압원(GND)에 접속된다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조를 가지며, 구동 TFT(DT)를 통해 인가되는 구동전류에 의해 발광한다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the switch circuit SWC via the fifth node N5 and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the ground voltage source GND. The organic light emitting diode OLED has the structure shown in FIG. 1, and emits light by a driving current applied through the driving TFT DT.

스위치회로(SWC)는 제1 내지 제7 스위치 TFT(ST1 내지 ST7)와 제1 및 제2 커패시터(Cst,Cfb)를 포함한다. The switch circuit SWC includes the first to seventh switch TFTs ST1 to ST7 and the first and second capacitors Cst and Cfb.

제1 스위치 TFT(ST1)의 게이트전극은 제n 스캔신호(SCANn)가 공급되는 제n 스캔라인(15n)에 접속되고, 제1 스위치 TFT(ST1)의 소스전극은 제4 노드(N4)에 접속되며, 제1 스위치 TFT(ST1)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 제n 스캔신호(SCANn)에 응답하여 제1 노드(N1)와 제4 노드(N4) 사이의 전류 패스를 절환함으로써, 구동 TFT(DT)의 문턱전압을 샘플링한다.The gate electrode of the first switch TFT ST1 is connected to the nth scan line 15n to which the nth scan signal SCANn is supplied and the source electrode of the first switch TFT ST1 is connected to the fourth node N4 And the drain electrode of the first switch TFT (ST1) is connected to the first node (N1). The first switch TFT (ST1) samples the threshold voltage of the driver TFT (DT) by switching the current path between the first node (N1) and the fourth node (N4) in response to the nth scan signal (SCANn) .

제2 스위치 TFT(ST2)의 게이트전극은 제n 스캔신호(SCANn)가 공급되는 제n 스캔라인(15n)에 접속되고, 제2 스위치 TFT(ST2)의 소스전극은 제5 노드(N5)에 접속되며, 제2 스위치 TFT(ST2)의 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제n 스캔신호(SCANn)에 응답하여 제2 노드(N2)와 제5 노드(N5) 사이의 전류 패스를 절환함으로써, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)을 샘플링한다. The gate electrode of the second switch TFT ST2 is connected to the nth scan line 15n to which the nth scan signal SCANn is supplied and the source electrode of the second switch TFT ST2 is connected to the fifth node N5 And the drain electrode of the second switch TFT (ST2) is connected to the second node (N2). The second switch TFT ST2 switches the current path between the second node N2 and the fifth node N5 in response to the nth scan signal SCANn so that the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED ) Is sampled.

제3 스위치 TFT(ST3)의 게이트전극은 제n 스캔신호(SCANn)가 공급되는 제n 스캔라인(15n)에 접속되고, 제3 스위치 TFT(ST3)의 소스전극은 데이터전압(Vdata)이 공급되는 데이터라인(14)에 접속되며, 제3 스위치 TFT(ST3)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. 제3 스위치 TFT(ST3)는 제n 스캔신호(SCANn)에 응답하여 턴 온 됨으로써 데이터라인(14)으로부터의 데이터전압(Vdata)을 제3 노드(N3)에 공급한다.The gate electrode of the third switch TFT ST3 is connected to the nth scan line 15n to which the nth scan signal SCANn is supplied and the source electrode of the third switch TFT ST3 is connected to the data voltage Vdata , And the drain electrode of the third switch TFT (ST3) is connected to the third node (N3). The third switch TFT ST3 supplies the data voltage Vdata from the data line 14 to the third node N3 by being turned on in response to the nth scan signal SCANn.

제4 스위치 TFT(ST4)의 게이트전극은 제n 에미션신호(EMn)가 공급되는 에미션라인(16n)에 접속되고, 제4 스위치 TFT(ST4)의 소스전극은 기준 전압원(VREF)에 접속되며, 제4 스위치 TFT(ST4)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. 제4 스위치 TFT(ST4)는 제n 에미션신호(EMn)에 응답하여 턴 온 됨으로써 기준전압(Vref)을 제3 노드(N3)에 공급한다.The gate electrode of the fourth switch TFT ST4 is connected to the emission line 16n to which the nth emission signal EMn is supplied and the source electrode of the fourth switch TFT ST4 is connected to the reference voltage source VREF And the drain electrode of the fourth switch TFT (ST4) is connected to the third node (N3). The fourth switch TFT (ST4) turns on in response to the nth emission signal (EMn), thereby supplying the reference voltage (Vref) to the third node (N3).

제5 스위치 TFT(ST5)의 게이트전극은 제n 에미션신호(EMn)가 공급되는 제n 에미션라인(16n)에 접속되고, 제5 스위치 TFT(ST5)의 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 제5 스위치 TFT(ST5)의 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제5 스위치 TFT(ST5)는 제n 에미션신호(EMn)에 응답하여 턴 온 됨으로써 기준전압(Vref)을 제2 노드(N2)에 공급한다.The gate electrode of the fifth switch TFT ST5 is connected to the nth emission line 16n to which the nth emission signal EMn is supplied and the source electrode of the fifth switch TFT ST5 is connected to the third node N3 , And the drain electrode of the fifth switch TFT (ST5) is connected to the second node (N2). The fifth switch TFT (ST5) turns on in response to the nth emission signal (EMn), thereby supplying the reference voltage (Vref) to the second node (N2).

제6 스위치 TFT(ST6)의 게이트전극은 제n 에미션신호(EMn)가 공급되는 제n 에미션라인(16n)에 접속되고, 제6 스위치 TFT(ST6)의 소스전극은 제4 노드(N4)에 접속되며, 제6 스위치 TFT(ST6)의 드레인전극은 제5 노드(N5)에 접속된다. 제6 스위치 TFT(ST6)는 제n 에미션신호(EMn)에 응답하여 턴 온 됨으로써 제4 노드(N4)와 제5 노드(N5) 사이의 전류 패스를 절환한다.The gate electrode of the sixth switch TFT ST6 is connected to the nth emission line 16n to which the nth emission signal EMn is supplied and the source electrode of the sixth switch TFT ST6 is connected to the fourth node N4 , And the drain electrode of the sixth switch TFT (ST6) is connected to the fifth node (N5). The sixth switch TFT (ST6) is turned on in response to the nth emission signal (EMn), thereby switching the current path between the fourth node (N4) and the fifth node (N5).

제7 스위치 TFT(ST7)의 게이트전극은 제n-1 스캔신호(SCANn-1)가 공급되는 제n-1 스캔라인(15n-1)에 접속되고, 제7 스위치 TFT(ST7)의 소스전극은 기준 전압원(VREF)에 접속되며, 제7 스위치 TFT(ST7)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 제7 스위치 TFT(ST7)는 제n-1 스캔신호(SCANn-1)에 응답하여 턴 온 됨으로써 기준전압(Vref)을 제1 노드(N1)에 공급한다.The gate electrode of the seventh switch TFT (ST7) is connected to the (n-1) th scan line (15n-1) to which the n-1th scan signal (SCANn- Is connected to the reference voltage source VREF, and the drain electrode of the seventh switch TFT (ST7) is connected to the first node N1. The seventh switch TFT (ST7) turns on in response to the (n-1) th scan signal SCANn-1, thereby supplying the reference voltage Vref to the first node N1.

제1 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 접속된다. 제2 커패시터(Cfb)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 제1 및 제2 커패시터(Cst,Cfb)는 전압 분배를 통해 제2 및 제3 노드(N2,N3)에서의 전위 변화량을 제1 노드(N1)에 반영한다.
The first capacitor Cst is connected between the first node N1 and the third node N3. The second capacitor Cfb is connected between the first node N1 and the second node N2. The first and second capacitors Cst and Cfb reflect the amount of potential change at the second and third nodes N2 and N3 through the voltage distribution to the first node N1.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 동작을 도 6 및 도 7a 내지 도 7c를 결부하여 설명하기로 한다. The operation of the pixel P according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6 and FIGS. 7A to 7C.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 동작은 제1 기간 내지 제3 기간(T1 내지 T3)으로 나누어 설명될 수 있다.Referring to FIG. 6, the operation of the pixel P according to an embodiment of the present invention may be described by dividing it into a first period to a third period (T1 to T3).

도 7a를 참조하면, 제1 기간(T1) 동안 제n-1 스캔신호(SCANn-1)는 턴 온 레벨 즉, 로우논리레벨(L)로 발생되어 제7 스위치 TFT(ST7)를 턴 온 시키고, 제n 에미션신호(EMn)는 로우논리레벨(L)로 발생되어 제4 내지 제6 스위치 TFT(ST4 내지 ST6)를 턴 온 시킨다. 제1 기간(T1) 동안 제n 스캔신호(SCANn)는 턴 오프 레벨 즉, 하이논리레벨(H)로 발생되어 제1 내지 제3 스위치 TFT(ST1 내지 ST3)를 턴 오프 시킨다. Referring to FIG. 7A, the n-1 scan signal SCANn-1 is generated at the turn-on level, that is, the low logic level L during the first period T1 to turn on the seventh switch TFT ST7 , The nth emission signal EMn is generated at the low logic level L to turn on the fourth to sixth switch TFTs ST4 to ST6. During the first period T1, the n-th scan signal SCANn is generated at the turn-off level, that is, the high logic level H, to turn off the first to third switch TFTs ST1 to ST3.

그 결과, 제1 노드(N1) 내지 제3 노드(n3)의 전위(VN1 내지 VN3)는 각각 기준전압(Vref)으로 초기화된다.As a result, the potentials VN1 to VN3 of the first node N1 to the third node n3 are initialized to the reference voltage Vref, respectively.

도 7b를 참조하면, 제2 기간(T2) 동안 제n-1 스캔신호(SCANn-1)는 하이논리레벨(H)로 반전되어 제7 스위치 TFT(ST7)를 턴 오프 시키고, 제n 스캔신호(SCANn)는 로우논리레벨(L)로 반전되어 제1 내지 제3 스위치 TFT(ST1 내지 ST3)를 턴 온 시키며, 제n 에미션신호(EMn)는 하이논리레벨(H)로 반전되어 제4 내지 제6 스위치 TFT(ST4 내지 ST6)를 턴 오프 시킨다. 제2 기간(T2) 동안 데이터라인에는 데이터전압(Vdata)이 공급된다.Referring to FIG. 7B, during the second period T2, the n-1 scan signal SCANn-1 is inverted to the high logic level H to turn off the seventh switch TFT ST7, The scan signal SCANn is turned to the low logic level L to turn on the first to third switch TFTs ST1 to ST3 and the nth emission signal EMn is inverted to the high logic level H, To turn off the sixth switch TFTs (ST4 to ST6). During the second period T2, the data voltage Vdata is supplied to the data line.

그 결과, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 구동 TFT(DT)의 다이오드 커넥션(구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극이 쇼트)에 의해 고전위 구동전압(Vdd)에서 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 제1 연산값(Vdd-Vth)으로 샘플링된다. 샘플링된 제1 연산값(Vdd-Vth)은 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. 제2 노드(N2)의 전위(VN2)는 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)으로 샘플링된다. 샘플링된 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)은 제2 커패시터(Cfb)에 저장된다. 제3 노드(N3)의 전위는 데이터전압(Vdata)으로 프로그래밍 되며, 프로그래밍 된 데이터전압(Vdata)는 제1 커패시터(Cst)에 저장된다.As a result, the potential VN1 of the first node N1 is lower than the high-potential driving voltage Vdd by the diode connection of the driving TFT DT (the gate electrode and the drain electrode of the driving TFT DT are short-circuited) (Vdd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) of the reference signal (DT). The sampled first calculation value (Vdd-Vth) is stored in the first capacitor (Cst). The potential VN2 of the second node N2 is sampled at the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED. The threshold voltage Vtho of the sampled organic light emitting diode OLED is stored in the second capacitor Cfb. The potential of the third node N3 is programmed to the data voltage Vdata and the programmed data voltage Vdata is stored to the first capacitor Cst.

도 7c를 참조하면, 제3 기간(T3) 동안 제n-1 스캔신호(SCANn-1)는 하이논리레벨(H)로 유지되어 계속해서 제7 스위치 TFT(ST7)를 턴 오프 시키고, 제n 스캔신호(SCANn)는 하이논리레벨(H)로 반전되어 제1 내지 제3 스위치 TFT(ST1 내지 ST3)를 턴 오프 시키며, 제n 에미션신호(EMn)는 로우논리레벨(L)로 반전되어 제4 내지 제6 스위치 TFT(ST4 내지 ST6)를 턴 온 시킨다.Referring to FIG. 7C, the n-1 scan signal SCANn-1 is maintained at the high logic level H during the third period T3 to turn off the seventh switch TFT ST7, The scan signal SCANn is inverted to the high logic level H to turn off the first to third switch TFTs ST1 to ST3 and the nth emission signal EMn is inverted to the low logic level L And turns on the fourth to sixth switch TFTs (ST4 to ST6).

그 결과, 제2 및 제3 노드(N2,N3)의 전위(VN2,VN3)는 기준전압(Vref)으로 변동된다. 그리고, 이 변동분에 해당되는 제2 연산값(Vdata+Vtho-Vref) 즉, 데이터전압(Vdata)과 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)의 합산전압(Vdata+Vtho)에서 기준전압(Vref)을 뺀 값이 제1 노드(N1)의 전위(VN1)에 반영된다. 이에 따라, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 제1 연산값(Vdd-Vth)에서 제2 연산값(Vdata+Vtho-Vref)을 뺀 보상값{(Vdd-Vth)-(Vdata+Vtho-Vref)}으로 셋팅된다.As a result, the potentials VN2 and VN3 of the second and third nodes N2 and N3 change to the reference voltage Vref. The sum of the second calculated value (Vdata + Vtho-Vref) corresponding to this variation, that is, the sum of the data voltage (Vdata) and the threshold voltage (Vtho) of the organic light emitting diode (OLED) Vref) of the first node N1 is reflected to the potential VN1 of the first node N1. Accordingly, the potential VN1 of the first node N1 becomes equal to the compensation value {(Vdd-Vth) - (Vdata-Vth)) obtained by subtracting the second calculated value (Vdata-Vtho-Vref) from the first calculated value Vtho-Vref)}.

제1 노드(N1)의 전위(VN1)가 보상값{(Vdd-Vth)-(Vdata+Vtho-Vref)}으로 셋팅되고, 제6 스위치 TFT(ST6)가 턴 온 되므로, 유기발광다이오드(OLED)에는 아래의 수학식 2와 같은 구동전류(Ioled)가 흐른다.Since the potential VN1 of the first node N1 is set to the compensation value Vdd-Vth- (Vdata + Vtho-Vref) and the sixth switch TFT ST6 is turned on, the potential of the organic light emitting diode OLED The driving current Ioled flows as shown in the following equation (2).

Figure 112016015344312-pat00021
Figure 112016015344312-pat00021

여기서, 'μ'는 구동 TFT(DT)의 이동도를, 'Cox'는 구동 TFT(DT)의 기생용량을, 'W'는 구동 TFT(DT)의 채널폭을, 'L'은 구동 TFT(DT)의 채널길이를, 'Vsg'는 구동 TFT(DT)의 소스-게이트 간 전압차를, 'Vth'는 구동 TFT(DT)의 문턱전압을, 'Vdd'는 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 데이터전압을, 'Vref'는 기준전압을, 'Vtho'는 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 각각 나타낸다. Here, 'μ' denotes the mobility of the driving TFT DT, 'Cox' denotes the parasitic capacitance of the driving TFT DT, 'W' denotes the channel width of the driving TFT DT, Vth is the threshold voltage of the driving TFT DT, Vdd is the high-level driving voltage, and Vdd is the gate-to-source voltage of the driving TFT DT. 'Vdata' denotes a data voltage, 'Vref' denotes a reference voltage, and 'Vtho' denotes a threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED).

수학식 2의 (C)는 종래 수학식 1과 달리, 그 수식 내에 'Vth' 와 'Vdd'를 인자로 포함하지 않는다. 이는 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)가 화소들 간 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 편차 및/또는 고전위 구동전압(Vdd) 편차에 의존하지 않음을 의미한다. 그 결과, 화소들 간 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 및/또는 고전위 구동전압(Vdd)이 달라지더라도, 그로 인한 화소들 간 휘도 편차는 발생되지 않는다.Unlike Equation (1), Equation 2 (C) does not include 'Vth' and 'Vdd' in the equation. This means that the driving current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED does not depend on the threshold voltage Vth deviation of the driving TFT DT between pixels and / or the high potential driving voltage Vdd deviation. As a result, even if the threshold voltage (Vth) and / or the high potential driving voltage (Vdd) of the driver TFT (DT) between the pixels is changed, the resulting luminance deviation between the pixels is not generated.

또한, 수학식 2의 (C)는 종래 수학식 1과 달리, 그 수식 내에 'Vtho' 를 인자로 포함한다. 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)는 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho) 증가에 비례하여 증가하게 된다. 예컨대, 도 8과 같이 유기발광다이오드(OLED)의 구동시간에 따라, A<B<C 순으로 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho)이 점점 증가할 경우, 도 9와 같이 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)는 A<B<C 순으로 증가하게 된다. 결과적으로, 수학식 2의 (C)에 따르면 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vtho) 증가 정도에 비례하여 구동전류(Ioled)가 증가되기 때문에, 유기발광다이오드(OLED)의 열화차로 인한 화소들 간 휘도 편차는 자동적으로 보상된다.
Also, (C) in Equation (2) differs from Equation (1) in the past, and includes 'Vtho' as a factor in the equation. Accordingly, the driving current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED increases in proportion to an increase in the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED. For example, when the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED gradually increases in the order of A <B <C according to the driving time of the organic light emitting diode OLED as shown in FIG. 8, The driving current Ioled flowing in the organic light emitting diode OLED increases in the order of A <B <C. As a result, since the driving current Ioled increases in proportion to the degree of increase of the threshold voltage Vtho of the organic light emitting diode OLED according to Equation 2C, The luminance deviation between the pixels is automatically compensated.

도 10 및 도 11은 제n 수평라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 다른 예와 이 화소(P)에 인가되는 신호 파형을 보여준다. Figs. 10 and 11 show another example of the pixel P arranged on the nth horizontal line (n is a positive integer) and the signal waveform applied to the pixel P. Fig.

본 발명의 다른 실시예에 따른 화소(P)는 제n1 에미션라인(161n)과 제n2 에미션라인(162n)을 포함하는 제n 에미션라인쌍(16Pn)에 접속된다. 제n1 에미션라인(161n)은 제4 및 제5 스위치 TFT(ST4,ST5)의 게이트전극에 접속되고, 제n2 에미션라인(162n)은 제6 스위치 TFT(ST6)의 게이트전극에 접속된다. 제4 및 제5 스위치 TFT(ST4,ST5)는 제n1 에미션라인(161n)으로부터의 제n1 에미션신호(EMn1)에 따라 스위칭되고, 제6 스위치 TFT(ST6)는 제n2 에미션라인(162n)으로부터의 제n2 에미션신호(EMn2)에 따라 스위칭된다. 이를 제외한 나머지 접속 구성은, 도 5에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 접속 구조와 실질적으로 동일하다. The pixel P according to another embodiment of the present invention is connected to the nth emission line pair 16Pn including the n1th emission line 161n and the n2th emission line 162n. The n1th emission line 161n is connected to the gate electrodes of the fourth and fifth switch TFTs ST4 and ST5 and the n2th emission line 162n is connected to the gate electrode of the sixth switch TFT ST6 . The fourth and fifth switch TFTs ST4 and ST5 are switched in accordance with the n1 emission signal EMn1 from the n1th emission line 161n and the sixth switch TFT ST6 is switched in accordance with the n2 emission line And the n2 emission signal EMn2 from the n-th emission control unit 162n. The remaining connection configuration is substantially the same as the connection structure of the pixel P according to the embodiment of the present invention shown in Fig.

본 발명의 다른 실시예에 따른 화소(P)의 동작을 살펴보면, 제4 및 제5 스위치 TFT(ST4,ST5)와는 독립적으로 제6 스위치 TFT(ST6)가 동작된다. 즉, 제1 기간(T1) 동안 제6 스위치 TFT(ST6)는 제4 및 제5 스위치 TFT(ST4,ST5)와 달리 턴 오프 된다. 도 5에 따른 화소(P)에서는 제1 기간(T1) 동안 제6 스위치 TFT(ST6)가 제4 및 제5 스위치 TFT(ST4,ST5)와 함께 동시에 턴 온 되므로, 원하지 않는 타이밍(즉, 비 발광기간)에 유기발광다이오드(OLED)가 발광될 수 있다. 하지만, 도 10에 따른 화소(P)에서는 제1 기간(T1) 동안 제6 스위치 TFT(ST6)의 턴 오프에 의해 유기발광다이오드(OLED)의 비 정상적인 발광을 사전에 차단할 수 있다. 이를 위해, 제n2 에미션신호(EMn2)는 제1 기간(T1) 동안 턴 오프 레벨(하이논리레벨)로 발생된다. 도 10에 따른 화소(P)의 동작은 상기 차별점 이외에 도 5에 따른 화소(P)의 동작과 실질적으로 동일하다.As to the operation of the pixel P according to another embodiment of the present invention, the sixth switch TFT ST6 is operated independently of the fourth and fifth switch TFTs ST4 and ST5. That is, during the first period T1, the sixth switch TFT ST6 is turned off unlike the fourth and fifth switch TFTs ST4 and ST5. In the pixel P according to Fig. 5, since the sixth switch TFT ST6 is turned on simultaneously with the fourth and fifth switch TFTs ST4 and ST5 during the first period T1, the undesired timing The organic light emitting diode OLED may emit light during the light emission period. However, in the pixel P according to FIG. 10, the abnormal light emission of the organic light emitting diode OLED can be previously cut off by turning off the sixth switch TFT ST6 during the first period T1. To this end, the n-th second emission signal EMn2 is generated at the turn-off level (high logic level) during the first period T1. The operation of the pixel P according to Fig. 10 is substantially the same as the operation of the pixel P according to Fig. 5, in addition to the above difference.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 유기발광다이오드에 흐르는 구동전류가 구동 TFT의 문턱전압 편차 및/또는 고전위 구동전압 편차에 영향받지 않는다. 그 결과, 상기 편차들이 발생되더라도 화소들 간 휘도 불균일 현상이 야기되지 않기 때문에 종래에 비해 비약적인 화질 향상을 기대할 수 있다.As described above, according to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, the driving current flowing through the organic light emitting diode is not affected by the threshold voltage deviation and / or high potential driving voltage deviation of the driving TFT. As a result, even if the deviations are generated, luminance unevenness phenomenon between the pixels is not caused, so that a dramatic improvement in image quality can be expected compared with the conventional method.

나아가, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 유기발광다이오드의 문턱전압 증가에 비례하여 구동전류가 증가되기 때문에, 화소들 간 유기발광다이오드의 열화 편차로 인한 휘도 불균일 현상을 자동적으로 보상할 수 있어 종래에 비해 비약적인 화질 향상을 기대할 수 있다.Further, according to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, since the driving current increases in proportion to the increase of the threshold voltage of the organic light emitting diode, luminance unevenness due to the deterioration of the organic light emitting diode between the pixels is automatically It is possible to expect remarkable image quality improvement compared to the conventional one.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서는 TFT가 P-type MOSFET으로 구현되는 경우만을 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고 N-type MOSFET 및 C-type MOSFET(CMOS)에도 적용될 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. For example, in the embodiment of the present invention, only the case where the TFT is implemented as a P-type MOSFET has been described. However, the technical idea of the present invention is not limited to this and can be applied to an N-type MOSFET and a C-type MOSFET (CMOS) Of course. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 드라이버 13A : 스캔 드라이버
13B : 에미션 드라이버 14 : 데이터라인
15 : 스캔라인 16 : 에미션라인
10: Display panel 11: Timing controller
12: Data driver 13A: Scan driver
13B: Emission driver 14: Data line
15: Scan line 16: Emission line

Claims (10)

고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 기저 전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드;
제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며, 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT; 및
상기 구동 TFT 및 유기발광다이오드에 접속되고, 상기 고전위 구동전압, 상기 구동 TFT의 문턱전압, 및 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 상기 제1 노드에 반영하는 스위치회로를 구비하고,
상기 스위치 회로는,
상기 제1 노드와 상기 구동 TFT의 드레인전극 사이에 접속되는 제1 스위치 TFT;
제2 노드와 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되는 제2 스위치 TFT;
데이터전압이 인가되는 데이터라인과 제3 노드 사이에 접속되는 제3 스위치 TFT;
기준 전압원과 상기 제3 노드 사이에 접속되는 제4 스위치 TFT;
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되는 제5 스위치 TFT;
상기 구동 TFT와 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되는 제6 스위치 TFT;
상기 기준 전압원과 상기 제1 노드 사이에 접속되는 제7 스위치 TFT;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되는 제1 커패시터; 및
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 제2 커패시터를 구비하는 유기발광다이오드 표시장치.
An organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source generating a high potential driving voltage and a base voltage source;
A driving TFT having a gate electrode connected to a first node and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, the driving TFT controlling the driving current according to a source-gate voltage; And
And a switch circuit connected to the driving TFT and the organic light emitting diode and reflecting the high potential driving voltage, the threshold voltage of the driving TFT, and the threshold voltage of the organic light emitting diode to the first node,
The switch circuit includes:
A first switch TFT connected between the first node and a drain electrode of the driving TFT;
A second switch TFT connected between the second node and the organic light emitting diode;
A third switch TFT connected between a data line to which a data voltage is applied and a third node;
A fourth switch TFT connected between the reference voltage source and the third node;
A fifth switch TFT connected between the second node and the third node;
A sixth switch TFT connected between the driving TFT and the organic light emitting diode;
A seventh switch TFT connected between the reference voltage source and the first node;
A first capacitor connected between the first node and the third node; And
And a second capacitor connected between the first node and the second node.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n 스캔신호가 인가되는 제n 스캔라인에 접속되고;
상기 제4 내지 제6 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n 에미션신호가 인가되는 제n 에미션라인에 접속되며;
상기 제7 스위치 TFT의 게이트전극은 제n-1 스캔신호가 인가되는 제n-1 스캔라인에 접속되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
A gate electrode of each of the first to third switch TFTs is connected to an n-th scan line to which an n-th scan signal is applied;
A gate electrode of each of the fourth to sixth switch TFTs is connected to an nth emission line to which an nth emission signal is applied;
And the gate electrode of the seventh switch TFT is connected to the (n-1) th scan line to which the (n-1) th scan signal is applied.
제 3 항에 있어서,
제1 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
상기 제1 기간에 이은 제2 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호는 턴 온 레벨로 유지되며;
상기 제2 기간에 이은 제3 기간 동안 상기 제n-1 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
During the first period, the n-1 scan signal and the nth emission signal are maintained at the turn-on level and the n-th scan signal is maintained at the turn-off level;
The nth scan signal and the nth emission signal are maintained at a turn-off level and the nth scan signal is maintained at a turn-on level during a second period subsequent to the first period;
And the n-th scan signal is maintained at a turn-off level and the n-th emission signal is maintained at a turn-on level during a third period subsequent to the second period.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n 스캔신호가 인가되는 제n 스캔라인에 접속되고;
상기 제4 및 제5 스위치 TFT 각각의 게이트전극은 제n1 에미션신호가 인가되는 제n1 에미션라인에 접속되고;
상기 제6 스위치 TFT의 게이트전극은 제n2 에미션신호가 인가되는 제n2 에미션라인에 접속되며;
상기 제7 스위치 TFT의 게이트전극은 제n-1 스캔신호가 인가되는 제n-1 스캔라인에 접속되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
A gate electrode of each of the first to third switch TFTs is connected to an n-th scan line to which an n-th scan signal is applied;
A gate electrode of each of the fourth and fifth switch TFTs is connected to an n1-th emission line to which an n1-emission signal is applied;
A gate electrode of the sixth switch TFT is connected to an n2-th emission line to which an n-th emission signal is applied;
And the gate electrode of the seventh switch TFT is connected to the (n-1) th scan line to which the (n-1) th scan signal is applied.
제 5 항에 있어서,
제1 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n1 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호와 상기 제n2 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
상기 제1 기간에 이은 제2 기간 동안 상기 제n-1 스캔신호와 상기 제n1 및 제n2 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호는 턴 온 레벨로 유지되며;
상기 제2 기간에 이은 제3 기간 동안 상기 제n-1 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되고 상기 제n1 및 제n2 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되는 유기발광다이오드 표시장치.
6. The method of claim 5,
During the first period, the n-1 scan signal and the n1 emission signal are maintained at the turn-on level and the n-th scan signal and the n2 emission signal are maintained at the turn-off level;
The n-1 scan signal and the n1 and n2 emission signals are maintained at a turn-off level and the n-th scan signal is maintained at a turn-on level during a second period subsequent to the first period;
And the n-1 and the n-th scan signals are maintained at a turn-off level and the n1 and n2 emission signals are maintained at a turn-on level during a third period subsequent to the second period.
제 1 항에 있어서,
상기 구동전류는 아래의 수식과 같은 유기발광다이오드 표시장치.
Figure 112016015344312-pat00022

여기서, 'Ioled'는 상기 구동전류를, 'μ'는 상기 구동 TFT의 이동도를, 'Cox'는 상기 구동 TFT의 기생용량을, 'W'는 상기 구동 TFT의 채널폭을, 'L'은 상기 구동 TFT의 채널길이를, 'Vsg'는 상기 구동 TFT의 소스-게이트 간 전압차를, 'Vth'는 상기 구동 TFT의 문턱전압을, 'Vdd'는 상기 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 상기 데이터전압을, 'Vref'는 상기 기준전압원에 의한 기준전압을, 'Vtho'는 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 각각 나타낸다.
The method according to claim 1,
Wherein the driving current is expressed by the following equation.
Figure 112016015344312-pat00022

Here, 'Ioled' denotes the driving current, 'μ' denotes a mobility of the driving TFT, 'Cox' denotes a parasitic capacitance of the driving TFT, 'W' denotes a channel width of the driving TFT, 'Vdd' is the high-potential driving voltage, and 'Vdata' is the gate-to-gate voltage difference of the driving TFT, 'Vth' is the threshold voltage of the driving TFT, 'Denotes a data voltage,' Vref 'denotes a reference voltage by the reference voltage source, and' Vtho 'denotes a threshold voltage of the organic light emitting diode.
고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 기저 전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드와, 제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT와, 상기 제1 노드 및 상기 제1 노드와 다른 제2 및 제3 노드에 접속되어 상기 제1 노드의 전위를 제어하기 위한 스위치 회로를 갖는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서,
제1 기간 동안, 상기 제1 내지 제3 노드의 전위를 기준전압 레벨로 초기화시키는 단계;
상기 제1 기간에 이은 제2 기간 동안, 상기 고전위 구동전압에서 상기 구동 TFT의 문턱전압을 뺀 제1 연산값을 상기 제1 노드에 인가하고, 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 상기 제2 노드에 인가하며, 데이터전압을 상기 제3 노드에 인가하는 단계; 및
상기 제2 기간에 이은 제3 기간 동안, 상기 제2 및 제3 노드의 전위를 상기 기준전압 레벨로 변동시키고 이 변동에 따른 제2 연산값을 상기 제1 노드에 반영한 후, 상기 제1 노드의 전위를 상기 제1 연산값에서 상기 제2 연산값을 뺀 보상값으로 셋팅하는 단계를 포함하고;
상기 제2 연산값은 데이터전압과 상기 유기발광다이오드의 문턱전압의 합산전압에서 상기 기준전압을 뺀 값을 지시하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
An organic light emitting diode that emits light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source and a base voltage source for generating a high potential driving voltage, a gate electrode connected to the first node, and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, A drive TFT for controlling the drive current in accordance with a voltage between gates and a switch circuit connected to the first node and the second and third nodes different from the first node and for controlling the potential of the first node A driving method of an organic light emitting diode display device,
Initializing a potential of the first to third nodes to a reference voltage level during a first period;
A first calculation value obtained by subtracting a threshold voltage of the driving TFT from the high potential driving voltage is applied to the first node during a second period subsequent to the first period and a threshold voltage of the organic light emitting diode is applied to the second node Applying a data voltage to the third node; And
For a third period subsequent to the second period, by varying the potential of the second and third nodes to the reference voltage level and reflecting a second calculated value according to the variation to the first node, Setting a potential to a compensation value obtained by subtracting the second calculation value from the first calculation value;
Wherein the second operation value indicates a value obtained by subtracting the reference voltage from a sum of a data voltage and a threshold voltage of the organic light emitting diode.
제 8 항에 있어서,
상기 제1 기간 동안 상기 구동 TFT와 상기 유기발광다이오드 사이의 전류 패스는 차단되는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
9. The method of claim 8,
Wherein a current path between the driving TFT and the organic light emitting diode is interrupted during the first period.
제 8 항에 있어서,
상기 구동전류는 아래의 수식과 같은 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
Figure 112016015344312-pat00023

여기서, 'Ioled'는 상기 구동전류를, 'μ'는 상기 구동 TFT의 이동도를, 'Cox'는 상기 구동 TFT의 기생용량을, 'W'는 상기 구동 TFT의 채널폭을, 'L'은 상기 구동 TFT의 채널길이를, 'Vsg'는 상기 구동 TFT의 소스-게이트 간 전압차를, 'Vth'는 상기 구동 TFT의 문턱전압을, 'Vdd'는 상기 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 상기 데이터전압을, 'Vref'는 상기 기준전압을, 'Vtho'는 상기 유기발광다이오드의 문턱전압을 각각 나타낸다.
9. The method of claim 8,
Wherein the driving current is expressed by the following equation.
Figure 112016015344312-pat00023

Here, 'Ioled' denotes the driving current, 'μ' denotes a mobility of the driving TFT, 'Cox' denotes a parasitic capacitance of the driving TFT, 'W' denotes a channel width of the driving TFT, 'Vdd' is the high-potential driving voltage, and 'Vdata' is the gate-to-gate voltage difference of the driving TFT, 'Vth' is the threshold voltage of the driving TFT, 'Denotes the data voltage,' Vref 'denotes the reference voltage, and' Vtho 'denotes a threshold voltage of the organic light emitting diode.
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