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KR102561428B1 - Method for producing thermosetting resin composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device - Google Patents

Method for producing thermosetting resin composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device Download PDF

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Publication number
KR102561428B1
KR102561428B1 KR1020207021944A KR20207021944A KR102561428B1 KR 102561428 B1 KR102561428 B1 KR 102561428B1 KR 1020207021944 A KR1020207021944 A KR 1020207021944A KR 20207021944 A KR20207021944 A KR 20207021944A KR 102561428 B1 KR102561428 B1 KR 102561428B1
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KR
South Korea
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resin composition
adhesive
film
thermosetting resin
elastomer
Prior art date
Application number
KR1020207021944A
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Korean (ko)
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KR20200115515A (en
Inventor
다이스케 마스노
유키 나카무라
신타로 하시모토
겐타 기쿠치
도모하루 야마자키
Original Assignee
가부시끼가이샤 레조낙
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Filing date
Publication date
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Abstract

에폭시 수지와, 경화제와, 중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 제1 엘라스토머와, 중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 제2 엘라스토머를 함유하고, 제1 엘라스토머 및 제2 엘라스토머의 합계 함유량이, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 40 질량% 이하인 열경화성 수지 조성물이 개시된다. An epoxy resin, a curing agent, a weight average molecular weight of 200,000 to 1.3 million, a first elastomer having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group and a hydroxyl group, and a weight average molecular weight of 200,000 to 1.3 million, Disclosed is a thermosetting resin composition containing a second elastomer having no carboxy group and no hydroxyl group, wherein the total content of the first elastomer and the second elastomer is 40% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition.

Description

열경화성 수지 조성물, 필름형 접착제, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법Method for producing thermosetting resin composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device

본 발명은 열경화성 수지 조성물, 필름형 접착제, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a thermosetting resin composition, a film adhesive, an adhesive sheet, and a semiconductor device.

종래 반도체 칩과 반도체 칩 탑재용 지지 부재의 접합에는 주로 은 페이스트가 사용되고 있다. 그러나, 최근의 반도체 칩의 소형화·집적화에 따라, 사용되는 지지 부재에도 소형화, 세밀화가 요구되게 되고 있다. 한편, 은 페이스트를 이용하는 경우에는, 페이스트의 돌출 또는 반도체 칩의 기울기에 기인하는 와이어 본딩 시에 있어서의 문제점 발생, 막 두께 제어의 곤란성, 보이드 발생 등의 문제가 생기는 경우가 있다. Conventionally, silver paste is mainly used for bonding between a semiconductor chip and a support member for mounting the semiconductor chip. However, along with the miniaturization and integration of semiconductor chips in recent years, miniaturization and miniaturization are also required for support members used. On the other hand, when silver paste is used, problems such as occurrence of problems at the time of wire bonding due to protrusion of the paste or inclination of the semiconductor chip, difficulty in film thickness control, generation of voids, and the like may occur.

그 때문에, 최근 반도체 칩과 지지 부재를 접합하기 위한 필름형 접착제가 사용되고 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 다이싱 테이프와 다이싱 테이프 상에 적층된 필름형 접착제를 구비하는 접착 시트를 이용하는 경우, 반도체 웨이퍼의 이면에 필름형 접착제를 붙이고, 다이싱에 의해서 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)함으로써, 필름형 접착제 구비 반도체 칩을 얻을 수 있다. 얻어진 필름형 접착제 구비 반도체 칩은, 필름형 접착제를 통해 지지 부재에 붙여, 열압착에 의해 접합할 수 있다. Therefore, in recent years, a film adhesive for bonding a semiconductor chip and a supporting member has been used (for example, see Patent Document 1). In the case of using an adhesive sheet comprising a dicing tape and a film adhesive laminated on the dicing tape, the film adhesive is pasted on the back side of the semiconductor wafer and the semiconductor wafer is separated into pieces by dicing, A semiconductor chip with a film adhesive can be obtained. The obtained semiconductor chip with film adhesive can be attached to a support member via a film adhesive and joined by thermal compression bonding.

특허문헌 1: 일본 특허공개 2007-053240호 공보Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-053240

그러나, 반도체 칩의 사이즈가 작아짐에 따라서 가압 시에 단위 면적당 걸리는 힘이 커지기 때문에, 고온 가압 처리(예컨대 가압 큐어 등)에 있어서, 필름형 접착제가 반도체 칩으로부터 돌출되는 블리드라는 현상이 발생하는 경우가 있다.However, since the force applied per unit area during pressurization increases as the size of the semiconductor chip decreases, a phenomenon called bleed in which the film adhesive protrudes from the semiconductor chip may occur in high-temperature pressure treatment (eg, pressure curing). there is.

또한, 필름형 접착제를 와이어 매립형 필름형 접착제인 FOW(필름 오버 와이어(Film Over Wire)) 또는 반도체 칩 매립형 필름형 접착제인 FOD(필름 오버 다이(Film Over Die))로서 이용하는 경우는, 매립성을 향상시킨다는 관점에서, 열압착 시에 높은 유동성이 요구된다. 그 때문에, 블리드의 발생 빈도 및 양이 더욱 커지는 경향이 있다. 경우에 따라서는, 블리드가 반도체 칩 상면에까지 생기는 경우가 있고, 이에 따라, 전기 불량 또는 와이어 본딩 불량으로 이어질 우려가 있다. Further, when the film adhesive is used as FOW (Film Over Wire), which is a wire-embedded film adhesive, or FOD (Film Over Die), which is a semiconductor chip-embedded film adhesive, the embedding property is From the viewpoint of improvement, high fluidity is required at the time of thermocompression bonding. For this reason, the occurrence frequency and amount of bleeds tend to be further increased. In some cases, bleed may even occur on the top surface of the semiconductor chip, and accordingly, there is a risk of electrical failure or wire bonding failure.

본 발명은 이러한 실정에 감안하여 이루어진 것으로, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서 고온 가압 처리 시의 블리드량의 증가를 억제할 수 있는 열경화성 수지 조성물을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and a main object is to provide a thermosetting resin composition capable of suppressing an increase in bleed amount during high-temperature pressurization while having good embedding properties during thermal compression bonding.

본 발명의 일 측면은, 에폭시 수지와, 경화제와, 중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 제1 엘라스토머와, 중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 제2 엘라스토머를 함유하고, 제1 엘라스토머 및 제2 엘라스토머의 합계 함유량이, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 40 질량% 이하인 열경화성 수지 조성물을 제공한다. 이러한 열경화성 수지 조성물에 의하면, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서 고온 가압 처리 시의 블리드량의 증가를 억제할 수 있게 된다.One aspect of the present invention is an epoxy resin, a curing agent, a weight average molecular weight of 200,000 to 1,300,000, and a first elastomer having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group and a hydroxyl group, and a weight average molecular weight 200,000 to 1,300,000, contains a second elastomer having no carboxy group and no hydroxyl group, and the total content of the first elastomer and the second elastomer is 40% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition Provided is a thermosetting resin composition . According to such a thermosetting resin composition, it is possible to suppress an increase in the amount of bleeding during high-temperature pressurization while having good embedding properties during thermal compression bonding.

경화제는 페놀 수지를 포함하고 있어도 좋다.The curing agent may contain a phenol resin.

제1 엘라스토머는 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 아크릴 수지라도 좋다. 또한, 제2 엘라스토머는 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 아크릴 수지라도 좋다. The first elastomer may be an acrylic resin having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and a hydroxyl group. Also, the second elastomer may be an acrylic resin having neither a carboxy group nor a hydroxyl group.

에폭시 수지는 25℃에서 액체인 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋다.The epoxy resin may contain an epoxy resin that is liquid at 25°C.

열경화성 수지 조성물은 무기 필러를 추가로 함유하고 있어도 좋다. 또한, 열경화성 수지 조성물은 경화 촉진제를 추가로 함유하고 있어도 좋다.The thermosetting resin composition may further contain an inorganic filler. Moreover, the thermosetting resin composition may further contain a hardening accelerator.

열경화성 수지 조성물은, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속되고, 제1 반도체 소자 상에 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고 제1 와이어의 적어도 일부를 매립하기 위해서 이용되는 것이라도 좋다.The thermosetting resin composition is a semiconductor device in which a first semiconductor element is connected by wire bonding through a first wire on a substrate and a second semiconductor element is pressed on the first semiconductor element, and the second semiconductor element is pressed and the second semiconductor element is pressed. It may be used to embed at least a part of one wire.

본 발명은 또한, 에폭시 수지와, 경화제와, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 제1 엘라스토머와, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 제2 엘라스토머를 함유하는 열경화성 수지 조성물의, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속되고, 제1 반도체 소자 상에 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고 제1 와이어의 적어도 일부를 매립하기 위해서 이용되는, 접착제로서의 응용 또는 접착제의 제조를 위한 응용에 관한 것이라도 좋다.The present invention also relates to a thermosetting resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, a first elastomer having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group and a hydroxyl group, and a second elastomer having no carboxy group and hydroxyl group, A semiconductor device in which a first semiconductor element is wire-bonded and connected to a substrate through a first wire, and a second semiconductor element is pressed onto the first semiconductor element, wherein the second semiconductor element is pressed and at least a portion of the first wire is pressed. It may relate to application as an adhesive used for embedding or application for the manufacture of an adhesive.

다른 측면에 있어서, 본 발명은 상술한 열경화성 수지 조성물을 필름형으로 형성하여 이루어지는 필름형 접착제를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a film adhesive obtained by forming the above-described thermosetting resin composition into a film form.

다른 측면에 있어서, 본 발명은 기재와 기재 상에 마련된 상술한 필름형 접착제를 구비하는 접착 시트를 제공한다.In another aspect, the present invention provides an adhesive sheet comprising a substrate and the above-described film adhesive provided on the substrate.

기재는 다이싱 테이프라도 좋다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기재가 다이싱 테이프인 접착 시트를 「다이싱 다이 본딩 일체형 접착 시트」라고 하는 경우가 있다. A dicing tape may be sufficient as a base material. In addition, in this specification, an adhesive sheet whose base material is a dicing tape may be referred to as a "dicing die bonding integrated adhesive sheet".

접착 시트는, 필름형 접착제의 기재와는 반대측의 면에 적층된 보호 필름을 추가로 구비하여도 좋다. The adhesive sheet may further include a protective film laminated on the surface of the film adhesive on the side opposite to the base material.

더욱이, 다른 측면에 있어서, 본 발명은, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과, 제2 반도체 소자의 한 면에 상술한 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제를 통해 압착함으로써, 제1 와이어의 적어도 일부를 필름형 접착제에 매립하는 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. Furthermore, in another aspect, the present invention provides a wire bonding process for electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire, and a laminate for attaching the above-described film adhesive to one side of a second semiconductor element. and a die bonding step of embedding at least a part of the first wire in the film adhesive by crimping the second semiconductor element to which the film adhesive is attached through the film adhesive. .

또한, 반도체 장치는, 반도체 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 칩이 와이어 본딩 접속되고, 제1 반도체 칩 상에 제2 반도체 칩이 접착 필름을 통하여 압착됨으로써 제1 와이어의 적어도 일부가 접착 필름에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치라도 좋고, 제1 와이어 및 제1 반도체 칩이 접착 필름에 매립되어 이루어지는 칩 매립형의 반도체 장치라도 좋다.In addition, in the semiconductor device, a first semiconductor chip is wire-bonded and connected to a semiconductor substrate through a first wire, and a second semiconductor chip is pressed onto the first semiconductor chip through an adhesive film so that at least a portion of the first wire is bonded. A wire-embedded semiconductor device in which a film is embedded may be used, or a chip-embedded semiconductor device in which a first wire and a first semiconductor chip are embedded in an adhesive film may be used.

본 발명에 의하면, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서 고온 가압 처리 시의 블리드량의 증가를 억제할 수 있는 열경화성 수지 조성물이 제공된다. 그 때문에, 상기 열경화성 수지 조성물을 필름형으로 형성하여 이루어지는 필름형 접착제는, 반도체 칩 매립형 필름형 접착제인 FOD(필름 오버 다이) 또는 와이어 매립형 필름형 접착제인 FOW(필름 오버 와이어)로서 유용하게 될 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 이러한 필름형 접착제를 이용한 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. According to the present invention, there is provided a thermosetting resin composition capable of suppressing an increase in bleed amount during high-temperature pressurization while having good embedding properties during thermal compression bonding. Therefore, the film adhesive formed by forming the thermosetting resin composition into a film can be useful as FOD (Film Over Die), which is a semiconductor chip-embedded film adhesive, or FOW (Film Over Wire), which is a wire-embedded film adhesive. there is. Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the adhesive sheet using such a film adhesive and a semiconductor device is provided.

도 1은 일 실시형태에 따른 필름형 접착제를 도시하는 모식 단면도이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 접착 시트를 도시하는 모식 단면도이다.
도 3은 다른 실시형태에 따른 접착 시트를 도시하는 모식 단면도이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 반도체 장치를 도시하는 모식 단면도이다.
도 5는 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 도시하는 모식 단면도이다.
도 6은 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 도시하는 모식 단면도이다.
도 7은 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 도시하는 모식 단면도이다.
도 8은 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 도시하는 모식 단면도이다.
도 9는 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 도시하는 모식 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a film adhesive according to one embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
7 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
9 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.

이하, 도면을 적절하게 참조하면서 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings suitably. However, this invention is not limited to the following embodiment.

본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산은 아크릴산 또는 그것에 대응하는 메타크릴산을 의미한다. (메트)아크릴로일기 등의 다른 유사 표현에 관해서도 마찬가지다.In this specification, (meth)acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding thereto. The same applies to other similar expressions such as a (meth)acryloyl group.

[열경화성 수지 조성물][Thermosetting resin composition]

본 실시형태에 따른 열경화성 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 제1 엘라스토머와, (D) 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 제2 엘라스토머를 함유한다. 열경화성 수지 조성물은, 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화물(C 스테이지) 상태로 될 수 있다.The thermosetting resin composition according to the present embodiment includes (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) a first elastomer having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and a hydroxyl group, (D) It contains a second elastomer having no carboxy group and no hydroxyl group. The thermosetting resin composition may go through a semi-cured (B stage) state and become a completely cured product (C stage) state after curing treatment.

<(A) 성분: 에폭시 수지><Component (A): Epoxy Resin>

(A) 성분은, 분자 내에 에폭시기를 갖는 것이라면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. (A) 성분으로서는, 예컨대 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀F노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격 함유 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트리페놀페놀메탄형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 크실렌형 에폭시 수지, 페닐아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 다작용 페놀류, 안트라센 등의 다환 방향족류의 디글리시딜에테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도 (A) 성분은, 유동성의 관점에서, 150℃ 용융 점도가 1.0 Pa·s 이하인 것이 바람직하다. 또한, (A) 성분은 에폭시 수지가 25℃에서 액체인 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋다.Component (A) can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in the molecule. Examples of the component (A) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, and bisphenol F type epoxy resin. Rockfish-type epoxy resin, dicyclopentadiene skeleton-containing epoxy resin, stilbene-type epoxy resin, triazine skeleton-containing epoxy resin, fluorene skeleton-containing epoxy resin, triphenolphenolmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, xylene-type epoxy diglycidyl ether compounds of polycyclic aromatics such as resins, phenylaralkyl type epoxy resins, biphenylaralkyl type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, polyfunctional phenols, and anthracene; and the like. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, it is preferable that the 150 degreeC melt viscosity of component (A) is 1.0 Pa.s or less from a fluidity viewpoint. Moreover, (A) component may contain the epoxy resin whose epoxy resin is liquid at 25 degreeC.

(A) 성분의 에폭시 당량은 특별히 제한되지 않지만, 90∼300 g/eq, 110∼290 g/eq 또는 110∼290 g/eq라도 좋다. (A) 성분의 에폭시 당량이 이러한 범위에 있으면, 필름형 접착제의 벌크 강도를 유지하면서 유동성을 확보할 수 있는 경향이 있다. The epoxy equivalent of component (A) is not particularly limited, but may be 90 to 300 g/eq, 110 to 290 g/eq, or 110 to 290 g/eq. When the epoxy equivalent of component (A) is within this range, there is a tendency that fluidity can be secured while maintaining the bulk strength of the film adhesive.

(A) 성분의 시판 제품으로서는, 예컨대 DIC가부시키가이샤 제조의 HP-7200 시리즈, 신닛테츠스미킨카가쿠가부시키가이샤 제조의 YDCN 시리즈, 닛폰가야쿠가부시키가이샤 제조의 NC-3000, NC-7000 시리즈 등을 들 수 있다. Examples of commercially available products of component (A) include the HP-7200 series manufactured by DIC Corporation, the YDCN series manufactured by Nippon-Sumikin Chemical Co., Ltd., NC-3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and NC-3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. 7000 series etc. are mentioned.

(B) 성분은, 특별히 제한은 없고, 에폭시 수지의 경화제로서 일반적으로 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. (B) 성분으로서는, 예컨대 페놀 수지, 에스테르 화합물, 방향족 아민, 지방족 아민, 산무수물 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도, 반응성 및 경시(經時) 안정성의 관점에서, (B) 성분은 페놀 수지를 포함하고 있어도 좋다.Component (B) is not particularly limited, and those generally used as curing agents for epoxy resins can be used. (B) As a component, a phenol resin, an ester compound, an aromatic amine, an aliphatic amine, an acid anhydride etc. are mentioned, for example. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, from the viewpoint of reactivity and stability over time, the component (B) may contain a phenol resin.

페놀 수지는, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 것이라면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예컨대 페놀, 크레졸, 레조르신, 카테콜, 비스페놀A, 비스페놀F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 포름알데히드 등의 알데히드기를 갖는 화합물을 산성 촉매 하에서 축합 또는 공축합하여 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화비스페놀A, 알릴화비스페놀F, 알릴화나프탈렌디올, 페놀노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 디메톡시파라크실렌 또는 비스(메톡시메틸)비페닐로부터 합성되는 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지, 비페닐아랄킬형 페놀 수지, 페닐아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도, 내열성의 관점에서, 페놀 수지는, 85℃, 85% RH의 항온항습조에 48시간의 조건에 있어서, 흡수율이 2 질량% 이하이며, 또한 열중량 분석계(TGA)로 측정한 350℃에서의 가열 질량 감소율(승온 속도: 5℃/min, 분위기: 질소)이 5 질량% 미만인 것이 바람직하다. A phenolic resin can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in its molecule. Examples of the phenolic resin include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, and aminophenol, and/or naphthols such as α-naphthol, β-naphthol, and dihydroxynaphthalene, and form Novolac-type phenolic resin obtained by condensation or co-condensation of a compound having an aldehyde group such as aldehyde under an acidic catalyst, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, phenols such as phenol and/or naphthols and phenol aralkyl resins, naphthol aralkyl resins, biphenyl aralkyl type phenol resins, and phenyl aralkyl type phenol resins synthesized from dimethoxyparaxylene or bis(methoxymethyl)biphenyl. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, from the viewpoint of heat resistance, the phenol resin has a water absorption of 2% by mass or less under the conditions of 85 ° C. and 85% RH constant temperature and humidity chamber for 48 hours, and at 350 ° C. measured by a thermogravimetric analyzer (TGA) It is preferable that the heating mass reduction rate (heating rate: 5°C/min, atmosphere: nitrogen) is less than 5% by mass.

페놀 수지의 시판 제품으로서는, 예컨대 페놀라이트 KA 시리즈, TD 시리즈(DIC가부시키가이샤 제조), 밀렉스 XLC 시리즈, XL 시리즈(미츠이카가쿠가부시키가이샤 제조), HE 시리즈(에어워터가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available products of phenolic resins include, for example, Phenolite KA series, TD series (manufactured by DIC Corporation), Millex XLC series, XL series (manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd.), HE series (Air Water Co., Ltd.) production), etc.

페놀 수지의 수산기 당량은 특별히 제한되지 않지만, 80∼250 g/eq, 90∼200 g/eq 또는 100∼180 g/eq라도 좋다. 페놀 수지의 수산기 당량이 이러한 범위에 있으면, 필름형 접착제의 유동성을 유지하면서 접착력을 보다 높게 유지할 수 있는 경향이 있다.The hydroxyl equivalent of the phenol resin is not particularly limited, but may be 80 to 250 g/eq, 90 to 200 g/eq or 100 to 180 g/eq. When the hydroxyl equivalent of the phenol resin is within this range, the adhesive force tends to be maintained higher while maintaining the fluidity of the film adhesive.

(A) 성분의 에폭시 당량과 (B) 성분의 수산기 당량의 비(에폭시 수지의 에폭시 당량/페놀 수지의 수산기 당량)는, 경화성의 관점에서, 0.30/0.70∼0.70/0.30, 0.35/0.65∼0.65/0.35, 0.40/0.60∼0.60/0.40 또는 0.45/0.55∼0.55/0.45라도 좋다. 상기 당량비가 0.30/0.70 이상이면, 보다 충분한 경화성이 얻어지는 경향이 있다. 상기 당량비가 0.70/0.30 이하이면, 점도가 지나치게 높아지는 것을 막을 수 있어, 보다 충분한 유동성을 얻을 수 있다. The ratio of the epoxy equivalent of component (A) and the hydroxyl equivalent of component (B) (epoxy equivalent of epoxy resin/hydroxyl equivalent of phenol resin) is 0.30/0.70 to 0.70/0.30, 0.35/0.65 to 0.65 from the viewpoint of curability. /0.35, 0.40/0.60 to 0.60/0.40 or 0.45/0.55 to 0.55/0.45 may be sufficient. When the equivalence ratio is 0.30/0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained. When the equivalence ratio is 0.70/0.30 or less, the viscosity can be prevented from becoming too high, and more sufficient fluidity can be obtained.

(A) 성분 및 (B) 성분의 합계 함유량은, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 10∼80 질량%라도 좋다. (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 함유량은, 20 질량% 이상, 25 질량% 이상 또는 30 질량% 이상이라도 좋고, 70 질량% 이하, 60 질량% 이하 또는 50 질량% 이하라도 좋다. (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 함유량이, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 10 질량% 이상이면, 충분한 접착력이 얻어지는 경향이 있다. (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 함유량이, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 80 질량% 이하이면, 점도가 지나치게 낮아지는 것을 막을 수 있어, 블리드량을 보다 억제할 수 있는 경향이 있다. The total content of component (A) and component (B) may be 10 to 80% by mass based on the total amount of the thermosetting resin composition. The total content of component (A) and component (B) may be 20 mass% or more, 25 mass% or more, or 30 mass% or more, and may be 70 mass% or less, 60 mass% or less, or 50 mass% or less. When the total content of component (A) and component (B) is 10% by mass or more based on the total amount of the thermosetting resin composition, sufficient adhesive strength tends to be obtained. If the total content of component (A) and component (B) is 80% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition, the viscosity can be prevented from being too low, and the amount of bleeding tends to be more suppressed.

<(C) 제1 엘라스토머><(C) First Elastomer>

(C) 성분은, 중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 엘라스토머이다. (C) 성분은 카르복시기를 갖는 엘라스토머라도 좋다. 열경화성 수지 조성물이 (C) 성분을 함유함으로써, 열압착 시에 가교 반응이 진행되고, 열경화성 수지 조성물이 증점(增粘)하여, 고온 가압 처리시의 블리드량의 증가를 억제할 수 있게 될 수 있다. (C) 성분은, 엘라스토머를 구성하는 중합체의 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이하인 것이 바람직하다. Component (C) is an elastomer having a weight average molecular weight of 200,000 to 1,300,000 and having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group and a hydroxyl group. (C) Component may be an elastomer having a carboxy group. When the thermosetting resin composition contains the component (C), a crosslinking reaction proceeds during thermocompression bonding, the thermosetting resin composition thickens, and it is possible to suppress an increase in the amount of bleeding during high-temperature pressure treatment. . (C) It is preferable that the glass transition temperature (Tg) of the polymer which comprises a component is 50 degrees C or less.

(C) 성분은, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 것이라면 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 부타디엔 수지, 아크릴로니트릴 수지 및 이들의 변성체 등이며, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 것을 들 수 있다.Component (C) is not particularly limited as long as it has at least one functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and a hydroxyl group, and examples thereof include acrylic resins, polyester resins, polyamide resins, polyimide resins, silicone resins, butadiene resins, Examples include acrylonitrile resins and modified products thereof, which have at least one functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and a hydroxyl group.

(C) 성분은, 용제에의 용해성, 유동성의 관점에서, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 아크릴 수지라도 좋다. 여기서, 아크릴 수지란, (메트)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머를 의미한다. 아크릴 수지는, 구성 단위로서, 알코올성 혹은 페놀성 수산기, 또는 카르복시기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴 수지는 (메트)아크릴산에스테르와 아크릴니트릴과의 공중합체 등의 아크릴 고무라도 좋다. Component (C) may be an acrylic resin having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group and a hydroxyl group from the viewpoint of solubility in a solvent and fluidity. Here, an acrylic resin means a polymer containing a structural unit derived from (meth)acrylic acid ester. It is preferable that an acrylic resin is a polymer containing the structural unit derived from the (meth)acrylic acid ester which has an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxyl group as a structural unit. Moreover, acrylic rubber, such as a copolymer of (meth)acrylic acid ester and acrylonitrile, may be sufficient as an acrylic resin.

(C) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는 -50∼50℃ 또는 -30∼30℃라도 좋다. 아크릴 수지의 Tg가 -50℃ 이상이면, 열경화성 수지 조성물의 유연성이 지나치게 높아지는 것을 막을 수 있는 경향이 있다. 이에 따라, 웨이퍼 다이싱 시에 필름형 접착제를 절단하기 쉽게 되어, 버어의 발생을 막을 수 있게 된다. 아크릴 수지의 Tg가 50℃ 이하이면, 열경화성 수지 조성물의 유연성 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 이에 따라, 필름형 접착제를 웨이퍼에 붙일 때에, 보이드를 충분히 매립하기 쉽게 되는 경향이 있다. 또한, 웨이퍼의 밀착성 저하에 의한 다이싱 시의 치핑을 막을 수 있게 된다. 여기서, 유리 전이 온도(Tg)는, DSC(열시차 주사 열량계)(예컨대 가부시키가이샤리가크 제조 「Thermo Plus 2」)를 이용하여 측정한 값을 의미한다. The glass transition temperature (Tg) of component (C) may be -50 to 50°C or -30 to 30°C. When the Tg of the acrylic resin is -50°C or higher, excessive increase in flexibility of the thermosetting resin composition tends to be prevented. This makes it easy to cut the film adhesive at the time of wafer dicing, and it is possible to prevent the occurrence of burrs. When the Tg of the acrylic resin is 50°C or less, there is a tendency that the decrease in flexibility of the thermosetting resin composition can be suppressed. Thereby, when attaching a film adhesive to a wafer, there exists a tendency for voids to be sufficiently filled easily. In addition, it is possible to prevent chipping during dicing due to a decrease in the adhesion of the wafer. Here, the glass transition temperature (Tg) means a value measured using a DSC (thermal differential scanning calorimeter) (for example, "Thermo Plus 2" manufactured by Sharik Corporation).

(C) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은 20만∼130만이다. (C) 성분의 Mw는, 30만 이상, 40만 이상 또는 45만 이상이라도 좋고, 110만 이하, 100만 이하 또는 95만 이하라도 좋다. 아크릴 수지의 Mw가 이러한 범위에 있으면, 필름 형성성, 필름형에 있어서의 강도, 가요성, 택크성 등을 적절히 제어할 수 있고, 리플로우성이 우수하여, 매립성을 향상시킬 수 있다. 여기서, Mw는, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값을 의미한다. (C) The weight average molecular weights (Mw) of component are 200,000-1,300,000. (C) Component Mw may be 300,000 or more, 400,000 or more, or 450,000 or more, and may be 1.1 million or less, 1 million or less, or 950,000 or less. When the Mw of the acrylic resin is within this range, the film formability, strength in the film form, flexibility, tackiness, etc. can be appropriately controlled, and the reflowability is excellent, and the embedding property can be improved. Here, Mw means the value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using the calibration curve by standard polystyrene.

카르복시기를 갖는 (C) 성분의 산가는, 경화성의 관점에서, 1∼60 mgKOH/g, 3∼50 mgKOH/g 또는 5∼40 mgKOH/g라도 좋다. 산가가 이러한 범위에 있으면, 바니시에 있어서의 겔화 및 B 스테이지 상태의 유동성 저하를 막을 수 있는 경향이 있다. The acid value of component (C) having a carboxyl group may be 1 to 60 mgKOH/g, 3 to 50 mgKOH/g, or 5 to 40 mgKOH/g from the viewpoint of curability. When the acid value is within this range, there is a tendency that gelation in the varnish and decrease in fluidity in the B stage state can be prevented.

수산기를 갖는 (C) 성분의 수산기가는, 경화성의 관점에서, 1∼60 mgKOH/g, 3∼50 mgKOH/g 또는 5∼40 mgKOH/g라도 좋다. 수산기가가 이러한 범위에 있으면, 바니시에 있어서의 겔화 및 B 스테이지 상태의 유동성 저하를 막을 수 있는 경향이 있다. The hydroxyl value of the component (C) having a hydroxyl group may be 1 to 60 mgKOH/g, 3 to 50 mgKOH/g, or 5 to 40 mgKOH/g from the viewpoint of curability. When the hydroxyl value is within this range, gelation in the varnish and decrease in flowability in the B-stage state tend to be prevented.

(C) 성분의 시판 제품으로서는, 예컨대 SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23(모두 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조)을 들 수 있다.(C) As a commercially available product of component, SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23 (all Nagase ChemteX Co., Ltd. make) is mentioned, for example.

<(D) 제2 엘라스토머><(D) Second Elastomer>

(D) 성분은, 중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 엘라스토머이다. (D) 성분은, 카르복시기 및 수산기 이외의 작용기(예컨대 글리시딜기 등)를 갖는 엘라스토머라도 좋다. 열경화성 수지 조성물이 (D) 성분을 함유함으로써, 경시 안정성이 양호하게 될 수 있다. (D) 성분은, 엘라스토머를 구성하는 중합체의 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이하인 것이 바람직하다. (D) Component has a weight average molecular weight of 200,000 to 1,300,000, and is an elastomer having no carboxy group or hydroxyl group. Component (D) may be an elastomer having a functional group other than a carboxyl group and a hydroxyl group (for example, a glycidyl group). When the thermosetting resin composition contains the component (D), the stability over time can be improved. It is preferable that the glass transition temperature (Tg) of the polymer which comprises (D) component of an elastomer is 50 degreeC or less.

(D) 성분은, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 것이라면 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 부타디엔 수지, 아크릴로니트릴 수지 및 이들의 변성체 등이며, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 것을 들 수 있다.Component (D) is not particularly limited as long as it does not have a carboxy group or a hydroxyl group, and examples thereof include acrylic resins, polyester resins, polyamide resins, polyimide resins, silicone resins, butadiene resins, acrylonitrile resins, and modified products thereof. , and those having no carboxy group or hydroxyl group are exemplified.

(D) 성분은, 용제에의 용해성, 유동성의 관점에서, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 아크릴 수지라도 좋다. 아크릴 수지는 상기와 동의이다. 아크릴 수지는, 구성 단위로서, 글리시딜기 등의 에폭시기를 갖는 작용성 모노머((메트)아크릴산에스테르 등)를 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴 수지는 (메트)아크릴산에스테르와 아크릴니트릴과의 공중합체 등의 아크릴 고무라도 좋다.(D) component may also be an acrylic resin which does not have a carboxy group and a hydroxyl group from a viewpoint of solubility to a solvent and fluidity|liquidity. Acrylic resin is synonymous with the above. It is preferable that an acrylic resin is a polymer containing a functional monomer ((meth)acrylic acid ester etc.) which has an epoxy group, such as a glycidyl group, as a structural unit. Moreover, acrylic rubber, such as a copolymer of (meth)acrylic acid ester and acrylonitrile, may be sufficient as an acrylic resin.

(D) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는 -50∼50℃ 또는 -30∼30℃라도 좋다. 아크릴 수지의 Tg가 -50℃ 이상이면, 열경화성 수지 조성물의 유연성이 지나치게 높아지는 것을 막을 수 있는 경향이 있다. 이에 따라, 웨이퍼 다이싱 시에 필름형 접착제를 절단하기 쉽게 되어, 버어의 발생을 막을 수 있게 된다. 아크릴 수지의 Tg가 50℃ 이하이면, 열경화성 수지 조성물의 유연성 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 이에 따라, 필름형 접착제를 웨이퍼에 붙일 때에, 보이드를 충분히 매립하기 쉽게 되는 경향이 있다. 또한, 웨이퍼의 밀착성 저하에 의한 다이싱 시의 치핑을 막을 수 있게 된다. 여기서, 유리 전이 온도(Tg)는, DSC(열시차 주사 열량계)(예컨대 가부시키가이샤리가크 제조 「Thermo Plus 2」)를 이용하여 측정한 값을 의미한다. The glass transition temperature (Tg) of component (D) may be -50 to 50°C or -30 to 30°C. When the Tg of the acrylic resin is -50°C or higher, excessive increase in flexibility of the thermosetting resin composition tends to be prevented. This makes it easy to cut the film adhesive at the time of wafer dicing, and it is possible to prevent the occurrence of burrs. When the Tg of the acrylic resin is 50°C or less, there is a tendency that the decrease in flexibility of the thermosetting resin composition can be suppressed. Thereby, when attaching a film adhesive to a wafer, there exists a tendency for voids to be sufficiently filled easily. In addition, it is possible to prevent chipping during dicing due to a decrease in the adhesion of the wafer. Here, the glass transition temperature (Tg) means a value measured using a DSC (thermal differential scanning calorimeter) (for example, "Thermo Plus 2" manufactured by Sharik Corporation).

(D) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은 20만∼130만이다. (C) 성분의 Mw는, 30만 이상, 40만 이상, 50만 이상 또는 60만 이상이라도 좋고, 120만 이하, 110만 이하, 100만 이하, 95만 이하 또는 90만 이하라도 좋다. 아크릴 수지의 Mw가 이러한 범위에 있으면, 필름 형성성, 필름형에 있어서의 강도, 가요성, 택크성 등을 적절히 제어할 수 있고, 리플로우성이 우수하여, 매립성을 향상시킬 수 있다. 여기서, Mw는, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값을 의미한다.(D) The weight average molecular weights (Mw) of component are 200,000-1,300,000. The Mw of component (C) may be 300,000 or more, 400,000 or more, 500,000 or more, or 600,000 or more, and may be 1.2 million or less, 1.1 million or less, 1 million or less, 950,000 or less, or 900,000 or less. When the Mw of the acrylic resin is within this range, the film formability, strength in the film form, flexibility, tackiness, etc. can be appropriately controlled, and the reflowability is excellent, and the embedding property can be improved. Here, Mw means the value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using the calibration curve by standard polystyrene.

(D) 성분의 시판 제품으로서는, 예컨대 SG-P3, SG-80H, HTR-860P-3CSP(모두 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조)를 들 수 있다. (D) As a commercially available product of component, SG-P3, SG-80H, HTR-860P-3CSP (all manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) is mentioned, for example.

(C) 성분 및 (D) 성분의 합계 함유량은, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 40 질량% 이하이다. (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 함유량은, 35 질량% 이하, 30 질량% 이하 또는 28 질량% 이하라도 좋다. (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 함유량은, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 40 질량% 이하이면, 매립성이 보다 우수한 경향이 있다. (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 함유량은, 1 질량% 이상, 5 질량% 이상, 10 질량% 이상 또는 15 질량% 이상이라도 좋다. The total content of component (C) and component (D) is 40% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition. The total content of component (C) and component (D) may be 35% by mass or less, 30% by mass or less, or 28% by mass or less. When the total content of component (C) and component (D) is 40% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition, the embedding property tends to be better. The total content of component (C) and component (D) may be 1% by mass or more, 5% by mass or more, 10% by mass or more, or 15% by mass or more.

열경화성 수지 조성물에 있어서의 (C) 성분 및 (D) 성분의 총량에 대한 (C) 성분의 질량비((C) 성분의 함유량/(C) 성분 및 (D) 성분의 함유량의 총량)는 0.01∼0.50이라도 좋다. 질량비는 0.02 이상, 0.03 이상 또는 0.05 이상이라도 좋고, 0.30 이하, 0.20 이하 또는 0.10 이하라도 좋다. (C) 성분 및 (D) 성분에 대한 (C) 성분의 질량비가 0.01 이상이면, 고온 가압 처리 시의 블리드량의 증가를 보다 억제할 수 있는 경향이 있다. (C) 성분 및 (D) 성분에 대한 (C) 성분의 질량비가 0.50 이하이면, 보다 양호한 매립성을 유지할 수 있는 경향이 있다.The mass ratio of component (C) to the total amount of component (C) and component (D) in the thermosetting resin composition (content of component (C)/total amount of content of component (C) and component (D)) is from 0.01 to 0.01. Even 0.50 is fine. The mass ratio may be 0.02 or more, 0.03 or more, or 0.05 or more, and may be 0.30 or less, 0.20 or less, or 0.10 or less. When the mass ratio of component (C) to component (C) and component (D) is 0.01 or more, the increase in the amount of bleeding during high-temperature pressure treatment tends to be more suppressed. When the mass ratio of component (C) to component (C) and component (D) is 0.50 or less, better embedding properties tend to be maintained.

<(E) 성분: 무기 필러> <Component (E): Inorganic filler>

본 실시형태에 따른 열경화성 수지 조성물은 (E) 무기 필러를 추가로 함유하고 있어도 좋다. 무기 필러로서는, 예컨대 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성(非晶性) 실리카 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 얻어지는 필름형 접착제의 열전도성이 보다 향상된다는 관점에서, 무기 필러는, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정성 실리카 또는 비정성 실리카를 포함하고 있어도 좋다. 또한, 열경화성 수지 조성물의 용융 점도를 조정한다는 관점 및 열경화성 수지 조성물에 틱소트로픽성을 부여한다는 관점에서, 무기 필러는, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 결정성 실리카 또는 비정성 실리카를 포함하고 있어도 좋다.The thermosetting resin composition according to the present embodiment may further contain (E) an inorganic filler. As the inorganic filler, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, amorphous Moisture) Silica etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. From a viewpoint that the thermal conductivity of the film adhesive obtained improves more, the inorganic filler may contain aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, or amorphous silica. In addition, from the viewpoint of adjusting the melt viscosity of the thermosetting resin composition and imparting thixotropic properties to the thermosetting resin composition, the inorganic filler is aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide , magnesium oxide, aluminum oxide, crystalline silica or amorphous silica may be included.

(E) 성분의 평균 입경은, 접착성이 보다 향상된다는 관점에서, 0.005∼0.5 ㎛ 또는 0.05∼0.3 ㎛라도 좋다. 여기서, 평균 입경은, BET 비표면적으로부터 환산함으로써 구해지는 값을 의미한다.The average particle diameter of component (E) may be 0.005 to 0.5 µm or 0.05 to 0.3 µm from the viewpoint of further improving adhesiveness. Here, the average particle diameter means a value obtained by converting from the BET specific surface area.

(E) 성분은, 그 표면과 용제, 다른 성분 등과의 상용성, 접착 강도의 관점에서, 표면처리제에 의해서 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면처리제로서는 예컨대 실란커플링제 등을 들 수 있다. 실란커플링제의 작용기로서는, 예컨대 비닐기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 머캅토기, 아미노기, 디아미노기, 알콕시기, 에톡시기 등을 들 수 있다. Component (E) may be surface treated with a surface treatment agent from the viewpoint of compatibility between the surface and the solvent, other components, and the like, and adhesive strength. As a surface treatment agent, a silane coupling agent etc. are mentioned, for example. As a functional group of a silane coupling agent, a vinyl group, a (meth)acryloyl group, an epoxy group, a mercapto group, an amino group, a diamino group, an alkoxy group, an ethoxy group etc. are mentioned, for example.

(E) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 10∼90 질량부 또는 10∼50 질량부라도 좋다. (E) 성분의 함유량이, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 10 질량부 이상이면, 경화 전의 접착층의 다이싱성이 향상되고, 경화 후의 접착층의 접착력이 향상되는 경향이 있다. (E) 성분의 함유량이, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 90 질량부 이하이면, 유동성의 저하를 억제할 수 있고, 경화 후의 필름형 접착제의 탄성률이 지나치게 높아지는 것을 막을 수 있게 된다.The content of component (E) may be 10 to 90 parts by mass or 10 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A), component (B), component (C) and component (D). If the content of component (E) is 10 parts by mass or more relative to 100 parts by mass of the total amount of component (A), component (B), component (C) and component (D), the dicing property of the adhesive layer before curing is improved, The adhesive strength of the adhesive layer after curing tends to be improved. When the content of component (E) is 90 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D), a decrease in fluidity can be suppressed, and curing It becomes possible to prevent the elastic modulus of the later film adhesive from becoming too high.

<(F) 성분: 경화 촉진제> <Component (F): Curing accelerator>

본 실시형태에 따른 열경화성 수지 조성물은 (F) 경화 촉진제를 추가로 함유하고 있어도 좋다. 경화 촉진제는 특별히 한정되지 않으며, 일반적으로 사용되는 것을 이용할 수 있다. (F) 성분으로서는, 예컨대 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도, 반응성의 관점에서 (F) 성분은 이미다졸류 및 그 유도체라도 좋다.The thermosetting resin composition according to the present embodiment may further contain (F) a curing accelerator. The curing accelerator is not particularly limited, and generally used ones can be used. Examples of the component (F) include imidazoles and derivatives thereof, organic phosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, imidazoles and their derivatives may be sufficient as (F) component from a reactive viewpoint.

이미다졸류로서는, 예컨대 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다.Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-methylimidazole. can be heard You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

(F) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.04∼3 질량부 또는 0.04∼0.2 질량부라도 좋다. (F) 성분의 함유량이 이러한 범위에 있으면, 경화성과 신뢰성을 양립할 수 있는 경향이 있다.The content of component (F) may be 0.04 to 3 parts by mass or 0.04 to 0.2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A), component (B), component (C) and component (D). When the content of component (F) is within this range, there is a tendency for both curability and reliability to be compatible.

<그 밖의 성분> <Other ingredients>

본 실시형태에 따른 열경화성 수지 조성물은, 그 밖의 성분으로서, 항산화제, 실란커플링제, 레올로지 컨트롤제 등을 추가로 함유하고 있어도 좋다. 이들 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.02∼3 질량부라도 좋다. The thermosetting resin composition according to the present embodiment may further contain an antioxidant, a silane coupling agent, a rheology control agent, and the like as other components. The content of these components may be 0.02 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D).

본 실시형태에 따른 접착제 조성물은, 용제로 희석된 접착제 바니시로서 이용하여도 좋다. 용제는 (E) 성분 이외의 성분을 용해할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 용제로서는, 예컨대 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 쿠멘, p-시멘 등의 방향족 탄화수소; 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소; 메틸시클로헥산 등의 환상 알칸; 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 등의 환상 에테르; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논 등의 케톤; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 젖산메틸, 젖산에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르; 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 탄산에스테르; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중, 용제는, 용해성 및 비점의 관점에서, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 또는 시클로헥산이라도 좋다.The adhesive composition according to the present embodiment may be used as an adhesive varnish diluted with a solvent. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve components other than component (E). Examples of the solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, cumene, and p-cymene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; cyclic alkanes such as methylcyclohexane; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, and γ-butyrolactone; carbonic acid esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; amides such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone; and the like. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, or cyclohexane may be sufficient as a solvent from a viewpoint of solubility and a boiling point.

접착제 바니시 중 고형 성분 농도는, 접착제 바니시의 전체 질량을 기준으로 하여 10∼80 질량%라도 좋다.The solid component concentration in the adhesive varnish may be 10 to 80% by mass based on the total mass of the adhesive varnish.

접착제 바니시는, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분 및 용제, 그리고 필요에 따라서 (E) 성분, (F) 성분 및 그 밖의 성분을 혼합, 혼련함으로써 조제할 수 있다. 혼합 및 혼련은, 통상의 교반기, 레이커, 삼본롤, 볼밀, 비드밀 등의 분산기를 적절하게 조합하여 행할 수 있다. (E) 성분을 함유하는 경우, (E) 성분과 저분자량 성분을 미리 혼합한 후, 고분자량 성분을 배합함으로써, 혼합하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 접착제 바니시를 조제한 후, 진공 탈기 등에 의해서 바니시 중의 기포를 제거하여도 좋다.The adhesive varnish is prepared by mixing and kneading component (A), component (B), component (C), component (D) and solvent, and, if necessary, component (E), component (F) and other components. can Mixing and kneading can be performed by appropriately combining a conventional stirrer, a disperser such as a raker, a three-roll roll, a ball mill, or a bead mill. When the component (E) is contained, the mixing time can be shortened by mixing the component (E) and the low molecular weight component beforehand and then blending the high molecular weight component. Alternatively, after preparing the adhesive varnish, air bubbles in the varnish may be removed by vacuum degassing or the like.

[필름형 접착제][Film type adhesive]

도 1은 일 실시형태에 따른 필름형 접착제를 도시하는 모식 단면도이다. 필름형 접착제(10)는, 상술한 접착제 조성물을 필름형으로 형성하여 이루어지는 것이다. 필름형 접착제(10)는 반경화(B 스테이지) 상태라도 좋다. 이러한 필름형 접착제(10)는 접착제 조성물을 지지 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 바니시를 이용하는 경우는, 접착제 바니시를 지지 필름에 도포하고, 용제를 가열 건조하여 제거함으로써 필름형 접착제(10)를 형성할 수 있다.1 is a schematic cross-sectional view showing a film adhesive according to one embodiment. The film adhesive 10 is formed by forming the adhesive composition described above into a film shape. The film adhesive 10 may be in a semi-cured (B stage) state. Such a film adhesive 10 can be formed by applying an adhesive composition to a support film. When using an adhesive varnish, the film adhesive 10 can be formed by apply|coating an adhesive varnish to a support film, and heat-drying and removing a solvent.

지지 필름으로서는 특별히 제한은 없으며, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 등의 필름을 들 수 있다. 지지 필름의 두께는 예컨대 60∼200 ㎛ 또는 70∼170 ㎛라도 좋다.The support film is not particularly limited, and examples thereof include films of polytetrafluoroethylene, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyethylene terephthalate, and polyimide. The thickness of the support film may be, for example, 60 to 200 μm or 70 to 170 μm.

접착제 바니시를 지지 필름에 도포하는 방법으로서는 공지된 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대 나이프코트법, 롤코트법, 스프레이코트법, 그라비아코트법, 바코트법, 커튼코트법 등을 들 수 있다. 가열 건조의 조건은, 사용한 용제가 충분히 휘발하는 조건이라면 특별히 제한은 없지만, 예컨대 50∼200℃에서 0.1∼90분간이라도 좋다. A known method can be used as a method of applying the adhesive varnish to the supporting film, and examples thereof include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. Conditions for heating and drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but may be, for example, 0.1 to 90 minutes at 50 to 200°C.

필름형 접착제의 두께는 용도에 맞춰 적절하게 조정할 수 있다. 필름형 접착제의 두께는, 반도체 칩, 와이어, 기판의 배선 회로 등의 요철 등을 충분히 매립한다는 관점에서, 20∼200 ㎛, 30∼200 ㎛ 또는 40∼150 ㎛라도 좋다.The thickness of the film adhesive can be appropriately adjusted according to the application. The thickness of the film adhesive may be 20 to 200 μm, 30 to 200 μm, or 40 to 150 μm from the viewpoint of sufficiently embedding irregularities such as semiconductor chips, wires, and circuit boards.

[접착 시트][Adhesive Sheet]

도 2는 일 실시형태에 따른 접착 시트를 도시하는 모식 단면도이다. 접착 시트(100)는, 기재(20)와 기재 상에 마련된 상술한 필름형 접착제(10)를 구비한다.2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment. The adhesive sheet 100 includes a substrate 20 and the above-described film adhesive 10 provided on the substrate.

기재(20)는 특별히 제한되지 않지만, 기재 필름이라도 좋다. 기재 필름은 상술한 지지 필름과 같은 것이라도 좋다.The substrate 20 is not particularly limited, but may be a substrate film. The base film may be the same as the support film described above.

기재(20)는 다이싱 테이프라도 좋다. 이러한 접착 시트는 다이싱 다이 본딩 일체형 접착 시트로서 사용할 수 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼에의 라미네이트 공정이 1회가 되므로, 작업의 효율화가 가능하다.The substrate 20 may be a dicing tape. Such an adhesive sheet can be used as a dicing die bonding integrated adhesive sheet. In this case, since the lamination process to the semiconductor wafer becomes one time, work efficiency can be improved.

다이싱 테이프로서는, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또한, 다이싱 테이프는, 필요에 따라서, 프라이머 도포, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 이루어지더라도 좋다. 다이싱 테이프는 점착성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 다이싱 테이프는, 상술한 플라스틱 필름에 점착성을 부여한 것이라도 좋고, 상술한 플라스틱 필름의 한 면에 점착제층을 마련한 것이라도 좋다.As a dicing tape, plastic films, such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, and a polyimide film, etc. are mentioned, for example. In addition, the dicing tape may be subjected to surface treatment such as primer application, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, or etching treatment as needed. It is preferable that the dicing tape has adhesiveness. Such a dicing tape may be one obtained by imparting adhesiveness to the plastic film described above, or one in which an adhesive layer is provided on one side of the plastic film described above.

접착 시트(100)는, 상술한 필름형 접착제를 형성하는 방법과 마찬가지로, 접착제 조성물을 기재 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 조성물을 기재(20)에 도포하는 방법은, 상술한 접착제 조성물을 지지 필름에 도포하는 방법과 같더라도 좋다.The adhesive sheet 100 can be formed by applying an adhesive composition to a base film, similarly to the method of forming the film adhesive described above. The method of applying the adhesive composition to the substrate 20 may be the same as the method of applying the above-described adhesive composition to the supporting film.

접착 시트(100)는 미리 제작한 필름형 접착제를 이용하여 형성하여도 좋다. 이 경우, 접착 시트(100)는, 롤 라미네이터, 진공 라미네이터 등을 이용하여 소정 조건(예컨대 실온(20℃) 또는 가열 상태)에서 라미네이트함으로써 형성할 수 있다. 접착 시트(100)는 연속적으로 제조할 수 있으며, 효율이 좋으므로, 가열 상태에서 롤 라미네이터를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.The adhesive sheet 100 may be formed using a film adhesive prepared in advance. In this case, the adhesive sheet 100 can be formed by laminating under predetermined conditions (for example, room temperature (20° C.) or heated state) using a roll laminator, vacuum laminator, or the like. Since the adhesive sheet 100 can be continuously manufactured and has good efficiency, it is preferable to use a roll laminator in a heated state.

필름형 접착제(10)의 두께는, 반도체 칩, 와이어, 기판의 배선 회로 등의 요철 등의 매립성이라는 관점에서, 20∼200 ㎛, 30∼200 ㎛ 또는 40∼150 ㎛라도 좋다. 필름형 접착제(10)의 두께가 20 ㎛ 이상이면, 보다 충분한 접착력이 얻어지는 경향이 있고, 필름형 접착제(10)의 두께가 200 ㎛ 이하이면, 경제적이면서 또한 반도체 장치의 소형화의 요구에 부응할 수 있게 된다.The thickness of the film adhesive 10 may be 20 to 200 μm, 30 to 200 μm, or 40 to 150 μm from the viewpoint of embedding properties such as irregularities such as semiconductor chips, wires, and wiring circuits of substrates. When the thickness of the film adhesive 10 is 20 μm or more, more sufficient adhesive strength tends to be obtained, and when the thickness of the film adhesive 10 is 200 μm or less, it is economical and can meet the demand for miniaturization of semiconductor devices. there will be

도 3은 다른 실시형태에 따른 접착 시트를 도시하는 모식 단면도이다. 접착 시트(110)는, 필름형 접착제(10)의 기재(20)와는 반대측의 면에 적층된 보호 필름(30)을 추가로 구비한다. 보호 필름(30)은 상술한 지지 필름과 같은 것이라도 좋다. 보호 필름의 두께는 예컨대 15∼200 ㎛ 또는 70∼170 ㎛라도 좋다.3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment. The adhesive sheet 110 further includes a protective film 30 laminated on a surface of the film adhesive 10 opposite to the substrate 20 . The protective film 30 may be the same as the support film described above. The thickness of the protective film may be, for example, 15 to 200 μm or 70 to 170 μm.

[반도체 장치][Semiconductor device]

도 4는 일 실시형태에 따른 반도체 장치를 도시하는 모식 단면도이다. 반도체 장치(200)는, 기판(14)에, 제1 와이어(88)를 통해 1번째 단의 제1 반도체 소자(Wa)가 와이어 본딩 접속되고, 제1 반도체 소자(Wa) 상에 제2 반도체 소자(Waa)가 필름형 접착제(10)를 통해 압착됨으로써, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 필름형 접착제(10)에 매립되어 이루어지는 반도체 장치이다. 반도체 장치는, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치라도, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 매립되어 이루어지는 반도체 장치라도 좋다. 또한, 반도체 장치(200)에서는, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)가 또한 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속되고, 제2 반도체 소자(Waa)가 밀봉재(42)에 의해 밀봉되어 있다.4 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment. In the semiconductor device 200, a first semiconductor element Wa of a first stage is connected to a substrate 14 through a first wire 88 by wire bonding, and a second semiconductor element Wa is formed on the first semiconductor element Wa. It is a semiconductor device in which at least a part of the first wire 88 is embedded in the film adhesive 10 when the element Waa is crimped through the film adhesive 10 . The semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the first wire 88 is embedded, or a semiconductor device in which the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are embedded. Further, in the semiconductor device 200, the substrate 14 and the second semiconductor element Waa are also electrically connected through a second wire 98, and the second semiconductor element Waa is formed by the sealing material 42. It is sealed.

제1 반도체 소자(Wa)의 두께는 10∼170 ㎛라도 좋고, 제2 반도체 소자(Waa)의 두께는 20∼400 ㎛라도 좋다. 필름형 접착제(10) 내부에 매립되어 있는 제1 반도체 소자(Wa)는 반도체 장치(200)를 구동하기 위한 컨트롤러 칩이다.The thickness of the first semiconductor element Wa may be 10 to 170 μm, and the thickness of the second semiconductor element Waa may be 20 to 400 μm. The first semiconductor element Wa embedded in the film adhesive 10 is a controller chip for driving the semiconductor device 200 .

기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 두 곳씩 형성된 유기 기판(90)을 포함한다. 제1 반도체 소자(Wa)는 회로 패턴(94) 상에 접착제(41)를 통해 압착되어 있다. 제2 반도체 소자(Waa)는, 제1 반도체 소자(Wa)가 압착되어 있지 않은 회로 패턴(94), 제1 반도체 소자(Wa) 및 회로 패턴(84)의 일부가 덮이도록 필름형 접착제(10)를 통해 기판(14)에 압착되어 있다. 기판(14) 상의 회로 패턴(84, 94)에 기인하는 요철의 단차에는 필름형 접착제(10)가 매립되어 있다. 그리고, 수지제의 밀봉재(42)에 의해, 제2 반도체 소자(Waa), 회로 패턴(84) 및 제2 와이어(98)가 밀봉되어 있다. The substrate 14 includes an organic substrate 90 on which two circuit patterns 84 and 94 are respectively formed. The first semiconductor element Wa is pressed onto the circuit pattern 94 through the adhesive 41 . The second semiconductor element (Waa) is a film adhesive 10 such that the first semiconductor element (Wa) is not compressed, the circuit pattern 94, the first semiconductor element (Wa) and a part of the circuit pattern 84 are covered. ) is pressed to the substrate 14 through. The film adhesive 10 is embedded in the uneven level difference resulting from the circuit patterns 84 and 94 on the substrate 14 . Then, the second semiconductor element Waa, the circuit pattern 84, and the second wire 98 are sealed by the sealing material 42 made of resin.

[반도체 장치의 제조 방법][Method of manufacturing semiconductor device]

본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 와이어 본딩 공정과, 제2 반도체 소자의 한 면에 상술한 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제를 통해 압착함으로써, 제1 와이어의 적어도 일부를 필름형 접착제에 매립하는 다이 본드 공정을 구비한다.The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes a first wire bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire, and applying the above-described film adhesive to one side of a second semiconductor element. A lamination process to attach, and a die bonding process of embedding at least a part of the first wire in the film adhesive by crimping the second semiconductor element to which the film adhesive is attached through the film adhesive.

도 5∼9는 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 도시하는 모식 단면도이다. 본 실시형태에 따른 반도체 장치(200)는, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 매립되어 이루어지는 반도체 장치이며, 이하의 수순에 의해 제조된다. 우선, 도 5에 도시하는 것과 같이, 기판(14) 상의 회로 패턴(94) 상에, 접착제(41)를 갖는 제1 반도체 소자(Wa)를 압착하고, 제1 와이어(88)를 통해 기판(14) 상의 회로 패턴(84)과 제1 반도체 소자(Wa)를 전기적으로 본딩 접속한다(제1 와이어 본딩 공정).5 to 9 are schematic cross-sectional views showing a series of steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment. The semiconductor device 200 according to the present embodiment is a semiconductor device in which the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are buried, and is manufactured by the following procedure. First, as shown in FIG. 5 , the first semiconductor element Wa having the adhesive 41 is pressed onto the circuit pattern 94 on the substrate 14, and the substrate ( 14) The upper circuit pattern 84 and the first semiconductor element Wa are electrically bonded and connected (first wire bonding process).

이어서, 반도체 웨이퍼(예컨대 두께 100 ㎛, 사이즈: 8인치)의 한 면에 접착 시트(100)를 라미네이트하고, 기재(20)를 벗김으로써, 반도체 웨이퍼의 한 면에 필름형 접착제(10)(예컨대 두께 110 ㎛)를 붙인다. 그리고, 필름형 접착제(10)에 다이싱 테이프를 맞붙인 후, 소정의 크기(예컨대 한 변이 7.5 mm인 정사각)로 다이싱함으로써, 도 6에 도시하는 것과 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를 얻는다(라미네이트 공정). Then, by laminating the adhesive sheet 100 on one side of a semiconductor wafer (e.g., thickness 100 μm, size: 8 inches) and peeling off the substrate 20, a film adhesive 10 (e.g., thickness 110 μm). Then, after attaching the dicing tape to the film adhesive 10, by dicing to a predetermined size (for example, a square with a side of 7.5 mm), as shown in FIG. 6, the film adhesive 10 is attached A second semiconductor element Waa is obtained (lamination process).

라미네이트 공정의 온도 조건은 50∼100℃ 또는 60∼80℃라도 좋다. 라미네이트 공정의 온도가 50℃ 이상이면, 반도체 웨이퍼와 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 라미네이트 공정의 온도가 100℃ 이하이면, 라미네이트 공정 중에 필름형 접착제(10)가 과도하게 유동하는 것이 억제되기 때문에, 두께의 변화 등을 야기하는 것을 방지할 수 있다. The temperature conditions of the lamination process may be 50 to 100°C or 60 to 80°C. If the temperature of the lamination process is 50°C or higher, a semiconductor wafer and good adhesion can be obtained. Since it is suppressed that the film adhesive 10 flows excessively during a lamination process as the temperature of a lamination process is 100 degreeC or less, it can prevent that a change of thickness etc. are caused.

다이싱 방법으로서는, 예컨대 회전 날을 이용하는 블레이드 다이싱, 레이저에 의해서 필름형 접착제 또는 웨이퍼와 필름형 접착제 양쪽을 절단하는 방법 등을 들 수 있다. Examples of the dicing method include blade dicing using a rotary blade and a method of cutting both the film adhesive or the wafer and the film adhesive with a laser.

그리고, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 제1 반도체 소자(Wa)가 제1 와이어(88)를 통해 본딩 접속된 기판(14)에 압착한다. 구체적으로는 도 7에 도시하는 것과 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 필름형 접착제(10)에 의해서 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 덮이도록 배치하고, 이어서, 도 8에 도시하는 것과 같이, 제2 반도체 소자(Waa)를 기판(14)에 압착시킴으로써 기판(14)에 제2 반도체 소자(Waa)를 고정한다(다이 본드 공정). 다이 본드 공정은, 필름형 접착제(10)를 80∼180℃, 0.01∼0.50 MPa의 조건으로 0.5∼3.0초간 압착하는 것이 바람직하다. 다이 본드 공정 후, 필름형 접착제(10)를 60∼175℃, 0.3∼0.7 MPa의 조건으로 5분간 이상 가압 및 가열한다.And the 2nd semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was stuck is crimped|bonded to the board|substrate 14 to which the 1st semiconductor element Wa was bonded via the 1st wire 88. As specifically shown in FIG. 7, the 2nd semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was stuck, the 1st wire 88 and the 1st semiconductor element Wa by the film adhesive 10 ), and then, as shown in FIG. 8 , the second semiconductor element Waa is fixed to the substrate 14 by pressing the second semiconductor element Waa to the substrate 14 (die bond). process). In the die bonding process, it is preferable to crimp the film adhesive 10 under conditions of 80 to 180°C and 0.01 to 0.50 MPa for 0.5 to 3.0 seconds. After the die-bonding process, the film adhesive 10 is pressurized and heated for 5 minutes or more on conditions of 60 to 175°C and 0.3 to 0.7 MPa.

이어서, 도 9에 도시하는 것과 같이, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)를 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속한 후(제2 와이어 본딩 공정), 회로 패턴(84), 제2 와이어(98) 및 제2 반도체 소자(Waa)를 밀봉재(42)로 밀봉한다. 이러한 공정을 거침으로써 반도체 장치(200)를 제조할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 9, after electrically connecting the substrate 14 and the second semiconductor element Waa through the second wire 98 (second wire bonding process), the circuit pattern 84, The second wire 98 and the second semiconductor element Waa are sealed with a sealing material 42 . Through these processes, the semiconductor device 200 can be manufactured.

다른 실시형태로서, 반도체 장치는 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치라도 좋다.As another embodiment, the semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the first wire 88 is buried.

[실시예][Example]

이하, 본 발명에 관해서 실시예를 들어 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다. Hereinafter, examples of the present invention will be described in more detail. However, the present invention is not limited to these examples.

(실시예 1∼7 및 비교예 1∼3)(Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3)

<접착 시트의 제작> <Production of adhesive sheet>

이하에 나타내는 각 성분을 표 1에 나타낸 배합 비율(질량부)로 혼합하고, 용매로서 시클로헥사논을 이용하여 고형분 40 질량%의 열경화성 수지 조성물의 바니시를 조제했다. 이어서, 얻어진 바니시를 100 메쉬의 필터로 여과하여, 진공 탈포했다. 진공 탈포 후의 바니시를, 기재 필름으로서, 두께 38 ㎛의 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 도포했다. 도포한 바니시를, 90℃에서 5분간, 이어서 140℃에서 5분간의 2단계로 가열 건조했다. 이와 같이 하여, 기재 필름 상에, 반경화(B 스테이지) 상태에 있는 두께 110 ㎛의 필름형 접착제를 갖춘 접착 시트를 얻었다.Each component shown below was mixed in the compounding ratio (part by mass) shown in Table 1, and a varnish of a thermosetting resin composition having a solid content of 40% by mass was prepared using cyclohexanone as a solvent. Next, the obtained varnish was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. The varnish after vacuum defoaming was applied as a substrate film on a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 38 µm and subjected to release treatment. The applied varnish was heated and dried in two steps: at 90°C for 5 minutes and then at 140°C for 5 minutes. In this way, an adhesive sheet with a film adhesive having a thickness of 110 μm in a semi-cured (B stage) state was obtained on the base film.

또한, 표 1 중의 각 성분은 이하와 같다.In addition, each component in Table 1 is as follows.

(A) 에폭시 수지 A-1: 디시클로펜타디엔 골격 함유 에폭시 수지, DIC가부시키가이샤 제조, 상품명: HP-7200L, 에폭시 당량: 242∼252 g/eq(A) Epoxy resin A-1: Dicyclopentadiene skeleton-containing epoxy resin, manufactured by DIC Corporation, trade name: HP-7200L, epoxy equivalent: 242 to 252 g/eq

A-2: 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 신닛테츠스미킨카가쿠가부시키가이샤 제조, 상품명: YDCN-700-10, 에폭시 당량: 209 g/eqA-2: cresol novolak type epoxy resin, manufactured by Nippon Steel & Chemical Co., Ltd., trade name: YDCN-700-10, epoxy equivalent: 209 g/eq

A-3: 비스페놀F형 에폭시 수지(25℃에서 액체), DIC가부시키가이샤 제조, 상품명: EXA-830CRP, 에폭시 당량: 159 g/eqA-3: Bisphenol F-type epoxy resin (liquid at 25 ° C.), manufactured by DIC Corporation, trade name: EXA-830CRP, epoxy equivalent: 159 g/eq

(B) 경화제 (B) curing agent

B-1: 비페닐아랄킬형 페놀 수지, 에어워터가부시키가이샤 제조, 상품명: HE-200C-10, 수산기 당량: 205 g/eqB-1: Biphenylaralkyl type phenolic resin, manufactured by Air Water Co., Ltd., trade name: HE-200C-10, hydroxyl equivalent: 205 g/eq

B-2: 페닐아랄킬형 페놀 수지, 에어워터가부시키가이샤 제조, 상품명: HE100C-30, 수산기 당량: 175 g/eqB-2: Phenylaralkyl type phenolic resin, manufactured by Air Water Co., Ltd., trade name: HE100C-30, hydroxyl equivalent: 175 g/eq

(C) 제1 엘라스토머(카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 엘라스토머) (C) first elastomer (elastomer having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and a hydroxyl group)

C-1: 아크릴 고무, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, 상품명: WS-023 EK30,중량 평균 분자량: 50만, 산가: 20 mgKOH/g, Tg: -10℃ C-1: Acrylic rubber, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., trade name: WS-023 EK30, weight average molecular weight: 500,000, acid value: 20 mgKOH/g, Tg: -10°C

C-2: 아크릴 고무, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, 상품명: SG-708-6, 중량 평균 분자량: 70만, 산가: 9 mgKOH/g, Tg: 4℃ C-2: Acrylic rubber, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., trade name: SG-708-6, weight average molecular weight: 700,000, acid value: 9 mgKOH/g, Tg: 4°C

C-3: 아크릴 고무, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, 상품명: SG-280 EK23,중량 평균 분자량: 90만, 산가: 30 mgKOH/g, Tg: -29℃C-3: acrylic rubber, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., trade name: SG-280 EK23, weight average molecular weight: 900,000, acid value: 30 mgKOH/g, Tg: -29°C

(D) 제2 엘라스토머(카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 엘라스토머) (D) second elastomer (elastomer having no carboxy group and no hydroxyl group)

D-1: 아크릴 고무, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, 상품명: HTR-860P-3CSP, 중량 평균 분자량: 80만, 글리시딜기 함유 모노머 비율: 3%, Tg: -7℃ D-1: Acrylic rubber, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., trade name: HTR-860P-3CSP, weight average molecular weight: 800,000, glycidyl group-containing monomer ratio: 3%, Tg: -7°C

D-2: 아크릴 고무, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, 상품명: HTR-860P-30B-CHN, 중량 평균 분자량: 23만, 글리시딜기 함유 모노머 비율: 8%, Tg: -7℃ D-2: Acrylic rubber, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., trade name: HTR-860P-30B-CHN, weight average molecular weight: 230,000, glycidyl group-containing monomer ratio: 8%, Tg: -7°C

D-3: 아크릴 고무, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, HTR-860P-3CSP 개량품(상품명: HTR-860P-3CSP, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조의 아크릴 고무에 있어서, 아크릴니트릴에 유래하는 구성 단위를 제외한 것), 중량 평균 분자량: 60만, Tg: 12℃D-3: Acrylic rubber, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., improved HTR-860P-3CSP (trade name: HTR-860P-3CSP, acrylic rubber manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., derived from acrylonitrile) excluding constituent units), weight average molecular weight: 600,000, Tg: 12°C

(E) 무기 필러 (E) inorganic filler

E-1: 실리카 필러 분산액, 용융 실리카, 가부시키가이샤아드마테크스 제조, 상품명: SC2050-HLG, 평균 입경: 0.50 ㎛E-1: silica filler dispersion, fused silica, manufactured by Admatechs, trade name: SC2050-HLG, average particle size: 0.50 µm

(F) 경화 촉진제 (F) curing accelerator

F-1: 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 시코쿠가세이고교가부시키가이샤 제조, 상품명: 큐아졸 2PZ-CNF-1: 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., trade name: Curazole 2PZ-CN

<각종 물성의 평가> <Evaluation of various physical properties>

얻어진 실시예 1∼7 및 비교예 1∼3의 접착 시트에 관해서 매립성 및 블리드량을 평가했다.The adhesive sheets of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 thus obtained were evaluated for embedding properties and bleed amount.

[매립성 평가][Evaluation of landfillability]

접착 시트의 매립성을 이하의 평가 샘플을 제작하여 평가했다. 위에서 얻어진 필름형 접착제(두께 110 ㎛)를, 기재 필름을 벗기고, 다이싱 테이프에 붙여, 다이싱 다이 본딩 일체형 접착 시트를 얻었다. 이어서, 두께 100 ㎛의 반도체 웨이퍼(8 인치)를, 접착제 측에 70℃로 가열하여 붙였다. 그 후, 이 반도체 웨이퍼를 한 변이 7.5 mm인 정사각으로 다이싱함으로써 반도체 칩 A를 얻었다. 이어서, 다이싱 다이 본딩 일체형 접착 시트(히타치가세이가부시키가이샤, 상품명: HR9004-10)(두께 10 ㎛)를 준비하고, 두께 50 ㎛의 반도체 웨이퍼(8 인치)에 70℃로 가열하여 붙였다. 그 후, 이 반도체 웨이퍼를 한 변이 4.5 mm인 정사각으로 다이싱함으로써, 다이 본딩 필름 구비 반도체 칩 B를 얻었다. 이어서, 솔더 레지스트(다이요닛산가부시키가이샤, 상품명: AUS308)를 도포한 총 두께 260 ㎛의 평가용 기판을 준비하여, 다이 본딩 필름 구비 반도체 칩 B의 다이 본딩 필름과 평가용 기판의 솔더 레지스트가 접하도록 120℃, 0.20 MPa, 2초간의 조건으로 압착했다. 그 후, 반도체 칩 A의 필름형 접착제와 반도체 칩 B의 반도체 웨이퍼가 접하도록 120℃, 0.20 MPa, 1.5초간의 조건으로 압착하여, 평가 샘플을 얻었다. 이때, 먼저 압착한 반도체 칩 B가 반도체 칩 A의 중앙이 되도록 위치를 맞췄다. 이와 같이 하여 얻어진 평가 샘플을 초음파 디지털 화상 진단 장치(인사이트가부시키가이샤 제조, 프로브: 75 MHz)로 보이드의 관측 유무를 관측하여, 보이드가 관측된 경우는, 단위 면적당 보이드 면적의 비율을 산출하여, 이들 분석 결과를 매립성으로서 평가했다. 평가 기준은 다음과 같다. 결과를 표 1에 나타낸다.The embedding of the adhesive sheet was evaluated by producing the following evaluation samples. The film adhesive (thickness: 110 μm) obtained above was peeled off the base film and applied to a dicing tape to obtain a dicing die bonding integrated adhesive sheet. Next, a semiconductor wafer (8 inches) having a thickness of 100 μm was heated at 70° C. and attached to the adhesive side. Then, the semiconductor chip A was obtained by dicing this semiconductor wafer into a square with a side of 7.5 mm. Then, a dicing die bonding integrated adhesive sheet (trade name: HR9004-10, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) (thickness of 10 μm) was prepared and attached to a semiconductor wafer (8 inches) having a thickness of 50 μm by heating at 70° C. . After that, the semiconductor chip B with die bonding film was obtained by dicing this semiconductor wafer into a square with a side of 4.5 mm. Subsequently, a substrate for evaluation having a total thickness of 260 μm coated with a solder resist (Taiyo Nissan Co., Ltd., trade name: AUS308) was prepared, and the die bonding film of the semiconductor chip B with the die bonding film was in contact with the solder resist of the substrate for evaluation. It was crimped under conditions of 120°C, 0.20 MPa, and 2 sec. Then, it crimped under conditions of 120 degreeC, 0.20 MPa, and 1.5 second so that the film adhesive of semiconductor chip A and the semiconductor wafer of semiconductor chip B may contact, and the evaluation sample was obtained. At this time, the position of the first compressed semiconductor chip B was aligned to be the center of the semiconductor chip A. The evaluation sample obtained in this way was observed with an ultrasonic digital image diagnosis device (probe: 75 MHz, manufactured by Insight Co., Ltd.) to observe whether or not voids were observed, and when voids were observed, the ratio of void area per unit area was calculated. , these analysis results were evaluated as landfillability. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in Table 1.

A: 보이드가 관측되지 않았다.A: No voids were observed.

B: 보이드가 관측되었지만, 그 비율이 5 면적% 미만이었다.B: Although voids were observed, the ratio was less than 5 area%.

C: 보이드가 관측되고, 그 비율이 5 면적% 이상이었다.C: Voids were observed, and the ratio was 5 area% or more.

[블리드량 평가][Evaluation of bleed amount]

상기 매립성 평가에서 「A」 또는 「B」 평가였던 것에 관해서만 블리드량을 평가했다. 상기 매립성 평가에서 제작한 평가 샘플과 같은 수순으로 평가 샘플을 제작했다. 반도체 칩 A의 필름형 접착제와 반도체 칩 B의 반도체 웨이퍼를, 120℃, 0.20 MPa, 1.5초간의 조건으로 압착했다. 이어서, 가압 오븐을 이용하여, 140℃, 0.7 MPa, 30분의 조건으로 고온 가압 처리(가압 큐어)를 행하고, 가압 큐어 전후에 있어서, 평가 샘플을 현미경으로 관찰하여, 평가 샘플의 네 변의 중심으로부터 필름형 접착제의 블리드량(돌출량)을 각각 측정했다. 가압 큐어 전의 블리드량을 L1, 가압 큐어 후의 블리드량을 L2로 하여, 이하의 식에 기초하여, 블리드량 증가율을 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다. The bleed amount was evaluated only for those that were evaluated as "A" or "B" in the above embedding property evaluation. Evaluation samples were produced in the same procedure as the evaluation samples produced in the above embedding property evaluation. The film adhesive of semiconductor chip A and the semiconductor wafer of semiconductor chip B were crimped|bonded under the conditions of 120 degreeC, 0.20 MPa, and 1.5 second. Next, using a pressurized oven, a high-temperature pressure treatment (pressure cure) is performed under conditions of 140° C., 0.7 MPa, and 30 minutes, and before and after the pressure cure, the evaluation sample is observed with a microscope, from the center of the four sides of the evaluation sample. The bleed amount (protrusion amount) of the film adhesive was measured, respectively. The bleed amount before pressure curing was L1, and the bleed amount after pressure curing was L2, and the bleed amount increase rate was calculated based on the following formula. The results are shown in Table 1.

블리드량 증가율(%)=(L2-L1)/L1×100Bleed amount increase rate (%) = (L2-L1) / L1 × 100

Figure 112020078819290-pct00001
Figure 112020078819290-pct00001

표 1에 나타내는 것과 같이, 제1 엘라스토머 및 제2 엘라스토머를 함유하는 실시예 1∼7은, 제1 엘라스토머 또는 제2 엘라스토머의 어느 한쪽밖에 함유하지 않는 비교예 1∼3과 비교하여, 매립성이 우수하고, 고온 가압 처리 시의 블리드량 증가율도 낮았다. 이들 결과로부터, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물이 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서 고온 가압 처리 시의 블리드량의 증가를 억제하는 것이 가능하다는 것이 확인되었다. As shown in Table 1, Examples 1 to 7 containing the first elastomer and the second elastomer have superior embedding properties compared to Comparative Examples 1 to 3 containing only either the first elastomer or the second elastomer. It was excellent, and the bleed amount increase rate at the time of the high-temperature pressure treatment was also low. From these results, it was confirmed that the thermosetting resin composition according to the present invention can suppress an increase in the amount of bleeding during high-temperature pressurization while having good embedding properties during thermal compression bonding.

이상의 결과와 같이, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물은, 열압착 시에 양호한 매립성을 가지면서 고온 가압 처리 시의 블리드량의 증가를 억제할 수 있으므로, 열경화성 수지 조성물을 필름형으로 형성하여 이루어지는 필름형 접착제는, 칩 매립형 필름형 접착제인 FOD(필름 오버 다이) 또는 와이어 매립형 필름형 접착제인 FOW(필름 오버 와이어)로서 유용하게 될 수 있다. As a result of the above, since the thermosetting resin composition according to the present invention has good embedding properties during thermal compression bonding and can suppress an increase in the amount of bleed during high-temperature pressing treatment, a film obtained by forming the thermosetting resin composition into a film form The mold adhesive can be useful as FOD (Film Over Die), which is a chip-embedded film adhesive, or FOW (Film Over Wire), which is a wire-embedded film adhesive.

10: 필름형 접착제, 14: 기판, 20: 기재, 30: 보호 필름, 41: 접착제, 42: 밀봉재, 84, 94: 회로 패턴, 88: 제1 와이어, 90: 유기 기판, 98: 제2 와이어, 100, 110: 접착 시트, 200: 반도체 장치, Wa: 제1 반도체 소자, Waa: 제2 반도체 소자. 10: film adhesive, 14: substrate, 20: substrate, 30: protective film, 41: adhesive, 42: sealing material, 84, 94: circuit pattern, 88: first wire, 90: organic substrate, 98: second wire , 100, 110: adhesive sheet, 200: semiconductor device, Wa: first semiconductor element, Waa: second semiconductor element.

Claims (12)

에폭시 수지와,
페놀 수지를 포함하는 경화제와,
중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 제1 엘라스토머와,
중량 평균 분자량이 20만∼130만이며, 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 제2 엘라스토머
를 함유하고, 상기 제1 엘라스토머 및 상기 제2 엘라스토머의 합계 함유량이, 열경화성 수지 조성물 전량을 기준으로 하여 40 질량% 이하이며,
상기 제1 엘라스토머 및 상기 제2 엘라스토머의 총량에 대한 상기 제1 엘라스토머의 질량비가 0.01∼0.20인 열경화성 수지 조성물. an epoxy resin,
A curing agent containing a phenolic resin;
A first elastomer having a weight average molecular weight of 200,000 to 1,300,000 and having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and a hydroxyl group;
The second elastomer having a weight average molecular weight of 200,000 to 1,300,000 and having neither a carboxy group nor a hydroxyl group
And the total content of the first elastomer and the second elastomer is 40% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition,
A thermosetting resin composition wherein a mass ratio of the first elastomer to the total amount of the first elastomer and the second elastomer is 0.01 to 0.20. 제1항에 있어서, 상기 제1 엘라스토머가 카르복시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 작용기를 갖는 아크릴 수지인 열경화성 수지 조성물. The thermosetting resin composition according to claim 1, wherein the first elastomer is an acrylic resin having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and a hydroxyl group. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 엘라스토머가 카르복시기 및 수산기를 갖지 않는 아크릴 수지인 열경화성 수지 조성물. The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2, wherein the second elastomer is an acrylic resin having neither a carboxy group nor a hydroxyl group. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 25℃에서 액체인 에폭시 수지를 포함하는 열경화성 수지 조성물. The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2, wherein the epoxy resin comprises an epoxy resin that is liquid at 25°C. 제1항 또는 제2항에 있어서, 무기 필러를 추가로 함유하는 열경화성 수지 조성물. The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2, further containing an inorganic filler. 제1항 또는 제2항에 있어서, 경화 촉진제를 추가로 함유하는 열경화성 수지 조성물. The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2, further comprising a curing accelerator. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속되고, 상기 제1 반도체 소자 상에, 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 상기 제2 반도체 소자를 압착하고, 상기 제1 와이어의 적어도 일부, 또는 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는 열경화성 수지 조성물.The semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein a first semiconductor element is wire-bonded and connected to a substrate via a first wire, and a second semiconductor element is pressed onto the first semiconductor element. A thermosetting resin composition used for compressing a second semiconductor element and burying at least a portion of the first wire or the first wire and the first semiconductor element. 제1항 또는 제2항에 기재한 열경화성 수지 조성물을 필름형으로 형성하여 이루어지는 필름형 접착제. A film adhesive obtained by forming the thermosetting resin composition according to claim 1 or 2 into a film form. 기재와,
상기 기재 상에 마련된, 제8항에 기재한 필름형 접착제
를 구비하는 접착 시트. equipment and
The film adhesive according to claim 8, provided on the substrate
An adhesive sheet comprising a. 제9항에 있어서, 상기 기재가 다이싱 테이프인 접착 시트. The adhesive sheet according to claim 9, wherein the substrate is a dicing tape. 제9항에 있어서, 상기 필름형 접착제의 상기 기재와는 반대측의 면에 적층된 보호 필름을 추가로 구비하는 접착 시트. The adhesive sheet according to claim 9, further comprising a protective film laminated on a surface of the film adhesive opposite to the base material. 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과,
제2 반도체 소자의 한 면에, 제8항에 기재한 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과,
상기 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 상기 필름형 접착제를 통해 압착함으로써, 상기 제1 와이어의 적어도 일부, 또는 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 상기 필름형 접착제에 매립하는 다이 본드 공정
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법. A wire bonding process of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire;
A lamination step of attaching the film adhesive according to claim 8 to one surface of the second semiconductor element;
A die for embedding at least a part of the first wire or the first wire and the first semiconductor element in the film adhesive by compressing the second semiconductor element to which the film adhesive is attached through the film adhesive. bond process
A method of manufacturing a semiconductor device comprising:
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