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KR102424213B1 - 중합성 액정 조성물, 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치 - Google Patents

중합성 액정 조성물, 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치 Download PDF

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KR102424213B1
KR102424213B1 KR1020207022699A KR20207022699A KR102424213B1 KR 102424213 B1 KR102424213 B1 KR 102424213B1 KR 1020207022699 A KR1020207022699 A KR 1020207022699A KR 20207022699 A KR20207022699 A KR 20207022699A KR 102424213 B1 KR102424213 B1 KR 102424213B1
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KR
South Korea
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liquid crystal
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polymerizable liquid
carbon atoms
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KR1020207022699A
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다이스케 하야시
히로시 마츠야마
게이타 다카하시
게이스케 요시마사
노부유키 아쿠타가와
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은, 내구성이 우수한 광학 이방성막의 형성에 이용되는 중합성 액정 조성물, 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 중합성 액정 조성물은, 하기 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물과, 산성 화합물을 함유하고, 산성 화합물의 pKa가, -10 초과 5 이하이며, 산성 화합물의 함유량이, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여 20질량부 이하인, 중합성 액정 조성물이다.

Description

중합성 액정 조성물, 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치
본 발명은, 중합성 액정 조성물, 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.
역파장 분산성을 나타내는 중합성 화합물은, 넓은 파장 범위에서의 정확한 광선 파장의 변환이 가능해지는 것, 및 높은 굴절률을 갖기 때문에 위상차 필름을 박막화할 수 있는 것 등의 특징을 갖고 있기 때문에, 활발히 연구되고 있다.
또, 역파장 분산성을 나타내는 중합성 화합물로서는, 일반적으로 T형의 분자 설계 지침이 채택되고 있으며, 분자 장축의 파장을 단파장화하고, 분자 중앙에 위치하는 단축의 파장을 장파장화할 것이 요구되고 있다.
그 때문에, 분자 중앙에 위치하는 단축의 골격(이하, "역파장 분산 발현부"라고도 함)과, 분자 장축의 연결에는, 흡수 파장이 없는 사이클로알킬렌 골격을 이용하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1~3 참조).
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2010-031223호 특허문헌 2: 국제 공개공보 제2014/010325호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2016-081035호
본 발명자들은, 특허문헌 1~3에 대하여 검토한바, 중합성 화합물의 종류, 중합 개시제의 종류, 및 경화 온도 등의 중합 조건에 따라서는, 형성되는 광학 이방성막이 고온 또는 고습하에 노출된 경우에 있어서, 복굴절률이 변화되어 버리는 내구성의 문제가 있는 것을 명확히 했다.
따라서, 본 발명은, 내구성이 우수한 광학 이방성막의 형성에 이용되는 중합성 액정 조성물, 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 중합성 액정 화합물과 함께, 특정 pKa값을 충족시키는 산성 화합물을 이용하면, 형성되는 광학 이방성막의 내구성이 양호해지는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 이하의 구성에 의하여 상기 과제를 달성할 수 있는 것을 알아냈다.
[1] 후술하는 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물과, 산성 화합물을 함유하고,
산성 화합물의 pKa가, -10 초과 5 이하이며,
산성 화합물의 함유량이, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여 20질량부 이하인, 중합성 액정 조성물.
[2] 산성 화합물의 pKa의 값과, 산성 화합물의 중합성 액정 화합물 100질량부에 대한 함유량의 값이, 하기 식 (I)을 충족시키는, [1]에 기재된 중합성 액정 조성물.
0.01≤함유량의 값/(pKa의 값+10)≤1.5 …(I)
[3] 산성 화합물의 분자량이, 120 이상인, [1] 또는 [2]에 기재된 중합성 액정 조성물.
[4] 산성 화합물이, 인산 화합물, 포스폰산 화합물 및 설폰산 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 중합성 액정 조성물.
[5] 후술하는 식 (1) 중의 n이, 2를 나타내고, 또한 후술하는 식 (1) 중의 Ar이, 후술하는 식 (Ar-1)~(Ar-5)로 나타나는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방향환을 나타내는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 중합성 액정 조성물.
[6] [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 중합성 액정 조성물을 중합하여 얻어지는 광학 이방성막.
[7] 중합성 액정 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물이 중합 후에 수평 배향하고 있는, [6]에 기재된 광학 이방성막.
[8] [6] 또는 [7]에 기재된 광학 이방성막을 갖는 광학 필름.
[9] [8]에 기재된 광학 필름과, 편광자를 갖는, 편광판.
[10] [8]에 기재된 광학 필름, 또는 [9]에 기재된 편광판을 갖는, 화상 표시 장치.
본 발명에 의하면, 내구성이 우수한 광학 이방성막의 형성에 이용되는 중합성 액정 조성물, 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a는, 본 발명의 광학 필름의 일례를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 1b는, 본 발명의 광학 필름의 다른 일례를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 1c는, 본 발명의 광학 필름의 다른 일례를 나타내는 모식적인 단면도이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에 있어서, "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
또, 본 명세서에 있어서, 표기되는 2가의 기(예를 들면, -O-CO-)의 결합 방향은, 결합 위치를 명기하고 있는 경우를 제외하고, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 후술하는 식 (Ar-3) 중의 D1이 -CO-O-인 경우, SP1 측에 결합하고 있는 위치를 *1, 탄소 원자 측에 결합하고 있는 위치를 *2로 하면, D1은, *1-CO-O-*2여도 되고, *1-O-CO-*2여도 된다.
[중합성 액정 조성물]
본 발명의 중합성 액정 조성물은, 하기 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물(이하, "중합성 액정 화합물 (1)"이라고도 약기함)과, 산성 화합물을 함유하는 중합성 액정 조성물이다.
또, 산성 화합물의 pKa는, -10 초과 5 이하이다.
또한, 산성 화합물의 함유량은, 중합성 액정 화합물 (1) 100질량부에 대하여 20질량부 이하이다.
[화학식 1]
Figure 112020082235297-pct00001
본 발명에 있어서는, 상술한 바와 같이, 중합성 액정 화합물 (1)과 함께, pKa가 -10 초과 5 이하인 산성 화합물(이하, "특정 산성 화합물"이라고도 약기함)을 배합함으로써, 형성되는 광학 이방성막의 내구성이 양호해진다.
이것은, 상세하게는 명확하지 않지만, 본 발명자들은 이하와 같이 추측하고 있다.
먼저, 본 발명자들은, 내구성이 뒤떨어지는 원인은, 식 (1) 중의 Ar과 분자 장축의 연결에 이용되는 에스터 결합이, 고온 또는 고습의 환경하에 있어서 가수분해함으로써, 중합성기에 의하여 고정화된 액정 화합물의 일부가 유리(遊離)되어 가동성을 갖고, 복굴절률이 변화되어 버리는 것에서 기인하고 있다고 추측하고 있다.
그 때문에, 본 발명에 있어서는, 특정 산성 화합물을 배합함으로써, 조성물의 계내에 혼재되어 있는 염기성 성분을 중화하고, 염기성 성분의 존재에 의하여 촉진되는 가수분해의 진행이 억제된 결과, 내구성이 향상되었다고 생각된다.
이하, 본 발명의 중합성 액정 조성물의 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다.
〔중합성 액정 화합물 (1)〕
본 발명의 중합성 액정 조성물이 함유하는 중합성 액정 화합물 (1)은, 하기 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물이다.
[화학식 2]
Figure 112020082235297-pct00002
상기 식 (1) 중, Ar은, n가의 방향족기를 나타낸다.
D는, 단결합, -COO-, 또는 -OCO-를 나타낸다.
A는, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 이상의 방향환, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 이상의 사이클로알케인환을 나타낸다.
SP는, 단결합, 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기, 또는 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기를 구성하는 -CH2- 중 1개 이상이 -O-, -S-, -NH-, -N(Q)-, 혹은 -CO-로 치환된 2가의 연결기를 나타내고, Q는, 치환기를 나타낸다.
L은, 중합성기를 나타낸다.
m은, 0~2의 정수를 나타내며, n은, 1 또는 2의 정수를 나타낸다.
단, m 또는 n의 수에 의하여 복수가 되는 D, A, SP 및 L은, 모두, 서로 동일해도 되고 달라도 된다.
상기 식 (1) 중, Ar이 나타내는 방향족기란, 방향족성을 갖는 환을 포함하는 기를 말하며, 예를 들면 방향족 탄화 수소환 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 포함하는 n가의 기 등을 들 수 있다.
여기에서, 방향족 탄화 수소환으로서는, 예를 들면 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트롤린환 등을 들 수 있다
방향족 복소환으로서는, 예를 들면 퓨란환, 피롤환, 싸이오펜환, 피리딘환, 싸이아졸환, 벤조싸이아졸환 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 벤젠환, 싸이아졸환, 벤조싸이아졸환이 바람직하다.
상기 식 (1) 중, A가 나타내는 탄소수 6 이상의 방향환으로서는, 예를 들면 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트롤린환 등등의 방향족 탄화 수소환; 퓨란환, 피롤환, 싸이오펜환, 피리딘환, 싸이아졸환, 벤조싸이아졸환 등의 방향족 복소환을 들 수 있다. 그 중에서도, 벤젠환(예를 들면, 1,4-페닐기 등)이 바람직하다.
또, 상기 식 (1) 중, A가 나타내는 탄소수 6 이상의 사이클로알케인환으로서는, 예를 들면 사이클로헥세인환, 사이클로헵테인환, 사이클로옥테인환, 사이클로도데케인환, 사이클로도코세인환 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 사이클로헥세인환(예를 들면, 사이클로헥세인-1,4-다이일기 등)이 바람직하다.
또한, 탄소수 6 이상의 방향환 또는 탄소수 6 이상의 사이클로알케인환이 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 후술하는 식 (Ar-1) 중의 Y1이 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 식 (1) 중, SP가 나타내는 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기로서는, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 뷰틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 메틸헥실렌기, 헵틸렌기 등을 적합하게 들 수 있다. 또한, SP1 및 SP2는, 상술한 바와 같이, 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기를 구성하는 -CH2- 중 1개 이상이 -O-, -S-, -NH-, -N(Q)-, 혹은 -CO-로 치환된 2가의 연결기여도 되고, Q로 나타나는 치환기로서는, 후술하는 식 (Ar-1) 중의 Y1이 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 식 (1) 중, L이 나타내는 중합성기는, 특별히 한정되지 않지만, 라디칼 중합 또는 양이온 중합 가능한 중합성기가 바람직하다.
라디칼 중합성기로서는, 일반적으로 알려져 있는 라디칼 중합성기를 이용할 수 있으며, 적합한 것으로서, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 들 수 있다. 이 경우, 중합 속도는 아크릴로일기가 일반적으로 빠른 것이 알려져 있으며, 생산성 향상의 관점에서 아크릴로일기가 바람직하지만, 메타크릴로일기도 중합성기로서 동일하게 사용할 수 있다.
양이온 중합성기로서는, 일반적으로 알려져 있는 양이온 중합성을 이용할 수 있으며, 구체적으로는, 지환식 에터기, 환상 아세탈기, 환상 락톤기, 환상 싸이오에터기, 스파이로오쏘에스터기, 및 바이닐옥시기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 지환식 에터기, 또는 바이닐옥시기가 적합하고, 에폭시기, 옥세탄일기, 또는 바이닐옥시기가 특히 바람직하다.
특히 바람직한 중합성기의 예로서는 하기를 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112020082235297-pct00003
상기 식 (1) 중, m은, 0~2의 정수를 나타내며, 액정성 발현을 위하여 충분한 강직성을 나타내는 이유에서, 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다.
또, 상기 식 (1) 중, n은, 1 또는 2의 정수를 나타내며, 합성하기 쉽고, 또 액정성이 발현되기 쉬운 이유에서, 2인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 중합성 액정 화합물 중에서도 역파장 분산성의 중합성 액정 화합물을 사용한 경우에 있어서, 분해가 현저해지는 경향이 있는 이유에서, 상기 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물이, 역파장 분산성을 나타내는 화합물인 것이 바람직하다.
여기에서, "역파장 분산성"의 중합성 액정 화합물이란, 이것을 이용하여 제작된 위상차 필름의 특정 파장(가시광 범위)에 있어서의 면내의 리타데이션(Re)값을 측정했을 때에, 측정 파장이 커짐에 따라 Re값이 동등하거나 또는 높아지는 것을 말한다.
역파장 분산성을 나타내는 화합물로서는, 상기 식 (1) 중의 n이, 2를 나타내고, 또한 상기 식 (1) 중의 Ar이, 하기 식 (Ar-1)~(Ar-5)로 나타나는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방향환을 나타내는 화합물을 적합하게 들 수 있다. 또한, 하기 식 (Ar-1)~(Ar-5) 중, *산소 원자와의 결합 위치를 나타낸다.
[화학식 4]
Figure 112020082235297-pct00004
여기에서, 상기 식 (Ar-1) 중, Q1은, N 또는 CH를 나타내고, Q2는, -S-, -O-, 또는 -N(R1)-을 나타내며, R1은, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타내고, Y1은, 치환기를 가져도 되는, 탄소수 6~12의 방향족 탄화 수소기, 또는 탄소수 3~12의 방향족 복소환기를 나타낸다.
R1이 나타내는 탄소수 1~6의 알킬기로서는, 구체적으로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 및 n-헥실기 등을 들 수 있다.
Y1이 나타내는 탄소수 6~12의 방향족 탄화 수소기로서는, 예를 들면 페닐기, 2,6-다이에틸페닐기, 나프틸기 등의 아릴기를 들 수 있다.
Y1이 나타내는 탄소수 3~12의 방향족 복소환기로서는, 예를 들면 싸이엔일기, 싸이아졸일기, 퓨릴기, 피리딜기 등의 헤테로아릴기를 들 수 있다.
또, Y1이 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 예를 들면 알킬기, 알콕시기, 할로젠 원자 등을 들 수 있다.
알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 1~18의 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~8의 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, t-뷰틸기, 사이클로헥실기 등)가 보다 바람직하며, 탄소수 1~4의 알킬기인 것이 더 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.
알콕시기로서는, 예를 들면 탄소수 1~18의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1~8의 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-뷰톡시기, 메톡시에톡시기 등)가 보다 바람직하며, 탄소수 1~4의 알콕시기인 것이 더 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기인 것이 특히 바람직하다.
할로젠 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 불소 원자, 염소 원자인 것이 바람직하다.
또, 상기 식 (Ar-1)~(Ar-5) 중, Z1, Z2 및 Z3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~20의 1가의 지방족 탄화 수소기, 탄소수 3~20의 1가의 지환식 탄화 수소기, 탄소수 6~20의 1가의 방향족 탄화 수소기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, -OR2, -NR3R4, 또는 -SR5를 나타내고, R2~R5는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타내며, Z1 및 Z2는, 서로 결합하여 방향환을 형성해도 된다.
탄소수 1~20의 1가의 지방족 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~15의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~8의 알킬기가 보다 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 아이소프로필기, tert-펜틸기(1,1-다이메틸프로필기), tert-뷰틸기, 1,1-다이메틸-3,3-다이메틸-뷰틸기가 더 바람직하고, 메틸기, 에틸기, tert-뷰틸기가 특히 바람직하다.
탄소수 3~20의 1가의 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 메틸사이클로헥실기, 에틸사이클로헥실기 등의 단환식 포화 탄화 수소기; 사이클로뷰텐일기, 사이클로펜텐일기, 사이클로헥센일기, 사이클로헵텐일기, 사이클로옥텐일기, 사이클로데센일기, 사이클로펜타다이엔일기, 사이클로헥사다이엔일기, 사이클로옥타다이엔일기, 사이클로데카다이엔 등의 단환식 불포화 탄화 수소기; 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 트라이사이클로[5.2.1.02,6]데실기, 트라이사이클로[3.3.1.13,7]데실기, 테트라사이클로[6.2.1.13,6.02,7]도데실기, 아다만틸기 등의 다환식 포화 탄화 수소기 등을 들 수 있다.
탄소수 6~20의 1가의 방향족 탄화 수소기로서는, 구체적으로는, 예를 들면 페닐기, 2,6-다이에틸페닐기, 나프틸기, 바이페닐기 등을 들 수 있으며, 탄소수 6~12의 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다.
할로젠 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자인 것이 바람직하다.
한편, R6~R9가 나타내는 탄소수 1~6의 알킬기로서는, 구체적으로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 및 n-헥실기 등을 들 수 있다.
또, 상기 식 (Ar-2) 및 (Ar-3) 중, A1 및 A2는, 각각 독립적으로, -O-, -N(R6)-, -S-, 및 -CO-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고, R6은, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
R6이 나타내는 치환기로서는, 상기 식 (Ar-1) 중의 Y1이 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
또, 상기 식 (Ar-2) 중, X는, 수소 원자 또는 치환기가 결합하고 있어도 되는 제14~16족의 비금속 원자를 나타낸다.
또, X가 나타내는 제14~16족의 비금속 원자로서는, 예를 들면 산소 원자, 황 원자, 치환기를 갖는 질소 원자, 치환기를 갖는 탄소 원자를 들 수 있으며, 치환기로서는, 구체적으로는, 예를 들면 알킬기, 알콕시기, 알킬 치환 알콕시기, 환상 알킬기, 아릴기(예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등), 사이아노기, 아미노기, 나이트로기, 알킬카보닐기, 설포기, 수산기 등을 들 수 있다.
또, 상기 식 (Ar-3) 중, D1 및 D2는, 각각 독립적으로, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -S-, -C(=S)-, -CR7R8-, -CR9=CR10-, -NR11-, 혹은 이들 중 2개 이상의 조합으로 이루어지는 2가의 연결기를 나타내고, R7~R11은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타낸다.
여기에서, D1 및 D2가 나타내는 2가의 연결기로서는, 예를 들면 -CO-O-, -C(=S)O-, -CR7R8-, -CR7R8-CR7R8-, -O-CR7R8-, -CR7R8-O-CR7R8-, -CO-O-CR7R8-, -O-CO-CR7R8-, -CR7R8-O-CO-CR7R8-, -CR7R8-CO-O-CR7R8-, -NR11-CR7R8-, 및 -CO-NR11- 등을 들 수 있다. 그 중에서도, -CO-O-인 것이 바람직하다.
또, 상기 식 (Ar-3) 중, SP1 및 SP2는, 각각 독립적으로, 단결합, 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기, 또는 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기를 구성하는 -CH2- 중 1개 이상이 -O-, -S-, -NH-, -N(Q)-, 혹은 -CO-로 치환된 2가의 연결기를 나타내고, Q는, 치환기를 나타낸다. 치환기로서는, 상기 식 (Ar-1) 중의 Y1이 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
여기에서, 2가의 연결기로서는, 상기 식 (1) 중의 SP에 있어서 설명한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
또, 상기 식 (Ar-3) 중, L1 및 L2는, 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타낸다.
여기에서, 1가의 유기기로서는, 예를 들면 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있다. 알킬기는, 직쇄상, 분기상 또는 환상이어도 되지만, 직쇄상이 바람직하다. 알킬기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 또, 아릴기는, 단환이어도 되고 다환이어도 되지만 단환이 바람직하다. 아릴기의 탄소수는, 6~25가 바람직하고, 6~10이 보다 바람직하다. 또, 헤테로아릴기는, 단환이어도 되고 다환이어도 된다. 헤테로아릴기를 구성하는 헤테로 원자의 수는 1~3이 바람직하다. 헤테로아릴기를 구성하는 헤테로 원자는, 질소 원자, 황 원자, 산소 원자가 바람직하다. 헤테로아릴기의 탄소수는 6~18이 바람직하고, 6~12가 보다 바람직하다. 또, 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는, 무치환이어도 되고, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 상기 식 (Ar-1) 중의 Y1이 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
또, 상기 식 (Ar-4)~(Ar-5) 중, Ax는, 방향족 탄화 수소환 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 갖는, 탄소수 2~30의 유기기를 나타낸다.
또, 상기 식 (Ar-4)~(Ar-5) 중, Ay는, 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~12의 알킬기, 또는 방향족 탄화 수소환 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 갖는, 탄소수 2~30의 유기기를 나타낸다.
여기에서, Ax 및 Ay에 있어서의 방향환은, 치환기를 갖고 있어도 되고, Ax와 Ay가 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
또, Q3은, 수소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.
Ax 및 Ay로서는, 특허문헌 2(국제 공개공보 제2014/010325호)의 [0039]~[0095]단락에 기재된 것을 들 수 있다.
또, Q3이 나타내는 탄소수 1~6의 알킬기로서는, 구체적으로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 및 n-헥실기 등을 들 수 있으며, 치환기로서는, 상기 식 (Ar-1) 중의 Y1이 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물 (1)로서는, 구체적으로는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2008-297210호에 기재된 일반식 (I)로 나타나는 화합물(특히, 단락 번호 [0034]~[0039]에 기재된 화합물), 일본 공개특허공보 2010-084032호에 기재된 일반식 (1)로 나타나는 화합물(특히, 단락 번호 [0067]~[0073]에 기재된 화합물), 일본 공개특허공보 2016-053709호에 기재된 일반식 (II)로 나타나는 화합물(특히, 단락 번호 [0036]~[0043]에 기재된 화합물), 및 일본 공개특허공보 2016-081035호에 기재된 일반식 (1)로 나타나는 화합물(특히, 단락 번호 [0043]~[0055]에 기재된 화합물) 등을 들 수 있다.
또, 역파장 분산성이 향상되는 이유에서, 상기 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물 (1)로서는, 상기 식 (1) 중의 D가 단결합이며, 또한 상기 식 (1) 중의 A가 탄소수 6 이상의 사이클로알케인환을 나타내는 중합성 액정 화합물도 들 수 있다.
이와 같은 중합성 액정 화합물로서는, 예를 들면 하기 식 (1)~(10)으로 나타나는 화합물을 적합하게 들 수 있고, 구체적으로는, 하기 식 (1)~(10) 중의 K(측쇄 구조)로서, 하기 표 1 및 표 2에 나타내는 측쇄 구조를 갖는 화합물을 각각 들 수 있다.
또한, 하기 표 1 및 표 2 중, K의 측쇄 구조에 나타나는 "*"는, 방향환과의 결합 위치를 나타낸다.
또, 이하의 설명에 있어서는, 하기 식 (1)로 나타나며, 또한 하기 표 1 중의 1-1에 나타내는 기를 갖는 화합물을 "화합물 (1-1-1)"이라고 표기하고, 다른 구조식 및 기를 갖는 화합물에 대해서도 동일한 방법으로 표기한다. 예를 들면, 하기 식 (2)로 나타나고, 또한 하기 표 2 중의 2-3에 나타내는 기를 갖는 화합물은 "화합물 (2-2-3)"이라고 표기할 수 있다.
또, 하기 표 1 중의 1-2 및 하기 표 2 중의 2-2로 나타나는 측쇄 구조에 있어서, 각각 아크릴로일옥시기 및 메타크릴로일기에 인접하는 기는, 프로필렌기(메틸기가 에틸렌기로 치환된 기)를 나타내고, 메틸기의 위치가 상이한 위치 이성체의 혼합물을 나타낸다.
[화학식 5]
Figure 112020082235297-pct00005
[표 1]
Figure 112020082235297-pct00006
[표 2]
Figure 112020082235297-pct00007
〔특정 산성 화합물〕
본 발명의 중합성 액정 조성물이 함유하는 특정 산성 화합물은, pKa가 -10 초과 5 이하가 되는 산성 화합물이다.
여기에서, pKa란, 산해리 상수이며, 이 값이 낮을수록 산 강도가 큰 것을 나타내고 있다.
본 명세서에 있어서, pKa는 이하의 (i)부터 (v)의 절차에 근거하여 산출한다. 즉, (i)에서 특정 산성 화합물의 pKa를 산출할 수 있는 경우는, (i)에서 산출된 pKa를 특정 산성 화합물의 pKa로 한다. (i)에 의하여 pKa를 산출할 수 없는 경우는, (ii)에 의하여 pKa의 산출을 시도하고, (ii)에서 pKa를 산출할 수 있는 경우는, 그 값을 특정 산성 화합물의 pKa로 한다. 또, (ii)에 의하여 pKa를 산출할 수 없는 경우는, (iii)에 의하여 pKa의 산출을 시도하고, (iii)에서 pKa를 산출할 수 있는 경우는, 그 값을 특정 산성 화합물의 pKa로 한다. 또한 (iii)에 의하여 pKa를 산출할 수 없는 경우는, (iv)에 의하여 pKa의 산출을 시도하고, (iv)에서 pKa를 산출된 값을 특정 산성 화합물의 pKa로 한다. 또한 (iv)에 의하여 pKa를 산출할 수 없는 경우는, (v)에 의하여 pKa의 산출을 시도하고, (v)에서 pKa를 산출된 값을 특정 산성 화합물의 pKa로 한다.
(i) 하기 소프트웨어 패키지 1을 이용하여, 하메트의 치환기 상수 및 공지 문헌값의 데이터베이스에 근거한 pKa값을, 계산에 의하여 구한다.
<소프트웨어 패키지 1>
Marvin Sketch 18.3(ChemAxon)
상기 소프트웨어 패키지 1에서 계산 가능한 화합물의 pKa는 그것의 소수점 두번째 자릿수를 반올림하여 사용한다.
(ii) 소프트웨어 패키지 1에서 계산할 수 없는 화합물은 소프트웨어 패키지 2를 이용하여 구한다.
<소프트웨어 패키지 2>
Advanced Chemistry Development(ACD/Labs) Software V8.14for Solaris(1994-2007ACD/Labs).
상기 소프트웨어 패키지 2에서 계산 가능한 화합물의 pKa는 그것의 소수점 두번째 자릿수를 반올림하여 사용한다.
(iii) 소프트웨어 패키지 2에서 계산할 수 없는 초(超)강산(프로그램의 문제로 계산할 수 없는 붕소 원자, 또는 인 원자 등을 포함하는 초원자가의 화합물)은 문헌 1(J.Org.Chem., 2011, 76, 391)의 표 1에 기재된 pKa(DCE)를 인용한다. 여기에서 DCM은, 1,2-다이클로로에테인 용매 중에서의 pKa를 의미하고 있다.
(iv) 또한 상기 문헌 1에도 기재되지 않은 초강산에 대해서는, 문헌 2(Angew.Chem.Int.Ed., 2004, 43, 2066)의 표 3에 기재된"Fluoride ion affinity of the Lewis Acid [kJ/mol]"를 참고로 환산 계수를 이용하여 산출한다.
즉, 문헌 1 및 문헌 2의 양방에 기재가 있는 "HBF4"의 pKa(-10.3)와 Fluoride ion affinity of the Lewis Acid(338)의 비례 계산으로부터 유도한 환산 계수(-10.3/338)를, 문헌 2에 기재된 각 성분의 Fluoride ion affinity of the Lewis Acid의 값에 곱함으로써, pKa를 산출한다. 예를 들면, 문헌 2의 표 3 중의 [PF6]-의 Fluoride ion affinity of the Lewis Acid의 값이 394인 점에서, HPF6의 pKa는 394×(-10.3/338)=-12.0으로 산출할 수 있다.
(v) 상기의 (i)~(iv)에서 산출할 수 없는 초강산과, 상기 문헌 1 및 문헌 2에 기재가 없는 화합물에 대해서는, 유사한 구조를 갖는 화합물과 동등한 값으로서 본 발명에서는 정의한다.
본 발명에 있어서는, 내구성이 보다 향상되는 이유에서, 특정 산성 화합물의 pKa는, -5~5인 것이 바람직하고, -2~3인 것이 보다 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서는, 광학 이방성막의 형성 시에 휘발되기 어려우며, 내구성이 보다 향상되는 이유에서, 특정 산성 화합물의 분자량이, 120 이상인 것이 바람직하고, 120 이상 500 이하인 것이 보다 바람직하며, 150 이상 350 이하인 것이 더 바람직하다.
이와 같은 특정 산성 화합물로서는, 구체적으로는, 예를 들면 하기 표 3에 나타내는 화합물을 적합하게 들 수 있다.
[표 3]
Figure 112020082235297-pct00008
또한, 본 발명에 있어서는, 내구성이 보다 향상되는 이유에서, 특정 산성 화합물이, 인산 화합물, 포스폰산 화합물 및 설폰산 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것이 바람직하고, 포스폰산 화합물 또는 설폰산 화합물인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 특정 산성 화합물의 함유량은, 상기 중합성 액정 화합물 (1) 100질량부에 대하여 20질량부 이하이며, 0.05~20질량부인 것이 바람직하고, 0.1~10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.2~5질량부인 것이 더 바람직하다.
또한, 특정 산성 화합물의 상술한 함유량은, 본 발명의 중합성 액정 조성물이, 후술하는 다른 중합성 화합물을 함유하고 있는 경우는, 상기 중합성 액정 화합물 (1) 및 다른 중합성 화합물의 합계 100질량부에 대한 함유량(질량부)을 말한다.
특히, 내구성이 보다 향상되는 이유에서, 특정 산성 화합물의 pKa의 값과, 특정 산성 화합물의 상기 중합성 액정 화합물 (1) 100질량부에 대한 함유량(질량부)의 값이, 하기 식 (I)을 충족시키고 있는 것이 바람직하고, 하기 식 (Ia)를 충족시키고 있는 것이 보다 바람직하며, 하기 식 (Ib)를 충족시키고 있는 것이 더 바람직하고, 하기 식 (Ic)를 충족시키고 있는 것이 특히 바람직하다.
0.01≤함유량의 값/(pKa의 값+10)≤1.5 …(I)
0.03≤함유량의 값/(pKa의 값+10)≤1.0 …(Ia)
0.05≤함유량의 값/(pKa의 값+10)≤1.8 …(Ib)
0.10≤함유량의 값/(pKa의 값+10)≤1.6 …(Ic)
〔다른 중합성 화합물〕
본 발명의 중합성 액정 조성물은, 상술한 중합성 액정 화합물 (I) 및 중합성 화합물 (II) 이외에, 중합성기를 1개 이상 갖는 다른 중합성 화합물을 포함하고 있어도 된다.
여기에서, 다른 중합성 화합물이 갖는 중합성기는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 바이닐기, 스타이릴기, 알릴기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴로일기, 메타크릴로일기를 갖고 있는 것이 바람직하다.
다른 중합성 화합물로서는, 형성되는 광학 이방성막의 습열 내구성이 보다 향상되는 이유에서, 중합성기를 1개~4개 갖는 다른 중합성 화합물인 것이 바람직하고, 중합성기를 2개 갖는 다른 중합성 화합물인 것이 보다 바람직하다.
다른 중합성 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2016-053709호의 [0073]~[0074]단락에 기재된 화합물을 들 수 있다.
또, 다른 중합성 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2014-077068호의 [0030]~[0033]단락에 기재된 식 (M1), (M2), (M3)으로 나타나는 화합물을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는, 동 공보의 [0046]~[0055]단락에 기재된 구체예를 들 수 있다.
또, 다른 중합성 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2014-198814호에 기재된 식 (1)~(3)의 구조의 것도 바람직하게 이용할 수 있으며, 보다 구체적으로는, 동 공보의 [0020]~[0035], [0042]~[0050], [0056]~[0057]단락에 기재된 구체예를 들 수 있다.
이와 같은 다른 중합성 화합물을 함유하는 경우의 함유량은, 상술한 중합성 액정 화합물 (I) 및 중합성 화합물 (II)를 포함하는 합계 질량에 대하여, 50질량% 미만인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 2~30질량%인 것이 더 바람직하다.
〔중합 개시제〕
본 발명의 중합성 액정 조성물은, 중합 개시제를 함유하고 있는 것이 바람직하다.
사용하는 중합 개시제는, 자외선(UV) 조사에 의하여 중합 반응을 개시 가능한 광중합 개시제인 것이 바람직하다.
광중합 개시제로서는, 예를 들면 α-카보닐 화합물(미국 특허공보 제2367661호, 동 2367670호의 각 명세서 기재), 아실로인에터(미국 특허공보 제2448828호 기재), α-탄화 수소 치환 방향족 아실로인 화합물(미국 특허공보 제2722512호 기재), 다핵 퀴논 화합물(미국 특허공보 제3046127호, 동2951758호의 각 명세서 기재), 트라이아릴이미다졸 다이머와 p-아미노페닐케톤의 조합(미국 특허공보 제3549367호 기재), 아크리딘 및 페나진 화합물(일본 공개특허공보 소60-105667호, 미국 특허공보 제4239850호 기재) 및 옥사다이아졸 화합물(미국 특허공보 제4212970호 기재), 아실포스핀옥사이드 화합물(일본 공고특허공보 소63-040799호, 일본 공고특허공보 평5-029234호, 일본 공개특허공보 평10-095788호, 일본 공개특허공보 평10-029997호 기재) 등을 들 수 있다.
또, 본 발명에 있어서는, 중합 개시제가 옥심형의 중합 개시제인 것도 바람직하고, 그 구체예로서는, 국제 공개공보 제2017/170443호의 [0049]~[0052]단락에 기재된 개시제를 들 수 있다.
〔용매〕
본 발명의 중합성 액정 조성물은, 광학 이방성막을 형성하는 작업성 등의 관점에서, 용매를 함유하는 것이 바람직하다.
용매로서는, 구체적으로는, 예를 들면 케톤류(예를 들면, 아세톤, 2-뷰탄온, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온 등), 에터류(예를 들면, 다이옥세인, 테트라하이드로퓨란 등), 지방족 탄화 수소류(예를 들면, 헥세인 등), 지환식 탄화 수소류(예를 들면, 사이클로헥세인 등), 방향족 탄화 수소류(예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 트라이메틸벤젠 등), 할로젠화 탄소류(예를 들면, 다이클로로메테인, 다이클로로에테인, 다이클로로벤젠, 클로로톨루엔 등), 에스터류(예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸 등), 물, 알코올류(예를 들면, 에탄올, 아이소프로판올, 뷰탄올, 사이클로헥산올 등), 셀로솔브류(예를 들면, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브 등), 셀로솔브아세테이트류, 설폭사이드류(예를 들면, 다이메틸설폭사이드 등), 아마이드류(예를 들면, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드 등) 등을 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
〔레벨링제〕
본 발명의 중합성 액정 조성물은, 광학 이방성막의 표면을 평활하게 유지하고, 배향 제어를 용이하게 하는 관점에서, 레벨링제를 함유하는 것이 바람직하다.
이와 같은 레벨링제로서는, 첨가량에 대한 레벨링 효과가 높은 이유에서, 불소계 레벨링제 또는 규소계 레벨링제인 것이 바람직하고, 삼출(블룸, 블리드)을 일으키기 어려운 관점에서, 불소계 레벨링제인 것이 보다 바람직하다.
레벨링제로서는, 구체적으로는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2007-069471호의 [0079]~[0102]단락의 기재에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-047204호에 기재된 일반식 (I)로 나타나는 화합물(특히 [0020]~[0032]단락에 기재된 화합물), 일본 공개특허공보 2012-211306호에 기재된 일반식 (I)로 나타나는 화합물(특히 [0022]~[0029]단락에 기재된 화합물), 일본 공개특허공보 2002-129162호에 기재된 일반식 (I)로 나타나는 액정 배향 촉진제(특히 [0076]~[0078] 및 [0082]~[0084]단락에 기재된 화합물), 일본 공개특허공보 2005-099248호에 기재된 일반식 (I), (II) 및 (III)으로 나타나는 화합물(특히 [0092]~[0096]단락에 기재된 화합물) 등을 들 수 있다. 또한, 후술하는 배향 제어제로서의 기능을 겸비해도 된다.
〔배향 제어제〕
본 발명의 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라, 배향 제어제를 함유할 수 있다.
배향 제어제에 의하여, 호모지니어스 배향 외에, 호메오트로픽 배향(수직 배향), 경사 배향, 하이브리드 배향, 콜레스테릭 배향 등의 다양한 배향 상태를 형성할 수 있고, 또 특정 배향 상태를 보다 균일하고 보다 정밀하게 제어하여 실현할 수 있다.
호모지니어스 배향을 촉진하는 배향 제어제로서는, 예를 들면 저분자의 배향 제어제나, 고분자의 배향 제어제를 이용할 수 있다.
저분자의 배향 제어제로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2002-020363호의 [0009]~[0083]단락, 일본 공개특허공보 2006-106662호의 [0111]~[0120]단락, 및 일본 공개특허공보 2012-211306 공보의 [0021]~[0029]단락의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
또, 고분자의 배향 제어제로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2004-198511호의 [0021]~[0057]단락, 및 일본 공개특허공보 2006-106662호의 [0121]~[0167]단락을 참조할 수 있으며, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
또, 호메오트로픽 배향을 형성 또는 촉진하는 배향 제어제로서는, 예를 들면 보론산 화합물, 오늄염 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-225281호의 [0023]~[0032]단락, 일본 공개특허공보 2012-208397호의 [0052]~[0058]단락, 일본 공개특허공보 2008-026730호의 [0024]~[0055]단락, 일본 공개특허공보 2016-193869호의 [0043]~[0055]단락 등에 기재된 화합물을 참조할 수 있으며, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
한편, 콜레스테릭 배향은, 본 발명의 중합성 조성물에 카이랄제를 첨가함으로써 실현할 수 있고, 그 카이랄성의 방향에 의하여 콜레스테릭 배향의 선회 방향을 제어할 수 있다. 또한, 카이랄제의 배향 규제력에 따라 콜레스테릭 배향의 피치를 제어할 수 있다.
배향 제어제를 함유하는 경우의 함유량은, 중합성 액정 조성물 중의 전고형분 질량에 대하여 0.01~10질량%인 것이 바람직하고, 0.05~5질량%인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 원하는 배향 상태를 실현하면서, 석출이나 상분리(相分離), 배향 결함 등이 없고, 균일하고 투명성이 높은 광학 이방성막을 얻을 수 있다.
이들 배향 제어제는, 또한 중합성 관능기, 특히 본 발명의 중합성 액정 조성물을 구성하는 중합성 액정 화합물과 중합 가능한 중합성 관능기를 부여할 수 있다.
〔그 외의 성분〕
본 발명의 중합성 액정 조성물은, 상술한 성분 이외의 성분을 함유해도 되고, 예를 들면 상술한 중합성 액정 화합물 이외의 액정 화합물, 계면활성제, 틸트각 제어제, 배향 조제(助劑), 가소제, 및 가교제 등을 들 수 있다.
[광학 이방성막]
본 발명의 광학 이방성막은, 상술한 본 발명의 중합성 액정 조성물을 중합하여 얻어지는 광학 이방성막이다.
광학 이방성막의 형성 방법으로서는, 예를 들면 상술한 본 발명의 중합성 액정 조성물을 이용하여, 원하는 배향 상태로 한 후에, 중합에 의하여 고정화하는 방법 등을 들 수 있다.
여기에서, 중합 조건은 특별히 한정되지 않지만, 광조사에 의한 중합에 있어서는, 자외선을 이용하는 것이 바람직하다. 조사량은, 10mJ/cm2~50J/cm2인 것이 바람직하고, 20mJ/cm2~5J/cm2인 것이 보다 바람직하며, 30mJ/cm2~3J/cm2인 것이 더 바람직하고, 50~1000mJ/cm2인 것이 특히 바람직하다. 또, 중합 반응을 촉진하기 위하여, 가열 조건하에서 실시해도 된다.
또한, 본 발명에 있어서는, 광학 이방성막은, 후술하는 본 발명의 광학 필름에 있어서의 임의의 지지체 상이나, 후술하는 본 발명의 편광판에 있어서의 편광자 상에 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 형성되는 광학 이방성막을 포지티브 A 플레이트로서 기능시키는 이유에서, 상술한 본 발명의 중합성 액정 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물이, 중합 후에 수평 배향된 상태로 고정화하고 있는 것이 바람직하다.
여기에서, 포지티브 A 플레이트(양의 A 플레이트)는 이하와 같이 정의된다.
포지티브 A 플레이트는, 필름면 내의 지상축(遲相軸) 방향(면내에서의 굴절률이 최대가 되는 방향)의 굴절률을 nx, 면내의 지상축과 면내에서 직교하는 방향의 굴절률을 ny, 두께 방향의 굴절률을 nz로 했을 때에, 하기 식 (A1)의 관계를 충족시키는 것이다. 또한, 포지티브 A 플레이트는, Rth가 양의 값을 나타낸다.
식 (A1) nx>ny≒nz
또한, 상기 "≒"이란, 양자(兩者)가 완전히 동일한 경우뿐만 아니라, 양자가 실질적으로 동일한 경우도 포함한다. "실질적으로 동일"이란, 예를 들면 (ny-nz)×d(단, d는 필름의 두께임)가, -10~10nm, 바람직하게는 -5~5nm인 경우도 "ny≒nz"에 포함되고, (nx-nz)×d가, -10~10nm, 바람직하게는 -5~5nm인 경우도 "nx≒nz"에 포함된다.
본 발명의 광학 이방성막은, 하기 식 (II)를 충족시키고 있는 것이 바람직하다.
0.50<Re(450)/Re(550)<1.00 …(II)
여기에서, 상기 식 (II) 중, Re(450)은, 광학 이방성막의 파장 450nm에 있어서의 면내 리타데이션을 나타내고, Re(550)은, 광학 이방성막의 파장 550nm에 있어서의 면내 리타데이션을 나타낸다. 또한, 본 명세서에 있어서, 리타데이션의 측정 파장을 명기하고 있지 않은 경우는, 측정 파장은 550nm로 한다.
또, 면내 리타데이션 및 두께 방향의 리타데이션의 값은, AxoScan OPMF-1(옵토 사이언스사제)을 이용하고, 측정 파장의 광을 이용하여 측정한 값을 말한다.
구체적으로는, AxoScan OPMF-1에서, 평균 굴절률((Nx+Ny+Nz)/3)과 막두께(d(μm))를 입력함으로써,
지상축 방향(°)
Re(λ)=R0(λ)
Rth(λ)=((nx+ny)/2-nz)×d
가 산출된다.
또한, R0(λ)는, AxoScan OPMF-1로 산출되는 수치로서 표시되는 것이며, Re(λ)를 의미하고 있다.
[광학 필름]
본 발명의 광학 필름은, 본 발명의 광학 이방성막을 갖는 광학 필름이다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c(이하, 이들 도면을 특별히 구별을 필요로 하지 않는 경우는 "도 1"이라고 약기함)는, 각각 본 발명의 광학 필름의 일례를 나타내는 모식적인 단면도이다.
또한, 도 1은 모식도이고, 각 층의 두께의 관계나 위치 관계 등은 반드시 실제의 것과는 일치하는 것은 아니며, 도 1에 나타내는 지지체, 배향막 및 하드 코트층은, 모두 임의의 구성 부재이다.
도 1에 나타내는 광학 필름(10)은, 지지체(16)와, 배향막(14)과, 광학 이방성막(12)을 이 순서로 갖는다.
또, 광학 필름(10)은, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 지지체(16)의 배향막(14)이 마련된 측과는 반대 측에 하드 코트층(18)을 갖고 있어도 되고, 도 1c에 나타내는 바와 같이, 광학 이방성막(12)의 배향막(14)이 마련된 측과는 반대 측에 하드 코트층(18)을 갖고 있어도 된다.
이하, 본 발명의 광학 필름에 이용되는 다양한 부재에 대하여 상세하게 설명한다.
〔광학 이방성막〕
본 발명의 광학 필름이 갖는 광학 이방성막은, 상술한 본 발명의 광학 이방성막이다.
본 발명의 광학 필름에 있어서는, 상기 광학 이방성막의 두께에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 0.1~10μm인 것이 바람직하고, 0.5~5μm인 것이 보다 바람직하다.
〔지지체〕
본 발명의 광학 필름은, 상술한 바와 같이, 광학 이방성막을 형성하기 위한 기재로서 지지체를 갖고 있어도 된다.
이와 같은 지지체는, 투명한 것이 바람직하고, 구체적으로는, 광투과율이 80% 이상인 것이 바람직하다.
이와 같은 지지체로서는, 예를 들면 유리 기판이나 폴리머 필름을 들 수 있으며, 폴리머 필름의 재료로서는, 셀룰로스계 폴리머; 폴리메틸메타크릴레이트, 락톤환 함유 중합체 등의 아크릴산 에스터 중합체를 갖는 아크릴계 폴리머; 열가소성 노보넨계 폴리머; 폴리카보네이트계 폴리머; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스터계 폴리머; 폴리스타이렌, 아크릴로나이트릴·스타이렌 공중합체(AS 수지) 등의 스타이렌계 폴리머; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌·프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀계 폴리머; 염화 바이닐계 폴리머; 나일론, 방향족 폴리아마이드 등의 아마이드계 폴리머; 이미드계 폴리머; 설폰계 폴리머; 폴리에터설폰계 폴리머; 폴리에터에터케톤계 폴리머; 폴리페닐렌설파이드계 폴리머; 염화 바이닐리덴계 폴리머; 바이닐알코올계 폴리머; 바이닐뷰티랄계 폴리머; 아릴레이트계 폴리머; 폴리옥시메틸렌계 폴리머; 에폭시계 폴리머 또는 이들 폴리머를 혼합한 폴리머를 들 수 있다.
또, 후술하는 편광자가 이와 같은 지지체를 겸하는 양태여도 된다.
본 발명에 있어서는, 상기 지지체의 두께에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 5~60μm인 것이 바람직하고, 5~30μm인 것이 보다 바람직하다.
〔배향막〕
본 발명의 광학 필름은, 상술한 임의의 지지체를 갖는 경우, 지지체와 광학 이방성막의 사이에, 배향막을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 상술한 지지체가 배향막을 겸하는 양태여도 된다.
배향막은, 일반적으로는 폴리머를 주성분으로 한다. 배향막용 폴리머 재료로서는, 다수의 문헌에 기재가 있으며, 다수의 시판품을 입수할 수 있다.
본 발명에 있어서 이용되는 폴리머 재료는, 폴리바이닐알코올 또는 폴리이미드, 및 그 유도체가 바람직하다. 특히 변성 또는 미변성의 폴리바이닐알코올이 바람직하다.
본 발명에 사용 가능한 배향막에 대해서는, 예를 들면 국제 공개공보 제 01/088574호의 43페이지 24행~49페이지 8행에 기재된 배향막; 일본 특허공보 제3907735호의 단락 [0071]~[0095]에 기재된 변성 폴리바이닐알코올; 일본 공개특허공보 2012-155308호에 기재된 액정 배향제에 의하여 형성되는 액정 배향막 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 배향막의 형성 시에 배향막 표면에 접촉하지 않음으로써 면상(面狀) 악화를 방지하는 것이 가능해지는 이유에서, 배향막으로서는 광배향막을 이용하는 것도 바람직하다.
광배향막으로서는 특별히 한정은 되지 않지만, 국제 공개공보 제2005/096041호의 단락 [0024]~[0043]에 기재된 폴리아마이드 화합물이나 폴리이미드 화합물 등의 폴리머 재료; 일본 공개특허공보 2012-155308호에 기재된 광배향성기를 갖는 액정 배향제에 의하여 형성되는 액정 배향막; Rolic Technologies사제의 상품명 LPP-JP265CP 등을 이용할 수 있다.
또, 본 발명에 있어서는, 상기 배향막의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 지지체에 존재할 수 있는 표면 요철을 완화하여 균일한 막두께의 광학 이방성막을 형성한다는 관점에서, 0.01~10μm인 것이 바람직하고, 0.01~1μm인 것이 보다 바람직하며, 0.01~0.5μm인 것이 더 바람직하다.
〔하드 코트층〕
본 발명의 광학 필름은, 필름의 물리적 강도를 부여하기 위하여, 하드 코트층을 갖고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 지지체의 배향막이 마련된 측과는 반대 측에 하드 코트층을 갖고 있어도 되고(도 1b 참조), 광학 이방성막의 배향막이 마련된 측과는 반대 측에 하드 코트층을 갖고 있어도 된다(도 1c 참조).
하드 코트층으로서는 일본 공개특허공보 2009-098658호의 단락 [0190]~[0196]에 기재된 것을 사용할 수 있다.
〔다른 광학 이방성막〕
본 발명의 광학 필름은, 본 발명의 광학 이방성막과는 별도로, 다른 광학 이방성막을 갖고 있어도 된다.
즉, 본 발명의 광학 필름은, 본 발명의 광학 이방성막과 다른 광학 이방성막의 적층 구조를 갖고 있어도 된다.
이와 같은 다른 광학 이방성막은, 상술한 중합성 액정 화합물 (I) 및 중합성 화합물 (II) 중 어느 일방을 배합하지 않고, 상술한 다른 중합성 화합물(특히, 액정 화합물)을 이용하여 얻어지는 광학 이방성막이면 특별히 한정되지 않는다.
여기에서, 일반적으로, 액정 화합물은 그 형상으로부터, 봉상 타입과 원반상 타입으로 분류할 수 있다. 또한, 각각 저분자와 고분자 타입이 있다. 고분자란 일반적으로 중합도가 100 이상인 것을 가리킨다(고분자 물리·상전이 다이내믹스, 도이 마사오저, 2페이지, 이와나미 쇼텐, 1992). 본 발명에서는, 어떤 액정 화합물도 이용할 수 있지만, 봉상 액정 화합물 또는 디스코틱 액정 화합물(원반상 액정 화합물)을 이용하는 것이 바람직하다. 2종 이상의 봉상 액정 화합물, 2종 이상의 원반상 액정 화합물, 또는 봉상 액정 화합물과 원반상 액정 화합물의 혼합물을 이용해도 된다. 상술한 액정 화합물의 고정화를 위하여, 중합성기를 갖는 봉상 액정 화합물 또는 원반상 액정 화합물을 이용하여 형성하는 것이 보다 바람직하며, 액정 화합물이 1분자 중에 중합성기를 2 이상 갖는 것이 더 바람직하다. 액정 화합물이 2종류 이상의 혼합물인 경우에는, 적어도 1종류의 액정 화합물이 1분자 중에 2 이상의 중합성기를 갖고 있는 것이 바람직하다.
봉상 액정 화합물로서는, 예를 들면 일본 공표특허공보 평11-513019호의 청구항 1이나 일본 공개특허공보 2005-289980호의 단락 [0026]~[0098]에 기재된 것을 바람직하게 이용할 수 있으며, 디스코틱 액정 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2007-108732호의 단락 [0020]~[0067]이나 일본 공개특허공보 2010-244038호의 단락 [0013]~[0108]에 기재된 것을 바람직하게 이용할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
〔자외선 흡수제〕
본 발명의 광학 필름은, 외광(특히 자외선)의 영향을 고려하여, 자외선(UV) 흡수제를 포함하는 것이 바람직하다.
자외선 흡수제는, 본 발명의 광학 이방성막에 함유되어 있어도 되고, 본 발명의 광학 필름을 구성하는 광학 이방성막 이외의 부재에 함유되어 있어도 된다. 광학 이방성막 이외의 부재로서는, 예를 들면 지지체를 적합하게 들 수 있다.
자외선 흡수제로서는, 자외선 흡수성을 발현할 수 있는 종래 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 이와 같은 자외선 흡수제 중, 자외선 흡수성이 높고, 화상 표시 장치에서 이용되는 자외선 흡수능(자외선 컷능)을 얻는 관점에서, 벤조트라이아졸계 또는 하이드록시페닐트라이아진계의 자외선 흡수제를 이용하는 것이 바람직하다.
또, 자외선의 흡수폭을 넓히기 위하여, 최대 흡수 파장이 상이한 자외선 흡수제를 2종 이상 병용할 수 있다.
자외선 흡수제로서는, 구체적으로는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-018395호의 [0258]~[0259]단락에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2007-072163호의 [0055]~[0105]단락에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
또, 시판품으로서 Tinuvin400, Tinuvin405, Tinuvin460, Tinuvin477, Tinuvin479, 및 Tinuvin1577(모두 BASF사제) 등을 이용할 수 있다.
[편광판]
본 발명의 편광판은, 상술한 본 발명의 광학 필름과, 편광자를 갖는 것이다.
〔편광자〕
본 발명의 편광판이 갖는 편광자는, 광을 특정 직선 편광으로 변환하는 기능을 갖는 부재이면 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지의 흡수형 편광자 및 반사형 편광자를 이용할 수 있다.
흡수형 편광자로서는, 아이오딘계 편광자, 이색성(二色性) 염료를 이용한 염료계 편광자, 및 폴리엔계 편광자 등이 이용된다. 아이오딘계 편광자 및 염료계 편광자에는, 도포형 편광자와 연신형 편광자가 있고, 모두 적용할 수 있지만, 폴리바이닐알코올에 아이오딘 또는 이색성 염료를 흡착시켜, 연신하여 제작되는 편광자가 바람직하다.
또, 기재 상에 폴리바이닐알코올층을 형성한 적층 필름 상태에서 연신 및 염색을 실시함으로써 편광자를 얻는 방법으로서, 일본 특허공보 제5048120호, 일본 특허공보 제5143918호, 일본 특허공보 제4691205호, 일본 특허공보 제4751481호, 일본 특허공보 제4751486호를 들 수 있으며, 이들의 편광자에 관한 공지의 기술도 바람직하게 이용할 수 있다.
반사형 편광자로서는, 복굴절이 상이한 박막을 적층한 편광자, 와이어 그리드형 편광자, 선택 반사역을 갖는 콜레스테릭 액정과 1/4 파장판을 조합한 편광자 등이 이용된다.
그 중에서도, 밀착성이 보다 우수한 점에서, 폴리바이닐알코올계 수지(-CH2-CHOH-를 반복 단위로서 포함하는 폴리머. 특히, 폴리바이닐알코올 및 에틸렌-바이닐알코올 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개)를 포함하는 편광자인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 편광자의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 3μm~60μm인 것이 바람직하고, 5μm~30μm인 것이 보다 바람직하며, 5μm~15μm인 것이 더 바람직하다.
〔점착제층〕
본 발명의 편광판은, 본 발명의 광학 필름에 있어서의 광학 이방성막과, 편광자의 사이에, 점착제층이 배치되어 있어도 된다.
광학 이방성막과 편광자의 적층을 위하여 이용되는 점착제층으로서는, 예를 들면 동적 점탄성 측정 장치로 측정한 저장 탄성률 G'와 손실 탄성률 G"의 비(tanδ=G"/G')가 0.001~1.5인 물질을 나타내고, 이른바, 점착제나 크리프하기 쉬운 물질 등이 포함된다. 본 발명에 이용할 수 있는 점착제로서는, 예를 들면 폴리바이닐알코올계 점착제를 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
[화상 표시 장치]
본 발명의 화상 표시 장치는, 본 발명의 광학 필름 또는 본 발명의 편광판을 갖는, 화상 표시 장치이다.
본 발명의 화상 표시 장치에 이용되는 표시 소자는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 액정 셀, 유기 일렉트로 루미네선스(이하, "EL"이라고 약기함) 표시 패널, 플라즈마 디스플레이 패널 등을 들 수 있다.
이들 중, 액정 셀, 유기 EL 표시 패널인 것이 바람직하고, 액정 셀인 것이 보다 바람직하다. 즉, 본 발명의 화상 표시 장치로서는, 표시 소자로서 액정 셀을 이용한 액정 표시 장치, 표시 소자로서 유기 EL 표시 패널을 이용한 유기 EL 표시 장치인 것이 바람직하고, 액정 표시 장치인 것이 보다 바람직하다.
〔액정 표시 장치〕
본 발명의 화상 표시 장치의 일례인 액정 표시 장치는, 상술한 본 발명의 편광판과, 액정 셀을 갖는 액정 표시 장치이다.
또한, 본 발명에 있어서는, 액정 셀의 양측에 마련되는 편광판 중, 프런트 측의 편광판으로서 본 발명의 편광판을 이용하는 것이 바람직하고, 프런트 측 및 리어 측의 편광판으로서 본 발명의 편광판을 이용하는 것이 보다 바람직하다.
이하에, 액정 표시 장치를 구성하는 액정 셀에 대하여 상세하게 설명한다.
<액정 셀>
액정 표시 장치에 이용되는 액정 셀은, VA(Vertical Alignment) 모드, OCB(Optically Compensated Bend) 모드, IPS(In-Plane-Switching) 모드, 또는 TN(Twisted Nematic)인 것이 바람직하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
TN 모드의 액정 셀에서는, 전압 무인가 시에 봉상 액정성 분자가 실질적으로 수평 배향하고, 또한 60~120°로 비틀림 배향하고 있다. TN 모드의 액정 셀은, 컬러 TFT 액정 표시 장치로서 가장 많이 이용되고 있으며, 다수의 문헌에 기재가 있다.
VA 모드의 액정 셀에서는, 전압 무인가 시에 봉상 액정성 분자가 실질적으로 수직으로 배향하고 있다. VA 모드의 액정 셀에는, (1) 봉상 액정성 분자를 전압 무인가 시에 실질적으로 수직으로 배향시키고, 전압 인가 시에 실질적으로 수평으로 배향시키는 좁은 의미의 VA 모드의 액정 셀(일본 공개특허공보 평2-176625호 기재)에 더하여, (2) 시야각 확대를 위하여, VA 모드를 멀티 도메인화한(MVA 모드의) 액정 셀(SID97, Digest of tech. Papers(예고집(豫稿集)) 28(1997) 845 기재), (3) 봉상 액정성 분자를 전압 무인가 시에 실질적으로 수직 배향시키고, 전압 인가 시에 비틀림 멀티 도메인 배향시키는 모드(n-ASM 모드)의 액정 셀(일본 액정 토론회의 예고집 58~59(1998) 기재) 및 (4) SURVIVAL 모드의 액정 셀(LCD 인터내셔널 98에서 발표)이 포함된다. 또, PVA(Patterned Vertical Alignment)형, 광배향형(Optical Alignment), 및 PSA(Polymer-Sustained Alignment) 중 어느 것이어도 된다. 이들 모드의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2006-215326호, 및 일본 공표특허공보 2008-538819호에 상세한 기재가 있다.
IPS 모드의 액정 셀은, 봉상 액정 분자가 기판에 대하여 실질적으로 평행하게 배향되어 있고, 기판면에 평행한 전계가 인가됨으로써 액정 분자가 평면적으로 응답한다. IPS 모드는 전계 무인가 상태에서 흑색 표시가 되고, 상하 한 쌍의 편광판의 흡수축은 직교하고 있다. 광학 보상 시트를 이용하여, 경사 방향에서의 흑색 표시 시의 누출광을 저감시켜, 시야각을 개량하는 방법이, 일본 공개특허공보 평10-054982호, 일본 공개특허공보 평11-202323호, 일본 공개특허공보 평9-292522호, 일본 공개특허공보 평11-133408호, 일본 공개특허공보 평11-305217호, 일본 공개특허공보 평10-307291호 등에 개시되어 있다.
〔유기 EL 표시 장치〕
본 발명의 화상 표시 장치의 일례인 유기 EL 표시 장치로서는, 예를 들면 시인 측으로부터, 본 발명의 편광판과, λ/4 기능을 갖는 판(이하, "λ/4판"이라고도 함)과, 유기 EL 표시 패널을 이 순서로 갖는 양태를 적합하게 들 수 있다.
여기에서, "λ/4 기능을 갖는 판"이란, 소정 특정 파장의 직선 편광을 원 편광으로(또는 원 편광을 직선 편광으로) 변환하는 기능을 갖는 판을 말하며, 예를 들면 λ/4판이 단층 구조인 양태로서는, 구체적으로는, 연신 폴리머 필름이나, 지지체 상에 λ/4 기능을 갖는 광학 이방성막을 마련한 위상차 필름 등을 들 수 있고, 또 λ/4판이 복층 구조인 양태로서는, 구체적으로는, λ/4판과 λ/2판을 적층하여 이루어지는 광대역 λ/4판을 들 수 있다.
또, 유기 EL 표시 패널은, 전극 간(음극 및 양극 간)에 유기 발광층(유기 일렉트로 루미네선스층)을 협지하여 이루어지는 유기 EL 소자를 이용하여 구성된 표시 패널이다. 유기 EL 표시 패널의 구성은 특별히 제한되지 않으며, 공지의 구성이 채용된다.
실시예
이하에 실시예에 근거하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 절차 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 실시예에 의하여 한정적으로 해석되어서는 안된다.
[실시예 1]
<광배향막 1 포함 편광자 1의 제작>
셀룰로스트라이아세테이트 필름 TD80UL(후지필름제)의 지지체 표면을 알칼리 비누화 처리했다. 구체적으로는, 55℃의 1.5 규정의 수산화 나트륨 수용액에 지지체를 2분간 침지한 후, 실온의 수세 욕조 중에서 세정하고, 30℃의 0.1 규정의 황산을 이용하여 중화했다. 중화한 후, 실온의 수세 욕조 중에서 세정하고, 추가로 100℃의 온풍으로 건조했다.
이어서, 두께 80μm의 롤상 폴리바이닐알코올 필름을 아이오딘 수용액 중에서 MD(Machine Direction) 방향으로 연속으로 5배로 연신하고, 건조하여 두께 20μm의 편광자(편광막)를 얻었다.
이어서, 상기의 편광자의 일방의 면에, 편광자 보호 필름으로서, 상기에서 알칼리 비누화 처리를 한 셀룰로스트라이아세테이트 필름 TD80UL을 첩합했다.
그 후, 일본 공개특허공보 2012-155308호의 실시예 3에 기재된 액정 배향제 (S-3)과 동일한 조성이 되는 광배향막용 도포액 1을 조제하여, 편광자의 타방의 면에 와이어 바로 도포했다. 60℃의 온풍으로 60초 건조하고, 광배향막 1 포함 편광자 1을 제작했다.
<편광판 1의 제작>
하기 조성의 포지티브 A 플레이트 A-1 형성용 도포액 A-1을 조제했다.
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포지티브 A 플레이트 A-1 형성용 도포액 A-1의 조성
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하기 중합성 액정 화합물 L-1 40.00질량부
하기 중합성 액정 화합물 L-2 40.00질량부
하기 중합성 화합물 X-1 20.00질량부
하기 중합 개시제 S-1 3.00질량부
하기 특정 산성 화합물 A-1 0.50질량부
레벨링제(하기 화합물 T-1) 0.10질량부
메틸에틸케톤(용매) 200.00질량부
사이클로펜탄온(용매) 200.00질량부
---------------------------------------------------------
또한, 하기 식 L-1 및 L-2 중의 아크릴로일옥시기에 인접하는 기는, 프로필렌기(메틸기가 에틸렌기로 치환된 기)를 나타내고, 중합성 액정 화합물 L-1 및 L-2는, 메틸기의 위치가 상이한 위치 이성체의 혼합물을 나타낸다.
[화학식 6]
Figure 112020082235297-pct00009
제작한 광배향막 1 포함 편광자 1에, 대기하에서 초고압 수은 램프를 이용하여 자외선을 조사했다. 이때, 와이어 그리드 편광자(Moxtek사제, ProFlux PPL02)를 광배향막 1의 면과 평행이 되도록 세팅하여 노광하고, 광배향 처리를 행했다. 이때 이용하는 자외선의 조도는 UV-A 영역(자외선 A파, 파장 380nm~320nm의 적산)에 있어서 10mJ/cm2로 했다.
이어서, 광배향 처리면 상에 포지티브 A 플레이트 A-1 형성용 도포액 A-1을, 바 코터를 이용하여 도포했다. 막면 온도 100℃에서 20초간 가열 숙성하고, 55℃까지 냉각한 후에, 공기하에서 공랭 메탈할라이드 램프(아이 그래픽스(주)제)를 이용하여 300mJ/cm2의 자외선을 조사하여, 그 배향 상태를 고정화함으로써 편광판 1을 형성했다. 즉, 얻어진 편광판 1은, 광학 이방성막(위상차 필름)으로서의 포지티브 A 플레이트 A-1과, 광배향막 1과, 편광자 1과, 편광자 보호 필름이 이 순서로 배치된 것이다.
형성된 포지티브 A 플레이트 A-1은, 편광판의 흡수축에 대하여 지상축 방향이 수직이었다(즉, 중합성 액정 화합물이 편광판의 흡수축에 대하여 수직으로 배향하고 있었다). 포지티브 A 플레이트 A-1에 대하여, AxoScan OPMF-1(옵토 사이언스사제)을 이용하여, Re의 광입사 각도 의존성 및 광축의 틸트각을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스(수평) 배향이었다.
[실시예 2]
특정 산성 화합물 A-1의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 2의 편광판 2를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 2가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-2"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-2의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 3]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-2로 나타나는 특정 산성 화합물 A-2를 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 3의 편광판 3을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 3이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-3"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-3의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 7]
Figure 112020082235297-pct00010
[실시예 4]
특정 산성 화합물 A-2의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 3과 동일한 방법으로, 실시예 4의 편광판 4를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 4가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-4"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-4의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 5]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-3으로 나타나는 특정 산성 화합물 A-3을 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 5의 편광판 5를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 5가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-5"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-5의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 8]
Figure 112020082235297-pct00011
[실시예 6]
특정 산성 화합물 A-3의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 5와 동일한 방법으로, 실시예 6의 편광판 6을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 6이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-6"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-6의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 7]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-4로 나타나는 특정 산성 화합물 A-4를 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 7의 편광판 7을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 7이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-7"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-7의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 9]
Figure 112020082235297-pct00012
[실시예 8]
특정 산성 화합물 A-4의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 7과 동일한 방법으로, 실시예 8의 편광판 8을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 8이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-8"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-8의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 9]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-5로 나타나는 특정 산성 화합물 A-5를 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 9의 편광판 9를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 9가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-9"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-9의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 10]
Figure 112020082235297-pct00013
[실시예 10]
특정 산성 화합물 A-5의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 9와 동일한 방법으로, 실시예 10의 편광판 10을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 10이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-10"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-10의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 11]
특정 산성 화합물 A-5의 배합량을 5.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 9와 동일한 방법으로, 실시예 11의 편광판 11을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 11이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-11"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-11의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 12]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-6으로 나타나는 특정 산성 화합물 A-6을 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 12의 편광판 12를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 12가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-12"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-12의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 11]
Figure 112020082235297-pct00014
[실시예 13]
특정 산성 화합물 A-6의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 12와 동일한 방법으로, 실시예 13의 편광판 13을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 13이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-13"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-13의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 14]
특정 산성 화합물 A-6의 배합량을 5.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 12와 동일한 방법으로, 실시예 14의 편광판 14를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 14가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-14"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-14의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 15]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-7로 나타나는 특정 산성 화합물 A-7을 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 15의 편광판 15를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 15가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-15"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-15의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 12]
Figure 112020082235297-pct00015
[실시예 16]
특정 산성 화합물 A-7의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 15와 동일한 방법으로, 실시예 16의 편광판 16을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 16이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-16"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-16의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 17]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-8로 나타나는 특정 산성 화합물 A-8을 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 17의 편광판 17을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 17이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-17"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-17의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 13]
Figure 112020082235297-pct00016
[실시예 18]
특정 산성 화합물 A-8의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 17과 동일한 방법으로, 실시예 18의 편광판 18을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 18이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-18"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-18의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 19]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-9로 나타나는 특정 산성 화합물 A-9를 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 19의 편광판 19를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 19가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-19"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-19의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 14]
Figure 112020082235297-pct00017
[실시예 20]
특정 산성 화합물 A-9의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 19와 동일한 방법으로, 실시예 20의 편광판 20을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 20이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-20"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-20의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 21]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-10으로 나타나는 특정 산성 화합물 A-10을 0.50질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 21의 편광판 21을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 21이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-21"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-21의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 15]
Figure 112020082235297-pct00018
[실시예 22]
특정 산성 화합물 A-5의 배합량을 0.10질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 9와 동일한 방법으로, 실시예 22의 편광판 22를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 22가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-22"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-22의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 23]
특정 산성 화합물 A-4의 배합량을 12.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 7과 동일한 방법으로, 실시예 23의 편광판 23을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 23이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-23"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-23의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 24]
일본 공개특허공보 2012-021068호의 실시예 1의 기재를 참고로, 하기 조성의 포지티브 A 플레이트 A-24 형성용 도포액 A-24를 조제했다.
---------------------------------------------------------
포지티브 A 플레이트 A-24 형성용 도포액 A-24의 조성
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하기 중합성 액정 화합물 L-5 100.00질량부
이르가큐어 369(BASF사제) 3.00질량부
OXE-03(BASF사제) 3.00질량부
아데카크루즈 NCI-831(아데카사제) 3.00질량부
상기 특정 산성 화합물 A-5 0.50질량부
사이클로펜탄온(용매) 233.00질량부
---------------------------------------------------------
[화학식 16]
Figure 112020082235297-pct00019
포지티브 A 플레이트 A-1 형성용 도포액 A-1 대신에 포지티브 A 플레이트 A-24 형성용 도포액 A-24를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 24의 편광판 24를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 24가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-24"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-22의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.18, Re(650)/Re(550)이 1.02, 광축의 틸트각은 0.4°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 25]
특정 산성 화합물 A-5의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 24와 동일한 방법으로, 실시예 25의 편광판 25를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 25가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-25"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-25의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 26]
특정 산성 화합물 A-5의 배합량을 5.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 24와 동일한 방법으로, 실시예 26의 편광판 26을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 26이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-26"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-26의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 27]
상기 중합성 액정 화합물 L-5 대신에, 하기 중합성 액정 화합물 L-7을 이용한 것 이외에는, 실시예 24와 동일한 방법으로, 실시예 27의 편광판 27을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 27이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-27"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-27의 광학 특성을 측정한바, Re(550)/Re(450)이 1.20, Re(650)/Re(550)이 1.05, 광축의 틸트각은 0°으로, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 17]
Figure 112020082235297-pct00020
[실시예 28]
특정 산성 화합물 A-5의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 27과 동일한 방법으로, 실시예 28의 편광판 28을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 28이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-28"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-28의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 29]
특정 산성 화합물 A-5의 배합량을 5.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 27과 동일한 방법으로, 실시예 29의 편광판 29를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 29가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-29"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-29의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 30]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-14로 나타나는 특정 산성 화합물 A-14를 2.00질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 30의 편광판 30을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 30이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-30"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-30의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 18]
Figure 112020082235297-pct00021
[실시예 31]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 A-15로 나타나는 특정 산성 화합물 A-15를 0.5질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 실시예 31의 편광판 31을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 31이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-31"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-31의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 19]
Figure 112020082235297-pct00022
[실시예 32]
특정 산성 화합물 A-15의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일한 방법으로, 실시예 32의 편광판 32를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 32가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-32"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-32의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 33]
하기 조성의 포지티브 A 플레이트 A-33 형성용 도포액 A-33을 조제했다.
---------------------------------------------------------
포지티브 A 플레이트 A-33 형성용 도포액 A-33의 조성
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하기 중합성 액정 화합물 L-3 29.60질량부
하기 중합성 액정 화합물 L-4 55.10질량부
중합성 화합물 X-1 5.00질량부
하기 중합성 화합물 X-2 10.30질량부
중합 개시제 S-1 0.50질량부
특정 산성 화합물 A-15 0.50질량부
레벨링제(화합물 T-1) 0.15질량부
메틸에틸케톤(용매) 181.00질량부
사이클로펜탄온(용매) 54.10질량부
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[화학식 20]
Figure 112020082235297-pct00023
이어서, 광배향 처리면 상에 포지티브 A 플레이트 A-33 형성용 도포액 A-33을, 바 코터를 이용하여 도포했다. 막면 온도 135℃에서 20초간 가열 숙성하고, 120℃까지 냉각한 후에, 공기하에서 공랭 메탈할라이드 램프(아이 그래픽스(주)제)를 이용하여 1000mJ/cm2의 자외선을 조사하여, 그 배향 상태를 고정화함으로써 편광판 33을 형성했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 33이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-33"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-33의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 140nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.22, Re(650)/Re(550)이 1.03, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[실시예 34]
특정 산성 화합물 A-15의 배합량을 2.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 33과 동일한 방법으로, 실시예 34의 편광판 34를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 34가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 A-34"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 A-34의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 140nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.22, Re(650)/Re(550)이 1.03, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[비교예 1]
특정 산성 화합물 A-1을 이용하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 비교예 1의 편광판 B1을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 B1이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 B-1"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 B-1의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[비교예 2]
특정 산성 화합물 A-1 대신에, 하기 식 B-1로 나타나는 산성 화합물 B-1을 0.10질량부 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 비교예 2의 편광판 B2를 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 B2가 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 B-2"라고 한다.
포지티브 A 플레이트 B-2의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[화학식 21]
Figure 112020082235297-pct00024
[비교예 3]
특정 산성 화합물 A-4의 배합량을 25.00질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 7과 동일한 방법으로, 비교예 3의 편광판 B3을 제작했다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 편광판 B3이 갖는 광학 이방성막(위상차 필름)을 "포지티브 A 플레이트 B-3"이라고 한다.
포지티브 A 플레이트 B-3의 광학 특성을 측정한바, 파장 550nm에 있어서 Re가 145nm, Rth가 73nm, Re(550)/Re(450)이 1.12, Re(650)/Re(550)이 1.01, 광축의 틸트각은 0°이며, 중합성 액정 화합물은 호모지니어스 배향이었다.
[내구성]
상술한 각 실시예 및 비교예에서 제작한 편광에 대하여, 유리판 상에 포지티브 A 플레이트를 유리 측으로 하여 점착제(상품명 "SK2057", 소켄 가가쿠사제)를 통하여 첩합했다.
AxoScan(OPMF-1, Axometrics사제)을 이용하여, 파장 550nm에 있어서의 리타데이션값(Re)의 내구성을 하기의 지표로 평가했다. 결과를 하기 표 4에 나타낸다.
또한, 시험 조건은, 105℃의 환경하에 120시간 방치하는 시험을 행했다.
AA: 초기의 Re값에 대한 시험 후의 Re값의 변화량이 초기의 값의 3% 미만
A: 초기의 Re값에 대한 시험 후의 Re값의 변화량이 초기의 값의 3% 이상 6% 미만
B: 초기의 Re값에 대한 시험 후의 Re값의 변화량이 초기의 값의 6% 이상 12% 미만
C: 초기의 Re값에 대한 시험 후의 Re값의 변화량이 초기의 값의 12% 이상 20% 미만
D: 초기의 Re값에 대한 시험 후의 Re값의 변화량이 초기의 값의 20% 이상
[표 4]
Figure 112020082235297-pct00025
표 4에 나타내는 결과로부터, 특정 산성 화합물을 배합하지 않는 경우는, 광학 이방성막의 내구성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있었다(비교예 1).
또, pKa가 -10 초과 5 이하의 범위 외가 되는 산성 화합물을 이용한 경우는, 광학 이방성막의 내구성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있었다(비교예 2).
또한, pKa가 -10 초과 5 이하의 범위 내가 되는 특정 산성 화합물을 이용한 경우여도, 배합량이 많은 경우는, 광학 이방성막의 내구성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있었다(비교예 3).
이에 반하여, 소정의 중합성 액정 화합물에 대하여, pKa가 -10 초과 5 이하의 범위 내가 되는 특정 산성 화합물을 소정량 배합한 경우는, 형성되는 광학 이방성막의 내구성이 양호해지는 것을 알 수 있었다(실시예 1~34).
또, 실시예 1~23 및 30~32의 대비로부터, 특정 산성 화합물이, 상기 식 (I)을 충족시킴으로써, 형성되는 광학 이방성막의 내구성이 보다 양호해지는 것을 알 수 있었다.
동일하게, 실시예 1~23 및 30~32의 대비로부터, 특정 산성 화합물이, 분자량이 120 이상이면, 형성되는 광학 이방성막의 내구성이 보다 양호해지는 것을 알 수 있었다.
동일하게, 실시예 1~23 및 30~32의 대비로부터, 인산 화합물, 포스폰산 화합물 및 설폰산 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이면, 형성되는 광학 이방성막의 내구성이 보다 양호해지는 경향이 있고, 특히 특정 산성 화합물이, 포스폰산 화합물 또는 설폰산 화합물이면, 형성되는 광학 이방성막의 내구성이 더욱 양호해지는 것을 알 수 있었다.
10 광학 필름
12 광학 이방성층
14 배향막
16 지지체
18 하드 코트층

Claims (10)

  1. 하기 식 (1)로 나타나는 중합성 액정 화합물과, 산성 화합물을 함유하고,
    상기 산성 화합물의 pKa가, -10 초과 5 이하이며,
    상기 산성 화합물의 함유량이, 상기 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여 20질량부 이하인, 중합성 액정 조성물.
    Figure 112022501524847-pct00026

    여기에서, 상기 식 (1) 중,
    Ar은, n가의 방향족기를 나타낸다.
    D는, 단결합, -COO-, 또는 -OCO-를 나타낸다.
    A는, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 이상의 방향환, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 이상의 사이클로알케인환을 나타낸다.
    SP는, 단결합, 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기, 또는 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기를 구성하는 -CH2- 중 1개 이상이 -O-, -S-, -NH-, -N(Q)-, 혹은 -CO-로 치환된 2가의 연결기를 나타내고, Q는, 치환기를 나타낸다.
    L은, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다.
    m은, 0~2의 정수를 나타내며, n은, 1 또는 2의 정수를 나타낸다.
    단, m 또는 n의 수에 의하여 복수가 되는 D, A, SP 및 L은, 모두, 서로 동일해도 되고 달라도 된다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 산성 화합물의 pKa의 값과, 상기 산성 화합물의 상기 중합성 액정 화합물 100질량부에 대한 함유량의 값이, 하기 식 (I)을 충족시키는, 중합성 액정 조성물.
    0.01≤함유량의 값/(pKa의 값+10)≤1.5 …(I)
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 산성 화합물의 분자량이, 120 이상인, 중합성 액정 조성물.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 산성 화합물이, 인산 화합물, 포스폰산 화합물 및 설폰산 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인, 중합성 액정 조성물.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 식 (1) 중의 n이, 2를 나타내고, 또한 상기 식 (1) 중의 Ar이, 하기 식 (Ar-1)~(Ar-5)로 나타나는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방향환을 나타내는, 중합성 액정 조성물.
    Figure 112020082409649-pct00027

    여기에서, 상기 식 (Ar-1)~(Ar-5) 중,
    *는, 산소 원자와의 결합 위치를 나타낸다.
    Q1은, N 또는 CH를 나타낸다.
    Q2는, -S-, -O-, 또는 -N(R1)-을 나타내고, R1은, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.
    Y1은, 치환기를 가져도 되는, 탄소수 6~12의 방향족 탄화 수소기, 또는 탄소수 3~12의 방향족 복소환기를 나타낸다.
    Z1, Z2 및 Z3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~20의 1가의 지방족 탄화 수소기, 탄소수 3~20의 1가의 지환식 탄화 수소기, 탄소수 6~20의 1가의 방향족 탄화 수소기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, -OR2, -NR3R4, 또는 -SR5를 나타내고, R2~R5는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타내며, Z1 및 Z2는, 서로 결합하여 방향환을 형성해도 된다.
    A1 및 A2는, 각각 독립적으로, -O-, -N(R6)-, -S-, 및 -CO-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고, R6은, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
    X는, 수소 원자 또는 치환기가 결합하고 있어도 되는 제14~16족의 비금속 원자를 나타낸다.
    D1 및 D2는, 각각 독립적으로, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -S-, -C(=S)-, -CR7R8-, -CR9=CR10-, -NR11-, 혹은 이들 중 2개 이상의 조합으로 이루어지는 2가의 연결기를 나타내고, R7~R11은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타낸다.
    SP1 및 SP2는, 각각 독립적으로, 단결합, 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기, 또는 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기를 구성하는 -CH2- 중 1개 이상이 -O-, -S-, -NH-, -N(Q)-, 혹은 -CO-로 치환된 2가의 연결기를 나타내고, Q는, 치환기를 나타낸다.
    L1 및 L2는, 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타낸다.
    Ax는, 방향족 탄화 수소환 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 갖는, 탄소수 2~30의 유기기를 나타낸다.
    Ay는, 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~12의 알킬기, 또는 방향족 탄화 수소환 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 갖는, 탄소수 2~30의 유기기를 나타낸다.
    Ax 및 Ay에 있어서의 방향환은, 치환기를 갖고 있어도 되고, Ax와 Ay가 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
    Q3은, 수소 원자, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.
  6. 청구항 1에 기재된 중합성 액정 조성물을 중합하여 얻어지는 광학 이방성막.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 중합성 액정 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물이 중합 후에 수평 배향하고 있는, 광학 이방성막.
  8. 청구항 6에 기재된 광학 이방성막을 갖는 광학 필름.
  9. 청구항 8에 기재된 광학 필름과, 편광자를 갖는, 편광판.
  10. 청구항 8에 기재된 광학 필름, 또는 청구항 9에 기재된 편광판을 갖는, 화상 표시 장치.
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