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KR102382728B1 - 웨이퍼 배치 장치 및 그 제조법 - Google Patents

웨이퍼 배치 장치 및 그 제조법 Download PDF

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KR102382728B1
KR102382728B1 KR1020200031850A KR20200031850A KR102382728B1 KR 102382728 B1 KR102382728 B1 KR 102382728B1 KR 1020200031850 A KR1020200031850 A KR 1020200031850A KR 20200031850 A KR20200031850 A KR 20200031850A KR 102382728 B1 KR102382728 B1 KR 102382728B1
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KR
South Korea
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ceramic plate
adhesive sheet
cooling plate
plate
bonding
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KR1020200031850A
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Inventor
다카노리 소노다
Original Assignee
엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Publication date
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Abstract

정전 척 히터(10)는, 상면에 웨이퍼 배치면(20a)을 갖고, 전극(22, 24, 28)이 내장된 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)과는 반대측의 하면(20b)에 배치된 냉각 플레이트(30)와, 세라믹 플레이트(20)와 냉각 플레이트(30)를 접착하는 수지제의 접착 시트층(40)을 구비하고 있다. 세라믹 플레이트(20)의 접착면인 하면(20b) 및 냉각 플레이트(30)의 접착면인 상면(30a)은, 내주부(20i, 30i)보다 외주부(20o, 30o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠다.

Description

웨이퍼 배치 장치 및 그 제조법{WAFER PLACEMENT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 웨이퍼 배치 장치 및 그 제조법에 관한 것이다.
웨이퍼 배치 장치로서는, 상면에 웨이퍼 배치면을 갖는 원반형의 세라믹 플레이트와, 세라믹 플레이트의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 하면에 배치된 원반형의 냉각 플레이트가, 수지제의 접착 시트로 접착된 것이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1). 특허문헌 1의 웨이퍼 배치 장치는, 세라믹 플레이트와 냉각 플레이트를 접착 시트로 접합하여 적층체로 하고, 적층체를 가열하면서 진공 프레스하여 제조된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-71023호 공보
그러나, 특허문헌 1의 웨이퍼 배치 장치에서는, 접착 시트층의 두께가 외주부에서 얇아져, 접착 시트층의 두께가 균일하지 않은 경우가 있었다. 접착 시트층의 두께가 균일하지 않으면, 접착 시트층을 통한 세라믹 플레이트와 냉각 플레이트 사이의 열전도에 차이가 생겨, 웨이퍼의 면내 온도가 불균일해진다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 접착 시트층의 두께를 균일하게 하여, 웨이퍼의 면내 온도를 균일하게 하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치는,
상면에 웨이퍼 배치면을 갖고, 전극이 내장된 원반형의 세라믹 플레이트와,
상기 세라믹 플레이트의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 하면에 배치된 원반형의 냉각 플레이트와,
상기 세라믹 플레이트의 하면에 있는 접착면과 상기 냉각 플레이트의 상면에 있는 접착면을 접착하는 수지제의 접착 시트층,
을 구비하고,
상기 세라믹 플레이트의 접착면 및 상기 냉각 플레이트의 접착면 중 적어도 한쪽은, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거친 것이다.
이 웨이퍼 배치 장치에서는, 세라믹 플레이트의 하면에 있는 접착면 및 냉각 플레이트의 상면에 있는 접착면 중 적어도 한쪽에 있어서, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(산술 평균 거칠기)(Ra)가 거칠다. 접착면의 양방에 있어서 내주부와 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 동일한 경우에는, 프레스 시 등에, 외주부의 접착 시트층이 내주부보다 얇아지기 쉽다. 이것은, 세라믹 플레이트와 냉각 플레이트에 끼인 접착 시트는, 외주만이 구속되어 있지 않아, 외주부일수록 신전하기 쉽기 때문이라고 생각된다. 그래서, 접착 시트가 신전하기 쉬운 외주부에 있어서, 접착면의 표면 거칠기(Ra)를 거칠게 하면, 외주부에서의 접착 시트의 신전이 앵커 효과에 의해 억제되어, 웨이퍼 배치 장치의 접착 시트층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 면내 온도를 균일하게 할 수 있다. 접착면의 양방에 있어서, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거칠면, 접착 시트층의 두께를 더욱 균일하게 할 수 있어, 바람직하다. 또한, 내주부의 접착면의 표면 거칠기(Ra)를 거칠게 하여 외주부의 표면 거칠기(Ra)와 동일하게 한 경우, 외주부뿐만 아니라 내주부에서의 접착 시트의 신전도 억제되기 때문에, 외주부의 접착 시트의 층이 내주부보다 얇아지는 것에 변함은 없다. 이 때문에, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)를 거칠게 할 필요가 있다. 표면 거칠기(Ra)가 거친 부분, 즉 외주부는, 접착면의 직경의 85%보다 외주의 부분으로 하여도 좋고, 접착면의 직경의 90%보다 외주의 부분으로 하여도 좋고, 접착면의 직경의 95%보다 외주의 부분으로 하여도 좋다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「상」「하」는, 절대적인 위치 관계를 나타내는 것이 아니며, 상대적인 위치 관계를 나타내는 것이다. 그 때문에, 웨이퍼 배치 장치의 방향에 따라 「상」「하」는 「하」「상」이 되거나 「좌」「우」가 되거나 「전」「후」가 되거나 한다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 전극은 히터 전극이고, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 내주부에 대응하는 내주 존과, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 외주부에 대응하는 외주 존에 개별로 내장되어 있어도 좋다. 접착면의 외주부의 표면 거칠기(Ra)를 거칠게 하면, 전술한 바와 같이 접착 시트층의 두께를 균일하게 할 수 있기 때문에, 접착 시트층의 두께의 차이에 의해 생기는 열전도의 차이를 작게 할 수 있다. 그러나, 내주부와 외주부에서 접착면의 표면 거칠기(Ra)가 다르기 때문에, 접착 시트층을 통한 세라믹 플레이트와 냉각 플레이트 사이의 열전도에는, 정도는 작지만, 내주부와 외주부에서 차이가 생기는 경우가 있다. 여기서는, 내주 존의 히터 전극과, 외주 존의 히터 전극을 개별로 내장하고 있다. 그 때문에, 내주부와 외주부의 열전도의 차이에 따라, 내주 존의 히터 전극과 외주 존의 히터 전극을 개별로 온도 제어할 수 있어, 웨이퍼의 면내 온도를 더욱 균일하게 할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 세라믹 플레이트의 접착면 및 상기 냉각 플레이트의 접착면은 반경 135 ㎜ 이상인 것으로 하여도 좋다. 세라믹 플레이트의 접착면 및 냉각 플레이트의 접착면의 반경이 135 ㎜ 이상인 경우에는, 접합면 전체면의 표면 거칠기(Ra)에 차가 없으면 외주부의 접착 시트가 내주부보다 특히 얇아지기 쉽다. 이 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다. 이 경우, 내주부와 외주부의 경계는 반경 135 ㎜ 이상의 원으로 하여도 좋다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 세라믹 플레이트의 접착면 및 상기 냉각 플레이트의 접착면 중 적어도 한쪽은, 상기 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛보다 거친 것으로 하여도 좋다. 이렇게 하면, 외주부에서의 앵커 효과가 크기 때문에, 외주부에서의 접착 시트의 신전이 더욱 억제되어, 접착 시트층의 두께를 더욱 균일하게 할 수 있다. 내주부의 표면 거칠기(Ra)는, 예컨대 1.6 ㎛ 이하로 하여도 좋다. 내주부에서 접착 시트가 적절하게 신전하여, 접착 시트층의 두께를 더욱 균일하게 할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치의 제조법은,
(a) 전극이 내장된 원반형의 세라믹 플레이트와, 원반형의 냉각 플레이트와, 접착 시트를 준비하는 공정과,
(b) 상기 세라믹 플레이트와 상기 냉각 플레이트를 상기 접착 시트를 이용하여 접착하는 공정
을 포함하고,
상기 공정 (a)에서 준비하는 상기 세라믹 플레이트 및 상기 냉각 플레이트 중 적어도 한쪽은, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거친 접착면을 갖고,
상기 공정 (b)에서는, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거친 상기 접착면에서 접착된다.
이 웨이퍼 배치 장치의 제조법에 따르면, 외주부에서의 접착 시트의 신전이 앵커 효과에 의해 억제되기 때문에, 웨이퍼 배치 장치의 접착 시트층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 면내 온도를 균일하게 할 수 있다. 접착면의 양방에 있어서, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거칠면, 접착 시트층의 두께를 더욱 균일하게 할 수 있기 때문에, 더욱 바람직하다.
도 1은 정전 척 히터(10)의 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A 단면도이다.
도 3은 히터 전극(22, 24)을 평면에서 보았을 때의 설명도이다.
도 4는 세라믹 플레이트(20)의 하면도이다.
도 5는 냉각 플레이트(30)의 평면도이다.
도 6은 정전 척 히터(10)의 제조법을 나타내는 설명도이다.
도 7은 정전 척 히터(10)의 별도예의 도 2에 대응하는 단면도이다.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 본 발명의 웨이퍼 배치 장치의 일 실시형태인 정전 척 히터(10)의 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A 단면도이고, 도 3은 히터 전극(22, 24)을 평면에서 보았을 때의 설명도이고, 도 4는 세라믹 플레이트(20)의 하면도이고, 도 5는 냉각 플레이트(30)의 평면도이다. 도 6은 정전 척 히터(10)의 제조법을 나타내는 설명도이다.
정전 척 히터(10)는, 상면에 웨이퍼 배치면(20a)을 갖는 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)과는 반대측의 하면(20b)에 배치된 냉각 플레이트(30)를 구비하고 있다. 세라믹 플레이트(20)의 접착면인 하면(20b)과 냉각 플레이트(30)의 접착면인 상면(30a)은, 수지제의 접착 시트층(40)을 통해 접착되어 있다.
세라믹 플레이트(20)는, 질화알루미늄이나 알루미나 등으로 대표되는 세라믹 재료를 포함하는 원반형의 플레이트이다. 세라믹 플레이트(20)의 직경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 300 ㎜ 정도이다. 세라믹 플레이트(20)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 내주 히터 전극(22)과 외주 히터 전극(24)과 정전 전극(28)이 내장되어 있다. 내주 히터 전극(22) 및 외주 히터 전극(24)은, 예컨대, 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄화텅스텐을 주성분으로 하는 코일 또는 인쇄 패턴으로 제작되어 있다. 내주 히터 전극(22)은, 세라믹 플레이트(20)와 동일한 중심을 갖고 직경이 세라믹 플레이트(20)보다 작은 원형의 내주 존(Z1)[도 3의 가상 경계(B)의 내측]의 전체에 널리 퍼지도록, 일단(22a)으로부터 타단(22b)까지 일필휘지의 요령으로 배선되어 있다. 내주 존(Z1)의 직경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 세라믹 플레이트(20)의 직경의 85% 이상 95% 이하이고, 예컨대 270 ㎜ 정도이다. 내주 히터 전극(22)의 일단(22a)과 타단(22b)은, 내주 전원(22p)에 접속되어 있다. 외주 히터 전극(24)은, 내주 존(Z1)을 둘러싸는 환형의 외주 존(Z2)[도 3의 가상 경계(B)의 외측]의 전체에 널리 퍼지도록, 일단(24a)으로부터 타단(24b)까지 일필휘지의 요령으로 배선되어 있다. 외주 히터 전극(24)의 일단(24a)과 타단(24b)은, 외주 전원(24p)에 접속되어 있다. 정전 전극(28)은, 예컨대, 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄화텅스텐을 주성분으로 하는 메쉬 또는 플레이트로 제작되고, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)과 평행하게 마련되어 있다. 정전 전극(28)은, 도시하지 않는 정전 전극용 전원에 접속되어 있다.
세라믹 플레이트(20)의 하면(20b)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 내주부(20i)보다 외주부(20o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠게 되어 있다. 외주부(20o)의 표면 거칠기(Ra)는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 1.6 ㎛보다 거칠다. 도 4에서는, 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛보다 거친 부분을 망점으로 나타내고, 그 이외의 부분은 백색으로 나타내었다. 내주부(20i)와 외주부(20o)의 경계는, 평면에서 보았을 때에, 도 3의 가상 경계(B)와 일치하도록 되어 있다.
냉각 플레이트(30)는, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등으로 대표되는 금속을 포함하고, 직경이 세라믹 플레이트(20)보다 큰 원반형의 플레이트이다. 냉각 플레이트(30)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 직경이 세라믹 플레이트(20)와 동일한 원형인 상면(30a)과, 상면(30a)보다 저위로 상면(30a)의 외주를 둘러싸는 원환형의 단차면(30c)을 갖고 있다. 상면(30a)에는 세라믹 플레이트(20)가 접착되고, 단차면(30c)에는 도시하지 않는 포커스 링(보호 링이라고도 함)이 배치된다. 냉각 플레이트(30)의 내부에는, 냉매 유로(32)가 마련되어 있다. 냉매 유로(32)는, 세라믹 플레이트(20)가 배치된 전역에 널리 퍼지도록, 입구부터 출구까지 일필휘지의 요령으로 마련되어 있다. 냉매 유로(32)의 입구 및 출구는, 도시하지 않는 외부 냉각 장치에 접속되어 있고, 출구로부터 배출된 냉매는, 외부 냉각 장치로 온도 조정된 후 재차 입구에 복귀되어 냉매 유로(32) 내에 공급된다.
냉각 플레이트(30)의 상면(30a)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 내주부(30i)보다 외주부(30o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠게 되어 있다. 외주부(30o)의 표면 거칠기(Ra)는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 1.6 ㎛보다 거칠다. 도 5에서는, 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛보다 거친 부분을 망점으로 나타내고, 그 이외의 부분은 백색으로 나타내었다. 내주부(30i)와 외주부(30o)의 경계는, 평면에서 보았을 때에, 도 3의 가상 경계(B)와 일치하도록 되어 있다.
접착 시트층(40)은, 실리콘 수지나 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등으로 대표되는 절연성을 갖는 수지제의 접착 시트로 형성된 층이며, 세라믹 플레이트(20)의 하면(20b) 및 냉각 플레이트(30)의 상면(30a)과 직경이 동일한 원형의 층이다. 접착 시트층(40)은, 단층 구조여도 좋고, 다층 구조여도 좋다. 접착 시트층(40)의 구체예로서는, 폴리프로필렌제의 코어재의 양면에 아크릴 수지층을 구비한 시트나, 폴리이미드제의 코어재의 양면에 실리콘 수지층을 구비한 시트, 에폭시 수지 단독의 시트 등을 들 수 있다.
다음에, 정전 척 히터(10)의 제조법에 대해서 설명한다. 이 제조법은, 세라믹 플레이트(20)와 냉각 플레이트(30)와 접착 시트(40s)를 준비하는 공정 (a)와, 세라믹 플레이트(20)와 냉각 플레이트(30)를 접착 시트(40s)를 이용하여 접착하는 공정 (b)를 포함한다.
공정 (a)에서 준비하는 세라믹 플레이트(20)는, 전술한 세라믹 플레이트(20)와 동일한 것이며, 내주 히터 전극(22)과 외주 히터 전극(24)과 정전 전극(28)이 내장되어 있다. 세라믹 플레이트(20)의 하면(20b)은, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 내주부(20i)보다 외주부(20o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠게 되어 있다. 이러한 세라믹 플레이트(20)의 제조 시에는, 예컨대, 하면(20b) 전체의 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛ 이하인 세라믹 플레이트를 준비하고, 외주부(20o)에 연마나 에칭 등 조화 처리를 실시하여 외주부(20o)의 표면 거칠기(Ra)를 1.6 ㎛보다 거칠게 하여도 좋다.
공정 (a)에서 준비하는 냉각 플레이트(30)는, 전술한 냉각 플레이트(30)와 동일한 것이며, 내부에 냉매 유로(32)가 마련되어 있다. 냉각 플레이트(30)의 상면(30a)은, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 내주부(30i)보다 외주부(30o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠게 되어 있다. 이러한 냉각 플레이트(30)의 제조 시에는, 예컨대, 상면(30a) 전체의 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛ 이하인 냉각 플레이트를 준비하고, 외주부(30o)에 연마나 에칭 등의 조화 처리를 실시하여 외주부(30o)의 표면 거칠기(Ra)를 1.6 ㎛보다 거칠게 하여도 좋다.
공정 (a)에서 준비하는 접착 시트(40s)는, 실리콘 수지나 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등으로 대표되는 절연성을 갖는 수지제의 시트이다. 접착 시트(40s)는, 세라믹 플레이트(20)의 하면(20b) 및 냉각 플레이트(30)의 상면(30a)과 직경이 대략 동일한 원형의 시트이다. 접착 시트(40s)는, 단층 구조여도 좋고, 다층 구조여도 좋다. 접착 시트(40s)의 구체예로서는, 폴리프로필렌제의 코어재의 양면에 아크릴 수지층을 구비한 시트나, 폴리이미드제의 코어재의 양면에 실리콘 수지층을 구비한 시트, 에폭시 수지 단독의 시트 등을 들 수 있다.
공정 (b)에서는, 먼저, 세라믹 플레이트(20)의 하면(20b)과 냉각 플레이트(30)의 상면(30a) 사이에 접착 시트(40s)가 개재되도록 세라믹 플레이트(20)와 냉각 플레이트(30)와 접착 시트(40s)를 배치하여, 적층체(10s)를 제조한다[도 6의 (b) 참조]. 계속해서, 적층체(10s)를 가열하면서 진공 프레스에 의한 가압을 행하고, 접착 시트(40s)를 경화시켜, 세라믹 플레이트(20)와 냉각 플레이트(30)를 접착 시트층(40)으로 강고하게 접착한다[도 6의 (c) 참조]. 가열 온도는 특별히 한정되지 않고, 접착 시트(40s)의 종류에 따라 설정하면 좋지만, 예컨대 90∼180℃ 정도이다. 가압력은 특별히 한정되지 않고, 접착 시트(40s)의 종류에 따라 설정하면 좋지만, 예컨대 0.4∼1.5 ㎫ 정도이다. 90∼110℃에서 가열하는 경우에는 1.1∼1.5 ㎫로 가압하고, 160∼180℃에서 가열하는 경우에는 0.4∼0.8 ㎫로 가압하여도 좋다. 접착 시트(40s)가 외주에 비어져 나온 경우에는, 비어져 나온 접착 시트(40s)를 제거하여도 좋다.
다음에, 정전 척 히터(10)의 사용예에 대해서 설명한다. 먼저, 정전 척 히터(10)의 웨이퍼 배치면(20a)에 웨이퍼(W)를 배치하고, 단차면(30c)에 도시하지 않는 포커스 링을 배치한다. 그리고, 정전 전극(28)과 웨이퍼(W) 사이에 전압을 인가함으로써, 웨이퍼(W)를 정전기적인 힘에 의해 세라믹 플레이트(20)에 흡착한다. 이 상태로, 웨이퍼(W)에 플라즈마 CVD 성막이나 플라즈마 에칭 등의 처리를 실시한다. 이때, 내주 히터 전극(22)이나 외주 히터 전극(24)에 전압을 인가하여 웨이퍼(W)를 가열하거나, 냉각 플레이트(30)의 냉매 유로(32)에 물 등의 냉매를 순환시켜 웨이퍼(W)를 냉각하거나 함으로써, 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다. 또한, 내주 히터 전극(22)과 외주 히터 전극(24)은, 각각 다른 내주 전원(22p) 및 외주 전원(24p)에 접속되어 있고, 개별로 온도 제어된다. 웨이퍼(W)의 처리가 종료하였다면, 정전 전극(28)과 웨이퍼(W) 사이의 전압을 제로로 하여 정전기적인 힘을 소실시키고, 도시하지 않는 반송 장치에 의해 웨이퍼(W)를 별도의 장소에 반송한다.
이상 설명한 본 실시형태의 정전 척 히터(10) 및 그 제조법에서는, 접착면인 하면(20b) 및 상면(30a)에 있어서, 내주부(20i, 30i)보다 외주부(20o, 30o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠다. 이 때문에, 외주부에서의 접착 시트(40s)의 신전이 앵커 효과에 의해 억제되어, 접착 시트층(40)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 면내 온도를 균일하게 할 수 있다.
또한, 정전 척 히터(10)에서는, 내주부(20i, 30i)에 대응하는 내주 존(Z1)에는 내주 히터 전극(22)이 내장되고, 외주부(20o, 30o)에 대응하는 외주 존(Z2)에는 외주 히터 전극(24)이 내장되어 있다. 이 때문에, 표면 거칠기(Ra)의 차이에 의해 내주부와 외주부의 열전도에 차이가 생겨도, 그 차이에 따라 내주 히터 전극(22)과 외주 히터 전극(24)을 개별로 온도 제어할 수 있어, 웨이퍼(W)의 면내 온도를 더욱 균일하게 할 수 있다.
또한, 정전 척 히터(10)에 있어서, 세라믹 플레이트(20)의 하면(20b) 및 냉각 플레이트(30)의 상면(30a)의 반경이 135 ㎜ 이상인 경우에는, 접합면 전체면의 표면 거칠기(Ra)에 차가 없으면 외주부의 접착 시트(40s)가 내주부보다 특히 얇아지기 쉽다. 이 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다.
또한, 정전 척 히터(10)에 있어서, 접착면인 하면(20b) 및 상면(30a)에 있어서, 외주부(20o, 30o)의 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛보다 거친 경우에는, 외주부(20o, 30o)에서의 앵커 효과가 크다. 이 때문에, 외주부에서는 접착 시트(40s)의 신전이 더욱 억제되어, 접착 시트층(40)의 두께를 더욱 균일하게 할 수 있다. 또한, 내주부(20i, 30i)의 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛ 이하이면, 내주부(20i, 30i)에서의 앵커 효과는 비교적 작다. 이 때문에, 내주부에서는 접착 시트(40s)가 적절하게 신전하여, 접착 시트층(40)의 두께를 더욱 균일하게 할 수 있다. 또한, 외주부(20o, 30o)의 표면 거칠기(Ra)의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 3.2 ㎛ 이하로 하여도 좋고, 내주부(20i, 30i)의 표면 거칠기(Ra)의 2배 이하로 하여도 좋다. 이렇게 하면, 요철의 안쪽까지 접착 시트(40s)가 들어가기 쉬워, 간극이 생기기 어렵다.
또한, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되는 일없이, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지의 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에 있어서, 세라믹 플레이트(20)의 하면(20b)만, 내주부(20i)보다 외주부(20o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠어도 좋고, 냉각 플레이트(30)의 상면(30a)만, 내주부(30i)보다 외주부(30o)의 표면 거칠기(Ra)가 거칠어도 좋다. 앵커 효과가 편면에만 이루어지지만, 외주부에서의 접착 시트(40s)의 신전이 앵커 효과에 의해 억제되기 때문에, 접착 시트층(40)의 두께를 균일하게 할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 세라믹 플레이트(20)를 내주 존(Z1)과 외주 존(Z2)의 2개로 분할하여, 각 존(Z1, Z2)에 각 히터 전극(22, 24)을 배치하였지만, 세라믹 플레이트(20)를 3개 이상으로 분할하여, 존마다 히터 전극을 배치하여도 좋다. 또한, 존의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 원형이나 환형 외에, 반원형, 부채형, 원호형 등으로 하여도 좋다. 또한, 세라믹 플레이트(20)를 존으로 분할하는 일없이, 세라믹 플레이트(20)의 전체에 널리 퍼지도록 히터 전극을 배치하여도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 내주부(20i)와 외주부(20o)의 경계나, 내주부(30i)와 외주부(30o)의 경계는, 평면에서 보았을 때에, 가상 경계(B)와 일치하는 것으로 하였지만, 가상 경계(B)와 일치하지 않아도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 세라믹 플레이트(20)에는, 히터 전극(22, 24)과 정전 전극(28)이 내장되어 있는 것으로 하였지만, 전극이 내장되어 있으면 전극의 종류는 한정되지 않는다. 예컨대, 정전 전극 및 히터 전극 중 적어도 한쪽이 내장되어 있어도 좋고, RF 전극이 내장되어 있어도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 냉각 플레이트(30)는, 상면(30a)과, 상면(30a)보다도 저위의 단차면(30c)을 갖고 있는 것으로 하였지만, 도 7에 나타내는 바와 같이, 냉각 플레이트(30)를, 단차면(30c)이 없는 원주형으로 하여도 좋다. 이 경우, 접착면의 외주를 둘러싸는 원환형의 상면은, 외주부(30o)와 동일한 표면 거칠기(Ra)로 하여도 좋고, 내주부(30i)와 동일한 표면 거칠기(Ra)로 하여도 좋고, 어느 쪽과도 달라도 좋다.
본 출원은 2019년 3월 19일에 출원된 일본국 특허 출원 제2019-51398호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용의 전부가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 반도체의 제조 장치 등에 이용 가능하다.
10: 정전 척 히터 10s: 적층체
20: 세라믹 플레이트 20a: 웨이퍼 배치면
20b: 하면 20i: 내주부
20o: 외주부 22: 내주 히터 전극
22a: 일단 22b: 타단
22p: 내주 전원 24: 외주 히터 전극
24a: 일단 24b: 타단
24p: 외주 전원 28: 정전 전극
30: 냉각 플레이트 30a: 상면
30c: 단차면 30i: 내주부
30o: 외주부 32: 냉매 유로
40: 접착 시트층 40s: 접착 시트
B: 가상 경계 Z1: 내주 존
Z2: 외주 존.

Claims (5)

  1. 상면에 웨이퍼 배치면을 갖고, 전극이 내장된 원반형의 세라믹 플레이트와,
    상기 세라믹 플레이트의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 하면에 배치된 원반형의 냉각 플레이트와,
    상기 세라믹 플레이트의 하면에 있는 접착면과 상기 냉각 플레이트의 상면에 있는 접착면을 접착하는 수지제의 접착 시트층
    을 포함하고,
    상기 세라믹 플레이트의 접착면 및 상기 냉각 플레이트의 접착면 중 적어도 한쪽은, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거친 것인, 웨이퍼 배치 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극은 히터 전극이고, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 내주부에 대응하는 내주 존과, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 외주부에 대응하는 외주 존에 개별로 내장되는 것인, 웨이퍼 배치 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세라믹 플레이트의 접착면 및 상기 냉각 플레이트의 접착면은 반경 135 ㎜ 이상인 것인, 웨이퍼 배치 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세라믹 플레이트의 접착면 및 상기 냉각 플레이트의 접착면 중 적어도 한쪽은, 상기 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 1.6 ㎛보다 거친 것인, 웨이퍼 배치 장치.
  5. (a) 전극이 내장된 원반형의 세라믹 플레이트와, 원반형의 냉각 플레이트와, 접착 시트를 준비하는 공정과,
    (b) 상기 세라믹 플레이트와 상기 냉각 플레이트를 상기 접착 시트를 이용하여 접착하는 공정
    을 포함하고,
    상기 공정 (a)에서 준비하는 상기 세라믹 플레이트 및 상기 냉각 플레이트 중 적어도 한쪽은, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거친 접착면을 갖고,
    상기 공정 (b)에서는, 내주부보다 외주부의 표면 거칠기(Ra)가 거친 상기 접착면에서 접착되는 것인, 웨이퍼 배치 장치의 제조법.
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