KR102274002B1 - Steam device and stripping system including the same - Google Patents
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Abstract
실시 예는 기판에 스팀을 가하는 스팀 장치에 있어서, 제1 스팀부; 및 상기 제1 스팀부와 이격 배치되는 제2 스팀부를 포함하고, 상기 제1 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제1 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부;를 포함하고, 상기 제2 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제2 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동 시키는 제2 노즐부를 포함하고, 상기 제1 노즐부에서 유체의 토출 압력은 상기 제2 노즐부에서 유체의 토출 압력보다 작은 스팀 장치를 개시한다.An embodiment provides a steam device for applying steam to a substrate, comprising: a first steam unit; and a second steam part spaced apart from the first steam part, wherein the first steam part includes: a first nozzle part for spraying a fluid to the substrate; and a first transfer unit for moving the substrate in a first direction, wherein the second steam unit includes: a second nozzle unit for ejecting a fluid to the substrate; and a second nozzle unit for moving the substrate in a first direction, wherein a discharge pressure of the fluid from the first nozzle unit is smaller than a discharge pressure of the fluid from the second nozzle unit.
Description
실시 예는 스팀 장치 및 이를 포함하는 세정 시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a steam device and a cleaning system comprising the same.
최근에는 디스플레이 패널, 반도체 소자가 점차 미세화 되고 있어 세정 중 발생하는 패널의 긁힘, 얼룩 균일도, 두께편차 및 미세한 굴곡 등의 문제가 대두되고 있으며, 최근에는 1㎛이하(Submicron)의 손상이나 이물질도 제품 품질에 문제가 되는 경우가 발생하는 문제가 존재한다.In recent years, display panels and semiconductor devices are becoming increasingly miniaturized, and problems such as scratching, uniformity of stains, thickness deviation, and fine bending of the panel that occur during cleaning are emerging. There is a problem that occurs when there is a problem with quality.
이와 관련하여, 디스플레이용 스팀(Steam) 세정 장비는 패널 생산 과정에서 발생하는 이물(유?무기물)을 제거하여 수율을 증대시키고자 하는 장비이다. 특히, 생산 수율이 매우 중요한 이슈인 디스플레이 제작 공정에서 필수적이고, 기존에는 화학세정(Chemical Cleaning) 및 물리세정(Physical Cleaning) 방식을 사용해왔다.In this regard, the steam cleaning equipment for display is an equipment intended to increase the yield by removing foreign substances (organic and inorganic substances) generated during the panel production process. In particular, it is essential in the display manufacturing process, where production yield is a very important issue, and chemical cleaning and physical cleaning methods have been used in the past.
반도체 소자는 미세한 회로선이 고밀도로 집적되어 제조됨에 따라, 이에 상응하는 정밀 연마가 웨이퍼 표면에 행해질 수 있어야 한다. 웨이퍼의 연마를 보다 정밀하게 행하기 위해서는 기계적인 연마뿐만 아니라 화학적 연마가 병행되는 화학 기계적 연마 공정이 수행될 수 있다. As a semiconductor device is manufactured by integrating fine circuit lines with high density, a corresponding precision polishing must be performed on the wafer surface. In order to more precisely polish the wafer, a chemical mechanical polishing process in which chemical polishing is concurrently performed as well as mechanical polishing may be performed.
이러한 화학 기계적 연마 공정은 반도체 소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는 공정이다.This chemical mechanical polishing process is a wide area planarization that removes the height difference between the cell area and the surrounding circuit area due to the unevenness of the wafer surface that is generated while repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process, and the circuit formation contact/ It is a process of precision polishing the surface of a wafer in order to improve the surface roughness of the wafer due to the separation of the wiring film and the high-integration device.
그리고 연마 공정이 종료된 웨이퍼는 캐리어 헤드에 의하여 파지되어 공정면에 묻은 이물질을 세정하는 세정 공정을 거치게 된다.In addition, the wafer on which the polishing process has been completed is held by the carrier head and subjected to a cleaning process of cleaning foreign substances attached to the process surface.
뿐만 아니라, 반도체가 미세화 및 고집적화됨에 따라 웨이퍼의 세정 효율에 대한 중요성이 점차 커지고 있다. 특히, 세정 모듈에서 웨이퍼의 세정 공정이 완료된 후에도 웨이퍼의 표면에 이물질이 잔존하면, 수율이 저하되고, 안정성 및 신뢰성이 저하되기 때문에 세정 모듈에서 이물질이 최대한 제거될 수 있어야 한다.In addition, as semiconductors are miniaturized and highly integrated, the importance of cleaning efficiency of wafers is gradually increasing. In particular, if foreign substances remain on the surface of the wafer even after the cleaning process of the wafer is completed in the cleaning module, the yield is lowered, and the stability and reliability are lowered.
다만, 세정 모듈과 별도로 예비 세정을 진행하기 위한 예비 세정 공간을 추가적으로 마련해야 함에 따라, 설비의 레이아웃에 불리할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 이송 및 세정 처리 공정이 복잡해지고 세정 시간이 증가하는 문제점이 존재한다.However, as it is necessary to additionally provide a preliminary cleaning space for performing preliminary cleaning separately from the cleaning module, it is disadvantageous to the layout of the equipment, and there is a problem in that wafer transfer and cleaning processes are complicated and cleaning time is increased.
실시 예는 세정 효과가 개선된 스팀 장치를 제공한다.The embodiment provides a steam device with improved cleaning effect.
또한, 노즐의 분사 방향이 상이한 스팀 장치를 제공한다.In addition, there is provided a steam device in which the injection direction of the nozzle is different.
또한, 최소화가 용이한 스팀 장치를 제공한다.In addition, a steam device that is easy to minimize is provided.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problem to be solved in the embodiment is not limited thereto, and it will be said that the purpose or effect that can be grasped from the solving means or embodiment of the problem described below is included.
실시예에 따른 스팀 장치는 기판에 스팀을 가하는 스팀 장치에 있어서, 제1 스팀부; 및 상기 제1 스팀부와 이격 배치되는 제2 스팀부를 포함하고, 상기 제1 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제1 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부;를 포함하고, 상기 제2 스팀부는, 상기 기판으로 유체를 분사하는 제2 노즐부; 및 상기 기판을 제1 방향으로 이동 시키는 제2 노즐부를 포함하고, 상기 제1 노즐부에서 유체의 토출 압력은 상기 제2 노즐부에서 유체의 토출 압력보다 작다.A steam device according to an embodiment is a steam device for applying steam to a substrate, comprising: a first steam unit; and a second steam part spaced apart from the first steam part, wherein the first steam part includes: a first nozzle part for spraying a fluid to the substrate; and a first transfer unit for moving the substrate in a first direction, wherein the second steam unit includes: a second nozzle unit for ejecting a fluid to the substrate; and a second nozzle unit for moving the substrate in a first direction, wherein a discharge pressure of the fluid from the first nozzle unit is smaller than a discharge pressure of the fluid from the second nozzle unit.
상기 제1 노즐부는 상기 기판과 제1 이격 거리만큼 이격 배치되고, 상기 제2 노즐부는 상기 기판과 제2 이격 거리만큼 이격 배치되며, 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이격 거리보다 작을 수 있다.The first nozzle unit may be spaced apart from the substrate by a first separation distance, the second nozzle unit may be spaced apart from the substrate by a second separation distance, and the first separation distance may be smaller than the second separation distance.
상기 제1 노즐부는 상기 기판에 수직한 제1 가상선과 제1 각도를 이루고, 상기 제1 각도는 변경될 수 있다.The first nozzle unit may form a first angle with a first imaginary line perpendicular to the substrate, and the first angle may be changed.
상기 제2 노즐부는 상기 기판에 수직한 제2 가상선과 제2 각도를 이루고, 상기 제2 각도는 상기 제1 각도보다 작을 수 있다.The second nozzle part may form a second angle with a second imaginary line perpendicular to the substrate, and the second angle may be smaller than the first angle.
상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부는 이격 배치될 수 있다.The first nozzle part and the second nozzle part may be spaced apart from each other.
상기 제1 노즐부는, 유체가 주입되는 제1 상면; 유체가 출사되는 제1 하면; 및 내부에서 상기 제1 상면 및 제1 하면을 관통하는 제1 관통홀;을 포함할 수 있다.The first nozzle unit may include: a first upper surface into which a fluid is injected; a first lower surface to which the fluid is emitted; and a first through hole penetrating the first upper surface and the first lower surface from the inside.
상기 제2 노즐부는, 유체가 주입되는 제2 상면; 유체가 출사되는 제2 하면; 및 내부에서 상기 제2 상면 및 제2 하면을 관통하는 제2 관통홀;을 포함할 수 있다..The second nozzle unit may include a second upper surface into which the fluid is injected; a second lower surface from which the fluid is emitted; and a second through hole penetrating the second upper surface and the second lower surface from the inside.
상기 제1 하면의 면적은 상기 제2 하면의 면적보다 클 수 있다.An area of the first lower surface may be larger than an area of the second lower surface.
제1 이송부 및 상기 제2 이송부는 상기 기판을 제1 방향으로 이송시키는 복수 개의 이송 롤러를 포함할 수 있다.The first transfer unit and the second transfer unit may include a plurality of transfer rollers for transferring the substrate in a first direction.
상기 제1 이송부의 이송 속도와 상기 제2 이송부의 이송 속도를 제어하는 속도 제어부;를 더 포함하고, 상기 속도 제어부는 상기 제1 이송부의 이송 속도가 상기 제2 이송부의 이송 속도보다 작게 제어할 수 있다.Further comprising; a speed control unit for controlling the conveying speed of the first conveying unit and the conveying speed of the second conveying unit, wherein the speed control unit may control the conveying speed of the first conveying unit to be smaller than the conveying speed of the second conveying unit have.
실시 예에 따르면, 세정 효과가 개선된 스팀 장치를 구현할 수 있다.According to an embodiment, a steam device having an improved cleaning effect may be implemented.
또한, 노즐의 분사 방향이 상이한 스팀 장치를 제작할 수 있다.In addition, it is possible to manufacture a steam device in which the jetting direction of the nozzle is different.
또한, 최소화가 용이한 스팀 장치를 제작할 수 있다.In addition, it is possible to manufacture a steam device that can be easily minimized.
또한, 화학/물리 세정 방식 대비 스팀(Steam) 세정 방식을 적용하여 분사되는 입자의 평균 크기가 작고, 더 낮은 사용 압력을 가져 미세패턴에 데미지(Damage)를 감소시킬 수 있으며, 작은 입자 크기로 인해 미세패턴 사이사이에 침입하여 세정효과를 극대화할 수 있다.In addition, by applying the steam cleaning method compared to the chemical/physical cleaning method, the average size of the sprayed particles is small, and the damage to the fine pattern can be reduced by having a lower working pressure, and due to the small particle size The cleaning effect can be maximized by penetrating between the fine patterns.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above, and will be more easily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.
도 1은 실시예에 따른 박리 시스템의 개략도이고,
도 2는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 사시도이고,
도 3은 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 상면도이고,도 4는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 측면도이고,
도 5는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 측면도이고,
도 6은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 단면도이고,
도 7은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 사시도이고,
도 8은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 하면도이고,
도 9는 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 일 측면도이고,
도 10은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 다른 측면도이고,
도 11은 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 등각도이고,
도 12는 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 측면도이고,
도 13는 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 개념도이고,
도 14은 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이고,
도 15는 도 14에서 A부분의 확대도이고,
도 16는 도 14에서 B부분의 확대도이고,
도 17은 또 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이다.1 is a schematic diagram of a peeling system according to an embodiment;
2 is a perspective view of a peeling system according to an embodiment;
3 is a top view of a steam device of a peeling system according to an embodiment, and FIG. 4 is a side view of a steam device of a peeling system according to an embodiment;
5 is a side view of a peeling system according to one embodiment;
6 is a cross-sectional view of a first steam unit according to an embodiment;
7 is a perspective view of a first steam unit according to an embodiment;
8 is a bottom view of the first steam unit according to an embodiment;
9 is a side view of a first steam unit according to an embodiment;
10 is another side view of the first steam unit according to an embodiment;
11 is an isometric view of a second steam unit according to an embodiment;
12 is a side view of a second steam unit according to an embodiment;
13 is a conceptual diagram of a steam device according to another embodiment;
14 is a side view of a steam device according to another embodiment;
15 is an enlarged view of part A in FIG. 14;
16 is an enlarged view of part B in FIG. 14;
17 is a side view of a steam apparatus according to another embodiment;
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including an ordinal number such as second, first, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it is understood that the other component may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is mentioned that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.
도 1은 실시예에 따른 박리 시스템의 개략도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 사시도이다.1 is a schematic diagram of a peeling system according to an embodiment, and FIG. 2 is a perspective view of a peeling system according to an embodiment.
박리 시스템(1)은 웨이퍼, 글라스 등을 포함하는 모재인 기판을 적재하는 로더 장치(10), 기판을 세정하기 위한 스팀 장치(20), 세정된 기판을 세척하는 린스 장치(30), 세척된 기판을 건조하는 건조 장치(40), 건조된 기판을 외부로 반출하는 언로더 장치(50)를 포함할 수 있다.The
먼저, 로더 장치(10)는 다수의 기판들을 외부로부터 반입할 수 있다. 그리고 스팀 장치(20)는 반입된 기판들의 표면에 존재하는 이물질을 제거할 수 있다. 이 때, 스팀 장치(20)는 스팀을 통해 상기 이물질을 제거할 수 있으며, 이에 대한 자세한 내용은 이하 도 2 내지 도 17에서 설명한다.First, the
그리고 린스 장치(30)는 소정의 액을 이용하여 기판을 세척할 수 있다. 그리고 건조 장치(40)는 기판을 건조할 수 있다. 예컨대, 건조 장치(40)는 소정 rpm 범위의 원심력으로 기판을 회전 시킬 수 있다. 이러한 회전을 통해 세정액 등을 용이하게 제거할 수 있다. 다만, 이러한 방식에 한정되는 것은 아니다.In addition, the rinsing
이후에, 언로더 장치(50)는 건조된 기판을 외부로 반출할 수 있다. 언로더 장치(50)는 로더 장치(10)와 일체로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Thereafter, the
상술한 내용과 같이 박리 시스템(1)은 기판을 반입하고 세정, 세척, 건조 과정을 순차로 수행한 이후에 외부로 반출할 수 있다. 이로써, 에칭 등의 공정을 거친 기판 상에 이물질 등이 형성되더라도 이를 용이하게 제거할 수 있다. 이에 따라, 이물질에 의한 오동작, 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.As described above, the
도 3은 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 상면도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 스팀 장치의 측면도이고, 도 5는 일 실시예에 따른 박리 시스템의 측면도이다.3 is a top view of a steam apparatus of a peeling system according to an embodiment, FIG. 4 is a side view of a steam apparatus of a peeling system according to an embodiment, and FIG. 5 is a side view of a peeling system according to an embodiment.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 스팀 장치(20)는 제1 스팀부(210), 제2 스팀부(220)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 스팀부(210)는 제2 스팀부(220)와 공간적으로 분리될 수 있다. 예컨대, 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220)는 이격 배치되고, 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 여기서, 제1 방향(X축 방향)은 스팀 장치(20) 내에서 기판이 이동하는 방향이고, 제2 방향(Y축 방향)은 제1 방향(X축 방향)에 수직한 방향이며, 제3 방향(Z축 방향)은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향)에 모두 수직한 방향이다. 이러한 기준은 이하에 모두 동일하게 적용될 수 있다.3 to 5 , the
그리고 제1 스팀부(110)는 기판이 인입되는 제1 인입구 및 기판이 배출되는 제1 배출구를 포함하고, 제2 스팀부(120)는 제1 스팀부를 통과하는 기판이 인입하는 제2 인입구와 기판이 배출되는 제2 배출구를 포함할 수 있다.In addition, the
이러한 제1 스팀부(110)는 유체를 분사하는 제1 노즐부(111)와, 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부(112)를 포함할 수 있다. The
보다 구체적으로, 제1 스팀부(110)는 제1 노즐부(111)를 둘러싸는 제1 하우징(113) 및 제1 하우징(113)과 연결되고 중공의 제1 유입라인(114)을 포함할 수 있다.More specifically, the
먼저, 제1 노즐부(111)는 제1 스팀부(110)와 연결될 수 있다. 예컨대, 제1 노즐부(111)는 제1 노즐부(111)의 상면 하부에 위치할 수 있다. 그리고 제1 노즐부(111)는 복수 개의 제1 홀을 포함할 수 있다. 이러한 복수 개의 제1 홀은 제1 유입라인(114)을 통해 유입된 스팀(steam)이 제1 이송부(112)와 제1 노즐부(111) 사이에서 이송되는 기판으로 분사될 수 있다. 실시예로 제1 이송부(112)는 제1 노즐부(111)와 이격 배치되어, 기판이 이송 가능한 공간을 형성할 수 있다. 그리고 이러한 구성에 의하여 제1 노즐부(111)는 스팀을 분사하여 기판 주위 환경을 원하는 온도, 습도 등으로 설정할 수 있다. 뿐만 아니라, 기판 상의 이물질 층(이후 유기물(O))과 기판 간의 결합력이 감소될 수 있다.First, the
그리고 제1 하우징(113)은 제1 노즐부(111) 상부에 배치되고, 제1 노즐부(111)의 평면 면적보다 작을 수 있다. 또한, 제1 하우징(113)은 제1 노즐부(111)에서 복수 개의 제1 홀의 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 하우징(113)을 통해 유입된 스팀은 손실 없이 효율적으로 제1 홀을 통해 하부의 기판으로 토출될 수 있다. In addition, the
구체적으로, 제1 유입라인(114)은 일단이 제1 하우징(113)의 상부와 소정의 통로를 통해 연결될 수 있다. 또한, 제1 유입라인(114)은 타단이 스팀을 공급하는 장치와 연결될 수 있다. 이러한 스팀을 공급하는 장치는 스팀 장치(20) 내부 또는 외부에 존재할 수 있다. 또한, 제1 유입라인(114)을 통해 유입되는 스팀은 일정 온도까지 상승하여 가열된 상태로 유입될 수 있다.Specifically, one end of the
제1 노즐부(111)는 제1 스팀부(110)의 상면과 높이차(hd)를 가지도록 배치될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 제1 노즐부(111)를 통해 기판으로 분사되는 스팀의 토출압력보다 제2 노즐부(121)를 통해 기판으로 분사되는 스팀의 토출압력이 더 클 수 있다. 뿐만 아니라, 제1 노즐부(111)와 기판 간의 소정의 이격 거리를 가짐으로써 기판에 대한 스팀의 분사정도를 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 제1 노즐부(111)는 후술하는 제2 노즐부(121)보다 상부에 위치할 수 있다.The
이러한 제1 스팀부(110)에 대한 자세한 설명은 후술한다.A detailed description of the
그리고 제2 스팀부(120)는 유체를 분사하는 제2 노즐부(121)와 기판을 제1 방향(X축 방향)으로 이동시키는 제2 이송부(122) 및 제2 유입라인(123)을 포함할 수 있다.In addition, the
먼저, 제2 노즐부(121)는 복수 개일 수 있다. 그리고 제2 노즐부(121)는 유체를 하부의 기판으로 분사할 수 있다. 이에 따라, 제2 노즐부(121)는 토출구가 하부일 수 있다. First, there may be a plurality of
또한, 유체는 다양한 물질의 혼합으로 이루어질 수 있다. 실시예에 따르면 유체는 스팀 공급부(미도시됨)로부터 제공되는 스팀, 탈이온수(DI)가 저장된 탈이온 공급부(미도시됨)로부터 제공되는 탈이온수(DIW) 및 세정 기체인 CDA를 포함할 수 있다. 이하에서는 제1 유체는 스팀을 의미하고, 제2 유체는 DIW를 의미하고, 제3 유체는 CDA를 의미하는 것으로 설명한다.In addition, the fluid may consist of a mixture of various substances. According to an embodiment, the fluid may include steam provided from a steam supply unit (not shown), deionized water (DIW) provided from a deionized supply unit (not shown) in which deionized water (DI) is stored, and CDA, which is a cleaning gas. have. Hereinafter, it will be described that the first fluid means steam, the second fluid means DIW, and the third fluid means CDA.
이러한 유체는 각각이 서로 다른 유입라인을 통해 제1 노즐부(121)로 제공될 수 있다. 이에, 유입라인은 복수 개일 수 있으며, 제2 스팀부(120)는 제2-1 유입 라인(123a), 제2-2 유입라인(123b)을 포함할 수 있다.These fluids may be provided to the
그리고 제2 노즐부(121)는 스팀을 기판 상으로 분사하여 기판 상에 존재하는 이물질 층을 타력에 의하여 제거할 수 있다. 즉, 제2 노즐부(121)는 기판 상에 잔류하는 유기물(O)을 제거할 수 있다. 이러한 제2 노즐부(121)에 대한 구체적인 설명은 후술한다.In addition, the
또한, 제2 노즐부(121)와 제1 노즐부(111)는 이격 배치되고, 제1 이송부(112)와 제2 이송부(122)도 이격 배치될 수 있다. 그리고 제1 이송부(112)와 제2 이송부(122)는 동일한 방향(제1 방향)으로 기판을 이동시키도록 회전할 수 있다.In addition, the
그리고 제2 이송부(122)는 제2 스팀부(120) 하부에 배치되어, 제1 이송부(112)를 통해 기판을 제2 스팀부(120) 내부로 이동시킬 수 있다. 제2 이송부(122)는 제1 이송부(112)와 마찬가지로 회전하는 복수 개의 이송 롤러로 이루어질 수 있다. 그리고 복수 개의 이송 롤러는 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있으며, 제1 방향(X축 방향)으로 기판을 이송하도록 회전할 수 있다.The
이 때, 제2 이송부(122)는 이송 속도(S2)가 제1 이송부(112)의 이송 속도(S1)와 상이할 수 있다. 여기서, 이송 속도는 이송부에 의해 기판이 이송되는 속도로 정의한다. 실시예로, 제1 이송부(112)와 제2 이송부(122)는 속도 제어부(130)부로부터 이송 속도가 제어될 수 있다. In this case, the transport speed S2 of the
또한, 스팀 장치(20)는 후술하는 바와 같이 제1 스팀부(110)와 제2 스팀부(120) 사이에 배치되는 이송 터널을 더 포함할 수도 있다. 이송 터널은 제1 스팀부(110)와 제2 스팀부(120) 간에 공간적 연결을 제공할 수 있다. 그리고 이러한 이송 터널은 기판(W)이 제1 스팀부(110)에서 제2 스팀부(120)로 이송되는 경로 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 스팀부(110)에서 1차 스팀 처리된 기판(W)이 제2 스팀부(120)으로 이동하여 2차 스팀 처리될 수 있다.In addition, the
이 때, 이송 터널(T)은 기판(W)이 제1 스팀부(110)에서 제2 스팀부(120)로 이동하는 경우에 열리고, 이외의 경우에는 닫힐 수 있다. 예컨대, 이송 터널(T)에 인접한 제1 이송부(112)에 센서를 설치하고, 센서로부터 무게, 압력 등의 정보를 얻어 기판(W)이 이송 터널(T)에 인접하였는지 판단함으로써, 이송 터널(T)의 열림/닫힘을 제어할 수 있다.At this time, the transfer tunnel T may be opened when the substrate W moves from the
도 6은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 단면도이고, 도 7은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 사시도이고, 도 8은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 하면도이고, 도 9는 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 일 측면도이고, 도 10은 일 실시예에 따른 제1 스팀부의 다른 측면도이다.6 is a cross-sectional view of a first steam unit according to an embodiment, FIG. 7 is a perspective view of a first steam unit according to an embodiment, FIG. 8 is a bottom view of the first steam unit according to an embodiment, and FIG. A side view of a first steam unit according to an embodiment, and FIG. 10 is another side view of the first steam unit according to an embodiment.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 상술한 바와 같이 이 때, 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113) 상부에 배치되며, 중공을 통해 유입된 스팀이 제1 하우징(113) 상부에서 제1 하우징(113) 내부로 이동할 수 있다.6 to 10 , as described above, at this time, the
이 떼, 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113)의 상부면에서 중앙에 위치할 수 있다. 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113)의 상면에서 복수 개의 측면과 접하는 각 모서리의 이등분선의 교점과 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 유입라인(114)을 통해 유입된 스팀이 제1 하우징(113) 내부에 전체적으로 균일하게 이동할 수 있다. In this group, the
또한, 상술한 바와 같이 제1 하우징(113)은 복수 개의 측면을 포함할 수 있다. 실시예로, 제1 하우징(113)은 서로 마주보는 제1-1 측면(113a), 서로 마주보고 제1-1 측면(113a)과 연결되는 제1-2 측면(113b)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1-1 측면(113a)은 제1 방향으로 길이가 제1-2 측면(113b)의 제3 발향으로 길이보다 길이가 클 수 있다. 즉, 제1 하우징(113)은 기판이 이동하는 제1 방향으로의 길이와 대응되도록 측면의 길이를 설정하여 스팀에 의한 이물질 분리 효과를 더욱 개선할 수 있다. 이로써, 스팀에 의한 기판 상의 이물질 층(이후 유기물(O))과 기판 간의 결합력 감소가 더욱 증가될 수 있다.Also, as described above, the
그리고 제1 노즐부(111)는 상술한 바와 같이 제1 하우징(113)의 하부에 배치될 수 있다. 이 때, 제1 노즐부(111)는 제1 하우징(113) 및 제1 하우징(113)과 제2 방향으로 중첩하는 제1 영역(111a) 및 제1 영역(111a) 이외의 영역인 제2 영역(111b)을 포함할 수 있다. 즉, 제2 영역(111b)은 제1 하우징(113)과 제2 방향으로 중첩되지 않을 수 있다.Also, the
그리고 제2 영역(111b)은 제1 영역(111a)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 영역(11b)을 가짐으로써 제1 노즐부(111)는 평면(XZ)상 면적이 제1 하우징(113)의 면적보다 클 수 있다. 이에, 제1 노즐부(111)는 제1 하우징(113)을 용이하게 지지하면서 제12 하우징(113) 내부의 스팀이 외부로 빠져나가는 것을 용이하게 방지할 수 있다. In addition, the
또한, 제1 노즐부(111)는 제1 유입라인(114)과 마주보도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 유입라인(114)은 제1 스팀부(110)에서 상부에 위치하고, 제1 노즐부(111)는 제1 유입라인(114)의 하부에 위치할 수 있다. 또한, 제1 유입라인(114)은 제1 하우징(113)의 상면에 연결되나, 제1 노즐부(111)는 제1 하우징(113)의 하면에 위치할 수 있다. 이와 같이 제1 노즐부(111)와 제1 유입라인(114)을 마주보도록 위치하여, 제1 하우징(113) 내부의 스팀이 제1 노즐부(111)의 홀을 통해 하부로 균일하게 토출되게 유지할 수 있다.Also, the
또한, 제1 노즐부(111)에는 상술한 바와 같이 복수 개의 홀이 배치되고, 복수 개의 홀은 제1 방향 및 제3 방향으로 평행 및 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 이에, 제1 노즐부(111)의 홀을 통해 하부로 분사되는 스팀이 이동하는 기판에 균일하게 조사되어, 기판 전체에서 이물질층이 용이하게 분리가능해질 수 있다. 즉, 제2 스팀부(120)에서 유체에 의해 타력으로 이물질층이 기판 전체에 이루어지는 환경을 제공할 수 있다. Also, a plurality of holes may be disposed in the
상술한 제1 스팀부는 일체형 또는 다수의 모듈, 구성요소가 조립되어 이루어질 수 있다. 다만, 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다.The above-described first steam unit may be formed in one piece or by assembling a plurality of modules and components. However, it is not limited to this configuration.
도 11은 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 등각도이고, 도 12는 일 실시예에 따른 제2 스팀부의 측면도이다.11 is an isometric view of a second steam unit according to an embodiment, and FIG. 12 is a side view of the second steam unit according to an embodiment.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제2 스팀부(120)는 복수 개의 층으로 분리될 수 있다.11 and 12 , the
구체적으로, 제2 스팀부(120)는 제1 스팀부재(121a), 제2 스팀부재(121b), 제3 스팀부재(121c) 및 제4 스팀부재(121d)를 포함할 수 있다.Specifically, the
제1 스팀부재(121a)는 제2 스팀부재(121b) 상부에 배치될 수 있다. 제2 스팀부재(121b)는 제3 스팀부재(121c) 상부에 배치될 수 있으며, 제3 스팀부재(121c)는 제4 스팀부재(121d) 상부에 배치될 수 있다.The
제1 스팀부재(121a)는 제2 스팀부재(121b)와 제3 스팀부재(121c)를 덮을 수 있다. 즉, 제1 스팀부재(121a)는 제2 스팀부재(121b)와 제3 스팀부재(121c)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.The
그리고 제3 스팀부재(121c)는 면적이 제2 스팀부재(121b)의 면적보다 클 수 있다. 그리고 제4 스팀부재(121d)는 면적이 제3 스팀부재(121c)의 면적보다 클 수 있다. 또한, 제4 스팀부재(121d)는 최대면적이 제1 스팀부재(121a)의 최대면적과 동일할 수 있다.In addition, the area of the
또한, 제4 스팀부재(121d)와 제1 스팀부재(121a)가 접하는 영역에 홀이 배치되어 내부의 유체가 홀을 통해 하부로 토출될 수 있다.Also, a hole is disposed in a region where the
먼저, 제2 스팀부재(121b)는 각 유체를 공급하는 유체 공급부와 연결될 수 있다. 즉, 제2 스팀부재(121b) 내지 제4 스팀부재(121d)는 각각이 제2 유입라인과 연결되어 유체를 공급받을 수 있다. 예컨대, 제2 스팀부재(121b)는 제2-1 유입라인과 연결될 수 있다. 예시적으로, 제2 스팀부재(121b)는 스팀을 제공받고, 제3 스팀부재(121c)는 DIW를 제공받고, 제4 스팀부재(121d)는 CDA를 제공받을 수 있다.First, the
그리고 제2 스팀부재(121b)는 제1 토출홀(h1)을 포함할 수 있고, 제3 스팀부재(121c)는 제2 토출홀(h2)을 포함할 수 있으며, 제4 스팀부재(121d)는 제3 토출홀을 포함할 수 있다. The
이에 따라, 제2 스팀부재(121b)와 제3 스팀부재(121c)를 통해 일측 토출되는 제1 유체(K1)와 제2 유체(K2)는 각각 제1 토출홀(h1) 및 제2 토출홀(h2)을 지나 제1 스팀부재(121a)를 따라 하부로 이동할 수 있다. 그리고 제4 스팀부재(121d)를 통해 타측으로 토출되는 제3 유체(K3)는 제4 스팀부재(121d)를 따라 하부로 이동할 수 있다.Accordingly, the first fluid K1 and the second fluid K2 discharged on one side through the
이 때, 제2 스팀부(120)는 제1 측면(1300) 및 제1 측면(1300)을 마주보는 제2 측면(1400)을 포함하고, 제1 측면(1300)과 연결되고 하부로 경사진 제1 경사면(1100) 및 제2 측면(1400)과 연결되고 하부로 경사지며 제1 경사면(1100)과 접하는 제2 경사면(1200)을 포함할 수 있다.At this time, the
이 때, 제1 측면(1300)은 제2 방향으로 길이가 제2 측면(1400)의 제2 방향으로 길이와 상이할 수 있다. 실시예로, 제1 측면(1300)은 제2 방향으로 길이가 제2 측면(1400)의 제2 방향으로 길이보다 작을 수 있다. 또한, 제1 경사면(1100)은 제2 방향으로 연장된 길이가 서로 상이할 수 있다. 실시예로, 제1 경사면(1100)은 제2 방향으로 연장된 길이가 제2 경사면(1200)의 제2 방향으로 연장된 길이보다 클 수 있다.In this case, the length of the first side surface 1300 in the second direction may be different from the length of the
이러한 길이의 제어에 의하여, 토출된 제1 유체(K1)와 제2 유체(K2)가 혼합된 이후에 제3 유체(K3)와 최종적으로 혼합된 이후에 하부로 토출되는 압력(토출 압력)을 용이하게 제어할 수 있다. 이 때, 제1 경사면110)과 제2 경사면(1200) 사이의 토출공간을 통해 제1 유체 내지 제3 유체가 모두 혼합되어 하부로 토출될 수 있다. 또한, 상술한 제1 토출홀(h1) 내지 제3 토출홀(h3)은 복수 개일 수 있다.도 13은 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 개념도이고, 도 14는 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이고, 도 15는 도 14에서 A부분의 확대도이고, 도 16은 도 14에서 B부분의 확대도이고, 도 17은 또 다른 실시예에 따른 스팀 장치의 측면도이다.By controlling the length, the pressure (discharge pressure) discharged to the bottom after the discharged first fluid K1 and the second fluid K2 are mixed and finally mixed with the third fluid K3 can be easily controlled. At this time, through the discharge space between the first
도 13 및 도 14를 참조하면, 다른 실시예에 따른 스팀 장치(20)는 제1 스팀부(210), 제2 스팀부(220)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 스팀부(210)는 제2 스팀부(220)와 공간적으로 분리될 수 있다. 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220)는 이격 배치되고, 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 상술한 바와 동일하게, 제1 방향(X축 방향)은 스팀 장치(20) 내에서 기판(W)이 이동하는 방향이고, 제2 방향(Y축 방향)은 제1 방향(X축 방향)에 수직한 방향이며, 제3 방향(Z축 방향)은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향)에 모두 수직한 방향이다. 또한, 동일한 명칭을 갖는 구성요소는 각 실시예에서 설명하는 내용에 따라 상이할 수 있으며, 기재되지 않은 부분은 서로 다른 실시예에 용이하게 변경될 수도 있다.그리고 제1 스팀부(210)는 기판이 인입되는 인입구를 포함하고, 제2 스팀부(220)는 기판이 배출되는 배출구를 포함할 수 있다.13 and 14 , the
먼저, 제1 스팀부(210)는 유체를 분사하는 복수 개의 제1 노즐부(211)와, 기판(W)을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부(212)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 스팀부(220)는 유체를 분사하는 복수 개의 제2 노즐부(221)와 기판(W)을 제1 방향(X축 방향)으로 이동시키는 제2 이송부(222)를 포함할 수 있다. First, the
또한, 제2 노즐부(221)와 제1 노즐부(211)는 이격 배치되고, 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222)도 이격 배치될 수 있다. 그리고 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222)는 동일한 방향(제1 방향)으로 기판(W)을 이동시키도록 회전할 수 있다.In addition, the
보다 구체적으로, 제1 노즐부(211)는 복수 개의 노즐 장치로 이루어질 수 있으며, 제1 노즐부(211)도 복수 개일 수 있다. 예컨대, 제1 노즐부(211)는 제1-1 노즐부(211a), 제1-2 노즐부(211b), 제1-3 노즐부(211c)를 포함할 수 있다. 그리고 제1-1 노즐부(211a), 제1-2 노즐부(211b), 제1-3 노즐부(211c)는 제1 방향(X축 방향)으로 순차로 배치될 수 있다.More specifically, the
제1-1 노즐부(211a), 제1-2 노즐부(211b), 제1-3 노즐부(211c)는 스팀(steam)을 외부로 분출할 수 있다. 즉, 제1 노즐부(211)는 스팀을 분사하여 기판(W) 주위 환경을 원하는 온도, 습도 등으로 설정할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 기판(W) 상의 이물질 층(이후 유기물(O))은 기판(W)과의 결합력이 감소될 수 있다.The 1-1
또한, 제1 노즐부(211)는 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 공급받을 수 있다. 그리고 스팀 공급부(미도시됨)는 스팀을 일정 온도까지 상승하여 가열된 상태로 유지할 수 있다. 즉, 제1 노즐부(211)는 스팀 관(미시됨)을 통해 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 제공받고, 외부로 분사할 수 있다.Also, the
또한, 제2 노즐부(221)는 노즐 장치로 이루어질 수 있으며, 복수 개일 수 있다. 예컨대, 제2 노즐부(221)는 제2-1 노즐부(221a), 제2-2 노즐부(221b), 제2-3 노즐부(221c)를 포함할 수 있다. 그리고 제2-1 노즐부(221a), 제2-2 노즐부(221b), 제2-3 노즐부(221c)는 제1 방향(X축 방향)으로 순차로 배치될 수 있다. In addition, the
그리고 제2-1 노즐부(221a), 제2-2 노즐부(221b), 제2-3 노즐부(221c)는 상술한 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 제공받아 외부로 분출할 수 있다. 그리고 제2 노즐부(221)는 스팀을 기판(W) 상으로 분사하여 기판(W) 상에 존재하는 이물질 층을 타력에 의하여 제거할 수 있다. 즉, 제2 노즐부(221)는 기판(W) 상에 잔류하는 유기물(O)을 제거할 수 있다. In addition, the 2-1
또한, 제2 노즐부(221)는 스팀 공급부(미도시됨)로부터 스팀을 제공받고, 탈이온수(DI)가 저장된 탈이온 공급부(미도시됨)로부터 탈이온수를 추가로 제공받을 수 있다. 더 나아가, 제2 노즐부(221)는 N2, CDA 등의 세정 기체 등을 추가로 제공받을 수 있다. 다만, 이러한 종류에 한정되는 것은 아니다.In addition, the
그리고 제1 이송부(212)는 제1 스팀부(210) 하부에 배치되어, 로더 장치(10)로부터 이송된 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 제1 이송부(212)는 회전하는 복수 개의 이송 롤러로 이루어질 수 있다. 그리고 복수 개의 이송 롤러는 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있으며, 제1 방향(X축 방향)으로 기판(W)을 이송하도록 회전할 수 있다.In addition, the
그리고 제1 이송부(212)는 제1 노즐부(211)와 이격 배치되어, 기판(W)이 이송 가능한 공간을 형성할 수 있다.In addition, the
제2 이송부(222)는 제2 스팀부(220) 하부에 배치되어, 제1 이송부(212)를 통해 기판(W)을 제2 스팀부(220) 내부로 이동시킬 수 있다. 제2 이송부(222)는 제1 이송부(212)와 마찬가지로 회전하는 복수 개의 이송 롤러로 이루어질 수 있다. 그리고 복수 개의 이송 롤러는 제1 방향(X축 방향)으로 나란히 배치될 수 있으며, 제1 방향(X축 방향)으로 기판(W)을 이송하도록 회전할 수 있다.The
이 때, 제2 이송부(222)는 이송 속도(S2)가 제1 이송부(212)의 이송 속도(S1)와 상이할 수 있다. 여기서, 이송 속도는 이송부에 의해 기판(W)이 이송되는 속도로 정의한다. 실시예로, 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222)는 속도 제어부(230)부로부터 이송 속도가 제어될 수 있다.In this case, the transport speed S2 of the
이에 따라, 제1 이송부(212)의 이송 속도(S1)는 제2 이송부(222)의 이송 속도(S2)보다 작을 수 있다. 그리고 제1 이송부(212)의 제1 방향(X축 방향)으로 길이가 제2 이송부(222)의 제1 방향(X축 방향)으로 길이보다 작더라도, 기판(W)이 제1 이송부(212)와 제2 이송부(222) 내에 존재하는 시간은 서로 같을 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 이송 속도를 조절하여 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220)의 크기를 용이하게 소형화할 수 있다.Accordingly, the transfer speed S1 of the
또한, 스팀 장치(20)는 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220) 사이에 배치되는 이송 터널(T)을 더 포함할 수 있다. 이송 터널(T)은 제1 스팀부(210)와 제2 스팀부(220) 간에 공간적 연결을 제공할 수 있다. 그리고 이러한 이송 터널(T)은 기판(W)이 제1 스팀부(210)에서 제2 스팀부(220)로 이송되는 경로 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 스팀부(210)에서 1차 스팀 처리된 기판(W)이 제2 스팀부(220)으로 이동하여 2차 스팀 처리될 수 있다.In addition, the
이 때, 이송 터널(T)은 기판(W)이 제1 스팀부(210)에서 제2 스팀부(220)로 이동하는 경우에 열리고, 이외의 경우에는 닫힐 수 있다. 예컨대, 이송 터널(T)에 인접한 제1 이송부(212)에 센서를 설치하고, 센서로부터 무게, 압력 등의 정보를 얻어 기판(W)이 이송 터널(T)에 인접하였는지 판단함으로써, 이송 터널(T)의 열림/닫힘을 제어할 수 있다. At this time, the transfer tunnel T may be opened when the substrate W moves from the
도 15 및 도 16를 참조하면, 전술한 바와 같이, 제1 스팀부(210)에서 제1 노즐부(211)는 기판(W)과 제1 이격 거리(h1)를 가지도록 이격 배치될 수 있다. 이 때, 제1 이격 거리(h1)는 기판(w)과 제1 노즐부(211) 간의 최소 거리이다. 또한, 제1 노즐부(211)는 스팀(steam)을 기판(W) 주위로 분사할 수 있다. 이 때, 제1 노즐부(211)는 기판(W)을 상면을 향해 스팀을 분사할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.15 and 16 , as described above, the
그리고 제1 노즐부(211)는 스팀이 주입되는 제1 상면(211-1)과 스팀이 출사되는 제1 하면(211-2)을 포함할 수 있다. 그리고 제1 노즐부(211) 내부에 스팀이 통과하는 제1 관통홀(H1)을 포함할 수 있다. 제1 관통홀(H1)은 제1 노즐부(211)의 제1 상면(211-1)과 제1 하면(211-2)을 관통할 수 있다.In addition, the
또한, 제1 관통홀(H1)은 위치에 따라 면적이 변할 수 있다. 예컨대, 제1 관통홀(H1)의 면적은 제1 상면(211-1)의 면적인 제1 면적(R1), 제1 하면(211-2)의 면적인 제3 면적(R3) 및 제1 상면(211-1)과 제1 하면(211-2) 사이에서 최소 면적인 제2 면적(R2)을 포함할 수 있다.Also, the area of the first through hole H1 may change according to a location. For example, the area of the first through hole H1 includes a first area R1 that is the area of the first upper surface 211-1, a third area R3 that is an area of the first lower surface 211-2, and the first A second area R2 that is a minimum area may be included between the upper surface 211-1 and the first lower surface 211-2.
이 때, 제1 면적(R1), 제3 면적(R3) 및 제2 면적(R2) 순으로 면적이 감소할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 관통홀(H1)은 면적이 스팀의 유동 방향을 따라 제1 면적(R1)을 유지하다가, 제2 면적(R2)까지 점차 감소할 수 있다. 그리고 제2 면적(R2)에서 제3 면적(S3)으로 면적이 점차 증가할 수 있다. In this case, the area may decrease in the order of the first area R1 , the third area R3 , and the second area R2 . More specifically, the area of the first through hole H1 may gradually decrease to the second area R2 while maintaining the first area R1 along the steam flow direction. In addition, the area may gradually increase from the second area R2 to the third area S3 .
이에 따라, 실시예에 따른 제1 노즐부(211)는 제1 면적(R1)을 유지하여 스팀의 흐름을 안정화할 수 있다. 그리고 제2 면적(R2)까지 면적이 감소하면서 스팀이 압축되어 유속을 증가시킬 수 있다. 그리고 제3 면적(R3)까지 점진적으로 면적이 증가하여 유속이 증가된 유체(즉, 스팀)를 균일하게 외부로 배출할 수 있다.Accordingly, the
이에 따라, 제1 노즐부(211)로 분사된 유체는 기판(W)을 향해 이동할 수 있다. 이 때, 유체는 기판(W) 상의 유기물(O) 주위에 위치하여 기판(W) 간의 결합력(K)을 감소시킬 수 있다. 또한, 유체 유기물(O)과 기판(W) 사이에 위치하는 무기물(I)과 유기물(O) 간의 결합력도 저하시킬 수 있다. 여기서, 유기물(O)은 기판(W)이나 무기물(I) 상에 형성된 찌꺼기, 불순물을 포함하는 의미이다.Accordingly, the fluid injected to the
그리고 제2 스팀부(220)에서 제2 노즐부(221)는 기판(W)과 제2 이격 거리(h2)를 가지도록 이격 배치될 수 있다. 이 때, 제2 이격 거리(h2)는 기판(w)과 제2 노즐부(221) 간의 최소 거리이다.In addition, in the
또한, 제2 노즐부(221)는 스팀(steam)을 기판(W) 주위로 분사할 수 있다. 이 때, 제2 노즐부(221)는 기판(W)을 상면을 향해 스팀을 분사할 수 있다. 그리고 제2 노즐부(221)는 스팀이 주입되는 제2 상면(221-1)과 스팀이 출사되는 제2 하면(221-2)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 노즐부(221) 내부에 스팀이 통과하는 제2 관통홀(H2)을 포함할 수 있다.In addition, the
제2 관통홀(H2)은 제2 노즐부(221)의 제2 상면(221-1)과 제2 하면(221-2)을 관통할 수 있다. 또한, 제2 관통홀(H2)은 위치에 따라 면적이 변할 수 있다. 예컨대, 제2 관통홀(H2)의 면적은 제2 상면(221-1)의 면적인 제4 면적(R4), 제2 하면(221-2)의 면적인 제6 면적(R6) 및 제2 상면(221-1)과 제2 하면(221-2) 사이에서 최소 면적인 제5 면적(R5)을 포함할 수 있다.The second through hole H2 may pass through the second upper surface 221-1 and the second lower surface 221-2 of the
이 때, 제4 면적(R4), 제6 면적(R6) 및 제5 면적(R5) 순으로 면적이 감소할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 관통홀(H2)은 면적이 스팀의 유동 방향을 따라 제4 면적(R4)을 유지하다가, 제5 면적(R5)까지 점차 감소할 수 있다. 그리고 제5 면적(R5)에서 제6 면적(S6)으로 면적이 점차 증가할 수 있다. In this case, the area may decrease in the order of the fourth area R4 , the sixth area R6 , and the fifth area R5 . As described above, the area of the second through hole H2 may gradually decrease to the fifth area R5 while maintaining the fourth area R4 along the steam flow direction. In addition, the area may gradually increase from the fifth area R5 to the sixth area S6 .
이에 따라, 실시예에 따른 제2 노즐부(221)는 제4 면적(R4)을 유지하여 스팀의 흐름을 안정화할 수 있다. 그리고 제5 면적(R5)까지 면적이 감소하면서 스팀이 압축되어 유속을 증가시킬 수 있다. 그리고 제6 면적(R6)까지 점진적으로 면적이 증가하여 유속이 증가된 유체(즉, 스팀)를 균질하게 외부로 배출할 수 있다. 이에 따라, 제2 노즐부(221)로 분사된 유체는 기판(W)을 향해 이동할 수 있다.Accordingly, the
다만, 제6 면적(R6)은 상술한 제3 면적(R3)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 노즐부(211)에 의한 토출 압력은 제2 노즐부(221)의 토출 압력보다 작을 수 있다. 실시예로, 제1 노즐부(211)에 의한 토출 압력은 제2 노즐부(221)에 의한 토출 압력의 30% 내지 60%일 수 있다. 여기서, 토출 압력은 제1 노즐부(211)와 제2 노즐부(221)를 통해 유체(증기)가 분사되는 압력으로 정의한다. However, the sixth area R6 may be smaller than the above-described third area R3 . Accordingly, the discharge pressure of the
또한, 일예로 제2 노즐부(221)를 통해 출사되는 유체의 토출 압력은 1.2 kg/cm2 내지 1.5 kg/cm2일 수 있다. 그리고 제1 노즐부(221)를 통해 출사되는 유체의 토출 압력은 1.2 kg/cm2이하일 수 있다. 다만, 이러한 범위에 의해 제한되는 것은 아니다.In addition, as an example, the discharge pressure of the fluid discharged through the
이에 따라, 제1 스팀부(210)에서는 기판(W) 주위로 증기를 집중할 수 있고, 제2 스팀부(220)에서는 기판(W)을 향해 유체를 분사하여 기판(W) 상의 유기물(O)에 충돌하여 유기물(O)을 기판(W) 등으로부터 박리(L)시킬 수 있다.Accordingly, the
그리고 제2 이격 거리(h2)는 상술한 제1 이격 거리(h1)보다 작을 수 있다. 즉, 제1 노즐부(211)를 통해 분사되는 유체는 기판(W)에 인접하게 되면 충분하나, 제2 노즐부(221)를 통해 분사된 유체는 기판(W) 상에서 소정의 충돌압력을 가질 수 있다. 이로써, 제2 노즐부(221)에서 유체에 의한 유기물(O) 박리 효율이 개선될 수 있다. In addition, the second separation distance h2 may be smaller than the above-described first separation distance h1. That is, it is sufficient if the fluid injected through the
또한, 제2 노즐부(221)에 의한 토출 압력을 증가하여 기판(W)과의 충돌압을 증가시킬 수도 있다.Also, by increasing the discharge pressure by the
도 17을 참조하면, 제1 노즐부(211)는 회전하여, 기판(W)에 수직한 제1 가상선(RL1)과 이루는 각도(이하 제1 각도, θ1)가 변경될 수 있다. 이와 달리 제2 노즐부(221)는 기판(W)에 수직한 제2 가상선(RL2) 상에 배치될 수 있다. 다만, 제2 노즐부(221)도 제2 가상선(RL2)과 소정의 각도를 가지도록 배치될 수 있다. 다만, 제2 노즐부(221)는 제2 가상선(RL2)과 이루는 각도(이하 제2 각도, θ2)를 일정하게 유지하도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 각도는 제1 각도보다 작을 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 복수 개의 제1 노즐부(211)로부터 분사된 유체는 기판(W) 상에 골고루 분사될 수 있다.Referring to FIG. 17 , the
이에 따라, 제1 노즐부(211)를 통해 분사되는 유체는 기판(W) 상에서 균일하게 분포될 수 있고, 상술한 바와 같이 기판(W) 상의 유기물(O) 과 기판(W) 간의 결합력을 감소시킬 수 있다. Accordingly, the fluid injected through the
그리고 제2 노즐부(221)는 제2 각도를 일정하게 유지하므로, 기판(W)상에서 유체가 제2 방향(Y축 방향)으로 동일한 충돌압이 가해질 수 있다. 이로써, 유체에 의해 기판(W)상의 무기물이 박리되거나, 기판(W) 상면에 유체에 의한 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다.And since the
이로써, 실시예에 따른 스팀 장치는 기판(W) 상의 이물질 등을 기판(W)으로부터 용이하게 박리할 수 있으며, 기판(W)에 결함이 발생하는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 이에 따라, 최종적으로 기판(W)을 포함하는 전자 장치의 신뢰성이 개선되고 이물질에 의한 오동작이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the steam apparatus according to the embodiment can easily peel foreign substances or the like on the substrate W from the substrate W, and can easily prevent defects from occurring in the substrate W. Accordingly, the reliability of the electronic device including the substrate W is finally improved and malfunction due to foreign substances can be prevented from occurring.
본 실시예에서 사용되는 '~부'라는 용어는 소프트웨어 또는 FPGA(field-programmable gate array) 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미하며, '~부'는 어떤 역할들을 수행한다. 그렇지만 '~부'는 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. 따라서, 일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들, 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부'들로 더 분리될 수 있다. 뿐만 아니라, 구성요소들 및 '~부'들은 디바이스 또는 보안 멀티미디어카드 내의 하나 또는 그 이상의 CPU들을 재생시키도록 구현될 수도 있다.The term '~ unit' used in this embodiment means software or a hardware component such as a field-programmable gate array (FPGA) or ASIC, and '~ unit' performs certain roles. However, '-part' is not limited to software or hardware. The '~ unit' may be configured to reside on an addressable storage medium or may be configured to refresh one or more processors. Thus, as an example, '~' denotes components such as software components, object-oriented software components, class components, and task components, and processes, functions, properties, and procedures. , subroutines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuitry, data, databases, data structures, tables, arrays, and variables. The functions provided in the components and '~ units' may be combined into a smaller number of components and '~ units' or further separated into additional components and '~ units'. In addition, components and '~ units' may be implemented to play one or more CPUs in a device or secure multimedia card.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
Claims (10)
제1 스팀부; 및
상기 제1 스팀부와 이격 배치되는 제2 스팀부를 포함하고,
상기 제1 스팀부는,
상기 기판으로 유체를 분사하는 제1 노즐부; 및
상기 기판을 제1 방향으로 이동시키는 제1 이송부;를 포함하고,
상기 제2 스팀부는,
상기 기판으로 유체를 분사하는 제2 노즐부; 및
상기 기판을 제1 방향으로 이동 시키는 제2 이송부를 포함하고,
상기 제1 노즐부에서 유체의 토출 압력은 상기 제2 노즐부에서 유체의 토출 압력보다 작고,
상기 제2 노즐부는 제1 스팀부재, 제2 스팀부재, 제3 스팀부재 및 제4 스팀부재를 포함하고,
상기 제1 스팀부재는 상기 제2 스팀부재 상부에 배치되고,
상기 제2 스팀부재는 상기 제3 스팀부재 상부에 배치되고,
상기 제3 스팀부재는 상기 제4 스팀부재에 배치되고,
상기 제1 스팀부재는 상기 제2 스팀부재와 상기 제3 스팀부재의 측면을 둘러싸도록 배치되고,
상기 제2 스팀부는 제1 토출홀을 포함하고,
상기 제3 스팀부재는 제2 토출홀을 포함하고,
상기 제4 스팀부재는 제3 토출홀을 포함하고,
상기 제1 토출홀 및 상기 제2 토출홀 각각을 통해 일측으로 토출되는 제1 유체와 제2 유체는 상기 제1 스팀부재를 따라 하부로 이동하고,
상기 제3 토출홀을 지나 타측으로 토출되는 제3 유체는 제4 스팀부재를 따라 하부로 이동하고,
상기 제2 스팀부는 제1 측면, 상기 제1 측면에 마주보는 제2 측면을 포함하고,
상기 제1 측면은 상기 기판이 이동하는 방향에 수직한 방향으로 길이가 제2 측면의 길이보다 작은 스팀 장치.
In the steam device for applying steam to the substrate,
a first steam unit; and
and a second steam unit spaced apart from the first steam unit,
The first steam unit,
a first nozzle unit for injecting a fluid to the substrate; and
Including; a first transfer unit for moving the substrate in a first direction;
The second steam unit,
a second nozzle unit for injecting a fluid to the substrate; and
and a second transfer unit for moving the substrate in a first direction,
The discharge pressure of the fluid from the first nozzle unit is smaller than the discharge pressure of the fluid from the second nozzle unit,
The second nozzle unit includes a first steam member, a second steam member, a third steam member, and a fourth steam member,
The first steam member is disposed on the second steam member,
The second steam member is disposed on the third steam member,
The third steam member is disposed on the fourth steam member,
The first steam member is disposed to surround the side surfaces of the second steam member and the third steam member,
The second steam unit includes a first discharge hole,
The third steam member includes a second discharge hole,
The fourth steam member includes a third discharge hole,
The first fluid and the second fluid discharged to one side through each of the first discharge hole and the second discharge hole move downward along the first steam member,
The third fluid discharged to the other side through the third discharge hole moves downward along the fourth steam member,
The second steam unit includes a first side, a second side facing the first side,
The length of the first side surface in a direction perpendicular to the direction in which the substrate moves is smaller than the length of the second side surface.
상기 제1 노즐부는 상기 기판과 제1 이격 거리만큼 이격 배치되고,
상기 제2 노즐부는 상기 기판과 제2 이격 거리만큼 이격 배치되며,
상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이격 거리보다 작은 스팀 장치.
According to claim 1,
The first nozzle unit is spaced apart from the substrate by a first separation distance,
The second nozzle unit is spaced apart from the substrate by a second separation distance,
The first separation distance is smaller than the second separation distance.
상기 제1 노즐부는 상기 기판에 수직한 제1 가상선과 제1 각도를 이루고,
상기 제1 각도는 변경되는 스팀 장치.
According to claim 1,
The first nozzle part forms a first angle with a first imaginary line perpendicular to the substrate,
wherein the first angle is varied.
상기 제2 노즐부는 상기 기판에 수직한 제2 가상선과 제2 각도를 이루고,
상기 제2 각도는 상기 제1 각도보다 작은 스팀 장치.
4. The method of claim 3,
The second nozzle part forms a second angle with a second imaginary line perpendicular to the substrate,
wherein the second angle is less than the first angle.
상기 제1 노즐부는,
유체가 주입되는 제1 상면;
유체가 출사되는 제1 하면; 및
내부에서 상기 제1 상면 및 제1 하면을 관통하는 제1 관통홀;을 포함하는 스팀 장치.
According to claim 1,
The first nozzle unit,
a first upper surface into which the fluid is injected;
a first lower surface to which the fluid is emitted; and
A steam device comprising a; a first through hole penetrating the first upper surface and the first lower surface from the inside.
상기 제2 노즐부는,
유체가 주입되는 제2 상면;
유체가 출사되는 제2 하면; 및
내부에서 상기 제2 상면 및 제2 하면을 관통하는 제2 관통홀;을 포함하는 스팀 장치.
7. The method of claim 6,
The second nozzle unit,
a second upper surface into which the fluid is injected;
a second lower surface from which the fluid is emitted; and
A steam device comprising a; a second through-hole penetrating the second upper surface and the second lower surface from the inside.
상기 제1 하면의 면적은 상기 제2 하면의 면적보다 큰 스팀 장치.
8. The method of claim 7,
An area of the first lower surface is greater than an area of the second lower surface.
제1 이송부 및 상기 제2 이송부는 상기 기판을 제1 방향으로 이송시키는 복수 개의 이송 롤러를 포함하는 스팀 장치.
According to claim 1,
The first transfer unit and the second transfer unit include a plurality of transfer rollers for transferring the substrate in a first direction.
상기 제1 이송부의 이송 속도와 상기 제2 이송부의 이송 속도를 제어하는 속도 제어부;를 더 포함하고,
상기 속도 제어부는 상기 제1 이송부의 이송 속도가 상기 제2 이송부의 이송 속도보다 작게 제어하는 스팀 장치.According to claim 1,
A speed control unit for controlling the transfer speed of the first transfer unit and the transfer speed of the second transfer unit; further comprising,
The speed control unit is a steam device for controlling the transfer speed of the first transfer unit to be smaller than the transfer speed of the second transfer unit.
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