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KR102035302B1 - 유기 발광 표시 장치의 화소 회로 - Google Patents

유기 발광 표시 장치의 화소 회로 Download PDF

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KR102035302B1
KR102035302B1 KR1020130046361A KR20130046361A KR102035302B1 KR 102035302 B1 KR102035302 B1 KR 102035302B1 KR 1020130046361 A KR1020130046361 A KR 1020130046361A KR 20130046361 A KR20130046361 A KR 20130046361A KR 102035302 B1 KR102035302 B1 KR 102035302B1
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light emitting
voltage
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Abstract

구동 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하여 드레인 전류의 크기를 감소시킴으로써 유기 발광 다이오드의 동작 범위를 확보할 수 있는 유기 발광 표시 장치의 화소가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 직류 전원을 공급할 수 있는 제2 게이트 전극을 이용하여, 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 미세하게 조정할 수 있고, 유기 발광 다이오드의 동작 범위를 용이하게 확보할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 미세하게 조절할 수 있는 전원선 1개를 유기 발광 표시 장치에 추가하는 것만으로 유기 발광 다이오드의 동작 범위를 용이하게 확보할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 채널 길이를 증가시키지 않고도 드레인 전류를 감소시킬 수 있어 협소한 화소 영역의 활용도를 증가시킬 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치의 화소 회로 {Apparatus for pixel circuit of organic light emitting display}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소 회로에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(organic light emission diode, OLED)에서 색상의 다양함을 확실하게 표현(계조 표현)하기 위해서는 OLED에 흐르는 전류의 전류 밀도 대 휘도(luminance) 관계의 선형성 (linearity)을 넓은 영역에서 확보할 수 있어야 한다.
이때, 전류 밀도 대 휘도 관계의 선형성이 넓은 영역에서 확보되기 위해서는 OLED의 동작 범위가 넓어야 할 필요가 있고, 이를 위해 포화 영역에서의 드레인 전류(Id) 그래프의 기울기(slope)를 낮추는 방법이 사용될 수 있다.
통상, 트랜지스터의 포화 영역에서의 드레인 전류는 수학식 1과 같이 표현된다.
Figure 112013036761618-pat00001
종래에는 구동 트랜지스터의 채널 길이(L)를 증가시키는 방법으로 드레인 전류를 감소시켰고, 이에 따라 OLED의 동작 범위를 넓게 확보할 수 있었다.
하지만, 디스플레이 장치의 해상도가 높아짐에 따라 픽셀의 크기가 작아지고 그에 따라 화소 회로를 배치할 공간이 줄어들었기 때문에, 구동 트랜지스터의 채널 길이를 증가시키는 방법으로는 OLED의 동작 범위를 넓게 확보하기 어려워졌다.
또한, 리얼(real) RGB 방식에서는 채널 길이를 늘릴 수 없으므로 다른 방법을 통해 전류 곡선의 기울기를 낮출 수 있어야 한다.
따라서, 본 발명의 실시 예에서는 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하여 드레인 전류의 크기를 감소시킴으로써 OLED의 동작 범위를 확보할 수 있는 유기 발광 표시 장치의 화소 회로를 제공한다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 유기 발광 다이오드(organic light emission diode, OLED)에 의해 빛을 발생시키는 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 상기 유기 발광 표시 장치는, 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시터, 그리고 적어도 하나의 OLED를 포함하는 복수의 화소를 포함하는 표시부, 표시부로 복수의 주사 신호를 전달하는 주사 구동부, 표시부로 복수의 발광 제어 신호를 전달하는 발광 구동부, 표시부로 복수의 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부, 표시부로 직류 전원을 전달하는 DC 전원부, 그리고 주사 구동부, 발광 구동부, 데이터 구동부, 그리고 DC 전원부를 제어하는 제어부를 포함하며, 적어도 하나의 박막 트랜지스터 중 OLED로 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터는, 복수의 데이터 신호 중 하나의 데이터 신호에 의해서 데이터 전압을 공급 받는 제1 게이트 전극 및 DC 전원부로부터 직류 전압을 공급 받는 제2 게이트 전극을 포함한다.
상기 유기 발광 표시 장치의 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극은, 제2 절연층에 의해 전기적으로 절연되고, 제1 게이트 전극에 연결된 콘택 전극과 제2 게이트 전극은 제3 절연층에 의해 전기적으로 절연되는 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 유기 발광 표시 장치의 구동 트랜지스터가 피모스펫(p-MOSFET)인 경우, 데이터 전압보다 높은 직류 전압이 제2 게이트 전극에 공급되는 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는, 상기 유기 발광 표시 장치의 구동 트랜지스터가 엔모스펫(n-MOSFET)인 경우, 데이터 전압보다 낮은 직류 전압이 제2 게이트 전극에 공급되는 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치의 주사 구동부는, 복수의 주사 신호 중 적어도 두 개의 주사 신호를 복수의 화소 중 하나의 화소에 공급할 수 있고, 적어도 두 개의 주사 신호 중 제1 주사 신호에 따라서 하나의 화소에 복수의 데이터 신호 중 하나의 데이터 신호가 공급되고, 적어도 두 개의 주사 신호 중 제2 주사 신호에 따라서 하나의 화소에 초기화 전압이 공급될 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치의 제1 주사 신호는 하나의 화소에 제2 주사 신호가 공급된 이후에 하나의 화소로 공급되는 유기 발광 표시 장치.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소가 제공된다. 상기 화소는, 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드에 흐르는 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터, 그리고 주사 신호에 따라 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터로 전달하는 제2 트랜지스터를 포함하며, 제1 트랜지스터는 제2 트랜지스터와 연결되는 제1 게이트 전극 및 직류 전원과 연결되는 제2 게이트 전극을 포함한다.
상기 화소에서, 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극은 제2 절연층에 의해 전기적으로 절연되고, 제1 게이트 전극에 연결된 콘택 전극과 제2 게이트 전극은 제3 절연층에 의해 전기적으로 절연되는 제1 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 화소는 제1 트랜지스터가 피모스펫(p-MOSFET)인 경우, 데이터 전압보다 높은 직류 전압이 직류 전원을 통해 제2 게이트 전극에 공급되는 제1 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 화소는 제1 트랜지스터가 엔모스펫(n-MOSFET)인 경우, 데이터 전압보다 낮은 직류 전압이 직류 전원을 통해 제2 게이트 전극에 공급되는 제1 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치의 화소에 포함된 유기 발광 다이오드(organic light emission diode, OLED)를 구동하는 트랜지스터가 제공될 수 있다. 상기 트랜지스터는, 폴리실리콘층, 폴리실리콘층의 상부에 형성된 제1 절연층, 제1 절연층의 상부에 형성되어 있는 제1 게이트 전극, 제1 게이트 전극의 상부에 형성되어 있는 제2 절연층, 그리고 제2 절연층의 상부에 형성되어 있는 제2 게이트 전극을 포함하고, 제2 게이트 전극은 제1 게이트 전극과 전기적으로 절연되어 있고, 직류 전원에 연결되어 있다.
상기 트랜지스터는, 제2 게이트 전극의 상부에 형성되어 있는 제3 절연층을 더 포함할 수 있다.
상기 트랜지스터에서, 제2 절연층은 제1 콘택홀을 포함하고, 제2 게이트 전극은 개구부를 포함하고, 제3 절연층은 제2 콘택홀을 포함하며, 상기 트랜지스터는, 제1 콘택홀, 개구부, 그리고 제2 콘택홀을 통해 제1 게이트와 연결되어 있는 콘택 전극을 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 한 실시 예에 따르면, 직류 전원을 공급할 수 있는 제2 게이트 전극을 이용하여, 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 미세하게 조정할 수 있고, 유기 발광 다이오드의 동작 범위를 용이하게 확보할 수 있다.
또한, 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 미세하게 조절할 수 있는 전원선 1개를 유기 발광 표시 장치에 추가하는 것만으로 유기 발광 다이오드의 동작 범위를 용이하게 확보할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 채널 길이를 증가시키지 않고도 드레인 전류를 감소시킬 수 있어 협소한 화소 영역의 활용도를 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 6-트랜지스터 1-커패시터 화소의 회로를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 6-트랜지스터 1-커패시터 화소의 동작을 나타낸 타이밍도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 6-트랜지스터 1-커패시터 화소를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 3의 A-B 라인을 따라 본 발명의 한 실시예에 따른 화소를 절개한 단면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시에에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명은 도시된 바에 따라 한정되지는 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소(10)를 포함하는 표시부(100), 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120), 발광 구동부(130), DC 전원부(140), 그리고 제어부(150)를 포함한다.
표시부(100)에 포함된 화소(10)는 복수의 주사선 중 두 개의 주사선을 통해 주사 구동부(110)로부터 주사 신호를 수신한다.
그리고, 화소(10)는 복수의 데이터선 중 하나의 데이터선을 통해 데이터 구동부(120)로부터 데이터 신호를 수신하며, 복수의 발광 제어선 중 하나의 발광 제어선을 통해 발광 구동부(130)로부터 데이터 신호를 수신한다.
도 1의 실시예에서 화소(10)는 주사선 S[i-1] 및 S[i]를 통해 주사 구동부와 연결되고, 데이터선 D[j]를 통해 데이터 구동부(120)와 연결되며, 발광 제어선 EM[i]를 통해 발광 구동부(130)와 연결된다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 화소(10)는 DC 전원부를 통해 직류 전압을 전달 받는데, 이는 아래에서 도 2 내지 도 5를 통해 상세하게 설명한다.
제어부(150)는 영상 신호, 동기 신호, 클럭 신호 등을 외부로부터 전달 받아 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120), 발광 구동부(130), 그리고 DC 전원부(140)로 제어 신호를 전달 한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 6-트랜지스터 1-커패시터 화소의 회로를 나타낸 회로도이고, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 6-트랜지스터 1-커패시터 화소의 동작을 나타낸 타이밍도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화소(10)는 제1 전원(ELVDD)과 제2 전원(ELVSS) 사이에 연결된 OLED와, OLED와 제1 전원 사이에 위치하여 OLED로 공급되는 구동 전류를 제어하는 6개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 및 1개의 커패시터를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 능동형이며, 따라서 유기 발광 표시 장치에 포함된 각 화소(10)는 박막 트랜지스터를 포함하고 있다. 또한, 화소에 포함된 박막 트랜지스터 중 트랜지스터(T1)은 다른 트랜지스터와 달리, DC 전원부(140)에 의해서 직류 전원이 별도로 공급되는 제2 게이트 전극(11)을 더 포함한다.
통상, 구동 트랜지스터의 게이트 전압은 스위칭 트랜지스터(T2)를 통해 전달된 전압 또는 저장 커패시터(Cstrg)에 저장된 전압에 따라서 결정될 수 있기 때문에 구동 트랜지스터의 동작 특성을 화소 외부에서 인위적으로 제어하기 어렵다.
본 발명의 실시예에 따르면, 구동 트랜지스터에 더 포함된 제2 게이트 전극(11)이 직류 전원을 별도로 공급 받아 일종의 저항 역할을 할 수 있으므로, 화소의 외부에서도 용이하게 구동 트랜지스터의 동작을 제어할 수 있다. 제2 게이트 전극(11)의 역할과 동작에 대해서는 아래 도 4 및 도 5를 통하여 상세하게 설명한다.
한편, 본 발명의 한 실시예에 따른 화소에는 제1 주사선과, 제2 주사선이 연결된다. 도 2에서는 주사선 S[i]가 제1 주사선에 해당하고, 주사선 S[i-1]이 제2 주사선에 해당한다.
도 2를 참조하면, 제1 트랜지스터(T1)는 OLED에 전류를 흘려주기 위한 구동 트랜지스터이고, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선으로부터 제1 주사 신호를 전달받아 데이터 전압을 구동 트랜지스터로 전달하는 스위칭 트랜지스터이다.
제3 트랜지스터(T3)는 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth-)을 보상하기 위해 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 트랜지스터이다. 제4 트랜지스터(T4)는 초기화 기간 동안 초기화 전압(VINT)을 전달하는 초기화 트랜지스터이다.
제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 트랜지스터로서, 발광 구동부(130)로부터 발광 제어 신호를 전달 받아 구동 트랜지스터의 동작을 제어할 수 있다. 그리고 OLED는 구동 트랜지스터가 공급하는 구동 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
아래에서는 도 3의 타이밍도를 참조하여 도 2의 화소 회로의 동작을 상세하게 설명한다.
시점 t0에 발광 제어 신호가 하이 레벨로 상승하면, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-오프(turn-off) 된다. 이에 따라 OLED로 공급되는 구동 전류가 차단된다.
이후, 시점 t1에 제2 주사 신호(S[i-1])가 로우 레벨로 하강하면, 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온(turn-on) 되어 구동 트랜지스터의 게이트로 초기화 전압(VINT)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터의 게이트 전압(VG)이 초기화 전압(VINT)으로 리셋된다.
이후, 시점 t2에 제2 주사 신호(S[i-1])가 하이 레벨(high level)로 상승하고, 시점 t3에 제1 주사 신호(S[i])가 로우 레벨로 하강하면, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온 된다.
이때, 구동 트랜지스터의 소스 전극(N2)에는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 데이터 전압(VDATA)이 전달되고, 턴 온 된 제3 트랜지스터(T3)는 구동 트랜지스터의 게이트 및 드레인이 연결되는 다이오드-연결(diode connected)을 형성한다. 그러면, 구동 트랜지스터의 소스에 공급되는 데이터 전압에서 구동 트랜지스터의 문턱 전압만큼 차감된 전압이 커패시터(Cstrg)의 일전극에 공급된다. 따라서, 커패시터(Cstrg)는 제1 전원(ELVDD)과 데이터 전압에서 문턱 전압만큼 차감된 전압(VDATA-VTH) 사이의 차에 해당하는 전압(ELVDD-(VDATA-VTH))으로 충전될 수 있다.
이후, 시점 t4에 제1 주사 신호(S[i])가 하이 레벨로 상승하고 시점 t5에 발광 제어 신호(EM[i])가 로우 레벨로 하강하면, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온 된다. 발광 제어 트랜지스터인 제5 및 제6 트랜지스터(T5, T6)가 턴-온 되므로, 커패시터(Cstrg)에 저장된 전압에 의해 구동 전류가 OLED로 전달되고 OLED가 발광할 수 있다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 6- 트랜지스터 1-커패시터 화소를 나타낸 평면도이며, 도 5는 도 4의 A-B 라인을 따라 화소를 절개한 단면도이다.
도 4는 도 2의 회로도가 구현된 화소의 평면도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 화소에는 x 방향으로 초기화 전압(VINT)이 공급되고 제1 주사 신호(S[i]), 제2 주사 신호(S[i-1]), 그리고 발광 제어 신호(EM[i])가 전달된다. 또한, y 방향으로 제1 전원(ELVDD), 데이터 전압(VDATA)이 공급된다.
도 2를 참조하여 도 4를 설명하면, 커패시터(Cstrg)의 일전극(402)은 제1 도전 영역(COA1)에서 제1 전원(ELVDD)과 연결되고, 다른 일전극(401)은 제2 도전 영역(COA2)에서 N1과 연결된다. 또한 제3 트랜지스터(T3)의 소스 또는 드레인 중 하나와, 제4 트랜지스터(T4)의 소스와, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트가 N1을 공유한다.
또한, 제1 트랜지스터(T1)의 소스와, 제2 트랜지스터(T2)의 드레인과, 제5 트랜지스터(T5)의 드레인이 N2를 공유한다.
마지막으로, 제3 트랜지스터(T3)의 소스 또는 드레인 중 N1 노드에 연결된 것과 다른 하나와, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인과, 제6 트랜지스터(T6)의 소스가 N3를 공유한다.
도 4에서 NI, N2, 그리고 N3는 트랜지스터의 폴리실리콘(polysilicon)층(502)으로서, 불순물(전자 또는 정공)이 도핑되어 트랜지스터의 소스 또는 드레인으로 사용될 수 있다. 또한, 폴리실리콘층(502)의 상부에는 도전 영역(COA1 및 COA2)이 형성되어 있다.
도 4에서 OLED 및 제2 전원(ELVSS)는 도시되지 않았지만, 본 발명의 한 실시예에 따른 OLED에는 제6 트랜지스터(T6)가 연결됨으로써, 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온 될 때 구동 트랜지스터로부터 구동 전류가 공급될 수 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 화소에는 직류 전압이 직접 공급되는 제2 게이트 전극(11)이 포함될 수 있다.
제2 게이트 전극(11)은 구동 트랜지스터의 제1 게이트 전극(510)을 덮고 있으며, 콘택 전극(506)을 감싸고 있기 때문에 콘택 전극(506)과 전기적으로 절연되어 있다. 이때, 제1 게이트 전극(510)과 제2 게이트 전극(11)이 서로 겹치지 않는 부분은 공정에 따라서 최적화 될 수 있다.
즉, 본 발명의 한 실시예에 따르면, 제2 게이트 전극(11)에는 DC 전원부에 의해서 직접 직류 전압이 공급되므로 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에서 일종의 저항 역할을 하고 구동 전류의 크기가 화소 외부에서 인위적으로 조절될 수 있다.
아래에서는 도 5를 참조하여 제2 게이트 전극(11)을 포함하는 구동 트랜지스터의 동작을 상세하게 설명한다.
도 5는 도 3의 A-B 라인을 따라 본 발명의 한 실시예에 따른 화소를 절개한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터는 버퍼 절연층(501), 전자 또는 정공이 도핑된 폴리실리콘층(502), 제1 절연층(503), 제1 게이트 전극(510), 제2 절연층(504), 제2 게이트 전극(11), 제3 절연층(505), 콘택 전극(506), 제1 콘택홀(507), 제2 콘택홀(508), 그리고 개구부(509)를 포함한다.본 발명의 한 실시예에 따른 구동 트랜지스터의 제조 공정 중 한 가지를 예로 들면, 구동 트랜지스터는, 먼저 제1 절연층(503)의 상부에 제1 게이트 전극을 형성한 후 제2 절연층(504)을 형성한다.
이후, 제2 절연층(504)의 상부에 제2 게이트 전극(11)을 형성한 뒤, 제2 게이트 전극(11)에서 콘택 전극(506)이 삽입될 영역만큼을 선택적으로 식각하여 개구부(509)를 형성한다.
이후, 선택적으로 삭제된 제2 게이트 전극(11)의 상부에 제3 절연층(505)을 형성한다. 이후, 제2 절연층(504) 및 제3 절연층(505)을 부분적으로 식각하여, 제1 콘택홀(507) 및 제2 콘택홀(508)을 형성한다.
이때, 식각된 부분에는 콘택 전극(506)을 삽입하여 콘택 전극을 통해 제1 게이트 전극(510)으로 전압이 공급될 수 있도록 한다. 즉, 콘택 전극(506)은 제1 콘택홀(507), 개구부(509), 그리고 제2 콘택홀(508)을 통해 제1 게이트 전극(501)과 연결될 수 있다.
그리고, 본 발명의 한 실시예에 따른 제2 게이트 전극(11)은 제2 절연층(504)에 의하여 제1 게이트 전극(510)과 전기적으로 절연되고, 제3 절연층(505)에 의하여 콘택 전극(506)과 전기적으로 절연될 수 있다.
위와 같이 본 발명의 한 실시예에 따른 구동 트랜지스터의 제조 공정을 설명하였으나 본 발명의 구동 트랜지스터의 제조 방법은 위에서 설명한 방법에 한정되지 않는다.
본 발명의 한 실시예에 따르면 제1 게이트 전극(510)은 콘택 전극(506)으로부터 전압을 공급받고, 제2 게이트 전극(11)은 DC 전원부(140)으로부터 독립적으로 전압을 공급받으므로, 제2 게이트 전극(11)을 이용하면 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 제1 게이트 전극(510)의 전압과 무관하게 형성할 수 있다.
즉, 제2 게이트 전극(11)에 직류 전압을 공급하여 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 저항이 존재하는 것과 같은 효과를 낼 수 있으므로 드레인 전류(I-d)를 감소시킬 수 있고, 따라서 구동 트랜지스터의 채널 길이를 늘리지 않고도 OLED의 동작 범위를 넓게 확보할 수 있다.
이때, 구동 트랜지스터가 피모스펫(p-MOSFET)인 경우, 구동 트랜지스터가 동작될 때 제1 게이트 전극(510)으로 공급되는 전압보다 높은 직류 전압이 제2 게이트 전극(11)에 공급됨으로써, 구동 트랜지스터의 드레인 전류(I-d)가 감소될 수 있다.
또는, 구동 트랜지스터가 엔모스펫(n-MOSFET)인 경우, 구동 트랜지스터가 동작될 때 제1 게이트 전극(510)으로 공급되는 전압보다 낮은 직류 전압이 제2 게이트 전극(11)에 공급됨으로써, 구동 트랜지스터의 드레인 전류(I-d)가 감소될 수 있다.
이때, 제2 게이트 전극(11)으로 공급되는 전압은 구동 트랜지스터가 피모스펫인 경우와 엔모스펫인 경우에 따라 다르게 공급될 수 있는데, 공급 전압의 크기는 설계 조건에 따라 변경될 수 있다.
위와 같이, 본 발명의 실시예에서는 직류 전압을 독립적으로 공급할 수 있는 제2 게이트 전극(11)을 구동 트랜지스터에 포함시킴으로써, 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 미세하게 조정할 수 있고, OLED의 동작 범위를 용이하게 확보할 수 있다.
또한, 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 미세하게 조절할 수 있는 전원선 1개를 화소 회로에 추가하는 것만으로 OLED의 동작 범위를 용이하게 확보할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 채널 길이를 증가시키지 않고도 드레인 전류(I-d)를 감소시킬 수 있어 협소한 화소 영역의 활용도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 화소 회로는 고해상도 유기 발광 표시 장치를 구현하는데 유리하다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (13)

  1. 유기 발광 다이오드(organic light emission diode, OLED)에 의해 빛을 발생시키는 유기 발광 표시 장치로서,
    적어도 하나의 박막 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시터, 그리고 적어도 하나의 상기 OLED를 포함하는 복수의 화소를 포함하는 표시부,
    상기 표시부로 복수의 주사 신호를 전달하는 주사 구동부,
    상기 표시부로 복수의 발광 제어 신호를 전달하는 발광 구동부,
    상기 표시부로 복수의 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부,
    상기 표시부로 직류 전원을 전달하는 DC 전원부, 그리고
    상기 주사 구동부, 상기 발광 구동부, 상기 데이터 구동부, 그리고 상기 DC 전원부를 제어하는 제어부
    를 포함하며,
    상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터 중 상기 OLED로 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터는,
    폴리실리콘층,
    상기 폴리실리콘층의 상부에 형성된 제1 절연층,
    상기 제1 절연층의 상부에 형성되어 있는 제1 게이트 전극,
    상기 제1 게이트 전극의 상부에 형성되어 있는 제2 절연층, 그리고
    상기 제2 절연층의 상부에 형성되어 있는 제2 게이트 전극
    을 포함하고,
    상기 제2 게이트 전극은 상기 제1 게이트 전극과 전기적으로 절연되어 있고, 상기 DC 전원부로부터 직류 전압을 공급 받으며,
    상기 직류 전압은 상기 구동 트랜지스터의 전류를 감소시키는 레벨로 설정되는,
    유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 상기 제2 절연층에 의해 전기적으로 절연되고, 상기 제1 게이트 전극에 연결된 콘택 전극과 상기 제2 게이트 전극은 제3 절연층에 의해 전기적으로 절연되는,
    유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 구동 트랜지스터가 피모스펫(p-MOSFET)인 경우,
    상기 데이터 전압보다 높은 상기 직류 전압이 상기 제2 게이트 전극에 공급되는 구동 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 구동 트랜지스터가 엔모스펫(n-MOSFET)인 경우,
    상기 데이터 전압보다 낮은 상기 직류 전압이 상기 제2 게이트 전극에 공급되는 구동 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 주사 구동부는,
    상기 복수의 주사 신호 중 적어도 두 개의 주사 신호를 상기 복수의 화소 중 하나의 화소에 공급하고,
    상기 적어도 두 개의 주사 신호 중 제1 주사 신호에 따라서 상기 하나의 화소에 상기 복수의 데이터 신호 중 하나의 데이터 신호가 공급되고,
    상기 적어도 두 개의 주사 신호 중 제2 주사 신호에 따라서 상기 하나의 화소에 초기화 전압이 공급되는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 주사 신호는 상기 하나의 화소에 제2 주사 신호가 공급된 이후에 상기 하나의 화소로 공급되는 유기 발광 표시 장치.
  7. 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소로서,
    유기 발광 다이오드,
    상기 유기 발광 다이오드에 흐르는 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터, 그리고
    주사 신호에 따라 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터로 전달하는 제2 트랜지스터
    를 포함하며,
    상기 제1 트랜지스터는,
    폴리실리콘층,
    상기 폴리실리콘층의 상부에 형성된 제1 절연층,
    상기 제1 절연층의 상부에 형성되어 있는 제1 게이트 전극,
    상기 제1 게이트 전극의 상부에 형성되어 있는 제2 절연층, 그리고
    상기 제2 절연층의 상부에 형성되어 있는 제2 게이트 전극
    을 포함하고,
    상기 제2 게이트 전극은 상기 제1 게이트 전극과 전기적으로 절연되어 있고, 직류 전원과 연결되어 있으며,
    상기 직류 전원으로부터 공급되는 직류 전압은 상기 구동 트랜지스터의 전류를 감소시키는 레벨로 설정되는,
    화소.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 상기 제2 절연층에 의해 전기적으로 절연되고, 상기 제1 게이트 전극에 연결된 콘택 전극과 상기 제2 게이트 전극은 제3 절연층에 의해 전기적으로 절연되는,
    화소.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 트랜지스터가 피모스펫(p-MOSFET)인 경우,
    상기 데이터 전압보다 높은 직류 전압이 상기 직류 전원을 통해 상기 제2 게이트 전극에 공급되는 제1 트랜지스터를 포함하는 화소.
  10. 제8항에서,
    상기 제1 트랜지스터가 엔모스펫(n-MOSFET)인 경우,
    상기 데이터 전압보다 낮은 직류 전압이 상기 직류 전원을 통해 상기 제2 게이트 전극에 공급되는 제1 트랜지스터를 포함하는 화소.
  11. 유기 발광 표시 장치의 화소에 포함된 유기 발광 다이오드(organic light emission diode, OLED)를 구동하는 트랜지스터로서,
    폴리실리콘층,
    상기 폴리실리콘층의 상부에 형성된 제1 절연층,
    상기 제1 절연층의 상부에 형성되어 있는 제1 게이트 전극,
    상기 제1 게이트 전극의 상부에 형성되어 있는 제2 절연층, 그리고
    상기 제2 절연층의 상부에 형성되어 있는 제2 게이트 전극
    을 포함하고,
    상기 제2 게이트 전극은 상기 제1 게이트 전극과 전기적으로 절연되어 있고, 직류 전원에 연결되어 있으며,
    상기 직류 전원으로부터 공급되는 직류 전압은 상기 트랜지스터의 전류를 감소시키는 레벨로 설정되는 트랜지스터.
  12. 제11항에서,
    상기 제2 게이트 전극의 상부에 형성되어 있는 제3 절연층을 더 포함하는 트랜지스터.
  13. 제12항에서,
    상기 제2 절연층은 제1 콘택홀을 포함하고,
    상기 제2 게이트 전극은 개구부를 포함하고,
    상기 제3 절연층은 제2 콘택홀을 포함하며,
    상기 트랜지스터는,
    상기 제1 콘택홀, 상기 개구부, 그리고 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 제1 게이트와 연결되어 있는 콘택 전극을 포함하는 트랜지스터.
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