[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102000010B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

Apparatus and method for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102000010B1
KR102000010B1 KR1020180130480A KR20180130480A KR102000010B1 KR 102000010 B1 KR102000010 B1 KR 102000010B1 KR 1020180130480 A KR1020180130480 A KR 1020180130480A KR 20180130480 A KR20180130480 A KR 20180130480A KR 102000010 B1 KR102000010 B1 KR 102000010B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heating
support plate
plate
liquid
Prior art date
Application number
KR1020180130480A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180121449A (en
Inventor
정영헌
박창욱
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180130480A priority Critical patent/KR102000010B1/en
Publication of KR20180121449A publication Critical patent/KR20180121449A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102000010B1 publication Critical patent/KR102000010B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 기판 상에 잔류되는 액을 제거하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 기판이 안착되는 안착면을 가지며, 상기 안착면에 흡착홀이 형성되는 지지판, 상기 지지판을 회전시키는 회전축, 그리고 상기 안착면에 안착된 기판이 상기 지지판에 진공 흡착되도록 상기 흡착홀을 감압하는 진공 부재를 포함한다. 이로 인해 기판의 건조 효율을 높힐 수 있다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for removing a liquid remaining on a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate supporting unit for supporting a substrate, a liquid supply unit for supplying liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, and a heating unit for heating the substrate supported by the substrate support unit, The support unit includes a support plate having a seating surface on which the substrate is seated, a support plate on which the suction holes are formed, a rotation shaft for rotating the support plate, and a pressure reducing And a vacuum member. As a result, the drying efficiency of the substrate can be increased.

Figure R1020180130480
Figure R1020180130480

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}[0001] Apparatus and method for treating substrate [0002]

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 상에 잔류되는 액을 제거하는 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-treating a substrate, and more particularly, to an apparatus and a method for removing a liquid remaining on a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as photolithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed for manufacturing semiconductor devices and flat panel display panels. Among these processes, the photolithography process sequentially performs the application, exposure, and development steps. The coating step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process for exposing a circuit pattern on a substrate having a photosensitive film formed thereon. The developing step is a step of selectively developing the exposed region of the substrate.

일반적으로 현상 공정은 현상액 공급 단계, 린스액 공급 단계, 그리고 건조 단계를 포함한다. 현상액 공급 단계, 린스액 공급 단계, 그리고 건조 단계는 순차적으로 진행된다. 현상액 공급 단계는 기판 상에 현상액을 공급하여 노광 처리된 영역을 현상 처리하는 단계이고, 린스액 공급 단계는 현상액에 의해 발생된 공정 부산물 및 잔류 현상액을 린스하는 단계이다. 건조 단계는 기판 상에 잔류되는 린스액을 건조 처리하는 단계이다. Generally, the developing process includes a developer supplying step, a rinsing liquid supplying step, and a drying step. The developing solution supplying step, the rinse solution supplying step, and the drying step are sequentially performed. The developing solution supplying step is a step of supplying the developing solution onto the substrate and developing the exposed area, and the rinsing solution supplying step is a step of rinsing the process by-products and residual developing solution generated by the developing solution. The drying step is a step of drying the rinsing liquid remaining on the substrate.

각 단계에는 기판을 상이한 속도로 회전시키며, 건조 단계에는 액을 건조시키기 위해, 현상액 공급 단계 및 린스액 공급 단계보다 기판을 더 빠른 속도로 회전시킨다. In each step, the substrate is rotated at a different speed, and in the drying step, the substrate is rotated at a higher speed than the developer supplying step and the rinsing liquid supplying step to dry the liquid.

그러나 패턴의 선폭이 30nm 이하로 미세해짐에 따라, 린스액을 건조하는 과정에서는 도 1과 같이 패턴들이 붕괴되는 도괴 현상(Pattern collapse)이 빈번하게 발생된다. 뿐만 아니라, 기판의 회전 속도는 영역 별로 차이가 있으며, 기판의 영역 별 균일한 건조가 어렵다.However, as the line width of the pattern becomes smaller than 30 nm, the pattern collapse frequently occurs in the process of drying the rinsing liquid as shown in FIG. In addition, the rotational speed of the substrate varies depending on the region, and uniform drying of the substrate by each region is difficult.

본 발명은 기판을 안정적으로 건조시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for stably drying a substrate.

또한 본 발명은 기판을 영역 별로 균일하게 건조할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus and a method for uniformly drying a substrate by area.

본 발명의 실시예는 기판 상에 잔류되는 액을 제거하는 장치 및 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for removing a liquid remaining on a substrate.

기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 기판이 안착되는 안착면을 가지며, 상기 안착면에 흡착홀이 형성되는 지지판, 상기 지지판을 회전시키는 회전축, 그리고 상기 안착면에 안착된 기판이 상기 지지판에 진공 흡착되도록 상기 흡착홀을 감압하는 진공 부재를 포함한다. The substrate processing apparatus includes a substrate supporting unit for supporting a substrate, a liquid supply unit for supplying liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, and a heating unit for heating the substrate supported by the substrate support unit, The support unit includes a support plate having a seating surface on which the substrate is seated, a support plate on which the suction holes are formed, a rotation shaft for rotating the support plate, and a pressure reducing And a vacuum member.

상기 안착면은 기판보다 작은 면적을 가지고, 상기 가열 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 아래에 위치되는 제1가열 부재를 포함하되, 상기 제1가열 부재는 상기 지지판의 둘레를 감싸는 형상을 가지는 히팅 플레이트 및 상기 히팅 플레이트에 제공되는 제1히터를 포함할 수 있다. 상기 가열 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 위에 위치되는 제2가열 부재를 더 포함하되, 상기 제1가열 부재는 기판의 가장자리 영역을 가열하고, 상기 제2가열 부재는 기판의 중앙 영역을 가열할 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 상기 지지판의 위에서 상기 지지판에 안착된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리 노즐 및 상기 히팅 플레이트에 설치되며, 상기 지지판에 안착된 기판의 저면으로 세정액을 공급하는 세정 노즐을 포함할 수 있다. 상기 처리액은 현상액을 포함할 수 있다. Wherein the seating surface has a smaller area than the substrate, and the heating unit includes a first heating member positioned below the substrate supported by the substrate supporting unit, wherein the first heating member has a shape that surrounds the periphery of the support plate The branch may include a heating plate and a first heater provided on the heating plate. Wherein the heating unit further comprises a second heating member positioned above the substrate supported on the substrate support unit, wherein the first heating member heats the edge region of the substrate, and the second heating member heats the central region of the substrate It can be heated. Wherein the liquid supply unit includes a treatment nozzle for supplying a treatment liquid onto a substrate placed on the support plate from above the support plate and a cleaning nozzle provided on the heating plate and supplying the cleaning liquid to the bottom surface of the substrate placed on the support plate . The treatment liquid may include a developer.

상기 액 공급 유닛은 상기 지지판의 위에서 상기 지지판에 안착된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스 노즐을 포함하되, 상기 장치는 상기 액 공급 유닛 및 가열 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계, 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계, 그리고 기판 상에 잔류되는 린스액을 제거하는 건조 단계가 순차적으로 진행되도록 상기 액 공급 유닛 및 가열 유닛을 제어하되, 상기 제어기는 상기 처리액 공급 단계에서 기판을 처리 속도로 회전시키고, 상기 린스액 공급 단계에서 기판을 린스 속도로 회전시키며, 상기 건조 단계에서 기판을 상기 처리 속도 및 상기 린스 속도보다 느린 건조 속도로 회전되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제1가열 부재는 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 간에 상대 높이가 조절되도록 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 중 하나를 승하강시키는 승강 부재를 더 포함하되, 상기 승강 부재는 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 제1간격 또는 상기 제1간격보다 작은 제2간격으로 이동시키되, 상기 제어기는 상기 린스액 공급 단계에서 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 상기 제1간격으로 이동시키고, 상기 건조 단계에서 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 상기 제1간격으로 이동시킬 수 있다. Wherein the liquid supply unit further comprises a rinsing nozzle for supplying a rinsing liquid onto a substrate placed on the support plate above the support plate, the apparatus further comprising a controller for controlling the liquid supply unit and the heating unit, A process liquid supply step of supplying a process liquid onto a substrate, a rinsing liquid supply step of supplying a rinsing liquid onto the substrate, and a drying step of removing the rinsing liquid remaining on the substrate, Wherein the controller rotates the substrate at a processing speed in the processing liquid supply step, rotates the substrate at a rinsing speed in the rinsing liquid supplying step, and in the drying step, the substrate is rotated at a higher rate than the processing speed and the rinsing speed It is possible to control the substrate supporting unit to rotate at a slow drying speed. Wherein the first heating member further includes an elevating member for raising and lowering one of the heating plate and the support plate so that a relative height between the heating plate and the support plate is adjusted, Wherein the controller moves the heating plate and the support plate at the first interval in the rinse solution supply step and the heating plate and the support plate are moved in the drying step at a second interval smaller than the first interval, And can be moved at the first interval.

기판을 처리하는 방법은 회전되는 상기 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 단계를 포함하되, 상기 액 공급 단계 이후에, 회전되는 상기 기판을 가열하는 건조 단계를 포함한다. The method of processing a substrate includes a liquid supplying step of supplying liquid onto the substrate to be rotated, wherein the liquid supplying step includes a drying step of heating the substrate to be rotated.

상기 기판을 회전하는 것은 상기 기판이 지지판에 진공 흡착된 상태로 회전되는 것을 포함할 수 있다. 상기 기판이 안착되는 상기 지지판의 안착면은 상기 기판보다 작은 면적을 가지고, 상기 기판을 가열하는 것은 상기 기판 아래에 위치되는 제1히터가 상기 기판의 가장자리 영역을 가열할 수 있다. 상기 방법은 상기 액 공급 단계에는 상기 지지판과 상기 제1히터를 제1간격으로 조절하고, 상기 건조 단계에는 상기 지지판과 상기 제1히터를 제2간격으로 조절하되, 상기 제2간격은 상기 제1간격보다 작은 간격일 수 있다. 상기 건조 단계에는 상기 기판 위에 위치되는 제2히터가 상기 기판의 중앙 영역을 가열할 수 있다. 상기 액 공급 단계는 상기 기판 위에 위치되는 처리 노즐이 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계 및 상기 기판 위에 위치되는 린스 노즐이 상기 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 더 포함하되, 상기 린스액 공급 단계에는 상기 기판 아래에 위치되는 세정 노즐이 상기 기판의 가장자리 영역으로 세정액을 공급할 수 있다. 상기 처리액은 현상액을 포함할 수 있다. Rotating the substrate may include rotating the substrate in a vacuum adsorbed state on the support plate. The seating surface of the support plate on which the substrate is mounted has a smaller area than the substrate and the first heater positioned under the substrate to heat the substrate can heat the edge region of the substrate. The method may further include adjusting the support plate and the first heater to a first gap in the liquid supply step and adjusting the support plate and the first heater to a second gap in the drying step, May be less than the interval. In the drying step, a second heater positioned on the substrate may heat the central region of the substrate. Wherein the liquid supply step includes a process liquid supply step of supplying a process liquid onto the substrate by a process nozzle positioned on the substrate and a rinse liquid supply step of supplying a rinse liquid onto the substrate, Wherein the rinsing liquid supplying step supplies a rinsing liquid to an edge region of the substrate by a cleaning nozzle located below the substrate. The treatment liquid may include a developer.

상기 처리액 공급 단계에는 기판을 처리 속도로 회전시키고, 상기 린스액 공급 단계에는 기판을 린스 속도로 회전시키며, 상기 건조 단계에는 기판을 상기 처리 속도 및 상기 린스 속도보다 느린 건조 속도로 회전되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어할 수 있다. The substrate is rotated at a processing speed in the process liquid supply step, and the substrate is rotated at a rinsing speed in the rinse liquid supply step. In the drying step, the substrate is rotated at a drying speed slower than the processing speed and the rinsing speed, The support unit can be controlled.

또한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리 노즐 및 기판 상에 린스액을 공급하는 린스 노즐을 가지는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지판 및 상기 지지판을 회전시키는 회전축을 포함하되, 상기 제어기는 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계, 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계, 그리고 기판 상에 잔류되는 린스액을 제거하는 건조 단계가 순차적으로 진행되도록 상기 액 공급 유닛 및 가열 유닛을 제어하되, 상기 제어기는 상기 처리액 공급 단계에서 기판을 처리 속도로 회전시키고, 상기 린스액 공급 단계에서 기판을 린스 속도로 회전시키며, 상기 건조 단계에서 기판을 상기 린스 속도보다 느린 건조 속도로 회전되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어한다. The substrate processing apparatus further includes a liquid supply unit having a substrate supporting unit for supporting the substrate, a processing nozzle for supplying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit, and a rinsing nozzle for supplying the rinsing liquid onto the substrate, And a controller for controlling the substrate support unit and the liquid supply unit, wherein the substrate support unit comprises: a support plate having a seating surface on which the substrate is seated; Wherein the controller comprises a process liquid supply step of supplying the process liquid onto the substrate, a rinse liquid supply step of supplying the rinse liquid on the substrate, and a drying step of removing the rinse liquid remaining on the substrate in sequence The controller controls the liquid supply unit and the heating unit so that the substrate is processed The substrate is rotated at a rinsing speed in the rinsing liquid supplying step and the substrate supporting unit is controlled to rotate at a drying speed lower than the rinsing speed in the drying step.

상기 안착면에는 흡착홀이 형성되고, 상기 기판 지지 유닛은 상기 안착면에 안착된 기판이 상기 지지판에 진공 흡착되도록 상기 흡착홀을 감압하는 진공 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 안착면은 기판보다 작은 면적을 가지고, 상기 가열 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 아래에 위치되는 제1가열 부재를 포함하되, 상기 제1가열 부재는 상기 지지판의 둘레를 감싸는 형상을 가지는 히팅 플레이트 및 상기 히팅 플레이트에 제공되는 제1히터를 포함할 수 있다. 상기 제1가열 부재는 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 간에 상대 높이가 조절되도록 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 중 하나를 승하강시키는 승강 부재를 더 포함하되, 상기 승강 부재는 상기 린스액 공급 단계에서 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판를 제1간격으로 이동시키고, 상기 건조 단계에서 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판를 제2간격로 이동시키되, 상기 제2간격은 상기 제1간격보다 작은 간격일 수 있다. The substrate support unit may further include a vacuum member for depressurizing the adsorption hole so that the substrate mounted on the seating surface is vacuum-adsorbed to the support plate. Wherein the seating surface has a smaller area than the substrate, and the heating unit includes a first heating member positioned below the substrate supported by the substrate supporting unit, wherein the first heating member has a shape that surrounds the periphery of the support plate The branch may include a heating plate and a first heater provided on the heating plate. The heating member may further include an elevating member for raising and lowering one of the heating plate and the supporting plate so that a relative height between the heating plate and the supporting plate is adjusted, And moving the heating plate and the support plate at a second interval in the drying step, wherein the second interval may be smaller than the first interval.

상기 가열 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 위에 위치되는 제2가열 부재를 더 포함하되, 상기 제1가열 부재는 기판의 가장자리 영역을 가열하고, 상기 제2가열 부재는 기판의 중앙 영역을 가열할 수 있다. 상기 처리액은 현상액을 포함할 수 있다.Wherein the heating unit further comprises a second heating member positioned above the substrate supported on the substrate support unit, wherein the first heating member heats the edge region of the substrate, and the second heating member heats the central region of the substrate It can be heated. The treatment liquid may include a developer.

또한 기판을 액 처리하는 방법은 회전되는 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리 공급 단계, 회전되는 상기 기판 상에 린스액을 공급하는 린스 공급 단계, 그리고 회전되는 상기 기판 상에 잔류되는 린스액을 제거하는 건조 단계를 포함하되, 상기 처리액 공급 단계에서 상기 기판을 처리 속도로 회전시키고, 상기 린스액 공급 단계에서 상기 기판을 린스 속도로 회전시키며, 상기 건조 단계에서 상기 기판을 상기 린스 속도보다 느린 건조 속도로 회전시킨다. A method of supplying a rinse liquid onto a substrate to be rotated, a rinse supplying step of supplying a rinse liquid to the substrate to be rotated, and a rinsing liquid remaining on the substrate to be rotated, Wherein the substrate is rotated at a processing speed in the process liquid supply step and the substrate is rotated at a rinsing speed in the rinsing liquid supply step, and in the drying step, the substrate is rotated at a slower rate than the rinsing speed Rotate at drying speed.

상기 처리액은 현상액을 포함할 수 있다. 상기 건조 단계에는 상기 기판 아래에 위치되는 제1히터가 상기 기판의 가장자리 영역을 가열할 수 있다. 상기 린스액 공급 단계에는 상기 기판과 상기 제1히터가 제1간격을 가지도록 상기 기판 또는 상기 제1히터를 이동하고, 상기 건조 단계에는 상기 기판과 상기 기판과 상기 제1히터가 제2간격을 가지도록 상기 기판 또는 상기 제1히터를 이동하되, 상기 제2간격은 상기 제1간격보다 작은 간격일 수 있다. 상기 건조 단계에는 상기 기판 위에 위치되는 제2히터가 상기 기판의 중앙 영역을 가열할 수 있다. The treatment liquid may include a developer. In the drying step, a first heater positioned below the substrate may heat an edge region of the substrate. The substrate or the first heater is moved so that the substrate and the first heater have a first distance in the rinsing liquid supplying step and the substrate and the substrate and the first heater are moved to a second gap in the drying step And the second spacing may be smaller than the first spacing. In the drying step, a second heater positioned on the substrate may heat the central region of the substrate.

또한 기판 처리 장치는 기판이 안착되는 안착면을 가지며, 상기 안착면에 흡착홀이 형성되는 지지판, 상기 흡착홀을 감압하는 진공 부재, 그리고 상기 지지판에 지지된 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제1가열 부재를 포함하되, 상기 제1가열 부재는 상기 지지판에 지지된 기판의 아래에서 상기 지지판의 둘레를 감싸는 히팅 플레이트 및 상기 히팅 플레이트에 제공되는 제1히터를 포함한다. The substrate processing apparatus may further include a support plate having a seating surface on which the substrate is seated and having a suction hole formed on the seating surface, a vacuum member for depressurizing the suction hole, Wherein the first heating member includes a heating plate surrounding a periphery of the support plate under the substrate supported by the support plate, and a first heater provided in the heating plate.

상기 안착면은 기판보다 작은 면적을 가지고, 상기 히팅 플레이트는 상기 지지판의 외경과 대응되는 내경을 가지고, 기판과 대응되는 외경을 가지는 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 상기 제1가열 부재는 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 간에 상대 높이가 조절되도록 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 중 하나를 승하강시키는 승강 부재를 더 포함하되, 상기 승강 부재는 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판를 제1간격 또는 상기 제1간격보다 작은 제2간격으로 이동시킬 수 있다. The seating surface has a smaller area than the substrate, the heating plate has an inner diameter corresponding to the outer diameter of the support plate, and may have an annular ring shape having an outer diameter corresponding to the substrate. The heating member may further include an elevating member for raising and lowering one of the heating plate and the supporting plate so that a relative height between the heating plate and the supporting plate is adjusted, Or a second interval smaller than the first interval.

상기 지지판에 지지된 기판의 중앙 영역을 가열하는 제2가열 부재를 포함하되, 상기 제2가열 부재는 상기 지지판에 지지된 기판 위에 위치되는 제2히터를 포함할 수 있다. 상기 제2히터는 상기 안착면과 대응되는 직경을 가지는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다.And a second heating member for heating a central region of the substrate supported by the support plate, wherein the second heating member includes a second heater positioned on the substrate supported by the support plate. The second heater may be provided in a circular plate shape having a diameter corresponding to the seating surface.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 건조 단계에는 회전하는 동시에 기판을 가열한다. 이로 인해 기판의 건조 효율을 높힐 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the substrate is heated while rotating in the drying step of the substrate. As a result, the drying efficiency of the substrate can be increased.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제1가열 부재는 기판의 제1영역을 가열하고, 제2가열 부재는 제1영역과 상이한 제2영역을 보상 가열한다. 이로 인해 기판을 영역 별 균일하게 가열 처리할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the first heating member heats the first region of the substrate, and the second heating member compensates the second region different from the first region. As a result, the substrate can be heated uniformly in each region.

도 1은 일반적으로 기판을 건조시키는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 6의 처리 노즐 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 6의 제1가열 부재를 보여주는 사시도이다.
도 10 내지 12는 도 6의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 12는 도 10 내지 도 12에 따른 기판의 회전 속도를 보여주는 그래프이다.
도 14는 도 9의 제1가열 부재의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a process of drying a substrate in general.
2 is a top view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed in the AA direction.
Fig. 4 is a cross-sectional view of the facility of Fig. 2 viewed from the BB direction.
4 is a cross-sectional view of the installation of Fig.
6 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2;
7 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 8 is a perspective view showing the processing nozzle unit of FIG. 6; FIG.
Fig. 9 is a perspective view showing the first heating member of Fig. 6; Fig.
FIGS. 10 to 12 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.
12 is a graph showing the rotational speed of the substrate according to Figs. 10 to 12. Fig.
FIG. 14 is a perspective view showing another embodiment of the first heating member of FIG. 9; FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 기판을 액 처리하는 공정이라면 다양하게 적용 가능하다. 또한 본 실시예에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a developing process with respect to a substrate connected to an exposure apparatus. However, the present embodiment is not limited thereto, and can be applied variously as long as it is a process of liquid-processing a substrate. In this embodiment, a wafer is used as a substrate.

이하 도 2 내지 도 14를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. 2 to FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이며, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a plan view of the substrate processing facility according to the embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction AA, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction, 2 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances and moisture on the surface of the substrate W, A soft bake process is performed after coating the substrate W on the substrate W, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(800)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(800)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(800)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 402 has a development chamber 800, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. [ The development chamber 800, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 800 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 800 are provided and a plurality of developing chambers 800 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing chambers 800 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(800), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470, the development chambers 800, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(800)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(800)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(800)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(800)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 800 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 800 may be different from each other. The development chamber 800 is provided with an apparatus for developing a substrate. The development chamber 800 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

본 실시예에는 현상 챔버(800)가 기판(W)을 액 처리하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 가열 유닛(900), 그리고 제어기(890)를 포함한다. In this embodiment, the development chamber 800 is provided with a substrate processing apparatus 800 for liquid-processing the substrate W. FIG. 6 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2, and FIG. 7 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 6 and 7, the substrate processing apparatus 800 includes a substrate supporting unit 810, a processing vessel 820, a lift unit 840, a liquid supply unit 850, a heating unit 900, (890).

기판 지지 유닛(810)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지판(812), 회전 구동 부재(814,815), 그리고 진공 부재(818)를 포함한다. 지지판(812)은 기판을 지지한다. 지지판(812)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지판(812)는 상면이 저면보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(812)의 상면 및 저면을 잇는 측면은 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향할 수 있다. 지지판(812)의 상면은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 제공된다. 안착면은 기판(W)보다 작은 면적을 가진다. 안착면은 기판(W)보다 작은 직경을 가진다. 안착면에는 복수의 흡착홀들(816)이 형성된다. 흡착홀(816)은 안착면에 놓인 기판을 감압하여 기판을 흡착시키는 홀(816)일 수 있다. 흡착홀(816)에는 진공 부재(818)가 연결된다. 일 예에 의하면, 안착면의 직경은 기판(W)의 반경보다 작을 수 있다. 진공 부재(818)는 흡착홀(816)을 감압하는 펌프일 수 있다.The substrate supporting unit 810 supports and rotates the substrate W. The substrate support unit 810 includes a support plate 812, rotation drive members 814 and 815, and a vacuum member 818. The support plate 812 supports the substrate. The support plate 812 is provided to have a circular plate shape. The support plate 812 may have a larger diameter than the bottom surface of the upper surface. The side surface connecting the upper surface and the lower surface of the support plate 812 can be oriented downwardly inclined as the center axis is approached. The upper surface of the support plate 812 is provided as a seating surface on which the substrate W is seated. The seating surface has an area smaller than that of the substrate W. The seating surface has a smaller diameter than the substrate (W). A plurality of suction holes 816 are formed on the seating surface. The suction hole 816 may be a hole 816 for depressurizing the substrate placed on the seating surface to adsorb the substrate. A vacuum member 818 is connected to the suction hole 816. According to one example, the diameter of the seating surface may be smaller than the radius of the substrate W. [ The vacuum member 818 may be a pump for depressurizing the adsorption holes 816.

회전 구동 부재(814,815)는 지지판(812)을 회전시킨다. 회전 구동 부재(814,815)는 회전축(814) 및 구동기(815)를 포함한다. 회전축(814)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(814)은 지지 판(812)의 저면에 결합된다. 구동기(815)는 회전축(814)에 회전력을 전달한다. 회전축(814)은 구동기(815)로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지판(812)은 회전축(814)과 함께 회전 가능하다. 회전축(814)은 구동기(815)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기(815)는 모터일 수 있다. The rotation drive members 814 and 815 rotate the support plate 812. The rotation drive members 814 and 815 include a rotation shaft 814 and a driver 815. The rotary shaft 814 is provided so as to have a tubular shape whose longitudinal direction faces up and down. The rotary shaft 814 is coupled to the bottom surface of the support plate 812. The driver 815 transmits the rotational force to the rotating shaft 814. The rotary shaft 814 is rotatable about the central axis by the rotational force provided from the driver 815. [ The support plate 812 is rotatable together with the rotation shaft 814. The rotating speed of the rotating shaft 814 is adjusted by a driving unit 815 so that the rotating speed of the substrate W can be adjusted. For example, the driver 815 may be a motor.

처리 용기(820)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(820)는 현상 공정에서 사용된 액을 회수한다. 처리 용기(820)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(820)는 내부 회수통(822) 및 외부 회수통(826)을 포함한다. 각각의 회수통(822,826)은 공정에 사용된 액 중 서로 상이한 종류의 액을 회수한다. 내부 회수통(822)은 기판 지지 부재(810)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(826)은 내부 회수통(822)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(822)의 내측 공간(822a) 및 외부 회수통(826)과 내부 회수통(822)의 사이 공간(826a) 각각은 내부 회수통(822) 및 외부 회수통(826) 각각으로 액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(822,826)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인(822b,826b)이 연결된다. 각각의 회수라인(822b,826b)은 각각의 회수통(822,826)을 통해 유입된 액을 분리 배출한다. 배출된 액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The processing vessel 820 provides a processing space in which a developing process is performed. The processing vessel 820 recovers the liquid used in the developing process. The processing vessel 820 is provided in the form of a cup having an open top. The processing vessel 820 includes an inner recovery cylinder 822 and an outer recovery cylinder 826. Each of the recovery cylinders 822 and 826 recovers liquids of different kinds from each other. The inner recovery cylinder 822 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support member 810 and the outer recovery cylinder 826 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 822. Each of the inner space 822a of the inner recovery cylinder 822 and the space 826a between the outer recovery cylinder 826 and the inner recovery cylinder 822 are respectively connected to the inner recovery cylinder 822 and the outer recovery cylinder 826, And serves as an inflow port. Recovery bins 822b and 826b extending perpendicularly to the bottom of the recovery bins 822 and 826 are connected to the recovery bins 822 and 826, respectively. Each of the recovery lines 822b and 826b separates and discharges the liquid introduced through each of the recovery cans 822 and 826. [ The discharged liquid can be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

승강 유닛(840)은 처리 용기(820)와 기판 지지 유닛(810) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(840)은 처리 용기(820)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛(840)은 브라켓(842), 이동축(844), 그리고 구동기(846)를 포함한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)와 이동축(844)을 연결한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)의 수직벽(822)에 고정 설치된다. 이동축(844)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(844)의 상단은 브라켓(842)에 고정 결합된다. 이동축(844)은 구동기(846)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(820)는 이동축(844)과 함께 승강 이동이 가능하다. 예컨대, 구동기(846)는 실린더 또는 모터일 수 있다.The lift unit 840 adjusts the relative height between the processing container 820 and the substrate supporting unit 810. The elevating unit 840 moves the processing vessel 820 in the vertical direction. The lifting unit 840 includes a bracket 842, a moving shaft 844, and a driver 846. The bracket 842 connects the processing vessel 820 and the moving shaft 844. The bracket 842 is fixed to the vertical wall 822 of the processing vessel 820. The moving shaft 844 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The upper end of the moving shaft 844 is fixedly coupled to the bracket 842. The moving shaft 844 is moved up and down by the actuator 846 and the processing vessel 820 is movable up and down together with the moving shaft 844. [ For example, the actuator 846 may be a cylinder or a motor.

액 공급 유닛(850)은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 노즐 이동 부재(860), 노즐 유닛(870), 그리고 세정 노즐(880)을 포함한다. 노즐 이동 부재(860)는 노즐 유닛(870)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 각 노즐 유닛(870)이 기판(W)과 상하 방향으로 대향되는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 이동 부재(860)는 노즐 유닛(870)을 직선 이동시킨다. 일 예에 의하면, 노즐 유닛(870)은 제1방향(12)으로 직선 이동될 수 있다. The liquid supply unit 850 supplies liquid onto the substrate W supported by the substrate holding unit 810. [ The liquid supply unit 850 includes a nozzle moving member 860, a nozzle unit 870, and a cleaning nozzle 880. The nozzle moving member 860 moves the nozzle unit 870 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where each nozzle unit 870 is vertically opposed to the substrate W, and a standby position is a position out of the process position. The nozzle moving member 860 linearly moves the nozzle unit 870. According to one example, the nozzle unit 870 can be moved linearly in the first direction 12.

노즐 이동 부재(860)는 가이드 레일(862) 및 지지 아암(864)을 포함한다. 가이드 레일(862)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 가이드 레일(862)은 각 노즐 유닛(870,880)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 가이드 레일(862)의 길이 방향은 제1방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. 지지 아암(864)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 지지 아암(864)은 가이드 레일(862)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 지지 아암(864)의 길이 방향은 제2방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 지지 아암(864)의 일단에는 노즐 유닛(870)이 결합된다. 지지 아암(864)의 타단은 가이드 레일(862)에 설치된다. 따라서 지지 아암(864) 및 노즐 유닛(870)은 가이드 레일(862)의 길이 방향을 따라 함께 이동 가능하다. The nozzle moving member 860 includes a guide rail 862 and a support arm 864. The guide rails 862 are located on one side of the processing vessel. The guide rails 862 are provided so as to have a longitudinal direction parallel to the moving direction of each of the nozzle units 870 and 880. For example, the longitudinal direction of the guide rail 862 may be provided so as to face the first direction 12. The support arm 864 is provided to have a bar shape. The support arms 864 are provided so as to have a longitudinal direction perpendicular to the guide rails 862 when viewed from above. for example. The longitudinal direction of the support arm 864 may be provided to face the second direction 14. A nozzle unit 870 is coupled to one end of the support arm 864. The other end of the support arm 864 is provided on the guide rail 862. Thus, the support arm 864 and the nozzle unit 870 are movable together along the lengthwise direction of the guide rail 862.

노즐 유닛(870)은 처리액 및 린스액을 토출한다. 도 8은 도 6의 노즐 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 8을 참조하면, 노즐 유닛(870)은 바디(872), 린스 노즐(874), 제1처리 노즐(876), 그리고 제2처리 노즐(878)을 포함한다. 처리 바디(872)는 린스 노즐(874), 제2처리 노즐(878), 그리고 제1처리 노즐(876)을 지지한다. 바디(872)는 지지 아암(864)의 일단 저면에 고정 결합된다. 바디(872)의 저면에는 린스 노즐(874), 제1처리 노즐(876), 그리고 제2처리 노즐(878) 각각이 고정 결합된다.The nozzle unit 870 discharges the treatment liquid and the rinse liquid. FIG. 8 is a perspective view showing the nozzle unit of FIG. 6; FIG. 8, the nozzle unit 870 includes a body 872, a rinsing nozzle 874, a first processing nozzle 876, and a second processing nozzle 878. [ The treatment body 872 supports a rinse nozzle 874, a second treatment nozzle 878, and a first treatment nozzle 876. The body 872 is fixedly coupled to the bottom surface of one end of the support arm 864. A rinse nozzle 874, a first processing nozzle 876, and a second processing nozzle 878 are fixedly coupled to the bottom surface of the body 872, respectively.

제1처리 노즐(876)은 스트림 방식으로 처리액을 토출한다. 제1처리 노즐(876)은 원 형상의 스트림 토출구를 가진다. 스트림 토출구는 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. The first treatment nozzle 876 discharges the treatment liquid in a stream manner. The first processing nozzle 876 has a circular stream discharge port. The stream discharge port is provided so as to face in the vertical downward direction.

제2처리 노즐(878)은 액 커튼 방식으로 처리액을 토출한다. 처리 노즐(878)은 슬릿 형상의 슬릿 토출구를 가진다. 슬릿 토출구는 가이드 레일(862)과 평행한 길이 방향을 가진다. 슬릿 토출구는 제1방향(12)을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다. 슬릿 토출구는 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 제2처리 노즐(878)은 제1처리 노즐(876)과 동일 지점에 액이 토출되도록 하향 경사지게 제공될 수 있다. 슬릿 토출구는 기판(W)의 반경보다 짧은 길이를 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 슬릿 토출구는 제2처리 노즐(878)에서 제1처리 노즐(876)에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향하게 제공될 수 있다. 제2처리 노즐(878)은 제1처리 노즐(876)의 일측에 위치된다. 제2처리 노즐(878)은 제1처리 노즐(876)에 대향되게 위치된다. 상부에서 바라볼 때 제2처리 노즐(878)과 제1처리 노즐(876)은 제2방향(14)을 따라 배열될 수 있다. 예컨대, 제2처리 노즐(878)과 제1처리 노즐(876)이 토출하는 처리액은 동일한 종류의 액일 수 있다. 처리액은 현상액일 수 있다.The second processing nozzle 878 discharges the processing liquid in a liquid curtain system. The treatment nozzle 878 has a slit-shaped slit discharge port. The slit discharge port has a longitudinal direction parallel to the guide rail 862. The slit discharge port may have a longitudinal direction toward the first direction (12). The slit discharge port is provided so as to face downward inclined direction. The second treatment nozzle 878 may be provided with a downward slope so as to discharge the liquid at the same point as the first treatment nozzle 876. [ The slit discharge port is provided so as to have a length shorter than the radius of the substrate (W). According to one example, the slit discharge port may be provided so as to be directed in a downward inclined direction from the second processing nozzle 878 toward the first processing nozzle 876. [ The second processing nozzle 878 is located at one side of the first processing nozzle 876. The second treatment nozzle 878 is positioned opposite to the first treatment nozzle 876. [ The second treatment nozzle 878 and the first treatment nozzle 876 may be arranged along the second direction 14 as viewed from above. For example, the treatment liquid discharged by the second treatment nozzle 878 and the first treatment nozzle 876 may be the same kind of liquid. The treatment liquid may be a developer.

린스 노즐(874)은 스트림 방식으로 웨팅액을 토출한다. 린스 노즐(874)은 제1처리 노즐(876) 및 제2처리 노즐(878)에 인접하게 위치된다. 상부에서 바라볼 때 린스 노즐(874)과 제1처리 노즐(878)은 제1방향(12)을 따라 배열될 수 있다. 린스 노즐(874)은 원 형상의 스트림 토출구를 가진다. 스트림 토출구는 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 예컨대, 린스액은 순수(DIW)일 수 있다. The rinse nozzle 874 discharges the wetting liquid in a streaming manner. The rinse nozzle 874 is positioned adjacent to the first treatment nozzle 876 and the second treatment nozzle 878. [ The rinse nozzle 874 and the first process nozzle 878 may be arranged along the first direction 12 when viewed from above. The rinse nozzle 874 has a circular stream outlet. The stream discharge port is provided so as to face in the vertical downward direction. For example, the rinse liquid may be pure water (DIW).

세정 노즐(880)은 기판(W)의 저면에 세정액을 공급한다. 세정 노즐(880)은 가열 유닛(900)의 승강 부재(916)에 의해 승하강 이동이 가능하다. 세정 노즐(880)은 가열 유닛(900)의 히팅 플레이트(912)의 상면 설치된다. 세정 노즐(880)의 토출구는 수직 위를 향하도록 제공된다. 세정 노즐(880)은 기판(W)의 저면 가장자리 영역으로 세정액을 공급한다. 예컨대, 세정액은 린스액과 동일한 액일 수 있다. 세정액은 순수(DIW)일 수 있다. 선택적으로 세정 노즐(880)의 토출구는 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다.The cleaning nozzle 880 supplies the cleaning liquid to the bottom surface of the substrate W. [ The cleaning nozzle 880 is movable up and down by the elevating member 916 of the heating unit 900. The cleaning nozzle 880 is provided on the upper surface of the heating plate 912 of the heating unit 900. The discharge port of the cleaning nozzle 880 is provided so as to be vertically upward. The cleaning nozzle 880 supplies the cleaning liquid to the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the cleaning liquid may be the same liquid as the rinse liquid. The cleaning liquid may be pure water (DIW). Alternatively, the discharge port of the cleaning nozzle 880 may be provided to face upward.

가열 유닛(900)은 기판(W)을 가열한다. 가열 유닛(900)은 제1가열 부재(910) 및 제2가열 부재(930)를 포함한다. 제1가열 부재(910)는 기판(W)의 제1영역(A)을 가열한다. 일 예에 의하면, 제1영역(A)은 가장자리 영역일 수 있다. 제1영역(A)은 안착면과 비대응되는 영역일 수 있다. 제1가열 부재(910)는 기판(W)의 아래에 위치된다. 도 9는 도 6의 제1가열 부재(910)를 보여주는 사시도이다. 도 9를 참조하면, 제1가열 부재(910)는 히팅 플레이트(912), 제1히터(914), 그리고 승강 부재(916)를 포함한다. 히팅 플레이트(912)는 지지판(812)의 둘레를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 히팅 플레이트(912)는 기판(W)과 동일한 외경을 가지거나 이보다 크게 제공될 수 있다. 또한 히팅 플레이트(912)는 지지판(812)의 저면 직경과 동일하거나 이보다 큰 내경을 가질 수 있다. 히팅 플레이트(912) 내에는 제1히터(914)가 제공된다. 제1히터(914)는 히팅 플레이트(912)와 같이, 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 히팅 플레이트(912)는 기판(W)의 제1영역(A)과 상하 방향으로 대향되게 위치된다. 즉, 히팅 플레이트(912)는 기판(W)의 아래에서 제1영역(A)을 가열한다. The heating unit 900 heats the substrate W. The heating unit 900 includes a first heating member 910 and a second heating member 930. The first heating member 910 heats the first area A of the substrate W. [ According to one example, the first region A may be an edge region. The first region A may be a region that does not correspond to the seating surface. The first heating member 910 is positioned below the substrate W. 9 is a perspective view showing the first heating member 910 of FIG. 9, the first heating member 910 includes a heating plate 912, a first heater 914, and an elevating member 916. The heating plate 912 is provided in an annular ring shape surrounding the support plate 812. The heating plate 912 may have the same outer diameter as the substrate W or may be provided larger than the outer diameter. The heating plate 912 may have an inner diameter equal to or greater than the bottom diameter of the support plate 812. A first heater 914 is provided in the heating plate 912. The first heater 914, like the heating plate 912, is provided to have an annular ring shape. The heating plate 912 is vertically opposed to the first area A of the substrate W. [ That is, the heating plate 912 heats the first region A under the substrate W. [

승강 부재(916)는 히팅 플레이트(912)와 기판(W) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 부재(916)는 히팅 플레이트(912)와 지지판(812) 중 하나를 승강 이동시킨다. 본 실시예에는 승강 부재(916)가 히팅 플레이트(912)를 승하강 시키는 것으로 설명한다. 승강 부재(916)는 히팅 플레이트(912)와 지지판(812)이 서로 제1간격(D1) 또는 제2간격(D2)을 가지도록 이동시킨다. 여기서 제2간격(D2)은 제1간격(D1)에 비해 작은 간격으로 정의한다. 일 예에 의하면, 히팅 플레이트(912)와 기판(W)는 제1위치로 이동되어 제1간격(D1)을 가지고, 제2위치로 이동되어 제2간격(D2)을 가질 수 있다. 제2위치는 제1히터(914)가 기판(W)을 가열하도록 기판(W)에 인접한 위치일 수 있다. 예컨대, 승강 부재(916)는 하나 또는 복수 개의 실린더일 수 있다.The elevating member 916 adjusts the relative height between the heating plate 912 and the substrate W. The elevating member 916 lifts one of the heating plate 912 and the supporting plate 812. In the present embodiment, it is assumed that the elevating member 916 moves the heating plate 912 up and down. The elevating member 916 moves the heating plate 912 and the support plate 812 so as to have a first gap D1 or a second gap D2. Here, the second interval D2 is defined as a smaller interval than the first interval D1. According to one example, the heating plate 912 and the substrate W may be moved to the first position to have the first distance D1 and to the second position to have the second distance D2. The second position may be a position adjacent to the substrate W so that the first heater 914 heats the substrate W. [ For example, the elevating member 916 may be one or a plurality of cylinders.

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 제2가열 부재(930)는 제1영역(A)과 상이한 기판(W)의 제2영역(B)을 가열한다. 일 예에 의하면, 제2영역(B)은 중앙 영역일 수 있다. 제2영역(B)은 안착면과 대응되는 영역일 수 있다. 제2가열 부재(930)는 기판(W)의 위에 위치된다. 제2가열 부재(930)는 제2히터(932) 및 이동 부재(934)를 포함한다. 제2히터(932)는 원형의 판 형상을 가진다. 제2히터(932)는 지지판(812)의 안착면과 동일하거나, 그보다 작은 직경을 가진다. 예컨대, 제2가열 부재(930)는 제1가열 부재(910)와 동일한 온도를 가질 수 있다. 기판(W)의 제1영역(A)이 전체 영역 중 일부라면, 제2영역(B)은 나머지일 수 있다. 6 and 7, the second heating member 930 heats the second region B of the substrate W different from the first region A. [ According to one example, the second region B may be a central region. The second region B may be a region corresponding to the seating surface. The second heating member 930 is positioned above the substrate W. The second heating member 930 includes a second heater 932 and a moving member 934. The second heater 932 has a circular plate shape. The second heater 932 has a diameter equal to or smaller than the seating surface of the support plate 812. For example, the second heating member 930 may have the same temperature as the first heating member 910. If the first region A of the substrate W is a part of the entire region, the second region B may be the remainder.

이동 부재(934)는 제2히터(932)를 가열 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 이동 부재(934)는 수평 아암(934)을 포함한다. 수평 아암은 제2히터(932)를 지지한다. 수평 아암은 구동 부재(미도시)에 의해 스윙 이동이 가능하다. 수평 아암은 제2히터(932)를 기판(W)과 대향되는 가열 위치 및 가열 위치를 벗어난 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 가열 위치는 제2히터(932)가 기판(W)의 제2영역(B)을 가열하는 위치이고, 대기 위치는 기판(W)을 미가열하는 위치이다. 가열 위치는 제2히터(932)와 제2영역(B)이 상하 방향으로 대향되는 위치이다. 가열 위치에서 제2히터(932)와 제2영역(B) 간에 간격(D3)은 제2간격(D2)과 동일할 수 있다. 이에 따라 제1영역(A) 및 제2영역(B)은 동일한 온도로 가열될 수 있다.The movable member 934 moves the second heater 932 to the heating position and the standby position. The shifting member 934 includes a horizontal arm 934. The horizontal arm supports the second heater 932. The horizontal arms are swingable by a driving member (not shown). The horizontal arm moves the second heater 932 to a heating position opposite to the substrate W and to a standby position outside the heating position. Here, the heating position is a position where the second heater 932 heats the second region B of the substrate W, and the standby position is a position where the substrate W is not heated. The heating position is a position in which the second heater 932 and the second region B are opposed to each other in the vertical direction. The gap D3 between the second heater 932 and the second region B at the heating position may be the same as the second gap D2. Accordingly, the first region A and the second region B can be heated to the same temperature.

제어기(890)는 액 공급 유닛(850) 및 가열 유닛(900)을 제어한다. 제어기(890)는 기판(W) 상에 처리액 및 린스액이 순차적으로 공급되도록 액 공급 유닛(850)을 제어한다. 제어기(890)는 처리액 및 린스액이 기판(W) 상에 공급되는 중에 기판(W)의 저면으로 세정액이 공급되도록 액 공급 유닛(850)을 제어한다. 제어기(890)는 린스액의 공급이 완료되면, 기판(W)에 공급되는 액을 중지하고, 기판(W)의 건조 공정을 수행한다. 일 예에 의하면, 기판(W) 상에 처리액을 공급하는 중에는 기판(W)을 처리 속도(V1)로 회전시키고, 린스액을 공급하는 중에는 기판(W)을 린스 속도(V2)로 회전시키며, 건조 공정에는 기판(W)을 건조 속도(V3)로 회전시킨다. 건조 속도(V3)는 처리 속도(V1) 및 린스 속도(V2)에 비해 느린 속도일 수 있다. The controller 890 controls the liquid supply unit 850 and the heating unit 900. The controller 890 controls the liquid supply unit 850 so that the process liquid and the rinsing liquid are sequentially supplied onto the substrate W. The controller 890 controls the liquid supply unit 850 so that the cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the substrate W while the processing liquid and the rinse liquid are being supplied onto the substrate W. [ When the supply of the rinse liquid is completed, the controller 890 stops the liquid supplied to the substrate W, and performs the drying process of the substrate W. According to one example, while the processing liquid is supplied onto the substrate W, the substrate W is rotated at the processing speed V1 and the substrate W is rotated at the rinsing speed V2 during the supply of the rinsing liquid , And in the drying step, the substrate W is rotated at the drying speed V3. The drying speed V3 may be a slower speed than the processing speed V1 and the rinsing speed V2.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 도 10 내지 12는 도 6의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이고, 도 13은 도 10 내지 도 12에 따른 기판의 회전 속도를 보여주는 그래프이다. 도 10 내지 도 13을 참조하면, 기판(W)을 처리하는 방법은 액 공급 단계 및 건조 단계(S30)를 포함한다. 액 공급 단계는 처리액 공급 단계(S10) 및 린스액 공급 단계(S20)를 포함한다. 처리액 공급 단계(S10), 린스액 공급 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)는 순차적으로 진행된다. 처리액 공급 단계(S10)가 진행되면, 기판(W)은 처리 속도(V1)로 회전되고, 기판(W)의 상면에는 처리액이 공급된다. 세정 노즐(880)은 히팅 플레이트(912)와 기판(W)이 제1간격(D1)을 가지는 제1위치에서 기판(W)의 저면에는 세정액이 공급된다. 세정액은 제1히터(914)에 의해 가열된 액일 수 있다. 세정액은 기판(W)의 저면을 세정하는 동시에 기판(W)의 온도를 공정 온도로 조절할 수 있다. 처리액 공급 단계(S10)가 완료되면, 처리액의 공급이 중지된다.Next, a method of processing the substrate W by using the above-described substrate processing apparatus will be described. FIGS. 10 to 12 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 6, and FIG. 13 is a graph showing a rotation speed of the substrate of FIGS. 10 to 12. Referring to Figs. 10 to 13, a method of treating the substrate W includes a liquid supply step and a drying step (S30). The liquid supply step includes a process liquid supply step (S10) and a rinsing liquid supply step (S20). The process liquid supply step (S10), the rinsing liquid supply step (S20), and the drying step (S30) proceed sequentially. When the process liquid supply step (S10) proceeds, the substrate W is rotated at the processing speed V1, and the process liquid is supplied to the upper surface of the substrate W. The cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the substrate W at the first position where the heating plate 912 and the substrate W have the first interval D1. The cleaning liquid may be a liquid heated by the first heater 914. The cleaning liquid can clean the bottom surface of the substrate W and adjust the temperature of the substrate W to the process temperature. When the process liquid supply step (S10) is completed, the supply of the process liquid is stopped.

린스액 공급 단계(S20)가 진행되면, 기판(W)은 린스 속도(V2)로 회전되고, 기판(W)의 상면에는 린스액이 공급된다. 린스액은 기판(W) 상에 잔류되는 처리액을 린스 처리한다. 기판(W)의 저면에는 세정액이 공급된다. 세정액은 제1히터(914)에 의해 가열된 액일 수 있다. 세정 노즐(880)은 히팅 플레이트(912)와 기판(W)이 제1간격(D1)을 가지는 제1위치에서 기판(W)의 저면에는 세정액이 공급된다. 린스 속도(V2)는 처리 속도(V1)보다 빠른 속도일 수 있다. 린스액 공급 단계(S20)가 완료되면, 린스액 및 세정액의 공급이 중지된다. 처리액은 외부 회수통(826)으로 회수되고, 린스액은 내부 회수통(822)으로 회수될 수 있다.When the rinsing liquid supply step (S20) proceeds, the substrate W is rotated at the rinsing speed V2, and the rinsing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W. The rinsing liquid rinses the treatment liquid remaining on the substrate W. A cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the substrate W. The cleaning liquid may be a liquid heated by the first heater 914. The cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the substrate W at the first position where the heating plate 912 and the substrate W have the first interval D1. The rinsing speed V2 may be higher than the processing speed V1. When the rinsing liquid supply step (S20) is completed, the supply of the rinsing liquid and the rinsing liquid is stopped. The treatment liquid is recovered in the outer recovery tank 826, and the rinsing liquid can be recovered in the inner recovery tank 822.

건조 단계(S30)가 진행되면, 기판(W)은 건조 속도(V3)로 회전된다. 히팅 플레이트(912)는 기판(W)과 제1간격(D1)을 가지도록 제1위치로 이동되고, 제2히터(932)는 가열 위치로 이동된다. 제1히터(914)는 기판(W)의 제1영역(A)을 가열하고, 제2히터(932)는 기판(W)의 제2영역(B)을 가열한다. 제1가열 부재(910) 및 제2가열 부재(930)는 각 영역을 동일 온도로 가열 처리한다. 제2히터(932)와 제2영역(B) 간에 간격은 제2간격(D2)과 동일할 수 있다. 건조 속도(V3)는 20 알피엠(RPM) 이하일 수 있다.When the drying step S30 is performed, the substrate W is rotated at the drying speed V3. The heating plate 912 is moved to the first position so as to have the first gap D1 with the substrate W and the second heater 932 is moved to the heating position. The first heater 914 heats the first area A of the substrate W and the second heater 932 heats the second area B of the substrate W. The first heating member 910 and the second heating member 930 heat each region at the same temperature. The gap between the second heater 932 and the second region B may be the same as the second gap D2. The drying speed V3 may be less than or equal to 20 RPM.

선택적으로 작업자는 제2간격(D2)을 조절하여 제1영역(A)과 제2영역(B)을 서로 상이한 온도로 가열할 수 있다. Alternatively, the operator can heat the first region A and the second region B to different temperatures by adjusting the second gap D2.

상술한 실시예에는 기판(W)은 처리액 공급 단계(S10) 및 린스액 공급 단계(S20)보다 건조 단계(S30)에서 더 느리게 회전시킨다. 이에 따라 린스액이 증발되는 과정에서 기판(W) 상에 형성된 패턴의 도괴되는 것을 줄일 수 있다. 뿐만 아니라, 기판(W)의 제1영역(A)을 제1가열 부재(910)로 가열하고, 기판(W)의 제2영역(B)을 제2가열 부재(930)로 가열한다. 이로 인해 기판(W)의 건조 효율을 향상시킬 수 있다.In the above-described embodiment, the substrate W is rotated more slowly in the drying step S30 than in the process liquid supply step S10 and the rinsing liquid supply step S20. Accordingly, the pattern formed on the substrate W during the process of evaporating the rinsing liquid can be reduced. The first region A of the substrate W is heated by the first heating member 910 and the second region B of the substrate W is heated by the second heating member 930. [ As a result, the drying efficiency of the substrate W can be improved.

상술한 실시예에는 제1가열 부재(910)는 단일의 히팅 플레이트(912)를 가지며, 히팅 플레이트(912)는 환형의 링 형상을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 도 14와 같이, 히팅 플레이트(912)는 복수 개로 제공될 수 있다. 히팅 플레이트(911)는 호 형상을 가지며, 지지판(812)의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 히팅 플레이트들(911)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 각각의 히팅 플레이트(911)에는 제1히터(914)가 제공될 수 있다. 각각의 히팅 플레이트(911)에는 승강 부재(916)에 의해 동시 승강 이동될 수 있다.In the above-described embodiment, the first heating member 910 has a single heating plate 912, and the heating plate 912 has an annular ring shape. However, as shown in FIG. 14, a plurality of heating plates 912 may be provided. The heating plate 911 has a arc shape and can be arranged along the circumferential direction of the support plate 812. [ The heating plates 911 may be combined with each other to have an annular ring shape. Each of the heating plates 911 may be provided with a first heater 914. The respective heating plates 911 can be simultaneously moved up and down by the elevating member 916. [

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 2 to 5, the bake chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 731 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. Only the buffers and robots can be provided as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W in the interface module.

812: 지지판 818: 진공 부재
910: 제1가열 부재 912: 히팅 플레이트
914: 제1히터 916: 승강 부재
930: 제2가열 부재 932: 제2히터812: Support plate 818: Vacuum member
910: first heating member 912: heating plate
914: first heater 916: elevating member
930: second heating member 932: second heater

Claims (16)

기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛과;
상기 액 공급 유닛 및 가열 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판이 안착되는 안착면을 가지며, 상기 안착면에 흡착홀이 형성되는 지지판과;
상기 지지판을 회전시키는 회전축과;
상기 안착면에 안착된 기판이 상기 지지판에 진공 흡착되도록 상기 흡착홀을 감압하는 진공 부재를 포함하되,
상기 안착면은 기판보다 작은 면적을 가지고,
상기 가열 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 아래에 위치되는 제1가열 부재를 포함하고,
상기 제1가열 부재는,
상기 지지판의 둘레를 감싸는 형상을 가지는 히팅 플레이트와;
상기 히팅 플레이트에 제공되는 제1히터와;
상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 간에 상대 높이가 조절되도록 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 중 하나를 승하강시키는 승강 부재를 포함하되,
상기 승강 부재는 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 제1간격 또는 상기 제1간격보다 작은 제2간격으로 이동시키되,
상기 제어기는 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계, 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계, 그리고 기판 상에 잔류되는 린스액을 제거하는 건조 단계가 순차적으로 진행되도록 상기 액 공급 유닛 및 가열 유닛을 제어하고, 상기 린스액 공급 단계에서 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 상기 제1간격으로 이동시키고, 상기 건조 단계에서 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 상기 제2간격으로 이동시키고,
상기 가열 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 위에 위치되는 제2가열 부재를 더 포함하되,
상기 제1가열 부재는 기판의 가장자리 영역을 가열하고,
상기 제2가열 부재는 기판의 중앙 영역을 가열하는 기판 처리 장치.A substrate supporting unit for supporting the substrate;
A liquid supply unit for supplying liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
A heating unit for heating a substrate supported by the substrate supporting unit;
And a controller for controlling the liquid supply unit and the heating unit,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support plate having a seating surface on which the substrate is seated, and a suction hole formed on the seating surface;
A rotating shaft for rotating the support plate;
And a vacuum member for depressurizing the suction holes so that the substrate placed on the seating surface is vacuum-adsorbed to the support plate,
The seating surface has a smaller area than the substrate,
The heating unit includes:
And a first heating member positioned below the substrate supported by the substrate supporting unit,
Wherein the first heating member comprises:
A heating plate having a shape to surround the periphery of the support plate;
A first heater provided on the heating plate;
And a lifting member for lifting one of the heating plate and the support plate so that a relative height between the heating plate and the support plate is adjusted,
Wherein the elevating member moves the heating plate and the support plate at a first interval or a second interval smaller than the first interval,
The controller controls the supply of the rinsing liquid on the substrate, the rinsing liquid supply step of supplying the rinsing liquid onto the substrate, and the drying step of removing the rinsing liquid remaining on the substrate, And the heating plate and the supporting plate are moved at the first interval in the rinsing liquid supplying step and the heating plate and the supporting plate are moved at the second interval in the drying step,
The heating unit includes:
And a second heating member positioned above the substrate supported by the substrate support unit,
The first heating member heats the edge region of the substrate,
And the second heating member heats the central region of the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지판의 위에서 상기 지지판에 안착된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리 노즐과;
상기 히팅 플레이트에 설치되며, 상기 지지판에 안착된 기판의 저면으로 세정액을 공급하는 세정 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The liquid supply unit includes:
A treatment nozzle for supplying the treatment liquid onto the substrate placed on the support plate above the support plate;
And a cleaning nozzle installed on the heating plate and supplying a cleaning liquid to a bottom surface of the substrate placed on the support plate. 제3항에 있어서,
상기 처리액은 현상액을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the treatment liquid comprises a developer. 제4항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은 상기 지지판의 위에서 상기 지지판에 안착된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스 노즐을 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 처리액 공급 단계에서 기판을 처리 속도로 회전시키고, 상기 린스액 공급 단계에서 기판을 린스 속도로 회전시키며, 상기 건조 단계에서 기판을 상기 처리 속도 및 상기 린스 속도보다 느린 건조 속도로 회전되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the liquid supply unit further comprises a rinsing nozzle for supplying a rinsing liquid onto the substrate placed on the support plate above the support plate,
Wherein the controller rotates the substrate at the processing speed in the processing liquid supply step, rotates the substrate at the rinsing speed in the rinsing liquid supply step, and rotates the substrate at the processing speed and the drying speed that is slower than the rinsing speed in the drying step And the substrate holding unit controls the substrate holding unit to control the substrate holding unit. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
지지판에 안착되어 회전되는 상기 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 단계;
상기 액 공급 단계 이후에, 회전되는 상기 기판을 가열하는 건조 단계를 포함하되,
상기 기판을 가열하는 것은 상기 기판 아래에 위치되는 제1 히터가 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하고,
상기 방법은,
상기 액 공급 단계에는 상기 지지판과 상기 제1히터의 상하 간격을 제1간격으로 조절하고, 상기 건조 단계에는 상기 지지판과 상기 제1히터의 상하 간격을 제2간격으로 조절하되,
상기 제2간격은 상기 제1간격보다 작은 간격이고,
상기 건조 단계에는 상기 기판 위에 위치되는 제2히터가 상기 기판의 중앙 영역을 가열하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
A liquid supplying step of supplying liquid onto the substrate which is mounted on the support plate and is rotated;
And a drying step of heating the substrate to be rotated after the liquid supply step,
Heating the substrate includes heating a first region of the substrate with a first heater positioned below the substrate,
The method comprises:
Wherein the liquid supply step adjusts the vertical interval between the support plate and the first heater to a first interval and the vertical interval between the support plate and the first heater to a second interval in the drying step,
Wherein the second gap is smaller than the first gap,
Wherein the drying step heats a central region of the substrate by a second heater positioned on the substrate. 제6항에 있어서,
상기 기판을 회전하는 것은 상기 기판이 지지판에 진공 흡착된 상태로 회전되는 것을 포함하는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein rotating the substrate comprises rotating the substrate in a vacuum adsorbed state on the support plate. 제7항에 있어서,
상기 기판이 안착되는 상기 지지판의 안착면은 상기 기판보다 작은 면적을 가지는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein a seating surface of the support plate on which the substrate is mounted has a smaller area than the substrate. 삭제delete 제8항에 있어서,
상기 액 공급 단계는,
상기 기판 위에 위치되는 처리 노즐이 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 기판 위에 위치되는 린스 노즐이 상기 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 포함하되,
상기 린스액 공급 단계에는 상기 기판 아래에 위치되는 세정 노즐이 상기 기판의 가장자리 영역으로 세정액을 공급하는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the liquid supply step includes:
A process liquid supply step of supplying a process liquid onto the substrate by a process nozzle located on the substrate;
And a rinsing liquid supply step of supplying a rinsing liquid onto the substrate by a rinsing nozzle disposed on the substrate,
Wherein the rinsing liquid supplying step supplies a rinsing liquid to an edge region of the substrate by a cleaning nozzle located below the substrate. 제10항에 있어서,
상기 처리액은 현상액을 포함하는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the treatment liquid comprises a developer. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 처리액 공급 단계에는 기판을 처리 속도로 회전시키고,
상기 린스액 공급 단계에는 기판을 린스 속도로 회전시키며,
상기 건조 단계에는 기판을 상기 처리 속도 및 상기 린스 속도보다 느린 건조 속도로 회전되도록 기판의 회전 속도를제어하는 기판 처리 방법.The method according to claim 10 or 11,
In the process liquid supply step, the substrate is rotated at a processing speed,
In the rinsing liquid supplying step, the substrate is rotated at a rinsing speed,
Wherein the rotating speed of the substrate is controlled so that the substrate is rotated at a drying speed that is slower than the processing speed and the rinsing speed. 기판이 안착되는 안착면을 가지며, 상기 안착면에 흡착홀이 형성되는 지지판과;
상기 흡착홀을 감압하는 진공 부재와;
상기 지지판에 지지된 기판의 가장자리 영역을 가열하는 제1가열 부재와;
제어기를 포함하되,
상기 제1가열 부재는,
상기 지지판에 지지된 기판의 아래에서 상기 지지판의 둘레를 감싸는 히팅 플레이트와;
상기 히팅 플레이트에 제공되는 제1히터와;
상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 간에 상대 높이가 조절되도록 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판 중 하나를 승하강시키는 승강 부재를 포함하되,
상기 승강 부재는 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 제1간격 또는 상기 제1간격보다 작은 제2간격으로 이동시키되,
상기 제어기는 상기 제1가열 부재가 상기 기판을 가열하면 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 상기 제2간격으로 이동시키고, 상기 제 1 가열 부재가 상기 기판을 가열하지 않으면 상기 히팅 플레이트와 상기 지지판을 상기 제1간격으로 이동시키고,
상기 지지판에 지지된 기판의 중앙 영역을 가열하는 제2가열 부재를 포함하되,
상기 제2가열 부재는 상기 지지판에 지지된 기판 위에 위치되는 제2히터를 포함하는 기판 처리 장치.A support plate having a seating surface on which the substrate is seated, and a suction hole formed on the seating surface;
A vacuum member for depressurizing the adsorption holes;
A first heating member for heating an edge region of the substrate supported by the support plate;
A controller,
Wherein the first heating member comprises:
A heating plate surrounding the periphery of the support plate under the substrate supported by the support plate;
A first heater provided on the heating plate;
And a lifting member for lifting one of the heating plate and the support plate so that a relative height between the heating plate and the support plate is adjusted,
Wherein the elevating member moves the heating plate and the support plate at a first interval or a second interval smaller than the first interval,
Wherein the controller moves the heating plate and the support plate at the second interval when the first heating member heats the substrate, and when the first heating member does not heat the substrate, 1 < / RTI >
And a second heating member for heating a central region of the substrate supported by the support plate,
And the second heating member includes a second heater positioned above the substrate supported by the support plate. 제13항에 있어서,
상기 안착면은 기판보다 작은 면적을 가지고,
상기 히팅 플레이트는 상기 지지판의 외경과 대응되는 내경을 가지고, 기판의 외경과 대응되는 외경을 가지는 환형의 링 형상을 가지는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
The seating surface has a smaller area than the substrate,
Wherein the heating plate has an inner diameter corresponding to an outer diameter of the support plate and has an annular ring shape having an outer diameter corresponding to an outer diameter of the substrate. 삭제delete 제13항에 있어서,
상기 제2히터는 상기 안착면과 대응되는 직경을 가지는 원형의 판 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.



14. The method of claim 13,
Wherein the second heater is provided in a circular plate shape having a diameter corresponding to the seating surface.



KR1020180130480A 2018-10-30 2018-10-30 Apparatus and method for treating substrate KR102000010B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180130480A KR102000010B1 (en) 2018-10-30 2018-10-30 Apparatus and method for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180130480A KR102000010B1 (en) 2018-10-30 2018-10-30 Apparatus and method for treating substrate

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160143129A Division KR101927699B1 (en) 2016-10-31 2016-10-31 Apparatus and method for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180121449A KR20180121449A (en) 2018-11-07
KR102000010B1 true KR102000010B1 (en) 2019-07-17

Family

ID=64363290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180130480A KR102000010B1 (en) 2018-10-30 2018-10-30 Apparatus and method for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102000010B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102263713B1 (en) * 2019-06-27 2021-06-10 세메스 주식회사 Supporting unit, and a substrate processing apparatus including the same
CN116833063B (en) * 2022-12-15 2024-07-23 杭州叉车门架有限公司 Workpiece heating method, system and storage medium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002361167A (en) 2001-06-04 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd Film forming method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326483A (en) * 1992-05-15 1993-12-10 Sony Corp Wafer processor and wafer through processor
JPH118227A (en) * 1997-06-17 1999-01-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Heat-treating apparatus for substrate and heat treatment of substrate
KR20040082101A (en) * 2003-03-18 2004-09-24 삼성전자주식회사 Apparatus and method for spin drying semiconductor wafer
JP6195803B2 (en) * 2014-05-02 2017-09-13 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002361167A (en) 2001-06-04 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd Film forming method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180121449A (en) 2018-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101927699B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102000019B1 (en) Unit for supplying liquid, Apparatus for treating a substrate, and Method for treating a substrate
KR20160108653A (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR102000010B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101909188B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101769440B1 (en) Method for treating substrate
KR101985756B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101884854B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101958637B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20160141248A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102000023B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20160072545A (en) Apparatus for treating substrate
KR102000011B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101757814B1 (en) Standby port and Apparatus for treating substrate with the port
KR20190011854A (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR101935943B1 (en) Substrate treating apparatus and cleaning method for substrate treating apparatus
KR101914482B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102010261B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR102289486B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102231773B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR20180122518A (en) Apparatus for treating a substrate
KR20180049309A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102156895B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101985755B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR20180061536A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right