KR101997497B1 - Apparatus for testing temperature - Google Patents
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Abstract
Description
메모리 모듈에 대한 온도 신뢰성을 검사하기 위한 온도 검사장치를 개시한다.Disclosed is a temperature checking apparatus for checking the temperature reliability of a memory module.
일반적으로, 컴퓨터나 핸드폰 및 데이터 저장장치(Solid State Disk:SSD) 등에는 메모리로 대량의 램(RAM : Random Access Memory)이 사용된다.Generally, a large amount of RAM (Random Access Memory) is used as a memory for a computer, a mobile phone, and a solid state disk (SSD).
장치들이 점차 소형화되는 추세에 맞춰 메모리로 사용되는 램 역시 보다 소형화되고 고집적화되고 있다. 램은 복수개가 집적되어 하나의 메모리 모듈(Memory Module)을 이룬다.As devices become smaller and smaller, the RAM used as memory is becoming smaller and more highly integrated. A plurality of RAMs are integrated to form a single memory module.
메모리 모듈은 사용되는 조건이 다양하고, 자체 발열로 인해 불량이 발생할 수 있으므로, 제품 출하 전에 온도 신뢰성 검사를 수행하게 된다. 점차적으로 반도체가 고 집적화 됨에 따라 자체 발열량 또한 커지게 되어, 온도 신뢰성 검사는 매우 중요한 검사라 할 수 있다.The memory module is subjected to a temperature reliability test before shipment because various conditions are used and defects may occur due to self heat generation. As the semiconductor becomes more and more integrated, the amount of self-heating increases, and the temperature reliability test is a very important test.
한국 등록특허 제10-1396539호는 본 출원인이 개발하여 특허 등록을 받은 종래의 메모리 모듈 온도 검사 장치를 개시하고 있다.Korean Patent No. 10-1396539 discloses a conventional memory module temperature inspecting device developed and patent registered by the present applicant.
최근 들어, 보다 신속한 검사가 요구되면서 한번에 검사를 시행할 메모리 모듈의 개수가 증가하고 있다. 이에, 시스템이 점차 커지고 전력의 사용량 역시 커지면서, 소형화 및 저전력 그리고 빠른 속도의 온도 검사가 가능한 장치의 개발이 요구되고 있다.In recent years, the number of memory modules to be inspected at one time has been increasing due to demand for faster inspection. Accordingly, as the system becomes larger and the amount of power used increases, it is required to develop a device capable of miniaturization, low power consumption, and high speed temperature inspection.
온도 제어가 보다 효율적이고 신속하게 이루어질 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection device is provided that enables temperature control to be performed more efficiently and quickly.
보다 크기를 줄여 장치를 소형화할 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection apparatus is provided that can be miniaturized by reducing its size.
온도 하강 속도와 균일성을 개선할 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection apparatus is provided that can improve the temperature lowering speed and uniformity.
온도에 따른 열 변형 충격을 완화할 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection apparatus is provided that can mitigate the thermal deformation shock caused by temperature.
본 구현예의 온도 검사장치는, 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 냉온유닛을 포함하고, 상기 냉온유닛은 냉온에너지를 발생하는 열전소자, 상기 열전소자의 일면에 설치되어 검사 대상체에 냉기나 열기를 가하는 열전달블럭, 및 상기 열전소자의 타면에 설치되어 열전소자와 열전달이 이루어지는 방열부를 포함할 수 있다.The temperature inspecting apparatus of this embodiment includes a cold / warm unit for applying cold / hot energy to an object to be inspected, wherein the cold / hot unit includes a thermoelectric element for generating cold and hot energy, a heat transfer And a heat dissipation unit provided on the other surface of the thermoelectric element and performing heat transfer with the thermoelectric element.
본 구현예의 온도 검사장치는, 베이스프레임 상에 설치되고 표면에 적어도 하나 이상의 검사 대상체가 배치된 작업모듈, 상기 작업모듈로 이동되어 작업모듈에 배치된 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 적어도 하나 이상의 냉온유닛을 구비한 냉온모듈, 상기 작업모듈에 대해 상기 냉온모듈을 이동시켜 냉온모듈을 작업모듈에 결합 또는 분리시키기 위한 이동부를 포함할 수 있다.The temperature inspection apparatus of this embodiment includes a work module installed on a base frame and having at least one inspection object disposed on a surface thereof, at least one cold temperature unit And a moving unit for moving the cold / hot module relative to the work module to couple or separate the cold / hot module to or from the work module.
상기 베이스프레임에 설치되어 상기 작업모듈을 상기 냉온모듈 위치로 이동시키기 위한 수평이동부를 더 포함할 수 있다.And a horizontal moving part installed on the base frame for moving the work module to the cold / hot module position.
상기 이동부는 베이스프레임에 설치되는 지지부재, 상기 지지부재에 설치되고 상기 냉온모듈에 연결되어 냉온모듈을 상하로 이동시키는 수직구동부를 포함할 수 있다.The moving unit may include a supporting member provided on the base frame, and a vertical driving unit installed on the supporting member and connected to the cooling module to move the cooling module vertically.
상기 이동부는 상기 냉온모듈에 설치되고 상부로 연장되는 적어도 하나 이상의 가이드바, 상기 지지부재에 형성되고 상기 가이드바가 삽입되어 안내되는 가이드홀더를 더 포함할 수 있다.The moving unit may further include at least one guide bar installed on the cold / hot module and extending upward, and a guide holder formed on the support member and inserted and guided by the guide bar.
상기 수평이동부는 상기 작업모듈이 설치되고 베이스프레임을 따라 수평으로 연장된 레일을 따라 이동되는 이동대차, 상기 이동대차를 이동시키기 위한 수평구동부를 포함할 수 있다.The horizontal moving part may include a moving truck installed with the operation module and moved along a rail extending horizontally along the base frame, and a horizontal driving part for moving the moving truck.
상기 냉온모듈은, 적어도 하나 이상의 냉온유닛이 착탈가능하게 장착되는 지지판, 상기 지지판에 설치되고 각 냉온 유닛과 개별적으로 탈착가능하게 결합되어 전기적으로 연결되는 접속부, 상기 지지판의 둘레를 따라 설치되어 냉온유닛과 검사 대상체 사이 공간을 감싸는 측면덮개를 포함할 수 있다. The cold / hot module includes a support plate on which at least one or more cooling / heating units are detachably mounted, a connection unit that is installed on the support plate and is detachably coupled to and electrically connected to each of the cooling / heating units, And a side cover surrounding the space between the object and the inspection object.
상기 측면덮개 내측으로 연장 설치되고, 상기 냉온 유닛과 검사 대상체 사이로 크린 에어를 분사하는 홀이 형성된 공급관을 더 포함할 수 있다.And a supply pipe extending to the inside of the side cover and having a hole for spraying clean air between the cold / warm unit and the inspection object.
상기 냉온유닛은 상기 열전소자와 방열부 및 열전달블럭을 결합하는 결합부를 더 포함하고, 상기 결합부는 상기 방열부와 열전소자의 전면에 형성된 체결홀을 관통하여 상기 열전달블럭에 체결되고 열전소자와 방열부 및 열전달블럭 사이를 고정하는 고정볼트 및 상기 고정볼트와 방열부 사이에 탄력적으로 설치되는 탄성부재를 포함할 수 있다.The cooling / heating unit further includes a coupling unit for coupling the thermoelectric element, the heat dissipation unit, and the heat transfer block. The coupling unit is coupled to the heat transfer unit through the coupling hole formed in the heat dissipation unit and the front surface of the thermoelectric module, A fixing bolt for fixing the heat transfer block between the fixing bolt and the heat transmission block, and an elastic member elastically installed between the fixing bolt and the heat radiation portion.
상기 방열부는 내부에 냉각수가 순환되는 수냉블럭을 포함할 수 있다.The heat dissipation unit may include a water cooling block in which cooling water is circulated.
상기 수냉블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함할 수 있다.The water-cooled block may include a stopper protruding from at least one end of the surface on which the thermoelectric element is in contact and regulating the position of the thermoelectric element on the side of the thermoelectric element.
상기 온도 검사장치는, 상기 방열부와 상기 지지판 사이에 체결되는 연결볼트, 상기 연결볼트에 끼워져 상기 지지판과 방열부 사이에 탄력 설치되는 탄성스프링을 더 포함할 수 있다. The temperature inspection apparatus may further include a connection bolt fastened between the heat dissipation unit and the support plate, and an elastic spring fitted to the connection bolt and elastically installed between the support plate and the heat dissipation unit.
상기 지지판에 형성되는 적어도 하나 이상의 가이드핀, 및 상기 방열부에 형성되어 상기 가이드핀이 삽입되는 가이드홀을 더 포함할 수 있다.And at least one guide pin formed on the support plate and a guide hole formed in the heat dissipation unit and into which the guide pin is inserted.
상기 열전달블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함할 수 있다. The heat transfer block may include a stopper protruding from at least one end of the surface on which the thermoelectric element is in contact and regulating the position of the thermoelectric element on the side of the thermoelectric element.
상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 사각뿔 형태를 이룰 수 있다. The heat transfer block includes a plate portion in contact with the thermoelectric element, and an end portion protruding outward from the plate portion and in contact with the inspection object, and the plate portion may have a quadrangular pyramid shape.
상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 반구 형태를 이룰 수 있다.The heat transfer block includes a plate portion in contact with the thermoelectric element, and an end protruding outward from the plate portion and in contact with the inspection object, and the plate portion may have a hemispherical shape.
상기 열전달블럭은 검사면에 형성되는 흡입홀, 상기 열전달블럭의 측면을 통해 내부로 연장되어 상기 흡입홀과 연결되는 진공라인을 더 포함하여 검사면에 진공 흡착력을 가하는 구조일 수 있다.The heat transfer block may include a suction hole formed on an inspection surface, a vacuum line extending inward through a side surface of the heat transfer block and connected to the suction hole, and applying a vacuum suction force to the inspection surface.
상기 냉온유닛은 상기 열전달블럭에 설치되어 메모리 모듈에 가해지는 온도를 검출하는 온도센서를 더 포함할 수 있다.The cooling / heating unit may further include a temperature sensor installed in the heat transfer block and detecting a temperature applied to the memory module.
상기 열전소자는, 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체, 상기 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극 및 하단전극을 포함하는 반도체유닛, 상기 반도체유닛의 외측에 접합되는 제1 열전달판과 제2 열전달판, 및 상기 제1 열전달판과 제2 열전달판 선단 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재를 포함하고, 상기 반도체유닛은 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에서 복수개가 적층되고, 각 반도체유닛 사이에 중간 열전달판이 설치된 구조일 수 있다.Wherein the thermoelectric element includes a plurality of semiconductors arranged at intervals, a semiconductor unit arranged in a pattern set at an upper end and a lower end of the semiconductor and including an upper electrode and a lower electrode electrically connected to the semiconductor, And a sealing member sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate and sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate, And an intermediate heat transfer plate is provided between the semiconductor units.
상기 각 반도체유닛은 반도체의 개수가 동일할 수 있다.The semiconductor units may have the same number of semiconductors.
상기 각 반도체유닛은 반도체 배열 위치가 동일한 구조일 수 있다.Each of the semiconductor units may have the same semiconductor arrangement position.
상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 반도체유닛의 반도체의 크기가 점차 감소하는 구조일 수 있다.The size of the semiconductor of each semiconductor unit gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
상기 각 반도체유닛의 반도체는 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 높이가 점차 감소하는 구조일 수 있다.The semiconductor of each of the semiconductor units may have a structure in which the height gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
상기 열전소자는 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에 적어도 하나의 체결홀이 관통 형성될 수 있다.The thermoelectric element may have at least one fastening hole formed between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate.
상기 반도체의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층을 형성한 구조일 수 있다.And a moisture-proof coating material is applied to the side surface of the semiconductor to form a coating layer.
상기 코팅층은 반도체에 접속되는 상단전극과 하단전극의 내측면에 형성될 수 있다.The coating layer may be formed on the inner surface of the upper electrode and the lower electrode connected to the semiconductor.
상기 코팅층을 이루는 도료는 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료일 수 있다.The coating material constituting the coating layer may be a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating.
상기 실링부재는 열전소자의 내부에서 반도체와 반도체 사이에 설치될 수 있다.The sealing member may be installed between the semiconductor and the semiconductor inside the thermoelectric element.
상기 실링부재는 실리콘 입자를 포함하는 에폭시 재질로 이루어질 수 있다.The sealing member may be made of an epoxy material including silicon particles.
상기 실리콘 입자는 전체 실링부재에 대해 2 내지 20중량% 이내로 포함될 수 있다. The silicon particles may be contained in an amount of 2 to 20% by weight based on the total amount of the sealing member.
상기 냉온유닛은 적어도 두 개 이상의 열전소자를 구비하고, 상기 각 열전소자가 적층된 구조일 수 있다.The cooling / heating unit may have at least two or more thermoelectric elements, and each thermoelectric element may have a laminated structure.
상기 각 열전소자는 동일한 크기로 이루어질 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have the same size.
상기 각 열전소자는 내부에 구비된 반도체의 개수가 동일할 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have the same number of semiconductors.
상기 각 열전소자는 내부에 구비된 반도체의 배열 위치가 동일한 구조일 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have the same arrangement position of the semiconductors provided therein.
상기 각 열전소자는 상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 반도체의 크기가 점차 감소하는 구조일 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have a structure in which the size of the semiconductor gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
상기 각 열전소자는 상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 반도체의 높이가 점차 감소하는 구조일 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have a structure in which the height of each semiconductor gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
상기 각 열전소자는 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에 적어도 하나의 체결홀이 관통 형성될 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have at least one fastening hole formed between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate.
상기 냉온유닛은 열전소자 사이에 설치되는 중간서멀블럭을 더 포함할 수 있다.The cooling / heating unit may further include an intermediate thermal block installed between the thermoelectric elements.
이와 같이 본 실시예에 의하면, 하나의 열전소자 내에 반도체를 다층으로 적층하여 구성함으로써, 보다 신속하고 효과적으로 온도를 제어할 수 있게 된다. 이에, 빠른 온도 하강으로 메모리 모듈에 대한 검사 시간을 줄이고 생산성을 높일 수 있게 된다.As described above, according to the present embodiment, the temperature can be controlled more quickly and effectively by constructing a plurality of semiconductor layers stacked in one thermoelectric element. Accordingly, the inspection time for the memory module can be shortened due to the rapid temperature drop and the productivity can be increased.
또한, 구조가 보다 간단하여 조립 체결이 용이하고, 열전소자의 크기를 증대시키지 않고도 저전력으로 더 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.Further, the structure is simpler, the assembly is easy, and a lower temperature can be realized at low power without increasing the size of the thermoelectric element.
또한, 열전소자의 크기를 증가시키지 않고도 강도 저하를 방지할 수 있게 된다. 이에, 열전소자의 강성을 높이고, 보다 큰 압력으로 긴밀하게 열전소자를 가압 밀착시킬 수 있어, 열 전달 효율을 보다 극대화할 수 있게 된다. Further, it is possible to prevent a decrease in strength without increasing the size of the thermoelectric element. Thus, the stiffness of the thermoelectric element can be enhanced, and the thermoelectric element can be pressed and adhered tightly with a larger pressure, thereby maximizing the heat transfer efficiency.
또한, 열전소자의 구조적 강성 확보로 열전소자를 관통하여 볼트 체결이 가능함에 따라 장치를 보다 소형화할 수 있게 된다.Further, since the structural rigidity of the thermoelectric element can be ensured and the thermoelectric element can be passed through the thermoelectric element, the device can be further downsized.
검사 대상체 발열시에도 온도 균일성을 유지할 수 있게 된다.The temperature uniformity can be maintained even when the inspection object body generates heat.
온도에 따른 열 변형 충격을 완화할 수 있게 된다. It is possible to mitigate the thermal deformation impact depending on the temperature.
냉온유닛을 각각 개별적으로 용이하게 탈착할 수 있고, 냉온유닛의 열전소자 불량시 간단하게 분해하여 소자만을 교체할 수 있어, 유지 관리가 용이하다. It is possible to easily detach the cold / warm unit individually, and to simply disassemble the thermoelectric element when the thermoelectric element of the cold / warm unit is defective.
도 1은 본 실시예에 따른 온도 검사장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 개략적인 측면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 냉온모듈을 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 냉온모듈 내 구비된 냉온유닛을 도시한 개략적인 도면이다.
도 5는 본 실시예에 따른 냉온유닛의 개략적인 단면도이다.
도 6과 도 7은 본 실시예에 따른 냉온유닛의 열전달블럭을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 실시예에 따른 열전소자의 분해 사시도이다.
도 9는 본 실시예에 따른 열전소자의 일부 절개 사시도이다.
도 10은 본 실시예에 따른 열전소자의 개략적인 단면도이다.
도 11 내지 도 15는 온도 검사장치의 냉온유닛에 대한 다양한 실시예를 나타낸 개략적인 단면도이다.1 is a perspective view showing a temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
2 is a schematic side view of a temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
3 is a perspective view showing the cold / warm module of the temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
4 is a schematic view showing a cold / warm unit provided in the cold / hot module of the temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view of the cold / warm unit according to the present embodiment.
6 and 7 are schematic cross-sectional views illustrating a heat transfer block of a cold / warm unit according to the present embodiment.
8 is an exploded perspective view of the thermoelectric device according to the present embodiment.
9 is a partially cutaway perspective view of the thermoelectric device according to the present embodiment.
10 is a schematic cross-sectional view of a thermoelectric device according to this embodiment.
11 to 15 are schematic sectional views showing various embodiments of the cold / warm unit of the temperature inspecting apparatus.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 도면부호를 사용하여 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Wherever possible, the same or similar parts are denoted using the same reference numerals in the drawings.
이하에서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the invention. The singular forms as used herein include plural forms as long as the phrases do not expressly express the opposite meaning thereto. Means that a particular feature, region, integer, step, operation, element and / or component is specified, and that other specific features, regions, integers, steps, operations, elements, components, and / And the like.
이하에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.All terms including technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Predefined terms are further interpreted as having a meaning consistent with the relevant technical literature and the present disclosure, and are not to be construed as ideal or very formal meanings unless defined otherwise.
이하 실시예는 검사 대상체로 핸드폰 등에 사용되는 모바일 램이 탑재된 메모리 모듈(이하 메모리 모듈이라 한다)을 검사하는 온도 검사장치를 예로서 설명한다. 물론, 본 장치는 검사 대상체로 이에 한정되지 않으며, 다양한 장치에 사용되는 메모리 모듈에 대해서도 모두 적용 가능하다.Hereinafter, the embodiment will exemplify a temperature inspection apparatus for inspecting a memory module (hereinafter referred to as a memory module) on which a mobile RAM used as a test object is mounted, such as a mobile phone. Of course, the present apparatus is not limited to the object to be inspected, and can be applied to a memory module used in various apparatuses.
도 1과 도 2는 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 구성을 나타내고 있다.Figs. 1 and 2 show the configuration of a temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
도시된 바와 같이, 본 실시예의 검사장치는 베이스프레임(300) 상에 설치되고 표면에 적어도 하나 이상의 메모리 모듈(M)이 배치된 작업모듈(2), 작업모듈로 이동되어 작업모듈(2)에 배치된 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 적어도 하나 이상의 냉온유닛(도 3의 100 참조)을 구비한 냉온모듈(1), 작업모듈(2)에 대해 냉온모듈(1)을 이동시켜 냉온모듈(1)을 작업모듈(2)에 결합 또는 분리시키기 위한 이동부(310)를 포함할 수 있다.As shown in the drawing, the inspection apparatus of the present embodiment includes a
베이스프레임(300)은 사각의 격자형태의 프레임 구조물일 수 있다. 베이스프레임(300)은 작업모듈(2)과 냉온모듈(1)을 안정적으로 지지한다. 베이스프레임(300)에는 작업모듈(2)을 냉온모듈(1) 하부에 위치시키기 위한 수평이동부(320)를 더 포함할 수 있다.The
본 실시예에서, 메모리 모듈이 구비된 작업모듈(2)은 수평방향으로 이동되고, 냉온유닛이 구비된 냉온모듈(1)은 수직으로 이동된다. 이에, 냉온모듈(1)과 작업모듈(2)을 서로 분리 또는 결합하여 필요한 작업을 용이하게 수행할 수 있다. 베이스프레임(300)에서 냉온모듈(1)과 작업모듈(2)의 배치나 이동방향 등은 다양하게 변형 가능하다.In this embodiment, the
수평이동부(320)는 필요시 작업모듈(2)을 수평이동시켜 냉온모듈(1) 하부에 선택적으로 위치시킨다.The horizontal moving
본 실시예에서, 수평이동부(320)는 작업모듈(2)이 설치되고 베이스프레임(300)을 따라 수평으로 연장된 레일(322)을 따라 이동되는 이동대차(324), 이동대차(324)를 이동시키기 위한 수평구동부(326)를 포함할 수 있다. 레일(322)은 냉온모듈(1) 외측에서 냉온모듈(1) 하부를 향해 수평으로 연장된다. 레일(322) 상에 작업모듈(2)이 구비된 이동대차(324)가 놓여진다.The horizontal moving
수평구동부(326)는 예를 들어, 레일(322)을 따라 연장된 리니어모터를 포함할 수 있다. 수평구동부는 레일을 따라 이동대차를 왕복 이동시킬 수 있는 구조면 모두 적용가능하다.The
이에, 리니어모터가 구동되면 레일을 따라 이동대차가 움직이고, 이동대차(324)에 구비된 작업모듈(2)이 냉온모듈(1)의 외측 또는 냉온모듈(1)의 바로 밑으로 이동된다.When the linear motor is driven, the moving carriage moves along the rail, and the
작업모듈(2)이 냉온모듈(1)의 바로 아래쪽으로 이동된 상태에서 이동부(310)의 작동에 따라 냉온모듈(1)이 이동되어 작업모듈(2)에 밀착된다. 이에, 작업모듈(2)에 배치된 메모리 모듈에 냉온모듈(1)에 구비된 냉온유닛이 냉온에너지를 가하여 온도 검사가 이루어질 수 있다.The cold /
본 실시예에서, 이동부(310)는 베이스프레임(300)에 설치되는 지지부재(312), 지지부재(312)에 설치되고 냉온모듈(1)에 연결되어 냉온모듈(1)을 상하로 이동시키는 수직구동부(314)를 포함할 수 있다.The moving
또한, 이동부(310)는 냉온모듈(1)에 설치되고 상부로 연장되어 지지부재(312)에 형성된 가이드홀더(316)에 삽입되어 슬라이딩되는 적어도 하나 이상의 가이드바(318)를 더 포함할 수 있다. 가이드바(318)가 가이드홀더(316)를 따라 이동됨으로써, 냉온모듈(1)이 어느 한쪽으로 치우치지 않고 안정적으로 이동될 수 있다. 가이드바(318)는 냉온모듈(1)의 네 모서리에 설치될 수 있다. 이에, 냉온모듈(1)이 보다 안정적으로 치우침없이 수평상태를 유지하면 상하로 이동될 수 있게 된다.The moving
수직구동부(314)는 예를 들어, 모터의 회전력을 이송스크류축(315)의 직선운동으로 전환하는 구조일 수 있다. 즉, 모터 구동에 따라 암나사기어가 회전되고, 암나사기어에 나사결합되어 있는 이송스크류축이 이동되어, 최종적으로 이송스크류축(315)에 설치된 냉온모듈(1)이 상하로 이동될 수 있다.The
작업모듈(2)은 검사 대상체인 메모리 모듈(M)이 탑재되어 검사가 이루어지는 구성부로 이해할 수 있다. 작업모듈(2) 내부에는 온도에 따른 메모리 모듈 성능 검사를 위해 메모리 모듈과 접속되는 많은 구성부들이 구비될 수 있다. 작업모듈(2)은 냉온모듈(1)과 대향하는 윗면에 메모리 모듈이 위치하여 온도 검사를 위한 작업 공간을 이룬다. 본 실시예에서, 작업모듈(2)은 복수의 메모리모듈을 탑재할 수 있다. 작업모듈(2)의 메모리 모듈 탑재 위치는 냉온모듈(1)의 냉온유닛 위치에 대응된다.The working
이에, 작업모듈(2) 위로 냉온모듈(1)이 안착되면, 냉온모듈(1)의 각 냉온유닛이 작업모듈(2)의 각 메모리 모듈(M)에 각각 접하여 냉온에너지를 가하게 된다.Thus, when the cold /
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 냉온모듈(1)은 메모리 모듈(M)에 냉온 에너지를 가하는 복수개의 냉온유닛(100)이 착탈가능하게 장착되는 지지판(200), 지지판(200)에 설치되고 각 냉온유닛(100)과 개별적으로 탈착가능하게 결합되어 전기적으로 연결되는 접속부(210), 지지판(200)의 둘레를 따라 설치되어 냉온유닛(100)과 메모리 모듈(M) 사이 공간을 감싸는 측면덮개(220)를 포함할 수 있다.3, the cold /
지지판의 측면덮개(220) 반대쪽면에는 냉온모듈(1) 내부 전선 등을 덮으며 외형을 이루는 커버(240)가 설치될 수 있다. 커버(240)는 도 2에 도시된 바와 같이, 냉온모듈(1)의 상부를 이루며, 위에서 설명한 수직구동부의 이송스크류축(315)에 연결될 수 있다. 또한 커버(240)의 네 모서리에는 각각 가이드바(318)가 설치될 수 있다. 가이드바는 지지부재의 가이드홀더를 관통하여 상부로 연장된다. 이에, 수직구동부가 구동되면 커버를 포함한 냉온모듈(1)이 수평상태를 유지하며 상하로 수직 이동된다.On the opposite side of the
지지판(200)은 평면의 판 구조물로, 표면에 간격을 두고 복수개의 냉온유닛(100)이 배열되어 탈착가능하게 장착된다. 지지판(200)의 크기나 그 형태는 다양하게 변형가능하다.The
지지판(200)의 선단부를 따라 각 냉온유닛(100)과의 전기적 접속을 위한 접속부(210)가 설치된다. 접속부(210)는 서로 분리가능하게 결합되는 암수커넥터 구조일 수 있다. 예를 들어, 접속부(210)는 냉온유닛(100)에 구비된 암커넥터(46, 47)가 결합되는 수커넥터일 수 있다. 접속부(210)는 지지판(200)에 구비되는 각 냉온유닛 별로 복수개가 개별적으로 구비될 수 있다. 이에, 접속부(210)를 이용하여 간단하게 커넥터를 분리함으로써, 해당 냉온유닛(100)의 전기적 연결을 차단하고, 지지판(200)에서 냉온유닛을 개별적으로 분리할 수 있게 된다.A
이에, 교체가 필요한 냉온유닛만을 개별적으로 용이하게 커넥터를 분리하여 탈착할 수 있게 된다.Therefore, only the cold / warm unit requiring replacement can be easily detached from the connector easily.
지지판(200) 둘레를 따라 측면덮개(220)가 설치된다. 지지판(200)에 설치된 냉온유닛(100)은 측면덮개(220)에 의해 둘러싸여 측면덮개(220) 내측에 위치한다. 냉온모듈(1) 하강에 따라 측면덮개는 작업모듈(2) 상부에 밀착된다. 측면덮개(220)는 작업모듈(2) 상부에 접하여 메모리 모듈(M)과 냉온유닛(100) 사이 공간 즉, 메모리 모듈에 대한 검사 공간을 감싸 외부와 차단한다.A
측면덮개(220) 내측에는 크린 에어(CDA;clean dry air)를 공급하는 공급관(230)이 연장 설치된다. 크린 에어는 수분이 제거된 건조된 공기로 공급관(230)을 통해 검사가 이루어지는 공간으로 공급된다. 공급관(230)의 표면에는 냉온 유닛(100) 위치에 맞춰 냉온 유닛과 메모리 모듈 사이로 크린 에어를 분사하는 홀(232)이 형성된다. 이에, 공급관(230)으로 크린에어를 공급하면, 홀(232)을 통해 크린 에어가 서로 접하여 열전달이 이루어지는 냉온유닛과 메모리 모듈 사이로 분사된다. 따라서, 크린 에어에 의해 냉온유닛과 메모리 모듈 사이를 포함하여 측면덮개(220)로 둘러 쌓여진 검사 공간 내에 성애가 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다. A
측면덮개(220)의 하단은 메모리모듈이 놓여진 작업모듈(2) 상면에 접하게 되는 데, 측면덮개와 작업모듈(2) 사이의 기밀 유지를 위해 측면덮개 하단에는 실링부재(222)가 설치될 수 있다. 이에, 측면덮개 하단의 기밀이 유지되어 측면덮개 내측으로 분사된 크린 에어가 외부로 새나가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The lower end of the
도 4와 도 5는 본 실시예에 따른 냉온유닛을 나타내고 있다.4 and 5 show a cold / warm unit according to the present embodiment.
본 실시예의 냉온유닛(100)은 메모리 모듈(M)에 냉열 또는 온열과 같은 냉온에너지를 가할 수 있다.The cold /
이에, 검사장치는 냉온유닛(100)을 통해 검사 공간 내에 놓여져 있는 메모리 모듈(M)에 온열 또는 냉열을 가해 온도 신뢰성 검사를 실시한다.Thus, the inspection apparatus applies heat or cold heat to the memory module (M) placed in the inspection space through the cooling / heating unit (100) to perform a temperature reliability check.
냉온유닛(100)은 냉온에너지를 발생하는 열전소자(10), 열전소자(10)의 일면에 설치되어 메모리 모듈(M)에 냉기나 열기를 가하는 열전달블럭(40), 및 열전소자(10)의 타면에 설치되어 열전소자(10)와 열전달이 이루어지는 방열부(50)를 포함할 수 있다.The cooling /
냉온유닛(100)은 검사대에 놓여진 메모리 모듈 상방향으로 열전달블럭(40), 열전소자(10) 및 방열부(50)가 차례로 배치된다. 이하 설명에서, 상하 방향이라 함은 도 5에서 y축 방향을 따라 위쪽과 아래쪽 방향을 의미한다. 이하 설명의 편의를 위해, y축 방향을 따라 아래쪽에 검사 대상체인 메모리 모듈(M)이 위치하여 검사가 이루어지는 구조를 예로서 설명한다. In the cold /
열전소자(thermoelectric module)는 이극형 반도체를 조합했을 때에 생기는 냉각효과를 이용하여, 전압차를 통해 온도차를 만들어내는 소자이다. 열전소자에 전압을 가하면 소자의 양면에 온도차가 발생하며, 상대적으로 고온의 면을 냉각시켜 온도를 낮추면 다른 면이 그 온도차에 의해 급격히 온도가 낮아지게 된다.A thermoelectric module is a device that produces a temperature difference through a voltage difference by utilizing a cooling effect generated when a bipolar semiconductor is combined. When a voltage is applied to a thermoelectric device, a temperature difference occurs on both sides of the device. When the temperature is lowered by cooling a relatively high temperature surface, the temperature of the other surface is rapidly lowered due to the temperature difference.
본 실시예의 냉온유닛(100)은 방열부(50)와 열전달블럭(40) 사이에 하나의 열전소자(10)가 설치된다. 열전소자(10)는 복수개의 반도체유닛(도 10의 21,22,23 참조)이 적층된 구조일 수 있다. 열전소자는 접속부와의 전기적 연결을 위한 암커넥터(47)가 구비될 수 있다. 열전소자의 구조에 대해서는 뒤에서 다시 설명한다. In the cold /
이와 같이, 내부에서 복수개의 반도체유닛이 적층된 열전소자(10)를 구비함으로써, 본 실시예의 냉온유닛(100)은 저전력으로도 보다 낮은 온도의 구현이 가능하며 보다 신속하고 효과적으로 온도를 제어할 수 있게 된다.By providing the
방열부는 냉각수가 순환되는 수냉블록(52)을 포함할 수 있다. 수냉블록(52)은 냉각수를 순환 공급하기 위한 냉각수 공급부(도시되지 않음)와 연결된다. 이에, 냉각수는 공급부에서 수냉블록(52) 내부로 순환하면서 열전소자(10)의 타면을 방열시키게 된다. 방열부(50)는 수냉블록(52)에 한정되지 않으며, 예를 들어 방열핀과 방열핀으로 외기를 공급하는 방열팬을 구비한 송풍 방식의 방열 구조가 적용될 수 있다.The radiator may include a water-cooling block (52) through which cooling water is circulated. The
냉온유닛(100)은 도 5의 y축 방향을 따라 열전소자(10)를 사이에 두고 상부와 하부에 각각 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)이 배치되어 긴밀하게 결합된다.The cooling /
본 실시예의 냉온유닛(100)은 중앙에 고정볼트(62)가 체결되어 수냉블록(52)과 열전소자(10) 및 열전달블럭(40)을 가압 고정하는 구조로 되어 있다. 예를 들어, 상부에 위치한 수냉블록(52)에는 고정볼트(62)가 삽입되는 홀(56)이 형성되고, 열전달블럭(40)에는 홀(56)에 대응되는 위치에 고정볼트(62)가 체결되는 암나사홀(42)이 형성된다. 그리고, 열전소자(10) 역시 홀(56)에 대응되는 위치에 고정볼트(62)가 관통되는 체결홀(12)이 형성된다. 이에, 고정볼트(62)를 홀(56)과 체결홀(12)을 통해 열전달블럭(40)의 암나사홀(42)에 체결하여 조여줌으로써, 열전소자(10)를 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)에 가압 밀착시켜 조립할 수 있게 된다.The
이와 같이, 냉온유닛(100)의 중앙부에 고정볼트(62)가 장착됨으로써, 종래와 달리 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화할 수 있다.As described above, since the fixing
종래의 경우 열전소자의 내구성과 효율상의 이유로 열전소자를 벗어난 위치에서 수냉블록과 열전달블럭 사이를 체결하였다. 이에, 수냉블록과 열전달블럭의 크기를 열전소자보다 충분히 크게 형성할 필요가 있었다. 이에 반해, 본 실시예의 경우 언급한 바와 같이, 고정볼트(62)가 열전소자(10) 중앙부를 관통하게 되므로, 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)의 크기를 열전소자(10)의 크기로 줄일 수 있고, 전체적인 장치의 크기를 보다 소형화할 수 있게 된다. 이러한 열전소자(10)의 구체적인 구조와 작용에 대해서는 뒤에서 다시 설명하도록 한다.In the conventional case, the water-cooled block and the heat transfer block are fastened at a position deviated from the thermoelectric element for reasons of durability and efficiency of the thermoelectric element. Therefore, it is necessary to form the water-cooling block and the heat transfer block sufficiently larger than the thermoelectric elements. The size of the water-
또한, 본 실시예에서 냉온유닛은 고정볼트와 수냉블럭(52) 사이에 탄력적으로 설치되는 탄성부재(64)를 더 포함할 수 있다. 탄성부재(64)는 예를 들어 탄성 스프링일 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 탄성부재(64)는 고정볼트(62)에 끼워져 고정볼트의 볼트머리와 수냉블럭 사이에 탄력적으로 설치될 수 있다. In addition, in this embodiment, the cold / warm unit may further include an elastic member 64 elastically installed between the fixing bolt and the water-
탄성부재(64)는 수냉블럭(52)에 탄성력을 인가한다. 수냉블럭(52)과 열전소자(10) 및 열전달블럭(40)은 탄성부재(64)에 의해 가압되어 긴밀하게 밀착된다.The elastic member (64) applies an elastic force to the water cooling block (52). The water-cooled
탄성부재(64)는 열전소자(10)의 열 변형에 의해 냉온유닛에 가해지는 충격을 완충하며, 열전소자에 대한 수냉블럭과 열전달블럭의 밀착 상태를 유지하게 된다. 열전소자는 온도 변화에 따라 열변형되어 두께가 가변된다. 두께라 함은 도 5에서 y축을 따라 상하방향으로의 길이를 의미할 수 있다. 본 실시예의 열전소자(10)는 매우 높은 폭의 온도 변화에 대응할 수 있도록 다단 구조로 이루어져 그 두께가 매우 크다. 이에, 열전소자의 두께가 큰 만큼 열팽창과 열수축으로 인한 두께의 변화량도 매우 크다. 탄성부재(64)는 열전소자(10)의 두께가 가변됨에 따라 수냉블럭(52)과 열전달블럭(40)에 전달되는 충격을 흡수하여 완충시킨다. 예를 들어, 열전소자가 열팽창하여 두께가 커지는 경우 수냉블럭이 밀려나고, 탄성부재가 압축되면서 그 충격을 흡수한다. The elastic member 64 cushions the impact applied to the cold / warm unit by the thermal deformation of the
이와 같이, 탄성부재(64)에 의해 열전소자의 열팽창과 열수축에 따른 두께 변화에 관계없이 냉온유닛의 결합 상태를 안정적으로 유지할 수 있다.As described above, the elastic member 64 can stably maintain the engagement state of the cold / warm unit irrespective of the thickness change due to thermal expansion and heat shrinkage of the thermoelectric element.
본 실시예에서, 수냉블럭(52)은 사각의 구조물로, 측면에서 내부로 복수의 홀이 관통 형성되어 수냉블럭 내부에 냉각수가 유통되는 수로를 형성할 수 있다. 수냉블럭의 측면에는 관통된 홀을 차단하는 마개가 설치될 수 있다. 이에, 보다 간단하게 수냉블럭의 내부에 냉각수로를 형성할 수 있게 된다. 수냉블럭의 중심부에는 냉온유닛 결합을 위한 고정볼트가 삽입되는 홀(56)이 형성된다. In this embodiment, the water-
수냉블럭(52)은 지지판(200)에 설치된다. 수냉블럭은 지지판(200)에 연결볼트(70)를 매개로 고정 설치될 수 있다. 예를 들어, 수냉블럭의 모서리와 지지판(200) 사이를 연결볼트(70)로 체결하여 고정할 수 있다.The water-cooled
본 실시예에서, 수냉블럭(52)은 상하방향을 따라 탄력적으로 유동가능하도록 지지판(200) 상에 설치될 수 있다. 이에, 냉온유닛(100)은 상하방향으로 유동되어 메모리 모듈에 보다 안정적으로 밀착될 수 있다. In this embodiment, the water-
이를 위해, 본 실시예의 장치는 수냉블럭(52)과 지지판(200) 사이에 체결되는 연결볼트(70)에 끼워져 지지판(200)과 방열부 사이에 탄력 설치되는 탄성스프링(72)을 포함할 수 있다. 연결볼트(70)는 지지판(200)과 냉온유닛의 수냉블럭 사이를 결합한다. 연결볼트(70)는 수냉블럭의 네 모서리에 형성된 홀에 각각 끼워져 지지판(200)에 형성된 체결홀에 결합될 수 있다. 탄성스프링(72)은 연결볼트(70)에 끼워져 지지판(200)과 수냉블럭(52) 사이에 탄력적으로 설치된다. 탄성스프링(72)에 의해 냉온유닛의 열전달블럭(40)이 메모리 모듈(M) 상에 가압되어 긴밀하게 밀착된다. The apparatus of the present embodiment may include an
냉온유닛(100)이 탄성스프링(72)을 매개로 지지판(200)에 설치됨에 따라 지지판(200)에 대해 냉온유닛(100)이 상하로 유동되며 냉온유닛에 전달되는 충격을 완충할 수 있다. 탄성스프링(72)은 지지판(200)과 냉온유닛(100) 사이에서 메모리 모듈(M)에 대한 검사 과정에서 발생되는 충격에너지를 흡수하게 된다. The cooling /
또한, 탄성스프링(72)을 매개로 지지판(200)에 대해 냉온유닛(100)이 상하로 움직일 수 있어, 다양한 두께의 메모리 모듈(M)에 효과적으로 대응할 수 있다. 이에, 다양한 메모리 모듈의 실제 두께에 따라 냉온유닛이 상하로 유동되어 열전달블럭(40)을 메모리 모듈(M)에 항상 긴밀하게 밀착시킬 수 있게 된다.Also, the cooling /
따라서, 장치나 메모리 모듈의 손상을 방지하고, 열전달블럭과 메모리 모듈 간의 열전달 효율을 안정적으로 유지할 수 있게 된다.Accordingly, it is possible to prevent damage to the device or the memory module, and to stably maintain the heat transfer efficiency between the heat transfer block and the memory module.
본 실시예에서, 냉온유닛(100)이 지지판(200)에 대해 상하로 정확히 이동될 수 있도록 지지판(200)에 가이드핀(74)이 설치되고, 수냉블럭(52)에는 가이드핀(74)이 삽입되는 가이드홀(76)이 형성될 수 있다. A
도 5에 도시된 바와 같이, 두 개의 가이드홀(76)이 수냉블럭(52)의 중앙에 형성된 홀(56)을 중심으로 좌우측에 각각 형성된다. 지지판(200)에는 가이드홀(76)의 위치에 맞춰 두 개의 가이드핀(74)이 상하방향을 따라 수직으로 설치된다. As shown in FIG. 5, two
이에, 지지판(200)에 수냉블럭(52)을 조립하게 되면, 가이드핀(74)이 가이드홀(76)에 삽입된다. 따라서, 냉온유닛(100)은 수냉블럭의 가이드홀(76)에 삽입된 가이드핀(74)을 따라 안내되어, 일측으로 치우쳐지거나 기울어지지 않고 정확히 상하로 유동될 수 있게 된다. 이에, 냉온유닛 유동에도 열전달블럭이 기울어지지 않고 메모리 모듈에 정확히 밀착될 수 있다.Thus, when the water-
본 실시예에서, 수냉블럭(52)은 열전소자(10)가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼(78)를 더 포함할 수 있다. 스토퍼(78)는 수냉블럭(52)의 마주하는 양측 선단에 형성될 수 있다. 스토퍼(78)는 열전소자(10)가 걸릴 수 있도록 소정 길이로 돌출 형성된다. In this embodiment, the water-
스토퍼(78)는 수냉블럭(52)과 열전소자(10) 조립시 열전소자의 위치를 규제한다. 이에, 수냉블럭(52)의 접면에서 열전소자(10)가 스토퍼(78)에 의해 규제되어 외측으로 밀려나가거나 위치가 어긋나지 않고 수냉블럭에 정확히 접할 수 있게 된다.The
열전달블럭(40)은 메모리 모듈(M)에 밀착되어 메모리 모듈(M)에 냉열 또는 온열을 가하게 된다. The
도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 열전달블럭(40)은 열전소자(10)에 접하는 판부(41)와, 판부에서 하부로 연장 형성되며 메모리 모듈에 접하는 단부(43)를 포함할 수 있다. 단부(43)는 판부(41)의 중심에서 하부로 길게 연장되며 대략 메모리 모듈에 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 판부와 단부는 일체로 형성된다. 6, the
본 실시에에서 판부는 단부를 향해 경사면을 갖는 사각뿔 형태로 이루어질 수 있다. In this embodiment, the plate portion may be in the form of a quadrangular pyramid having an inclined surface toward the end portion.
또다른 실시예로 판부는 도 7에 도시된 바와 같이, 단부를 향해 볼록하게 돌출된 반구 형태로 이루어질 수 있다.In another embodiment, the plate portion may be in the shape of a hemispherical protruding toward the end portion, as shown in Fig.
판부가 상기와 같이, 단부를 향해 사각뿔이나 반구 형태로 이루어짐에 따라 열용량을 보다 증가시킬 수 있게 된다. 이에, 메모리 모듈 발열시 열전달블럭의 온도가 급작스럽게 뛰거나 변동되는 것을 방지하고 온도 균일성을 보다 확보할 수 있게 된다.As described above, since the plate portion is formed in the shape of a quadrangular pyramid or a hemisphere toward the end portion, the heat capacity can be further increased. Thus, the temperature of the heat transfer block can be prevented from suddenly changing or fluctuating when the memory module generates heat, and the temperature uniformity can be further secured.
단부(43)는 열전달 효율을 보다 높일 수 있도록 표면에 복수의 슬릿이 더 형성될 수 있다. 슬릿에 의해 단부의 단면적을 줄여 열용량을 줄일 수 있다. 이에 보다 신속한 열전달을 통해 단부 냉각 및 가열에 요구되는 에너지를 최소화할 수 있다.A plurality of slits may be formed on the surface of the
열전달블럭(40)의 중심부에는 볼트 체결을 위한 암나사홀(42)이 연장 형성된다. 암나사홀(42)은 냉온유닛 조립을 위한 것으로 고정볼트(62)가 열전소자(10)를 관통하여 체결된다.At the center of the
열전달블럭의 단부(43)에는 메모리 모듈(M)에 가해지는 온도를 검출하는 온도센서(44)가 더 설치될 수 있다. 온도센서(44) 설치를 위해 단부(43)의 하단으로 온도센서 장착을 위한 홀(45)이 깊게 형성된다. 이에, 홀(45) 내부로 온도센서(44)가 메모리 모듈(M)에 최대한 근접 설치되어 단부(43)를 통해 메모리 모듈에 가해지는 냉온열의 온도를 정확히 검출할 수 있게 된다. A
온도센서(44)에 연결된 전선은 홀을 통해 열전달블럭 외측으로 연장되며 그 선단에는 접속부(210)와의 연결을 위한 암커넥터(46)가 설치될 수 있다.The electric wires connected to the
본 실시예에서, 열전달블럭(40)은 열전소자(10)가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼(48)를 더 포함할 수 있다. 스토퍼(48)는 열전달블럭의 마주하는 양측 선단에 형성될 수 있다. 스토퍼(48)는 열전소자(10)가 걸릴 수 있도록 소정 길이로 돌출 형성된다. In this embodiment, the
스토퍼(48)는 열전달블럭(40)과 열전소자(10) 조립시 열전소자의 위치를 규제한다. 이에, 열전달블럭(40)의 접면에서 열전소자(10)가 스토퍼(78)에 의해 규제되어 외측으로 밀려나가거나 위치가 어긋나지 않고 열전달블럭에 정확히 접할 수 있게 된다.The
언급한 바와 같이, 열전소자 위치 규제를 위한 스토퍼는 열전달블럭 외에 수냉블럭에도 설치된다. 이에, 냉온유닛 조립시 하나의 고정볼트로 열전달블럭과 열전소자 및 수냉블럭을 고정하더라도 각 구성부의 위치가 스토퍼에 의해 정확히 맞춰져 흔들림없이 조립될 수 있다.As mentioned above, the stopper for regulating the position of the thermoelectric element is installed in the water cooling block in addition to the heat transfer block. Therefore, even when the heat transfer block, the thermoelectric element, and the water-cooled block are fixed by one fixing bolt when assembling the cold / warm unit, the positions of the components can be precisely adjusted by the stopper and assembled without shaking.
이하, 도 8 내지 도 10을 참조하여 본 실시예에 따른 열전소자에 대해 설명한다.Hereinafter, a thermoelectric device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 10. FIG.
본 실시예의 열전소자(10)는 반도체유닛(20)과, 반도체유닛의 외측에 접합되는 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26), 및 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 선단 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재(30)를 포함할 수 있다.The
본 실시예의 열전소자(10)는, 복수개의 반도체유닛(20)을 포함하고, 복수개의 반도체유닛은 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 사이에서 적층된 구조일 수 있다.The
각 반도체유닛은 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체(13), 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극(16)과 하단전극(17)을 포함할 수 있다. Each semiconductor unit may include a plurality of
동일면상에 간격을 두고 복수의 반도체(13)가 배치되어 각 반도체유닛(20)을 이룬다. A plurality of
열전소자(10) 내에 적층 배치된 반도체유닛이 이웃하는 반도체유닛의 열을 방열하는 역할을 수행함으로써 하나의 열전소자(10) 내에서 다단계로 방열이 이루어지게 된다. 이에, 하나의 열전소자(10)를 사용함에 따라 저전력으로도 구동이 가능하며, 신속하고 효과적으로 보다 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.The semiconductor units stacked and arranged in the
이하, 본 실시예에서는 3 개의 반도체유닛이 적층된 구조를 예로서 설명한다. 그러나, 본 장치는 열전소자(10)가 세 개 외에 두 개 또는 4개 이상이 적층 배치된 구조 역시 적용 가능하다.Hereinafter, in this embodiment, a structure in which three semiconductor units are stacked will be described as an example. However, the present device is also applicable to a structure in which two or more
이하 설명에서, 하 또는 하부라 함은 도 8에서 y축을 따라 아래쪽을 의미하고, 상 또는 상부이라 함은 y축을 따라 위쪽을 의미한다. 또한, 설명의 편의를 위해 y축 방향을 따라 아래에서부터 차례로 적층된 각 반도체유닛을 제1 반도체유닛(21), 제2 반도체유닛(22) 및 제3 반도체유닛(23)이라 한다. 반도체유닛(20)은 적층된 모든 반도체유닛 전체를 지칭할 수 있다. 또한, 열전소자(10) 하면을 이루어 열전달블럭(40)에 접하는 판을 제1 열전달판(24)이라 하고, 열전소자(10) 상면을 이루어 수냉블록(52)과 접하는 판을 제2 열전달판(26)이라 한다.In the following description, the lower or the lower part means the lower side along the y axis in Fig. 8, and the upper side or the upper side means the upper side along the y axis. For convenience of explanation, the respective semiconductor units stacked in order from the bottom along the y-axis direction are referred to as a
제1 반도체유닛(21)은 하면을 통해 실질적으로 메모리 모듈(M)에 검사를 위한 온도 조건을 부여하며, 제2 반도체유닛(22)은 제1 반도체유닛(21)의 상면에서 제1 반도체유닛(21)의 열을 방열시키게 된다. 또한, 제3 반도체유닛(23)은 제2 반도체유닛(22)의 상면에서 제2 반도체유닛(22)의 열을 방열시키게 된다. 이와 같이 열전소자(10) 내부에서 다층에 걸쳐 방열이 이루어짐에 따라 제1 반도체유닛(21)에 접하고 있는 제1 열전달판(24)을 보다 신속하고 효과적으로 냉각 또는 가열시킬 수 있게 된다. The
본 실시예에서, 각 반도체유닛(20)은 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 즉, 각 반도체유닛(20)은 동일한 개수의 반도체(13)를 구비하며, 각 반도체(13)는 동일한 간격으로 동일한 위치에 배열 설치된다. In this embodiment, each
이에, 적층된 복수개의 반도체유닛(20)은 모두 동일한 반도체(13) 수량을 갖는 동일한 면적의 크기로 형성될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 열전소자(10)는 복수개의 반도체유닛을 다단으로 적층하더라도 각 반도체유닛의 면적이 일정하여 구조적인 강성을 충분히 확보할 수 있게 된다.Thus, the plurality of stacked
각 반도체유닛의 반도체(13)는 N형 반도체(14)와 P형 반도체(15)로 이루어지며, 서로 교대로 배치되고 상단과 하단에서 상단전극(16)과 하단전극(17)이 설정된 패턴으로 N형 반도체(14)와 P형 반도체(15)를 전기적으로 연결한다. 이하 설명에서 도면부호 (13)는 N형 또는 P형에 무관하게 반도체를 지칭하며, 도면부호 (14)와 (15)은 각각 N형 반도체와 P형 반도체를 지칭한다.The
제1 반도체유닛(21)은 제1 열전달판(24) 상에 배열되는 복수의 반도체(13)에 의해 이루어진다. 제1 반도체유닛(21)의 반도체(13) 위에 적층된 복수의 반도체(13)가 제2 반도체유닛(22)을 이룬다. 제2 반도체유닛(22)의 반도체(13) 위에 적층된 복수의 반도체(13)가 제3 반도체유닛(23)을 이룬다.The
도 8에 도시된 바와 같이, 제1 반도체유닛(21)과 제2 반도체유닛(22) 사이 및 제2 반도체유닛(22)과 제3 반도체유닛(23) 사이에는 각각 중간 열전달판(28)이 설치될 수 있다.An intermediate
이에, 본 실시예에서 제1 반도체유닛(21)은 제1 열전달판(24)과 중간 열전달판(28) 사이에 설치되며, 제2 반도체유닛(22)은 중간 열전달판(28) 사이에 설치되고, 제3 반도체유닛(23)은 중간 열전달판(28)과 제2 열전달판(26) 사이에 설치된다.In this embodiment, the
중간 열전달판(28)은 예를 들어, 제1 열전달판(24) 또는 제2 열전달판(26)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 중간 열전달판(28)은 판상 구조물로 각 반도체유닛의 반도체 사이를 절연한다. 중간 열전달판(28)을 사이에 두고 이웃하는 반도체유닛 간에 발생되는 열이 중간 열전달판(28)으로 전도된다. 이에, 중간 열전달판(28)에서 열 교환이 이루어져 일측 반도체유닛에서 발생된 열이 방열 처리된다.The intermediate
제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26)은 반도체유닛 전체를 덮는 크기로 이루어져 열전소자(10)의 대향되는 양면을 이룬다. 두 개의 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 사이에 복수개의 반도체유닛(20)이 적층되어 설치된다.The first heat transfer plate (24) and the second heat transfer plate (26) are sized to cover the entire semiconductor unit and form opposite surfaces of the thermoelectric element (10). A plurality of
본 실시예에서, 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 및 중간 열전달판(28)은 전면에 체결홀(12)이 관통 형성된 구조로 되어 있다.In this embodiment, the first
체결홀(12)은 제1 열전달판(24), 제2 열전달판(26) 및 중간 열전달판(28)에 동일한 위치에 동일한 크기로 형성될 수 있다.The fastening holes 12 may be formed in the same size and the same size in the first
도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 경우 체결홀(12)은 열전소자(10)의 중심부에 한 개가 형성된 구조일 수 있다. 체결홀(12)은 열전소자(10)를 관통하여 형성되는 구조면 그 형성 개수나 형성 위치에 있어 다양하게 변형가능하다.As shown in FIG. 8, in the present embodiment, the fastening holes 12 may have a structure in which one
언급한 바와 같이, 본 실시예의 열전소자(10)는 적층된 각 반도체유닛(20)의 반도체가 동일한 개수를 이룸에 따라 구조적인 강성을 확보하고 있다. 이에 상기와 같이 열전소자(10)를 관통하여 체결홀(12)을 형성하더라도 구조적 강성 저하를 방지할 수 있게 된다. 따라서, 본 실시예의 경우 열전소자(10)에 체결홀(12)을 형성하여 냉온유닛(100)을 조립할 수 있고, 이에, 강성을 충분히 확보하면서도 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화시킬 수 있게 된다. As mentioned above, the
각 반도체유닛(20) 사이는 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 전류 흐름을 따라 제1 반도체유닛(21)의 반도체와 제2 반도체유닛(22)의 반도체를 연결하고, 제2 반도체유닛(22)의 반도체와 제3 반도체유닛(23)의 반도체를 전기적으로 연결할 수 있다.The
이에, 도 9에 도시된 바와 같이, 열전소자(10) 내부로 두 개의 전선(18,19)을 연결하는 것으로 복수개의 적층된 반도체유닛으로 전류를 인가할 수 있다. 따라서, 열전소자(10)의 전류 인가 구조를 보다 단순화하여, 열전소자로 연결된 단지 두 개의 전선을 통해, 열전소자(10)의 전체 반도체에 전류를 인가할 수 있다. Thus, as shown in FIG. 9, by connecting two
이와 같이, 복수개의 반도체를 상하 방향으로 적층하면서도 열전소자(10)에 대한 전기적 연결 구조를 단순화하여 장치로 인가되는 전선의 개수와 배선 구조를 간략화할 수 있게 된다. 이에, 장치의 구조를 단순화하고 장치를 소형화할 수 있게 된다. In this manner, the number of wires and the wiring structure applied to the device can be simplified by simplifying the electrical connection structure to the
도 10에 도시된 바와 같이, 열전소자(10)의 둘레를 따라 제1 열전달판(24)과 중간열전달판(28), 중간 열전달판들 사이 및 중간 열전달판(28)과 제2 열전달판(26) 사이에 실링부재(30)가 설치된다. 실링부재(30)는 열전소자(10)의 내부 빈공간에 채워져 반도체(13)와 반도체(13) 사이에도 설치될 수 있다. 이에 열전소자(10)는 실링부재(30)에 의한 습기 차단 효과 및 충격 흡수에 의한 열전소자(10)의 내구성을 더욱 높일 수 있게 된다.10, a first
본 실시예에서, 실링부재(30)는 실리콘 입자(34)를 포함하는 에폭시 재질(32)로 이루어질 수 있다. 실링부재가 실리콘 재질로 이루어진 경우 실리콘 소재 자체의 미세 틈새 발생으로 습기가 열전소자(10) 내부로 침투하게 된다. 또한, 실링부재가 에폭시 재질로만 이루어진 경우에는 저온에서 실링부재가 경화되어 외부 충격을 흡수하지 못하는 문제가 발생된다.In this embodiment, the sealing
그러나, 본 실시예의 실링부재(30)는 에폭시(32) 내에 실리콘 입자(34)가 포함되어, 열전소자(10)는 에폭시에 의한 작용효과와 실리콘에 의한 작용효과를 동시에 확보할 수 있게 된다. 이에, 본 실시예의 열전소자(10)는 실링부재(30)가 저온에서 보다 확실하게 제1 열전달판(24)과 중간 열전달판(28) 및 제2 열전달판(26) 사이를 차단하여 외부 습기 침투를 방지함과 더불어 열전소자(10)에 가해지는 외부 충격을 흡수하여 내구성을 높일 수 있게 된다.However, the sealing
본 실시예에서, 실리콘 입자(34)는 전체 실링부재(30)에 대해 2중량% 내지 21중량%로 포함될 수 있다. 실리콘 입자가 2중량%보다 적게 혼합되는 경우에는 저온에서 실링부재가 경화되어 열전소자의 내구성을 확보하기 어렵고 외부 충격에 의해 열전소자의 손상을 초래할 수 있다. 실리콘 입자가 21중량%를 넘는 경우에는 실리콘 입자를 통해 외부 습기가 열전소자 내부로 침투할 수 있어, 실링부재의 역할을 제대로 수행하지 못하게 된다.In this embodiment, the
도 10에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 열전소자(10)는 습기에 의한 부식 방지를 위해, 반도체의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층(36)을 형성한 구조로 되어 있다. As shown in FIG. 10, the
코팅층(36)은 반도체(13) 측면 외에 반도체에 접속되는 상단전극(16)과 하단전극(17)의 내측면에도 형성될 수 있다.The
본 실시예에서, 코팅층(36)은 도료는 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료로 형성될 수 있다. 즉, 열전소자(10)는 도료를 반도체의 측면과 반도체에 접속되는 상단전극 및 하단전극의 내측면에 도포하여 코팅층(36)을 형성한다. In this embodiment, the
코팅층의 형성은 다양한 방법이 적용될 수 있고, 코팅층의 형성 두께 역시 특별히 한정되지 않으며 다양하게 변형가능하다.Various methods can be applied to form the coating layer, and the thickness of the coating layer is not particularly limited, and can be variously modified.
본 실시예에서, 코팅층(36)은 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료로 이루어짐에 따라 열전소자(10)의 내부 구성에 대한 내열성과 내후성, 화학안정성, 전기절연성 등을 충분히 확보할 수 있게 된다.In this embodiment, since the
이와 같이, 본 열전소자(10)는 코팅층(36)을 통해 반도체를 포함하여 열전소자 내부 구성부에 대한 피막을 형성함으로써, 내습성을 향상시켜 열전소자 내부로 침투되는 습기에 대해 열전소자가 부식되는 것을 방지하게 된다. 또한, 코팅층(36)은 반도체(13)의 강도를 증가시켜 열전소자에 가해지는 하중과 외부 충격에 대해 열전소자(10)의 내구성을 높이게 된다.As described above, the present
여기서, 각 반도체유닛(20)의 반도체(13)는 y축 방향을 따라 제1 열전달판(24)에서 제2 열전달판(26)으로 갈수록 크기가 점차 감소하는 구조로 되어 있다. 본 실시예에서는 y축 방향을 따라 하부에서 상부로 갈수록 각 반도체유닛의 반도체(13)의 높이가 점차 감소하는 구조일 수 있다. 높이라 함은 y축 방향에 대한 길이를 의미한다.Here, the
즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 반도체유닛(21)의 반도체 높이(A)보다 제2 반도체유닛(22)의 반도체 높이(B)가 상대적으로 작으며, 제2 반도체유닛(22)의 반도체 높이보다 제3 반도체유닛(23)의 반도체 높이(C)가 상대적으로 작다. 10, the semiconductor height B of the
이에, 열전소자(10) 내에서 각 반도체유닛(20)의 크기와 반도체 개수를 동일하게 형성하면서도, 적층되어 있는 각 반도체유닛의 저항 용량은 달라지게 된다. 즉, 적층되어 있는 각 반도체유닛의 반도체(13) 크기를 달리함으로써, 제1 반도체유닛(21)에서 제3 반도체유닛(23)으로 갈수록 반도체의 저항값은 점차적으로 줄게 된다.Thus, the resistance capacities of the respective semiconductor units stacked in the
각 반도체유닛에 있어, 열량은 구비된 반도체의 저항값에 따라 달라진다. 따라서, 본 실시예는 각 반도체유닛의 갯수가 동일하여 적층된 각 반도체유닛간의 방열 면적은 동일하게 유지하면서 각 반도체유닛의 열량을 달리할 수 있게 된다. In each semiconductor unit, the amount of heat depends on the resistance value of the semiconductor. Thus, in this embodiment, the number of semiconductor units is the same, so that the amount of heat of each semiconductor unit can be made different while maintaining the same heat dissipation area between the stacked semiconductor units.
이에, 본 실시예에서 열전소자(10) 내에서 적층된 제1 반도체유닛(21)에 대해 제2 반도체유닛(22)이 상대적으로 열량이 크고, 제3 반도체유닛(23)이 제2 반도체유닛(22)보다 상대적으로 열량이 더 크다. 이에 제1 반도체유닛(21)에서 제3 반도체유닛(23)으로 갈수록 열량을 보다 높일 수 있게 된다.Thus, in the present embodiment, the
이와 같이, 하나의 열전소자(10)만을 구동함에 따라 저전력을 사용하면서도 내부에 구비된 복수의 반도체유닛(20)을 통해 다단계로 열량을 높여 줌으로써, 보다 신속하고 효과적으로 더 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.As described above, by driving only one
상기한 구조에 따라 본 실시예의 열전소자(10)에 전류가 인가되어 메모리 모듈(M)에 냉열 또는 온열을 가하게 된다. According to the above structure, a current is applied to the
도 11 내지 도 15는 상기한 구조의 열전소자를 구비한 냉온유닛의 다양한 실시예들을 나타내고 있다.11 to 15 show various embodiments of the cold / warm unit having the thermoelectric element of the above structure.
도 11은 위에서 기재한 바와 같은 3단의 반도체유닛을 포함하는 단일 열전소자(10)가 구비된 냉온유닛(100)을 나타내고 있다. 반도체유닛의 적층 구조와 열전소자의 구조에 대해서는 위에서 설명한 내용으로 갈음하며 이하 상세한 설명은 생략한다. 열전소자(10)의 상하단에 각각 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)이 배치된다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 열전소자(10) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다. 본 실시예의 경우, 하나의 열전소자를 사용하면서 열전소자 내에 용량을 달리하는 3개의 반도체유닛이 적층되어 있어 저전력으로도 더 낮은 온도의 구현이 가능하다.Fig. 11 shows a cold /
도 12는 냉온유닛의 다른 실시예로, 도 11에 도시된 실시예의 열전소자(10) 외에 별도의 고용량 열전소자(101)가 추가로 구비된 구조를 나타내고 있다.Fig. 12 shows another embodiment of the cooling / heating unit, in which a separate high capacity
도 12의 실시예에 따른 냉온유닛(100)은 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 두 개의 열전소자(10,101)가 적층되며 두 개의 열전소자 사이에 중간 서멀블럭(102)이 설치된 구조로 되어 있다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 각 열전소자(10,101), 중간 서멀블럭(102) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다.The cooling and
두 개의 열전소자 중 아래쪽에 배치된 열전소자(10)는 도 11에서 언급한 바와 같은 열전소자이고, 그 위에 적층되는 열전소자는 하나의 반도체유닛만이 구비된 고용량의 열전소자(101)이다. 고용량이라 함은 본 실시예의 열전소자에 구비된 반도체유닛 중 가장 위쪽의 반도체유닛과 비교하여 상대적으로 열량이 더 큰 것을 의미한다. 고용량의 열전소자(101) 역시 그 크기는 아래쪽에 배치된 열전소자와 동일하다. 또한, 고용량의 열전소자(10) 중심부 및 중간 서멀블럭(102)에도 역시 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 두 개의 열전소자(10,101)와 중간 서멀블럭(102)을 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. The
도 12에 도시된 냉온유닛(100)의 경우, 열전소자(10) 위에 또다른 고용량의 열전소자(101)를 설치함으로써, 아래쪽 열전소자(10)에서 발생된 열을 그 위쪽에 배치된 고용량의 열전소자(101)가 추가로 방열시킬 수 있게 된다. 이에, 냉각 온도를 보다 더 낮출 수 있게 된다.In the case of the cold /
도 13에 도시된 실시예의 냉온유닛(100)은, 용량을 달리하는 복수개의 열전소자(111,112,113)가 적층된 구조로 되어 있다. 도 13에서 3개의 열전소자가 적층된 구조가 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 열전소자는 두 개 또는 4개 이상 구비될 수 있다.The cooling /
도 13의 실시예에 따른 냉온유닛(100)은 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 3 개의 열전소자(111,112,113)가 적층된다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 열전소자(111,112,113) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다.In the cooling /
3개의 열전소자는 각각 용량이 상이하다. 본 실시예의 냉온유닛(100)은, 열전달블럭(40)에서 수냉블록(52)쪽으로 갈수록 각 열전소자의 열량이 점차적으로 커지는 구조로 되어 있다.The three thermoelectric elements have different capacities. The
각 열전소자(111,112,113)는 동일한 크기로 이루어지며, 내부에 구비된 반도체의 개수 및 배열 위치가 동일한 구조로 되어 있다. 다만, 각 열전소자에 구비된 반도체는 그 높이가 상이한 구조로 되어 있다. The
즉, 도 13에 도시된 바와 같이, 가장 아래쪽에 배치된 열전소자(111)의 반도체 높이보다 그 위쪽에 배치된 열전소자(112)의 반도체 높이가 상대적으로 작고, 가장 위쪽에 배치된 열전소자(113)의 반도체 높이가 그보다 상대적으로 더 작다. That is, as shown in FIG. 13, the semiconductor height of the
이에, 각 열전소자의 크기와 반도체의 개수와 배치를 동일하게 형성하면서도, 적층되어 있는 각 열전소자의 저항 용량은 달라지게 된다. 즉, 적층되어 있는 각 열전소자의 반도체 크기를 달리함으로써, 가장 아래쪽의 열전소자에서 위쪽으로 갈수록 각 열전소자의 저항값은 점차적으로 줄게 된다.Therefore, the resistance capacity of each of the thermoelectric elements stacked is different even though the size and arrangement of the thermoelectric elements and the number of the semiconductors are the same. That is, by varying the semiconductor sizes of the stacked thermoelectric elements, the resistance value of each thermoelectric element gradually decreases toward the uppermost thermoelectric element.
각 열전소자에 있어, 열량은 구비된 반도체의 저항값에 따라 달라진다. 따라서, 본 실시예는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지하면서 각 열전소자의 열량을 달리할 수 있게 된다. In each thermoelectric element, the amount of heat depends on the resistance value of the semiconductor. Therefore, in this embodiment, the amount of heat of each thermoelectric element can be made different while keeping the size of each thermoelectric element the same.
이에, 본 실시예의 경우, 아래쪽에서부터 상대적으로 저용량의 열전소자(111), 상대적으로 중용량의 열전소자(112), 및 상대적으로 고용량의 열전소자(113))가 적층된다.Therefore, in the case of this embodiment, relatively low capacity
아래에서 위로 갈수록 각 열전소자의 반도체 크기를 줄여 열전소자의 열량을 보다 높임으로써, 보다 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.By lowering the semiconductor size of each thermoelectric element from the lower side to the upper side, the heat quantity of the thermoelectric element can be further increased, thereby realizing a lower temperature.
적층된 3개의 열전소자(111,112,113)는 중심부에 역시 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 3 개의 열전소자를 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. The stacked three
이와 같이 3개의 열전소자를 적층하는 구조의 경우, 각 열전소자의 반도체 크기를 달리함으로써, 종래와 달리 적층되는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지할 수 있게 된다. 이에, 각 열전소자의 강성을 충분히 확보하여 중심부에 고정볼트(62) 체결을 위한 홀을 형성하더라도 구조적 강성 저하를 방지할 수 있게 된다. 따라서, 본 실시예의 경우 열전소자의 중심부를 관통하여 냉온유닛(100)을 조립할 수 있고, 이에, 강성을 충분히 확보하면서도 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화시킬 수 있게 된다. In the case of a structure in which three thermoelectric elements are laminated in this manner, by varying the semiconductor sizes of the thermoelectric elements, it is possible to keep the sizes of the thermoelectric elements stacked unlike the conventional one. Thus, even if the rigidity of each thermoelectric element is sufficiently secured and a hole for fastening the fixing
도 14는 냉온유닛(100)의 다른 실시예로, 도 13에 도시된 실시예의 3개의 열전소자(111,112,113) 외에 별도의 최고용량 열전소자(121)가 추가로 구비된 구조를 나타내고 있다.FIG. 14 shows another embodiment of the cold /
도 14의 실시예에 따른 냉온유닛(100)은 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 도 13에 기재된 구조의 열전소자(111,112,113)가 적층되며 그 위에 중간 서멀블럭(122)을 매개로 별도의 고용량 열전소자(121)가 적층된 구조로 되어 있다. 중간 서멀불럭(122) 아래에 배치된 열전소자(111,112,113)는 도 13에서 언급한 바와 같은 열전소자들과 같은 구조이다. 그 위에 적층되는 열전소자(121)는 하나의 반도체유닛만이 구비된 고용량의 열전소자이다. 고용량이라 함은 중간 서멀불럭 아래에 배치된 열전소자 중 가장 위쪽의 열전소자(113)와 비교하여 상대적으로 열량이 더 큰 것을 의미한다. 고용량의 열전소자(121) 역시 그 크기는 아래쪽에 배치된 열전소자들과 동일하다. 또한, 고용량의 열전소자(121) 중심부 및 중간 서멀블럭(122)에도 역시 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 4 개의 열전소자와 중간 서멀블럭을 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. 14, the
도 14에 도시된 냉온유닛(100)의 경우, 3개의 적층된 열전소자(111,112,113) 위에 또다른 고용량의 열전소자(121)를 설치함으로써, 아래쪽 열전소자에서 발생된 열을 그 위쪽에 배치된 고용량의 열전소자(121)가 추가로 방열시킬 수 있게 된다. 이에, 냉각 온도를 보다 더 낮출 수 있게 된다.In the case of the cold /
도 15는 냉온유닛의 또다른 실시예를 예시하고 있다.Fig. 15 illustrates another embodiment of the cold / warm unit.
도 15에 도시된 실시예의 냉온유닛(100)은, 동일한 열량을 갖는 복수개의 반도체유닛이 적층된 열전소자(131,132) 복수개가 적층되며, 각 열전소자(131,132)는 열량이 상이한 구조로 되어 있다.15, a plurality of
수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 두 개의 열량이 상이한 열전소자(131,132)가 적층되며, 각 열전소자는 내부에 복수의 반도체유닛이 적층된 구조로 되어 있다. 두 개의 열전소자(131,132) 사이에 중간 서멀불럭(133)이 더 설치될 수 있다.The
도 15에서 2개의 열전소자가 적층된 구조가 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 열전소자는 3개 이상 구비될 수 있다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 두 개의 열전소자(131,132) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다.In FIG. 15, a structure in which two thermoelectric elements are laminated is illustrated, but the present invention is not limited thereto, and three or more thermoelectric elements may be provided. The fixing
각 열전소자(131,132)는 내부에 두 개의 반도체유닛(100)이 적층된 구조로 되어 있다. 반도체유닛의 개수는 두 개에 한정되지 않으며 3개 이상 구비될 수 있다. 반도체유닛(100)이 적층된 구조는 적층 개수만 상이할 뿐 도 11에서 설명된 바와 동일하므로 이하 반도체유닛의 적층 구조에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.Each of the
각 열전소자(131,132) 내부에 구비된 반도체유닛(100)의 반도체 개수나 배열은 동일하다. 또한, 각 열전소자 간에도 반도체 개수나 배열은 동일하다. The number and arrangement of the semiconductor units of the
적층된 2개의 열전소자(131,132)는 모두 중심부에 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 2개의 열전소자(131,132)를 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. The two stacked
이와 같이 종래와 달리 적층되는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지할 수 있게 된다. 이에, 각 열전소자의 강성을 충분히 확보하여 중심부에 고정볼트(62) 체결을 위한 홀을 형성하더라도 구조적 강성 저하를 방지할 수 있게 된다. 따라서, 본 실시예의 경우 열전소자의 중심부를 관통하여 냉온유닛(100)을 조립할 수 있고, 이에, 강성을 충분히 확보하면서도 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화시킬 수 있게 된다. As described above, it is possible to keep the sizes of the thermoelectric elements stacked to be the same, unlike the related art. Thus, even if the rigidity of each thermoelectric element is sufficiently secured and a hole for fastening the fixing
본 실시예에서, 2개의 열전소자는 각각 용량이 상이하다. 본 실시예의 냉온유닛(100)은, 열전달블럭(40)에서 수냉블록(52)쪽으로 갈수록 각 열전소자의 열량이 커지는 구조로 되어 있다. 각 열전소자는 동일한 크기로 이루어지며, 내부에 구비된 반도체의 개수 및 배열 위치가 동일한 구조로 되어 있다. 다만, 각 열전소자에 구비된 반도체는 그 높이가 상이한 구조로 되어 있다. In this embodiment, the two thermoelectric elements have different capacities. The
즉, 도 15에 도시된 바와 같이, 중간 서멀블럭(133)을 사이에 두고 아래쪽에 배치된 열전소자(131)의 반도체 높이보다 그 위쪽에 배치된 열전소자(132)의 반도체 높이가 상대적으로 작다. That is, as shown in Fig. 15, the semiconductor height of the
이에, 각 열전소자의 크기와 반도체의 개수와 배치를 동일하게 형성하면서도, 적층되어 있는 각 열전소자의 저항 용량은 달라지게 된다. 즉, 적층되어 있는 각 열전소자의 반도체 크기를 달리함으로써, 가장 아래쪽의 열전소자보다 위쪽에 배치된 열전소자가 저항값이 작다.Therefore, the resistance capacity of each of the thermoelectric elements stacked is different even though the size and arrangement of the thermoelectric elements and the number of the semiconductors are the same. That is, by varying the semiconductor sizes of the stacked thermoelectric elements, the thermoelectric elements disposed above the thermoelectric elements at the bottom are smaller in resistance value.
각 열전소자에 있어, 열량은 구비된 반도체의 저항값에 따라 달라진다. 따라서, 본 실시예는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지하면서 각 열전소자의 열량을 달리할 수 있게 된다. In each thermoelectric element, the amount of heat depends on the resistance value of the semiconductor. Therefore, in this embodiment, the amount of heat of each thermoelectric element can be made different while keeping the size of each thermoelectric element the same.
이에, 본 실시예의 경우, 중간 서멀블럭(133)을 기준으로 아래쪽에 상대적으로 저용량의 열전소자(131)가 배치되고 위쪽에 고용량의 열전소자(132)가 적층된다. 아래에서 위로 갈수록 각 열전소자의 반도체 크기를 줄여 열전소자의 열량을 보다 높임으로써, 보다 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.Thus, in the case of this embodiment, a
이하, 메모리모듈(M)에 냉열을 가해 저온 시험하는 경우를 예로써 설명한다.Hereinafter, a case where the memory module M is subjected to a low temperature test by applying cold heat will be described as an example.
열전소자(10)가 구동되어 열전소자(10) 내에 적층된 각 반도체유닛(20)의 반도체(13)로 전류가 흐르게 된다. 제1 반도체유닛(21)의 하부면은 상대적으로 저온 냉각되고, 제1 반도체유닛(21)이 접하고 있는 제1 열전달판(24)을 통해 메모리 모듈(M)에 냉기를 가하게 된다. The current flows to the
제1 반도체유닛(21)의 상부면은 발열면으로 제2 반도체유닛(22)과의 열교환을 통해 방열되어 하부면과의 온도차를 유지한다.The upper surface of the
제2 반도체유닛(22)의 하부면은 상대적으로 저온 냉각되고, 제2 반도체유닛(22) 하부면과 접하고 있는 중간 열전달판(28)을 통해 제1 반도체유닛(21)의 상부면에 냉기를 가한다. 이에, 제1 반도체유닛(21)의 상부면이 제2 반도체유닛(22)에 의해 방열되면서 냉각된다.The lower surface of the
제2 반도체유닛(22)의 상부면은 발열면으로 제3 반도체유닛(23)과의 열교환을 통해 방열되어 하부면과의 온도차를 유지한다. 제3 반도체유닛(23)의 하부면은 상대적으로 저온 냉각되고, 제3 반도체유닛(23) 하부면과 접하고 있는 중간 열전달판(28)을 통해 제2 반도체유닛(22)의 상부면에 냉기를 가한다. 이에, 제2 반도체유닛(22)의 상부면이 제3 반도체유닛(23)에 의해 방열되면서 냉각된다.The upper surface of the
제3 반도체유닛(23)의 상부면은 발열면으로 제2 열전달판(26)에 설치되어 있는 수냉블록(52)을 통해 방열 처리된다.The upper surface of the
이와 같이, 본 실시예에서는 하나의 열전소자(10) 내에서 일측 반도체유닛 상에 또 다른 반도체유닛이 적층되어 열교환됨으로써, 최종적으로 보다 저온의 냉기를 신속하게 가할 수 있게 된다.As described above, in this embodiment, another semiconductor unit is stacked and heat-exchanged on one semiconductor unit in one
본 실시예에 따라 제조된 냉온유닛의 특성을 종래와 비교하여 실험하였다.The characteristics of the cold / warm unit manufactured according to the present embodiment were compared with those of the prior art.
표 1에서 실시예는 언급한 바와 같이 본 실시예에 따른 열전소자를 구비한 냉온유닛에 대한 실험 결과를 나타내고 있고, 비교예는 종래 기술에 따라 복수개의 열전소자가 적층된 냉온유닛에 대한 실험 결과를 나타내고 있다.Table 1 shows experimental results of the cold / warm unit having the thermoelectric device according to the present embodiment as mentioned above, and the comparative example shows the result of the experiment on the cold / hot unit in which a plurality of thermoelectric elements are stacked according to the related art Respectively.
본 실험에서 비교예의 냉온유닛에는 50×50mm 크기의 121W급(DC24V, 6A) 열전소자 1개와 30×30mm 크기의 50W(DC12V, 4A) 열전소자 1개로 모두 2개의 열전소자가 적층되었다.In this experiment, two thermoelectric elements were stacked in the cold / warm unit of the comparative example, one thermoelectric device of 121W class (DC 24V, 6A) of 50 × 50 mm and one thermoelectric device of 50W (DC 12V, 4A) of 30 × 30 mm size.
실시예의 냉온유닛에는 40×40mm 크기의 102W 급(DC12V, 8.5A)의 열전소자 하나가 사용되었다.In the cooling / heating unit of the embodiment, one thermoelectric element of 102W class (DC12V, 8.5A) having a size of 40 x 40 mm was used.
표 1에 나타낸 바와 같이 실험 결과, 비교예의 경우 최대 -45℃의 온도를 가할 수 있는 데 반해, 실시예의 경우 -65℃로 보다 온도를 낮출 수 있음을 확인할 수 있다. 전력 사용량에 있어서도, 실시예는 비교예와 비교하여 약 40%의 전력 절감 효과를 얻을 수 있고, 크기 역시 비교예보다 더 줄일 수 있음을 알 수 있다.As shown in Table 1, it can be confirmed that the maximum temperature of -45 ° C can be applied to the comparative example, while the temperature can be lowered to -65 ° C in the embodiment. As for power consumption, it can be seen that the power saving effect of the embodiment is about 40% as compared with the comparative example, and the size can be further reduced as compared with the comparative example.
표 1의 비교 항목 중 온도하강속도는 온도를 -40℃에서 125℃로 상승시킨 후 다시 -40℃로 하락시키는 1사이클에 걸리는 시간을 측정하는 항목이다. 온도하강속도에 있어서도, 실시예는 비교예보다 50% 이상 빠른 하강 속도를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.Among the comparative items in Table 1, the temperature lowering rate is an item for measuring the time taken for one cycle of raising the temperature from -40 ° C to 125 ° C and then decreasing the temperature to -40 ° C again. It can also be seen that, in terms of the temperature lowering speed, the lowering rate of the embodiment is 50% or more faster than that of the comparative example.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예가 도시되어 설명되었지만, 다양한 변형과 다른 실시예가 본 분야의 숙련된 기술자들에 의해 행해질 수 있을 것이다. 이러한 변형과 다른 실시예들은 첨부된 청구범위에 모두 고려되고 포함되어 본 발명의 진정한 취지 및 범위를 벗어나지 않는다 할 것이다.While the illustrative embodiments of the present invention have been shown and described, various modifications and alternative embodiments may be made by those skilled in the art. These variations and other embodiments are to be considered and included in the appended claims so as not to depart from the true spirit and scope of the invention.
1 : 냉온모듈 2 : 작업모듈
10 : 열전소자 12 : 체결홀
13 : 반도체 16 : 상부전극
17 : 하부전극 20 : 반도체유닛
21 : 제1 반도체유닛 22 : 제2 반도체유닛
23 : 제3 반도체유닛 24 : 제1 열전달판
26 : 제2 열전달판 28 : 중간 열전달판
30 : 실링부재 36 : 코팅층
40 : 열전달블럭 42 : 암나사홀
41 : 판부 43 : 단부
44 : 온도센서 46,47 : 커넥터
48,78 : 스토퍼 50 : 방열부
52 : 수냉블록 62 : 고정볼트
64 : 탄성부재 70 : 연결볼트
72 : 탄성스프링 74 : 가이드핀
76 : 가이드홀더 100: 냉온유닛
200: 지지판 210: 접속부
220: 측면덮개 230: 공급관
240: 커버 300: 베이스프레임
310: 이동부 312: 지지부재
314: 수직구동부 318: 가이드바
320: 수평이동부 322 : 레일
324 : 이동대차 326 : 수평구동부1: cold module 2: work module
10: thermoelectric element 12: fastening hole
13: semiconductor 16: upper electrode
17: lower electrode 20: semiconductor unit
21: first semiconductor unit 22: second semiconductor unit
23: third semiconductor unit 24: first heat transfer plate
26: second heat transfer plate 28: intermediate heat transfer plate
30: sealing member 36: coating layer
40: heat transfer block 42: female thread hole
41: plate portion 43: end portion
44:
48, 48: stopper 50:
52: water cooling block 62: fixing bolt
64: elastic member 70: connecting bolt
72: Elastic spring 74: Guide pin
76: Guide holder 100: Cooling unit
200: support plate 210:
220: side cover 230: supply pipe
240: Cover 300: Base frame
310: moving part 312: supporting member
314
320: horizontal moving part 322: rail
324: Moving truck 326:
Claims (20)
냉온유닛은 냉온에너지를 발생하는 열전소자, 열전소자의 일면에 설치되어 검사 대상체에 냉기나 열기를 가하는 열전달블럭, 열전소자의 타면에 설치되어 열전소자와 열전달이 이루어지는 방열부, 및 상기 열전소자와 방열부 및 열전달블럭을 결합하는 결합부를 포함하고,
상기 결합부는 상기 방열부와 열전소자의 전면에 형성된 홀을 관통하여 상기 열전달블럭에 체결되고 열전소자와 방열부 및 열전달블럭 사이를 고정하는 고정볼트, 및 상기 고정볼트와 방열부 사이에 탄력적으로 설치되는 탄성부재를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.And a cold / warm unit for applying cold / hot energy to the object to be inspected,
The cooling / heating unit includes a thermoelectric element for generating cold / hot energy, a heat transfer block provided on one surface of the thermoelectric element for applying cool air or heat to the object to be inspected, a heat dissipating portion provided on the other surface of the thermoelectric element, And a coupling portion for coupling the heat dissipation portion and the heat transfer block,
The coupling portion includes a fixing bolt which penetrates a hole formed in a front surface of the heat dissipating portion and the thermoelectric element and is fastened to the heat transfer block and fixes the thermoelectric element to the heat dissipating portion and the heat transfer block, Wherein the elastic member is made of an elastic material.
상기 열전소자는, 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체와 상기 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극 및 하단전극을 포함하는 반도체유닛, 상기 반도체유닛의 외측에 접합되는 제1 열전달판과 제2 열전달판, 및 상기 제1 열전달판과 제2 열전달판 선단 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재를 포함하고, 상기 반도체유닛은 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에서 복수개가 적층되고, 각 반도체유닛 사이에 중간 열전달판이 설치된 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the thermoelectric element includes a semiconductor unit including a plurality of semiconductors arranged at intervals and an upper electrode and a lower electrode electrically connected to the semiconductor in a pattern set at an upper end and a lower end of the semiconductor, And a sealing member sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate and sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate, And an intermediate heat transfer plate is provided between each of the semiconductor units.
상기 냉온유닛은 적어도 두 개 이상의 열전소자가 적층되고, 상기 각 열전소자는 동일한 크기로 이루어지고, 상기 열전달블럭에서 상기 방열부로 갈수록 각 열전소자의 반도체의 높이가 점차 감소하는 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.3. The method of claim 2,
Wherein the cooling / heating unit has a structure in which at least two thermoelectric elements are stacked, each of the thermoelectric elements has the same size, and the height of the semiconductor of each thermoelectric element gradually decreases from the heat-conducting block to the heat- Device.
상기 냉온유닛은 열전소자 사이에 설치되는 적어도 하나의 중간서멀블럭을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.The method of claim 3,
Wherein the cooling / heating unit further comprises at least one intermediate thermal block installed between the thermoelectric elements.
상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 반도체유닛의 반도체의 크기가 점차 감소하는 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.3. The method of claim 2,
Wherein a size of the semiconductor of each semiconductor unit gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
상기 각 반도체유닛의 반도체는 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 높이가 점차 감소하는 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.6. The method of claim 5,
Wherein the height of the semiconductor of each semiconductor unit gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
상기 냉온유닛은 상기 열전소자 상에 적층되는 상대적으로 고용량의 열전소자를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.The method according to claim 6,
Wherein the cold / warm unit further comprises a relatively high capacity thermoelectric device stacked on the thermoelectric module.
상기 방열부는 내부에 냉각수가 순환되는 수냉블럭을 포함하고, 상기 수냉블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the heat dissipation unit includes a water-cooled block in which cooling water is circulated, and the water-cooled block includes a stopper protruding from at least one end of a surface of the thermocouple in contact with the thermocouple, .
상기 열전달블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the heat transfer block includes a stopper protruding from at least one end of a surface of the thermoelectric element on which the thermoelectric element is in contact and regulating a position of the thermoelectric device on the side of the thermoelectric element.
상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 사각뿔 형태를 이루는 메모리 모듈 온도 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the heat transfer block includes a plate portion that is in contact with the thermoelectric element and an end portion that protrudes outward from the plate portion and is in contact with the inspection object, and the plate portion has a quadrangular pyramid shape.
상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 반구 형태를 이루는 메모리 모듈 온도 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the heat transfer block includes a plate portion in contact with the thermoelectric element and an end portion protruding outward from the plate portion in contact with the inspection object, and the plate portion has a hemispherical shape.
베이스프레임 상에 설치되고 표면에 적어도 하나 이상의 검사 대상체가 배치된 작업모듈, 상기 작업모듈로 이동되어 작업모듈에 배치된 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 적어도 하나 이상의 상기 냉온유닛을 구비한 냉온모듈, 및 상기 작업모듈에 대해 상기 냉온모듈을 이동시켜 냉온모듈을 작업모듈에 결합 또는 분리시키기 위한 이동부를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
A cold module installed on the base frame and having at least one or more inspection objects disposed on the surface thereof, at least one or more cooling / heating units moved to the operation module and applying cold energy to the inspection objects disposed in the operation module, And a moving unit for moving the cold / hot module relative to the work module to couple or separate the cold / hot module to or from the work module.
상기 냉온모듈은, 적어도 하나 이상의 냉온유닛이 착탈가능하게 장착되는 지지판, 상기 지지판에 설치되고 각 냉온 유닛과 개별적으로 탈착가능하게 연결되는 접속부, 및 상기 지지판의 둘레를 따라 설치되어 냉온유닛과 검사 대상체 사이 공간을 감싸는 측면덮개를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.13. The method of claim 12,
The cold / hot module includes a support plate on which at least one or more cooling / heating units are detachably mounted, a connection unit that is installed on the support plate and detachably connected to each of the cooling / heating units individually, And a side cover surrounding the space.
상기 측면덮개 내측으로 연장 설치되고, 상기 냉온 유닛과 검사 대상체 사이로 크린 에어를 분사하는 홀이 형성된 공급관을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.14. The method of claim 13,
Further comprising a supply pipe extending inside the side cover and having a hole for injecting clean air between the cold / warm unit and the inspection object.
상기 방열부와 상기 지지판 사이에 체결되는 연결볼트, 및 상기 연결볼트에 끼워져 상기 지지판과 방열부 사이에 탄력 설치되는 탄성스프링을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.14. The method of claim 13,
A connection bolt fastened between the heat dissipating unit and the support plate, and an elastic spring inserted between the support plate and the heat dissipation unit.
상기 지지판에 형성되는 적어도 하나 이상의 가이드핀, 및 상기 방열부에 형성되어 상기 가이드핀이 삽입되는 가이드홀을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.14. The method of claim 13,
At least one guide pin formed on the support plate, and a guide hole formed in the heat dissipation unit and into which the guide pin is inserted.
상기 베이스프레임에 설치되어 상기 작업모듈을 상기 냉온모듈 위치로 이동시키기 위한 수평이동부를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.13. The method of claim 12,
And a horizontal movement unit installed on the base frame for moving the work module to the cold / hot module position.
상기 이동부는 베이스프레임에 설치되는 지지부재, 및 상기 지지부재에 설치되고 상기 냉온모듈에 연결되어 냉온모듈을 상하로 이동시키는 수직구동부를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.18. The method of claim 17,
Wherein the moving unit includes a supporting member provided on the base frame and a vertical driving unit installed on the supporting member and connected to the cooling module to move the cooling module vertically.
상기 이동부는 상기 냉온모듈에 설치되고 상부로 연장되는 적어도 하나 이상의 가이드바, 및 상기 지지부재에 형성되고 상기 가이드바가 삽입되어 안내되는 가이드홀더를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.19. The method of claim 18,
Wherein the moving unit further includes at least one guide bar installed on the cold / hot module and extending upward, and a guide holder formed on the support member and guided by the guide bar inserted therein.
상기 수평이동부는 상기 작업모듈이 설치되고 베이스프레임을 따라 수평으로 연장된 레일을 따라 이동되는 이동대차, 및 상기 이동대차를 이동시키기 위한 수평구동부를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.18. The method of claim 17,
Wherein the horizontal moving part includes a moving truck installed with the work module and moved along a rail horizontally extending along the base frame, and a horizontal driving part moving the moving truck.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111679174A (en) * | 2020-06-15 | 2020-09-18 | 深圳市燕麦科技股份有限公司 | Flexible circuit board detection device and test device |
KR102279185B1 (en) * | 2020-09-22 | 2021-07-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Temperature control test unit for memory module and memory module tester using thereof |
EP3907515A3 (en) * | 2020-04-20 | 2021-11-17 | AEM Singapore PTE Ltd | Thermal test head for an integrated circuit device |
CN114113959A (en) * | 2020-08-31 | 2022-03-01 | 细美事有限公司 | Chamber module and test processor including the same |
CN114209486A (en) * | 2021-11-04 | 2022-03-22 | 海杰亚(北京)医疗器械有限公司 | Cold and hot combined type itching relieving device |
CN116818119A (en) * | 2023-06-28 | 2023-09-29 | 苏州联讯仪器股份有限公司 | Testing device for testing optical module and water cooling system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100759491B1 (en) * | 2007-06-04 | 2007-09-18 | 에이스텍 주식회사 | Device for testing temperature of memory module |
KR101183690B1 (en) * | 2011-11-28 | 2012-09-17 | (주)이엔씨테크 | Hot/cold test equipment for nand flash memory |
KR101396539B1 (en) * | 2012-12-06 | 2014-05-21 | 피티씨 주식회사 | Device for testing temperature of mobile memory module |
KR20140123705A (en) * | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 피티씨테크 주식회사 | Structure for protecting corrosion of peltier elements |
-
2018
- 2018-01-26 KR KR1020180010214A patent/KR101997497B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100759491B1 (en) * | 2007-06-04 | 2007-09-18 | 에이스텍 주식회사 | Device for testing temperature of memory module |
KR101183690B1 (en) * | 2011-11-28 | 2012-09-17 | (주)이엔씨테크 | Hot/cold test equipment for nand flash memory |
KR101396539B1 (en) * | 2012-12-06 | 2014-05-21 | 피티씨 주식회사 | Device for testing temperature of mobile memory module |
KR20140123705A (en) * | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 피티씨테크 주식회사 | Structure for protecting corrosion of peltier elements |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3907515A3 (en) * | 2020-04-20 | 2021-11-17 | AEM Singapore PTE Ltd | Thermal test head for an integrated circuit device |
CN111679174A (en) * | 2020-06-15 | 2020-09-18 | 深圳市燕麦科技股份有限公司 | Flexible circuit board detection device and test device |
CN114113959A (en) * | 2020-08-31 | 2022-03-01 | 细美事有限公司 | Chamber module and test processor including the same |
CN114113959B (en) * | 2020-08-31 | 2023-12-19 | 细美事有限公司 | Chamber module and test processor including the same |
KR102279185B1 (en) * | 2020-09-22 | 2021-07-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Temperature control test unit for memory module and memory module tester using thereof |
CN114209486A (en) * | 2021-11-04 | 2022-03-22 | 海杰亚(北京)医疗器械有限公司 | Cold and hot combined type itching relieving device |
CN116818119A (en) * | 2023-06-28 | 2023-09-29 | 苏州联讯仪器股份有限公司 | Testing device for testing optical module and water cooling system |
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