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KR101997497B1 - Apparatus for testing temperature - Google Patents

Apparatus for testing temperature Download PDF

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Publication number
KR101997497B1
KR101997497B1 KR1020180010214A KR20180010214A KR101997497B1 KR 101997497 B1 KR101997497 B1 KR 101997497B1 KR 1020180010214 A KR1020180010214 A KR 1020180010214A KR 20180010214 A KR20180010214 A KR 20180010214A KR 101997497 B1 KR101997497 B1 KR 101997497B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermoelectric element
unit
heat transfer
cold
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020180010214A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김현석
Original Assignee
피티씨테크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to KR1020180010214A priority Critical patent/KR101997497B1/en
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Abstract

Provided is an apparatus for testing the temperature of a memory module, which comprises a cold and hot unit applying cold and hot energy to a memory module, so that the temperature control can be efficiently and quickly performed. The cold and hot unit includes a thermoelectric element generating cold and hot energy, a heat transfer block installed on one side of the thermoelectric element to cool or heat the memory module, a heat dissipation unit installed on the other side of the thermoelectric element and the heat is transferred with the thermoelectric element, and a coupling unit coupling the thermoelectric element, the heat dissipation unit, and the heat transfer block. The coupling unit includes a fixing bolt passing through a hold formed in the front surface of the heat dissipation unit and the thermoelectric element to be coupled to the heat transfer block, and fixing between the thermoelectric element, the heat dissipation unit, and the heat transfer block; and an elastic member elastically installed between the fixing bolt and the heat dissipation unit.

Description

메모리 모듈 온도 검사장치{APPARATUS FOR TESTING TEMPERATURE}[0001] APPARATUS FOR TESTING TEMPERATURE [0002]

메모리 모듈에 대한 온도 신뢰성을 검사하기 위한 온도 검사장치를 개시한다.Disclosed is a temperature checking apparatus for checking the temperature reliability of a memory module.

일반적으로, 컴퓨터나 핸드폰 및 데이터 저장장치(Solid State Disk:SSD) 등에는 메모리로 대량의 램(RAM : Random Access Memory)이 사용된다.Generally, a large amount of RAM (Random Access Memory) is used as a memory for a computer, a mobile phone, and a solid state disk (SSD).

장치들이 점차 소형화되는 추세에 맞춰 메모리로 사용되는 램 역시 보다 소형화되고 고집적화되고 있다. 램은 복수개가 집적되어 하나의 메모리 모듈(Memory Module)을 이룬다.As devices become smaller and smaller, the RAM used as memory is becoming smaller and more highly integrated. A plurality of RAMs are integrated to form a single memory module.

메모리 모듈은 사용되는 조건이 다양하고, 자체 발열로 인해 불량이 발생할 수 있으므로, 제품 출하 전에 온도 신뢰성 검사를 수행하게 된다. 점차적으로 반도체가 고 집적화 됨에 따라 자체 발열량 또한 커지게 되어, 온도 신뢰성 검사는 매우 중요한 검사라 할 수 있다.The memory module is subjected to a temperature reliability test before shipment because various conditions are used and defects may occur due to self heat generation. As the semiconductor becomes more and more integrated, the amount of self-heating increases, and the temperature reliability test is a very important test.

한국 등록특허 제10-1396539호는 본 출원인이 개발하여 특허 등록을 받은 종래의 메모리 모듈 온도 검사 장치를 개시하고 있다.Korean Patent No. 10-1396539 discloses a conventional memory module temperature inspecting device developed and patent registered by the present applicant.

최근 들어, 보다 신속한 검사가 요구되면서 한번에 검사를 시행할 메모리 모듈의 개수가 증가하고 있다. 이에, 시스템이 점차 커지고 전력의 사용량 역시 커지면서, 소형화 및 저전력 그리고 빠른 속도의 온도 검사가 가능한 장치의 개발이 요구되고 있다.In recent years, the number of memory modules to be inspected at one time has been increasing due to demand for faster inspection. Accordingly, as the system becomes larger and the amount of power used increases, it is required to develop a device capable of miniaturization, low power consumption, and high speed temperature inspection.

온도 제어가 보다 효율적이고 신속하게 이루어질 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection device is provided that enables temperature control to be performed more efficiently and quickly.

보다 크기를 줄여 장치를 소형화할 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection apparatus is provided that can be miniaturized by reducing its size.

온도 하강 속도와 균일성을 개선할 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection apparatus is provided that can improve the temperature lowering speed and uniformity.

온도에 따른 열 변형 충격을 완화할 수 있도록 된 메모리 모듈 온도 검사장치를 제공한다.A memory module temperature inspection apparatus is provided that can mitigate the thermal deformation shock caused by temperature.

본 구현예의 온도 검사장치는, 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 냉온유닛을 포함하고, 상기 냉온유닛은 냉온에너지를 발생하는 열전소자, 상기 열전소자의 일면에 설치되어 검사 대상체에 냉기나 열기를 가하는 열전달블럭, 및 상기 열전소자의 타면에 설치되어 열전소자와 열전달이 이루어지는 방열부를 포함할 수 있다.The temperature inspecting apparatus of this embodiment includes a cold / warm unit for applying cold / hot energy to an object to be inspected, wherein the cold / hot unit includes a thermoelectric element for generating cold and hot energy, a heat transfer And a heat dissipation unit provided on the other surface of the thermoelectric element and performing heat transfer with the thermoelectric element.

본 구현예의 온도 검사장치는, 베이스프레임 상에 설치되고 표면에 적어도 하나 이상의 검사 대상체가 배치된 작업모듈, 상기 작업모듈로 이동되어 작업모듈에 배치된 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 적어도 하나 이상의 냉온유닛을 구비한 냉온모듈, 상기 작업모듈에 대해 상기 냉온모듈을 이동시켜 냉온모듈을 작업모듈에 결합 또는 분리시키기 위한 이동부를 포함할 수 있다.The temperature inspection apparatus of this embodiment includes a work module installed on a base frame and having at least one inspection object disposed on a surface thereof, at least one cold temperature unit And a moving unit for moving the cold / hot module relative to the work module to couple or separate the cold / hot module to or from the work module.

상기 베이스프레임에 설치되어 상기 작업모듈을 상기 냉온모듈 위치로 이동시키기 위한 수평이동부를 더 포함할 수 있다.And a horizontal moving part installed on the base frame for moving the work module to the cold / hot module position.

상기 이동부는 베이스프레임에 설치되는 지지부재, 상기 지지부재에 설치되고 상기 냉온모듈에 연결되어 냉온모듈을 상하로 이동시키는 수직구동부를 포함할 수 있다.The moving unit may include a supporting member provided on the base frame, and a vertical driving unit installed on the supporting member and connected to the cooling module to move the cooling module vertically.

상기 이동부는 상기 냉온모듈에 설치되고 상부로 연장되는 적어도 하나 이상의 가이드바, 상기 지지부재에 형성되고 상기 가이드바가 삽입되어 안내되는 가이드홀더를 더 포함할 수 있다.The moving unit may further include at least one guide bar installed on the cold / hot module and extending upward, and a guide holder formed on the support member and inserted and guided by the guide bar.

상기 수평이동부는 상기 작업모듈이 설치되고 베이스프레임을 따라 수평으로 연장된 레일을 따라 이동되는 이동대차, 상기 이동대차를 이동시키기 위한 수평구동부를 포함할 수 있다.The horizontal moving part may include a moving truck installed with the operation module and moved along a rail extending horizontally along the base frame, and a horizontal driving part for moving the moving truck.

상기 냉온모듈은, 적어도 하나 이상의 냉온유닛이 착탈가능하게 장착되는 지지판, 상기 지지판에 설치되고 각 냉온 유닛과 개별적으로 탈착가능하게 결합되어 전기적으로 연결되는 접속부, 상기 지지판의 둘레를 따라 설치되어 냉온유닛과 검사 대상체 사이 공간을 감싸는 측면덮개를 포함할 수 있다. The cold / hot module includes a support plate on which at least one or more cooling / heating units are detachably mounted, a connection unit that is installed on the support plate and is detachably coupled to and electrically connected to each of the cooling / heating units, And a side cover surrounding the space between the object and the inspection object.

상기 측면덮개 내측으로 연장 설치되고, 상기 냉온 유닛과 검사 대상체 사이로 크린 에어를 분사하는 홀이 형성된 공급관을 더 포함할 수 있다.And a supply pipe extending to the inside of the side cover and having a hole for spraying clean air between the cold / warm unit and the inspection object.

상기 냉온유닛은 상기 열전소자와 방열부 및 열전달블럭을 결합하는 결합부를 더 포함하고, 상기 결합부는 상기 방열부와 열전소자의 전면에 형성된 체결홀을 관통하여 상기 열전달블럭에 체결되고 열전소자와 방열부 및 열전달블럭 사이를 고정하는 고정볼트 및 상기 고정볼트와 방열부 사이에 탄력적으로 설치되는 탄성부재를 포함할 수 있다.The cooling / heating unit further includes a coupling unit for coupling the thermoelectric element, the heat dissipation unit, and the heat transfer block. The coupling unit is coupled to the heat transfer unit through the coupling hole formed in the heat dissipation unit and the front surface of the thermoelectric module, A fixing bolt for fixing the heat transfer block between the fixing bolt and the heat transmission block, and an elastic member elastically installed between the fixing bolt and the heat radiation portion.

상기 방열부는 내부에 냉각수가 순환되는 수냉블럭을 포함할 수 있다.The heat dissipation unit may include a water cooling block in which cooling water is circulated.

상기 수냉블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함할 수 있다.The water-cooled block may include a stopper protruding from at least one end of the surface on which the thermoelectric element is in contact and regulating the position of the thermoelectric element on the side of the thermoelectric element.

상기 온도 검사장치는, 상기 방열부와 상기 지지판 사이에 체결되는 연결볼트, 상기 연결볼트에 끼워져 상기 지지판과 방열부 사이에 탄력 설치되는 탄성스프링을 더 포함할 수 있다. The temperature inspection apparatus may further include a connection bolt fastened between the heat dissipation unit and the support plate, and an elastic spring fitted to the connection bolt and elastically installed between the support plate and the heat dissipation unit.

상기 지지판에 형성되는 적어도 하나 이상의 가이드핀, 및 상기 방열부에 형성되어 상기 가이드핀이 삽입되는 가이드홀을 더 포함할 수 있다.And at least one guide pin formed on the support plate and a guide hole formed in the heat dissipation unit and into which the guide pin is inserted.

상기 열전달블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함할 수 있다. The heat transfer block may include a stopper protruding from at least one end of the surface on which the thermoelectric element is in contact and regulating the position of the thermoelectric element on the side of the thermoelectric element.

상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 사각뿔 형태를 이룰 수 있다. The heat transfer block includes a plate portion in contact with the thermoelectric element, and an end portion protruding outward from the plate portion and in contact with the inspection object, and the plate portion may have a quadrangular pyramid shape.

상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 반구 형태를 이룰 수 있다.The heat transfer block includes a plate portion in contact with the thermoelectric element, and an end protruding outward from the plate portion and in contact with the inspection object, and the plate portion may have a hemispherical shape.

상기 열전달블럭은 검사면에 형성되는 흡입홀, 상기 열전달블럭의 측면을 통해 내부로 연장되어 상기 흡입홀과 연결되는 진공라인을 더 포함하여 검사면에 진공 흡착력을 가하는 구조일 수 있다.The heat transfer block may include a suction hole formed on an inspection surface, a vacuum line extending inward through a side surface of the heat transfer block and connected to the suction hole, and applying a vacuum suction force to the inspection surface.

상기 냉온유닛은 상기 열전달블럭에 설치되어 메모리 모듈에 가해지는 온도를 검출하는 온도센서를 더 포함할 수 있다.The cooling / heating unit may further include a temperature sensor installed in the heat transfer block and detecting a temperature applied to the memory module.

상기 열전소자는, 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체, 상기 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극 및 하단전극을 포함하는 반도체유닛, 상기 반도체유닛의 외측에 접합되는 제1 열전달판과 제2 열전달판, 및 상기 제1 열전달판과 제2 열전달판 선단 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재를 포함하고, 상기 반도체유닛은 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에서 복수개가 적층되고, 각 반도체유닛 사이에 중간 열전달판이 설치된 구조일 수 있다.Wherein the thermoelectric element includes a plurality of semiconductors arranged at intervals, a semiconductor unit arranged in a pattern set at an upper end and a lower end of the semiconductor and including an upper electrode and a lower electrode electrically connected to the semiconductor, And a sealing member sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate and sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate, And an intermediate heat transfer plate is provided between the semiconductor units.

상기 각 반도체유닛은 반도체의 개수가 동일할 수 있다.The semiconductor units may have the same number of semiconductors.

상기 각 반도체유닛은 반도체 배열 위치가 동일한 구조일 수 있다.Each of the semiconductor units may have the same semiconductor arrangement position.

상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 반도체유닛의 반도체의 크기가 점차 감소하는 구조일 수 있다.The size of the semiconductor of each semiconductor unit gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.

상기 각 반도체유닛의 반도체는 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 높이가 점차 감소하는 구조일 수 있다.The semiconductor of each of the semiconductor units may have a structure in which the height gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.

상기 열전소자는 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에 적어도 하나의 체결홀이 관통 형성될 수 있다.The thermoelectric element may have at least one fastening hole formed between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate.

상기 반도체의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층을 형성한 구조일 수 있다.And a moisture-proof coating material is applied to the side surface of the semiconductor to form a coating layer.

상기 코팅층은 반도체에 접속되는 상단전극과 하단전극의 내측면에 형성될 수 있다.The coating layer may be formed on the inner surface of the upper electrode and the lower electrode connected to the semiconductor.

상기 코팅층을 이루는 도료는 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료일 수 있다.The coating material constituting the coating layer may be a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating.

상기 실링부재는 열전소자의 내부에서 반도체와 반도체 사이에 설치될 수 있다.The sealing member may be installed between the semiconductor and the semiconductor inside the thermoelectric element.

상기 실링부재는 실리콘 입자를 포함하는 에폭시 재질로 이루어질 수 있다.The sealing member may be made of an epoxy material including silicon particles.

상기 실리콘 입자는 전체 실링부재에 대해 2 내지 20중량% 이내로 포함될 수 있다. The silicon particles may be contained in an amount of 2 to 20% by weight based on the total amount of the sealing member.

상기 냉온유닛은 적어도 두 개 이상의 열전소자를 구비하고, 상기 각 열전소자가 적층된 구조일 수 있다.The cooling / heating unit may have at least two or more thermoelectric elements, and each thermoelectric element may have a laminated structure.

상기 각 열전소자는 동일한 크기로 이루어질 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have the same size.

상기 각 열전소자는 내부에 구비된 반도체의 개수가 동일할 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have the same number of semiconductors.

상기 각 열전소자는 내부에 구비된 반도체의 배열 위치가 동일한 구조일 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have the same arrangement position of the semiconductors provided therein.

상기 각 열전소자는 상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 반도체의 크기가 점차 감소하는 구조일 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have a structure in which the size of the semiconductor gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.

상기 각 열전소자는 상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 반도체의 높이가 점차 감소하는 구조일 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have a structure in which the height of each semiconductor gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.

상기 각 열전소자는 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에 적어도 하나의 체결홀이 관통 형성될 수 있다.Each of the thermoelectric elements may have at least one fastening hole formed between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate.

상기 냉온유닛은 열전소자 사이에 설치되는 중간서멀블럭을 더 포함할 수 있다.The cooling / heating unit may further include an intermediate thermal block installed between the thermoelectric elements.

이와 같이 본 실시예에 의하면, 하나의 열전소자 내에 반도체를 다층으로 적층하여 구성함으로써, 보다 신속하고 효과적으로 온도를 제어할 수 있게 된다. 이에, 빠른 온도 하강으로 메모리 모듈에 대한 검사 시간을 줄이고 생산성을 높일 수 있게 된다.As described above, according to the present embodiment, the temperature can be controlled more quickly and effectively by constructing a plurality of semiconductor layers stacked in one thermoelectric element. Accordingly, the inspection time for the memory module can be shortened due to the rapid temperature drop and the productivity can be increased.

또한, 구조가 보다 간단하여 조립 체결이 용이하고, 열전소자의 크기를 증대시키지 않고도 저전력으로 더 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.Further, the structure is simpler, the assembly is easy, and a lower temperature can be realized at low power without increasing the size of the thermoelectric element.

또한, 열전소자의 크기를 증가시키지 않고도 강도 저하를 방지할 수 있게 된다. 이에, 열전소자의 강성을 높이고, 보다 큰 압력으로 긴밀하게 열전소자를 가압 밀착시킬 수 있어, 열 전달 효율을 보다 극대화할 수 있게 된다. Further, it is possible to prevent a decrease in strength without increasing the size of the thermoelectric element. Thus, the stiffness of the thermoelectric element can be enhanced, and the thermoelectric element can be pressed and adhered tightly with a larger pressure, thereby maximizing the heat transfer efficiency.

또한, 열전소자의 구조적 강성 확보로 열전소자를 관통하여 볼트 체결이 가능함에 따라 장치를 보다 소형화할 수 있게 된다.Further, since the structural rigidity of the thermoelectric element can be ensured and the thermoelectric element can be passed through the thermoelectric element, the device can be further downsized.

검사 대상체 발열시에도 온도 균일성을 유지할 수 있게 된다.The temperature uniformity can be maintained even when the inspection object body generates heat.

온도에 따른 열 변형 충격을 완화할 수 있게 된다. It is possible to mitigate the thermal deformation impact depending on the temperature.

냉온유닛을 각각 개별적으로 용이하게 탈착할 수 있고, 냉온유닛의 열전소자 불량시 간단하게 분해하여 소자만을 교체할 수 있어, 유지 관리가 용이하다. It is possible to easily detach the cold / warm unit individually, and to simply disassemble the thermoelectric element when the thermoelectric element of the cold / warm unit is defective.

도 1은 본 실시예에 따른 온도 검사장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 개략적인 측면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 냉온모듈을 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 냉온모듈 내 구비된 냉온유닛을 도시한 개략적인 도면이다.
도 5는 본 실시예에 따른 냉온유닛의 개략적인 단면도이다.
도 6과 도 7은 본 실시예에 따른 냉온유닛의 열전달블럭을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 실시예에 따른 열전소자의 분해 사시도이다.
도 9는 본 실시예에 따른 열전소자의 일부 절개 사시도이다.
도 10은 본 실시예에 따른 열전소자의 개략적인 단면도이다.
도 11 내지 도 15는 온도 검사장치의 냉온유닛에 대한 다양한 실시예를 나타낸 개략적인 단면도이다.
1 is a perspective view showing a temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
2 is a schematic side view of a temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
3 is a perspective view showing the cold / warm module of the temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
4 is a schematic view showing a cold / warm unit provided in the cold / hot module of the temperature inspection apparatus according to the present embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view of the cold / warm unit according to the present embodiment.
6 and 7 are schematic cross-sectional views illustrating a heat transfer block of a cold / warm unit according to the present embodiment.
8 is an exploded perspective view of the thermoelectric device according to the present embodiment.
9 is a partially cutaway perspective view of the thermoelectric device according to the present embodiment.
10 is a schematic cross-sectional view of a thermoelectric device according to this embodiment.
11 to 15 are schematic sectional views showing various embodiments of the cold / warm unit of the temperature inspecting apparatus.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 도면부호를 사용하여 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Wherever possible, the same or similar parts are denoted using the same reference numerals in the drawings.

이하에서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the invention. The singular forms as used herein include plural forms as long as the phrases do not expressly express the opposite meaning thereto. Means that a particular feature, region, integer, step, operation, element and / or component is specified, and that other specific features, regions, integers, steps, operations, elements, components, and / And the like.

이하에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.All terms including technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Predefined terms are further interpreted as having a meaning consistent with the relevant technical literature and the present disclosure, and are not to be construed as ideal or very formal meanings unless defined otherwise.

이하 실시예는 검사 대상체로 핸드폰 등에 사용되는 모바일 램이 탑재된 메모리 모듈(이하 메모리 모듈이라 한다)을 검사하는 온도 검사장치를 예로서 설명한다. 물론, 본 장치는 검사 대상체로 이에 한정되지 않으며, 다양한 장치에 사용되는 메모리 모듈에 대해서도 모두 적용 가능하다.Hereinafter, the embodiment will exemplify a temperature inspection apparatus for inspecting a memory module (hereinafter referred to as a memory module) on which a mobile RAM used as a test object is mounted, such as a mobile phone. Of course, the present apparatus is not limited to the object to be inspected, and can be applied to a memory module used in various apparatuses.

도 1과 도 2는 본 실시예에 따른 온도 검사장치의 구성을 나타내고 있다.Figs. 1 and 2 show the configuration of a temperature inspection apparatus according to the present embodiment.

도시된 바와 같이, 본 실시예의 검사장치는 베이스프레임(300) 상에 설치되고 표면에 적어도 하나 이상의 메모리 모듈(M)이 배치된 작업모듈(2), 작업모듈로 이동되어 작업모듈(2)에 배치된 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 적어도 하나 이상의 냉온유닛(도 3의 100 참조)을 구비한 냉온모듈(1), 작업모듈(2)에 대해 냉온모듈(1)을 이동시켜 냉온모듈(1)을 작업모듈(2)에 결합 또는 분리시키기 위한 이동부(310)를 포함할 수 있다.As shown in the drawing, the inspection apparatus of the present embodiment includes a work module 2 mounted on a base frame 300 and having at least one or more memory modules M disposed on a surface thereof, A cold / hot module 1 having at least one cold / warm unit (see 100 in FIG. 3) for applying cold and hot energy to a placed inspection object, And a moving part 310 for coupling or disconnecting the work module 2 to the work module 2.

베이스프레임(300)은 사각의 격자형태의 프레임 구조물일 수 있다. 베이스프레임(300)은 작업모듈(2)과 냉온모듈(1)을 안정적으로 지지한다. 베이스프레임(300)에는 작업모듈(2)을 냉온모듈(1) 하부에 위치시키기 위한 수평이동부(320)를 더 포함할 수 있다.The base frame 300 may be a square lattice-shaped frame structure. The base frame 300 stably supports the work module 2 and the cold / hot module 1. The base frame 300 may further include a horizontal moving part 320 for positioning the working module 2 under the cooling / heating module 1. [

본 실시예에서, 메모리 모듈이 구비된 작업모듈(2)은 수평방향으로 이동되고, 냉온유닛이 구비된 냉온모듈(1)은 수직으로 이동된다. 이에, 냉온모듈(1)과 작업모듈(2)을 서로 분리 또는 결합하여 필요한 작업을 용이하게 수행할 수 있다. 베이스프레임(300)에서 냉온모듈(1)과 작업모듈(2)의 배치나 이동방향 등은 다양하게 변형 가능하다.In this embodiment, the work module 2 provided with the memory module is moved in the horizontal direction, and the cold / hot module 1 equipped with the cold / warm unit is vertically moved. Therefore, the cold / hot module 1 and the work module 2 can be separated or combined with each other to perform a necessary operation easily. The arrangement and moving direction of the cold / hot module 1 and the work module 2 in the base frame 300 can be variously modified.

수평이동부(320)는 필요시 작업모듈(2)을 수평이동시켜 냉온모듈(1) 하부에 선택적으로 위치시킨다.The horizontal moving part 320 horizontally moves the working module 2, if necessary, and selectively places it under the cooling / heating module 1.

본 실시예에서, 수평이동부(320)는 작업모듈(2)이 설치되고 베이스프레임(300)을 따라 수평으로 연장된 레일(322)을 따라 이동되는 이동대차(324), 이동대차(324)를 이동시키기 위한 수평구동부(326)를 포함할 수 있다. 레일(322)은 냉온모듈(1) 외측에서 냉온모듈(1) 하부를 향해 수평으로 연장된다. 레일(322) 상에 작업모듈(2)이 구비된 이동대차(324)가 놓여진다.The horizontal moving part 320 includes a moving carriage 324 which is moved along a rail 322 extending horizontally along the base frame 300 to which the working module 2 is installed and a moving carriage 324, And a horizontal driving unit 326 for moving the driving unit 326. The rail 322 extends horizontally from the outside of the cold / warm module 1 toward the lower portion of the cold / A moving carriage 324 equipped with a work module 2 is placed on the rail 322.

수평구동부(326)는 예를 들어, 레일(322)을 따라 연장된 리니어모터를 포함할 수 있다. 수평구동부는 레일을 따라 이동대차를 왕복 이동시킬 수 있는 구조면 모두 적용가능하다.The horizontal driver 326 may include, for example, a linear motor extending along the rail 322. The horizontal driving unit is applicable to all of the structural surfaces capable of reciprocating the moving carriage along the rails.

이에, 리니어모터가 구동되면 레일을 따라 이동대차가 움직이고, 이동대차(324)에 구비된 작업모듈(2)이 냉온모듈(1)의 외측 또는 냉온모듈(1)의 바로 밑으로 이동된다.When the linear motor is driven, the moving carriage moves along the rail, and the work module 2 provided on the moving carriage 324 is moved to the outside of the cold / hot module 1 or directly below the cold / hot module 1.

작업모듈(2)이 냉온모듈(1)의 바로 아래쪽으로 이동된 상태에서 이동부(310)의 작동에 따라 냉온모듈(1)이 이동되어 작업모듈(2)에 밀착된다. 이에, 작업모듈(2)에 배치된 메모리 모듈에 냉온모듈(1)에 구비된 냉온유닛이 냉온에너지를 가하여 온도 검사가 이루어질 수 있다.The cold / hot module 1 is moved according to the operation of the moving part 310 in a state where the work module 2 is moved directly below the cold / hot module 1, and is brought into close contact with the work module 2. Thus, the cold / warm unit provided in the cold / hot module 1 can apply the cold / warm energy to the memory module disposed in the work module 2, and the temperature can be inspected.

본 실시예에서, 이동부(310)는 베이스프레임(300)에 설치되는 지지부재(312), 지지부재(312)에 설치되고 냉온모듈(1)에 연결되어 냉온모듈(1)을 상하로 이동시키는 수직구동부(314)를 포함할 수 있다.The moving unit 310 is installed on the supporting member 312 and the supporting member 312 installed on the base frame 300 and is connected to the cooling module 1 to move the cooling module 1 up and down (Not shown).

또한, 이동부(310)는 냉온모듈(1)에 설치되고 상부로 연장되어 지지부재(312)에 형성된 가이드홀더(316)에 삽입되어 슬라이딩되는 적어도 하나 이상의 가이드바(318)를 더 포함할 수 있다. 가이드바(318)가 가이드홀더(316)를 따라 이동됨으로써, 냉온모듈(1)이 어느 한쪽으로 치우치지 않고 안정적으로 이동될 수 있다. 가이드바(318)는 냉온모듈(1)의 네 모서리에 설치될 수 있다. 이에, 냉온모듈(1)이 보다 안정적으로 치우침없이 수평상태를 유지하면 상하로 이동될 수 있게 된다.The moving unit 310 may further include at least one guide bar 318 installed in the cold / hot module 1 and extending upward to be inserted into the guide holder 316 formed in the support member 312, have. By moving the guide bar 318 along the guide holder 316, the cold / hot module 1 can be stably moved without being deviated to any one side. The guide bar 318 may be installed at four corners of the cold / Therefore, when the cold / hot module 1 is maintained in a horizontal state without staggering more stably, it can be moved up and down.

수직구동부(314)는 예를 들어, 모터의 회전력을 이송스크류축(315)의 직선운동으로 전환하는 구조일 수 있다. 즉, 모터 구동에 따라 암나사기어가 회전되고, 암나사기어에 나사결합되어 있는 이송스크류축이 이동되어, 최종적으로 이송스크류축(315)에 설치된 냉온모듈(1)이 상하로 이동될 수 있다.The vertical drive unit 314 may be, for example, a structure for converting the rotational force of the motor to the linear motion of the feed screw shaft 315. That is, the motor-driven gear rotates, and the feed screw shaft screwed to the female screw is moved, so that the cold / hot module 1 installed on the feed screw shaft 315 can be moved up and down.

작업모듈(2)은 검사 대상체인 메모리 모듈(M)이 탑재되어 검사가 이루어지는 구성부로 이해할 수 있다. 작업모듈(2) 내부에는 온도에 따른 메모리 모듈 성능 검사를 위해 메모리 모듈과 접속되는 많은 구성부들이 구비될 수 있다. 작업모듈(2)은 냉온모듈(1)과 대향하는 윗면에 메모리 모듈이 위치하여 온도 검사를 위한 작업 공간을 이룬다. 본 실시예에서, 작업모듈(2)은 복수의 메모리모듈을 탑재할 수 있다. 작업모듈(2)의 메모리 모듈 탑재 위치는 냉온모듈(1)의 냉온유닛 위치에 대응된다.The working module 2 can be understood as a constituent part in which the memory module M to be inspected is mounted and inspected. In the work module 2, many components connected to the memory module may be provided for checking the performance of the memory module according to the temperature. In the work module 2, the memory module is located on the upper side opposite to the cold / hot module 1, thereby forming a work space for temperature inspection. In this embodiment, the work module 2 can mount a plurality of memory modules. The memory module mounting position of the work module 2 corresponds to the cold / warm unit position of the cold /

이에, 작업모듈(2) 위로 냉온모듈(1)이 안착되면, 냉온모듈(1)의 각 냉온유닛이 작업모듈(2)의 각 메모리 모듈(M)에 각각 접하여 냉온에너지를 가하게 된다.Thus, when the cold / hot module 1 is placed on the work module 2, the cold / hot units of the cold / hot module 1 are brought into contact with the respective memory modules M of the work module 2 to apply cold and hot energy.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 냉온모듈(1)은 메모리 모듈(M)에 냉온 에너지를 가하는 복수개의 냉온유닛(100)이 착탈가능하게 장착되는 지지판(200), 지지판(200)에 설치되고 각 냉온유닛(100)과 개별적으로 탈착가능하게 결합되어 전기적으로 연결되는 접속부(210), 지지판(200)의 둘레를 따라 설치되어 냉온유닛(100)과 메모리 모듈(M) 사이 공간을 감싸는 측면덮개(220)를 포함할 수 있다.3, the cold / hot module 1 includes a support plate 200 to which a plurality of cooling / heating units 100 for detachably attaching cool / hot energy to the memory module M, a support plate 200, A connection unit 210 provided on the support member 200 and electrically connected to the cooling and heating unit 100 so as to be detachably and individually connected to the cooling and heating unit 100; And may include a wrapping side cover 220.

지지판의 측면덮개(220) 반대쪽면에는 냉온모듈(1) 내부 전선 등을 덮으며 외형을 이루는 커버(240)가 설치될 수 있다. 커버(240)는 도 2에 도시된 바와 같이, 냉온모듈(1)의 상부를 이루며, 위에서 설명한 수직구동부의 이송스크류축(315)에 연결될 수 있다. 또한 커버(240)의 네 모서리에는 각각 가이드바(318)가 설치될 수 있다. 가이드바는 지지부재의 가이드홀더를 관통하여 상부로 연장된다. 이에, 수직구동부가 구동되면 커버를 포함한 냉온모듈(1)이 수평상태를 유지하며 상하로 수직 이동된다.On the opposite side of the side plate 220 of the support plate, a cover 240 may be installed to cover the internal wires of the cold / hot module 1 and form an external shape. As shown in FIG. 2, the cover 240 constitutes the upper part of the cold / hot module 1 and may be connected to the conveying screw shaft 315 of the vertical driving unit described above. Further, guide bars 318 may be provided at four corners of the cover 240, respectively. The guide bar extends upwardly through the guide holder of the support member. Accordingly, when the vertical driving unit is driven, the cold / hot module 1 including the cover is vertically moved up and down while maintaining a horizontal state.

지지판(200)은 평면의 판 구조물로, 표면에 간격을 두고 복수개의 냉온유닛(100)이 배열되어 탈착가능하게 장착된다. 지지판(200)의 크기나 그 형태는 다양하게 변형가능하다.The support plate 200 is a flat plate structure and is detachably mounted with a plurality of cooling / heating units 100 arranged on the surface thereof with an interval therebetween. The size and shape of the support plate 200 can be variously modified.

지지판(200)의 선단부를 따라 각 냉온유닛(100)과의 전기적 접속을 위한 접속부(210)가 설치된다. 접속부(210)는 서로 분리가능하게 결합되는 암수커넥터 구조일 수 있다. 예를 들어, 접속부(210)는 냉온유닛(100)에 구비된 암커넥터(46, 47)가 결합되는 수커넥터일 수 있다. 접속부(210)는 지지판(200)에 구비되는 각 냉온유닛 별로 복수개가 개별적으로 구비될 수 있다. 이에, 접속부(210)를 이용하여 간단하게 커넥터를 분리함으로써, 해당 냉온유닛(100)의 전기적 연결을 차단하고, 지지판(200)에서 냉온유닛을 개별적으로 분리할 수 있게 된다.A connection portion 210 for electrical connection with each cold / warm unit 100 is provided along the front end of the support plate 200. The connection part 210 may be a female or male connector structure detachably coupled to each other. For example, the connection unit 210 may be a male connector to which the female connectors 46 and 47 of the cold / warm unit 100 are coupled. A plurality of connection units 210 may be provided for each cold / warm unit provided in the support plate 200. Therefore, by separating the connectors simply by using the connecting portion 210, the electrical connection of the corresponding cold / warm unit 100 can be cut off, and the cold / hot unit can be separated from the supporting plate 200 individually.

이에, 교체가 필요한 냉온유닛만을 개별적으로 용이하게 커넥터를 분리하여 탈착할 수 있게 된다.Therefore, only the cold / warm unit requiring replacement can be easily detached from the connector easily.

지지판(200) 둘레를 따라 측면덮개(220)가 설치된다. 지지판(200)에 설치된 냉온유닛(100)은 측면덮개(220)에 의해 둘러싸여 측면덮개(220) 내측에 위치한다. 냉온모듈(1) 하강에 따라 측면덮개는 작업모듈(2) 상부에 밀착된다. 측면덮개(220)는 작업모듈(2) 상부에 접하여 메모리 모듈(M)과 냉온유닛(100) 사이 공간 즉, 메모리 모듈에 대한 검사 공간을 감싸 외부와 차단한다.A side cover 220 is installed around the support plate 200. The cooling / heating unit 100 installed on the support plate 200 is surrounded by the side cover 220 and positioned inside the side cover 220. As the cold / hot module 1 descends, the side cover is brought into close contact with the top of the work module 2. The side cover 220 contacts the upper portion of the work module 2 to cover the space between the memory module M and the cold / warm unit 100, that is, the inspection space for the memory module,

측면덮개(220) 내측에는 크린 에어(CDA;clean dry air)를 공급하는 공급관(230)이 연장 설치된다. 크린 에어는 수분이 제거된 건조된 공기로 공급관(230)을 통해 검사가 이루어지는 공간으로 공급된다. 공급관(230)의 표면에는 냉온 유닛(100) 위치에 맞춰 냉온 유닛과 메모리 모듈 사이로 크린 에어를 분사하는 홀(232)이 형성된다. 이에, 공급관(230)으로 크린에어를 공급하면, 홀(232)을 통해 크린 에어가 서로 접하여 열전달이 이루어지는 냉온유닛과 메모리 모듈 사이로 분사된다. 따라서, 크린 에어에 의해 냉온유닛과 메모리 모듈 사이를 포함하여 측면덮개(220)로 둘러 쌓여진 검사 공간 내에 성애가 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다. A supply pipe 230 for supplying clean dry air (CDA) is extended inside the side cover 220. The clean air is supplied to the space where the inspection is performed through the supply pipe 230 with the moisture removed air. On the surface of the supply pipe 230, a hole 232 for spraying clean air between the cold / warm unit and the memory module in accordance with the position of the cool / hot unit 100 is formed. When the clean air is supplied to the supply pipe 230, the clean air is blown through the holes 232 to be blown between the cold / warm unit and the memory module, where heat is transferred. Therefore, it is possible to prevent sexual intercourse from occurring in the examination space surrounded by the side cover 220 including the space between the cold / warm unit and the memory module by the clean air.

측면덮개(220)의 하단은 메모리모듈이 놓여진 작업모듈(2) 상면에 접하게 되는 데, 측면덮개와 작업모듈(2) 사이의 기밀 유지를 위해 측면덮개 하단에는 실링부재(222)가 설치될 수 있다. 이에, 측면덮개 하단의 기밀이 유지되어 측면덮개 내측으로 분사된 크린 에어가 외부로 새나가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The lower end of the side cover 220 is in contact with the upper surface of the work module 2 on which the memory module is placed and a sealing member 222 may be installed at the lower end of the side cover for maintaining airtightness between the side cover and the work module 2. [ have. Thus, the airtightness of the lower end of the side cover is maintained, and it is possible to effectively prevent the clean air injected to the inside of the side cover from escaping to the outside.

도 4와 도 5는 본 실시예에 따른 냉온유닛을 나타내고 있다.4 and 5 show a cold / warm unit according to the present embodiment.

본 실시예의 냉온유닛(100)은 메모리 모듈(M)에 냉열 또는 온열과 같은 냉온에너지를 가할 수 있다.The cold / warm unit 100 of this embodiment can apply cold / warm energy such as cold or hot to the memory module M.

이에, 검사장치는 냉온유닛(100)을 통해 검사 공간 내에 놓여져 있는 메모리 모듈(M)에 온열 또는 냉열을 가해 온도 신뢰성 검사를 실시한다.Thus, the inspection apparatus applies heat or cold heat to the memory module (M) placed in the inspection space through the cooling / heating unit (100) to perform a temperature reliability check.

냉온유닛(100)은 냉온에너지를 발생하는 열전소자(10), 열전소자(10)의 일면에 설치되어 메모리 모듈(M)에 냉기나 열기를 가하는 열전달블럭(40), 및 열전소자(10)의 타면에 설치되어 열전소자(10)와 열전달이 이루어지는 방열부(50)를 포함할 수 있다.The cooling / heating unit 100 includes a thermoelectric element 10 for generating cold and hot energy, a heat transfer block 40 provided on one surface of the thermoelectric element 10 to apply cooling or heating to the memory module M, And a heat dissipation unit 50 installed on the other surface of the thermoelectric element 10 and performing heat transfer with the thermoelectric element 10.

냉온유닛(100)은 검사대에 놓여진 메모리 모듈 상방향으로 열전달블럭(40), 열전소자(10) 및 방열부(50)가 차례로 배치된다. 이하 설명에서, 상하 방향이라 함은 도 5에서 y축 방향을 따라 위쪽과 아래쪽 방향을 의미한다. 이하 설명의 편의를 위해, y축 방향을 따라 아래쪽에 검사 대상체인 메모리 모듈(M)이 위치하여 검사가 이루어지는 구조를 예로서 설명한다. In the cold / warm unit 100, the heat transfer block 40, the thermoelectric element 10 and the heat radiating portion 50 are disposed in order on the memory module placed on the inspection table. In the following description, the vertical direction means upward and downward directions along the y-axis direction in Fig. For convenience of explanation, a structure in which the memory module (M) to be inspected is located along the y-axis direction and inspection is performed will be described as an example.

열전소자(thermoelectric module)는 이극형 반도체를 조합했을 때에 생기는 냉각효과를 이용하여, 전압차를 통해 온도차를 만들어내는 소자이다. 열전소자에 전압을 가하면 소자의 양면에 온도차가 발생하며, 상대적으로 고온의 면을 냉각시켜 온도를 낮추면 다른 면이 그 온도차에 의해 급격히 온도가 낮아지게 된다.A thermoelectric module is a device that produces a temperature difference through a voltage difference by utilizing a cooling effect generated when a bipolar semiconductor is combined. When a voltage is applied to a thermoelectric device, a temperature difference occurs on both sides of the device. When the temperature is lowered by cooling a relatively high temperature surface, the temperature of the other surface is rapidly lowered due to the temperature difference.

본 실시예의 냉온유닛(100)은 방열부(50)와 열전달블럭(40) 사이에 하나의 열전소자(10)가 설치된다. 열전소자(10)는 복수개의 반도체유닛(도 10의 21,22,23 참조)이 적층된 구조일 수 있다. 열전소자는 접속부와의 전기적 연결을 위한 암커넥터(47)가 구비될 수 있다. 열전소자의 구조에 대해서는 뒤에서 다시 설명한다. In the cold / warm unit 100 of the present embodiment, one thermoelectric element 10 is provided between the heat radiating portion 50 and the heat transfer block 40. The thermoelectric element 10 may have a structure in which a plurality of semiconductor units 21, 22, and 23 are stacked. The thermoelectric element may be provided with a female connector 47 for electrical connection with the connection part. The structure of the thermoelectric element will be described later.

이와 같이, 내부에서 복수개의 반도체유닛이 적층된 열전소자(10)를 구비함으로써, 본 실시예의 냉온유닛(100)은 저전력으로도 보다 낮은 온도의 구현이 가능하며 보다 신속하고 효과적으로 온도를 제어할 수 있게 된다.By providing the thermoelectric element 10 in which a plurality of semiconductor units are stacked in this way, the cold-heating unit 100 of the present embodiment can realize a lower temperature even at a low power and can control the temperature more quickly and effectively .

방열부는 냉각수가 순환되는 수냉블록(52)을 포함할 수 있다. 수냉블록(52)은 냉각수를 순환 공급하기 위한 냉각수 공급부(도시되지 않음)와 연결된다. 이에, 냉각수는 공급부에서 수냉블록(52) 내부로 순환하면서 열전소자(10)의 타면을 방열시키게 된다. 방열부(50)는 수냉블록(52)에 한정되지 않으며, 예를 들어 방열핀과 방열핀으로 외기를 공급하는 방열팬을 구비한 송풍 방식의 방열 구조가 적용될 수 있다.The radiator may include a water-cooling block (52) through which cooling water is circulated. The water cooling block 52 is connected to a cooling water supply portion (not shown) for circulating and supplying the cooling water. Thus, the cooling water circulates from the supply part to the inside of the water-cooling block 52, thereby dissipating heat on the other surface of the thermoelectric element 10. [ The heat dissipating unit 50 is not limited to the water cooling block 52, and a heat dissipating structure of a blowing type including a heat dissipating fin and a heat dissipating fan for supplying outside air to the heat dissipating fin can be applied, for example.

냉온유닛(100)은 도 5의 y축 방향을 따라 열전소자(10)를 사이에 두고 상부와 하부에 각각 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)이 배치되어 긴밀하게 결합된다.The cooling / heating unit 100 is tightly coupled with the water-cooling block 52 and the heat-transfer block 40 disposed on the upper and lower sides of the thermoelectric element 10 along the y-axis direction of FIG.

본 실시예의 냉온유닛(100)은 중앙에 고정볼트(62)가 체결되어 수냉블록(52)과 열전소자(10) 및 열전달블럭(40)을 가압 고정하는 구조로 되어 있다. 예를 들어, 상부에 위치한 수냉블록(52)에는 고정볼트(62)가 삽입되는 홀(56)이 형성되고, 열전달블럭(40)에는 홀(56)에 대응되는 위치에 고정볼트(62)가 체결되는 암나사홀(42)이 형성된다. 그리고, 열전소자(10) 역시 홀(56)에 대응되는 위치에 고정볼트(62)가 관통되는 체결홀(12)이 형성된다. 이에, 고정볼트(62)를 홀(56)과 체결홀(12)을 통해 열전달블럭(40)의 암나사홀(42)에 체결하여 조여줌으로써, 열전소자(10)를 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)에 가압 밀착시켜 조립할 수 있게 된다.The cooling unit 100 of the present embodiment has a structure in which a fixing bolt 62 is fastened at the center to press-fix the water-cooling block 52, the thermoelectric element 10, and the heat transfer block 40. For example, a hole 56 for inserting the fixing bolt 62 is formed in the upper part of the water-cooling block 52, and a fixing bolt 62 is formed in the heat transfer block 40 at a position corresponding to the hole 56 And an internal thread hole 42 to be fastened is formed. A coupling hole 12 through which the fixing bolt 62 passes is formed at a position corresponding to the hole 56 in the thermoelectric element 10. The fixing bolt 62 is fastened and tightened to the female screw hole 42 of the heat transfer block 40 through the hole 56 and the fastening hole 12 to secure the thermoelectric element 10 to the water- So that it can be assembled by being pressed against the block 40.

이와 같이, 냉온유닛(100)의 중앙부에 고정볼트(62)가 장착됨으로써, 종래와 달리 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화할 수 있다.As described above, since the fixing bolt 62 is attached to the central portion of the cold / warm unit 100, the size of the cold / warm unit 100 can be further reduced.

종래의 경우 열전소자의 내구성과 효율상의 이유로 열전소자를 벗어난 위치에서 수냉블록과 열전달블럭 사이를 체결하였다. 이에, 수냉블록과 열전달블럭의 크기를 열전소자보다 충분히 크게 형성할 필요가 있었다. 이에 반해, 본 실시예의 경우 언급한 바와 같이, 고정볼트(62)가 열전소자(10) 중앙부를 관통하게 되므로, 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)의 크기를 열전소자(10)의 크기로 줄일 수 있고, 전체적인 장치의 크기를 보다 소형화할 수 있게 된다. 이러한 열전소자(10)의 구체적인 구조와 작용에 대해서는 뒤에서 다시 설명하도록 한다.In the conventional case, the water-cooled block and the heat transfer block are fastened at a position deviated from the thermoelectric element for reasons of durability and efficiency of the thermoelectric element. Therefore, it is necessary to form the water-cooling block and the heat transfer block sufficiently larger than the thermoelectric elements. The size of the water-cooling block 52 and the heat transfer block 40 can be reduced to the size of the thermoelectric transducer 10, as the fixing bolt 62 passes through the central portion of the thermoelectric transducer 10, And the size of the entire apparatus can be further miniaturized. The specific structure and operation of the thermoelectric element 10 will be described later.

또한, 본 실시예에서 냉온유닛은 고정볼트와 수냉블럭(52) 사이에 탄력적으로 설치되는 탄성부재(64)를 더 포함할 수 있다. 탄성부재(64)는 예를 들어 탄성 스프링일 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 탄성부재(64)는 고정볼트(62)에 끼워져 고정볼트의 볼트머리와 수냉블럭 사이에 탄력적으로 설치될 수 있다. In addition, in this embodiment, the cold / warm unit may further include an elastic member 64 elastically installed between the fixing bolt and the water-cooling block 52. The elastic member 64 may be, for example, an elastic spring. 5, the elastic member 64 may be fitted to the fixing bolt 62 and be elastically installed between the bolt head of the fixing bolt and the water-cooling block.

탄성부재(64)는 수냉블럭(52)에 탄성력을 인가한다. 수냉블럭(52)과 열전소자(10) 및 열전달블럭(40)은 탄성부재(64)에 의해 가압되어 긴밀하게 밀착된다.The elastic member (64) applies an elastic force to the water cooling block (52). The water-cooled block 52, the thermoelectric element 10, and the heat transfer block 40 are pressed by the elastic member 64 and closely contacted with each other.

탄성부재(64)는 열전소자(10)의 열 변형에 의해 냉온유닛에 가해지는 충격을 완충하며, 열전소자에 대한 수냉블럭과 열전달블럭의 밀착 상태를 유지하게 된다. 열전소자는 온도 변화에 따라 열변형되어 두께가 가변된다. 두께라 함은 도 5에서 y축을 따라 상하방향으로의 길이를 의미할 수 있다. 본 실시예의 열전소자(10)는 매우 높은 폭의 온도 변화에 대응할 수 있도록 다단 구조로 이루어져 그 두께가 매우 크다. 이에, 열전소자의 두께가 큰 만큼 열팽창과 열수축으로 인한 두께의 변화량도 매우 크다. 탄성부재(64)는 열전소자(10)의 두께가 가변됨에 따라 수냉블럭(52)과 열전달블럭(40)에 전달되는 충격을 흡수하여 완충시킨다. 예를 들어, 열전소자가 열팽창하여 두께가 커지는 경우 수냉블럭이 밀려나고, 탄성부재가 압축되면서 그 충격을 흡수한다. The elastic member 64 cushions the impact applied to the cold / warm unit by the thermal deformation of the thermoelectric element 10, and maintains the close contact state of the water-cooled block and the heat transfer block with respect to the thermoelectric element. The thermoelectric element is thermally deformed according to the temperature change and the thickness is varied. The thickness may refer to the length in the vertical direction along the y-axis in Fig. The thermoelectric element 10 of the present embodiment is formed in a multi-layered structure so as to be able to cope with a very wide temperature change, and its thickness is very large. Therefore, the larger the thickness of the thermoelectric element, the greater the amount of change in thickness due to thermal expansion and heat shrinkage. As the thickness of the thermoelectric element 10 is varied, the elastic member 64 absorbs shocks absorbed by the water-cooling block 52 and the heat-transfer block 40 to buffer the shock. For example, when the thermoelectric element is thermally expanded to increase its thickness, the water-cooled block is pushed out, and the elastic member is compressed to absorb the shock.

이와 같이, 탄성부재(64)에 의해 열전소자의 열팽창과 열수축에 따른 두께 변화에 관계없이 냉온유닛의 결합 상태를 안정적으로 유지할 수 있다.As described above, the elastic member 64 can stably maintain the engagement state of the cold / warm unit irrespective of the thickness change due to thermal expansion and heat shrinkage of the thermoelectric element.

본 실시예에서, 수냉블럭(52)은 사각의 구조물로, 측면에서 내부로 복수의 홀이 관통 형성되어 수냉블럭 내부에 냉각수가 유통되는 수로를 형성할 수 있다. 수냉블럭의 측면에는 관통된 홀을 차단하는 마개가 설치될 수 있다. 이에, 보다 간단하게 수냉블럭의 내부에 냉각수로를 형성할 수 있게 된다. 수냉블럭의 중심부에는 냉온유닛 결합을 위한 고정볼트가 삽입되는 홀(56)이 형성된다. In this embodiment, the water-cooling block 52 is a rectangular structure, and a plurality of holes are formed through the holes from the side to the inside to form a channel through which cooling water flows in the water-cooling block. The side wall of the water-cooled block may be provided with a stopper for blocking the hole. Thus, the cooling water passage can be formed more easily in the water-cooled block. At the center of the water-cooled block, a hole 56 into which a fixing bolt for joining the cooling / heating unit is inserted is formed.

수냉블럭(52)은 지지판(200)에 설치된다. 수냉블럭은 지지판(200)에 연결볼트(70)를 매개로 고정 설치될 수 있다. 예를 들어, 수냉블럭의 모서리와 지지판(200) 사이를 연결볼트(70)로 체결하여 고정할 수 있다.The water-cooled block 52 is installed in the support plate 200. The water-cooled block may be fixed to the support plate 200 via a connection bolt 70. For example, the corner between the water-cooled block and the support plate 200 can be fastened and fixed by the connection bolts 70.

본 실시예에서, 수냉블럭(52)은 상하방향을 따라 탄력적으로 유동가능하도록 지지판(200) 상에 설치될 수 있다. 이에, 냉온유닛(100)은 상하방향으로 유동되어 메모리 모듈에 보다 안정적으로 밀착될 수 있다. In this embodiment, the water-cooling block 52 can be installed on the support plate 200 so as to be able to elastically flow along the vertical direction. Therefore, the cold / warm unit 100 flows vertically and can stably contact the memory module.

이를 위해, 본 실시예의 장치는 수냉블럭(52)과 지지판(200) 사이에 체결되는 연결볼트(70)에 끼워져 지지판(200)과 방열부 사이에 탄력 설치되는 탄성스프링(72)을 포함할 수 있다. 연결볼트(70)는 지지판(200)과 냉온유닛의 수냉블럭 사이를 결합한다. 연결볼트(70)는 수냉블럭의 네 모서리에 형성된 홀에 각각 끼워져 지지판(200)에 형성된 체결홀에 결합될 수 있다. 탄성스프링(72)은 연결볼트(70)에 끼워져 지지판(200)과 수냉블럭(52) 사이에 탄력적으로 설치된다. 탄성스프링(72)에 의해 냉온유닛의 열전달블럭(40)이 메모리 모듈(M) 상에 가압되어 긴밀하게 밀착된다. The apparatus of the present embodiment may include an elastic spring 72 that is inserted between the support plate 200 and the heat dissipation unit and is resiliently mounted to the connection bolt 70 that is fastened between the water cooling block 52 and the support plate 200 have. The connection bolts 70 couple between the support plate 200 and the water-cooling block of the cold / warm unit. The connection bolts 70 may be respectively fitted into holes formed in the four corners of the water-cooled block, and may be coupled to the fastening holes formed in the support plate 200. The elastic spring 72 is fitted to the connection bolt 70 and is elastically installed between the support plate 200 and the water-cooling block 52. The heat transfer block 40 of the cold / warm unit is pressed on the memory module M by the elastic spring 72 and tightly contacted.

냉온유닛(100)이 탄성스프링(72)을 매개로 지지판(200)에 설치됨에 따라 지지판(200)에 대해 냉온유닛(100)이 상하로 유동되며 냉온유닛에 전달되는 충격을 완충할 수 있다. 탄성스프링(72)은 지지판(200)과 냉온유닛(100) 사이에서 메모리 모듈(M)에 대한 검사 과정에서 발생되는 충격에너지를 흡수하게 된다. The cooling / heating unit 100 is installed on the support plate 200 via the elastic spring 72, so that the cooling / heating unit 100 flows up and down with respect to the support plate 200, so that shocks transmitted to the cooling / heating unit can be buffered. The elastic spring 72 absorbs the impact energy generated in the inspection process of the memory module M between the support plate 200 and the cold / warm unit 100.

또한, 탄성스프링(72)을 매개로 지지판(200)에 대해 냉온유닛(100)이 상하로 움직일 수 있어, 다양한 두께의 메모리 모듈(M)에 효과적으로 대응할 수 있다. 이에, 다양한 메모리 모듈의 실제 두께에 따라 냉온유닛이 상하로 유동되어 열전달블럭(40)을 메모리 모듈(M)에 항상 긴밀하게 밀착시킬 수 있게 된다.Also, the cooling / heating unit 100 can be moved up and down with respect to the support plate 200 via the elastic spring 72, so that it is possible to effectively cope with the memory module M having various thicknesses. Accordingly, the cold / warm unit is vertically moved according to the actual thickness of the various memory modules, so that the heat transfer block 40 can always be closely contacted to the memory module M.

따라서, 장치나 메모리 모듈의 손상을 방지하고, 열전달블럭과 메모리 모듈 간의 열전달 효율을 안정적으로 유지할 수 있게 된다.Accordingly, it is possible to prevent damage to the device or the memory module, and to stably maintain the heat transfer efficiency between the heat transfer block and the memory module.

본 실시예에서, 냉온유닛(100)이 지지판(200)에 대해 상하로 정확히 이동될 수 있도록 지지판(200)에 가이드핀(74)이 설치되고, 수냉블럭(52)에는 가이드핀(74)이 삽입되는 가이드홀(76)이 형성될 수 있다. A guide pin 74 is provided on the support plate 200 so that the cooling and heating unit 100 can be accurately moved up and down with respect to the support plate 200. A guide pin 74 is provided on the water- A guide hole 76 to be inserted can be formed.

도 5에 도시된 바와 같이, 두 개의 가이드홀(76)이 수냉블럭(52)의 중앙에 형성된 홀(56)을 중심으로 좌우측에 각각 형성된다. 지지판(200)에는 가이드홀(76)의 위치에 맞춰 두 개의 가이드핀(74)이 상하방향을 따라 수직으로 설치된다. As shown in FIG. 5, two guide holes 76 are formed on the right and left sides, respectively, around the hole 56 formed at the center of the water-cooling block 52. Two guide pins (74) are vertically installed along the vertical direction of the support plate (200) in accordance with the position of the guide holes (76).

이에, 지지판(200)에 수냉블럭(52)을 조립하게 되면, 가이드핀(74)이 가이드홀(76)에 삽입된다. 따라서, 냉온유닛(100)은 수냉블럭의 가이드홀(76)에 삽입된 가이드핀(74)을 따라 안내되어, 일측으로 치우쳐지거나 기울어지지 않고 정확히 상하로 유동될 수 있게 된다. 이에, 냉온유닛 유동에도 열전달블럭이 기울어지지 않고 메모리 모듈에 정확히 밀착될 수 있다.Thus, when the water-cooling block 52 is assembled to the support plate 200, the guide pin 74 is inserted into the guide hole 76. Therefore, the cooling / heating unit 100 is guided along the guide pin 74 inserted in the guide hole 76 of the water-cooling block, and can be moved up and down exactly without being biased or tilted to one side. Therefore, the heat transfer block can be accurately brought into close contact with the memory module even in the cold / warm unit flow.

본 실시예에서, 수냉블럭(52)은 열전소자(10)가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼(78)를 더 포함할 수 있다. 스토퍼(78)는 수냉블럭(52)의 마주하는 양측 선단에 형성될 수 있다. 스토퍼(78)는 열전소자(10)가 걸릴 수 있도록 소정 길이로 돌출 형성된다. In this embodiment, the water-cooling block 52 may further include a stopper 78 protruding from at least one end of the surface on which the thermoelectric element 10 is in contact and regulating the position of the thermoelectric device on the side. The stopper 78 may be formed on both opposite ends of the water-cooling block 52. The stopper 78 is protruded to a predetermined length so that the thermoelectric element 10 can be caught.

스토퍼(78)는 수냉블럭(52)과 열전소자(10) 조립시 열전소자의 위치를 규제한다. 이에, 수냉블럭(52)의 접면에서 열전소자(10)가 스토퍼(78)에 의해 규제되어 외측으로 밀려나가거나 위치가 어긋나지 않고 수냉블럭에 정확히 접할 수 있게 된다.The stopper 78 regulates the position of the thermoelectric element when the water-cooling block 52 and the thermoelectric element 10 are assembled. Thus, the thermoelectric element 10 is regulated by the stopper 78 at the contact surface of the water-cooled block 52, and can be brought into contact with the water-cooled block without being shifted outward or shifted in position.

열전달블럭(40)은 메모리 모듈(M)에 밀착되어 메모리 모듈(M)에 냉열 또는 온열을 가하게 된다. The heat transfer block 40 is brought into close contact with the memory module M to apply heat or heat to the memory module M.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 열전달블럭(40)은 열전소자(10)에 접하는 판부(41)와, 판부에서 하부로 연장 형성되며 메모리 모듈에 접하는 단부(43)를 포함할 수 있다. 단부(43)는 판부(41)의 중심에서 하부로 길게 연장되며 대략 메모리 모듈에 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 판부와 단부는 일체로 형성된다. 6, the heat transfer block 40 in this embodiment may include a plate portion 41 contacting the thermoelectric element 10 and an end portion 43 extending downward from the plate portion and contacting the memory module. have. The end portion 43 may extend from the center of the plate portion 41 to the lower portion and may have a size corresponding to that of the memory module. The plate portion and the end portion are integrally formed.

본 실시에에서 판부는 단부를 향해 경사면을 갖는 사각뿔 형태로 이루어질 수 있다. In this embodiment, the plate portion may be in the form of a quadrangular pyramid having an inclined surface toward the end portion.

또다른 실시예로 판부는 도 7에 도시된 바와 같이, 단부를 향해 볼록하게 돌출된 반구 형태로 이루어질 수 있다.In another embodiment, the plate portion may be in the shape of a hemispherical protruding toward the end portion, as shown in Fig.

판부가 상기와 같이, 단부를 향해 사각뿔이나 반구 형태로 이루어짐에 따라 열용량을 보다 증가시킬 수 있게 된다. 이에, 메모리 모듈 발열시 열전달블럭의 온도가 급작스럽게 뛰거나 변동되는 것을 방지하고 온도 균일성을 보다 확보할 수 있게 된다.As described above, since the plate portion is formed in the shape of a quadrangular pyramid or a hemisphere toward the end portion, the heat capacity can be further increased. Thus, the temperature of the heat transfer block can be prevented from suddenly changing or fluctuating when the memory module generates heat, and the temperature uniformity can be further secured.

단부(43)는 열전달 효율을 보다 높일 수 있도록 표면에 복수의 슬릿이 더 형성될 수 있다. 슬릿에 의해 단부의 단면적을 줄여 열용량을 줄일 수 있다. 이에 보다 신속한 열전달을 통해 단부 냉각 및 가열에 요구되는 에너지를 최소화할 수 있다.A plurality of slits may be formed on the surface of the end portion 43 so as to increase the heat transfer efficiency. The heat capacity can be reduced by reducing the cross-sectional area of the end portion by the slit. Thus, the energy required for end cooling and heating can be minimized through faster heat transfer.

열전달블럭(40)의 중심부에는 볼트 체결을 위한 암나사홀(42)이 연장 형성된다. 암나사홀(42)은 냉온유닛 조립을 위한 것으로 고정볼트(62)가 열전소자(10)를 관통하여 체결된다.At the center of the heat transfer block 40, a female screw hole 42 for bolt fastening is formed. The female screw hole 42 is for assembling the cold / warm unit, and the fixing bolt 62 passes through the thermoelectric element 10 and is fastened.

열전달블럭의 단부(43)에는 메모리 모듈(M)에 가해지는 온도를 검출하는 온도센서(44)가 더 설치될 수 있다. 온도센서(44) 설치를 위해 단부(43)의 하단으로 온도센서 장착을 위한 홀(45)이 깊게 형성된다. 이에, 홀(45) 내부로 온도센서(44)가 메모리 모듈(M)에 최대한 근접 설치되어 단부(43)를 통해 메모리 모듈에 가해지는 냉온열의 온도를 정확히 검출할 수 있게 된다. A temperature sensor 44 for detecting the temperature applied to the memory module M may be further provided at the end 43 of the heat transfer block. A hole 45 for mounting the temperature sensor is formed deeply at the lower end of the end portion 43 for installing the temperature sensor 44. Accordingly, the temperature sensor 44 is installed as close as possible to the memory module M in the hole 45, so that the temperature of the cold / hot heat applied to the memory module through the end portion 43 can be accurately detected.

온도센서(44)에 연결된 전선은 홀을 통해 열전달블럭 외측으로 연장되며 그 선단에는 접속부(210)와의 연결을 위한 암커넥터(46)가 설치될 수 있다.The electric wires connected to the temperature sensor 44 extend outward through the holes and have a female connector 46 for connection with the connection part 210 at the tip thereof.

본 실시예에서, 열전달블럭(40)은 열전소자(10)가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼(48)를 더 포함할 수 있다. 스토퍼(48)는 열전달블럭의 마주하는 양측 선단에 형성될 수 있다. 스토퍼(48)는 열전소자(10)가 걸릴 수 있도록 소정 길이로 돌출 형성된다. In this embodiment, the heat transfer block 40 may further include a stopper 48 protruding from at least one end of the surface on which the thermoelectric element 10 contacts, and regulating the position of the thermoelectric device on the side. The stopper 48 may be formed at both opposite ends of the heat transfer block. The stopper 48 is protruded to a predetermined length so that the thermoelectric element 10 can be caught.

스토퍼(48)는 열전달블럭(40)과 열전소자(10) 조립시 열전소자의 위치를 규제한다. 이에, 열전달블럭(40)의 접면에서 열전소자(10)가 스토퍼(78)에 의해 규제되어 외측으로 밀려나가거나 위치가 어긋나지 않고 열전달블럭에 정확히 접할 수 있게 된다.The stopper 48 regulates the position of the thermoelectric element when the heat transfer block 40 and the thermoelectric element 10 are assembled. Accordingly, the thermoelectric element 10 is regulated by the stopper 78 at the contact surface of the heat transfer block 40 so that it can be brought into contact with the heat transfer block without being shifted outward or shifted in position.

언급한 바와 같이, 열전소자 위치 규제를 위한 스토퍼는 열전달블럭 외에 수냉블럭에도 설치된다. 이에, 냉온유닛 조립시 하나의 고정볼트로 열전달블럭과 열전소자 및 수냉블럭을 고정하더라도 각 구성부의 위치가 스토퍼에 의해 정확히 맞춰져 흔들림없이 조립될 수 있다.As mentioned above, the stopper for regulating the position of the thermoelectric element is installed in the water cooling block in addition to the heat transfer block. Therefore, even when the heat transfer block, the thermoelectric element, and the water-cooled block are fixed by one fixing bolt when assembling the cold / warm unit, the positions of the components can be precisely adjusted by the stopper and assembled without shaking.

이하, 도 8 내지 도 10을 참조하여 본 실시예에 따른 열전소자에 대해 설명한다.Hereinafter, a thermoelectric device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 10. FIG.

본 실시예의 열전소자(10)는 반도체유닛(20)과, 반도체유닛의 외측에 접합되는 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26), 및 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 선단 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재(30)를 포함할 수 있다.The thermoelectric element 10 of the present embodiment includes a semiconductor unit 20, a first heat transfer plate 24 and a second heat transfer plate 26 bonded to the outside of the semiconductor unit, and a first heat transfer plate 24, And a sealing member 30 sealing between the front ends of the heat transfer plates 26 to seal the inside thereof.

본 실시예의 열전소자(10)는, 복수개의 반도체유닛(20)을 포함하고, 복수개의 반도체유닛은 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 사이에서 적층된 구조일 수 있다.The thermoelectric element 10 of the present embodiment includes a plurality of semiconductor units 20 and a plurality of semiconductor units may be stacked between the first heat transfer plate 24 and the second heat transfer plate 26.

각 반도체유닛은 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체(13), 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극(16)과 하단전극(17)을 포함할 수 있다. Each semiconductor unit may include a plurality of semiconductors 13 arranged at intervals, a top electrode 16 and a bottom electrode 17 arranged in a pattern set at the top and bottom of the semiconductor and electrically connected to the semiconductor.

동일면상에 간격을 두고 복수의 반도체(13)가 배치되어 각 반도체유닛(20)을 이룬다. A plurality of semiconductors 13 are disposed on the same plane with an interval therebetween to form respective semiconductor units 20.

열전소자(10) 내에 적층 배치된 반도체유닛이 이웃하는 반도체유닛의 열을 방열하는 역할을 수행함으로써 하나의 열전소자(10) 내에서 다단계로 방열이 이루어지게 된다. 이에, 하나의 열전소자(10)를 사용함에 따라 저전력으로도 구동이 가능하며, 신속하고 효과적으로 보다 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.The semiconductor units stacked and arranged in the thermoelectric element 10 serve to dissipate the heat of the neighboring semiconductor units so that heat is radiated in multiple stages in one thermoelectric element 10. [ Accordingly, by using one thermoelectric element 10, it is possible to drive with a low power, and a lower temperature can be realized quickly and effectively.

이하, 본 실시예에서는 3 개의 반도체유닛이 적층된 구조를 예로서 설명한다. 그러나, 본 장치는 열전소자(10)가 세 개 외에 두 개 또는 4개 이상이 적층 배치된 구조 역시 적용 가능하다.Hereinafter, in this embodiment, a structure in which three semiconductor units are stacked will be described as an example. However, the present device is also applicable to a structure in which two or more thermoelectric elements 10 are stacked in addition to three.

이하 설명에서, 하 또는 하부라 함은 도 8에서 y축을 따라 아래쪽을 의미하고, 상 또는 상부이라 함은 y축을 따라 위쪽을 의미한다. 또한, 설명의 편의를 위해 y축 방향을 따라 아래에서부터 차례로 적층된 각 반도체유닛을 제1 반도체유닛(21), 제2 반도체유닛(22) 및 제3 반도체유닛(23)이라 한다. 반도체유닛(20)은 적층된 모든 반도체유닛 전체를 지칭할 수 있다. 또한, 열전소자(10) 하면을 이루어 열전달블럭(40)에 접하는 판을 제1 열전달판(24)이라 하고, 열전소자(10) 상면을 이루어 수냉블록(52)과 접하는 판을 제2 열전달판(26)이라 한다.In the following description, the lower or the lower part means the lower side along the y axis in Fig. 8, and the upper side or the upper side means the upper side along the y axis. For convenience of explanation, the respective semiconductor units stacked in order from the bottom along the y-axis direction are referred to as a first semiconductor unit 21, a second semiconductor unit 22 and a third semiconductor unit 23. The semiconductor unit 20 may refer to all of the stacked semiconductor units. The plate contacting the heat transfer block 40 is referred to as a first heat transfer plate 24 and the plate contacting the water cooling block 52 as an upper surface of the thermoelectric element 10 is referred to as a second heat transfer plate 24. [ (26).

제1 반도체유닛(21)은 하면을 통해 실질적으로 메모리 모듈(M)에 검사를 위한 온도 조건을 부여하며, 제2 반도체유닛(22)은 제1 반도체유닛(21)의 상면에서 제1 반도체유닛(21)의 열을 방열시키게 된다. 또한, 제3 반도체유닛(23)은 제2 반도체유닛(22)의 상면에서 제2 반도체유닛(22)의 열을 방열시키게 된다. 이와 같이 열전소자(10) 내부에서 다층에 걸쳐 방열이 이루어짐에 따라 제1 반도체유닛(21)에 접하고 있는 제1 열전달판(24)을 보다 신속하고 효과적으로 냉각 또는 가열시킬 수 있게 된다. The first semiconductor unit 21 gives a temperature condition for inspection to the memory module M substantially through the lower surface thereof and the second semiconductor unit 22 is provided on the upper surface of the first semiconductor unit 21, The heat of the heat exchanger 21 is dissipated. Further, the third semiconductor unit 23 dissipates the heat of the second semiconductor unit 22 from the upper surface of the second semiconductor unit 22. As the heat is radiated in multiple layers within the thermoelectric element 10, the first heat transfer plate 24 contacting the first semiconductor unit 21 can be cooled or heated more quickly and effectively.

본 실시예에서, 각 반도체유닛(20)은 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 즉, 각 반도체유닛(20)은 동일한 개수의 반도체(13)를 구비하며, 각 반도체(13)는 동일한 간격으로 동일한 위치에 배열 설치된다. In this embodiment, each semiconductor unit 20 may have the same structure. That is, each of the semiconductor units 20 has the same number of semiconductors 13, and the semiconductors 13 are arranged at the same position at the same intervals.

이에, 적층된 복수개의 반도체유닛(20)은 모두 동일한 반도체(13) 수량을 갖는 동일한 면적의 크기로 형성될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 열전소자(10)는 복수개의 반도체유닛을 다단으로 적층하더라도 각 반도체유닛의 면적이 일정하여 구조적인 강성을 충분히 확보할 수 있게 된다.Thus, the plurality of stacked semiconductor units 20 may all be formed with the same area size having the same quantity of the semiconductor 13. Therefore, even if a plurality of semiconductor units are laminated in multiple stages, the thermoelectric elements 10 of this embodiment can have a sufficient structural rigidity because the area of each semiconductor unit is constant.

각 반도체유닛의 반도체(13)는 N형 반도체(14)와 P형 반도체(15)로 이루어지며, 서로 교대로 배치되고 상단과 하단에서 상단전극(16)과 하단전극(17)이 설정된 패턴으로 N형 반도체(14)와 P형 반도체(15)를 전기적으로 연결한다. 이하 설명에서 도면부호 (13)는 N형 또는 P형에 무관하게 반도체를 지칭하며, 도면부호 (14)와 (15)은 각각 N형 반도체와 P형 반도체를 지칭한다.The semiconductor 13 of each semiconductor unit is composed of an N-type semiconductor 14 and a P-type semiconductor 15 and arranged alternately with each other. In the pattern in which the upper electrode 16 and the lower electrode 17 are arranged at the upper and lower ends The N-type semiconductor 14 and the P-type semiconductor 15 are electrically connected. In the following description, reference numeral 13 designates a semiconductor regardless of the N-type or P-type, and reference numerals 14 and 15 designate an N-type semiconductor and a P-type semiconductor, respectively.

제1 반도체유닛(21)은 제1 열전달판(24) 상에 배열되는 복수의 반도체(13)에 의해 이루어진다. 제1 반도체유닛(21)의 반도체(13) 위에 적층된 복수의 반도체(13)가 제2 반도체유닛(22)을 이룬다. 제2 반도체유닛(22)의 반도체(13) 위에 적층된 복수의 반도체(13)가 제3 반도체유닛(23)을 이룬다.The first semiconductor unit 21 is made up of a plurality of semiconductors 13 arranged on the first heat transfer plate 24. A plurality of semiconductors 13 stacked on the semiconductors 13 of the first semiconductor unit 21 constitute the second semiconductor unit 22. The plurality of semiconductors 13 stacked on the semiconductor 13 of the second semiconductor unit 22 constitute the third semiconductor unit 23. [

도 8에 도시된 바와 같이, 제1 반도체유닛(21)과 제2 반도체유닛(22) 사이 및 제2 반도체유닛(22)과 제3 반도체유닛(23) 사이에는 각각 중간 열전달판(28)이 설치될 수 있다.An intermediate heat transfer plate 28 is provided between the first semiconductor unit 21 and the second semiconductor unit 22 and between the second semiconductor unit 22 and the third semiconductor unit 23, Can be installed.

이에, 본 실시예에서 제1 반도체유닛(21)은 제1 열전달판(24)과 중간 열전달판(28) 사이에 설치되며, 제2 반도체유닛(22)은 중간 열전달판(28) 사이에 설치되고, 제3 반도체유닛(23)은 중간 열전달판(28)과 제2 열전달판(26) 사이에 설치된다.In this embodiment, the first semiconductor unit 21 is installed between the first heat transfer plate 24 and the intermediate heat transfer plate 28, and the second semiconductor unit 22 is installed between the intermediate heat transfer plates 28 And the third semiconductor unit 23 is installed between the intermediate heat transfer plate 28 and the second heat transfer plate 26.

중간 열전달판(28)은 예를 들어, 제1 열전달판(24) 또는 제2 열전달판(26)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 중간 열전달판(28)은 판상 구조물로 각 반도체유닛의 반도체 사이를 절연한다. 중간 열전달판(28)을 사이에 두고 이웃하는 반도체유닛 간에 발생되는 열이 중간 열전달판(28)으로 전도된다. 이에, 중간 열전달판(28)에서 열 교환이 이루어져 일측 반도체유닛에서 발생된 열이 방열 처리된다.The intermediate heat transfer plate 28 may be made of the same material as the first heat transfer plate 24 or the second heat transfer plate 26, for example. The intermediate heat transfer plate 28 is a plate-like structure that insulates the semiconductors of the respective semiconductor units. The heat generated between the adjacent semiconductor units with the intermediate heat transfer plate 28 therebetween is conducted to the intermediate heat transfer plate 28. Thus, heat is exchanged in the intermediate heat transfer plate 28, and heat generated in one semiconductor unit is heat-treated.

제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26)은 반도체유닛 전체를 덮는 크기로 이루어져 열전소자(10)의 대향되는 양면을 이룬다. 두 개의 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 사이에 복수개의 반도체유닛(20)이 적층되어 설치된다.The first heat transfer plate (24) and the second heat transfer plate (26) are sized to cover the entire semiconductor unit and form opposite surfaces of the thermoelectric element (10). A plurality of semiconductor units 20 are stacked and installed between the two first heat transfer plates 24 and the second heat transfer plates 26.

본 실시예에서, 제1 열전달판(24)과 제2 열전달판(26) 및 중간 열전달판(28)은 전면에 체결홀(12)이 관통 형성된 구조로 되어 있다.In this embodiment, the first heat transfer plate 24, the second heat transfer plate 26, and the intermediate heat transfer plate 28 have a structure in which a fastening hole 12 is formed through the entire surface.

체결홀(12)은 제1 열전달판(24), 제2 열전달판(26) 및 중간 열전달판(28)에 동일한 위치에 동일한 크기로 형성될 수 있다.The fastening holes 12 may be formed in the same size and the same size in the first heat transfer plate 24, the second heat transfer plate 26, and the intermediate heat transfer plate 28.

도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 경우 체결홀(12)은 열전소자(10)의 중심부에 한 개가 형성된 구조일 수 있다. 체결홀(12)은 열전소자(10)를 관통하여 형성되는 구조면 그 형성 개수나 형성 위치에 있어 다양하게 변형가능하다.As shown in FIG. 8, in the present embodiment, the fastening holes 12 may have a structure in which one thermoelectric element 10 is formed at the central portion thereof. The fastening holes 12 can be variously modified in terms of the number of forming and forming positions of the structural surface formed through the thermoelectric elements 10.

언급한 바와 같이, 본 실시예의 열전소자(10)는 적층된 각 반도체유닛(20)의 반도체가 동일한 개수를 이룸에 따라 구조적인 강성을 확보하고 있다. 이에 상기와 같이 열전소자(10)를 관통하여 체결홀(12)을 형성하더라도 구조적 강성 저하를 방지할 수 있게 된다. 따라서, 본 실시예의 경우 열전소자(10)에 체결홀(12)을 형성하여 냉온유닛(100)을 조립할 수 있고, 이에, 강성을 충분히 확보하면서도 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화시킬 수 있게 된다. As mentioned above, the thermoelectric element 10 of this embodiment secures the structural rigidity as the number of semiconductors of the stacked semiconductor units 20 is the same. Thus, even if the fastening hole 12 is formed through the thermoelectric element 10 as described above, the structural rigidity can be prevented from being lowered. Therefore, in the present embodiment, the thermoelectric element 10 can be assembled by forming the fastening hole 12 in the thermoelectric element 10, and the size of the cold / warm unit 100 can be further reduced do.

각 반도체유닛(20) 사이는 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 전류 흐름을 따라 제1 반도체유닛(21)의 반도체와 제2 반도체유닛(22)의 반도체를 연결하고, 제2 반도체유닛(22)의 반도체와 제3 반도체유닛(23)의 반도체를 전기적으로 연결할 수 있다.The semiconductor units 20 may be connected in series or in parallel. For example, the semiconductor of the first semiconductor unit 21 and the semiconductor of the second semiconductor unit 22 are connected to each other along the current flow, and the semiconductor of the second semiconductor unit 22 and the semiconductor of the third semiconductor unit 23 Can be electrically connected.

이에, 도 9에 도시된 바와 같이, 열전소자(10) 내부로 두 개의 전선(18,19)을 연결하는 것으로 복수개의 적층된 반도체유닛으로 전류를 인가할 수 있다. 따라서, 열전소자(10)의 전류 인가 구조를 보다 단순화하여, 열전소자로 연결된 단지 두 개의 전선을 통해, 열전소자(10)의 전체 반도체에 전류를 인가할 수 있다. Thus, as shown in FIG. 9, by connecting two electric wires 18 and 19 to the thermoelectric element 10, current can be applied to the plurality of stacked semiconductor units. Therefore, the current application structure of the thermoelectric element 10 can be further simplified, and current can be applied to the entire semiconductor of the thermoelectric element 10 through only two wires connected to the thermoelectric element.

이와 같이, 복수개의 반도체를 상하 방향으로 적층하면서도 열전소자(10)에 대한 전기적 연결 구조를 단순화하여 장치로 인가되는 전선의 개수와 배선 구조를 간략화할 수 있게 된다. 이에, 장치의 구조를 단순화하고 장치를 소형화할 수 있게 된다. In this manner, the number of wires and the wiring structure applied to the device can be simplified by simplifying the electrical connection structure to the thermoelectric elements 10 while stacking the plurality of semiconductors in the vertical direction. Thus, the structure of the apparatus can be simplified and the apparatus can be made compact.

도 10에 도시된 바와 같이, 열전소자(10)의 둘레를 따라 제1 열전달판(24)과 중간열전달판(28), 중간 열전달판들 사이 및 중간 열전달판(28)과 제2 열전달판(26) 사이에 실링부재(30)가 설치된다. 실링부재(30)는 열전소자(10)의 내부 빈공간에 채워져 반도체(13)와 반도체(13) 사이에도 설치될 수 있다. 이에 열전소자(10)는 실링부재(30)에 의한 습기 차단 효과 및 충격 흡수에 의한 열전소자(10)의 내구성을 더욱 높일 수 있게 된다.10, a first heat transfer plate 24 and an intermediate heat transfer plate 28, an intermediate heat transfer plate 28 and an intermediate heat transfer plate 28 and a second heat transfer plate (not shown) are formed along the circumference of the thermoelectric element 10 26 are provided with a sealing member 30 therebetween. The sealing member 30 may be filled in the inner space of the thermoelectric element 10 and may also be provided between the semiconductor 13 and the semiconductor 13. Accordingly, the thermoelectric element 10 can further enhance the moisture shielding effect by the sealing member 30 and the durability of the thermoelectric element 10 by shock absorption.

본 실시예에서, 실링부재(30)는 실리콘 입자(34)를 포함하는 에폭시 재질(32)로 이루어질 수 있다. 실링부재가 실리콘 재질로 이루어진 경우 실리콘 소재 자체의 미세 틈새 발생으로 습기가 열전소자(10) 내부로 침투하게 된다. 또한, 실링부재가 에폭시 재질로만 이루어진 경우에는 저온에서 실링부재가 경화되어 외부 충격을 흡수하지 못하는 문제가 발생된다.In this embodiment, the sealing member 30 may be made of an epoxy material 32 comprising silicon particles 34. When the sealing member is made of a silicon material, moisture is penetrated into the thermoelectric element 10 due to the micro-gap of the silicon material itself. In addition, when the sealing member is made of an epoxy material, the sealing member is hardened at a low temperature and the external shock can not be absorbed.

그러나, 본 실시예의 실링부재(30)는 에폭시(32) 내에 실리콘 입자(34)가 포함되어, 열전소자(10)는 에폭시에 의한 작용효과와 실리콘에 의한 작용효과를 동시에 확보할 수 있게 된다. 이에, 본 실시예의 열전소자(10)는 실링부재(30)가 저온에서 보다 확실하게 제1 열전달판(24)과 중간 열전달판(28) 및 제2 열전달판(26) 사이를 차단하여 외부 습기 침투를 방지함과 더불어 열전소자(10)에 가해지는 외부 충격을 흡수하여 내구성을 높일 수 있게 된다.However, the sealing member 30 of the present embodiment includes the silicon particles 34 in the epoxy 32, so that the thermoelectric element 10 can simultaneously secure the action effect by the epoxy and the action effect by the silicon. Thus, the thermoelectric element 10 of the present embodiment is configured such that the sealing member 30 blocks the gap between the first heat transfer plate 24 and the intermediate heat transfer plate 28 and the second heat transfer plate 26 more reliably at a low temperature, It is possible to prevent penetration and to absorb the external impact applied to the thermoelectric element 10, thereby enhancing durability.

본 실시예에서, 실리콘 입자(34)는 전체 실링부재(30)에 대해 2중량% 내지 21중량%로 포함될 수 있다. 실리콘 입자가 2중량%보다 적게 혼합되는 경우에는 저온에서 실링부재가 경화되어 열전소자의 내구성을 확보하기 어렵고 외부 충격에 의해 열전소자의 손상을 초래할 수 있다. 실리콘 입자가 21중량%를 넘는 경우에는 실리콘 입자를 통해 외부 습기가 열전소자 내부로 침투할 수 있어, 실링부재의 역할을 제대로 수행하지 못하게 된다.In this embodiment, the silicon particles 34 may be included in an amount of 2 wt% to 21 wt% with respect to the total sealing member 30. When the silicon particles are mixed in less than 2% by weight, the sealing member is hardened at a low temperature and it is difficult to secure the durability of the thermoelectric element, and the thermoelectric element may be damaged due to external impact. If the amount of the silicon particles exceeds 21% by weight, the external moisture can penetrate into the thermoelectric element through the silicon particles, thereby failing to perform the role of the sealing member properly.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 열전소자(10)는 습기에 의한 부식 방지를 위해, 반도체의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층(36)을 형성한 구조로 되어 있다. As shown in FIG. 10, the thermoelectric element 10 of the present embodiment has a structure in which a coating layer 36 is formed by coating a side surface of a semiconductor with a moisture-proof paint to prevent corrosion by moisture.

코팅층(36)은 반도체(13) 측면 외에 반도체에 접속되는 상단전극(16)과 하단전극(17)의 내측면에도 형성될 수 있다.The coating layer 36 may be formed on the inner surfaces of the upper electrode 16 and the lower electrode 17 connected to the semiconductor in addition to the side of the semiconductor 13.

본 실시예에서, 코팅층(36)은 도료는 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료로 형성될 수 있다. 즉, 열전소자(10)는 도료를 반도체의 측면과 반도체에 접속되는 상단전극 및 하단전극의 내측면에 도포하여 코팅층(36)을 형성한다. In this embodiment, the coating layer 36 may be formed of a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating. That is, the thermoelectric element 10 forms the coating layer 36 by applying the paint to the side surfaces of the semiconductor and the inner surfaces of the upper electrode and the lower electrode connected to the semiconductor.

코팅층의 형성은 다양한 방법이 적용될 수 있고, 코팅층의 형성 두께 역시 특별히 한정되지 않으며 다양하게 변형가능하다.Various methods can be applied to form the coating layer, and the thickness of the coating layer is not particularly limited, and can be variously modified.

본 실시예에서, 코팅층(36)은 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료로 이루어짐에 따라 열전소자(10)의 내부 구성에 대한 내열성과 내후성, 화학안정성, 전기절연성 등을 충분히 확보할 수 있게 된다.In this embodiment, since the coating layer 36 is made of a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating, the coating layer 36 can sufficiently ensure heat resistance, weather resistance, chemical stability, electrical insulation, etc. with respect to the internal structure of the thermoelectric element 10 do.

이와 같이, 본 열전소자(10)는 코팅층(36)을 통해 반도체를 포함하여 열전소자 내부 구성부에 대한 피막을 형성함으로써, 내습성을 향상시켜 열전소자 내부로 침투되는 습기에 대해 열전소자가 부식되는 것을 방지하게 된다. 또한, 코팅층(36)은 반도체(13)의 강도를 증가시켜 열전소자에 가해지는 하중과 외부 충격에 대해 열전소자(10)의 내구성을 높이게 된다.As described above, the present thermoelectric element 10 includes a semiconductor through the coating layer 36 to form a coating on the thermoelectric element internal constituent portion, thereby improving the moisture resistance and preventing the thermoelectric element from corroding . In addition, the coating layer 36 increases the strength of the semiconductor 13 to increase the durability of the thermoelectric element 10 against the load applied to the thermoelectric element and the external impact.

여기서, 각 반도체유닛(20)의 반도체(13)는 y축 방향을 따라 제1 열전달판(24)에서 제2 열전달판(26)으로 갈수록 크기가 점차 감소하는 구조로 되어 있다. 본 실시예에서는 y축 방향을 따라 하부에서 상부로 갈수록 각 반도체유닛의 반도체(13)의 높이가 점차 감소하는 구조일 수 있다. 높이라 함은 y축 방향에 대한 길이를 의미한다.Here, the semiconductor 13 of each semiconductor unit 20 is gradually reduced in size from the first heat transfer plate 24 to the second heat transfer plate 26 along the y-axis direction. In this embodiment, the height of the semiconductor 13 of each semiconductor unit gradually decreases from the lower portion to the upper portion along the y-axis direction. The height means the length in the y-axis direction.

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 반도체유닛(21)의 반도체 높이(A)보다 제2 반도체유닛(22)의 반도체 높이(B)가 상대적으로 작으며, 제2 반도체유닛(22)의 반도체 높이보다 제3 반도체유닛(23)의 반도체 높이(C)가 상대적으로 작다. 10, the semiconductor height B of the second semiconductor unit 22 is relatively smaller than the semiconductor height A of the first semiconductor unit 21, The semiconductor height C of the third semiconductor unit 23 is relatively small.

이에, 열전소자(10) 내에서 각 반도체유닛(20)의 크기와 반도체 개수를 동일하게 형성하면서도, 적층되어 있는 각 반도체유닛의 저항 용량은 달라지게 된다. 즉, 적층되어 있는 각 반도체유닛의 반도체(13) 크기를 달리함으로써, 제1 반도체유닛(21)에서 제3 반도체유닛(23)으로 갈수록 반도체의 저항값은 점차적으로 줄게 된다.Thus, the resistance capacities of the respective semiconductor units stacked in the thermoelectric conversion element 10 are different from each other, while the sizes of the semiconductor units 20 and the number of the semiconductors are the same. That is, by varying the sizes of the semiconductors 13 in the stacked semiconductor units, the resistance value of the semiconductor gradually decreases from the first semiconductor unit 21 to the third semiconductor unit 23.

각 반도체유닛에 있어, 열량은 구비된 반도체의 저항값에 따라 달라진다. 따라서, 본 실시예는 각 반도체유닛의 갯수가 동일하여 적층된 각 반도체유닛간의 방열 면적은 동일하게 유지하면서 각 반도체유닛의 열량을 달리할 수 있게 된다. In each semiconductor unit, the amount of heat depends on the resistance value of the semiconductor. Thus, in this embodiment, the number of semiconductor units is the same, so that the amount of heat of each semiconductor unit can be made different while maintaining the same heat dissipation area between the stacked semiconductor units.

이에, 본 실시예에서 열전소자(10) 내에서 적층된 제1 반도체유닛(21)에 대해 제2 반도체유닛(22)이 상대적으로 열량이 크고, 제3 반도체유닛(23)이 제2 반도체유닛(22)보다 상대적으로 열량이 더 크다. 이에 제1 반도체유닛(21)에서 제3 반도체유닛(23)으로 갈수록 열량을 보다 높일 수 있게 된다.Thus, in the present embodiment, the second semiconductor unit 22 has a relatively large heat quantity with respect to the first semiconductor unit 21 stacked in the thermoelectric element 10, and the third semiconductor unit 23 has a relatively large amount of heat, (22). ≪ / RTI > Accordingly, the amount of heat can be further increased from the first semiconductor unit 21 to the third semiconductor unit 23.

이와 같이, 하나의 열전소자(10)만을 구동함에 따라 저전력을 사용하면서도 내부에 구비된 복수의 반도체유닛(20)을 통해 다단계로 열량을 높여 줌으로써, 보다 신속하고 효과적으로 더 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.As described above, by driving only one thermoelectric element 10, the amount of heat is increased in multiple stages through the plurality of semiconductor units 20 provided therein while using low power, so that it is possible to realize a lower temperature more quickly and effectively do.

상기한 구조에 따라 본 실시예의 열전소자(10)에 전류가 인가되어 메모리 모듈(M)에 냉열 또는 온열을 가하게 된다. According to the above structure, a current is applied to the thermoelectric element 10 of the present embodiment to apply heat or heat to the memory module M.

도 11 내지 도 15는 상기한 구조의 열전소자를 구비한 냉온유닛의 다양한 실시예들을 나타내고 있다.11 to 15 show various embodiments of the cold / warm unit having the thermoelectric element of the above structure.

도 11은 위에서 기재한 바와 같은 3단의 반도체유닛을 포함하는 단일 열전소자(10)가 구비된 냉온유닛(100)을 나타내고 있다. 반도체유닛의 적층 구조와 열전소자의 구조에 대해서는 위에서 설명한 내용으로 갈음하며 이하 상세한 설명은 생략한다. 열전소자(10)의 상하단에 각각 수냉블록(52)과 열전달블럭(40)이 배치된다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 열전소자(10) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다. 본 실시예의 경우, 하나의 열전소자를 사용하면서 열전소자 내에 용량을 달리하는 3개의 반도체유닛이 적층되어 있어 저전력으로도 더 낮은 온도의 구현이 가능하다.Fig. 11 shows a cold / warm unit 100 having a single thermoelectric element 10 including three-stage semiconductor units as described above. The laminated structure of the semiconductor unit and the structure of the thermoelectric element are replaced with the contents described above, and a detailed description thereof will be omitted. Cooling blocks 52 and heat transfer blocks 40 are disposed at upper and lower ends of the thermoelectric element 10, respectively. The fixing bolt 62 passes through the center of the cold / warm unit 100 to fix the water-cooling block 52, the thermoelectric element 10, and the heat transfer block 40 to each other. In this embodiment, since three semiconductor units having different capacities are stacked in one thermoelectric element while one thermoelectric element is used, a lower temperature can be realized even at a low power.

도 12는 냉온유닛의 다른 실시예로, 도 11에 도시된 실시예의 열전소자(10) 외에 별도의 고용량 열전소자(101)가 추가로 구비된 구조를 나타내고 있다.Fig. 12 shows another embodiment of the cooling / heating unit, in which a separate high capacity thermoelectric element 101 is additionally provided in addition to the thermoelectric element 10 of the embodiment shown in Fig.

도 12의 실시예에 따른 냉온유닛(100)은 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 두 개의 열전소자(10,101)가 적층되며 두 개의 열전소자 사이에 중간 서멀블럭(102)이 설치된 구조로 되어 있다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 각 열전소자(10,101), 중간 서멀블럭(102) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다.The cooling and heating unit 100 according to the embodiment of FIG. 12 has two thermoelectric elements 10 and 101 stacked between the water-cooling block 52 and the heat transfer block 40 and an intermediate thermal block 102 installed between the two thermoelements Structure. The fixing bolt 62 passes through the central portion of the cooling / heating unit 100 to fix the water cooling block 52, the thermoelectric elements 10 and 101, the intermediate thermal block 102 and the heat transfer block 40.

두 개의 열전소자 중 아래쪽에 배치된 열전소자(10)는 도 11에서 언급한 바와 같은 열전소자이고, 그 위에 적층되는 열전소자는 하나의 반도체유닛만이 구비된 고용량의 열전소자(101)이다. 고용량이라 함은 본 실시예의 열전소자에 구비된 반도체유닛 중 가장 위쪽의 반도체유닛과 비교하여 상대적으로 열량이 더 큰 것을 의미한다. 고용량의 열전소자(101) 역시 그 크기는 아래쪽에 배치된 열전소자와 동일하다. 또한, 고용량의 열전소자(10) 중심부 및 중간 서멀블럭(102)에도 역시 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 두 개의 열전소자(10,101)와 중간 서멀블럭(102)을 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. The thermoelectric element 10 disposed under the two thermoelectric elements is a thermoelectric element as mentioned in FIG. 11, and the thermoelectric elements stacked thereon are high-capacity thermoelectric elements 101 having only one semiconductor unit. The term " high capacity " means that the amount of heat is relatively larger than that of the uppermost semiconductor unit among the semiconductor units included in the thermoelectric element of this embodiment. The high-capacity thermoelectric element 101 is also the same size as the thermoelectric element disposed at the bottom. A hole is also formed in the central portion of the high-capacity thermoelectric element 10 and the intermediate thermal block 102 so that the fixing bolt 62 is also passed therethrough. The fixing bolt 62 is fastened between the water cooling block 52 and the heat transfer block 40 through the two thermoelectric elements 10 and 101 and the intermediate thermal block 102.

도 12에 도시된 냉온유닛(100)의 경우, 열전소자(10) 위에 또다른 고용량의 열전소자(101)를 설치함으로써, 아래쪽 열전소자(10)에서 발생된 열을 그 위쪽에 배치된 고용량의 열전소자(101)가 추가로 방열시킬 수 있게 된다. 이에, 냉각 온도를 보다 더 낮출 수 있게 된다.In the case of the cold / warm unit 100 shown in Fig. 12, another high-capacity thermoelectric element 101 is provided on the thermoelectric element 10 so that the heat generated in the lower thermoelectric element 10 is absorbed by the high- So that the thermoelectric element 101 can further radiate heat. Thus, the cooling temperature can be further lowered.

도 13에 도시된 실시예의 냉온유닛(100)은, 용량을 달리하는 복수개의 열전소자(111,112,113)가 적층된 구조로 되어 있다. 도 13에서 3개의 열전소자가 적층된 구조가 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 열전소자는 두 개 또는 4개 이상 구비될 수 있다.The cooling / heating unit 100 of the embodiment shown in FIG. 13 has a structure in which a plurality of thermoelectric elements 111, 112, and 113 having different capacities are stacked. In FIG. 13, a structure in which three thermoelectric elements are stacked is illustrated, but the present invention is not limited thereto, and two or four thermoelectric elements may be provided.

도 13의 실시예에 따른 냉온유닛(100)은 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 3 개의 열전소자(111,112,113)가 적층된다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 열전소자(111,112,113) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다.In the cooling / heating unit 100 according to the embodiment of FIG. 13, three thermoelectric elements 111, 112 and 113 are stacked between the water-cooling block 52 and the heat transfer block 40. The fixing bolt 62 passes through the center of the cold / warm unit 100 to fix the water-cooling block 52, the thermoelectric elements 111, 112, and 113, and the heat transfer block 40.

3개의 열전소자는 각각 용량이 상이하다. 본 실시예의 냉온유닛(100)은, 열전달블럭(40)에서 수냉블록(52)쪽으로 갈수록 각 열전소자의 열량이 점차적으로 커지는 구조로 되어 있다.The three thermoelectric elements have different capacities. The cooling unit 100 of the present embodiment has a structure in which the amount of heat of each thermoelectric element gradually increases from the heat transfer block 40 toward the water cooling block 52. [

각 열전소자(111,112,113)는 동일한 크기로 이루어지며, 내부에 구비된 반도체의 개수 및 배열 위치가 동일한 구조로 되어 있다. 다만, 각 열전소자에 구비된 반도체는 그 높이가 상이한 구조로 되어 있다. The thermoelectric elements 111, 112, and 113 have the same size, and the number and arrangement positions of the semiconductors included therein are the same. However, the semiconductor provided in each thermoelectric element has a different height.

즉, 도 13에 도시된 바와 같이, 가장 아래쪽에 배치된 열전소자(111)의 반도체 높이보다 그 위쪽에 배치된 열전소자(112)의 반도체 높이가 상대적으로 작고, 가장 위쪽에 배치된 열전소자(113)의 반도체 높이가 그보다 상대적으로 더 작다. That is, as shown in FIG. 13, the semiconductor height of the thermoelectric element 112 disposed above the semiconductor height of the thermoelectric element 111 disposed at the lowermost position is relatively small, and the height of the thermoelectric element 113 are relatively smaller.

이에, 각 열전소자의 크기와 반도체의 개수와 배치를 동일하게 형성하면서도, 적층되어 있는 각 열전소자의 저항 용량은 달라지게 된다. 즉, 적층되어 있는 각 열전소자의 반도체 크기를 달리함으로써, 가장 아래쪽의 열전소자에서 위쪽으로 갈수록 각 열전소자의 저항값은 점차적으로 줄게 된다.Therefore, the resistance capacity of each of the thermoelectric elements stacked is different even though the size and arrangement of the thermoelectric elements and the number of the semiconductors are the same. That is, by varying the semiconductor sizes of the stacked thermoelectric elements, the resistance value of each thermoelectric element gradually decreases toward the uppermost thermoelectric element.

각 열전소자에 있어, 열량은 구비된 반도체의 저항값에 따라 달라진다. 따라서, 본 실시예는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지하면서 각 열전소자의 열량을 달리할 수 있게 된다. In each thermoelectric element, the amount of heat depends on the resistance value of the semiconductor. Therefore, in this embodiment, the amount of heat of each thermoelectric element can be made different while keeping the size of each thermoelectric element the same.

이에, 본 실시예의 경우, 아래쪽에서부터 상대적으로 저용량의 열전소자(111), 상대적으로 중용량의 열전소자(112), 및 상대적으로 고용량의 열전소자(113))가 적층된다.Therefore, in the case of this embodiment, relatively low capacity thermoelectric elements 111, relatively large capacity thermoelectric elements 112, and relatively high capacity thermoelectric elements 113 are stacked from the lower side.

아래에서 위로 갈수록 각 열전소자의 반도체 크기를 줄여 열전소자의 열량을 보다 높임으로써, 보다 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.By lowering the semiconductor size of each thermoelectric element from the lower side to the upper side, the heat quantity of the thermoelectric element can be further increased, thereby realizing a lower temperature.

적층된 3개의 열전소자(111,112,113)는 중심부에 역시 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 3 개의 열전소자를 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. The stacked three thermoelectric elements 111, 112, and 113 have holes formed in the center thereof so that the fixing bolts 62 pass through the holes. The fixing bolt 62 passes through the three thermoelectric elements and is fastened between the water cooling block 52 and the heat transfer block 40.

이와 같이 3개의 열전소자를 적층하는 구조의 경우, 각 열전소자의 반도체 크기를 달리함으로써, 종래와 달리 적층되는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지할 수 있게 된다. 이에, 각 열전소자의 강성을 충분히 확보하여 중심부에 고정볼트(62) 체결을 위한 홀을 형성하더라도 구조적 강성 저하를 방지할 수 있게 된다. 따라서, 본 실시예의 경우 열전소자의 중심부를 관통하여 냉온유닛(100)을 조립할 수 있고, 이에, 강성을 충분히 확보하면서도 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화시킬 수 있게 된다. In the case of a structure in which three thermoelectric elements are laminated in this manner, by varying the semiconductor sizes of the thermoelectric elements, it is possible to keep the sizes of the thermoelectric elements stacked unlike the conventional one. Thus, even if the rigidity of each thermoelectric element is sufficiently secured and a hole for fastening the fixing bolt 62 is formed in the center portion, deterioration of the structural rigidity can be prevented. Accordingly, in the present embodiment, the cold / warm unit 100 can be assembled through the central portion of the thermoelectric device, and the size of the cold / warm unit 100 can be further reduced while ensuring sufficient rigidity.

도 14는 냉온유닛(100)의 다른 실시예로, 도 13에 도시된 실시예의 3개의 열전소자(111,112,113) 외에 별도의 최고용량 열전소자(121)가 추가로 구비된 구조를 나타내고 있다.FIG. 14 shows another embodiment of the cold / warm unit 100, in which a separate high capacity thermoelectric element 121 is additionally provided in addition to the three thermoelectric elements 111, 112 and 113 of the embodiment shown in FIG.

도 14의 실시예에 따른 냉온유닛(100)은 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 도 13에 기재된 구조의 열전소자(111,112,113)가 적층되며 그 위에 중간 서멀블럭(122)을 매개로 별도의 고용량 열전소자(121)가 적층된 구조로 되어 있다. 중간 서멀불럭(122) 아래에 배치된 열전소자(111,112,113)는 도 13에서 언급한 바와 같은 열전소자들과 같은 구조이다. 그 위에 적층되는 열전소자(121)는 하나의 반도체유닛만이 구비된 고용량의 열전소자이다. 고용량이라 함은 중간 서멀불럭 아래에 배치된 열전소자 중 가장 위쪽의 열전소자(113)와 비교하여 상대적으로 열량이 더 큰 것을 의미한다. 고용량의 열전소자(121) 역시 그 크기는 아래쪽에 배치된 열전소자들과 동일하다. 또한, 고용량의 열전소자(121) 중심부 및 중간 서멀블럭(122)에도 역시 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 4 개의 열전소자와 중간 서멀블럭을 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. 14, the thermoelectric elements 111, 112 and 113 having the structure shown in FIG. 13 are laminated between the water-cooling block 52 and the heat transfer block 40, and the intermediate thermal block 122 is interposed therebetween And a separate high-capacity thermoelectric element 121 is stacked. The thermoelectric elements 111, 112 and 113 disposed under the intermediate thermal anneal 122 have the same structure as the thermoelectric elements mentioned in FIG. A thermoelectric element 121 stacked thereon is a high-capacity thermoelectric element having only one semiconductor unit. The high capacity means that the amount of heat is relatively larger than that of the uppermost thermoelectric element 113 among the thermoelectric elements disposed under the intermediate thermal anneal. The high-capacity thermoelectric elements 121 are also the same size as the thermoelectric elements disposed at the bottom. A hole is also formed in the central portion of the high-capacity thermoelectric element 121 and the intermediate thermal block 122 so that the fixing bolt 62 is also passed therethrough. The fixing bolt (62) is fastened between the water cooling block (52) and the heat transfer block (40) through the four thermoelectric elements and the intermediate thermal block.

도 14에 도시된 냉온유닛(100)의 경우, 3개의 적층된 열전소자(111,112,113) 위에 또다른 고용량의 열전소자(121)를 설치함으로써, 아래쪽 열전소자에서 발생된 열을 그 위쪽에 배치된 고용량의 열전소자(121)가 추가로 방열시킬 수 있게 된다. 이에, 냉각 온도를 보다 더 낮출 수 있게 된다.In the case of the cold / warm unit 100 shown in FIG. 14, another high-capacity thermoelectric element 121 is provided on the three stacked thermoelectric elements 111, 112, and 113 so that heat generated in the lower thermoelectric element The thermoelectric element 121 of the heat exchanger can further radiate heat. Thus, the cooling temperature can be further lowered.

도 15는 냉온유닛의 또다른 실시예를 예시하고 있다.Fig. 15 illustrates another embodiment of the cold / warm unit.

도 15에 도시된 실시예의 냉온유닛(100)은, 동일한 열량을 갖는 복수개의 반도체유닛이 적층된 열전소자(131,132) 복수개가 적층되며, 각 열전소자(131,132)는 열량이 상이한 구조로 되어 있다.15, a plurality of thermoelectric elements 131 and 132 in which a plurality of semiconductor units having the same heat amount are stacked are stacked, and the thermoelectric elements 131 and 132 have a different heat amount.

수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 두 개의 열량이 상이한 열전소자(131,132)가 적층되며, 각 열전소자는 내부에 복수의 반도체유닛이 적층된 구조로 되어 있다. 두 개의 열전소자(131,132) 사이에 중간 서멀불럭(133)이 더 설치될 수 있다.The thermoelectric elements 131 and 132 having two heat amounts different from each other are stacked between the water cooling block 52 and the heat transfer block 40. Each thermoelectric element has a structure in which a plurality of semiconductor units are stacked. An intermediate thermal relay 133 may be further provided between the two thermoelectric elements 131 and 132.

도 15에서 2개의 열전소자가 적층된 구조가 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 열전소자는 3개 이상 구비될 수 있다. 냉온유닛(100)의 중심부에 고정볼트(62)가 관통하여 수냉블록(52), 두 개의 열전소자(131,132) 및 열전달블럭(40)을 체결 고정한다.In FIG. 15, a structure in which two thermoelectric elements are laminated is illustrated, but the present invention is not limited thereto, and three or more thermoelectric elements may be provided. The fixing bolt 62 passes through the center of the cooling / heating unit 100 to fix the water-cooling block 52, the two thermoelectric elements 131 and 132, and the heat transfer block 40.

각 열전소자(131,132)는 내부에 두 개의 반도체유닛(100)이 적층된 구조로 되어 있다. 반도체유닛의 개수는 두 개에 한정되지 않으며 3개 이상 구비될 수 있다. 반도체유닛(100)이 적층된 구조는 적층 개수만 상이할 뿐 도 11에서 설명된 바와 동일하므로 이하 반도체유닛의 적층 구조에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.Each of the thermoelectric elements 131 and 132 has a structure in which two semiconductor units 100 are stacked. The number of semiconductor units is not limited to two but may be three or more. The structure in which the semiconductor unit 100 is stacked is the same as that described in FIG. 11 only in the number of stacks, so that detailed description of the stacked structure of the semiconductor units will be omitted.

각 열전소자(131,132) 내부에 구비된 반도체유닛(100)의 반도체 개수나 배열은 동일하다. 또한, 각 열전소자 간에도 반도체 개수나 배열은 동일하다. The number and arrangement of the semiconductor units of the semiconductor units 100 provided in the thermoelectric elements 131 and 132 are the same. Also, the number and arrangement of semiconductors are the same among the thermoelectric elements.

적층된 2개의 열전소자(131,132)는 모두 중심부에 고정볼트(62)가 관통되도록 홀이 형성된다. 고정볼트(62)는 2개의 열전소자(131,132)를 관통하여 수냉블록(52)과 열전달블럭(40) 사이에 체결된다. The two stacked thermoelectric elements 131 and 132 are all formed with holes through which the fixing bolts 62 pass. The fixing bolt 62 passes through the two thermoelectric elements 131 and 132 and is fastened between the water cooling block 52 and the heat transfer block 40.

이와 같이 종래와 달리 적층되는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지할 수 있게 된다. 이에, 각 열전소자의 강성을 충분히 확보하여 중심부에 고정볼트(62) 체결을 위한 홀을 형성하더라도 구조적 강성 저하를 방지할 수 있게 된다. 따라서, 본 실시예의 경우 열전소자의 중심부를 관통하여 냉온유닛(100)을 조립할 수 있고, 이에, 강성을 충분히 확보하면서도 냉온유닛(100)의 크기를 보다 소형화시킬 수 있게 된다. As described above, it is possible to keep the sizes of the thermoelectric elements stacked to be the same, unlike the related art. Thus, even if the rigidity of each thermoelectric element is sufficiently secured and a hole for fastening the fixing bolt 62 is formed in the center portion, deterioration of the structural rigidity can be prevented. Accordingly, in the present embodiment, the cold / warm unit 100 can be assembled through the central portion of the thermoelectric device, and the size of the cold / warm unit 100 can be further reduced while ensuring sufficient rigidity.

본 실시예에서, 2개의 열전소자는 각각 용량이 상이하다. 본 실시예의 냉온유닛(100)은, 열전달블럭(40)에서 수냉블록(52)쪽으로 갈수록 각 열전소자의 열량이 커지는 구조로 되어 있다. 각 열전소자는 동일한 크기로 이루어지며, 내부에 구비된 반도체의 개수 및 배열 위치가 동일한 구조로 되어 있다. 다만, 각 열전소자에 구비된 반도체는 그 높이가 상이한 구조로 되어 있다. In this embodiment, the two thermoelectric elements have different capacities. The cooling unit 100 of the present embodiment has a structure in which the amount of heat of each thermoelectric element increases from the heat transfer block 40 toward the water cooling block 52. [ Each of the thermoelectric elements has the same size, and the number and arrangement positions of the semiconductors provided therein are the same. However, the semiconductor provided in each thermoelectric element has a different height.

즉, 도 15에 도시된 바와 같이, 중간 서멀블럭(133)을 사이에 두고 아래쪽에 배치된 열전소자(131)의 반도체 높이보다 그 위쪽에 배치된 열전소자(132)의 반도체 높이가 상대적으로 작다. That is, as shown in Fig. 15, the semiconductor height of the thermoelectric element 132 disposed above the semiconductor height of the thermoelectric element 131 disposed below the intermediate thermal block 133 is relatively small .

이에, 각 열전소자의 크기와 반도체의 개수와 배치를 동일하게 형성하면서도, 적층되어 있는 각 열전소자의 저항 용량은 달라지게 된다. 즉, 적층되어 있는 각 열전소자의 반도체 크기를 달리함으로써, 가장 아래쪽의 열전소자보다 위쪽에 배치된 열전소자가 저항값이 작다.Therefore, the resistance capacity of each of the thermoelectric elements stacked is different even though the size and arrangement of the thermoelectric elements and the number of the semiconductors are the same. That is, by varying the semiconductor sizes of the stacked thermoelectric elements, the thermoelectric elements disposed above the thermoelectric elements at the bottom are smaller in resistance value.

각 열전소자에 있어, 열량은 구비된 반도체의 저항값에 따라 달라진다. 따라서, 본 실시예는 각 열전소자의 크기를 동일하게 유지하면서 각 열전소자의 열량을 달리할 수 있게 된다. In each thermoelectric element, the amount of heat depends on the resistance value of the semiconductor. Therefore, in this embodiment, the amount of heat of each thermoelectric element can be made different while keeping the size of each thermoelectric element the same.

이에, 본 실시예의 경우, 중간 서멀블럭(133)을 기준으로 아래쪽에 상대적으로 저용량의 열전소자(131)가 배치되고 위쪽에 고용량의 열전소자(132)가 적층된다. 아래에서 위로 갈수록 각 열전소자의 반도체 크기를 줄여 열전소자의 열량을 보다 높임으로써, 보다 낮은 온도의 구현이 가능하게 된다.Thus, in the case of this embodiment, a thermoelectric element 131 having a relatively low capacity is disposed below and a thermoelectric element 132 with a high capacity is stacked on the lower side with respect to the intermediate thermal block 133. By lowering the semiconductor size of each thermoelectric element from the lower side to the upper side, the heat quantity of the thermoelectric element can be further increased, thereby realizing a lower temperature.

이하, 메모리모듈(M)에 냉열을 가해 저온 시험하는 경우를 예로써 설명한다.Hereinafter, a case where the memory module M is subjected to a low temperature test by applying cold heat will be described as an example.

열전소자(10)가 구동되어 열전소자(10) 내에 적층된 각 반도체유닛(20)의 반도체(13)로 전류가 흐르게 된다. 제1 반도체유닛(21)의 하부면은 상대적으로 저온 냉각되고, 제1 반도체유닛(21)이 접하고 있는 제1 열전달판(24)을 통해 메모리 모듈(M)에 냉기를 가하게 된다. The current flows to the semiconductor 13 of each semiconductor unit 20 stacked in the thermoelectric element 10 by driving the thermoelectric element 10. The lower surface of the first semiconductor unit 21 is cooled to a relatively low temperature and cold air is applied to the memory module M through the first heat transfer plate 24 to which the first semiconductor unit 21 is in contact.

제1 반도체유닛(21)의 상부면은 발열면으로 제2 반도체유닛(22)과의 열교환을 통해 방열되어 하부면과의 온도차를 유지한다.The upper surface of the first semiconductor unit 21 is heat-dissipated through the heat exchange with the second semiconductor unit 22 by the heat-generating surface to maintain the temperature difference with the lower surface.

제2 반도체유닛(22)의 하부면은 상대적으로 저온 냉각되고, 제2 반도체유닛(22) 하부면과 접하고 있는 중간 열전달판(28)을 통해 제1 반도체유닛(21)의 상부면에 냉기를 가한다. 이에, 제1 반도체유닛(21)의 상부면이 제2 반도체유닛(22)에 의해 방열되면서 냉각된다.The lower surface of the second semiconductor unit 22 is cooled to a relatively low temperature and the cool air is supplied to the upper surface of the first semiconductor unit 21 through the intermediate heat transfer plate 28 in contact with the lower surface of the second semiconductor unit 22. [ . Thus, the upper surface of the first semiconductor unit 21 is cooled while being radiated by the second semiconductor unit 22.

제2 반도체유닛(22)의 상부면은 발열면으로 제3 반도체유닛(23)과의 열교환을 통해 방열되어 하부면과의 온도차를 유지한다. 제3 반도체유닛(23)의 하부면은 상대적으로 저온 냉각되고, 제3 반도체유닛(23) 하부면과 접하고 있는 중간 열전달판(28)을 통해 제2 반도체유닛(22)의 상부면에 냉기를 가한다. 이에, 제2 반도체유닛(22)의 상부면이 제3 반도체유닛(23)에 의해 방열되면서 냉각된다.The upper surface of the second semiconductor unit 22 is heat-dissipated through the heat exchange with the third semiconductor unit 23 to maintain the temperature difference with the lower surface. The lower surface of the third semiconductor unit 23 is cooled to a relatively low temperature and the cool air is supplied to the upper surface of the second semiconductor unit 22 through the intermediate heat transfer plate 28 in contact with the lower surface of the third semiconductor unit 23. [ . Thus, the upper surface of the second semiconductor unit 22 is cooled while being radiated by the third semiconductor unit 23.

제3 반도체유닛(23)의 상부면은 발열면으로 제2 열전달판(26)에 설치되어 있는 수냉블록(52)을 통해 방열 처리된다.The upper surface of the third semiconductor unit 23 is heat-treated through the water-cooling block 52 provided on the second heat transfer plate 26 as a heat generating surface.

이와 같이, 본 실시예에서는 하나의 열전소자(10) 내에서 일측 반도체유닛 상에 또 다른 반도체유닛이 적층되어 열교환됨으로써, 최종적으로 보다 저온의 냉기를 신속하게 가할 수 있게 된다.As described above, in this embodiment, another semiconductor unit is stacked and heat-exchanged on one semiconductor unit in one thermoelectric element 10, so that cold air at a lower temperature can be applied quickly.

비교항목Compare 비교예Comparative Example 실시예Example 비고Remarks 최저온도Minimum temperature -45℃-45 ° C -65℃-65 ° C -21℃ 차이-21 ℃ difference 전력사용량Power consumption 170W170W 100W100W 40% 절감40% reduction 크기size 8×8×6cm8 x 8 x 6 cm 5×5×5cm5 × 5 × 5cm 32% 축소32% reduction 용적volume 384384 125125 온도하강속도Temperature falling speed 23분23 minutes 11분11 minutes 50% 단축50% reduction

본 실시예에 따라 제조된 냉온유닛의 특성을 종래와 비교하여 실험하였다.The characteristics of the cold / warm unit manufactured according to the present embodiment were compared with those of the prior art.

표 1에서 실시예는 언급한 바와 같이 본 실시예에 따른 열전소자를 구비한 냉온유닛에 대한 실험 결과를 나타내고 있고, 비교예는 종래 기술에 따라 복수개의 열전소자가 적층된 냉온유닛에 대한 실험 결과를 나타내고 있다.Table 1 shows experimental results of the cold / warm unit having the thermoelectric device according to the present embodiment as mentioned above, and the comparative example shows the result of the experiment on the cold / hot unit in which a plurality of thermoelectric elements are stacked according to the related art Respectively.

본 실험에서 비교예의 냉온유닛에는 50×50mm 크기의 121W급(DC24V, 6A) 열전소자 1개와 30×30mm 크기의 50W(DC12V, 4A) 열전소자 1개로 모두 2개의 열전소자가 적층되었다.In this experiment, two thermoelectric elements were stacked in the cold / warm unit of the comparative example, one thermoelectric device of 121W class (DC 24V, 6A) of 50 × 50 mm and one thermoelectric device of 50W (DC 12V, 4A) of 30 × 30 mm size.

실시예의 냉온유닛에는 40×40mm 크기의 102W 급(DC12V, 8.5A)의 열전소자 하나가 사용되었다.In the cooling / heating unit of the embodiment, one thermoelectric element of 102W class (DC12V, 8.5A) having a size of 40 x 40 mm was used.

표 1에 나타낸 바와 같이 실험 결과, 비교예의 경우 최대 -45℃의 온도를 가할 수 있는 데 반해, 실시예의 경우 -65℃로 보다 온도를 낮출 수 있음을 확인할 수 있다. 전력 사용량에 있어서도, 실시예는 비교예와 비교하여 약 40%의 전력 절감 효과를 얻을 수 있고, 크기 역시 비교예보다 더 줄일 수 있음을 알 수 있다.As shown in Table 1, it can be confirmed that the maximum temperature of -45 ° C can be applied to the comparative example, while the temperature can be lowered to -65 ° C in the embodiment. As for power consumption, it can be seen that the power saving effect of the embodiment is about 40% as compared with the comparative example, and the size can be further reduced as compared with the comparative example.

표 1의 비교 항목 중 온도하강속도는 온도를 -40℃에서 125℃로 상승시킨 후 다시 -40℃로 하락시키는 1사이클에 걸리는 시간을 측정하는 항목이다. 온도하강속도에 있어서도, 실시예는 비교예보다 50% 이상 빠른 하강 속도를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.Among the comparative items in Table 1, the temperature lowering rate is an item for measuring the time taken for one cycle of raising the temperature from -40 ° C to 125 ° C and then decreasing the temperature to -40 ° C again. It can also be seen that, in terms of the temperature lowering speed, the lowering rate of the embodiment is 50% or more faster than that of the comparative example.

이상 설명한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예가 도시되어 설명되었지만, 다양한 변형과 다른 실시예가 본 분야의 숙련된 기술자들에 의해 행해질 수 있을 것이다. 이러한 변형과 다른 실시예들은 첨부된 청구범위에 모두 고려되고 포함되어 본 발명의 진정한 취지 및 범위를 벗어나지 않는다 할 것이다.While the illustrative embodiments of the present invention have been shown and described, various modifications and alternative embodiments may be made by those skilled in the art. These variations and other embodiments are to be considered and included in the appended claims so as not to depart from the true spirit and scope of the invention.

1 : 냉온모듈 2 : 작업모듈
10 : 열전소자 12 : 체결홀
13 : 반도체 16 : 상부전극
17 : 하부전극 20 : 반도체유닛
21 : 제1 반도체유닛 22 : 제2 반도체유닛
23 : 제3 반도체유닛 24 : 제1 열전달판
26 : 제2 열전달판 28 : 중간 열전달판
30 : 실링부재 36 : 코팅층
40 : 열전달블럭 42 : 암나사홀
41 : 판부 43 : 단부
44 : 온도센서 46,47 : 커넥터
48,78 : 스토퍼 50 : 방열부
52 : 수냉블록 62 : 고정볼트
64 : 탄성부재 70 : 연결볼트
72 : 탄성스프링 74 : 가이드핀
76 : 가이드홀더 100: 냉온유닛
200: 지지판 210: 접속부
220: 측면덮개 230: 공급관
240: 커버 300: 베이스프레임
310: 이동부 312: 지지부재
314: 수직구동부 318: 가이드바
320: 수평이동부 322 : 레일
324 : 이동대차 326 : 수평구동부
1: cold module 2: work module
10: thermoelectric element 12: fastening hole
13: semiconductor 16: upper electrode
17: lower electrode 20: semiconductor unit
21: first semiconductor unit 22: second semiconductor unit
23: third semiconductor unit 24: first heat transfer plate
26: second heat transfer plate 28: intermediate heat transfer plate
30: sealing member 36: coating layer
40: heat transfer block 42: female thread hole
41: plate portion 43: end portion
44: Temperature sensor 46, 47: Connector
48, 48: stopper 50:
52: water cooling block 62: fixing bolt
64: elastic member 70: connecting bolt
72: Elastic spring 74: Guide pin
76: Guide holder 100: Cooling unit
200: support plate 210:
220: side cover 230: supply pipe
240: Cover 300: Base frame
310: moving part 312: supporting member
314 Vertical drive 318 Guide bar
320: horizontal moving part 322: rail
324: Moving truck 326:

Claims (20)

검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 냉온유닛을 포함하고,
냉온유닛은 냉온에너지를 발생하는 열전소자, 열전소자의 일면에 설치되어 검사 대상체에 냉기나 열기를 가하는 열전달블럭, 열전소자의 타면에 설치되어 열전소자와 열전달이 이루어지는 방열부, 및 상기 열전소자와 방열부 및 열전달블럭을 결합하는 결합부를 포함하고,
상기 결합부는 상기 방열부와 열전소자의 전면에 형성된 홀을 관통하여 상기 열전달블럭에 체결되고 열전소자와 방열부 및 열전달블럭 사이를 고정하는 고정볼트, 및 상기 고정볼트와 방열부 사이에 탄력적으로 설치되는 탄성부재를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
And a cold / warm unit for applying cold / hot energy to the object to be inspected,
The cooling / heating unit includes a thermoelectric element for generating cold / hot energy, a heat transfer block provided on one surface of the thermoelectric element for applying cool air or heat to the object to be inspected, a heat dissipating portion provided on the other surface of the thermoelectric element, And a coupling portion for coupling the heat dissipation portion and the heat transfer block,
The coupling portion includes a fixing bolt which penetrates a hole formed in a front surface of the heat dissipating portion and the thermoelectric element and is fastened to the heat transfer block and fixes the thermoelectric element to the heat dissipating portion and the heat transfer block, Wherein the elastic member is made of an elastic material.
제 1 항에 있어서,
상기 열전소자는, 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체와 상기 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극 및 하단전극을 포함하는 반도체유닛, 상기 반도체유닛의 외측에 접합되는 제1 열전달판과 제2 열전달판, 및 상기 제1 열전달판과 제2 열전달판 선단 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재를 포함하고, 상기 반도체유닛은 제1 열전달판과 제2 열전달판 사이에서 복수개가 적층되고, 각 반도체유닛 사이에 중간 열전달판이 설치된 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.
The method according to claim 1,
Wherein the thermoelectric element includes a semiconductor unit including a plurality of semiconductors arranged at intervals and an upper electrode and a lower electrode electrically connected to the semiconductor in a pattern set at an upper end and a lower end of the semiconductor, And a sealing member sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate and sealing the inside between the first heat transfer plate and the second heat transfer plate, And an intermediate heat transfer plate is provided between each of the semiconductor units.
제 2 항에 있어서,
상기 냉온유닛은 적어도 두 개 이상의 열전소자가 적층되고, 상기 각 열전소자는 동일한 크기로 이루어지고, 상기 열전달블럭에서 상기 방열부로 갈수록 각 열전소자의 반도체의 높이가 점차 감소하는 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the cooling / heating unit has a structure in which at least two thermoelectric elements are stacked, each of the thermoelectric elements has the same size, and the height of the semiconductor of each thermoelectric element gradually decreases from the heat-conducting block to the heat- Device.
제 3 항에 있어서,
상기 냉온유닛은 열전소자 사이에 설치되는 적어도 하나의 중간서멀블럭을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
The method of claim 3,
Wherein the cooling / heating unit further comprises at least one intermediate thermal block installed between the thermoelectric elements.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 반도체유닛의 반도체의 크기가 점차 감소하는 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.
3. The method of claim 2,
Wherein a size of the semiconductor of each semiconductor unit gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
제 5 항에 있어서,
상기 각 반도체유닛의 반도체는 제1 열전달판에서 제2 열전달판으로 갈수록 각 높이가 점차 감소하는 구조의 메모리 모듈 온도 검사장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the height of the semiconductor of each semiconductor unit gradually decreases from the first heat transfer plate to the second heat transfer plate.
제 6 항에 있어서,
상기 냉온유닛은 상기 열전소자 상에 적층되는 상대적으로 고용량의 열전소자를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
The method according to claim 6,
Wherein the cold / warm unit further comprises a relatively high capacity thermoelectric device stacked on the thermoelectric module.
제 1 항에 있어서,
상기 방열부는 내부에 냉각수가 순환되는 수냉블럭을 포함하고, 상기 수냉블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
The method according to claim 1,
Wherein the heat dissipation unit includes a water-cooled block in which cooling water is circulated, and the water-cooled block includes a stopper protruding from at least one end of a surface of the thermocouple in contact with the thermocouple, .
제 1 항에 있어서,
상기 열전달블럭은 상기 열전소자가 접하는 면의 적어도 일측 선단에 돌출 형성되어 상기 열전소자 측단 위치를 규제하는 스토퍼를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
The method according to claim 1,
Wherein the heat transfer block includes a stopper protruding from at least one end of a surface of the thermoelectric element on which the thermoelectric element is in contact and regulating a position of the thermoelectric device on the side of the thermoelectric element.
제 1 항에 있어서,
상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 사각뿔 형태를 이루는 메모리 모듈 온도 검사장치.
The method according to claim 1,
Wherein the heat transfer block includes a plate portion that is in contact with the thermoelectric element and an end portion that protrudes outward from the plate portion and is in contact with the inspection object, and the plate portion has a quadrangular pyramid shape.
제 1 항에 있어서,
상기 열전달블럭은 상기 열전소자에 접하는 판부, 및 상기 판부에서 외측으로 돌출 형성되며 검사 대상체에 접하는 단부를 포함하고, 상기 판부는 반구 형태를 이루는 메모리 모듈 온도 검사장치.
The method according to claim 1,
Wherein the heat transfer block includes a plate portion in contact with the thermoelectric element and an end portion protruding outward from the plate portion in contact with the inspection object, and the plate portion has a hemispherical shape.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
베이스프레임 상에 설치되고 표면에 적어도 하나 이상의 검사 대상체가 배치된 작업모듈, 상기 작업모듈로 이동되어 작업모듈에 배치된 검사 대상체에 냉온에너지를 가하는 적어도 하나 이상의 상기 냉온유닛을 구비한 냉온모듈, 및 상기 작업모듈에 대해 상기 냉온모듈을 이동시켜 냉온모듈을 작업모듈에 결합 또는 분리시키기 위한 이동부를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
12. The method according to any one of claims 1 to 11,
A cold module installed on the base frame and having at least one or more inspection objects disposed on the surface thereof, at least one or more cooling / heating units moved to the operation module and applying cold energy to the inspection objects disposed in the operation module, And a moving unit for moving the cold / hot module relative to the work module to couple or separate the cold / hot module to or from the work module.
제 12 항에 있어서,
상기 냉온모듈은, 적어도 하나 이상의 냉온유닛이 착탈가능하게 장착되는 지지판, 상기 지지판에 설치되고 각 냉온 유닛과 개별적으로 탈착가능하게 연결되는 접속부, 및 상기 지지판의 둘레를 따라 설치되어 냉온유닛과 검사 대상체 사이 공간을 감싸는 측면덮개를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
13. The method of claim 12,
The cold / hot module includes a support plate on which at least one or more cooling / heating units are detachably mounted, a connection unit that is installed on the support plate and detachably connected to each of the cooling / heating units individually, And a side cover surrounding the space.
제 13 항에 있어서,
상기 측면덮개 내측으로 연장 설치되고, 상기 냉온 유닛과 검사 대상체 사이로 크린 에어를 분사하는 홀이 형성된 공급관을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
14. The method of claim 13,
Further comprising a supply pipe extending inside the side cover and having a hole for injecting clean air between the cold / warm unit and the inspection object.
제 13 항에 있어서,
상기 방열부와 상기 지지판 사이에 체결되는 연결볼트, 및 상기 연결볼트에 끼워져 상기 지지판과 방열부 사이에 탄력 설치되는 탄성스프링을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
14. The method of claim 13,
A connection bolt fastened between the heat dissipating unit and the support plate, and an elastic spring inserted between the support plate and the heat dissipation unit.
제 13 항에 있어서,
상기 지지판에 형성되는 적어도 하나 이상의 가이드핀, 및 상기 방열부에 형성되어 상기 가이드핀이 삽입되는 가이드홀을 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
14. The method of claim 13,
At least one guide pin formed on the support plate, and a guide hole formed in the heat dissipation unit and into which the guide pin is inserted.
제 12 항에 있어서,
상기 베이스프레임에 설치되어 상기 작업모듈을 상기 냉온모듈 위치로 이동시키기 위한 수평이동부를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
13. The method of claim 12,
And a horizontal movement unit installed on the base frame for moving the work module to the cold / hot module position.
제 17 항에 있어서,
상기 이동부는 베이스프레임에 설치되는 지지부재, 및 상기 지지부재에 설치되고 상기 냉온모듈에 연결되어 냉온모듈을 상하로 이동시키는 수직구동부를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
18. The method of claim 17,
Wherein the moving unit includes a supporting member provided on the base frame and a vertical driving unit installed on the supporting member and connected to the cooling module to move the cooling module vertically.
제 18 항에 있어서,
상기 이동부는 상기 냉온모듈에 설치되고 상부로 연장되는 적어도 하나 이상의 가이드바, 및 상기 지지부재에 형성되고 상기 가이드바가 삽입되어 안내되는 가이드홀더를 더 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
19. The method of claim 18,
Wherein the moving unit further includes at least one guide bar installed on the cold / hot module and extending upward, and a guide holder formed on the support member and guided by the guide bar inserted therein.
제 17 항에 있어서,
상기 수평이동부는 상기 작업모듈이 설치되고 베이스프레임을 따라 수평으로 연장된 레일을 따라 이동되는 이동대차, 및 상기 이동대차를 이동시키기 위한 수평구동부를 포함하는 메모리 모듈 온도 검사장치.
18. The method of claim 17,
Wherein the horizontal moving part includes a moving truck installed with the work module and moved along a rail horizontally extending along the base frame, and a horizontal driving part moving the moving truck.
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