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KR101976433B1 - The light emitting device package and the light emitting system - Google Patents

The light emitting device package and the light emitting system Download PDF

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KR101976433B1
KR101976433B1 KR1020120003782A KR20120003782A KR101976433B1 KR 101976433 B1 KR101976433 B1 KR 101976433B1 KR 1020120003782 A KR1020120003782 A KR 1020120003782A KR 20120003782 A KR20120003782 A KR 20120003782A KR 101976433 B1 KR101976433 B1 KR 101976433B1
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light emitting
lead frame
emitting device
light
device package
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곽동윤
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광소자 패키지에 대한 것으로, 이 장치는 개방 영역을 가지는 몸체, 상기 개방 영역 내에 제1 캐비티 및 제2 캐비티를 가지는 제1 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임과 마주보는 제2 리드 프레임, 그리고 상기 제1 및 제2 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되어 있는 복수의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다. 따라서, 하나의 리드 프레임에 2개의 실장홈을 형성하고, 각각의 실장홈에 발광 소자를 실장하면서, 실장홈 사이에 경계가 형성되지 않아, 장변을 가지는 발광소자 패키지의 강성이 향상된다. 또한, 장변을 가지는 발광소자 패키지의 상기 실장홈의 경사각을 제어하여 발광 소자가 일측으로 치우쳐 배치되더라도 패키지에서 출력하는 빛을 패키지의 중앙 영역으로 모아서 출력할 수 있다. The present invention relates to a light emitting device package comprising a body having an open area, a first lead frame having a first cavity and a second cavity in the open area, a second lead frame facing the first lead frame, And a plurality of light emitting devices disposed in the first and second cavities and electrically connected to the first and second lead frames. Therefore, two mounting grooves are formed in one lead frame, and a light emitting element is mounted in each mounting groove, so that no boundary is formed between the mounting grooves, and the rigidity of the light emitting device package having the long side is improved. In addition, even if the light emitting devices are disposed at one side by controlling the inclination angle of the mounting grooves of the light emitting device package having the long side, the light output from the package can be collected and outputted to the central region of the package.

Description

발광소자 패키지 및 조명 장치{The light emitting device package and the light emitting system}[0001] The present invention relates to a light emitting device package and a light emitting device,

본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) can be made of a compound semiconductor material such as GaAs-based, AlGaAs-based, GaN-based, InGaN-based, and InGaAlP-based.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 이용되고 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is used as a light emitting device package that is packaged and emits various colors, and the light emitting device package is used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a character indicator, and an image indicator.

실시예는 새로운 구조를 가지는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시예는 강성이 향상되는 리드 프레임을 가지는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a lead frame with improved rigidity.

실시예는 개방 영역을 가지는 몸체, 상기 개방 영역 내에 제1 캐비티 및 제2 캐비티를 가지는 제1 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임과 마주보는 제2 리드 프레임, 그리고 상기 제1 및 제2 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되어 있는 복수의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다. An embodiment includes a body having an open area, a first lead frame having a first cavity and a second cavity in the open area, a second lead frame facing the first lead frame, and a second lead frame disposed in the first and second cavities And a plurality of light emitting devices electrically connected to the first and second lead frames.

본 발명에 따르면, 발광소자 패키지에 있어서, 하나의 리드 프레임에 2개의 실장홈을 형성하고, 각각의 실장홈에 발광 소자를 실장하면서, 실장홈 사이에 경계가 형성되지 않아, 장변을 가지는 발광소자 패키지의 강성이 향상된다.According to the present invention, in the light emitting device package, two mounting grooves are formed in one lead frame and a light emitting element is mounted in each mounting groove, no boundary is formed between the mounting grooves, The rigidity of the package is improved.

또한, 장변을 가지는 발광소자 패키지의 상기 실장홈의 경사각을 제어하여 발광 소자가 일측으로 치우쳐 배치되더라도 패키지에서 출력하는 빛을 패키지의 중앙 영역으로 모아서 출력할 수 있다. In addition, even if the light emitting devices are disposed at one side by controlling the inclination angle of the mounting grooves of the light emitting device package having the long side, the light output from the package can be collected and outputted to the central region of the package.

그리고 상기 경사각을 제어하여 리드 프레임의 면적을 줄임으로써 패키지를 소형화할 수 있다.By reducing the area of the lead frame by controlling the inclination angle, the size of the package can be reduced.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면도이다.
도 5는 도 4의 발광소자 패키지를 Ⅱ-Ⅱ'로 절단한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 taken along line I-I '.
3 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG.
4 is a top view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 4 taken along line II-II '.
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention.
7 is a view illustrating a display device including the light emitting device package of the present invention.
8 is a view showing an example of a lighting device including the light emitting device package of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when an element is referred to as " comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'로 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자의 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross- .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 몸체(210), 캐비티(240)를 갖는 제1리드 프레임(230) 및 제2 리드 프레임(240), 복수의 발광 소자(100), 및 와이어들(222)을 포함한다.1 to 3, the light emitting device package 200 includes a body 210, a first lead frame 230 having a cavity 240, a second lead frame 240, a plurality of light emitting devices 100, , And wires (222).

상기 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 210 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board Can be formed. Preferably, the body 210 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(210)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(210)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(210)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(210)가 제1 리드 프레임(230), 및 제2 리드 프레임(240)와 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(210)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(200)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 210 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 210 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 210 so that the body 210 is connected to the first lead frame 230 and the second lead frame 240 And can be configured to prevent electrical shorting. The perimeter shape of the body 210 viewed from above may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device package 200.

상기 몸체(210)의 상면은 도 2와 같이 직사각형의 형상을 가질 수 있으며, 몸체(210)는 복수의 발광 소자(100)가 배치되도록 개방 영역(215)를 포함한다.The upper surface of the body 210 may have a rectangular shape as shown in FIG. 2, and the body 210 may include an open area 215 in which a plurality of light emitting devices 100 are disposed.

상기 개방 영역(215)은 몸체(210) 상면으로부터 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다.The open area 215 includes a concave shape, for example, a cup shape or a recess shape from the upper surface of the body 210.

상기 제1 리드 프레임(230)은 제1 캐비티(235) 및 제2 캐비티(236)를 포함하며, 상기 제1 및 제2 캐비티(235, 236)는 상기 제1 리드 프레임(230)의 상면으로부터 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제1 리드 프레임(230)의 제1 및 제2 캐비티(235, 236)는 상기 몸체(210)의 장변을 따라 연속적으로 형성되어 있다.The first lead frame 230 includes a first cavity 235 and a second cavity 236. The first and second cavities 235 and 236 extend from the upper surface of the first lead frame 230 For example, a cup shape or a recess shape. The first and second cavities 235 and 236 of the first lead frame 230 are continuously formed along the long side of the body 210.

상기 개방 영역(215)의 아래에 제1 리드 프레임(230)의 제1 및 제2 캐비티(235, 236)가 배치된다. The first and second cavities 235 and 236 of the first lead frame 230 are disposed under the open area 215. [

상기 제1 리드 프레임(230)은 상기 제1 및 제2 캐비티(235, 236)의 바닥면을 형성하는 바닥부(231), 상기 바닥부(231)로부터 연장되며, 상기 캐비티(235, 236)의 측면을 형성하는 측면부(233, 237), 상기 바닥부(231)와 평행하게 형성되며, 상기 측면부(233, 237)로부터 연장되는 상면부(234, 239)를 포함한다.The first lead frame 230 includes a bottom portion 231 forming a bottom surface of the first and second cavities 235 and 236 and a plurality of cavities 235 and 236 extending from the bottom portion 231, And upper surfaces 234 and 239 formed parallel to the bottom 231 and extending from the side surfaces 233 and 237.

또한, 상기 제1 리드 프레임(230)은 상기 제1 및 제2 캐비티(235, 236) 사이를 연장하는 연결부(238)를 포함한다.In addition, the first lead frame 230 includes a connection portion 238 extending between the first and second cavities 235 and 236.

상기 연결부(238)는 상기 상면부(234, 239)와 동일한 높이에 형성될 수 있으나, 이와 달리 상기 상면부(234, 239)와 상기 바닥부(231) 사이의 높이를 가질 수도 있다.The connection portion 238 may be formed at the same height as the upper surface portions 234 and 239 but may have a height between the upper surface portions 234 and 239 and the bottom portion 231.

상기 제1 캐비티(235)와 연장되는 상기 상면부(234)는 몸체(210)의 단변을 통해 외부로 돌출되어 단자를 형성할 수 있다.The first cavity 235 and the upper surface portion 234 may protrude outward through a short side of the body 210 to form a terminal.

상기 바닥부(231)의 배면은 상기 몸체(210)부의 바닥면으로 노출되어 패드를 형성한다.The bottom surface of the bottom part 231 is exposed to the bottom surface of the body 210 to form a pad.

또한 상기 상면부(234, 239)에 상기 발광 소자(100)를 전기적으로 연결하는 와이어(222)가 연결된다.A wire 222 electrically connecting the light emitting device 100 is connected to the top surfaces 234 and 239.

상기 측면부(233, 237)는 상기 캐비티(235, 236)의 상부와 하부의 면적 차에 따라 경사를 가진다.The side portions 233 and 237 are inclined according to the difference in area between the upper portion and the lower portion of the cavities 235 and 236.

상기 제2 리드 프레임(240)은 캐비티를 가지지 않고, 제1 리드 프레임(230)의 상면부(234, 239)와 동일한 높이를 가지며, 제1 리드 프레임(230)의 상면부(235, 236)와 대응하는 평편한 면을 포함한다.The second lead frame 240 has no cavity and has the same height as the upper surface portions 234 and 239 of the first lead frame 230. The upper surface portions 235 and 236 of the first lead frame 230, And a corresponding flat surface.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)이 서로 다른 형상을 가지며, 상기 제2 리드 프레임(240)이 개방 영역(215) 내에서 차지하는 면적은 제1 리드 프레임(230)의 상면부(234, 239)가 차지하는 면적과 동일할 수 있으며, 상기 제2 리드 프레임(240)은 상기 몸체(210)의 단변을 통해 외부로 돌출되는 단자를 포함한다.The first and second lead frames 230 and 240 have different shapes and the area occupied by the second lead frame 240 in the open region 215 is larger than that of the first lead frame 230. [ And the second lead frame 240 includes a terminal protruding outwardly through a short side of the body 210. [

상기 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240) 사이의 이격 공간에는 상기 몸체(210)가 노출되어 있으며, 상기 이격 공간에는 상기 몸체(210)로부터 돌출되어 있는 몸체돌기(212)가 형성될 수 있다.The body 210 is exposed in a space between the first and second lead frames 230 and 240 and a body protrusion 212 protruding from the body 210 may be formed in the space. have.

도 1 및 도 2와 같이 2개의 캐비티(235, 236)를 하나의 리드 프레임(230) 상에 형성함으로써 상기 몸체돌기(212)가 발광소자 패키지(200)의 일측으로 치우쳐져 형성된다. 따라서, 일변이 긴 직사각형의 형상을 가지는 발광소자 패키지(200)에서 장력에 의해 휨이 발생할 때, 중앙 영역에서 분리되는 것을 방지할 수 있다.The two body cavities 235 and 236 are formed on one lead frame 230 so that the body protrusions 212 are biased toward one side of the light emitting device package 200 as shown in FIGS. Therefore, in the light emitting device package 200 having a long rectangular shape, it is possible to prevent the light emitting device package 200 from being separated from the central region when a warp occurs due to tension.

한편, 상기 제1 및 제2 캐비티(235, 236)의 측면부(233, 237)에는 반사층(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있으며, 상기 반사층은 복수의 패턴을 갖도록 형성될 수 있다.
A reflective layer (not shown) may be further formed on the side portions 233 and 237 of the first and second cavities 235 and 236, and the reflective layer may have a plurality of patterns.

상기 제1 및 제2 캐비티(235,236)에는 적어도 하나의 발광 소자(100)가 각각 배치되며, 상기 발광 소자(100)는 상기 캐비티(240)의 바닥부(231)에 부착되고, 와이어(222)로 각각 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)과 연결된다. 상기 발광 소자(100)는 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 동일한 피크 파장의 광을 방출하거나, 서로 다른 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 소자(100) 는 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.At least one light emitting device 100 is disposed in each of the first and second cavities 235 and 236. The light emitting device 100 is attached to a bottom portion 231 of the cavity 240, To the first and second lead frames 230 and 240, respectively. The light emitting device 100 can selectively emit light in the ultraviolet band to a wavelength range of the visible light band, emit light having the same peak wavelength, or emit light having different peak wavelengths. The light emitting device 100 may include at least one of an LED chip using a Group III-V compound semiconductor such as an ultraviolet (UV) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, and a red LED chip .

상기 발광 소자(100)는 상기 발광소자 패키지(100)의 설계에 따라 적어도 하나가 상기 몸체(210) 상에 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)가 복수 개 탑재된 경우, 복수 개의 발광소자 패키지(100)에 전원을 공급하는 복수 개의 리드 프레임 및 복수 개의 반사층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one light emitting device 100 may be mounted on the body 210 according to the design of the light emitting device package 100. When a plurality of the light emitting device packages 100 are mounted, a plurality of lead frames and a plurality of reflective layers for supplying power to the plurality of light emitting device packages 100 may be formed, but the present invention is not limited thereto.

발광 소자(100)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 리드 프레임 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting device 100 may be mounted by selectively using wire bonding, die bonding, and flip bonding. The bonding method may be changed depending on the chip type and the position of the lead frame of the chip.

발광 소자(100)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다.  The light emitting device 100 may include a semiconductor light emitting device manufactured using a semiconductor of a group III or V group compound semiconductor such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP or InGaAs have.

도 2와 같이, 상기 발광 소자(100)는 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)에 접착제로 부착되고, 와이어(222)로 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)에 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 2, the light emitting device 100 is attached to the first and second lead frames 230 and 240 with an adhesive, and electrically connected to the first and second lead frames 230 and 240 with wires 222 Can be connected.

발광 소자(100)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다. The light emitting device 100 may include a semiconductor light emitting device manufactured using a semiconductor of a group III or V group compound semiconductor such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP or InGaAs have.

도 3을 참고하면, 발광 소자(100)는 기판(251), 제1도전형 반도체층(253), 활성층(255), 제2도전형 반도체층(257), 전극층(259)을 포함한다.3, the light emitting device 100 includes a substrate 251, a first conductive semiconductor layer 253, an active layer 255, a second conductive semiconductor layer 257, and an electrode layer 259.

상기 기판(251)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(251)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(251)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판(251)의 두께는 30㎛~300㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 251 may be made of a light-transmitting, insulating or conductive substrate. For example, the substrate 251 may be made of a material such as sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , LiGaO 3 May be used. A plurality of protrusions may be formed on the upper surface of the substrate 251, and the plurality of protrusions may be formed through etching of the substrate 251, or may be formed of a light extraction structure such as a separate roughness. The protrusions may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The thickness of the substrate 251 may be in the range of 30 탆 to 300 탆, but is not limited thereto.

상기 기판(251) 위에는 버퍼층(도시하지 않음)이 형성되며, 상기 버퍼층은 2족 내지 6족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.A buffer layer (not shown) may be formed on the substrate 251, and the buffer layer may be formed of at least one layer using a Group 2 to Group 6 compound semiconductor. The buffer layer includes a semiconductor layer using a Group III-V compound semiconductor, for example, In x Al y Ga 1 -xy N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1) And at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer may be formed in a superlattice structure by alternately arranging different semiconductor layers.

상기 버퍼층은 상기 기판(251)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(251)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. The buffer layer may be formed to mitigate the difference in lattice constant between the substrate 251 and the nitride-based semiconductor layer, and may be defined as a defect control layer. The buffer layer may have a value between a lattice constant between the substrate 251 and a nitride-based semiconductor layer.

상기 버퍼층 위에는 제1도전형 반도체층(253)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(253)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 nxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(253)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. A first conductive semiconductor layer 253 may be formed on the buffer layer. The first conductive semiconductor layer 253 is formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant, for example, n x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). When the first conductivity type semiconductor layer 253 is an N-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant is an N-type dopant including Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 버퍼층과 상기 제1도전형 반도체층(253) 사이에는 반도체층이 형성되며, 상기 반도체층은 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 Å이상으로 형성될 수 있다.A semiconductor layer may be formed between the buffer layer and the first conductive semiconductor layer 253 and the semiconductor layer may be formed in a superlattice structure in which first and second layers are alternately arranged, The thickness of the first layer and the second layer may be greater than a few angstroms.

상기 제1도전형 반도체층(253)과 상기 활성층(255) 사이에는 제1도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(255)의 장벽층의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first conductive clad layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 253 and the active layer 255. The first conductive clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and its band gap may be formed to be equal to or larger than a band gap of the barrier layer of the active layer 255. The first conductive type cladding layer serves to constrain the carrier.

상기 제1도전형 반도체층(253) 위에는 활성층(255)이 형성된다. 상기 활성층(255)은 이중 접합, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(255)은 우물층/장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN의 적층 구조를 이용하여 2~30주기로 형성될 수 있다. The active layer 255 is formed on the first conductive semiconductor layer 253. The active layer 255 may be formed of at least one of a double junction, a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire, and a quantum dot structure. The active layer 255 has well layers / barrier layers alternately arranged, and the period of the well layer / barrier layer is set to 2 占 퐉 by using a laminated structure of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, and InGaN / InGaN, To 30 cycles.

상기 활성층(255) 위에는 제2도전형 클래드층이 형성되며, 상기 제2도전형 클래드층은 상기 활성층(255)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다.A second conductive clad layer is formed on the active layer 255. The second conductive clad layer has a higher bandgap than a band gap of the barrier layer of the active layer 255 and a Group III- For example, a GaN-based semiconductor.

상기 제2도전형 클래드층 위에는 제2도전형 반도체층(257)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(257)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(257)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(257)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 257 is formed on the second conductive clad layer and a second conductive type dopant is formed on the second conductive semiconductor layer 257. The second conductive semiconductor layer 257 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. When the second conductive semiconductor layer 257 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a P-type dopant.

발광 구조물 내에서 상기 제1도전형과 상기 제2도전형의 전도성 타입은 상기의 구조와 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(257)은 N형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(253)은 P형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(257) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 N형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 발광소자(100)는 상기 제1도전형 반도체층(253), 활성층(255) 및 상기 제2도전형 반도체층(257)을 발광 구조물로 정의할 수 있으며, 상기 발광 구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 상기 N-P 및 P-N 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.In the light emitting structure, the first conductive type and the second conductive type may be formed in a manner opposite to the above structure. For example, the second conductive type semiconductor layer 257 may include an N-type semiconductor layer, The conductive semiconductor layer 253 may be formed of a P-type semiconductor layer. Also, an N-type semiconductor layer may be further formed on the second conductive semiconductor layer 257 as a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to the polarity of the second conductive type. The light emitting device 100 may define the first conductive semiconductor layer 253, the active layer 255, and the second conductive semiconductor layer 257 as a light emitting structure, and the light emitting structure may include an NP junction structure, a PN A junction structure, an NPN junction structure, and a PNP junction structure. In the N-P and P-N junctions, an active layer is disposed between two layers, and an N-P-N junction or a P-N-P junction includes at least one active layer between three layers.

상기 제1 도전형 반도체층(253) 위에 제1전극 패드가 형성되며, 상기 제2 도전형 반도체층(257) 위에 전극층(259) 및 제2전극 패드가 형성된다. A first electrode pad is formed on the first conductive semiconductor layer 253 and an electrode layer 259 and a second electrode pad are formed on the second conductive semiconductor layer 257.

상기 전극층(259)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(259)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. The electrode layer 259 is a current diffusion layer, and may be formed of a material having permeability and electrical conductivity. The electrode layer 259 may have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer.

상기 전극층(259)은 상기 제2도전형 반도체층(257)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(259)은 다른 예로서, 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir와 같은 금속 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The electrode layer 259 is formed on the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 257. The material of the electrode layer 259 is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) aluminum zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one layer. As another example, the electrode layer 259 may be formed of a reflective electrode layer, and the material may be selectively formed from a metal material such as Al, Ag, Pd, Rh, Pt, or Ir.

상기 제1전극 패드와 상기 제2전극 패드는 전도성 물질로서, Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad and the second electrode pad may be formed of a conductive material such as Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Can be selected from among the optional alloys.

상기 발광 소자(100)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 소자의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다. An insulating layer may further be formed on the surface of the light emitting device 100. The insulating layer may prevent a short between layers of the light emitting device and prevent moisture penetration.

상기 발광 소자(100)는 도 1 및 도 2와 같이 이웃한 캐비티(235, 236) 내의 발광 소자(100)와 와이어(222)를 통해 서로 연결되어 직렬 연결될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The light emitting device 100 may be connected to the light emitting device 100 in the neighboring cavities 235 and 236 through wires 222 as shown in FIGS. 1 and 2, but is not limited thereto.

한편, 상기 몸체(210)의 하면에는 제1 및 제2 캐비티(235, 236)의 하면이 배치되며, 상기 하면은 보드 위의 패드에 솔더와 같은 접속 부재로 연결되고, 방열 플레이트로 사용된다. The lower surface of the body 210 is provided with lower surfaces of the first and second cavities 235 and 236. The lower surface of the body 210 is connected to a pad on the board by a connection member such as solder and used as a heat radiating plate.

개방 영역(215)를 덮으며 수지재(270)가 형성된다.The resin material 270 is formed so as to cover the open area 215.

상기 수지재(270)는 투광성 물질로 디스펜싱될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The resin material 270 may be dispensed with a light-transmitting material, but is not limited thereto.

이하에서는 도 4 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 다른 실시예를 설명한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6. FIG.

먼저, 도 4 내지 도 6을 참고하면, 발광 소자 패키지(200A, 200B)는 몸체(210), 캐비티(240)를 갖는 제1리드 프레임(230) 및 제2 리드 프레임(240), 복수의 발광 소자(100), 및 와이어들(222)을 포함한다.4 to 6, the light emitting device package 200A or 200B includes a body 210, a first lead frame 230 having a cavity 240, a second lead frame 240, The device 100, and the wires 222. [

상기 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 210 may be formed of at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al2O3) . Preferably, the body 210 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(210)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(210)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(210)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(210)가 제1 리드 프레임(230), 및 제2 리드 프레임(240)와 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(210)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(200)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 210 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 210 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 210 so that the body 210 is connected to the first lead frame 230 and the second lead frame 240 And can be configured to prevent electrical shorting. The perimeter shape of the body 210 viewed from above may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device package 200.

상기 몸체(100)의 상부에는 개방 영역(215)을 포함하며, 광이 방출되는 영역이다. An upper portion of the body 100 includes an open region 215 and is a region where light is emitted.

상기 제1 리드 프레임(230)은 상기 제1 및 제2 캐비티(235, 236)의 바닥면을 형성하는 바닥부(231), 상기 바닥부(231)로부터 연장되며, 상기 캐비티(235, 236)의 측면을 형성하는 측면부(233, 237), 상기 바닥부(231)와 평행하게 형성되며, 상기 측면부(233, 237)로부터 연장되는 상면부(234, 239)를 포함한다.The first lead frame 230 includes a bottom portion 231 forming a bottom surface of the first and second cavities 235 and 236 and a plurality of cavities 235 and 236 extending from the bottom portion 231, And upper surfaces 234 and 239 formed parallel to the bottom 231 and extending from the side surfaces 233 and 237.

또한, 상기 제1 리드 프레임(230)은 상기 제1 및 제2 캐비티(235, 236) 사이를 연장하는 연결부(238)를 포함한다.In addition, the first lead frame 230 includes a connection portion 238 extending between the first and second cavities 235 and 236.

상기 연결부(238)는 상기 상면부(234, 239)와 동일한 높이에 형성될 수 있으나, 이와 달리 상기 상면부(234, 239)와 상기 바닥부(231) 사이의 높이를 가질 수도 있다.The connection portion 238 may be formed at the same height as the upper surface portions 234 and 239 but may have a height between the upper surface portions 234 and 239 and the bottom portion 231.

상기 제1 캐비티(235)와 연장되는 상기 상면부(234)는 몸체(210)의 단변을 통해 외부로 돌출되어 단자를 형성할 수 있다.The first cavity 235 and the upper surface portion 234 may protrude outward through a short side of the body 210 to form a terminal.

상기 바닥부(231)의 배면은 상기 몸체(210)부의 바닥면으로 노출되어 패드를 형성한다.The bottom surface of the bottom part 231 is exposed to the bottom surface of the body 210 to form a pad.

또한 상기 상면부(234, 239)에 상기 발광 소자(100)를 전기적으로 연결하는 와이어(222)가 연결된다.A wire 222 electrically connecting the light emitting device 100 is connected to the top surfaces 234 and 239.

상기 측면부(233, 237)는 상기 캐비티(235, 236)의 상부와 하부의 면적 차에 따라 경사를 가진다.The side portions 233 and 237 are inclined according to the difference in area between the upper portion and the lower portion of the cavities 235 and 236.

상기 제2 리드 프레임(240)은 캐비티를 가지지 않고, 제1 리드 프레임(230)의 상면부(234, 239)와 동일한 높이를 가지며, 제1 리드 프레임(230)의 상면부(235, 236)와 대응하는 평편한 면을 포함한다.The second lead frame 240 has no cavity and has the same height as the upper surface portions 234 and 239 of the first lead frame 230. The upper surface portions 235 and 236 of the first lead frame 230, And a corresponding flat surface.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)이 서로 다른 형상을 가지며, 상기 제2 리드 프레임(240)이 개방 영역(215) 내에서 차지하는 면적은 제1 리드 프레임(230)의 상면부(234, 239)가 차지하는 면적과 동일할 수 있으며, 상기 제2 리드 프레임(240)은 상기 몸체(210)의 단변을 통해 외부로 돌출되는 단자를 포함한다.The first and second lead frames 230 and 240 have different shapes and the area occupied by the second lead frame 240 in the open region 215 is larger than that of the first lead frame 230. [ And the second lead frame 240 includes a terminal protruding outwardly through a short side of the body 210. [

상기 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240) 사이의 이격 공간에는 상기 몸체(210)가 노출되어 있으며, 상기 이격 공간에는 상기 몸체(210)로부터 돌출되어 있는 몸체돌기(212)가 형성될 수 있다.The body 210 is exposed in a space between the first and second lead frames 230 and 240 and a body protrusion 212 protruding from the body 210 may be formed in the space. have.

2개의 캐비티(235, 236)를 하나의 리드 프레임(230) 상에 형성함으로써 상기 몸체돌기(212)가 발광소자 패키지(200)의 일측으로 치우쳐져 형성된다. 따라서, 일변이 긴 직사각형의 형상을 가지는 발광소자 패키지(200)에서 장력에 의해 휨이 발생할 때, 중앙 영역에서 분리되는 것을 방지할 수 있다.The two body cavities 235 and 236 are formed on one lead frame 230 so that the body protrusions 212 are biased toward one side of the light emitting device package 200. Therefore, in the light emitting device package 200 having a long rectangular shape, it is possible to prevent the light emitting device package 200 from being separated from the central region when a warp occurs due to tension.

이때, 제1 캐비티(235)의 상면부(234)와 연장되는 측면부(233)를 제1 측면부(233a)로 정의하고, 연결부(238)와 연장되는 측면부(233)를 제2 측면부(233b)로 정의하며, 제2 캐비티(236)의 연결부(238)와 연장되는 측면부(237)를 제3 측면부(237a)로 정의하고, 제2 리드 프레임(240)과 근접한 측면부(237)를 제4 측면부(237a)로 정의한다.The upper surface portion 234 and the side surface portion 233 of the first cavity 235 may be defined as the first side surface portion 233a and the connection portion 238 and the side surface portion 233 extending to the second side surface portion 233b, The connecting portion 238 and the extending side portion 237 of the second cavity 236 are defined as a third side portion 237a and the side portion 237 close to the second lead frame 240 is defined as a fourth side portion 237a, (237a).

이때, 상기 제1 내지 제4 측면부(233a, 233b, 237a, 237b)의 경사각(θ1, θ2, θ3, θ4)은 서로 상이할 수 있다.At this time, the inclination angles? 1,? 2,? 3,? 4 of the first to fourth side portions 233a, 233b, 237a, 237b may be different from each other.

일 예로, 도 5와 같이 제1 및 제3 측면부(233a,237a)의 경사각(θ1, θ3)이 동일하고, 제2 및 제4측면부(233b, 237b)의 경사각(θ2, θ4)이 서로 동일할 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, the inclination angles? 1 and? 3 of the first and third side portions 233a and 237a are the same and the inclination angles? 2 and? 4 of the second and fourth side portions 233b and 237b are the same can do.

이때, 제1 및 제3 측면부(233a,237a)의 경사각(θ1, θ3)은 제2 및 제4측면부(233b, 237b)의 경사각(θ2, θ4)보다 클 수 있다.At this time, the inclination angles? 1 and? 3 of the first and third side portions 233a and 237a may be larger than the inclination angles? 2 and? 4 of the second and fourth side portions 233b and 237b.

이와 같이, 상기 제1 리드 프레임(230)에 복수의 캐비티(235, 236)를 형성함으로써 발광 소자(100)가 일측으로 치우쳐 배치될 때, 제2 리드 프레임(240)을 향하는 측면부(233, 237)의 경사각(θ1-θ4)을 작게 형성함으로써 빛을 제2 리드 프레임(240) 쪽으로 치우치게 방출할 수 있다.The plurality of cavities 235 and 236 are formed in the first lead frame 230 so that the side portions 233 and 237 facing the second lead frame 240 when the light emitting device 100 is biased toward one side The light can be biased toward the second lead frame 240 side.

따라서, 발광 소자(100)의 편중 배치를 보상할 수 있으며, 상기 제1 내지 제4 측면부(233a, 233b, 237a, 237b)의 경사각(θ1-θ4)는 상기 발광 소자(100)의 발광 효율 및 제1 리드 프레임(230)과 제2 리드 프레임(240)의 면적에 따라 결정될 수 있다.The inclination angles? 1 to? 4 of the first to fourth side portions 233a, 233b, 237a and 237b can compensate for the light emitting efficiency of the light emitting device 100 and the light emitting efficiency of the light emitting device 100, May be determined according to the area of the first lead frame 230 and the second lead frame 240. [

한편, 도 6의 발광소자 패키지(200B)는 제1 내지 제3 측면부(233a, 233b, 237a)의 경사각(θ1-θ3)이 모두 동일하고, 제4 측면부(237b)의 경사각(θ4)만이 상이할 수 있다.On the other hand, in the light emitting device package 200B of FIG. 6, the inclination angles? 1 -? 3 of the first to third side portions 233a, 233b, and 237a are all the same and only the inclination angle? 4 of the fourth side portion 237b is different can do.

이때, 상기 제4 측면부(237b)의 경사각(θ4)은 (233a, 233b, 237a)의 경사각(θ1-θ3)보다 작게 형성될 수 있다.At this time, the inclination angle [theta] 4 of the fourth side surface portion 237b may be smaller than the inclination angle [theta] 1 - [theta] 3 of the second side surface portions 233a, 233b, and 237a.

그러나, 이에 한정되지 않으며, 제1 및 제3 측면부(233a, 237a)의 경사각(θ1,θ3)이 동일하고, 제2 측면부(233b)의 경사각(θ2)은 제1 측면부(233a)의 경사각(θ1)보다 작으며, 제4 측면부(237b)의 경사각(θ4)은 제2 측면부(233b)의 경사각(θ2)보다 작을 수 있다.The inclination angles? 1 and? 3 of the first and third side portions 233a and 237a are the same and the inclination angle 2 of the second side portion 233b is equal to the inclination angle? and the inclination angle 4 of the fourth side surface portion 237b may be smaller than the inclination angle 2 of the second side surface portion 233b.

이때, 각 경사각(θ1-θ4)은 상기 몸체(210)의 바닥면에 대하여 상기 측면부(233, 237)의 외각을 측정한 것이다.At this time, the inclination angles? 1 to? 4 are measured on the outer sides of the side portions 233 and 237 with respect to the bottom surface of the body 210.

이와 같이 캐비티(235, 236)의 경사각이 서로 다르게 형성됨으로써 제1 리드 프레임(230)의 강성이 향상되어 고온에서 몸체를 경화하더라도 뒤틀림이 방지될 수 있다. Since the inclined angles of the cavities 235 and 236 are different from each other, the rigidity of the first lead frame 230 is improved, and warping can be prevented even if the body is hardened at a high temperature.

상기 캐비티(235, 236)에는 적어도 하나의 발광 소자(100)가 배치되며, 상기 발광 소자(100)는 상기 캐비티(235, 236)의 바닥부(231)에 부착되고, 와이어(222)로 각각 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)과 연결된다. 상기 발광 소자(100)는 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 동일한 피크 파장의 광을 방출하거나, 서로 다른 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 소자(100) 는 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.At least one light emitting device 100 is disposed in the cavities 235 and 236 and the light emitting device 100 is attached to the bottom 231 of the cavities 235 and 236, And is connected to the first and second lead frames 230 and 240. The light emitting device 100 can selectively emit light in the ultraviolet band to a wavelength range of the visible light band, emit light having the same peak wavelength, or emit light having different peak wavelengths. The light emitting device 100 may include at least one of an LED chip using a Group III-V compound semiconductor such as an ultraviolet (UV) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, and a red LED chip .

상기 몸체(100)의 하면에는 제1 리드 프레임(230)의 하면이 배치되며, 상기 하면은 보드 위의 패드에 솔더와 같은 접속 부재로 연결되고, 방열 플레이트로 사용된다. A lower surface of the first lead frame 230 is disposed on a lower surface of the body 100. The lower surface of the body 100 is connected to a pad on the board with a connection member such as solder and used as a heat radiating plate.

개방 영역(215)를 덮으며 수지재(270)가 형성된다.The resin material 270 is formed so as to cover the open area 215.

상기 수지재(270)는 투광성 물질로 디스펜싱될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The resin material 270 may be dispensed with a light-transmitting material, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 7에 도시된 표시 장치, 도 8에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting device packages are arrayed. The light unit includes the display device shown in Fig. 7, the lighting device shown in Fig. 8, and the lighting unit, the signal lamp, the vehicle headlight, Can be applied.

도 7은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 7 is an exploded perspective view of the display device according to the embodiment.

도 7을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.7, a display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, a reflection member 1022 under the light guide plate 1041, An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, and a bottom cover 1011 for storing the light guide plate 1041, the light emitting module 1031 and the reflecting member 1022 , But is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 diffuses the light from the light emitting module 1031 to convert the light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041 and ultimately to serve as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.The light emitting module 1031 may include at least one light source, and may provide light directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device package 100 according to the embodiment described above and the light emitting device package 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals. have. The substrate may be, but is not limited to, a printed circuit board. The substrate 1033 may include a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), or the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat radiation plate, the substrate 1033 can be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Accordingly, heat generated in the light emitting device package 100 can be emitted to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 1033 such that the light emitting surface of the light emitting device package 100 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance. The light emitting device package 100 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 transmits or blocks light provided from the light emitting module 1031 to display information. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 8은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.8 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.8, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 100 mounted on the substrate 1532. A plurality of the light emitting device packages 100 may be arrayed in a matrix or at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 100 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one LED (Light Emitting Diode) chip. The LED chip may include a light emitting diode in a visible light band such as red, green, blue or white, or a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 100 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is connected to the external power source by being inserted in a socket manner, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

발광소자 패키지 200
발광 소자 100
몸체 210
리드 프레임 230, 240The light emitting device package 200
The light emitting device 100
The body 210
The lead frames 230 and 240

Claims (13)

개방 영역을 가지는 몸체;
상기 개방 영역 내에 제1 캐비티 및 제2 캐비티를 가지는 제1 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임과 마주보는 제2 리드 프레임;
상기 제1 캐비티 내에 배치되는 제1 발광소자; 및
상기 제2 캐비티 내에 배치되는 제2 발광소자를 포함하고,
상기 제1 리드 프레임은,
상기 개방 영역의 바닥면에 형성되는 상면부;
상기 몸체의 배면에 노출되는 바닥부;
상기 상면부와 상기 바닥부 사이를 연결하여 상기 제1, 제2 캐비티의 측면을 이루는 측면부; 및
상기 제1, 제2 캐비티의 측면부 사이에 연장되는 연결부를 포함하고,
상기 몸체의 배면에서 상기 상면부의 상면까지의 높이는, 상기 몸체의 배면에서 상기 바닥부의 상면까지의 높이보다 높고,
상기 몸체의 배면에서 상기 상면부의 상면까지의 수직 방향 높이는, 상기 몸체의 배면에서 상기 연결부의 상면까지의 수직 방향 높이와 상기 몸체의 배면에서 상기 제2 리드 프레임의 상면까지의 높이와 동일하고,
상기 제1 및 제2 발광소자는, 상기 제1 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되고,
상기 제1 발광소자 및 상기 제1 리드 프레임은 제1 와이어로 연결되고,
상기 제1 발광소자 및 상기 제2 발광소자는 제2 와이어로 연결되고,
상기 제2 발광소자 및 상기 제2 리드 프레임은 제3 와이어로 연결되고,
상기 제1 와이어의 일 끝단은 상기 제1 발광소자의 상부와 연결되고 타 끝단은 상기 제1 리드 프레임의 상면부의 상면과 연결되고,
상기 제2 와이어의 일 끝단은 상기 제1 발광소자의 상부와 연결되고 타 끝단은 상기 제2 발광소자의 상부와 연결되고,
상기 제3 와이어의 일 끝단은 상기 제2 발광소자의 상부와 연결되고 타 끝단은 상기 제2 리드 프레임의 상면과 연결되고,
상기 제1 캐비티의 측면부는 서로 마주보는 제1 및 제2 경사면을 포함하고,
상기 제2 캐비티의 측면부는 서로 마주보는 제3 및 제4 경사면을 포함하고,
상기 제1 및 제3 경사면은, 상기 제1 리드 프레임의 바닥부에서 상기 제1 리드 프레임 방향으로 연장하고,
상기 제2 및 제4 경사면은, 상기 제1 리드 프레임의 바닥부에서 상기 제2 리드 프레임 방향으로 연장하고,
상기 제1 및 제3 경사면은 동일한 경사각을 가지고,
상기 제2 및 제4 경사면을 동일한 경사각을 가지고,
상기 제1 및 제3 경사면의 경사각은, 상기 제2 및 제4 경사면의 경사각보다 큰 발광소자 패키지. A body having an open area;
A first lead frame having a first cavity and a second cavity in the open region;
A second lead frame facing the first lead frame;
A first light emitting element disposed in the first cavity; And
And a second light emitting element disposed in the second cavity,
The first lead frame includes:
An upper surface formed on a bottom surface of the open area;
A bottom portion exposed on a rear surface of the body;
A side portion connecting the upper surface portion and the bottom portion to form side surfaces of the first and second cavities; And
And a connecting portion extending between side portions of the first and second cavities,
The height from the back surface of the body to the upper surface of the upper surface portion is higher than the height from the back surface of the body to the upper surface of the bottom portion,
The vertical height from the rear surface of the body to the upper surface of the upper surface portion is equal to the height from the rear surface of the body to the upper surface of the second lead frame,
Wherein the first and second light emitting devices are electrically connected to the first and second lead frames,
Wherein the first light emitting element and the first lead frame are connected by a first wire,
Wherein the first light emitting device and the second light emitting device are connected by a second wire,
The second light emitting device and the second lead frame are connected by a third wire,
One end of the first wire is connected to the upper portion of the first light emitting device, and the other end is connected to the upper surface of the upper surface portion of the first lead frame,
One end of the second wire is connected to the upper portion of the first light emitting device and the other end is connected to the upper portion of the second light emitting device,
One end of the third wire is connected to the upper portion of the second light emitting device and the other end is connected to the upper surface of the second lead frame,
Wherein the side surface portion of the first cavity includes first and second inclined surfaces facing each other,
Side portions of the second cavity include third and fourth inclined surfaces facing each other,
Wherein the first and third inclined surfaces extend in a direction from the bottom of the first lead frame toward the first lead frame,
The second and fourth inclined surfaces extend from the bottom of the first lead frame toward the second lead frame,
The first and third inclined surfaces have the same inclination angle,
The second and fourth inclined surfaces have the same inclination angle,
Wherein the inclination angle of the first and third inclined surfaces is larger than the inclination angle of the second and fourth inclined surfaces. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 리드 프레임은 상기 제1 리드 프레임의 상면부와 대응하는 상기 개방 영역의 바닥면에 노출되는 평편한 평면을 가지는 발광소자 패키지. The method according to claim 1,
And the second lead frame has a flat plane exposed on a bottom surface of the open region corresponding to an upper surface portion of the first lead frame. 제1항에 있어서,
상기 몸체는 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 돌출되는 몸체돌기를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the body includes a body protrusion protruding between the first and second lead frames. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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