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KR101960076B1 - 표시 장치 - Google Patents

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KR101960076B1
KR101960076B1 KR1020130011381A KR20130011381A KR101960076B1 KR 101960076 B1 KR101960076 B1 KR 101960076B1 KR 1020130011381 A KR1020130011381 A KR 1020130011381A KR 20130011381 A KR20130011381 A KR 20130011381A KR 101960076 B1 KR101960076 B1 KR 101960076B1
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line
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signal input
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이봉준
이주희
손선권
정재윤
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Abstract

표시 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 신호선, 상기 기판 위에 위치하고, 구동부와 연결되는 신호 연결선, 상기 신호선과 상기 신호 입력선 사이에 위치하는 제1 절연층, 상기 신호선, 상기 신호 입력선 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층, 상기 신호선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제1 접촉 구멍, 상기 신호 입력선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제2 접촉 구멍 그리고 상기 복수의 제1 접촉 구멍 및 상기 복수의 제2 접촉 구멍을 통해 상기 신호선과 상기 신호 입력선을 연결하고, 상기 제2 절연층 위에 위치하는 연결 부재를 포함하고, 상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 교대로 배열되어 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 표시 장치는 영상을 표시하는 단위인 복수의 화소와 복수의 구동부를 포함한다. 구동부는 화소에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부 및 데이터 전압의 전달을 제어하는 게이트 신호를 인가하는 게이트 구동부를 포함한다. 종래에는 게이트 구동부 및 데이터 구동부를 칩(Chip) 형태로 인쇄 회로 기판(printed circuit board, PCB)에 실장하여 표시판과 연결하거나 구동부 칩을 표시판에 직접 실장하는 방식이 주로 사용되었다. 그러나 최근에는 박막 트랜지스터 채널의 높은 이동도를 요하지 않는 게이트 구동부의 경우 이를 별도의 칩으로 형성하지 않고 표시판에 집적하는 구조가 개발되고 있다.
이러한 구동부는 복수의 트랜지스터 및 복수의 축전기 등의 전기 소자를 포함하며 각 전기 소자는 적어도 하나의 도전층을 포함한다. 구동부가 포함하는 전기 소자와 전기 소자 또는 구동부의 전기 소자와 외부의 신호 입출력 단자는 연결 부재를 통해 서로 전기적으로 연결되어 있을 수 있다. 소자와 연결 부재 사이 또는 단자와 연결 부재 사이에는 절연층이 형성될 수 있고, 절연층에 접촉 구멍이 형성되어 소자와 연결 부재 또는 단자와 연결 부재가 전기적으로 연결될 수 있다.
최근 고해상도이면서 작은 베젤(Bezel)을 갖는 표시 장치를 구현하려는 경향에 따라 소자, 신호 단자 등을 연결하는 연결 부재의 배치 구조도 이에 상응하도록 개선될 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 실장 면적을 줄일 수 있는 연결 부재의 배치 구조를 갖는 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 신호선, 상기 기판 위에 위치하고, 구동부와 연결되는 신호 연결선, 상기 신호선과 상기 신호 입력선 사이에 위치하는 제1 절연층, 상기 신호선, 상기 신호 입력선 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층, 상기 신호선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제1 접촉 구멍, 상기 신호 입력선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제2 접촉 구멍 그리고 상기 복수의 제1 접촉 구멍 및 상기 복수의 제2 접촉 구멍을 통해 상기 신호선과 상기 신호 입력선을 연결하고, 상기 제2 절연층 위에 위치하는 연결 부재를 포함하고, 상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 교대로 배열되어 있다.
상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍이 평면상 지그재그 모양의 선을 따라 교대로 배열될 수 있다.
상기 제1 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호선의 부분과 상기 제2 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호 입력선의 부분은 서로 중첩하지 않을 수 있다.
상기 신호 입력선은 반도체층 및 상기 반도체층 위에 위치하는 금속층을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층은 상기 신호선 위에 위치하고, 상기 신호 입력선은 상기 제1 절연층 위에 위치할 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 신호선은 클럭 신호를 전달할 수 있다.
상기 구동부는 상기 기판 위에 집적될 수 있다.
상기 구동부는 게이트 신호를 전달하는 게이트 구동부로 형성될 수 있다.
상기 연결 부재는 인듐-주석 산화물(ITO) 또는 인듐-아연 산화물(IZO)를 포함할 수 있다.
상기 기판은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸도록 가장자리에 위치하는 주변 영역을 포함하고, 상기 신호선, 상기 구동부 및 상기 신호 입력선은 상기 주변 영역에 위치할 수 있다.
상기 신호 입력선의 단부는 톱니 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 연결 부재를 통해 신호선 등이 연결되는 접촉 구멍을 교대로 배열하여 실장 면적을 줄임으로써 작은 베젤(Bezel)을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
도 4는 도 2에 표기된 "A" 를 확대하여 나타낸 확대도이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시판(300), 게이트 구동부(400), 데이터 구동부(500) 등을 포함한다.
표시판(300)은 복수의 게이트선(G1-Gn), 복수의 데이터선(D1-Dm), 그리고 복수의 게이트선(G1-Gn) 및 복수의 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 있는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 한편, 표시판(300)은 복수의 화소(PX)가 배열되어 있는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 게이트선(G1-Gn)은 게이트 신호를 전달하며 데이터선(D1-Dm)은 데이터 전압을 전달한다. 각 화소(PX)는 하나의 게이트선(G1-Gn) 및 하나의 데이터선(D1-Dm)과 연결된 스위칭 소자 및 화소 전극을 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 표시판(300)에 집적되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자일 수 있다.
데이터 구동부(500)는 데이터선(D1-Dm)과 연결되어 데이터 전압을 전달한다. 데이터 구동부(500)는 직접 표시판(300)의 주변 영역(PA)에 실장될 수도 있고 화소(PX)를 포함하는 스위칭 소자와 동일한 제조 공정에서 주변 영역(PA)에 집적될 수도 있으며, 도 1에 도시한 바와 달리 표시판(300)에 부착된 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)위에 위치할 수도 있다.
게이트 구동부(400)는 표시판(300)의 주변 영역(PA)에 집적되어 있으며 복수의 게이트선(G1-Gn)에 게이트 신호를 순차적으로 전달한다. 게이트 신호는 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)을 포함한다. 게이트 구동부(400)는 복수의 게이트선(G1-Gn)을 순차적으로 구동하기 위해서 게이트 온 펄스의 출력 시작을 지시하는 수직 동기 시작 신호(STV), 게이트 온 펄스의 출력 시기를 제어하는 게이트 클럭 신호(CPV), 클럭 신호(CK, CKB) 등을 인가받는다. 이러한 신호들을 게이트 구동부(400)에 인가하기 위한 신호선들은 표시판(300)의 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 표시판(300), 게이트 구동부(400), 데이터 구동부(500), 그리고 표시 장치가 포함하는 이외의 다양한 전기적 구성 요소는 복수의 트랜지스터, 복수의 축전기, 복수의 다이오드 등의 복수의 전기 소자를 포함할 수 있으며, 각 전기 소자 또는 이에 연결된 배선은 적어도 하나의 도전층을 포함할 수 있다. 이러한 두 개 이상의 전기 소자가 서로 연결되거나 한 전기 소자와 외부의 신호 입출력 단자가 서로 연결될 때 이들이 포함하는 서로 다른 층에 위치한 도전층들이 전기적으로 연결되어 있을 수 있다. 이러한 서로 다른 층에 위치한 도전층들은 연결 부재를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 층에 위치한 도전층들의 연결 구조에 대해 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III' 선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
절연 기판(110) 위에는 게이트 구동부(400)와 인접하도록 신호선(125)이 형성되어 있다.
신호선(125)은 주변 영역에 형성되고, 표시 영역에서 게이트선, 게이트 전극을 형성하는 게이트 도전층으로 이루어질 수 있다. 신호선(125)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 신호선(125)은 두 개 이상의 도전층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 다중층은 하부 도전층 및 상부 도전층으로 이루어진 이중층으로 이루어질 수 있다. 하부 도전층은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 상부 도전층은 하부 도전층과 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등의 금속 산화물과의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어질 수 있다. 이러한 하부 도전층과 상부 도전층의 예로는 크롬 하부 도전층과 알루미늄 (합금) 상부 도전층, 알루미늄 (합금) 하부 도전층과 몰리브덴 (합금) 상부 도전층 등을 들 수 있다. 그러나 신호선(125)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
신호선(125)에는 클럭 신호가 인가될 수 있다. 신호선(125)은 복수로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 3개의 신호선(125)이 형성될 수 있다. 복수의 신호선(125)에는 서로 다른 타이밍의 클럭 신호들이 인가될 수 있다. 다른 예로써, 6개의 신호선(125)이 형성될 수 있으며, 이때 3개의 신호선(125)에는 클럭 신호들이 인가되고, 나머지 3개의 신호선(125)에는 클럭 바 신호들이 인가될 수 있다. 복수의 신호선(125)들은 소정의 거리를 가지고 서로 이격되도록 형성되어 있다.
신호선(125) 위에는 실리콘 산화물(SiOX) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 이루어진 제1 절연층(140)이 위치한다. 제1 절연층(140)은 신호선(125)을 포함하는 기판(110) 위의 전면에 형성되어 있다.
게이트 구동부(400)는 복수의 스테이지(SR)를 포함하고, 각 스테이지(SR)로부터 연장되어 있는 신호 입력선(175)이 제1 절연층(140) 위에 위치한다.
신호 입력선(175)은 복수의 신호선(125)들 사이에 형성될 수 있다. 도 2에서 게이트 구동부(400)를 구성하는 스테이지(SR)가 3개이고, 각 스테이지(SR)마다 하나의 신호 입력선(175)이 연결되어 있는 것으로 도시되어 있으므로, 3개의 신호 입력선(175)이 형성되어 있는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 게이트 구동부(400)는 4개 이상의 스테이지(SR)로 이루어질 수도 있으며, 각 스테이지(SR)와 연결되어 있는 4개 이상의 신호 입력선(175)들이 형성될 수 있다.
신호 입력선(175)은 신호선(125)과 인접하도록 형성되어 있다. 복수의 신호 입력선(175)들 중 적어도 하나의 신호 입력선(175)은 복수의 신호선(125)들 사이에 형성될 수 있다. 이때, 복수의 신호선(125)들 사이에 형성되어 있는 신호 입력선(175)은 적어도 하나의 신호선(125)과 중첩될 수 있다.
도 2에서, 첫 번째 스테이지(SR1)와 연결되어 있는 신호 입력선(175a)은 첫 번째 신호선(125a)과 두 번째 신호선(125b) 사이에 위치하며, 두 번째 신호선(125b) 및 세 번째 신호선(125c)과 중첩된다. 이때, 복수의 스테이지(SR) 중 가장 상측에 위치한 스테이지(SR1)를 첫 번째 스테이지(SR1)로 보고, 복수의 신호선(125) 중 가장 좌측에 위치한 신호선(125a)을 첫 번째 신호선(125a)으로 본다. 또한, 두 번째 스테이지(SR2)와 연결되어 있는 신호 입력선(175b)은 두 번째 신호선(125b)과 세 번째 신호선(125c) 사이에 위치하며, 세 번째 신호선(125c)과 중첩된다. 또한, 세 번째 스테이지(SR3)와 연결되어 있는 신호 입력선(175c)은 세 번째 신호선(125c)의 우측에 위치한다.
신호 입력선(175)의 단부는 다른 부분에 비해 그 폭 또는 면적이 넓게 형성될 수 있다. 도 2에서 신호 입력선(175)의 단부는 톱니 모양으로 이루어져 있으나, 그 모양은 다양하게 변형이 가능하다.
신호 입력선(175)은 반도체층(175p) 및 반도체층(175p) 위에 형성되어 있는 금속층(175q)으로 이루어질 수 있다. 게이트 구동부(400) 및 신호 입력선(175)은 주변 영역에 형성된다. 신호 입력선(175)의 반도체층(175p)은 표시 영역에서 반도체층을 형성하는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 신호 입력선(175)의 금속층(175q)은 표시 영역에서 데이터선, 소스 전극, 및 드레인 전극을 형성하는 데이터 도전층으로 이루어질 수 있다.
금속층(175q)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등의 금속 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 금속층(175q)은 두 개 이상의 도전층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부 도전층과 알루미늄 (합금) 상부 도전층의 이중층으로 이루어질 수도 있고, 몰리브덴 (합금) 하부 도전층, 알루미늄 (합금) 중간 도전층, 및 몰리브덴 (합금) 상부 도전층의 삼중층으로 이루어질 수도 있다. 그러나 금속층(175q)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
도시는 생략하였으나, 반도체층(175p)과 금속층(175q) 사이에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 이루어지는 저항성 접촉 부재(ohmic contact)가 더 형성될 수 있다.
반도체층(175p)과 금속층(175q)은 동일한 마스크를 이용하여 동시에 패터닝이 이루어질 수 있으며, 이때, 하부에 위치한 반도체층(175p)의 폭이 금속층(175q)의 폭보다 넓게 형성될 수 있다. 따라서, 금속층(175q)의 양측 가장자리에서 반도체층(175p)의 상부면이 노출되는 부분이 발생하게 된다.
신호 입력선(175) 위에는 실리콘 산화물(SiOX) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 이루어진 제2 절연층(180)이 형성되어 있다. 제2 절연층(180)은 신호 입력선(175)을 포함하는 기판(110) 위의 전면에 형성되어 있다.
제1 절연층(140) 및 제2 절연층(180)에는 신호선(125)의 적어도 일부를 노출시키도록 제1 접촉 구멍(237)이 형성되어 있다. 또한, 제2 절연층(180)에는 신호 입력선(175)의 적어도 일부를 노출시키도록 제2 접촉 구멍(239)이 형성되어 있다.
제1 접촉 구멍(237) 및 제2 접촉 구멍(239)은 복수로 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 하나의 연결 부재(195)에 대응하는 부분에 5개의 제1 접촉 구멍(237)과 5개의 제2 접촉 구멍(239)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 제1 접촉 구멍(237)과 제2 접촉 구멍(239)은 평면상으로 볼 때 세로 방향을 따라 교대로 배열되어 있다. 도 2에서는 제1 접촉 구멍(237)과 제2 접촉 구멍(239)이 평면상으로 볼 때 지그재그 모양의 선을 따라 교대로 배열되어 있다. 하지만 다른 실시예에서 제1 접촉 구멍(237)과 제2 접촉 구멍(239)의 가운데 부분을 가로지르는 선이 일직선이 되도록 배열할 수도 있다.
본 실시예에서 제1 접촉 구멍(237)에 의해 노출되는 신호선(125) 부분은 제2 접촉 구멍(239)에 의해 노출되는 신호 입력선(175) 부분과 중첩하지 않을 수 있다.
제2 절연층(180) 위에는 제1 접촉 구멍(237) 및 제2 접촉 구멍(239)을 통해 신호선(125)과 신호 입력선(175)을 연결하도록 연결 부재(195)가 위치한다. 연결 부재(195)는 주변 영역에 형성되고, 표시 영역에서 화소 전극을 형성하는 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 연결 부재(195)는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속 등으로 이루어질 수 있다.
연결 부재(195)는 신호선(125) 및 신호 입력선(175)과 연결되어 있으므로, 신호선(125)에 인가되는 클럭 신호를 신호 입력선(175)을 통해 게이트 구동부(400)로 전달한다.
도 4는 도 2에 표기된 "A" 를 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 4를 참고하면, 도시한 빨간색 화살표는 전류가 이동하는 방향을 나타낸다. 이처럼, 본 실시예에 따른 연결 구조는 여러 가지 루트를 통해 신호가 전달되기 때문에 저항을 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 기판(110) 위에 집적되어 있는 게이트 구동부(400)와 신호선(125)의 연결 구조에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 데이터 구동부가 기판 위에 집적될 수도 있으며, 데이터 구동부와 다른 신호선의 연결 구조에도 동일 또는 유사한 구조로 적용이 가능하다.
또한, 주변 영역에 위치하는 연결 구조뿐만 아니라 표시 영역에 위치하는 층이 다른 배선을 연결시키기 위한 구조에 본 발명의 일실시예 따른 연결 구조를 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110 기판 125 신호선
140 제1 절연층 180 제2 절연층
175 신호 입력선 175p 반도체층
175q 금속층 237 제1 접촉 구멍
239 제2 접촉 구멍 300 표시판

Claims (12)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치하며 제1 방향으로 연장되는 복수의 신호선,
    상기 기판 위에 위치하고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장되며 구동부와 연결되는 신호 입력선,
    상기 신호선과 상기 신호 입력선 사이에 위치하는 제1 절연층,
    상기 신호선, 상기 신호 입력선 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층,
    상기 신호선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제1 접촉 구멍,
    상기 신호 입력선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제2 접촉 구멍 그리고
    상기 복수의 제1 접촉 구멍 및 상기 복수의 제2 접촉 구멍을 통해 상기 신호선과 상기 신호 입력선을 연결하고, 상기 제2 절연층 위에 위치하는 연결 부재를 포함하고,
    상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 제1 방향을 따라 교대로 배열되어 있으며
    상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 제1 방향을 따라 중첩하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍이 평면상 지그재그 모양의 선을 따라 교대로 배열되어 있는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호선의 부분과 상기 제2 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호 입력선의 부분은 서로 중첩하지 않는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 신호 입력선은 반도체층 및 상기 반도체층 위에 위치하는 금속층을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 절연층은 상기 신호선 위에 위치하고,
    상기 신호 입력선은 상기 제1 절연층 위에 위치하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 형성된 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 신호선은 클럭 신호를 전달하는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 구동부는 상기 기판 위에 집적되어 있는 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 구동부는 게이트 신호를 전달하는 게이트 구동부로 형성된 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 연결 부재는 인듐-주석 산화물(ITO) 또는 인듐-아연 산화물(IZO)를 포함하는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 기판은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸도록 가장자리에 위치하는 주변 영역을 포함하고,
    상기 신호선, 상기 구동부 및 상기 신호 입력선은 상기 주변 영역에 위치하는 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 신호 입력선의 단부는 톱니 형상을 갖는 표시 장치.
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