KR101960076B1 - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101960076B1 KR101960076B1 KR1020130011381A KR20130011381A KR101960076B1 KR 101960076 B1 KR101960076 B1 KR 101960076B1 KR 1020130011381 A KR1020130011381 A KR 1020130011381A KR 20130011381 A KR20130011381 A KR 20130011381A KR 101960076 B1 KR101960076 B1 KR 101960076B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- insulating layer
- line
- contact holes
- signal input
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- -1 molybdenum series metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
표시 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 신호선, 상기 기판 위에 위치하고, 구동부와 연결되는 신호 연결선, 상기 신호선과 상기 신호 입력선 사이에 위치하는 제1 절연층, 상기 신호선, 상기 신호 입력선 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층, 상기 신호선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제1 접촉 구멍, 상기 신호 입력선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제2 접촉 구멍 그리고 상기 복수의 제1 접촉 구멍 및 상기 복수의 제2 접촉 구멍을 통해 상기 신호선과 상기 신호 입력선을 연결하고, 상기 제2 절연층 위에 위치하는 연결 부재를 포함하고, 상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 교대로 배열되어 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 표시 장치는 영상을 표시하는 단위인 복수의 화소와 복수의 구동부를 포함한다. 구동부는 화소에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부 및 데이터 전압의 전달을 제어하는 게이트 신호를 인가하는 게이트 구동부를 포함한다. 종래에는 게이트 구동부 및 데이터 구동부를 칩(Chip) 형태로 인쇄 회로 기판(printed circuit board, PCB)에 실장하여 표시판과 연결하거나 구동부 칩을 표시판에 직접 실장하는 방식이 주로 사용되었다. 그러나 최근에는 박막 트랜지스터 채널의 높은 이동도를 요하지 않는 게이트 구동부의 경우 이를 별도의 칩으로 형성하지 않고 표시판에 집적하는 구조가 개발되고 있다.
이러한 구동부는 복수의 트랜지스터 및 복수의 축전기 등의 전기 소자를 포함하며 각 전기 소자는 적어도 하나의 도전층을 포함한다. 구동부가 포함하는 전기 소자와 전기 소자 또는 구동부의 전기 소자와 외부의 신호 입출력 단자는 연결 부재를 통해 서로 전기적으로 연결되어 있을 수 있다. 소자와 연결 부재 사이 또는 단자와 연결 부재 사이에는 절연층이 형성될 수 있고, 절연층에 접촉 구멍이 형성되어 소자와 연결 부재 또는 단자와 연결 부재가 전기적으로 연결될 수 있다.
최근 고해상도이면서 작은 베젤(Bezel)을 갖는 표시 장치를 구현하려는 경향에 따라 소자, 신호 단자 등을 연결하는 연결 부재의 배치 구조도 이에 상응하도록 개선될 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 실장 면적을 줄일 수 있는 연결 부재의 배치 구조를 갖는 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 신호선, 상기 기판 위에 위치하고, 구동부와 연결되는 신호 연결선, 상기 신호선과 상기 신호 입력선 사이에 위치하는 제1 절연층, 상기 신호선, 상기 신호 입력선 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층, 상기 신호선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제1 접촉 구멍, 상기 신호 입력선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제2 접촉 구멍 그리고 상기 복수의 제1 접촉 구멍 및 상기 복수의 제2 접촉 구멍을 통해 상기 신호선과 상기 신호 입력선을 연결하고, 상기 제2 절연층 위에 위치하는 연결 부재를 포함하고, 상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 교대로 배열되어 있다.
상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍이 평면상 지그재그 모양의 선을 따라 교대로 배열될 수 있다.
상기 제1 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호선의 부분과 상기 제2 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호 입력선의 부분은 서로 중첩하지 않을 수 있다.
상기 신호 입력선은 반도체층 및 상기 반도체층 위에 위치하는 금속층을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층은 상기 신호선 위에 위치하고, 상기 신호 입력선은 상기 제1 절연층 위에 위치할 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 신호선은 클럭 신호를 전달할 수 있다.
상기 구동부는 상기 기판 위에 집적될 수 있다.
상기 구동부는 게이트 신호를 전달하는 게이트 구동부로 형성될 수 있다.
상기 연결 부재는 인듐-주석 산화물(ITO) 또는 인듐-아연 산화물(IZO)를 포함할 수 있다.
상기 기판은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸도록 가장자리에 위치하는 주변 영역을 포함하고, 상기 신호선, 상기 구동부 및 상기 신호 입력선은 상기 주변 영역에 위치할 수 있다.
상기 신호 입력선의 단부는 톱니 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 연결 부재를 통해 신호선 등이 연결되는 접촉 구멍을 교대로 배열하여 실장 면적을 줄임으로써 작은 베젤(Bezel)을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
도 4는 도 2에 표기된 "A" 를 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
도 4는 도 2에 표기된 "A" 를 확대하여 나타낸 확대도이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시판(300), 게이트 구동부(400), 데이터 구동부(500) 등을 포함한다.
표시판(300)은 복수의 게이트선(G1-Gn), 복수의 데이터선(D1-Dm), 그리고 복수의 게이트선(G1-Gn) 및 복수의 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 있는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 한편, 표시판(300)은 복수의 화소(PX)가 배열되어 있는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 게이트선(G1-Gn)은 게이트 신호를 전달하며 데이터선(D1-Dm)은 데이터 전압을 전달한다. 각 화소(PX)는 하나의 게이트선(G1-Gn) 및 하나의 데이터선(D1-Dm)과 연결된 스위칭 소자 및 화소 전극을 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 표시판(300)에 집적되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자일 수 있다.
데이터 구동부(500)는 데이터선(D1-Dm)과 연결되어 데이터 전압을 전달한다. 데이터 구동부(500)는 직접 표시판(300)의 주변 영역(PA)에 실장될 수도 있고 화소(PX)를 포함하는 스위칭 소자와 동일한 제조 공정에서 주변 영역(PA)에 집적될 수도 있으며, 도 1에 도시한 바와 달리 표시판(300)에 부착된 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)위에 위치할 수도 있다.
게이트 구동부(400)는 표시판(300)의 주변 영역(PA)에 집적되어 있으며 복수의 게이트선(G1-Gn)에 게이트 신호를 순차적으로 전달한다. 게이트 신호는 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)을 포함한다. 게이트 구동부(400)는 복수의 게이트선(G1-Gn)을 순차적으로 구동하기 위해서 게이트 온 펄스의 출력 시작을 지시하는 수직 동기 시작 신호(STV), 게이트 온 펄스의 출력 시기를 제어하는 게이트 클럭 신호(CPV), 클럭 신호(CK, CKB) 등을 인가받는다. 이러한 신호들을 게이트 구동부(400)에 인가하기 위한 신호선들은 표시판(300)의 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 표시판(300), 게이트 구동부(400), 데이터 구동부(500), 그리고 표시 장치가 포함하는 이외의 다양한 전기적 구성 요소는 복수의 트랜지스터, 복수의 축전기, 복수의 다이오드 등의 복수의 전기 소자를 포함할 수 있으며, 각 전기 소자 또는 이에 연결된 배선은 적어도 하나의 도전층을 포함할 수 있다. 이러한 두 개 이상의 전기 소자가 서로 연결되거나 한 전기 소자와 외부의 신호 입출력 단자가 서로 연결될 때 이들이 포함하는 서로 다른 층에 위치한 도전층들이 전기적으로 연결되어 있을 수 있다. 이러한 서로 다른 층에 위치한 도전층들은 연결 부재를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 다른 층에 위치한 도전층들의 연결 구조에 대해 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III' 선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
절연 기판(110) 위에는 게이트 구동부(400)와 인접하도록 신호선(125)이 형성되어 있다.
신호선(125)은 주변 영역에 형성되고, 표시 영역에서 게이트선, 게이트 전극을 형성하는 게이트 도전층으로 이루어질 수 있다. 신호선(125)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 신호선(125)은 두 개 이상의 도전층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 다중층은 하부 도전층 및 상부 도전층으로 이루어진 이중층으로 이루어질 수 있다. 하부 도전층은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 상부 도전층은 하부 도전층과 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등의 금속 산화물과의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어질 수 있다. 이러한 하부 도전층과 상부 도전층의 예로는 크롬 하부 도전층과 알루미늄 (합금) 상부 도전층, 알루미늄 (합금) 하부 도전층과 몰리브덴 (합금) 상부 도전층 등을 들 수 있다. 그러나 신호선(125)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
신호선(125)에는 클럭 신호가 인가될 수 있다. 신호선(125)은 복수로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 3개의 신호선(125)이 형성될 수 있다. 복수의 신호선(125)에는 서로 다른 타이밍의 클럭 신호들이 인가될 수 있다. 다른 예로써, 6개의 신호선(125)이 형성될 수 있으며, 이때 3개의 신호선(125)에는 클럭 신호들이 인가되고, 나머지 3개의 신호선(125)에는 클럭 바 신호들이 인가될 수 있다. 복수의 신호선(125)들은 소정의 거리를 가지고 서로 이격되도록 형성되어 있다.
신호선(125) 위에는 실리콘 산화물(SiOX) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 이루어진 제1 절연층(140)이 위치한다. 제1 절연층(140)은 신호선(125)을 포함하는 기판(110) 위의 전면에 형성되어 있다.
게이트 구동부(400)는 복수의 스테이지(SR)를 포함하고, 각 스테이지(SR)로부터 연장되어 있는 신호 입력선(175)이 제1 절연층(140) 위에 위치한다.
신호 입력선(175)은 복수의 신호선(125)들 사이에 형성될 수 있다. 도 2에서 게이트 구동부(400)를 구성하는 스테이지(SR)가 3개이고, 각 스테이지(SR)마다 하나의 신호 입력선(175)이 연결되어 있는 것으로 도시되어 있으므로, 3개의 신호 입력선(175)이 형성되어 있는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 게이트 구동부(400)는 4개 이상의 스테이지(SR)로 이루어질 수도 있으며, 각 스테이지(SR)와 연결되어 있는 4개 이상의 신호 입력선(175)들이 형성될 수 있다.
신호 입력선(175)은 신호선(125)과 인접하도록 형성되어 있다. 복수의 신호 입력선(175)들 중 적어도 하나의 신호 입력선(175)은 복수의 신호선(125)들 사이에 형성될 수 있다. 이때, 복수의 신호선(125)들 사이에 형성되어 있는 신호 입력선(175)은 적어도 하나의 신호선(125)과 중첩될 수 있다.
도 2에서, 첫 번째 스테이지(SR1)와 연결되어 있는 신호 입력선(175a)은 첫 번째 신호선(125a)과 두 번째 신호선(125b) 사이에 위치하며, 두 번째 신호선(125b) 및 세 번째 신호선(125c)과 중첩된다. 이때, 복수의 스테이지(SR) 중 가장 상측에 위치한 스테이지(SR1)를 첫 번째 스테이지(SR1)로 보고, 복수의 신호선(125) 중 가장 좌측에 위치한 신호선(125a)을 첫 번째 신호선(125a)으로 본다. 또한, 두 번째 스테이지(SR2)와 연결되어 있는 신호 입력선(175b)은 두 번째 신호선(125b)과 세 번째 신호선(125c) 사이에 위치하며, 세 번째 신호선(125c)과 중첩된다. 또한, 세 번째 스테이지(SR3)와 연결되어 있는 신호 입력선(175c)은 세 번째 신호선(125c)의 우측에 위치한다.
신호 입력선(175)의 단부는 다른 부분에 비해 그 폭 또는 면적이 넓게 형성될 수 있다. 도 2에서 신호 입력선(175)의 단부는 톱니 모양으로 이루어져 있으나, 그 모양은 다양하게 변형이 가능하다.
신호 입력선(175)은 반도체층(175p) 및 반도체층(175p) 위에 형성되어 있는 금속층(175q)으로 이루어질 수 있다. 게이트 구동부(400) 및 신호 입력선(175)은 주변 영역에 형성된다. 신호 입력선(175)의 반도체층(175p)은 표시 영역에서 반도체층을 형성하는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 신호 입력선(175)의 금속층(175q)은 표시 영역에서 데이터선, 소스 전극, 및 드레인 전극을 형성하는 데이터 도전층으로 이루어질 수 있다.
금속층(175q)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등의 금속 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 금속층(175q)은 두 개 이상의 도전층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부 도전층과 알루미늄 (합금) 상부 도전층의 이중층으로 이루어질 수도 있고, 몰리브덴 (합금) 하부 도전층, 알루미늄 (합금) 중간 도전층, 및 몰리브덴 (합금) 상부 도전층의 삼중층으로 이루어질 수도 있다. 그러나 금속층(175q)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
도시는 생략하였으나, 반도체층(175p)과 금속층(175q) 사이에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 이루어지는 저항성 접촉 부재(ohmic contact)가 더 형성될 수 있다.
반도체층(175p)과 금속층(175q)은 동일한 마스크를 이용하여 동시에 패터닝이 이루어질 수 있으며, 이때, 하부에 위치한 반도체층(175p)의 폭이 금속층(175q)의 폭보다 넓게 형성될 수 있다. 따라서, 금속층(175q)의 양측 가장자리에서 반도체층(175p)의 상부면이 노출되는 부분이 발생하게 된다.
신호 입력선(175) 위에는 실리콘 산화물(SiOX) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 이루어진 제2 절연층(180)이 형성되어 있다. 제2 절연층(180)은 신호 입력선(175)을 포함하는 기판(110) 위의 전면에 형성되어 있다.
제1 절연층(140) 및 제2 절연층(180)에는 신호선(125)의 적어도 일부를 노출시키도록 제1 접촉 구멍(237)이 형성되어 있다. 또한, 제2 절연층(180)에는 신호 입력선(175)의 적어도 일부를 노출시키도록 제2 접촉 구멍(239)이 형성되어 있다.
제1 접촉 구멍(237) 및 제2 접촉 구멍(239)은 복수로 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 하나의 연결 부재(195)에 대응하는 부분에 5개의 제1 접촉 구멍(237)과 5개의 제2 접촉 구멍(239)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 제1 접촉 구멍(237)과 제2 접촉 구멍(239)은 평면상으로 볼 때 세로 방향을 따라 교대로 배열되어 있다. 도 2에서는 제1 접촉 구멍(237)과 제2 접촉 구멍(239)이 평면상으로 볼 때 지그재그 모양의 선을 따라 교대로 배열되어 있다. 하지만 다른 실시예에서 제1 접촉 구멍(237)과 제2 접촉 구멍(239)의 가운데 부분을 가로지르는 선이 일직선이 되도록 배열할 수도 있다.
본 실시예에서 제1 접촉 구멍(237)에 의해 노출되는 신호선(125) 부분은 제2 접촉 구멍(239)에 의해 노출되는 신호 입력선(175) 부분과 중첩하지 않을 수 있다.
제2 절연층(180) 위에는 제1 접촉 구멍(237) 및 제2 접촉 구멍(239)을 통해 신호선(125)과 신호 입력선(175)을 연결하도록 연결 부재(195)가 위치한다. 연결 부재(195)는 주변 영역에 형성되고, 표시 영역에서 화소 전극을 형성하는 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 연결 부재(195)는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속 등으로 이루어질 수 있다.
연결 부재(195)는 신호선(125) 및 신호 입력선(175)과 연결되어 있으므로, 신호선(125)에 인가되는 클럭 신호를 신호 입력선(175)을 통해 게이트 구동부(400)로 전달한다.
도 4는 도 2에 표기된 "A" 를 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 4를 참고하면, 도시한 빨간색 화살표는 전류가 이동하는 방향을 나타낸다. 이처럼, 본 실시예에 따른 연결 구조는 여러 가지 루트를 통해 신호가 전달되기 때문에 저항을 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 기판(110) 위에 집적되어 있는 게이트 구동부(400)와 신호선(125)의 연결 구조에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 데이터 구동부가 기판 위에 집적될 수도 있으며, 데이터 구동부와 다른 신호선의 연결 구조에도 동일 또는 유사한 구조로 적용이 가능하다.
또한, 주변 영역에 위치하는 연결 구조뿐만 아니라 표시 영역에 위치하는 층이 다른 배선을 연결시키기 위한 구조에 본 발명의 일실시예 따른 연결 구조를 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110 기판 125 신호선
140 제1 절연층 180 제2 절연층
175 신호 입력선 175p 반도체층
175q 금속층 237 제1 접촉 구멍
239 제2 접촉 구멍 300 표시판
140 제1 절연층 180 제2 절연층
175 신호 입력선 175p 반도체층
175q 금속층 237 제1 접촉 구멍
239 제2 접촉 구멍 300 표시판
Claims (12)
- 기판,
상기 기판 위에 위치하며 제1 방향으로 연장되는 복수의 신호선,
상기 기판 위에 위치하고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장되며 구동부와 연결되는 신호 입력선,
상기 신호선과 상기 신호 입력선 사이에 위치하는 제1 절연층,
상기 신호선, 상기 신호 입력선 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 제2 절연층,
상기 신호선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제1 접촉 구멍,
상기 신호 입력선의 적어도 일부를 노출하고, 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 복수의 제2 접촉 구멍 그리고
상기 복수의 제1 접촉 구멍 및 상기 복수의 제2 접촉 구멍을 통해 상기 신호선과 상기 신호 입력선을 연결하고, 상기 제2 절연층 위에 위치하는 연결 부재를 포함하고,
상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 제1 방향을 따라 교대로 배열되어 있으며
상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍은 평면상 제1 방향을 따라 중첩하는 표시 장치.
- 제1항에서,
상기 복수의 제1 접촉 구멍과 상기 복수의 제2 접촉 구멍이 평면상 지그재그 모양의 선을 따라 교대로 배열되어 있는 표시 장치. - 제2항에서,
상기 제1 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호선의 부분과 상기 제2 접촉 구멍에 의해 노출되는 상기 신호 입력선의 부분은 서로 중첩하지 않는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 신호 입력선은 반도체층 및 상기 반도체층 위에 위치하는 금속층을 포함하는 표시 장치. - 제4항에서,
상기 제1 절연층은 상기 신호선 위에 위치하고,
상기 신호 입력선은 상기 제1 절연층 위에 위치하는 표시 장치. - 제5항에서,
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 형성된 표시 장치. - 제1항에서,
상기 신호선은 클럭 신호를 전달하는 표시 장치. - 제7항에서,
상기 구동부는 상기 기판 위에 집적되어 있는 표시 장치. - 제8항에서,
상기 구동부는 게이트 신호를 전달하는 게이트 구동부로 형성된 표시 장치. - 제1항에서,
상기 연결 부재는 인듐-주석 산화물(ITO) 또는 인듐-아연 산화물(IZO)를 포함하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 기판은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸도록 가장자리에 위치하는 주변 영역을 포함하고,
상기 신호선, 상기 구동부 및 상기 신호 입력선은 상기 주변 영역에 위치하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 신호 입력선의 단부는 톱니 형상을 갖는 표시 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130011381A KR101960076B1 (ko) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | 표시 장치 |
US13/940,405 US9666607B2 (en) | 2013-01-31 | 2013-07-12 | Display device |
CN201310486576.9A CN103972239B (zh) | 2013-01-31 | 2013-10-17 | 显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130011381A KR101960076B1 (ko) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140098949A KR20140098949A (ko) | 2014-08-11 |
KR101960076B1 true KR101960076B1 (ko) | 2019-03-20 |
Family
ID=51221953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130011381A KR101960076B1 (ko) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | 표시 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9666607B2 (ko) |
KR (1) | KR101960076B1 (ko) |
CN (1) | CN103972239B (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102585124B1 (ko) * | 2016-04-20 | 2023-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102701032B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2024-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR102719749B1 (ko) | 2016-11-04 | 2024-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102523978B1 (ko) * | 2018-03-19 | 2023-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN115719747B (zh) * | 2022-10-31 | 2023-10-20 | 惠科股份有限公司 | 驱动基板及显示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110025968A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Thin film transistor substrate |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL165888C (nl) * | 1970-10-10 | 1981-05-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam bevattende een collectorzone, een basiszone en een emitterzone waarbij de emitterzone ten minste twee strookvormige onderling evenwijdige emittergebieden bevat, die uit afwisselend smallere en bredere delen bestaan. |
US5204735A (en) * | 1988-04-21 | 1993-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency semiconductor device having emitter stabilizing resistor and method of manufacturing the same |
US5264743A (en) * | 1989-12-08 | 1993-11-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory operating with low supply voltage |
US6759732B1 (en) | 1990-04-24 | 2004-07-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with circuit cell array and arrangement on a semiconductor chip |
JP2000347592A (ja) | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Fujitsu Ltd | 平面表示パネルの電極端子接続方法 |
JP4801835B2 (ja) | 2000-11-08 | 2011-10-26 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置用電極基板 |
JP2002323706A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nec Corp | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4662647B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-03-30 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
CN100539184C (zh) * | 2004-02-16 | 2009-09-09 | 富士电机电子技术株式会社 | 双方向元件及其制造方法、半导体装置 |
KR101100883B1 (ko) | 2004-11-08 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
JP2006178113A (ja) | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置用基板及び電子機器 |
JP2007086205A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sharp Corp | 表示パネルおよび表示装置 |
JP2007088364A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
KR20080008795A (ko) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR101287042B1 (ko) | 2006-12-01 | 2013-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치 |
JP2009031362A (ja) | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 配線基板、その製造方法、及び表示装置 |
JP2009037115A (ja) | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置 |
JP2010192802A (ja) | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sony Corp | 実装基板および表示装置 |
-
2013
- 2013-01-31 KR KR1020130011381A patent/KR101960076B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-12 US US13/940,405 patent/US9666607B2/en active Active
- 2013-10-17 CN CN201310486576.9A patent/CN103972239B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110025968A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Thin film transistor substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103972239B (zh) | 2018-11-02 |
US20140209910A1 (en) | 2014-07-31 |
US9666607B2 (en) | 2017-05-30 |
KR20140098949A (ko) | 2014-08-11 |
CN103972239A (zh) | 2014-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108255354B (zh) | 内嵌式触控显示面板 | |
CN108255355B (zh) | 内嵌式触控显示面板 | |
KR102089074B1 (ko) | 표시패널용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
CN108255353B (zh) | 内嵌式触控显示面板 | |
KR101984199B1 (ko) | 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US9275593B2 (en) | Display panel having static electricity protection | |
KR101771562B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR101458910B1 (ko) | 표시 장치 | |
TW200424715A (en) | Display panel and liquid crystal display including signal lines | |
KR101960076B1 (ko) | 표시 장치 | |
CN106652927A (zh) | 阵列基板 | |
US11158656B2 (en) | Display substrate comprising a plurality of conductive patterns | |
KR101061853B1 (ko) | 표시 장치 및 그 표시판 | |
KR102692421B1 (ko) | 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치 | |
CN103972240A (zh) | 薄膜晶体管阵列面板 | |
KR102296294B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
CN112328113B (zh) | 触控面板及其修复方法、显示装置 | |
KR101970779B1 (ko) | 표시 장치 | |
CN115176220A (zh) | 柔性印刷电路板和显示触控装置 | |
CN112992923A (zh) | 包括薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法 | |
US9419025B2 (en) | Display device | |
KR20140068421A (ko) | 표시 기판 | |
JP2011164656A (ja) | 表示装置およびic | |
KR20240102195A (ko) | 발광 표시장치 | |
KR20020069414A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |