[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101910798B1 - 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 - Google Patents

배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101910798B1
KR101910798B1 KR1020160180179A KR20160180179A KR101910798B1 KR 101910798 B1 KR101910798 B1 KR 101910798B1 KR 1020160180179 A KR1020160180179 A KR 1020160180179A KR 20160180179 A KR20160180179 A KR 20160180179A KR 101910798 B1 KR101910798 B1 KR 101910798B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
substrate
cover
drain pipe
housing
Prior art date
Application number
KR1020160180179A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180076412A (ko
Inventor
이성필
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160180179A priority Critical patent/KR101910798B1/ko
Publication of KR20180076412A publication Critical patent/KR20180076412A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101910798B1 publication Critical patent/KR101910798B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 액을 배출하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 기판에 사용된 처리액을 회수하는 처리 용기, 그리고 상기 처리 용기에 회수된 처리액을 배출하는 배출 어셈블리를 포함하되, 상기 배출 어셈블리는 위를 향하는 유입단을 가지는 드레인 배관 및 상기 드레인 배관의 일부를 차단하는 커버를 포함하되, 상기 커버는 상기 유입단을 감싼다. 이로 인해 퓸이 드레인 배관의 유입단을 통해 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.

Description

배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Drain assembly and Apparatus for treating substrate with the unit}
본 발명은 액을 배출하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 세정 공정은 기판 상에 잔류된 파티클을 제거하는 공정으로, 각각의 공정 전후 단계에서 진행된다.
일반적으로 세정 공정은 기판 상에 케미칼을 공급하며, 케미칼은 강산의 액이 사용된다. 이러한 케미칼은 대기에 노출되거나, 기판에 접촉되는 중에 다량의 퓸(Fume)을 발생시킨다. 케미칼로부터 발생된 퓸은 주변 장치를 오염시킬 뿐만 아니라, 기판을 역오염시킬 위험이 있다. 이로 인해 기판을 처리하는 공간에는 하강 기류를 발생시켜 그 퓸이 주변 장치의 오염을 억제한다.
기판 처리에 사용된 케미칼은 드레인 배관을 통해 외부로 배출된다. 그러나 케미칼이 배출되는 과정에서 발생된 퓸은 드레인 배관으로부터 역류된다. 역류된 퓸은 주변 설비를 오염시킬 뿐만 아니라 작업자에게 노출될 수 있다.
한국 공개 특허 2013-0111150호
본 발명은 케미칼이 드레인 배관을 통해 배출되는 과정에서, 퓸이 드레인 배관으로부터 역류되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명은 액을 배출하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 기판에 사용된 처리액을 회수하는 처리 용기, 그리고 상기 처리 용기에 회수된 처리액을 배출하는 배출 어셈블리를 포함하되, 상기 배출 어셈블리는 위를 향하는 유입단을 가지는 드레인 배관 및 상기 드레인 배관의 일부를 차단하는 커버를 포함하되, 상기 커버는 상기 유입단을 감싼다.
상기 배출 어셈블리는 중공이 형성되며 상부가 개방된 통 형상을 가지는 하우징을 더 포함하되, 상기 유입단이 상기 하우징의 바닥면보다 높게 위치되도록 상기 중공에 상기 드레인 배관이 삽입될 수 있다. 상기 배출 어셈블리는 상기 드레인 배관과 상기 하우징의 사이 공간인 수용 공간에 액을 공급하는 액 보충 라인을 포함할 수 있다. 상기 커버는 하부가 개방된 통 형상을 가지며, 상기 드레인 배관보다 크고 상기 하우징보다 작은 직경을 가질 수 있다. 상기 커버의 하단은 상기 유입단과 동일하거나 이보다 낮게 위치될 수 있다. 상기 커버의 하단에는 상기 커버의 외측면에서 내측면까지 연장되는 홈이 형성되되, 상기 홈은 상기 유입단에 마주하는 높이에 형성될 수 있다. 상기 하우징의 상단은 상기 유입단보다 높은 높이를 가질 수 있다. 상기 커버에는 상기 액 보충 라인이 연결되는 액 보충 포트가 형성되되, 상부에서 바라볼 때 상기 액 보충 포트는 상기 수용 공간과 중첩되게 위치될 수 있다.
상기 액 공급 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 노즐, 상기 처리액 노즐에 처리액을 공급하는 처리액 공급 라인, 기판 상에 잔류되는 처리액을 린스 처리하도록 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 노즐, 그리고 상기 린스액 노즐에 린스액을 공급하는 린스액 공급 라인을 포함하되, 상기 액 보충 라인은 상기 린스액 공급 라인으로부터 분기되어 상기 액 보충 포트에 연결될 수 있다.
상기 장치는 상기 처리 용기 및 상기 배출 어셈블리를 연결하는 회수 라인을 더 포함하되, 상기 회수 라인은 처리액을 상기 커버의 외측면과 상기 하우징의 내측면의 사이 공간으로 회수할 수 있다.
퓸이 발생되는 처리액을 배출하는 배출 어셈블리는 위를 향하는 유입단을 가지는 드레인 배관, 상기 드레인 배관의 일부를 차단하는 커버, 그리고 중공이 형성되며 상부가 개방된 통 형상을 가지는 하우징을 포함하되, 상기 유입단이 상기 하우징의 바닥면보다 높게 위치되도록 상기 중공에 상기 드레인 배관이 삽입되고, 상기 커버는 상기 유입단을 감싼다.
상기 배출 어셈블리는 상기 드레인 배관과 상기 하우징의 사이 공간인 수용 공간에 액을 공급하는 액 보충 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 커버는 하부가 개방된 통 형상을 가지며, 상기 드레인 배관보다 크고 상기 하우징보다 작은 직경을 가질 수 있다. 상기 커버의 하단은 상기 유입단과 동일하거나 이보다 낮게 위치될 수 있다. 상기 커버의 하단에는 상기 커버의 외측면에서 내측면까지 연장되는 홈이 형성되되, 상기 홈은 상기 유입단에 마주하는 높이에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 드레인 배관으로부터 역류되는 퓸은 린스액이 채워진 수용 공간을 통과하는 중에 린스액에 스며든다. 이로 인해 퓸이 드레인 배관의 유입단을 통해 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 배출 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 배출 어셈블리를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 커버를 보여주는 사시도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명은 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 배치된다. 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.
상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다.
공정 챔버(260)에는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 제공된다. 예컨대, 기판 처리 장치는 기판(W)에 대해 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 건조 공정을 수행할 수 있다.
다음은 기판 처리 장치에 대해 보다 자세히 설명한다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 기판 처리 유닛 및 배출 어셈블리를 포함한다. 기판 처리 유닛은 기판의 액 처리 공정이 수행되고, 배출 어셈블리는 액 처리 공정에 사용된 액을 외부로 배출한다.
도 3은 도 2의 기판 처리 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 유닛(300)은 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360) 그리고 액 공급 유닛(380)을 포함한다. 처리 용기(320)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
스핀 헤드(340)는 기판(W)을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 스핀 헤드(340)는 처리 용기(320)의 처리 공간에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 기판 지지 유닛(340) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 놓이거나, 기판 지지 유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 기판 지지 유닛(340)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다.
상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 기판 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 액을 공급한다. 액 공급 유닛(380)은 처리액 노즐(392) 및 린스액 노즐(396)을 포함한다. 처리액 노즐(392)은 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W) 상에 처리액을 공급 가능하다. 처리액 노즐(392)은 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(392)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(392)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 처리액 노즐(392)이 기판(W)의 중심으로 처리액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 처리액 노즐(392)에는 처리액 공급 라인(398)이 연결된다. 처리액 공급 라인(398)은 처리액 노즐(392)에 처리액을 공급한다.
린스액 노즐(396)은 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W) 상에 린스액을 공급 가능하다. 기판(W) 상에 잔류된 처리액은 린스액에 의해 린스 처리된다. 린스액 노즐(396)에는 린스액 공급 라인(394)이 연결된다. 린스액 공급 라인(394)은 린스액 노즐(396)에 린스액을 공급한다.
예컨대, 처리액은 퓸이 발생되는 케미칼을 포함할 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(H3PO4), 그리고 불산(HF)일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다.
선택적으로 액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상에 잔류된 린스액을 건조시키기 위해 건조 유체를 공급하는 치환 노즐(미도시)을 더 포함할 수 있다. 건조 유체는 이소프로필 알코올(IPA)일 수 있다.
배출 어셈블리(400)는 기판(W) 처리에 사용된 액을 배출한다. 배출 어셈블리(400)는 처리 용기에 회수된 액을 외부로 배출한다. 처리 용기에 회수된 액은 회수 라인을 통해 배출 어셈블리(400)로 전달된다. 본 실시예에는 배출 어셈블리(400)가 내부 회수통(322)의 회수 라인(322b)을 통해 회수된 처리액을 배출하는 것을 일 예로 설명한다.
도 4는 도 2의 배출 어셈블리를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 배출 어셈블리를 보여주는 평면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 배출 어셈블리(400)는 드레인 배관(410), 하우징(420), 커버(440), 그리고 액 보충 라인(450)을 포함한다. 드레인 배관(410)은 유입단(412)을 포함하는 상류 영역의 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 여기서 유입단(412)은 처리 용기로부터 회수된 처리액인 드레인 배관(410)으로 유입되는 단부로 정의한다. 드레인 배관(410)은 유입단(412)이 위를 향하도록 위치된다.
하우징(420)은 유입단(412)의 주변에 린스액이 채워지는 수용 공간(424)을 형성한다. 하우징(420)은 유입단(412)의 아래에서 유입단(412)을 감싸도록 제공된다. 하우징(420)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 예컨대, 하우징(420)은 원통 형상을 가질 수 있다. 하우징(420)의 바닥면에는 중공(422)이 형성된다. 중공(422)에는 드레인 배관(410)이 삽입되게 위치된다. 드레인 배관(410)은 유입단(412)이 하우징(420)의 바닥면보다 높은 높이를 가지고, 하우징(420)의 상단보다 낮은 높이를 가지도록 위치된다. 따라서 하우징(420)의 내측면과 드레인 배관(410)의 외측면의 사이 공간은 상기 수용 공간(424)으로 제공된다. 처리 용기에 회수된 처리액은 회수 라인을 통해 수용 공간(424)으로 공급된다. 수용 공간(424)에 공급된 처리액은 오버 플로우됨에 따라 유입단(412)으로 유입되어 드레인 배관(410)을 통해 배출될 수 있다.
커버(440)는 드레인 배관(410)의 일부를 차단한다. 커버(440)는 유입단(412)의 위에서 유입단(412)과 마주하도록 위치된다. 도 6은 도 4의 커버를 보여주는 사시도이다. 도 6을 참조하면, 커버(440)는 유입단(412)의 위에서 유입단(412)을 감싸도록 제공된다. 커버(440)는 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 커버(440)는 드레인 배관(410)보다 크고 하우징(420)보다 작은 직경을 가진다. 커버(440)의 하단은 유입간과 동일하거나 이보다 낮게 위치된다. 예컨대, 커버(440)는 원통 형상을 가질 수 있다. 커버(440)의 하단에는 복수의 홈들(442)이 형성된다. 홈들(442)은 커버(440)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 형성된다. 홈들(442)은 서로 동일한 높이에 위치된다. 홈(442)은 커버(440)의 외측면에서 내측면까지 연장되게 제공된다. 일 예에 의하면, 홈(442)은 유입단(412)과 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 커버(440)에는 액 보충 포트(444)가 형성된다. 액 보충 포트(444)는 수용 공간(424)에 린스액을 공급하는 입구로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 액 보충 포트(444)는 수용 공간(424)과 중첩되게 위치된다. 이에 따라 액 보충 포트(444)를 통해 공급되는 린스액이 드레인 배관(410)에 직접 유입되는 것을 방지할 수 있다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 액 보충 라인(450)은 린스액 공급 라인(394) 및 액 보충 포트(444)를 서로 연결한다. 액 보충 라인(450)은 린스액 공급 라인(394)으로부터 분기되는 분기 라인(450)으로 제공된다. 린스액 공급 라인(394)에 공급되는 린스액의 일부는 액 보충 라인(450)을 통해 수용 공간(424)으로 공급된다.
상술한 실시예에 의하면, 유입단(412)의 주변에는 린스액이 채워지고, 유입단(412)의 상부는 커버(440)에 의해 차단된다. 이로 인해 드레인 배관(410)으로부터 퓸이 역류될지라도, 퓸이 린스액이 채워진 수용 공간(424)을 통과하는 중에 린스액에 스며든다. 이에 따라 드레인 배관(410)으로부터 역류된 퓸이 기판 처리 유닛(300) 및 이의 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있다.
400: 배출 어셈블리 410: 드레인 배관
412: 유입단 420: 하우징
440: 커버 450: 액 보충 라인

Claims (15)

  1. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 기판에 사용된 처리액을 회수하는 처리 용기와;
    상기 처리 용기에 회수된 처리액을 배출하는 배출 어셈블리를 포함하되,
    상기 배출 어셈블리는,
    중공이 형성되며 상부가 개방된 통 형상을 가지는 하우징;
    위를 향하는 유입단이 상기 하우징의 바닥면보다 높게 위치되도록 상기 중공에 삽입되는 드레인 배관;
    상기 드레인 배관의 일부를 차단하는 그리고 상기 유입단을 감싸는 커버; 및
    상기 드레인 배관과 상기 하우징의 사이 공간인 수용 공간에 린스액을 공급하는 액 보충 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 커버는 하부가 개방된 통 형상을 가지며, 상기 드레인 배관보다 크고 상기 하우징보다 작은 직경을 가지는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 커버의 하단은 상기 유입단과 동일하거나 이보다 낮게 위치되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 커버의 하단에는 상기 커버의 외측면에서 내측면까지 연장되는 홈이 형성되되,
    상기 홈은 상기 유입단에 마주하는 높이에 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 하우징의 상단은 상기 유입단보다 높은 높이를 가지는 기판 처리 장치.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버에는 상기 액 보충 라인이 연결되는 액 보충 포트가 형성되되,
    상부에서 바라볼 때 상기 액 보충 포트는 상기 수용 공간과 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과;
    상기 처리액 노즐에 처리액을 공급하는 처리액 공급 라인과;
    기판 상에 잔류되는 처리액을 린스 처리하도록 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 노즐과;
    상기 린스액 노즐에 린스액을 공급하는 린스액 공급 라인을 포함하되,
    상기 액 보충 라인은 상기 린스액 공급 라인으로부터 분기되어 상기 액 보충 포트에 연결되는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 처리 용기 및 상기 배출 어셈블리를 연결하는 회수 라인을 더 포함하되,
    상기 회수 라인은 처리액을 상기 커버의 외측면과 상기 하우징의 내측면의 사이 공간으로 회수하는 기판 처리 장치.
  11. 퓸이 발생되는 처리액을 배출하는 장치에 있어서,
    위를 향하는 유입단을 가지는 드레인 배관과;
    상기 드레인 배관의 일부를 차단하는 커버와;
    중공이 형성되며 상부가 개방된 통 형상을 가지는 하우징; 및
    상기 드레인 배관과 상기 하우징의 사이 공간인 수용 공간에 린스액을 공급하는 액 보충 라인을 포함하되,
    상기 유입단이 상기 하우징의 바닥면보다 높게 위치되도록 상기 중공에 상기 드레인 배관이 삽입되고,
    상기 커버는 상기 유입단을 감싸는 배출 어셈블리.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서,
    상기 커버는 하부가 개방된 통 형상을 가지며, 상기 드레인 배관보다 크고 상기 하우징보다 작은 직경을 가지는 배출 어셈블리.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 커버의 하단은 상기 유입단과 동일하거나 이보다 낮게 위치되는 배출 어셈블리.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 커버의 하단에는 상기 커버의 외측면에서 내측면까지 연장되는 홈이 형성되되,
    상기 홈은 상기 유입단에 마주하는 높이에 형성되는 배출 어셈블리.


KR1020160180179A 2016-12-27 2016-12-27 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 KR101910798B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160180179A KR101910798B1 (ko) 2016-12-27 2016-12-27 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160180179A KR101910798B1 (ko) 2016-12-27 2016-12-27 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180076412A KR20180076412A (ko) 2018-07-06
KR101910798B1 true KR101910798B1 (ko) 2018-10-25

Family

ID=62921409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160180179A KR101910798B1 (ko) 2016-12-27 2016-12-27 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101910798B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000098319A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Sharp Corp 薬液処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5025126U (ko) * 1973-06-29 1975-03-22
KR102223763B1 (ko) * 2013-12-27 2021-03-05 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
KR101736871B1 (ko) * 2015-05-29 2017-05-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000098319A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Sharp Corp 薬液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180076412A (ko) 2018-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621482B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170133694A (ko) 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102319966B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR101981559B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20140112299A (ko) 기판처리장치
KR102098599B1 (ko) 약액공급유닛
KR20120023296A (ko) 기판처리장치
KR102343633B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20140084733A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20130052997A (ko) 버퍼
KR101910798B1 (ko) 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20180013337A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101966804B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180003109A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170046490A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102331356B1 (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR102232835B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101979601B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102343634B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102186069B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20200078791A (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR102297375B1 (ko) 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고 히터 교체 방법
KR20130019543A (ko) 기판처리장치
KR101994420B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant