KR101916782B1 - 차광막을 포함하는 디바이스 및 상기 차광막 패터닝 방법 - Google Patents
차광막을 포함하는 디바이스 및 상기 차광막 패터닝 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101916782B1 KR101916782B1 KR1020150128444A KR20150128444A KR101916782B1 KR 101916782 B1 KR101916782 B1 KR 101916782B1 KR 1020150128444 A KR1020150128444 A KR 1020150128444A KR 20150128444 A KR20150128444 A KR 20150128444A KR 101916782 B1 KR101916782 B1 KR 101916782B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical formula
- light
- group
- shielding film
- formula
- Prior art date
Links
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 86
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 18
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 15
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GHPVDCPCKSNJDR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxydecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)C(O)=O GHPVDCPCKSNJDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 10
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000006832 (C1-C10) alkylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 claims description 6
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KQIGMPWTAHJUMN-UHFFFAOYSA-N 3-aminopropane-1,2-diol Chemical compound NCC(O)CO KQIGMPWTAHJUMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- LMHJFKYQYDSOQO-UHFFFAOYSA-N hydroxydecanoic acid Natural products CCCCCC(O)CCCC(O)=O LMHJFKYQYDSOQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 5
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- -1 siloxane- Chemical class 0.000 description 18
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 13
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 10
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 9
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- MXPYJVUYLVNEBB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-carboxybenzoyl)oxycarbonylbenzoyl]oxycarbonylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O MXPYJVUYLVNEBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHAFBBNQUOEYHB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C(O)=C1 KHAFBBNQUOEYHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSUWBBMPVXVSOA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carbonochloridoylphenoxy)benzoyl chloride Chemical compound C1=CC(C(=O)Cl)=CC=C1OC1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 OSUWBBMPVXVSOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 CCCCCCCC*[C+]1N(*)CCCN1 Chemical compound CCCCCCCC*[C+]1N(*)CCCN1 0.000 description 2
- RDRXODWOPXEYBO-UHFFFAOYSA-N CN1[C+](NCCC2)N2CCC1 Chemical compound CN1[C+](NCCC2)N2CCC1 RDRXODWOPXEYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVECANJXWFSQQF-UHFFFAOYSA-N OC(Cc(cc12)ccc1Oc1ccccc1C2=O)=O Chemical compound OC(Cc(cc12)ccc1Oc1ccccc1C2=O)=O MVECANJXWFSQQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- WOSVXXBNNCUXMT-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O WOSVXXBNNCUXMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001990 dicarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- WBODDOZXDKQEFS-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetramethyl-5-phenylbenzene Chemical group CC1=C(C)C(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C WBODDOZXDKQEFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZLDGFZCFRXUIB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(3-amino-4-hydroxyphenyl)phenol Chemical group C1=C(O)C(N)=CC(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)=C1 KZLDGFZCFRXUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERCNNGWSFHMRS-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-[3-amino-4-hydroxy-5-(trifluoromethyl)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-6-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound FC(F)(F)C1=C(O)C(N)=CC(C(C=2C=C(C(O)=C(N)C=2)C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 CERCNNGWSFHMRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQFJXLRJLMSBKE-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)-3-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound NC1=C(C=C(C=C1C(F)(F)F)C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)O GQFJXLRJLMSBKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical group C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDRNVPNSQJRIRN-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-[2-(4-amino-3-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZDRNVPNSQJRIRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTAZMBPIWJGSNR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methylpropanoic acid methyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)O.CC(C)(O)C(O)=O JTAZMBPIWJGSNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 3-[(4-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=CC(N)=C1 FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJYKNDQMVDBKS-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluorobutane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCC(F)(F)F CHJYKNDQMVDBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQGUWEUKOQRRJU-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminobutyl-methyl-trimethylsilyloxysilyl)butan-1-amine Chemical compound NCCCC[Si](C)(O[Si](C)(C)C)CCCCN JQGUWEUKOQRRJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKTPGXGRDRSYMY-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminophenyl)-dimethylsilyl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1[Si](C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 KKTPGXGRDRSYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 4415-87-6 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C(=O)OC(=O)C12 YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDXLMUPIWAJBRO-UHFFFAOYSA-N 5-(2,5-dioxooxolan-3-yl)-3-methylcyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1C(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C)CC1C1C(=O)OC(=O)C1 IDXLMUPIWAJBRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXERBUBSCDXHNZ-UHFFFAOYSA-N 6-(2,5-dioxooxolan-3-yl)-4-methyl-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)CC1C1CC(=O)OC1=O IXERBUBSCDXHNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZGWCYNKIPSSOK-UHFFFAOYSA-N 6-amino-3-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)-2-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound NC1=C(C(=C(C=C1)C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C(F)(F)F)O YZGWCYNKIPSSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVQIEVKGETYOBR-UHFFFAOYSA-N C(C)OC(C(=O)O)C.C(C(=O)C)(=O)OCC Chemical compound C(C)OC(C(=O)O)C.C(C(=O)C)(=O)OCC PVQIEVKGETYOBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-O C(C1)CN2[C+]1NCCC2 Chemical compound C(C1)CN2[C+]1NCCC2 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- XMFMVEMLEORNKU-UHFFFAOYSA-N C(COCCO)O.COC(C)COC(C)CO Chemical compound C(COCCO)O.COC(C)COC(C)CO XMFMVEMLEORNKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-O C1CN(CCCCC2)[C+]2NC1 Chemical compound C1CN(CCCCC2)[C+]2NC1 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- KLQFEGWWRIQCLK-UHFFFAOYSA-N CC(C(=O)O)(O)C.C(C(O)C)(=O)OCC Chemical compound CC(C(=O)O)(O)C.C(C(O)C)(=O)OCC KLQFEGWWRIQCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKYWVDODHFEZIM-UHFFFAOYSA-M CC(C([O-])=O)c1cccc(C(c2ccccc2)=O)c1 Chemical compound CC(C([O-])=O)c1cccc(C(c2ccccc2)=O)c1 DKYWVDODHFEZIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ULRFZUWKNGMBRY-UHFFFAOYSA-N CC(C=C1)(C=CC(Oc2ccccc22)=C1C2=O)[IH]C(O)=O Chemical compound CC(C=C1)(C=CC(Oc2ccccc22)=C1C2=O)[IH]C(O)=O ULRFZUWKNGMBRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N COCN(COC)c1nc(N(COC)COC)nc(N(COC)COC)n1 Chemical compound COCN(COC)c1nc(N(COC)COC)nc(N(COC)COC)n1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCVXIUKBHNNURK-HWKANZROSA-N COc1cc(O)c(/C=C/C(N2CCC(CO)CC2)=O)cc1 Chemical compound COc1cc(O)c(/C=C/C(N2CCC(CO)CC2)=O)cc1 MCVXIUKBHNNURK-HWKANZROSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDMJDDSYKGMZCZ-UHFFFAOYSA-N N=COCCCCOC(CCC(OCCCCOC=N)=O)=O Chemical compound N=COCCCCOC(CCC(OCCCCOC=N)=O)=O UDMJDDSYKGMZCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGWPETDJKGQONH-UHFFFAOYSA-N O=C1OC(CC1C12C(CCC3=CC=CC=C13)C(=O)OC2=O)=O.O=C2OC(CC2C2CCCC1=CC=CC=C21)=O Chemical compound O=C1OC(CC1C12C(CCC3=CC=CC=C13)C(=O)OC2=O)=O.O=C2OC(CC2C2CCCC1=CC=CC=C21)=O JGWPETDJKGQONH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALCCDGUHQGQXIT-UHFFFAOYSA-N OC(Cc(cc12)ccc1Sc1ccccc1C2=O)=O Chemical compound OC(Cc(cc12)ccc1Sc1ccccc1C2=O)=O ALCCDGUHQGQXIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- FYXKZNLBZKRYSS-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1C(Cl)=O FYXKZNLBZKRYSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC(C(Cl)=O)=C1 FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSCQBWYZLHJYRJ-UHFFFAOYSA-N butyl 2-hydroxypropanoate 2-hydroxy-2-methylhexanoic acid Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O.CCCCC(C)(O)C(O)=O QSCQBWYZLHJYRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- LNSXAHXVHYLJEG-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate;2-hydroxy-2-methylbutanoic acid Chemical compound CCOC(=O)C(C)O.CCC(C)(O)C(O)=O LNSXAHXVHYLJEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- XUTLZGKVFSLSDR-UHFFFAOYSA-N methyl 2-oxopropanoate;2-oxobutanoic acid Chemical compound CCC(=O)C(O)=O.COC(=O)C(C)=O XUTLZGKVFSLSDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1N KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC(N)=CC=C21 GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- LCUPNHOUKMJAQN-UHFFFAOYSA-N phenoxycarbonyl phenyl carbonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(=O)OC(=O)OC1=CC=CC=C1 LCUPNHOUKMJAQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N terephthaloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTUUTGJMRQWABQ-UHFFFAOYSA-N triphenyl(phenylsilyloxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)O[SiH2]C1=CC=CC=C1 PTUUTGJMRQWABQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
-
- H01L27/322—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/10—Esters; Ether-esters
- C08K5/12—Esters; Ether-esters of cyclic polycarboxylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3412—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having one nitrogen atom in the ring
- C08K5/3432—Six-membered rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3442—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
- C08K5/3462—Six-membered rings
- C08K5/3465—Six-membered rings condensed with carbocyclic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H01L27/3258—
-
- H01L27/3262—
-
- H01L51/0007—
-
- H01L51/5237—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2201/00—Properties
- C08L2201/08—Stabilised against heat, light or radiation or oxydation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
기판; 상기 기판 위에 위치하는 차광막; 상기 기판 위에 위치하여 상기 차광막을 덮는 패시베이션막; 상기 패시베이션막 위에 위치하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮는 또다른 패시베이션막; 상기 또다른 패시베이션막 위에 위치하는 컬러필터 및 상기 또다른 패시베이션막 위에 위치하고, 상기 컬러필터를 덮는 절연막을 포함하고, 상기 차광막은 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제 및 용매를 포함하는 조성물을 이용하여 패터닝되는 디바이스 및 상기 차광막 패터닝 방법을 제공한다.
Description
본 기재는 차광막을 포함하는 디바이스 및 상기 차광막 패터닝 방법에 관한 것이다.
흑색 감광성 수지 조성물은 컬러 필터, 액정 표시 재료, 유기 발광 소자(EL), 디스플레이 패널 재료 등의 표시 소자의 차광막 제조에 필수적인 재료이다. 예를 들어, 컬러 액정 디스플레이 등의 컬러 필터에는 표시 콘트라스트나 발색 효과를 높이기 위하여, 레드(red), 그린(green), 블루(blue) 등의 착색층 간의 경계 부분에 차광막이 필요하고, 이러한 차광막은 주로 흑색 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 것이다. 상기의 흑색 안료로 카본 블랙이 가장 많이 사용되며, 이외에도, RGB 혼합형 블랙, 페릴린계 화합물이나, 코발트 산화물, 락탐계 유기블랙 등이 사용될 수 있다.
한편, 디스플레이 소자 등의 디바이스 내 차광막의 경우, 노광 및 현상 공정 등을 거쳐 패터닝되는데, 이 경우 패턴의 균일성 및 미세 패턴의 구현이 어렵고 내열성이 낮다는 문제가 있다. 나아가, 종래의 차광막은 네거티브형 흑색 감광성 수지 조성물만을 이용하여 제조되기 때문에, 그 적용범위가 좁다는 문제도 있다.
이에, 미세 패턴을 구현할 수 있는 신규한 차광막 패터닝 공정 및 상기 차광막을 포함하는 디바이스를 개발하려는 노력이 계속되고 있다.
일 구현예는 미세 패턴 구현이 가능한 차광막을 포함하는 디바이스를 제공하기 위한 것이다.
다른 구현예는 상기 차광막의 패터닝 방법을 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는 기판; 상기 기판 위에 위치하는 차광막; 상기 기판 위에 위치하여 상기 차광막을 덮는 패시베이션막; 상기 패시베이션막 위에 위치하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮는 또다른 패시베이션막; 상기 또다른 패시베이션막 위에 위치하는 컬러필터 및 상기 또다른 패시베이션막 위에 위치하고, 상기 컬러필터를 덮는 절연막을 포함하고, 상기 차광막은 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제 및 용매를 포함하는 조성물을 이용하여 패터닝되는 디바이스를 제공한다.
상기 내열성 폴리머는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지, 실록산계 수지 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 관능기를 하나 이상 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 가교제는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 관능기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 3 및 화학식 4에서,
R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.
상기 조성물은 염기 발생제를 더 포함할 수 있다.
상기 염기 발생제는 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서,
X는 -CH2- 또는 -NH- 이고,
W는 -O- 또는 -S- 이고,
n은 0 또는 1의 정수이고,
R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
상기 염기 발생제는 하기 화학식 6 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
상기 화학식 6 내지 화학식 9에서,
X는 -CH2- 또는 -NH- 이고,
R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
상기 염기 발생제는 하기 화학식 10 내지 화학식 22로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
[화학식 18]
[화학식 19]
[화학식 20]
[화학식 21]
[화학식 22]
상기 흑색 착색제는 카본 블랙, 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, RGB 혼합형 블랙, 코발트 산화물, 티타늄 산화물 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 조성물은 상기 내열성 폴리머 100 중량부에 대해 상기 가교제를 5 중량부 내지 40 중량부 포함하고, 상기 흑색 착색제를 10 중량부 내지 200중량부 포함하고, 상기 용매를 150 중량부 내지 4000 중량부 포함할 수 있다.
상기 염기 발생제는 상기 내열성 폴리머 100 중량부에 대해 5 중량부 내지40 중량부로 포함될 수 있다.
상기 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다른 구현예는 기재 상에 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제 및 용매를 포함하는 조성물을 코팅하는 단계; 상기 조성물 상에 포토 레지스트를 코팅하고 가열하는 단계; 노광 및 현상하는 단계; 상기 현상 후 에칭하는 단계; 상기 에칭 후 스트리퍼(stripper)를 이용하여 스트리핑(stripping)하는 단계; 상기 스트리핑 후 가열하는 단계를 포함하는 차광막 패터닝방법을 제공한다.
상기 스트리핑 후 가열하는 단계에서, 상기 가열은 200℃ 내지 600℃에서 실시할 수 있다.
상기 조성물 상에 포토 레지스트를 코팅하고 가열하는 단계에서, 상기 가열은 70℃ 내지 160℃에서 실시할 수 있다.
상기 스트리퍼는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), γ-부티로락톤(GBL), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH), 수산화칼륨(KOH), 디메틸설폭사이드(DMSO), 부틸디글리콜(BDG), 모노에탄올아민(MEA), N-메틸피롤리돈(NMP), 하이드록시데카노익 액시드(HDA), 카테콜(catechol) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 에칭은 습식 에칭(wet etching)일 수 있다.
상기 현상 후 에칭하기 전 또는 상기 상기 에칭 후 스트리핑하기 전에 표백하는 단계(bleaching)를 더 포함할 수 있다.
상기 내열성 폴리머는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지, 실록산계 수지 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 가교제는 상기 화학식 1로 표시되는 관능기를 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 조성물은 염기 발생제를 더 포함할 수 있다.
상기 가교제 및 염기 발생제에 대해서는 전술한 바와 같다.
상기 흑색 착색제는 카본 블랙, 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, RGB 혼합형 블랙, 코발트 산화물, 티타늄 산화물 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 내열성 폴리머 100 중량부에 대해 상기 가교제를 5 중량부 내지 40 중량부 포함하고, 상기 흑색 착색제를 10 중량부 내지 200 중량부 포함하고, 상기 용매를 150 중량부 내지 4000 중량부 포함할 수 있다.
상기 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 디바이스는 종래 디스플레이 소자 등의 디바이스와 상이한 구조를 가지고, 신규 조성물을 포함하는 조성물을 이용하여 형성되는 차광막을 포함하며,상기 차광막은 신규한 패터닝 공정에 의해 패터닝되기 때문에, 균일한 미세 패턴을 구현할 수 있고, 내열성이 우수하며, 또한 네거티브형 및 포지티브형에서 모두 패터닝이 가능하다.
도 1은 본 발명의 구현예에 따른 차광막 패터닝 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 종래 디스플레이 소자의 구조를 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 발명의 구현예에 따른 디바이스 구조를 나타낸 모식도이다.
도 2는 종래 디스플레이 소자의 구조를 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 발명의 구현예에 따른 디바이스 구조를 나타낸 모식도이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를의미하고, "아릴알킬기"란 C6 내지 C20 아릴알킬기를의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를의미하고, "알킬아릴렌기"란 C6 내지 C20 알킬아릴렌기를의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소원자가 할로겐원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메타)아크릴산"은 "아크릴산"과 "메타크릴산" 둘 다 가능함을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
일 구현예에 따른 디바이스는 기판; 상기 기판 위에 위치하는 차광막; 상기 기판 위에 위치하여 상기 차광막을 덮는 패시베이션막; 상기 패시베이션막 위에 위치하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 위에 위치하는 컬러필터 및 상기 박막 트랜지스터 위에 위치하여 상기 컬러필터를 덮는 절연막을 포함하고, 상기 차광막은 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제 및 용매를 포함하는 조성물을 이용하여 패터닝된다.
디스플레이 소자 등의 디바이스는 빛샘 현상을 방지하기 위하여 차광막을 포함하는데, 상기 차광막은 노광 및 현상 공정에 의해 패터닝이 된다. 이 때, 상기 노광 및 현상 공정에 의해 패턴이 균일하지 못하는 등 미세 패턴을 구현하기가 어려웠으며, 내열성 및 내화학성 또한 낮았다. 나아가 상기 차광막은 네거티브형 조성물을 이용하여 제조될 수 있었을 뿐, 포지티브형 조성물을 이용하여 제조되는데 어려움이 있었다.
그러나, 일 구현예에 따른 디바이스는 미세 패턴을 구현할 수 있는 신규한 패터닝 공정 및 신규한 조성을 통해 제조된 차광막을 포함하여, 네거티브형 및 포지티브형 모두 패터닝이 가능하고, 우수한 내열성 및 내화학성을 가질 수 있다.
상기 디바이스는 디스플레이 소자, 예컨대 액정 디스플레이, 발광다이오드, 플라즈마디스플레이 또는 유기발광다이오드 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 종래 디바이스(예컨대, 디스플레이 소자 등)의 구조를 나타낸 모식도이고, 도 3은 일 구현예에 따른 디바이스(예컨대, 디스플레이 소자 등)의 구조를 나타낸 모식도이다.
도 2 및 도 3에서 보는 바와 같이, 종래 디바이스는 대부분 기판(또는 상기 기판 상에 위치하는 패시베이션막) 바로 위에 박막 트랜지스터가 위치하였으나, 일 구현예에 따른 디바이스는 기판 위에 차광막 및 상기 차광막을 덮는 패시베이션막이 위치한다. 이로 인해, 기판(예컨대, 하부 글래스 면)을 통해 RGB 빛을 구현할 수 있으며, 기판(예컨대, 하부 글래스 면)으로 발광하게 되어 박막 트랜지스터와 PCB를 연결하는 공간을 최소화하여 bezel less나 narrow bezel의 패널을 만들 수가있다.
한편, 일 구현예에 따른 디바이스는 ITO(미도시)를 더 포함할 수 있다.
이하, 일 구현예에 따른 디바이스 내 차광막 패터닝용 조성물의 각 구성 성분에 대해 자세히 설명한다.
상기 차광막 패터닝용 조성물은 내열성 폴리머를 포함하는데, 상기 내열성 폴리머는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지, 실록산계 수지 또는 이들의 조합일 수 있다. 예컨대, 상기 내열성 폴리머는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 22로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 23으로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 22]
(상기 화학식 22에서,
X1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기일 수 있고,
Y1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)
[화학식 23]
(상기 화학식 23에서,
X2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있고,
Y2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)
상기 화학식 22에서, 상기 X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 X1의 예로는 하기 화학식 24 및 화학식 25로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 24]
[화학식 25]
(상기 화학식 24 및 화학식 25에서,
A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있고,
R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기일 수 있고,
n10은 0 내지 2의 정수일 수 있고, n11 및 n12는 각각 0 내지 3의 정수일 수 있다)
상기 화학식 22에서, Y1은 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y1은 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 Y1의 예로는 하기 화학식 26 내지 화학식 28로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 26]
[화학식 27]
[화학식 28]
(상기 화학식 26 내지 화학식 28에서,
R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
n13 및 n14는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있고, n15 및 n16은 각각 0 내지 3의 정수일 수 있고,
A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있다)
상기 화학식 23에서, X2는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 X2는 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
구체적으로는 상기 X2는 방향족 디아민, 지환족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다. 이때, 상기 방향족 디아민, 지환족 디아민 및 실리콘 디아민은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 이들의 방향족 고리에 알킬기나 할로겐 원자가 치환된 화합물, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 디아민의 예로는 1,2-시클로헥실 디아민, 1,3-시클로헥실 디아민, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 실리콘 디아민의 예로는 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 23에서, Y2는 방향족 유기기, 4가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 Y2는 방향족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 Y2는 방향족 산이무수물, 또는 지환족 산이무수물로부터 유도된 잔기일 수 있다. 이때, 상기 방향족 산이무수물 및 상기 지환족 산이무수물은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 산이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride); 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물(benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride)과 같은 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(benzophenone tetracarboxylic dianhydride); 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)과 같은 옥시디프탈산 이무수물(oxydiphthalic dianhydride); 3,3',4,4'-비프탈산 이무수물(3,3',4,4'-biphthalic dianhydride)과 같은 비프탈산 이무수물(biphthalic dianhydride); 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride)과 같은 (헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물((hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride); 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride); 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 산이무수물의 예로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-사이클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride), 바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), 바이사이클로옥텐-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride)를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 내열성 폴리머는 3,000 g/mol내지 300,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있고, 구체적으로는 5,000 g/mol내지 30,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량(Mw)을 가질 경우, 용매에 대한 용해도가 우수하고, 프리베이크(pre-bake) 후에 충분한 내화학성을 얻을 수 있으며, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.
상기 차광막 패터닝용 조성물은 가교제를 포함하며, 상기 가교제는 비닐에테르 가교제일 수 있다. 예컨대, 상기 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 관능기를 하나 이상 포함할 수 있다.
[화학식 1]
예컨대, 상기 가교제는 상기 화학식 1로 표시되는 관능기 이외에, 추가로 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 관능기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 3 및 화학식 4에서,
R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.
예컨대, 상기 가교제는 하기 화학식 A 내지 화학식 M 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 A]
[화학식 B]
[화학식 C]
[화학식 D]
[화학식 E]
[화학식 F]
[화학식 G]
[화학식 H]
[화학식 I]
[화학식 J]
[화학식 K]
[화학식 L]
[화학식 M]
상기 가교제는 상기 내열성 폴리머 100 중량부에 대해 5 중량부 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 이 경우, 막을 견고하게 하여 용제 및 현상액에 대한 내성을 가지며, 경화 후 테이퍼각(tapered angle)이나 내열성을 향상시킬 수 있다.
상기 차광막 패터닝용 조성물은 흑색 착색제를 포함하는데, 상기 흑색 착색제는 카본 블랙, 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, RGB 혼합형 블랙, 코발트 산화물, 티타늄 산화물 또는 이들의 조합일 수 있다. 예컨대, 상기 흑색 착색제는 카본 블랙일 수 있다.
상기 흑색 착색제를 분산시키기 위해 분산제를 함께 사용할 수 있다. 구체적으로는, 상기 흑색 착색제를 분산제로 미리 표면처리하여 사용하거나, 조성물 제조 시 흑색 착색제와 함께 분산제를 첨가하여 사용할 수 있다.
상기 분산제로는 비이온성 분산제, 음이온성 분산제, 양이온성 분산제 등을 사용할 수 있다. 상기 분산제의 구체적인 예로는, 폴리알킬렌글리콜 및 이의 에스테르, 폴리옥시알킬렌, 다가알코올에스테르알킬렌옥사이드부가물, 알코올알킬렌옥사이드부가물, 술폰산에스테르, 술폰산염, 카르복실산에스테르, 카르복실산염, 알킬아미드알킬렌옥사이드부가물, 알킬아민 등을 들 수 있으며, 이들을 단독으로 또는 둘 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 흑색 착색제는 상기 분산제 및 후술하는 용매를 포함하는 분산액의 형태로 사용될 수 있고, 상기 분산액은 고형분의 흑색 착색제, 분산제 및 용매를 포함할 수 있다.
상기 흑색 착색제는 상기 내열성 폴리머 100 중량부에 대해 10 중량부 내지 200 중량부, 예컨대 20 중량부 내지 150 중량부로 포함될 수 있다. 상기 흑색 착색제가 상기 범위 내로 포함될 경우, 착색 효과 및 현상 성능이 우수하다.
상기 차광막 패터닝용 조성물은 염기 발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 염기 발생제를 더 포함함으로써, 에천트(etchant)에 대한 막의 흡수를 용이하게 하여 에천트에 의해 패터닝이 되는 시간 및 패턴 형태를 조절할 수 있다.
예컨대, 상기 염기 발생제는 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서,
X는 -CH2- 또는 -NH- 이고,
W는 -O- 또는 -S- 이고,
n은 0 또는 1의 정수이고,
R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
예컨대, 상기 염기 발생제는 하기 화학식 6 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
상기 화학식 6 내지 화학식 9에서,
X는 -CH2- 또는 -NH- 이고,
R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
예컨대, 상기 염기 발생제는 하기 화학식 10 내지 화학식 22로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
[화학식 18]
[화학식 19]
[화학식 20]
[화학식 21]
[화학식 22]
상기 염기 발생제는 내열성 폴리머 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 40 중량부, 예컨대 7 중량부 내지 30중량부로 사용되는 것이 좋다. 염기 발생제의 함량이 상기 범위일 경우, 패턴의 잔여물(residue) 없이 하부까지 패터닝이 빠르게 될 수 있다.
상기 차광막 패터닝용 조성물은 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제, 염기 발생제 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.
상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 내열성 폴리머 100 중량부에 대하여 150 중량부 내지 4000 중량부로, 예컨대 200 중량부 내지 3000 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 좋다.
상기 차광막 패터닝용 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 차광막 패터닝용 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산이나 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.
또한 상기 차광막 패터닝용 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제, 광산 발생제, 열산 발생제 등을 더 포함할 수도 있다.
상기 에폭시 화합물은 상기 차광막 패터닝용조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성 및 경제적으로 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 차광막 패터닝용 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면 기재 상에 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제 및 용매를 포함하는 조성물을 코팅하는 단계; 상기 조성물 상에 포토 레지스트를 코팅하고 가열하는 단계; 노광 및 현상하는 단계; 상기 현상 후 에칭하는 단계; 상기 에칭 후 스트리퍼(stripper)를 이용하여 스트리핑(stripping)하는 단계; 상기 스트리핑 후 가열하는 단계를 포함하는 차광막 패터닝 방법을 제공한다.
종래 차광막 패터닝 방법과 달리, 상기 구현예에 따른 차광막 패터닝 방법은 노광 및 현상 공정 이후 에칭 및 스트리핑하는 공정을 거쳐, 미세 패턴을 구현할 수 있다.
또한, 상기 스트리핑 후 가열하는 단계에서, 상기 가열은 200℃ 내지 600℃, 예컨대 220℃ 내지 450℃에서 실시할 수 있다. 일반적으로 차광막 제조 시 후가열 공정(포스트 베이킹 공정)의 온도는 120℃ 내지 240℃에 불과하나, 상기 구현예에 따르면 후가열 공정의 온도를 250℃ 내지 600℃, 예컨대 300℃ 내지 450℃로 유지해 줌으로써, 차광막 제조 후 TFT 공정 진행 시 발생할 수 있는 고온에 대해 아웃가스(outgas) 발생 감소 또는 내열성을 향상시키는 효과가 있다.
한편, 상기 조성물 상에 포토 레지스트를 코팅하고 가열하는 단계에서, 상기 가열은 70℃ 내지 160℃, 바람직하게는 80℃ 내지 150℃에서 실시할 수 있다.
예컨대, 상기 포토 레지스트는 노볼락계 또는 나프토퀴논디아지드계일 수 있다. 예컨대, 상기 포토 레지스트는 화학 증폭형 레지스트(chemically amplified resist)일 수 있다.
예컨대, 상기 에칭은 습식 에칭(wet etching)일 수 있다. 이 때 사용되는 에칭액은 산성 에칭액일 수 있다.
예컨대, 상기 스트리퍼는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), γ-부티로락톤(GBL), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH), 수산화칼륨(KOH), 디메틸설폭사이드(DMSO), 부틸디글리콜(BDG), 모노에탄올아민(MEA), N-메틸피롤리돈(NMP), 하이드록시데카노익 액시드(HDA), 카테콜(catechol) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 현상 후 에칭하기 전 또는 상기 에칭 후 스트리핑하기 전, 표백하는 단계(bleaching)를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 포토레지스트의 용해를 빠르게 하거나 하부 막의 감광성 물질의 반응을 발생시킬 수 있는 효과가 있다.
상기 내열성 폴리머는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지, 실록산계 수지 또는 이들의 조합일 수 있다. 또한, 상기 내열성 폴리머에 대한 내용은 전술한 바와 같다.
상기 가교제는 상기 화학식 1로 표시되는 관능기를 하나 이상 포함할 수 있다. 또한, 상기 가교제에 대한 내용은 전술한 바와 같다.
상기 조성물은 염기 발생제를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 염기 발생제에 대한 내용은 전술한 바와 같다.
상기 흑색 착색제는 카본 블랙, 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, RGB 혼합형 블랙, 코발트 산화물, 티타늄 산화물 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 조성물은 상기 내열성 폴리머 100 중량부에 대해 상기 가교제를 5 중량부 내지 40중량부 포함하고, 상기 흑색 착색제를 10 중량부 내지 200 중량부 포함하고, 상기 용매를 150 중량부 내지 4000 중량부 포함할 수 있다.
상기 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(
실시예
)
(내열성 폴리머제조)
교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치, 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 12.4 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125g을 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 9.4 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온(15℃ 내지 25℃)으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.
여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.1g 을 투입하고 70℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다.
(차광막
패터닝용
조성물 제조)
실시예
1
상기 폴리벤조옥사졸 전구체 10 g을 γ-부티로락톤(GBL) 10 g, PGME(프로필렌글리콜 모노메틸에테르) 140 g 및 EL(에틸 락테이트) 40 g의 혼합 용매에 첨가하여 용해시킨 후, 카본 블랙 8 g과 하기 화학식 B로 표시되는 가교제 2.5 g을 추가로 첨가하여 용해시킨 후, 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 차광막 패터닝용 조성물을 얻었다.
[화학식 B]
실시예
2
상기 실시예 1에서, 카본 블랙, 상기 화학식 B로 표시되는 가교제와 함께, 하기 화학식 10으로 표시되는 염기 발생제를 2.5 g 더 포함시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 차광막 패터닝용 조성물을 제조하였다.
[화학식 10]
실시예
3
상기 실시예 1에서, 카본 블랙, 상기 화학식 B로 표시되는 가교제와 함께, 하기 화학식 21로 표시되는 염기 발생제를 2.5 g 더 포함시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 차광막 패터닝용 조성물을 제조하였다.
[화학식 21]
비교예
1
상기 실시예 1에서, 상기 화학식 B로 표시되는 가교제를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 차광막 패터닝용 조성물을 제조하였다.
(평가)
평가 1: 내화학성 평가
상기 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1에 따른 차광막 패터닝용 조성물을 8 인치 웨이퍼에 SEMES社의 스핀 코터인 K-SPINNER를 이용해 코팅한 후, 140℃의 핫플레이트에서, 3분간 가열하여 두께가 1.5 ㎛인 차광막을 형성하였다. 상기 차광막을 PGMEA에 1분 동안 디핑(dipping)한 후 두께 변화를 관찰하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
내화학성 평가 기준
두께 변화가 없음: ○
두께 변화가 있음: Ⅹ
| 내화학성 | |
| 실시예 1 | ○ |
| 실시예 2 | ○ |
| 실시예 3 | ○ |
| 비교예 1 | Ⅹ |
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 3의 차광막 패터닝용 조성물은 비교예 1의 차광막 패터닝용 조성물에 비해, 우수한 내화학성을 가지고, 이로 인해 미세 패턴 구현이 가능한 차광막을 제공할 수 있음을 확인할 수 있다.
(평가)
평가 2: 차광막 패턴 형성 여부 및
테이퍼각
(
tapererd
angle) 평가
상기 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1에 따른 차광막 패터닝용 조성물을 8 인치 웨이퍼에 SEMES社의 스핀 코터인 K-SPINNER를 이용해 코팅한 후, 140℃의 핫플레이트에서, 3분간 가열하여 두께가 1.5 ㎛인 차광막을 형성하였다. 그리고 i-line PR(HKT-501)을 상기 차광막 위에 코팅한 후, 이를 100℃의 핫플레이트에서, 1분간 가열하여 두께가 1.0 ㎛인 PR막을 형성하였다. 이후Nikon社의 i10C로 에너지를 split하여 5 ㎛의 미세 패턴을 구현하였다.패터닝된 웨이퍼를 전면 노광(bleaching; 1000 mJ/cm2)한다. 이 후 Al etchant에 30℃로 300초 동안 딥핑한 후, TMAH 200초 puddle 공정을 진행해, 최종 차광막 패터닝을 얻었다. 또한, 상기 패턴이 구현된 기판을 350℃에서 1시간 동안 경화한 후, Hitachi 社의 S-4300으로 테이퍼 각을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 패턴 형성 여부 | 테이퍼 각 (°) | |
| 실시예1 | ○ | 65 |
| 실시예2 | ○ | 64 |
| 실시예3 | ○ | 65 |
| 비교예1 | Ⅹ | - |
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 3의 차광막 패터닝용 조성물은 비교예 1의 차광막 패터닝용 조성물에 비해, 적절한 테이퍼 각도를 가지는 패턴의 형성성이 우수함을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100, 200: 디바이스
110, 180, 210, 280: 기판
120, 220: 차광막
130, 150, 230, 250: 패시베이션막
140, 240: 박막 트랜지스터
160, 260: 컬러필터
170, 270: 절연막
110, 180, 210, 280: 기판
120, 220: 차광막
130, 150, 230, 250: 패시베이션막
140, 240: 박막 트랜지스터
160, 260: 컬러필터
170, 270: 절연막
Claims (19)
- 기판;
상기 기판 위에 위치하는 차광막;
상기 기판 위에 위치하여 상기 차광막을 덮는 패시베이션막;
상기 패시베이션막 위에 위치하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮는 또다른 패시베이션막;
상기 또다른 패시베이션막 위에 위치하는 컬러필터 및
상기 또다른 패시베이션막 위에 위치하고, 상기 컬러필터를 덮는 절연막을 포함하고,
상기 차광막은 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제, 염기 발생제 및 용매를 포함하는 조성물을 이용하여 패터닝되고,
상기 내열성 폴리머는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지 또는 이들의 조합이고,
상기 염기 발생제는 하기 화학식 5, 화학식 9 또는 화학식 22로 표시되는 디바이스:
[화학식 5]
[화학식 9]
[화학식 22]
상기 화학식 5 및 화학식 9에서,
X는 -CH2- 또는 -NH- 이고,
W는 -O- 또는 -S- 이고,
n은 0 또는 1의 정수이고,
R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 관능기를 하나 이상 포함하는 디바이스.
[화학식 1]
- 제3항에 있어서,
상기 가교제는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 관능기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 디바이스.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 3 및 화학식 4에서,
R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 5로 표시되는 염기 발생제는 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 디바이스:
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
상기 화학식 6 내지 화학식 8에서,
X는 -CH2- 또는 -NH- 이고,
R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 5 또는 화학식 9로 표시되는 염기 발생제는 하기 화학식 10 내지 화학식 21로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 디바이스.
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
[화학식 18]
[화학식 19]
[화학식 20]
[화학식 21]
- 제1항에 있어서,
상기 흑색 착색제는 카본 블랙, 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, RGB 혼합형 블랙, 코발트 산화물, 티타늄 산화물 또는 이들의 조합인 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 조성물은
상기 내열성 폴리머 100 중량부에 대해
상기 가교제를 5 중량부 내지 40 중량부 포함하고,
상기 흑색 착색제를 10 중량부 내지 200 중량부 포함하고,
상기 염기발생제를 5 중량부 내지 40 중량부 포함하고,
상기 용매를 150 중량부 내지 4000 중량부 포함하는 디바이스.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 디바이스.
- 기재 상에 내열성 폴리머, 가교제, 흑색 착색제, 염기 발생제 및 용매를 포함하는 조성물을 코팅하는 단계;
상기 조성물 상에 포토 레지스트를 코팅하고 가열하는 단계;
노광 및 현상하는 단계;
상기 현상 후 에칭하는 단계;
상기 에칭 후 스트리퍼(stripper)를 이용하여 스트리핑(stripping)하는 단계;
상기 스트리핑 후 가열하는 단계
를 포함하고,
상기 내열성 폴리머는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지 또는 이들의 조합이고,
상기 염기 발생제는 하기 화학식 5, 화학식 9 또는 화학식 22로 표시되는 차광막 패터닝 방법:
[화학식 5]
[화학식 9]
[화학식 22]
상기 화학식 5 및 화학식 9에서,
X는 -CH2- 또는 -NH- 이고,
W는 -O- 또는 -S- 이고,
n은 0 또는 1의 정수이고,
R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
- 제13항에 있어서,
상기 스트리핑 후 가열하는 단계에서, 상기 가열은 200℃ 내지 600℃에서 실시하는 차광막 패터닝 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 조성물 상에 포토 레지스트를 코팅하고 가열하는 단계에서, 상기 가열은 70℃ 내지 160℃에서 실시하는 차광막 패터닝 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 스트리퍼는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), γ-부티로락톤(GBL), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH), 수산화칼륨(KOH), 디메틸설폭사이드(DMSO), 부틸디글리콜(BDG), 모노에탄올아민(MEA), N-메틸피롤리돈(NMP), 하이드록시데카노익 액시드(HDA), 카테콜(catechol) 또는 이들의 조합을 포함하는 차광막 패터닝 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 현상 후 에칭하기 전 또는 상기 에칭 후 스트리핑하기 전에, 표백하는 단계(bleaching)를 더 포함하는 차광막 패터닝 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 관능기를 하나 이상 포함하는 차광막 패터닝 방법.
[화학식 1]
- 삭제
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104136566A TWI560517B (en) | 2015-03-06 | 2015-11-06 | Device including light blocking layer and method of patterning the light blocking layer |
| US14/940,337 US9709710B2 (en) | 2015-03-06 | 2015-11-13 | Device including light blocking layer and method of patterning the light blocking layer |
| JP2015227953A JP6917675B2 (ja) | 2015-03-06 | 2015-11-20 | 遮光膜を含むデバイスおよび前記遮光膜パターニング方法 |
| CN201511029859.6A CN105938208B (zh) | 2015-03-06 | 2015-12-31 | 包括光阻挡层的装置以及图案化所述光阻挡层的方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150031650 | 2015-03-06 | ||
| KR20150031650 | 2015-03-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160108108A KR20160108108A (ko) | 2016-09-19 |
| KR101916782B1 true KR101916782B1 (ko) | 2018-11-08 |
Family
ID=57103003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150128444A KR101916782B1 (ko) | 2015-03-06 | 2015-09-10 | 차광막을 포함하는 디바이스 및 상기 차광막 패터닝 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101916782B1 (ko) |
| CN (1) | CN105938208B (ko) |
| TW (1) | TWI560517B (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240073667A (ko) | 2022-11-18 | 2024-05-27 | 덕산네오룩스 주식회사 | 벤조옥사졸계 공중합체 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물 |
| KR20240128262A (ko) | 2023-02-17 | 2024-08-26 | 덕산네오룩스 주식회사 | 벤조옥사졸아미드계 하이브리드 공중합체 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113816963B (zh) * | 2021-09-15 | 2023-06-30 | 东莞澳中新材料科技股份有限公司 | 一种改性光产碱剂及其制备方法和应用其的光湿双固化聚氨酯热熔胶 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100234856B1 (ko) * | 1996-03-18 | 1999-12-15 | 니시무로 타이죠 | 흑색 착색 조성물, 고내열성 차광부재, 어레이기판, 액정표시소 자 및 어레이기판의 제조방법 |
| JP2010080687A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 遮光膜の形成方法及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP2012053465A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-03-15 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性組成物 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0784122A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-03-31 | Toray Ind Inc | カラーフィルタの製造方法 |
| CN1203360C (zh) * | 2000-04-21 | 2005-05-25 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置、投影显示装置及电光学装置的制造方法 |
| JP2002244294A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2007316366A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nippon Shokubai Co Ltd | 偏光子保護フィルム、偏光板、および画像表示装置 |
| JP5114348B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2013-01-09 | 日東電工株式会社 | 光拡散フィルムの製造方法 |
| KR101113394B1 (ko) * | 2009-12-17 | 2012-02-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 액정표시장치의 어레이 기판 |
| JP5825895B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| CN103282396B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-03-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 芳烃树脂、光刻法用底层膜形成组合物以及形成多层抗蚀图案的方法 |
| JP6064360B2 (ja) * | 2011-05-11 | 2017-01-25 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物 |
| KR20140087693A (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR20140087645A (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| JP2015007766A (ja) * | 2013-05-27 | 2015-01-15 | 富士フイルム株式会社 | カラーフィルタの製造方法、下地層形成用組成物、有機ｅｌ表示装置 |
-
2015
- 2015-09-10 KR KR1020150128444A patent/KR101916782B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-06 TW TW104136566A patent/TWI560517B/zh active
- 2015-12-31 CN CN201511029859.6A patent/CN105938208B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100234856B1 (ko) * | 1996-03-18 | 1999-12-15 | 니시무로 타이죠 | 흑색 착색 조성물, 고내열성 차광부재, 어레이기판, 액정표시소 자 및 어레이기판의 제조방법 |
| JP2010080687A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 遮光膜の形成方法及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP2012053465A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-03-15 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240073667A (ko) | 2022-11-18 | 2024-05-27 | 덕산네오룩스 주식회사 | 벤조옥사졸계 공중합체 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물 |
| KR20240128262A (ko) | 2023-02-17 | 2024-08-26 | 덕산네오룩스 주식회사 | 벤조옥사졸아미드계 하이브리드 공중합체 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201632989A (zh) | 2016-09-16 |
| KR20160108108A (ko) | 2016-09-19 |
| CN105938208B (zh) | 2019-11-19 |
| TWI560517B (en) | 2016-12-01 |
| CN105938208A (zh) | 2016-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101965053B1 (ko) | 테트라카르복실산디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체의 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 경화 피막 형성 방법 | |
| KR101400181B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자 | |
| JP5911580B2 (ja) | ポジティブ型感光性樹脂組成物、これから形成された絶縁膜および有機発光素子、並びにポジティブ型感光性樹脂組成物の製造方法 | |
| TWI548945B (zh) | 正型感光樹脂組成物、感光樹脂膜及使用此膜的顯示裝置 | |
| JP6917675B2 (ja) | 遮光膜を含むデバイスおよび前記遮光膜パターニング方法 | |
| KR101916782B1 (ko) | 차광막을 포함하는 디바이스 및 상기 차광막 패터닝 방법 | |
| KR101812580B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자 | |
| KR20150060365A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자 | |
| KR20160104380A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자 | |
| KR102044944B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 디스플레이 장치 | |
| KR101881943B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자 | |
| KR101423172B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 | |
| KR102149967B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 감광성 수지막 | |
| KR20200031903A (ko) | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 | |
| KR102288385B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 | |
| KR20140083693A (ko) | 표시장치 절연막용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 표시장치 절연막 및 표시장치 | |
| KR102149966B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 | |
| KR102319968B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 | |
| TWI709820B (zh) | 正感光性樹脂組成物、感光性樹脂層以及電子裝置 | |
| KR101720717B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자 | |
| KR20230174962A (ko) | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막, 마이크로 렌즈, cmos 이미지 센서 및 이를 포함하는 장치 | |
| KR20140085121A (ko) | 표시장치 절연막용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 표시장치 절연막 및 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |