KR101883342B1 - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 영역 및 제1 영역보다 상부로 돌출된 제2 영역을 포함하여 단차를 형성하는 리드프레임; 제2 영역 상면의 일 영역에 배치되는 발광소자; 및 리드프레임의 상부에 배치되고 발광소자를 감싸듯 형성되는 렌즈부;를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a lead frame including a first region and a second region protruding upward from the first region to form a step; A light emitting element disposed in one region of the upper surface of the second region; And a lens portion disposed on the top of the lead frame and formed to surround the light emitting element.
Description
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Diode (LED) is a device that converts electrical signals into light by using the characteristics of compound semiconductors. It is widely used in household appliances, remote control, electric signboard, display, and various automation devices. There is a trend.
발광소자는 순방향전압 인가시 n층의 전자(electron)와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 LED가 되는 것이다.When a forward voltage is applied to the light emitting device, electrons in the n-layer and holes in the p-layer are coupled to emit energy corresponding to the energy gap between the conduction band and the valance band. It is mainly emitted in the form of heat or light, and when emitted in the form of light, it becomes an LED.
질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors have attracted great interest in the development of optical devices and high output electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. Particularly, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, and the like using nitride semiconductors have been commercialized and widely used.
발광소자 패키지는 발광소자를 기판 상에 제작하고, 절단(sawing)공정인 다이 분리(dieseparation)를 통해 발광소자 칩을 분리한 후, 발광소자 칩을 패키지 몸체(package body)에 다이 본딩(diebonding)하고 와이어 본딩(wire bonding), 몰딩(molding)을 진행 후 테스트를 진행할 수 있다.The light emitting device package is manufactured by manufacturing a light emitting device on a substrate, separating the light emitting device chip through dieseparation, which is a sawing process, and then diebonding the light emitting device chip to a package body. Wire bonding and molding can be performed, and the test can proceed.
발광소자 칩의 제조공정과 패키징 공정이 별도로 진행됨에 따라 여러 복잡한 공정 및 여러 기판 등이 소요되는 문제가 발생할 수 있다.As the fabrication process of the light emitting device chip and the packaging process are performed separately, various complex processes and various substrates may be required.
발광소자 패키지는 몸체 내에 발광소자와 리드프레임이 배치된 구조와 리드프레임 상에 발광소자를 배치하고 상부에 렌즈구조를 형성한 COB(Chip On Board) 구조가 있다.The light emitting device package has a structure in which a light emitting element and a lead frame are disposed in a body, and a COB (Chip On Board) structure in which a light emitting element is disposed on a lead frame and a lens structure is formed on a lead frame.
실시예는 지향각을 최대화한 발광소자 패키지를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device package in which a directivity angle is maximized.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 영역 및 제1 영역보다 상부로 돌출된 제2 영역을 포함하여 단차를 형성하는 리드프레임; 제2 영역 상면의 일 영역에 배치되는 발광소자; 및 리드프레임의 상부에 배치되고 발광소자를 감싸듯 형성되는 렌즈부;를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a lead frame including a first region and a second region protruding upward from the first region to form a step; A light emitting element disposed in one region of the upper surface of the second region; And a lens portion disposed on the top of the lead frame and formed to surround the light emitting element.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 전극과 제2 전극 사이에 절연막이 배치되어 이물질의 유입을 줄일 수 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, an insulating film may be disposed between the first electrode and the second electrode to reduce the inflow of foreign matter.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 COB(Chip On Board) 타입으로 지향각이 넓어 은은한 빛을 발산할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment is a COB (Chip On Board) type and has a wide directing angle to emit a gentle light.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 전극 및 제2 전극의 상면과 하면의 일 영역을 함몰하여 내부로의 이물질 유입을 막아 신뢰성을 확보할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can sink one portion of the upper surface and the lower surface of the first electrode and the second electrode to prevent foreign matter from flowing into the inside, thereby securing reliability.
도 1 은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도,
도 2 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 사시도,
도 3 은 실시예에 따른 발광소자를 도시한 사시도,
도 4 는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도,
도 5 는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도,
도 6a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도,
도 6b 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 단면도,
도 7 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함한 백라이트 유닛을 나타낸 개념도,
도 8 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함한 백라이트 유닛을 나타낸 개념도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment,
2 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment,
3 is a perspective view illustrating a light emitting device according to an embodiment,
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment,
5 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment,
6A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment,
FIG. 6B is a cross-sectional view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment,
7 is a conceptual diagram illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment,
8 is a conceptual diagram illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.
이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
도 1 은 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 단면을 나타낸 단면도이고, 도 2 는 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)를 나타낸 사시도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a light
도 1 및 도 2 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 제1 영역(154) 및 제1 영역(154)보다 상부로 돌출된 제2 영역(152)을 포함하여 단차를 형성하는 리드프레임(130); 제2 영역(152) 상면의 일 영역에 배치되는 발광소자(120); 및 리드프레임(130)의 상부에 배치되고 발광소자(120)를 감싸듯 형성되는 렌즈부(110);를 포함한다.1 and 2, the light
리드프레임(130)은 금속 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 리드프레임(130)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.The
리드프레임(130)은 제1 영역(154)과 제1 영역(154)보다 상부로 돌출된 제2 영역(152)을 포함할 수 있다. 리드프레임(130)은 단차를 형성할 수 있다.The
리드프레임(130)은 발광소자(120)에서 발생된 빛을 반사시켜 광효율을 증가시킬 수 있다. 리드프레임(130)은 발광소자(120)에서 발생된 열을 전달받을 수 있다. 리드프레임(130)은 열을 공기 중으로 발산할 수 있다.The
리드프레임(130)은 제1 전극(132)과 제2 전극(134)으로 형성될 수 있다. 제1 전극(132)과 제2 전극(134)은 서로 극성이 다를 수 있다. 즉, 제1 전극(132)과 제2 전극(134)은 전기적으로 분리될 수 있다. 제1 전극(132)과 제2 전극(134)은 서로 이격될 수 있다. 제1 전극(132)과 제2 전극(134) 사이에는 절연막(140)가 배치될 수 있다. The
제1 전극(132)과 제2 전극(134)은 각각 제1 영역(154)과 제2 영역(152)을 포함할 수 있다. 제1 전극(132) 및 제2 전극(134)은 단차를 형성할 수 있다. 제1 전극(132)과 제2 전극(134)은 두께가 제2 영역(152)에 비해 더 얇은 제1 영역(154)이 서로 마주볼 수 있다.The
제2 영역(152)의 상부에는 발광소자(120)가 배치될 수 있다. 제2 영역(152)의 상면의 수평방향의 길이는 발광소자(120)의 수평방향의 길이보다 더 길거나 같을 수 있다. 제2 영역(152)의 중간 지점에서 제1 전극(132)과 제2 전극(134)은 이격될 수 있다.The
제1 영역(154)과 제2 영역(152)은 단차를 형성하여 발광소자(120)에서 생성된 빛이 발광소자(120) 패키지의 측방향으로 넓은 지향각을 갖도록 할 수 있다.The
절연막(140)는 제1 전극(132)과 제2 전극(134) 사이에 배치될 수 있다. 절연막(140)는 전기 절연성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연막(140)는 SiO2 와 같은 절연물질 또는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지재질로 형성될 수 있으나, 그 물질에 한정하지 아니한다.The insulating
절연막(140)는 제1 전극(132)과 제2 전극(134)을 전기적으로 분리할 수 있다. 절연막(140)는 발광소자(120) 패키지 하부에서 유입되는 이물질이 발광소자(120)에 까지 유입되는 것을 차단시킬 수 있다.The insulating
발광소자(120)는 빛을 생성할 수 있다. 발광소자(120)는 열을 발생시킬 수 있다. 발광소자(120)는 열을 리드프레임(130)이 전달시킬 수 있다. 발광소자(120)는 빛을 전후좌우로 발산시킬 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 발광소자(120)는 빛을 리드프레임(130)에 조사할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The
발광소자(120)는 리드프레임(130) 상에 배치될 수 있으며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
발광소자(120)는 제1 반도체층(미도시), 활성층(미도시) 및 제2 반도체층(미도시)을 포함하는 발광구조물(미도시)을 포함할 수 있다. 활성층(미도시)은 제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시) 사이에 배치될 수 있다.The
제1 반도체층(미도시) 및 제2 반도체층(미도시) 중 적어도 하나는 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 다른 하나는 n 형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제1 반도체층(미도시)이 p 형 반도체층일 경우 제2 반도체층(미도시)은 n 형 반도체층일 수 있으며, 그 역도 가능하다.At least one of the first semiconductor layer (not shown) and the second semiconductor layer (not shown) may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, and the other may be an n-type semiconductor layer Lt; / RTI > When the first semiconductor layer (not shown) is a p-type semiconductor layer, the second semiconductor layer (not shown) may be an n-type semiconductor layer and vice versa.
p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1) aluminum nitride, AlN, AlGaN, InGaN, indium nitride, InAlGaN, AlInN, and the like, and may be selected from the group consisting of Mg, Zn, Ca), strontium (Sr), barium (Ba), or the like can be doped.
n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)과 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The n-type semiconductor layer may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1) (Al), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN), indium gallium nitride (InGaN), indium nitride (InN), InAlGaN, AlInN, and the like. An n-type dopant such as Ge, Sn, Se, or Te may be doped.
제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시) 사이에는 활성층(미도시)이 개재될 수 있다. 활성층(미도시)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.An active layer (not shown) may be interposed between the first semiconductor layer (not shown) and the second semiconductor layer (not shown). The active layer (not shown) may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.
활성층(미도시)이 양자우물구조로 형성된 경우, 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer (not shown) is formed into a quantum well structure, for example, a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + And a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a b N (0? A? 1, 0? B ? 1, 0? A + b? 1) Lt; / RTI > The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.
활성층(미도시)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(미도시)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer (not shown). The conductive clad layer (not shown) may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap larger than that of the active layer (not shown).
발광소자(120)는 리드프레임(130)과 연결될 수 있다. 발광소자(120)는 제1 전극(132) 및 제2 전극(134)과 와이어 본딩(wire bonding) 방식, 플립 칩(flip chip) 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The
발광소자(120)는 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type), 상하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩 중의 하나일 수 있다. The
수평형 타입의 발광소자(120)는 기판(미도시) 상에 발광구조물(미도시)이 배치된 형태일 수 있다. 발광구조물(미도시)은 제1 반도체층(미도시), 활성층(미도시) 및 제2 반도체층(미도시)을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(미도시)은 기판(미도시) 상에 배치될 수 있고, 제1 반도체층(미도시) 상에 제2 반도체층(미도시)이 배치될 수 있다. 활성층(미도시)은 제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시) 사이에 배치될 수 있다. The horizontal type
제2 반도체층(미도시) 상에는 제2 전극층(미도시)이 배치될 수 있다. 제2 반도체층(미도시) 및 활성층(미도시)은 일부가 제거되어 제1 반도체층(미도시)의 일부가 노출되고, 노출된 제1 반도체층(미도시)의 상면에는 제1 전극층이 배치될 수 있다.A second electrode layer (not shown) may be disposed on the second semiconductor layer (not shown). A part of the first semiconductor layer (not shown) is partially exposed, and a first electrode layer is formed on the exposed top surface of the first semiconductor layer (not shown) .
수평형 발광소자(120)는 와이어 본딩(wire bonding) 방식으로 리드프레임(130)의 제1 전극(132) 및 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The horizontal
플립칩 타입의 발광소자(120)는 수평형 발광소자(120)와 같은 구조를 가질 수 있다. The flip chip type
도 3 은 실시예에 따른 플립칩 발광소자(120)를 도시한 도면이다.3 is a view showing a flip chip
도 3 을 참조하면, 플립칩 발광소자(120)는 수평형 발광소자와 같이 기판(1) 상에 발광구조물(6)이 배치된 형태일 수 있고, 제2 반도체층(5) 및 활성층(4)의 일부가 제거될 수 있다.3, the flip chip
플립칩 발광소자(120)는 기판(1)이 상부에 배치되어 제2 반도체층(5)과 리드프레임(미도시)이 대향하도록 배치될 수 있다. 플립칩 발광소자(120)는 범프 볼(7, 8)을 이용하여 리드프레임(미도시)과 연결될 수 있다. 플립칩 발광소자(120)는 솔더(solder)를 볼 형태로 하여 리드프레임(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다.The flip chip
기판은(1)은 열전도성이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 기판(1)은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(1)은 금속 물질 또는 전도성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 기판(1)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.The substrate (1) may be formed of a material having excellent thermal conductivity. The substrate 1 may be formed of a conductive material. For example, the substrate 1 can be formed using a metal material or a conductive ceramic. The substrate 1 may be formed as a single layer, and may be formed as a double structure or a multiple structure.
기판(1)은 금속일 수 있다. 예를 들어, 기판(1)은 Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, Cr중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 또한 기판은 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga2O3 와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.The substrate 1 may be a metal. For example, the substrate 1 may be formed of any one selected from Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt and Cr, or may be formed of two or more alloys, . In addition, the substrate is Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga 2 O 3 And the like.
또는, 기판(1)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), 질화갈륨(GaN), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄(AlO) 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 기판(1)은 사파이어(Al2O3) 에 비해 열전도성이 큰 탄화규소(SiC) 일 수 있다. 기판(1)의 굴절율은 광 추출 효율을 위해 제1 반도체층의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다.Alternatively, the substrate 1 may be formed of any material having light-transmitting properties, for example, any one of sapphire (Al 2 O 3 ), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO) But is not limited thereto. The substrate 1 may be silicon carbide (SiC) having higher thermal conductivity than sapphire (Al 2 O 3 ). It is preferable that the refractive index of the substrate 1 is smaller than the refractive index of the first semiconductor layer for light extraction efficiency.
기판(1)과 발광구조물 사이에는 버퍼층(2)이 배치될 수 있다. 버퍼층(2)은 기판(1)과 발광구조물의 격자상수 차이를 정합할 수 있다.A buffer layer 2 may be disposed between the substrate 1 and the light emitting structure. The buffer layer 2 can match the lattice constant difference between the substrate 1 and the light emitting structure.
제2 반도체층(5) 및 활성층(4)의 일부를 제거하는 방법은 소정의 식각방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 마스크 패턴(Mask Pattern)을 이용한 부분 에칭 공정 등의 방법이 이용될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.As a method for removing the second semiconductor layer 5 and the
제1 전극층(7) 및 제2 전극층(8)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있으며, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first electrode layer 7 and the second electrode layer 8 may be formed of a conductive material such as In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi, or an alloy thereof and may be formed as a single layer or a multilayer.
플립칩 발광소자(120)는 기판(1)을 투광성 재질로 형성하여 기판이 배치된 방향으로 빛을 방출할 수 있을 뿐만 아니라 측방으로도 빛을 방출할 수 있다.The flip chip
다른 실시예에 따른, 수직형 타입의 발광소자(미도시)는 전극층(미도시)이 수직적으로 배치된 형태이다. 수직형 타입의 발광소자(120)는 기판(미도시) 상에 제1 전극층(미도시)이 배치되고, 제1 전극층(미도시) 상에 발광구조물(미도시)이 형성되며 발광구조물(미도시) 상단에 제2 전극층(미도시)이 배치되는 형태일 수 있다.In a vertical type light emitting device (not shown) according to another embodiment, an electrode layer (not shown) is vertically arranged. A vertical type
다시, 도 1 및 도 2 를 참조하면, 발광소자(120)는 리드프레임(130) 상에 배치될 수 있다. 발광소자(120)는 제2 영역(152)의 상부에 배치될 수 있다. 발광소자(120)는 제1 반도체층(미도시) 또는 제2 반도체층(미도시) 각각이 제1 전극(132) 또는 제2 전극(134)과 전기적으로 연결할 수 있다. 제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시)은 서로 극성이 다른 전기에너지를 리드프레임(130)으로부터 전달받을 수 있다.Referring again to FIGS. 1 and 2, the
플립칩 발광소자(120)의 경우 범프 볼을 이용하여 제1 전극(미도시) 및 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.In the case of the flip chip
렌즈부(110)는 실리콘(Silicone) 또는 에폭시(Epoxy)와 같은 투명 수지로 형성될 수 있다. 렌즈부(110)는 돔 형상을 가질 수 있다. 렌즈부(110)는 돔 형상의 굴곡정도를 조절하여 발광소자(120) 패키지의 휘도를 조절할 수 있다.The
렌즈부(110)는 발광소자(120)에서 생성된 빛이 외부로 최대한 발산되도록 할 수 있다. 스넬의 법칙에 의하면, 전반사는 굴절율이 큰 물질로부터 굴절율이 작은 물질로 광이 진행할 경우, 입사되는 광의 각도가 임계각보다 큰 경우, 굴절율이 서로 다른 두 물질의 계면에서 전부 반사되는 현상을 말한다. The
렌즈부(110)는 발광소자(120)에서 생성된 빛이 외부로 발산되도록 렌즈부(110)의 표면에서의 임계각의 크기를 크게 할 수 있다.The
렌즈부(110)는 발광소자(120)에서 외부로 진행하는 광의 전반사를 줄일 수 있으므로, 결과적으로 발광소자 패키지(100)의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.The
렌즈부(110)의 돔 형태는 발광소자(120)에서 발생된 빛의 진행 경로를 균일하게 함으로써, 빛의 색상 소절을 용이하게 할 수 있다. The dome shape of the
렌즈부(110)는 형광체를 포함할 수 있다. The
형광체는 발광소자(120)에서 방출되는 제1 빛에 의해 여기되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(120)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기 되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 발광소자(120)에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다.The phosphor may be excited by the first light emitted from the
형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.The fluorescent material may be a known fluorescent material such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.
형광체(미도시)는 발광소자(120) 에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. 형광체(미도시)는 발광소자(120)(120)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자(120) 패키지(100)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may emit blue light, green light, fluorescent light, yellow light-emitting fluorescent material, yellow-red light-emitting fluorescent material, orange light-emitting fluorescent material, and red light-emitting fluorescent material, depending on the wavelength of light emitted from the light- One of the phosphors may be applied. The phosphors (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the
형광체(미도시)는 녹색 발광다이오드인 발광소자(120)(120)와 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(미도시)를 혼용할 수 있다. 형광체(미도시)는 적색 발광다이오드인 발광소자(120)와 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용할 수 있다.The phosphor (not shown) may mix the red
형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The phosphor (not shown) may be formed of a YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride, phosphate or the like. Not.
렌즈부(110)는 확산입자를 포함할 수 있다. 확산입자는 TiO2, SiO2 등으로 이루어질 수 있다. 확산입자는 발광소자(120)로부터 출사된 광을 확산시켜서, 보다 넓은 시야 각을 갖도록 할 수 있다.The
확산입자는 발광소자(120)에서 발생된 빛의 고른 색 혼합이 가능하도록 할 수 있다. 확산입자는 형광체를 이용하여 백색 빛을 생성하는 것을 도와 색 혼합효과를 향상시킬 수 있다.The diffusion particles can enable uniform mixing of light generated from the
도 4 는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.
도 4 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 영역(254) 및 제1 영역(254)보다 상면이 돌출된 제2 영역(252)을 포함하여 단차를 형성하는 리드프레임(230), 제2 영역(252)의 상면에 배치되는 발광소자(220) 및 리드프레임(230)의 상부에 배치되고 발광소자(220)를 감싸듯 형성되는 렌즈부(210)를 포함하고, 제2 영역(252)의 제1 영역(254)과 인접한 끝단은 제1 영역(254)과 기울기를 형성한다.4, a light emitting device package according to an embodiment includes a
발광소자(220)의 일 끝단에서 제2 영역(252)과 상기 제1 영역(254)의 경계까지의 수평방향의 거리(L)는 하기 수학식 1의 거리를 가질 수 있다.The distance L in the horizontal direction from the one end of the
<수학식1>&Quot; (1) "
L=T*tanθ3( 0 < L, 0 < T )L = T * tan? 3 (0 <L, 0 <T)
수학식 1에서, T는 제2 영역(252)과 제1 영역(254)이 이루는 단차의 높이를 나타내고, θ3는 발광소자(220)의 하부면의 법선과 상기 발광소자(220)의 중심에서 하부모서리를 잇는 선이 이루는 각도를 나타낸다. T denotes a height of a step between the
제2 영역(252)은 제1 영역(254)과 인접한 끝단이 제1 영역(254)의 상면과 기울기를 형성할 수 있다. 제2 영역(252)은 발광소자(220)의 끝단과 중첩되는 부분에서부터 제1 영역(254)에 가까워질수록 두께가 얇아질 수 있다.The
제1 전극(232)과 제2 전극(234) 사이에는 절연막(240)가 배치될 수 있다.An insulating
발광소자(220)의 측면으로 발산되는 빛의 지향각은 발광소자(220)의 두께가 따라 달라질 수 있다. 두께가 두꺼워질수록 측방향의 지향각 (θ2)가 커질 수 있다. θ2 는 발광소자(220)의 중앙에서 하부모서리를 잇는 선과 발광소자(220) 하부면과 평행하는 선이 이루는 각도일 수 있다.The directional angle of the light emitted to the side surface of the
제1 영역(254)과 제2 영역(252)의 두께 차이(T)는 발광소자(220)의 일끝단에서 제1 영역(254)과 제2 영역(252)의 경계까지의 거리(L)에 따라 정해질 수 있다. 예를 들어, 도 4 를 참조하였을 때, 제1 영역(254)과 제2 영역(252)의 두께 차이(T)는 발광소자(220)의 일끝단에서 제1 영역(254)과 제2 영역(252)의 경계까지의 거리(L)를 tan (θ3)로 나눈 값일 수 있다. θ3 는 발광소자(220)의 중앙에서 발광소자(220)의 하부 모서리를 잇는 선과 발광소자(220)의 하부면의 법선과 이루는 각도일 수 있다. θ3 는 상부로의 지향각 θ1 과 같을 수 있다.The thickness difference T between the
발광소자(220)의 중앙은 발광소자(220) 하부의 기판(미도시)부터 발광소자(220) 최상부의 제2 반도체층(미도시)까지일 수 있으나, 이에 한정하지 아니하며 발광소자(220)를 이루는 모든 반도체층을 포함하여 정해질 수 있다.The center of the
도 5 는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.
도 5 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 영역(354) 및 제1 영역(354)보다 상부로 돌출된 제2 영역(352)을 포함하여 단차를 형성하는 리드프레임(330), 제2 영역(352)의 상면에 배치되는 발광소자(320) 및 리드프레임(330)의 상부에 배치되고 발광소자(320)를 감싸듯 형성되는 렌즈부(310)를 포함하고, 제1 전극(332) 및 상기 제2 전극(334)은 서로 대향하는 끝단의 상면 또는 하면이 함몰될 수 있다.5, a light emitting device package according to an embodiment includes a
제1 전극(332) 및 상기 제2 전극(334)은 서로 대향하는 끝단의 상면 또는 하면이 함몰될 수 있고, 제1 전극(332)과 제2 전극(334)의 사이에는 절연막(340)가 배치될 수 있다. 제1 전극(332) 및 상기 제2 전극(334)은 서로 대향하는 끝단의 상면 또는 하면이 함몰되어 이물질이 발광소자 패키지(300) 내부에 유입되는 경로를 최대한 늘릴 수 있다.The
도 6a는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템을 도시한 사시도이며, 도 6b는 도 6a의 조명 시스템의 D-D' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 6A is a perspective view showing an illumination system including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing a D-D 'cross-section of the illumination system of FIG. 6A.
즉, 도 6b 는 도 6a의 조명 시스템(500)을 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.6B is a cross-sectional view of the
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 조명 시스템(500)은 몸체(510), 몸체(510)와 체결되는 커버(530) 및 몸체(510)의 양단에 위치하는 마감캡(550)을 포함할 수 있다.6A and 6B, the
몸체(510)의 하부면에는 발광소자 모듈(543)이 체결되며, 몸체(510)는 발광소자 패키지(544)에서 발생한 열이 몸체(510)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The light emitting
발광소자 패키지(544)는 렌즈부(미도시)를 포함하고 발광소자(미도시)가 배치된 제2 영역이 제1 영역보다 두께가 두껍도록 형성되어 측면 발광이 극대화될 수 있다. 또한 렌즈부를 이용하여 발광소자 패키지(544) 및 조명 시스템(500)의 광추출 효율이 향상되고 조명 시스템(500)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.The light emitting
발광소자 패키지(544)는 기판(542) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 기판(542)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting
커버(530)는 몸체(510)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The
커버(530)는 내부의 발광소자 모듈(543)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 커버(530)는 발광소자 패키지(544)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(530)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(530)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The
발광소자 패키지(544)에서 발생하는 광은 커버(530)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(530)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(544)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(530)는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethylen?Terephthalate;?PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.The light generated from the light emitting
마감캡(550)은 몸체(510)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 마감캡(550)에는 전원 핀(552)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명 시스템(500)은 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing
도 7 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.
도 7 은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다.7, the
액정표시패널(610)은 백라이트 유닛(670)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(610)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(612) 및 박막 트랜지스터 기판(614)을 포함할 수 있다.The liquid
컬러 필터 기판(612)은 액정표시패널(610)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The
박막 트랜지스터 기판(614)은 구동 필름(617)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(618)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(614)은 인쇄회로기판(618)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(618)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin
박막 트랜지스터 기판(614)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin
백라이트 유닛(670)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(620), 발광소자 모듈(620)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(610)로 제공하는 도광판(630), 도광판(630)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(650, 666, 664) 및 도광판(630)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(630)으로 반사시키는 반사 시트(640)로 구성된다.The
발광소자 모듈(620)은 복수의 발광소자 패키지(624)와 복수의 발광소자 패키지(624)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(622)을 포함할 수 있다.The light emitting
발광소자 패키지(644)는 렌즈부(미도시)를 포함하고 발광소자(미도시)가 배치된 제2 영역이 제1 영역보다 두께가 두껍도록 형성되어 측면 발광이 극대화될 수 있다. 또한 렌즈부를 이용하여 백라이트 유닛(670)의 광추출 효율이 향상되고 백라이트 유닛(670)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.The light emitting device package 644 includes a lens unit (not shown), and the second area where the light emitting device (not shown) is disposed is formed to be thicker than the first area, thereby maximizing lateral light emission. Further, by using the lens portion, the light extraction efficiency of the
백라이트유닛(670)은 도광판(630)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(610) 방향으로 확산시키는 확산필름(666)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(650)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(650)를 보호하기 위한 보호필름(664)을 포함할 수 있다.The
도 8 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 7 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 7 are not repeatedly described in detail.
도 8 은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.8, the
액정표시패널(710)은 도 7 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 710 is the same as that described with reference to FIG. 7, a detailed description thereof will be omitted.
백라이트 유닛(770)은 복수의 발광소자 모듈(723), 반사시트(724), 발광소자 모듈(723)과 반사시트(724)가 수납되는 하부 섀시(730), 발광소자 모듈(723)의 상부에 배치되는 확산판(740) 및 다수의 광학필름(760)을 포함할 수 있다.The
발광소자 모듈(723) 복수의 발광소자 패키지(722)와 복수의 발광소자 패키지(722)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(721)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 723 may include a
발광소자 패키지(722)는 렌즈부(미도시)를 포함하고 발광소자(미도시)가 배치된 제2 영역이 제1 영역보다 두께가 두껍도록 형성되어 측면 발광이 극대화될 수 있다. 또한 렌즈부(미도시)를 이용하여 백라이트 유닛(770)의 광추출 효율이 향상되고 백라이트 유닛(770)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.The light emitting device package 722 includes a lens unit (not shown), and a second region in which a light emitting device (not shown) is disposed is formed to be thicker than the first region, thereby maximizing lateral light emission. Further, by using a lens unit (not shown), the light extraction efficiency of the
반사 시트(724)는 발광소자 패키지(722)에서 발생한 빛을 액정표시패널(710)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The
발광소자 모듈(723)에서 발생한 빛은 확산판(740)에 입사하며, 확산판(740)의 상부에는 광학 필름(760)이 배치된다. 광학 필름(760)은 확산 필름(766), 프리즘필름(750) 및 보호필름(764)를 포함하여 구성된다.The light generated from the light emitting element module 723 is incident on the
실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The configuration and the method of the embodiments described above are not limitedly applied, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments are selectively combined so that various modifications can be made. .
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.
110 : 렌즈부
120 : 발광소자
130 : 리드프레임
140 : 절연막
160 : 형광체110:
120: Light emitting element
130: lead frame
140: insulating film
160: Phosphor
Claims (9)
상기 제2 영역 상면의 일 영역에 배치되는 발광소자; 및
상기 리드프레임의 상부에 배치되고 상기 발광소자를 감싸듯 형성되는 렌즈부;를 포함하고,
상기 리드프레임은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 영역에 배치되어 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 분리하는 절연막을 더 포함하며,
상기 발광소자의 일 끝단에서 상기 제2 영역과 상기 제1 영역의 경계까지의 수평방향의 거리(L)는 하기 수학식 1의 거리를 갖고,
상기 발광소자의 두께 및 상기 제2 영역과 상기 제1 영역이 이루는 단차의 높이(T)에 따라 지향각이 조절되는 발광소자 패키지.
<수학식1>
L=T*tanθ ( 0 < L, 0 < T )
상기 수학식 1에서, 상기 T는 상기 제2 영역과 제1 영역이 이루는 단차의 높이를 나타내고,
상기 θ는 상기 발광소자의 하부면의 법선과 상기 발광소자의 중심에서 하부모서리를 잇는 선이 이루는 각도를 나타낸다. A lead frame including a first region and a second region protruding upward from the first region to form a step;
A light emitting element disposed in one region of the upper surface of the second region; And
And a lens portion disposed on the lead frame and formed to surround the light emitting element,
Wherein the lead frame includes a first electrode and a second electrode,
And an insulating film disposed in the first region and electrically separating the first electrode and the second electrode,
(L) in a horizontal direction from the one end of the light emitting element to the boundary between the second region and the first region has a distance represented by the following equation (1)
Wherein a directivity angle is adjusted according to a thickness of the light emitting device and a height (T) of a step between the second region and the first region.
&Quot; (1) "
L = T * tan? (0 <L, 0 <T)
In Equation (1), T represents a height of a step between the second region and the first region,
Represents an angle between a normal line of the lower surface of the light emitting element and a line connecting the lower edge to the center of the light emitting element.
상기 제2 영역의 상기 제1 영역과 인접한 끝단은 상기 제1 영역과 기울기를 형성하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And an end of the second region adjacent to the first region forms a slope with respect to the first region.
상기 제2 영역은 상기 발광소자와 중첩되는 부분에서 상기 제1 영역에 가까워질수록 두께가 얇아지는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the second region is thinner at a portion overlapping the light emitting device as the first region is closer to the first region.
상기 발광소자의 일부분은 상기 절연막과 중첩되어 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And a part of the light emitting element is disposed in overlapping relation with the insulating film.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 대향하는 끝단의 상면이 함몰된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode are recessed in an upper surface of an end opposite to each other.
상기 발광소자는 플립칩 형태로 상기 리드프레임 상에 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting element is disposed on the lead frame in a flip chip form.
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |