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KR101830950B1 - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

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Publication number
KR101830950B1
KR101830950B1 KR1020110091388A KR20110091388A KR101830950B1 KR 101830950 B1 KR101830950 B1 KR 101830950B1 KR 1020110091388 A KR1020110091388 A KR 1020110091388A KR 20110091388 A KR20110091388 A KR 20110091388A KR 101830950 B1 KR101830950 B1 KR 101830950B1
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KR
South Korea
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layer
semiconductor layer
light
light emitting
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020110091388A
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Inventor
성영운
김태진
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엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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Abstract

실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 오믹층; 상기 오믹층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층; 상기 오믹층과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층; 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층 상에 AlGaInP 계열 활성층; 및 상기 AlGaInP 계열 활성층 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층;을 포함한다.
Embodiments relate to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.
A light emitting device according to an embodiment includes an ohmic layer; A first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the ohmic layer; A GaP light-transmitting ohmic layer doped with Be between the ohmic layer and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; A first conductive AlGaInP series semiconductor layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; An AlGaInP-based active layer on the first conductive AlGaInP-based semiconductor layer; And a second conductive AlGaInP-based semiconductor layer on the AlGaInP-based active layer.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 소자로이며, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다. Light Emitting Device is a device in which electric energy is converted into light energy, and various colors can be realized by controlling composition ratio of compound semiconductor.

적색 내지 황녹색의 가시광을 발하는 발광다이오드로서, 예를 들어 AlGaInP계열 활성층을 구비한 화합물 반도체 발광 다이오드가 알려져 있다. BACKGROUND ART As a light emitting diode emitting visible light of red to yellow green, for example, a compound semiconductor light emitting diode having an AlGaInP-based active layer is known.

한편, AlGaInP계열 활성층을 구비한 발광소자는 III-V족 화합물층 등과 격자 정합하는 GaAs으로 이루어지는 단결정 기판 상에 형성된다.On the other hand, a light-emitting element having an AlGaInP-based active layer is formed on a single crystal substrate made of GaAs lattice-matched with a III-V group compound layer or the like.

그런데, AlGaInP 계열 활성층으로부터 출사되는 광은 GaAs에 흡수되어 버리기 때문에, 광학적으로 투명한 재료로 이루어지는 p형 GaP 투광성 반도체층을 발광부 또는 소자 구조부에 다시 접합시켜, 휘도가 높은 투명재료 접합형의 화합물 반도체 LED를 구성하는 기술이 개시되어 있다.Since the light emitted from the AlGaInP-based active layer is absorbed by the GaAs, the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer made of an optically transparent material is bonded again to the light emitting portion or the device structure portion to form a transparent compound junction compound semiconductor A technique for constructing an LED is disclosed.

한편, 종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 개재하여 전극층이 본딩된다.On the other hand, according to the prior art, the electrode layer is bonded to the p-type GaP transparent semiconductor layer via the ohmic layer.

도 1은 종래기술에 있어서, p형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 도트(dot)(D)를 형성한 사진이다.1 is a photograph showing AuBe dot (D) formed on a p-type GaP light-transmitting semiconductor layer in the prior art.

종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하기 전에 AuBe 도트(dot)를 형성하여 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층의 오믹컨택(ohmic contact)을 증진시킨다.According to the prior art, AuBe dots are formed before the ohmic layer is formed on the p-type GaP light transmitting semiconductor layer to improve the ohmic contact between the p-type GaP light transmitting semiconductor layer and the ohmic contact layer.

그런데, 종래기술에 의하면 AuBe 도트(Dot) 형성 시 AuBe층을 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 전체적으로 형성 후 습식식각(wet etching)을 진행하여 AuBe 도트(Dot)를 형성하고, 그 이후 합금화 열처리 공정을 진행한다.According to the prior art, AuBe layer is formed entirely on the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer during AuBe dot formation, wet etching is performed to form AuBe dots, .

그런데, 종래기술에 의하면 도 1과 같이, AuBe 도트(Dot)를 형성을 위한 습식식각 시 AuBe 에지(edge)부가 들뜰 수 있으며 이에 따라 광추출 효율이 감소될 수 있다.However, according to the related art, as shown in FIG. 1, AuBe edge portions may be exposed during wet etching for forming AuBe dots, and accordingly light extraction efficiency may be reduced.

또한, 종래기술에 의하면 잔존하는 AuBe 도트(Dot)(D)에 의해 광흡수가 발생하여 광추출 효율이 감소하는 문제가 있다.Further, according to the related art, there is a problem that light absorption occurs due to the remaining AuBe dot (D) and the light extraction efficiency is reduced.

한편, 최근 기존 대비 고효율의 LED 칩(chip) 개발이 시장에서 필요하게 되는데, 종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층의 전류확산(current spreading) 기능이 약하여 광효율이 저하되는 문제가 있어 고효율의 발광소자를 제공하지 못하는 문제가 있다.In the meantime, the development of highly efficient LED chips compared with the conventional one is required in the market. According to the conventional technology, the current spreading function of the p-type GaP light transmitting semiconductor layer is weak and the light efficiency is lowered. There is a problem that the device can not be provided.

실시예는 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

또한, 실시예는 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자의 제조방법을 제공하고자 한다.Further, the embodiment is intended to provide a method of manufacturing a light emitting device capable of improving the yield.

실시예에 따른 발광소자는 오믹층; 상기 오믹층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층; 상기 오믹층과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층; 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층 상에 AlGaInP 계열 활성층; 및 상기 AlGaInP 계열 활성층 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층;을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes an ohmic layer; A first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the ohmic layer; A GaP light-transmitting ohmic layer doped with Be between the ohmic layer and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; A first conductive AlGaInP series semiconductor layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; An AlGaInP-based active layer on the first conductive AlGaInP-based semiconductor layer; And a second conductive AlGaInP-based semiconductor layer on the AlGaInP-based active layer.

또한, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 AlGaInP 계열 반도체층을 형성하는 단계; 상기 AlGaInP 계열 반도체층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계; 상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, including: forming an AlGaInP semiconductor layer; Forming a first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the AlGaInP-based semiconductor layer; Forming an AuBe layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; Conducting an alloying process of the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer; Exposing the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer by removing the AuBe layer; And forming an ohmic layer on the exposed first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.

도 1은 종래기술에 있어서, p형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 도트(dot)(D)를 형성한 사진.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 4 내지 도 12는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정단면도.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 14는 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도.
도 15는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.
1 is a photograph showing AuBe dots (D) formed on a p-type GaP transparent semiconductor layer in the prior art.
2 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the first embodiment;
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment.
4 to 12 are process sectional views of a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
13 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
14 is a perspective view of a lighting unit according to an embodiment;
15 is a perspective view of a backlight unit according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

(실시예)(Example)

도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the light emitting device 100 according to the first embodiment.

실시예에 따른 발광소자(100)는 오믹층(152)과, 상기 오믹층(152) 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과, 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)과, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)과, 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126) 상에 AlGaInP 계열 활성층(124) 및 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment includes an ohmic layer 152, a first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 on the ohmic layer 152, an ohmic layer 152, A first conductive AlGaInP semiconductor layer 126 on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130, and a second conductive AlGaInP semiconductor layer 130 on the first conductive GaP light-transmissive semiconductor layer 130. The GaP light- An AlGaInP-based active layer 124 may be formed on the first conductive AlGaInP-based semiconductor layer 126 and a second conductive AlGaInP-based semiconductor layer 122 may be formed on the AlGaInP-based active layer 124.

실시예는 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

이를 위해, 제1 실시예는 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하고, 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.For this, the first embodiment includes a GaP light-transmitting ohmic layer 145 doped with Be between the ohmic layer 152 and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130, and a first conductive GaP light- It is possible to minimize the amount of light absorbed by AuBe dots by eliminating AuBe dots between the semiconductor layer 130 and the ohmic layer 152 to thereby provide a high-efficiency light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, Can be provided.

실시예에서 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이며, GaP에 Be이 확산되었다고 하여 전체 성분 측면에서 3원계 화합물 반도체인 GaBeP가 되는 것이 아니다.In the embodiment, since the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer 145 is a GaP binary compound semiconductor doped with Be, and since Be is diffused into GaP, GaPeP is not a ternary compound semiconductor .

실시예에 의하면 Ga 대비 Be의 양은 극소량이며, Ga의 경우 결정 구조에서 약 1.0E 25개/㎥이나 Be의 경우 동일 구조에서 약 1.0E 19개/㎥를 차지할 수 있다.According to the embodiment, the amount of Be relative to Ga is very small. In the case of Ga, the crystal structure is about 1.0E 25 / m 3, whereas in case of Be, about 1.0E 19 / m 3 is obtained in the same structure.

이에 따라 Ga 대비 Be의 수가 백만개분의 1로 실질적으로 GaBeP층으로 변하는 것은 아닌 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이다.As a result, Be is doped GaP binary compound semiconductors whose number of Be is one millionth that of Ga, which does not substantially change into a GaBeP layer.

실시예에 의하면 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율 반도체를 구현함과 아울러, 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하여 오믹 컨택을 구현함으로써 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, AuBe dots are removed between the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 and the ohmic layer 152 to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby realizing a high-efficiency semiconductor, And a GaP light-transmitting ohmic layer 145 doped with Be between the ohmic layer 152 and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to realize an ohmic contact, thereby realizing a high efficiency light emitting device, Method, a light emitting device package, and an illumination system.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.

도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자(102)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the light emitting device 102 according to the second embodiment.

제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment can employ the technical features of the first embodiment.

제2 실시예는 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.The second embodiment differs from the first embodiment in that a current spreading pattern 147 is provided between the ohmic layer 152 and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to enhance the current diffusion function, Can be provided.

상기 전류확산 패턴(147)은 산화막, 질화막 등의 절연막 패턴일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The current diffusion pattern 147 may be an insulating film pattern such as an oxide film or a nitride film, but is not limited thereto.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.

도 2 및 도 3에 도시된 도면 부호 중 미설명 도면 부호는 이하 제조방법의 설명에서 설명하기로 한다.2 and 3 will be described below in the description of the manufacturing method.

이하, 도 4 내지 도 12를 참조하여,실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명하면서 실시예의 기술적인 특징을 상술한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 12, and technical features of the embodiments will be described in detail.

우선, 도 4와 같이, 기판(105) 상에 AlGaInP 계열 반도체층(120)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4, an AlGaInP-based semiconductor layer 120 is formed on a substrate 105.

상기 기판(105)은 GaAs 단결정 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이후, 상기 기판(105) 상에 버퍼층(미도시), 분리층(107)을 순차적으로 형성한다.The substrate 105 may be a GaAs single crystal substrate, but is not limited thereto. Thereafter, a buffer layer (not shown) and a separation layer 107 are sequentially formed on the substrate 105.

상기 버퍼층은 n형 GaAs 버퍼층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 분리층(107)은 AlAs을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The buffer layer may be an n-type GaAs buffer layer, but is not limited thereto. The isolation layer 107 may include, but is not limited to, AlAs.

상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)은 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122), 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122) 상에 AlGaInP 계열 활성층(124) 및 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The AlGaInP-based semiconductor layer 120 includes a second conductive AlGaInP-based semiconductor layer 122, an AlGaInP-based active layer 124 on the second conductive AlGaInP-based semiconductor layer 122, and an AlGaInP- The first conductive AlGaInP-based semiconductor layer 126 may include a first conductive AlGaInP-based semiconductor layer 126, but the present invention is not limited thereto.

실시예의 설명에 있어 제2 도전형은 n 형, 제1 도전형은 p형을 예로 들고 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In the description of the embodiment, the second conductivity type is n-type, and the first conductivity type is p-type, but the embodiment is not limited thereto.

상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 n형 AlGaInP 계열 반도체층일 수 있으며, 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 후술하는 AlGaInP 계열 활성층(124)을 이루는 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)보다도 밴드 갭(band gap)이 넓을 수 있다.The second conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer 122 is an n-type AlGaInP-based and semiconductor may be a layer, the second conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer 122 constituting the AlGaInP-based active layer 124, which will be described later (Al x Ga 1 -x ) Y In 1 -y P (0? x? 1, 0 <y? 1).

상기 AlGaInP 계열 활성층(124)은 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)을 포함할 수 있고, 상기 AlGaInP 계열 활성층(124)은 단색성이 우수한 발광을 얻기 위해, 단일 양자 웰 구조 또는 다중 양자 웰 구조로 형성될 수 있다.The AlGaInP-based active layer 124 may include (Al x Ga 1 -x ) Y In 1 -y P (0? X? 1, 0? Y ? 1) In order to obtain excellent light emission, a single quantum well structure or a multiple quantum well structure can be formed.

상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)은 p형 AlGaInP 계열 반도체층일 수 있으며, 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)은 후술하는 AlGaInP 계열 활성층(124)을 이루는 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)보다도 밴드 갭(band gap)이 넓을 수 있다.The first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer 126 is type p AlGaInP-based and semiconductor may be a layer, the first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer 126 constituting the AlGaInP-based active layer 124, which will be described later (Al x Ga 1 -x ) Y In 1 -y P (0? x? 1, 0 <y? 1).

상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)과 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 보다 굴절률이 더 큰 반도체층을 형성될 수 있다.The first conductive AlGaInP-based semiconductor layer 126 and the second conductive AlGaInP-based semiconductor layer 122 may form a semiconductor layer having a higher refractive index than the AlGaInP-based active layer 124.

이후, 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 형성한다.Thereafter, a first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 is formed on the AlGaInP-based semiconductor layer 120.

예를 들어, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)은 p형 GaP 투광성 반도체층일 수 있으며, 상기 p형 GaP 투광성 반도체층은 MOVPE법에 의해 에피택셜로 성장될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 may be a p-type GaP light-transmitting semiconductor layer, and the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer may be epitaxially grown by the MOVPE method, but the present invention is not limited thereto .

다음으로, 도 5와 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)으로부터 상기 기판(105)을 제거한다. 예를 들어, 상기 분리층(107)을 습식식각 용액으로 선택 에칭하여 기판(105)을 박리하는 형태로 제거할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, the substrate 105 is removed from the AlGaInP-based semiconductor layer 120 as shown in FIG. For example, the separation layer 107 may be selectively etched with a wet etching solution to remove the substrate 105, but the present invention is not limited thereto.

다음으로, 도 6과 같이 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 AuBe 층(142)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 전면 상에 AuBe 층(142)을 형성한다.Next, an AuBe layer 142 is formed on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 as shown in FIG. For example, an AuBe layer 142 is formed on the entire surface of the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130.

다음으로, 도 7과 같이 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 상기 AuBe 층(142)의 합금화 공정을 약 300℃~350℃에서 진행할 수 있다. 합금화 공정온도가 350℃온도 범위를 초과하는 경우 발광구조물에 열적인 영향을 미칠 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, the alloying process of the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 and the AuBe layer 142 may be performed at about 300 ° C to 350 ° C. If the alloying process temperature exceeds the 350 캜 temperature range, it may have a thermal influence on the light emitting structure.

이를 통해 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 상기 AuBe 층(142) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 형성할 수 있다.A GaP light-transmitting ohmic layer 145 doped with Be may be formed between the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 and the AuBe layer 142.

실시예에서 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이며, GaP에 Be이 확산되었다고 하여 전체 성분 측면에서 3원계 화합물 반도체인 GaBeP가 되는 것이 아니다.In the embodiment, since the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer 145 is a GaP binary compound semiconductor doped with Be, and since Be is diffused into GaP, GaPeP is not a ternary compound semiconductor .

예를 들어, Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)에서 Ga 대비 Be의 수가 백만개분의 1로 실질적으로 GaBeP층으로 변하는 것은 아닌 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이다.For example, Be is a diffused GaP binary compound semiconductor in which Be is doped GaP light transmitting ohmic layer 145, and the number of Be is not changed to 1 part per million to substantially GaBeP layer.

실시예에 의하면 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율 반도체를 구현할 수 있다.According to the embodiment, AuBe dots are eliminated between the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 and the ohmic layer 152, thereby minimizing the light absorbed by the AuBe dots, thereby realizing a high-efficiency semiconductor.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.

또한, 실시예는 이후 형성되는 오믹층(152)과 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하여 오믹 컨택을 구현함으로써 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment further includes a GaP light-transmitting ohmic layer 145 doped with Be between the ohmic layer 152 and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to form an ohmic contact, A method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

다음으로, 도 8과 같이 상기 AuBe 층(142)을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 노출시킨다. Next, as shown in FIG. 8, the AuBe layer 142 is removed to expose the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130.

실시예에서 상기 AuBe 층(142)을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 노출시키는 단계에서, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상의 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 노출될 수 있다.In the embodiment, the AuBe layer 142 is removed to expose the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130. In the step of exposing the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130, the Be may be doped with GaP light- The ohmic layer 145 may be exposed.

실시예에 의하면 종래기술과 달리 AuBe 층(142)을 제거하기 전에, 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 AuBe 층(142) 사이에 합금화 공정을 통해 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 형성할 수 있고, 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)의 상부 전면에 형성되어 오믹컨택을 증진시킬 수 있다.According to the embodiment, before the AuBe layer 142 is removed, a Ga-doped GaP light-transmissive ohmic layer (not shown) is formed between the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 and the AuBe layer 142 through an alloying process And the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer 145 may be formed on the upper surface of the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to improve ohmic contact.

다음으로, 도 9와 같이 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145) 상에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)을 형성할 수 있다. 이를 통해, 이후 형성되는 오믹층(152)과 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)이 구비되어 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.Next, a current spreading pattern 147 may be formed on the Ga-doped GaP light transmitting ohmic layer 145 as shown in FIG. Accordingly, a current spreading pattern 147 is provided between the ohmic layer 152 and the first conductive GaP light-transmissive semiconductor layer 130 to improve the current diffusion function, .

상기 전류확산 패턴(147)은 산화막, 질화막 등의 절연막 패턴일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The current diffusion pattern 147 may be an insulating film pattern such as an oxide film or a nitride film, but is not limited thereto.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.The embodiment provides a current spreading pattern on the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.

다음으로, 도 10과 같이 상기 전류확산 패턴(147)이 구비된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 오믹층(152)을 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 10, the ohmic layer 152 may be formed on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 having the current diffusion pattern 147.

상기 오믹층(152)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층(152)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 152 may be formed by laminating a single metal, a metal alloy, a metal oxide, or the like so as to efficiently perform carrier injection. For example, the ohmic layer 152 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (ZnO), indium gallium tin oxide (AZO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZON nitride, AGZO And may include at least one of ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO.

이후, 상기 오믹층(152) 상에 본딩층(154), 본딩 기판(156), 솔더층(158) 등을 순차적으로 형성할 수 있다.A bonding layer 154, a bonding substrate 156, a solder layer 158, and the like may be sequentially formed on the ohmic layer 152.

상기 본딩층(154)은 니켈(Ni), 금(Au) 등을 이용할 수 있고, 상기 본딩 기판(156)은 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있으며, 상기 솔더층(158)은 Au-Ti, Au-Sn 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The bonding layer 154 may be made of nickel (Ni), gold (Au), or the like, and the bonding substrate 156 may be formed of copper (Cu), gold (Au), copper alloy the solder layer 158 may be formed of a material selected from the group consisting of Au-Cu, Cu-W, Cu-W, and a carrier wafer such as GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, Ti, Au-Sn, and the like, but is not limited thereto.

다음으로, 도 11과 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)을 일부 식각하여 발광구조물 영역을 설정할 수 있다. 실시예는 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상면에 소정의 식각 공정 등에 의해 광추출 패턴(P)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11, the AlGaInP-based semiconductor layer 120 may be partially etched to set the light emitting structure region. The light extraction pattern P may be formed on the AlGaInP-based semiconductor layer 120 by a predetermined etching process or the like.

다음으로, 도 12와 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상의 패드 전극영역에 제2 전류확산층(172), 제2 오믹층(174), 배리어층(176),패드 전극(178)을 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.12, a second current diffusion layer 172, a second ohmic layer 174, a barrier layer 176, and a pad electrode 178 are formed on the pad electrode region on the AlGaInP-based semiconductor layer 120 But is not limited thereto.

예를 들어 상기 제2 전류확산층(172)은 GaP을 포함하고, 상기 제2 오믹층(174)은 GaAs을 포함하고, 상기 배리어층(176)은 AuGe/Ni/Au를 포함하고, 상기 패드 전극(178)은 Ti/Au를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the second current spreading layer 172 may include GaP, the second ohmic layer 174 may include GaAs, the barrier layer 176 may include AuGe / Ni / Au, (178) may include, but is not limited to, Ti / Au.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.

도 13은 실시예들에 따른 발광소자가 설치된 발광소자 패키지(200)를 설명하는 도면이다.FIG. 13 is a view illustrating a light emitting device package 200 provided with a light emitting device according to embodiments.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(240)가 포함된다.The light emitting device package 200 according to the embodiment includes a package body 205, a third electrode layer 213 and a fourth electrode layer 214 provided on the package body 205, a package body 205, And a molding member 240 surrounding the light emitting device 100. The light emitting device 100 includes a first electrode layer 213 and a fourth electrode layer 214. The light emitting device 100 is electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214,

상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The package body 205 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 are electrically isolated from each other and provide power to the light emitting device 100. The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 may function to increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, And may serve to discharge heat to the outside.

상기 발광 소자(100)는 도 2에 예시된 수직형 타입의 발광 소자가 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3에 예시된 제2 실시예의 발광소자(102)도 적용될 수 있고, 나아가 수평형 발광소자도 적용될 수 있다.The light emitting device 100 may be a vertical type light emitting device as illustrated in FIG. 2, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device 102 of the second embodiment illustrated in FIG. 3 may be applied, A light emitting element can also be applied.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(205) 상에 설치되거나 상기 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be mounted on the package body 205 or on the third electrode layer 213 or the fourth electrode layer 214.

상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제3 전극층(213)과 와이어(230)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제4 전극층(214)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the third electrode layer 213 and / or the fourth electrode layer 214 by a wire, flip chip, or die bonding method. The light emitting device 100 is electrically connected to the third electrode layer 213 through the wire 230 and is electrically connected to the fourth electrode layer 214 directly.

상기 몰딩부재(240)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(240)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 240 surrounds the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 240 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or function as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, a pointing device, a lamp, and a streetlight.

도 14는 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도(1100)이다. 다만, 도 14의 조명 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.14 is a perspective view 1100 of a lighting unit according to an embodiment. However, the illumination unit 1100 of Fig. 14 is an example of the illumination system, and is not limited thereto.

실시예에서 상기 조명 유닛(1100)은 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.The illumination unit 1100 may include a case body 1110, a light emitting module 1130 installed in the case body 1110, a connection unit 1130 installed in the case body 1110, Terminal 1120. [0031]

상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1110 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.The light emitting module unit 1130 may include a substrate 1132 and at least one light emitting device package 200 mounted on the substrate 1132.

상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 1132 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the PCB 1132 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB . &Lt; / RTI &gt;

또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.Further, the substrate 1132 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface is efficiently reflected, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The at least one light emitting device package 200 may be mounted on the substrate 1132. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED) 100. The light emitting diode 100 may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module unit 1130 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 200 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 실시예에서 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1120 may be electrically connected to the light emitting module 1130 to supply power. In an embodiment, the connection terminal 1120 is connected to the external power source by being inserted in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1120 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through a wiring.

도 15는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도(1200)이다. 다만, 도 15의 백라이트 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.15 is an exploded perspective view 1200 of a backlight unit according to an embodiment. However, the backlight unit 1200 of Fig. 15 is an example of the illumination system, and is not limited thereto.

실시예에 따른 백라이트 유닛(1200)은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The backlight unit 1200 according to the embodiment includes a light guide plate 1210, a light emitting module unit 1240 for providing light to the light guide plate 1210, a reflection member 1220 below the light guide plate 1210, But the present invention is not limited thereto, and may include a bottom cover 1230 for housing the light emitting module unit 1210, the light emitting module unit 1240, and the reflecting member 1220.

상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1210 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1210 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. &Lt; / RTI &gt;

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module part 1240 provides light to at least one side of the light guide plate 1210 and ultimately acts as a light source of a display device in which the backlight unit is installed.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting module 1240 may be in contact with the light guide plate 1210, but is not limited thereto. Specifically, the light emitting module 1240 includes a substrate 1242 and a plurality of light emitting device packages 200 mounted on the substrate 1242. The substrate 1242 is mounted on the light guide plate 1210, But is not limited to.

상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 1242 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1242 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted on the substrate 1242 such that a light emitting surface on which the light is emitted is spaced apart from the light guiding plate 1210 by a predetermined distance.

상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1220 may be formed under the light guide plate 1210. The reflection member 1220 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1210 so as to face upward, thereby improving the brightness of the backlight unit. The reflective member 1220 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1230 may receive the light guide plate 1210, the light emitting module 1240, and the reflective member 1220. For this purpose, the bottom cover 1230 may be formed in a box shape having an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.The bottom cover 1230 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

100: 발광소자
120: AlGaInP 계열 반도체층
122: 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층
124: AlGaInP 계열 활성층
126: 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층
130: 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층
145: Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층
152: 오믹층
100: Light emitting element
120: AlGaInP-based semiconductor layer
122: a first conductive type AlGaInP-based semiconductor layer
124: AlGaInP-based active layer
126: second conductive type AlGaInP-based semiconductor layer
130: first conductivity type GaP transparent semiconductor layer
145: Be doped GaP light transmitting ohmic layer
152: Ohmic layer

Claims (6)

삭제delete 삭제delete AlGaInP 계열 반도체층을 형성하는 단계;
상기 AlGaInP 계열 반도체층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계;
상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계; 및
상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
Forming an AlGaInP-based semiconductor layer;
Forming a first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the AlGaInP-based semiconductor layer;
Forming an AuBe layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer;
Conducting an alloying process of the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer;
Exposing the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer by removing the AuBe layer; And
And forming an ohmic layer on the exposed first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer.
제3 항에 있어서,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계에 의해,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층이 형성되는 발광소자의 제조방법.
The method of claim 3,
The step of alloying the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer,
And a GaP light-transmitting ohmic layer doped with Be is formed between the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer.
제4 항에 있어서,
상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계에서,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상의 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층이 노출되는 발광소자의 제조방법.
5. The method of claim 4,
In the step of removing the AuBe layer to expose the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer,
Wherein the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer is exposed.
제3 항에 있어서,
상기 오믹층을 형성하는 단계 전에,
상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 전류확산 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법.
The method of claim 3,
Before forming the ohmic layer,
And forming a current diffusion pattern on the exposed first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer.
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