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KR101914077B1 - Light emitting device, light emitting device package, and light unit - Google Patents

Light emitting device, light emitting device package, and light unit Download PDF

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KR101914077B1
KR101914077B1 KR1020120000187A KR20120000187A KR101914077B1 KR 101914077 B1 KR101914077 B1 KR 101914077B1 KR 1020120000187 A KR1020120000187 A KR 1020120000187A KR 20120000187 A KR20120000187 A KR 20120000187A KR 101914077 B1 KR101914077 B1 KR 101914077B1
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light emitting
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conductive
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Inventor
정환희
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극; 상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부; 상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층; 상기 컨택부 위에 배치된 전극; 을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer below the active layer; A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure; A contact disposed below a second region of the light emitting structure; A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer; An electrode disposed on the contact portion; .

Description

발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 {LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHT UNIT}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device, a light emitting device package,

실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛, 발광소자 제조방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting device package, a light unit, and a method of manufacturing a light emitting device.

발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.Light emitting diodes (LEDs) are widely used as light emitting devices. Light emitting diodes convert electrical signals into light, such as infrared, visible, and ultraviolet, using the properties of compound semiconductors.

발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.As the light efficiency of a light emitting device is increased, a light emitting device is applied to various fields including a display device and a lighting device.

실시 예는 공정을 간소화하고 동작 전압을 낮출 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛, 발광소자 제조방법을 제공한다. Embodiments provide a light emitting device, a light emitting device package, a light unit, and a method of manufacturing a light emitting device that can simplify the process and lower the operating voltage.

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극; 상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부; 상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층; 상기 컨택부 위에 배치된 전극; 을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer below the active layer; A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure; A contact disposed below a second region of the light emitting structure; A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer; An electrode disposed on the contact portion; .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극; 상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부; 상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층; 상기 컨택부 위에 배치된 전극; 을 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A light emitting element disposed on the body; A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element; A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer below the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer below the active layer; A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure; A contact disposed below a second region of the light emitting structure; A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer; An electrode disposed on the contact portion; .

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극; 상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부; 상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층; 상기 컨택부 위에 배치된 전극; 을 포함한다.A light unit according to an embodiment includes a substrate; A light emitting element disposed on the substrate; An optical member through which the light provided from the light emitting element passes; A light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer below the first conductive type semiconductor layer, and a second conductive type semiconductor layer below the active layer; A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure; A contact disposed below a second region of the light emitting structure; A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer; An electrode disposed on the contact portion; .

실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛, 발광소자 제조방법은 공정을 간소화하고 동작 전압을 낮출 수 있는 장점이 있다.The light emitting device, the light emitting device package, the light unit, and the method of manufacturing the light emitting device according to the embodiments have the advantage of simplifying the process and lowering the operating voltage.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 7은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 8 내지 도 13은 실시 예에 따른 발광소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.
2 to 7 are views showing a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
8 to 13 are views showing a modification of the light emitting device according to the embodiment.
14 is a view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
15 is a view showing a display device according to the embodiment.
16 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.
17 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

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이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 발광소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device package, a light unit, and a method of manufacturing a light emitting device according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 발광구조물(10), 반사전극(17), 전극(80), 전도성 이온주입층(83), 컨택부(85)를 포함할 수 있다. 상기 반사전극(17)은 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 발광구조물(10)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 발광구조물(10)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 컨택부(85)는 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 컨택부(85)와 상기 발광구조물(10)을 전기적으로 연결할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a light emitting structure 10, a reflective electrode 17, an electrode 80, a conductive ion implantation layer 83, and a contact portion 85 as shown in FIG. 1 . The reflective electrode 17 may be disposed below the light emitting structure 10 and may be electrically connected to the light emitting structure 10. The electrode (80) may be electrically connected to the light emitting structure (10). The contact portion 85 may be disposed below the light emitting structure 10. The conductive ion implantation layer 83 may electrically connect the contact portion 85 and the light emitting structure 10.

상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 순차적으로 적층되어 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.The light emitting structure 10 may include a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conductivity type semiconductor layer 13. The first conductivity type semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be sequentially stacked. The active layer 12 may be disposed between the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13. The active layer 12 may be disposed under the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13 may be disposed under the active layer 12.

예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다. For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 may be formed of a compound semiconductor. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a Group II-V compound semiconductor or a Group III-V compound semiconductor.

예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may have a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material. The first conductive semiconductor layer 11 may be selected from among GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, An n-type dopant such as Se or Te can be doped.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 12 is formed in such a manner that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 13 meet with each other, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 12. [ The active layer 12 may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure and a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a compound semiconductor. The active layer 12 may be embodied as a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + have. When the active layer 12 is implemented as a multi-well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the active layer 12 may be formed by a periodic structure of an InGaN well layer / GaN barrier layer Can be implemented.

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of a compound semiconductor. The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of a Group II-VI compound semiconductor or a Group III-V compound semiconductor.

예로서, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the second conductivity type semiconductor layer 13 may have a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material. The second conductive semiconductor layer 13 may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, A p-type dopant such as Sr, Ba or the like may be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. Also, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductivity type semiconductor layer 13. Accordingly, the light emitting structure 10 may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.Also, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

상기 발광구조물(10) 아래에 오믹접촉층(15)과 상기 반사전극(17)이 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)은 상기 발광구조물(10)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)은 상기 발광구조물(10)의 제1 영역 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10)과 상기 반사전극(17) 사이에 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 접촉될 수 있다. The ohmic contact layer 15 and the reflective electrode 17 may be disposed under the light emitting structure 10. The reflective electrode 17 may be disposed under the light emitting structure 10. The reflective electrode 17 may be disposed under the first region of the light emitting structure 10. The ohmic contact layer 15 may be disposed between the light emitting structure 10 and the reflective electrode 17. The ohmic contact layer 15 may be in contact with the second conductive semiconductor layer 13.

상기 오믹접촉층(15)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 15 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide layer. The ohmic contact layer 15 may be formed of, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) IZO (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), ATO , Ag, and the like.

상기 반사전극(17)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective electrode 17 may be formed of a metal having a high reflectivity. For example, the reflective electrode 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The reflective electrode 17 may be formed of one of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc- Transparent conductive materials such as IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO) and ATO (Antimony-Tin-Oxide) To form a multi-layered structure. For example, in an embodiment, the reflective electrode 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, and Ag-Cu alloy.

상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 또한 상기 반사전극(17)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.The ohmic contact layer 15 may be formed in ohmic contact with the light emitting structure 10. In addition, the reflective electrode 17 may reflect light incident from the light emitting structure 10 to increase the amount of light extracted to the outside.

상기 발광구조물(10) 아래에 상기 컨택부(85)가 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 발광구조물(10)의 제2 영역 아래에 상기 컨택부(85)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 컨택부(85)는 상기 오믹접촉층(15)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 또한 상기 컨택부(85)는 상기 오믹접촉층(15)과 다른 물질로 형성될 수도 있다. 상기 컨택부(85)는 반도체층(81)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. The contact portion 85 may be disposed under the light emitting structure 10. For example, the contact portion 85 may be disposed below the second region of the light emitting structure 10. For example, the contact portion 85 may be formed of the same material as the ohmic contact layer 15. The contact portion 85 may be formed of a material different from that of the ohmic contact layer 15. The contact portion 85 may be formed in ohmic contact with the semiconductor layer 81.

상기 컨택부(85)는 In, Zn, Ag, Ni, Pt 중에서 적어도 하나 이상 포함된 층으로 형성될 수 있다. 상기 컨택부(85)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 컨택부(85)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The contact portion 85 may be formed of a layer containing at least one of In, Zn, Ag, Ni, and Pt. The contact portion 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film layer. The contact portion 85 may be formed of, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) IZO (IZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, ZrO2, ZrO2, ZrO2, ZrO2, ZrO2, IGZO, IGTO, Ag, or the like.

상기 반도체층(81)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 같은 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반도체층(81)은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 형성 시에 같은 물질로 형성될 수도 있다. 상기 반도체층(81)은 상기 컨택부(85)의 상부면에 접촉될 수 있다.The semiconductor layer 81 may include the same material as the second conductive semiconductor layer 13. For example, the semiconductor layer 81 may be formed of the same material as the second conductive semiconductor layer 13. The semiconductor layer 81 may be in contact with the upper surface of the contact portion 85.

상기 반도체층(81) 위에 상기 전도성 이온주입층(83)이 배치될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 컨택부(85)와 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 반도체층(81)을 통하여 상기 컨택부(85)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 접촉될 수 있다. The conductive ion-implanted layer (83) may be disposed on the semiconductor layer (81). The conductive ion-implanted layer 83 may electrically connect the contact portion 85 and the first conductive type semiconductor layer 11. The conductive ion-implanted layer 83 may be electrically connected to the contact portion 85 through the semiconductor layer 81. The conductive ion-implanted layer 83 may be in contact with the first conductive type semiconductor layer 11.

예컨대, 상기 전도성 이온주입층(83)은 이온 임플란테이션 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 메탈 이온이 임플란테이션 공정에 의하여 주입되어 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 발광구조물(10)의 일부 영역에 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 발광구조물(10)을 이루는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 일부 영역, 상기 활성층(12)의 일부 영역, 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 일부 영역에 이온 주입되어 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 발광구조물(10)에서 발광에 기여하지 않는 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 이온주입층(83)은 Ti 이온, Al 이온, Au 이온 중에서 적어도 하나의 이온이 주입되어 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 Ti, Al, Au 등 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the conductive ion-implanted layer 83 may be formed by an ion implantation process. The conductive ion implantation layer 83 may be formed by implanting metal ions by an implantation process. The conductive ion-implanted layer (83) may be formed in a part of the light-emitting structure (10). The conductive ion-implanted layer 83 is formed on a part of the first conductivity type semiconductor layer 11, a part of the active layer 12, the second conductivity type semiconductor layer 13, The ion implantation may be performed by ion implantation in a part of the region. The conductive ion-implanted layer 83 may be formed on a portion of the light-emitting structure 10 that does not contribute to light emission. For example, the conductive ion-implanted layer 83 may be formed by implanting at least one of Ti ions, Al ions, and Au ions. The conductive ion-implanted layer 83 may include at least one of Ti, Al, and Au.

상기 컨택부(85)와 상기 반사전극(17) 사이에 제1 절연층(40)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(40)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 제1 절연층(40)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, AlN와 같이 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. A first insulating layer 40 may be disposed between the contact portion 85 and the reflective electrode 17. [ The first insulating layer 40 may be formed of an oxide or a nitride. The first insulating layer 40 may include, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, or the like.

상기 제1 절연층(40) 위에 제2 절연층(43)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 전도성 이온주입층(83)과 상기 활성층(12)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 전도성 이온주입층(83)과 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제2 절연층(43)에 의하여 상기 반도체층(81)과 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 절연될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)이 상기 반도체층(81)의 일부 영역을 감싸도록 구현될 수 있다. 한편, 상기 반도체층(81)과 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 전기적으로 절연시키는 구조는 다양하게 변형될 수 있다. A second insulating layer 43 may be disposed on the first insulating layer 40. The second insulating layer 43 may electrically isolate the conductive ion-implanted layer 83 from the active layer 12. [ The second insulating layer 43 may electrically isolate the conductive ion-implanted layer 83 from the second conductive type semiconductor layer 13. 7, the semiconductor layer 81 and the second conductive type semiconductor layer 13 may be insulated by the second insulating layer 43. In addition, as shown in FIG. The second insulating layer 43 may be formed to surround a part of the semiconductor layer 81. The structure for electrically insulating the semiconductor layer 81 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be variously modified.

상기 제2 절연층(43)은 절연성 이온주입층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 이온 임플란테이션 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 발광구조물(10)의 일부 영역에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 발광구조물(10)을 이루는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 일부 영역, 상기 활성층(12)의 일부 영역, 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 일부 영역에 이온 주입되어 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 발광구조물(10)에서 발광에 기여하지 않는 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(43)은 H 이온, O 이온, Ar 이온, N 이온 중에서 적어도 하나의 이온이 주입되어 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 H, O, Ar, N 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second insulating layer 43 may be formed of an insulating ion-implanted layer. The second insulating layer 43 may be formed by an ion implantation process. The second insulating layer 43 may be formed on a part of the light emitting structure 10. The second insulating layer 43 may be formed on a part of the first conductive semiconductor layer 11 forming the light emitting structure 10, a part of the active layer 12, the second conductive semiconductor layer 13, The ion implantation may be performed by ion implantation in a part of the region. The second insulating layer 43 may be formed on a portion of the light emitting structure 10 that does not contribute to light emission. For example, the second insulating layer 43 may be formed by implanting at least one of H ions, O ions, Ar ions, and N ions. The second insulating layer 43 may include at least one of H, O, Ar,

상기 반사전극(17) 둘레에 확산장벽층(50)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(40) 아래에 상기 확산장벽층(50)이 배치될 수 있다. 상기 확산장벽층(50) 아래에 본딩층(60), 지지부재(70)가 배치될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 발광구조물(10) 하부에 배치될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 오믹접촉층(15) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)의 일부 영역은 상기 제1 절연층(40)에 접촉될 수 있다. A diffusion barrier layer 50 may be disposed around the reflective electrode 17. The diffusion barrier layer 50 may be disposed under the first insulating layer 40. A bonding layer 60 and a supporting member 70 may be disposed under the diffusion barrier layer 50. The diffusion barrier layer 50 may be disposed under the light emitting structure 10. The diffusion barrier layer 50 may be disposed around the ohmic contact layer 15. A portion of the diffusion barrier layer 50 may be in contact with the first insulating layer 40.

상기 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(17) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The diffusion barrier layer 50 may function to prevent a material contained in the bonding layer 60 from diffusing toward the reflective electrode 17 in the process of providing the bonding layer 60. The diffusion barrier layer 50 may prevent a material such as tin contained in the bonding layer 60 from affecting the reflective electrode 17 or the like. The diffusion barrier layer 50 may include at least one of Cu, Ni, Ti-W, W, and Pt.

상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 반사전극(17)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.The bonding layer 60 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, . The supporting member 70 supports the light emitting device according to the embodiment and is electrically connected to the external electrode to supply power to the reflecting electrode 17. [ The bonding layer 60 may be implemented as a seed layer.

상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지부재(70)는 절연성 물질로 구현될 수도 있다. 상기 지지부재(70)는 예컨대 Al2O3, SiO2 등의 물질로 구현될 수도 있다.The supporting member 70 may be a semiconductor substrate (for example, Si, Ge, GaN, GaAs, or the like) into which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu- ZnO, SiC, SiGe, and the like). The support member 70 may be formed of an insulating material. The support member 70 may be formed of a material such as Al 2 O 3 , SiO 2, or the like.

한편, 상기 컨택부(85) 위에 전극(80)이 배치될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 발광구조물(10)의 측면으로부터 일정 거리 이격되어 배치될 수 있다. 또한 상기 전극(80)과 상기 발광구조물(10) 사이에 절연층이 더 배치될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 컨택부(85), 상기 반도체층(81), 상기 전도성 이온주입층(83)을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다.On the other hand, the electrode 80 may be disposed on the contact portion 85. The electrode 80 may be disposed at a distance from the side surface of the light emitting structure 10. Further, an insulating layer may be further disposed between the electrode 80 and the light emitting structure 10. The electrode 80 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11. The electrode 80 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11 through the contact portion 85, the semiconductor layer 81, and the conductive ion implantation layer 83.

이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 반사전극(17)에 의하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 제공될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 반사전극(17)을 통하여 전원이 인가되면 상기 발광구조물(10)에서 빛이 제공될 수 있게 된다. Accordingly, power can be supplied to the light emitting structure 10 by the electrode 80 and the reflective electrode 17. Accordingly, when the power is applied through the electrode 80 and the reflective electrode 17, light can be provided from the light emitting structure 10.

실시 예에 의하면, 상기 전극(80)은 다층 구조로 구현될 수도 있다. 상기 전극(80)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다.According to the embodiment, the electrode 80 may be formed in a multi-layered structure. The electrode 80 may be an ohmic layer, an intermediate layer, or an upper layer. The ohmic layer may include a material selected from the group consisting of Cr, V, W, Ti, and Zn to realize ohmic contact. The intermediate layer may be formed of a material selected from Ni, Cu, Al, and the like. The upper layer may comprise, for example, Au.

상기 발광구조물(10)의 상부면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 요철이 제공될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.A light extracting pattern may be provided on the upper surface of the light emitting structure 10. The upper surface of the light emitting structure 10 may be provided with irregularities. Accordingly, according to the embodiment, the effect of extracting external light can be increased.

상기 요철은 예를 들어 PEC(Photo Electro Chemical) 식각 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 요철의 폭 또는 간격은 1 마이크로미터 내지 2 마이크로미터로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 GaN층인 경우, 성장 방향 및 식각 방향을 고려할 때 상기 요철이 형성된 면은 N면(N-face) 일 수 있다.The irregularities may be formed by, for example, a PEC (Photo Electro Chemical) etching method. The width or the interval of the irregularities may be 1 to 2 micrometers. When the first conductivity type semiconductor layer 11 is a GaN layer, the surface on which the concave and convex is formed may be an N-face in consideration of a growth direction and an etching direction.

상기 발광구조물(10)의 측면에 보호층이 더 배치될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부에 보호층이 배치될 수 있다. 상기 보호층은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, AlN와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. A protective layer may further be disposed on a side surface of the light emitting structure 10. A protective layer may be disposed on the light emitting structure 10. The protective layer may be formed of an oxide or a nitride. The protective layer is, for example, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, or the like.

실시 예에 의하면, 상기 반사전극(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 전극(80)과 전기적으로 연결된 상기 컨택부(85)는 상기 반도체층(81)에 접촉될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 반도체층(81)은 같은 도전형의 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 반도체층(81)은 p형 도펀트를 포함할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 동작 전압을 낮출 수 있게 된다. 즉, 종래 발광소자에서 제1 전극은 p형 도펀트를 포함하는 반도체층에 전기적으로 연결되고 제2 전극은 n형 도펀트를 포함하는 반도체층에 전기적으로 연결되는 경우에 비하여 0.1 볼트 이상 동작 전압을 낮출 수 있는 장점이 있다.The reflective electrode 17 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13 and the contact portion 85 electrically connected to the electrode 80 may be electrically connected to the semiconductor layer 81 ). ≪ / RTI > The second conductivity type semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 81 may include the same conductivity type dopant. For example, the second conductivity type semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 81 may include a p-type dopant. Thus, according to the embodiment, the operating voltage can be lowered. That is, in the conventional light emitting device, the first electrode is electrically connected to the semiconductor layer including the p-type dopant and the second electrode is lowered by 0.1 volt or more compared with the case where the second electrode is electrically connected to the semiconductor layer including the n-type dopant There are advantages to be able to.

또한, 실시 예에 의하면 상기 전도성 이온주입층(83)과 상기 제2 절연층(43)을 이온 임플란테이션 공정을 통하여 형성할 수 있다. 이에 따라 상기 발광구조물(10) 하부에 상기 제2 절연층(43)과 상기 전도성 이온주입층(83)을 형성함에 있어 메사(mesa) 에칭을 수행하지 않아도 되므로 공정을 간소화시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, the conductive ion-implanted layer 83 and the second insulating layer 43 can be formed through an ion implantation process. Accordingly, mesa etching is not performed in forming the second insulating layer 43 and the conductive ion-implanted layer 83 under the light-emitting structure 10, which is advantageous in simplifying the process .

그러면 도 2 내지 도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다.A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will now be described with reference to FIGS. 2 to 7. FIG.

실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(5) 위에 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 발광구조물(10)로 정의될 수 있다.2, a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conductivity type semiconductor layer 13 are formed on a substrate 5 in accordance with an embodiment of the present invention. can do. The first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer 13 may be defined as a light emitting structure 10.

상기 기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다. The substrate 5 may be formed of at least one of, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. A buffer layer may be further formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the substrate 5.

예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 may be formed of a compound semiconductor. For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may have a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) May be formed of a semiconductor material. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be selected from InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, .

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 12 is formed in such a manner that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 13 meet with each other, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 12. [ The active layer 12 may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure and a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the active layer 12 is formed in the multi-well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the active layer 12 may be formed by a periodic structure of an InGaN well layer / GaN barrier layer .

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The second conductivity type semiconductor layer 13 may be selected from among InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN and InN. The p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, .

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 위에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed on the second conductive type semiconductor layer 13. Thus, the light emitting structure 10 may include np, pn, npn, Or a structure thereof. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.Also, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

다음으로, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 제2 절연층(43)을 형성할 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 예컨대 이온 임플란테이션 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 발광구조물(10)의 일부 영역에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 발광구조물(10)을 이루는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 일부 영역, 상기 활성층(12)의 일부 영역, 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 일부 영역에 이온 주입되어 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 상기 발광구조물(10)에서 발광에 기여하지 않는 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(43)은 H 이온, O 이온, Ar 이온, N 이온 중에서 적어도 하나의 이온이 주입되어 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 H, O, Ar, N 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3, a second insulating layer 43 may be formed on the second conductive type semiconductor layer 13. The second insulating layer 43 may be formed by, for example, an ion implantation process. The second insulating layer 43 may be formed on a part of the light emitting structure 10. The second insulating layer 43 may be formed on a part of the first conductive semiconductor layer 11 forming the light emitting structure 10, a part of the active layer 12, the second conductive semiconductor layer 13, The ion implantation may be performed by ion implantation in a part of the region. The second insulating layer 43 may be formed on a portion of the light emitting structure 10 that does not contribute to light emission. For example, the second insulating layer 43 may be formed by implanting at least one of H ions, O ions, Ar ions, and N ions. The second insulating layer 43 may include at least one of H, O, Ar,

이어서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 위에 오믹접촉층(15), 컨택부(85), 제1 절연층(40), 반사전극(17)이 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(40)의 일부 영역은 상기 제2 절연층(43)에 접촉될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)과 상기 컨택부(85)은 같은 물질로 하나의 공정에서 형성될 수도 있으며, 또한 서로 다른 공정에서 형성될 수도 있다. 상기 오믹접촉층(15)과 상기 컨택부(85)는 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.4, an ohmic contact layer 15, a contact portion 85, a first insulating layer 40, and a reflective electrode 17 may be formed on the light emitting structure 10. A portion of the first insulating layer 40 may be in contact with the second insulating layer 43. The ohmic contact layer 15 and the contact part 85 may be formed of the same material in one process or may be formed in different processes. The ohmic contact layer 15 and the contact portion 85 may be formed of different materials.

상기 오믹접촉층(15)과 상기 컨택부(85)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)과 상기 컨택부(85)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 15 and the contact portion 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide layer. The ohmic contact layer 15 and the contact portion 85 may be formed of a metal such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO IZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON (indium zinc oxide) IrOx, RuOx, NiO, Pt, and Ag.

상기 제1 절연층(40)은 상기 오믹접촉층(15)과 상기 컨택부(85)를 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 제1 절연층(40)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 제1 절연층(40)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, AlN와 같이 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The first insulating layer 40 may electrically isolate the ohmic contact layer 15 from the contact portion 85. The first insulating layer 40 may be formed of an oxide or a nitride. The first insulating layer 40 may include, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, or the like.

상기 반사전극(17)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective electrode 17 may be formed of a metal having a high reflectivity. For example, the reflective electrode 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The reflective electrode 17 may be formed of one of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc- Transparent conductive materials such as IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO) and ATO (Antimony-Tin-Oxide) To form a multi-layered structure. For example, in an embodiment, the reflective electrode 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, and Ag-Cu alloy.

그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 확산장벽층(50)이 형성될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 반사전극(17) 위에 형성될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 반사전극(17) 둘레에 형성될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 오믹접촉층(15) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 제1 절연층(40) 위에 형성될 수 있다.Then, as shown in FIG. 4, a diffusion barrier layer 50 may be formed. The diffusion barrier layer 50 may be disposed on the light emitting structure 10. The diffusion barrier layer 50 may be formed on the reflective electrode 17. The diffusion barrier layer 50 may be formed around the reflective electrode 17. The diffusion barrier layer 50 may be disposed around the ohmic contact layer 15. The diffusion barrier layer 50 may be formed on the first insulating layer 40.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 확산장벽층(50) 위에 본딩층(60), 지지부재(70)가 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 5, a bonding layer 60 and a support member 70 may be formed on the diffusion barrier layer 50.

상기 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(17) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 확산장벽층(50)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The diffusion barrier layer 50 may function to prevent a material contained in the bonding layer 60 from diffusing toward the reflective electrode 17 in the process of providing the bonding layer 60. The diffusion barrier layer 50 may prevent a material such as tin contained in the bonding layer 60 from affecting the reflective electrode 17 or the like. The diffusion barrier layer 50 may include at least one of Cu, Ni, Ti-W, W, and Pt.

상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 반사전극(17)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.The bonding layer 60 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, . The supporting member 70 supports the light emitting device according to the embodiment and is electrically connected to the external electrode to supply power to the reflecting electrode 17. [ The bonding layer 60 may be implemented as a seed layer.

상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지부재(70)는 절연성 물질로 구현될 수도 있다. 상기 지지부재(70)는 예컨대 Al2O3, SiO2 등의 물질로 구현될 수도 있다.The supporting member 70 may be a semiconductor substrate (for example, Si, Ge, GaN, GaAs, or the like) into which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu- ZnO, SiC, SiGe, and the like). The support member 70 may be formed of an insulating material. The support member 70 may be formed of a material such as Al 2 O 3 , SiO 2, or the like.

한편, 위에서 설명된 각 층의 형성 공정은 하나의 예시이며, 그 공정 순서는 다양하게 변형될 수 있다.On the other hand, the forming process of each layer described above is one example, and the process sequence can be variously modified.

다음으로 상기 제1 도전형 반도체층(11)으로부터 상기 기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 기판(5)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 기판(5)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 기판(5)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 서로 박리시키는 공정이다.Next, the substrate 5 is removed from the first conductive type semiconductor layer 11. As one example, the substrate 5 may be removed by a laser lift off (LLO) process. The laser lift-off process (LLO) is a process of irradiating a laser to the lower surface of the substrate 5 to peel the substrate 5 and the first conductivity type semiconductor layer 11 from each other.

그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 아이솔레이션 에칭을 수행하여 발광구조물(10)을 형성한다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 아이솔레이션 에칭에 의하여 상기 확산장벽층(50)의 일부 영역이 노출될 수 있게 된다. 또한 상기 아이솔레이션 에칭에 의하여 상기 컨택부(85)의 일부 영역이 노출될 수 있게 된다.Then, as shown in FIG. 6, isolation etching is performed to form the light emitting structure 10. The isolation etching can be performed by, for example, dry etching such as ICP (Inductively Coupled Plasma), but is not limited thereto. The isolation layer may expose a portion of the diffusion barrier layer 50. Also, a part of the contact portion 85 can be exposed by the isolation etching.

실시 예에 의하면 도 6에 도시된 바와 같이 상기 발광구조물(10) 내에 전도성 이온주입층(83)을 형성할 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 컨택부(85)와 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 반도체층(81)을 통하여 상기 컨택부(85)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 접촉될 수 있다. According to the embodiment, the conductive ion-implanted layer 83 may be formed in the light-emitting structure 10 as shown in FIG. The conductive ion-implanted layer 83 may electrically connect the contact portion 85 and the first conductive type semiconductor layer 11. The conductive ion-implanted layer 83 may be electrically connected to the contact portion 85 through the semiconductor layer 81. The conductive ion-implanted layer 83 may be in contact with the first conductive type semiconductor layer 11.

예컨대, 상기 전도성 이온주입층(83)은 이온 임플란테이션 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 메탈 이온이 임플란테이션 공정에 의하여 주입되어 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 발광구조물(10)의 일부 영역에 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 발광구조물(10)을 이루는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 일부 영역, 상기 활성층(12)의 일부 영역, 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 일부 영역에 이온 주입되어 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 상기 발광구조물(10)에서 발광에 기여하지 않는 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 이온주입층(83)은 Ti 이온, Al 이온, Au 이온 중에서 적어도 하나의 이온이 주입되어 형성될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 Ti, Al, Au 등 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the conductive ion-implanted layer 83 may be formed by an ion implantation process. The conductive ion implantation layer 83 may be formed by implanting metal ions by an implantation process. The conductive ion-implanted layer (83) may be formed in a part of the light-emitting structure (10). The conductive ion-implanted layer 83 is formed on a part of the first conductivity type semiconductor layer 11, a part of the active layer 12, the second conductivity type semiconductor layer 13, The ion implantation may be performed by ion implantation in a part of the region. The conductive ion-implanted layer 83 may be formed on a portion of the light-emitting structure 10 that does not contribute to light emission. For example, the conductive ion-implanted layer 83 may be formed by implanting at least one of Ti ions, Al ions, and Au ions. The conductive ion-implanted layer 83 may include at least one of Ti, Al, and Au.

한편, 상기 컨택부(85) 위에 전극(80)이 배치될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 발광구조물(10)의 측면으로부터 일정 거리 이격되어 배치될 수 있다. 또한 상기 전극(80)과 상기 발광구조물(10) 사이에 절연층이 더 배치될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 컨택부(85), 상기 반도체층(81), 상기 전도성 이온주입층(83)을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다.On the other hand, the electrode 80 may be disposed on the contact portion 85. The electrode 80 may be disposed at a distance from the side surface of the light emitting structure 10. Further, an insulating layer may be further disposed between the electrode 80 and the light emitting structure 10. The electrode 80 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11. The electrode 80 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11 through the contact portion 85, the semiconductor layer 81, and the conductive ion implantation layer 83.

이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 반사전극(17)에 의하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 제공될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 반사전극(17)을 통하여 전원이 인가되면 상기 발광구조물(10)에서 빛이 제공될 수 있게 된다. Accordingly, power can be supplied to the light emitting structure 10 by the electrode 80 and the reflective electrode 17. Accordingly, when the power is applied through the electrode 80 and the reflective electrode 17, light can be provided from the light emitting structure 10.

실시 예에 의하면, 상기 전극(80)은 다층 구조로 구현될 수도 있다. 상기 전극(80)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다.According to the embodiment, the electrode 80 may be formed in a multi-layered structure. The electrode 80 may be an ohmic layer, an intermediate layer, or an upper layer. The ohmic layer may include a material selected from the group consisting of Cr, V, W, Ti, and Zn to realize ohmic contact. The intermediate layer may be formed of a material selected from Ni, Cu, Al, and the like. The upper layer may comprise, for example, Au.

상기 발광구조물(10)의 상부면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 요철이 제공될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.A light extracting pattern may be provided on the upper surface of the light emitting structure 10. The upper surface of the light emitting structure 10 may be provided with irregularities. Accordingly, according to the embodiment, the effect of extracting external light can be increased.

상기 요철은 예를 들어 PEC(Photo Electro Chemical) 식각 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 요철의 폭 또는 간격은 1 마이크로미터 내지 2 마이크로미터로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 GaN층인 경우, 성장 방향 및 식각 방향을 고려할 때 상기 요철이 형성된 면은 N면(N-face) 일 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(10)의 상부면이 N 면으로 형성될 수 있으며, Ga 면으로 형성되는 경우에 비하여 표면 거칠기가 크므로 광 추출 효율이 더 향상될 수 있게 된다.The irregularities may be formed by, for example, a PEC (Photo Electro Chemical) etching method. The width or the interval of the irregularities may be 1 to 2 micrometers. When the first conductivity type semiconductor layer 11 is a GaN layer, the surface on which the concave and convex is formed may be an N-face in consideration of a growth direction and an etching direction. According to the embodiment, the upper surface of the light emitting structure 10 can be formed as an N-surface, and the surface roughness is larger than that in the case where the light emitting structure 10 is formed of a Ga surface.

상기 발광구조물(10)의 측면에 보호층이 더 배치될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부에 보호층이 배치될 수 있다. 상기 보호층은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, AlN와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. A protective layer may further be disposed on a side surface of the light emitting structure 10. A protective layer may be disposed on the light emitting structure 10. The protective layer may be formed of an oxide or a nitride. The protective layer is, for example, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, or the like.

실시 예에 의하면, 상기 반사전극(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 전극(80)과 전기적으로 연결된 상기 컨택부(85)는 상기 반도체층(81)에 접촉될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 반도체층(81)은 같은 도전형의 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 반도체층(81)은 p형 도펀트를 포함할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 동작 전압을 낮출 수 있게 된다. 즉, 종래 발광소자에서 제1 전극은 p형 도펀트를 포함하는 반도체층에 전기적으로 연결되고 제2 전극은 n형 도펀트를 포함하는 반도체층에 전기적으로 연결되는 경우에 비하여 0.1 볼트 이상 동작 전압을 낮출 수 있는 장점이 있다.The reflective electrode 17 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13 and the contact portion 85 electrically connected to the electrode 80 may be electrically connected to the semiconductor layer 81 ). ≪ / RTI > The second conductivity type semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 81 may include the same conductivity type dopant. For example, the second conductivity type semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 81 may include a p-type dopant. Thus, according to the embodiment, the operating voltage can be lowered. That is, in the conventional light emitting device, the first electrode is electrically connected to the semiconductor layer including the p-type dopant and the second electrode is lowered by 0.1 volt or more compared with the case where the second electrode is electrically connected to the semiconductor layer including the n-type dopant There are advantages to be able to.

또한, 실시 예에 의하면 상기 전도성 이온주입층(83)과 상기 제2 절연층(43)을 이온 임플란테이션 공정을 통하여 형성할 수 있다. 이에 따라 상기 발광구조물(10) 하부에 상기 제2 절연층(43)과 상기 전도성 이온주입층(83)을 형성함에 있어 메사(mesa) 에칭을 수행하지 않아도 되므로 공정을 간소화시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, the conductive ion-implanted layer 83 and the second insulating layer 43 can be formed through an ion implantation process. Accordingly, mesa etching is not performed in forming the second insulating layer 43 and the conductive ion-implanted layer 83 under the light-emitting structure 10, which is advantageous in simplifying the process .

한편 실시 예에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제2 절연층(43)에 의하여 상기 반도체층(81)과 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 절연될 수 있다. 상기 제2 절연층(43)이 상기 반도체층(81)의 일부 영역을 감싸도록 구현될 수 있다. 한편, 상기 반도체층(81)과 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 전기적으로 절연시키는 구조는 다양하게 변형될 수 있다. According to the embodiment, as shown in FIG. 7, the semiconductor layer 81 and the second conductive type semiconductor layer 13 may be insulated by the second insulating layer 43. The second insulating layer 43 may be formed to surround a part of the semiconductor layer 81. The structure for electrically insulating the semiconductor layer 81 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be variously modified.

또한 상기 제2 절연층(43)의 형성공정은 도 2를 참조하여 설명되고, 상기 전도성 이온주입층(83)의 형성공정은 도 6을 참조하여 설명되었으나, 상기 제2 절연층(43)과 상기 전도성 이온주입층(83)은 연속적인 공정으로 형성될 수도 있다. 즉, 상기 제2 절연층(43)과 상기 전도성 이온주입층(83)은 도 2를 참조하여 설명된 공정 단계에서 구현될 수도 있으며, 도 6을 참조하여 설명된 공정 단계에서 구현될 수도 있다. 또한 상기 전도성 이온주입층(83)은 메탈 이온 임플란테이션 공정이 수행된 후 열처리 등을 통하여 금속 확산(metal diffusion)이 진행되도록 구현될 수도 있다.The process of forming the second insulation layer 43 is described with reference to FIG. 2, and the process of forming the conductive ion implantation layer 83 is described with reference to FIG. 6. However, The conductive ion-implanted layer 83 may be formed by a continuous process. That is, the second insulating layer 43 and the conductive ion-implanted layer 83 may be implemented at the process steps described with reference to FIG. 2 and at the process steps described with reference to FIG. In addition, the conductive ion implantation layer 83 may be formed such that metal diffusion proceeds through heat treatment after the metal ion implantation process is performed.

도 8 및 도 9는 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 8 및 도 9에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 8 and 9 are views showing another example of the light emitting device according to the embodiment. In the following description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIGS. 8 and 9, the overlapping parts with those described with reference to FIG. 1 will not be described.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 절연층(43)이 제2 도전형 반도체층(13)과 반도체층(81)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 제2 절연층(43)은 발광에 기여하는 상기 제2 도전형 반도체층(13) 주위를 감싸도록 배치될 수 있다. 또한 상기 제2 절연층(43)은 실제 발광이 이루어지는 상기 활성층(12) 주위를 감싸도록 배치될 수 있다.8 and 9, the second insulating layer 43 may electrically insulate the second conductive type semiconductor layer 13 from the semiconductor layer 81. In this case, The second insulating layer 43 may be disposed to surround the second conductivity type semiconductor layer 13 that contributes to light emission. The second insulating layer 43 may be disposed so as to surround the active layer 12 that actually emits light.

제1 절연층(40)이 반사전극(17) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(40)이 오믹접촉층(15) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(40) 위에 상기 반도체층(81)이 배치될 수 있다. 상기 반도체층(81) 위에 전도성 이온주입층(83)이 배치될 수 있다.The first insulating layer 40 may be disposed around the reflective electrode 17. [ The first insulating layer 40 may be disposed around the ohmic contact layer 15. The semiconductor layer 81 may be disposed on the first insulating layer 40. A conductive ion-implanted layer (83) may be disposed on the semiconductor layer (81).

실시 예에 의하면, 상기 반사전극(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 전극(80)과 전기적으로 연결된 상기 컨택부(85)는 상기 반도체층(81)에 접촉될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 반도체층(81)은 같은 도전형의 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 반도체층(81)은 p형 도펀트를 포함할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 동작 전압을 낮출 수 있게 된다. 즉, 종래 발광소자에서 제1 전극은 p형 도펀트를 포함하는 반도체층에 전기적으로 연결되고 제2 전극은 n형 도펀트를 포함하는 반도체층에 전기적으로 연결되는 경우에 비하여 0.1 볼트 이상 동작 전압을 낮출 수 있는 장점이 있다.The reflective electrode 17 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13 and the contact portion 85 electrically connected to the electrode 80 may be electrically connected to the semiconductor layer 81 ). ≪ / RTI > The second conductivity type semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 81 may include the same conductivity type dopant. For example, the second conductivity type semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 81 may include a p-type dopant. Thus, according to the embodiment, the operating voltage can be lowered. That is, in the conventional light emitting device, the first electrode is electrically connected to the semiconductor layer including the p-type dopant and the second electrode is lowered by 0.1 volt or more compared with the case where the second electrode is electrically connected to the semiconductor layer including the n-type dopant There are advantages to be able to.

또한, 실시 예에 의하면 상기 전도성 이온주입층(83)과 상기 제2 절연층(43)을 이온 임플란테이션 공정을 통하여 형성할 수 있다. 이에 따라 상기 발광구조물(10) 하부에 상기 제2 절연층(43)과 상기 전도성 이온주입층(83)을 형성함에 있어 메사(mesa) 에칭을 수행하지 않아도 되므로 공정을 간소화시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, the conductive ion-implanted layer 83 and the second insulating layer 43 can be formed through an ion implantation process. Accordingly, mesa etching is not performed in forming the second insulating layer 43 and the conductive ion-implanted layer 83 under the light-emitting structure 10, which is advantageous in simplifying the process .

도 10은 실시 예에 따른 발광소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 10에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.10 is a view showing still another example of the light emitting device according to the embodiment. In the description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 10, the description of the parts overlapping with those described with reference to FIG. 1 will be omitted.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 10에 도시된 바와 같이, 전도성 이온주입층(83)의 양 측면에 제2 절연층(43)이 배치될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)의 일부 영역은 제1 도전형 반도체층(11)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 전도성 이온주입층(83)은 컨택부(85)에 접촉될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, as shown in FIG. 10, a second insulating layer 43 may be disposed on both sides of the conductive ion-implanted layer 83. A portion of the conductive ion-implanted layer 83 may be disposed inside the first conductive semiconductor layer 11. The conductive ion-implanted layer 83 may be in contact with the contact portion 85.

실시 예에 의하면, 반사전극(17)은 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 전극(80)과 전기적으로 연결된 컨택부(85)는 상기 전도성 이온주입층(83)에 접촉될 수 있다.The reflective electrode 17 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13 and the contact portion 85 electrically connected to the electrode 80 may be electrically connected to the conductive ion implantation layer 83 Can be contacted.

또한, 실시 예에 의하면 상기 전도성 이온주입층(83)과 상기 제2 절연층(43)을 이온 임플란테이션 공정을 통하여 형성할 수 있다. 이에 따라 상기 발광구조물(10) 하부에 상기 제2 절연층(43)과 상기 전도성 이온주입층(83)을 형성함에 있어 메사(mesa) 에칭을 수행하지 않아도 되므로 공정을 간소화시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, the conductive ion-implanted layer 83 and the second insulating layer 43 can be formed through an ion implantation process. Accordingly, mesa etching is not performed in forming the second insulating layer 43 and the conductive ion-implanted layer 83 under the light-emitting structure 10, which is advantageous in simplifying the process .

도 11은 실시 예에 따른 발광소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 11에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 11 is a view showing still another example of the light emitting device according to the embodiment. In the following description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 11, description of portions overlapping with those described with reference to FIG. 1 will be omitted.

실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 발광구조물(10) 아래에 오믹 반사전극(19)이 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 도 1에서 설명된 반사전극(17)과 오믹접촉층(15)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 오믹 접촉되며, 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. According to the light emitting device according to the embodiment, the ohmic reflective electrode 19 may be disposed under the light emitting structure 10. The ohmic reflective electrode 19 may be implemented to perform both the functions of the reflective electrode 17 and the ohmic contact layer 15 described in FIG. Accordingly, the ohmic reflective electrode 19 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 13, and may reflect light incident from the light emitting structure 10.

도 12는 실시 예에 따른 발광소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 12에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 8을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 12 is a view showing still another example of the light emitting device according to the embodiment. In the description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 12, the description of the parts overlapping with those described with reference to FIG. 8 will be omitted.

실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 발광구조물(10) 아래에 오믹 반사전극(19)이 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 도 8에서 설명된 반사전극(17)과 오믹접촉층(15)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 오믹 접촉되며, 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. According to the light emitting device according to the embodiment, the ohmic reflective electrode 19 may be disposed under the light emitting structure 10. The ohmic reflective electrode 19 may be implemented to perform both the functions of the reflective electrode 17 and the ohmic contact layer 15 described in FIG. Accordingly, the ohmic reflective electrode 19 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 13, and may reflect light incident from the light emitting structure 10.

도 13은 실시 예에 따른 발광소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 13에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 10을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 13 is a view showing still another example of the light emitting device according to the embodiment. In the following description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 13, the description of the parts overlapping with those described with reference to FIG. 10 will be omitted.

실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 발광구조물(10) 아래에 오믹 반사전극(19)이 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 도 10에서 설명된 반사전극(17)과 오믹접촉층(15)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 오믹 접촉되며, 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. According to the light emitting device according to the embodiment, the ohmic reflective electrode 19 may be disposed under the light emitting structure 10. The ohmic reflective electrode 19 may be implemented to perform both the functions of the reflective electrode 17 and the ohmic contact layer 15 described in FIG. Accordingly, the ohmic reflective electrode 19 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 13, and may reflect light incident from the light emitting structure 10.

도 14는 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.FIG. 14 is a view illustrating a light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied.

도 14를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함한다.Referring to FIG. 14, a light emitting device package according to an embodiment includes a body 120, first and second lead electrodes 131 and 132 disposed on the body 120, And a molding member 140 surrounding the light emitting device 100. The first and second lead electrodes 131 and 132 are electrically connected to the first and second lead electrodes 131 and 132, .

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other to provide power to the light emitting device 100. The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 and the heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by a wire, flip chip or die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiments may be arrayed on a substrate, and a lens, a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, etc., which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. The light unit may be implemented as a top view or a side view type and may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to a lighting device and a pointing device. Still another embodiment may be embodied as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a streetlight, an electric signboard, and a headlight.

실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 15 및 도 16에 도시된 표시 장치, 도 17에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and may include the display apparatus shown in Figs. 15 and 16, and the illumination apparatus shown in Fig.

도 15를 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.15, a display device 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided, and light may be provided directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device or a light emitting device package 200 according to the embodiment described above. The light emitting device package 200 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the light emitting device package 200 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device package 200 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 16은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 16 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.

도 16을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 16, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the above-described light emitting device 100 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, the at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 17은 실시 예에 따른 조명장치의 사시도이다.17 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 17을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.17, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having a good heat dissipation property, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 제공되는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 복수 개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격 되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device or a light emitting device package 200 according to an embodiment provided on the substrate 1532. A plurality of the light emitting device packages 200 may be arrayed in a matrix or spaced apart at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532)에는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 LED(Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 200 may be disposed on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 200 to obtain colors and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is coupled to an external power source through a socket, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

실시 예는 발광소자가 패키징된 후 상기 기판에 탑재되어 발광 모듈로 구현되거나, LED 칩 형태로 탑재되어 패키징하여 발광 모듈로 구현될 수 있다. Embodiments may be implemented as a light emitting module mounted on the substrate after packaging the light emitting device, or as a light emitting module mounted on the LED chip.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10: 발광구조물 11: 제1 도전형 반도체층
12: 활성층 13: 제2 도전형 반도체층
15: 오믹접촉층 17: 반사전극
40: 제1 절연층 43: 제2 절연층
50: 확산장벽층 60: 본딩층
70: 지지부재 80: 전극
81: 반도체층 83: 전도성 이온주입층
85: 컨택부10: light emitting structure 11: first conductive type semiconductor layer
12: active layer 13: second conductivity type semiconductor layer
15: ohmic contact layer 17: reflective electrode
40: first insulating layer 43: second insulating layer
50: diffusion barrier layer 60: bonding layer
70: support member 80: electrode
81: Semiconductor layer 83: Conducting ion implantation layer
85:

Claims (15)

제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극;
상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부;
상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층;
상기 컨택부와 상기 반사전극을 전기적으로 절연시키는 제1절연층;
상기 컨택부 위에 배치된 전극; 및
상기 전도성 이온주입층과 상기 활성층을 전기적으로 절연시키는 제2절연층을 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer below the active layer;
A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure;
A contact disposed below a second region of the light emitting structure;
A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer;
A first insulating layer electrically isolating the contact portion from the reflective electrode;
An electrode disposed on the contact portion; And
And a second insulating layer electrically isolating the conductive ion-implanted layer from the active layer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2절연층은 절연성 이온주입층인 발광소자.The method according to claim 1,
And the second insulating layer is an insulating ion-implanted layer. 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극;
상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부;
상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층;
상기 컨택부와 상기 반사전극을 전기적으로 절연시키는 제1절연층;
상기 컨택부 위에 배치된 전극; 및
상기 전도성 이온주입층과 상기 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 절연시키는 제2절연층을 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer below the active layer;
A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure;
A contact disposed below a second region of the light emitting structure;
A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer;
A first insulating layer electrically isolating the contact portion from the reflective electrode;
An electrode disposed on the contact portion; And
And a second insulating layer electrically isolating the conductive ion-implanted layer from the second conductive semiconductor layer. 제4항에 있어서,
상기 제2절연층은 절연성 이온주입층인 발광소자.5. The method of claim 4,
And the second insulating layer is an insulating ion-implanted layer. 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극;
상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부;
상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층;
상기 컨택부와 상기 반사전극을 전기적으로 절연시키는 제1절연층; 및
상기 컨택부 위에 배치된 전극을 포함하고,
상기 전도성 이온주입층은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉된 발광소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer below the active layer;
A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure;
A contact disposed below a second region of the light emitting structure;
A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer;
A first insulating layer electrically isolating the contact portion from the reflective electrode; And
And an electrode disposed on the contact portion,
And the conductive ion-implanted layer is in contact with the first conductive type semiconductor layer. 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극;
상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부;
상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층;
상기 컨택부와 상기 반사전극을 전기적으로 절연시키는 제1절연층; 및
상기 컨택부 위에 배치된 전극을 포함하고,
상기 전도성 이온주입층은 상기 컨택부와 접촉된 발광소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer below the active layer;
A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure;
A contact disposed below a second region of the light emitting structure;
A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer;
A first insulating layer electrically isolating the contact portion from the reflective electrode; And
And an electrode disposed on the contact portion,
And the conductive ion-implanted layer is in contact with the contact portion. 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물의 제1 영역 아래에 배치된 반사전극;
상기 발광구조물의 제2 영역 아래에 배치된 컨택부;
상기 컨택부와 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 전도성 이온주입층;
상기 컨택부와 상기 반사전극을 전기적으로 절연시키는 제1절연층; 및
상기 컨택부 위에 배치된 전극을 포함하고,
상기 전도성 이온주입층의 일부 영역은 상기 제1 도전형 반도체층의 내부에 배치된 발광소자.
A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer below the active layer;
A reflective electrode disposed below the first region of the light emitting structure;
A contact disposed below a second region of the light emitting structure;
A conductive ion implantation layer for electrically connecting the contact portion and the first conductive semiconductor layer;
A first insulating layer electrically isolating the contact portion from the reflective electrode; And
And an electrode disposed on the contact portion,
And a portion of the conductive ion-implanted layer is disposed inside the first conductive type semiconductor layer.
제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 제2절연층은 상기 전도성 이온주입층의 양 측면에 배치되는 발광소자.The method according to claim 1 or 4,
And the second insulating layer is disposed on both sides of the conductive ion-implanted layer. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1절연층은 상기 컨택부와 상기 반사전극 사이에 배치되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first insulating layer is disposed between the contact portion and the reflective electrode. 제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 제2절연층은 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 주위를 감싸는 발광소자.
The method according to claim 1 or 4,
And the second insulating layer surrounds the second conductive type semiconductor layer and the active layer.
삭제delete 삭제delete
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