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KR101715354B1 - Laser processing apparatus and laser processing method - Google Patents

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Publication number
KR101715354B1
KR101715354B1 KR1020150141636A KR20150141636A KR101715354B1 KR 101715354 B1 KR101715354 B1 KR 101715354B1 KR 1020150141636 A KR1020150141636 A KR 1020150141636A KR 20150141636 A KR20150141636 A KR 20150141636A KR 101715354 B1 KR101715354 B1 KR 101715354B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
slide guide
axial direction
movement
wafer chuck
Prior art date
Application number
KR1020150141636A
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Korean (ko)
Inventor
김용덕
조규환
정현택
이교준
Original Assignee
주식회사 이오테크닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to PCT/KR2016/009942 priority patent/WO2017061703A1/en
Priority to TW105130284A priority patent/TWI622086B/en
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Abstract

A laser machining apparatus according to an embodiment of the present invention comprises a laser irradiating part for emitting a laser to a wafer to form a machining groove on the wafer; a wafer chuck having the wafer mounted thereon and moving in a first axis direction; a cam disposed to be fixed to the wafer chuck; a cam guide extended in the first axis direction and guiding the movement path of the wafer chuck by being in contact with the cam; a first slide guide extended in the first axis direction and guiding the movement path of the wafer chuck; and a sensor part for sensing the movement of the first slide guide with respect to a second axis direction orthogonal to the first axis direction. So, it is possible to adjust the error of the movement path of the wafer chuck.

Description

레이저 가공장치 및 레이저 가공방법{Laser processing apparatus and laser processing method}[0001] The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method,

본 발명은 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법에 관한 것으로, 구체적으로 웨이퍼 상에 형성되는 가공홈(groove)을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser machining apparatus and a laser machining method, and more particularly to a laser machining apparatus and a laser machining method capable of forming machining grooves formed on a wafer.

레이저 가공 장치는 레이저 광원으로부터 출사된 레이저 빔을 광학계를 이용하여 가공 대상물에 조사하고, 이러한 레이저 빔의 조사에 의해 가공 대상물에 대한 마킹(marking), 노광(exposure), 식각(etching), 펀칭(punching), 스크라이빙(scribing), 다이싱(dicing) 및 그루빙(grooving) 등과 같은 가공 작업을 수행한다.The laser processing apparatus irradiates an object to be processed with a laser beam emitted from a laser light source by using an optical system, and performs marking, exposure, etching, punching such as punching, scribing, dicing and grooving.

그루빙 공정에서, 웨이퍼 상에 일 방향으로 연장되는 가공홈(groove)을 형성하기 위해 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척이 이동한다. 이 때, 외부 요인에 의해 웨이퍼 척의 이동 경로에 오차가 발생될 수 있으며, 가공홈의 가공 경로를 가공 예정 라인과 일치시키기 위해, 상기 외부 요인에 의해 발생된 웨이퍼 척의 이동 경로에 대한 오차를 조정할 필요성이 있다.
- 관련 선행 기술: 공개특허공보 10-2012-0111815호In the grooving process, a wafer chuck for supporting a wafer moves to form a machining groove extending in one direction on the wafer. At this time, an error may occur in the movement path of the wafer chuck due to an external factor, and it may be necessary to adjust the error of the movement path of the wafer chuck caused by the external factors in order to make the machining path of the machined groove coincide with the expected machining line .
Related Prior Art: Published patent application No. 10-2012-0111815

본 발명은 웨이퍼 척의 이동 경로에 대한 오차를 조정할 수 있는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 제공한다.The present invention provides a laser processing apparatus and a laser processing method capable of adjusting an error with respect to a movement path of a wafer chuck.

일 예시에 따른 레이저 가공 장치는, 레이저를 조사하여 웨이퍼 상에 가공홈을 형성하는 레이저 조사부; 상기 웨이퍼가 안착되며, 제1 축 방향을 따라 이동하는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척에 고정되도록 배치된 캠; 상기 제1 축 방향을 따라 연장되도록 형성되며, 상기 캠과 접촉하여 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 캠 가이드; 상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드; 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향에 대한 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지하는 센서부;를 포함할 수 있다.A laser processing apparatus according to one example comprises: a laser irradiating unit for irradiating a laser to form a processing groove on a wafer; A wafer chuck having the wafer mounted thereon and moving along a first axis direction; A cam disposed to be fixed to the wafer chuck; A cam guide formed to extend along the first axis direction and to guide the movement path of the wafer chuck in contact with the cam; A first slide guide extending along the first axis direction and guiding a movement path of the wafer chuck; And a sensor unit for sensing a movement of the first slide guide with respect to a second axis direction perpendicular to the first axis direction.

일 예시에 따른 레이저 가공 장치는, 상기 센서부에 의해 감지된 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 결정하는 제어부; 및 상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드를 이동시키기 위한 구동력을 생성하는 구동부; 를 더 포함할 수 있다.The laser processing apparatus according to one example includes a control unit for determining a control signal for compensating movement of the first slide guide sensed by the sensor unit in the second axial direction; And a driving unit for generating a driving force for moving the first slide guide according to the control signal. As shown in FIG.

상기 센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치될 수 있다.The sensor unit may be arranged to face the first slide guide with a predetermined gap therebetween.

상기 센서부는 발광 소자 및 수광 소자를 포함하는 광 센서일 수 있다.The sensor unit may be an optical sensor including a light emitting element and a light receiving element.

상기 센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 서로 접촉하도록 배치될 수 있다.The sensor unit may be arranged to be in contact with the first slide guide.

상기 센서부는, 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동에 따라 수축 또는 팽창되는 탄성 부재를 포함할 수 있다.The sensor unit may include an elastic member that contracts or expands according to movement of the first slide guide in the second axial direction.

상기 센서부는, 상기 웨이퍼 척이 상기 제1 축 방향을 따라 이동하는 가공 피치마다 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 측정할 수 있다.The sensor unit may measure the movement of the first slide guide for each processing pitch at which the wafer chuck moves along the first axial direction.

상기 가공 피치는 1mm 이상 40mm 이하일 수 있다. The processing pitch may be 1 mm or more and 40 mm or less.

일 예시에 따른 레이저 가공 장치는, 상기 웨이퍼 척의 이동에 따라 형성되는 상기 웨이퍼 상의 가공홈을 표시하기 위한 표시부;를 더 포함할 수 있다.The laser processing apparatus according to one example may further include a display unit for displaying a machining groove on the wafer formed in accordance with the movement of the wafer chuck.

일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 웨이퍼 상에 레이저를 조사하는 단계; 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척을 제1 축 방향을 따라 이동시키는 단계; 및 상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드의 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 를 포함할 수 있다.A laser processing method using a laser processing apparatus according to an exemplary embodiment includes: irradiating a laser onto a wafer; Moving a wafer chuck on which the wafer is placed along a first axial direction; And sensing movement in a second axial direction of the first slide guide extending along the first axial direction and guiding the movement path of the wafer chuck and orthogonal to the first axial direction; . ≪ / RTI >

일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계; 및 상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드에 구동력을 인가하는 단계;를 더 포함할 수 있다.A laser processing method using a laser processing apparatus according to an example includes generating a control signal for compensating a movement of the first slide guide in the second axial direction; And applying a driving force to the first slide guide according to the control signal.

일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 상기 웨이퍼 척이 이동하는 가공 피치를 입력하는 단계;를 더 포함하며, 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동은 상기 웨이퍼 척이 이동하는 상기 가공 피치마다 측정될 수 있다.The laser machining method using a laser machining apparatus according to an example further includes a step of inputting a machining pitch at which the wafer chuck moves, wherein the movement of the first slide guide is performed for each machining pitch Can be measured.

센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지할 수 있다.The sensor unit may be arranged to face the first slide guide with a predetermined gap therebetween to sense movement of the first slide guide.

센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 서로 접촉하도록 배치되어 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지할 수 있다.The sensor unit may be arranged to be in contact with the first slide guide to sense movement of the first slide guide.

일 예시에 따른 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공 방법은, 상기 구동력이 인가된 상기 제1 슬라이드 가이드를 따라 상기 웨이퍼 척을 이동시키는 단계; 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 및 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동이 감지되는 경우, 경고 신호를 생성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.A laser processing method using a laser processing apparatus according to an exemplary embodiment includes: moving the wafer chuck along the first slide guide to which the driving force is applied; Sensing movement of the first slide guide with respect to the second axial direction; And generating a warning signal when movement of the first slide guide with respect to the second axial direction is sensed.

일 예시에 따른 레이저 가공 장치에 의하면, 외부 요인에 관계 없이 가공홈의 가공 경로를 일정하게 형성할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 가공 품질을 향상시킬 수 있다.According to the laser machining apparatus according to one example, the machining path of the machining groove can be constantly formed regardless of external factors, thereby improving the machining quality of the wafer.

또한, 실시간으로 가공 경로를 모니터링할 수 있고, 경보 기능의 탑재로 웨이퍼의 품질 변동을 실시간으로 검출할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 품질 변동에 신속하게 대응할 수 있다.In addition, it is possible to monitor the machining path in real time, and the quality change of the wafer can be detected in real time by installing the alarm function, and thus it is possible to quickly cope with the quality fluctuation of the wafer.

도 1은 일 실시예에 따른 　 레이저　가공 장치의　구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈에 대한 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈에 대한 분리 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈에 대한 부분 사시도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 캠과 캠 가이드의 평면도이다.
도 5b는 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다.
도 7a는 일 실시예에 따른 가공홈이 표시된 웨이퍼의 평면도이다.
도 7b 는 다른 실시예에 따른 가공홈이 표시된 웨이퍼의 평면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 센서부에 대한 개략도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 센서부에 대한 개략도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 레이저 가공 방법에 대한 흐름도이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법에 대한 흐름도이다.1 is a block diagram showing a configuration of a laser machining apparatus according to an embodiment.
2 is a perspective view of a wafer support module according to one embodiment.
Figure 3 is an exploded perspective view of the wafer support module shown in Figure 2;
Figures 4A and 4B are partial perspective views of the wafer support module shown in Figure 2;
5A is a plan view of a cam and cam guide according to one embodiment.
5B is a top view of the wafer support module according to one embodiment.
6 is a top view of a wafer support module according to one embodiment.
7A is a plan view of a wafer having a machined groove according to one embodiment.
FIG. 7B is a plan view of a wafer having a machined groove according to another embodiment. FIG.
8 is a schematic view of a sensor unit according to an embodiment.
9 is a schematic view of a sensor unit according to another embodiment.
10 is a flowchart of a laser processing method according to an embodiment.
11 is a flowchart of a laser processing method according to another embodiment.

본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. Also, in certain cases, there may be a term selected arbitrarily by the applicant, in which case the meaning thereof will be described in detail in the description of the corresponding invention. Therefore, the term used in the present invention should be defined based on the meaning of the term, not on the name of a simple term, but on the entire contents of the present invention.

명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부" "...모듈"등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.When an element is referred to as "including" an element throughout the specification, it is to be understood that the element may include other elements as well, without departing from the spirit or scope of the present invention. The term "... "," module ", etc. in the specification refers to a unit for processing at least one function or operation, which may be implemented by hardware or software or by a combination of hardware and software .

아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 　 레이저　가공 장치의　구성을 나타내는 블록도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 모듈에 대한 사시도이다. 1 is a block diagram showing a configuration of a laser machining apparatus according to an embodiment. 2 is a perspective view of a wafer support module according to one embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 예시에 따른 레이저 가공 장치(1)는 웨이퍼(2) 상에 복수 개의 가공홈(G: groove)을 형성하기 위한 가공 장치이다. 여기서, 웨이퍼(2)는 가공홈(G)이 형성될　수 있는 판상 형상의 부재로서, 예를 들면, 실리콘　웨이퍼와 같은 반도체　웨이퍼 등이 사용될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 웨이퍼(2) 상에는 다수의 적층 소자들이 형성될 수 있으며, 상기 적층 소자들 사이에　가공홈(G) 영역이 형성될 수 있다.　일 예로서, 가공홈(G)은 대략 5~10㎛의 깊이와 대략 6~10㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있지만, 이는 단지 예시적인 것으로, 가공홈(G)의 깊이 및 폭은 다양하게 변경될 수 있다.1 and 2, a laser machining apparatus 1 according to an example is a machining apparatus for forming a plurality of machining grooves (G: grooves) on a wafer 2. As shown in Fig. Here, the wafer 2 is a plate-like member in which the machining groove G can be formed. For example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer can be used, but the present invention is not limited thereto. A plurality of stacked elements may be formed on the wafer 2, and a processing groove (G) region may be formed between the stacked elements. As an example, the machining groove G may be formed to have a depth of approximately 5 to 10 탆 and a width of approximately 6 to 10 탆, but this is merely exemplary, and the depth and width of the machined groove G may vary .

레이저 가공 장치(1)는 웨이퍼(2)가 지지되는 웨이퍼 지지 모듈(10), 상기　웨이퍼(2)에 레이저 빔(L)을 조사하는 레이저 조사부(20), 웨이퍼 지지 모듈(10)과 레이저 조사부(20)의 구동을 제어하기 위한 제어부(30), 입력부(410)와 표시부(420)가 구비된 사용자 인터페이스 모듈(40), 후술하게 될 가이드부(200)의 이동을 감지할 수 있는 센서부(60) 및 웨이퍼 지지 모듈(10)에 구동력을 제공할 수 있는 구동부(70)를 포함할 수 있다.The laser processing apparatus 1 includes a wafer supporting module 10 on which a wafer 2 is supported, a laser irradiation unit 20 for irradiating the wafer 2 with a laser beam L, a wafer supporting module 10, A control unit 30 for controlling the driving of the guide unit 20, a user interface module 40 having an input unit 410 and a display unit 420, a sensor unit (60) and a driver (70) capable of providing a driving force to the wafer support module (10).

웨이퍼 지지 모듈(10)은 웨이퍼(2)를 지지한 채, 상기 웨이퍼(2)를 제1 축 방향(X) 및 제2 축 방향(Y)으로 이동시킬 수 있는 장치이다. 웨이퍼 지지 모듈(10)과 관련된 보다 구체적인 사항은 후술한다.The wafer supporting module 10 is a device capable of moving the wafer 2 in the first axial direction X and the second axial direction Y while supporting the wafer 2. [ More details related to the wafer support module 10 will be described later.

레이저 조사부(20)는 웨이퍼 지지 모듈(10)에 지지된　웨이퍼(2)에 대하여,　웨이퍼(2)가 흡수성을 갖는 파장의　레이저 빔(L)을 조사하여,　웨이퍼(2)의 표면에　레이저　가공홈(G)을 형성할 수 있는 레이저 조사 장치이다. 이 때, 레이저 빔(L)은 펄스형 자외선 레이저 빔일 수 있으며, 펨토초(fs;femto second), 피코초(ps; pico second) 또는 나노초(ns; nano second) 범위의 펄스폭을 구비할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The laser irradiation unit 20 irradiates the wafer 2 supported by the wafer supporting module 10 with a laser beam L having a wavelength that absorbs the wafer 2 so that the surface of the wafer 2 is laser- Is a laser irradiation device capable of forming a groove (G). The laser beam L may be a pulsed ultraviolet laser beam and may have a pulse width in the range of femtoseconds (fs), picoseconds (ps) or nanoseconds (ns) , But the present invention is not limited thereto.

제어부(30)는 웨이퍼 지지 모듈(10)과 레이저 조사부(20)의 구동을 제어하기 위한 하드웨어일 수 있다. 제어부(30)는 메모리(미도시)에 저장된 프로그램 및 센서부(60)에 의해 측정된 가이드부(200)의 이동 정보로부터 웨이퍼 지지 모듈(10)과 레이저 조사부(20)에 인가되는 구동력에 대한 제어 신호를 생성할 수 있다. 메모리(미도시)에 저장된 프로그램 및 센서부(60)에 의해 측정된 가이드부(200)의 이동 정보로부터 웨이퍼 지지 모듈(10)에 인가되는 구동력에 대한 제어 신호를 생성하는 구체적인 방법은 후술한다. The control unit 30 may be hardware for controlling the driving of the wafer support module 10 and the laser irradiation unit 20. [ The control unit 30 calculates the driving force applied to the wafer supporting module 10 and the laser irradiating unit 20 based on the program stored in the memory (not shown) and the movement information of the guide unit 200 measured by the sensor unit 60 A control signal can be generated. A specific method of generating a control signal for the driving force applied to the wafer supporting module 10 from the program stored in the memory (not shown) and the movement information of the guide unit 200 measured by the sensor unit 60 will be described later.

제어부(30)는 웨이퍼 지지 모듈(10)에 인가되는 구동력에 대한 제어 신호를 생성하는 작업을 수행할 뿐 아니라, 예를 들어, 웨이퍼(2)에 형성된 가공홈(G)을 디스플레이하기 위한 영상 신호를 처리할 수도 있다. 제어부(30)는 하나의 마이크로프로세서 모듈의 형태로 구현되거나, 또는 둘 이상의 마이크로프로세서 모듈들이 조합된 형태로 구현될 수도 있다. 즉, 제어부(30)의 구현 형태는 어느 하나에 의해 제한되지 않는다.The control unit 30 not only generates a control signal for the driving force applied to the wafer supporting module 10 but also generates a control signal for controlling the driving force applied to the wafer supporting module 10, . The controller 30 may be implemented in the form of a single microprocessor module or in a combination of two or more microprocessor modules. That is, the embodiment of the control unit 30 is not limited by any one of them.

사용자 인터 페이스 모듈(40)은 입력부(410)와 표시부(420)를 포함할 수 있다. 입력부(410)는 레이저 가공 장치(1)를 조작하기 위한 버튼, 키 패드, 스위치, 다이얼 또는 터치 인터페이스를 포함할 수 있다. 표시부 (420)는 웨이퍼(2) 상에 형성된 가공홈(G)에 대한 정보을 디스플레이하기 위한 디스플레이 패널 등으로 구현될 수 있다. 일 예로서, 표시부(420)는 LCD 패널, OLED 패널 등을 포함할 수 있으며, 분석된 웨이퍼(2)상에 형성된 가공홈(G)에 대한 정보를 영상 또는 텍스트로 표시할 수 있다.The user interface module 40 may include an input unit 410 and a display unit 420. The input unit 410 may include a button for operating the laser processing apparatus 1, a keypad, a switch, a dial or a touch interface. The display unit 420 may be implemented as a display panel or the like for displaying information on the machining groove G formed on the wafer 2. As an example, the display unit 420 may include an LCD panel, an OLED panel, and the like, and may display information on the processed groove G formed on the analyzed wafer 2 as an image or text.

센서부(60)는 웨이퍼 지지 모듈(10), 보다 구체적으로 가이드부(200)의 이동 정보를 측정하기 위한 측정 장치이다. 일 예로서, 센서부(60)는 접촉 방식 또는 비접촉 방식으로 가이드부(200)에 대한 이동 정보를 측정할 수 있다. 센서부(60)를 이용하여 가이드부(200)에 대한 이동 정보를 측정하는 구체적인 방법은 후술한다. The sensor unit 60 is a measuring device for measuring the movement information of the wafer supporting module 10, more specifically, the guide unit 200. For example, the sensor unit 60 may measure movement information about the guide unit 200 in a contact manner or a non-contact manner. A specific method of measuring the movement information with respect to the guide unit 200 using the sensor unit 60 will be described later.

구동부(70)는, 웨이퍼(2)를 제1축 방향(X) 또는 제2축 방향(Y)을 따라 이동시키기 위한 구동력을 생성할 수 있는 동력 발생 장치이다. 일 예로서, 구동부(70)는 웨이퍼(2)를 제2축 방향(Y)으로 이동시키기 위한 제1 구동 장치(71) 및 웨이퍼(2)를 제1축(X) 방향으로 이동시키기 위한 제2 구동 장치(72)를 포함할 수 있다. 이 때, 구동부(70)는 제어부(30)로부터 생성된 제어 신호에 따라 구동력을 생성할 수 있다.The driving unit 70 is a power generation device capable of generating a driving force for moving the wafer 2 along the first axial direction X or the second axial direction Y. [ The driving unit 70 includes a first driving device 71 for moving the wafer 2 in the second axial direction Y and a second driving device 71 for moving the wafer 2 in the first axis X direction 2 driving device 72. [0050] At this time, the driving unit 70 can generate the driving force in accordance with the control signal generated from the control unit 30. [

이하에서는 웨이퍼(2)상에 형성된 가공홈(G)의 오정렬을 방지하기 위해, 웨이퍼 지지모듈(10), 보다 구체적으로 가이드부(200)의 이동을 감지하고, 가이드부(200)의 이동 정보에 따라 생성된 구동력을 이용하여 가이드부(200)의 이동을 보상할 수 있는 방법에 대해 보다 구체적으로 서술한다.Hereinafter, in order to prevent misalignment of the processing groove G formed on the wafer 2, the wafer support module 10, more specifically, the movement of the guide portion 200 is sensed, and movement information of the guide portion 200 A method of compensating for the movement of the guide unit 200 using the driving force generated according to the present invention will be described in more detail.

도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈(10)에 대한 분리 사시도이다. 도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 웨이퍼 지지 모듈에 대한 부분 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the wafer support module 10 shown in FIG. Figures 4A and 4B are partial perspective views of the wafer support module shown in Figure 2;

도면들을 참조하면, 웨이퍼 지지 모듈(10)은 웨이퍼(2)를 지지할 수 있는 웨이퍼 척(100), 상기 웨이퍼 척(100)을 제1 축 방향(X)으로 이동시키기 위한 가이드부(200), 상기 웨이퍼 척(100)을 제2 축 방향(Y)으로 이동시키기 위한 베이스부(300) 및 상기 웨이퍼 척(100)의 제1 축 방향(X) 이동을 가이드 하기 위한 캠(108)과 캠 가이드(308)를 포함할 수 있다. 일 예로서, 웨이퍼 척(100)은 가이드부(200) 상에서 제1 축 방향(X)을 따라 슬라이드 되도록 배치될 수 있으며, 가이드부(200)는 베이스부(300) 상에서 제2 축 방향(Y)을 따라 슬라이드 되도록 배치될 수 있다. 이 때, 제1 구동 장치(71)는 베이스부(300)에 배치되어 가이드부(200)를 제2 축 방향(Y)으로 이동시키기 위한 구동력을 제공할 수 있으며, 제2 구동 장치(72)는 가이드부(200)에 배치되어 웨이퍼 척(100)을 제1 축 방향(X)으로 이동시키기 위한 구동력을 제공할 수 있다. 또한, 센서부(60)는 베이스부(300)상에 배치되어 제2 축 방향(Y)을 따르는 가이드부(200), 보다 구체적으로 제1 슬라이드 가이드(203)의 이동 정보를 측정할 수 있다.Referring to the drawings, a wafer supporting module 10 includes a wafer chuck 100 capable of supporting a wafer 2, a guide unit 200 for moving the wafer chuck 100 in a first axial direction X, A base part 300 for moving the wafer chuck 100 in the second axial direction Y and a cam 108 for guiding movement of the wafer chuck 100 in the first axial direction X, Guide 308. In this embodiment, The wafer chuck 100 may be arranged to slide along the first axial direction X on the guide part 200 and the guide part 200 may be arranged on the base part 300 in the second axial direction Y As shown in Fig. The first driving unit 71 may be disposed on the base unit 300 to provide a driving force for moving the guide unit 200 in the second axial direction Y, May be disposed in the guide portion 200 to provide a driving force for moving the wafer chuck 100 in the first axial direction X. [ The sensor unit 60 can measure movement information of the guide unit 200 disposed on the base unit 300 along the second axial direction Y and more specifically the first slide guide 203 .

웨이퍼 척(100)은 웨이퍼(2)를 수용할 수 있는 웨이퍼 척 테이블(101), 상기 웨이퍼 척 테이블(101)을 제1 축 방향(X)으로 이동시키기 위한 제1 슬라이드(103), 제3축 방향(Z)으로 연장되어 상기 웨이퍼 척 테이블(101)에 고정되도록 배치되는 중심축(105)을 포함할 수 있다. The wafer chuck 100 includes a wafer chuck table 101 capable of accommodating the wafer 2, a first slide 103 for moving the wafer chuck table 101 in the first axial direction X, And a center axis 105 extending in the axial direction Z and arranged to be fixed to the wafer chuck table 101.

웨이퍼 척 테이블(101)은 가공전의　웨이퍼(2)를 상부에 수용할 수 있는 수용부이다. 일 예로서, 웨이퍼 척 테이블(101)은 다공성 세라믹 등으로 형성된 원반 형상일 수 있으며, 진공 흡인원(미도시)을 이용하여 상부에 배치된　웨이퍼(2)를 흡인함으로써 웨이퍼(2)가 웨이퍼 척 테이블(101) 상부에 수용될 수 있다. The wafer chuck table 101 is an accommodating portion capable of accommodating the wafer 2 before machining. For example, the wafer chuck table 101 may be in the shape of a disk formed of porous ceramics or the like, and by sucking the wafer 2 placed on the upper side by using a vacuum suction source (not shown) And can be accommodated in the upper portion of the table 101.

제1 슬라이드(103)는 웨이퍼 척 테이블(101)의 하부에 고정되도록 배치되어, 웨이퍼 척 테이블(101)을 제1 축(X) 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로서, 제1 슬라이드(103)는 후술하게 될 가이드부(200)에 포함된 제1 슬라이드 가이드(203)와 맞물리도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼 척 테이블(101)을 제1 축(X) 방향으로 이동시킬 수 있다. The first slide 103 is arranged to be fixed to the lower portion of the wafer chuck table 101 and can move the wafer chuck table 101 in the first axis X direction. The first slide 103 may be arranged to be engaged with the first slide guide 203 included in the guide unit 200 to be described later so that the wafer chuck table 101 is moved along the first axis X) direction.

캠(108)은, 제1 축(X) 방향을 따른 웨이퍼 척 테이블(101)의 이동 경로를 제한하기 위한 가이드 부재이다. 일 예로서, 캠(108)은 원형의 판상 부재로 형성될 수 있으며, 웨이퍼 척 테이블(101)에 고정되도록 배치되고, 제3축 방향(Z)으로 연장된 중심축(105)을 중심으로 회전하도록 배치될 수 있다. 또한, 캠(108)은 후술하게 될 베이스부(300)에 포함된 캠 가이드(308)와 서로 접촉하도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 제1 축 방향(X)을 따르는 웨이퍼 척(100)의 이동 경로를 제한할 수 있다. The cam 108 is a guide member for limiting the movement path of the wafer chuck table 101 along the first axis X direction. As one example, the cam 108 may be formed as a circular plate-like member, and is arranged to be fixed to the wafer chuck table 101 and rotates about a central axis 105 extending in the third axial direction Z . The cam 108 may be disposed so as to be in contact with the cam guide 308 included in the base unit 300 to be described later so that movement of the wafer chuck 100 along the first axial direction X You can restrict the path.

가이드부(200)는 제1 슬라이드 가이드(203), 센서 감지부(204), 제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207), 제2 슬라이드(210)를 포함할 수 있다. 제1 슬라이드 가이드(203)는 제1 축 방향(X)으로 연장된 가이드부로서, 상술한 바와 같이 제1 슬라이드(103)와 맞물려 웨이퍼 척(100)의 제1 축 방향(X) 이동을 가이드할 수 있다.The guide unit 200 may include a first slide guide 203, a sensor sensing unit 204, first and second clamping units 206 and 207, and a second slide 210. The first slide guide 203 is a guide portion extending in the first axial direction X and is engaged with the first slide 103 to move the wafer chuck 100 in the first axial direction X, can do.

센서 감지부(204)는 후술하게 될 센서부(60)에 의해 이동 여부가 감지되는 감지 대상이다. 일 예로서, 센서 감지부(204)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 고정되도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 센서부(60)는 가이드부(200), 보다 구체적으로 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축(Y) 방향 이동을 감지할 수 있다. The sensor sensing unit 204 is a sensing object that is sensed by the sensor unit 60 to be described later. The sensor sensing portion 204 may be arranged to be fixed to the first slide guide 203 so that the sensor portion 60 may include the guide portion 200 and more specifically the first slide guide 203, (Y) direction of the first axis.

제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207)는 캠 가이드(308)와 캠(108)의 접촉 상태를 유지시키기 위한 고정 장치이다. 일 예로서, 제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207)는 베이스부(300)에 구비된 캠 가이드(308)의 제2 측부(308-2)에 체결될 수 있으며, 이에 따라 후술하게 될 캠 가이드(308)와 캠(108)의 접촉이 유지될 수 있다.The first and second clamping devices 206 and 207 are fixing devices for maintaining the contact state of the cam guide 308 and the cam 108. As an example, the first and second clamping devices 206 and 207 may be fastened to the second side 308-2 of the cam guide 308 provided in the base portion 300, The contact between the cam guide 308 and the cam 108 can be maintained.

제2 슬라이드(210)는 제1 슬라이드 가이드(203)의 하부에 고정되도록 배치되어, 제1 슬라이드 가이드(203)를 제2 축 방향(Y)으로 이동시킬 수 있다. 일 예로서, 제2 슬라이드(210)는 후술하게 될 베이스부(300)에 포함된 제2 슬라이드 가이드(320)와 맞물리도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 제1 슬라이드 가이드(203)를 제2 축 방향(Y)을 따라 이동시킬 수 있다. The second slide 210 is disposed to be fixed to the lower portion of the first slide guide 203 and can move the first slide guide 203 in the second axial direction Y. [ As an example, the second slide 210 may be arranged to engage with a second slide guide 320 included in the base portion 300, which will be described later, It is possible to move along the direction Y as shown in Fig.

캠 가이드(308)는 제1 축(X) 방향으로 연장되도록 형성될 수 있으며, 캠 가이드(308)의 제1 측부(308-1)가 캠(108)과 접촉하여 웨이퍼 척(100)의 제1 축(X) 방향 이동 경로를 제한할 수 있다. 이 때, 캠 가이드(308)의 제2 측부(308-2)는, 상술한 바와 같이 제1 및 제2 클램핑 장치(206, 207)에 의해 체결될 수 있으며, 이에 따라 캠 가이드(308)의 제1 측부(308-1)와 캠(108)의 접촉이 유지될 수 있다. 또한, 센서부(60)는 캠 가이드(306)에 고정되도록 배치될 수 있으며, 이에 따라, 센서부(60)는 캠 가이드(306)와 함께 제2 축(Y) 방향을 따라 이동될 수 있다.The cam guide 308 may be formed to extend in the direction of the first axis X so that the first side portion 308-1 of the cam guide 308 contacts the cam 108, It is possible to limit the movement path in the single-axis (X) direction. At this time, the second side 308-2 of the cam guide 308 can be fastened by the first and second clamping devices 206, 207 as described above, The contact between the first side portion 308-1 and the cam 108 can be maintained. The sensor unit 60 may be arranged to be fixed to the cam guide 306 so that the sensor unit 60 can be moved along the second axis Y along with the cam guide 306 .

베이스부(300)는 제3 슬라이드(310) 및 제2 슬라이드 가이드(320)를 포함할 수 있다. 제3 슬라이드(310)는 캠 가이드(308)의 하부에 고정되도록 배치되어, 캠 가이드(308)를 제2 축(Y) 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로서, 제3 슬라이드(310)는 후술하게 될 제2 슬라이드 가이드(320)와 맞물리도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 캠 가이드(308) 및 상기 캠 가이드(308)에 고정되도록 배치된 센서부(60)를 제2 축(Y) 방향으로 이동시킬 수 있다. The base portion 300 may include a third slide 310 and a second slide guide 320. The third slide 310 is disposed to be fixed to the lower portion of the cam guide 308 and can move the cam guide 308 in the second axis Y direction. The third slide 310 may be disposed to be engaged with the second slide guide 320 to be described later and thus the cam guide 308 and the sensor unit 308 arranged to be fixed to the cam guide 308, (60) in the direction of the second axis (Y).

제2 슬라이드 가이드(320)는 제2 축(Y) 방향으로 연장된 가이드부로서, 제2 슬라이드(210)와 맞물려 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축(Y) 방향 이동을 가이드할 수 있다. 또한, 제2 슬라이드 가이드(320)는, 제3 슬라이드(310)와 맞물려 캠 가이드(308) 및 센서부(60)의 제2 축(Y) 방향 이동을 가이드 할 수 있다.The second slide guide 320 is a guide portion extending in the second axis Y direction and can guide the movement of the first slide guide 203 in the second axis Y by meshing with the second slide 210 have. The second slide guide 320 can be engaged with the third slide 310 to guide the movement of the cam guide 308 and the sensor unit 60 in the second axis Y direction.

도 5a는 일 예시에 따른 캠과 캠 가이드의 평면도이다. 도 5b는 일 예시에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다. 도 6은 일 예시에 따른 웨이퍼 지지 모듈의 평면도이다. 도 7 및 도 8은 일 예시에 따른 가공홈이 표시된 웨이퍼의 평면도이다. 5A is a plan view of a cam and a cam guide according to one example. 5B is a top view of the wafer support module according to one example. 6 is a top view of the wafer support module according to one example. Figures 7 and 8 are plan views of wafers marked with machined grooves according to one example.

웨이퍼(2) 상부에 가공홈(G)을 형성하는 경우, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 입력부(410)를 통해 가공 내용 정보가 입력되고, 레이저 조사부(20)로부터 이격된 웨이퍼 지지 모듈(10) 상에 웨이퍼(2)를 배치한 후, 가공 동작의 개시 지시가 입력된 경우, 레이저 가공 장치(1)가 가공 동작을 개시한다. 이 때, 제어부(30)는 제1 및 제2 구동 장치(71, 72)에 제어 신호를 인가하여 웨이퍼 척(100) 및 가이드부(200)를 제1 축(X) 및 제2 축(Y) 방향을 따라 이동시킬 수 있다. 이 때, 웨이퍼 척(100)의 제1 축(X) 방향 이동은 캠(108) 및 캠 가이드(308)에 의해 구속될 수 있다.1 and 2, when processing grooves G are formed on the upper side of the wafer 2, processing content information is input through the input unit 410, When the instruction to start the machining operation is input after the wafer 2 is placed on the wafer 10, the laser machining apparatus 1 starts the machining operation. The control unit 30 applies control signals to the first and second driving units 71 and 72 to rotate the wafer chuck 100 and the guide unit 200 along the first axis X and the second axis Y ) Direction. At this time, the movement of the wafer chuck 100 in the first axis (X) direction can be restricted by the cam 108 and the cam guide 308.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 일 예시에 따른 캠(108)은 원형의 판상 부재 형상으로 형성될 수 있으며, 캠 가이드(308)는 일 축 방향으로 연장된 직선 부재 형상으로 형성될 수 있다. 이 때, 캠(108) 또는 캠 가이드(308)의 원형 및 직선 형상에는 형상 오차가 포함될 수 있다. 예를 들어, 캠(108)의 중심부(O)로부터 측정된 제1 반지름(R1) 이 제2 반지름(R2) 보다 짧을 수 있으며, 이에 따라 캠(108)이 캠 가이드(308)를 따라 회전하며 제1 축 방향(X)으로 이동하는 동안, 캠(108)에 고정되도록 연결된 중심축(105)이 제2 축 방향(Y)으로 이동될 수 있다. 이 때, 중심축(105)에 고정되도록 배치된 웨이퍼 척 테이블(101) 또한 제2 축 방향(Y)으로 이동됨으로써, 웨이퍼 척(100)이 제1 축 방향(X)을 따라 직선적으로 이동되지 못할 수 있다. 웨이퍼 척(100)이 제1 축 방향(X)을 따라 직선적으로 이동되지 못함으로써, 도 7a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2) 상에 형성되는 가공홈(G)의 제1 위치(A) 또한 가공 예정 라인(M)을 벗어나 제2 축 방향(Y)으로 이동될 수 있다. 5A and 5B, the cam 108 according to an exemplary embodiment may be formed in a circular plate-like member shape, and the cam guide 308 may be formed in a linear member shape extending in a uniaxial direction. At this time, a shape error may be included in the circular shape and the linear shape of the cam 108 or the cam guide 308. For example, the first radius R 1 measured from the center O of the cam 108 may be shorter than the second radius R 2 , such that the cam 108 is moved along the cam guide 308 The center axis 105 connected to be fixed to the cam 108 can be moved in the second axial direction Y while rotating and moving in the first axial direction X. [ The wafer chuck table 101 arranged to be fixed to the central axis 105 is also moved in the second axial direction Y so that the wafer chuck 100 is linearly moved along the first axial direction X I can not. The wafer chuck 100 can not be linearly moved along the first axial direction X so that the first position A of the processing groove G formed on the wafer 2 as shown in Fig. It can be moved in the second axial direction Y beyond the line to be machined M.

이와 같은 웨이퍼 척(100)의 이동 방향의 오차는 캠(108)의 형상 오차뿐만 아니라 캠 가이드(308)의 형상 오차와 가공 도중 삽입될 수 있는 오염물질 등에 의해서도 발생될 수 있다. 이 때, 센서부(60)는 웨이퍼 척(100)과 제2 축(Y) 방향에 대한 상대적 위치가 구속된 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축(Y) 방향의 이동을 감지할 수 있으며, 이를 통해 웨이퍼 척(100)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 정보를 획득할 수 있다. Such an error in the moving direction of the wafer chuck 100 can be caused not only by the shape error of the cam 108 but also by the shape error of the cam guide 308 and contaminants that can be inserted during processing. At this time, the sensor unit 60 can detect the movement of the first slide guide 203 in the second axis Y direction relative to the wafer chuck 100 in the direction of the second axis Y Thereby obtaining movement information about the wafer chuck 100 in the second axial direction Y. [

일 예로서, 도 8 및 도 9를 참조하면, 센서부(60)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 고정되도록 배치된 센서 감지부(204)와 마주보도록 배치될 수 있으며, 센서 감지부(204)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 감지함으로써 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 감지할 수 있다. 8 and 9, the sensor unit 60 may be disposed to face the sensor sensing unit 204 arranged to be fixed to the first slide guide 203, and the sensor sensing unit 204 (Y) of the first slide guide (203) by detecting movement of the first slide guide (203) in the second axial direction (Y).

일 예로서, 센서부(60)는 접촉 방식 또는 비접촉 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어 센서부(60)는 도 8에 도시된 바와 같이 발광 소자(610)와 복수 개의 수광 소자(620)를 포함하는 광학식 변위 센서 형태로 마련될 수 있으며, 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부는 발광 소자(610)로부터 조사된 광이 수광되는 수광 소자(620)의 위치에 따라 결정될 수 있다. 또한, 센서부(60)는 도 9에 도시된 바와 같이 탄성 부재(630)를 포함하는 접촉식 변위 센서 형태로 마련될 수 있으며, 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부는 탄성 부재(630)의 압축 및 인장 여부를 측정함으로써 결정될 수 있다. As an example, the sensor unit 60 may be formed in a contact manner or in a non-contact manner. For example, the sensor unit 60 may be provided in the form of an optical displacement sensor including a light emitting element 610 and a plurality of light receiving elements 620 as shown in FIG. 8, 203 may be determined depending on the position of the light receiving element 620 receiving the light emitted from the light emitting element 610. In this case, 9, the sensor unit 60 may be provided in the form of a contact displacement sensor including an elastic member 630. In this case, Y may be determined by measuring whether the elastic member 630 is compressed and tensioned.

더불어, 일 예시에 따른 센서부(60)는 웨이퍼 척(100)이 아니라, 제1 슬라이드 가이드(203)에 배치된 센서 감지부(204)를 측정대상으로 하여, 웨이퍼 척(100)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있다. 이에 따라, 제1 축 방향(X)에 대한 가공홈(G)의 형성 과정이 진행되는 동안, 센서부(60)에 의해 측정되는 측정 대상이 일정하게 유지될 수 있으며, 이로 인해 보다 정확하게 제1 슬라이드 가이드(203) 및 웨이퍼 척(100)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있다.In addition, the sensor unit 60 according to an exemplary embodiment of the present invention can be applied not only to the wafer chuck 100, but also to the second sensor 203 of the wafer chuck 100, It is possible to detect whether or not it is moving in the axial direction (Y). Thereby, during the process of forming the machining groove G in the first axial direction X, the measurement object to be measured by the sensor portion 60 can be kept constant, It is possible to detect whether the slide guide 203 and the wafer chuck 100 move with respect to the second axial direction Y. [

또한, 센서부(60)에 의한 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부 감지는, 웨이퍼(2)의 제1 축 방향(X)에 대한 가공 피치(P) 마다 이루어질 수 있으며, 일 예로서 가공 피치(P)는 1mm 이상 40mm 이하일 수 있다. 이 때, 웨이퍼(2)의 제1 축 방향(X)에 대한 가공 피치(P)는 입력부(410)를 통해 입력되거나 메모리(미도시) 등에 저장될 수 있다. The detection of the movement of the first slide guide 203 in the second axial direction Y by the sensor unit 60 is performed by detecting the machining pitch P with respect to the first axial direction X of the wafer 2, For example, the processing pitch P may be 1 mm or more and 40 mm or less. At this time, the machining pitch P of the wafer 2 in the first axial direction X can be inputted through the input unit 410 or stored in a memory (not shown) or the like.

일 예로서, 도 7a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2)의 제1 축(X) 방향 가공 피치(P)가 10μm인 경우, 웨이퍼(2) 상에 제1 가공홈(G1)이 측정될 수 있다. 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부가 12번 감지될 수 있다. 반면, 도 7b에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2)의 제1 축(X) 방향 가공 피치(P)가 5μm인 경우, 웨이퍼(2) 상에 제2 가공홈(G2)이 측정될 수 있다. 이 때, 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부가 24번 측정될 수 있다. 따라서, 제1 축(X) 방향 가공 피치(P)가 작을수록 상대적으로 보다 많이 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부가 측정될 수 있으며, 이에 따라 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동에 따른 웨이퍼(2)의 가공홈(G)과 가공 예정 라인(M)의 오차를 보다 정확하게 확인할 수 있다.As an example, the case of which the first axis (X) direction processing pitch (P) of the wafer (2) 10μm, as shown in Figure 7a, the wafer 2 onto the first machining grooves (G 1) is measured . At this time, whether or not the first slide guide 203 is moved in the second axial direction Y can be detected 12 times. On the other hand, may be a second measurement process groove (G 2) in the case of which the first axis (X) direction processing pitch (P) of the wafer (2) 5μm as shown in Figure 7b, the wafer 2 . At this time, the movement of the first slide guide 203 with respect to the second axial direction Y can be measured 24 times. Therefore, the smaller the processing pitch P in the first axis X direction, the more the relative movement of the first slide guide 203 with respect to the second axial direction Y can be measured, The error between the machining groove G of the wafer 2 and the line to be machined M due to the movement of the slide guide 203 in the second axial direction Y can be confirmed more accurately.

센서부(60)에 의해 감지된 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부는 제어부(30)에 전달될 수 있다. 제어부(30)는 전달받은 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 정보를 이용하여 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 보정하기 위한 제어 신호를 생성할 수 있다. Whether the first slide guide 203 sensed by the sensor unit 60 moves in the second axial direction Y can be transmitted to the control unit 30. [ The control unit 30 corrects the movement of the first slide guide 203 with respect to the second axial direction Y by using the movement information of the received first slide guide 203 in the second axial direction Y Can be generated.

일 예로서, 제어부(30)는 도 7a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2)의 제1 가공홈(G1)이 제1 위치(A)에 배치되는 경우, 제1 가공홈(G1)이 가공 예정 라인(M)에 맞추어지도록 제1 구동 장치(71)에 제어 신호를 인가할 수 있다. 제1 구동 장치(71)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 대하여 제2 축 방향(Y)으로 구동력을 인가함으로써, 도 6에 도시된 바와 같이 제2 축 방향(Y)에 대한 제1 슬라이드 가이드(203)의 위치를 보정할 수 있다. 제1 슬라이드 가이드(203)의 위치가 보정됨으로써, 웨이퍼(2) 상의 제1 가공홈(G1)은 가공 예정 라인(M)과 일치하도록 형성될 수 있다.As an example, when the first machining groove G 1 of the wafer 2 is disposed at the first position A as shown in Fig. 7A, the control section 30 determines that the first machining groove G 1 The control signal can be applied to the first driving device 71 so as to be aligned with the line M to be processed. 6, the first driving device 71 applies a driving force to the first slide guide 203 in the second axial direction Y, thereby moving the first slide guide 203 relative to the second axial direction Y, It is possible to correct the position of the lens 203. The position of the first slide guide 203 is corrected so that the first processing groove G 1 on the wafer 2 can be formed to coincide with the line to be machined M.

도 10은 일 예시에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 설명하는 흐름도이다. 10 is a flow chart schematically illustrating a laser processing method according to an example.

일 예로서, 웨이퍼(2) 상에 가공홈(G)을 형성하기 위해, 레이저 조사부(20)는 웨이퍼 척 테이블(101) 상에 배치된 웨이퍼(2) 상부에 레이저를 조사한다(S210).As an example, in order to form a processing groove G on the wafer 2, the laser irradiation unit 20 irradiates a laser onto the wafer 2 placed on the wafer chuck table 101 (S210).

이 때, 웨이퍼(2)는 제1 축 방향(X)을 따라 이동할 수 있다(S230). 웨이퍼(2)의 제1 축 방향(X)에 대한 이동 방향은, 웨이퍼(2)가 지지되는 웨이퍼 척 테이블(101)에 고정되도록 배치된 캠(108)과, 상기 캠(108)과 접촉하도록 배치되는 캠 가이드(308)에 의해 제한될 수 있다. 캠(108)과 캠 가이드(308)에 의해 웨이퍼(2)가 제1 축 방향(X)을 따라 이동하는 것과 관련된 사항은 도 5a 및 도 5b와 관련하여 서술된 내용과 실질적으로 동일하므로 여기서는 서술을 생략한다.At this time, the wafer 2 can move along the first axial direction X (S230). The moving direction of the wafer 2 with respect to the first axial direction X is set so that the moving direction of the wafer 2 is set so as to be in contact with the cam 108, May be limited by the cam guide 308 disposed. The matters related to the movement of the wafer 2 along the first axial direction X by the cam 108 and the cam guide 308 are substantially the same as those described with reference to Figures 5A and 5B, .

다음. 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지한다. (S250)next. And detects whether the first slide guide 203 is moved with respect to the second axial direction (Y). (S250)

캠(108) 또는 캠 가이드(308)의 형상 오차 또는 기타 오염 물질의 삽입으로 인해 제1 슬라이드 가이드(203)가 제2 축 방향(Y)으로 이동될 수 있다. 이 때, 센서부(60)를 이용하여 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지함으로써, 웨이퍼 척(100)이 제2 축 방향(Y)으로 이동하는지 여부를 판단할 수 있다. 이 때, 센서부(60)는 제1 슬라이드 가이드(203)와 접촉 방식 또는 비접촉 방식으로 배치되어 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있다. 또한, 센서부(60)는 웨이퍼 척(100)이 이동하는 단위거리마다 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 여부를 감지할 수 있으며, 이 때, 예를 들어 웨이퍼 척(100)이 이동하는 단위거리는 입력부(410)를 통해 입력될 수 있다. The first slide guide 203 can be moved in the second axial direction Y due to a shape error of the cam 108 or the cam guide 308 or insertion of other contaminants. At this time, whether or not the wafer chuck 100 moves in the second axial direction Y can be detected by detecting whether the first slide guide 203 is moved in the second axial direction Y by using the sensor unit 60 Can be determined. In this case, the sensor unit 60 may be disposed in a contact manner or a non-contact manner with respect to the first slide guide 203 to sense whether the first slide guide 203 is moved with respect to the second axial direction Y. The sensor unit 60 can sense whether the first slide guide 203 moves with respect to the second axial direction Y for each unit distance of movement of the wafer chuck 100. At this time, The unit distance through which the wafer chuck 100 moves can be input through the input unit 410. [

다음, 센서부(60)에 의해 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동이 감지된 경우, 제어부(30)는 제2 축 방향(Y)에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 생성한다. (S270)Next, when the movement of the first slide guide 203 with respect to the second axial direction Y is sensed by the sensor unit 60, the controller 30 compensates the movement about the second axial direction Y Lt; / RTI > (S270)

다음, 제어부(30)에 의해 생성된 제어 신호에 따라 제1 구동 장치(71)는 제1 슬라이드 가이드(203)에 제2 축 방향(Y)에 대한 구동력을 인가(S290)함으로써, 제1 슬라이드 가이드(203)의 이동 경로를 조정할 수 있다.Next, the first driving device 71 applies a driving force to the first slide guide 203 in the second axial direction Y (S290) in accordance with the control signal generated by the controller 30 (S290) The movement path of the guide 203 can be adjusted.

도 11은 또 다른 예시에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 설명하는 흐름도이다. 11 is a flow chart schematically illustrating a laser processing method according to another example.

도 10과 관련하여 상술한 바와 같이 제1 구동 장치(71)에 의해 구동력이 인가됨으로써 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동 경로가 조정될 수 있다. 이에 따라 웨이퍼 척(100)은 이동 경로가 조정된 제1 슬라이드 가이드(203)를 따라 제1 축 방향(X)을 따라 이동할 수 있으며, 웨이퍼 척(100)상에 배치된 웨이퍼(2)는 조정된 가공 라인을 따라 제1 축 방향(X)으로 이동됨으로써 레이저 가공이 이루어질 수 있다(S310).The moving path of the first slide guide 203 with respect to the second axial direction Y can be adjusted by applying the driving force by the first driving device 71 as described above with reference to FIG. The wafer chuck 100 can move along the first axial direction X along the first slide guide 203 whose movement path has been adjusted and the wafer 2 placed on the wafer chuck 100 can be moved The laser processing can be performed by moving in the first axial direction X along the machining line (S310).

다만, 가공이 진행되는 동안 오염 물질 등이 캠(108)과 캠 가이드(308) 사이에 다시 삽입될 수 있으며, 이에 따라 센서부(60)를 통해 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동이 감지될 수 있다(S320).However, contaminants or the like may be inserted again between the cams 108 and the cam guides 308 during the machining process, and thus the second slide guides 203 may be moved in the second axial direction (Y) may be sensed (S320).

센서부(60)에 의해 제1 슬라이드 가이드(203)의 제2 축 방향(Y)에 대한 이동이 감지되는 경우, 사용자에게는 도 1에 도시된 표시부(420)를 통해 경고 신호가 표시될 수 있으며(S330) 사용자는 제1 슬라이드 가이드(203)의 이동 경로를 재조정할 수 있다.When a movement of the first slide guide 203 with respect to the second axial direction Y is sensed by the sensor unit 60, a warning signal may be displayed to the user through the display unit 420 shown in FIG. 1 (S330), the user can readjust the movement path of the first slide guide 203. [

이상에서는 본 발명의 일 예시에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 예시에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention.

Claims (15)

레이저를 조사하여 웨이퍼 상에 가공홈을 형성하는 레이저 조사부;
상기 웨이퍼가 안착되며, 제1 축 방향을 따라 이동하는 웨이퍼 척;
상기 웨이퍼 척에 고정되도록 배치된 캠;
상기 제1 축 방향을 따라 연장되도록 형성되며, 상기 캠과 접촉하여 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 캠 가이드;
상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드;
상기 제1 슬라이드 가이드에 고정되도록 배치되는 센서 감지부; 및
상기 캠 가이드에 지지되어 상기 웨이퍼 척과 함께 상기 제1 축 방향을 따라 이동하며, 상기 센서 감지부의 특정 영역에 대한 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향의 위치 변화를 감지하여 상기 제2 축 방향에 대한 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지하는 센서부;를 포함하는
레이저 가공 장치.A laser irradiating portion irradiating a laser to form a processing groove on the wafer;
A wafer chuck having the wafer mounted thereon and moving along a first axis direction;
A cam disposed to be fixed to the wafer chuck;
A cam guide formed to extend along the first axis direction and to guide the movement path of the wafer chuck in contact with the cam;
A first slide guide extending along the first axis direction and guiding a movement path of the wafer chuck;
A sensor sensing unit arranged to be fixed to the first slide guide; And
And a second sensor for sensing a change in position in a second axial direction orthogonal to the first axial direction with respect to a specific region of the sensor sensing unit, And a sensor unit for sensing a movement of the first slide guide with respect to a direction
Laser processing apparatus. 제1 항에 있어서,
상기 센서부에 의해 감지된 상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 결정하는 제어부; 및
상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드를 이동시키기 위한 구동력을 생성하는 구동부; 를 더 포함하는,
레이저 가공 장치.The method according to claim 1,
A control unit for determining a control signal for compensating movement of the first slide guide in the second axial direction sensed by the sensor unit; And
A driving unit for generating a driving force for moving the first slide guide according to the control signal; ≪ / RTI >
Laser processing apparatus. 제1 항에 있어서,
상기 센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되는,
레이저 가공 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensor unit is disposed to face the first slide guide with a predetermined gap therebetween,
Laser processing apparatus. 제3 항에 있어서,
상기 센서부는 발광 소자 및 수광 소자를 포함하는 광 센서인,
레이저 가공 장치.The method of claim 3,
Wherein the sensor unit is an optical sensor including a light emitting element and a light receiving element,
Laser processing apparatus. 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 센서부는, 상기 웨이퍼 척이 상기 제1 축 방향을 따라 이동하는 가공 피치마다 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 측정하는,
레이저 가공 장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensor unit measures the movement of the first slide guide for each processing pitch at which the wafer chuck moves along the first axis direction,
Laser processing apparatus. 제7 항에 있어서,
상기 가공 피치는 1mm 이상 40mm 이하인,
레이저 가공 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the processing pitch is 1 mm or more and 40 mm or less,
Laser processing apparatus. 제1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 척의 이동에 따라 형성되는 상기 웨이퍼 상의 가공홈을 표시하기 위한 표시부;를 더 포함하는,
레이저 가공 장치.The method according to claim 1,
And a display unit for displaying a machining groove on the wafer formed in accordance with the movement of the wafer chuck.
Laser processing apparatus. 웨이퍼 상에 레이저를 조사하는 단계;
상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척을 제1 축 방향을 따라 이동시키는 단계; 및
상기 제1 축 방향을 따라 연장되며, 상기 웨이퍼 척의 이동 경로를 가이드하는 제1 슬라이드 가이드의 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 를 포함하며,
상기 제1 슬라이드 가이드에 고정되도록 배치되는 센서 감지부를 구비하고, 상기 제1 슬라이드 가이드의 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계는 상기 센서 감지부의 특정 영역에 대한 상기 제2 축 방향의 위치 변화를 감지하여 이루어지는,
레이저 가공 방법.Irradiating a laser onto the wafer;
Moving a wafer chuck on which the wafer is placed along a first axial direction; And
Sensing movement in a second axial direction of the first slide guide extending along the first axial direction and guiding the movement path of the wafer chuck and orthogonal to the first axial direction; / RTI >
Wherein the step of sensing movement of the first slide guide with respect to the second axial direction includes sensing a positional change in the second axial direction with respect to a specific region of the sensor sensing unit, Lt; / RTI >
Laser processing method. 제10 항에 있어서,
상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 보상하기 위한 제어 신호를 생성하는 단계; 및
상기 제어 신호에 따라 상기 제1 슬라이드 가이드에 구동력을 인가하는 단계;를 더 포함하는,
레이저 가공 방법.11. The method of claim 10,
Generating a control signal for compensating movement of the first slide guide in the second axial direction; And
And applying a driving force to the first slide guide in accordance with the control signal.
Laser processing method. 제10 항에 있어서,
상기 웨이퍼 척이 이동하는 가공 피치를 입력하는 단계;를 더 포함하며,
상기 제1 슬라이드 가이드의 이동은 상기 웨이퍼 척이 이동하는 상기 가공 피치마다 측정되는,
레이저 가공 방법.11. The method of claim 10,
Further comprising: inputting a machining pitch at which the wafer chuck moves;
Wherein movement of the first slide guide is measured for each processing pitch at which the wafer chuck moves,
Laser processing method. 제10 항에 있어서,
센서부는 상기 제1 슬라이드 가이드와 소정의 간격을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어 상기 제1 슬라이드 가이드의 이동을 감지하는,
레이저 가공 방법.11. The method of claim 10,
The sensor unit is disposed to face the first slide guide with a predetermined gap therebetween, and senses the movement of the first slide guide.
Laser processing method. 삭제delete 제11 항에 있어서,
상기 구동력이 인가된 상기 제1 슬라이드 가이드를 따라 상기 웨이퍼 척을 이동시키는 단계;
상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동을 감지하는 단계; 및
상기 제1 슬라이드 가이드의 상기 제2 축 방향에 대한 이동이 감지되는 경우, 경고 신호를 생성하는 단계;를 더 포함하는,
레이저 가공 방법.12. The method of claim 11,
Moving the wafer chuck along the first slide guide to which the driving force is applied;
Sensing movement of the first slide guide with respect to the second axial direction; And
And generating a warning signal when movement of the first slide guide in the second axial direction is sensed.
Laser processing method.
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