KR101610846B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 하부 기판과 상기 하부 기판 위에 위치하는 화소 트랜지스터를 포함하는 하부 표시판, 및 상기 하부 표시판과 대향하며, 상부 기판과 상기 상부 기판 위에 위치하는 적외선 감지 트랜지스터 및 상기 적외선 감지 트랜지스터와 연결되어 검출 신호를 전달하는 리드아웃 트랜지스터를 포함하는 상부 표시판을 포함하고, 상기 리드아웃 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하는 제1 하부 게이트 전극, 상기 제1 하부 게이트 전극 위에 위치하며 상기 제1 게이트 전극과 중첩하는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 위치하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하고, 상기 적외선 감지 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하는 광차단막, 상기 광차단막 위에 상기 광차단막과 접촉하여 위치하는 제2 하부 게이트 전극, 상기 제2 하부 게이트 전극 위에 상기 광차단막과 중첩하여 위치하는 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 위치하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극, 상기 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극 위에 상기 제2 반도체층과 중첩하여 위치하는 제2 상부 게이트 전극을 포함할 수 있다.
적외선, 터치센싱, 이미지센싱, 비정질 실리콘게르마늄, 광차단막, 식각방지막
Description
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
현재 다양한 종류의 평판 표시 장치(Flat Panel Display)가 개발되어 사용되고 있다. 그 중에서도 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device)는 가장 다양한 용도로 널리 사용되고 있다.
근래에 터치 센싱 기능이나 이미지 센싱 기능을 추가로 갖는 액정 표시 장치가 활발히 연구되고 있다. 그러나 종래의 액정 표시 장치에서는 주로 물리적인 변화를 통해 터치 센싱이나 이미지 센싱 기능을 구현하여 높은 신뢰성을 얻을 수 없는 문제점이 있었다.
이상, '배경 기술'에서 설명된 사항들은 본 발명의 배경에 대한 이해를 돕기 위한 것으로 이 부분에서 설명된 기술이 반드시 종래 기술인 것은 아니며 본 발명의 보호범위에 속하는 기술과 같이 종래에 알려지지 않은 기술일 수 있다.
본 발명은 높은 신뢰성으로 감지 기능을 구현할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 하부 기판과 상기 하부 기판 위에 위치하는 화소 트랜지스터를 포함하는 하부 표시판, 및 상기 하부 표시판과 대향하며, 상부 기판과 상기 상부 기판 위에 위치하는 적외선 감지 트랜지스터 및 상기 적외선 감지 트랜지스터와 연결되어 검출 신호를 전달하는 리드아웃 트랜지스터를 포함하는 상부 표시판을 포함하고, 상기 리드아웃 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하는 제1 하부 게이트 전극, 상기 제1 하부 게이트 전극 위에 위치하며 상기 제1 게이트 전극과 중첩하는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 위치하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하고, 상기 적외선 감지 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하는 광차단막, 상기 광차단막 위에 상기 광차단막과 접촉하여 위치하는 제2 하부 게이트 전극, 상기 제2 하부 게이트 전극 위에 상기 광차단막과 중첩하여 위치하는 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 위치하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극, 상기 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극 위에 상기 제2 반도체층과 중첩하여 위치하는 제2 상부 게이트 전극을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극 위에 상기 제1 반도체층과 중첩하여 위치하는 제1 상부 게이트 전극을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제1 반도체층과 상기 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극 사이에는 제1 식각 방지막이 더 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제1 식각 방지막은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 광차단막은 상기 제2 하부 게이트 전극을 통해 상기 제2 상부 게이트 전극과 연결되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제2 반도체층의 두께는 3000Å 내지 10000Å인 것이 바람직하다.
상기 광차단막과 상기 제2 반도체층 사이에는 차단 절연막이 더 형성되어 있고, 상기 차단 절연막의 두께는 3000Å 내지 10000Å인 것이 바람직하다.
상기 제2 반도체층과 제2 상부 게이트 전극 사이에는 게이트 절연막이 더 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막의 두께는 3000Å 내지 10000Å인 것이 바람직하다.
상기 상부 기판 위에 형성되며 상기 리드아웃 트랜지스터와 연결되는 가시광선 감지 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 가시광선 감지 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하며 비정질 실리콘을 포함하는 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 위에 위치하는 제3 소스 전극 및 제3 드레인 전극, 상기 제3 소스 전극 및 제3 드레인 전극 위에 상기 제3 반도체층과 중첩하여 위치하는 제3 상부 게이트 전극을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제2 반도체층과 상기 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극 사이에는 제2 식각 방지막이 더 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 제1 반도체 물질 및 식각 방지 물질을 차례로 형성하는 단계, 상기 제1 반도체 물질 및 상기 식각 방지 물질을 식각하여 리드아웃 트랜지스터의 제1 반도체층 및 식각 방지막을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 식각 방지막 위에 제2 반도체 물질을 차례로 형성하는 단계, 상기 제2 반도체 물질을 식각하여 적외선 감지 트랜지스터의 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 기판 및 제1 반도체층 위에 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을, 상기 기판 및 제2 반도체층 위에 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과 상기 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제1 반도체 물질을 형성하는 단계 이전에 상기 기판 위에 상기 제2 반도체층에 대응하는 위치에 광차단막을 형성하는 단계, 상기 기판 위에 리드아웃 트랜지스터의 제1 하부 게이트 전극을 형성하는 단계, 및 상기 기판, 제1 하부 게이트 전극 및 광차단막 위에 차단 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 게이트 절연막 위의 상기 제1 반도체층과 중첩하는 위치에 제1 상부 게이트 전극을, 상기 게이트 절연막 위의 상기 제2 반도체층과 중첩하는 위치에 제2 상부 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 식각 방지막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 식각 방지막은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 리드아웃 트랜지스터의 제1 반도체층을 형성하는 단계와 동시에 가시광선 감지 트랜지스터의 제3 반도체층을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 제2 반도체 물질 및 식각 방지 물질을 차례로 형성하는 단계, 상기 제2 반도체 물질 및 상기 식각 방지 물질을 식각하여 적외선 감지 트랜지스터의 제2 반도체층 및 식각 방지막을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 식각 방지막 위에 제1 반도체 물질을 차례로 형성하는 단계, 상기 제1 반도체 물질을 식각하여 가시 광선 감지 트랜지스터의 제3 반도체층을 형성하는 단계, 상기 기판 및 제3 반도체층 위에 제3 소스 전극 및 제3 드레인 전극을, 상기 기판 및 제2 반도체층 위에 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 제3 소스 전극 및 제3 드레인 전극과 상기 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 식각 방지막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 식각 방지막은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하는 것이 바람직하다.
가시광선 감지 트랜지스터의 제3 반도체층을 형성하는 단계와 동시에 리드아웃 트랜지스터의 제1 반도체층을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따르면, 비정질 실리콘게르마늄 또는 비정질 게르마늄으로 이루어진 반도체층을 가지는 적외선 감지 트랜지스터와 비정질 실리콘으로 이루 어진 반도체층을 가지는 가시광선 감지 트랜지스터 및 리드아웃 트랜지스터를 형성함으로써 적외선 감지 트랜지스터의 적외선 감도를 향상시키고, 가시광선 감지 트랜지스터의 가시 광선 감도를 향상시키면서 리드아웃 트랜지스터의 처리 속도 등을 동시에 향상시킬 수 있어 적외선 감지, 가시광선 감지 및 제어 등의 목적에 맞게 트랜지스터를 이용할 수 있다.
또한, 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층은 비정질 실리콘게르마늄 또는 비정질 게르마늄으로 형성하고, 가시광선 감지 트랜지스터 및 리드아웃 트랜지스터는 비정질 실리콘으로 형성하며, 식각 방지막을 반도체층 위에 형성하여 제조 공정 중 각 트랜지스터의 반도체층이 손상되는 것을 방지하여 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층의 두께를 증가시켜 적외선 감도를 증가시키고, 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층과 광차단막 사이에 형성되는 차단 절연막의 두께를 증가시켜 Id 및 Iir의 변화를 최소화하여 적외선 감도의 변화를 최소화시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 표시 장치에 대해 설명한다. 여기서 i) 첨부된 도면들에 도시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수, 동작 등은 개략적인 것으로 다소 변경될 수 있다. ii) 도면은 관찰자의 시선으로 도시되기 때문에 도면을 설명하는 방향이나 위치는 관찰자의 위치에 따라 다양하게 변경될 수 있다. iii) 도면 번호가 다르더라도 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호가 사용될 수 있 다. iv) '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. v) 단수로 설명되는 경우 다수로도 해석될 수 있다. vi) 수치, 형상, 크기의 비교, 위치 관계 등이 '약', '실질적' 등으로 설명되지 않아도 통상의 오차 범위가 포함되도록 해석된다. vii) '~후', '~전', '이어서', '그리고', '여기서', '후속하여' 등의 용어가 사용되더라도 시간적 위치를 한정하는 의미로 사용되지는 않는다. viii) '제1', '제2' 등의 용어는 단순히 구분의 편의를 위해 선택적, 교환적 또는 반복적으로 사용되며 한정적 의미로 해석되지 않는다. ix) '~위에', '~위쪽에', '~아래에', '~아래쪽에', '~옆에', '~측부에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우 '바로'가 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 개재될 수도 있다. x) 부분들이 '~또는' 으로 연결되는 경우 부분들 단독뿐만 아니라 조합도 포함되게 해석되나 '~또는 ~중 하나'로 연결되는 경우 부분들 단독으로만 해석된다.
그러면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도 1 및 도 2를 참고하여 설명한다. 도 1 및 도 2에서는 액정 표시 장치를 다루고 있으나 본 실시예에 따른 표시 장치는 다른 종류의 표시 장치에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 상부 표시판의 배치도이고, 도 2는 도 1의 II-II' 및 II''-II'''을 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 상부 표시판(200)은 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 상부 기판(210) 및 감지 트랜지스터(TrI, TrV)를 포함한다. 감지 트랜지스터(TrI, TrV)는 하나 이상의 적외선 감지 트랜지스터(TrI) 및 하나 이상의 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)를 포함할 수 있다. 적외선 감지 트랜지스터(TrI) 및 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)는 상부 표시판(200)의 모든 부분에서 적외선과 가시광선을 감지할 수 있도록 상부 표시판(200)의 전체에 균일하게 분포할 수 있다. 일 예로, 적외선 감지 트랜지스터(TrI) 및 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)는 서로 교대로 배열될 수 있고, 무질서하게 배열될 수 있으며, 소정의 비율로 배열될 수도 있다.
그리고 상부 표시판(200)은 적외선 감지 트랜지스터(TrI) 및 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)와 각각 연결되어 검출 신호를 전달하는 리드아웃 트랜지스터(TrC)를 더 포함할 수 있다. 여기서 리드아웃 트랜지스터(TrC)는 감지 트랜지스터(TrI, TrV)와 동일층에 인접하여 위치할 수 있다.
적외선 감지 트랜지스터(TrI), 가시광선 감지 트랜지스터(TrV) 및 리드아웃 트랜지스터(TrC)는 상부 기판(210)의 위에 위치할 수 있다.
보다 구체적으로, 적외선 감지 트랜지스터(TrI)는 반도체층(254I), 저항성 접촉층(263I, 265I), 소스 전극(273I), 드레인 전극(275I), 게이트 절연막(240), 하부 게이트 전극(211I) 및 상부 게이트 전극(224I)을 포함할 수 있다.
상부 기판(210) 위에 광차단막(210I)이 위치하고, 광차단막(210I)은 반도체층(254I)과 중첩되게 위치한다. 광차단막(210I)은 반도체층(254I)이 가시광선에 노출되는 것을 방지한다. 따라서, 광차단막(210I)은 액정 표시 장치의 외부로부터 제공되는 가시광선을 차단할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광차단막(210I)은 흑색 안료를 포함하는 유기 물질, 비정질 실리콘, 비정질 실리콘게르마 늄, 또는 비정질 게르마늄을 포함할 수 있다.
광차단막(210I)은 외부로부터 액정 표시 장치로 입사되는 가시광선을 차단하여 신호와 잡음의 크기비(SNR, Signal to Noise Ratio)를 향상시키며 비정질 실리콘게르마늄 또는 비정질 게르마늄을 포함하는 반도체층(254I)의 감도를 적외선 영역에 최적화 함으로서 가시광선에 의한 영향을 효율적으로 차단한다.
광차단막(210I)의 일부 위에는 하부 게이트 전극(211I)이 위치하고 있다. 상부 기판(210) 위에는 실리콘 질화물과 같은 절연 물질을 포함하는 차단 절연막(230)이 형성되어 하부 게이트 전극(211I)을 덮고 있다. 차단 절연막(230)의 두께는 3000Å 내지 10000Å 인 것이 바람직하다. 차단 절연막(230)의 두께가 3000Å 이하인 경우에는 Vgs 변화에 따른 적외선 감도의 변화가 커 사용시간 누적 등으로 인한 적외선 감지 트랜지스터의 특성 곡선의 변화가 크고, 차단 절연막(230)의 두께가 10000Å 이상인 경우에는 트랜지스터가 소형화될 수 없다. 이에 대해 이하에서 실험 결과를 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 광차단막과 상부 게이트 전극을 동기화시킨 구조에서 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 적외선 감도를 측정한 결과를 도시한 그래프로서, 차단 절연막(230)의 두께를 4500Å으로 형성한 경우의 그래프이다. 도 3에서 반도체층의 두께는 5000Å이고, 저항성 접촉층(263I, 265I)의 두께는 500Å이며, 20개의 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층에 대해서 측정한 값이며, 하나의 반도체층의 폭은 460㎛이고, 길이는 5.5㎛이다.
도 3에 도시한 바와 같이, Vgs가 -20V 내지 0V 인 범위 내에서 적외선에 노 출되지 않은 경우 발생한 전류(Id)의 변화가 매우 작다. 이는 Vgs가 약 -20V 인 경우의 Id가 낮기 때문이다. 차단 절연막의 두께가 큰 경우 Vgs가 약 -20V 인 경우의 전하 주입량이 줄어들어 반도체층의 채널의 전도도가 떨어져 결과적으로 Vgs가 -20V 인 경우의 Id는 낮아지게 된다. 따라서, 광차단막에 인가되는 전압인 Vgs의 변화에 따른 적외선 감도의 변화를 최소화시켜 적외선 감지 트랜지스터의 적외선 감지 마진(margin)을 증가시킬 수 있다. 따라서, 사용시간 누적 등으로 인한 적외선 감지 트랜지스터의 특성 곡선의 변화가 적외선 감지에 미치는 영향을 줄일 수 있다.
반도체층(254I)은 차단 절연막(230) 위에 위치하고 비정질 실리콘게르마늄 또는 비정질 게르마늄을 포함할 수 있다. 반도체층(254I)이 비정질 실리콘게르마늄 또는 비정질 게르마늄을 포함하는 경우 적외선 감도가 우수한 적외선 감지 트랜지스터(TrI)를 만들 수 있다. 이러한 반도체층(254I)의 두께는 3000Å 내지 10000Å 인 것이 바람직하며, 3000Å 이하인 경우에는 적외선 감도가 낮아지고, 10000Å 이상인 경우에는 트랜지스터가 소형화될 수 없다. 이에 대해 이하에서 실험 결과를 참조하여 상세히 설명한다.
도 4 내지 도 6은 광차단막과 상부 게이트 전극을 동기화시킨 구조에서 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 적외선 감도를 측정한 결과를 도시한 그래프로서, 도 4는 반도체층의 두께를 1000Å으로 형성한 경우의 그래프이고, 도 5는 반도체층의 두께를 3000Å으로 형성한 경우의 그래프이고, 도 6은 반도체층의 두께를 5000Å으로 형성한 경우의 그래프이다. 도 4 내지 도 6에서 차단 절연막의 두께는 2000Å 이고, 저항성 접촉층(263I, 265I)의 두께는 500Å이며, 하나의 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층에 대해서 측정한 값이며, 반도체층의 폭은 50㎛이고, 길이는 8㎛이다.
도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 반도체층의 두께를 3000Å 또는 5000Å으로 형성한 경우의 적외선 감도는 반도체층의 두께를 1000Å으로 형성한 경우의 적외선 감도에 비해 10배 이상 증가함을 알 수 있다. 즉, 반도체층의 두께를 3000Å 또는 5000Å으로 형성한 경우 적외선에 반응하여 발생한 전류(Iir)는 Vgs가 -20V 내지 0V 인 범위 내에서 비교적 일정하게 유지되며, 이는 반도체층의 두께가 3000Å 이상으로 증가하는 경우 적외선에 반응하여 전자-홀 쌍이 생성되는 양이 증가했기 때문이다.
한편, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 저항성 접촉층(263I, 265I)은 반도체층(254I) 위에 위치할 수 있다. 소스 전극(273I)은 저항성 접촉층(263I) 위에 위치할 수 있다. 드레인 전극(275I)은 저항성 접촉층(265I) 위에 소스 전극(273I)과 떨어져 위치할 수 있다.
게이트 절연막(240)은 반도체층(254I), 소스 전극(273I) 및 드레인 전극(275I)을 덮고 있다. 게이트 절연막(240)에는 하부 게이트 전극(211I)을 상부 게이트 전극(224I)과 연결하기 위한 접촉 구멍(225I)이 형성되어 있다. 이러한 게이트 절연막(240)의 두께는 3000Å 내지 10000Å인 것이 바람직하며, 3000Å 이하인 경우에는 적외선 감도가 낮아지고, 10000Å 이상인 경우에는 트랜지스터가 소형화될 수 없다.
상부 게이트 전극(224I)은 게이트 절연막(240) 위에 반도체층(254I)과 중첩되게 위치할 수 있으며, 접촉 구멍(225I)을 통해 하부 게이트 전극(211I)과 연결되어 있다.
광차단막(210I)은 상부 게이트 전극(224I)과 연결된 하부 게이트 전극(211I)과 접촉하고 있으므로 광차단막(210I)에 의한 트랜지스터의 동작 오류를 방지할 수 있다. 즉, 비정질 실리콘 등으로 형성된 광차단막(210I)이 분리되어 있는 경우 광차단막(210I)이 외부광을 흡수하여 미세 전하를 발생시킬 수 있어 트랜지스터의 동작에 영향을 끼칠 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해 광차단막(210I)이 하부 게이트 전극(211I)을 통해 상부 게이트 전극(224I)과 연결되어 있어 광차단막(201I)에 소정 크기의 게이트 전압이 인가되므로 광차단막(210I)에 의한 트랜지스터의 동작 오류를 방지할 수 있다.
상부 게이트 전극(224I) 위에는 게이트 전극(224I)을 보호하기 위한 보호막(280)이 형성될 수 있다.
리드아웃 트랜지스터(TrC)는 드레인 전극(275C)을 통해 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 소스 전극(273I)와 연결될 수 있다.
리드아웃 트랜지스터(TrC)는 반도체층(254C), 저항성 접촉층(263C, 265C), 소스 전극(273C), 드레인 전극(275C), 게이트 절연막(240), 하부 게이트 전극(211C) 및 상부 게이트 전극(224C)을 포함할 수 있다.
상부 기판(210) 위에 하부 게이트 전극(211C)이 위치하고, 하부 게이트 전극(211C)은 반도체층(254C)과 중첩되게 위치한다. 상부 기판(210) 위에는 실리콘 질화물과 같은 절연 물질을 포함하는 차단 절연막(230)이 형성되어 하부 게이트 전극(211C)을 덮고 있다.
반도체층(254C)은 차단 절연막(230) 위에 위치하고 비정질 실리콘으로 형성할 수 있다. 이러한 반도체층(254C)의 두께는 500Å 내지 3000Å 인 것이 바람직하며, 500Å 이하인 경우에는 채널이 균일하게 형성되기 어렵고, 3000Å 이상인 경우에는 트랜지스터가 소형화될 수 없다.
저항성 접촉층(263C, 265C)은 반도체층(254C) 위에 위치할 수 있다. 소스 전극(273C)은 저항성 접촉층(263C) 위에 위치할 수 있다. 드레인 전극(275C)은 저항성 접촉층(265C) 위에 소스 전극(273C)과 떨어져 위치할 수 있다.
저항성 접촉층(263C)과 소스 전극(273C) 사이 및 저항성 접촉층(265C)과 드레인 전극(275C) 사이에는 식각 방지막(410C)이 형성될 수 있다. 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 반도체층(254I)의 형성 시 리드아웃 트랜지스터(TrC)의 반도체층(254C)이 손상되는 것을 방지하기 위해 반도체층(254C) 위의 저항성 접촉층(263C, 265C) 위에 식각 방지막(410C)이 형성될 수 있다. 이러한 식각 방지막(410C)은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하여 형성할 수 있다.
게이트 절연막(240)은 반도체층(254C), 소스 전극(273C) 및 드레인 전극(275C) 위에 위치할 수 있다. 게이트 절연막(240)에는 하부 게이트 전극(211C)을 상부 게이트 전극(224C)과 연결하기 위한 접촉 구멍(225C)이 형성되어 있다.
상부 게이트 전극(224C)은 게이트 절연막(240) 위에 반도체층(254C)과 중첩 되게 위치할 수 있으며, 접촉 구멍(225C)을 통해 하부 게이트 전극(211C)과 연결되어 있다. 이러한 상부 게이트 전극(224C)은 반도체층(254C)이 가시광선에 노출되는 것을 방지한다.
상부 게이트 전극(224C) 위에는 상부 게이트 전극(224C)을 보호하기 위한 보호막(280)이 형성될 수 있다.
한편, 상부 기판(210) 위에 가시광선을 감지하는 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)가 위치하고 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)와 동일한 층에 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)와 전기적으로 연결된 리드아웃 트랜지스터(TrC)가 위치한다.
보다 구체적으로 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)는 반도체층(254V), 저항성 접촉층(263V, 265V), 소스 전극(273V), 드레인 전극(275V), 게이트 절연막(240), 및 게이트 전극(224V)을 포함할 수 있다.
상부 기판(210) 위에는 실리콘 질화물과 같은 절연 물질을 포함하는 차단 절연막(230)이 형성되어 있으며, 차단 절연막(230) 위에 비정질 실리콘으로 형성된 반도체층(254V)이 위치하고 있다. 이러한 반도체층(254V)의 두께는 500Å 내지 3000Å 인 것이 바람직하며, 500Å 이하인 경우에는 채널이 균일하게 형성되기 어렵고, 3000Å 이상인 경우에는 트랜지스터가 소형화될 수 없다.
저항성 접촉층(263V, 265V)은 반도체층(254V) 위에 위치할 수 있다. 소스 전극(273V)은 저항성 접촉층(263V) 위에 위치할 수 있다. 드레인 전극(275V)은 저항성 접촉층(265V) 위에 소스 전극(273V)과 떨어져 위치할 수 있다.
저항성 접촉층(263V)과 소스 전극(273V) 사이 및 저항성 접촉층(265V)과 드 레인 전극(275V) 사이에는 식각 방지막(410V)이 형성될 수 있다. 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 반도체층(254I)의 형성 시 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)의 반도체층(254V)이 손상되는 것을 방지하기 위해 반도체층(254V) 위의 저항성 접촉층(263V, 265V) 위에 식각 방지막(410V)이 형성될 수 있다. 이러한 식각 방지막(410V)은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하여 형성할 수 있다.
게이트 절연막(240)은 반도체층(254V), 소스 전극(273V) 및 드레인 전극(275V)를 덮고 있다. 게이트 절연막(240)에는 드레인 전극(275V)을 유지 전극(227)과 연결하기 위한 접촉 구멍(228)이 형성되어 있다.
게이트 전극(224V)은 게이트 절연막(240) 위에 반도체층(254V)과 중첩되게 위치할 수 있다. 게이트 전극(224V) 위에는 게이트 전극(224V)을 보호하기 위한 보호막(280)이 형성될 수 있다.
리드아웃 트랜지스터(TrC)는 드레인 전극(275C)을 통해 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)의 소스 전극(273V)와 연결될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어있는 액정층(3)을 포함한다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 거의 수직을 이루도록 배향될 수 있다.
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다.
표시 장치는 하부 표시판(100) 아래에 위치하는 하부 편광판(12) 및 상부 표시판(200) 위에 위치하는 상부 편광판(22)을 더 포함할 수 있다. 하부 편광판(12) 및 상부 편광판(22)의 편광 성질을 이용하여 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)에 제공되는 광의 세기를 조절할 수 있다.
표시 장치는 하부 표시판(100)의 아래쪽에 위치하는 백라이트 유닛(910)을 더 포함할 수 있다. 백라이트 유닛(910)은 적어도 하나의 적외선 발광체(920)와 적어도 하나의 가시광선 발광체(930)를 포함할 수 있다. 적외선 발광체(920)와 가시광선 발광체(930)는 발광 소자(LED, Light Emitting Device)와 같은 점광원일 수 있다. 그리고 적외선 발광체(920)와 가시광선 발광체(930)로부터 각각 출사되는 적외선과 가시광선은 실질적으로 하부 표시판(100)에 수직하게 입사될 수 있다.
적외선 발광체(920)와 가시광선 발광체(930)는 백라이트 유닛(910)의 모든 부분에서 적외선과 가시광선이 제공될 수 있도록 백라이트 유닛(910)의 전체에 균일하게 분포할 수 있다. 일 예로, 적외선 발광체(920)와 가시광선 발광체(930)는 서로 교대로 배열될 수 있고, 무질서하게 배열될 수 있으며, 소정의 비율로 배열될 수 있다.
하부 표시판(100)은 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 하부 기판(110)과 하부 기판(110) 위에 형성되는 화소 트랜지스터(TrP)를 포함한다. 화소 트랜지스터(TrP)는 하부 기판(110) 위에 형성되는 게이트 전극(124p), 하부 기판(110) 및 게이트 전극(124p)을 덮고 있는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 게이트 전극(124p)과 중첩되게 위치하는 반도체층(154p), 반도체층(154p) 위에 위치하는 저항성 접촉층(163p, 165p), 저항성 접촉층(163p) 위에 위치하는 소스 전극(173p), 저항성 접촉층(165p) 위에 소스 전극(173p)과 떨어져 위치하는 드레인 전극(175p)을 포함할 수 있다.
하부 표시판(100)은 하부 기판(110) 위에 위치하는 게이트선 및 게이트선과 교차하는 데이터선을 더 포함할 수 있다. 여기서 게이트선은 화소 트랜지스터(TrP)의 게이트 전극(124p)와 연결될 수 있다. 그리고 데이터선은 화소 트랜지스터(TrP)의 소스 전극(173p)과 연결될 수 있다.
하부 표시판(100)은 화소 트랜지스터(TrP)를 덮고 있는 보호막(180), 보호막(180) 위에 위치하는 색필터(23) 및 색필터(23) 위에 위치하는 덮개막(25) 및 덮개막(25) 위에 위치하는 화소 전극(190)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 화소 전극(190)은 덮개막(25) 및 보호막(180)을 관통하여 화소 트랜지스터(TrP)의 드레인 전극(175p)과 연결될 수 있다.
도 8는 도 7의 표시 장치를 사용하여 물체를 감지하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 백라이트 유닛(910)에서 적외선 및 가시광선을 발생시킨다. 적외선은 하부 편광판(12), 하부 표시판(100), 액정층(3), 상부 표시판(200) 및 상부 편광판(22)을 순차적으로 통과한다.
가시광선은 하부 편광판(12), 하부 표시판(100), 액정층(3), 상부 표시판(200) 및 상부 편광판(22)을 순차적으로 통과한다. 이 때 하부 표시판(100)의 색필터(23)에 의해서 다양한 색을 가진 가시광선으로 변화될 수 있다.
액정 표시 장치 위에 위치된 제1 물체(T1)의 터치 센싱을 위해서는 백라이트 유닛(910)으로부터 제공되는 적외선이 사용될 수 있다. 제1 물체(T1)가 액정 표시 장치에 인접하는 경우 액정 표시 장치로부터 출사된 적외선은 제1 물체(T1)에서 반사된다. 그리고 반사된 적외선은 상부 표시판(200)에 위치하는 적외선 감지 트랜지스터(TrI)에 입사되어 감지된다. 따라서 제1 물체(T1)에 대한 터치 센싱이 이루어져 제1 물체(T1)의 접촉 유무, 접촉 위치, 형상 및 크기에 대한 접촉 정보가 수득될 수 있다.
액정 표시 장치로부터 출사되는 가시광선의 계조가 외부로부터 액정 표시 장치에 입사되는 가시광의 계조 보다 밝은 경우, 액정 표시 장치에 인접하는 제2 물체(T2)에 대한 이미지 센싱 시 액정 표시 장치로부터 출사되는 가시광선이 사용될 수 있다. 구체적으로, 액정 표시 장치로부터 출사되는 가시광선은 제2 물체(T2)에서 반사된다. 반사된 가시광선은 상부 표시판(200)에 위치하는 가시광선 감지 트랜지스터(TrV)에 입사되어 감지된다. 따라서 제2 물체(T2)에 대해 이미지 센싱이 이루어져 제2 물체(T2)의 형상, 크기, 색체 등에 대한 이미지 정보가 수득될 수 있 다.
터치 센싱을 통해 제2 물체(T2)의 접촉 부분을 확인 한 후, 접촉 부분을 향해 액정 표시 장치로부터 출사되는 가시광선의 계조를 선택적으로 변경하여 제2 물체(T2)에 대한 이미지 센싱을 보다 효과적으로 할 수 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치로부터 출사되는 가시광선의 계조가 외부로부터 액정 표시 장치에 입사되는 가시광의 계조 보다 어두운 경우, 적외선을 이용한 터치 센싱을 우선 수행한다. 터치 센싱으로 파악된 제2 물체(T2)의 접촉 부분을 향해 액정 표시 장치로부터 출사되는 가시광선의 계조를 선택적으로 밝게 하여 제2 물체(T2)에 대한 효과적인 이미지 센싱이 가능하다.
도 9는 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한 경우 게이트 전극이 반도체층 아래에 형성되는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이며, 도 10은 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한 경우 게이트 전극이 반도체층 아래 및 위에 동시에 형성되는 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이며, 도 11은 반도체층을 비정질 실리콘게르마늄으로 형성한 경우 게이트 전극이 반도체층 아래 및 위에 동시에 형성되는 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이며, 도 12는 반도체층을 비정질 실리콘게르마늄으로 형성한 경우 반도체층과 게이트 전극 사이에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 플라나 타입(planar type) 탑 게이트(top gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터가 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 트랜지스터보다 Ion 특성이 향상되는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 9 및 도 11에 도시한 바와 같이, 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터라도 반도체층을 비정질 실리콘게르마늄으로 형성한 경우 Ion 특성이 떨어지는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 11에 도시한 바와 같이, 더블 게이트(double gate) 구조인 경우 상부 게이트 전극 및 하부 게이트 전극이 동기 상태(synchronized state)이므로 반도체층의 하부 채널에 전자가 많이 발생하여 Ion 특성이 향상되나, 도 12에 도시한 바와 같이, 탑 게이트(top gate) 구조인 경우 반도체층의 하부 채널에 전자가 많이 발생하지 않아 Ion 특성이 떨어짐을 확인할 수 있다.
따라서, Ion 및 Ioff 특성을 향상시키기 위해 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한 경우 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터가 적합함을 알 수 있다.
상기한 바와 같이, 본원 발명의 일 실시예는 비정질 실리콘게르마늄 또는 비정질 게르마늄으로 이루어진 반도체층을 가지는 적외선 감지 트랜지스터와 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층을 가지는 가시광선 감지 트랜지스터 및 리드아웃 트랜지스터를 형성함으로써 적외선 감지 트랜지스터의 적외선 감도를 향상시키고, 가시광선 감지 트랜지스터의 가시 광선 감도를 향상시키면서 리드아웃 트랜지스터의 처리 속도 등을 동시에 향상시킬 수 있어 적외선 감지, 가시광선 감지 및 제어 등 의 목적에 맞게 트랜지스터를 이용할 수 있다.
도 13은 본원 발명의 일 실시예를 적용한 경우 리드아웃 트랜지스터의 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 13에 도시한 바와 같이, 가시광선에 노출된 경우 리드아웃 트랜지스터에 흐르는 전류(Iph)와 가시광선에 노출되지 않았을 경우 리드아웃 트랜지스터에 흐르는 전류(Id)의 특성이 동일함을 알 수 있다.
도 14는 본원 발명의 일 실시예를 적용한 경우로서, 차단 절연막의 두께를 500Å 비정질 실리콘게르마늄으로 이루어진 반도체층의 두께를 6000Å으로 설정한 경우 적외선 감지 트랜지스터의 적외선 감도를 측정한 그래프이다.
도 14에 도시한 바와 같이, 반도체층을 비정질 실리콘게르마늄으로 형성한 트랜지스터가 적외선에 노출된 경우 적외선에 반응하여 발생한 전류(Iir)와 적외선에 노출되지 않은 경우 발생한 전류(Id)간의 비율이 커 적외선 감도가 향상되었음을 알 수 있다.
도 15 내지 도 18은 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 차례대로 도시한 단면도이다. 도 2, 15 내지 18을 참고하여 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 이하에서 상세히 설명한다.
우선, 도 15에 도시한 바와 같이, 기판(210) 위에 흑색 안료를 포함하는 유기 물질 또는 비정질 실리콘을 이용하여 광차단막(210I)을 형성한다. 그리고, 광차단막(210I) 위에 하부 게이트 전극(211I)을 형성하고, 기판(210) 위에 하부 게이트 전극(211C)을 형성한다.
그리고, 실리콘 질화물과 같은 절연 물질을 이용하여 기판(210), 광차단막(210I) 및 하부 게이트 전극(211I, 211C)을 덮는 차단 절연막(230)을 형성한다. 그리고, 차단 절연막(230) 위에 반도체 물질(250C), 저항성 접촉 물질(260C) 및 식각 방지 물질(400)을 차례로 형성한다. 이 때, 반도체 물질(250C)은 비정질 실리콘으로 형성할 수 있으며, 식각 방지 물질(400)은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하여 형성할 수 있다.
다음으로, 도 16에 도시한 바와 같이, 반도체 물질(250C), 저항성 접촉 물질(260C) 및 식각 방지 물질(400)을 식각하여 가시광선 감지 트랜지스터의 반도체층(254V), 저항성 접촉층(264V) 및 식각 방지막(410V) 및 리드아웃 트랜지스터의 반도체층(254C), 저항성 접촉층(264C) 및 식각 방지막(410C)을 형성한다. 이 때, 반도체층(254C)은 하부 게이트 전극(211C)과 중첩하는 위치에 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 차단 절연막(230) 및 식각 방지막(410V, 410C) 위에 반도체 물질(250I) 및 저항성 접촉 물질(260I)을 차례로 형성한다. 이 때, 반도체 물질(250I)은 비정질 실리콘 게르마늄 또는 비정질 게르마늄으로 형성할 수 있다.
다음으로, 도 17에 도시한 바와 같이, 반도체 물질(250I) 및 저항성 접촉 물질(260I)을 식각하여 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층(254I) 및 저항성 접촉층(264I)을 형성한다. 반도체층(254I)은 광차단막(210I)과 중첩하는 위치에 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 가시광선 감지 트랜지스터의 반도체층(254V) 및 저항성 접촉층(264V) 위에는 식각 방지막(410V)이 형성되어 있고, 리드아웃 트랜지스터의 반도체층(254C) 및 저항성 접촉층(264C) 위에도 식각 방지막(410C)이 형성되어 있으므로 반도체층(254V, 254C)이 손상되지 않는다. 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층(254I) 및 저항성 접촉층(264I)를 형성하는 본 단계에 연속하여 식각 방지막(410V, 410C)을 추가로 제거할 수 있다.
다음으로, 도 18에 도시한 바와 같이, 차단 절연막(230), 식각 방지막(410V, 410C) 및 저항성 접촉층(264V, 264I, 264C) 위에 소스 전극(273V, 273I, 273C), 드레인 전극(275V, 275I, 275C)을 형성한다. 그리고, 소스 전극(273V, 273I, 273C) 및 드레인 전극(275V, 275I, 275C) 사이로 노출된 식각 방지막(410V, 410C) 및 저항성 접촉층(264V, 264I, 264C)을 식각하여 분리된 저항성 접촉층(263V, 265V, 263I, 265I, 263C, 265C)을 완성한다. 그리고, 소스 전극(273V, 273I, 273C) 및 드레인 전극(275V, 275I, 275C)을 덮는 게이트 절연막(240)을 형성한다. 그리고, 게이트 절연막(240) 및 차단 절연막(230)에 하부 게이트 전극(211C, 211I)을 노출하는 접촉 구멍(225C, 225I)과 드레인 전극(275V)을 노출하는 접촉 구멍(228)을 형성한다.
다음으로, 도 2에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(240) 위에 상부 게이트 전극(224V, 224I, 224C) 및 유지 전극(227)을 형성한다. 상부 게이트 전극(224V, 224I, 224C)은 반도체층(254V, 254I, 254C)과 중첩하는 위치에 형성되며, 접촉 구멍(225I, 225C)을 통해 하부 게이트 전극(211I, 211C)과 연결된다. 그리고, 유지 전극(227)은 접촉 구멍(228)을 통해 드레인 전극(275V)과 연결된다. 그리고, 상부 게이트 전극(224V, 224I, 224C) 및 유지 전극(227) 위에 보호막(280)을 형성한다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 표시판의 단면도이 다.
도 19는 도 2에 도시된 실시예와 비교하여 식각 방지막의 위치만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 저항성 접촉층(263I)과 소스 전극(273I) 사이 및 저항성 접촉층(265I)과 드레인 전극(275I) 사이에는 식각 방지막(410I)이 형성될 수 있다. 리드아웃 트랜지스터(TrC)의 반도체층(254C)의 형성 시 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 반도체층(254I)이 손상되는 것을 방지하기 위해 반도체층(254I) 위의 저항성 접촉층(263I, 265I) 위에 식각 방지막(410I)이 형성될 수 있다. 이러한 식각 방지막(410I)은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하여 형성할 수 있다.
도 20 내지 도 23은 도 19의 표시 장치의 제조 방법을 차례대로 도시한 단면도이다. 도 19 내지 23을 참고하여 도 19의 표시 장치의 제조 방법을 이하에서 상세히 설명한다.
도 20 내지 도 23에 도시된 도 19의 표시 장치의 제조 방법은 도 15 내지 도 18에 도시된 도 2의 표시 장치의 제조 방법과 비교하여 식각 방지막의 형성 단계만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
우선, 도 20에 도시한 바와 같이, 차단 절연막(230) 위에 반도체 물질(250I), 저항성 접촉 물질(260I) 및 식각 방지 물질(400)을 차례로 형성한다. 이 때, 반도체 물질(250I)은 비정질 실리콘게르마늄 또는 비정질 게르마늄으로 형성할 수 있다.
다음으로, 도 21에 도시한 바와 같이, 반도체 물질(250I), 저항성 접촉 물질(260I) 및 식각 방지 물질(400)을 식각하여 적외선 감지 트랜지스터의 반도체층(254I), 저항성 접촉층(264I) 및 식각 방지막(410I)을 형성한다. 그리고, 차단 절연막(230) 및 식각 방지막(410I) 위에 반도체 물질(250C) 및 저항성 접촉 물질(260C)을 차례로 형성한다. 이 때, 반도체 물질(250C)은 비정질 실리콘으로 형성할 수 있다.
다음으로, 도 22에 도시한 바와 같이, 반도체 물질(250C) 및 저항성 접촉 물질(260C)을 식각하여 가시광선 감지 트랜지스터의 반도체층(254C) 및 저항성 접촉층(264C)과 리드아웃 트랜지스터의 반도체층(254V) 및 저항성 접촉층(264V)을 형성한다. 이 때, 적외선 감지 트랜지스터의 저항성 접촉층(264I) 위에는 식각 방지막(410I)이 형성되어 있으므로 반도체층(254I)이 손상되지 않는다. 리드아웃 트랜지스터와 가시광선 감지 트랜지스터의 반도체층(254C, 254V) 및 저항성 접촉층(264C, 264V)를 형성하는 본 단계에 연속하여, 식각 방지막(410I)을 추가로 제거할 수 있다.
다음으로, 도 23에 도시한 바와 같이, 차단 절연막(230), 식각 방지막(410I) 및 저항성 접촉층(264C, 264V) 위에 소스 전극(273V, 273I, 273C), 드레인 전극(275V, 275I, 275C)을 형성한다. 그리고, 소스 전극(273V, 273I, 273C) 및 드레인 전극(275V, 275I, 275C) 사이로 노출된 식각 방지막(410I) 및 저항성 접촉층(264V, 264I, 264C)을 식각하여 분리된 저항성 접촉층(263V, 265V, 263I, 265I, 263C, 265C)을 완성한다. 그리고, 소스 전극(273V, 273I, 273C) 및 드레인 전 극(275V, 275I, 275C)을 덮는 게이트 절연막(240)을 형성한다. 그리고, 게이트 절연막(240) 및 차단 절연막(230)에 하부 게이트 전극(211C, 211I)을 노출하는 접촉 구멍(225C, 225I)과 드레인 전극(275V)을 노출하는 접촉 구멍(228)을 형성한다.
이상, 본 발명의 실시예들을 설명하였지만 실시예들은 단지 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 보호범위를 설명하기 위한 '예'들이며 본 발명의 보호범위를 한정하지 않는다. 또한, 본 발명의 보호범위는 특허청구범위와 기술적으로 균등한 범위까지 확대될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 배치도이다.
도 2는 도 1의 II-II' 및 II''-II'''을 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 광차단막과 상부 게이트 전극을 동기화시킨 구조에서 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 적외선 감도를 측정한 결과를 도시한 그래프로서, 차단 절연막의 두께를 4500Å으로 형성한 경우의 그래프이다.
도 4 내지 도 6은 광차단막과 상부 게이트 전극을 동기화시킨 구조에서 적외선 감지 트랜지스터(TrI)의 적외선 감도를 측정한 결과를 도시한 그래프로서, 도 4는 반도체층의 두께를 1000Å으로 형성한 경우의 그래프이고, 도 5는 반도체층의 두께를 3000Å으로 형성한 경우의 그래프이고, 도 6은 반도체층의 두께를 5000Å으로 형성한 경우의 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8는 도 7의 표시 장치를 사용하여 물체를 감지하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한 경우 게이트 전극이 반도체층 아래에 형성되는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 10은 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한 경우 게이트 전극이 반도체층 아래 및 위에 동시에 형성되는 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 11은 반도체층을 비정질 실리콘게르마늄으로 형성한 경우 게이트 전극이 반도체층 아래 및 위에 동시에 형성되는 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 12는 반도체층을 비정질 실리콘게르마늄으로 형성한 경우 반도체층과 게이트 전극 사이에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 플라나 타입(planar type) 탑 게이트(top gate) 구조의 트랜지스터에서 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 13은 본원 발명의 일 실시예를 적용한 경우 리드아웃 트랜지스터의 Ids-Vgs간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 14는 본원 발명의 일 실시예를 적용한 경우로서, 차단 절연막의 두께를 500Å 비정질 실리콘게르마늄으로 이루어진 반도체층의 두께를 6000Å으로 설정한 경우 적외선 감지 트랜지스터의 적외선 감도를 측정한 그래프이다.
도 15 내지 도 18은 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 차례대로 도시한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 표시판의 단면도이다.
도 20 내지 도 23은 도 19의 표시 장치의 제조 방법을 차례대로 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
3: 액정층 12: 하부 편광판
22: 상부 편광판 100: 하부 표시판
110: 하부 기판 200: 상부 표시판
210: 상부 기판 210I: 광차단막
224V, 224I, 224C: 상부 게이트 전극 240: 게이트 절연막
254V, 254I, 254C: 반도체층 410V, 410I, 410C: 식각 방지막
263V, 265V, 263I, 265I, 263C, 265C: 저항성 접촉층
273V, 273I, 273C: 소스 전극 275V, 275I, 275C: 드레인 전극
280: 보호막 910: 백라이트 유닛
920: 적외선 발광체 930: 가시광선 발광체
Claims (20)
- 하부 기판과 상기 하부 기판 위에 위치하는 화소 트랜지스터를 포함하는 하부 표시판, 및상기 하부 표시판과 대향하며, 상부 기판과 상기 상부 기판 위에 위치하는 적외선 감지 트랜지스터 및 상기 적외선 감지 트랜지스터와 연결되어 검출 신호를 전달하는 리드아웃 트랜지스터를 포함하는 상부 표시판을 포함하고,상기 리드아웃 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하는 제1 하부 게이트 전극, 상기 제1 하부 게이트 전극 위에 위치하며 상기 제1 게이트 전극과 중첩하는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 위치하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하고,상기 적외선 감지 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하는 광차단막, 상기 광차단막 위에 상기 광차단막과 접촉하여 위치하는 제2 하부 게이트 전극, 상기 제2 하부 게이트 전극 위에 상기 광차단막과 중첩하여 위치하는 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 위치하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극, 상기 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극 위에 상기 제2 반도체층과 중첩하여 위치하는 제2 상부 게이트 전극을 포함하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극 위에 상기 제1 반도체층과 중첩하여 위치하는 제1 상부 게이트 전극을 더 포함하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 반도체층과 상기 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극 사이에는 제1 식각 방지막이 더 형성되어 있는 표시 장치.
- 제3항에서,상기 제1 식각 방지막은 Mo, Cr, MoAlMo, MoAl, IZO, ITO 중에서 선택되는 것을 포함하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 광차단막은 상기 제2 하부 게이트 전극을 통해 상기 제2 상부 게이트 전극과 연결되어 있는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제2 반도체층의 두께는 3000Å 내지 10000Å인 표시 장치.
- 제1항에서,상기 광차단막과 상기 제2 반도체층 사이에는 차단 절연막이 더 형성되어 있고, 상기 차단 절연막의 두께는 3000Å 내지 10000Å인 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제2 반도체층과 제2 상부 게이트 전극 사이에는 게이트 절연막이 더 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막의 두께는 3000Å 내지 10000Å인 표시 장치.
- 제1항에서,상기 상부 기판 위에 형성되며 상기 리드아웃 트랜지스터와 연결되는 가시광선 감지 트랜지스터를 더 포함하고,상기 가시광선 감지 트랜지스터는 상기 상부 기판 위에 위치하며 비정질 실리콘을 포함하는 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 위에 위치하는 제3 소스 전극 및 제3 드레인 전극, 상기 제3 소스 전극 및 제3 드레인 전극 위에 상기 제3 반도체층과 중첩하여 위치하는 제3 상부 게이트 전극을 포함하는 표시 장치.
- 제2항에서,상기 제2 반도체층과 상기 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극 사이에는 제2 식각 방지막이 더 형성되어 있는 표시 장치.
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