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KR101568659B1 - 도전성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 - Google Patents

도전성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 Download PDF

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KR101568659B1
KR101568659B1 KR1020130034163A KR20130034163A KR101568659B1 KR 101568659 B1 KR101568659 B1 KR 101568659B1 KR 1020130034163 A KR1020130034163 A KR 1020130034163A KR 20130034163 A KR20130034163 A KR 20130034163A KR 101568659 B1 KR101568659 B1 KR 101568659B1
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KR
South Korea
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conductive
adhesive layer
insulating
conductive film
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KR1020130034163A
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박경수
권순영
김지연
박영우
한재선
황자영
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제일모직주식회사
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29366—Titanium [Ti] as principal constituent
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29371—Chromium [Cr] as principal constituent
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    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29401—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29411—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
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    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29401—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29416—Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29417—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29424—Aluminium [Al] as principal constituent
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Abstract

본 발명은 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 이의 제조 방법에 관한 것으로,
상기 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)임을 특징으로 한다.

Description

도전성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치{ANISOTROPIC CONDUCTING FILM COMPRISING CONDUCTIVE ADHESIVE LAYER AND A SEMICONDUCTOR DEVICE CONNECTED BY THE FILM}
본 발명은 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 이의 제조 방법에 관한 것으로,
상기 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)임을 특징으로 한다.
이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conducting Film)이란 일반적으로 니켈(Ni)이나 금(Au) 등의 금속 입자, 또는 그와 같은 금속들로 코팅된 고분자 입자 등의 전도성 입자를 분산시킨 필름으로서, z-축으로는 전기를 통하는 도전성을, x-y 평면 방향으로는 절연성을 나타내는 필름을 말한다.
이러한 이방성 도전 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 위치시킨 후 일정 조건의 가열, 가압 공정을 거치면, 회로 단자들 사이는 전도성 입자에 의해 전기적으로 접속되고, 인접 회로와의 사이인 스페이스(space)에는 절연성 접착 수지가 충진되어 전도성 입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써, 높은 절연성을 부여하게 된다. 이방성 도전 필름은 일반적으로 LCD(Liquid Crystal Display) 패널과 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; 이하 TCP) 또는 인쇄회로기판과 TCP 등의 전기적 접속에 널리 이용되고 있다. 회로 접속 공정은 두 회로 부재 사이에 이방 도전성 필름을 배치하고 열과 압력을 가하며 압착하여 이루어진다. 이때, 도전성 입자의 유동이 발생하여 대응 단자 사이에 도전성 입자의 포착이 적어지고, 인접 단자 사이에는 도전성 입자가 늘어나게 된다. 이로 인해, 전기적 접속 성능과 인접 단자간 절연 성능이 떨어진다.
최근 대형화 및 박형화 추세에 있는 디스플레이 산업의 경향에 따라 전극 및 회로들 간의 피치 또한 점차 미세화되고 있고 특히 모바일 디바이스들의 고해상도화로 접속해야할 단자의 면적과 단자간 간격이 줄어드는 추세이다. 이와 같은 상황에서 이방 도전성 필름에 있어서도 접속과 절연이 종래 대비 극한의 성능이 요구되고 있고 따라서 종래의 단층 혹은 복층 구조의 이방성 도전 필름으로는 이러한 미세 회로 단자들을 접속하는데 한계를 보이고 있다(대한민국 특허 출원 번호 제2010-0140773호 및 제2010-0138216호).
위와 같은 미세 회로 접속에서 접속과 절연 성능을 확보하기 위해 도전입자의 크기를 줄이고 도전입자의 밀도를 증가시키는 방법이 시도되고 있으나, 이는 좁아진 단자 간격에서 쇼트가 발생할 리스크를 줄일 수 없으며, 도전입자의 크기가 작으므로 접속점이 작아지고 자재들의 높이 편차를 대응할 수 있는 능력이 줄어들어 접속 성능에 있어서도 취약하다.
대한민국 특허 출원 번호 제2010-0140773호 대한민국 특허 출원 번호 제2010-0138216호
없음
본 발명은 종래 기술의 이러한 단점을 해결하고 고해상도 모바일 디바이스 등과 같이 단자의 면적와 단자간 간격이 좁은 미세 회로를 접속 및 절연 신뢰성을 확보하면서 접속할 수 있는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태는,
도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름에 관한 것으로,
상기 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)임을 특징으로 한다.
상기 도전성 입자 와 절연성 입자는 상기 도전성 접착층의 전체 고형 중량을 기준으로 25 내지 60 중량%로 함유될 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 부피비가 1.5:1 내지 1:3.5일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 d는 1 ~ 10 μm, 바람직하게는 1 내지 5 μm의 범위일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 접착층의 두께가 상기 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 직경비가 1.2:1 내지 1:1.2일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 절연성 접착층은 상기 도전성 접착층의 일면 혹은 양면에 형성될 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 입자는 Au, Ag, Ni, Cu, Pd, Al, Cr, Sn, Ti, 및 Pb 중 하나 이상을 포함하는 금속 입자; 탄소 입자; 벤조구아나민, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌 및 폴리비닐 알코올 중 하나 이상을 포함하는 수지 또는 이들의 변성 수지로 된 입자를 상기 금속 입자로 코팅한 입자 중에서 선택되는 하나 이상의 도전성 입자일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 입자 또는 상기 절연성 입자는 표면에 돌기가 형성되어 있을 수 있다.
상기 양태에서, 상기 절연성 입자는 무기 입자, 유기 입자 또는 유/무기 혼합형 입자일 수 있고, 상기 무기 입자는 실리카(SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 또는 In2O3 중 어느 하나 이상 선택된 무기 입자일 수 있고, 상기 유기 입자는 아크릴 코폴리머, 벤조구아닌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리비닐 알코올 및 폴리우레탄 중 하나 이상을 포함하는 수지 또는 이들의 변성 수지로 된 유기 입자일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 접착층 또는 상기 절연성 접착층이 각각 바인더 수지 및 경화제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 도전성 접착층은 이의 전체 고형 중량을 기준으로 상기 바인더 수지는 10 - 60중량%, 상기 경화제는 10 - 40중량%로 포함할 수 있다. 상기 절연성 접착층은 이의 전체 고형 중량을 기준으로 상기 바인더 수지를 30 - 80중량%, 상기 경화제를 20 - 70중량%로 포함할 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 접착층에 대한 상기 절연성 접착층의 두께 비율이 1/5 초과 10 미만일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개이고, 상기 도전성 접착층의 두께가 상기 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%이고, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 중심이 실질적으로 동일한 평면 상에 위치하는 이방 도전성 필름이 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 양태는,
a) 배선 기판;
b) 상기 배선 기판에 부착되어 있는 본원에 기재된 이방 도전성 필름의 도전성 접착층 및 절연성 접착층; 및
c) 상기 도전성 접착층 혹은 상기 절연성 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
상기 양태에서, 상기 도전성 접착층에서 도전성 입자와 절연성 입자의 부피비가 1.5:1 내지 1:3.5일 수 있다.
상기 양태에서, 상기 도전성 접착층의 두께가 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%일 수 있다.
상기 양태에서, 도전성 입자와 절연성 입자의 직경비가 1.5:1 내지 1:1.5일 수 있다.
본 발명에 따른 이방 도전성 필름은 미세 회로 접속에 있어서, 우수한 전기적 접속 성능과 인접 단자 간의 안정적인 절연 성능을 확보할 수 있다.
본 발명에 따른 이방 도전성 필름은 도전성 입자와 절연성 입자를 균일하게 혼합하여 입자들이 한 층으로 인접하게 존재하는 별도의 층을 구성함으로써, 열압착시 입자의 위치 이동을 최소화하여 단자 사이에서 접속에 기여하는 유효 입자를 늘리고 인접 단자간 사이에서 쇼트를 유발하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 이방 도전성 필름의 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 도전성 접착층을 갖는 이방 도전성 필름의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 양태에 따른 이방 도전성 필름의 단면도이다.
본 발명은 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름에 있어서, 상기 도전성 접착층의 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)가 되게 함으로써 열압착시 도전성 입자의 위치 이동을 최소화하여 단자 사이에 접속하는 유효 도전성 입자의 수를 증가시키고 인접 단자간 사이에서 쇼트 발생을 방지할 수 있다.
상기 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도는 도전성 입자와 절연성 입자의 개수를 합한 총 입자들의 밀도를 의미하는 것이다. 상기 입자 밀도는 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)일 수 있고, 바람직하게는 1mm2당 8.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개일 수 있고, 더욱 바람직하게는 1mm2당 9.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개일 수 있다.
도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개 범위이면 도전성 접착층에서 접착층 내 바인더 수지 등에 의해 도전성 입자가 유동 공간이 생겨 유동하거나, 도전성 입자가 접착층 내에서 한층으로 배열되지 못해 유동하고, 이로 인해 접속 성능과 절연 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도전성 입자의 직경인 d는 1 ~ 10 μm, 바람직하게는 1 내지 5 μm의 범위일 수 있다.
상기 도전성 입자와 절연성 입자는 상기 도전성 접착층의 전체 고형 중량을 기준으로 25 내지 60 중량%로 함유될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 양태를 설명하기로 한다. 다만, 하기 양태는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 본 발명의 범위가 하기 양태에 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 이방 도전성 필름의 단면도이다. 도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 양태에 따른 이방 도전성 필름(6)은 절연성 접착층(3)과 도전성 접착층(2)을 포함한다. 본 발명의 일 양태에 따른 이방 도전성 필름은 기재 필름(1)을 추가로 포함할 수 있다. 상기 양태에서, 도전성 입자(4)와 절연성 입자(5)가 도전성 접착층(2) 내 여유 공간 없이 한층으로 배열되어 있어 접속시 거의 유동하지 않는다. 또한, 도전성 입자(4)와 절연성 입자(5)는 매우 균질하게 혼합되어 접착층(2)을 형성하기 때문에 도전성 입자(4)와 절연성 입자(5)가 분포도가 양호하다. 상기와 같이 도전성 접착층(2) 내 도전성 입자(4)와 절연성 입자(5)가 여유 공간없이 한층으로 배열되어 있기 때문에 도전성 접착층(2)에서 도전성 입자(4)의 유동으로 인한 접속 성능 저하, 혹은 절연 성능 저하를 감소시킬 수 있다. 도 3은 절연성 접착층이 도전성 접착층의 양면에 형성된 본 발명의 또 다른 양태에 따른 이방 도전성 필름의 단면도이다. 도 3을 참조하면 본 발명에 따른 이방 도전성 필름은 도전성 접착층(2)의 양면에 형성된 제1 절연성 접착층(3')과 제2 절연성 접착층(3")을 포함할 수 있다.
반면, 도 2는 종래 기술에 따른 도전성 접착층을 갖는 이방 도전성 필름의 단면도로, 도전성 접착층(2) 내 도전성 입자(4)가 유동할 수 있는 여유 공간이 많아 압착 시 단자 위에 유효 도전성 입자의 개수가 적어져 접속 성능과 절연 성능이 저하된다.
상기 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도는 다음과 같은 방법으로 측정될 수 있다:
이방 도전성 필름을 광학현미경으로 관찰한다. 광학현미경 배율을 조절하여 대략 180㎛×130㎛(23,400㎛2)의 면적을 관찰한다. 도전성 입자와 절연성 입자의 개수를 산출하고 측정면적으로 나누어 1㎛2당 입자 밀도를 구하고 이로부터 1mm2 당 입자 밀도를 계산한다.
상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 부피비는 1.5:1 내지 1:3.5일 수 있고, 바람직하게는 1.2:1 내지 1:3.2일 수 있고 특히 바람직하게는 1:1 내지 1:3일 수 있다. 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 부피비가 1.5:1 내지 1:3.5이면 절연 성능과 접속 성능 둘 다를 개선할 수 있다.
상기 도전성 접착층의 두께는 상기 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%인 것이 좋다. 본 발명에서 사용될 수 있는 도전성 입자 혹은 절연성 입자의 직경은 1 내지 10 μm의 범위이며, 바람직하게는 1 내지 5 μm의 범위이다. 따라서, 도전성 접착층의 두께는 0.5μm 내지 15μm의 범위, 바람직하게는 0.5 μm 내지 7.5 μm의 범위일 수 있다. 상기 범위에서 열압착시 도전성 입자의 유동이 억제되어 절연 성능과 접속 성능이 개선될 수 있다.
상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 직경비는 1.5:1 내지 1:1.5, 보다 바람직하게는 도전성 입자와 절연성 입자의 직경은 실질적으로 동일할 수 있다.
또 다른 양태에서, 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름에 있어서, 상기 도전성 접착층의 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)이고, 상기 도전성 접착층의 두께가 상기 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%이고, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 중심이 실질적으로 동일한 평면 상에 위치하는 이방 도전성 필름이 제공된다. 상기 용어 '입자의 중심이 실질적으로 동일한 평면에 위치하는'은 상기 도전성 입자들의 무게중심들과 상기 절연성 입자들의 무게중심들을 상호 연결했을 때 실질적으로 2차원적인 평면이 형성되는 것을 의미한다.
더욱 바람직한 양태에서, 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 10.0 x 105/d2 개이고, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 중심이 실질적으로 동일한 평면 상에 위치할 수 있다
상기 절연성 접착층은 상기 도전성 접착층의 일면 혹은 양면에 형성될 수 있으며, 바람직하게는 양면에 형성될 수 있다.
상기 도전성 입자는 예를 들어, Au, Ag, Ni, Cu, Pd, Al, Cr, Sn, Ti, 및 Pb 중 하나 이상을 포함하는 금속 입자; 탄소 입자; 벤조구아나민, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌 및 폴리비닐 알코올 중 하나 이상을 포함하는 수지 또는 이들의 변성 수지로 된 입자를 상기 금속 입자로 코팅한 입자 중에서 선택되어 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 도전성 입자 또는 상기 절연성 입자의 표면에 돌기가 형성되어 있을 수 있다.
상기 절연성 입자가 무기 입자, 유기 입자 또는 유/무기 혼합형 입자일 수 있고, 상기 무기 입자의 예로는 실리카(SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 또는 In2O3를 들 수 있고, 유기 입자의 예로는 아크릴 코폴리머, 벤조구아닌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리비닐 알코올 및 폴리우레탄 중 하나 이상을 포함하는 수지 또는 이들의 변성 수지로 된 입자를 들 수 있고, 유/무기 혼합형 입자의 예로는 실세스퀴옥산(Silsesquiozxane)를 들 수 있다.
상기 도전성 접착층에 대한 상기 절연성 접착층의 두께 비율이 1/5 초과 10 미만일 수 있다. 바람직하게는 상기 두께 비율은 2 초과 8 미만일 수 있다. 상기 범위에서 인접 회로 간에 절연성 접착층이 충분히 충진되어 양호한 절연성 및 접착성을 보여줄 수 있다.
본 발명의 이방 도전성 필름의 도전성 접착층 또는 절연성 접착층은 각각 바인더 수지 및 경화제를 추가로 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지는 아크릴계, 에폭시계, 우레탄 아크릴레이트계, 페녹시계, 아크릴로니트릴계, 스티렌-아크릴로니트릴계, 부타디엔계, 폴리아미드계, 올레핀계, 우레탄계 및 실리콘계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 바인더 수지는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 및 우레탄 아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 1,6-헥산디올 모노(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐옥시프로필 (메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시알킬 (메타)아크릴로일 포스페이트, 4-히드록시 사이클로헥실 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 2-(2-에톡시에톡시)에틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 에톡시부가형 노닐페놀 (메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, t-에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 에톡시 부가형 비스페놀-A 디(메타)아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 페녹시-t-글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-메타아크릴로일옥시에틸 포스페이트, 디메틸올 트리사이클로 데케인 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 벤조에이트 아크릴레이트 및 플루오렌계 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 (메타)아크릴레이트 모노머로 된 공중합체 수지가 될 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
상기 에폭시계 수지는 비스페놀형, 노볼락형, 글리시딜형 및 지환족으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 결합 구조를 갖는 공중합체를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 비스페놀 A형 또는 F형의 고분자 또는 변성한 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로 펜타디엔을 주골격으로 파는 에폭시 수지, 다이머산 변성 에폭시 수지, 프로필렌 글리콜을 주 골격으로 하는 에폭시 수지 또는 우레탄 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 디이소시아네이트, 폴리올, 디올 및 아크릴레이트 모노머로 된 수지를 포함할 수 있다. 디이소시아네이트로는 테트라메틸렌-1,4-디이소시아네이트, 헥사메틸렌-1,6-디이소시아네이트, 시클로헥실렌-1,4-디이소시아네이트, 메틸렌비스(4-시클로헥실 이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 및 4-4 메틸렌비스(시클로헥실 디이소시아네이트)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 될 수 있다. 폴리올은 폴리에스테르 폴리올, 폴리에테르 폴리올 및 폴리카보네이트 폴리올을 예로 들 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 적절한 폴리올은 디카르복시산 화합물과 디올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 것으로, 디카르복시산 화합물은 숙신산, 글루타르산, 이소프탈산, 아디프산, 수베린산, 아젤란산, 세바스산, 도데칸디카르복시산, 헥사히드로프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 오르토-프탈산, 테트라클로로프탈산, 1,5-나프탈렌디카르복시산, 푸마르산, 말레인산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 테트라히드로프탈산 등을 예로 들 수 있고, 디올 화합물로는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 디부틸렌글리콜, 2-메틸-1,3-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 1,4-시클로헥산디메탄올을 예로 들 수 있다. 디올은 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 디부틸렌글리콜, 2-메틸-1,3-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 1,4-시클로헥산디메탄올 등을 예로 들 수 있다. 아크릴레이트는 히드록시 아크릴레이트 또는 아민 아크릴레이트가 사용되어 진다.
바인더 수지는 도전성 접착층 중 10 내지 60중량%, 바람직하게는 15 내지 40중량%로 포함될 수 있다. 바인더 수지는 절연성 접착층 중 30 내지 80중량%, 바람직하게는 40 내지 70중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 조성의 필름형성을 수행할 수 있다. 바인더 수지의 중량평균분자량은 30,000 ~ 1,000,000g/mol, 바람직하게는 50,000 ~ 850,000g/mol 범위일 수 있다.
경화제는 종래 기술 분야에서 알려진 경화제라면 어느 것이든 제한 없이 사용할 수 있으며, 그 구체적인 예로는 이미다졸계, 벤조일계, 산무수물, 아민계, 히드라지드계, 양이온 경화제, 잠재성 경화제 등을 각각 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
경화제는 도전성 접착층 중 10 내지 40중량%, 바람직하게는 15 내지 30중량%로 포함될 수 있다. 경화제는 또한 절연성 접착층 중 20 내지 70 중량%, 바람직하게는 35 내지 50중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 일정 온도범위의 가온시 바인더 수지와의 경화를 형성하여 접착력을 발현하고 견고한 조직을 형성하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 또한
a) 배선 기판;
b) 상기 배선 기판에 부착되어 있는 본원에 기재된 이방 도전성 필름의 도전성 접착층 및 절연성 접착층; 및
c) 상기 도전성 접착층 혹은 상기 절연성 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
상기 도전성 접착층에서 도전성 입자와 절연성 입자의 부피비가 1.5:1 내지 1:3.5일 수 있다.
상기 도전성 접착층의 두께가 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%일 수 있다.
상기 도전성 입자와 절연성 입자의 직경비가 1.5:1 내지 1:1.5일 수 있다.
본 발명은 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제조 방법은,
i) 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층의 형성 단계로, 상기 도전성 접착층에서 상기 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)인 것을 특징으로 하고; 및
ii) 상기 도전성 접착층 상에 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 형성하거나, 별도의 절연성 접착층을 형성한 후 상기 도전성 접착층과 상기 절연성 접착층을 합지하여 도전성 접착층과 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름을 제조하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 제조 방법은 상기 i) 단계에서 도전성 입자와 절연성 입자를 균일하게 혼합하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 제조 방법은 상기 i) 단계에서 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도를 확인하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 입자 밀도의 확인 방법은 도전성 접착층을 광학현미경으로 관찰하는 것으로 광학현미경 배율을 조절하여 대략 180㎛×130㎛(23,400㎛2)의 면적을 관찰한다. 도전성 입자와 절연성 입자의 개수를 산출하고 측정면적으로 나누어 1㎛2당 입자 밀도를 구하고 이로부터 1mm2 당 입자 밀도를 계산한다.
상기 i) 단계의 도전성 접착 필름에서 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 부피비는 1.5:1 내지 1:3.5일 수 있고, 바람직하게는 1.2:1 내지 1:3.2일 수 있고 특히 바람직하게는 1:1 내지 1:3일 수 있다. 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 부피비가 1.5:1 내지 1:3.5이면 절연 성능과 접속 성능 둘 다를 개선할 수 있다.
상기 도전성 접착층의 두께는 상기 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%인 것이 좋다. 상기 범위에서 열압착시 도전성 입자의 유동이 억제되어 절연 성능과 접속 성능이 개선될 수 있다.
상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 직경비는 1.5:1 내지 1:1.5, 보다 바람직하게는 도전성 입자와 절연성 입자의 직경은 실질적으로 동일할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 제조 방법은 상기 ii) 단계 이후 제2의 절연성 접착층을 상기 도전성 접착층의 다른 면에 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 이방 도전성 필름의 도전성 접착층 또는 절연성 접착층은 각각 용제, 중합방지제, 산화방지제, 열안정제 및 경화촉진제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제는 각각 접착층의 전체 조성물에 대하여 1~ 5중량%로 포함될 수 있다.
용제는 특별히 한정되지는 않고, 예를 들면 톨루엔 또는 메틸에틸케톤 등의 용제를 사용할 수 있다. 중합방지제는 특별히 한정되지는 않고, 하이드로퀴논, 하이드로퀴논 모노메틸에테르, p-벤조퀴논, 페노티아진 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 1종 이상 사용할 수 있다. 산화방지제는 특별히 한정되지는 않고, 열에 의해 유도되는 조성물의 산화반응 방지 및 열안정성을 부여해 주기 위한 목적으로 사용되는데, 분지형의 친 폐놀릭계 또는 하이드록시 신나메이트계의 물질 등을 첨가할 수 있다. 경화촉진제는 특별히 한정되지는 않고, 고상 이미다졸계 촉진제, 고상 및 액상 아민계 경화촉진제 등을 1종 이상 사용할 수 있다.
본 발명에서 이방 도전성 필름을 형성하는 방법은 특별한 장치나 설비가 필요하지 않으며, 도전성 입자와 절연성 입자를 상기 용제 중에서 교반 및 혼합하여 균질한 분산액을 얻은 후, 여기에 바인더 수지, 경화제를 첨가하여 교반하거나, 도전성 입자와 절연성 입자, 바인더 수지, 경화제를 도전성 입자 혹은 절연성 입자가 분쇄되지 않는 속도 범위 내에서 일정 시간 교반하고, 이를 이형 필름 위에 0.5μm 내지 15μm의 두께로 도포한 다음 일정 시간 건조하여 용제를 휘발시킴으로써 도전성 접착 필름을 형성할 수 있다.
또한 바인더 수지, 경화제 및 용제를 일정 시간 교반하고, 이를 이형 필름 위에 0.5μm 내지 80μm의 두께로 도포한 다음 일정 시간 건조하여 용제를 휘발시킴으로써 절연성 접착 필름을 형성할 수 있다.
이후 상기 도전성 접착 필름과 절연성 접착 필름을 합지하여 2층 혹은 2층 이상의 복층 구조를 갖는 이방 도전성 필름을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
1. 실시예 1 내지 6의 이방 도전성 필름의 제조
실시예 1
페녹시 수지(국도화학) 35중량%, 에폭시 수지 EP-630(JER社) 20중량%, 잠재성 경화제 HP3941HP(아사히 카사히社) 45중량%를 고형분 기준으로 투입하여 절연성 접착층을 제조하고, 페녹시 수지 20중량%, 에폭시 수지 EP-630 4중량%, 잠재성 경화제 HP3841HP 23중량%, 니켈 도금을 한 3um 도전성 입자를 38중량%, 아크릴 코폴리머 수지의 3um 절연성 입자를 15중량%를 고형분 기준으로 투입하여 도전성 접착층을 제조하였다. 이때, 조성물들은 용매에 용해, 분산해 이형처리된 PET 필름상에 코팅한 후 용제를 건조시켜서 절연성 접착층은 12um로, 도전성 접착층은 1.5um 두께로 제조하여 합지하여 실시예 1의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 2
도전성 접착층을 4.5um 두께로 제조한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 실시예 2의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 3
페녹시 수지 26중량%, 에폭시 수지 EP-630 4중량%, 잠재성 경화제 HP3841HP 29중량%, 니켈 도금을 한 3um 도전성 입자를 19중량%, 아크릴 코폴리머 수지의 3um 절연성 입자를 22중량%를 고형분 기준으로 투입하여 도전성 접착층을 제조하였다. 이때, 조성물들은 용매에 용해, 분산해 이형처리된 PET 필름상에 코팅한 후 용제를 건조시켜서 도전성 접착층을 3um 두께로 제조하여 합지한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 실시예 3의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 4
페녹시 수지 32중량%, 에폭시 수지 EP-630 4중량%, 잠재성 경화제 HP3841HP 36중량%, 니켈 도금을 한 3um 도전성 입자를 13중량%, 아크릴 코폴리머 수지의 3um 절연성 입자를 15중량%를 고형분 기준으로 투입하여 도전성 접착제 층을 제조하였다. 이때, 조성물들은 용매에 용해, 분산해 이형처리된 PET 필름상에 코팅한 후 용제를 건조시켜서 도전성 접착제 층은 3um 두께로 제조하여 합지한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 실시예 4의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 5
페녹시 수지 23중량%, 에폭시 수지 EP-630 3중량%, 잠재성 경화제 HP3841HP 25중량%, 니켈 도금을 한 4um 도전성 입자를 34중량%, 아크릴 코폴리머 수지의 4um 절연성 입자를 15중량%를 고형분 기준으로 투입하여 도전성 접착제 층을 제조하였다. 이때, 조성물들은 용매에 용해, 분산해 이형처리된 PET 필름상에 코팅한 후 용제를 건조시켜서 도전성 접착제 층은 4um 두께로 제조하여 합지한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 실시예 5의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 6
페녹시 수지 21중량%, 에폭시 수지 EP-630 2중량%, 잠재성 경화제 HP3841HP 23중량%, 니켈 도금을 한 3um 도전성 입자를 39중량%, 아크릴 코폴리머 수지의 2.5um 절연성 입자를 15중량%를 고형분 기준으로 투입하여 도전성 접착제 층을 제조하였다. 이때, 조성물들은 용매에 용해, 분산해 이형처리된 PET 필름상에 코팅한 후 용제를 건조시켜서 도전성 접착제 층은 3um 두께로 제조하여 합지한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 실시예 6의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
2. 비교예 1 및 2의 이방 도전성 필름의 제조
비교예 1
페녹시 수지 17중량%, 에폭시 수지 EP-630 3중량%, 잠재성 경화제 HP3841HP 14중량%, 니켈 도금을 한 3um 도전성 입자를 51중량%, 아크릴 코폴리머 수지의 3um 절연성 입자를 15중량%를 고형분 기준으로 투입하여 도전성 접착층을 제조하였다. 이때, 조성물들은 용매에 용해, 분산해 이형처리된 PET 필름상에 코팅한 후 용제를 건조시켜서 도전성 접착제 층은 3um 두께로 제조하여 합지한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 비교예 1의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
비교예 2
페녹시 수지 35중량%, 에폭시 수지 EP-630 5중량%, 잠재성 경화제 HP3841HP 39중량%, 니켈 도금을 한 3um 도전성 입자를 10중량%, 아크릴 코폴리머 수지의 3um 절연성 입자를 11중량%를 고형분 기준으로 투입하여 도전성 접착층을 제조하였다. 이때, 조성물들은 용매에 용해, 분산해 이형처리된 PET 필름상에 코팅한 후 용제를 건조시켜서 도전성 접착제 층은 3um 두께로 제조하여 합지한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 비교예 2의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
3. 제조된 이방 도전성 필름의 물성 평가
상기 실시예 1-6 및 비교예 1-2에서 제조된 이방 도전성 필름의 도전성 입자와 절연성 입자의 부피비, 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도, 접속저항 및 절연저항을 아래와 같은 방법으로 측정하고 그 결과를 아래 표 1 및 표 2에 나타내었다.
1) 도전성 입자와 절연성 입자의 부피비
상기 실시예 1-6 및 비교예 1-2에서 제조된 이방 도전성 필름을 광학현미경으로 관찰하였다. 광학현미경 배율을 조절하여 대략 180㎛×130㎛(23,400㎛2)의 면적을 관찰하였다. 도전성 입자 및 절연성 입자의 개수를 산출하여 부피비를 계산하였다.
2) 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도
상기 실시예 1-6 및 비교예 1-2에서 제조된 이방 도전성 필름을 광학현미경으로 관찰하였다. 광학현미경 배율을 조절하여 대략 180㎛×130㎛(23,400㎛2)의 면적을 관찰하였다. 상기 면적 내 도전성 입자와 절연성 입자의 개수를 산출하고 측정면적으로 나누어 1㎛2당 입자 밀도를 구하고 이로부터 1mm2 당 입자 밀도를 계산하였다.
3) 접속저항
상기 형성된 이방 도전성 필름을 2mmX25mm로 잘라서 접속저항 평가 자재에 각각 본딩하여 평가하였다. 이때, 0.5㎜두께 유리기판상에 60℃-1MPa-1sec 조건으로 가열/가압해 이방 도전성 필름을 가압착하고 PET필름을 벗겨 유리기판상에 ACF를 배치했다. 그 다음 칩(칩 길이 19.5㎜, 칩 폭 1.5㎜, 범프 면적 길이 100㎛, 범프 폭 12㎛)를 얼라인하여 배치한 후, 200℃-90MPa-1sec 조건으로 본압착을 실시하였다. 이방 도전성 필름의 접속저항은 4 point probe법으로 저항측정기기를 이용할 수 있는데 기기에 연결되어 있는 4개의 probe를 이용하여 4 point 사이에서의 저항을 측정하였다. 저항측정기기는 1mA를 인가하며 이때 측정되는 전압으로 저항을 계산하여 표시하였다.
4) 절연저항
상기 형성된 이방 도전성 필름을 2mmX25mm로 잘라서 절연저항 평가 자재에 각각 본딩하여 평가하였다. 이때, 0.5㎜두께 유리기판상에 60℃-1MPa-1sec 조건으로 가열/가압해 이방 도전성 필름을 가압착하고 PET필름을 벗겨 유리기판상에 ACF를 배치했다. 그 다음 칩(칩 길이 19.5㎜, 칩 폭 1.5㎜, 범프 간격 8㎛)를 얼라인하여 배치한 후, 200℃-90MPa-1sec 조건으로 본압착을 실시하였다. 여기에 50V를 인가하며 2 단자법으로 총 38포인트에서 쇼트 발생 여부를 검사하였다.
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6
도전입자 및 절연입자 함량 53% 53% 41% 28% 49% 54%
입자 비율(부피비) 1:1 1:1 1:3 1:3 1:1 1:1
도전성 접착층 두께(㎛) 1.5 4.5 3 3 4 3
도전성 입자 입경(㎛) 3 3 3 3 4 3
절연성 입자 입경(㎛) 3 3 3 3 4 2.5
입자 밀도(1mm2) 99,000개 92,000개 105,000개 78,000개 88,000개 102,000개
접속저항(Ω) 0.04 0.05 0.07 0.09 0.04 0.04
절연저항(Ω) 1.0x109 1.0x109 1.0x109 1.0x109 1.0x109 1.0x109
비교예1 비교예2
도전입자 및 절연입자 함량 66% 21%
입자 비율(부피비) 2:1 1:3
도전성 접착층 두께(㎛) 3 3
도전성 입자 입경(㎛) 3 3
절연성 입자 입경(㎛) 3 3
입자 밀도(1mm2) 120,000개 55,000개
접속저항(Ω) 1.25 0.50
절연저항(Ω) 쇼트 1.0x109
상기 표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, 도전 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개의 범위인 경우, 접속저항과 절연저항이 모두 양호한 범위 내에 있는 반면, 입자 밀도가 1mm2당 10.0 x 105/d2 개를 초과하는 비교예 1의 경우 입자가 한층으로 배열되지 못함으로써 입자의 유동이 추가적으로 발생하여 접속저항이 증가하였고, 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 미만인 비교예 2의 경우 입자의 유동 공간이 커서 접속저항이 증가하였다.
또한 도전 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 입자 부피비가 1:1 내지 1:3인 실시예 1 내지 실시예 6은 접속저항 및 절연저항이 모두 양호한 반면, 입자 부피비가 2:1로 도전성 입자 개수가 과도하게 많은 비교예 1에서는 도전성 입자로 인해 절연이 불충분하여 쇼트가 발생하였다.
1. 이형필름
2. 도전성 접착층
3. 절연성 접착층
3'. 제1 절연성 접착층
3''. 제2 절연성 접착층
4. 도전성 입자
5. 절연성 입자
6. 이방 도전성 필름

Claims (22)

  1. 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름으로,
    상기 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)이고, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 부피비가 1.5:1 내지 1:3.5인 이방 도전성 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 입자와 절연성 입자가 상기 도전성 접착층의 전체 고형 중량을 기준으로 25 내지 60 중량%로 함유되는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 필름.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 d가 1 ~ 10 μm 인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 필름.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 접착층의 두께가 상기 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%인 이방 도전성 필름.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 직경비가 1.5:1 내지 1:1.5인 이방 도전성 필름.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연성 접착층이 상기 도전성 접착층의 일면 혹은 양면에 형성되어 있는 이방 도전성 필름.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자가 Au, Ag, Ni, Cu, Pd, Al, Cr, Sn, Ti, 및 Pb 중 하나 이상을 포함하는 금속 입자; 탄소 입자; 벤조구아나민, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌 및 폴리비닐 알코올 중 하나 이상을 포함하는 수지 또는 이들의 변성 수지로 된 입자를 상기 금속 입자로 코팅한 입자 중에서 선택되는 하나 이상인 이방 도전성 필름.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자 또는 상기 절연성 입자의 표면에 돌기가 형성되어 있는 이방 도전성 필름.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연성 입자가 무기 입자, 유기 입자 또는 유/무기 혼합형 입자인 이방 도전성 필름.
  11. 제10항에 있어서, 상기 무기 입자가 실리카(SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 또는 In2O3 중 어느 하나 이상 선택된 무기 입자인 이방 도전성 필름.
  12. 제10항에 있어서, 상기 유기 입자가 아크릴 코폴리머, 벤조구아닌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리비닐 알코올 및 폴리우레탄 중 하나 이상을 포함하는 수지 또는 이들의 변성 수지로 된 유기 입자인 이방 도전성 필름.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 접착층 또는 상기 절연성 접착층이 각각 바인더 수지 및 경화제를 포함하는 이방 도전성 필름.
  14. 제13항에 있어서, 상기 도전성 접착층의 전체 고형 중량을 기준으로 상기 바인더 수지가 10 내지 60중량%, 상기 경화제가 10 내지 40중량%로 포함되는 이방 도전성 필름.
  15. 제13항에 있어서, 상기 절연성 접착층의 전체 고형 중량을 기준으로 상기 바인더 수지가 30 내지 80중량%, 상기 경화제가 20 내지 70중량%로 포함되는 이방 도전성 필름.
  16. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 접착층에 대한 상기 절연성 접착층의 두께 비율이 1/5 초과 10 미만인 이방 도전성 필름.
  17. 도전성 입자와 절연성 입자를 포함하는 도전성 접착층과 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름으로,
    상기 도전성 접착층의 도전성 입자와 절연성 입자의 합계 입자 밀도가 1mm2당 7.0 x 105/d2 개 내지 10.0 x 105/d2 개(여기서, d는 도전성 입자의 직경(μm)이다)이고,
    상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 부피비가 1.5:1 내지 1:3.5이며,
    상기 도전성 접착층의 두께가 상기 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%이고, 상기 도전성 입자와 상기 절연성 입자의 중심이 실질적으로 동일 평면 상에 위치하는 이방 도전성 필름.
  18. a) 배선 기판;
    b) 상기 배선 기판에 부착되어 있는 제1항 또는 제2항에 따른 이방 전도성 필름의 도전성 접착층 및 절연성 접착층; 및
    c) 상기 도전성 접착층 혹은 상기 절연성 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치.
  19. 삭제
  20. 제18항에 있어서, 상기 도전성 접착층의 두께가 도전성 입자 지름의 50% 내지 150%인 반도체 장치.
  21. 제18항에 있어서, 도전성 입자와 절연성 입자의 직경비가 1.5:1 내지 1:1.5인 반도체 장치.
  22. 제7 항에 있어서, 상기 도전성 접착층에 대한 상기 절연성 접착층의 두께 비율이 1/5 초과 10 미만인 이방 도전성 필름.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101956221B1 (ko) * 2014-10-28 2019-03-08 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 필름, 그 제조 방법, 및 접속 구조체
CN106318244A (zh) * 2015-07-02 2017-01-11 玮锋科技股份有限公司 核层技术异方性导电胶膜
CN107615408B (zh) * 2015-07-30 2019-07-02 昭和电工株式会社 导电膜的制造方法及导电膜
KR101893248B1 (ko) * 2015-11-26 2018-10-04 삼성에스디아이 주식회사 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 접속 구조체
JP6776609B2 (ja) * 2016-02-22 2020-10-28 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
JP7274810B2 (ja) * 2016-05-05 2023-05-17 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
KR20170130003A (ko) * 2016-05-17 2017-11-28 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전 필름을 포함하는 표시 장치 및 이방성 도전 필름의 제조 방법
US20170338204A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device and Method for UBM/RDL Routing
KR102593532B1 (ko) * 2016-06-03 2023-10-26 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102024263B1 (ko) * 2016-07-07 2019-09-23 주식회사 엘지화학 전도성 입자, 이를 포함하는 점 전극, 및 그 제조방법
KR102063059B1 (ko) * 2016-08-17 2020-01-07 주식회사 엘지화학 전도성 물품의 제조방법
KR102126679B1 (ko) * 2016-08-18 2020-06-25 주식회사 엘지화학 그물구조 전도체의 제조방법
JP6935702B2 (ja) * 2016-10-24 2021-09-15 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
KR102251441B1 (ko) * 2016-12-01 2021-05-12 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접속 구조체
KR102519126B1 (ko) * 2018-03-30 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113557274B (zh) * 2019-03-13 2023-08-01 株式会社力森诺科 电路连接用黏合剂膜及其制造方法、电路连接结构体的制造方法以及黏合剂膜收纳套组
EP4139411A1 (en) * 2020-04-24 2023-03-01 Henkel AG & Co. KGaA Heat separable two-layer adhesive system and process of adhesive debonding using the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012097231A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Asahi Kasei E-Materials Corp 異方導電性接着フィルム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2737647B2 (ja) * 1994-03-10 1998-04-08 カシオ計算機株式会社 異方導電性接着剤およびそれを用いた導電接続構造
KR100398315B1 (ko) * 2001-02-12 2003-09-19 한국과학기술원 고주파 패키지용 플립 칩 접속을 위한 전도성 접착제의 제조방법
KR100398314B1 (ko) * 2001-07-19 2003-09-19 한국과학기술원 고접착력 3층 구조 ａｃａ 필름
CN100548840C (zh) * 2002-07-30 2009-10-14 日立化成工业株式会社 粘接材料带连接体及粘接材料带的连接方法
US20060035036A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-16 Telephus Inc. Anisotropic conductive adhesive for fine pitch and COG packaged LCD module
JP4238885B2 (ja) * 2005-08-31 2009-03-18 日立化成工業株式会社 接着剤リール及び接着剤テープ
US20120085579A1 (en) * 2005-12-26 2012-04-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive composition, circuit connecting material and connecting structure of circuit member
JP5658436B2 (ja) * 2009-04-16 2015-01-28 株式会社東芝 半導体装置
JP5471504B2 (ja) 2010-01-25 2014-04-16 日立化成株式会社 異方導電性フィルム
KR101332441B1 (ko) 2010-12-31 2013-11-25 제일모직주식회사 이방 도전성 필름
KR20120076187A (ko) 2010-12-29 2012-07-09 제일모직주식회사 이방 도전성 필름
KR101362868B1 (ko) 2010-12-29 2014-02-14 제일모직주식회사 이중층 이방성 도전성 필름

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012097231A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Asahi Kasei E-Materials Corp 異方導電性接着フィルム

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