KR101422547B1 - 엘이디 패키지의 전극 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법은, 비아홀이 구비된 서브마운트를 준비하는 제1단계; 화학기상증착공정(Chemical Vapor Desposition)으로 적어도 하나의 중간층 형성물질을 기체상태로, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내부로 흐르게 함으로써, 상기 중간층 형성물질이 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내주면을 따라 흐르면서, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내부에 적어도 하나의 중간층을 형성하는 제2단계; 및 상기 중간층위에 구리를 도금하여 상기 서브마운트의 상면에 상부전극을 형성하고, 상기 서브마운트의 하면에 하부전극을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에 상기 상부전극과 하부전극을 연결하는 구리를 채우는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 엘이디 패키지의 전극 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 한국공개특허공보(제10-2012-0092489호)에 개시되어 있다.
LED는 주입된 전자와 정공이 재결합할 때 발생하는 에너지를 빛으로 방출하는 다이오드로서, 갈륨 아세나이드(GaAs)를 이용한 적색 LED, 갈륨 포스파이드GaP)를 이용한 녹색 LED 등이 있다.
LED는 주입된 전자와 정공이 재결합할 때 발생하는 에너지를 빛으로 방출하는 다이오드로서, 갈륨 아세나이드(GaAs)를 이용한 적색 LED, 갈륨 포스파이드GaP)를 이용한 녹색 LED 등이 있다.
근래에는 질화갈륨(GaN)를 비롯한 질화물을 이용한 질화물 반도체가 주목받고 있는데, 질화물 반도체 LED는 녹색, 청색 및 자외 영역까지의 빛을 생성할 수 있으며, 총천연색 전광판, 조명장치 등의 분야에도 적용될 수 있다.
상술한 LED는 응용분야에 따라, LED를 탑재한 다양한 형태의 엘이디패키지로 제작되어 사용되고 있다.
도 1은, 엘이디 패키지의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 엘이디 패키지(1)는, 엘이디칩(2), 서브마운트(3), 인쇄회로기판(4), 히트싱크(5)로 구성된다.
엘이디칩(2)은 질화갈륨(GaN)으로 만들어진다. 서브마운트(3)는 질화물(질화알루미늄(AlN) 또는 산화알루미늄(Al2O3))으로 만들어진다. 히트싱크(4)는 금속으로만들어진다.
서브마운트(3)의 상면에는 2개의 상부전극(미도시)이, 하면에는 2개의 하부전극(미도시)이 구비된다. 상부전극과 하부전극의 재질은 구리(Cu)이다. 2개의 상부전극들 각각은 엘이디칩(2)의 +, -극과 연결된다. 2개의 하부전극들 각각은 인쇄회로기판(4)에 연결된다. 상부전극과 하부전극을 연결하기 위해, 서브마운트(3)에는 비아홀(Via hole, 6)이 수직방향으로 뚫린다.
도 2는, 도 1에 도시된 A부분을 확대한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 서브마운트(3)의 상면에 질화알루미늄(AlN), 구리(Cu)가 순차적으로 증착되고, 증착된 구리위로 구리가 도금된다. 이로 인해, 서브마운트(3)의 상면에 상부전극이 형성된다. 마찬가지로, 서브마운트(3)의 하면에 질화알루미늄(AlN), 구리(Cu)가 순차적으로 증착되고, 증착된 구리위로 구리가 도금된다. 이로 인해, 서브마운트(3)의 하면에 하부전극이 형성된다. 그리고, 비아홀(6)의 내주면에 질화알루미늄(AlN), 구리(Cu)가 순차적으로 증착되고, 증착된 구리위로 구리가 도금됨으로서, 비아홀(6)의 내부에 상부전극과 하부전극을 연결하는 구리가 채워진다.
서브마운트(3)의 상면 및 하면과 비아홀(6)의 내주면에 증착된, 질화알루미늄층 및 구리층을 중간층이라 정의한다. 이러한 중간층을 형성하는 질화알루미늄, 구리를 중간층 형성물질이라 정의한다. 중간층은 질화물인 서브마운트(3)에 구리가 바로 도금되지 못하는 문제점을 해결한다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 비아홀(6)에는 군데 군데 기공(7)들이 형성된다. 이러한 기공(7)들로 인해, 상부전극과 하부전극이 군데 군데 끊어진 상태로 연결된다. 기공(7)에는 도금액(8)이 남아 있다. 도금액(8)으로 주로 황산구리계 용액이 사용되므로, 기공(7)에 남아 있는 황산구리계 용액으로 인해, 시간이 경과함에 따라 비아홀(6)의 내부를 채우는 구리가 부식된다.
이하, 비아홀(6)에 군데 군데 기공(7)들이 형성되는 이유를 설명한다.
도 3은, 도 1에 도시된 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 스퍼터링 공정으로 순차적으로 증착하는 상태를 나타낸 도면으로, 보다 구체적으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄을 증착한 후, 질화알루미늄위에 구리를 증착하는 상태를 나타낸 도면이다. 도 3에 도시된 실선화살표는 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해, 서브마운트로 떨어지는 구리원자를 나타낸다.
도 3에 도시된 바와 같이, 비아홀(6)의 내주면에 스퍼터링(sputtering) 공정으로 질화알루미늄과 구리를 증착할 경우, 스퍼터링 공정의 특징인 증착이방성으로 인해, 비아홀(6)의 내주면에 질화알루미늄과 구리가 균일하게 증착되지 못한다.
이로 인해, 비아홀(6)의 입구가 바아홀(6)의 내부에 비해 상대적으로 두껍게 증착이 되고, 반대로 비아홀(6)의 내부가 비아홀(6)의 입구에 비해 상대적으로 얇게 증착된다. 이를, 스탭커버리지(step coverage)가 나쁘다고 정의한다. 이렇게 스탭커버리지가 나쁠 경우, 비아홀(6)의 내부를 구리로 도금하여 채울 경우, 증착된 구리위에 구리가 균일하게 도금되지 못하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 비아홀(6)의 내부에 군데 군데 기공(7)이 생기고, 기공(7)에는 도금액(8)이 남게 된다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 서브마운트의 상면과 하면에 상부전극과 하부전극을 균일하게 형성하고, 비아홀에 상부전극과 하부전극을 연결하는 구리를 기공없이 채울 수 있는, 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법은, 비아홀이 구비된 서브마운트를 준비하는 제1단계; 화학기상증착공정(Chemical Vapor Desposition)으로 적어도 하나의 중간층 형성물질을 기체상태로, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내부로 흐르게 함으로써, 상기 중간층 형성물질이 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내주면을 따라 흐르면서, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내부에 적어도 하나의 중간층을 형성하는 제2단계; 및 상기 중간층위에 구리를 도금하여 상기 서브마운트의 상면에 상부전극을 형성하고, 상기 서브마운트의 하면에 하부전극을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에 상기 상부전극과 하부전극을 연결하는 구리를 채우는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 화학기상증착공정으로 서브마운트에 중간층 형성물질을 기체상태로 흘려 보낸다. 중간층 형성물질이 기체상태로 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면을 따라 흘러가면서 확산되므로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 중간층 형성물질이 등방적으로 균일하게 증착될 수 있다.
이로 인해, 스탭커버리지가 좋아져, 상부전극과 하부전극을 형성하는 구리를 중간층위에 도금할 경우, 서브마운트의 상면과 하면에 상부전극과 하부전극이 균일하게 형성된다. 또한, 비아홀의 내부에 상부전극과 하부전극을 연결하는 구리가 기공없이 채워져, 기공으로 인해 상부전극과 하부전극이 군데 군데 끊어져 연결되는 문제점과, 기공에 남아 있는 도금액으로 인해 비아홀의 내부에 채워진 구리가 부식되는 문제점이 해결된다.
도 1은, 엘이디 패키지의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 2는, 도 1에 도시된 A부분을 확대한 도면이다.
도 3은, 도 1에 도시된 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 스퍼터링 공정으로 순차적으로 증착하는 상태를 나타낸 도면으로, 보다 구체적으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄을 증착한 후, 질화알루미늄위에 구리를 증착하는 상태를 나타낸 도면이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 구현하는 화학기상증착장치를 나타낸 도면이다.
도 6은, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 화학기상증착 공정으로 증착하는 상태를 나타낸 도면으로, 보다 구체적으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄을 증착한 후, 질화알루미늄위에 구리를 증착하는 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은, 본 발명의 제1변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 알루미늄과 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
도 9는, 본 발명의 제2변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄, 알루미늄, 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
도 2는, 도 1에 도시된 A부분을 확대한 도면이다.
도 3은, 도 1에 도시된 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 스퍼터링 공정으로 순차적으로 증착하는 상태를 나타낸 도면으로, 보다 구체적으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄을 증착한 후, 질화알루미늄위에 구리를 증착하는 상태를 나타낸 도면이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 구현하는 화학기상증착장치를 나타낸 도면이다.
도 6은, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 화학기상증착 공정으로 증착하는 상태를 나타낸 도면으로, 보다 구체적으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄을 증착한 후, 질화알루미늄위에 구리를 증착하는 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은, 본 발명의 제1변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 알루미늄과 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
도 9는, 본 발명의 제2변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄, 알루미늄, 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 나타낸 순서도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법은, 비아홀이 구비된 서브마운트를 준비하는 제1단계(S11);
화학기상증착공정(Chemical Vapor Desposition)으로 적어도 하나의 중간층 형성물질을 기체상태로, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내부로 흐르게 함으로써, 상기 중간층 형성물질이 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내주면을 따라 흐르면서, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내부에 적어도 하나의 중간층을 형성하는 제2단계(S12);
상기 중간층위에 구리를 도금하여 상기 서브마운트의 상면에 상부전극을 형성하고, 상기 서브마운트의 하면에 하부전극을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에 상기 상부전극과 하부전극을 연결하는 구리를 채우는 제3단계(S13);로 구성된다.
도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 구현하는 화학기상증착장치를 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 화학기상증착장치(10)는, 챔버(11); 챔버(11)의 내벽을 감싸는 단열재(12); 히터(13); 내부에 서브마운트(33)가 장착되는 반응기(14); 반응기(14) 내부로 가스를 빨아들인 후 반응기(14) 외부로 가스를 배출시키는 진공펌프(15); N2, NH3, Ar, H2, Cu(hfac)2H2O, AlCl3를 섞어주는 가스믹서기(16); N2가 채워진 가스통(17); NH3가 채워진 가스통(18); Ar이 채워진 가스통(19); H2가 채워진 가스통(20); Cu(hfac)2H2O가 담겨진 제1버블통(21); AlCl3이 담겨진 제2버블통(22); N2, NH3, Ar, H2, Cu(hfac)2H2O, AlCl3의 유량을 조절하는 유량조절밸브(23)들; 배관(24)들로 구성된다.
화학기상증착장치(10)는 유량조절밸브(23)들을 개폐하여, N2가 채워진 가스통(17), NH3가 채워진 가스통(18), Ar이 채워진 가스통(19), H2가 채워진 가스통(20), Cu(hfac)2H2O가 담겨진 제1버블통(21), AlCl3이 담겨진 제2버블통(22)으로부터, 중간층 형성에 필요한 N2, NH3, Ar, H2, Cu(hfac)2H2O, AlCl3를 가스믹서기(16)를 거쳐 반응기(14)로 공급한다.
이하, 중간층 형성에 필요한 가스를 반응기(14)로 공급하는 화학기상증착장치(10)의 개별적인 구성을 구체적으로 언급하지 않고, 반응기(14)로 공급되는 가스의 종류만 언급한다.
도 6은, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 화학기상증착 공정으로 증착하는 상태를 나타낸 도면으로, 보다 구체적으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄을 증착한 후, 질화알루미늄위에 구리를 증착하는 상태를 나타낸 도면이다. 도 6에 도시된 점선화살표는 기체상태로 흘러가는 구리를 나타낸다.
도 7은, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄과 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 7을 참조하여, 제1단계(S11) 내지 제4단계(S14)를 자세히 설명한다.
이하, 제1단계(S11)를 설명한다.
서브마운트(33)의 상면 및 하면을 레이저로 뚫어 비아홀(36)을 형성한다.
반응기(14)에 서브마운트(33)를 장착한다. 진공펌프(15)로 반응기(14)의 내부를 5X10-3 torr 이상의 진공을 만든다. 반응기(14)에 N2와 Ar을 소량 넣는다. 히터(13)로 반응기(14) 내부의 온도를 질화물 중간층의 증착 온도인 950℃ 까지 서서히 올린다.
이하, 제2단계(S12)를 설명한다.
반응기(14) 내부의 온도가 950℃에 도달한 후, N2와 Ar을 소량 흘려주고 30분간 유지시켜 반응기(14) 내부의 온도를 안정화시킨다. 반응기(14) 내부의 온도가 안정화되면, 반응기(14) 내부로 질화알루미늄 중간층을 형성하는 AlCl3 와 H2 와 NH3를 흘려보내주고 2시간동안 유지시킨다.
그러면, AlCl3 + NH3 -> AlN + 3HCl 화학반응이 일어나면서, 서브마운트(33)의 상면 및 하면과 비아홀(36)의 내주면에 질화알루미늄 중간층이 0.02um 두께로 형성된다.
질화알루미늄 중간층을 형성한 후, 그 위에 구리 중간층을 형성한다.
N2와 Ar와 NH3 를 소량 흘려주면서 950℃인 반응기(14) 내부의 온도를 구리층 형성에 적합한 온도인 300℃로 서서히 떨어뜨린 후, 300℃에서 30분간 유지하여 반응기(14)의 온도를 안정화시킨다.
반응기(14) 내부의 온도가 안정화되면, 반응기(14) 내부로 구리 중간층을 형성하는 Cu(hfac)2H2O 와 H2를 흘려보내주고 10시간동안 유지시킨다.
그러면, Cu(hfac)2H2O + H2 -> Cu + 2H(hfac) + H2O 화학반응이 일어나면서, 질화알루미늄 중간층위에 구리 중간층이 0.2um 두께로 형성된다.
이하, 제3단계(S13)를 설명한다.
구리 중간층위에 구리를 도금하여, 서브마운트(33)의 상면에 상부전극을 형성하고, 서브마운트(33)의 하면에 하부전극을 형성하고, 비아홀(36)의 내부를 구리로 채워 상부전극과 하부전극을 연결시킨다.
도 8은, 본 발명의 제1변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 알루미늄과 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 6 및 도 8을 참조하여, 본 발명의 제1변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 설명한다.
본 발명의 제1변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법의 제1단계(S11) 내지 제3단계(S13)는, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법의 제1단계(S11) 내지 제3단계(S13)와, 중간층 형성물질에서만 조금 차이가 있고 나머지는 구성은 동일하다. 따라서, 동일한 도면부호를 사용하였다.
이하, 제1단계(S12)를 설명한다.
서브마운트(33)의 상면 및 하면을 레이저로 뚫어 비아홀(36)을 형성한다.
반응기(14)에 서브마운트(33)를 장착한다. 진공펌프(15)로 반응기(14)의 내부를 5X10-3 torr 이상의 진공을 만든다. 반응기(14)에 N2와 Ar을 소량 넣는다. 히터(13)로 반응기(14) 내부의 온도를 Al 중간층의 증착 온도인 570℃ 까지 서서히 올린다.
이하, 제2단계(S12)를 설명한다.
반응기(14) 내부의 온도가 570℃에 도달한 후, N2와 Ar을 소량 흘려주고 30분간 유지시켜 반응기(14) 내부의 온도를 안정화시킨다. 반응기(14) 내부의 온도가 안정화되면, 반응기(14) 내부로 알루미늄 중간층을 형성하는 AlCl3 와 H2 를 흘려보내주고 2시간동안 유지시킨다.
그러면, 2AlCl3 + 3H2 -> 2Al + 6HCl 화학반응이 일어나면서, 서브마운트(33)의 상면 및 하면과 비아홀(36)의 내주면에 알루미늄 중간층이 0.03um 두께로 형성된다.
알루미늄 중간층을 형성한 후, 그 위에 구리 중간층을 형성한다.
N2와 Ar와 NH3를 소량 흘려주면서 570℃인 반응기(14) 내부의 온도를 구리층 형성에 적합한 온도인 300℃로 서서히 떨어뜨린 후, 300℃에서 30분간 유지하여 반응기(14)의 온도를 안정화시킨다.
반응기(14) 내부의 온도가 안정화되면, 반응기(14) 내부로 구리 중간층을 형성하는 Cu(hfac)2H2O 와 H2를 흘려보내주고 10시간동안 유지시킨다.
그러면, Cu(hfac)2H2O + H2 -> Cu + 2H(hfac) + H2O 화학반응이 일어나면서, 알루미늄 중간층위에 구리 중간층이 0.2um 두께로 형성된다.
이하, 제3단계(S13)를 설명한다.
구리 중간층위에 구리를 도금하여, 서브마운트(33)의 상면에 상부전극을 형성하고, 서브마운트(33)의 하면에 하부전극을 형성하고, 비아홀(36)의 내부를 구리로 채워 상부전극과 하부전극을 연결한다.
도 9는, 본 발명의 제2변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법으로, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄, 알루미늄, 구리를 순차적으로 증착한 후, 증착된 구리위에 구리를 도금한 상태를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 제2변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 설명한다.
본 발명의 제2변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법은,
본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 구성하는, 질화알루미늄 중간층을 형성하는 단계와,
이렇게 형성된 질화알루미늄 중간층위에,
본 발명의 제1변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 구성하는, 알루미늄 중간층과 구리 중간층을 형성하고, 그 구리 중간층위에 구리를 도금하는 단계를 혼합하여 용이하게 구성할 수 있다.
본 발명의 제2변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법을 사용하면, 서브마운트의 상면 및 하면과 비아홀의 내주면에 질화알루미늄, 알루미늄, 구리가 순차적으로 증착되고, 그 증착된 구리위에 구리가 도금됨으로써, 도 9에 도시된 바와 같은, 상면 및 하면에 상부전극과 하부전극이 각각 형성되고, 상부전극과 하부전극이 비아홀(36)을 통해 서로 연결된 서브마운트(33)를 얻을 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예 및 제2변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법에서 중간층을 형성하기 위해 사용된 질화알루미늄(AlN) 대신에, 질화티타늄(TiN), 질화크롬(CrN), 질화바나디움(VN), 질화니켈(NiN), 질화하프늄(HfN)이 사용될 수도 있다. 이러한 질화알루미늄(AlN), 질화티타늄(TiN), 질화크롬(CrN), 질화바나디움(VN), 질화니켈(NiN), 질화하프늄(HfN)을 사용하여 형성된 중간층을 질화물 중간층이라 정의한다.
한편, 본 발명의 제1변형예에 따른 엘이디 패키지의 전극 형성방법에서 중간층을 형성하기 위해 사용된 알루미늄(Al) 대신에, 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 바나디움(V), 니켈(Ni), 하프늄(Hf)이 사용될 수도 있다. 이러한 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 바나디움(V), 니켈(Ni), 하프늄(Hf)을 사용하여 형성된 중간층을 금속물 중간층이라 정의한다.
Claims (5)
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- 서브마운트의 상면 및 하면에 비아홀을 형성하고, 반응기에 상기 서브마운트를 장착하고, 진공펌프로 상기 반응기의 내부를 5X10-3 torr 이상의 진공으로 만들고, 상기 반응기에 N2와 Ar을 소량 넣고, 히터로 상기 반응기 내부의 온도를 950℃ 까지 서서히 올리는 제1단계;
상기 반응기 내부의 온도가 950℃에 도달한 후, N2와 Ar을 소량 흘려주고 30분간 유지시켜 상기 반응기 내부의 온도를 안정화시키고, 상기 반응기 내부의 온도가 안정화되면, 상기 반응기 내부로 AlCl3 와 H2 와 NH3를 흘려보내주고 2시간동안 유지시켜, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내주면에 질화알루미늄 중간층을 형성시키는 제2단계;
N2와 Ar와 NH3 를 소량 흘려주면서 950℃인 상기 반응기 내부의 온도를 300℃로 서서히 떨어뜨린 후, 300℃에서 30분간 유지하여 상기 반응기의 온도를 안정화시키고, 상기 반응기 내부로 Cu(hfac)2H2O 와 H2를 흘려보내주고 10시간동안 유지시켜, 상기 질화알루미늄 중간층위에 구리 중간층을 형성시키는 제3단계; 및
상기 구리 중간층위에 구리를 도금하여, 상기 서브마운트의 상면에 상부전극을 형성하고, 상기 서브마운트의 하면에 하부전극을 형성하고, 상기 비아홀의 내부를 구리로 채워 상부전극과 하부전극을 연결시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 전극 형성방법. - 서브마운트의 상면 및 하면에 비아홀을 형성하고, 반응기에 상기 서브마운트를 장착하고, 진공펌프로 상기 반응기의 내부를 5X10-3 torr 이상의 진공으로 만들고, 상기 반응기에 N2와 Ar을 소량 넣고, 히터로 상기 반응기 내부의 온도를 570℃ 까지 서서히 올리는 제1단계;
상기 반응기 내부의 온도가 570℃에 도달한 후, N2와 Ar을 소량 흘려주고 30분간 유지시켜 상기 반응기 내부의 온도를 안정화시키고, 상기 반응기 내부의 온도가 안정화되면, 상기 반응기 내부로 AlCl3 와 H2 를 흘려보내주고 2시간동안 유지시켜, 상기 서브마운트의 상면 및 하면과 상기 비아홀의 내주면에 알루미늄 중간층을 형성시키는 제2단계;
N2와 Ar와 NH3 를 소량 흘려주면서 570℃인 상기 반응기 내부의 온도를 300℃로 서서히 떨어뜨린 후, 570℃에서 30분간 유지하여 상기 반응기의 온도를 안정화시키고, 상기 반응기 내부로 Cu(hfac)2H2O 와 H2를 흘려보내주고 10시간동안 유지시켜, 상기 알루미늄 중간층위에 구리 중간층을 형성시키는 제3단계; 및
상기 구리 중간층위에 구리를 도금하여, 상기 서브마운트의 상면에 상부전극을 형성하고, 상기 서브마운트의 하면에 하부전극을 형성하고, 상기 비아홀의 내부를 구리로 채워 상부전극과 하부전극을 연결시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 전극 형성방법. - 삭제
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