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KR101481540B1 - 화학기상 증착장치 - Google Patents

화학기상 증착장치 Download PDF

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KR101481540B1
KR101481540B1 KR20120113212A KR20120113212A KR101481540B1 KR 101481540 B1 KR101481540 B1 KR 101481540B1 KR 20120113212 A KR20120113212 A KR 20120113212A KR 20120113212 A KR20120113212 A KR 20120113212A KR 101481540 B1 KR101481540 B1 KR 101481540B1
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진주
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전북대학교산학협력단
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Abstract

본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 공정가스가 공급되며 내부로 기판이 반입되는 챔버 및 상기 챔버의 내부에서 상기 공정가스를 확산시키는 샤워헤드 및 상기 샤워헤드에 마주하도록 배치되어 상기 기판이 안착되는 기판 안착 홈이 형성되고, 상부면에 커버부재가 구비되는 서셉터를 포함하여 상기 기판 상에 지르코늄 질화물을 격자 성장시키는 것을 특징으로 한다.

Description

화학기상 증착장치{Apparatus for chemical vapor deposition apparatus}
본 발명은 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 질화물 결정을 성장시키는 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 화학기상 증착장치는 갈륨 질화물을 기판에 증착시키기 위해 사용될 수 있다. 이 갈륨 질화물은 청색과 녹색 엘이디를 제조하기 위한 기본적인 물질이다. 갈륨 질화물 엘이디는 화학기상 증착장치를 이용한 금속 유기물 기상 에피텍셜(MOVPE: Metalorganic vapor phase epitaxy) 공정에 의하여 생성될 수 있다.
종래에는 갈륨 질화물 기반의 엘이디를 제조하기 위해서 주로 사파이어 기판을 사용하였다. 그러나 근래에는 보다 다양한 기판이 사용되고 있는데, 예를 들어 벌크 갈륨 질화물 기판 및 실리콘 기판 등이 사용되고 있다. 이러한 기판들이 사용되는 이유는 고품질의 갈륨 질화물 엘이디를 저비용으로 제조하기 위한 것이다. 그러나 사실 상 종래의 기술은 고품질의 엘이디를 저비용으로 제조하기 힘든 문제점을 가지고 있다.
보다 구체적으로 살펴보면, 청색 또는 녹색 파장의 광을 발생시키는 엘이디는 갈륨 질화물을 이용하여 성장시키고, 적색 파장의 광을 발생시키는 엘이디는 갈륨 아세나이드(GaAs: Gallium arsenide)를 이용하여 성장시킨다. 이와 같이 광의 파장에 따라 다른 물질을 이용한 기판을 사용하여야 하고, 이를 위한 증착장비와 에피택시 방법이 서로 다르기 때문에 기판과 장비의 사용효율이 떨어지는 문제점이 있다.
그리고 일반적으로 큰 엘이디 칩을 제조하는 경우, 특히 P형 갈륨 질화물과 N형 갈륨 질화물에서 전류의 확산이 잘 이루어지지 않는 문제점이 있다. 이에 따라 교류 엘이디를 멀티 어레이 마스크로 제조하여 각각의 칩에서 전류가 보다 잘 전달되도록 하였다. 그러나 이러한 방법은 마스크 면으로 인하여 발광 면적을 현저히 낮춰 발광 효율을 느리게 하고, 또한 각 PN접합을 연결하는 소자의 문제 발생 시 발광이 이루어지지 않게 되는 문제점이 있다.
이에 알루미늄 질화물(AIN: Aluminium nitride)의 성장을 보조해주면서 사파이어 물질처럼 열팽창계수가 비슷하여 표면의 크랙을 막아주는 물질이 필요하고, 상기 물질을 기반으로 청색, 녹색 및 적색 엘이디를 단일의 증착장치에서 생산할 수 있는 화학기상 증착장치가 요구되고 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 기판 상에 지르코늄 질화물을 성장시키는 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 공정가스가 공급되며 내부로 기판이 반입되는 챔버 및 상기 챔버의 내부에서 상기 공정가스를 확산시키는 샤워헤드 및 상기 샤워헤드에 마주하도록 배치되어 상기 기판이 안착되는 기판 안착 홈이 형성되고, 상부면에 커버부재가 구비되는 서셉터를 포함한다.
상기 커버부재의 재질은 석영을 포함할 수 있다.
상기 샤워헤드의 내부에는 이격 적층되는 복수 개의 공급층이 형성되고, 상기 복수 개의 공급층 중 적어도 어느 하나에는 지르코늄(Zr: Zirconium)을 포함하는 제 1공정가스가 공급될 수 있다.
상기 샤워헤드는 상기 제 1공정가스가 공급되는 제 1공급층과, 상기 제 1공급층의 하부에 구비되어 제 2공정가스가 공급되는 제 2공급층과, 상기 제 2공급층의 하부에 구비되어 제 3공정가스가 공급되는 제 3공급층과, 상기 제 1공급층의 내부로부터 상기 샤워헤드의 저면을 관통하도록 구비되는 제 1공급관과, 상기 제 2공급층의 내부로부터 상기 샤워헤드의 저면을 관통하도록 구비되는 제 2공급관과, 상기 제 3공급층의 내부로부터 상기 샤워헤드의 저면을 관통하도록 구비되는 제 3공급관을 포함할 수 있다.
상기 제 2공정가스는 유기금속가스를 포함하고, 상기 제 3공정가스는 암모니아(NH3: Ammonia)를 포함할 수 있다.
상기 샤워헤드의 내부는 구획될 수 있다.
상기 샤워헤드는 상기 샤워헤드의 내벽으로부터 이격 배치된 제 1격벽에 의해 상기 샤워헤드의 내벽과 상기 제 1격벽 사이에 형성되는 환형의 제 1구획실과, 상기 제 1격벽의 내측에서 상기 제 1격벽으로부터 이격 배치된 제 2격벽에 의해 제 1격벽과 제 2격벽 사이에 형성된 환형의 제 2구획실과, 상기 제 2격벽의 내측에 형성된 제 3구획실을 포함할 수 있다.
상기 공정가스는 상기 제 1, 2, 3구획실의 내부로 각각 공급되며, 상기 제 1, 2, 3구획실의 내부로 각각 유입되는 상기 공정가스의 유량은 상이할 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 챔버 내부에 진공분위기를 형성하는 제 1배기유닛과, 상기 챔버의 내부에서 확산되는 세정가스를 스크러버(Scrubber)로 배기하는 제 2배기유닛을 더 포함하되, 상기 제 1, 2배기유닛은 선택적으로 운용될 수 있다.
상기 기판에는 지르코늄 질화물(ZrN: Zirconium nitride)이 격자 성장될 수 있다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 공정에서 격자 성장된 지르코늄 질화물(ZrxNy)과 갈륨 질화물(GaN)의 격자 결합 효율이 우수하여 고성능의 엘이디를 저비용으로 제조 가능하게 하는 효과가 있고, 일례의 지르코늄 질화물(Zr3N4)의 경우에는 다이렉드 밴드갭(Direct band gap)으로 녹색 엘이디(Green LED)를 성장시키기에 매우 유리한 효과가 있다.
또한 화학기상 증착장치에 의해 성장된 일례의 인듐 지르코늄은 엘이디의 멀티 양자 우물(MQW: Multi quantum well) 성장 시에 인듐(In)을 대체하여 이용될 수 있으며, 이 경우 녹색 엘이디 및 적색 엘이디를 제조하기에 매우 유리한다.
또한 지르코늄 질화물(ZrN 또는 Zr3N4)을 에피텍셜의 인터레이어(Interlayer)로 이용하여 확산전류를 보다 양호하게 할 수 있으므로 크기가 큰 엘이디 칩의 적용에도 매우 유리하고 실리콘 기판에 대한 열팽창이나 크랙을 방지하는 효과도 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 제 3가스공급유닛을 나타낸 개념도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 제 3가스공급유닛을 나타낸 개념도이다.
도 5는 본 실시예에 따른 화학기상 증착방법을 나타낸 블록도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 상세히 설명하도록 한다. 또한 첨부된 도면에서는 구성 요소의 형상을 보다 명확하게 설명하기 위해 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 구성 요소는 동일한 구성 요소를 의미한다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100, Chemical vapor deposition apparatus)는 챔버(110), 샤워헤드(120), 가스공급유닛(130) 및 서셉터(140)를 포함한다.
챔버(110)는 화학기상 증착장치(100)의 몸체를 형성하며, 게이트 밸브(110a, Gate valve)를 통해 챔버(110)의 내부로 반입되는 기판(S)의 증착 공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 이때 챔버(110)는 기판(S)의 증착 효율을 높일 수 있도록 능동적으로 제어되는 가스 공급관(150)을 제외하고는 외부와 차단되도록 기밀된 상태가 유지될 수 있다. 그리고 챔버(110)의 몸체는 공정에 따라 내부 공간의 분위기가 효과적으로 제어될 수 있도록 단열 재질로 구비될 수 있다.
또한 챔버(110)에는 적어도 하나의 배기유닛(111)이 연결될 수 있다. 예를 들어 본 실시예에서는 선택적으로 운용되는 제 1, 2배기유닛(111a, 111b)이 챔버(110)에 연결될 수 있다. 제 1배기유닛(111a)은 챔버(110)의 내부에 진공 분위기를 형성하기 위해 구비된다. 그리고 제 2배기유닛(111b)은 증착 공정 이후에 챔버(110)의 내부로 유입되는 세정가스를 배기하여 세정가스가 습식 스크러버(W, Wet Scrubber)로 유입되도록 할 수 있다. 이러한 제 1, 2배기유닛(111a, 111b)으로는 고진공 분자 펌프(TMP: Turbo Molecular pump) 및 드라이 펌프(Dry pump) 등이 사용될 수 있다.
한편 샤워헤드(120)는 챔버(110) 내부의 상측에 구비된다. 샤워헤드(120)는 외부에 구비된 가스공급유닛(130)으로부터 가스 공급관(150)을 통해 유입되는 공정가스(G1, G2, G3)를 공정 공간으로 확산시켜 기판(S)의 증착공정이 이루어지도록 한다. 예를 들어 샤워헤드(120)는 공급층(121), 냉각층(122) 및 격벽(123)을 포함할 수 있다.
먼저 공급층(121)은 샤워헤드(120)의 내부에서 이격 적층되는 제 1, 2, 3공급층(121a, 121b, 121c)으로 형성될 수 있다. 제 1공급층(121a)은 샤워헤드(120)의 최상위층으로 구비되며, 제 1가스공급유닛(131)으로부터 지르코늄(Zr: Zirconium)가스를 포함하는 제 1공정가스(G1)가 제 1가스 공급관(151)을 통해 공급될 수 있다. 그리고 제 1공급층(121a)에는 제 1공급층(121a)의 내부로부터 샤워헤드(120)의 저면을 관통하는 복수 개의 제 1공급관(121aa)이 설치되어 제 1공정가스(G1)가 공정 공간으로 확산되도록 한다. 이때 제 1가스 공급관(151) 및 제 1공급관(121aa) 그리고 필요한 경우 제 1공급층(121a)에는 대략 50~90도의 온도로 유지되는 히팅 자켓(121ab)이 구비되어 지르코늄 가스가 관로 상에서 증착되는 것을 방지시킬 수 있다.
제 2공급층(121b)은 제 1공급층(121a)의 하부에 구비되며, 제 2가스공급유닛(132)으로부터 유기금속가스들을 포함하는 제 2공정가스(G2)가 제 2가스 공급관(152)을 통해 공급될 수 있다. 이때 유기금속가스는 Ⅲ족 가스인 트리메틸 갈륨(TMGa: Trimethyl gallium), 트리메탈 인듐(TMI: Trimethyl indium) 및 트리메탈 알루미늄(TMA: Trimethyl aluminium) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그리고 제 2공급층(121b)에는 제 2공급층(121b)의 내부로부터 샤워헤드(120)의 저면을 관통하는 복수 개의 제 2공급관(121ba)이 설치되어 제 2공정가스(G2)가 공정 공간으로 확산되도록 한다.
제 3공급층(121c)은 제 2공급층(121c)의 하부에 구비되며, 제 3가스공급유닛(133)으로부터 Ⅴ족 가스를 포함하는 제 3공정가스(G3)가 제 3가스 공급관(153)을 통해 공급될 수 있다. 이때 제 3공정가스(G3)는 Ⅴ족 가스인 암모니아(NH3: Ammonia)를 포함할 수 있다. 그리고 제 3공급층(121c)에는 제 3공급층(121c)의 내부로부터 샤워헤드(120)의 저면을 관통하는 복수 개의 제 3공급관(121ca)이 설치되어 제 3공정가스(G3)가 공정 공간으로 확산되도록 한다.
냉각층(122)은 제 3공급층(121c)의 하부 즉, 샤워헤드(120)의 최하위층에 구비된다. 냉각층(122)에는 물과 같은 냉매가 유통되도록 냉매 입구(122a)와 출구(122b)가 형성된다.
상기 복수 개의 공급층(121) 및 냉각층(122)은 도 2에 도시된 바와 같이, 일체형으로 구비될 수 있으며, 필요에 따라 복수 개로 분할 형성되어 오링등과 같은 실링부재에 의해 각각의 층의 기밀을 유지하면서 탈착 가능하도록 구비될 수 있다.
한편, 격벽(123)은 공급층(121)의 내부를 구획하여 샤워헤드(120)의 내부에 복수 개의 구획실(R)이 형성되도록 할 수 있다. 예를 들어 격벽(123)은 대략 원통형으로 구비되는 제 1, 2격벽(123a, 123b)을 포함할 수 있다.
먼저, 제 1격벽(123a)은 샤워헤드(120)의 내벽으로부터 이격 배치되어 샤워헤드(120)의 내벽과 제 1격벽(123a) 사이에 환형의 제 1구획실(R1)이 형성되도록 한다. 그리고 제 2격벽(123b)은 제 1격벽(123a)의 내측에서 제 1격벽(123a)으로부터 이격 배치되어 제 1격벽(123a)과 제 2격벽(123b) 사이에 환형의 제 2구획실(R2)을 형성함과 동시에 제 2격벽(123b)의 내측에 제 3구획실(R3)이 형성되도록 할 수 있다. 제 1, 2격벽(123a, 123b)은 복수 개의 공급층(121) 전체에 설치될 수 있으며 필요에 따라 선택된 공급층에만 설치될 수 있다.
한편 제 1, 2, 3구획실(R1, R2, R3)은 각각 기밀된 상태가 유지되는 바, 개별적인 가스공급이 이루어져야 한다. 따라서 제 1, 2, 3가스 공급관(151, 152, 153)은 각각 복수 개로 구비되어 제 1, 2, 3구획실(R1, R2, R3)에 각각 연통되도록 설치될 수 있다. 이때 제 1, 2, 3구획실(R1, R2, R3)의 내부로 유입되는 공정가스들(G1, G2, G3)의 유량은 서로 상이할 수 있다. 일례로 히터(143)에 의해 간접 가열되는 복수 개의 기판(S)의 온도가 서로 상이할 수 있는 바, 제 1, 2, 3구획실(R1, R2, R3)의 내부로 각각 공급되는 공정가스들(G1, G2, G3)의 유량이 조절되며 공급될 수 있다.
한편 서셉터(140)는 샤워헤드(120)의 하부에 구비된다. 서셉터(140)에는 기판(S)이 안착되는 기판 수용 홈(141)이 형성된다. 서셉터(140)는 챔버(110) 외부에 설치된 모터(142)에 의해 회전 가능하며 내부에 기판(S)을 간접 가열하기 위한 히터(143)가 설치될 수 있다. 히터(143)는 알에프 히터 또는 텅스텐 히터로 구비될 수 있으며, 서셉터(140)의 여러 구역에 대한 개별 히팅 제어가 가능하도록 복수 개의 히터(143)로 구비될 수 있다.
또한 서셉터(140)에는 커버부재(144)가 구비된다. 예를 들어 커버부재(144)는 기판 수용 홈(141)을 제외한 서셉터(140)의 상부면에 구비될 수 있다. 이 커버부재(144)의 재질은 석영을 포함하도록 구비되어 서셉터(140)의 상부면에 오염이 발생될 경우 세정이 용이하게 진행되도록 하고, 세정가스로 인한 서셉터(140)의 부식이 방지되도록 할 수 있다.
일례로 증착 공정에서는 트리메틸 알루미늄 가스가 사용될 수 있다. 따라서 서셉터(140)의 상부면에는 알루미늄이 증착될 수 있고, 이 알루미늄을 세정하기 위해서 염화수소(HCL: Hydrogen chloride)를 포함한 세정가스가 이용될 수 있다. 이 과정에서 서셉터(140)에는 부식이 발생될 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 서셉터(140)의 경우 상부면에 커버부재(144)가 형성됨에 따라 세정가스로 인해 서셉터(140)의 상부면에 부식이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 제 3가스공급유닛을 나타낸 개념도이고, 도 4는 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 제 3가스공급유닛을 나타낸 개념도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 제 3가스공급유닛(133)은 암모니아(133b)를 포함하는 제 3공정가스(G3)를 제 3공급층(121c)에 공급하기 위하여 구비될 수 있다.
본 실시예에서는 암모니아(133b)를 제 3공급층(121c)에 공급하기 위하여 캐리어 가스(Carrier gas)로 불활성 기체인 질소(133a, N2: Nitrogen)와 수소(133c, H2: Hydrogen)가 사용될 수 있다. 따라서 암모니아(133b)와 캐리어 가스(133a, 133c)가 제 3공급층(121c)으로 공급되는 관로 상에 기체유량조절기(133d, MFC: Mass Flow Controller)가 배치되어 유량이 제어된 제 3공정가스(G3)가 제 3공급층(121c)에 공급되도록 할 수 있다. 그리고 제 3가스공급유닛(133)은 필요에 따라 복수 개로 구비되어 구획된 제 3공급층(121c)에 제 3공정가스(G3)가 각각 유입되도록 할 수 있다.
한편 제 3가스공급유닛(133)은 도 4에 도시된 바와 같이, 복수 개의 기체유량조절기(133da, 133db)를 포함하도록 구비될 수 있다. 예를 들어 제 1기체유량조절기(133da)는 질소(133a)와 수소(133c)의 유량을 제어하여 제 3공급층(121c)에 연결된 관로 상에 캐리어 가스(133a, 133c)가 공급되도록 할 수 있고, 제 2기체유량조절기(133db)는 암모니아(133b)의 유량을 제어하여 캐리어 가스(133a, 133c)가 공급되고 있는 관로 상에 암모니아(133b)가 공급되도록 하여 제 3공정가스(G3)가 제 3공급층(121c)에 공급되도록 할 수 있다. 그리고 제 3가스공급유닛(133)은 필요에 따라 복수 개로 구비되어 구획된 제 3공급층(121c)에 제 3공정가스(G3)가 각각 유입되도록 할 수 있다.
도 5는 본 실시예에 따른 화학기상 증착방법을 나타낸 블록도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 화학기상 증착방법은 화학기상 증착장치(100)의 서셉터(140)에 형성된 기판 안착 홈(141)에 기판(S)을 안착시킨다(S10). 그리고 서셉터(140)를 회전시키면서 소정 온도로 가열한다(S20). 이후 챔버(110) 내부로 테트라키스(Tetrakis: ethylmethylamino) 지르코늄(TEMAZr)가스와 암모니아 가스를 공급하여 기판(S) 상에 지르코늄 질화물(ZrN: Zirconium nitride) 결정을 격자 성장시킨다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100 : 화학기상 증착장치
110 : 챔버
120 : 샤워헤드
130 : 가스공급유닛
140 : 서셉터
150 : 가스 공급관

Claims (10)

  1. 공정가스가 공급되며 내부로 기판이 반입되는 챔버;
    상기 챔버의 내부에서 상기 공정가스를 확산시키는 샤워헤드; 및
    상기 샤워헤드에 마주하도록 배치되어 상기 기판이 안착되는 기판 안착 홈이 형성되고, 상부면에 커버부재가 구비되는 서셉터를 포함하며,
    상기 샤워헤드는 상기 샤워헤드의 내벽으로부터 이격 배치된 제 1격벽에 의해 상기 샤워헤드의 내벽과 상기 제 1격벽 사이에 형성되는 환형의 제 1구획실과, 상기 제 1격벽의 내측에서 상기 제 1격벽으로부터 이격 배치된 제 2격벽에 의해 제 1격벽과 제 2격벽 사이에 형성된 환형의 제 2구획실과, 상기 제 2격벽의 내측에 형성된 제 3구획실을 포함하고,
    상기 공정가스는 상기 제 1, 2, 3구획실의 내부로 각각 공급되며, 상기 제 1, 2, 3구획실의 내부로 각각 유입되는 상기 공정가스의 유량은 상이한 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 커버부재의 재질은 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 샤워헤드의 내부에는 이격 적층되는 복수 개의 공급층이 형성되고, 상기 복수 개의 공급층 중 적어도 어느 하나에는 지르코늄(Zr: Zirconium)을 포함하는 제 1공정가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 샤워헤드는 상기 제 1공정가스가 공급되는 제 1공급층과, 상기 제 1공급층의 하부에 구비되어 제 2공정가스가 공급되는 제 2공급층과, 상기 제 2공급층의 하부에 구비되어 제 3공정가스가 공급되는 제 3공급층과, 상기 제 1공급층의 내부로부터 상기 샤워헤드의 저면을 관통하도록 구비되는 제 1공급관과, 상기 제 2공급층의 내부로부터 상기 샤워헤드의 저면을 관통하도록 구비되는 제 2공급관과, 상기 제 3공급층의 내부로부터 상기 샤워헤드의 저면을 관통하도록 구비되는 제 3공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  5. 제 4항에 있어,
    상기 제 2공정가스는 유기금속가스를 포함하고, 상기 제 3공정가스는 암모니아(NH3: Ammonia)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버 내부에 진공분위기를 형성하는 제 1배기유닛과, 상기 챔버의 내부에서 확산되는 세정가스를 스크러버(Scrubber)로 배기하는 제 2배기유닛을 더 포함하되, 상기 제 1, 2배기유닛은 선택적으로 운용되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 기판에는 지르코늄 질화물(ZrN: Zirconium nitride)이 격자 성장되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
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