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KR101420571B1 - 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 - Google Patents

드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 Download PDF

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KR101420571B1
KR101420571B1 KR1020130079083A KR20130079083A KR101420571B1 KR 101420571 B1 KR101420571 B1 KR 101420571B1 KR 1020130079083 A KR1020130079083 A KR 1020130079083A KR 20130079083 A KR20130079083 A KR 20130079083A KR 101420571 B1 KR101420571 B1 KR 101420571B1
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KR
South Korea
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dry film
hydroxide
film resist
compound
weight
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Active
Application number
KR1020130079083A
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English (en)
Inventor
조은인
오용수
이수흥
손명찬
지영식
이태곤
이경상
정세환
김병욱
윤석일
정종현
허순범
황종원
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
삼성전기주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 하이드록사이드계 화합물, 사슬형 아민화합물, 트리아졸 화합물, 및 순수를 일정 혼합비로 포함한 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법에 관한 것으로서, 드라이필름 레지스트를 완전히 제거함과 동시에 금속층의 부식을 방지하고 박리제의 재사용이 가능한 우수한 장점이 있다.

Description

드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 {REMOVER COMPOSITION FOR DRYFILM RESIST AND REMOVING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법에 관한 것이다.
볼 그리드 어레이 (Ball Grid Array, BGA) 제품의 고성능화, 소형화, 및 박막화의 요구가 증대됨에 따라 플립칩 칩 스케일 패키지 (Flip Chip Chip Scale Package, FCCSP)가 개발되었으며, 우수한 성능으로 인하여 그 수요가 점차 증대되는 추세이다. FCCSP는 칩 (chip)과 인쇄회로기판 (Printed Circuit Board, PCB)을 와이어 본딩 (wire bonding)이 아닌 범프 (bump)를 이용하여 연결하는 방식을 이용한다. 한편, 종래에는 메탈 마스크 프린팅 (Metal Mask Printing, MMP)공법을 이용하여 범프를 제작하였으나, 최근들어 범프 피치 (pitch) 미세화 및 생산성 확보를 위해 드라이필름 레지스트 (Dry Film Resist, DFR)를 이용한 블루 스텐실 프린팅 (Blue Stencil Printing, BSP)공법이 개발되었다.
상기 BSP공법은 범프 형성이나 생산성 확보에는 유리하지만 드라이필름 사용 및 강알칼리 용액 적용 등에 의하여 MMP공법 대비 유기물 오염 불량이 증가되고 금속 손상이 발생 되는 문제점이 있었다. 따라서, 이러한 BSP공법에 적합한 새로운 박리제의 개발이 절실히 요구되는 실정이었다.
한편, 특허문헌 1에서는 인쇄회로기판용 박리제 조성물이 개시되어 있으나, 드라이필름 레지스트가 아닌 포토 레지스트를 박리시키는 용도로써, 제거물질을 완전히 제거시키지 못하고 기판상에 잔사가 남아있는 문제점이 있었다.
특허문헌 1: 한국 공개특허 제2000-0046480호
이에 본 발명에서는 하이드록사이드계 화합물, 사슬형 아민 화합물, 트리아졸 화합물을 포함하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물을 제공함으로써, 기판상의 드라이필름 레지스트 잔사가 남아있는 것을 방지하고, 금속층의 부식을 최소화 시킬 수 있었고, 본 발명은 이에 기초하여 완성되었다.
따라서, 본 발명의 제1 관점은 기판상의 드라이필름 레지스트 잔사를 완전히 제거하고, 금속층의 부식을 최소화 하기위하여 하이드록사이드계 화합물, 사슬형 아민 화합물, 트리아졸 화합물을 포함하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 관점은 상기 드라이필름 레지스트 박리제 조성물을 이용하여 드라이필름 레지스트를 제거하는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 제1 관점을 달성하기 위한 본 발명의 대표적인 구현 예에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 (이하 "제1 발명"이라 함)은 하이드록사이드계 화합물; 사슬형 아민화합물; 트리아졸 화합물; 및 순수 (H2O);를 포함한다.
제1 발명에 있어서, 상기 조성물은 0.5 내지 15 중량%의 하이드록사이드계 화합물, 1 내지 40 중량%의 사슬형 아민화합물, 0.5 내지 5 중량%의 트리아졸 화합물 및 나머지는 순수를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 조성물은 0.5 내지 5 중량%의 하이드록사이드계 화합물, 5 내지 15 중량%의 사슬형 아민화합물, 0.5 내지 5 중량%의 트리아졸 화합물 및 나머지는 순수를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 조성물은 글리콜, 유기산, 계면활성제, 유기용매, 소포제, 또는 이들의 혼합물을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 하이드록사이드계 화합물은 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 트리메틸벤질 암모늄 하이드록사이드, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민, 프로판올 아민, 디프로판올 아민, 트리프로판올 아민, 이소프로판올 아민, 디이소프로판올 아민, 트리이소프로판올 아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, N,N-디메틸에탄올 아민, N,N-디에틸에탄올 아민, N-메틸에탄올 아민, N-에틸에탄올 아민, N-부틸에탄올 아민 및 N-메틸에탄올 아민으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올 아민인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 트리아졸 화합물은 톨리트리아졸인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 순수 (H2O)는 비저항이 18 (MΩ) 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 관점을 달성하기 위한 드라이필름 레지스트의 제거방법 (이하 "제2 발명"이라 함)은 소정의 회로패턴이 형성된 기판상에 드라이필름을 라미네이션시키는 단계; 상기 라미네이션된 드라이필름을 부분적으로 노광시켜 드라이필름 노광부 및 드라이필름 비노광부를 형성시키는 단계; 상기 드라이필름 비노광부를 현상 및 제거시켜 개구부를 형성시키는 단계; 상기 개구부가 형성된 회로패턴 상에 솔더볼을 장착시키는 단계; 및
상기 본 발명의 다양한 구현 예에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물을 상기 드라이필름 노광부에 접촉시키는 단계;를 포함한다.
제2 발명에 있어서, 상기 드라이필름 레지스트의 제거방법은 상기 접촉시키는 단계 이후에 드라이필름 레지스트 잔사를 수세시키는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다양한 구현 예들에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물은 상기 박리제와 접촉되는 금속층의 부식을 최소화함과 동시에 드라이필름 레지스트를 완전히 제거할 수 있는 우수한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현 예에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물을 이용하여 드라이필름 레지스트를 제거하는 방법을 나타내는 공정도이다.
도 2a는 일반적인 금 패드 (Au pad)를 나타내는 사진이다.
도 2b는 본 발명의 실시 예 3에 따른 드라이필름 레지스트 박리액을 이용하여 금 패드 상의 드라이필름 레지스트 박리력을 측정한 결과값을 나타내는 사진이다.
도 2c는 본 발명의 비교 예 2에 따른 드라이필름 레지스트 박리액을 이용하여 금 패드 상의 드라이필름 레지스트 박리력을 측정한 결과값을 나타내는 사진이다.
도 3a는 일반적인 솔더볼 (Sn/Pb)을 나타내는 사진이다.
도 3b는 본 발명의 실시 예 3에 따른 드라이필름 레지스트 박리액을 이용하여 솔더볼 표면의 부식 여부를 측정한 결과값을 나타내는 사진이다.
도 3c는 본 발명의 비교 예 2에 따른 드라이필름 레지스트 박리액을 이용하여 솔더볼 표면의 부식 여부를 측정한 결과값을 나타내는 사진이다.
도 4a는 일반적인 구리 패드 (Cu pad)를 나타내는 사진이다.
도 4b는 본 발명의 실시 예 3에 따른 드라이필름 레지스트 박리액을 이용하여 구리 패드 표면의 부식 여부를 측정한 결과값을 나타내는 사진이다.
도 4c는 본 발명의 비교 예 2에 따른 드라이필름 레지스트 박리액을 이용하여 구리 패드 표면의 부식 여부를 측정한 결과값을 나타내는 사진이다.
본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하기 전에, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어서는 아니되며, 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절히 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예의 구성은 본 발명의 바람직한 하나의 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 대표적인 구현 예에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물은 하이드록사이드계 화합물, 사슬형 아민 화합물, 트라아졸 화합물 및 순수를 포함한다.
하이드록사이드계 화합물
본 발명의 대표적인 구현 예에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 내의 하이드록사이드계 화합물은 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드이다. 상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드 (Tetraethyl ammonium hydroxide), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 (Tetramethyl ammonium hydroxide), 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드 (Tetrabutyl ammonium hydroxide), 트리메틸벤질 암모늄 하이드록사이드 (trimethylbenzil ammonium hydroxide), 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으며, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드를 사용하는 것이 가장 적절하다.
상기 박리제 조성물에서 하이드록사이드계 화합물은 특별히 제한되지는 않으나 0.5 내지 15 중량%의 함량을 가질 수 있으며, 특히 0.5 내지 5 중량%의 함량을 사용하는 것이 적절할 수 있다. 상기 하이드록사이드계 화합물의 사용량이 0.5 중량% 미만이면 드라이필름 레지스트를 구성하고 있는 고분자 물질로의 침투 능력이 떨어져서 상기 드라이필름 레지스트를 완전하게 제거하기 어려울 수가 있고, 15 중량%를 초과하면 드라이필름 레지스트의 제거하는 시간이 길어지게 되어 금속막이 부식되는 악영향을 주는 경우가 생길 수도 있다.
사슬형 아민 화합물
본 발명의 대표적인 구현 예에 다른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 내의 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올 아민 (monoethanol amine), 디에탄올 아민 (diethanol amine), 트리에탄올 아민 (triethanol amine), 프로판올 아민 (propanol amine), 디프로판올 아민 (dipropanol amine), 트리프로판올 아민 (tripropanol amine), 이소프로판올 아민 (isopropanol amine), 디이소프로판올 아민 (diisopropanol amine), 트리이소프로판올 아민 (triisopropanol amine), 2-(2-아미노에톡시)에탄올 (2-(2-aminoethoxy)ethanol), 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올 (2-(2-aminoethylamino)ethanol), N,N-디메틸에탄올 아민 (N,N-dimethylethanol amine), N,N-디에틸에탄올 아민 (N,N-diethylethanol amine), N-메틸에탄올 아민 (N-methylethanol amine), N-에틸에탄올 아민 (N-ethylethanol amine), N-부틸에탄올 아민 (N-butylethanol amine) 및 N-메틸에탄올 아민 (N-methylethanol amine)으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 사용할 수 있으며, 모노에탄올 아민을 사용하는 것이 가장 적절하다.
상기 박리제 조성물에서 사슬형 아민 화합물은 특별히 제한되지는 않으나 1 내지 40 중량%의 함량을 가질 수 있으며, 특히 5 내지 15 중량%의 함량을 사용하는 것이 적절할 수 있다. 상기 사슬형 아민 화합물의 사용량이 1 중량% 미만이면 드라이필름 레지스트를 완전하게 제거하기 어려울 수가 있고, 40 중량%를 초과하면 상기 박리제 조성물에 포함되는 다른 물질의 함유량이 떨어지게 되어 드라이필름 레지스트를 제거하는 시간이 길어지게 되고, 금속막을 부식시킬 수도 있다.
트리아졸 화합물
본 발명의 대표적인 구현 예에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 내의 트리아졸 화합물은 부식방지제로써, 상기 트리아졸 화합물에 포함되어 있는 작용기가 금속막에 화학적 또는 물리적으로 결합한다. 상기 트리아졸 화합물에 의해서 전해질 역할을 하는 박리제와 금속막 간의 전자가 교환되는 것이 원천적으로 방지되어 금속막이 산화되지 않고, 부식이 발생하지 않는다. 상기 트리아졸 화합물로는 톨리트리아졸 (tolyltriazole)을 사용하는 것이 가장 적절하다.
상기 박리제 조성물에서 트리아졸 화합물은 특별히 제한되지는 않으나 0.5 내지 5 중량%의 함량을 사용하는 것이 적절할 수 있으며, 0.5 중량% 미만이면 아민 화합물이 포함된 드라이필름 레지스트 박리액에서 부식방지의 역할을 제대로 수행하지 못할 수도 있고, 5 중량%를 초과하면 상기 박리제 조성물에 포함되는 다른 물질의 함유량이 떨어지게 되어 드라이필름 레지스트를 완전히 제거시킬 수 없게 되어 경제성이 떨어지게 될 수도 있다.
순수 ( H 2 O )
본 발명의 대표적인 구현 예에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 내의 순수는 이온교환수지를 통해 여과된 순수를 사용하며, 비저항이 18 (MΩ) 이상인 것이 적절할 수 있다.
상기 박리제 조성물에서 순수의 사용량은 특별히 제한되지는 않으나, 상기 언급된 다른 조성물의 조성비에 영향을 받지 않을 정도의 양을 사용할 수 있다.
드라이필름 레지스트 박리제 조성물은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 다른 성분들을 추가로 포함할 수 있다. 이러한 성분으로는 글리콜, 유기산, 계면활성제, 유기용매, 소포제, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
상기 글리콜은 에틸렌 글리콜 모노부틸에테르 (ethyleneglycol monobutyl ether), 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 (diethylene glycol monomethylether), 디에틸렌 글리콜 모노부틸에테르 (diethylene glycol monobutylether), 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르 (diethylene glycol monoethylether), 에틸렌 글리콜 (ethylene glycol), 헥실렌 글리콜 (hexylene glycol) 및 글리세롤 (glycerol)로 이루어진 군으로부터 하나 이상 사용할 수 있다.
상기 유기산은 아세트산 (acetic acid), 시트르산 (citric acid), 옥살산 (oxalic acid) 및 카프릴산 (caprylic acid)으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 사용할 수 있다.
상기 유기용매는 디메틸설폭사이드 (dimethylsulfoxide)를 사용하는 것이 가장 적절하다.
본 발명의 대표적인 구현 예에 따른 박리제 조성물을 이용하여 드라이필름 레지스트를 제거하는 방법은 도 1에 도시된 바와 같은 공정도를 통해 알 수 있다. 소정의 회로패턴 (10)이 형성된 기판 (100) 상에 드라이필름 (20)을 라미네이션 하고, 라미네이션된 상기 드라이필름을 부분적으로 노광시켜서 드라이필름 노광부 (22) 및 드라이필름 비노광부 (21)를 형성시킨다. 상기 드라이필름 노광부 (21)는 현상액으로 제거시켜서 개구부를 형성하고, 상기 개구부의 회로패턴 (10) 상에 솔더볼 (30)을 형성한다. 그런 다음, 본 발명의 드라이필름 레지스트 박리제 조성물을 이용하여 드라이필름 비노광부 (21)를 제거한다. 본 발명의 상기 박리제 조성물을 이용함으로써 드라이필름 비노광부 (21)의 하층에 존재하는 회로패턴 (10) 및 상기 회로패턴 (10) 상에 올려진 솔더볼 (30)의 부식을 최소화함과 동시에 드라이필름 비노광부 (21)를 완전히 제거할 수 있는 우수한 효과가 있다. 또한, 본 발명에 적용되는 상기 박리제 조성물은 드라이필름 비노광부 (21)를 제거하는 과정에서, 상기 드라이필름 비노광부 (21) 잔사가 박리제 조성물에 용해되지 않기 때문에 추후에도 상기 박리제 조성물을 재사용 할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 상기 드라이필름 레지스트를 제거하는 방법은 드라이필름 비노광부 (21)를 제거한 후에 드라이필름 레지스트 잔사를 수세시키는 과정을 더욱 수행할 수 있다.
이하 실시 예 및 비교 예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보지만, 하기 예에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
실시 예 1 ~ 15
하기 표 1에 기재되어 있는 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 드라이필름 레지스트용 박리액을 제조하였다.
비교 예 1 ~ 5
마찬가지로, 하기 표 1에 기재되어 있는 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 드라이필름 레지스트용 박리액을 제조하였다.
구분 TMAH
(중량%)		 NMP
(중량%)		 MEA
(중량%)		 TT
(중량%)		 NaOH
(중량%)		 HMTA
(중량%)		 순수 (H2O)
(중량%)
실시 예 1 5.0 8.0 3.0 84.0
실시 예 2 4.0 8.0 3.0 85.0
실시 예 3 3.0 8.0 3.0 86.0
실시 예 4 2.0 8.0 3.0 87.0
실시 예 5 1.0 8.0 3.0 88.0
실시 예 6 3.0 14.0 3.0 80.0
실시 예 7 3.0 12.0 3.0 82.0
실시 예 8 3.0 10.0 3.0 84.0
실시 예 9 3.0 9.0 3.0 85.0
실시 예 10 3.0 6.0 3.0 88.0
실시 예 11 3.0 8.0 5.0 84.0
실시 예 12 3.0 8.0 4.5 84.5
실시 예 13 3.0 8.0 4.0 85.0
실시 예 14 3.0 8.0 3.5 85.5
실시 예 15 3.0 8.0 2.5 86.5
비교 예 1 8.0 2.5 89.5
비교 예 2 3.0 8.0 3.0 86.0
비교 예 3 50.0 15.0 35.0
비교 예 4 5.0 95.0
비교 예 5 25.0 3.0 72.0
TMAH: 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 (tetramethyl ammonium hydroxide)
NMP: 1-메틸-2-피롤리디논 (1-methyl-2-pyrrolidone)
MEA: 모노에탄올 아민 (monoethanol amine)
TT: 톨리트리아졸 (tolyltriazole)
NaOH: 소듐 하이드록사이드 (sodium hydroxide)
HMTA: 헥사메틸렌테트라 아민 (heaxmethylenetetra amine)
박리력 , 부식 여부 및 박리액 노화도 측정 시험
구리 회로패턴 및 솔더볼이 형성된 기판 상에 드라이필름 레지스트를 롤 (roll) 압축 방식으로 약 95℃의 온도, 3㎏f/㎠의 압력으로 라미네이션하여 시편을 제작하였다. 상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시 예 및 비교 예로 제조된 박리액 약 2㎏ 및 상기 제조된 시편을 분사장치에 넣고 약 50℃, 1㎏f/㎠의 조건으로 약 4분 동안 분사한 후, 순수 (H2O)로 세정하고 질소로 건조시켰다. 상기 시편을 육안 및 현미경 (SEM)으로 관찰하여 박리력 및 부식 여부를 측정하였다. 또한, 구리 패드 (copper pad) 시편을 100매까지 처리하여 박리액 노화에 따른 구리 패드의 변색을 육안으로 관찰하였다.
구분 박리력 측정 박리액 노화도 측정 부식 손상 (metal damage)
구리 패드 100매 박리 솔더볼 (Sn/Pb) 구리 패드 (copper pad)
실시 예 1 100% 0% 0%
실시 예 2 100% 0% 0%
실시 예 3 100% 0% 0% 0%
실시 예 4 100% 0% 0%
실시 예 5 80% 0% 0%
실시 예 6 100% 10% 10%
실시 예 7 100% 0% 0%
실시 예 8 100% 0% 0%
실시 예 9 100% 0% 0%
실시 예 10 100% 0% 0%
실시 예 11 90% 0% 0%
실시 예 12 90% 0% 0%
실시 예 13 100% 0% 0%
실시 예 14 100% 0% 0%
실시 예 15 100% 0% 0%
비교 예 1 50% 0% 0%
비교 예 2 70% 40% 50% 50%
비교 예 3 50% 70% 70%
비교 예 4 50% 100% 100%
비교 예 5 50% 50% 50%
박리력 측정
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시 예 1 내지 15의 박리력 결과값이 비교 예 1 내지 5의 박리력 결과값보다 우수한 효과를 나타냄을 알 수 있다.
도 2a는 일반적인 금 패드 (Au pad)를 나타내는 사진이다.
도 2b 및 2c의 사진을 비교해 보면, 도 2b는 실시 예 3으로 제조된 박리액을 사용하여 드라이필름 레지스트를 제거한 후의 사진으로써 표면에 잔사가 없는 것을 알 수 있다. 그러나, 도 2c는 비교 예 2로 제조된 박리액을 사용하여 드라이필름 레지스트를 제거한 후의 사진으로써 패드 겉부분에 잔사가 남아있으며, 패드의 테두리 상에도 잔사가 남아있음을 확인 할 수 있다.
부식 여부 측정
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시 예 1 내지 15로 제조된 박리액을 이용하여 솔더볼 (Sn/Pb) 및 구리 패드 (Cu pad)의 부식 여부를 측정한 결과값이 비교 예 1 내지 5로 제조된 박리액을 이용한 결과값보다 우수한 효과를 나타냄을 알 수 있다.
도 3a 및 4a는 일반적인 솔더볼 및 구리 패드를 나타내는 사진이다.
도 3b 및 3c의 사진을 비교해 보면, 도 3b는 실시 예 3으로 제조된 박리액을 사용하여 드라이필름 레지스트를 제거한 후의 솔더볼 표면의 사진으로써, 상기 표면이 부식되지 않은 모습을 확인 할 수 있다. 그러나, 도 3c는 비교 예 2로 제조된 박리액을 사용하여 드라이필름 레지스트를 제거한 후의 솔더볼 표면의 사진으로써, 상기 표면이 부식되어 손상된 모습을 확인 할 수 있다.
마찬가지로, 도 4b 및 4c의 사진을 비교해 보면, 도 4b는 실시 예 3으로 제조된 박리액을 사용하여 드라이필름 레지스트를 제거한 후의 구리 패드 표면의 사진으로써, 상기 표면이 부식되지 않은 모습을 확인 할 수 있다. 그러나, 도 4c는 비교 예 2로 제조된 박리액을 사용하여 드라이필름 레지스트를 제거한 후의 구리 패드 표면의 사진으로써, 상기 표면이 부식되어 손상된 모습을 확인 할 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량할 수 있음이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10: 회로패턴 20: 드라이필름
21: 드라이필름 비노광부 22: 드라이필름 노광부
30: 솔더볼 100: 기판

Claims (13)

1 내지 5 중량%의 하이드록사이드계 화합물;
6 내지 14 중량%의 사슬형 아민 화합물;
2.5 내지 5 중량%의 트리아졸 화합물; 및
나머지는 순수 (H2O);
를 포함하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
삭제
삭제
청구항 1에 있어서,
상기 조성물은 글리콜, 유기산, 계면활성제, 유기용매, 소포제, 또는 이들의 혼합물을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 하이드록사이드계 화합물은 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드인 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
청구항 5에 있어서,
상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 트리메틸벤질 암모늄 하이드록사이드, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
청구항 5에 있어서,
상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드인 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민, 프로판올 아민, 디프로판올 아민, 트리프로판올 아민, 이소프로판올 아민, 디이소프로판올 아민, 트리이소프로판올 아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, N,N-디메틸에탄올 아민, N,N-디에틸에탄올 아민, N-메틸에탄올 아민, N-에틸에탄올 아민, N-부틸에탄올 아민 및 N-메틸에탄올 아민으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올 아민인 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 트리아졸 화합물은 톨리트리아졸인 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 순수 (H2O)는 비저항이 18 (MΩ) 이상인 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트 박리제 조성물.
소정의 회로패턴이 형성된 기판상에 드라이필름을 라미네이션시키는 단계;
상기 라미네이션된 드라이필름을 부분적으로 노광시켜 드라이필름 노광부 및 드라이필름 비노광부를 형성시키는 단계;
상기 드라이필름 비노광부를 현상 및 제거시켜 개구부를 형성시키는 단계;
상기 개구부가 형성된 회로패턴 상에 솔더볼을 장착시키는 단계; 및
청구항 1 및 4 내지 11 중 어느 한 항에 따른 드라이필름 레지스트 박리제 조성물을 상기 드라이필름 노광부에 접촉시키는 단계;
를 포함하는 드라이필름 레지스트의 제거방법.
청구항 12에 있어서,
상기 접촉시키는 단계 이후에 드라이필름 레지스트 잔사를 수세시키는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이필름 레지스트의 제거방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101567407B1 (ko) * 2015-03-27 2015-11-10 주식회사 심텍 열경화성 솔더마스크 제거용 조성물과 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20190083545A (ko) * 2018-01-04 2019-07-12 삼성전기주식회사 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법
WO2019203529A1 (ko) * 2018-04-17 2019-10-24 엘티씨 (주) 드라이필름 레지스트 박리액 조성물

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104427781B (zh) * 2013-09-11 2019-05-17 花王株式会社 树脂掩模层用洗涤剂组合物及电路基板的制造方法
KR20190006483A (ko) * 2016-05-13 2019-01-18 가부시끼가이샤 제이씨유 레지스트 박리액
JP7160485B2 (ja) * 2016-11-17 2022-10-25 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 剥離方法
CN109778210A (zh) * 2018-08-09 2019-05-21 苏州纳勒电子科技有限公司 一种用于电路板上的去膜液
CN112711176A (zh) * 2020-12-17 2021-04-27 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法
CN115820351A (zh) * 2022-12-19 2023-03-21 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 半导体晶圆基底清洗液组合物及其使用方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001005201A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Nichigo Morton Co Ltd フォトレジスト剥離剤
WO2012115255A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Fujifilm Corporation Light-shielding composition, method for producing a light-shielding composition, solder resist, method for forming a pattern, and solid-state imaging device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4224651B2 (ja) * 1999-02-25 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法
US6492308B1 (en) * 1999-11-16 2002-12-10 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
JP2002062668A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc フォトレジストの剥離方法
US20030138737A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-24 Kazumasa Wakiya Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same
JP3770837B2 (ja) * 2002-02-01 2006-04-26 ニチゴー・モートン株式会社 光重合性組成物の硬化膜用剥離液
JP3854523B2 (ja) * 2002-03-29 2006-12-06 メルテックス株式会社 レジスト剥離剤
US7442675B2 (en) * 2003-06-18 2008-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning composition and method of cleaning semiconductor substrate
KR100964801B1 (ko) * 2003-06-26 2010-06-22 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트박리방법
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US9217929B2 (en) * 2004-07-22 2015-12-22 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof
US20060094613A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Lee Wai M Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
EP1729179A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-06 Atotech Deutschland Gmbh Method for fine line resist stripping
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
JP4995264B2 (ja) * 2006-04-12 2012-08-08 サンディスク コーポレイション 読み出し中におけるプログラム外乱による影響の軽減
JP4499751B2 (ja) * 2006-11-21 2010-07-07 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド フォトレジスト、エッチ残留物及びｂａｒｃを除去するための配合物及び同配合物を含む方法
KR101488265B1 (ko) * 2007-09-28 2015-02-02 삼성디스플레이 주식회사 박리 조성물 및 박리 방법
KR101890425B1 (ko) * 2011-07-14 2018-08-22 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
US8975008B2 (en) * 2012-05-24 2015-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of removing negative acting photoresists

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001005201A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Nichigo Morton Co Ltd フォトレジスト剥離剤
WO2012115255A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Fujifilm Corporation Light-shielding composition, method for producing a light-shielding composition, solder resist, method for forming a pattern, and solid-state imaging device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101567407B1 (ko) * 2015-03-27 2015-11-10 주식회사 심텍 열경화성 솔더마스크 제거용 조성물과 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20190083545A (ko) * 2018-01-04 2019-07-12 삼성전기주식회사 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법
KR102029442B1 (ko) * 2018-01-04 2019-10-08 삼성전기주식회사 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법
WO2019203529A1 (ko) * 2018-04-17 2019-10-24 엘티씨 (주) 드라이필름 레지스트 박리액 조성물
US11092895B2 (en) 2018-04-17 2021-08-17 Ltc Co., Ltd. Peeling solution composition for dry film resist

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