KR101397300B1 - 웨이퍼 가공용 테이프 - Google Patents

Abstract

접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지한다.
웨이퍼 가공용 테이프는, 접착제층(3)의 외주부(32)의 박리력이, 접착제층(3)의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정의 접합 예정부(30)의 박리력보다 크고, 접합 예정부(30)의 박리력이 0.01 이상 0.4N/inch 미만인 경우는, 외주부(32)의 박리력이 접합 예정부(30)의 30배 이상 또는 0.9N/inch 이상 중 더 작은 쪽이며, 접합 예정부(30)의 박리력이 0.4N/inch 이상 0.9N/inch 미만인 경우는, 외주부(32)의 박리력이 0.9N/inch 이상이다.

Description

웨이퍼 가공용 테이프{WAFER PROCESSING TAPE}

본 발명은 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼의 다이싱, 픽업에 사용되는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단할 때에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 반도체 칩을 기판 등에 접착하기 위한 다이 본딩 필름의 양쪽 기능을 아울러 갖는 「웨이퍼 가공용 테이프」가 개발되어 있다. 웨이퍼 가공용 테이프는 주로 박리 필름과, 다이싱 테이프로서 기능하는 점착 테이프와, 다이 본딩 필름으로서 기능하는 접착제층으로 구성되어 있다.

최근에는, 휴대 기기용 메모리 등의 전자 디바이스 분야에 있어서, 한층 더한 박형화와 고용량화가 요구되고 있다. 그로 인해, 두께 50μm 이하의 반도체 칩을 다단 적층하는 실장 기술에 대한 요청은 해마다 높아지고 있다.

이러한 요청에 따르기 위해, 박막화를 도모할 수 있고, 반도체 칩의 회로 표면의 요철을 매립할 수 있는 유연성을 갖는 상기 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되어, 개시되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1, 2 참조).

웨이퍼 가공용 테이프는, 일반적으로는 반도체 웨이퍼의 크기보다 크지만 링 프레임에는 접촉되지 않을 정도의 형상이며, 접착제층측부터 접착제층과 점착제층의 계면 부분까지 펀칭되어 있고, 접합 시에는 웨이퍼 마운터에 의해 반도체 웨이퍼와 그것을 지지하는 링 프레임에 접합되어, 링 프레임 상에서 원형으로 잘린다.

최근에는, 상기 작업성을 고려하여, 웨이퍼 가공용 테이프는 프리컷 가공이 이루어지고 있다. 「프리컷 가공」이란, 점착 테이프(기재 필름 상에 점착제층이 형성되어 있다)에 대하여, 미리 펀칭 가공을 실시하는 것을 의미하고, 상세하게는 기재 필름 및 점착제층을, 링 프레임에 접합 가능하고 또한 링 프레임으로부터 밀려나오지 않을 크기로, 원형으로 펀칭 가공을 실시하는 것이다.

프리컷 가공을 실시한 웨이퍼 가공용 테이프를 사용하면, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 마운터에 의한 반도체 웨이퍼(W)에 대한 접합 공정에 있어서, 원형으로 펀칭된 웨이퍼 가공용 테이프(1)가 박리용 쐐기(101)에 의해 박리 필름(2)으로부터의 박리의 계기를 얻은 후, 접합 롤러(103)에 의해 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)에 대한 접합이 실시되어, 링 프레임 상에서 점착 테이프를 자르는 공정을 생략할 수 있고, 또한 링 프레임에 대한 손상을 없앨 수도 있다.

그 후는 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 복수의 반도체 칩을 제작하고, 점착 테이프의 기재 필름측으로부터 방사선을 조사하거나 하여 점착제층과 접착제층 사이의 박리 강도(점착력)를 충분히 저하시키고 나서, 점착 테이프의 기재 필름을 익스팬드시켜 반도체 칩의 픽업을 행한다. 「방사선」이란, 자외선과 같은 광선 또는 전자선 등의 전리성 방사선을 의미한다.

일본 특허 공개 제2000-154356호 공보 일본 특허 공개 제2003-60127호 공보

그런데, 상기와 같은 웨이퍼 마운터에 의한 반도체 웨이퍼에 대한 접합 공정에 있어서, 이러한 프리컷 가공을 실시한 웨이퍼 가공용 테이프로부터 박리 필름을 박리하면, 웨이퍼 가공용 테이프의 선단 부분이 박리용 쐐기를 통과한 경우에, 접착제층의 선단 부분이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되어 버려, 접착제층이 반도체 웨이퍼에 밀착되지 않는 부분이 생겨 버린다는 문제를 발생시켰다.

이 이유로서, 접착제층과 점착 테이프의 점착제층 사이의 박리력(점착력)이 매우 낮은 것을 들 수 있다.

그러나, 접착제층과 점착제층 사이의 박리력을 상승시키는 것은, 그 후의 공정에 있어서, 기재 필름을 익스팬드시켜, 반도체 칩을 픽업할 때에 픽업 실수를 발생시키는 원인이 될 수 있는 것을 알고 있다.

최근의 경향으로서, 1개의 반도체 패키지 내에서 보다 많은 반도체 칩을 적층하기 위해, 반도체 칩을 박육화(薄肉化)하는 것이 점점 진행되고 있으며, 그러한 박육의 반도체 칩의 픽업을 실수없이 행하기 위해서는, 접착제층과 점착제층 사이의 박리력이 보다 낮은 것이 요구되고 있는 상황이어서, 안이하게 박리력을 상승시키는 것은 곤란하다.

따라서, 본 발명의 주목적은, 반도체 웨이퍼에 대한 접합 공정에 있어서, 접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것에 있다.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 형태에 의하면,

박리 필름과,

상기 박리 필름 상에 부분적으로 형성된 접착제층과,

기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,

상기 접착제층의 외주부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정의 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프가 제공된다.

본 발명의 다른 형태에 의하면,

박리 필름과,

상기 박리 필름 상에 부분적으로 형성된 접착제층과,

기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,

상기 접착제층의 외주부의 일부이며, 반도체 웨이퍼의 접합 시에 상기 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 기점부를 포함하는 부위의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정의 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프가 제공된다.

본 발명의 다른 형태에 의하면,

박리 필름과,

상기 박리 필름 상에 부분적으로 형성된 접착제층과,

기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,

상기 접착제층의 외주부 중, 반도체 웨이퍼의 접합 시에 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 기점부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정의 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프가 제공된다.

본 발명에 따르면, 접착제층의 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 부분의 박리력이, 반도체 웨이퍼의 접합 예정부보다 크기 때문에, 반도체 웨이퍼에 대한 접합 공정에 있어서, 접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 웨이퍼 가공용 테이프의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 박리 필름, 접착제층 및 점착 테이프의 개략적인 적층 구조를 도시하는 종단면도.
도 3은 접착제층의 개략 구성을 도시하는 평면도.
도 4는 웨이퍼 가공용 테이프를 반도체 웨이퍼 및 링 프레임에 접합한 개략적인 상태를 도시하는 종단면도.
도 5는 웨이퍼 가공용 테이프를 반도체 웨이퍼 및 링 프레임에 접합하는 장치, 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면.
도 6은 도 3의 비교예의 형태를 도시하는 평면도.
도 7은 실시예 중 샘플의 박리력 측정 방법을 설명하기 위한 도면.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다.

[웨이퍼 가공용 테이프(1)]

도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(1)는 코어재가 되는 코어(6)에 롤 형상으로 권회되어 있고, 사용 시에 있어서 코어(6)로부터 풀린다.

도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(1)는 주로 박리 필름(2), 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)로 구성되어 있다.

웨이퍼 가공용 테이프(1)를 사용한 반도체 웨이퍼(W)에 대한 접합 공정에 있어서는, 웨이퍼 가공용 테이프(1)로부터 박리 필름(2)이 박리되어, 노출된 접착제층(3)에 반도체 웨이퍼(W)가 접합된다.

[박리 필름(2)]

도 1에 도시한 바와 같이, 박리 필름(2)은 직사각형의 띠 형상으로 형성되어, 일방향이 충분히 길어지도록 형성되어 있다. 박리 필름(2)은, 제조 시 및 사용 시에 캐리어 필름으로서의 역할을 하는 것이다.

박리 필름(2)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계, 폴리에틸렌계, 그 외 박리 처리가 된 필름 등 주지의 것을 사용할 수 있다.

[점착 테이프(4)]

(1) 구성

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)는 접착제층(3)을 덮음과 함께, 접착제층(3)의 주위 전역에서 박리 필름(2)에 접촉 가능하게 되어 있다.

점착 테이프(4)는 다이싱용의 링 프레임(5)(도 4 참조)의 형상에 대응하는 라벨부(4a)와, 라벨부(4a)의 외주를 둘러싸도록 형성된 주변부(4b)를 갖고 있다. 점착 테이프(4)는 웨이퍼 가공용 테이프(1)의 사용 전에 프리컷 가공되어, 주변부(4b)가 제거된다(라벨부(4a)가 남는다).

도 2에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)는 기재 필름(10) 상에 점착제층(12)이 형성된 구성을 갖고 있다.

점착 테이프(4)로서는, 웨이퍼(W)를 다이싱할 때에는 웨이퍼(W)가 박리되지 않도록 점착제층(12)이 충분한 박리력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층(3)으로부터 박리할 수 있도록 점착제층(12)이 낮은 박리력을 나타내는 것이면 된다.

(2) 기재 필름(10)

기재 필름(10)은 통상 플라스틱, 고무 등을 바람직하게 사용하고, 점착제층(12)이 방사선 중합 성분을 포함하는 경우는, 방사선의 투과성이 좋은 것을 선택하는 것이 바람직하다.

기재 필름(10)으로서 선택할 수 있는 중합체의 예로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 엔지니어링 플라스틱, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머를 들 수 있다.

기재 필름(10)은 이들의 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 좋고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 좋다.

(3) 점착제층(12)

점착제층(12)에 사용되는 재료는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 방사선 중합성 성분을 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다.

방사선 중합성 성분으로서는, 방사선 조사에 의해 3차원 망상화될 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 아크릴산 메틸, 메타크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 메타크릴산 에틸, 아크릴산 부틸, 메타크릴산 부틸, 아크릴산-2-에틸헥실, 메타크릴산-2-에틸헥실, 펜테닐아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 스티렌, 디비닐벤젠, 4-비닐톨루엔, 4-비닐피리딘, N-비닐피롤리돈, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 1,3-아크릴로일옥시-2-히드록시프로판, 1,2-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로판, 메틸렌비스아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, 트리스(β-히드록시에틸)이소시아누레이트의 트리아크릴레이트, 이소시아네이트 화합물, 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물, 디아민 및 이소시아네이트 화합물, 요소 메타크릴레이트 화합물, 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 방사선 중합성 공중합체를 들 수 있다.

그 밖에도, 방사선 중합성 성분으로서, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어지는 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 들 수 있다.

이들의 방사선 중합성 화합물은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해도 사용할 수 있다.

[접착제층(3)]

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)은 박리 필름(2)과 점착 테이프(4) 사이에 개재되어 있다. 접착제층(3)은 점착 테이프(4)의 점착제층(12)과 밀착되어 있고, 칩의 픽업 시에 있어서 칩에 부착된 상태에서 점착제층(12)으로부터 박리된다.

접착제층(3)에 사용되는 재료는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 접착제에 사용되는 공지의 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 실리콘 올리고머계 등을 사용할 수 있다.

도 3에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)은 웨이퍼(W)의 형상에 따른 원 형상을 나타내고 있다.

접착제층(3)은, 웨이퍼(W)가 접합되는 예정 부위(접합 예정부(30))와, 그의 외측의 외주부(32)로 구획된다.

접착제층(3)의 외주부(32)의 도 3의 (a) 중 상측이 박리 필름(2)과의 박리의 기점부(34)로 되어 있다.

도 3의 (a) 중 사선부로 나타낸 바와 같이, 접착제층(3)의 외주부(32)는 그의 전역에 걸쳐 점착제층(12)에 대한 박리력이 접합 예정부(30)보다 크게 되어 있다.

구체적으로는,

(i) 접합 예정부(30)의 점착제층(12)에 대한 박리력이 0.01 이상 0.4N/inch 미만인 경우는, 외주부(32)의 점착제층(12)에 대한 박리력이, 접합 예정부(30)의 점착제층(12)에 대한 박리력의 30배 이상 또는 0.9N/inch 이상 중 더 작은 쪽이며,

(ii) 접합 예정부(30)의 점착제층(12)에 대한 박리력이 0.4N/inch 이상 0.9N/inch 미만인 경우는, 외주부(32)의 점착제층(12)에 대한 박리력이 0.9N/inch 이상으로 되어 있다.

박리력을 증대시키는 방법으로서는 하기 (a) 내지 (e)의 방법을 취할 수 있다.

상기 (a) 내지 (e)의 방법은 단독으로 사용해도 좋고, 이들을 조합하여 사용해도 좋다(그의 조합도 적절히 변경 가능하다).

(a) 레이저 조사

점착제층(3)의 외주부(32)에 대하여 레이저를 조사한다.

조사되는 레이저는 일반적으로 레이저 마크에서 이용되는 레이저 종류, 파장이면 어느 것이든 좋고, 품질을 손상시키지 않고 효과를 발휘할 수 있을 정도로 종류, 파장, 조사 시간을 적절히 조절해도 좋다.

(b) 코로나 표면 개질 처리

접착제층(3)의 외주부(32)에 대하여 코로나 표면 개질 처리를 실시한다.

코로나 표면 개질 처리는 일반적으로 표면 개질 처리에서 이용되는 방법이면 어느 것이든 좋고, 품질을 손상시키지 않고 효과를 발휘할 수 있을 정도로 종류, 처리 시간을 적절히 조절해도 좋다.

(c) 가열 처리

접착제층(3)의 외주부(32)에 대하여 가열 처리를 실시한다.

가열 처리는, 일반적으로 가열에 의해 접착력이 견고하게 되는 것이면 어느 것이든 좋고, 예를 들어 열선을 조사하는 것을 들 수 있다.

(d) 보강 테이프 부착

접착제층(3)의 외주부(32)(외측 테두리부)에 대하여, 접착제층(3)과 점착 테이프(4)의 점착제층(12)의 경계를 사이에 두도록 하여 다른 점착 테이프를 부착하여 보강한다.

보강용의 점착 테이프는, 일반적으로 사용되는 점착 테이프이면 어느 것이든 좋다.

(e) 접착제에 의한 보강

접착제층(3)의 외주부(32)에 있어서, 접착제층(3)과 점착 테이프(4)의 점착제층(12) 사이에 접착제를 도포한다.

접착제는, 일반적으로 사용되는 접착제이면 어느 것이든 좋다.

또한, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)의 외주부(32) 중 기점부(34)와 그 밖의 부위(36)가 접합 예정부(30)보다 점착제층(12)에 대한 박리력이 크게 되어 있어도 좋고, 종국에는 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이 기점부(34)만이 접합 예정부(30)보다 점착제층(12)에 대한 박리력이 크게 되어 있어도 좋다.

이 경우도, 접착제층(3)의 기점부(34)나 그 밖의 부위(36)에서 박리력을 증대시키는 방법으로서, 상기 (a) 내지 (e)의 방법을 취할 수 있고, 상기 (a) 내지 (e)의 방법은 단독으로 사용해도 좋고, 이들을 조합하여 사용해도 좋다(그의 조합도 적절히 변경 가능하다).

[웨이퍼 가공용 테이프(1)의 사용 방법]

웨이퍼 가공용 테이프(1)를 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)에 부착한다.

상세하게는, 도 5에 도시한 바와 같이 웨이퍼 가공용 테이프(1)를 그의 롤체로부터 권취하고, 웨이퍼 가공용 테이프(1)를 롤러(100)에 의해 인출한다.

웨이퍼 가공용 테이프(1)의 인출 경로에는 박리용 쐐기(101)가 설치되어 있고, 박리용 쐐기(101)의 선단부를 반환점으로 하여, 박리 필름(2)만이 박리되어, 박리 필름(2)이 권취 롤러(100)에 권취된다.

박리용 쐐기(101)의 선단부의 하방에는 흡착 스테이지(102)가 설치되어 있고, 흡착 스테이지(102)의 상면에는 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)이 설치되어 있다.

박리용 쐐기(101)에 의해 박리 필름(2)이 박리된 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)는 반도체 웨이퍼(W) 위로 유도되어, 접합 롤러(103)에 의해 웨이퍼(W)에 접합된다.

그 후, 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)를 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)에 부착한 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱한다.

그 후, 점착 테이프(4)에 방사선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 다이싱 후의 반도체 웨이퍼(W)(반도체 칩)를 픽업한다. 이때, 점착 테이프(4)는 경화 처리에 의해 박리력이 저하되어 있으므로, 접착제층(3)은 점착 테이프(4)의 점착제층(12)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(3)이 부착된 상태로 픽업된다.

반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(3)은, 그 후 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에 다이 본딩 필름으로서 기능한다.

<실시예>

(1) 샘플의 제작

(1.1) 기재 필름의 준비 및 점착제층의 형성

기재 필름으로서 폴리올레핀계 기재 필름 Z(두께 100μm)를 준비했다.

한편, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체 X(분자량 70만Mw, Tg=-65℃) 혹은 Y(분자량 20만Mw, Tg=-20℃) 100부, 폴리이소시아네이트계 경화제 2 내지 18부에 대하여, 광중합 개시제(2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논) 1부를 배합하여, 그 용액을 상기 기재 필름 상에 건조막 두께가 10μm가 되도록 도포하고, 그 후 110℃에서 2분간 건조시켜, 기재 필름 상에 「점착제층 A 내지 F」를 형성했다.

점착제층 A 내지 F의 중합체의 종류(X 또는 Y)나, 경화제, 광중합 개시제의 배합비는 하기 표 1과 같다.

그 후, 점착제층 A 내지 F를 형성한 기재 필름에 대하여 프리컷 가공을 실시하여, 점착 테이프를 제작했다(완성시켰다).

(1.2) 접착제층의 형성

아크릴계 공중합체 100부, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 100부, 크실렌노볼락형 페놀 수지 10부에, 에폭시 경화제로서 2-페닐이미다졸 5부와 크실렌디아민 0.5부를 배합하여, 그 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름에 도포하고, 그 후 110℃에서 2분간 건조시켜, PET 필름 상에 접착제층을 형성했다.

그 후, 접착제층의 외주부이며 접착제층의 반도체 웨이퍼의 접합 예정 부분을 제외한 부위에 대하여, 하기 (1.2.1) 내지 (1.2.5)에 기재된 레이저 조사, 코로나 표면 개질 처리, 가열 처리, 보강 테이프의 부착 또는 접착제의 도포 중 어느 한 처리를 실시했다.

처리를 실시한 부위나 처리 방법은 하기 표 2 및 표 3에 나타낸 바와 같다.

또한, 비교예 1, 2에서는, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이 접착제층의 외주부에 대하여 어떠한 처리도 실시하지 않았다.

비교예 3, 5, 7, 8, 10, 12 내지 14에서는, 도 6의 (b) 및 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 접착제층의 외주부의 일부이며 접착제층의 박리 필름과의 박리의 기점을 제외한 부위(사선부 참조)에 대하여, 상기 어느 한 처리를 실시했다.

(1.2.1) 레이저 조사

CO₂ 레이저 마커를 사용하여, 접착제층의 표면에 대하여 레이저 조사를 행했다.

(1.2.2) 코로나 표면 개질 처리

코로나 표면 개질 처리기를 사용하여, 접착제층의 표면에 대하여 코로나 표면 개질 처리를 행했다.

(1.2.3) 가열 처리

접착제층의 표면에 대하여 열선을 조사하여, 가열 처리를 행했다.

(1.2.4) 보강 테이프 부착

접착제층의 외측 테두리부에 대하여, 점착 테이프와 접착제층의 경계를 사이에 두도록 하여 보강용의 점착 테이프를 부착했다.

(1.2.5) 접착제의 도포

접착제층의 외주부에 있어서 접착제층과 점착 테이프의 점착제층 사이에 접착제를 도포하여, 접착제층과 점착 테이프를 접착제에 의해 부착했다.

(1.3) 웨이퍼 가공용 테이프의 형성

접착제층에 대하여 웨이퍼 크기보다 큰 형상으로 펀칭 가공을 실시하고, 이 두께 10μm의 접착제층을 점착 테이프의 점착제층 상에 접합하여, 웨이퍼 가공용 테이프를 형성했다(완성시켰다). 당해 웨이퍼 가공용 테이프에는, 접착제층의 형성 공정에서 사용한 PET계의 세퍼레이터 박리 필름이 설치되어 있다.

(2) 샘플의 평가

(2.1) 박리력 측정 방법

각 샘플에 대해서, 박리 필름(PET)을 박리한 후, 박리 시험 시의 접착제층의 신장을 방지하기 위해, 접착제층측에 지지 테이프(세끼스이 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제의 곤포용 오리엔스팟 테이프, 38mm 폭)를 평평한 유리판 상에서 수동의 접합 롤러(2kg)를 사용하여 접합하여, 점착 테이프, 접착제층, 지지 테이프의 적층체로 했다.

그 후, 이 적층체를, 도 7에 도시한 바와 같이, 접착제층의 박리 필름(PET 필름)과의 박리의 기점이 되는 부분을 포함하고, 외주부로부터 중심을 향하는 방향에 대하여, 길이 100m, 폭 25mm의 직사각형으로 잘라내어, 시험편으로 했다.

그 후, 각 시험편에 대해서, 도 7의 화살표 방향, 즉 접착제층의 중심으로부터 외주부를 향하는 방향을 향하여, 박리 각도 180도, 박리 속도 300mm/min(분)으로, 점착제층과 접착제층 사이를 박리하여, 반도체 웨이퍼의 접합 예정부에 상당하는 부분과, 박리의 기점부에 상당하는 부분의 박리력을 각각 구했다. 측정 결과를 표 2 내지 표 6에 나타낸다.

(2.2) 접합 시험

실시예 및 비교예의 각 샘플에 대하여, 두께 50μm, 직경 200mm의 실리콘 웨이퍼를, 도 5에 도시한 장치, 방법에 의해, 가열 온도 70℃, 접합 속도 12mm/s로 접합했다.

상기 접합 작업을 10회 시행하여, 접착제층이 점착 테이프로부터 일부 말려 올라간 상태로 실리콘 웨이퍼에 접합되어 있지 않은지의 여부를 확인했다. 시험 결과를 하기 표 2 내지 표 6에 나타낸다.

10회의 접합 작업 후에 있어서, 모든 회에서 접착제층이 점착 테이프로부터 말려 올라가지 않고 점착 테이프에 부착되어 있는 경우를 「○(접합 양호)」로, 적어도 1회는 접착제층이 점착 테이프로부터 일부 말려 올라간 경우를 「×(접합 불량)」로 간주하여 평가했다.

(2.3) 픽업 시험

실시예 및 비교예의 각 샘플에 대하여 두께 50μm의 실리콘 웨이퍼를 70℃×10초로 가열 접합한 후, 10mm×10mm로 다이싱했다.

그 후, 점착제층에 자외선을 공냉식 고압 수은등(80W/cm, 조사 거리 10cm)에 의해 200mJ/cm² 조사한 후, 실리콘 웨이퍼 중앙부의 칩 50개에 대하여 픽업 장치(캐논 머시너리제, 상품명: CAP-300II)에 의한 픽업 시험을 행했다. 시험 결과를 표 2 내지 표 6에 나타낸다.

50개 모든 칩의 픽업에 성공한 것을 「○」로, 50개의 칩 중 1개라도 픽업에 실패한 것을 「×」 로 간주하여 평가했다.

(3) 정리

표 2 내지 표 6에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 12에서는 접합 시험, 픽업 시험 모두 결과가 양호하고, 접착제층의 외주부이며 박리 필름과의 박리의 기점을 포함하는 부분에 있어서 반도체 웨이퍼의 접합 예정 부위보다 박리력을 증대시키면, 접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있어, 픽업 실수도 유발되지 않는 것을 알았다. 또한, 비교예 1은, 반도체 웨이퍼의 접합 예정 부위도 박리력이 높기 때문에, 실리콘 웨이퍼에 대한 접합은 양호하게 행할 수 있었지만, 픽업 실수가 다발했다.

1: 웨이퍼 가공용 테이프
2: 박리 필름
3: 접착제층
4: 점착 테이프
4a: 라벨부
4b: 주변부
6: 코어
10: 기재 필름
12: 점착제층
100: 권취 롤러
101: 박리용 쐐기
102: 흡착 스테이지
103: 접합 롤러
A: 박리 필름의 인출 방향
B: 박리 필름의 박리 방향

Claims (9)

1. 삭제
2. 박리 필름과,
   상기 박리 필름 상에 부분적으로 형성된 접착제층과,
   기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,
   상기 접착제층의 외주부의 일부이며, 반도체 웨이퍼의 접합 시에 상기 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 기점부를 포함하는 부위의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정의 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 크고,
   상기 외주부의 일부의 박리력이 0.9N/inch 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
3. 박리 필름과,
   상기 박리 필름 상에 부분적으로 형성된 접착제층과,
   기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,
   상기 접착제층의 외주부 중, 반도체 웨이퍼의 접합 시에 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 기점부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정의 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 크고,
   상기 기점부의 박리력이 0.9N/inch 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
4. 삭제
5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 외주부의 일부 또는 상기 기점부가 레이저 조사되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
6. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 외주부의 일부 또는 상기 기점부가 코로나 표면 개질 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
7. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 외주부의 일부 또는 상기 기점부가 가열 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
8. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 외주부의 일부 또는 상기 기점부에서는, 상기 접착제층과 상기 점착제층 사이에 보강 테이프가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
9. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 외주부의 일부 또는 상기 기점부에서는, 상기 접착제층과 상기 점착제층 사이에 접착제가 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.

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