KR101427019B1

KR101427019B1 - 웨이퍼 가공용 필름 및 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법

Info

Publication number: KR101427019B1
Application number: KR1020127024319A
Authority: KR
Inventors: 가즈키 다테베
Original assignee: 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2010-03-09
Filing date: 2010-03-09
Publication date: 2014-08-05
Also published as: WO2011111166A1; SG183334A1; KR20130007578A; CN102782813B; CN102782813A

Abstract

접착제층 및 점착 필름으로 이루어지는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름을 갖는 웨이퍼 가공용 필름을 롤형으로 권취했을 경우에, 접착제층에서의 전사 자국의 발생을 충분히 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 필름을 제공한다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 필름은 기재 필름, 및 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖고, 상기 점착제층은, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분에 방사선 중합성 화합물과 하나의 광 개시제를 포함하고, 상기 하나의 광 개시제를 포함하는 개소 이외의 부분에 방사선 중합성 화합물과 다른 광 개시제를 포함하고, 상기 하나의 광 개시제가 반응하는 광의 파장은 상기 다른 광 개시제가 반응하는 광의 파장과 상이하다.

Description

웨이퍼 가공용 필름 및 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법{FILM FOR WAFER PROCESSING, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING FILM FOR WAFER PROCESSING}

본 발명은 웨이퍼 가공용 필름에 관한 것으로, 특히 다이싱 테이프와 다이 본딩 필름의 두 가지 기능을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름을 포함하는 웨이퍼 가공용 필름에 관한 것이다. 또한, 상기 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.

최근 들어, 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단 분리(다이싱)할 때에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프의 기능과, 절단된 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하기 위해서, 또는 스택 패키지에 있어서는 반도체 칩끼리를 적층, 접착하기 위한 다이 본딩 필름(다이 어태치 필름이라고도 함)의 기능의 두 가지 기능을 겸비하는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름이 개발되고 있다.

이러한 다이싱ㆍ다이 본딩 필름으로는, 반도체 웨이퍼로의 부착이나 다이싱 시의 링 프레임으로의 설치 등의 작업성을 고려하여, 프리컷 가공이 실시된 것이 있다.

프리컷 가공된 다이싱ㆍ다이 본딩 필름의 예를 도 4 및 도 5에 도시하였다. 도 4, 도 5의 (A), 도 5의 (B)는 각각 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(35)을 구비한 웨이퍼 가공용 필름(30)의 개요도, 평면도, 단면도이다. 웨이퍼 가공용 필름(30)은 이형 필름(31)과, 접착제층(32)과, 점착 필름(33)으로 이루어진다. 접착제층(32)은 반도체 웨이퍼의 형상에 대응한 형상(예를 들어, 원형)으로 가공이 실시된, 원형 라벨 형상을 갖는다. 점착 필름(33)은 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 부분의 주변 영역이 제거된 것이며, 도시한 바와 같이, 원형 라벨부(33a)와, 원형 라벨부(33a)의 외측을 둘러싸는 주변부(33b)를 갖는다. 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)는 그의 중심을 정렬시켜서 적층되고, 또한 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)는 접착제층(32)을 덮으며 그의 주위에서 이형 필름(31)에 접촉하고 있다. 그리고, 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)로 이루어지는 적층 구조에 의해, 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(35)이 구성된다.

반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에는 적층 상태의 접착제층(32) 및 점착 필름(33)으로부터 이형 필름(31)을 박리하여, 도 6에 도시한 바와 같이, 접착제층(32) 위에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 부착하고, 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)의 외주부에 다이싱용 링 프레임(R)을 점착 고정한다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱해서 개편화된 반도체 칩을 형성하고, 그 후, 점착 필름(33(33a))에 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시해서 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 필름(33(33a))은 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 접착제층(32)으로부터 용이하게 박리되어, 반도체 칩은 이면에 접착제층(32)을 부착한 상태로 픽업된다. 반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(32)은, 그 후, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에 다이 본딩 필름으로서 기능한다.

그런데, 상기와 같은 웨이퍼 가공용 필름(30)은 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)가 적층된 부분이 다른 부분보다 두껍다. 또한, 원형 라벨부(33a)와 주변부(33b) 사이가 노출된 이형 필름(31) 부분은 점착 필름(33)이 제거된 부분이며, 점착 필름(33(33a, 33b)) 부분과의 사이에 점착 필름(33)의 두께 분의 단차가 발생되어 있다. 또한, 웨이퍼 가공용 필름(30)은 권취 코어(50)(도 7 참조)를 사용하여 롤형으로 감긴 상태에서 제품으로서 시장에 유통되고 있다. 또한, 도 7은 회전 중심에 원통형의 공동부(53)가 형성된 권취 코어(50)의 일례를 도시한 것이다. 그 때문에, 도 8에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 필름(30)을 롤형으로 감았을 때, 접착제층(32)과 점착 필름(33)의 원형 라벨부(33a)의 적층 부분에 있어서, 점착 필름(33)과 이형 필름(31)에 의해 발생한 상술한 단차가 겹쳐, 유연한 접착제층(32) 표면에 단차가 전사되는 현상, 즉 도 9에 도시한 바와 같은 전사 자국(라벨 자국, 주름 또는 감은 자국이라고도 함)이 발생한다. 이러한 전사 자국의 발생은 특히 접착제층(32)이 연한 수지로 형성되어 있는 경우나 두께가 있는 경우 및 웨이퍼 가공용 필름(30)의 권취수가 많은 경우 등에서 현저하다. 그리고, 전사 자국이 발생하면, 접착제층(32) 위에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 부착할 때에 접착제층(32)과 반도체 웨이퍼(W)의 사이에 공기가 혼입되면서 부착되기 때문에, 접착제층(32)과 반도체 웨이퍼(W)의 사이가 밀착되지 않아, 그 결과, 접착 불량을 일으켜, 반도체 웨이퍼의 가공 시에 문제가 발생할 우려가 있다.

상기 전사 자국의 발생을 억제하기 위해서는 웨이퍼 가공용 필름의 권취압을 약하게 하는 것을 생각할 수 있지만, 이 방법으로는 제품의 권취 어긋남이 발생하여, 예를 들어 테이프 마운터로의 세트가 곤란해지는 등, 웨이퍼 가공용 필름의 실사용 시에 지장을 초래할 우려가 있다.

또한, 특허문헌 1에는 상기와 같은 라벨 자국의 발생을 억제하기 위해서, 박리 기재 위의 접착제층 및 점착 필름의 외측에, 접착제층 및 점착 필름의 합계 막 두께와 동등하거나 또는 그 이상의 막 두께를 갖는 지지층을 형성한 접착 시트가 개시되어 있다. 특허문헌 1의 접착 시트는 지지층을 구비함으로써, 접착 시트에 가해지고 있던 권취 압력을 분산시키거나 혹은 지지층으로 모아, 전사 자국의 발생을 억제하고 있다.

일본 특허 공개 제2007-2173호 공보

그러나, 상기 특허문헌 1의 접착 시트에서는, 박리 기판 위의, 반도체 장치를 제조하는 경우 등에 필요시되는 접착제층 및 점착 필름 이외의 부분에 지지층이 형성되는 점에서 지지층의 폭에 제한이 있고, 접착제층 및 점착 필름의 외경에 대하여 지지층의 폭이 좁아, 라벨 자국의 억제 효과가 충분하지 않다는 문제가 발생하고 있었다. 또한, 지지층은 일반적으로 점착성을 갖지 않아, 박리 기재(PET 필름)와 충분히 부착되어 있지 않은 점에서 지지층의 가장 좁은 부분에 있어서 박리 기재로부터 들떠, 반도체 웨이퍼에 다이싱ㆍ다이 본딩 필름을 접합할 때에, 상술한 들뜬 부분이 장치에 걸려, 반도체 웨이퍼가 손상되어버린다는 문제가 발생하고 있었다.

또한, 지지층의 폭을 넓게 하는 것도 생각할 수 있지만, 웨이퍼 가공용 필름 전체의 폭도 넓어지기 때문에, 기존 설비의 사용이 곤란해진다. 또한, 지지층은 최종적으로 폐기되는 부분인 점에서 지지층의 폭을 확장하는 것은 재료 비용의 상승으로 이어진다.

따라서, 본 발명의 목적은 접착제층 및 점착 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름을 포함하는 웨이퍼 가공용 필름을 롤형으로 권취했을 경우에, 접착제층으로의 전사 자국의 발생을 충분히 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 필름을 제공하는 데에 있다. 또한, 이러한 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 제공하는 데에 있다.

이상과 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제1 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름은 기재 필름, 및 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖고, 상기 점착제층은, 적어도 링 프레임에 대응하는 위치에 방사선 중합성 화합물과 하나의 광 개시제를 포함하고, 상기 하나의 광 개시제를 포함하는 개소 이외의 위치에 방사선 중합성 화합물과 다른 광 개시제를 포함하고, 상기 하나의 광 개시제가 반응하는 광의 파장은 상기 다른 광 개시제가 반응하는 광의 파장과 상이한 것을 특징으로 한다.

상술한 발명의 웨이퍼 가공용 필름에 의하면, 점착제층은 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에서 상이한 파장에 반응하는 광 개시제를 포함하기 때문에, 하나의 광 개시제가 반응하는 파장의 광을 점착제층에 조사함으로써, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시켜서 점착력을 저하시켜, 경화시킨 부분에 대응하는 접착제층을 박리할 수 있다. 그리고, 다른 광 개시제가 반응하는 파장의 광을 점착제층에 조사함으로써, 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 점착제층으로부터 박리해서 픽업할 수 있다.

따라서, 종래의 웨이퍼 가공용 필름에서는 접착제층 및 그 접착제층을 덮는 점착제층을 링 프레임에 대응하는 형상으로 프리컷하는 것이 불가결했지만, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에서 단계적으로 접착제층을 박리할 수 있기 때문에, 프리컷할 필요가 없어진다. 이 결과, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 제2 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름은 기재 필름, 및 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖고, 상기 점착제층은, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분에 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물 중 한쪽을 포함하고, 상기 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물 중 한쪽을 포함하는 개소 이외의 부분에 상기 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물 중 다른 쪽을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상술한 발명에 의하면, 점착제층의 적어도 링 프레임에 대응하는 부분이 방사선 중합성 화합물을 포함하는 경우, 방사선을 점착제층에 조사함으로써, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시켜서 점착력을 저하시켜, 경화시킨 부분에 대응하는 접착제층을 박리할 수 있다. 그리고, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분 이외의 부분은 열 중합성 화합물을 포함하기 때문에, 열 중합시켜서 경화시킴으로써, 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 점착제층으로부터 박리해서 픽업할 수 있다.

한편, 점착제층의 적어도 링 프레임에 대응하는 부분이 열 중합성 화합물을 포함하는 경우, 열 중합시켜서 경화시켜 점착력을 저하시켜, 경화시킨 부분에 대응하는 접착제층을 박리할 수 있다. 그리고, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분 이외의 부분은 방사선 중합성 화합물을 포함하기 때문에, 방사선을 점착제층에 조사하여, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분 이외의 부분을 경화시켜, 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 점착제층으로부터 박리해서 픽업할 수 있다.

또한, 본 발명의 제3 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름은 상술한 본 발명의 제1 또는 2의 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름에 있어서, 접착제층은 반도체 웨이퍼에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않고, 점착제층은 링 프레임에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.

상술한 발명에 의하면, 접착제층 및 점착제층은 프리컷되어 있지 않은 점에서 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있었던 단차도 존재하지 않기 때문에, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 제4 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름은 상술한 본 발명의 제1 내지 3 중 어느 하나의 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름에 있어서, 접착제층은 적어도 반도체 웨이퍼에 대응하는 위치보다 외측이며 링 프레임에 대응하는 위치보다 내측에 절입이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상술한 발명의 웨이퍼 가공용 필름에 의하면, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분의 점착제층을 경화시킴으로써, 점착력을 저하시켜서, 절입을 기점으로 해서 점착제층의 경화시킨 부분으로부터 접착제층을 박리시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 제1 양태에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법은, 상술한 본 발명의 제1 내지 4 중 어느 하나의 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법이며, 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분 이외이며 적어도 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시켜, 경화시킨 점착제층의 부분으로부터 접착제층을 박리하는 공정과, 접착제층에 웨이퍼를 접합하는 공정과, 점착제층에 상기 링 프레임을 고정하는 공정과, 웨이퍼를 다이싱하여 개편화된 칩 및 접착제층을 형성하는 공정과, 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분을 경화시켜 개편화된 칩 및 접착제층을 픽업하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상술한 발명의 반도체 장치를 제조하는 방법에 의하면, 점착제층의 반도체 웨이퍼에 대응하는 부분 이외이며 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과, 점착제층의 반도체 웨이퍼에 대응하는 부분을 단계적으로 경화시켜서, 점착제층의 점착력을 저하시켜, 접착제층과 점착제층 사이에서 박리 가능한 위치를 바꿀 수 있다. 따라서, 원하는 반도체 장치를 기존 설비의 대규모 변경을 수반하지 않고 설계 변경할 수 있다.

또한, 상술한 발명의 반도체 장치를 제조하는 방법에서는 반도체 장치를 제조하기 전의 웨이퍼 가공용 필름에 대해서, 접착제층과 점착제층은 프리컷할 필요가 없는 점에서, 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있었던 단차도 존재하지 않기 때문에, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 제1 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름에 의하면, 점착제층은 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에서 상이한 파장에 반응하는 광 개시제를 포함하기 때문에, 하나의 광 개시제가 반응하는 파장의 광을 점착제층에 조사함으로써, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시켜서 점착력을 저하시켜, 경화시킨 부분에 대응하는 접착제층을 박리할 수 있다. 그리고, 다른 광 개시제가 반응하는 파장의 광을 점착제층에 조사함으로써, 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 점착제층으로부터 박리해서 픽업할 수 있다. 따라서, 종래의 웨이퍼 가공용 필름에서는 접착제층 및 그 접착제층을 덮는 점착제층을 링 프레임에 대응하는 형상으로 프리컷하는 것이 불가결했지만, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에서 단계적으로 접착제층을 박리할 수 있기 때문에, 프리컷할 필요가 없어진다. 이 결과, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 말려 들어가는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지할 수 있음과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 반도체 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있다.

본 발명의 제2 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름에 의하면, 점착제층의 적어도 링 프레임에 대응하는 부분이 방사선 중합성 화합물을 포함하는 경우, 방사선을 점착제층에 조사함으로써, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시켜서 점착력을 저하시켜, 경화시킨 부분에 대응하는 접착제층을 박리할 수 있다. 그리고, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분 이외의 부분은 열 중합성 화합물을 포함하기 때문에, 열 중합시켜서 경화시킴으로써, 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 점착제층으로부터 박리해서 픽업할 수 있다. 한편, 점착제층의 적어도 링 프레임에 대응하는 부분이 열 중합성 화합물을 포함하는 경우, 열 중합시켜서 경화시켜 점착력을 저하시켜, 경화시킨 부분에 대응하는 접착제층을 박리할 수 있다. 그리고, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분 이외의 부분은 방사선 중합성 화합물을 포함하기 때문에, 방사선을 점착제층에 조사하여, 상기 적어도 링 프레임에 대응하는 부분 이외의 부분을 경화시켜, 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 점착제층으로부터 박리해서 픽업할 수 있다. 따라서, 종래의 웨이퍼 가공용 필름에서는 접착제층 및 그 접착제층을 덮는 점착제층을 링 프레임에 대응하는 형상으로 프리컷하는 것이 불가결했지만, 점착제층 링 프레임 대응 부분과 그 이외의 부분에서 단계적으로 접착제층을 박리할 수 있기 때문에, 프리컷할 필요가 없어진다. 이 결과, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 말려 들어가는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지할 수 있음과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 반도체 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있다.

본 발명의 제3 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름에 의하면, 접착제층 및 점착제층은 프리컷되어 있지 않은 점에서, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있었던 단차도 존재하지 않기 때문에, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 말려 들어가는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지할 수 있음과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 반도체 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있다.

본 발명의 제4 양태에 따른 웨이퍼 가공용 필름에 의하면, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분의 점착제층을 경화시킴으로써, 점착력을 저하시켜서, 절입을 기점으로 해서 점착제층의 경화시킨 부분으로부터 접착제층을 박리시킬 수 있다.

본 발명의 제1 양태에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법에 의하면, 점착제층의 반도체 웨이퍼에 대응하는 부분 이외이며 적어도 링 프레임에 대응하는 부분과, 점착제층의 반도체 웨이퍼에 대응하는 부분을 단계적으로 경화시켜서, 점착제층의 점착력을 저하시켜, 접착제층과 점착제층 사이에서 박리 가능한 위치를 바꿀 수 있다. 따라서, 원하는 반도체 장치를 기존 설비의 대규모 변경을 수반하지 않고 설계 변경할 수 있다. 또한, 반도체 장치를 제조하기 전의 웨이퍼 가공용 필름에 대해서, 접착제층과 점착제층은 프리컷할 필요가 없는 점에서, 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층과 점착 필름의 적층 부분에 발생하고 있었던 단차도 존재하지 않기 때문에, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 4는 종래의 웨이퍼 가공용 필름의 개요도이다.
도 5의 (A)는 종래의 웨이퍼 가공용 필름의 평면도이며, (B)는 단면도이다.
도 6은 다이싱ㆍ다이 본딩 필름과 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도이다.
도 7의 (A)는 종래의 권취 코어의 단면도이며, (B)는 측면도이다.
도 8은 종래의 권취 코어를 사용하여 웨이퍼 가공용 필름을 감은 상태를 설명하는 도면이다.
도 9는 종래의 웨이퍼 가공용 필름의 문제를 설명하기 위한 모식도이다.

이하에 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다. 도 2 및 도 3은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.

<제1 실시 형태>

이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름의 각 구성 요소에 대해서 상세하게 설명한다. 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)은 도 1에 도시한 바와 같이, 기재 필름(11) 및 기재 필름(11) 위에 형성된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)과, 점착제층(12) 위에 형성된 접착제층(13)을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)이다. 또한, 접착제층(13)은 반도체 웨이퍼(또는 웨이퍼라 칭함)에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않고, 점착제층(12)은 링 프레임에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않다. 본 실시 형태에 있어서는 점착제층(12) 및 접착제층(13)은 기재 필름(11) 위에 기재 필름(11)과 마찬가지로 긴 형상으로 적층되어 있고, 웨이퍼 가공용 필름(10)은 두께가 상이한 부분을 갖고 있지 않다. 또한, 점착제층(12)에는 방사선 중합성 화합물과, 반응하는 광의 파장이 상이한 2종류의 광 개시제가 포함되어 있다.

다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)은 제품으로서 유통할 경우, 도시하지 않은 보호 필름인 이형 필름이 접착제층(13)측 전체면에 부착되어, 웨이퍼 가공용 필름(10)으로서 시장에 유통된다. 이하, 웨이퍼 가공용 필름(10)의 구성 요소인 이형 필름과, 접착제층(13)과, 기재 필름(11) 및 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)에 대해서 설명한다.

(이형 필름)

웨이퍼 가공용 필름(10)에 사용되는 이형 필름으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계, 폴리에틸렌계, 그 외 이형 처리가 된 필름 등 주지의 것을 사용할 수 있다. 이형 필름의 두께는 특별히 한정되지 않고, 적절하게 설정해도 되지만, 25 내지 50 ㎛가 바람직하다.

(접착제층)

접착제층(13)은 반도체 웨이퍼 등이 접합되어서 다이싱된 후, 개편화된 반도체 칩(또는 칩이라 칭함)을 픽업할 때에, 점착 필름(14)으로부터 박리해서 칩에 부착하여, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 따라서, 접착제층(13)은 칩을 픽업할 때에, 개편화된 칩에 부착된 상태로 점착 필름(14)으로부터 박리할 수 있는 박리성을 갖고, 또한 다이 본딩할 때에 있어서, 칩을 기판이나 리드 프레임에 접착 고정하기 위해서, 충분한 접착 신뢰성을 갖는 것이다.

접착제층(13)은 접착제를 미리 필름화한 것이며, 예를 들어 접착제에 사용되는 공지된 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 멜라민 수지 등이나 그의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 칩이나 리드 프레임에 대한 접착력을 강화하기 위해서, 실란 커플링제 혹은 티타늄 커플링제를 첨가제로서 상기 재료나 그의 혼합물에 첨가하는 것이 바람직하다.

접착제층(13)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 5 내지 100 ㎛정도가 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)의 접착제층(13)은 점착 필름(14)의 점착제층(12) 전체면에 적층되어 있고, 반도체 웨이퍼의 형상 등에 대응시킨 프리컷이 행해져 있지 않고, 적어도 반도체 웨이퍼에 대응하는 위치보다 외측이며 링 프레임에 대응하는 위치보다 내측에 절입(13a)이 형성되어 있다. 절입(13a)은 링 프레임이 접착되었을 때에 링 프레임의 내주 및 외주가 위치하는 부분에 형성해도 되지만, 본 실시 형태에 있어서는 접착제층(13)의 반도체 웨이퍼의 외주에 대응하는 위치에 절입(13a)이 형성되어 있다.

따라서, 접착제층(13)의 절입(13a)보다 외측인 부분의 접착제층 부분의 밑에 형성되어 있는 점착제층 부분을 경화시킴으로써, 경화시킨 점착제층 부분의 점착력을 저하시켜서, 점착제층(12)에 링 프레임을 고정하기 전에, 절입(13a)을 기점으로 해서 점착제층(12)의 경화시킨 부분으로부터 접착제층(13)을 박리시킬 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 외주에 대응하는 위치에 형성된 상술한 절입(13a) 대신에, 링 프레임의 내주 및 외주에 대응하는 위치에 절입을 형성하여, 링 프레임에 대응하는 위치의 점착제층 부분을 경화시켜, 접착제층(13)의 링 프레임에 대응하는 부분을 점착제층(12)으로부터 박리시켜도 된다.

이 결과, 반도체 웨이퍼가 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 있고, 다이싱용의 링 프레임이 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 없어, 점착제층(12)이 경화된 점착 필름(14)만이 존재하는 웨이퍼 가공용 필름을 형성할 수 있다.

(점착 필름)

본 실시 형태에 따른 점착 필름(14)은 기재 필름(11)에 점착제층(12)을 형성한 것이다. 그리고, 점착 필름(14)은 웨이퍼를 다이싱할 때에는 웨이퍼가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층(13)으로부터 박리할 수 있도록 낮은 점착력을 갖는 것이다. 또한, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)은 접착제층(13)의 링 프레임에 대응하는 위치가 프리컷되어 있지 않기 때문에, 링 프레임 장착 전에, 접착제층(13)의 링 프레임에 대응하는 위치를 포함하는 부분 밑에 위치하는 점착제층(12)의 점착력을 낮게 할 필요가 있다. 그 때문에, 점착 필름(14)의 점착제층(12)은 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분에 방사선 중합성 화합물과 하나의 광 개시제가 포함되어 있고, 하나의 광 개시제를 포함하는 개소 이외의 부분, 즉 웨이퍼에 대응하는 부분에 방사선 중합성 화합물과 다른 광 개시제가 포함되어 있다. 또한, 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분은 링 프레임에 대응하는 위치를 포함하는 부분이지만, 링 프레임에 대응하는 부분에만 하나의 광 개시제가 포함되도록 하고, 그 이외의 부분에는 다른 광 개시제가 포함되도록 해도 된다.

점착 필름(14)의 기재 필름(11)으로는 종래 공지인 것이면 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있지만, 본 실시 형태에 따른 점착 필름(14)의 점착제층(12)은 방사선 경화성의 방사선 중합성 화합물을 포함하기 때문에, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.

예를 들어, 그의 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름(11)은 이들 군에서 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다. 기재 필름(11)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 적절하게 설정하면 되지만, 50 내지 200 ㎛가 바람직하다.

점착 필름(14)의 점착제층(12)에 사용되는 수지로는 특별히 한정되지 않고, 점착제에 사용되는 공지된 염소화폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.

점착제층(12)의 수지에는 아크릴계 점착제, 방사선 중합성 화합물, 광 중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합해서 점착제를 제조하는 것이 바람직하고, 본 실시 형태에 따른 점착제층(12)의 수지에는 방사선 중합성 화합물을 포함한다. 따라서, 방사선 중합성 화합물을 점착제층(12)에 배합해서 방사선 경화에 의해 접착제층(13)으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다. 점착제층(12)의 두께는 특별히 한정되지 않고 적절하게 설정해도 되지만, 5 내지 30 ㎛가 바람직하다.

방사선 중합성 화합물로서, 예를 들어 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등이 적용 가능하다.

또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜서 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜서 얻어진다. 또한, 점착제층(12)에는 상기한 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.

광 개시제로는 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3′-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 이들 광 중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100 질량부에 대하여 0.01 내지 5 질량부가 바람직하다.

여기서, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2메틸프로판-1-온, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 아세토페논계 광 개시제는 자외선 영역의 유효 여기 파장 220 내지 260 nm를, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논계 광 개시제는 자외선 영역의 유효 여기 파장 210 내지 260 nm를, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 광 개시제는 자외선 영역의 유효 여기 파장 259 내지 260 nm를, 벤조인에테르계 광 개시제인 벤조인이소프로필에테르는 자외선 영역의 유효 여기 파장 360 nm를 갖는다. 따라서, 이들 광 개시제를 적절히 조합함으로써, 반응하는 파장이 상이한 2종류의 광 개시제를 점착제층(12)의 웨이퍼에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에 각각 포함시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에서, 반응하는 파장이 상이하면, 각각에 복수 종류의 광 개시제를 포함시켜도 된다.

예를 들어, 185 내지 254 nm의 자외선을 발생시키는 저압 수은 램프나, 365 nm의 자외선을 발생시키는 고압 수은 램프 등을 사용하여, 2종류의 파장이 상이한 자외선을 발생시켜, 반응하는 파장이 상이한 2종류의 광 개시제를 포함하는 점착제층(12)에 조사함으로써, 광 개시제가 반응하는 파장의 자외선마다, 점착제층(12)의 웨이퍼에 대응하는 부분과 그 이외의 부분을 2단계로 나누어서 경화시킬 수 있다.

이러한 점착 필름(14)은 예를 들어 기재 필름(11)의 웨이퍼에 대응하는 위치에 마스킹을 실시하고, 하나의 광 개시제를 포함하는 점착제층 조성물을 도포 시공해서 건조시키고, 그 후 이 부분에 마스킹을 해서 다른 광 개시제를 포함하는 점착제층 조성물을 도포 시공함으로써, 제조할 수 있다.

<제2 실시 형태>

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)(도 1 참조)과 마찬가지로, 기재 필름(도 1의 부호 11에 상당) 및 기재 필름 위에 형성된 점착제층(도 1의 부호 12에 상당)으로 이루어지는 점착 필름(도 1의 부호 14에 상당)과, 점착제층 위에 형성된 접착제층(도 1의 부호 13에 상당)을 갖는 것이며, 접착제층은 반도체 웨이퍼에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않고, 점착제층도 링 프레임에 대응한 형상으로 프리컷되어 있지 않다. 또한, 접착제층에는 적어도 반도체 웨이퍼에 대응하는 위치보다 외측이며 링 프레임에 대응하는 위치보다 내측에 절입이 형성되어 있다. 또한, 점착제층 및 접착제층은 기재 필름 위에 기재 필름과 마찬가지로 긴 형상으로 적층되어 있고, 웨이퍼 가공용 필름은 두께가 상이한 부분을 갖고 있지 않다.

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름과 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)의 상이점은 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)의 점착 필름(14)의 점착제층(12)은 방사선 중합성 화합물과, 반응하는 광의 파장이 상이한 2종류의 광 개시제를 포함하는 것인 데 비해, 제2 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름의 점착 필름의 점착제층은 2종류의 광 개시제 대신에, 1종류의 광 개시제 및 열 중합성 화합물을 포함하는 것, 즉, 제2 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름의 점착 필름의 점착제층은 방사선 중합성 화합물 및 광 개시제와, 열 중합성 화합물을 포함하는 것인 점이다. 따라서, 점착제층은, 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분과 웨이퍼에 대응하는 부분이 각각 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물이라는 상이한 것을 포함하는 점에서, 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분과 그 이외의 부분을 2단계로 나누어서 경화시킬 수 있다. 즉, 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분에 방사선 중합성 화합물을 포함한 경우에는 웨이퍼에 대응하는 부분에는 열 중합성 화합물을 포함하고, 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분에 열 중합성 화합물을 포함한 경우에는 웨이퍼에 대응하는 부분에는 방사선 중합성 화합물을 포함하면 된다. 또한, 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분에는 링 프레임에 대응하는 위치가 포함되어 있고, 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분에 있어서도, 링 프레임에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에서 각각 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물이라는 상이한 것을 포함하는 구성으로 해도 된다.

따라서, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)의 경우와 마찬가지로, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름의 경우도, 점착제층의 경화한 부분을 단계적으로 나누어 형성할 수 있는 점에서, 접착제층 및 그 접착제층을 덮는 점착제층을 소정의 형상으로 프리컷할 필요가 없어지기 때문에, 웨이퍼 가공용 필름을 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

열 중합성 화합물로는 열에 의해 중합하는 것, 예를 들어 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등의 관능기를 갖는 화합물을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해서도 사용할 수 있다. 또한, 웨이퍼 가공용 필름의 내열성을 고려하여, 열에 의해 경화시켜, 점착제층의 경화된 부분의 점착력을 저하시켜, 접착제층과 점착제층 사이에서 박리 가능한 것을 사용한다.

<반도체 장치를 제조하는 방법>

제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 도 2 및 도 3을 사용하여 설명한다. 도 2 및 도 3은 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하는 도면이고, 도 2의 (A)는 이형 필름(16)이 접착제층(13) 위에 부착되어 있는 상태를 도시하는 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이고, 도 2의 (B)는 점착제층(12)의 일부를 경화시켜, 경화시킨 점착제층 부분(12a) 위의 접착제층(13)을 박리시킨 상태를 도시하는 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다. 또한, 도 2의 (C)는 웨이퍼(W)가 웨이퍼 가공용 필름에 부착된 상태를 도시하는 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이고, 도 2의 (D)는 웨이퍼가 다이싱된 상태를 도시하는 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이고, 도 2의 (E)는 웨이퍼에 대응하는 위치의 점착제층 부분(12b)을 경화시킨 상태를 도시하는 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름의 단면도이다. 또한, 도 3의 (A)는 다이싱된 웨이퍼가 접합된 웨이퍼 가공용 필름을 익스팬드 장치에 탑재한 상태의 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름을 도시하는 단면도이고, 도 3의 (B)는 익스팬드 후의 웨이퍼 및 웨이퍼 가공용 필름을 도시하는 단면도이다.

(준비 공정)

도 2의 (A)에 도시한 바와 같이, 우선, 기재 필름(11) 및 기재 필름(11) 위에 형성된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 필름(14)과, 도시하지 않은 웨이퍼의 외주에 대응한 위치에 절입(13a)이 형성되어 있는 접착제층(13)을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)에 대하여, 접착제층(13)측으로부터 이형 필름(16)이 부착되어 있는 웨이퍼 가공용 필름을 준비한다. 웨이퍼 가공용 필름은 접착제층(13) 등이 프리컷되어 있지 않은 점에서, 이형 필름(16)이 접합된 제품으로서 롤형으로 감았을 때, 접착제층(13)과 점착 필름(14)의 적층 부분에 발생하고 있었던 단차도 존재하지 않기 때문에, 접착제층(13)에 전사 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

(제1 단계 자외선 조사 공정)

이어서, 하나의 광 개시제, 즉, 점착제층(12)의 웨이퍼에 대응하는 부분 이외에 포함되는 광 개시제가 반응하는 파장(「파장 A」라 칭함)의 자외선을 점착제층(12)에 조사해서 경화시킨다. 경화된 부분(12a)의 점착력이 저하되기 때문에, 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 필름으로부터 이형 필름(16)을 박리함과 함께, 접착제층(13)의 절입(13a)을 기점으로 하여, 경화된 점착제층 부분(12a) 위의 접착제층(13)만을 박리할 수 있다.

(접합 공정)

이어서, 도 2의 (C)에 도시한 바와 같이, 경화한 점착제층 부분(12a)의 소정 위치에 링 프레임(20)을 접합하고, 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)의 접착제층(13)측으로부터, 접착제층(13)에 대하여 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 접합한다. 또한, 이후의 공정에 있어서, 링 프레임(20) 및 반도체 웨이퍼(W)를 긴 형상의 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)에 접합한 상태에서 각 공정을 반송시키는 것이 아니라, 링 프레임(20) 및 반도체 웨이퍼(W)를 1조씩 개별로 반송시킬 경우에는 링 프레임(20)을 접합하기 전 혹은 접합한 후에, 링 프레임(20)의 외주를 따라, 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(15)을 절단하면 된다.

(다이싱 공정)

링 프레임(20)을 개재해서 웨이퍼 가공용 필름을 다이싱 장치(도시하지 않음)에 고정하고, 블레이드를 사용하여 반도체 웨이퍼(W)를 기계적으로 절단하여, 복수의 반도체 칩(C)으로 분할함과 함께, 접착제층(13)도 분할한다(도 2의 (D)).

(제2 단계 자외선 조사 공정)

그리고, 도 2의 (E)에 도시한 바와 같이, 복수의 반도체 칩(C)으로 분할된 웨이퍼의 위치에 대응하는 점착제층 부분(12b)에 포함되는 파장 A 이외의 파장(「파장 B」라 칭함)에 반응하는 광 개시제를 반응시키기 위해서, 파장 A와는 상이한 파장 B의 자외선을 점착제층(12)에 조사해서 경화시킨다. 경화한 부분(12b)은 점착력이 저하되기 때문에, 경화한 점착제층 부분(12b) 위의 접착제층(13)을 박리시키는 것이 가능하게 된다.

(적재 공정)

반도체 칩(C)으로 분할된 웨이퍼의 위치에 대응하는 점착제층 부분(12b)을 파장 B의 자외선 조사로 경화시킨 후, 도 3의 (A)에 도시한 바와 같이, 분할된 복수의 반도체 칩(C)을 유지하는 웨이퍼 가공용 필름을 익스팬드 장치의 스테이지(21) 위에 적재한다. 도면 중, 부호 22는 익스팬드 장치의 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재이다.

(익스팬드 공정)

그리고, 도 3의 (B)에 도시한 바와 같이, 다이싱된 반도체 칩(C) 및 접착제층(13)을 유지한 기재 필름(11) 및 점착제층(12(12a 및 12b))으로 이루어지는 점착 필름(14)을 링 프레임(20)의 주위 방향으로 잡아 늘리는 익스팬드 공정을 실시한다. 구체적으로는 다이싱된 복수의 반도체 칩(C) 및 접착 필름(13)을 유지한 상태의 점착 필름(14)에 대하여, 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(22)를 점착 필름(14)의 하면측으로부터 상승시켜, 상기 점착 필름(14)을 링 프레임(20)의 주위 방향으로 잡아 늘린다. 익스팬드 공정에 의해, 반도체 칩(C)끼리의 간격을 넓혀, CCD 카메라 등에 의한 반도체 칩(C)의 인식성을 높임과 함께, 픽업 시에 인접하는 반도체 칩(C)끼리가 접촉함으로써 발생하는 반도체 칩(C)끼리의 재접착을 방지할 수 있다.

(픽업 공정)

익스팬드 공정을 실시한 후, 점착 필름(14)을 익스팬드한 상태인 채로, 반도체 칩(C)을 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 구체적으로는 점착 필름(14)의 하측으로부터 반도체 칩(C)을 핀(도시하지 않음)에 의해 밀어올림과 함께, 점착 필름(14)의 상면측으로부터 흡착 지그(도시하지 않음)로 반도체 칩(C)을 흡착함으로써, 개편화된 반도체 칩(C)을 해당 반도체 칩(C)에 부착된 상태의 접착제층(13)과 함께 픽업한다.

(다이 본딩 공정)

그리고, 픽업 공정을 실시한 후, 다이 본딩 공정을 실시한다. 구체적으로는 픽업 공정에서 반도체 칩(C)과 함께 픽업된 접착제층(13)에 의해, 반도체 칩(C)을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하여, 반도체 장치를 제조한다.

또한, 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름(10)을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법으로는, 점착제층(12)의 웨이퍼에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에, 반응하는 광의 파장이 상이한 광 개시제를 각각에 포함하는 웨이퍼 가공용 필름을 사용하고 있기 때문에, 파장이 상이한 자외선(파장 A와 파장 B의 자외선)을 2단계로 나누어서 조사하고, 1단계째에서 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분(12a)(링 프레임에 대응하는 부분을 포함하는 부분)을 경화시켜서, 링 프레임(R)을 장착하기 위해서, 점착제층(12a) 위의 접착제층(13)을 박리하였다. 그러나, 제2 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름을 사용한 경우, 점착제층(12)의 웨이퍼에 대응하는 부분과 그 이외의 부분에서 광 개시제 및 열 중합성 화합물 중 어느 한쪽을 각각에 포함하기 때문에, 점착제층 부분(12a)의 경화와 점착제층 부분(12b)의 경화를 열경화와 자외선 경화의 2단계로 나누어서 행하고, 1단계째에서 웨이퍼에 대응하는 부분 이외의 부분(링 프레임(R)에 대응하는 부분을 포함하는 부분)을 경화시키고, 링 프레임(R)를 장착하기 위해서, 경화시킨 점착제층(12) 위의 접착제층(13)을 박리하면 된다.

이상으로부터, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 필름에 의하면, 프리컷을 형성할 필요가 없기 때문에, 웨이퍼 가공용 필름을 롤형으로 권취했을 경우에, 접착제층에서의 전사 자국의 발생을 충분히 억제할 수 있고, 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에 공기가 말려 들어가는 것에 의한 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이의 밀착성의 저하를 방지함과 함께, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때, 접착 불량이나 웨이퍼의 가공 시의 문제를 방지할 수 있었다. 또한, 본 발명의 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 의하면, 원하는 반도체 장치를 기존 설비의 대규모 변경을 수반하지 않고 설계 변경할 수 있었다.

10, 30: 웨이퍼 가공용 필름
11: 기재 필름
12: 점착제층
13: 접착제층
13a: 접착제층의 절입
14: 점착 필름
15: 다이싱ㆍ다이 본딩 필름
16: 이형 필름

Claims

기재 필름, 및 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과,
상기 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖고,
상기 점착제층은, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분에 방사선 중합성 화합물과 하나의 광 개시제를 포함하고, 상기 하나의 광 개시제를 포함하는 개소 이외의 부분에 방사선 중합성 화합물과 다른 광 개시제를 포함하고,
상기 하나의 광 개시제가 반응하는 광의 파장은 상기 다른 광 개시제가 반응하는 광의 파장과 상이한
것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 필름.
기재 필름, 및 상기 기재 필름 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과,
상기 점착제층 위에 형성된 접착제층을 갖고,
상기 점착제층은, 적어도 링 프레임에 대응하는 부분에 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물 중 한쪽을 포함하고, 상기 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물 중 한쪽을 포함하는 개소 이외의 부분에 상기 방사선 중합성 화합물 및 열 중합성 화합물 중 다른 쪽을 포함하는
것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 필름.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착제층은, 절입이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 필름.
제3항에 있어서, 상기 절입은, 적어도 반도체 웨이퍼에 대응하는 위치보다 외측이며 링 프레임에 대응하는 위치보다 내측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 필름.
제1항 또는 제2항에 기재된 웨이퍼 가공용 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법이며,
상기 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분 이외이며 적어도 상기 링 프레임에 대응하는 부분을 경화시켜, 경화시킨 점착제층의 부분으로부터 상기 접착제층을 박리하는 공정과,
상기 접착제층에 상기 웨이퍼를 접합하는 공정과,
상기 점착제층에 상기 링 프레임을 고정하는 공정과,
상기 웨이퍼를 다이싱하여 개편화된 칩 및 접착제층을 형성하는 공정과,
상기 점착제층의 웨이퍼에 대응하는 부분을 경화시켜, 상기 개편화된 칩 및 접착제층을 픽업하는 공정을 포함하는
것을 특징으로 하는 방법.