KR101321265B1 - 가스 스트림 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
가스 스트림을 처리하기 위해 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법이 기재되어 있는데, 이때 가스 스트림의 일부는 가스 스트림으로부터 과불화 화합물을 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자로부터 우회되어 진공 펌프용 퍼지 가스로서 상기 저감 소자의 상류에 위치한 가스 스트림으로 되돌아간다. 이것은 저감 소자의 전력 요구량, 및 퍼지 가스를 구성하기 위해 가스 스트림에 첨가되는 불활성 가스의 양을 감소시킬 수 있다.
Description
본 발명은 챔버로부터 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
다양한 여러 가스가 챔버 내의 반도체 또는 평면 패널 디스플레이 소자의 형성 과정 동안에 공정 챔버에 공급될 수 있다. 화학적 증기 증착(CVD)은 증착 챔버 내에 위치한 기판 또는 와이퍼의 표면 상에 박막 또는 박층을 증착시키는 데 사용된다. 이 공정은 화학 반응이 기판 표면 상에서 일어나게 하는 조건 하에 종종 운반체 가스를 사용하여 하나 이상의 반응성 가스를 챔버의 기판 표면에 공급함으로써 작동한다. 예를 들어, 테트라에톡시실란(TEOS), 및 산소 및 오존 중 하나가 상기 기판 상의 산화실리콘 층의 형성을 위해 증착 챔버에 공급될 수 있고, 실란 및 암모니아가 질화실리콘 층의 형성을 위해 공급될 수 있다. 다결정 실리콘 또는 폴리실리콘은 열에 의한 실란 또는 클로로실란의 분해에 의해 상기 기판 상에 증착된다.
또한, 가스는 예를 들어, 전극 및 반도체 소자의 공급원 및 배출 영역의 형성 과정 동안에 증착된 층 영역의 선별적 에칭(etching)을 수행하기 위해 에칭 챔버에 공급될 수 있다. 에칭 가스는 과불화 가스 예컨대, CF4, C2F6, C3F8 및 C4F8뿐만 아니라, 하이드로플루오로카본 가스 예컨대, CHF3, C2HF5 및 CH2F2, 불소, NF3 및 SF6을 비롯한 다른 에칭제를 포함할 수 있다. 이러한 가스는 폴리실리콘 층 상에 형성되며 포토레지스트(photoresist) 층에 의해 노출되는 질화물 또는 산화물 층의 영역 내에서 개구(opening)를 형성하는 데 통상적으로 사용된다. 에칭 챔버 내에서 수행되는 공정을 위한 촉진 가스(facilitating gas)를 제공하기 위해 일반적으로 아르곤도 에칭 가스와 함께 챔버로 운반된다.
이러한 에칭 공정 동안, 전형적으로 에칭 공정으로부터의 부산물 예컨대, SiF4 및 COF2, 및 불활성 가스 예컨대, 아르곤과 함께 진공 펌프에 의해 에칭 챔버로부터 나오는 배기 가스에 함유된, 에칭 챔버에 공급된 잔류량의 가스가 존재한다. 종종, 추가 질소를 진공 펌프용 퍼지 가스로서 약 40 내지 50 slm의 유속으로 배기 가스에 첨가한다.
상기 과불화 가스는 온실 가스이므로, 이러한 사실에 비추어, 배기 가스가 대기로 배출되기 전에 전형적으로 저감 소자를 구비시켜 과불화 가스가 예를 들어, 통상적인 세정(scrubbing)에 의해 배기 가스로부터 용이하게 제거될 수 있고/있거나 대기로 안전하게 배출될 수 있는 종(species)으로 전환되도록 배기 가스를 처리한다. 그러나, 공정 챔버로부터의 배기 가스의 유속(전형적으로 약 0.5 내지 5 slm)에 비해 배기 가스에 첨가된 퍼지 가스의 상대적으로 높은 유속에 비추어, 퍼지 가스의 첨가는 저감 소자의 분해 효율을 유의하게 감소시킬 수 있거나 저감 소자의 에너지 요구량을 유의하게 증가시킬 수 있다.
도 1은 플라즈마 에칭 반응기의 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 장치의 제1 실시양태를 보여준다.
도 2는 복수의 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 장치의 제2 실시양태를 보여준다.
도 3은 복수의 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 장치의 제3 실시양태를 보여준다.
제1 측면에서, 본 발명은 가스 스트림의 처리를 위한 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법; 진공 펌프, 및 이의 하류에 위치하며 가스 스트림으로부터 과불화 화합물(PFC)을 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자를 포함하는 저감 시스템; 및 가스 스트림의 일부를 상기 저감 소자로부터 우회시키는 단계, 및 우회된 부분을 진공 펌프용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보내는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
가스 스트림의 일부를 플라즈마 저감 소자로부터 우회시켜 플라즈마 저감 소자로 들어가는 가스 스트림의 유속을 유의하게 감소시킴으로써 상기 소자의 분해 효율을 개선시킬 수 있다. 가스 스트림의 우회되지 않은 부분 중의 과불화 화합물의 농도는 시간에 따라 점진적으로 증가할 것이고, 이것은 플라즈마 저감 소자의 분해 효율을 개선할 수 있다.
나아가, 우회된 부분을 진공 펌프용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보냄으로써 진공 펌프로 향하는 새로운 퍼지 가스의 유속을 유의하게 감소시킬 수 있다. 가스 스트림의 우회된 부분이 저감 시스템 내에 보유된다는 점에서 이것은 폐쇄된 루프 시스템이기 때문에, 결과적으로 가스 스트림 중의 모든 과불화 화합물이 플라즈마 저감 소자에 의해 처리될 것이다.
가스 스트림의 우회된 부분은 바람직하게는 펌프로 되돌아 가기 전에 열 교환기 및 압축기 중 적어도 하나를 통과한다.
가스 스트림의 우회된 부분은 바람직하게는 펌프로 공급될 불활성 가스의 스트림에 첨가된다. 별법으로, 가스 스트림의 이 부분은 불활성 가스와는 별개로 진공 펌프의 상류, 하류 또는 스테이지(stage) 사이에서 가스 스트림에 첨가될 수 있다.
가스 스트림의 상기 부분은 가스 스트림으로부터 우회되기 전에 바람직하게는 하나 이상의 종이 가스 스트림으로부터 제거된다. 이 종은 바람직하게는 가스 스트림에 함유된 화학적 반응성 또는 부식성 종이고 임의의 적절한 수단에 의해 제거될 수 있다. 바람직한 실시양태에서, 가스 스트림은 상기 종과 반응하는 하나 이상의 물질로 이루어진 가열된 층을 통과한다. 이 종은 가스 스트림이 진공 펌프에 의해 나오는 챔버 내에서 일어나는 공정으로부터 발생된 부산물일 수 있다. 예를 들어, 상기 공정이 실리콘 또는 유전체 층 상에서 수행되는 에칭 공정인 경우, 상기 종은 SiF4 및 COF2 중 하나를 포함할 수 있다.
플라즈마 저감 소자는 마이크로파 플라즈마 저감 소자 또는 dc 토치(torch)일 수 있다. 상기 소자를 통과하는 가스 스트림의 유속을 감소시킴으로써 과불화 가스의 허용가능한 분해 효율을 유지하기 위한 저감 소자의 전력 요구량을 유의하게 감소시킬 수 있다.
과불화 화합물은 일반식 CxFyHz로 표시되는 임의의 가스 예컨대, CF4, C2F6, C3F8, C4F8, CHF3, C2HF5 및 CH2F2, NF3 또는 SF6일 수 있고, 이때 x는 ≥1이고 , y는 ≥1이며, z는 ≥0이다.
제2 측면에서, 본 발명은 가스 스트림을 챔버로부터 펌핑하기 위한 진공 펌프용 퍼지 가스를 가스 스트림에 첨가하는 단계; 제1 저감 소자를 사용하여, 챔버 내에서 수행되는 에칭 공정으로부터의 부산물 또는 과불화 화합물인 제1 종을 가스 스트림으로부터 제거하는 단계; 가스 스트림을 제1 부분과 제2 부분으로 분할하는 단계; 플라즈마 저감 소자인 제2 저감 소자(24)를 사용하여, 과불화 화합물인 제2 종을 가스 스트림의 제1 부분으로부터 제거하는 단계; 및 가스 스트림의 제2 부분을 상기 펌프로 되돌려 보내는 단계를 포함하는, 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법을 제공한다.
플라즈마 저감 소자로부터의 가스 스트림 배기물은 제2 종을 가스 스트림으로부터 제거하는 단계로부터 발생된 부산물인 제3 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 제3 저감 소자로 운반될 수 있다. 이 제3 종은 제2 종을 가스 스트림으로부터 제거함으로써 생성된 부산물일 수 있다. 제3 저감 소자는 바람직하게는 습식 세정기(wet scrubber)를 포함한다.
제3 측면에서, 본 발명은 진공 펌프; 진공 펌프의 하류에 위치하고, 가스 스트림으로부터 과불화 화합물을 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자; 가스 스트림의 일부를 상기 플라즈마 저감 소자로부터 우회시키기 위한 수단; 및 우회된 부분을 진공 펌프용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보내기 위한 수단을 포함하는, 가스 스트림을 처리하는 장치를 제공한다.
제4 측면에서, 본 발명은 진공 펌프; 챔버 내에서 수행되는 에칭 공정으로부터의 부산물 또는 과불화 화합물인 제1 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 제1 저감 소자; 제1 저감 소자의 하류에 위치하고, 과불화 화합물인 제2 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자인 제2 저감 소자(24); 가스 스트림의 일부를 상기 플라즈마 저감 소자로부터 우회시키기 위한 수단; 및 우회된 부분을 진공 펌프용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보내기 위한 수단을 포함하는, 가스 스트림을 처리하는 장치를 제공한다.
본 발명의 제1 측면과 관련하여 전술한 특징은 제2 내지 제4 측면에 동일하게 적용될 수 있고, 그 반대의 경우도 성립된다.
이하, 본 발명의 바람직한 특징이 첨부된 도면을 참조하면서 예로써만 기술될 것이다.
먼저 도 1을 참조하면, 도면에서 일반적으로 14로 표시되는 가스 공급원으로부터 공정 가스를 제공받기 위한 하나 이상의 입구(12)가 플라즈마 에칭 반응기의 챔버(10)에 구비되어 있다. 조절 밸브 또는 덩어리 유동 조절기(15)가 각각의 가스에 대해 구비될 수 있고, 덩어리 유동 조절기(15)는 요구량의 가스가 챔버(10)에 공급되도록 시스템 조절기에 의해 조절된다. 본 실시예에서, 공정 가스는 챔버(10) 내에서 수행되는 공정을 위한 반응물로서 에칭제 및 산소를 아르곤과 함께 포함한다. 적절한 에칭제의 예로는 일반식 CxFyHz로 표시되는 과불화 화합물 예컨대, CF4, C2F6, C3F8, C4F8, CHF3, C2HF5 및 CH2F2, NF3 및 SF6을 포함하며, 이때 x는 ≥1이고, y는 ≥1이며, z는 ≥0이다. 아르곤은 챔버(10) 내에서 수행되는 공정을 위한 촉진 가스를 제공한다. 헬륨 또한 공정 챔버 내에 위치한 기판의 후면을 냉각시키기 위해 비교적 소량으로 챔버(10)에 공급될 수 있다.
플라즈마 에칭 반응기는 그 내부에 위치한 기판의 표면을 원하는 기하학적 형태로 에칭시키기 위한 플라즈마를 발생시키기에 적합한 임의의 반응기일 수 있다.
그 예로는 유도적으로 커플링된 플라즈마 에칭 반응기, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 에칭 반응기 또는 다른 고밀도 플라즈마 반응기를 들 수 있다. 본 실시예에서, 플라즈마 에칭 반응기는 반도체 제조 공정이 일어나는 반응기이므로, 기판의 표면은 폴리실리콘 또는 유전체 막을 포함할 수 있다. 별법으로, 평면 패널 디스플레이의 제조는 플라즈마 에칭 반응기 내에서 일어날 수 있다.
가스 스트림은 일반적으로 18로 표시되는, 하나 이상의 진공 펌프를 포함하는 진공 펌핑 장치에 의해 챔버(10)의 출구(16)로부터 나온다. 상기 진공 펌핑 장치는 터보분자 펌프 및/또는 교차 로터(intermeshing rotor)를 갖는 건조 펌프의 형태일 수 있다. 터보분자 펌프는 챔버(10) 내에서 10-3 mbar 이상의 진공을 발생시킬 수 있다. 챔버(10)로부터의 가스 스트림의 유속은 일반적으로 약 0.5 내지 5 slm이다.
에칭 공정 동안에 반응물의 일부만이 소모될 것이므로, 챔버(10)의 출구(16)로부터의 가스 스트림 배기물은 반응물, 챔버에 공급된 임의의 비반응성 희귀 가스 및 에칭 공정으로부터의 부산물의 혼합물을 함유할 것이다. 예를 들어, 가스 스트림은 CxFyHz, 산소, 아르곤, 헬륨, SiF4 및 COF2의 혼합물을 함유할 수 있다. 에칭 공정은 다수의 상이한 공정 단계를 포함할 수 있으므로, 챔버(10)로부터의 가스 스트림 배기물의 조성, 및/또는 가스 스트림의 성분들의 상대적 비율은 시간에 따라 변할 수 있다.
도면에 나타낸 바와 같이, 예를 들어, 펌프(18)의 동적 축 밀봉의 수명 및 효능을 증가시키고/시키거나 가스 스트림을 희석하여 소모되지 않은 활성 가스 분자의 펌핑으로부터 기인한 부식 및 분해를 감소시키기 위해, 불활성 퍼지 가스 예컨대, 헬륨 스트림 또는, 본 실시예에서와 같이, 질소 스트림을 그의 공급원(20)으로부터 진공 펌핑 장치로 공급한다. 퍼지 가스는 일반적으로 챔버(10)로부터의 가스의 유속에 비해 상대적으로 높은 유속 예를 들어, 약 40 내지 50 slm으로 가스 스트림에 첨가된다. 진공 펌핑 장치로 향하는 퍼지 가스의 유속은 펌프(18)와 퍼지 가스 공급원(20) 사이에 위치한 조절 밸브(21)를 사용하여 조절할 수 있다.
따라서, 진공 펌핑 장치로부터의 가스 스트림 배기물은 챔버(10)로부터의 가스 배기물 외에 질소를 함유하게 된다. 그 후, 가스 스트림으로부터 성분들의 일부를 제거하기 위해, 가스 스트림을 제1 저감 소자(22)를 통해 운반한다. 제1 저감 소자(22)는 가스 스트림으로부터 원하는 성분들을 제거하기 위한 소각 또는 열 분해 유니트(unit)와 같은 임의의 원하는 형태를 취할 수 있다. 그러나, 열 분해 유니트 내에서 가스 스트림을 소각시키기 위한 연료 가스를 제공해야 한다는 요건, 가스 스트림의 추가 희석, 및 가스 스트림에의 수분의 첨가(제거하지 않으면 가스 스트림의 부식성을 증가시킬 것임) 때문에, 설명된 실시예에서 제1 저감 소자(22)는 가스 스트림으로부터 SiF4, COF2 및 보다 높은 반응성을 나타내는 CxFyHz 성분들을 제거하기 위한 가스 반응기 컬럼 또는 다른 건조 저감 소자의 형태로 구비된다. 적합한 가스 반응기 컬럼의 예는 미국 특허 제5,213,767호에 기재되어 있고, 동 특허의 내용은 참고로 본 명세서에 도입된다. 요약하면, 가스 반응기 컬럼은 가스 스트림으로부터 특정 성분들을 제거하기 위해 선택된 물질로 이루어진 다수의 가열된 층을 함유한다. 본 실시예에서, 가스 반응기 컬럼은 전기적으로 가열된 퍼니스(furnace)에 의해 둘러싸인 제거가능한 카트리지 내에 편리하게 구비될 수 있는 2개 이상의 가열된 스테이지를 포함한다. 제1 스테이지는 가스 스트림을 예열하고 보다 높은 반응성을 나타내는 CxFyHz 성분들을 F2 및 C로 전환하기 위한 가열된 실리콘 과립을 함유하는데, F2 및 C는 매연의 형태로 컬럼으로부터 떨어져 나오거나 가스 스트림 중에 존재하는 O2에 의해 CO 및 CO2로 전환된다. 제2 스테이지는 SiF4를 CaF2 및 SiO2로 전환하고 F2를 CaF2로 전환하기 위한 바람직하게는 석회 형태의 가열된 산화칼슘을 함유한다. 가스 스트림 중에 존재하는 상대적으로 비반응성을 나타내는 가스, 즉 본 실시예에서 희귀 가스인 헬륨 및 아르곤, 질소 퍼지 가스, 및 보다 안정한 CxF2x+2 성분들 예컨대, CF4 및 C2H6, CO 및/또는 CO2는 충전되지 않은 가스 반응기 컬럼을 통과한다.
하나의 가스 반응기 컬럼이 구비될 수 있지만, 2개 이상의 유사한 가스 반응기 컬럼이 병렬로 구비될 수 있다. 예를 들면, 2개의 가스 반응기 컬럼이 구비되는 경우, 하나 이상의 밸브를 진공 펌프(18)와 가스 반응기 컬럼 사이에 배치시킴으로써 다른 가스 반응기 컬럼을 예를 들어, 하나 이상의 카트리지 교체를 위해 오프-라인 상태로 유지하거나 예를 들어, 질소 가스를 사용하여 퍼징시키면서 가스 스트림을 하나의 가스 반응기 컬럼으로 향하게 할 수 있다. 이것은 가스 스트림이 연속적으로 처리될 수 있게 한다. 이 경우, 가스 반응기 컬럼으로부터의 배기물을 공유 가스 도관으로 운반하기 위해 하나 이상의 밸브로 이루어진 장치 또한 가스 반응기 컬럼의 하류에 구비시킨다.
전술한 바와 같이, 제1 저감 소자(22)로부터의 가스 스트림 배기물은 전형적으로 본 실시예에서 헬륨, 아르곤, 질소, 하나 이상의 과불화 화합물 예컨대, CF4 및 C2F6, 및 CO2 및 CO 중 하나 또는 둘다를 함유한다. 가스 스트림으로부터 잔류하는 과불화 화합물을 제거하기 위해, 플라즈마 저감 소자(24) 형태의 제2 저감 소자를 제1 저감 소자(22)의 하류에 구비시킨다. 다른 형태의 플라즈마 저감 소자 예컨대, dc 토치가 사용될 수 있다 하더라도, 플라즈마 저감 소자(24)는 바람직하게는 마이크로파 플라즈마 저감 소자이다.
과불화 화합물에 비해 상대적으로 높은 비율의 퍼지 가스가 제1 저감 소자(22)로부터의 가스 스트림 배기물 중에 존재하기 때문에, 플라즈마 저감 소자(24)의 에너지 요구량을 감소시키기 위해, 플라즈마 저감 소자(24)를 통과하는 가스의 유속을 제1 저감 소자(22)로부터 배출되는 가스 스트림의 유속에 비해 감소시킨다. 설명된 본 실시예에서, 분지(26)는 제1 저감 소자(22)로부터 가스 스트림을 제공받고 가스 스트림을 제1 부분과 제2 부분으로 분할하기 위해 제1 저감 소자(22)와 플라즈마 저감 소자(24) 사이에 배치된다. 가스 스트림의 제1 부분은 가변 조절 밸브(28) 또는 플라즈마 저감 소자(24) 내로 들어가는 가스의 유속을 조절하기 위한 다른 소자를 통해 플라즈마 저감 소자(24)로 운반된다. 가스 스트림의 제2 부분은 플라즈마 저감 소자(24)로부터 우회되고 진공 펌핑 장치에 공급되는 퍼지 가스의 적어도 일부를 형성하기 위해 가스 도관(30)에 의해 진공 펌핑 장치로 되돌아간다. 본 실시예에서, 가스 스트림의 우회된 부분은 공급원(20)으로부터 공급된 새로운 퍼지 가스의 스트림에 첨가된다. 별법으로, 가스 스트림의 우회된 부분은 진공 펌핑 장치와는 별개로 펌프(18)의 상류, 하류 또는 스테이지 사이에서 공급될 수 있다. 설명된 바와 같이, 가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌핑 장치로 되돌려 보내기 전에 냉각시키고 압축시키기 위해 각각 열 교환기(32) 및 압축기(34)를 가스 도관(30) 내에 구비시킬 수 있다.
플라즈마 저감 소자(24)로부터 가스 스트림의 일부를 우회시키기 위해, 플라즈마 저감 소자(24)로 들어가는 가스의 유속을 유의하게 감소시킴으로써 플라즈마 저감 소자(24)의 분해 효율을 개선시킬 수 있다. 가스 스트림의 제1 부분 중의 과불화 화합물의 농도는 시간에 따라 증가할 것이고, 이것은 플라즈마 저감 소자(24)의 분해 효율을 개선할 수 있다.
나아가, 우회된 부분을 진공 펌프(18)용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보냄으로써 진공 펌프(18)로 향하는 새로운 퍼지 가스의 유속을 예를 들어, 조절 밸브(21)를 사용하여 유의하게 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 가스 스트림의 약 75%를 플라즈마 저감 소자(24)로부터 우회시킴으로써 진공 펌프(18)로 공급되는 새로운 퍼지 가스의 양을 75%까지 감소시킬 수 있다.
도 1을 다시 살펴보면, 플라즈마 저감 소자(24)는 가스 스트림의 제1 부분 중의 과불화 화합물을, 습식 세정기, 또는 플라즈마 저감 소자(24)의 하류에 위치한 다른 유사한 저감 소자(36)에 의해 가스 스트림으로부터 제거될 수 있는 종 예컨대, CO2 및 HF로 전환한다.
도 2 및 3에 나타낸 제2 실시양태 및 제3 실시양태에서, 플라즈마 저감 소자(24)는 복수의 챔버(10)(간결하게 나타내기 위해 2개만이 도 2에 나타냄)로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 데 사용된다. 도 2에 나타낸 제2 실시양태에서, 각각의 챔버(10)로부터의 가스 스트림 배기물은 각각의 분지(26)에서 제1 부분과 제2 부분으로 분할되기 전에 각각의 진공 펌핑 장치(18) 및 제1 저감 소자(22)를 통과한다. 제1 실시양태에서와 같이, 각각의 제2 부분은 플라즈마 저감 소자(24)로부터 우회되어 각각의 도관(30)을 통해 각각의 진공 펌핑 배열로 되돌아간다. 가스 스트림의 비-우회된 제1 부분은 매니폴드(manifold)(40)에서 합해지고 이로부터 과불화 화합물을 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자(24)로 운반된다. 도 3에 나타낸 제3 실시양태에서, 챔버(10)의 진공 펌핑 장치로부터의 가스 스트림 배기물은 제1 저감 소자(22)의 상류에 위치한 매니폴드(50)에서 합해진다. 합해진 가스 스트림은 분지(26)에서 제1 부분과 제2 부분으로 분할되기 전에 제1 저감 소자(22) 내에서 처리된다. 제1 실시양태에서와 같이, 합해진 가스 스트림의 제1 부분은 이로부터 과불화 화합물을 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자(24)로 운반된다. 합해진 가스 스트림의 제2 부분은 분지(52)에서 2개의 유사한 하위-스트림(sub-stream)으로 분할되기 전에 도관(30)에 의해 열 교환기(32) 및 압축기(34)를 통과하고, 상기 2개의 유사한 하위-스트림은 제1 실시양태에서와 같이 각각의 진공 펌핑 장치로 되돌아 간다.
Claims (27)
- 진공 펌프, 및 진공 펌프의 하류에 위치하고, 과불화 화합물을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자를 포함하는 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법으로서,가스 스트림의 일부를 상기 플라즈마 저감 소자로부터 우회시키는 단계; 및우회된 부분을 진공 펌프용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보내는 단계를 포함하는, 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법.
- 제1항에 있어서,가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌프로 되돌려 보내기 전에 열 교환기에 통과시키는, 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법.
- 제1항에 있어서,가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌프로 되돌려 보내기 전에 압축시키는, 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법.
- 제1항에 있어서,가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌프로 공급되는 불활성 가스의 스트림에 첨가하는, 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법.
- 제1항에 있어서,가스 스트림의 일부를 가스 스트림으로부터 우회시키기 전에, 챔버 내에서 수행되는 에칭 공정으로부터의 부산물 및 과불화 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 종을 가스 스트림으로부터 제거하는, 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법.
- 제5항에 있어서,가스 스트림을 하나 이상의 종과 반응하는 실리콘 및 산화칼슘으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진 가열된 층에 통과시키는, 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서,하나 이상의 종이 SiF4를 포함하는, 가스 스트림 처리용 저감 시스템의 효율을 조절하는 방법.
- 가스 스트림을 챔버로부터 펌핑하기 위한 진공 펌프용 퍼지 가스를 가스 스트림에 첨가하는 단계;제1 저감 소자를 사용하여, 챔버 내에서 수행되는 에칭 공정으로부터의 부산물 또는 과불화 화합물인 제1 종을 가스 스트림으로부터 제거하는 단계;가스 스트림을 제1 부분과 제2 부분으로 분할하는 단계;플라즈마 저감 소자인 제2 저감 소자(24)를 사용하여, 과불화 화합물인 제2 종을 가스 스트림의 제1 부분으로부터 제거하는 단계; 및가스 스트림의 제2 부분을 진공 펌프로 되돌려 보내는 단계를 포함하는, 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법.
- 제8항에 있어서,가스 스트림의 제2 부분을 퍼지 가스에 첨가하는, 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법.
- 제8항에 있어서,제1 종이 챔버 내에서 수행되는 에칭 공정으로부터의 부산물을 포함하는, 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법.
- 제10항에 있어서,부산물이 SiF4인, 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법.
- 삭제
- 제8항에 있어서,플라즈마 저감 소자로부터의 가스 스트림 배기물을, 제2 종을 가스 스트림으로부터 제거하는 단계로부터 발생된 부산물인 제3 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 제3 저감 소자(36)로 운반하는, 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법.
- 삭제
- 제13항에 있어서,제3 저감 소자(36)가 습식 세정기(wet scrubber)를 포함하는, 챔버로부터의 가스 스트림 배기물을 처리하는 방법.
- 진공 펌프;진공 펌프의 하류에 위치하고, 과불화 화합물을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자;가스 스트림의 일부를 상기 플라즈마 저감 소자로부터 우회시키기 위한 수단; 및우회된 부분을 진공 펌프용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보내기 위한 수단을 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제16항에 있어서,가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌프로 되돌려 보내기 전에 냉각시키기 위한 열 교환기를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제16항에 있어서,가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌프로 되돌려 보내기 전에 압축시키기 위한 압축기를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제16항에 있어서,가스 스트림의 일부를 가스 스트림으로부터 우회시키기 전에, 챔버 내에서 수행되는 에칭 공정으로부터의 부산물 및 과불화 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 저감 소자(22)를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제19항에 있어서,저감 소자(22)가 실리콘 및 산화칼슘으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진 가열된 층을 포함하는, 가스 스트림 처리용 장치.
- 제16항에 있어서,플라즈마 저감 소자의 하류에 위치하고, 가스 스트림으로부터 종을 제거하기 위한 저감 소자(36)를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제16항에 있어서,플라즈마 저감 소자의 하류에 위치하고, 과불화 화합물을 가스 스트림으로부터 제거함으로써 발생된 부산물을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 습식 세정기를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 진공 펌프;챔버 내에서 수행되는 에칭 공정으로부터의 부산물 또는 과불화 화합물인 제1 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 제1 저감 소자;제1 저감 소자의 하류에 위치하고, 과불화 화합물인 제2 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 플라즈마 저감 소자인 제2 저감 소자(24);가스 스트림의 일부를 상기 제2 저감 소자로부터 우회시키기 위한 수단; 및우회된 부분을 진공 펌프용 퍼지 가스로서 가스 스트림으로 되돌려 보내기 위한 수단을 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제23항에 있어서,가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌프로 되돌려 보내기 전에 냉각시키기 위한 열 교환기를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제23항에 있어서,가스 스트림의 우회된 부분을 진공 펌프로 되돌려 보내기 전에 압축시키기 위한 압축기를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제23항에 있어서,제2 저감 소자의 하류에 위치하고, 제2 종을 가스 스트림으로부터 제거함으로써 발생된 부산물인 제3 종을 가스 스트림으로부터 제거하기 위한 제3 저감 소자(36)를 포함하는 가스 스트림 처리용 장치.
- 제26항에 있어서,제3 저감 소자(36)가 습식 세정기를 포함하는, 가스 스트림 처리용 장치.
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