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KR101278768B1 - 전계 발광소자 및 이를 포함하는 전자장치 - Google Patents

전계 발광소자 및 이를 포함하는 전자장치 Download PDF

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KR101278768B1
KR101278768B1 KR1020060033549A KR20060033549A KR101278768B1 KR 101278768 B1 KR101278768 B1 KR 101278768B1 KR 1020060033549 A KR1020060033549 A KR 1020060033549A KR 20060033549 A KR20060033549 A KR 20060033549A KR 101278768 B1 KR101278768 B1 KR 101278768B1
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South Korea
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electroluminescent device
light emitting
glass
glass template
emitting material
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조경상
권순재
이은경
이재호
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 매트릭스로 실리카층을 포함하고, 전극 및 발광재료를 구비한 글래스 템플릿을 포함하는 전계 발광소자 및 상기 전계 발광소자를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 본 발명에 의한 전계 발광소자는 실리카가 매트릭스로 충진되어 있어, 글래스 템플릿의 발광층과 전극의 간극을 채우지 않고도 구조가 안정화 되어 있을 뿐만 아니라, 공정이 용이하다는 이점을 지니기 때문에, 디스플레이 장치, 조명용 장치 및 백라이트 유닛 등 다양한 전자장치에 효과적으로 적용될 수 있다.
글래스 템플릿, 실리카층, 전극, 발광재료, 전계 발광소자

Description

전계 발광소자 및 이를 포함하는 전자장치{ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 화이버 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿의 단면 개략도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 테이프 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿의 단면 개략도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한, 기판 위에 상기 테이프 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿이 적층되어 있는 전계 발광소자의 개략도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 양면발광 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿의 단면 개략도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 기판 20 : 실리카층 31 : 상부전극
32 : 하부전극 33 : 공통전극 40 : 발광재료
41 : 발광재료가 내삽된 글래스 템플릿
50 : 보호막 61 : 상부 절연층 62 : 하부 절연층
본 발명은 전계 발광소자(electroluminescence element) 및 이를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 매트릭스로 실리카층을 포함하고, 전극 및 발광재료를 구비한 글래스 템플릿을 포함하는 전계 발광소자 및 상기 전계 발광소자를 포함하는 전자장치에 관한 것이다.
최근 정보통신 기술의 발달과 더불어 고기능 고효율 기능을 가진 광제품의 수요가 크게 증가하고 있는데, 발광소자의 개발은 1990년대 이후 급진전되어 오고 있다.
발광소자는 예컨대 디스플레이(예: 평면 패널 디스플레이), 스크린(예: 컴퓨터 스크린) 및 조사(照射)를 필요로 하는 의료기기 등의 광범위한 광제품에 사용될 수 있다. 따라서, 발광소자의 고휘도, 낮은 동작전압 및 고효율은 이들 제품의 품질을 결정하는 중요한 특성이 되고 있다.
최근 발광효율을 높이기 위한 양자점 디스플레이(Quantum Dot Display)의 연구도 활발히 진행되고 있다. 양자점 디스플레이는 수 나노미터의 반도체 양자점(Quantum Dot)을 형성해 터널링 효과를 이용하여 빛을 내는 기술로 발광다이오드(LED)의 크기가 수 나노미터로 조밀하게 분포돼 각각이 빛을 발산함으로써 발광효율을 획기적으로 개선할 수 있는 장점을 지니고 있으나, 발광층에서 발생된 빛의 상당 부분이 기판 또는 전극 표면에 전반사되어 소자 안에 갇히게 되므로 발광량이 감소되는 문제가 있다.
또한, 나노 와이어를 이용하여 발광효율을 높이기 위한 연구도 진행되고 있는데, 나노와이어는 직경이 나노미터(1nm = 10-9m) 영역을 가지고, 길이가 직경에 비해 훨씬 큰 수백 나노미터, 마이크로미터(1㎛ = 10-6m) 또는 더 큰 밀리미터(1mm = 10-3m) 단위를 갖는 선형 재료이다.
상기 나노 와이어는 작은 크기로 인하여 미세 소자에 다양하게 응용될 수 있으며, 특정 방향에 따른 전자의 이동 특성이나 편광 현상을 나타내는 광학 특성을 이용할 수 있는 장점이 있다.
구체적으로, 상기 전자의 이동 특성을 개발하면 멀티 세트(Single Electron Transistor, SET)와 같은 나노 전자 소자로 응용할 수 있으며, 광학 특성을 개발하면 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton) 특성을 이용한 광파 전송로 또는 나노 분석기, 암 진단 등에 사용되는 극미세 신호 감지 센서로 응용될 수 있다.
기존의 대표적인 나노와이어의 제조방법으로는 예를 들어, 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition: CVD), 레이저 어블레이션법(Laser Ablation) 및 템플릿(template)을 이용하는 방법 등이 있다.
이 중에서 템플릿(template)을 이용하는 방법은 수 나노미터에서 수백 나노미터 단위의 기공을 만들고, 이 기공을 나노 와이어의 틀로 이용하는 것이다. 예컨대, 알루미늄 전극을 산화시켜 표면을 알루미늄 산화물로 만들고, 이 산화물에 전기화학적 에칭으로 나노 기공들을 형성하여 템플릿을 만든다. 이것을 금속 이온이 들어있는 용액에 담그고, 전기를 걸어주면 금속 이온들이 기공을 통해 알루미늄 전극 위에 쌓이게 되고, 결국 상기 기공들은 금속 이온으로 채워진다. 그 후 적당한 방법으로 상기 산화물을 제거시키면 금속 나노 와이어만 남게 된다.
구체적으로, 템플릿을 이용한 나노 와이어의 제조방법으로, 기재상에 촉매 필름을 형성하고 상부에 다공성층을 형성하여 열 조작에 의해 그 기공 내로 티타늄 나노 와이어를 형성시키는 기술이 개시되어 있다(미국 특허 제6,525,461호).
또한, 템플릿을 이용한 양자점 고체(quantum dot solid)의 제조방법에 관한 것으로서, 템플릿 내에 형성된 기공에 콜로이드형 나노결정을 주입하여 열처리 등을 통해 양자점 고체로 형성시키는 기술이 개시되어 있다(미국특허 제6,139,626호).
그러나, 상기와 같은 종래기술에 의한 나노 와이어 제조방법은 시간이 오래 걸려서 대량생산에 적합하지 않을 뿐만 아니라, 나노 와이어를 이용한 전계 발광소자의 경우 성장된 나노 와이어의 직진성 확보가 어렵고, 나노 와이어 사이를 다른 물질로 채우고 전극을 형성하게 되어 공정이 복잡해 지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 제조공정이 용이하고, 간극을 채우지 않고도 구조가 안정화가 되는 글래스 템플릿을 포함하는 전계 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전계 발광소자를 포함하는 전자장치를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 매트릭스로 실리카층을 포함하고, 전극 및 발광재료를 구비한 글래스 템플릿을 포함하는 전계 발광소자에 관한 것이다.
본 발명에 의한 전계 발광소자의 일 구성요소를 이루는 상기 글래스 템플릿은 상부전극의 외층에 보호막을 추가로 포함할 수 있고, 또한 기판을 추가로 포함할 수 있다.
상기 기판으로는 유리(glass), ITO 유리, 수정(quartz), 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 실리카 도포 기판 및 알루미나 도포 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 사용될 수 있다.
이하에서, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명에 의한 전계 발광소자의 일 구성요소가 되는 글래스 템플릿은 화이버 형태(fiber type), 테이프 형태(tape type) 또는 양면발광 형태의 구조등 다양한 형태를 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 화이버 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿의 단면 개략도이다.
상기 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예인 화이버 형태의 글래스 템플릿 은 실리카층(20)의 내ㆍ외부에 상부전극(31) 및 하부전극(32)이 위치하고, 상기 상부전극(31) 및 하부전극(32) 사이에 발광재료(40)가 내삽되어 있는 구조를 갖는다.
상기 발광재료(40)는 글래스 템플릿의 기공에 일정 간격으로 내삽되어 있는 것이 바람직하나, 발광재료간의 간격은 이에 국한 되는 것은 아니다.
본 발명에 의한 전계 발광소자는 상기 화이버 형태의 글래스 템플릿이 상부전극(31)의 외층에 보호막(50)을 더 포함할 수도 있는데, 상기 보호막(50)은 물리적 충격으로부터 글래스 템플릿을 보호하는 역할을 한다. 또한, 화이버에서 방출되는 빛이 외부로 나올 수 있도록 투명하여야 한다. 상기 보호막(50)은 TAC(Tri-acetyl-cellulose), 실리콘 고무(Silicone rubber), PMMA(Polymethyl Methacrylate)와 같은 투명 폴리머나 실리카 등의 무기물 종류 등과 같은 통상적인 물질이 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 테이프 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿의 단면 개략도이다.
상기 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예인 테이프 형태의 글래스 템플릿은 실리카층(20)의 상하부에 상부전극(31) 및 하부전극(32)이 위치하고, 상기 상부전극(31) 및 하부전극(32) 사이에 발광재료(40)가 내삽되어 있는 구조를 갖는다.
상기 발광재료(40)는 글래스 템플릿의 기공에 일정 간격으로 내삽되어 있는 것이 바람직하나, 발광재료간의 간격은 이에 국한 되는 것은 아니다.
본 발명에 의한 전계 발광소자는 기판(10) 위에 상기 테이프 형태의 글래스 템플릿이 적층되는 구조를 이루는데, 상기 기판(10)은 유리(glass), 수 정(quartz), 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 실리카 도포 기판 및 알루미나 도포 기판으로 이루어진 군과 지지대로 사용가능한 모든 재료에서 선택될 수 있다. 또한 ITO 유리를 기판으로 사용하는 경우는 ITO 유리가 하부전극(32)의 역할을 하기 때문에, 내삽된 하부전극이 없는 도 3과 같은 구조도 가능하다. 이 때 상부전극(31)을 테이프 형태의 글래스 템플릿과 수직으로 배열시켜 주면 하부전극(32)과 쌍을 이루는 부분이 발광 영역이 되므로 디스플레이 소자의 픽셀로 형성시킬 수 있으며, 상부전극의 구조는 이에 국한되는 것은 아니다.
본 발명에 의한 전계 발광소자는 상기 테이프 형태의 글래스 템플릿이 상부전극(31)의 외층에 보호막(50)을 더 포함할 수도 있는데, 상기 보호막(50)은 물리적 충격으로부터 글래스 템플릿을 보호하는 역할을 한다. 상기 보호막(50)은 TAC(Tri-acetyl-cellulose), 실리콘 고무(Silicone rubber), PMMA(Polymethyl Methacrylate)와 같은 투명 폴리머나 실리카 등의 무기물 종류 등과 같은 통상적인 물질이 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한, 기판(10) 위에 상기 테이프 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿이 적층되어 있는 전계 발광소자의 개략도이다.
상기 도 3을 참조하면, 상기 테이프 형태의 글래스 템플릿은 상기 도 2에 도시된 바와 같은 테이프 형태의 글래스 템플릿의 하부전극(32)과 발광재료(40) 사이에 하부 절연층(62) 및 발광재료(40)와 상부전극(31) 사이에 상부 절연층(61)이 내삽되어 있는 구조를 가질 수도 있다.
상기 상부 절연층(61)및 하부 절연층(62)은 글래스 템플릿 자체에 절연층이 있으므로 구성하지 않는 것이 바람직하나, 박막 또는 후막 유전체막으로 보완하여 구성할 수도 있는데, 이에 국한되는 것은 아니다.
상기 박막 또는 후막 유전체막으로는 실리카와 같이 투명하며 유전율이 큰 특징을 갖는 막이 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 양면발광 형태의 구조를 갖는 글래스 템플릿의 단면 개략도이다.
상기 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예인 양면발광 형태의 글래스 템플릿은 실리카층(20)의 상ㆍ하부에 발광재료(40)가 내삽되고, 상기 발광재료(40) 사이에 공통전극(33)이 위치하는 구조를 갖는다.
상기 발광재료(40)는 글래스 템플릿의 기공에 일정 간격으로 내삽되어 있는 것이 바람직하나, 발광재료간의 간격은 이에 국한 되는 것은 아니다.
본 발명에 의한 전계 발광소자는 기판(10) 위에 상기 양면발광 형태의 글래스 템플릿이 적층되는 구조를 이루는데, 상기 기판(10)은 유리(glass), ITO 유리, 수정(quartz), 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 실리카 도포 기판 및 알루미나 도포 기판으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명에 의한 전계 발광소자는 상기 양면발광 형태의 글래스 템플릿의 상층부 및 하층부에 보호막(50)을 더 포함할 수도 있는데, 상기 보호막(50)은 물리적 충격으로부터 글래스 템플릿을 보호하는 역할을 한다. 상기 보호막(50)은 TAC(Tri-acetyl-cellulose), 실리콘 고무(Silicone rubber), PMMA(Polymethyl Methacrylate)와 같은 투명 폴리머나 실리카 등의 무기물 종류 등과 같은 통상적인 물질이 사용될 수 있다.
실리카(silica)는 천연에 존재하는 각종 규산염 속의 성분으로서의 이산화규산(SiO2)을 말하는 것으로서, 천연으로는 석영, 수정, 옥수(玉髓), 마노(瑪瑙), 부싯돌, 규사(硅砂), 인규석(鱗硅石), 홍연석(紅鉛石) 등에 결정 또는 비결정으로 산출되고, 석영은 장석류에 이어 풍부하며 지구상의 여러 곳에 분포하여 지각의 12%를 차지하는 광물이다.
본 발명에 의한 전계 발광소자의 글래스 템플릿의 내부에 매트릭스로 충진되는 실리카층에 사용되는 실리카(silica)는 특별하게 제한되지는 않으나, 석영, 트리다이마이트, 크리스토발라이트 및 비정질의 유리나 불순물이 첨가된 유리 등과 같은 것이 사용될 수 있다.
본 발명에 의한 전계 발광소자에 사용되는 발광재료는 무기형광체, 양자점 또는 이들의 혼합물을 이용할 수 있으나, 반드시 이에 국한되는 것은 아니다. 상기 무기형광체 및 양자점은 녹색, 청색 및 적색을 발광하게 되는데, 1~10㎛ 크기의 무기 형광체와 1~10nm 크기의 양자점을 혼합하게 되면 무기형광체 사이의 공간(cavity)에 양자점이 충진하게 되며, 그에 따라 얇은 두께의 발광재료를 사용하더라도 발광효율이 우수한 발광소자를 제조할 수 있다.
특히, 녹색과 청색은 그 자체가 발광효율이 우수하기 때문에 무기형광체만을 사용하는 것이 좋으나, 350~450nm 범위에서 효율이 매우 낮은 적색 무기 형광체의 경우 무기 형광체와 양자점이 혼합된 발광재료를 사용함으로써 적색 무기 형광체의 발광효율을 증가시킬 수 있다.
상기 무기 형광체로는 La2O2S:Eu, Li2Mg(MoO4):Eu,Sm, (Ba, Sr)2SiO4:Eu, ZnS:Cu,Al, SrGa2S4:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (SrMg)5PO4Cl:Eu, BaMg2Al16O27:Eu 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 반드시 이에 국한되는 것은 아니다.
또한, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe와 같은 II-VI족 화합물 반도체 나노결정, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs와 같은 III-V족 화합물 반도체 나노결정 및 상기 물질의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 반드시 이에 국한 되는 것은 아니다.
본 발명에 의한 전계 발광소자의 일 구성요소인 상부전극(31)의 재료는 특별하게 제한되지는 않으나, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 이리듐(Ir) 등과 같은 전도성 금속 또는 그 산화물을 사용할 수 있다.
또한, 하부전극(32)의 재료는 특별하게 제한되지는 않으나, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Cs, Ba, Ca, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, BaF2/Ca, Mg, Ag, Al 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. 또한, 상부전극과 같은 재료를 사용할 수도 있다.
본 발명에 의한 전계 발광소자는 발광소자를 제조하기 위하여 특별한 장치나 방법을 필요로 하지 않으며, 통상의 글래스 템플릿을 이용한 발광소자의 제조방법에 따라 제조될 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 상기한 글래스 템플릿을 포함하는 전계 발광소자를 포함하는 전자장치(electronic device)에 관한 것이다.
상기의 전자장치로는 디스플레이 장치, 조명용 장치 또는 백라이트 유닛 등을 예로 들 수 있다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1 (화이버 형태의 글래스 템플릿의 제조)
도 1과 같은 구조의 다공성 글래스 템플릿의 중심부에 Al 전극을 형성하였다. 글래스 템플릿의 외부에 IZO를 100nm 두께로 증착하여 상부전극을 형성하였다.
상기 상부전극 및 하부전극 사이에 위치한 기공을 통하여 La2O2S:Eu과 CdS의 혼합물로 이루어진 발광재료를 일정 간격으로 삽입하여 발광층을 형성한 후, 상부전극의 외층을 TAC(Tri-acetyl-cellulose)로 코팅하여 보호막을 형성시켜 화이버 형태의 글래스 템플릿을 제조하였다.
실시예 2 (테이프 형태의 글래스 템플릿의 제조)
도 2와 같은 구조의 글래스 템플릿의 하층부에 Al 전극을 형성하고, 발광재료로 ZnS:Cu,Al을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 IZO를 상부전극으로 형성하여 테이프 형태의 글래스 템플릿을 제조하였다.
실시예 3 (양면발광 형태의 글래스 템플릿의 제조)
도 4와 같은 구조의 글래스 템플릿의 중심부에 Al으로 공통전극을 형성하고, 상기 공통전극의 상ㆍ하부에 발광층을 형성하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 양면발광 형태의 글래스 템플릿을 제조하였다.
실시예 4 (전계 발광소자의 제조)
유리 기판 위에 ITO가 패터닝되어 있는 기판 상부에 상기 실시예 1에서 제조한 화이버 형태의 글래스 템플릿을 배치하여 전계 발광소자를 완성하였다.
실시예 5 (전계 발광소자의 제조)
유리기판 상부에 상기 실시예 2에서 제조한 테이프 형태의 글래스 템플릿을 배치하여 전계 발광소자를 완성하였다.
실시예 6 (디스플레이 장치의 제조)
상기 실시예 5에서 상부전극을 형성할 때 테이프 형태의 글래스 템플릿의 길이 방향과 수직으로 테이프 형태 상부전극을 형성함으로써, 한 쌍의 전극이 디스플레이 소자의 단위 픽셀로 동작하여 빛이 나오도록 함으로써, 발광소자가 장착된 디스플레이 장치를 제조하였다.
이상에서 구체적인 실시예를 들어 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 많은 변형이 가능함은 자명할 것이다.
본 발명에 의한 전계 발광소자는 실리카가 매트릭스로 충진되어 있어, 글래스 템플릿의 발광층과 전극의 간극을 채우지 않고도 구조가 안정화 되어 있을 뿐만 아니라, 공정이 용이하다는 이점을 지니기 때문에, 디스플레이 장치, 조명용 장치 및 백라이트 유닛 등 다양한 전자장치에 효과적으로 적용될 수 있다.

Claims (29)

  1. 기판 위에 적층된 글래스 템플릿을 포함하며,
    상기 글래스 템플릿은 매트릭스로 실리카층을 포함하고, 전극 및 발광재료를 구비하는 전계 발광소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 글래스 템플릿이 상부전극의 외층에 보호막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서, 상기 기판이 유리(glass), ITO 유리, 수정(quartz), 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 실리카 도포 기판 및 알루미나 도포 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 글래스 템플릿이 화이버 형태, 테이프 형태 및 양면발광 형태로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 화이버 형태의 글래스 템플릿이 실리카층의 내ㆍ외부 에 상부전극 및 하부전극이 위치하고, 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 발광재료가 내삽되어 있는 구조인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 화이버 형태의 글래스 템플릿이 상부전극 외층에 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 발광재료가 글래스 템플릿의 기공에 일정 간격으로 내삽되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  9. 제 6항에 있어서, 기판 위에 상기 화이버 형태의 글래스 템플릿이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 기판이 유리(glass), ITO 유리, 수정(quartz), 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 실리카 도포 기판 및 알루미나 도포 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  11. 제 5항에 있어서, 상기 테이프 형태의 글래스 템플릿이 실리카층의 상하부에 상부전극 및 하부전극이 위치하고, 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 발광재료가 내삽되어 있는 구조인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 테이프 형태의 글래스 템플릿이 상부전극 외층에 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 발광재료가 글래스 템플릿의 기공에 일정 간격으로 내삽되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  14. 제 11항에 있어서, 기판 위에 상기 테이프 형태의 글래스 템플릿이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 기판이 유리(glass), ITO 유리, 수정(quartz), 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 실리카 도포 기판 및 알루미나 도포 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 테이프 형태의 글래스 템플릿이 하부전극과 발광재료 사이에 하부 절연층 및 발광재료와 상부전극 사이에 상부 절연층이 추가적으로 내삽되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 상부 절연층 및 하부 절연층이 박막 또는 후막 유전체막인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  18. 제 5항에 있어서, 상기 양면발광 형태의 글래스 템플릿이 실리카층의 상하부에 발광재료가 내삽되고, 상기 발광재료 사이에 공통전극이 위치한 구조인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 양면발광 형태의 글래스 템플릿이 상층부 및 하층부에 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  20. 제 18항에 있어서, 상기 발광재료가 글래스 템플릿의 기공에 일정 간격으로 내삽되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  21. 제 18항에 있어서, 기판 위에 상기 양면발광 형태의 글래스 템플릿이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 기판이 유리(glass), ITO 유리, 수정(quartz), 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 실리카 도포 기판 및 알루미나 도포 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  23. 제 1항, 제 6항, 제 8항, 제 11항, 제 13항, 제 16항, 제 18항 및 제 20항 중 어느 한 항에 있어서, 발광재료가 무기형광체 및 양자점으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종을 이용한 것인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 발광재료가 상기 양자점을 상기 무기 형광체 사이의 공간(cavity)에 충진시키는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  25. 제 23항에 있어서, 상기 무기 형광체의 크기가 1~10㎛이고, 상기 양자점의 크기가 1 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  26. 제 23항에 있어서, 상기 무기 형광체가 La2O2S:Eu, Li2Mg(MoO4):Eu,Sm, (Ba, Sr)2SiO4:Eu, ZnS:Cu,Al, SrGa2S4:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (SrMg)5PO4Cl:Eu, BaMg2Al16O27:Eu 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  27. 제 23항에 있어서, 상기 양자점이 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe와 같은 II-VI족 화합물 반도체 나노결정, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs와 같은 III-V족 화합물 반도체 나노결정 및 상기 물질의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.
  28. 제 1항 내지 제2항 및 제4항 내지 제 22항 중 어느 한 항의 전계 발광소자를 포함하는 전자장치.
  29. 제 28항에 있어서, 상기 전자장치가 디스플레이 장치, 조명용 장치 및 백라이트 유닛으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
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