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KR101250768B1 - 전해탈지를 이용한 포토레지스트의 박리 방법 - Google Patents

전해탈지를 이용한 포토레지스트의 박리 방법 Download PDF

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KR101250768B1
KR101250768B1 KR1020100090143A KR20100090143A KR101250768B1 KR 101250768 B1 KR101250768 B1 KR 101250768B1 KR 1020100090143 A KR1020100090143 A KR 1020100090143A KR 20100090143 A KR20100090143 A KR 20100090143A KR 101250768 B1 KR101250768 B1 KR 101250768B1
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South Korea
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photoresist
peeling
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stripping
electrodeposition
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구성근
유상수
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삼성테크윈 주식회사
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Abstract

본 발명은 포토레지스트의 박리 방법에 있어, 박리성 향상을 위해 전해탈지를 이용하여 포토레지스트를 박리하는 방법에 관한 것으로, 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트(electrodeposition photoresist) 코팅, 노광 및 현상 공정 후 박리 수단을 사용하여 상기 포토레지스트를 박리하는 방법에 있어서, 상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공하여, 포토레지스트, 특히 전착 포토레지스트 전용 박리액을 사용하지 않아 경제적이고, 박리 공정 길이 및 시간이 단축되어 공정 효율이 높으면서도 완벽한 박리가 가능하여 박리 효과도 우수한 전해탈지를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 제공할 수 있다.

Description

전해탈지를 이용한 포토레지스트의 박리 방법{METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST BY USING ELECTROLYTIC DEGREASE}
본 발명은 포토레지스트의 박리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박리성 향상을 위해 전해탈지를 이용하여 포토레지스트를 박리하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 IC 칩을 포함한 전기소자를 실장하기 위한 기판은 무기질 기판을 포토레지스트로 코팅, 노광 및 현상 공정을 수행하는 포토레지스트 패턴화 단계와 에칭, 도금 공정 등으로 미세 회로를 형성하는 단계를 거친 후 상기 패턴화된 포토레지스트막을 박리하는 단계를 포함하여 제조된다. 이때, 상기 포토레지스트로는 현상, 에칭 공정 등에 사용되는 각종 용매로부터 하부의 금속층 부분을 충분히 보호할 수 있는 금속박과의 접착력 및 내화학성이 양호한 조성물로서 일반적으로 드라이 필름 레지스트(dry film photoresist; 이하 'DFR'이라 함)를 사용하게 되며, 이후 이와는 상반되게 상기 포토레지스트층을 제거하기 위해 다양한 박리액을 사용하여 디핑(dipping) 또는 스프레이(spray) 방식으로 포토레지스트를 박리하고 있다.
최근 IC 칩 실장 기판용 리드프레임의 경우를 예로 들면, 내부 리드간 간격을 더욱 조밀하게 하기 위한 파인 피치(fine pitch), 더 많은 I/O 접점수(high I/O) 및 경박단소(輕薄短小) 향상을 위해 상기 DFR을 대신하여 전착 포토레지스트(electrodeposition photoresist)를 사용하고 있다. 전착 포토레지스트는 미세 패턴 및 3차원으로 포토레지스트층을 구현할 수 있어 기존 DFR보다 활용 가치가 높다고 할 수 있다.
한편, 이러한 전착 포토레지스트를 코팅한 경우의 박리 공정에 있어서는, 종래 DFR을 코팅한 경우와 마찬가지로 박리액을 사용하고 있다. 다만, 전착 포토레지스트의 박리는 별도의 전용 박리액이 사용되고 있는데, 이러한 전용 박리액으로서 허니 케미칼스(Honny Chemicals Co., Ltd, 일본)사의 박리액(상품명: REMOVER R-110)을 들 수 있다.
이러한 전착 포토레지스트 전용 박리액은 고가이고, 완벽한 박리를 위해서는 전착 포토레지스트 용액의 제조사에서 제공하는 전용 박리액을 사용해야만 하는 실정이다. 또한, 상기 전용 박리액을 사용하여 박리 능력 향상을 위해서는 전용 장비와 상기 전용 박리액 제조사가 제시하는 공정 조건으로 박리 공정을 진행하는 것이 필요하다. 예를 들어, 스프레이 압력 향상, 박리 공정 시간 연장, 박리 원액 농도 향상 등과 같은 일반적인 조건들이 있다. 상기 박리 공정은 총 4단으로 구성되어 박리 라인의 총 길이는 약 3m 정도 되며, 노광 및 도금 조건에 따라 박리 라인 및 박리 시간은 더 길어질 수도 있다. 따라서, 전착 포토레지스트 용액 제조사 및 장비 제공업체에서 제시하는 조건을 그대로 적용하게 되면 고가의 전용 박리액 부담과 함께 라인 길이가 길어지고, 박리 시간이 오래 걸려 제조원가가 더욱 상승하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 전착 포토레지스트를 포함하는 포토레지스트 박리 방법에 있어, 전용 박리액을 사용하지 않고 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행하여 경제적이고 박리 효과가 우수한 포토레지스트 박리 방법을 제안하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은,
(1) 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트(photoresist) 코팅, 노광 및 현상 공정 후 박리 수단을 사용하여 상기 포토레지스트를 박리하는 방법에 있어서, 상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되고, 상기 전류는 전류 밀도가 20~100A/d㎡이고, 상기 전해탈지는 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 30~60중량%, 계면활성제 0.001~10중량% 및 침식방지제 30~60중량%를 포함하는 전해탈지제를 이용한 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공한다.
(2) 상기 (1)에 있어서, 상기 포토레지스트(photoresist)는, 전착 포토레지스트(electrodeposition photoresist)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공한다.
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또한, 상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은,
(8) 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 30~60중량%, 계면활성제 0.001~10중량% 및 침식방지제 30~60중량%를 포함하고, 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트 코팅, 노광 및 현상 공정 후 상기 포토레지스트를 박리하기 위해 사용되는 포토레지스트 박리용 전해탈지제를 제공한다.
(9) 상기 (8)에 있어서, 상기 포토레지스트는 전착 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리용 전해탈지제를 제공한다.
이러한 본 발명에 따른 포토레지스트 박리 방법은, 포토레지스트 전용 박리액을 사용하지 않아 경제적(전착 포토레지스트의 경우, 전용 박리액 가격의 약 1/7 수준)이고, 박리 공정 길이 및 시간이 단축되어 공정 효율이 높으면서도 완벽한 박리가 가능하여 박리 효과도 우수한 전해탈지를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨의 박리 작용을 설명한 모식도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨 및 계면활성제의 박리 작용을 설명한 모식도,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 에칭용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정의 일부를 나타낸 단면도,
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 도금용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정을 나타낸 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정 해석되지 아니하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 여기서, 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
본 발명은 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트(photoresist) 코팅, 노광 및 현상 공정 후 박리 수단을 사용하여 상기 포토레지스트를 박리하는 방법에 있어서, 상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 전해탈지는 상기 도전성 또는 절연성 재료의 전처리 공정에서 방청 처리 및 기타 유기물질을 제거하는데 사용되고 있는 것이나, 본 발명자는 상기 전해탈지를 포토레지스트, 특히 전착 포토레지스트 박리 공정에 이용하는 경우, 경제적인 것은 물론 그 박리 효과가 우수한 것을 발견하고 본 발명에 이르게 된 것이다.
상기 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행하는 것은 종래 포토레지스트 전용 박리액을 사용하여 박리 공정을 수행하는 것을 대신하는 것이다. 종래 전용 박리액을 사용하는 경우는, 디핑(dipping) 또는 스프레이(spray) 방식을 이용하는 것이나, 본 발명에 따른 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식은 전해탈지를 이용한 전류를 인가하여 박리를 실시하는 것으로 일반적인 도금 공정에서 사용하는 전해 원리에 착안하여 포토레지스트 박리 공정에 이용한 것이다. 또한, 도금 공정 이외에도 기판 등의 표면의 방청 처리 및 기타 유기물질을 제거하는 데에도 전해탈지를 이용하게 되나, 본 발명에서와 같이 포토레지스트, 특히 전착 포토레지스트 박리 공정에서 전해탈지를 이용한 경우는 없었다.
전해탈지를 이용하여 전류를 인가(미도시)하게 되면, 포토레지스트층과 도전성 또는 절연성 재료 사이의 전기 저항으로 도전성 또는 절연성 재료 표면에서 전착 포토레지스트층이 분리된다. 이때, 전해탈지에 사용되는 전해탈지제는 일반적으로, 수산화나트륨 또는 수산화칼륨, 계면활성제, 부식방지제 및 침식방지제를 포함하고 있다. 이하, 전착 포토레지스트가 코팅된 경우를 일실시예로서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨의 박리 작용을 설명한 모식도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨 및 계면활성제의 박리 작용을 설명한 모식도이다.
도 1을 참조하면, 일실시예로서 도전성 재료(110) 사이에 전착 포토레지스트(121')가 경화된 모습을 나타내고 있다. 수산화나트륨은 포토레지스트(121')를 스웰링(swelling)시키는 작용을 하여 스월렌 겔(swollen gel) 영역(140)을 형성 및 확산(a)시킨다. 이후, 스월렌 겔(140)은 나트륨 양이온(Na+)에 의해 염(salt)화되어 용해(b)되고, 도전성 재료 표면으로부터 박리(c)되게 된다.
도 2를 참조하면, 일실시예로서 도전성 재료(110) 사이에 경화된 전착 포토레지스트(121')를 전해탈지제 성분으로서 수산화나트륨 및 계면활성제가 함께 작용하는 경우의 모습을 나타내고 있다. 이 경우는 수산화나트륨에 의한 스웰링 작용이 계면활성제에 의해 더욱 활성화되어 스월렌 겔 영역(140)의 형성 및 확산 속도가 촉진(a)된다. 이후, 나트륨 양이온에 의한 염화 및 용해(b) 후 박리(c)된다. 즉, 계면활성제는 포토레지스트의 박리가 더 잘 되도록 스웰링을 가속화 시키는 작용을 하는 것이다. 상기 계면활성제로는, 음이온 계면활성제, 양이온계면활성제, 비이온계면활성제를 사용할 수 있으나, 다만, 습윤성이 우수하고 기포 발생이 적은 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 수산화나트륨(또는 수산화칼륨)은 전체 전해탈지제 중량 기준으로 30~60중량% 포함하는 것이 바람직하고, 40~50중량%로 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 수산화나트륨 함량이 30중량% 미만인 경우는 수산화나트륨에 의한 스웰링 작용이 충분하지 않고, 60중량%를 초과하는 경우는 패턴 등 금속성 물질에 손상을 가할 수도 있어 바람직하지 않다.
또한, 상기 계면활성제는 전체 전해탈지제 중량 기준으로 0.001~10중량% 포함하는 것이 바람직하고, 0.01~1중량%로 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 계면활성제 함량이 0.001중량% 미만인 경우는 기판 표면의 박리 효과가 균일하지 않고, 계면에 대한 침투 효과가 미흡하여 스웰링 작용의 가속화 정도가 미비하며, 10중량%를 초과하는 경우는 박리 균일성이 증가하지 않으며, 오히려 다량의 기포가 발생하여 공정상 취급에 문제가 있다.
상기 수산화나트륨 또는 수산화칼륨과 계면활성제 이외에, 전해탈지 시 도금 패턴의 침식을 방지하는 침식방지제가 포함되는데, 본 발명에 따른 전해탈지제의 경우, 전체 전해탈지제 중량 기준으로 상기 침식방지제가 30~60중량% 포함될 수 있다.
이때, 전해탈지에 사용되는 상기 전해탈지제의 농도는 40~200g/ℓ인 것이 바람직하다. 상기 농도가 40g/ℓ 미만인 경우는 박리 효과가 미비하여 좋지 않고, 200g/ℓ를 초과하는 경우는 박리 효과는 상승하나 도금 패턴의 손상 우려가 있어 좋지 않다.
한편, 상기 인가되는 전류의 전류 밀도는 20~100A/d㎡인 것이 바람직하다. 전류 밀도가 20A/d㎡ 미만인 경우는 박리력이 충분하지 않아 도전성 또는 절연성 재료 표면에 붙어 있는 포토레지스트층이 완전히 박리되지 않는다. 다만, 전류 밀도가 크면 클수록 박리가 잘 되나 일반적인 전착 포토레지스트층의 두께 및 정류기 용량에 따른 전류 밀도 구현의 한계를 고려하면 100A/d㎡를 초과하는 것은 바람직하지 않다.
본 발명의 일실시예에 따른 전착 포토레지스트 박리 방법은 종래의 전착 포토레지스트 전용 박리액을 이용하는 공정과 혼용될 수 있다. 즉, 상기 전착 포토레지서트 전용 박리액을 이용하는 공정 길이를 일부 줄여 본 발명에 따른 박리 방법으로 대체하거나, 또는, 전부 대체할 수도 있다. 따라서, 본 발명에 따른 박리 방법을 대체하는 정도만큼 제조원가를 절감할 수 있는 것이다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 전착 포토레지스트 박리 방법은, 상기 도전성 재료가 IC 칩을 포함하는 전기소자 실장용 기판(100) 제조를 위한 소재(110)일 수 있다. 이때, 상기 기판(100)은 IC 칩 실장용 리드프레임일 수 있는데, 본 발명에 따르면, 상기 리드프레임의 내부 리드 간격이 30㎛ 이하의 파인 피치(fine pitch)의 경우 적합한 전착 포토레지스트 코팅의 경우에도 효과적으로 박리할 수 있게 된다. 다만, 상기 리드프레임 뿐 아니라 BGA(ball grid array), TAB(tape automated bonding) 등 모든 IC 칩 실장 기판, 나아가, IC 칩 실장 기판 뿐 아니라 IC 칩, 인쇄회로기판(PCB) 등 전착 포토레지스트를 사용할 수 있는 모든 공정에서 본 발명에 따른 전착 포토레지스트 박리 방법이 적용될 수 있는 것이다.
한편, 상기 노광 공정은 레이저 디렉트 이미징(laser direct imaging, 이하 'LDI'라 함) 노광이나 UV 노광 방식이 사용될 수 있다. 여기서, 상기 LDI 노광 방식을 적용하는 경우에는 레이저 열에 의해서 전착 포토레지스트층이 도전성 재료 표면에 달라 붙어 전착 포토레지스트 전용 박리액으로는 완벽히 박리되지 아니하나, 본 발명에 따른 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행할 경우 전착 포토레지스트층이 완전히 박리될 수 있게 된다. UV 노광 방식을 적용하는 경우는, 상기 전용 박리액으로 박리하였을 때 LDI 노광 방식의 경우보다는 양호하게 박리되나, 전착 포토레지스트층이 여전히 미세하게 잔존한다. 따라서, 본 발명에 따른 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행하게 되면 상기 미세 전착 포토레지스트층이 완전히 박리될 수 있게 된다.
본 발명의 일실시예에 따른 전착 포토레지스트의 박리 방법은 에칭용으로 또는 도금용으로도 적용 가능하다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 에칭용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 구리 원소재(110)를 준비(a)한 후, 전착 포토레지스트(121)의 코팅(b), 노광 및 현상(c) 공정을 수행하고, 현상 공정으로 포토레지스트(121)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프(half) 에칭 공정(d)을 수행한다. 이후, 전해탈지를 이용하여 경화된 포토레지스트(121')를 박리(e)한다. 이때, 전해탈지를 이용하기 전에 전용 박리액을 사용하여 박리를 수행할 수 있다. 그리고 나서, 도금 공정(미도시) 등 이후 공정을 수행하게 된다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 도금용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정을 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 에칭 공정 후 도금 공정을 수행하는 과정에서의 전착 포토레지스트 박리 공정이 적용됨을 나타내고 있다. 먼저, 구리 원소재(110)를 준비(a)한 후, DFR(122)(전착 포토레지스트도 가능) 코팅(b), 노광 및 현상(c) 공정을 수행하고, 현상 공정으로 포토레지스트(122)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프 에칭 공정(d)을 수행한다. 이후, 경화된 포토레지스트(122')를 포토레지스트 박리액(전해탈지 이용 가능)으로 박리(e)하고, 다시 전착 포토레지스트(121)를 코팅(f), 노광 및 현상(g)하는 공정을 수행한다. 그리고 나서, 현상 공정으로 포토레지스트(121)가 제거된 구리 원소재 부위(111')에 도금(130) 공정(h)을 수행한 후 전해탈지를 이용하여 경화된 포토레지스트(121')를 박리(i)한다. 이때, 전해탈지를 이용하기 전에 전용 박리액을 사용하여 박리를 수행할 수 있다. 상기 과정을 거쳐 전기소자 실장용 기판(100)을 제조할 수 있다.
도 5를 참조하면, 도금 공정 후 에칭 공정을 수행하는 과정에서의 전착 포토레지스트 박리 공정이 적용됨을 나타내고 있다. 먼저, 구리 원소재(110)를 준비(a)한 후, 전착 포토레지스트(121) 코팅(b), 노광 및 현상(c) 공정을 수행하고, 현상 공정으로 포토레지스트(121)가 제거된 구리 원소재 부위(111')에 도금(130) 공정(d)을 수행한다. 이후, 경화된 포토레지스트(121')를 전해탈지를 이용하여 박리(e)한다. 이때, 도 4의 경우와 마찬가지로 전해탈지를 이용하기 전에 전용 박리액을 사용하여 박리를 수행할 수 있다. 그리고 나서, 다시 DFR(122)(전착 포토레지스트도 사용 가능) 코팅(f), 노광 및 현상(g) 공정을 수행한다. 이후, 현상 공정으로 포토레지스트(122)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프 에칭(h)을 수행한 후 포토레지스트 박리액(전해탈지 이용 가능)으로 경화된 포토레지스트(122')를 박리(i)할 수 있다. 상기 과정을 거쳐 전기소자 실장용 기판(100)을 제조할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시제조예 및 비교제조예를 보다 상세하게 설명한다.
실시제조예
도전성 재료로서 구리 원소재(110)를 사용하여 도 4의 공정도에 따라 IC 칩 실장용 기판(100)을 제조한다. 먼저, 상기 구리 원소재(110)에 DFR(122) 코팅(b), 노광 및 현상(c) 후 현상 공정으로 포토레지스트(122)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프 에칭(d)을 수행한다. 이후, 경화된 포토레지스트(122')를 박리액을 사용하여 박리(e)하고, 다시 전착 포토레지스트(121) 코팅(f), LDI 노광 및 현상(g) 공정을 수행한다. 그리고 나서, 선도금 프레임(pre-plated frame, PPF) 방법으로 포토레지스트가 박리된 구리 원소재 부위(111')에 도금(130)을 실시(h)한 후 전착 포토레지스트 전용 박리액(REMOVER R-110, Honny Chemicals Co., Ltd, 일본)을 사용하여 경화된 포토레지스트(121')를 박리(i)한다. 마지막으로, 전해탈지제(룩센크리너 100, 룩스엔지니어링사, 한국)를 이용하여 전류 밀도 20~40A/d㎡에서 추가 박리 공정(i)을 수행한다. 이때, 상기 전해탈지제 농도는 60g/l로 한다.
상기 실시제조예에 따라 제조된 IC 칩 실장용 기판의 박리 결과를 나타내는 사진 및 표면 확대 사진을 하기 표 1에 나타내었다.
비교제조예
상기 실시제조예와 동일한 공정을 수행하나, 마지막 박리 공정(i)에서 전해탈지를 이용한 박리 공정은 수행하지 않고, 전용 박리액(REMOVER R-110, Honny Chemicals Co., Ltd, 일본)을 사용한 포토레지스트 박리 공정만을 수행한다.
상기 비교제조예에 따라 제조된 IC 칩 실장용 기판의 박리 결과를 나타내는 사진 및 표면 확대 사진을 하기 표 1에 나타내었다.
구분 비교제조예 실시제조예





전체
사진
Figure 112010059750472-pat00001
Figure 112010059750472-pat00002




표면
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Figure 112010059750472-pat00003
Figure 112010059750472-pat00004
표 1을 참조하면, 비교제조예의 경우 구리 원소재에 달라 붙은 전착 포토레지스트층이 전용 박리액만으로는 완전히 박리되지 않았음을 알 수 있으나, 실시제조예의 경우 추가로 전해탈지제를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행하여 전착 포토레지스트층이 완전히 박리된 것을 확인할 수 있다.
이상의 설명은, 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 실시예는 설명의 목적으로 개시된 사항이나 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 이해되지는 않으며, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질을 벗어나지 아니하고 다양한 변경 및 수정이 가능한 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 이러한 모든 수정과 변경은 특허청구범위에 개시된 발명의 범위 또는 이들의 균등물에 해당하는 것으로 이해될 수 있다.
100 : 전기소자 실장용 기판 110 : 도전성 재료
121 : 전착 포토레지스트 122 : DFR
130 : 도금

Claims (9)

  1. 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트(photoresist) 코팅, 노광 및 현상 공정 후 박리 수단을 사용하여 상기 포토레지스트를 박리하는 방법에 있어서,
    상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되고, 상기 전류는 전류 밀도가 20~100A/d㎡이고,
    상기 전해탈지는 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 30~60중량%, 계면활성제 0.001~10중량% 및 침식방지제 30~60중량%를 포함하는 전해탈지제를 이용한 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법.
  2. 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트(photoresist)는, 전착 포토레지스트(electrodeposition photoresist)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 30~60중량%, 계면활성제 0.001~10중량% 및 침식방지제 30~60중량%를 포함하고, 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트 코팅, 노광 및 현상 공정 후 상기 포토레지스트를 박리하기 위해 사용되는 포토레지스트 박리용 전해탈지제.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 전착 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리용 전해탈지제.
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