[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101146063B1 - 사이클형 고압 및 저압 세정 단계들을 이용한 원격 플라즈마 세정 방법 - Google Patents

사이클형 고압 및 저압 세정 단계들을 이용한 원격 플라즈마 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101146063B1
KR101146063B1 KR1020117011608A KR20117011608A KR101146063B1 KR 101146063 B1 KR101146063 B1 KR 101146063B1 KR 1020117011608 A KR1020117011608 A KR 1020117011608A KR 20117011608 A KR20117011608 A KR 20117011608A KR 101146063 B1 KR101146063 B1 KR 101146063B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate processing
processing chamber
deposits
rid
fluorine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020117011608A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110084265A (ko
Inventor
총 키앙 후아
산자이 카마쓰
영 에스 이
엘리 와이. 이예
히엔-민 휴 르
안자나 엠. 파텔
수드히르 알. 곤드할레칼
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20110084265A publication Critical patent/KR20110084265A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101146063B1 publication Critical patent/KR101146063B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판이 기판 프로세싱 챔버의 외부로 이송된 후에, 불소-함유 에칭제 가스의 유동이 원격 플라즈마 공급원으로 도입되고, 그곳에서 반응성 종들이 원격 플라즈마 공급원 내에서 형성된다. 원격 플라즈마 공급원으로부터 기판 프로세싱 챔버로의 연속적인 반응성 종들의 유동이 생성되는 동안 기판 프로세싱 챔버 내의 고압 및 저압 세정 단계들의 사이클이 반복된다. 고압 세정 단계 중에, 반응성 종들이 기판 프로세싱 챔버 내로 도입되는 한편, 챔버 내의 압력은 4-15 Torr 사이에서 유지된다. 저압 세정 단계 동안에, 반응성 종들이 기판 프로세싱 챔버 내로 도입되는 한편, 챔버 내의 압력은 고압 세정 단계 중에 도달되는 고압의 50 퍼센트 이상 만큼 챔버의 압력이 감소된다.

Description

사이클형 고압 및 저압 세정 단계들을 이용한 원격 플라즈마 세정 방법{A REMOTE PLASMA CLEAN PROCESS WITH CYCLED HIGH AND LOW PRESSURE CLEAN STEPS}
본원 발명은 본원 명세서에서 참조로서 포함되는 2008년 10월 22일자 미국 가명세서 출원 61/107,634를 기초로 우선권을 주장한다.
최근 반도체 소자 제조에서의 주요 단계들 중 하나는 기판 또는 웨이퍼 상에 실리콘 산화물 층과 같은 층을 형성하는 것이다. 공지된 바와 같이, 그러한 층은 화학기상증착(CVD)에 의해서 증착된다. 통상적인 열적 CVD 프로세스에서, 반응성 가스들이 기판 표면으로 공급되고, 그러한 기판 표면 상에서 열-유도 화학반응이 일어나서 원하는 필름을 형성한다. 통상적인 플라즈마 CVD 프로세스에서, 예를 들어, 무선 주파수(RF) 에너지 또는 마이크로파 에너지를 이용하여 제어된 플라즈마를 형성하여 반응제(reactant) 가스내의 반응 종(species)을 분해 및/또는 에너지화하여 원하는 필름을 형성한다.
또한, 그러한 CVD 프로세스 동안에 프로세싱 챔버의 벽과 같은 영역에서의 원치 않는 증착이 발생된다. 산업계에 공지된 바와 같이, 인 시츄(in situ; 현장에서의) 챔버 세정 작업으로 챔버 벽의 내부에 축적된 원치 않는 증착 물질을 제거하는 것이 일반적이다. 통상적인 챔버 세정 기술에는 불소와 같은 에칭제 가스를 이용하여 챔버 벽 및 기타 영역으로부터 증착 물질을 제거하는 것이 포함된다. 일부 프로세스에서, 에칭제 가스가 챔버 내로 도입되고 그리고 플라즈마가 형성되며, 그에 따라 에칭제 가스가 증착 물질과 반응하고 증착 물질을 챔버 벽으로부터 제거한다. 그러한 세정 과정은 일반적으로 각각의 웨이퍼들에 대한 또는 n개의 웨이퍼들에 대한 증착 단계들을 실시한 후에 실행된다.
일부 반도체 제조업자들은 인 시츄 플라즈마 세정에 대한 대안으로서 원격 플라즈마 세정 프로세스를 채용하고 있으며, 그러한 원격 플라즈마 세정 과정에서 마이크로파 플라즈마 시스템, 환상형(toroidal) 플라즈마 발생기 또는 유사 장치와 같은 고밀도 플라즈마 공급원에 의해서 에칭제 플라즈마가 기판 프로세싱 챔버로부터 원격지에서 생성된다. 이어서, 에칭제 플라즈마로부터 분해된 종들이 기판 프로세싱 챔버로 이송되고, 그곳에서 그 종들은 원치 않는 증착 적층물과 반응하여 에칭으로 제거한다. 원격 플라즈마 세정 과정을 제조업자들이 종종 이용하는데, 이는 그러한 원격 플라즈마 세정 과장이 인 시츄 플라즈마 세정 보다 더 "연성의(soft)" 에칭을 제공하기 때문이며, 다시 말해서 플라즈마가 챔버 성분들과 접촉하지 않아 챔버 성분들에 대한 이온 충격 및/또는 물리적 손상이 덜하기 때문이다.
본원 발명의 실시예는, 예를 들어, 기판에 걸쳐 물질 층을 증착함으로써 챔버 내에서 기판을 프로세싱한 후에 기판 프로세싱 챔버의 하나 또는 둘 이상의 내부 표면으로부터 원치 않는 증착 축적물을 제거하기 위한 기술에 관한 것이다. 종래의 원치 않는 증착물 세정 프로세스들 중 일부에서의 하나의 문제점은 세정 프로세스에서 생성된 반응성 불소 종들이 챔버의 내부로부터 에칭된 실리콘과 재결합하여 실리콘 테트라블루오라이드(SiF4) 가스 상(相) 부산물을 형성하는 것이며, 그러한 가스상 부산물은 세정 프로세스의 효율을 떨어뜨린다. 특히, SiF4는 세정 프로세스 중에 생성되는 산소 종과 가스 상 상태에서 반응하여 SiO2 입자를 형성할 수 있다. 본원 발명의 실시예는 SiF4 가스 상 부산물이 고압 레벨과 저압 레벨 사이의 세정 프로세스 동안의 주기적인 사이클 챔버 압력에 의해서 외부로 펌핑되는 원격 플라즈마 세정 프로세스에 관한 것이다.
일 실시예에 따라서, 기판이 기판 프로세싱 챔버의 외부로 이송된 후에, 불소-함유 에칭제 가스의 유동이 원격 플라즈마 공급원으로 도입되고, 그곳에서 반응성 종들이 원격 플라즈마 공급원 내에서 형성된다. 원격 플라즈마 공급원으로부터 기판 프로세싱 챔버로의 연속적인 반응성 종들의 유동이 생성되는 동안 기판 프로세싱 챔버 내의 고압 및 저압 세정 단계들의 사이클이 반복된다. 고압 세정 단계 중에, 반응성 종들이 기판 프로세싱 챔버 내로 도입되는 한편, 챔버 내의 압력은 4-15 Torr 사이에서 유지된다. 저압 세정 단계 동안에, 반응성 종들이 기판 프로세싱 챔버 내로 도입되는 한편, 챔버 내의 압력은 고압 세정 단계 중에 도달되는 고압의 50 퍼센트 이상 만큼 챔버의 압력이 감소된다. 일부 실시예들에서, 고압 및 저압 세정 단계의 사이클이 적어도 4차례 반복된다.
일부 실시예들에서, 고압 단계 중에 챔버 압력이 4-15 Torr이고 저압 단계 중에 챔버 압력이 0.5-4 Torr이다. 일부 다른 실시예들에서, 고압 단계 중에 챔버 압력이 5-8 Torr이고 저압 단계 중에 0.5-2.5 Torr이다. 일부 실시예에서, 불소-함유 에칭제 가스는 고압 단계 중에 분당 4 리터 이상의 속도로 원격 플라즈마 공급원으로 도입되는 삼불화 질소(nitrogen triflouride)이다.
다른 실시예에서, 본원 발명의 프로세스는 기판 프로세싱 챔버의 외부로 기판을 이송하는 단계, 그리고 그 후에 원치 않는 축적물을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 원치 않는 축적물을 제거하는 단계는: (a) 기판 프로세싱 챔버에 유체적으로(fluidly) 커플링된 원격 플라즈마 공급원 내로 불소-함유 에칭제 가스를 유동시키고, 상기 에칭제 가스로부터 반응성 종들을 형성하고 그리고 반응성 종들을 기판 프로세싱 챔버 내로 이송함으로써; 그리고 (b) 제 1 범위 내의 고압과 제 2 범위 내의 저압 사이에서 고압 및 저압의 둘 이상의 사이클 동안 기판 프로세싱 챔버 내에서 압력을 사이클링하는 한편 불소-함유 에칭제 가스를 원격 플라즈마 챔버 내로 연속적으로 유동시키고 그리고 반응성 종들을 기판 프로세싱 챔버 내로 연속적으로 이송함으로써, 이루어지고, 상기 고압은 저압 보다 높다.
본원 발명의 이점들 및 특징들과 함께 이상에서 설명한 본원 발명의 실시예들 및 기타 실시예들에 대해서 첨부 도면을 참조하여 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예와 연관된 단계들을 도시한 흐름도이다.
도 2a는 본원 발명의 하나의 특정 실시예에 따른 챔버 압력 변화를 도시한 그래프이다.
도 2b는 도2a에 도시된 세정 프로세스에 따라 시간 경과에 따른 SiF4 방출을 도시한 그래프이다.
도 3a는 공지된 세정 프로세스에 따라 시간 경과에 따른 챔버 압력의 변화를 도시한 그래프이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 세정 프로세스에 따라 시간 경과에 따른 SiF4 방출을 도시한 그래프이다.
도 4a 및 도 4b는 본원 발명의 실시예 대 공지된 세정 프로세스에 따른 세정 프로세스들의 시간 경과에 따른 세정 속도를 비교한 그래프이다.
도 5a 및 도 5b는 본원 발명과 종래 기술의 기술에 따라 실시된 세정 프로세스의 테스트 결과를 도시한 도면이다.
도 6은 본원 발명의 실시예들이 이용될 수 있는 예시적인 기판 프로세싱 시스템을 도시한 단면도이다.
본원 발명의 실시예는, 예를 들어, 기판에 걸쳐 실리콘 산화물 또는 유사 물질의 층을 증착함으로써 챔버 내에서 기판을 프로세싱한 후에 기판 프로세싱 챔버의 하나 또는 둘 이상의 내부 표면으로부터 원치 않는 증착 축적물을 제거하기 위한 기술에 관한 것이다. 불소는 원격 플라즈마 세정 프로세스에서 일반적으로 이용되는 에칭제 종이고 그리고 삼불화 질소(NF3)는 그러한 프로세스에서의 일반적인 불소 공급원이다. 불소-함유 가스가 반응성 에칭제 종의 공급원으로서 사용되고 도핑된 또는 도핑되지 않은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 실리콘-함유 물질이 챔버의 내부로부터 제거되는 원격 플라즈마 세정 동안에, 세정 프로세스에서 생성되는 반응성 불소 종들이 챔버의 내부로부터 에칭된 실리콘과 재결합되어 SiF4 가스 상 부산물을 형성하고, 그러한 부산물은 세정 프로세스의 효율을 떨어뜨린다. SiF4 는 세정 프로세스 동안에 생성되는 산소 종들과 가스 상 상태로 반응하여 SiO2 입자를 형성한다. 본원 발명의 실시예들은 세정 프로세스 동안에 고압 및 저압 레벨들 사이에서 챔버 압력을 주기적으로 사이클링함으로써 챔버 및/또는 포어라인(foreline) 내에서의 SiF4 축적을 최소화한다.
표준형의 균일한 압력의 원격 플라즈마 챔버 세정 동안에, SiF4 의 부분 압력은 피크 또는 정상 상태(steady state)에 도달할 때까지 초기에 시간 경과에 따라 높아지고 이어서 실리콘-함유 물질이 대부분 제거됨에 따라 세정의 종료점에 근접하여 감소된다. 이러한 세정 동안에, 챔버 내에서 불소와 실리콘-함유 물질 사이의 반응이 역전되어 실리콘 산화물 또는 기타 실리콘-함유 입자를 형성하는 부피(volume)까지 SiF4 부분 압력이 도달하는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 본원 발명의 실시예들에서, 저압 사이클 동안에 과다 SiF4 가 챔버 및/또는 포어라인의 외부로 펌핑되고 그에 따라 SiF4 의 부분 압력을 감소시키고 그리고 입사 형성 가능성을 감소시킨다. 본원 발명의 실시예들이 많은 여러 가지 원격 플라즈마 세정 프로세스들에서 유용하지만, 불소-함유 가스의 높은 유량 즉, 분당 3.0 리터 또는 그 이상의 유량이 원격 플라즈마 발생장치로 유동하는 프로세스에서 특히 유용할 것이다. 그러한 높은 유량의 프로세스는 낮은 유량 세정 프로세스에 대비하여 챔버의 유효 세정 속도를 높이기 위해서 분해된 반응성 종들의 상응하는 큰 부피를 생성하고 챔버 내로 이송할 것이다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따른 단계들을 도시한 흐름도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 증착 프로세스 또는 기타 타입의 기판 프로세싱 단계들(단계 2)이 기판 프로세싱 챔버 내에서 실시된 후에, 기판이 챔버의 외부로 이송된다(단계 4). 다음에, 선택적인 인 시츄 플라즈마 가열 단계가 실시되며(단계 6), 여기에서 플라즈마가 아르곤과 같은 불활성 가스로부터 기판 프로세싱 챔버 내에서 형성된다. 플라즈마는 원격 플라즈마 세정 프로세스 이전의 초기(earlier) 기판 프로세싱 작업(예를 들어, 증착 단계)의 온도 보다 높은 온도까지 기판 프로세싱 챔버를 가열한다.
챔버가 적절한 온도까지 가열되면, 인 시츄 플라즈마가 중단되고(extinguished) 그리고 기판 프로세싱 챔버에 유체적으로 커플링된 원격 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마 발생된다(단계 8). 일 실시예에서, NF3 를 원격 플라즈마 챔버 내로 도입하기에 앞서서 아르곤 또는 유사한 불활성 가스의 초기 유동으로 원격 플라즈마를 개시한다. 이어서, NF3 가 원격 플라즈마 챔버 내로 도입됨에 따라, 아르곤의 유량이 감소된다. 예로서, 원격 플라즈마가 3000 sccm의 아르곤의 유동으로 개시되고, NF3 가 1000 sccm의 초기 유량으로 원격 플라즈마 내로 도입되고 이어서 1500 sccm의 유동으로 증대됨에 따라, 상기 아르곤의 유동은 1000 sccm 으로 그리고 이어서 500 sccm으로 점진적으로 감소된다. 일 실시예에서, 원격 플라즈마 개시 단계는 주요(primary) 세정 단계들에서 사용되는 세정 파워의 40-70 퍼센트 사이의 세정 파워를 이용한다. 챔버 내의 일부 원치 않는 증착 물질 축적물이 단계 8에서 제거되는 한편, 이하에서 설명하는 바와 같이 세정 프로세스의 대부분(bulk)은 단계 10-16에서 실시된다.
다음에, 초기 고압 원격 플라즈마 세정 단계(단계 12) 중에 NF3 의 유량이 증대된다. 일 실시예에서, 고압 원격 플라즈마 세정 단계 12는 NF3 를 8000-14000 sccm의 유량으로 원격 플라즈마 챔버 내로 도입하고 이어서 기판 프로세싱 챔버 내의 압력을 4-15 Torr로 설정한다. 보다 높은 NF3 유량 및 보다 높은 챔버 압력이 세정 속도를 높이는 것으로 생각될 수 있을 것이나, 챔버 압력이 너무 높은 경우에 세정 균일도가 손상될 수 있을 것이다. 따라서, 본원 발명의 일부 실시예들은 단계 12 중에 챔버 압력을 5-8 Torr로 설정한다. 일부 실시예에서, 적절하게 셋팅된 스로틀 밸브를 이용함으로써 압력을 원하는 레벨로 유지한다. 또한, 고압에서의 역류를 방지하기 위해서 예를 들어 25-60 sccm과 같은 적은 유동의 아르곤이 원격 플라즈마 유닛을 우회하는 프로세스 가스 노즐을 통해서 챔버 내로 직접적으로 도입될 수 있다.
고압 원격 플라즈마 세정 단계 12 중에, 챔버 내의 세정 반응 축적물로부터의 SiF4 부산물 및 그에 따른 SiF4 의 부분 압력이 증대된다. 본원 발명의 실시예들은 NF3 의 유량 감소 및/또는 스로틀 밸브의 완전 개방 중 하나 또는 양자에 의해서 세정 단계 12로부터의 가스 부산물 제거를 촉진하기 위해서 챔버 압력을 감소시켜 SiF4 부분 압력을 감소시킨다(단계 14). 일부 실시예들에서, NF3 유량은 단계 12 중의 NF3 유량의 20-50 퍼센트로 강하되고 그리고 일부 실시예에서 단계 12의 종료부에서의 챔버 압력은 단계 10 중에 도달되는 고압의 10-50 퍼센트가 된다.
일반적으로, 단계 12에서 압력이 가능한 한 신속하게 가능한 한 낮은 압력 레벨로 감소되는 것이 바람직할 것이다. 감소된 챔버 압력 레벨에서, 청정 효율이 일시적으로 떨어진다. 단계 12는 시간 베이스 또는 압력 베이스로 종단될 수 있을 것이다(endpointed). 즉, 일부 실시예에서, 감소 압력 세정 단계 12는 X 초 후에 중단되는 한편, 다른 실시예들에서는 압력이 X Torr까지 강하되면 중단된다. 일 실시예에서, 단계 12는 4-8초의 선택된 기간이 지나면 종단된다. 다른 실시예에서, 단계 12는 0.5-4 Torr의 선택된 압력에 도달하였을 때 종단된다. 또 다른 실시예에서, 단계 12는 0.5-2.5 Torr의 선택 압력에 도달하였을 때 종단된다. 전체적으로 높은 세정 효율을 유지하기 위해서, 본원 발명의 실시예들은 단계 10에 비해서 단계 12의 지속시간을 최소화한다. 일부 실시예들에서, 단계 12의 지속시간은 단계 10의 지속시간의 10-33 퍼센트가 된다.
단계 12 후에, 희망하는 양의 챔버 세정이 이루어질 때까지 단계 10 및 단계 12의 고압 및 저압 사이클이 한차례 또는 두차례 이상 반복된다(단계 14). 일부 실시예들에서, 단계 10 및 단계 12는 4차례 이상 사이클링된다. 일부 실시예에서, 세정 프로세스가 단계 14 이후에 완료된다. 다른 실시예들에서, NF3 의 유량이 단계 10의 유량으로부터 강하되고 그리고 챔버 압력은 단계 10의 레벨과 단계 12의 가장 낮은 레벨 사이의 감소된 레벨로 설정되며, 그에 따라 본원 명세서에서 전체가 참조되는 미국 특허 7,159,597에 기재된 바와 같이 챔버를 효과적으로 세정하는데 필요한 세정 가스의 양을 감소시키기 위해서 확산이 지배하는(dominated) 세정(단계 16)의 기간이 허용된다. 단계 16이 단계 12 이후에 이루어지는 것으로 도 1에 도시되어 있지만, 일부 실시예에서 단계 10의 최종 사이클 이후에 확산 지배 세정 단계 16이 바로 후속하게 된다. 예를 들어, 하나의 특정 실시예에서, 세정 시퀀스가: 단계 2, 4, 6, 8, 10, 12, 10, 12, 10, 12, 10, 12, 10, 16이 될 수 있을 것이다.
도 2a는 본원 발명의 하나의 특정 실시예에 따른 챔버 압력 변화를 도시한 그래프로서, 여기에서 챔버 압력이 약 9 Torr 내지 약 2 Torr 사이에서 사이클링된다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 이러한 특별한 세정 프로세스는 상응하는 수의 저압 사이클 12에 의해서 분리된 6개의 고압 사이클 10을 포함한다. 도 2a는 각 단계 12의 지속시간이 각 단계 10의 지속시간 보다 상당히 짧다는 것을 도시한다. 세정 프로세스의 말기 부근에서, 챔버 압력은 세정 단계 16에 따른 연장된 기간 동안 약 6 Torr의 감소된 레벨로 설정된다.
도 2b는 도2a에 도시된 세정 프로세스 동안에 챔버 내에 얼마나 많은 SiF4 가 존재하는지를 도시한 것으로서, 소위 당업자에게 공지된 FTIR 기술에 의해서 측정된 SiF4 방출을 도시한 그래프이다. 라인(18)의 기울기는 단계 10 및 단계 12의 사이클링 프로세스 동안에 챔버가 세정되는 속도를 나타낸다. 본원 발명의 추가적인 이해를 위해서, 도 2a 및 도 2b와 유사한 그래프를 도시한 도 3a 및 도 3b를 참조하며, 그러한 도 3들에서 초기의 연장된 길이의 고압 레벨 세정 단계 20(도 3a)이 감소 레벨 세정 단계 22에 앞서서 실시되고, 이는 도 2a에 도시된 프로세스의 단계 16과 전체적으로 상응한다. 도 3b에서, 라인(28)의 기울기는 단계 20 중에 챔버가 세정되는 속도를 나타낸다.
도 3b를 도 2b에 비교하면, 라인(18)의 기울기는 라인(28)의 기울기 보다 크며, 이는 본원 발명에 따라 원격 세정 프로세스 동안에 고압으로부터 저압으로 챔버 압력을 사이클링시키는 것이 높은 레벨에서 세정 압력을 단순히 유지하는 경우 보다 더 높은 세정 효율을 달성한다는 것을 의미한다. 도 4a 및 도 4b는 종래의 공지된 세정 프로세스에 대비하여 본원 발명의 실시예의 증대된 세정 효율의 추가적인 증거를 제시한다. 도 4a 및 도 4b의 각각에서, 시간 경과에 따른 세정 속도가 3개의 독립적인 세정 프로세스에 대해서 도시되어 있으며, 여기에서 NF3 의 유량이 고압 단계 중에 분당 12 리터로 설정되었다. 3개의 프로세스는: 단계 22의 압력이 9 Torr(도 4a, 프로세스 30) 또는 6 Torr(도 4b, 프로세스 40)인 것으로서 도 3a에 도시된 것과 유사한 제 1의 공지된 프로세스, 단계 10의 압력이 9 Torr(도 4a, 프로세스 32) 또는 6 Torr(도 4b, 프로세스 42)이고 단계 10 및 단계 12가 매 30초마다 사이클링되는 것으로서 도 2a의 프로세스와 유사한 제 2 프로세스, 그리고 단계 10의 압력이 9 Torr(도 4a, 프로세스 34) 또는 6 Torr(도 4b, 프로세스 44)이고 단계 10 및 단계 12가 매 15초마다 사이클링되는 프로세스를 포함한다. 프로세스 32 및 34의 세정 속도를 프로세스 30의 세정 속도에 비교하고 그리고 프로세스 42 및 44의 세정 속도를 프로세스 40의 세정 속도에 비교함으로써, 모든 경우에 본원 발명의 기술에 따라 실시된 세정 프로세스들이 공지된 세정 프로세스들 보다 높은 세정 효율을 가진다는 것을 확인하였다.
본원 발명의 효과에 대한 추가적인 증거가 여러 챔버 위치들에서의 세정 속도가 도시된 도 5a 및 도 5b에 비교되어 도시되어 있다. 특히, 도 5a 및 도 5b에 도시된 데이터를 얻기 위해서 10개의 독립된 실리콘 산화물 쿠폰을 도면에 도시된 위치들에서 기판 프로세싱 챔버 내에 배치하여 도 2a의 프로세스와 유사한 본원 발명의 기술에 따른 세정 프로세스를 그리고 도 2b의 프로세스와 유사한 종래의 공지된 세정 프로세스(도 5b)를 동일한 시간 동안 실시하였다. 각 세정 프로세스의 완료 후에 실리콘 산화물 쿠폰의 두께를 측정하여 여러 챔버 위치의 쿠폰들로부터 얼마나 많은 실리콘 산화물이 제거되었는지를 결정하였으며, 실제 제거량을 도 5a 및 도 5b에 도시하였다. 도 5a 및 도 5b의 동일한 위치들에서 제거된 물질의 양을 비교하면, 각 챔버 위치에서, 도 5a와 관련된 세정 속도가 도 5b에 도시된 챔버의 상응 위치와 관련된 세정 속도 보다 빠르다는 것을 확인할 수 있을 것이다.
챔버들이 챔버와 유체 소통하는 원격 플라즈마 공급원으로부터 챔버 내로 원격 분해 반응 종들을 이송할 수 있는 능력을 가진다면 본원 발명의 실시예들은 다양한 기판 프로세싱 챔버를 이용하여 실시될 수 있을 것이다. 추가적으로, 만약 선택적인 단계 6(도 1)이 채용된다면, 챔버들은 챔버들 내에서 에칭제 플라즈마를형성함으로써(인 시츄 플라즈마) 챔버 내에서 반응성 에칭 종들을 생성할 수 있는 능력을 가질 필요가 있을 것이다. 본원 발명의 방법의 일부 실시예들이 실시될 수 있는 유도-결합 HDP-CVD 챔버의 예에 대해서 이하에서 설명한다. 이하의 챔버 설명은 단지 예시적인 목적을 위한 것인데, 이는 본원 발명의 기술들이 열적 CVD 챔버 및 PECVD 챔버와 ECR-HDP 챔버 등을 포함하는 다른 플라즈마 챔버를 포함하는 다양한 다른 챔버들에서도 이용될 수 있기 때문이다.
도 6은 고밀도 플라즈마 화학기상증착(HDP-CVD) 시스템(100)을 개략적으로 도시한 단면도로서, 그러한 시스템에서 본원 발명에 따른 챔버 세정 기술이 적용될 수 있을 것이다. CVD 시스템은, 예를 들어, 챔버 본체(102), 기판 지지부(104)(예를 들어, 정전기 척), 가스 노즐(106, 108), 챔버 돔(110), 원격 플라즈마 세정 시스템(112) 및 진공 시스템(114)을 포함한다. 챔버 본체(102), 돔(110) 및 기판 지지부(104)가 조합되어 프로세싱 영역(116)을 형성하고, 화학기상증착 프로세스와 같은 기판 프로세싱 작업 중에 프로세싱 영역 내에 기판(118)이 배치된다. 편의상, 본원 발명과 직접적으로 관련되지 않은 시스템(100)의 여러 구성요소들을 도 6에 도시하지 않았고 그리고 본원 명세서에서 설명하지 않았다. 예를 들어, 시스템(100)은 프로세스 가스를 가스 노즐(106, 108)로 공급하는 가스 분배 시스템(120), 그리고 챔버 내로 도입된 프로세스 가스로부터 챔버 내에서 플라즈마를 형성하기 위한 에너지를 제공하기 위해서 챔버에 커플링된 바이어스 플라즈마 시스템 및 공급원(도시하지 않음)을 포함할 수 있을 것이다.
진공 시스템(114)은 챔버(102)의 하부 부분을 형성하고 챔버를 진공 시스템에 결합하는 본체 부재(126), 그리고 3-블레이드 스로틀 밸브(130)를 수용하고 게이트 밸브(132) 및 터보-분자 펌프(134)에 부착된 스로틀 본체(128)를 포함하고, 이는 기판 프로세싱 작업 동안에 약 1 mTorr 정도로 낮은 챔버 압력을 정확하고 안정적으로 제어할 수 있게 허용한다. 게이트 밸브(132)는 펌프(134)를 스로틀 본체(128) 및 프로세스 영역(116)으로부터 격리시킬 수 있다.
진공 시스템(114)은 또한 추가적인 격리 밸브(140 및 142), 종료점 탐지장치(144), 부가적인 스로틀 밸브(146) 및 큰 압력용(roughing) 펌프(148)를 포함한다. 기판 프로세싱 작업 중에, 격리 밸브(140)가 폐쇄되는 한편 게이트 밸브(132) 및 격리 밸브(142)가 개방된다. 가스들이 포트(152) 및 가스 도관(150a)을 통해서 포어라인(150)으로 배기된다. 기판 프로세싱 작업 중에 압력이 스로틀 밸브(130)에 의해서 제어된다. 챔버 세정 작업 중에, 게이트 밸브(132) 및 격리 밸브(142)가 폐쇄되는 한편 밸브(140)가 개방된다. 세정 가스가 포트(154) 및 가스 도관(150b)을 통해서 포어라인(150)으로 배기된다. 챔버 세정 작업 중에 압력이 스로틀 밸브(146)에 의해서 제어된다. 가스 도관(150a 및 150b)은 가스 포어라인(150)의 일부이다.
챔버 본체(102), 본체 부재(126) 및 스로틀 본체(128)가 함께 용접되어 일체형 하우징을 형성한다. 포트(154)는 챔버(100) 상의 동일 높이에 대략적으로 위치되는 3개의 포트들 중 하나이다. 다른 2개의 포트들은 포트(154)의 좌측 및 우측에 대해서 90도의 각도로 위치되고 그에 따라 도 6에는 도시되지 않았다. 전술한 3개의 포트들의 각각은 게이트 밸브(132) 및 터보 분자 펌프(134)로부터 상류(기판 프로세싱 및 챔버 세정 작업 중의 챔버 내외로의 가스 유동에 대해서)에 위치한다. 본원 발명의 일부 실시예에서, 도시되지 않은 포트들이 압력 게이지 또는 헬륨 가스 퍼지와 같은 장치들을 챔버(100)에 커플링하기 위해서 통상적으로 이용된다. 그러나, 증대된 펌핑 용량이 이용되는 실시예들에서, 이러한 부가적인 포트들이 적절한 피팅(fittings) 및 밸브들로 포어라인에 직접적으로 커플링되어 챔버 세정 작업 중에 포트(154)를 통한 경로에 더하여 포어라인으로의 가스 유동 경로를 제공하고 그에 따라 챔버 세정 작업 동안에 챔버(100)의 펌핑 용량을 증대시킨다. 그러한 포어라인 구성에 대한 보다 구체적인 내용이 본원 명세서에서 참조되고 미국에서 2009년 5월 14일자로 2009/0120464로 공개된 미국 출원 12/265,641에 기재되어 있다.
본원 발명의 몇몇 실시예들에 대해서 설명하였지만, 본원 발명의 다른 균등한 실시예들 및 대안적인 실시예들이 당업자에게 분명하게 이해될 수 있을 것이다. 예를 들어, CVD 챔버를 세정하는 것과 관련하여 본원 발명을 설명하였지만, 본원 발명은 에칭 챔버를 포함하는 다른 적절한 타입의 챔버를 세정하는데도 이용될 수 있을 것이다. 또한, 에칭제 가스로서 모두 NF3 를 이용하여 설명하였지만, 다른 에칭제 가스도 다른 실시예에서 이용될 수 있을 것이다. 그와 같은 경우에, 전술한 설명은 제한적인 것이 아니고 예시적인 것이 될 것이다. 이러한 균등한 실시예들 및/또는 대안적인 실시예들은 본원 발명의 범위에 포함될 것이다.

Claims (19)

  1. 기판 프로세싱 챔버 내에 배치된 기판을 프로세싱 한 후에 기판 프로세싱 챔버의 하나 또는 둘 이상의 내부 표면으로부터 원치 않는 증착 축적물을 제거하기 위한 방법으로서:
    기판 프로세싱 챔버의 외부로 기판을 이송하는 단계; 그리고
    원치 않는 증착 축적물을 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 원치 않는 증착 축적물을 제거하는 단계는:
    (a) 기판 프로세싱 챔버에 유체적으로 커플링된 원격 플라즈마 공급원 내로 불소-함유 에칭제 가스를 유동시키고, 상기 불소-함유 에칭제 가스로부터 반응성 종들을 형성하고 그리고 반응성 종들을 기판 프로세싱 챔버 내로 이송함으로써; 그리고
    (b) 제 1 범위 내의 고압과 제 2 범위 내의 저압 사이에서 고압 및 저압의 둘 이상의 사이클 동안 기판 프로세싱 챔버 내에서 압력을 사이클링하는 한편 불소-함유 에칭제 가스를 원격 플라즈마 공급원 내로 연속적으로 유동시키고 그리고 반응성 종들을 기판 프로세싱 챔버 내로 연속적으로 이송함으로써, 이루어지고,
    상기 고압이 상기 저압 보다 압력이 높고, 고압 사이클 중에 상기 원격 플라즈마 공급원 내로 유동하는 상기 불소-함유 에칭제 가스의 유량이 3000 sccm 또는 그 초과이고 그리고 저압 사이클의 지속시간이 4 내지 8초인
    축적물 제거 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고압이 15 Torr 미만이고 상기 저압이 상기 고압의 50 퍼센트 또는 그 미만인
    축적물 제거 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고압이 4-15 Torr이고 상기 저압이 0.5-4 Torr인
    축적물 제거 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 고압이 5-8 Torr이고 상기 저압이 0.5-2.5 Torr인
    축적물 제거 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    고압 사이클 동안에 기판 프로세싱 챔버 내의 압력이 제 1 범위에 있을 때 상기 원격 플라즈마 공급원으로의 불소-함유 에칭제 가스의 유량이 분당 4 리터 이상인
    축적물 제거 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 불소-함유 에칭제 가스가 삼불화 질소를 포함하는
    축적물 제거 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    각각의 저압 사이클의 지속시간이 선행하는 고압 사이클의 지속시간의 10-33 퍼센트인
    축적물 제거 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    불소-함유 에칭제 가스를 원격 플라즈마 공급원으로 유동시키기에 앞서서 불활성 가스로부터 형성된 인 시츄 플라즈마로 기판 프로세싱 챔버를 가열하는 단계를 더 포함하는
    축적물 제거 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 고압 및 저압 사이클들이 축적물 제거 방법 중에 4차례 이상 사이클링되는
    축적물 제거 방법.
  10. 기판 프로세싱 챔버 내에 배치된 기판을 프로세싱 한 후에 기판 프로세싱 챔버의 하나 또는 둘 이상의 내부 표면으로부터 원치 않는 증착 축적물을 제거하기 위한 방법으로서:
    기판 프로세싱 챔버의 외부로 기판을 이송하는 단계; 그리고
    원치 않는 증착 축적물을 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 원치 않는 증착 축적물을 제거하는 단계는:
    (a) 기판 프로세싱 챔버에 유체적으로 커플링된 원격 플라즈마 공급원 내로 불소-함유 에칭제 가스를 유동시키고 그리고 상기 불소-함유 에칭제 가스로부터 반응성 종들을 형성함으로써; 그리고
    (b) 이하의 사이클을 복수 번 반복하는 동안 원격 플라즈마 공급원으로부터 기판 프로세싱 챔버로 상기 반응성 종의 연속적인 유동을 유지하는 단계를 포함하고,
    상기 사이클이:
    (ⅰ) 기판 프로세싱 챔버 내의 압력이 4-15 Torr로 유지되는 동안 반응성 종이 기판 프로세싱 챔버 내로 유입되는 고압 세정 단계, 그리고
    (ⅱ) 기판 프로세싱 챔버의 압력을 고압 세정 단계에서 도달되는 고압의 50 퍼센트 이상 만큼 감소시키면서 반응성 종을 기판 프로세싱 챔버 내로 유입시키는 저압 세정 단계로 구성되며,
    상기 고압 세정 단계 중에 상기 원격 플라즈마 공급원 내로 유동하는 상기 불소-함유 에칭제 가스의 유량이 3000 sccm 또는 그 초과이고 그리고 저압 세정 단계의 지속시간이 4 내지 8초인
    축적물 제거 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 고압이 5-8 Torr이고 상기 저압이 0.5-2.5 Torr인
    축적물 제거 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 고압 세정 단계 동안에 기판 프로세싱 챔버 내의 압력이 4-15 Torr에서 유지될 때 상기 원격 플라즈마 공급원으로의 불소-함유 에칭제 가스의 유량이 분당 4 리터 이상인
    축적물 제거 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 불소-함유 에칭제 가스가 삼불화 질소를 포함하는
    축적물 제거 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 고압 및 저압 단계들이 축적물 제거 방법 동안에 4차례 이상 사이클링되는
    축적물 제거 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 저압 세정 단계가 상기 고압 세정 단계의 지속시간의 10-33 퍼센트의 지속시간을 가지는
    축적물 제거 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계 이후에, 상기 불소-함유 에칭제 가스의 유량을 감소시키는 단계를 더 포함하는
    축적물 제거 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 불소-함유 에칭제 가스가 삼불화 질소를 포함하는
    축적물 제거 방법.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 (b)(ⅱ) 단계 이후에, 불소-함유 에칭제 가스의 유량을 감소시키는 단계를 더 포함하는
    축적물 제거 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 불소-함유 에칭제 가스가 삼불화 질소를 포함하는
    축적물 제거 방법.
KR1020117011608A 2008-10-22 2009-10-07 사이클형 고압 및 저압 세정 단계들을 이용한 원격 플라즈마 세정 방법 Expired - Fee Related KR101146063B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10763408P 2008-10-22 2008-10-22
US61/107,634 2008-10-22
US12/508,381 US7967913B2 (en) 2008-10-22 2009-07-23 Remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps
US12/508,381 2009-07-23
PCT/US2009/059878 WO2010047953A2 (en) 2008-10-22 2009-10-07 A remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110084265A KR20110084265A (ko) 2011-07-21
KR101146063B1 true KR101146063B1 (ko) 2012-05-14

Family

ID=42107657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117011608A Expired - Fee Related KR101146063B1 (ko) 2008-10-22 2009-10-07 사이클형 고압 및 저압 세정 단계들을 이용한 원격 플라즈마 세정 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7967913B2 (ko)
JP (1) JP2012506637A (ko)
KR (1) KR101146063B1 (ko)
CN (1) CN102265387A (ko)
TW (1) TW201023235A (ko)
WO (1) WO2010047953A2 (ko)

Families Citing this family (372)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR20120034341A (ko) * 2010-10-01 2012-04-12 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치의 세정방법
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
CN102867773B (zh) * 2011-07-06 2015-08-05 中国科学院微电子研究所 降低hdpcvd缺陷的方法
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
KR102206544B1 (ko) * 2012-03-20 2021-01-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법
US8940099B2 (en) 2012-04-02 2015-01-27 Illinois Tool Works Inc. Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven
US9170051B2 (en) 2012-04-02 2015-10-27 Illinois Tool Works Inc. Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven
CN103374710B (zh) * 2012-04-28 2015-12-16 理想能源设备(上海)有限公司 反应腔的清洗方法、反应腔的清洗系统
CN103388127B (zh) * 2012-05-10 2016-04-13 上海华虹宏力半导体制造有限公司 高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
JP6055637B2 (ja) * 2012-09-20 2016-12-27 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) * 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
TWI600786B (zh) 2013-05-01 2017-10-01 應用材料股份有限公司 用於腔室清潔或預清潔製程之鈷移除
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9478408B2 (en) 2014-06-06 2016-10-25 Lam Research Corporation Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging
US10081869B2 (en) 2014-06-10 2018-09-25 Lam Research Corporation Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates
US10047438B2 (en) 2014-06-10 2018-08-14 Lam Research Corporation Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas
US10192717B2 (en) 2014-07-21 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102507814B1 (ko) * 2015-04-23 2023-03-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 챔버 세정 종료점에 대한 인-시튜 식각률 결정
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
TWI593473B (zh) 2015-10-28 2017-08-01 漢辰科技股份有限公司 清潔靜電吸盤的方法
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US9981293B2 (en) 2016-04-21 2018-05-29 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10858727B2 (en) 2016-08-19 2020-12-08 Applied Materials, Inc. High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
CN106373851B (zh) * 2016-10-24 2018-06-26 上海华力微电子有限公司 一种优化晶圆环状缺陷的方法
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2019199681A1 (en) 2018-04-09 2019-10-17 Applied Materials, Inc. Carbon hard masks for patterning applications and methods related thereto
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US12221694B2 (en) * 2018-10-15 2025-02-11 Applied Materials, Inc. Conditioning of a processing chamber
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
KR102779066B1 (ko) * 2018-12-07 2025-03-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 컴포넌트, 컴포넌트를 제조하는 방법, 및 컴포넌트를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309815B (zh) * 2019-07-26 2023-07-28 山东浪潮华光光电子股份有限公司 生产led外延片的mocvd系统维护保养后的恢复方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20230037701A (ko) * 2020-07-01 2023-03-16 램 리써치 코포레이션 간헐적인 정체 플로우
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
CN111850510A (zh) * 2020-07-30 2020-10-30 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 用于pecvd设备的原位清洗方法及对应的pecvd设备
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR102516340B1 (ko) * 2020-09-08 2023-03-31 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운용 방법
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202218049A (zh) 2020-09-25 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
KR102816044B1 (ko) * 2020-10-28 2025-06-04 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 방법
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
CN112813415A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 拓荆科技股份有限公司 腔体内的清洁方法
CN114752918B (zh) * 2021-01-08 2024-06-04 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种腔室的清洗方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990062820A (ko) * 1997-12-05 1999-07-26 윤종용 고주파(rf) 플라즈마에 의한 챔버 내부 세정방법
US20050258137A1 (en) 2004-03-24 2005-11-24 Sawin Herbert H Remote chamber methods for removing surface deposits

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4138306A (en) 1976-08-31 1979-02-06 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Apparatus for the treatment of semiconductors
US4563367A (en) 1984-05-29 1986-01-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for high rate deposition and etching
US5158644A (en) 1986-12-19 1992-10-27 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4960488A (en) * 1986-12-19 1990-10-02 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
US4913929A (en) 1987-04-21 1990-04-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use
DE3725358A1 (de) 1987-07-30 1989-02-09 Telog Systems Gmbh Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien
JPH0732137B2 (ja) 1988-02-29 1995-04-10 東京エレクトロン東北株式会社 熱処理炉
JPH02125876A (ja) 1988-11-01 1990-05-14 Fujitsu Ltd Cvd装置の排気機構
US4988644A (en) 1989-05-23 1991-01-29 Texas Instruments Incorporated Method for etching semiconductor materials using a remote plasma generator
DE4132559A1 (de) 1991-09-30 1993-04-08 Siemens Ag Verfahren zur in-situ-reinigung von abscheidekammern durch plasmaaetzen
EP0537950B1 (en) 1991-10-17 1997-04-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor
EP0552491B1 (en) 1992-01-24 1998-07-15 Applied Materials, Inc. Plasma etch process and plasma processing reactor
JP3502096B2 (ja) 1992-06-22 2004-03-02 ラム リサーチ コーポレイション プラズマ処理装置内の残留物を除去するためのプラズマクリーニング方法
US5770098A (en) 1993-03-19 1998-06-23 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Etching process
US5662770A (en) 1993-04-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks
US5350480A (en) 1993-07-23 1994-09-27 Aspect International, Inc. Surface cleaning and conditioning using hot neutral gas beam array
JPH0786242A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5403434A (en) 1994-01-06 1995-04-04 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer
EP0697467A1 (en) 1994-07-21 1996-02-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a deposition chamber
US5698469A (en) 1994-09-26 1997-12-16 Endgate Corporation Method of making a hybrid circuit with a chip having active devices with extra-chip interconnections
US5688357A (en) 1995-02-15 1997-11-18 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
TW283250B (en) 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
TW294820B (en) 1995-07-10 1997-01-01 Watkins Johnson Co Gas distribution apparatus
JP3862305B2 (ja) 1995-10-23 2006-12-27 松下電器産業株式会社 不純物の導入方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法
US6170428B1 (en) 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
US5788778A (en) 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
US5939831A (en) 1996-11-13 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications
US5812403A (en) 1996-11-13 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system
US5844195A (en) 1996-11-18 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Remote plasma source
US6055927A (en) 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US5843239A (en) 1997-03-03 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Two-step process for cleaning a substrate processing chamber
US6125859A (en) 1997-03-05 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Method for improved cleaning of substrate processing systems
US6039834A (en) 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US6109206A (en) 1997-05-29 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for chamber cleaning
US6079426A (en) * 1997-07-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining the endpoint in a plasma cleaning process
US6274058B1 (en) * 1997-07-11 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning method for processing chambers
US8075789B1 (en) 1997-07-11 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning source having reduced reactivity with a substrate processing chamber
US6379575B1 (en) 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US6060400A (en) 1998-03-26 2000-05-09 The Research Foundation Of State University Of New York Highly selective chemical dry etching of silicon nitride over silicon and silicon dioxide
US6148832A (en) 1998-09-02 2000-11-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for in-situ cleaning of polysilicon-coated quartz furnaces
US6374831B1 (en) * 1999-02-04 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Accelerated plasma clean
US20020033183A1 (en) 1999-05-29 2002-03-21 Sheng Sun Method and apparatus for enhanced chamber cleaning
US6255222B1 (en) 1999-08-24 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process
KR100467082B1 (ko) 2000-03-02 2005-01-24 주성엔지니어링(주) 반도체소자 제조장치 및 그 클리닝방법
US6329297B1 (en) 2000-04-21 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Dilute remote plasma clean
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
US6418874B1 (en) 2000-05-25 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Toroidal plasma source for plasma processing
US6835278B2 (en) 2000-07-07 2004-12-28 Mattson Technology Inc. Systems and methods for remote plasma clean
US6450117B1 (en) 2000-08-07 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Directing a flow of gas in a substrate processing chamber
US6584987B1 (en) 2001-03-16 2003-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for improved cleaning in HDP-CVD process with reduced NF3 usage
US7159597B2 (en) * 2001-06-01 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Multistep remote plasma clean process
US20040045577A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-11 Bing Ji Cleaning of processing chambers with dilute NF3 plasmas
US20060266288A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Applied Materials, Inc. High plasma utilization for remote plasma clean
US20070248767A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Asm Japan K.K. Method of self-cleaning of carbon-based film
US20090090382A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Asm Japan K.K. Method of self-cleaning of carbon-based film
US7964040B2 (en) 2007-11-08 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Multi-port pumping system for substrate processing chambers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990062820A (ko) * 1997-12-05 1999-07-26 윤종용 고주파(rf) 플라즈마에 의한 챔버 내부 세정방법
US20050258137A1 (en) 2004-03-24 2005-11-24 Sawin Herbert H Remote chamber methods for removing surface deposits

Also Published As

Publication number Publication date
CN102265387A (zh) 2011-11-30
WO2010047953A2 (en) 2010-04-29
TW201023235A (en) 2010-06-16
US20100095979A1 (en) 2010-04-22
KR20110084265A (ko) 2011-07-21
WO2010047953A3 (en) 2010-06-17
JP2012506637A (ja) 2012-03-15
US7967913B2 (en) 2011-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101146063B1 (ko) 사이클형 고압 및 저압 세정 단계들을 이용한 원격 플라즈마 세정 방법
US10916407B2 (en) Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates
KR101011097B1 (ko) 기판 처리 챔버용 다중 포트 펌핑 시스템
KR102158307B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스
US7588036B2 (en) Chamber clean method using remote and in situ plasma cleaning systems
US8440568B2 (en) Substrate etching method and system
KR100448291B1 (ko) 조합 화학물을 사용해서 반도체 제조 장비를 인시튜세정하기 위한 방법 및 장치
CN109216186B (zh) 蚀刻方法和残渣去除方法
US6843858B2 (en) Method of cleaning a semiconductor processing chamber
US12191125B2 (en) Removing metal contamination from surfaces of a processing chamber
JP2024125232A (ja) 基板処理システム及びエッチング装置
TW202035775A (zh) 清潔處理腔室的方法
US10755941B2 (en) Self-limiting selective etching systems and methods
WO2019169009A1 (en) Systems and methods to form airgaps
KR20220093499A (ko) F3no 가스를 이용한 반도체 및 디스플레이 화학기상 증착 챔버의 건식 세정 방법
CN119710627A (zh) 腔体的清洗方法及腔体内的工艺装置
CN119968697A (zh) 使用水结晶相对于氧化硅选择性蚀刻氮化硅的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20110520

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20110928

Comment text: Request for Examination of Application

PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20110928

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20111013

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20120403

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20120507

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20120507

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20160409