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KR101120508B1 - 간섭 현상을 줄이기 위한 레이아웃 구조 - Google Patents

간섭 현상을 줄이기 위한 레이아웃 구조 Download PDF

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KR101120508B1
KR101120508B1 KR1020070084526A KR20070084526A KR101120508B1 KR 101120508 B1 KR101120508 B1 KR 101120508B1 KR 1020070084526 A KR1020070084526 A KR 1020070084526A KR 20070084526 A KR20070084526 A KR 20070084526A KR 101120508 B1 KR101120508 B1 KR 101120508B1
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Abstract

본 발명은 회로 블록 사이의 공간에 접지면과 연결된 도선을 이용하여 격리 도선을 형성한 후 이를 이용하여 회로 블록간의 간섭을 최소화시키는 것으로, 이를 위하여 본 발명에 따른 레이아웃 구조는, 인가되는 전력량의 차이가 있거나 위상차를 갖는 다수의 회로 블록과, 회로 블록들 사이마다 위치하며, 접지면에 연결되는 격리 도선을 포함한다.
격리도선, 화합물 반도체, 인덕터, 간섭

Description

간섭 현상을 줄이기 위한 레이아웃 구조{A LAYOUT STRUCTURE FOR REDUCING AN INTERFERENCE PHENOMENON}
본 발명은 입력 전력량의 차이를 가지거나 위상차를 갖는 회로 블록 사이의 공간에 접지면과 연결된 격리 도선을 형성하여 회로 블록간의 간섭을 줄일 수 있는 간섭 현상을 줄이기 위한 레이아웃 구조에 관한 것이다.
일반적으로 CMOS 공정과 같은 기판(substrate)을 통한 신호의 손실이 큰 경우에는 어떻게 기판의 간섭에 의해 회로가 왜곡되지 않도록 하느냐가 중요한 관심사항 중의 하나이다.
AC 그라운드(ground)와 연결된 도선을 링 모양으로 연결하여 회로단을 격리하는 기술이나 DNW(Deep N Well)과 같은 공정의 개발 등을 통해 CMOS 공정에서는 기판을 통한 회로간의 간섭이 크다는 단점을 극복하는 여러 가지 연구가 진행되고 있다.
이중에서 가장 널리 알려져 있는 회로간의 간섭을 방지하는 방법은 P+ 가드-링(guard-ring)이나 N+ 가드-링과 같은 AC 그라운드를 회로 블록 주변에 추가로 레이아웃하는 것이다.
화합물 반도체 공정의 경우는 CMOS 공정에 비해 기판의 전도도(conductivity)가 매우 낮고, 각 소자간의 격리가 CMOS 공정에 비하여 물리적으로 잘 이루어지기 때문에 기판을 통한 회로간의 간섭 문제는 CMOS 공정에 기반한 설계에 비하여 크게 고려하지 않아도 된다.
하지만, 최근 들어 화합물 반도체 공정 역시 회로의 집적도가 증가하고, 동작주파수가 증가함에 따라 두 도선이 근접하여 신호가 전송되는 현상에 따른 회로단 간의 간섭을 고려하여 설계를 진행하여야 한다.
두 도선이 나란히 진행하는 회로의 특성은 독립적인 두 도선이 있는 경우와는 분명한 차이가 존재한다. 이러한 현상을 시뮬레이션 상에서 표현하기 위해 다양한 RF 관련 설계를 위한 회로 시뮬레이터, 특히 EM(Electro-Magnetic) 분석을 통해 신호를 해석하는 시뮬레이터들은 이러한 도선간의 간섭이 어떻게 이루어지는 가를 해석한다.
집적회로의 동작 주파수가 증가함에 따라 도선간의 간격이 좁아지면 마이크로 스트립라인 간의 전자기적인 간섭에 대한 고려가 필요하며, 이를 고려하지 않고 설계 및 레이아웃이 진행된다면 예기치 않은 회로 성능의 열화를 불러일으킬 수 있다.
즉, 회로의 집적도, 특히 단순한 회로 블록의 증가와 관련된 것 뿐만 아니라, 복잡한 비대칭적인 회로의 설계 요구가 많아짐에 따라 회로간의 간섭 문제는 각 블록을 분리시키거나 넓히는 것만으로는 해결점을 찾기 어렵다.
특히, 회로의 전력량 및 위상이 비대칭적인 회로의 레이아웃에서는 도선간 간섭에 의한 회로 성능 열화가 화합물 반도체 공정에서 역시 상당한 문제점으로 지적되고 있다.
본 발명에서는 도선 또는 회로 블록 사이에 접지면 또는 접지선과 연결된 격리 도선을 추가하여 회로를 격리하는 방법을 제시하였으며, 또한 이를 적용하여 도선 또는 회로간의 간섭을 최소화하고자 한다.
본 발명의 제 1 관점으로서 간섭 효과를 줄이기 위한 레이아웃 구조는, 인가되는 전력량의 차이가 있거나 위상차를 갖는 다수의 회로 블록과, 상기 회로 블록들 사이마다 위치하며, 접지면 또는 접지선에 연결되는 격리 도선을 포함한다.
본 발명의 제 2 관점으로서 간섭 효과를 줄이기 위한 레이아웃 구조는, 제 1 증폭기의 입력과 제 2 증폭기의 출력이 근접하는 병렬 구조의 증폭기에 있어서 간섭 효과를 줄이기 위한 레이아웃 구조로서, 위상 및 전력량이 상이한 상기 제 1 증폭기의 입력단과 상기 제 2 증폭기의 출력단을 격리시키며, 접지면 혹은 접지선과 연결되는 격리 도선을 포함한다.
삭제
본 발명에서는 인가되는 전력량의 차이를 갖거나 위상차를 갖는 다수의 회로 블록들 사이에 접지면과 연결되는 격리 도선을 추가하여 회로 블록간의 간섭을 줄 일 수 있다.
본 발명은 인덕터를 포함하는 블록을 회로 블록과 격리시키기 위해 회로 블록과 인덕터를 포함하는 블록 사이의 공간에 접지면과 연결된 격리 도선을 위치시킴으로서, 블록들 간의 간섭을 줄 일 수 있다.
또한, 본 발명은 비대칭적인 회로 블록, 즉 인가되는 전력량의 차이를 갖거나 위상차를 갖는 회로 블록들 사이에 접지면과 연결된 격리 도선을 위치시킴으로서, 회로 블록간의 간섭을 줄일 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 아울러 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 격리 도선이 추가된 레이아웃을 도시한 블록도로서, 위상차를 갖는 두 개의 도선(100, 110)과, 두 개의 도선(100, 110) 사이에 위치하며, 접지면 혹은 접지선과 연결된 격리 도선(120)으로 이루어져 있다. 여기서, 접지면 혹은 접지선은 DC 그라운드뿐만 아니라 AC 그라운드(혹은 RF 그라운드)일 수 있는데, 즉 DC 전압이 0V가 아니더라도 AC 전압 혹은 RF 전압이 0V인 경우에도 접지면 또는 접지선이 될 수 있다.
도 1의 두 개의 도선(100, 110)은 분리하고자 하는 두 회로 블록의 일부를 나타낸 것이다.
도 1에 도시된 레이아웃과 종래의 레이아웃인 도 2a 및 도 2b간의 차이점을 시뮬레이션을 통해 설명하면 아래와 같다.
설명에 앞서, 도 1, 도 2a 및 도 2b 상에는 두 개의 도선(100, 110)이 나란히 진행하는 것처럼 보이나, 실제 레이아웃에서는 두 개의 도선(100, 110)이 단순히 나란히 이동하는 것이 아니라 도선이 진행되는 어느 한곳을 임의로 분리하여 입력단의 전압과 전류를 통해 임피던스를 계산하고, 종단에서도 마찬가지로 임피던스를 계산하여 간략히 도면화한 것이다.
도 2b에서의 두 도선(100, 110) 입력단의 전력을 적은 손실로 출력단에 전달하는 방법으로 임의의 임피던스를 입력단 임피던스로 가정하고 그 반대편에 라인의 임피던스와 종단 임피던스를 합한 값과 공액복소정합(Complex Conjugate Matched)된 임피던스로 종단의 임피던스를 갖는다고 가정하면, 입력단의 전력은 출력단으로 반사 손실을 거의 갖지 않고 전달이 가능하다.
먼저, 도 2a는 위상차를 갖는 두 개의 도선(100, 110)으로 이루어져 있으며, 도 2b는 두 개의 도선(100, 110)이 독립적으로 있다는 가정 하에 설명하면 아래와 같다.
이러한 가정 하에 도선의 입력단에 인가된 전력의 차이에 따라 또는 입력단에 인가된 전력의 위상 차이에 따라 출력단에 도달하는 전력 비가 차이가 나게 되는데, 각 경우에 대해 출력단의 전력이 어떻게 나타나는지에 대해 설명하면 아래와 같다.
설명에 앞서, 도선의 특성 임피던스가 56.4Ω, 도 1 및 도 2a에서의 두 개의 도선(100, 110)간의 간격이 32㎛이며, 도 2b의 두 개의 도선(100, 110)간의 간격은 두 개의 도선(100, 110)간 간섭이 없을 정도로 넓다. 한편, 도 1, 도 2a 및 도 2b에서 입력단의 임피던스가 2Ω, 출력단의 임피던스가 2.5GHz에서 2.492-j5.055Ω라고 가정한다.
상기와 같은 가정 하에 입력 환경, 즉 각 도선(100, 110)에 입력되는 전력 및 위상 차이에 따른 시뮬레이션 결과는 아래의 표 1과 같고, 입력 신호의 전력비가 10dB이고 위상차가 90°인 경우 종단 신호 파형은 도 3a 내지 도 3b에 도시된 바와 같다.
Figure 112007060804100-pat00001
상기의 표 1과 도 3a 및 도 3b에서, Term1과 Term2는 도 2에 도시된 두 개의 도선(100, 110)의 입력 신호 1 및 입력 신호 2에 대한 종단이고, Term3과 Term4는 격리 도선(120)으로 격리된 두 개의 도선(100, 110)의 입력 신호 1과 입력 신호 2의 종단이며, Term5와 Term6은 두 개의 도선(100, 110)이 독립적으로 있을 경우 입력 신호 1과 입력 신호 2의 종단이다.
일반적으로 의도된 신호 출력은 Term5와 Term6의 경우이기 때문에 전압 크기(Voltage magnitude)의 경우가 비율 값이 1에 근접할수록, 위상 차이의 경우 입력 신호의 위상차에 근접할수록 신호간의 간섭이 덜 일어나는 것으로 볼 수 있다 도 3a 및 도 3b의 경우는 상기 표1에서 순번 4에 해당하는 경우의 신호 파형을 도시한 것이다.
Term2와 Term6 그리고 Term4와 Term6의 파형 차이를 비교하여 보았을 때 격리 도선(120)의 유무에 따라 신호의 차이가 확연함을 확인할 수 있다.
상기의 표 1과 도 3a 및 도 3b의 경우를 종합해보면, 두 개의 도선(100, 110)에 인가된 전력량이 동일하고 위상차가 없다면 두 개의 도선(100, 110) 사이에 격리 도선(120)이 있거나 없거나 크게 출력 전압의 영향이 없는 것으로 확인된다. 반면에, 두 개의 도선(100, 110)에 인가된 전력량에 차이가 있고 거기에 더하여 위상차이가 존재하는 경우에는 두 개의 도선(100, 110)이 독립하여 존재할 때에 비하여 매우 큰 차이가 존재하게 됨을 확인 할 수 있기 때문에 접지면과 연결된 격리 도선(120)의 도선간의 간섭 방지 효과는 간섭 효과가 큰 경우, 예컨대 전력량에 차이가 있거나 위상차이가 존재하는 경우에 효과적으로 두 개의 도선(100, 110)간의 간섭 효과를 최소화시키는 것을 알 수 있다.
상기와 같은 본 발명이 적용되는 예로는 병렬로 연결된 증폭기를 들 수 있으며, 이에 대한 설명은 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 레이아웃 구조가 적용된 병렬 구조의 증폭기를 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 병렬 구조의 증폭기는 제 1 증폭기(400)의 입력과 제 2 증폭기(410)의 출력이 근접하며, 제 1 증폭기(400)의 입력단과 제 2 증폭기(410)의 출력단 도선 사이의 위상 및 전력량이 상이하다. 즉, 제 2 증폭기(410)의 출력이 제 1 증폭기(400)의 입력단에 간섭을 일으켜 제 1 증폭기(400)의 입력단 특성이 왜곡되어 전체 회로를 열화시킬 수 있다. 이를 개선하기 위하여 제 1 증폭기(400)의 입력단과 제 2 증폭기(410)의 출력단 도선 사이에는 접지면과 연결되는 격리 도선(420)을 배치한다.
이와 같이, 격리 도선(420)을 제 1 증폭기(400)의 입력단과 제 2 증폭기(410)의 출력단 도선 사이에 배치시킴으로서, 제 2 증폭기(410)의 출력이 제 1 증폭기(400)의 입력단에 간섭을 일으키는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예로는, 도 5에 도시된 바와 같이, 스파이럴(spiral) 구조를 갖는 인덕터(500)와 인덕터(500)를 사이에 두고 위치하는 회로 블록 A, B(510, 520)를 포함하는 레이아웃을 들 수 있는데, 이 경우에는 스파이럴 구조를 갖는 인덕터(500)는 회로 블록 A, B(510, 520)에 간섭을 줄 수 있다. 이러한 간섭 현상을 줄이기 위해, 본 발명의 다른 실시 예에서는 회로 블록 A, B(510, 520)와 인덕터(500) 사이에 격리 도선(530)을 추가함으로서, 스파이럴 구조를 갖는 인덕터(500)와 회로 블록 A, B(510, 520)를 격리시켜 간섭을 줄일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에서는 인덕터(500)를 스파이럴 구조를 갖는 것으로 예를 들어 설명하였지만, 인덕턴스 성분을 갖는 등가 회로일 경우에도 본 발명의 다른 실시 예를 적용할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예로는, 도 6에 도시된 바와 같이, 접지면과 연결되며 폐곡선 형태의 격리 도선(600)을 이용하여 인덕터(610a)를 포함하는 격리 블록(610)을 다른 회로 블록 A, B, C(620, 630, 640)와 격리시킬 수 있다. 여기서, 격리 블록(610)은 스파이럴 구조의 인덕터(610a)뿐만 아니라 다수의 캐패시터(610b), 저항(도시 생략됨), 마이크로 스트립라인(도시 생략됨) 등을 포함하는 구조의 회로이며, 캐패시터(610b)의 예로는 MIM 구조의 캐패시터를 예로 들 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에서는 폐곡선을 이용하여 격리 블록(610)을 다른 회로 블록 A, B, C(620, 630, 640)와 격리시키는 것으로 예를 들어 설명하였지만, 폐곡선과 유사한 형태, 즉 격리가 필요한 부분만을 격리시키기 위한 곡선 형태, 예컨대 일부가 오픈된 곡선 형태의 격리 도선을 이용할 경우에도 본 발명의 또 다른 실시 예와 마찬가지로 다른 회로 블록 A, B, C(620, 630, 640)와 격리 블록(610)을 격리시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시 예에서는 격리 블록(610) 내에 스파이럴 구조의 인덕터(610a)가 포함되어 있는 것으로 예를 들어 설명하였지만, 인덕턴스 성분을 갖는 등가 회로 블록인 경우에도 본 발명의 또 다른 실시 예를 적용할 수 있다.
이와 같이, 격리 블록(610)을 폐곡선 또는 그와 유사한 형태의 격리 도선(600)으로 회로 블록 A, B, C(620, 630, 640)와 격리시킴으로서, 격리 블록(610)과 회로 블록 A, B, C(620, 630, 640)간의 간섭 현상을 효과적으로 줄일 수 있다.
지금까지 본 발명의 일 실시예에 국한하여 설명하였으나 본 발명의 기술이 당업자에 의하여 용이하게 변형 실시될 가능성이 자명하다. 이러한 변형된 실시 예들은 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상에 포함된다고 하여야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 간섭 효과를 줄이기 위한 레이아웃 구조를 도시한 도면이며,
도 2a 내지 도 2b는 격리 도선이 없는 레이아웃 구조 및 독립 도선의 레이아웃 구조를 도시한 도면이며,
도 3a는 입력 신호 전력차가 10dB, 위상차가 90°인 경우 도선이 나란히 그려진 경우의 종단 신호 파형이며,
도 3b는 입력 신호 전력차가 10dB, 위상차가 90°인 경우 접지면과 격리된 도선을 사이에 두고 도선이 나란히 그려진 경우의 종단 신호 파형이며,
도 4는 본 발명의 일 실시 예가 적용된 병렬 구조의 증폭기에 대한 레이아웃 구조를 도시한 도면이며,
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 인덕터를 포함하는 레이아웃에 격리 도선이 추가된 구조를 도시한 도면이며,
도 6은 본 발명의 또는 다른 실시 예에 따른 인덕터를 포함하는 레이아웃에 폐곡선 형태의 격리 도선이 추가된 구조를 도시한 도면이다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 제 1 증폭기의 입력과 제 2 증폭기의 출력이 근접하는 병렬 구조의 증폭기에 있어서 간섭 효과를 줄이기 위한 레이아웃 구조로서,
    위상 및 전력량이 상이한 상기 제 1 증폭기의 입력단과 상기 제 2 증폭기의 출력단을 격리시키며, 접지면 혹은 접지선과 연결되는 격리 도선
    을 포함하는 간섭 현상을 줄이기 위한 레이아웃 구조.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 접지선 또는 접지면은, AC 그라운드 또는 DC 그라운드인 것을 특징으로 하는 간섭 현상을 줄이기 위한 레이아웃 구조.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240038690A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 Mediatek Inc. Semiconductor devices with a structure capable of suppressing coupling noise suppression

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000002030A (ko) * 1998-06-16 2000-01-15 윤종용 정전기 보호역할을 겸하는 블락 가드링 구조
KR20000008593A (ko) * 1998-07-14 2000-02-07 윤종용 유도 모터의 회전자 시정수 검출 방법
US6452249B1 (en) * 2000-04-19 2002-09-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Inductor with patterned ground shield
JP2004335876A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Rohm Co Ltd 半導体装置及びこれを用いたオーディオ機器
JP2006310540A (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
KR20070082445A (ko) * 2006-02-16 2007-08-21 충북대학교 산학협력단 고주파 집적 회로 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04352305A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Murata Mfg Co Ltd 三層構造スパイラルインダクタのインダクタンスの調整方法
JP3144744B2 (ja) * 1993-11-02 2001-03-12 日本碍子株式会社 積層型誘電体フィルタ
KR960028736A (ko) * 1994-12-07 1996-07-22 오오가 노리오 프린트 기판
JP3394401B2 (ja) * 1996-11-22 2003-04-07 ティーディーケイ株式会社 ローパスフィルタ
US7031689B2 (en) * 2001-11-13 2006-04-18 Frank Michael L Differential radio
JP2003264348A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Sony Corp 高周波モジュール
US6970053B2 (en) * 2003-05-22 2005-11-29 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition (ALD) high permeability layered magnetic films to reduce noise in high speed interconnection
JP4843263B2 (ja) * 2005-06-14 2011-12-21 富士通コンポーネント株式会社 フレキシブルプリントケーブル用コネクタ
KR100728303B1 (ko) * 2006-04-07 2007-06-13 학교법인 포항공과대학교 인쇄회로기판 위의 마이크로 스트립 전송선의 누화 잡음감쇄용 서펜타인 가드 트레이스
KR100744535B1 (ko) * 2006-09-05 2007-08-01 포항공과대학교 산학협력단 누화 간섭을 감소시키는 가드 트레이스 패턴 및 상기 가드트레이스 패턴을 구비하는 인쇄회로기판
US7609125B2 (en) * 2006-10-13 2009-10-27 Avago Technologies Enterprise IP (Singapore) Pte. Ltd. System, device and method for reducing cross-talk in differential signal conductor pairs

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000002030A (ko) * 1998-06-16 2000-01-15 윤종용 정전기 보호역할을 겸하는 블락 가드링 구조
KR20000008593A (ko) * 1998-07-14 2000-02-07 윤종용 유도 모터의 회전자 시정수 검출 방법
US6452249B1 (en) * 2000-04-19 2002-09-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Inductor with patterned ground shield
US6611041B2 (en) 2000-04-19 2003-08-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Inductor with patterned ground shield
JP2004335876A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Rohm Co Ltd 半導体装置及びこれを用いたオーディオ機器
JP2006310540A (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
KR20070082445A (ko) * 2006-02-16 2007-08-21 충북대학교 산학협력단 고주파 집적 회로 장치 및 그 제조 방법

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C.Patrick Yue. 외 "Design Stategy of On-Chip Inductors for Highly Integrated RF Systems" 1999 ACM 논문
C.Patrick Yue. 외 "On-Chip Spiral Inductors with Patterned Ground Shields for Si-Based RF IC's" 1997 VLSI 논문
C.Patrick Yue. 외 "On-Chip Spiral Inductors with PatternedGround Shields for Si-Based RF IC's" 1998 IEEE 논문*
김천수 외 "RF CMOS 기술의 현재와 미래" 2003.01 EP&C Technical Report*

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Publication number Publication date
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