[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101109528B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method by processing liquid - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method by processing liquid Download PDF

Info

Publication number
KR101109528B1
KR101109528B1 KR1020040106892A KR20040106892A KR101109528B1 KR 101109528 B1 KR101109528 B1 KR 101109528B1 KR 1020040106892 A KR1020040106892 A KR 1020040106892A KR 20040106892 A KR20040106892 A KR 20040106892A KR 101109528 B1 KR101109528 B1 KR 101109528B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing liquid
board
nozzle
rear end
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020040106892A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050061364A (en
Inventor
니시베유키노부
이소아키노리
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Publication of KR20050061364A publication Critical patent/KR20050061364A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101109528B1 publication Critical patent/KR101109528B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

본 발명은 처리액으로 기판을 전체에 걸쳐 균일하게 처리할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly treating a substrate with a processing liquid throughout.

기판을 처리액으로 처리하는 처리 장치에 있어서, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 반송 롤러(6)와, 이 반송 롤러에 의해 반송되는 상기 기판의 상부에 배치되어 기판의 폭방향 대략 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 공급하는 슬릿형의 노즐(18)을 가지는 노즐체(12)와, 상기 반송 롤러에 의해 반송되는 상기 기판의 반송 방향의 전단부와 후단부에 상기 노즐체로부터 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 제어 장치(11)를 구비한다.In the processing apparatus which processes a board | substrate with a processing liquid WHEREIN: The conveyance roller 6 which conveys the said board | substrate to a predetermined direction, and is arrange | positioned on the upper part of the said board | substrate conveyed by this conveyance roller, and cover the substantially full length of the board | substrate in the width direction When supplying the processing liquid from the nozzle body 12 having a slit-shaped nozzle 18 for supplying the processing liquid, and the front end portion and the rear end portion in the conveying direction of the substrate conveyed by the conveying roller. And a control device 11 which makes the conveyance speed of the substrate slower than when the processing liquid is supplied to other portions except the front end and the rear end.

기판 처리 장치, 처리액, 반송 롤러, 노즐체, 제어 장치.Substrate processing apparatus, processing liquid, conveyance roller, nozzle body, control apparatus.

Description

처리액에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES BY PROCESS LIQUIDS, AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES BY PROCESS LIQUIDS}Substrate processing apparatus and substrate processing method using a processing liquid {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES BY PROCESS LIQUIDS, AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES BY PROCESS LIQUIDS}

도 1은 본 발명의 일실시예를 나타낸 기판 처리 장치의 개략적 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus showing an embodiment of the present invention.

도 2는 노즐체의 확대 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view of the nozzle body.

도 3은 기판에 대한 현상액의 공급 위치와 반송 속도와의 관계를 나타낸 설명도이다. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a supply position of a developer to a substrate and a conveyance speed.

본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supplying and treating a processing liquid to a substrate.

액정 표시 장치에 사용되는 유리제의 기판에는 회로 패턴이 형성된다. 기판에 회로 패턴을 형성하는 데는 리소그라피 프로세스가 채용된다. 리소그라피 프로세스는 주지하는 바와 같이 상기 기판에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트에 회로 패턴이 형성된 마스크를 통하여 광을 조사한다.The circuit pattern is formed in the glass substrate used for a liquid crystal display device. Lithographic processes are employed to form circuit patterns on the substrate. As is well known, a lithography process applies a resist to the substrate and irradiates light through a mask in which a circuit pattern is formed on the resist.

다음에, 레지스트의, 광이 조사(照射)되지 않은 부분 또는 광이 조사된 부분 을 제거하고, 기판의 레지스트가 제거된 부분을 에칭하고, 에칭 후에 레지스트를 제거하는 등의 일련의 공정을 복수회 반복함으로써, 상기 기판에 회로 패턴을 형성한다.Next, a plurality of times of a series of processes, such as removing the portion where the light is not irradiated or the portion to which the light is irradiated, etching the portion where the resist is removed from the substrate, and removing the resist after etching, are performed a plurality of times. By repeating, a circuit pattern is formed on the substrate.

이와 같은 리소그라피 프로세스에 있어서는, 상기 기판에 현상액, 에칭액 또는 에칭 후에 레지스트를 제거하는 박리액 등의 처리액으로 기판을 처리하는 공정이 있고, 또한 처리액에 의한 처리 후에 세정액에 의해 세정하는 공정 등이 있어, 세정 후에는 기판에 부착 잔류한 세정액을 제거하는 건조 공정이 필요하다.In such a lithography process, there is a process of treating a substrate with a processing liquid such as a developing solution, an etching solution, or a stripping solution for removing a resist after etching, and a step of washing with a cleaning liquid after treatment with the processing liquid, and the like. After the cleaning, a drying step of removing the cleaning liquid remaining on the substrate is required.

기판에 대해서 현상액, 에칭액 또는 박리액 등의 처리액에 의한 처리를 행하는 경우, 상기 기판을 처리액에 담그어 처리하는 딥 방식과 기판의 판면에 처리액을 넘치도록 공급하여 처리하는 패들 방식이 알려져 있다.In the case where the substrate is treated with a processing liquid such as a developing solution, an etching liquid or a peeling liquid, a dip method of dipping and treating the substrate in the processing liquid and a paddle method of supplying the processing liquid to the plate surface of the substrate so as to be processed are known. .

패들 방식의 경우, 기판을 반송하면서 처리할 수 있고, 또한 기판에는 필요량의 처리액을 공급하면 되므로 딥 방식에 비해 생산성이나 경제성이 높다는 이점을 가지고, 그 이점에 주목되어 패들 방식이 채용되는 경우이 많았다.In the paddle system, the substrate can be processed while being transported, and since the required amount of processing liquid can be supplied to the substrate, the paddle method has the advantage of higher productivity and economy compared to the dip method. .

종래, 패들 방식에 의해 기판을 처리액으로 처리하는 경우, 기판을 반송 롤러에 의해 처리 챔버 내로 반입한다. 기판이 처리 챔버 내로 반송되면, 소정의 반송 속도로 반송되는 기판에 대해서 처리 챔버 내에 설치된 도포 노즐에 의해 기판의 상면에 처리액이 공급된다. 그에 따라, 기판의 상면에는 처리액이 층상에 찬다. 그 상태에서, 소정 시간 방치하면, 상기 기판의 판면이 처리액으로 처리되게 된다.Conventionally, when processing a board | substrate with a process liquid by a paddle system, a board | substrate is carried in in a process chamber with a conveyance roller. When the substrate is conveyed into the processing chamber, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate by an application nozzle provided in the processing chamber with respect to the substrate to be conveyed at a predetermined conveying speed. Thus, the treatment liquid is filled on the upper surface of the substrate. In this state, if left for a predetermined time, the plate surface of the substrate is treated with the processing liquid.

그런데, 처리 챔버 내에 반입된 기판에 대해서 도포 노즐로부터 처리액을 공급할 때, 기판의 반송 방향의 전단부와 후단부에서는, 처리액이 기판의 에지에서 튀는 경우가 있고, 특히 처리 효율을 높이기 위해 기판의 반송 속도를 빠르게 하면, 그 경향이 현저해진다. 그러므로, 튄 처리액이 기판에 재부착되면, 그 부착된 부분은 다른 부분에 비해 기판 처리가 진행하기 쉬워지고, 그 결과, 기판을 전체에 걸쳐서 균일하게 처리할 수 없다는 경우가 생긴다. By the way, when supplying a process liquid from the application | coating nozzle with respect to the board | substrate carried in the process chamber, in the front end part and the back end part of the conveyance direction of a board | substrate, a process liquid may bounce at the edge of a board | substrate, and especially in order to raise processing efficiency The tendency becomes remarkable when the conveyance speed of is made quick. Therefore, when the splatter treatment liquid is reattached to the substrate, the attached portion is more likely to be subjected to substrate treatment than other portions, and as a result, the substrate may not be uniformly processed throughout.

본 발명은, 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에서 처리액이 튀는 것을 방지하도록 하여, 기판을 전체에 걸쳐서 균일하게 처리할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and a processing method in which the processing liquid is prevented from splashing at the front end portion and the rear end portion of the substrate in a conveying direction so that the substrate can be uniformly processed throughout.

본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하는 처리 장치로서, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,This invention is a processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid, The conveying means which conveys the said board | substrate to a predetermined direction,

상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 상부에 배치되어 기판의 폭방향 대략 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 공급하는 슬릿형의 노즐을 가지는 노즐체와,A nozzle body having a slit-shaped nozzle disposed on an upper portion of the substrate conveyed by the conveying means and supplying the processing liquid over approximately the entire length in the width direction of the substrate;

상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 반송 방향의 전단부와 후단부에 상기 노즐체로부터 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 제어 수단을 포함하고,
상기 노즐체의 슬릿형의 노즐에는, 상기 기판의 후단부에 처리액을 공급하는 것을 종료했을 때 상기 노즐 내에 잔류하는 처리액을 흡인하여 그 노즐로부터 처리액을 적하되는 것을 방지하는 흡인부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.When the processing liquid is supplied from the nozzle body to the front end and the rear end of the substrate in the conveying direction of the substrate conveyed by the conveying means, the conveying speed of the substrate is higher than when the processing liquid is supplied to other parts except the front end and the rear end. Includes control means for slowing down,
A slit-shaped nozzle of the nozzle body is provided with a suction part for sucking the processing liquid remaining in the nozzle when the supply of the processing liquid to the rear end of the substrate is finished and preventing the processing liquid from dropping from the nozzle. It is a substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

삭제delete

본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하는 처리 방법으로서, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 공정과,The present invention is a processing method for treating a substrate with a processing liquid, the step of conveying the substrate in a predetermined direction,

반송되는 기판의 폭방향 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 공급하는 공정과,Supplying the treatment liquid over the entire width direction of the substrate to be conveyed;

상기 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에 상기 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 공정과,When the processing liquid is supplied to the front end portion and the rear end portion in the conveying direction of the substrate, a step of causing the conveyance speed of the substrate to be slower than when the processing liquid is supplied to other portions except the front end portion and the rear end portion;

상기 기판의 후단부에 처리액을 공급하는 것을 종료했을 때, 상기 기판 이외의 개소에 처리액이 적하되는 것을 방지하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법에 있다. And a step of preventing the processing liquid from dropping to a place other than the substrate when the supply of the processing liquid to the rear end of the substrate is completed.

본 발명에 의하면, 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에 처리액을 공급할 때, 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 기판의 반송 속도가 늦어지게 하므로, 기판의 전단부와 후단부의 에지로 처리액이 튀지 않으므로, 기판의 전체에 걸쳐서 처리액에 의한 처리를 균일하게 행하는 것이 가능해진다.According to the present invention, when the processing liquid is supplied to the front end portion and the rear end portion of the substrate in the conveying direction, the conveying speed of the substrate is slower than when the processing liquid is supplied to the other portion, so that the processing liquid is applied to the edges of the front end portion and the rear end portion of the substrate. Since it does not splash, it becomes possible to perform the process by a process liquid uniformly over the whole board | substrate.

이하, 본 발명의 일실시예를 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 처리 장치를 나타내고, 이 처리 장치는 기판 W를 처리액으로서의 현상액에 의해 처리하기 위한 것이다. 이 처리 장치는 본체(1)를 구비하고 있다. 이 본체(1) 구획판(2)에 의해 처리 챔버(3a)와 세정?건조 챔버(3b)로 구획되어 있다.1 shows a processing apparatus of the present invention, which is to process the substrate W with a developing solution as a processing liquid. This processing apparatus has a main body 1. The main body 1 partition plate 2 is partitioned into the processing chamber 3a and the washing and drying chamber 3b.

본체(1)의 일단면에는 반입구(4a)가 형성되고, 타단면에는 반출구(4b) 형성되어 있다. 또, 구획판(2)에는 연통구(4c)가 상기 반입구(4a) 및 반출구(4b)와 같은 레벨로 형성되어 있다. 반입구(4a), 반출구(4b) 및 연통구(4c)는 각각 셔터(5)에 의해 개폐되도록 되어 있다. A carry-in port 4a is formed at one end surface of the main body 1, and a carry-out port 4b is formed at the other end surface. In addition, a communication port 4c is formed in the partition plate 2 at the same level as the delivery port 4a and the delivery port 4b. The carry-in port 4a, the carry-out port 4b, and the communication port 4c are opened and closed by the shutter 5, respectively.                     

각 챔버(3a, 3b) 내에는 각각 복수개의 반송 롤러(6)가 소정 간격으로 축선을 평행으로 하고, 또한 같은 레벨로 설치되어 있다. 각 챔버(3a, 3b)에 설치된 복수개의 반송 롤러(6)는, 각각 제1, 제2 구동원(7, 8)에 의해 별개로 회전 구동 되도록 되어 있다. 각 구동원(7, 8)은 제어 장치(11)에 의해 구동이 제어된다. 즉, 각각의 챔버(3a, 3b)에서의 반송 롤러(6)에 의한 기판 W의 반송 속도를 제어할 수 있도록 되어 있다.In each chamber 3a, 3b, the some conveyance roller 6 is provided in parallel at the same interval at predetermined intervals, and is provided in the same level. The several conveyance roller 6 provided in each chamber 3a, 3b is respectively rotationally driven by the 1st, 2nd drive sources 7 and 8 separately. The drive is controlled by the control apparatus 11 for each drive source 7 and 8. That is, the conveyance speed of the board | substrate W by the conveyance roller 6 in each chamber 3a, 3b is controllable.

그리고, 반입구(4a)의 상류측 및 반출구(4b)의 하류측에도, 각각 복수개의 반송 롤러(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이들 반송 롤러에 의해 미처리의 기판 W를 처리 챔버(3a)에 반입하고, 세정?건조 챔버(3b)로 처리된 기판 W를 반출하도록 되어 있다.A plurality of conveying rollers (not shown) are provided on the upstream side of the delivery port 4a and the downstream side of the delivery port 4b, respectively, and the unprocessed substrate W is processed by these conveying rollers to the processing chamber 3a. It carries in, and carries out the board | substrate W processed by the washing | cleaning and drying chamber 3b.

상기 처리 챔버(3a)의 반입구(4a) 측에는, 반송 롤러(6)에 의해 반송되는 기판 W의 상부에 노즐체(12)가 형성되어 있다. 이 노즐체(12)는 기판 W의 폭치수보다 약간 큰 폭치수를 가지고, 그 길이 방향이 기판 W의 반송 방향으로 교차되어 배치되어 있다.The nozzle body 12 is formed in the upper part of the board | substrate W conveyed by the conveyance roller 6 at the carrying-in port 4a side of the said processing chamber 3a. This nozzle body 12 has the width dimension slightly larger than the width dimension of the board | substrate W, and the longitudinal direction is arrange | positioned in the conveyance direction of the board | substrate W, and is arrange | positioned.

도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 노즐체(12)는 2매의 판재(14, 15)를 대향시켜 이루어진다. 이들 2매의 판재(14, 15)의 대향면 사이에는 도입로(16)가 형성되어 있다. 이 도입로(16)의 상부에는 처리액으로서의 현상액을 공급하는 공급관(17)이 접속구체(17a)를 통하여 접속되고, 하부에는 도입로(16)에 비해 좁은 대향 간격으로 형성된 슬릿형의 노즐(18)의 일단이 연통하고 있다. 이 노즐(18)의 타단은 노즐체(12)의 하단면에 개구되어 있다. 따라서, 상기 공급관(17)으로부터 도입 로(16)에 공급된 현상액은 상기 노즐(18)의 선단으로부터 커튼형으로 유출되어 기판 W의 상면에 공급된다.As shown in FIG. 2, the said nozzle body 12 is made to oppose two board members 14 and 15. As shown in FIG. An introduction path 16 is formed between the opposing surfaces of these two sheets 14 and 15. A supply pipe 17 for supplying a developing solution as a processing liquid is connected to the upper portion of the introduction passage 16 through a connecting port 17a, and a slit nozzle formed at a lower facing interval than the introduction passage 16 at the lower portion ( One end of 18) is in communication. The other end of this nozzle 18 is opened in the lower end surface of the nozzle body 12. Therefore, the developing solution supplied from the supply pipe 17 to the introduction furnace 16 flows out from the tip of the nozzle 18 in a curtain shape and is supplied to the upper surface of the substrate W.

한쌍의 판재(14, 15)는 상단부가 길이 방향으로 소정 간격으로 설치된 복수개의 연결 나사(21)(1개만 도시)에 의해 연결 고정되고, 하단부는 동일하게 길이 방향으로 소정 간격으로 설치된 복수개의 조정 나사(22)(1개만 도시)가 형성되어 있다. 각 조정 나사(22)를 조이는 방향으로 회전시키면, 상기 노즐(18)의 간격을 넓게 할 수 있고, 푸는 방향으로 회전시키면, 상기 노즐(18)의 간격을 좁게 할 수 있다.The pair of plate members 14 and 15 is connected and fixed by a plurality of connecting screws 21 (only one shown) provided at the upper end at predetermined intervals in the longitudinal direction, and the lower end is provided with a plurality of adjustments provided at the predetermined intervals in the longitudinal direction. The screw 22 (only one is shown) is formed. When the adjustment screws 22 are rotated in the tightening direction, the intervals of the nozzles 18 can be widened. When the adjustment screws 22 are rotated, the intervals of the nozzles 18 can be narrowed.

즉, 조정 나사(22)에 의해 노즐체(12)의 길이 방향에 따르는 노즐(18)의 간격이 일정하게 되도록 조정할 수 있다. 그에 따라, 노즐(18)의 길이 방향 전체 길이로부터 현상액을 대략 균일한 유량으로 유출시키는 것이 가능하도록 되어 있다.That is, the adjustment screw 22 can adjust so that the space | interval of the nozzle 18 along the longitudinal direction of the nozzle body 12 may become constant. As a result, it is possible to flow the developing solution at a substantially uniform flow rate from the entire length in the longitudinal direction of the nozzle 18.

노즐체(12)의 선단부에는, 일단을 노즐(18)에 연통시킨 복수개의 흡인공(23)(1개만 도시)이 길이 방향으로 소정 간격으로 형성되어 있다. 각 흡인공(23)의 타단에는 흡인관(24)이 접속되어 있다. 이 흡인관(24)에는 흡인 펌프(29)가 개폐 제어 밸브(도시하지 않음)를 통하여 접속되어 있다. 개폐 제어 밸브는 상기 제어 장치(11)에 의해 개폐가 제어된다. 즉, 기판 W에 대한 현상액의 공급을 정지했을 때, 상기 개폐 밸브가 개방된다. 그에 따라, 흡인공(23)을 통하여 노즐(18)에 흡인력이 작용하여, 노즐(18)에 잔류하는 현상액이 흡인되어 적하되는 것이 저지된다. 상기 흡인공(23)과 상기 흡인 펌프(29)로 본 발명의 흡인 수단을 구성하고 있다. At the front end of the nozzle body 12, a plurality of suction holes 23 (only one shown) having one end communicated with the nozzle 18 are formed at predetermined intervals in the longitudinal direction. A suction pipe 24 is connected to the other end of each suction hole 23. A suction pump 29 is connected to this suction pipe 24 via an opening / closing control valve (not shown). The opening / closing control valve is controlled by opening and closing the control device 11. That is, when the supply of the developing solution to the substrate W is stopped, the open / close valve is opened. Thereby, a suction force acts on the nozzle 18 through the suction hole 23, and the developing solution which remains in the nozzle 18 is attracted | blocked and dripping is prevented. The suction hole 23 and the suction pump 29 constitute a suction means of the present invention.                     

상기 처리 챔버(3a) 내에는, 노즐체(12)의 근방에서 기판 W의 반송 방향 상류측에, 기판 W가 반입구(4a)로부터 반입되어 노즐체(12)의 상류측의 소정의 위치에 도달한 것을 검지하는 제1 센서(25)가 형성되어 있다. 또, 노즐체(12)의 근방에서 기판 W의 반송 방향 하류측에는 상기 제1 센서(25)와 기판 W의 반송 방향을 따라 소정 간격으로 제2 센서(26)가 형성되어 있다.In the said processing chamber 3a, the board | substrate W is carried in from the inlet 4a in the conveyance direction upstream of the board | substrate W in the vicinity of the nozzle body 12, and is located in the predetermined position of the upstream of the nozzle body 12 at the predetermined position. The 1st sensor 25 which detects the thing which reached | attained is formed. Moreover, in the vicinity of the nozzle body 12, the 2nd sensor 26 is formed in the conveyance direction downstream of the board | substrate W at predetermined intervals along the conveyance direction of the said 1st sensor 25 and the board | substrate W. As shown in FIG.

기판 W의 선단이 처리 챔버(3a) 내의 소정의 위치까지 반송되어 온 것이 상기 제1 센서(25)에 의해 검출되면, 이 검출 신호에 의해 현상액의 공급이 개시되고, 처리 챔버(1) 내에서의 기판 W의 반송 속도가 후술하는 바와 같이 감속 제어된다.When it is detected by the first sensor 25 that the tip of the substrate W has been conveyed to a predetermined position in the processing chamber 3a, the supply of the developing solution is started by this detection signal, and the process chamber 1 The conveyance speed of the board | substrate W is controlled as deceleration mentioned later.

기판 W가 감속된 상태로 소정 거리 반송되어 그 선단이 제2 센서(26)에 의해 검출되면, 그 검출 신호로 기판 W의 반송 속도가 가속된다. 다음에, 제1 센서(25)의 하방을 기판 W의 후단이 통과한 것이 검출되면, 기판의 반송 속도가 다시 감속된다. 그리고, 제1 센서(25)가 기판 W의 후단을 검출하여 소정 시간 경과하고, 그 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과한 시점에서, 상기 노즐체(12)로의 현상액의 공급을 정지한다. 이 때, 전술한 바와 같이 개폐 제어 밸브가 개방되어 흡인 펌프(29)의 흡인력이 흡인공(23)을 통하여 노즐(18)에 작용하기 때문에, 노즐(18)로부터 현상액이 처리 챔버(3a) 내에 적하되는 것이 방지된다.When the board | substrate W is conveyed a predetermined distance in the state which decelerated, and the front-end | tip is detected by the 2nd sensor 26, the conveyance speed of the board | substrate W will accelerate with the detection signal. Next, when it detects that the rear end of the board | substrate W passed below the 1st sensor 25, the conveyance speed of a board | substrate will be decelerated again. Then, when the first sensor 25 detects the rear end of the substrate W and passes a predetermined time and the rear end passes below the nozzle body 12, the supply of the developer to the nozzle body 12 is stopped. . At this time, since the opening / closing control valve is opened as described above and the suction force of the suction pump 29 acts on the nozzle 18 through the suction hole 23, the developer from the nozzle 18 is introduced into the processing chamber 3a. Dropping is prevented.

그 후, 기판 W가 도 1에 쇄선으로 나타낸 위치까지 반송되면, 제1 구동원(7)에 의한 기판 W의 반송이 정지되고, 이 기판 W는 상면에 현상액이 층상에 공급된 상태로 처리 챔버(3) 내에서 소정 시간 대기한다. Then, when the board | substrate W is conveyed to the position shown by the dashed line in FIG. 1, conveyance of the board | substrate W by the 1st drive source 7 is stopped, and this board | substrate W is a process chamber (a state where the developing solution was supplied on the layer top). 3) Wait a predetermined time within.                     

그리고, 기판 W의 반송의 정지는, 노즐체(12)로부터의 현상액의 공급이 정지되어 소정 시간 경과한 후에, 제어 장치(11)로부터 제1 구동원(7)에 정지 신호가 출력됨으로써 행해진다. 상기 정지 신호는 제2 센서(26)의 검출 신호에 따라 출력하도록 해도 된다.And the stop of conveyance of the board | substrate W is performed by outputting a stop signal from the control apparatus 11 to the 1st drive source 7, after predetermined time passes after supply of the developing solution from the nozzle body 12 is stopped. The stop signal may be output in accordance with the detection signal of the second sensor 26.

기판 W는, 처리 챔버(3) 내에서 소정 시간 대기한 후, 속도 V1으로 세정?건조 챔버(3b)에 반송된다. 세정?건조 챔버(3b)에는 기판 W의 세정액을 샤워형으로 공급하는 세정 노즐(27) 및 세정액에 의해 세정된 기판 W에 압축 기체를 공급하여 기판 W에 부착된 세정액을 제거하는 에어 나이프(28)가 기판 W의 반송 방향을 따라 순차 배치되어 있다. 그리고, 에어 나이프(28)는 압축 기체를 기판 W의 반송 방향 상류측으로 향해 분사하도록 경사지게 배치되어 있다.The substrate W, the treatment chamber (3) after a predetermined waiting time in the cleaning a speed V 1? Is conveyed to the drying chamber (3b). The cleaning nozzle 27 for supplying the cleaning liquid of the substrate W to the cleaning and drying chamber 3b in the shower type, and the air knife 28 for supplying compressed gas to the substrate W cleaned by the cleaning liquid to remove the cleaning liquid attached to the substrate W. ) Are sequentially arranged along the conveyance direction of the substrate W. And the air knife 28 is arrange | positioned inclined so that compressed gas may be injected toward the conveyance direction upstream of the board | substrate W. As shown in FIG.

다음에, 상기 구성의 처리 장치에 의해 기판 W를 현상 처리하는 경우에 대하여 설명한다. 미처리의 기판 W가 처리 챔버(3a)에 도 3에 V1로 나타낸 속도로 반입되어 소정의 위치에 도달하면, 그 기판 W의 선단이 제1 센서(25)에 의해 검출된다. 그 검출 신호에 의해, 노즐체(12)에 현상액이 공급되면, 동시에, 제어 장치(11)는 제1 구동원(7)을 제어하고, 기판 W의 반송 속도를 V1로 나타낸 속도로부터 V2로 나타낸 속도로 감속한다. 그에 따라, 속도 V2로 반송되는 기판 W의 선단부에 노즐체(12)의 슬릿형의 노즐(18)로부터 현상액이 공급된다.Next, the case where the substrate W is developed by the processing apparatus having the above configuration will be described. When the unprocessed substrate W is loaded into the processing chamber 3a at the speed indicated by V 1 in FIG. 3 and reaches a predetermined position, the tip of the substrate W is detected by the first sensor 25. When the developing solution is supplied to the nozzle body 12 by the detection signal, at the same time, the control device 11 controls the first drive source 7 and transfers the conveyance speed of the substrate W from the speed indicated by V 1 to V 2 . Slow down at the speed shown. Accordingly, the developer is supplied from the nozzle 18 of the slit of the nozzle body 12 at the distal end of the substrate W to be conveyed at a speed V 2.

기판 W의 선단부에 현상액이 공급될 때, 기판 W의 반송 속도를 V2로 감속함 으로써, 기판 W의 선단의 에지 등에 충돌한 현상액이 강하게 튀어오르는 것이 방지되기 때문에, 현상액이 기판 W의 선단부 이외의 다른 부분에 부착되는 것이 방지된다. 그러므로, 현상액이 튀어서 되돌아 오는 것에 의해 기판 W에 대한 현상 작용이 불균일하게 되는 것이 방지된다.When the developer is supplied to the distal end of the substrate W, by reducing the conveying speed of the substrate W to V 2 , the developer impinging on the edge of the distal end of the substrate W, etc. is prevented from strongly jumping, so that the developer is not at the distal end of the substrate W. It is prevented from adhering to other parts of the. Therefore, uneven development of the substrate W is prevented by splashing the developer back.

상기 기판 W의 선단부에의 현상액의 공급이 종료된 시점, 즉 제2 센서(26)가 기판 W의 선단을 검출하면, 그 검출 신호에 의해 제1 구동원(7)이 기판 W의 반송 속도를 도 3에 V1로 나타낸 속도로 가속한다.When the supply of the developing solution to the distal end of the substrate W is finished, that is, when the second sensor 26 detects the distal end of the substrate W, the first drive source 7 measures the conveyance speed of the substrate W by the detection signal. Accelerate at the speed indicated by V 1 in 3.

가속된 기판 W가 반송되어 그 후단이 제1 센서(25)에 의해 검출되면, 그 검출 신호에 의해 기판 W의 반송 속도가 다시 V2로 감속된다. 제1 센서(25)에 의해 기판 W의 후단이 검출된 시점에서는 기판 W의 후단이 노즐(18)의 하방에 도달되어 있지 않다. 그러나, 제1 센서(25)로부터의 검출 신호에 의해 기판 W의 반송 속도가 V2로 감속된 시점에서는 기판 W의 후단이 노즐(18)의 하방에 도달한다. 즉, 기판 W의 후단부에는 기판 W가 V2로 감속된 상태로 현상액이 공급되게 된다.The accelerated substrate W is conveyed when its rear end is detected by the first sensor 25, and the conveying speed of the substrate W again reduced to V 2 by the detection signal. When the rear end of the substrate W is detected by the first sensor 25, the rear end of the substrate W does not reach below the nozzle 18. However, in the time when the conveying speed of the substrate W is reduced to V 2 detected by the signal from the first sensor 25 and the rear end of the substrate W reaches the lower portion of the nozzle 18. That is, the developing solution is supplied to the rear end of the substrate W while the substrate W is decelerated to V 2 .

따라서, 기판 W의 후단부에 공급되는 현상액이 후단의 에지 등으로 튀어 기판 W의 다른 부분에 부착되지 않으므로, 그에 따라 기판 W의 선단부와 마찬가지로, 기판 W에 대한 현상 작용이 불균일하게 되는 것이 방지된다.Therefore, the developer supplied to the rear end of the substrate W does not stick to the other edge of the substrate W by jumping to the edge of the rear end or the like, whereby the developing action on the substrate W is prevented from becoming uneven, similarly to the front end of the substrate W. .

기판 W의 선단부와 후단부를 제외한 부분, 즉 중도부에 대해서 현상액을 공급하는 경우에는, 기판 W의 반송 속도를 V1으로 가속하고 있기 때문에, 기판 W를 시 종 저속도인, 반송 속도 V2로 반송하면서 현상액을 공급하는 경우에 비해, 기판 W의 전체에 현상액을 공급하기 위해 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.When the developer is supplied to a portion excluding the front end and the rear end of the substrate W, that is, the intermediate portion, the conveyance speed of the substrate W is accelerated to V 1 , so that the substrate W is conveyed at a conveyance speed V 2, which is a low speed. In comparison with the case where the developer is supplied, the time required for supplying the developer to the entire substrate W can be shortened.

기판 W를 속도 V2로 반송하면서 후단부에 현상액을 공급하고, 제1 센서(25)가 기판 W의 후단을 검출하고, 그 검출로부터 소정 시간 경과후에 기판 W의 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과한 시점에서, 노즐체(12)에의 현상액의 공급을 정지한다. 그와 동시에, 노즐(18)에 흡인력을 작용시킨다. 그에 따라, 노즐(18)로부터 현상액이 기판 W 이외의 부분에 적하되는 것을 방지할 수 있다.The developing solution is supplied to the rear end while conveying the substrate W at the speed V 2 , and the first sensor 25 detects the rear end of the substrate W, and after the predetermined time elapses from the detection, the rear end of the substrate W is connected to the nozzle body 12. At the time when passing below, supply of the developing solution to the nozzle body 12 is stopped. At the same time, a suction force is applied to the nozzle 18. Thereby, the dripping of the developing solution from the nozzle 18 to parts other than the board | substrate W can be prevented.

즉, 제1 센서(25)가 기판 W의 후단을 검출하고, 그 검출 신호가 제어 장치(11)에 입력되면, 기판 W의 반송 속도에 따라 기판 W의 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과할 때까지의 시간을 산출할 수 있기 때문에, 기판 W의 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과한 시점에서, 노즐체(12)에의 현상액의 공급을 정지할 수 있다.That is, when the 1st sensor 25 detects the rear end of the board | substrate W, and the detection signal is input into the control apparatus 11, the rear end of the board | substrate W will be lowered below the nozzle body 12 according to the conveyance speed of the board | substrate W. FIG. Since the time until passing can be calculated, supply of the developing solution to the nozzle body 12 can be stopped at the time when the rear end of the board | substrate W passed below the nozzle body 12.

또, 기판 W는 소정 위치까지 반송되어 처리 챔버(3a) 내의 도 1에 쇄선으로 나타낸 위치에서 소정 시간 방치된다. 그에 따라, 기판 W의 상면 전체에 현상액에 의한 현상 작용을 균일하게 진행시킬 수가 있다.Moreover, the board | substrate W is conveyed to a predetermined position and left for a predetermined time in the position shown by the broken line in FIG. 1 in the process chamber 3a. Thereby, the developing action by a developing solution can be uniformly advanced to the whole upper surface of the board | substrate W. FIG.

소정 시간 경과후, 제1 구동원(7)과 제2 구동원(8)이 작동하여 기판 W를 처리 챔버(3a)로부터 세정?건조 챔버(3b)에 속도 V1로 반송한다. 이 세정?건조 챔버(3b)에서는, 기판 W에 세정액이 공급되고, 기판 W의 현상액이 세정 제거되고, 그 다음에 에어 나이프(28)로부터 압축 공기가 공급됨으로써, 기판 W의 판면에 부착된 세정액이 제거된다. 그리고, 기판 W는 반출구(4b)로부터 반출되게 된다. After a predetermined time elapses, the first drive source 7 and the second drive source 8 operate to convey the substrate W from the processing chamber 3a to the cleaning and drying chamber 3b at a speed V 1 . In this cleaning and drying chamber 3b, the cleaning liquid is supplied to the substrate W, the developing solution of the substrate W is cleaned and removed, and then compressed air is supplied from the air knife 28, whereby the cleaning liquid adhered to the plate surface of the substrate W. Is removed. And the board | substrate W is carried out from the carrying out opening 4b.

이와 같이, 노즐체(12)에 의해 기판 W의 반송 방향 선단부와 후단부에 현상액을 공급할 때, 그 선단부와 후단부를 제외한 중도부에 현상액을 공급할 때보다 기판 W의 반송 속도를 늦게 했다.Thus, when supplying the developing solution to the front-end | tip part and back end of the conveyance direction of the board | substrate W by the nozzle body 12, the conveyance speed of the board | substrate W was slower than when supplying a developing solution to the intermediate part except the front end part and the rear end part.

그러므로, 기판 W의 선단이나 후단의 에지에서 현상액이 강하게 튀어올라, 그 현상액이 기판 W의 다른 선단부와 후단부 이외의 부분에 재부착되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 현상액이 튀어 되돌아 오는 것에 의해, 기판 W의 현상 처리가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the developer is strongly splashed at the edge of the front end or the rear end of the substrate W, and the developer can be prevented from reattaching to portions other than the other front end and the rear end of the substrate W. Uneven development of the substrate W can be prevented.

본 발명은 상기 일실시예에 한정되지 않고, 예를 들어 처리액으로서는 현상액에 한정되지 않고, 에칭액이나 박리액 등이라도, 본 발명을 적용할 수 있다. This invention is not limited to the said Example, For example, it is not limited to a developing solution as a processing liquid, Even if it is an etching liquid, a peeling liquid, etc., this invention can be applied.

본 발명에 의하면, 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에 처리액을 공급할 때, 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 기판의 반송 속도가 늦어지게 하므로, 기판의 전단부와 후단부와의 에지로 처리액이 튀지 않아, 기판의 전체에 걸쳐서 처리액에 의한 처리를 균일하게 행하는 것이 가능해진다.According to the present invention, when the processing liquid is supplied to the front end portion and the rear end portion of the substrate in the conveying direction, the conveying speed of the substrate is slower than that of supplying the processing liquid to other portions. The processing liquid does not splash, and the processing with the processing liquid can be uniformly performed over the entire substrate.

Claims (6)

기판을 처리액으로 처리하는 처리 장치로서, A processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction; 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 상부에 배치되어 기판의 폭방향의 대략 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 공급하는 슬릿형의 노즐을 가지는 노즐체와,A nozzle body having a slit-shaped nozzle which is disposed above the substrate conveyed by the conveying means and supplies the processing liquid over approximately the entire length of the substrate in the width direction; 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 반송 방향의 전단부와 후단부에 상기 노즐체로부터 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 제어 수단When the processing liquid is supplied from the nozzle body to the front end and the rear end of the substrate in the conveying direction of the substrate conveyed by the conveying means, the conveying speed of the substrate is higher than when the processing liquid is supplied to other parts except the front end and the rear end. Means for slowing down 을 포함하고,Including, 상기 노즐체의 슬릿형의 노즐에는, 상기 기판의 후단부에 처리액을 공급하는 것을 종료했을 때 상기 노즐 내에 잔류하는 처리액을 흡인하여 그 노즐로부터 처리액을 적하되는 것을 방지하는 흡인부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A slit-shaped nozzle of the nozzle body is provided with a suction part for sucking the processing liquid remaining in the nozzle when the supply of the processing liquid to the rear end of the substrate is finished and preventing the processing liquid from dropping from the nozzle. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어 수단은, 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 상기 노즐체에 대한 위치를 검출하는 센서와, 상기 센서로부터의 검출 신호에 의해 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송 속도를 제어하는 제어 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The said control means is a control apparatus which controls the conveyance speed of the said board | substrate by the said conveying means by the sensor which detects the position with respect to the said nozzle body of the said board | substrate conveyed by the said conveying means, and the detection signal from the said sensor. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 노즐체의 부근에서, 상기 기판의 반송 방향의 상류측에 배치된 제1 센서와, 상기 노즐체의 부근에서, 상기 기판의 반송 방향의 하류측에 배치된 제2 센서를 더 포함하고,1st sensor arrange | positioned upstream of the conveyance direction of the said board | substrate in the vicinity of the said nozzle body, and the 2nd sensor arrange | positioned downstream of the conveyance direction of the said board | substrate in the vicinity of the said nozzle body further, 상기 제1 센서가 기판의 선단을 검출했을 때, 상기 기판의 반송 속도를 감속하고, 제2 센서가 기판의 선단을 검출했을 때 기판의 반송 속도를 가속하고, 상기 제1 센서가 기판의 후단을 검출했을 때 기판의 반송 속도를 다시 감속하고, 또한 상기 검출시로부터 소정 시간 경과후에 상기 노즐체로의 처리액의 공급을 정지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.When the first sensor detects the front end of the substrate, the transport speed of the substrate is slowed down, when the second sensor detects the front end of the substrate, the transport speed of the substrate is accelerated, and the first sensor detects the rear end of the substrate. The substrate processing apparatus characterized by reducing the conveyance speed of a board | substrate again when it detects, and stopping supply of the processing liquid to the said nozzle body after predetermined time elapses from the said detection time. 삭제delete 기판을 처리액으로 처리하는 처리 방법으로서,As a treatment method for treating a substrate with a treatment liquid, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 공정과,Conveying the substrate in a predetermined direction; 반송되는 상기 기판의 폭방향 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 슬릿형의 노즐에 의해 공급하는 공정과,Supplying the processing liquid with a slit nozzle over the entire width direction of the substrate to be conveyed; 상기 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에 상기 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 공정과,When the processing liquid is supplied to the front end portion and the rear end portion in the conveying direction of the substrate, a step of causing the conveyance speed of the substrate to be slower than when the processing liquid is supplied to other portions except the front end portion and the rear end portion; 상기 기판의 후단부에 처리액을 공급하는 것을 종료했을 때, 상기 노즐 내에 잔류하는 처리액을 흡인하여 그 노즐로부터 처리액이 적하되는 것을 방지하는 공정A step of sucking the processing liquid remaining in the nozzle when the supply of the processing liquid to the rear end of the substrate is prevented from dropping the processing liquid from the nozzle; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Substrate processing method comprising a. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 기판의 반송 속도의 제어는, 상기 기판의 반송 방향의 선단과 후단의 위치의 검출에 따라 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Control of the conveyance speed of the said board | substrate is performed by detection of the position of the front end and the rear end of the conveyance direction of the said board | substrate. The substrate processing method characterized by the above-mentioned.
KR1020040106892A 2003-12-17 2004-12-16 Substrate processing apparatus and substrate processing method by processing liquid Expired - Fee Related KR101109528B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00419344 2003-12-17
JP2003419344A JP4593908B2 (en) 2003-12-17 2003-12-17 Substrate processing equipment with processing liquid

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050061364A KR20050061364A (en) 2005-06-22
KR101109528B1 true KR101109528B1 (en) 2012-01-31

Family

ID=34781271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040106892A Expired - Fee Related KR101109528B1 (en) 2003-12-17 2004-12-16 Substrate processing apparatus and substrate processing method by processing liquid

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4593908B2 (en)
KR (1) KR101109528B1 (en)
TW (1) TWI355677B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101721148B1 (en) * 2015-12-31 2017-04-10 세메스 주식회사 Nozzle, Apparatus for treating substrate and method for applying chemicals
JP7312738B2 (en) * 2020-12-11 2023-07-21 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990029827A (en) * 1997-09-16 1999-04-26 나카네 히사시 Chemical liquid processing device
KR20030023494A (en) * 2001-09-05 2003-03-19 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate drying method and substrate drying apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3943935B2 (en) * 2001-02-26 2007-07-11 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990029827A (en) * 1997-09-16 1999-04-26 나카네 히사시 Chemical liquid processing device
KR20030023494A (en) * 2001-09-05 2003-03-19 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate drying method and substrate drying apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW200527484A (en) 2005-08-16
TWI355677B (en) 2012-01-01
JP4593908B2 (en) 2010-12-08
JP2005177565A (en) 2005-07-07
KR20050061364A (en) 2005-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3918401B2 (en) Substrate drying apparatus, drying method, and substrate manufacturing method
TWI546131B (en) Substrate processing apparatus, nozzle and substrate processing method
JP2010118644A (en) Wafer processing apparatus
JP2009147260A (en) Substrate processing apparatus
JP4352194B2 (en) Substrate drying apparatus and substrate drying method
KR101109528B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method by processing liquid
TWI400131B (en) Apparatus for treating substrates
JP3552187B2 (en) Substrate processing apparatus and method
CN1748878B (en) Substrate processing device and processing method
JP3481416B2 (en) Substrate processing apparatus and method
JP2001035778A (en) Substrate treatment apparatus
JP2009140990A (en) Substrate processing apparatus
JP2824031B2 (en) Substrate surface treatment equipment
JP4078434B2 (en) Substrate processing method and apparatus
JP2009032868A (en) Substrate processing apparatus
JP3715171B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH11305449A (en) Substrate treatment apparatus
TWI824281B (en) Developing device and developing method
CN101083206B (en) Apparatus and method for processing substrate
JP2003303807A (en) Substrate processing apparatus and processing method
KR102410120B1 (en) Vertical Typed Continuous Developing System Having Improved Stain Proof Function
JP7237670B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP5065826B2 (en) Substrate liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2017092123A (en) Etching device
JP4488965B2 (en) Substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20041216

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20091117

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20041216

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110511

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20111028

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20120118

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20120118

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141230

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151217

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20161220

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171219

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181226

Start annual number: 8

End annual number: 8

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20201029