KR20050061364A - Apparatus for treating substrates by process liquids, and method of treating substrates by process liquids - Google Patents
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Abstract
본 발명은 처리액으로 기판을 전체에 걸쳐 균일하게 처리할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly treating a substrate with a processing liquid throughout.
기판을 처리액으로 처리하는 처리 장치에 있어서, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 반송 롤러(6)와, 이 반송 롤러에 의해 반송되는 상기 기판의 상부에 배치되어 기판의 폭방향 대략 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 공급하는 슬릿형의 노즐(18)을 가지는 노즐체(12)와, 상기 반송 롤러에 의해 반송되는 상기 기판의 반송 방향의 전단부와 후단부에 상기 노즐체로부터 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 제어 장치(11)를 구비한다.In the processing apparatus which processes a board | substrate with a processing liquid WHEREIN: The conveyance roller 6 which conveys the said board | substrate to a predetermined direction, and is arrange | positioned on the upper part of the said board | substrate conveyed by this conveyance roller, and cover the board | substrate about the full length of the width direction When supplying the processing liquid from the nozzle body 12 having a slit-shaped nozzle 18 for supplying the processing liquid, and the front end portion and the rear end portion in the conveying direction of the substrate conveyed by the conveying roller. And a control device 11 which makes the conveyance speed of the substrate slower than when the processing liquid is supplied to other portions except the front end and the rear end.
Description
본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supplying and treating a processing liquid to a substrate.
액정 표시 장치에 사용되는 유리제의 기판에는 회로 패턴이 형성된다. 기판에 회로 패턴을 형성하는 데는 리소그라피 프로세스가 채용된다. 리소그라피 프로세스는 주지하는 바와 같이 상기 기판에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트에 회로 패턴이 형성된 마스크를 통하여 광을 조사한다.The circuit pattern is formed in the glass substrate used for a liquid crystal display device. Lithographic processes are employed to form circuit patterns on the substrate. As is well known, a lithography process applies a resist to the substrate and irradiates light through a mask in which a circuit pattern is formed on the resist.
다음에, 레지스트의, 광이 조사(照射)되지 않은 부분 또는 광이 조사된 부분을 제거하고, 기판의 레지스트가 제거된 부분을 에칭하고, 에칭 후에 레지스트를 제거하는 등의 일련의 공정을 복수회 반복함으로써, 상기 기판에 회로 패턴을 형성한다.Next, a plurality of times of a series of processes, such as removing the portion where the light is not irradiated or the portion to which the light is irradiated, etching the portion where the resist is removed from the substrate, and removing the resist after etching, are performed a plurality of times. By repeating, a circuit pattern is formed on the substrate.
이와 같은 리소그라피 프로세스에 있어서는, 상기 기판에 현상액, 에칭액 또는 에칭 후에 레지스트를 제거하는 박리액 등의 처리액으로 기판을 처리하는 공정이 있고, 또한 처리액에 의한 처리 후에 세정액에 의해 세정하는 공정 등이 있어, 세정 후에는 기판에 부착 잔류한 세정액을 제거하는 건조 공정이 필요하다.In such a lithography process, there is a process of treating a substrate with a processing liquid such as a developing solution, an etching solution, or a stripping solution for removing a resist after etching, and a step of washing with a cleaning liquid after treatment with the processing liquid, and the like. After the cleaning, a drying step of removing the cleaning liquid remaining on the substrate is required.
기판에 대해서 현상액, 에칭액 또는 박리액 등의 처리액에 의한 처리를 행하는 경우, 상기 기판을 처리액에 담그어 처리하는 딥 방식과 기판의 판면에 처리액을 넘치도록 공급하여 처리하는 패들 방식이 알려져 있다.In the case where the substrate is treated with a processing liquid such as a developing solution, an etching liquid or a peeling liquid, a dip method of dipping and treating the substrate in the processing liquid and a paddle method of supplying the processing liquid to the plate surface of the substrate so as to be processed are known. .
패들 방식의 경우, 기판을 반송하면서 처리할 수 있고, 또한 기판에는 필요량의 처리액을 공급하면 되므로 딥 방식에 비해 생산성이나 경제성이 높다는 이점을 가지고, 그 이점에 주목되어 패들 방식이 채용되는 경우이 많았다.In the paddle system, the substrate can be processed while being transported, and since the required amount of processing liquid can be supplied to the substrate, the paddle method has the advantage of higher productivity and economy compared to the dip method. .
종래, 패들 방식에 의해 기판을 처리액으로 처리하는 경우, 기판을 반송 롤러에 의해 처리 챔버 내로 반입한다. 기판이 처리 챔버 내로 반송되면, 소정의 반송 속도로 반송되는 기판에 대해서 처리 챔버 내에 설치된 도포 노즐에 의해 기판의 상면에 처리액이 공급된다. 그에 따라, 기판의 상면에는 처리액이 층상에 찬다. 그 상태에서, 소정 시간 방치하면, 상기 기판의 판면이 처리액으로 처리되게 된다.Conventionally, when processing a board | substrate with a process liquid by a paddle system, a board | substrate is carried in in a process chamber with a conveyance roller. When the substrate is conveyed into the processing chamber, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate by an application nozzle provided in the processing chamber with respect to the substrate to be conveyed at a predetermined conveying speed. Thus, the treatment liquid is filled on the upper surface of the substrate. In this state, if left for a predetermined time, the plate surface of the substrate is treated with the processing liquid.
그런데, 처리 챔버 내에 반입된 기판에 대해서 도포 노즐로부터 처리액을 공급할 때, 기판의 반송 방향의 전단부와 후단부에서는, 처리액이 기판의 에지에서 튀는 경우가 있고, 특히 처리 효율을 높이기 위해 기판의 반송 속도를 빠르게 하면, 그 경향이 현저해진다. 그러므로, 튄 처리액이 기판에 재부착되면, 그 부착된 부분은 다른 부분에 비해 기판 처리가 진행하기 쉬워지고, 그 결과, 기판을 전체에 걸쳐서 균일하게 처리할 수 없다는 경우가 생긴다. By the way, when supplying a process liquid from the application | coating nozzle with respect to the board | substrate carried in the process chamber, in the front end part and the back end part of the conveyance direction of a board | substrate, a process liquid may bounce at the edge of a board | substrate, and especially in order to raise processing efficiency The tendency becomes remarkable when the conveyance speed of is made quick. Therefore, when the splatter treatment liquid is reattached to the substrate, the attached portion is more likely to be subjected to substrate treatment than other portions, and as a result, the substrate may not be uniformly processed throughout.
본 발명은, 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에서 처리액이 튀는 것을 방지하도록 하여, 기판을 전체에 걸쳐서 균일하게 처리할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and a processing method in which the processing liquid is prevented from splashing at the front end portion and the rear end portion of the substrate in a conveying direction so that the substrate can be uniformly processed throughout.
본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하는 처리 장치로서, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,This invention is a processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid, The conveying means which conveys the said board | substrate to a predetermined direction,
상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 상부에 배치되어 기판의 폭방향 대략 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 공급하는 슬릿형의 노즐을 가지는 노즐체와,A nozzle body having a slit-shaped nozzle disposed on an upper portion of the substrate conveyed by the conveying means and supplying the processing liquid over approximately the entire length in the width direction of the substrate;
상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 반송 방향의 전단부와 후단부에 상기 노즐체로부터 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 제어 수단When the processing liquid is supplied from the nozzle body to the front end and the rear end of the substrate in the conveying direction of the substrate conveyed by the conveying means, the conveying speed of the substrate is higher than when the processing liquid is supplied to other parts except the front end and the rear end. Means for slowing down
을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 있다.It is provided with the substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하는 처리 방법으로서, 상기 기판을 소정 방향으로 반송하는 공정과,The present invention is a processing method for treating a substrate with a processing liquid, the step of conveying the substrate in a predetermined direction,
반송되는 기판의 폭방향 전체 길이에 걸쳐서 상기 처리액을 공급하는 공정과,Supplying the treatment liquid over the entire width direction of the substrate to be conveyed;
상기 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에 상기 처리액을 공급할 때, 상기 전단부와 후단부를 제외한 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 상기 기판의 반송 속도가 늦어지게 하는 공정When the processing liquid is supplied to the front end part and the rear end part in the conveying direction of the substrate, a step of lowering the conveying speed of the substrate than when supplying the processing liquid to other parts except the front end part and the rear end part.
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법에 있다. It is in the substrate processing method characterized by including.
본 발명에 의하면, 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에 처리액을 공급할 때, 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 기판의 반송 속도가 늦어지게 하므로, 기판의 전단부와 후단부의 에지로 처리액이 튀지 않으므로, 기판의 전체에 걸쳐서 처리액에 의한 처리를 균일하게 행하는 것이 가능해진다.According to the present invention, when the processing liquid is supplied to the front end portion and the rear end portion of the substrate in the conveying direction, the conveying speed of the substrate is slower than when the processing liquid is supplied to the other portion, so that the processing liquid is applied to the edges of the front end portion and the rear end portion of the substrate. Since it does not splash, it becomes possible to perform the process by a process liquid uniformly over the whole board | substrate.
이하, 본 발명의 일실시예를 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 처리 장치를 나타내고, 이 처리 장치는 기판 W를 처리액으로서의 현상액에 의해 처리하기 위한 것이다. 이 처리 장치는 본체(1)를 구비하고 있다. 이 본체(1) 구획판(2)에 의해 처리 챔버(3a)와 세정·건조 챔버(3b)로 구획되어 있다.1 shows a processing apparatus of the present invention, which is to process the substrate W with a developing solution as a processing liquid. This processing apparatus has a main body 1. The main body 1 partition plate 2 is partitioned into the processing chamber 3a and the washing and drying chamber 3b.
본체(1)의 일단면에는 반입구(4a)가 형성되고, 타단면에는 반출구(4b) 형성되어 있다. 또, 구획판(2)에는 연통구(4c)가 상기 반입구(4a) 및 반출구(4b)와 같은 레벨로 형성되어 있다. 반입구(4a), 반출구(4b) 및 연통구(4c)는 각각 셔터(5)에 의해 개폐되도록 되어 있다. A carry-in port 4a is formed at one end surface of the main body 1, and a carry-out port 4b is formed at the other end surface. In addition, a communication port 4c is formed in the partition plate 2 at the same level as the delivery port 4a and the delivery port 4b. The carry-in port 4a, the carry-out port 4b, and the communication port 4c are opened and closed by the shutter 5, respectively.
각 챔버(3a, 3b) 내에는 각각 복수개의 반송 롤러(6)가 소정 간격으로 축선을 평행으로 하고, 또한 같은 레벨로 설치되어 있다. 각 챔버(3a, 3b)에 설치된 복수개의 반송 롤러(6)는, 각각 제1, 제2 구동원(7, 8)에 의해 별개로 회전 구동 되도록 되어 있다. 각 구동원(7, 8)은 제어 장치(11)에 의해 구동이 제어된다. 즉, 각각의 챔버(3a, 3b)에서의 반송 롤러(6)에 의한 기판 W의 반송 속도를 제어할 수 있도록 되어 있다.In each chamber 3a, 3b, the some conveyance roller 6 is provided in parallel at the same interval at predetermined intervals, and is provided in the same level. The several conveyance roller 6 provided in each chamber 3a, 3b is respectively rotationally driven by the 1st, 2nd drive sources 7 and 8 separately. The drive is controlled by the control apparatus 11 for each drive source 7 and 8. That is, the conveyance speed of the board | substrate W by the conveyance roller 6 in each chamber 3a, 3b is controllable.
그리고, 반입구(4a)의 상류측 및 반출구(4b)의 하류측에도, 각각 복수개의 반송 롤러(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이들 반송 롤러에 의해 미처리의 기판 W를 처리 챔버(3a)에 반입하고, 세정·건조 챔버(3b)로 처리된 기판 W를 반출하도록 되어 있다.A plurality of conveying rollers (not shown) are provided on the upstream side of the delivery port 4a and the downstream side of the delivery port 4b, respectively, and the unprocessed substrate W is processed by these conveying rollers to the processing chamber 3a. It carries in, and is carried out to the board | substrate W processed by the washing | cleaning and drying chamber 3b.
상기 처리 챔버(3a)의 반입구(4a) 측에는, 반송 롤러(6)에 의해 반송되는 기판 W의 상부에 노즐체(12)가 형성되어 있다. 이 노즐체(12)는 기판 W의 폭치수보다 약간 큰 폭치수를 가지고, 그 길이 방향이 기판 W의 반송 방향으로 교차되어 배치되어 있다.The nozzle body 12 is formed in the upper part of the board | substrate W conveyed by the conveyance roller 6 at the carrying-in port 4a side of the said processing chamber 3a. This nozzle body 12 has the width dimension slightly larger than the width dimension of the board | substrate W, and the longitudinal direction is arrange | positioned in the conveyance direction of the board | substrate W, and is arrange | positioned.
도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 노즐체(12)는 2매의 판재(14, 15)를 대향시켜 이루어진다. 이들 2매의 판재(14, 15)의 대향면 사이에는 도입로(16)가 형성되어 있다. 이 도입로(16)의 상부에는 처리액으로서의 현상액을 공급하는 공급관(17)이 접속구체(17a)를 통하여 접속되고, 하부에는 도입로(16)에 비해 좁은 대향 간격으로 형성된 슬릿형의 노즐(18)의 일단이 연통하고 있다. 이 노즐(18)의 타단은 노즐체(12)의 하단면에 개구되어 있다. 따라서, 상기 공급관(17)으로부터 도입로(16)에 공급된 현상액은 상기 노즐(18)의 선단으로부터 커튼형으로 유출되어 기판 W의 상면에 공급된다.As shown in FIG. 2, the said nozzle body 12 is made to oppose two board members 14 and 15. As shown in FIG. An introduction path 16 is formed between the opposing surfaces of these two sheets 14 and 15. A supply pipe 17 for supplying a developing solution as a processing liquid is connected to the upper portion of the introduction passage 16 through a connecting port 17a, and a slit nozzle formed at a lower facing interval than the introduction passage 16 at the lower portion ( One end of 18) is in communication. The other end of this nozzle 18 is opened in the lower end surface of the nozzle body 12. Therefore, the developing solution supplied from the supply pipe 17 to the introduction path 16 flows out from the tip of the nozzle 18 in a curtain shape and is supplied to the upper surface of the substrate W.
한쌍의 판재(14, 15)는 상단부가 길이 방향으로 소정 간격으로 설치된 복수개의 연결 나사(21)(1개만 도시)에 의해 연결 고정되고, 하단부는 동일하게 길이 방향으로 소정 간격으로 설치된 복수개의 조정 나사(22)(1개만 도시)가 형성되어 있다. 각 조정 나사(22)를 조이는 방향으로 회전시키면, 상기 노즐(18)의 간격을 넓게 할 수 있고, 푸는 방향으로 회전시키면, 상기 노즐(18)의 간격을 좁게 할 수 있다.The pair of plate members 14 and 15 is connected and fixed by a plurality of connecting screws 21 (only one shown) provided at the upper end at predetermined intervals in the longitudinal direction, and the lower end is provided with a plurality of adjustments provided at the predetermined intervals in the longitudinal direction. The screw 22 (only one is shown) is formed. When the adjustment screws 22 are rotated in the tightening direction, the intervals of the nozzles 18 can be widened. When the adjustment screws 22 are rotated, the intervals of the nozzles 18 can be narrowed.
즉, 조정 나사(22)에 의해 노즐체(12)의 길이 방향에 따르는 노즐(18)의 간격이 일정하게 되도록 조정할 수 있다. 그에 따라, 노즐(18)의 길이 방향 전체 길이로부터 현상액을 대략 균일한 유량으로 유출시키는 것이 가능하도록 되어 있다.That is, the adjustment screw 22 can adjust so that the space | interval of the nozzle 18 along the longitudinal direction of the nozzle body 12 may become constant. As a result, it is possible to flow the developing solution at a substantially uniform flow rate from the entire length in the longitudinal direction of the nozzle 18.
노즐체(12)의 선단부에는, 일단을 노즐(18)에 연통시킨 복수개의 흡인공(23)(1개만 도시)이 길이 방향으로 소정 간격으로 형성되어 있다. 각 흡인공(23)의 타단에는 흡인관(24)이 접속되어 있다. 이 흡인관(24)에는 흡인 펌프(29)가 개폐 제어 밸브(도시하지 않음)를 통하여 접속되어 있다. 개폐 제어 밸브는 상기 제어 장치(11)에 의해 개폐가 제어된다. 즉, 기판 W에 대한 현상액의 공급을 정지했을 때, 상기 개폐 밸브가 개방된다. 그에 따라, 흡인공(23)을 통하여 노즐(18)에 흡인력이 작용하여, 노즐(18)에 잔류하는 현상액이 흡인되어 적하되는 것이 저지된다. 상기 흡인공(23)과 상기 흡인 펌프(29)로 본 발명의 흡인 수단을 구성하고 있다. At the front end of the nozzle body 12, a plurality of suction holes 23 (only one shown) having one end communicated with the nozzle 18 are formed at predetermined intervals in the longitudinal direction. A suction pipe 24 is connected to the other end of each suction hole 23. A suction pump 29 is connected to this suction pipe 24 via an opening / closing control valve (not shown). The opening / closing control valve is controlled by opening and closing the control device 11. That is, when the supply of the developing solution to the substrate W is stopped, the open / close valve is opened. Thereby, a suction force acts on the nozzle 18 through the suction hole 23, and the developing solution which remains in the nozzle 18 is attracted | blocked and dripping is prevented. The suction hole 23 and the suction pump 29 constitute a suction means of the present invention.
상기 처리 챔버(3a) 내에는, 노즐체(12)의 근방에서 기판 W의 반송 방향 상류측에, 기판 W가 반입구(4a)로부터 반입되어 노즐체(12)의 상류측의 소정의 위치에 도달한 것을 검지하는 제1 센서(25)가 형성되어 있다. 또, 노즐체(12)의 근방에서 기판 W의 반송 방향 하류측에는 상기 제1 센서(25)와 기판 W의 반송 방향을 따라 소정 간격으로 제2 센서(26)가 형성되어 있다.In the said processing chamber 3a, the board | substrate W is carried in from the inlet 4a in the conveyance direction upstream of the board | substrate W in the vicinity of the nozzle body 12, and is located in the predetermined position of the upstream of the nozzle body 12 at the predetermined position. The 1st sensor 25 which detects the thing which reached | attained is formed. Moreover, in the vicinity of the nozzle body 12, the 2nd sensor 26 is formed in the conveyance direction downstream of the board | substrate W at predetermined intervals along the conveyance direction of the said 1st sensor 25 and the board | substrate W. As shown in FIG.
기판 W의 선단이 처리 챔버(3a) 내의 소정의 위치까지 반송되어 온 것이 상기 제1 센서(25)에 의해 검출되면, 이 검출 신호에 의해 현상액의 공급이 개시되고, 처리 챔버(1) 내에서의 기판 W의 반송 속도가 후술하는 바와 같이 감속 제어된다.When it is detected by the first sensor 25 that the tip of the substrate W has been conveyed to a predetermined position in the processing chamber 3a, the supply of the developing solution is started by this detection signal, and the process chamber 1 The conveyance speed of the board | substrate W is controlled as deceleration mentioned later.
기판 W가 감속된 상태로 소정 거리 반송되어 그 선단이 제2 센서(26)에 의해 검출되면, 그 검출 신호로 기판 W의 반송 속도가 가속된다. 다음에, 제1 센서(25)의 하방을 기판 W의 후단이 통과한 것이 검출되면, 기판의 반송 속도가 다시 감속된다. 그리고, 제1 센서(25)가 기판 W의 후단을 검출하여 소정 시간 경과하고, 그 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과한 시점에서, 상기 노즐체(12)로의 현상액의 공급을 정지한다. 이 때, 전술한 바와 같이 개폐 제어 밸브가 개방되어 흡인 펌프(29)의 흡인력이 흡인공(23)을 통하여 노즐(18)에 작용하기 때문에, 노즐(18)로부터 현상액이 처리 챔버(3a) 내에 적하되는 것이 방지된다.When the board | substrate W is conveyed a predetermined distance in the state decelerated, and the front-end | tip is detected by the 2nd sensor 26, the conveyance speed of the board | substrate W will accelerate with the detection signal. Next, when it detects that the rear end of the board | substrate W passed below the 1st sensor 25, the conveyance speed of a board | substrate will be decelerated again. Then, when the first sensor 25 detects the rear end of the substrate W and passes a predetermined time and the rear end passes below the nozzle body 12, the supply of the developer to the nozzle body 12 is stopped. . At this time, since the opening / closing control valve is opened as described above and the suction force of the suction pump 29 acts on the nozzle 18 through the suction hole 23, the developer from the nozzle 18 is introduced into the processing chamber 3a. Dropping is prevented.
그 후, 기판 W가 도 1에 쇄선으로 나타낸 위치까지 반송되면, 제1 구동원(7)에 의한 기판 W의 반송이 정지되고, 이 기판 W는 상면에 현상액이 층상에 공급된 상태로 처리 챔버(3) 내에서 소정 시간 대기한다. Then, when the board | substrate W is conveyed to the position shown by the dashed line in FIG. 1, conveyance of the board | substrate W by the 1st drive source 7 is stopped, and this board | substrate W is a process chamber (a state where the developing solution was supplied on the layer top). 3) Wait a predetermined time within.
그리고, 기판 W의 반송의 정지는, 노즐체(12)로부터의 현상액의 공급이 정지되어 소정 시간 경과한 후에, 제어 장치(11)로부터 제1 구동원(7)에 정지 신호가 출력됨으로써 행해진다. 상기 정지 신호는 제2 센서(26)의 검출 신호에 따라 출력하도록 해도 된다.And the stop of conveyance of the board | substrate W is performed by outputting a stop signal from the control apparatus 11 to the 1st drive source 7, after predetermined time passes after supply of the developing solution from the nozzle body 12 is stopped. The stop signal may be output in accordance with the detection signal of the second sensor 26.
기판 W는, 처리 챔버(3) 내에서 소정 시간 대기한 후, 속도 V1으로 세정·건조 챔버(3b)에 반송된다. 세정·건조 챔버(3b)에는 기판 W의 세정액을 샤워형으로 공급하는 세정 노즐(27) 및 세정액에 의해 세정된 기판 W에 압축 기체를 공급하여 기판 W에 부착된 세정액을 제거하는 에어 나이프(28)가 기판 W의 반송 방향을 따라 순차 배치되어 있다. 그리고, 에어 나이프(28)는 압축 기체를 기판 W의 반송 방향 상류측으로 향해 분사하도록 경사지게 배치되어 있다.The substrate W, is returned to the treatment chamber (3) after a predetermined waiting time in the cleaning and drying chamber (3b) to the speed V 1. The cleaning nozzle 27 which supplies the cleaning liquid of the board | substrate W to the washing | cleaning and drying chamber 3b in the shower type, and the air knife 28 which supplies compressed gas to the board | substrate W cleaned by the cleaning liquid, and removes the cleaning liquid attached to the board | substrate W. ) Are sequentially arranged along the conveyance direction of the substrate W. And the air knife 28 is arrange | positioned inclined so that compressed gas may be injected toward the conveyance direction upstream of the board | substrate W. As shown in FIG.
다음에, 상기 구성의 처리 장치에 의해 기판 W를 현상 처리하는 경우에 대하여 설명한다. 미처리의 기판 W가 처리 챔버(3a)에 도 3에 V1로 나타낸 속도로 반입되어 소정의 위치에 도달하면, 그 기판 W의 선단이 제1 센서(25)에 의해 검출된다. 그 검출 신호에 의해, 노즐체(12)에 현상액이 공급되면, 동시에, 제어 장치(11)는 제1 구동원(7)을 제어하고, 기판 W의 반송 속도를 V1로 나타낸 속도로부터 V2로 나타낸 속도로 감속한다. 그에 따라, 속도 V2로 반송되는 기판 W의 선단부에 노즐체(12)의 슬릿형의 노즐(18)로부터 현상액이 공급된다.Next, the case where the substrate W is developed by the processing apparatus having the above configuration will be described. When the unprocessed substrate W is loaded into the processing chamber 3a at the speed indicated by V 1 in FIG. 3 and reaches a predetermined position, the tip of the substrate W is detected by the first sensor 25. When the developing solution is supplied to the nozzle body 12 by the detection signal, at the same time, the control device 11 controls the first drive source 7 and transfers the substrate W from the speed indicated by V 1 to V 2 . Slow down at the speed shown. Accordingly, the developer is supplied from the nozzle 18 of the slit of the nozzle body 12 at the distal end of the substrate W to be conveyed at a speed V 2.
기판 W의 선단부에 현상액이 공급될 때, 기판 W의 반송 속도를 V2로 감속함으로써, 기판 W의 선단의 에지 등에 충돌한 현상액이 강하게 튀어오르는 것이 방지되기 때문에, 현상액이 기판 W의 선단부 이외의 다른 부분에 부착되는 것이 방지된다. 그러므로, 현상액이 튀어서 되돌아 오는 것에 의해 기판 W에 대한 현상 작용이 불균일하게 되는 것이 방지된다.When the developer is supplied to the distal end of the substrate W, by reducing the conveying speed of the substrate W to V 2 , the developer impinging on the edge of the distal end of the substrate W is prevented from strongly jumping out, so that the developer is not exposed to the distal end of the substrate W. Attachment to other parts is prevented. Therefore, uneven development of the substrate W is prevented by splashing the developer back.
상기 기판 W의 선단부에의 현상액의 공급이 종료된 시점, 즉 제2 센서(26)가 기판 W의 선단을 검출하면, 그 검출 신호에 의해 제1 구동원(7)이 기판 W의 반송 속도를 도 3에 V1로 나타낸 속도로 가속한다.When the supply of the developing solution to the distal end of the substrate W is finished, that is, when the second sensor 26 detects the distal end of the substrate W, the first drive source 7 measures the conveyance speed of the substrate W by the detection signal. Accelerate at the speed indicated by V 1 in 3.
가속된 기판 W가 반송되어 그 후단이 제1 센서(25)에 의해 검출되면, 그 검출 신호에 의해 기판 W의 반송 속도가 다시 V2로 감속된다. 제1 센서(25)에 의해 기판 W의 후단이 검출된 시점에서는 기판 W의 후단이 노즐(18)의 하방에 도달되어 있지 않다. 그러나, 제1 센서(25)로부터의 검출 신호에 의해 기판 W의 반송 속도가 V2로 감속된 시점에서는 기판 W의 후단이 노즐(18)의 하방에 도달한다. 즉, 기판 W의 후단부에는 기판 W가 V2로 감속된 상태로 현상액이 공급되게 된다.The accelerated substrate W is conveyed when its rear end is detected by the first sensor 25, and the conveying speed of the substrate W again reduced to V 2 by the detection signal. When the rear end of the substrate W is detected by the first sensor 25, the rear end of the substrate W does not reach below the nozzle 18. However, in the time when the conveying speed of the substrate W is reduced to V 2 detected by the signal from the first sensor 25 and the rear end of the substrate W reaches the lower portion of the nozzle 18. That is, the developing solution is supplied to the rear end of the substrate W while the substrate W is decelerated to V 2 .
따라서, 기판 W의 후단부에 공급되는 현상액이 후단의 에지 등으로 튀어 기판 W의 다른 부분에 부착되지 않으므로, 그에 따라 기판 W의 선단부와 마찬가지로, 기판 W에 대한 현상 작용이 불균일하게 되는 것이 방지된다.Therefore, the developer supplied to the rear end of the substrate W does not stick to the other edge of the substrate W by jumping to the edge of the rear end or the like, whereby the developing action on the substrate W is prevented from becoming uneven, similarly to the front end of the substrate W. .
기판 W의 선단부와 후단부를 제외한 부분, 즉 중도부에 대해서 현상액을 공급하는 경우에는, 기판 W의 반송 속도를 V1으로 가속하고 있기 때문에, 기판 W를 시종 저속도인, 반송 속도 V2로 반송하면서 현상액을 공급하는 경우에 비해, 기판 W의 전체에 현상액을 공급하기 위해 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.In the case where the developer is supplied to a portion except the front end and the rear end of the substrate W, that is, the intermediate portion, the conveyance speed of the substrate W is accelerated to V 1 , while the substrate W is conveyed at a conveyance speed V 2 which is always low. Compared with the case where the developer is supplied, the time required for supplying the developer to the entire substrate W can be shortened.
기판 W를 속도 V2로 반송하면서 후단부에 현상액을 공급하고, 제1 센서(25)가 기판 W의 후단을 검출하고, 그 검출로부터 소정 시간 경과후에 기판 W의 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과한 시점에서, 노즐체(12)에의 현상액의 공급을 정지한다. 그와 동시에, 노즐(18)에 흡인력을 작용시킨다. 그에 따라, 노즐(18)로부터 현상액이 기판 W 이외의 부분에 적하되는 것을 방지할 수 있다.The developing solution is supplied to the rear end while conveying the substrate W at the speed V 2 , and the first sensor 25 detects the rear end of the substrate W, and after the predetermined time elapses from the detection, the rear end of the substrate W is connected to the nozzle body 12. At the time when passing below, supply of the developing solution to the nozzle body 12 is stopped. At the same time, a suction force is applied to the nozzle 18. Thereby, the dripping of the developing solution from the nozzle 18 to parts other than the board | substrate W can be prevented.
즉, 제1 센서(25)가 기판 W의 후단을 검출하고, 그 검출 신호가 제어 장치(11)에 입력되면, 기판 W의 반송 속도에 따라 기판 W의 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과할 때까지의 시간을 산출할 수 있기 때문에, 기판 W의 후단이 노즐체(12)의 하방을 통과한 시점에서, 노즐체(12)에의 현상액의 공급을 정지할 수 있다.That is, when the 1st sensor 25 detects the rear end of the board | substrate W, and the detection signal is input into the control apparatus 11, the rear end of the board | substrate W will be lowered below the nozzle body 12 according to the conveyance speed of the board | substrate W. FIG. Since the time until passing can be calculated, supply of the developing solution to the nozzle body 12 can be stopped at the time when the rear end of the board | substrate W passed below the nozzle body 12.
또, 기판 W는 소정 위치까지 반송되어 처리 챔버(3a) 내의 도 1에 쇄선으로 나타낸 위치에서 소정 시간 방치된다. 그에 따라, 기판 W의 상면 전체에 현상액에 의한 현상 작용을 균일하게 진행시킬 수가 있다.Moreover, the board | substrate W is conveyed to a predetermined position and left for a predetermined time in the position shown by the broken line in FIG. 1 in the process chamber 3a. Thereby, the developing action by a developing solution can be uniformly advanced to the whole upper surface of the board | substrate W. FIG.
소정 시간 경과후, 제1 구동원(7)과 제2 구동원(8)이 작동하여 기판 W를 처리 챔버(3a)로부터 세정·건조 챔버(3b)에 속도 V1로 반송한다. 이 세정·건조 챔버(3b)에서는, 기판 W에 세정액이 공급되고, 기판 W의 현상액이 세정 제거되고, 그 다음에 에어 나이프(28)로부터 압축 공기가 공급됨으로써, 기판 W의 판면에 부착된 세정액이 제거된다. 그리고, 기판 W는 반출구(4b)로부터 반출되게 된다.After the lapse of the predetermined time, the first drive source 7 and the second drive source 8 operate to convey the substrate W from the processing chamber 3a to the cleaning / drying chamber 3b at a speed V 1 . In this cleaning and drying chamber 3b, the cleaning liquid is supplied to the substrate W, the developing solution of the substrate W is cleaned and removed, and then compressed air is supplied from the air knife 28, whereby the cleaning liquid adhered to the plate surface of the substrate W. Is removed. And the board | substrate W is carried out from the carrying out opening 4b.
이와 같이, 노즐체(12)에 의해 기판 W의 반송 방향 선단부와 후단부에 현상액을 공급할 때, 그 선단부와 후단부를 제외한 중도부에 현상액을 공급할 때보다 기판 W의 반송 속도를 늦게 했다.Thus, when supplying the developing solution to the front-end | tip part and back end of the conveyance direction of the board | substrate W by the nozzle body 12, the conveyance speed of the board | substrate W was slower than when supplying a developing solution to the intermediate part except the front end part and the rear end part.
그러므로, 기판 W의 선단이나 후단의 에지에서 현상액이 강하게 튀어올라, 그 현상액이 기판 W의 다른 선단부와 후단부 이외의 부분에 재부착되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 현상액이 튀어 되돌아 오는 것에 의해, 기판 W의 현상 처리가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the developer is strongly splashed at the edge of the front end or the rear end of the substrate W, and the developer can be prevented from reattaching to portions other than the other front end and the rear end of the substrate W. Uneven development of the substrate W can be prevented.
본 발명은 상기 일실시예에 한정되지 않고, 예를 들어 처리액으로서는 현상액에 한정되지 않고, 에칭액이나 박리액 등이라도, 본 발명을 적용할 수 있다. This invention is not limited to the said Example, For example, it is not limited to a developing solution as a processing liquid, Even if it is an etching liquid, a peeling liquid, etc., this invention can be applied.
본 발명에 의하면, 기판의 반송 방향 전단부와 후단부에 처리액을 공급할 때, 다른 부분에 처리액을 공급할 때보다 기판의 반송 속도가 늦어지게 하므로, 기판의 전단부와 후단부와의 에지로 처리액이 튀지 않아, 기판의 전체에 걸쳐서 처리액에 의한 처리를 균일하게 행하는 것이 가능해진다.According to the present invention, when the processing liquid is supplied to the front end portion and the rear end portion of the substrate in the conveying direction, the conveying speed of the substrate is slower than that of supplying the processing liquid to other portions. The processing liquid does not splash, and the processing with the processing liquid can be uniformly performed over the entire substrate.
도 1은 본 발명의 일실시예를 나타낸 기판 처리 장치의 개략적 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus showing an embodiment of the present invention.
도 2는 노즐체의 확대 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view of the nozzle body.
도 3은 기판에 대한 현상액의 공급 위치와 반송 속도와의 관계를 나타낸 설명도이다. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a supply position of a developer to a substrate and a conveyance speed.
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