[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101073340B1 - Substrate cleaning apparatus - Google Patents

Substrate cleaning apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101073340B1
KR101073340B1 KR1020100110982A KR20100110982A KR101073340B1 KR 101073340 B1 KR101073340 B1 KR 101073340B1 KR 1020100110982 A KR1020100110982 A KR 1020100110982A KR 20100110982 A KR20100110982 A KR 20100110982A KR 101073340 B1 KR101073340 B1 KR 101073340B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
washing
water
nozzle
high pressure
Prior art date
Application number
KR1020100110982A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110105327A (en
Inventor
다쿠토 가와카미
Original Assignee
다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 filed Critical 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Publication of KR20110105327A publication Critical patent/KR20110105327A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101073340B1 publication Critical patent/KR101073340B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

약액 처리 후의 기판을 수세 처리하는 경우에, 순수의 사용량을 절감함과 함께 배액양을 줄일 수 있으며, 또 처리 시간을 단축하고, 또한 장치 전체의 공간 절약화와 제조 코스트의 저감화를 달성할 수 있는 기판 세정 처리 장치를 제공한다.
약액 처리 후의 기판 W에 대해 수세 처리를 행하는 수세 처리실(10)이, 기판 반송 방향에 있어서 치환 수세 영역(201), 수세 영역(202) 및 직수세 영역(23)으로 이 순서대로 획정되고, 치환 수세 영역(201) 내에, 입구 노즐(16)과, 고압 노즐(18)과, 강제 배출 노즐(100)과, 에어 노즐(22)이 각각 설치된다. 치환 수세 영역(201) 내로 기판 W가 반입되기 전에 입구 노즐(16), 고압 노즐(18) 및 강제 배출 노즐(100)로부터의 세정수의 토출을 개시하고, 치환 수세 영역(201) 내로부터 기판 W가 반출된 후에 입구 노즐(16), 고압 노즐(18) 및 강제 배출 노즐(100)로부터의 세정수의 토출을 정지하도록 제어한다.
In the case of washing the substrate after washing with the chemical liquid, the amount of pure water can be reduced, the amount of drainage can be reduced, the processing time can be shortened, and the space and overall manufacturing cost of the apparatus can be achieved. Provided is a substrate cleaning processing apparatus.
The washing process chamber 10 which performs the washing process with respect to the board | substrate W after chemical liquid process is defined in this order by the substitution washing region 201, the washing region 202, and the direct washing region 23 in a board | substrate conveyance direction, and is substituted. In the water washing region 201, an inlet nozzle 16, a high pressure nozzle 18, a forced discharge nozzle 100, and an air nozzle 22 are provided, respectively. The discharge of the washing water from the inlet nozzle 16, the high pressure nozzle 18, and the forced discharge nozzle 100 is started before the substrate W is loaded into the replacement water washing region 201, and the substrate is discharged from the replacement water washing region 201. After W is taken out, it controls so that discharge of the washing water from the inlet nozzle 16, the high pressure nozzle 18, and the forced discharge nozzle 100 may be stopped.

Figure R1020100110982
Figure R1020100110982

Description

기판 세정 처리 장치{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}Substrate cleaning processing device {SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}

이 발명은, 액정표시장치(LCD)용, 플라즈마 디스플레이(PDP)용, 유기 발광 다이오드(OLED)용, 전계 방출 디스플레이(FED)용, 진공 형광 디스플레이(VFD), 태양 전지 패널용 등의 유리 기판, 자기/광디스크용의 유리/세라믹 기판, 반도체 웨이퍼, 전자 디바이스 기판 등의 각종의 기판에 대해, 레지스트 박리 처리, 에칭 처리 등의 약액 처리를 행한 후에 세정 처리를 행하는 기판 세정 처리 장치에 관한 것이다. This invention is a glass substrate for liquid crystal display (LCD), plasma display (PDP), organic light emitting diode (OLED), field emission display (FED), vacuum fluorescent display (VFD), solar panel, etc. The present invention relates to a substrate cleaning processing apparatus which performs cleaning processing after performing chemical liquid processing such as resist stripping processing and etching processing on various substrates such as glass / ceramic substrates for magnetic / optical disks, semiconductor wafers, and electronic device substrates.

예를 들면 LCD, PDP 등의 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 기판의 주면으로 각종 약액을 공급하여 레지스트 박리 처리, 에칭 처리 등의 약액 처리를 행한 후에, 기판을 수세 처리하는 경우, 우선, 치환 수세실(순환수 수세 처리부)에서 약액 처리 직후의 기판의 주면으로 세정수를 공급하여 기판 상의 약액을 세정수로 치환하고, 이어서, 직(直)수세실(신수(新水) 수세 처리부)에서 기판의 주면으로 순수를 공급하여 기판을 수세하고, 그 후에 기판을 건조 처리하도록 하고 있다. 이 때, 직수세실에서의 기판의 세정에는 순수(신수)를 사용하고, 치환 수세실에서의 기판의 세정에는, 직수세실에서 사용된 물을 순환수 탱크에 회수하고 그것을 세정수(순환수)로서 사용함으로써, 순수의 사용량을 절감하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조.).For example, in manufacturing processes of devices such as LCDs and PDPs, when various chemical liquids are supplied to the main surface of the substrate to perform chemical liquid treatment such as resist peeling treatment and etching treatment, the substrate is washed with water, firstly, a replacement washing chamber. The circulating water washing treatment unit supplies the washing water to the main surface of the substrate immediately after the chemical liquid treatment, and replaces the chemical liquid on the substrate with the washing water, and then the substrate is washed in a direct washing chamber (fresh water washing treatment unit). Pure water is supplied to the main surface to wash the substrate, and then the substrate is dried. At this time, pure water (fresh water) is used for cleaning the substrate in the direct washing room, and water used in the direct washing room is collected in the circulating water tank for cleaning the substrate in the replacement washing room, and it is used as washing water (circulating water). By using it, the usage-amount of pure water is reduced (for example, refer patent document 1).

또, 약액 처리 후의 기판을 수세 처리하는 수세 처리부를 치환 수세실(제1 수세부)과 제2 수세실(제2 수세부)과 직수세실(제3 수세부)로 구성하고, 우선, 치환 수세실에 있어서, 제2 수세실에서 사용된 물을 제1 순환수 탱크에 회수하고 그것을 세정수로서 사용하여, 약액 처리 직후의 기판의 주면으로 세정수를 공급하여 기판 상의 약액을 세정수로 치환한 후, 제2 수세실에 있어서, 직수세실에서 사용된 물을 제2 순환수 탱크에 회수하고 그것을 세정수로서 사용하여, 주면 상의 약액이 세정수로 치환된 기판을 수세 처리하고, 마지막으로, 직수세실에 있어서 기판의 주면으로 순수를 공급하여 기판을 마무리 수세한다는 장치도 사용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조.).Moreover, the water washing process part which wash | cleans the board | substrate after chemical liquid process is comprised by a substitution washing room (1st washing part), a 2nd washing room (2nd washing part), and a direct washing room (third washing part), First, the number of substitutions In the cecil, the water used in the second washing chamber is collected in the first circulating water tank and used as washing water, and the washing water is supplied to the main surface of the substrate immediately after the chemical treatment, and the chemical liquid on the substrate is replaced with the washing water. Thereafter, in the second washing chamber, the water used in the direct washing chamber is collected in the second circulating water tank and used as washing water, and the substrate on which the chemical liquid on the main surface is replaced with washing water is washed with water. The apparatus which supplies pure water to the main surface of a board | substrate in a cecil, and wash | cleans a board | substrate is also used (for example, refer patent document 2).

도 11에, 종래의 기판 세정 처리 장치(300)의 개략 구성의 일예를 나타낸다. 도 11은, 기판 세정 처리 장치(300)를 모식적으로 나타낸 것이다. 11 shows an example of a schematic configuration of a conventional substrate cleaning processing apparatus 300. 11 schematically shows the substrate cleaning processing apparatus 300.

이 기판 세정 처리 장치(300)는, 약액 처리부(1)(일부 만을 도시)의 후단측에 순서대로 연속 설치된 치환 수세부(제1 수세부)(5)와 제2 수세부(3)와 직수세부(4)(일부 만을 도시)로 구성되어 있다. 직수세부(4)의 후단측에는, 건조 처리부(도시하지 않음)가 설치되어 있다. This substrate cleaning processing apparatus 300 is directly connected to the replacement water washing part (first water washing part) 5 and the second water washing part 3 which are continuously provided in order on the rear end side of the chemical liquid processing part 1 (only a part). It consists of the details 4 (only some are shown). On the rear end side of the water washing part 4, a drying treatment part (not shown) is provided.

치환 수세부(5)는, 약액 처리부(1)의 약액 처리실(38)에 인접하여 설치되어 기판 반입구(42) 및 기판 반출구(44)를 가지는 치환 수세실(제1 수세실)(40), 이 치환 수세실(40) 내로 반입되어 온 약액 처리 후의 기판 W를, 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사시킨 자세로 지지하여 치환 수세실(40) 내에 서 수평 방향으로 왕복 이동시키는 복수의 반송 롤러(도시하지 않음), 치환 수세실(40) 내의 기판 반입구(42) 부근에 설치되어, 치환 수세실(40) 내로 반입되어 온 기판 W의 상면으로 세정수를 기판 W의 폭방향 전체에 걸쳐 커튼 형상으로 토출하는 입구 슬릿 노즐(46), 및, 치환 수세실(40) 내에서 수평 방향으로 왕복 이동하는 기판 W의 상·하 양면으로 각각 세정수를 토출하는 상부 스프레이 노즐(48) 및 하부 스프레이 노즐(50) 등을 구비하고 있다. 상부 스프레이 노즐(48) 및 하부 스프레이 노즐(50)은, 기판 반송 방향을 따라 또한 서로 평행하게 각각 복수개 설치되고, 각 스프레이 노즐(48, 50)에는, 기판 반송 방향으로 복수개의 토출구가 일렬로 설치되어 있다. 치환 수세실(40)의 저부에는, 치환 수세실(40) 내저부에 흘러 내린 사용이 끝난 세정수를 배출하기 위한 배액로(52)가 설치되어 있다. The replacement flushing unit 5 is provided adjacent to the chemical processing chamber 38 of the chemical processing unit 1, and has a replacement washing chamber (first flush chamber) 40 having a substrate inlet 42 and a substrate outlet 44. ), The substrate W after the chemical liquid processing carried into the substitution washing chamber 40 is supported in a posture inclined in a direction orthogonal to the substrate conveying direction with respect to the horizontal plane and reciprocated in the horizontal direction in the substitution washing chamber 40. A plurality of conveying rollers (not shown) to be disposed, and the cleaning water is provided to the upper surface of the substrate W, which is provided near the substrate inlet 42 in the replacement flush chamber 40 and is carried into the replacement flush chamber 40. The upper spray nozzle which discharges washing water to the upper and lower sides of the inlet slit nozzle 46 which discharges in a curtain shape over the whole width direction, and the board | substrate W which reciprocates horizontally in the displacement washing chamber 40, respectively. 48, the lower spray nozzle 50, etc. are provided. A plurality of upper spray nozzles 48 and a lower spray nozzle 50 are respectively provided along the substrate conveyance direction and in parallel with each other, and each of the spray nozzles 48 and 50 is provided with a plurality of discharge ports in a line in the substrate conveyance direction. It is. At the bottom of the replacement washing chamber 40, a drain passage 52 for discharging the used washing water flowing down the inner bottom of the replacement washing chamber 40 is provided.

제2 수세부(3)는, 치환 수세실(40)에 인접하여 설치되어 기판 반입구(56) 및 기판 반출구(58)를 가지는 제2 수세실(54), 치환 수세실(40)로부터 제2 수세실(54) 내로 반입되어 온 기판 W를, 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사시킨 자세로 지지하여 제2 수세실(54) 내를 수평 방향으로 반송하는 복수의 반송 롤러(도시하지 않음), 및, 제2 수세실(54) 내를 수평 방향으로 반송되는 기판 W의 상·하 양면으로 각각 세정수를 토출하는 상부 스프레이 노즐(60) 및 하부 스프레이 노즐(62) 등을 구비하고 있다. 상부 스프레이 노즐(60) 및 하부 스프레이 노즐(62)은, 기판 반송 방향을 따라 또한 서로 평행하게 각각 복수개 설치되고, 각 스프레이 노즐(60, 62)에는, 기판 반송 방향으로 복수개의 토출구가 일렬로 설치되어 있다. 제2 수세실(54)의 저부에는, 제2 수세실(54) 내저부에 흘러 내린 사용이 끝난 세정수를 배출하기 위한 순환 배수로(64)가 설치되어 있으며, 순환 배수로(64)는, 순환수 탱크(66)에 연통 접속되어 있다. 또, 순환수 탱크(66)에는, 순수(신수)의 공급원에 유로 접속된 순수 공급로(68)가 연통 접속되어 있으며, 또한, 직수세부(4)의 직수세실(70)의 저부에 설치된 세정수 공급로(72)가 연통 접속되어 있다. 순환수 탱크(66)의 저부에는, 송액(送液) 펌프(74)가 개재 설치되고 치환 수세실(40) 내의 입구 슬릿 노즐(46) 및 상부 스프레이 노즐(48) 및 하부 스프레이 노즐(50)에 각각 유로 접속된 세정수 공급로(76), 및, 송액 펌프(78)가 개재 설치되며 제2 수세실(54) 내의 상부 스프레이 노즐(60) 및 하부 스프레이 노즐(62)에 각각 유로 접속된 세정수 공급로(80)가 각각 연통 접속되어 있다. 또한, 제2 수세실(54)의 저부에는 배수로(82)가 설치되어 있으며, 배수로(82)에는, 기판 W의 세정에 사용되어 기판 W 상으로부터 제2 수세실(54) 내저부에 흘러 내린 사용이 끝난 세정수를 배출하고, 제2 수세실(54) 내에 기판 W가 반입되어 있지 않은 상태에서 기판 W의 세정에 사용되지 않고 그대로 제2 수세실(54) 내저부에 흘러 내린 세정수를 순환수 탱크(66)로 되돌리도록, 택일적으로 유로를 전환하는 삼방 전환 밸브(84)가 끼워져 있다. The second water washing part 3 is provided adjacent to the replacement washing chamber 40 and is provided from the second washing chamber 54 and the replacement washing chamber 40 having the substrate inlet 56 and the substrate outlet 58. The several conveyance roller which supports the board | substrate W carried in the 2nd washing chamber 54 in the attitude | position which inclined in the direction orthogonal to the board | substrate conveyance direction with respect to a horizontal plane, and conveys the inside of the 2nd washing chamber 54 in a horizontal direction. (Not shown) and the upper spray nozzle 60 and the lower spray nozzle 62 which discharge washing water to the upper and lower surfaces of the substrate W conveyed in the horizontal direction in the second washing chamber 54, respectively. Equipped with. A plurality of upper spray nozzles 60 and a lower spray nozzle 62 are respectively provided along the substrate conveyance direction and in parallel with each other, and each of the spray nozzles 60 and 62 is provided with a plurality of discharge ports in a line in the substrate conveyance direction. It is. At the bottom of the second washing chamber 54, a circulation drainage passage 64 for discharging the used washing water flowing down the inner bottom of the second washing chamber 54 is provided, and the circulation drainage passage 64 is circulated. It is connected to the water tank 66. In addition, the circulating water tank 66 is connected to a pure water supply path 68 connected to a flow source of pure water (fresh water), and is further provided at the bottom of the direct wash chamber 70 of the direct water washing part 4. The water supply passage 72 is connected in communication. In the bottom of the circulating water tank 66, a liquid feed pump 74 is provided through the inlet slit nozzle 46 and the upper spray nozzle 48 and the lower spray nozzle 50 in the replacement washing chamber 40. A washing water supply path 76 connected to each of the flow paths, and a liquid feed pump 78 interposed therebetween, and each of which is connected to the upper spray nozzle 60 and the lower spray nozzle 62 in the second washing chamber 54, respectively. The washing water supply paths 80 are connected to each other. Moreover, the drainage path 82 is provided in the bottom part of the 2nd flush chamber 54, and the drainage path 82 was used for the washing | cleaning of the board | substrate W, and flowed in the inner bottom part of the 2nd flush chamber 54 from the board | substrate W. After the used washing water is discharged, the washing water which has not been used to clean the substrate W in the state in which the substrate W is not carried in the second washing chamber 54 and flows down to the inner bottom of the second washing chamber 54 as it is is used. In order to return to the circulating water tank 66, the three-way switching valve 84 which alternately switches a flow path is fitted.

직수세부(4)의 구성은, 일부 밖에 도시하고 않지만, 제2 수세부(3)와 동일하다. 단, 직수세실(70) 내의 상부 스프레이 노즐(86) 및 하부 스프레이 노즐(88)에는, 순수(신수)가 공급되고, 사용이 끝난 순수는 순환되어 사용되지 않는다. 그리고, 직수세부(4)에서 사용된 세정수는, 세정수 공급로(72)를 통과하여 순환수 탱크(66)로 송액되도록 되어 있다. Although the structure of the direct water washing part 4 is only shown in part, it is the same as that of the 2nd water washing part 3. However, pure water (fresh water) is supplied to the upper spray nozzle 86 and the lower spray nozzle 88 in the direct washing chamber 70, and the used pure water is circulated and not used. The washing water used in the water washing part 4 passes through the washing water supply path 72 and is fed to the circulating water tank 66.

일본국 공개특허 평11-162918호 공보(제4-6페이지, 도 1)Japanese Patent Laid-Open No. 11-162918 (page 4-6, FIG. 1) 일본국 공개특허 평10-284379호 공보(제3-4페이지, 도 1)Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 10-284379 (Page 3-4, Fig. 1)

상기한 종래의 기판 세정 처리 장치(300)에서는, 약액 처리실(38) 내에서 약액 처리된 직후의 기판 W를 치환 수세실(40) 내에서 수평 방향으로 왕복 이동시키면서, 상부 스프레이 노즐(48) 및 하부 스프레이 노즐(50)로부터 기판 W의 상·하 양면으로 세정수를 끊임 없이 토출함으로써, 기판 W 상의 약액을 세정수로 치환하도록 하고 있다. 이 때문에, 치환 수세실(40)에서 세정수를 대량으로 필요로 하고, 따라서 수세 처리에서 사용되는 순수의 양, 제2 수세부(3)의 순환수 탱크(66)로 공급되는 순수 및 직수세부(4)의 상부 스프레이 노즐(86) 및 하부 스프레이 노즐(88)로 공급되는 순수의 양도 많아진다. 또, 치환 수세실(40)에서 사용된 세정수는, 그 모두가 폐기되므로, 치환 수세실(40)에서 세정수가 대량으로 사용되는 결과, 배액 처리량도 많아진다. 또한, 치환 수세실(40)에서는 기판 W를 수평 방향으로 왕복 이동시키면서 수세 처리가 행해지기 때문에, 처리 시간이 길어진다. 또, 치환 수세실(40)의, 기판 W의 반송 방향에서의 치수는, 기판 W의 기판 반송 방향에서의 치수보다 길게 되어 있기 때문에, 치환 수세실(40)에 의해 점유되는 풋프린트가 커진다. 이에 더하여, 기판의 수세 처리를 완료하기 위해서, 각각 개별·별체의 치환 수세실(제1 수세실)(40), 제2 수세실(54) 및 직수세실(70) 도합 3실이 필요해지고 있으므로, 이들 3실분에 의해 점유되는 풋프린트가 커짐과 함께, 3실분의 제조 코스트가 발생한다는 문제점이 있다. In the conventional substrate cleaning processing apparatus 300 described above, the upper spray nozzle 48 and the substrate W immediately after the chemical liquid processing in the chemical liquid processing chamber 38 are reciprocated in the displacement washing chamber 40 in the horizontal direction. By constantly discharging the washing water from the lower spray nozzle 50 to the upper and lower surfaces of the substrate W, the chemical liquid on the substrate W is replaced with the washing water. Therefore, a large amount of washing water is required in the replacement washing chamber 40, and thus the amount of pure water used in the washing treatment, the pure water and the direct washing unit supplied to the circulating water tank 66 of the second washing unit 3 The amount of pure water supplied to the upper spray nozzle 86 and the lower spray nozzle 88 of (4) also increases. In addition, since all of the washing water used in the replacement washing chamber 40 is discarded, as a result of the large amount of washing water used in the replacement washing chamber 40, the amount of drainage treatment also increases. In addition, since the washing process is performed while the substrate W is reciprocated in the horizontal direction in the replacement washing chamber 40, the processing time becomes long. Moreover, since the dimension in the conveyance direction of the board | substrate W of the substituted flushing chamber 40 is longer than the dimension in the board | substrate conveyance direction of the board | substrate W, the footprint occupied by the substituted flushing chamber 40 becomes large. In addition, in order to complete the washing process of the board | substrate, since the replacement wash chamber (1st wash chamber) 40, the 2nd wash chamber 54, and the direct wash chamber 70 of each individual and separate body are needed, respectively, In addition, the footprint occupied by these three yarns increases, and there is a problem that a manufacturing cost of three yarns occurs.

이 발명은, 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 약액 처리 후의 기판을 수세 처리하는 경우에서, 순수의 사용량을 절감함과 함께 배액량을 줄일 수 있고, 또 처리 시간을 단축하며, 또한 장치 전체의 공간 절약화와 제조 코스트의 저감화를 달성할 수 있는 기판 세정 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the above situation, and when wash | cleaning the board | substrate after chemical liquid processing, the amount of pure water used can be reduced, the amount of drainage can be reduced, processing time is shortened, and also the whole apparatus is carried out. An object of the present invention is to provide a substrate cleaning processing apparatus capable of achieving a space saving and a reduction in manufacturing cost.

청구항 1에 관련된 발명은, 기판 반송 방향에서 치환 수세 영역, 수세 영역 및 직수세 영역으로 이 순서대로 획정되어, 약액 처리 후의 기판에 대해 수세 처리를 행하는 수세 처리실과, 상기 치환 수세 영역 내에 설치되어 기판을 일방향으로 연속해서 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단과, 상기 기판 반송 수단에 의해 반송되는 기판의 주면으로 세정수를 공급하는 세정수 공급 수단을 구비한 기판 세정 처리 장치로서, 상기 세정수 공급 수단은, 상기 치환 수세 영역 내의 입구 부근에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 설치되어, 기판의 주면으로 세정수를 기판의 폭방향 전체에 걸쳐 토출하는 입구 노즐과, 상기 입구 노즐로부터 기판 반송 방향에서의 전방측에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 설치되어, 기판 상의 약액과 세정액의 혼합액이 기판 반송 방향에 있어서의 전방측으로 유동하는 것을 막아 기판 상의 약액이 세정수로 급속히 치환되도록 기판의 주면으로 세정수를 고압으로 토출하는 고압 노즐과, 상기 치환 수세 영역 내에 있어서 상기 입구 노즐로부터 기판 반송 방향에서의 전방측이며 또한 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 설치되어, 고압의 세정수를 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출함으로써 기판 상에 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름을 형성하고, 당해 액흐름에 의해 기판 상에 잔류하는 약액과 세정수의 혼합액을 기판 상으로부터 강제적으로 배출하는 고압 배출 노즐과, 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 배출 노즐로 세정액을 송액하는 송액 수단과, 상기 치환 수세 영역 내로 기판이 반입되기 전에 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 배출 노즐로부터의 세정수의 토출을 개시하고, 상기 치환 수세 영역 내로부터 기판이 반출된 후에 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 정지하도록 상기 송액 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하여 구성되고, 상기 입구 노즐로부터 기판 반송 방향에서의 전방측에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 설치되어, 기판에 약액과 세정액의 혼합액이 부착되어 치환 수세 영역 밖으로 반출되는 것을 저지하도록 기판의 주면으로 기체를 직하 방향 내지 기판 반송 방향에 대해 비스듬한 역방향으로 분출하는 기체 노즐과, 상기 치환 수세 영역 내저부에 흘러 내린 세정수를 배출하는 배수 수단을 더 구비한 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 1 is defined in this order as a replacement water washing region, a water washing region, and a direct water washing region in the substrate conveyance direction, and a water washing treatment chamber which performs a water washing treatment on the substrate after chemical liquid treatment, and is provided in the substitution washing region. A substrate cleaning processing apparatus comprising: a substrate conveying means for conveying the substrate continuously in one direction in a horizontal direction; and a washing water supply means for supplying the washing water to a main surface of the substrate conveyed by the substrate conveying means, wherein the washing water supplying means is provided. Is provided in the vicinity of the inlet in the substitution water washing region so as to intersect with the substrate conveyance direction, and the inlet nozzle which discharges the washing water to the main surface of the substrate over the entire width direction of the substrate, and the substrate in the substrate conveyance direction from the inlet nozzle. It is provided in the front side so that it may cross | intersect with respect to a board | substrate conveyance direction, and the mixed liquid of the chemical liquid and washing | cleaning liquid on a board | substrate High pressure nozzle which discharges washing water at high pressure to the main surface of a board | substrate so that it may flow to the front side in a plate conveyance direction, and the chemical liquid on a board | substrate will be rapidly replaced with wash water, and a board | substrate conveyance direction from the said inlet nozzle in the said substitution water washing area | region. The other side of the board | substrate on a board | substrate by installing it near the board | substrate near the one side edge of the board | substrate which is conveyed at the front side, and discharges a high pressure washing water toward the other end edge direction of a board | substrate to the board | substrate conveyance direction back direction. A high pressure discharge nozzle for forming a liquid flow flowing in the side edge direction and forcibly discharging the mixed liquid of the chemical liquid and the washing water remaining on the substrate from the substrate by the liquid flow, the inlet nozzle, the high pressure nozzle and A liquid feeding means for feeding the cleaning liquid to the high pressure discharge nozzle; The discharge of the washing water from the inlet nozzle, the high pressure nozzle and the high pressure discharge nozzle is started before the furnace substrate is loaded, and after the substrate is taken out from the replacement flush area, the inlet nozzle, the high pressure nozzle and the high pressure nozzle are discharged. And a control means for controlling the liquid feeding means to stop the discharge of the washing water from the substrate, and is provided on the front side in the substrate conveying direction from the inlet nozzle so as to intersect with the substrate conveying direction. The gas nozzle which blows gas to the main surface of a board | substrate to the main surface of a board | substrate in a reverse direction obliquely with respect to a board | substrate conveyance direction, and the wash water which flowed into the inner bottom of the said substitution water washing area so that the mixed liquid of a washing liquid adheres and is carried out out of a substitution water washing area | region It further comprises a drainage means for discharging.

청구항 2에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐, 상기 고압 배출 노즐 및 상기 기체 노즐이, 기판 반송 방향에서 이 순서대로 설치되는 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 2, in the substrate processing apparatus according to claim 1, the inlet nozzle, the high pressure nozzle, the high pressure discharge nozzle, and the gas nozzle are provided in this order in the substrate conveyance direction.

청구항 3에 관련된 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 입구 노즐이, 길이 방향을 따른 슬릿 형상 토출구를 가지고, 그 슬릿 형상 토출구로부터 기판의 주면으로 세정수를, 직하 방향에 대해 기판 반송 방향에서의 전방측으로 경사진 방향으로 커튼 형상으로 토출하는 슬릿 노즐인 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 3, in the substrate cleaning processing apparatus according to claim 1 or 2, the inlet nozzle has a slit-shaped discharge port along the longitudinal direction and directly washes the washing water from the slit-shaped discharge port to the main surface of the substrate. It is a slit nozzle which discharges in a curtain shape in the direction inclined to the front side in the substrate conveyance direction with respect to the direction.

청구항 4에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 고압 노즐이, 기판 반송 방향에 대해 교차하는 방향으로 서로 근접하여 나란히 설치된 복수의 토출구를 가지고, 각 토출구로부터 각각 선상(扇狀)으로 세정수를 고압으로 토출하는 직렬 고밀도 선형(扇形) 스프레이 노즐인 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 4, in the substrate cleaning processing apparatus according to claim 1, the high pressure nozzle has a plurality of discharge ports provided in parallel with each other in a direction intersecting with the substrate conveyance direction, and each of the discharge ports has a linear shape. I) a series high density linear spray nozzle which discharges the washing water at high pressure.

청구항 5에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 고압 노즐이, 기판 반송 방향에 대해 교차하는 방향으로 서로 근접하여 나란히 설치된 복수의 토출구를 가지고, 각 토출구로부터 각각 기체의 압력으로 세정수를 미스트화하여 토출하는 2유체 스프레이 노즐인 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 5, in the substrate cleaning processing apparatus according to claim 1, the high pressure nozzle has a plurality of discharge ports provided in parallel with each other in a direction intersecting with the substrate conveyance direction, and the pressure of the gas from each discharge port, respectively. It is characterized by the fact that it is a two-fluid spray nozzle which mists and discharges washing water.

청구항 6에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 고압 노즐에, 그 토출구로부터 토출되는 세정수의 미스트가 비산되는 것을 방지하기 위한 후드가 부설된 것을 특징으로 한다. According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate cleaning processing apparatus of claim 1, a hood for preventing mist from the washing water discharged from the discharge port is scattered in the high pressure nozzle.

청구항 7에 관련된 발명은, 청구항 6에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 후드를 통하여 세정수의 미스트를 흡인하여 배출하는 미스트 흡인 장치가 병설된 것을 특징으로 한다. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided, in the substrate cleaning processing apparatus of claim 6, a mist suction device that sucks and discharges mist of washing water through the hood.

청구항 8에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 기판 반송 방향에 대해 직교하는 방향으로 상기 고압 배출 노즐로부터 소정의 간격을 두고 적어도 또 다른 하나의 고압 배출 노즐이 연속 설치되는 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 8, in the substrate cleaning processing apparatus according to claim 1, at least another high pressure discharge nozzle is continuously provided at a predetermined interval from the high pressure discharge nozzle in a direction orthogonal to the substrate conveyance direction. It features.

청구항 9에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 수세 영역 내에 기판을 일방향으로 연속해서 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단이 설치되고, 또한 상기 수세 영역 내에 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 제1 고압 배출 노즐이 설치됨과 함께, 당해 제1 고압 배출 노즐로부터 기판 반송 방향에 있어서 소정의 간격을 두고, 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 적어도 또 다른 하나의 제2 고압 배출 노즐이 설치되고, 당해 제1 및 제2 고압 배출 노즐로부터 고압의 세정수를 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출함으로써 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름을 기판 상에 형성하고, 당해 액흐름에 의해 기판 상의 잔류액을 강제적으로 배출하는 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 9, in the substrate cleaning processing apparatus according to claim 1, a substrate conveying means for conveying a substrate in a horizontal direction continuously in one direction is provided in the water washing region, and one of the substrates conveyed in the washing region. While the first high pressure discharge nozzle is provided close to the substrate near the side edges, at a predetermined interval in the substrate conveyance direction from the first high pressure discharge nozzle, the substrate is close to the substrate near one end edge of the substrate to be conveyed. At least another second high pressure discharge nozzle is provided, and the high pressure washing water is discharged from the first and second high pressure discharge nozzles toward the other end of the substrate to the rear of the substrate conveying direction, thereby A liquid flow flowing in the direction of the edge is formed on the substrate, and the liquid flows on the substrate. Characterized in that the forced discharge with a ryuaek.

청구항 10에 관련된 발명은, 청구항 9에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 수세 영역 내에, 기판 반송 방향에 있어서 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐의 사이에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 고압 노즐이 설치되고, 당해 고압 노즐로부터 기판의 주면으로 세정수를 고압으로 토출함으로써, 기판 상의 잔류액이 기판 반송 방향에 있어서의 전방측으로 유동하는 것을 막아 기판 상의 잔류액이 세정수로 급속히 치환되고, 상기 고압 노즐로부터 기판 반송 방향에 있어서의 전방측에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 기체 노즐이 설치되고, 당해 기체 노즐로부터 기판의 주면으로 기체를 직하 방향 내지 기판 반송 방향에 대해 비스듬한 역방향으로 분출함으로써, 기판 상의 부착액이 상기 수세 영역 밖으로 반출되는 것을 저지하는 것을 특징으로 한다. In the substrate cleaning processing apparatus according to claim 9, the invention according to claim 10 includes a high pressure nozzle in the water washing region so as to intersect the substrate conveyance direction between the first and second high pressure discharge nozzles in the substrate conveyance direction. Is provided, and by discharging the washing water at a high pressure from the high pressure nozzle to the main surface of the substrate, the residual liquid on the substrate is prevented from flowing to the front side in the substrate conveying direction, and the residual liquid on the substrate is rapidly replaced with the washing water. A gas nozzle is provided on the front side in the substrate conveyance direction from the high pressure nozzle so as to intersect with the substrate conveyance direction, and the gas is ejected from the gas nozzle to the main surface of the substrate in a direction reverse to the oblique direction with respect to the substrate conveyance direction, It is characterized in that the adhesion liquid on the substrate is prevented from being taken out of the water washing region. It shall be.

청구항 11에 관련된 발명은, 청구항 10에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 송액 수단은, 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐 및 상기 고압 노즐로 세정액을 송액하고, 상기 제어 수단은, 상기 수세 영역 내로 기판이 반입되기 전에 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐 및 상기 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 개시하고, 상기 수세 영역 내로부터 기판이 반출된 후에 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐 및 상기 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 정지하도록 상기 송액 수단을 제어하는 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 11, the substrate cleaning processing apparatus according to claim 10, wherein the liquid feeding means delivers the cleaning liquid to the first and second high pressure discharge nozzles and the high pressure nozzle, and the control means includes the water washing area. The discharge of the washing water from the first and second high pressure discharge nozzles and the high pressure nozzle is started before the substrate is loaded into the substrate, and the first and second high pressure discharge nozzles and the after the substrate is discharged from the water washing region. The liquid feeding means is controlled so as to stop the discharge of the washing water from the high pressure nozzle.

청구항 12에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 수세 영역 및 상기 직수세 영역에 있어서 사용되고 회수된 세정수의 일부가, 상기 치환 수세 영역 내에 설치된 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 배출 노즐로 공급되는 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 12, in the substrate cleaning processing apparatus according to claim 1, a part of the washing water used and recovered in the water washing region and the direct washing region is the inlet nozzle and the high pressure nozzle provided in the replacement washing region. And the high pressure discharge nozzle.

청구항 13에 관련된 발명은, 청구항 12에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 송액 수단은, 제1 및 제2 저류부에 획정되는 순환수 탱크를 구비하고, 당해 제1 저류부로 상기 수세 영역에 의해 획정되는 상기 수세 처리실로부터의 사용이 끝난 세정수가 회수되고, 당해 제2 저류부로 상기 직수세 영역에 의해 획정되는 상기 수세 처리실로부터의 사용이 끝난 세정수가 회수되는 것을 특징으로 한다. According to a thirteenth aspect of the present invention, in the substrate cleaning processing apparatus of claim 12, the liquid feeding means includes a circulating water tank defined in the first and second storage portions, and the first storage portion is formed by the water washing region. The used washing water from the defined washing water treatment chamber is recovered, and the used washing water from the washing water treatment chamber defined by the direct water washing zone is recovered to the second reservoir.

청구항 14에 관련된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 세정 처리 장치에 있어서, 상기 수세 처리실 내에 있어서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 제1 및 제2 칸막이 부재가 설치되고, 당해 제1 칸막이 부재에 의해 상기 치환 수세 영역과 상기 수세 영역이 획정되고, 상기 제2 칸막이 부재에 의해 상기 수세 영역과 상기 직수세 영역이 획정되는 것을 특징으로 한다. In the invention according to claim 14, in the substrate cleaning processing apparatus according to claim 1, first and second partition members extending in a direction intersecting with the substrate conveyance direction in the water treatment chamber are provided, and the first partition member is provided in the first partition member. The said substituted water washing | cleaning area | region and the said water washing | cleaning area | region are defined by this, and the said water washing area | region and the said direct water washing | cleaning area | region are defined by the said 2nd partition member.

청구항 1 및 청구항 2에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에 있어서는, 수세 처리실 내에 획정된 치환 수세 영역 내로 반입되어 온 약액 처리 후의 기판에 대해, 입구 부근에 설치된 입구 노즐로부터 기판의 폭방향 전체에 걸쳐 세정수가 토출됨으로써, 기판 상의 약액이 세정수로 희석되고 씻어 내어진다. 입구 노즐의 설치 위치를 통과한 후에 기판 상에 잔류한 약액과 세정수의 혼합액은, 입구 노즐보다도 기판 반송 방향 전방측에 설치된 고압 노즐로부터 기판의 주면으로 고압으로 토출되는 세정수에 의해 전방으로의 유동이 막아진다. 이와 같이 전방으로의 희석 약액의 유동이 막아진 상태로 기판이 전방으로 이동하므로, 고압 노즐의 설치 위치를 기판이 통과하는 동안에, 기판 상의 약액이 세정수로 급속히 치환된다. In the substrate cleaning processing apparatus of the present invention according to claims 1 and 2, the substrate after the chemical liquid treatment carried in into the substituted water washing region defined in the water treatment chamber is washed over the entire width direction of the substrate from an inlet nozzle provided near the inlet. By discharging the water, the chemical liquid on the substrate is diluted with the washing water and washed out. The mixed liquid of the chemical liquid and the washing water remaining on the substrate after passing through the installation position of the inlet nozzle is moved forward by the washing water discharged at a high pressure to the main surface of the substrate from the high pressure nozzle provided at the front side of the substrate conveying direction rather than the inlet nozzle. The flow is blocked. In this way, since the substrate moves forward while the flow of the diluted chemical liquid to the front is blocked, the chemical liquid on the substrate is rapidly replaced with the washing water while the substrate passes through the installation position of the high pressure nozzle.

또, 입구 노즐보다 전방측이며 또한 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 설치되는 고압 배출 노즐에 의해, 고압의 세정수가 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출됨으로써 기판 상에 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름이 형성되고, 이 액흐름에 의해 기판 상에 잔류하는 약액과 세정수의 혼합액이 기판 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께, 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지된다. 이에 더하여, 입구 노즐보다도 기판 반송 방향 전방측에 설치된 기체 노즐로부터 기판의 주면으로 분출되는 기체의 압력에 의해 기판 상의 약액과 세정수의 혼합액이 전방으로 유동하는 것이 막아진다. 이들 입구 노즐, 고압 노즐, 고압 배출 노즐 및 기체 노즐의 작용에 의해, 기판에 약액이 부착되어 치환 수세 영역 밖으로 반출되는 것이 효과적으로 저지된다. In addition, the high-pressure cleaning water discharged from the other end of the substrate toward the rear of the substrate conveyance direction by the high-pressure discharge nozzle provided near the substrate near one end edge of the substrate to be transported and conveyed to the front of the inlet nozzle. As a result, a liquid flow that flows in the direction of the other end of the substrate is formed on the substrate, and the mixed liquid of the chemical liquid and the washing water remaining on the substrate is forcibly discharged from the substrate while the liquid flows forward in the substrate conveyance direction. Flow is effectively inhibited. In addition, the mixture of the chemical liquid and the washing water on the substrate is prevented from flowing forward by the pressure of the gas ejected from the gas nozzle provided on the substrate conveyance direction front side to the main surface of the substrate rather than the inlet nozzle. By the action of these inlet nozzles, high pressure nozzles, high pressure discharge nozzles, and gas nozzles, the chemical liquid adheres to the substrate and is effectively prevented from being taken out of the substituted water washing region.

이들 일련의 수세 처리는, 치환 수세 영역 내로 기판이 반입되고 치환 수세 영역을 일방향으로 연속해서 반송되어 치환 수세 영역 내로부터 반출될 때까지의 짧은 시간 내에 행해진다. 또, 고압 노즐로부터 기판의 주면으로 고압으로 토출되는 세정수에 의해 기판 상의 약액이 세정수로 급속으로 치환되므로, 비교적 소량의 세정수의 사용에 의해 효율적으로 수세 처리가 행해진다. 그리고, 수세실 내저부에 흘러 내린 세정수는, 배수 수단에 의해 배출되게 되지만, 제어 수단에 의해 송액 수단이 제어됨으로써, 치환 수세 영역 내로 기판이 반입되기 전에 입구 노즐, 고압 노즐 및 고압 배출 노즐로부터의 세정수의 토출이 개시되고, 치환 수세 영역 내로부터 기판이 반출된 후에 입구 노즐, 고압 노즐 및 고압 배출 노즐로부터의 세정수의 토출이 정지되므로, 세정수의 토출량 및 배액량이 억제된다. These series of water washing processes are performed within a short time until a board | substrate is carried in in a substituted water washing area | region, conveys a substituted water washing area continuously in one direction, and is carried out from within a substituted water washing area | region. Moreover, since the chemical | medical solution on a board | substrate is rapidly replaced by wash | cleaning water by the washing | cleaning water discharged at high pressure from a high pressure nozzle to the main surface of a board | substrate, water washing process is performed efficiently by using a comparatively small amount of washing water. The washing water flowing down the inner bottom of the washing chamber is discharged by the drainage means, but the liquid feeding means is controlled by the control means so that the washing water flows out from the inlet nozzle, the high pressure nozzle and the high pressure discharge nozzle before the substrate is brought into the replacement washing area. Discharge of the washing water is started, and the discharge of the washing water from the inlet nozzle, the high pressure nozzle and the high pressure discharge nozzle is stopped after the substrate is discharged from the replacement water washing area, so that the discharge amount and the drainage amount of the washing water are suppressed.

따라서, 청구항 1에 관련된 발명의 기판 처리 장치를 사용하면, 약액 처리 후의 기판을 수세 처리할 때의 순수의 사용량을 큰폭으로 절감함과 함께, 배액량을 줄일 수 있고, 또, 수세 처리 시간을 큰폭으로 단축할 수 있다. Therefore, when the substrate processing apparatus of the invention according to claim 1 is used, the amount of pure water used when washing the substrate after the chemical liquid treatment is drastically reduced, the amount of drainage can be reduced, and the water washing treatment time is greatly reduced. It can be shortened.

또, 치환 수세 영역, 수세 영역 및 직수세 영역으로 획정된 단체의 수세 처리실에 의해 약액 처리 후의 기판의 수세 처리가 완료되므로, 종래와 같이, 개별·별체의 치환 수세실, 수세실 및 직수세실 도합 3실분의 크기의 풋프린트를 필요로 하지 않아 장치 전체의 공간 절약화를 도모할 수 있으며, 또한 3실분의 전체 제조 코스트와 비교해서 제조 코스트의 저감화를 달성할 수 있다. Moreover, since the washing process of the board | substrate after chemical | medical solution process is completed by the washing | cleaning process chamber of the group defined by the substitution washing area, the washing area, and the direct washing area, the individual, separate substitution washing room, washing room, and direct washing room are combined. Since the footprint of three chambers is not required, space saving of the whole apparatus can be achieved, and the manufacturing cost can be reduced compared with the total manufacturing cost of three chambers.

청구항 3에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 수세 처리실 내로 반입되어 온 약액 처리후의 기판에 대해, 슬릿 노즐의 슬릿 형상 토출구로부터 기판의 폭방향 전체에 걸쳐 커튼 형상으로 세정수를 토출함으로써, 기판 상의 약액을 세정수로 효율적으로 희석하여 씻어 낼 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the invention according to claim 3, the cleaning water is discharged in a curtain shape from the slit-shaped discharge port of the slit nozzle to the entire substrate in the width direction of the substrate after the chemical liquid processing carried into the water treatment chamber. The chemical liquid can be washed off by diluting it efficiently with washing water.

청구항 4에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 직렬 고밀도 선형 스프레이 노즐의 복수의 토출구로부터 기판의 주면으로 세정수를 고압으로 토출함으로써, 기판 상에 잔류한 약액과 세정수의 혼합액이 전방으로 유동하는 것을 확실히 막을 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the invention according to claim 4, the mixed liquid of the chemical liquid and the washing water remaining on the substrate flows forward by discharging the washing water at a high pressure from the plurality of discharge ports of the series high density linear spray nozzle to the main surface of the substrate. It can definitely prevent things.

청구항 5에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 2유체 스프레이 노즐의 복수의 토출구로부터 에어 등의 기체의 압력으로 세정수를 미스트화하여 기체와 함께 기판의 주면으로 토출함으로써, 기판 상에 잔류한 약액과 세정수의 혼합액이 전방으로 유동하는 것을 확실히 막을 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the present invention according to claim 5, the chemical liquid remaining on the substrate is discharged from the plurality of discharge ports of the two-fluid spray nozzle by misting the washing water under the pressure of a gas such as air and discharging it together with the gas to the main surface of the substrate. It is possible to reliably prevent the mixed liquid of the water and the washing water from flowing forward.

청구항 6에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 고압 노즐의 토출구로부터 세정수가 고압으로 토출됨으로써 세정수의 미스트를 발생시키지만, 후드에 의해 그 미스트의 비산을 방지할 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the sixth aspect of the present invention, the washing water is discharged at a high pressure from the discharge port of the high-pressure nozzle to generate mist of the washing water, but the scattering of the mist can be prevented by the hood.

청구항 7에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 미스트 흡인 장치에 의해 세정수의 미스트를 흡인하여 배출함으로써, 약액을 포함한 세정수의 미스트가 기판에 재부착되는 것을 방지할 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the invention according to claim 7, the mist of the washing water containing the chemical liquid can be prevented from being reattached to the substrate by sucking and discharging the mist of the washing water by the mist suction device.

청구항 8에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 설치되는 고압 배출 노즐에 더하여, 기판 반송 방향에 대해 직교하는 방향으로 이 고압 배출 노즐로부터 소정의 간격을 두고 적어도 또 다른 하나의 고압 배출 노즐이 연속 설치되므로, 대사이즈의 기판이어도, 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름을 확실히 형성하고, 이 액흐름에 의해 기판 상에 잔류하는 약액과 세정수의 혼합액을 기판 상으로부터 강제적으로 배출할 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the present invention according to claim 8, in addition to the high pressure discharge nozzle that is provided in close proximity to the substrate near one end edge of the substrate to be conveyed, the substrate cleaning processing apparatus is predetermined from the high pressure discharge nozzle in a direction orthogonal to the substrate conveyance direction. Since at least another high-pressure discharge nozzle is continuously provided at intervals, even in a large sized substrate, a liquid flow that flows in the direction of the other end of the substrate is surely formed, and the chemical liquid remaining on the substrate by this liquid flow is ensured. And the mixed liquid of the washing water can be forcibly discharged from the substrate.

청구항 9에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 제1 및 제2 고압 배출 노즐로부터, 치환 수세 처리를 끝내고 수세 영역 내로 반입되어 온 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 고압의 세정수가 토출됨으로써, 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름이 기판 상에 형성되고, 이 액흐름에 의해 기판 상의 잔류액이 강제적으로 배출되어 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지된다. In the substrate cleaning processing apparatus of the invention according to claim 9, the high-pressure cleaning is performed from the first and second high pressure discharge nozzles toward the other end edge direction of the substrate, which has been carried into the water washing region after completion of the replacement washing process, to the rear of the substrate conveying direction. By discharging the water, a liquid flow that flows in the direction of the other end of the substrate is formed on the substrate, and the residual liquid on the substrate is forcibly discharged by this liquid flow and effectively prevented the flow in the substrate conveyance direction.

청구항 10에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 제1 고압 배출 노즐로부터, 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출되는 세정수에 의해, 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름이 형성되고, 이 액흐름에 의해, 치환 수세 처리를 거친 기판 상의 잔류액이 기판 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지된다. 제1 고압 배출 노즐의 설치 위치를 기판 W가 통과하면, 이어서, 고압 노즐로부터 고압의 세정수가 기판의 상면을 향하여 토출되고, 이 고압 노즐로부터 토출되는 세정수로 형성되는 물의 벽에 의해, 제1 고압 배출 노즐의 설치 위치를 통과한 후에 기판 상에 여전히 잔류하는 액이 전방으로 유동하는 것이 막아진다. 이와 같이 잔류액의 전방으로의 유동이 막아진 상태로 기판이 전방으로 이동하므로, 고압 노즐의 설치 위치를 기판이 통과하는 동안에, 기판 W 상의 잔류액이 세정수로 급속히 치환된다. 이어서, 기판이 고압 노즐의 설치 위치를 통과한 후에, 기판 W의 일방측 끝가장자리 부근에 설치된 제2 고압 배출 노즐의 토출구로부터, 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출되는 세정수에 의해, 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름이 형성되고, 이 액흐름에 의해, 잔류액이 기판 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지된다. In the substrate cleaning processing apparatus of the present invention according to claim 10, the first high-pressure discharge nozzle flows in the other end edge direction of the substrate by the washing water discharged from the other edge direction of the substrate to the back of the substrate conveyance direction. A liquid flow is formed, and by this liquid flow, the residual liquid on the board | substrate which passed through the substitution washing process is forcibly discharged from the board | substrate, and it is effectively inhibited to flow to the front of a board | substrate conveyance direction. When the substrate W passes the installation position of the first high pressure discharge nozzle, the high pressure washing water is discharged from the high pressure nozzle toward the upper surface of the substrate, and then the first wall is formed by the wall of water formed of the washing water discharged from the high pressure nozzle. After passing through the installation position of the high pressure discharge nozzle, the liquid still remaining on the substrate is prevented from flowing forward. In this way, since the substrate moves forward while the flow of the residual liquid is prevented, the residual liquid on the substrate W is rapidly replaced with the washing water while the substrate passes through the installation position of the high pressure nozzle. Subsequently, after the substrate has passed through the installation position of the high pressure nozzle, the cleaning is discharged from the discharge port of the second high pressure discharge nozzle provided near the one end edge of the substrate W toward the other end edge direction of the substrate to the rear of the substrate conveyance direction. By the water, the liquid flow which flows in the other edge direction of a board | substrate is formed, and by this liquid flow, a residual liquid is forcibly discharged | emitted from a board | substrate, and it flows effectively in the board | substrate conveyance direction forward.

그리고, 수세 영역 내로부터 기판이 반출되기 전에, 기체 노즐로부터 기판의 주면을 향하여 기체가 분출되고, 이 분출되는 기체의 압력에 의해, 기판 상의 부착액이 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 막아져, 기판 상의 부착액이 수세 영역 밖으로 반출되는 것이 효과적으로 저지된다. And before a board | substrate is carried out from a water washing area | region, a gas is ejected from a gas nozzle toward the main surface of a board | substrate, and the pressure of this ejected gas prevents the adhesion liquid on a board | substrate from flowing forward in a board | substrate conveyance direction, It is effectively prevented that the adhesion liquid on the substrate is taken out of the water washing region.

청구항 11에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 제어 수단에 의해, 수세 영역 내로 기판이 반입되기 전에 제1 및 제2 고압 배출 노즐 및 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 개시하고, 수세 영역 내로부터 기판이 반출된 후에 제1 및 제2 고압 배출 노즐 및 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 정지하도록 송액 수단이 제어되고, 수세 영역 내에 기판이 반입되어 있지 않을 때에는 세정수의 토출이 정지되므로, 세정수의 사용량을 보다 줄일 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the invention according to claim 11, before the substrate is loaded into the water washing region by the control means, discharge of the washing water from the first and second high pressure discharge nozzles and the high pressure nozzle is started, The liquid feeding means is controlled to stop the discharge of the washing water from the first and second high pressure discharge nozzles and the high pressure nozzle after the substrate is taken out, and the discharge of the washing water is stopped when the substrate is not loaded in the water washing area, The amount of water used can be further reduced.

청구항 12 및 청구항 13에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 순수의 이용 효율을 높일 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the invention according to claim 12 and claim 13, the utilization efficiency of pure water can be improved.

청구항 14에 관련된 발명의 기판 세정 처리 장치에서는, 제1 및 제2 칸막이 부재의 기판 반송 방향에서의 설치 위치를 적절히 선택함으로써, 수세 처리실 내의 기판 반송 방향에 있어서의 치환 수세 영역, 수세 영역 및 직수세 영역의 길이 치수를 각각 간이하게 설정할 수 있음과 함께, 순환수 탱크의 제1 및 제2 저류부로의 수세 영역 및 직수세 영역으로부터의 사용이 끝난 세정수의 회수량 및 농도를 원하는 값으로 설정할 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus of the present invention according to claim 14, by selecting the installation position of the first and second partition members in the substrate conveyance direction as appropriate, the replacement washing region, the washing region, and the direct washing in the substrate conveyance direction in the washing process chamber. The length dimension of the zone can be set simply, and the amount and concentration of the used washing water from the flush and direct wash zones to the first and second reservoirs of the circulating water tank can be set to desired values. have.

도 1은 이 발명의 실시 형태의 일예를 나타내고, 기판 세정 처리 장치를 모식적으로 나타낸 개략 구성도이다.
도 2는 고압 노즐의 일예를 나타낸 도이며, 직렬 고밀도 선형 스프레이 노즐을 기판 반송 방향에서의 전방측으로부터 본 모식적 정면도이다.
도 3은 고압 노즐의 일예를 나타낸 도이며, 2유체 스프레이 노즐을 기판 반송 방향에서의 전방측으로부터 본 모식적 정면도이다.
도 4는 강제 배출 노즐의 모식적 상면도다.
도 5는 강제 배출 노즐의 모식적 사시도이다.
도 6은 기판의 폭방향으로 복수개 연속 설치되는 강제 배출 노즐을 나타낸 모식적 상면도다.
도 7은 치환 수세 영역에 있어서의 처리의 모습을 나타낸 모식적 측면도이다.
도 8은 치환 수세 영역에 있어서의 처리의 모습을 나타낸 모식적 측면도이다.
도 9는 치환 수세 영역에 있어서의 처리의 모습을 나타낸 모식적 측면도이다.
도 10은 치환 수세 영역에 있어서의 처리의 모습을 나타낸 모식적 측면도이다.
도 11은 종래의 기판 세정 처리 장치의 구성예를 모식적으로 나타낸 개략 구성도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram which shows an example of embodiment of this invention, and showed the board | substrate washing processing apparatus typically.
It is a figure which shows an example of a high pressure nozzle, and is a typical front view which looked at the serial high density linear spray nozzle from the front side in the board | substrate conveyance direction.
It is a figure which shows an example of a high pressure nozzle, and is a typical front view which looked at the two fluid spray nozzle from the front side in the board | substrate conveyance direction.
4 is a schematic top view of a forced discharge nozzle.
5 is a schematic perspective view of the forced discharge nozzle.
6 is a schematic top view illustrating a forced discharge nozzle that is provided in plural in a row in the width direction of the substrate.
It is a typical side view which shows the state of the process in a substituted water washing area.
8 is a schematic side view showing a state of the treatment in the substituted water washing region.
It is a typical side view which shows the state of the process in a substituted water washing area.
It is a typical side view which shows the state of the process in a substituted water washing area.
It is a schematic block diagram which shows typically the structural example of the conventional substrate cleaning processing apparatus.

이하, 이 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.

도 1은, 이 발명의 실시 형태의 일예를 나타내고, 기판 세정 처리 장치(200)를 모식적으로 나타낸 것이다. 또한, 도 11에 있어서 나타낸 구성 요소 및 부재와 동일 또는 대응하는 구성 요소 및 부재에 대해서는, 도 1에 있어서도 동일한 부호를 사용한다. 1 shows an example of an embodiment of the present invention, and schematically illustrates a substrate cleaning processing apparatus 200. In addition, about the component and member which are the same as or correspond to the component and member shown in FIG. 11, the same code | symbol is used also in FIG.

이 기판 세정 처리 장치(200)는, 약액 처리부(1)(일부 만을 도시)의 후단측에 배치된 수세 처리실(10), 순환수 탱크(116) 등으로 구성되고, 수세 처리실(10)의 후단측에는, 건조 처리부(도시하지 않음)가 설치되어 있다. The substrate cleaning processing apparatus 200 is constituted by a water washing processing chamber 10, a circulating water tank 116, and the like disposed on the rear end side of the chemical liquid processing unit 1 (showing only a portion), and is a rear end of the water washing processing chamber 10. On the side, a drying processing unit (not shown) is provided.

수세 처리실(10)은, 기판 반송 방향에 있어서, 치환 수세 영역(201)과 수세 영역(202)과 직수세 영역(203)으로 이 순서대로 획정된다. The water washing processing chamber 10 is defined in this order as the replacement water washing region 201, the water washing region 202, and the direct water washing region 203 in the substrate conveyance direction.

치환 수세 영역(201)과 수세 영역(202)의 경계부 및 수세 영역(202)과 직수세 영역(203)의 경계부에는 각각, 수세 처리실(10)의 저부의 폭방향(기판 반송 방향과 교차하는 방향) 전체 폭에 걸쳐 또한 기판 반송로와 간섭하지 않는 높이를 가지는 칸막이판 118 및 120이 연장되어 설치되어 있다. The width direction of the bottom part of the water washing processing chamber 10 (direction intersecting with the substrate conveyance direction) at the boundary between the replacement washing area 201 and the washing area 202 and the boundary between the washing area 202 and the direct washing area 203, respectively. The partition plates 118 and 120 which have a height over the entire width and do not interfere with the substrate conveyance path are provided to extend.

치환 수세 영역(201)에는, 수세 처리실(10)의 약액 처리부(1)의 약액 처리실(38)측에 설치된 기판 반입구(12)를 통과하여 수세 처리실(10)의 치환 수세 영역(201) 내로 반입되어 온 약액 처리 후의 기판 W를, 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사시킨 자세로(기판 W의 앞측이 낮아지도록) 지지하여 치환 수세 영역(201) 내에서 일방향으로 연속해서 수평 방향으로 반송하는 복수의 반송 롤러(도시하지 않음)와, 치환 수세 영역(201) 내를 수평 방향으로 반송되는 기판 W의 하면으로 세정수를 토출하기 위해서 기판 반송로의 아래쪽에 설치된 하부 스프레이 노즐(20)이 설치되고, 또한, 수세 처리실(10)의 치환 수세 영역(201) 내의 기판 반입구(12) 부근에 입구 노즐(16)이 설치되고, 이 입구 노즐(16)보다도 기판 반송 방향 전방측에 고압 노즐(18)이 설치되고, 이 고압 노즐(18)보다도 기판 반송 방향 전방측에 강제 배출 노즐(100)이 설치되어 있다. 또한, 강제 배출 노즐(100)보다도 기판 반송 방향 전방측이며 또한 칸막이판(118)보다도 기판 반송 방향 후방측에 기판 반송로를 사이에 두고 상하 한 쌍의 에어 노즐(22, 22)이 설치되어 있다. Substituted water washing region 201 passes through the substrate inlet 12 provided on the chemical liquid processing chamber 38 side of the chemical liquid processing unit 1 of the water washing processing chamber 10 and into the substituted water washing region 201 of the water washing processing chamber 10. The board | substrate W after the chemical | medical solution process carried in is supported in the attitude | position inclined in the direction orthogonal to the board | substrate conveyance direction with respect to a horizontal plane (so that the front side of the board | substrate W may become low), and it will continue horizontally in one direction in the substitution water washing area 201. The lower spray nozzle 20 provided below the substrate conveying path in order to discharge the washing water to a plurality of conveying rollers (not shown) conveyed by the substrate W and the lower surface of the substrate W conveyed in the displacement water washing region 201 in the horizontal direction. ) Is provided, and an inlet nozzle 16 is provided in the vicinity of the substrate inlet 12 in the replacement water washing region 201 of the water washing treatment chamber 10. High pressure nozzle (18) , A high-pressure nozzle (18) than is the forced discharge nozzle 100 is installed in the substrate transport direction front side. In addition, a pair of upper and lower air nozzles 22 and 22 are provided on the substrate conveyance direction front side than the forced discharge nozzle 100 and on the substrate conveyance direction rear side of the partition plate 118 with the substrate conveyance path therebetween. .

기판 W는, 치환 수세 영역(201) 내에 있어서 왕복 이동하거나 일시 정지하는 일 없이, 반송 롤러에 의해 예를 들면 9m/min~20m/min의 고속으로 반송된다. 또, 기판 W는, 기판 반송 방향에 있어서 예를 들면 1장분 정도의 간격을 두고 차례차례 치환 수세 영역(201) 내로 반입되어 온다. 치환 수세 영역(201)에 의해 획정되는 수세 처리실(10)의 저부에는, 치환 수세 영역(201) 내저부에 흘러 내린 사용이 끝난 세정수를 배출하기 위한 배액로(24)가 설치되어 있다. 치환 수세 영역(201)에서 사용된 후의 세정수는, 그 모두가 배액로(24)를 통과하여 배출된다. 또, 치환 수세 영역(201)에 의해 획정되는 수세 처리실(10)의 천정부에는, 치환 수세 영역(201) 내로부터 세정수의 미스트를 포함하는 공기를 배출하기 위한 배기관(90)이 설치되어 있다. The board | substrate W is conveyed by the conveyance roller at high speed of 9 m / min-20 m / min, without reciprocating or pausing in the substitution water washing area | region 201. In addition, the board | substrate W is carried in in the substitution water washing area 201 one by one at intervals, for example about 1 sheet in the board | substrate conveyance direction. At the bottom of the water washing treatment chamber 10 defined by the replacement water washing region 201, a drain passage 24 for discharging the used washing water flowing down the inner bottom of the water washing treatment region 201 is provided. All of the washing water after being used in the replacement water washing region 201 passes through the drainage passage 24 and is discharged. Moreover, the exhaust pipe 90 for discharging air containing the mist of washing water is provided in the ceiling part of the water washing process chamber 10 defined by the replacement water washing area 201.

입구 노즐(16)은, 그 길이 방향을 따른 슬릿 형상 토출구를 가지는 슬릿 노즐로 구성되어 있다. 이 입구 노즐(16)은, 기판 W의 상면과 평행하게 또한 기판 반송 방향과 직교하도록 배치되고, 연직 방향으로부터 비스듬한 전방으로 경사지도록 설치되어 있다. 그리고, 입구 노즐(16)의 슬릿 형상 토출구로부터는, 치환 수세 영역(201) 내로 반입되어 온 기판 W의 상면으로 기판 W의 폭방향 전체에 걸쳐 세정수가 커튼 형상으로, 또한, 그 직하 방향에 대해 기판 반송 방향에서의 전방측으로 경사진 방향으로 토출된다. 또한, 슬릿 노즐 대신에, 다수의 미소 토출구가 길이 방향을 따라 일렬로 설치된 노즐을 이용하고, 그 노즐의 다수의 미소 토출구로부터 기판 W의 폭방향 전체에 걸쳐 세정수가 토출되도록 해도 된다. The inlet nozzle 16 is comprised with the slit nozzle which has the slit-shaped discharge port along the longitudinal direction. This inlet nozzle 16 is arrange | positioned in parallel with the upper surface of the board | substrate W, and orthogonal to a board | substrate conveyance direction, and is provided so that it may incline forward obliquely from a perpendicular direction. And from the slit-shaped discharge port of the inlet nozzle 16, the washing | cleaning water is curtain-shaped over the whole width direction of the board | substrate W to the upper surface of the board | substrate W carried in the substitution washing area 201, and with respect to the direct direction It discharges in the direction inclined to the front side in the board | substrate conveyance direction. In addition, instead of the slit nozzle, a plurality of micro discharge ports may be provided in a line along the longitudinal direction, and washing water may be discharged from the plurality of micro discharge ports of the nozzle over the entire width direction of the substrate W.

고압 노즐(18)로서는, 예를 들면 도 2에 기판 반송 방향에서의 전방측으로부터 본 모식적 정면도를 나타내는 바와 같이, 기판 반송 방향에 대해 교차하는 방향으로 배치되는 스프레이 파이프(92a)에, 그 길이 방향을 따라 일렬로 서로 근접하여 복수의 노즐부(94a)가 설치되고, 그 각 노즐부(94a)의 토출구로부터 각각 선상으로 세정수를 고압으로 토출하는 직렬 고밀도 선형 스프레이 노즐(18a)이 이용된다. 이 직렬 고밀도 선형 스프레이 노즐(18a)의 스프레이 파이프(92a)에는, 후술하는 바와 같이, 순환수 탱크(116)에 연통 접속되고 송액 펌프(32)가 개재 설치된 세정수 공급로(30)가 연통 접속된다. 직렬 고밀도 선형 스프레이 노즐(18a)은, 예를 들면, 그 노즐부(94a)의 토출구로부터 기판 W의 상면까지의 거리가 10mm~300mm가 되는 높이 위치에 설치되고, 복수의 노즐부(94a)는, 예를 들면 20mm~200mm의 피치로 설치된다. 이러한 고압 노즐(18)은, 기판 W의 상면과 평행하게, 또한, 기판 반송 방향에 대해 직교하도록, 혹은, 기판 반송 방향과 직교하는 방향에 대해 비스듬한 방향으로 배치(입구 노즐(16)에 대해 앞측이 열리는 방향으로 기울어져 배치)된다. 이 고압 노즐(18)의 토출구로부터는, 반송되는 기판 W의 상면으로 고압, 예를 들면, 0.3MPa의 압력의 세정수가 기판 W의 폭방향 전체에 걸쳐 토출된다. As the high pressure nozzle 18, for example, as shown in FIG. 2, the typical front view seen from the front side in the board | substrate conveyance direction, the length is extended to the spray pipe 92a arrange | positioned in the direction which cross | intersects with respect to a board | substrate conveyance direction. A plurality of nozzle portions 94a are provided adjacent to each other in a line along the direction, and a series high density linear spray nozzle 18a for discharging washing water at a high pressure from a discharge port of each nozzle portion 94a in a linear manner is used. . As described later, the spray pipe 92a of the in-line high-density linear spray nozzle 18a is connected to the circulating water tank 116 and is connected to the washing water supply passage 30 provided with the liquid feed pump 32. do. The series high density linear spray nozzle 18a is provided at a height position where, for example, the distance from the discharge port of the nozzle portion 94a to the upper surface of the substrate W is 10 mm to 300 mm, and the plurality of nozzle portions 94a are For example, it is installed in the pitch of 20 mm-200 mm. This high pressure nozzle 18 is arrange | positioned in parallel with the upper surface of the board | substrate W, orthogonal to a board | substrate conveyance direction, or in an oblique direction with respect to the direction orthogonal to a board | substrate conveyance direction (front side with respect to the inlet nozzle 16). Are inclined in the open direction). From the discharge port of this high pressure nozzle 18, the washing | cleaning water of high pressure, for example, 0.3 MPa, is discharged to the upper surface of the board | substrate W conveyed over the whole width direction of the board | substrate W. As shown in FIG.

또한, 직렬 고밀도 선형 스프레이 노즐(18a) 대신에, 동등한 작용을 이루는 고압 노즐을 이용하도록 해도 된다. 예를 들면, 도 3에 기판 반송 방향에서의 전방측으로부터 본 모식적 정면도를 나타내는 바와 같이, 기판 반송 방향에 대해 교차하는 방향으로 배치되는 2유체 스프레이 헤더관(92b)에, 그 길이 방향을 따라 일렬로 서로 근접하여 복수의 2유체 노즐부(94b)가 형성되고, 그 각 2유체 노즐부(94b)의 토출구로부터 각각 에어 등의 기체의 압력으로 세정수를 미스트화하여 토출하는 2유체 스프레이 노즐(18b)을 이용할 수 있다. 이 2유체 스프레이 노즐(18b)의 2유체 스프레이 헤더관(92b)에는, 세정수 공급로(30)가 연통 접속됨과 함께, 예를 들면 에어 공급원에 유로 접속된 에어 공급로(96)가 연통 접속된다. 2유체 스프레이 노즐(18b)은, 예를 들면, 그 2유체 노즐부(94b)의 토출구로부터 기판 W의 상면까지의 거리가 10mm~100mm가 되는 높이 위치에 설치되고, 복수의 2유체 노즐부(94b)는, 예를 들면 20mm~100mm의 피치로 설치된다. Instead of the series high density linear spray nozzle 18a, a high pressure nozzle having an equivalent effect may be used. For example, as shown in FIG. 3, the typical front view seen from the front side in the board | substrate conveyance direction is along the longitudinal direction to the two fluid spray header tube 92b arrange | positioned in the direction which cross | intersects with respect to a board | substrate conveyance direction. A plurality of two-fluid nozzle portions 94b are formed adjacent to each other in a row, and two-fluid spray nozzles which mist and discharge the washing water under the pressure of a gas such as air from the discharge ports of the two-fluid nozzle portions 94b, respectively. 18b can be used. The washing water supply passage 30 is connected to the two-fluid spray header tube 92b of the two-fluid spray nozzle 18b, and the air supply passage 96 connected to the air supply source, for example, is in communication. do. The two-fluid spray nozzle 18b is provided at a height position where, for example, the distance from the discharge port of the two-fluid nozzle portion 94b to the upper surface of the substrate W is 10 mm to 100 mm, and the plurality of two-fluid nozzle portions ( 94b) is installed at a pitch of, for example, 20 mm to 100 mm.

또, 고압 노즐(18)에, 그 토출구로부터 토출되는 세정수의 미스트가 비산되는 것을 방지하기 위한 후드(26)를 부설하도록 해도 된다. 또한, 후드(26)에 배기관(28)을 연통 접속하고, 그 배기관(28) 및 후드(26)를 통하여 세정수의 미스트를 진공 흡인하여 배출하는 미스트 흡인 장치를 병설하도록 해도 된다. In addition, the high pressure nozzle 18 may be provided with a hood 26 for preventing the mist of the washing water discharged from the discharge port from scattering. In addition, the exhaust pipe 28 may be connected to the hood 26, and a mist suction device for vacuum sucking and discharging the mist of the washing water may be provided in parallel with the exhaust pipe 28 and the hood 26.

강제 배출 노즐(100)로서는, 예를 들면 도 4 및 도 5에 모식적 상면도 및 사시도를 나타내는 바와 같이, 반송되는 기판 W의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판으로부터 근접한 거리 H, 예를 들면 10mm~50mm의 거리 H만큼 이간하여 설치되고, 그 토출구가 기판 반송 방향의 직각 방향에 대해 예각, 예를 들면 0~60°, 바람직하게는 45°의 각도를 이루도록 설정된다. 그리고, 이 강제 배출 노즐(100)로부터 고압, 예를 들면 0.1~0.5MPa, 바람직하게는 0.3MPa의 압력의 세정수가 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향하여 토출된다. As the forced-discharge nozzle 100, as shown typically a top view and a perspective view in FIG. 4 and FIG. 5, for example, the distance H proximate from the board | substrate near one edge of the board | substrate W conveyed, for example, 10 mm- It is spaced apart by 50 mm of distance H, and the discharge port is set so that it may form an acute angle, for example, 0-60 degrees, preferably 45 degrees with respect to the perpendicular direction of a board | substrate conveyance direction. And the washing | cleaning water of high pressure, for example, 0.1-0.5 MPa, Preferably it is 0.3 MPa, is discharged from this forced discharge nozzle 100 toward the other edge of the board | substrate W to the board | substrate conveyance direction back.

또한, 기판 W의 사이즈가 대형인 경우에는, 이 강제 배출 노즐(100)을, 반송되는 기판 W의 일방측 끝가장자리 부근에 1개만 설치하는 구성 대신에, 도 6에 모식적 상면도를 나타낸 바와 같이, 기판 반송 방향에 대해 직교하는 방향(기판 W의 폭방향)으로 복수개(도 6에 나타낸 예에서는 3개), 소정의 간격을 두고 연속 설치해도 된다. In addition, when the size of the board | substrate W is large, instead of the structure which installs only this one forced discharge nozzle 100 in the vicinity of one side edge of the board | substrate W to be conveyed, as shown in FIG. 6, a typical top view is shown. Similarly, you may provide in multiple numbers (three in the example shown in FIG. 6) at predetermined intervals in the direction orthogonal to the board | substrate conveyance direction (width direction of the board | substrate W), and predetermined intervals.

하부 스프레이 노즐(20)은, 기판 반송 방향을 따라 또한 서로 평행하게 각각 복수개 설치되고, 하부 스프레이 노즐(20)에는, 기판 반송 방향으로 복수개의 토출구가 일렬로 설치되어 있다. 이 하부 스프레이 노즐(20)로부터는, 반송되는 기판 W의 하면으로 세정수가 토출되고, 기판 W의 하면측이 수세된다. A plurality of lower spray nozzles 20 are provided along the substrate conveyance direction and in parallel with each other, and a plurality of discharge ports are provided in the lower spray nozzle 20 in a line in the substrate conveyance direction. The washing water is discharged from the lower spray nozzle 20 to the lower surface of the substrate W to be conveyed, and the lower surface side of the substrate W is washed with water.

순환수 탱크(116)의 저부에는 그 폭방향(도 1의 종이면에 관해서 직각 방향) 전체 폭에 걸쳐 소정의 높이를 가지는 칸막이판(122)이 연장되어 설치되고, 이 칸막이판(122)에 의해 순환수 탱크(116) 내가 저류부 116a와 저류부 116b의 2개의 저류부로 획정된다. At the bottom of the circulating water tank 116, a partition plate 122 having a predetermined height extends and is installed over the entire width direction (orthogonal to the paper surface in Fig. 1), and is provided on the partition plate 122. By this, the circulating water tank 116 is defined as two reservoirs of the reservoir 116a and the reservoir 116b.

수세 영역(202)에 의해 획정되는 수세 처리실(10)의 저부에는, 수세 영역(202) 내저부에 흘러 내린 사용이 끝난 세정수를 배출하기 위한 순환 배수로(64)가 설치되어 있으며, 순환 배수로(64)는, 순환수 탱크(116)의 저류부(116a)에 연통 접속되어 있다. 또, 순환수 탱크(116)의 저류부(116a)에는, 순수(신수)의 공급원에 유로 접속된 순수 공급로(68)가 연통 접속되어 있다. At the bottom of the water treatment chamber 10 defined by the water washing region 202, a circulation drainage passage 64 for discharging the used washing water flowing down the inner bottom of the washing region 202 is provided. 64 is connected to the storage part 116a of the circulation water tank 116. Moreover, the pure water supply path 68 connected to the storage part 116a of the circulation water tank 116 by the flow path of the pure water (fresh water) supply source is connected.

하부 스프레이 노즐(20) 및 입구 노즐(16), 고압 노즐(18) 및 강제 배출 노즐(100)에는, 순환수 탱크(116)의 저류부(116a)에 연통 접속된 세정수 공급로(30)가 각각 유로 접속되고, 세정수 공급로(30)에 송액 펌프(32)가 개재 설치되어 있다. 그리고, 순환수 탱크(116)의 저류부(116a) 내로부터 세정수 공급로(30)를 통과하여 입구 노즐(16), 고압 노즐(18), 강제 배출 노즐(100) 및 하부 스프레이 노즐(20)로 각각 세정수가 공급되도록 유로 구성되어 있다. The washing water supply passage 30 connected to the lower spray nozzle 20, the inlet nozzle 16, the high pressure nozzle 18, and the forced discharge nozzle 100 in communication with the storage portion 116a of the circulating water tank 116. Are respectively connected to the flow path, and the liquid feeding pump 32 is interposed in the washing water supply path 30. The inlet nozzle 16, the high pressure nozzle 18, the forced discharge nozzle 100, and the lower spray nozzle 20 pass through the washing water supply path 30 from the inside of the reservoir 116a of the circulation water tank 116. ), Each of the flow paths is configured to supply washing water.

약액 처리실(38) 내의 입구 부근에는 도시하지 않은 기판 위치 센서가 설치되고, 이 기판 위치 센서에 의해 기판 W의 전단 위치가 검지되어, 검지 신호가 제어 회로(108)로 출력된다. 제어 회로(108)는, 검지 신호를 수신한 시점에서 일정 시간 경과 후(기판 W의 전단이 약액 처리실(38)의 출구를 통과하기 전)에, 송액 펌프(32)를 구동하여 각 노즐(16, 18, 100, 20)로 세정수의 토출이 개시되도록 프로그램 제어되어 있다. A substrate position sensor (not shown) is provided near the entrance in the chemical processing chamber 38, and the front end position of the substrate W is detected by the substrate position sensor, and the detection signal is output to the control circuit 108. The control circuit 108 drives the liquid feeding pump 32 after a predetermined time has elapsed (before the front end of the substrate W passes through the outlet of the chemical liquid processing chamber 38) at the time when the detection signal is received, and the respective nozzles 16 , 18, 100, 20 are program controlled to start discharging of the washing water.

또, 강제 배출 노즐(100)보다도 기판 반송 방향 전방측이며 또한 에어 노즐(20)보다도 기판 반송 방향 후방측에, 기판 W의 후단 위치를 검지하는 기판 위치 센서(104)가 설치되어 있다. 기판 위치 센서(104)로부터 출력되는 검지 신호는 제어 회로(108)에 입력되고, 그 검지 신호에 기초하여 제어 회로(108)로부터 송액 펌프(32)에 제어 신호가 출력되어, 각 노즐(16, 18, 100, 20)로 세정수의 토출이 정지된다. 즉, 제어 회로(108)에 의해, 치환 수세 영역(201) 내에 기판 W가 반입되어 있지 않을 때에는 입구 노즐(16), 고압 노즐(18), 강제 배출 노즐(100) 및 하부 스프레이 노즐(20)로부터 세정수가 토출되지 않고, 치환 수세 영역(201) 내로 기판 W가 반입되어 오기 직전에 각 노즐(16, 18, 100, 20)로부터의 세정수의 토출이 개시되고, 그 후, 치환 수세 영역(201) 내로부터 기판 W가 반출될 때까지 동안에, 각 노즐(16, 18, 100, 20)로부터 계속해서 세정수가 토출되고, 치환 수세 영역(201) 내로부터 기판 W가 반출된 후에 각 노즐(16, 18, 100, 20)로부터의 세정수의 토출이 정지되도록, 송액 펌프(32)의 송액 동작이 제어된다. Moreover, the board | substrate position sensor 104 which detects the rear end position of the board | substrate W is provided in the board | substrate conveyance direction front side rather than the forced discharge nozzle 100, and the board | substrate conveyance direction back side rather than the air nozzle 20. The detection signal output from the substrate position sensor 104 is input to the control circuit 108, and a control signal is output from the control circuit 108 to the liquid feed pump 32 based on the detection signal, and the respective nozzles 16, 18, 100 and 20, the discharge of the washing water is stopped. That is, the inlet nozzle 16, the high pressure nozzle 18, the forced discharge nozzle 100, and the lower spray nozzle 20 when the substrate W is not carried in the replacement water washing region 201 by the control circuit 108. The washing water is not discharged from the nozzles, and discharge of the washing water from the nozzles 16, 18, 100, and 20 is started immediately before the substrate W is carried into the replacement washing area 201. The cleaning water is continuously discharged from each nozzle 16, 18, 100, 20 until the substrate W is unloaded from within 201, and each nozzle 16 after the substrate W is unloaded from within the replacement water washing region 201. , The liquid feeding operation of the liquid feeding pump 32 is controlled so that the discharge of the washing water from 18, 100, 20 is stopped.

상하 한 쌍의 에어 노즐(22, 22)은, 경사 자세의 기판 W의 상·하면과 각각 평행하게, 또한, 기판 반송 방향과 직교하는 방향에 대해 앞측이 열리도록 기울어져 배치된다. 이 에어 노즐(22)에는, 에어 공급원에 유로 접속된 에어 공급관(34)이 연통 접속되어 있으며, 에어 노즐(22)로부터 기판 W의 상·하 양면으로 에어(카운터 에어)가 기판 반송 방향에 대해 비스듬한 역방향 내지 직하 방향으로 분출된다. 또한, 에어 대신에 다른 기체, 예를 들면 질소 가스 등을 기판 W의 각 면으로 분출하도록 해도 된다. The upper and lower pairs of air nozzles 22 and 22 are disposed so as to be inclined so that the front side is opened in parallel with the upper and lower surfaces of the substrate W in the inclined posture and in a direction orthogonal to the substrate conveyance direction. An air supply pipe 34 connected to an air supply source is connected to the air nozzle 22 so that air (counter air) flows from the air nozzle 22 to the upper and lower sides of the substrate W with respect to the substrate conveyance direction. It is ejected in an oblique reverse to direct direction. Instead of air, another gas, for example, nitrogen gas, may be ejected to each surface of the substrate W. FIG.

상기한 구성을 구비한 치환 수세 영역(201)에 있어서는, 약액 처리실(38)에서 약액 처리된 직후의 기판 W가 수세 처리실(10)의 치환 수세 영역(201) 내로 반입되어 오면, 최초로, 입구 노즐(16)의 슬릿 형상 토출구로부터 기판 W의 상면으로 그 폭방향 전체에 걸쳐 커튼 형상으로 세정수가 토출된다. 도 7에 모식적 측면도를 나타내는 바와 같이, 이 입구 노즐(16)로부터 커튼 형상으로 토출되는 세정수 A에 의해 기판 W 상의 약액이 희석되고, 기판 W 상으로부터 약액 B의 일부가 씻어 내어진다. 이어서, 고압 노즐(18)의 토출구로부터 고압의 세정수가 기판 W의 상면을 향하여 토출된다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 이 고압 노즐(18)로부터 토출되는 세정수 A로 형성되는 물의 벽에 의해, 입구 노즐(16)의 설치 위치를 통과한 후에 기판 W 상에 잔류한 약액과 세정수의 혼합액 C가 전방으로 유동하는 것이 막아진다. 이와 같이 약액과 세정수의 혼합액 C의 전방으로의 유동이 막아진 상태로 기판 W가 전방으로 이동하므로, 고압 노즐(18)의 설치 위치를 기판 W가 통과하는 동안에, 기판 W 상의 약액이 세정수로 급속히 치환되게 된다. 또, 이 동안에, 기판 W의 하면에 대해 하부 스프레이 노즐(20)의 토출구로부터 연속해서 세정수가 토출되어 기판 W의 하면이 수세된다. In the substitution washing region 201 having the above-described configuration, when the substrate W immediately after the chemical treatment in the chemical treatment chamber 38 is carried into the substitution washing region 201 of the washing treatment chamber 10, first, the inlet nozzle The washing water is discharged from the slit-shaped discharge port of (16) to the upper surface of the substrate W in a curtain shape over the entire width direction thereof. As a typical side view is shown in FIG. 7, the chemical | medical solution on the board | substrate W is diluted by the washing | cleaning water A discharged in curtain shape from this inlet nozzle 16, and a part of chemical liquid B is wash | cleaned from the board | substrate W. Subsequently, the high pressure washing water is discharged toward the upper surface of the substrate W from the discharge port of the high pressure nozzle 18. As shown in FIG. 7, the chemical | medical solution and washing water which remain | survived on the board | substrate W after having passed through the installation position of the inlet nozzle 16 by the wall of the water formed with the washing | cleaning water A discharged from this high pressure nozzle 18 are shown. The mixed liquid C is prevented from flowing forward. Thus, since the board | substrate W moves forward with the flow to the front of the mixed liquid C of chemical | medical solution and wash water blocked, the chemical liquid on the board | substrate W wash | cleans while the board | substrate W passes the installation position of the high pressure nozzle 18. Will be replaced rapidly. In the meantime, the washing water is continuously discharged from the discharge port of the lower spray nozzle 20 with respect to the lower surface of the substrate W, and the lower surface of the substrate W is washed with water.

도 8에 모식적 측면도, 도 9에 모식적 상면도를 나타내는 바와 같이, 고압 노즐(18)의 설치 위치를 통과한 후의 기판 W 상에는, 혼합액 C로부터 누출된 혼합액 E(세정수 A로 형성되는 물의 벽으로 막아지지 않아, 약액 성분이 약간 혼입된 액)이 잔류하고 있다. 여기서, 기판 W의 일방측 끝가장자리 부근에 설치된 강제 배출 노즐(100)의 토출구로부터, 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출되는 세정수 A(도 9 중 도시한 가는 화살표로 나타낸다)에 의해, 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름(도 9 중 도시한 굵은 화살표로 나타낸다)이 형성된다. 이 액흐름에 의해, 혼합액 E가 기판 W 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지된다. As shown in the schematic side view in FIG. 8 and the schematic top view in FIG. 9, on the substrate W after passing through the installation position of the high pressure nozzle 18, the mixed liquid E (the water formed from the clean water A) leaked from the mixed liquid C. Liquid that is not blocked by walls and has a slight chemical component mixed therein. Here, the washing water A discharged toward the other end edge direction of the board | substrate W to the board | substrate conveyance direction back from the discharge port of the forced discharge nozzle 100 provided near one side edge of the board | substrate W (the thin arrow shown in FIG. 9). ), A liquid flow (indicated by a thick arrow shown in FIG. 9) flowing in the direction of the other end of the substrate W is formed. By this liquid flow, while the mixed liquid E is forcibly discharged | emitted from the board | substrate W, it flows effectively to the front of a board | substrate conveyance direction.

그리고, 치환 수세 영역(201) 내로부터 기판 W가 반출되기 전에, 상·하 한 쌍의 에어 노즐(22, 22)로부터 기판 W의 상하 양면을 향하여 각각 에어가 분무된다. 도 10에 모식적 측면도를 나타내는 바와 같이, 이 한 쌍의 에어 노즐(22, 22)로부터 기판 W의 상하 양면으로 분출되는 에어 D의 압력에 의해, 기판 W의 상·하면에 부착된 액 F가 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 막아져, 기판 W에 약액이 부착되어 치환 수세 영역(201) 밖으로 반출되는 것이 효과적으로 저지된다. And before the board | substrate W is carried out from the inside of the replacement water washing | cleaning area | region 201, air is sprayed from the upper and lower pair of air nozzles 22 and 22 toward the upper and lower surfaces of the board | substrate W, respectively. As a typical side view is shown in FIG. 10, the liquid F adhered to the upper and lower surfaces of the board | substrate W by the pressure of the air D ejected from the pair of air nozzles 22 and 22 to the upper and lower sides of the board | substrate W Flowing forward in the substrate conveyance direction is prevented, and the chemical liquid adheres to the substrate W and is effectively prevented from being taken out of the substituted water washing region 201.

이상의 일련의 치환 수세 처리는, 기판 W가 치환 수세 영역(201) 내로 반입되고 치환 수세 영역(201) 내를 일방향으로 연속 반송되어 치환 수세 영역(201) 내로부터 반출될 때까지의 짧은 시간, 예를 들면 15초~20초간 행해진다. 또, 고압 노즐(18)로부터 기판 W의 상면으로 고압으로 토출되는 세정수에 의해 기판 W 상의 약액이 세정수로 급속히 치환되므로, 비교적 소량의 세정수의 사용에 의해 효율적으로 수세 처리가 행해진다. 또, 강제 배출 노즐(100)로부터 토출되는 세정수에 의해 형성되는 액흐름에 의해, 기판 W 상의 혼합액 E가 기판 W 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지되므로, 치환 수세 영역(201) 밖으로의 약액의 반출량이 저감된다. 또한, 치환 수세 영역(201) 내에 기판 W가 반입되어 있지 않을 때에는 세정수의 토출을 정지시킴으로써, 세정수의 사용량을 보다 줄일 수 있다. 그리고, 약액이 기판 W 상에 잔류하여 치환 수세 영역(201) 밖으로 반출되는 것이 효과적으로 저지되므로, 후술하는 수세 영역(202) 내에서 기판 W의 수세에 사용된 후의 세정수의 오염이 저감된다. 이 결과, 수세 영역(202)에서 사용된 세정수의 순환 사용율이 높아지고, 나아가서는 이것이 순수 사용량의 또 다른 절감으로 이어지게 된다. The above-described series of substitution washing processes are performed for a short time until the substrate W is carried into the substitution washing region 201, continuously conveyed into the substitution washing region 201 in one direction, and taken out from the substitution washing region 201, for example. For example, it is performed for 15 to 20 seconds. In addition, since the chemical liquid on the substrate W is rapidly replaced with the washing water by the washing water discharged from the high pressure nozzle 18 to the upper surface of the substrate W at a high pressure, washing with water is efficiently performed by using a relatively small amount of washing water. In addition, since the liquid flow formed by the washing water discharged from the forced discharge nozzle 100 forcibly discharges the mixed liquid E on the substrate W from the substrate W and flows forward in the substrate conveyance direction, the replacement The carrying amount of the chemical liquid out of the water washing region 201 is reduced. In addition, when the substrate W is not carried in the replacement water washing region 201, the discharge of the washing water can be stopped to further reduce the amount of the washing water used. In addition, since the chemical liquid remains on the substrate W and is carried out out of the substituted water washing region 201, contamination of the washing water after being used for washing the substrate W in the washing region 202 described later is reduced. As a result, the circulating use rate of the washing water used in the water washing area 202 is increased, which further leads to another reduction in the amount of pure water used.

또한, 기판 반송 방향에 관해서, 고압 노즐(18), 강제 배출 노즐(100), 에어 노즐(22)을 이 순서대로 고정하여 설치하지 않고, 이들 노즐의 기판 반송 방향에서의 설치 순서를 서로 바꾸어도 된다. In addition, in the substrate conveyance direction, the installation order in the substrate conveyance direction of these nozzles may be mutually changed, without fixing the high pressure nozzle 18, the forced discharge nozzle 100, and the air nozzle 22 in this order. .

수세 영역(202)에는, 치환 수세 영역(201)으로부터 수세 영역(202) 내로 반입되어 온 치환 수세 처리 후의 기판 W를, 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사시킨 자세로(기판 W의 앞측이 낮아지도록) 지지하여 수세 영역(202) 내에 있어서 일방향으로 연속해서 수평 방향으로 반송하는 복수의 반송 롤러(도시하지 않음)와, 수세 영역(202) 내를 수평 방향으로 반송되는 기판 W의 하면으로 세정수를 토출하기 위해서 기판 반송로의 아래쪽에 설치된 하부 스프레이 노즐(62)이 설치되며, 또한, 칸막이판(118)측보다도 기판 반송 방향 전방측의 수세 처리실(10)의 수세 영역(202) 내에 첫번째의 강제 배출 노즐(100)이 설치되고, 이 강제 배출 노즐(100)보다도 기판 반송 방향 전방측에 고압 노즐(18)이 설치되며, 이 고압 노즐(18)보다도 기판 반송 방향 전방측에 두번째의 강제 배출 노즐(100)이 설치되어 있다. 또, 두번째 강제 배출 노즐(100)보다도 기판 반송 방향 전방측이며 또한 칸막이판(120)보다도 기판 반송 방향 후방측에 기판 반송로를 사이에 두고, 상하 한 쌍의 에어 노즐(22, 22)이 설치되고, 이 에어 노즐(22, 22)에는, 에어 공급원에 유로 접속된 에어 공급관(36)이 연통 접속되어 있다. In the washing region 202, the substrate W after the substitution washing process carried in from the substitution washing region 201 into the washing region 202 is inclined in a direction orthogonal to the substrate conveying direction with respect to the horizontal plane (of the substrate W). A plurality of conveying rollers (not shown) which support the front side so that the front side is lowered and continuously convey in the horizontal direction in one direction in the water washing region 202, and a lower surface of the substrate W conveyed in the water washing region 202 in the horizontal direction. The lower spray nozzle 62 provided below the board | substrate conveyance path is discharged | emitted in order to discharge wash water by this, and the water washing area | region 202 of the water washing process chamber 10 of the board | substrate conveyance direction front side rather than the partition plate 118 side is provided. The first forced discharge nozzle 100 is provided inside, and the high pressure nozzle 18 is provided in the board | substrate conveyance direction front side rather than this forced discharge nozzle 100, and the board | substrate conveyance direction front side than this high pressure nozzle 18 is provided. It may force the discharge nozzle 100 of the second installed. Moreover, a pair of upper and lower air nozzles 22 and 22 are provided between the substrate conveyance direction front side than the second forced discharge nozzle 100 and the substrate conveyance path between the partition plate 120 and the substrate conveyance path. The air nozzles 22 and 22 are connected to an air supply pipe 36 connected to an air supply source.

2개의 강제 배출 노즐(100, 100)은, 치환 수세 영역(201)과 마찬가지로, 반송되는 기판 W의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판으로부터 근접한 거리 H, 예를 들면 10mm~50mm의 거리 H만큼 이간하여 설치되고, 그 토출구가 기판 반송 방향의 직각 방향에 대해 예각, 예를 들면 0~60°, 바람직하게는 45°의 각도를 이루도록 설정된다. 그리고, 이 강제 배출 노즐(100)로부터 고압, 예를 들면 0.1~0.5MPa, 바람직하게는 0.3MPa의 압력의 세정수가 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출된다. The two forced discharge nozzles 100 and 100 are spaced apart by a distance H proximate to the substrate, for example, a distance H of 10 mm to 50 mm, in the vicinity of one end edge of the substrate W to be conveyed, similarly to the substitution flush area 201. It is provided and the discharge port is set so that it may form an acute angle, for example, 0-60 degrees, Preferably it is 45 degrees with respect to the orthogonal direction of a board | substrate conveyance direction. And the washing | cleaning water of high pressure, for example, 0.1-0.5 MPa, Preferably it is 0.3 MPa, is discharged from this forced discharge nozzle 100 toward the other edge of the board | substrate W to the board | substrate conveyance direction back.

이 수세 영역(202) 내에 설치되는 고압 노즐(18), 에어 노즐(22, 22)의 각 구성은, 치환 수세 영역(201) 내에 설치되는 고압 노즐(18), 에어 노즐(22, 22)의 각 구성과 동일하며, 또 하부 스프레이 노즐(62)의 구성도 치환 수세 영역(201) 내에 설치된 하부 스프레이 노즐(20)의 구성과 동일하다. 또한, 경우에 따라 에어 노즐(22)을 상하 한 쌍 설치하는 대신에, 하부 노즐(22)을 생략하고 상부 노즐(22)만이어도 된다. Each configuration of the high pressure nozzle 18 and the air nozzles 22 and 22 provided in the water washing area 202 is characterized by the high pressure nozzle 18 and the air nozzles 22 and 22 provided in the replacement water washing area 201. It is the same as each structure, and the structure of the lower spray nozzle 62 is also the same as the structure of the lower spray nozzle 20 provided in the substitution water washing area 201. In addition, instead of providing a pair of upper and lower air nozzles 22 in some cases, the lower nozzle 22 may be abbreviate | omitted and only the upper nozzle 22 may be sufficient.

기판 W는, 수세 영역(202) 내에 있어서 왕복 이동하거나 일시 정지하는 일 없이, 반송 롤러에 의해 예를 들면 9m/min~20m/min의 고속으로 반송된다. 또, 기판 W는, 기판 반송 방향에 있어서 예를 들면 1장분 정도의 간격을 두고 차례차례 수세 영역(202) 내로 반입되어 온다. The board | substrate W is conveyed by the conveyance roller at the high speed of 9 m / min-20 m / min, without reciprocating or pausing in the water washing area 202, for example. Moreover, the board | substrate W is carried in in the water washing area | region 202 one by one at intervals, for example about 1 sheet in a board | substrate conveyance direction.

하부 스프레이 노즐(62) 및 강제 배출 노즐(100, 100) 및 고압 노즐(18)에는, 순환수 탱크(116)의 저류부(116b)에 연통 접속된 세정수 공급로(80)가 각각 유로 접속되고, 세정수 공급로(80)에 송액 펌프(78)가 개재 설치되어 있다. 그리고, 순환수 탱크(116)의 저류부(116b) 내로부터 세정수 공급로(80)를 통과하여 고압 노즐(18), 강제 배출 노즐(100, 100) 및 하부 스프레이 노즐(62)로 각각 세정수가 공급되도록 유로 구성되어 있다. The lower spray nozzle 62, the forced discharge nozzles 100 and 100, and the high pressure nozzle 18 are each connected to a washing water supply path 80 connected to the storage portion 116b of the circulation water tank 116. The liquid feed pump 78 is interposed in the washing water supply path 80. The high pressure nozzles 18, the forced discharge nozzles 100 and 100, and the lower spray nozzles 62 pass through the washing water supply path 80 from within the reservoir 116b of the circulation water tank 116, respectively. The flow path is configured to supply water.

또, 직수세 영역(203)에 의해 획정되는 수세 처리실(10)의 저부에는, 직수세 영역(203) 내저부에 흘러 내린 사용이 끝난 세정수를 배출하기 위한 세정수 공급로(72)가 설치되어 있으며, 이 세정수 공급로(72)는, 순환수 탱크(116)의 저류부(116b)에 연통 접속되고, 저류부(116b)에는, 순수(신수)의 공급원에 유로 접속된 순수 공급로(69)가 연통 접속되어 있다. 저류부 116b 내에 저류된 세정수는, 그 액면이 상승하여 칸막이판(122)의 꼭대기부(122a)로부터 넘침으로써 저류부 116a 내로 공급되어, 치환 수세 영역(201) 내의 치환 수세 처리에 사용될 수 있게 되어 있다. 이 칸막이판(122)의 높이 치수 및/또는 순환수 탱크(116)의 길이 방향에서의 칸막이판(122)의 배치 위치를 변경함으로써, 저류부 116b 내로부터 저류부 116a 내로 넘치는 세정액의 양, 나아가서는 저류부 116a 내에 저류되는 세정액의 농도를 변경할 수 있다. Moreover, the washing | cleaning water supply path 72 for discharging the used washing water which flowed down in the inner bottom of the washing-hand washing area 203 is installed in the bottom part of the washing | cleaning treatment chamber 10 defined by the washing-hand washing area 203. The washing water supply passage 72 is connected to the storage portion 116b of the circulating water tank 116, and is connected to the storage portion 116b with a pure water supply passage connected to a supply source of pure water (fresh water). (69) is connected in communication. The washing water stored in the storage portion 116b is supplied to the storage portion 116a by raising its liquid level and overflowing from the top portion 122a of the partition plate 122 so that it can be used for the replacement washing process in the replacement water washing region 201. It is. By changing the height dimension of the partition plate 122 and / or the arrangement position of the partition plate 122 in the longitudinal direction of the circulating water tank 116, the amount of the washing liquid overflowing from the reservoir 116b into the reservoir 116a, and further, Can change the concentration of the washing liquid stored in the reservoir 116a.

약액 처리실(38) 내의 입구 부근에 설치된 도시하지 않은 기판 위치 센서에 의해 기판 W의 전단 위치가 검지되고, 검지 신호가 제어 회로(108)로 출력된다. 제어 회로(108)는, 검지 신호를 수신한 시점으로부터 일정 시간 경과 후(기판 W의 전단이 수세 영역(202) 내의 2개의 강제 배출 노즐(100) 중 기판 반송 방향 후방측의 노즐(100)의 설치 위치에 도달하기 전)에, 송액 펌프(78)를 구동하여 각 노즐(18, 100, 100, 62)로 세정수의 토출이 개시되도록 프로그램 제어되어 있다. The front end position of the board | substrate W is detected by the board | substrate position sensor not shown in the vicinity of the entrance in the chemical processing chamber 38, and a detection signal is output to the control circuit 108. FIG. The control circuit 108 passes after a predetermined time has elapsed from the time when the detection signal is received (the front end of the substrate W has the nozzle 100 on the rear side of the substrate conveying direction among the two forced discharge nozzles 100 in the water washing region 202). Before reaching the installation position, program control is performed to drive the liquid feed pump 78 to start discharging of the washing water to the nozzles 18, 100, 100, and 62. FIG.

또, 수세 영역(202) 내의 2개의 강제 배출 노즐(100) 중 기판 반송 방향 전방측의 노즐(100)보다도 기판 반송 방향 전방측이며 또한 에어 노즐(22)보다도 기판 반송 방향 후방측에, 기판 W의 후단 위치를 검지하는 기판 위치 센서(106)가 설치되어 있다. 기판 위치 센서(106)로부터 출력되는 검지 신호는 제어 회로(108)에 입력되고, 그 검지 신호에 기초하여 제어 회로(108)로부터 송액 펌프(78)에 제어 신호가 출력되어, 각 노즐(18, 100, 100, 62)로 세정수의 토출이 정지된다. 즉, 제어 회로(108)에 의해, 수세 영역(202) 내에 기판 W가 반입되어 있지 않을 때에는 고압 노즐(18), 강제 배출 노즐(100, 100) 및 하부 스프레이 노즐(62)로부터 세정수가 토출되지 않고, 수세 영역(202) 내로 기판 W이 반입되어 오기 직전에 각 노즐(18, 100, 100, 62)로부터의 세정수의 토출이 개시되고, 그 후, 수세 영역(202) 내로부터 기판 W가 반출될 때까지의 동안에, 각 노즐(18, 100, 100, 62)로부터 계속해서 세정수가 토출되고, 수세 영역(202) 내로부터 기판 W가 반출된 후에 각 노즐(18, 100, 100, 62)로부터의 세정수의 토출이 정지되도록, 송액 펌프(78)의 송액 동작이 제어된다. Moreover, the board | substrate W is the front side of a board | substrate conveyance direction rather than the nozzle 100 of the board | substrate conveyance direction front side among the two forced discharge nozzles 100 in the water washing area | region 202, and the board | substrate W direction back side than the air nozzle 22. The board | substrate position sensor 106 which detects the rear end position of is provided. The detection signal output from the substrate position sensor 106 is input to the control circuit 108, and a control signal is output from the control circuit 108 to the liquid supply pump 78 based on the detection signal, and the respective nozzles 18, 100, 100, 62 stops the discharge of the washing water. That is, when the substrate W is not carried in the water washing region 202 by the control circuit 108, the washing water is not discharged from the high pressure nozzle 18, the forced discharge nozzles 100 and 100, and the lower spray nozzle 62. Instead, discharge of the washing water from each nozzle 18, 100, 100, 62 is started immediately before the substrate W is brought into the washing region 202, and then the substrate W is removed from the washing region 202. The cleaning water is continuously discharged from each nozzle 18, 100, 100, 62 until it is unloaded, and each nozzle 18, 100, 100, 62 after the substrate W is taken out from the water washing region 202. The liquid feeding operation of the liquid feeding pump 78 is controlled so that the discharge of the washing water from the water is stopped.

상기한 구성을 구비한 수세 영역(202)에 있어서는, 치환 수세 영역(201)에서 치환 수세 처리된 직후의 기판 W가 수세 처리실(10)의 수세 영역(202) 내로 반입되어 오면, 기판 W의 일방측 끝가장자리 부근에 설치된 첫번째의(기판 반송 방향 후방측의) 강제 배출 노즐(100)의 토출구로부터, 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출되는 세정수에 의해, 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름이 형성된다. 이 액흐름에 의해, 치환 수세 영역(201)에 있어서 치환 수세 처리를 거친 기판 W 상의 잔류액이 기판 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지된다. In the water washing region 202 having the above-described configuration, when the substrate W immediately after the substitution washing in the substitution washing region 201 is carried into the washing region 202 of the washing treatment chamber 10, one side of the substrate W is provided. The board | substrate W is discharged from the discharge port of the 1st (substrate conveyance direction back side) forced discharge nozzle 100 installed in the side edge side toward the other end edge direction of the board | substrate W to the board | substrate conveyance direction back. The liquid flows in the direction of the other end of the edge. By this liquid flow, the residual liquid on the substrate W which has undergone the substitution washing process in the substitution washing water region 201 is forcibly discharged from the substrate, and the flow of the liquid toward the substrate conveyance direction is effectively prevented.

첫번째의 강제 배출 노즐(100)의 설치 위치를 기판 W가 통과하면, 이어서, 고압 노즐(18)의 토출구로부터 고압의 세정수가 기판 W의 상면을 향하여 토출된다. 이 고압 노즐(18)로부터 토출되는 세정수로 형성되는 물의 벽에 의해, 첫번째의 강제 배출 노즐(100)의 설치 위치를 통과한 후에 기판 W 상에 여전히 잔류하는 액이 전방으로 유동하는 것이 막아진다. 이와 같이 잔류액의 전방으로의 유동이 막아진 상태로 기판 W가 전방으로 이동하므로, 고압 노즐(18)의 설치 위치를 기판 W가 통과하는 동안에, 기판 W 상의 잔류액이 세정수로 급속히 치환되게 된다. 또, 이 동안에, 기판 W의 하면에 대해 하부 스프레이 노즐(62)의 토출구로부터 연속해서 세정수가 토출되어, 기판 W의 하면이 수세된다. When the board | substrate W passes the installation position of the 1st forced discharge nozzle 100, the high pressure washing | cleaning water is discharged toward the upper surface of the board | substrate W then from the discharge port of the high pressure nozzle 18. As shown in FIG. The wall of water formed by the washing water discharged from the high pressure nozzle 18 prevents the liquid still remaining on the substrate W from flowing forward after passing through the installation position of the first forced discharge nozzle 100. . Thus, since the board | substrate W moves forward in the state which the flow of the residual liquid forward was prevented, while the board | substrate W passes the installation position of the high pressure nozzle 18, the residual liquid on the board | substrate W will be rapidly replaced with wash water. do. In the meantime, the washing water is continuously discharged from the discharge port of the lower spray nozzle 62 with respect to the lower surface of the substrate W, and the lower surface of the substrate W is washed with water.

이어서, 기판 W가 고압 노즐(18)의 설치 위치를 통과한 후에, 기판 W의 일방측 끝가장자리 부근에 설치된 두번째의(기판 반송 방향 전방측의) 강제 배출 노즐(100)의 토출구로부터, 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출되는 세정수에 의해, 기판 W의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름이 형성된다. 이 액흐름에 의해, 잔류액이 기판 W 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지된다. Subsequently, after the board | substrate W passes the installation position of the high pressure nozzle 18, from the discharge port of the 2nd (substrate conveyance direction front side) provided in the vicinity of one side edge of the board | substrate W, the board | substrate W The liquid flow flowing in the other end edge direction of the board | substrate W is formed by the wash water discharged toward the other end edge direction to the back of a board | substrate conveyance direction. By this liquid flow, the residual liquid is forcibly discharged from the substrate W and flow is prevented from flowing forward in the substrate conveyance direction.

그리고, 수세 영역(202) 내로부터 기판 W가 반출되기 전에, 상·하 한 쌍의 에어 노즐(22, 22)로부터 기판 W의 상하 양면을 향하여 각각 에어가 뿜어진다. 이 한 쌍의 에어 노즐(22, 22)로부터 기판 W의 상하 양면으로 분출되는 에어 D의 압력에 의해, 기판 W의 상·하면에 부착된 액이 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 막아져, 기판 W에 약액이 부착되어 수세 영역(202) 밖으로 반출되는 것이 효과적으로 저지된다. And before the board | substrate W is carried out from the washing | cleaning area | region 202, air is blown out from the upper and lower pair of air nozzles 22 and 22 toward the upper and lower surfaces of the board | substrate W, respectively. By the pressure of the air D ejected from the pair of air nozzles 22 and 22 to the upper and lower sides of the substrate W, the liquid adhered to the upper and lower surfaces of the substrate W is prevented from flowing forward in the substrate conveying direction, and the substrate The chemical liquid adheres to W and is effectively prevented from being taken out of the water washing region 202.

이상의 일련의 수세 처리는, 기판 W가 수세 영역(202) 내로 반입되고 수세 영역(202) 내를 일방향으로 연속 반송되어 수세 영역(202) 내로부터 반출될 때까지의 짧은 시간, 예를 들면 15~30초간 행해진다. 또, 고압 노즐(18)로부터 기판 W의 상면으로 고압으로 토출되는 세정수에 의해 기판 W 상의 잔류액이 세정수로 급속히 치환되므로, 비교적 소량의 세정수의 사용에 의해 효율적으로 수세 처리가 행해진다. 또, 강제 배출 노즐(100)로부터 토출되는 세정수에 의해 형성되는 액흐름에 의해, 기판 W 상의 잔류액이 기판 W 상으로부터 강제적으로 배출됨과 함께 기판 반송 방향 전방으로 유동하는 것이 효과적으로 저지되므로, 수세 영역(202) 밖으로의 잔류액의 반출량이 저감된다. 또한, 수세 영역(202) 내에 기판 W가 반입되어 있지 않을 때에는 세정수의 토출을 정지시킴으로써, 세정수의 사용량을 보다 줄일 수 있다. 그리고, 기판 W 상의 잔류액이 수세 영역(202) 밖으로 반출되는 것이 효과적으로 저지되므로, 후술하는 직수세 영역(203) 내에서 기판 W의 직수세에 사용된 후의 세정수의 오염이 저감된다. 이 결과, 직수세 영역(203)에서 사용된 세정수의 순환 사용율이 높아지고, 나아가서는 이것이 순수 사용량의 또 다른 절감으로 연결되게 된다. In the above series of water washing processes, a short time until the substrate W is carried into the water washing area 202, is continuously conveyed in the water washing area 202 in one direction, and taken out from the water washing area 202, for example, 15 to 15. It is done for 30 seconds. In addition, since the residual liquid on the substrate W is rapidly replaced by the washing water by the washing water discharged from the high pressure nozzle 18 to the upper surface of the substrate W at a high pressure, washing with water is efficiently performed by using a relatively small amount of washing water. . In addition, since the residual liquid on the substrate W is forcibly discharged from the substrate W and flows forward in the substrate conveyance direction by the liquid flow formed by the washing water discharged from the forced discharge nozzle 100, water washing is performed. The amount of carry-out of the residual liquid out of the region 202 is reduced. In addition, when the substrate W is not carried in the water washing region 202, the amount of the washing water can be further reduced by stopping the discharge of the washing water. And since the residual liquid on the board | substrate W is carried out effectively out of the water washing area | region 202, the contamination of the wash water after being used for the water washing of the board | substrate W in the water washing area | region 203 mentioned later is reduced. As a result, the circulating use rate of the washing water used in the water washing area 203 is increased, which leads to another reduction of the pure water consumption.

또한, 기판 반송 방향에 있어서, 고압 노즐(18)을 사이에 두고 2개의 강제 배출 노즐(100)을 설치하는 대신에, 고압 노즐(18)을 설치하는 일 없이 기판 반송 방향으로 3개 이상의 강제 배출 노즐(100)을 소정 간격을 두고 연접시켜도 된다. Moreover, in the board | substrate conveyance direction, instead of providing two forced discharge nozzles 100 through the high pressure nozzle 18, 3 or more forced discharge | emission in the board | substrate conveyance direction without providing the high pressure nozzle 18. You may connect the nozzle 100 at predetermined intervals.

직수세 영역(203) 내에는, 수세 영역(202)로부터 직수세 영역(203) 내로 반입되어 온 수세 처리 후의 기판 W를, 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사시킨 자세로(기판 W의 앞측이 낮아지도록) 지지하여 직수세 영역(203) 내에 있어서 일방향으로 연속해서 수평 방향으로 반송하는 복수의 반송 롤러(도시하지 않음)와, 직수세 영역(203) 내를 수평 방향으로 반송되는 기판 W의 상·하 양면으로 각각 세정수를 토출하는 상부 스프레이 노즐(86) 및 하부 스프레이 노즐(88)을 구비하고 있다. 상부 스프레이 노즐(86) 및 하부 스프레이 노즐(88)은, 기판 반송 방향을 따라 또한 서로 평행하게 각각 복수개 설치되고, 각 스프레이 노즐(86, 88)에는, 기판 반송 방향으로 복수개의 토출구가 일렬로 설치되어 있다. 상부 스프레이 노즐(86) 및 하부 스프레이 노즐(88)에는, 순수(신수)의 공급원에 유로 접속된 순수 공급로(89)가 연통 접속되어 있으며, 이 직수세 영역(203)에서의 수세 처리에서는, 사용이 끝난 순수를 순환시킨 세정수를 사용하고 있지 않다. In the water washing area 203, the board | substrate W after the water washing process carried in from the water washing area 202 into the water washing area 203 is inclined in the direction orthogonal to a board | substrate conveyance direction with respect to a horizontal plane (substrate W A plurality of conveying rollers (not shown) supported in the direct washing region 203 and continuously conveyed in one direction in the horizontal direction in the direct washing region 203, and the substrate conveyed in the horizontal washing region 203 in the horizontal direction. The upper spray nozzle 86 and the lower spray nozzle 88 which discharge washing water to both the upper and lower sides of W are provided. A plurality of upper spray nozzles 86 and a lower spray nozzle 88 are respectively provided along the substrate conveyance direction and in parallel with each other, and each of the spray nozzles 86 and 88 is provided with a plurality of discharge ports in a line in the substrate conveyance direction. It is. The upper spray nozzle 86 and the lower spray nozzle 88 are connected to a pure water supply path 89 connected to a supply source of pure water (fresh water) in a water washing process in the direct water washing region 203. The washing water which circulated the used pure water is not used.

기판 W는, 직수세 영역(203) 내에 있어서 왕복 이동하거나 일시 정지하는 일 없이, 반송 롤러에 의해 예를 들면 9m/min~20m/min의 고속으로 반송된다. 또, 기판 W는, 기판 반송 방향에 있어서 예를 들면 1장분 정도의 간격을 두고 차례차례 직수세 영역(203) 내로 반입되어 온다. The board | substrate W is conveyed by the conveyance roller at high speed of 9 m / min-20 m / min, without reciprocating or pausing in the water washing region 203, for example. Moreover, the board | substrate W is carried in in the water washing area | region 203 one by one at intervals, for example about 1 sheet in a board | substrate conveyance direction.

직수세 영역(203) 내에서 직수세 처리를 끝낸 기판 W는, 반송 롤러에 의해 직수세 영역(203)의 기판 반출구를 통과하여 직수세 영역(203)의 후단측에 설치된 건조 처리부(도시하지 않음)에 반송되어 건조 처리된다. The board | substrate W which finished the direct washing process in the direct washing region 203 passes through the board | substrate export outlet of the direct washing region 203 with a conveyance roller, and is a drying process part provided in the rear end side of the direct washing region 203 (not shown). Is not returned) and is dried.

상기한 구성을 구비한 기판 세정 처리 장치에 있어서는, 칸막이판(118 및 120)에 의해 치환 수세 영역(201), 수세 영역(202) 및 직수세 영역(203)으로 획정된 단체의 수세 처리실(10)에 의해 약액 처리 후의 기판의 수세 처리가 완료되므로, 종래와 같이, 개별·별체의 치환 수세실, 수세실 및 직수세실 도합 3실분의 크기의 풋프린트를 필요로 하지 않아 장치 전체의 공간 절약화를 도모할 수 있으며, 또한 3실분의 전체 제조 코스트와 비교해서 제조 코스트의 저감화를 달성할 수 있다. In the substrate cleaning processing apparatus provided with the above-described configuration, the unit washing water treatment chamber 10 defined by the partition plates 118 and 120 into the replacement washing area 201, the washing area 202, and the direct washing area 203. Since the washing process of the substrate after the chemical liquid treatment is completed, the footprint of the size of each of the individual and separate replacement washing rooms, washing rooms, and direct washing rooms is not required. In addition, the manufacturing cost can be reduced compared with the total manufacturing cost for three rooms.

또한, 칸막이판(118 및 120)의 수세 처리실(10) 내의 기판 반송 방향에서의 설치 위치를 적절히 선택함으로써, 수세 처리실(10) 내의 기판 반송 방향에서의 치환 수세 영역(201), 수세 영역(202) 및 직수세 영역(203)의 길이 치수를 각각 원하는 치수로 간이하게 설정할 수 있음과 함께, 순환수 탱크(116)의 저류부(116a 및 116b)로의 수세 영역(202) 및 직수세 영역(203)으로부터의 사용이 끝난 세정수의 회수량 및 농도를 원하는 값으로 설정할 수 있다. In addition, by suitably selecting the installation position in the board | substrate conveyance direction of the partition boards 118 and 120 in the washing | cleaning process chamber 10, the substitution washing | cleaning area | region 201 and the washing | cleaning area | region 202 in the board | substrate conveyance direction in the washing process chamber 10 are shown. ) And the water washing area 202 and the water washing area 203 to the storage portions 116a and 116b of the circulating water tank 116 can be simply set to desired dimensions, respectively. The amount of recovery and the concentration of the used washing water from) can be set to a desired value.

또, 상기한 실시 형태에서는, 기판 W를 경사 자세로 지지하여 치환 수세 영역(201), 수세 영역(202), 직수세 영역(203)의 각 영역 내를 수평 방향으로 반송하도록 하고 있지만, 기판을 수평 자세로 지지하여 반송하도록 해도 된다. In addition, in the above-described embodiment, the substrate W is supported in an inclined posture, and the substrates are transported in the horizontal direction in the respective regions of the replacement water washing region 201, the water washing region 202, and the direct water washing region 203. You may carry it by supporting in a horizontal position.

또한, 이 발명은, 레지스트 박리 처리나 에칭 처리 외, 각종의 약액 처리를 행한 후의 기판의 수세 처리에 널리 적용할 수 있는 것이다. Moreover, this invention is widely applicable to the water washing process of the board | substrate after performing various chemical liquid processes other than a resist peeling process and an etching process.

1: 약액 처리부 3: 제2 수세부
4: 직수세부 5: 치환 수세부(제1 수세부)
10: 수세 처리실 12: 기판 반입구
16: 입구 노즐 18: 고압 노즐
18a: 직렬 고밀도 선형 스프레이 노즐 18b: 2유체 스프레이 노즐
20, 62: 하부 스프레이 노즐 22: 에어 노즐
24: 배액로 26: 후드
28: 배기관 30, 72, 80: 세정수 공급로
32, 78: 송액 펌프 34, 36: 에어 공급관
38: 약액 처리실 54: 제2 수세실
60, 62, 86, 88: 스프레이 노즐 64: 순환 배수로
68, 69: 순수 공급로 70: 직수세실
90: 배기관 92a: 스프레이 파이프
92b: 2유체 스프레이 헤더관 94a: 노즐부
94b: 2유체 노즐부 96: 에어 공급로
100: 강제 배출 노즐 104, 106: 기판 위치 센서
108: 제어 회로 116: 순환수 탱크
118, 120, 122: 칸막이판 200, 300: 기판 세정 처리 장치
201: 치환 수세 영역 202: 수세 영역
203: 직수세 영역 W: 기판
1: Chemical processing part 3: Second hand washing part
4: Direct washing part 5: Substituted washing part (1st washing part)
10: water washing processing chamber 12: substrate inlet
16: inlet nozzle 18: high pressure nozzle
18a: tandem high density linear spray nozzle 18b: two-fluid spray nozzle
20, 62: lower spray nozzle 22: air nozzle
24: drainage 26: hood
28: exhaust pipe 30, 72, 80: washing water supply passage
32, 78: liquid feed pump 34, 36: air supply line
38: chemical processing chamber 54: second wash chamber
60, 62, 86, 88: Spray Nozzle 64: Circulation Drain
68, 69: pure water supply 70: direct washroom
90: exhaust pipe 92a: spray pipe
92b: two-fluid spray header tube 94a: nozzle part
94b: two-fluid nozzle section 96: air supply passage
100: forced discharge nozzle 104, 106: substrate position sensor
108: control circuit 116: circulating water tank
118, 120, 122: partition plate 200, 300: substrate cleaning processing apparatus
201: substituted water washing region 202: water washing region
203: water washing area W: substrate

Claims (14)

기판 반송 방향에 있어서 치환 수세 영역, 수세 영역 및 직(直)수세 영역으로 이 순서대로 획정되어, 약액 처리 후의 기판에 대해 수세 처리를 행하는 수세 처리실과,
상기 치환 수세 영역 내에 설치되어 기판을 일방향으로 연속해서 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단과,
상기 기판 반송 수단에 의해 반송되는 기판의 주면으로 세정수를 공급하는 세정수 공급 수단을 구비한 기판 세정 처리 장치로서,
상기 세정수 공급 수단은,
상기 치환 수세 영역 내의 입구 부근에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 설치되어, 기판의 주면으로 세정수를 기판의 폭방향 전체에 걸쳐 토출하는 입구 노즐과,
상기 입구 노즐로부터 기판 반송 방향에서의 전방측에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 설치되어, 기판 상의 약액과 세정액의 혼합액이 기판 반송 방향에서의 전방측으로 유동하는 것을 막아 기판 상의 약액이 세정수로 급속히 치환되도록 기판의 주면으로 세정수를 고압으로 토출하는 고압 노즐과,
상기 치환 수세 영역 내에 있어서 상기 입구 노즐로부터 기판 반송 방향에서의 전방측이며 또한 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 설치되고, 고압의 세정수를 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출함으로써 기판 상에 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름을 형성하고, 당해 액흐름에 의해 기판 상에 잔류하는 약액과 세정수의 혼합액을 기판 상으로부터 강제적으로 배출하는 고압 배출 노즐과,
상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 배출 노즐로 세정액을 송액(送液)하는 송액 수단과,
상기 치환 수세 영역 내로 기판이 반입되기 전에 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 배출 노즐로부터의 세정수의 토출을 개시하고, 상기 치환 수세 영역 내로부터 기판이 반출된 후에 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 정지하도록 상기 송액 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하여 구성되고,
상기 입구 노즐로부터 기판 반송 방향에서의 전방측에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 설치되어, 기판에 약액과 세정액의 혼합액이 부착되어 치환 수세 영역 밖으로 반출되는 것을 저지하도록 기판의 주면으로 기체를 직하 방향 내지 기판 반송 방향에 대해 비스듬한 역방향으로 분출하는 기체 노즐과,
상기 치환 수세 영역의 내저부에 흘러 내린 세정수를 배출하는 배수 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
A washing process chamber which is defined in this order in the substitution washing region, the washing region and the direct washing region in the substrate conveyance direction, and performs washing with water on the substrate after chemical treatment;
A substrate conveying means provided in said substitution water washing region for conveying the substrate continuously in one direction in a horizontal direction;
A substrate cleaning processing apparatus comprising a washing water supplying means for supplying washing water to a main surface of a substrate conveyed by the substrate conveying means,
The washing water supply means,
An inlet nozzle disposed near the inlet in the substitution water washing region so as to intersect with the substrate conveyance direction and discharging the washing water over the entire width direction of the substrate to the main surface of the substrate;
It is provided on the front side in the substrate conveyance direction from the inlet nozzle so as to intersect with the substrate conveyance direction, and prevents the mixed liquid of the chemical liquid and the cleaning liquid on the substrate from flowing to the front side in the substrate conveyance direction so that the chemical liquid on the substrate is rapidly washed with the washing water. A high pressure nozzle for discharging the washing water at a high pressure to the main surface of the substrate so as to be replaced;
It is provided near the board | substrate near one edge of the board | substrate conveyed from the inlet nozzle in the board | substrate conveyance direction from the said inlet nozzle, and is conveyed in the said substitution water washing | cleaning area | region, and the high pressure wash water is carried out from the other end edge direction of a board | substrate to a board | substrate. By discharging toward the rear in the conveying direction, a liquid flow that flows in the direction of the other end of the substrate is formed on the substrate, and the liquid flow forces the liquid mixture of the chemical liquid and the washing water remaining on the substrate to be forcibly discharged from the substrate. With a high pressure discharge nozzle,
Liquid feeding means for feeding liquid to the inlet nozzle, the high pressure nozzle, and the high pressure discharge nozzle;
The discharge of the washing water from the inlet nozzle, the high pressure nozzle and the high pressure discharge nozzle is started before the substrate is brought into the replacement flush area, and after the substrate is discharged from the replacement flush area, the inlet nozzle and the high pressure nozzle are discharged. And control means for controlling the liquid feeding means to stop discharging of the washing water from the high pressure nozzle,
It is provided on the front side in the substrate conveyance direction from the inlet nozzle so as to intersect with the substrate conveyance direction, and the mixed liquid of the chemical liquid and the cleaning liquid adheres to the substrate to direct the gas to the main surface of the substrate so as to prevent the liquid from being taken out of the substitution water washing region. And a gas nozzle ejecting in a reverse direction oblique to the substrate conveyance direction,
And a drainage means for discharging the washing water flowing down the inner bottom portion of the substituted water washing region.
청구항 1에 있어서,
상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐, 상기 고압 배출 노즐 및 상기 기체 노즐이, 기판 반송 방향에서 이 순서대로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
The inlet nozzle, the high pressure nozzle, the high pressure discharge nozzle, and the gas nozzle are provided in this order in the substrate conveyance direction.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 입구 노즐이, 길이 방향을 따른 슬릿 형상 토출구를 가지고, 이 슬릿 형상 토출구로부터 기판의 주면으로 세정수를, 직하 방향에 대해 기판 반송 방향에서의 전방측으로 경사진 방향으로 커튼 형상으로 토출하는 슬릿 노즐인 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The inlet nozzle has a slit-shaped discharge port along the longitudinal direction and discharges the washing water from the slit-shaped discharge port to the main surface of the substrate in a curtain shape in a direction inclined to the front side in the substrate conveyance direction with respect to the direct direction. The substrate cleaning processing apparatus characterized by the above-mentioned.
청구항 1에 있어서,
상기 고압 노즐이, 기판 반송 방향에 대해 교차하는 방향으로 서로 근접하여 나란히 설치된 복수의 토출구를 가지고, 각 토출구로부터 각각 선상(扇狀)으로 세정수를 고압으로 토출하는 직렬 고밀도 선형(扇形) 스프레이 노즐인 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
The high pressure nozzle has a plurality of discharge ports provided in parallel with each other in a direction intersecting with the substrate conveyance direction, and a series high density linear spray nozzle for discharging washing water at a high pressure in a linear manner from each discharge port. The substrate cleaning processing apparatus characterized by the above-mentioned.
청구항 1에 있어서,
상기 고압 노즐이, 기판 반송 방향에 대해 교차하는 방향으로 서로 근접하여 나란히 설치된 복수의 토출구를 가지고, 각 토출구로부터 각각 기체의 압력으로 세정수를 미스트화하여 토출하는 2유체 스프레이 노즐인 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
The high-pressure nozzle is a two-fluid spray nozzle having a plurality of discharge ports provided in parallel with each other in a direction intersecting with the substrate conveyance direction, and misting the washing water at the pressure of the gas from each discharge port, respectively. Substrate cleaning processing apparatus.
청구항 1에 있어서,
상기 고압 노즐에, 그 토출구로부터 토출되는 세정수의 미스트가 비산되는 것을 방지하기 위한 후드가 부설된 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
And a hood for preventing the mist of the washing water discharged from the discharge port from scattering is attached to the high pressure nozzle.
청구항 6에 있어서,
상기 후드를 통하여 세정수의 미스트를 흡인하여 배출하는 미스트 흡인 장치가 병설된 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method of claim 6,
And a mist suction device for sucking and discharging mist of washing water through the hood.
청구항 1에 있어서,
기판 반송 방향에 대해 직교하는 방향으로 상기 고압 배출 노즐로부터 소정의 간격을 두고 적어도 또 다른 하나의 고압 배출 노즐이 연속 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
A substrate cleaning processing apparatus, characterized in that at least another high pressure discharge nozzle is continuously provided at a predetermined interval from the high pressure discharge nozzle in a direction orthogonal to the substrate conveyance direction.
청구항 1에 있어서,
상기 수세 영역 내에 기판을 일방향으로 연속해서 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단이 설치되고, 또한 상기 수세 영역 내에 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 제1 고압 배출 노즐이 설치됨과 함께, 당해 제1 고압 배출 노즐로부터 기판 반송 방향에 있어서 소정의 간격을 두고, 반송되는 기판의 일방측 끝가장자리 부근에서 기판에 근접하여 적어도 또 다른 하나의 제2 고압 배출 노즐이 설치되고, 당해 제1 및 제2 고압 배출 노즐로부터 고압의 세정수를 기판의 타방측 끝가장자리 방향 내지 기판 반송 방향 후방을 향해 토출함으로써 기판의 타방측 끝가장자리 방향으로 유동하는 액흐름을 기판 상에 형성하고, 당해 액흐름에 의해 기판 상의 잔류액을 강제적으로 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
The substrate conveying means which conveys a board | substrate continuously in a horizontal direction in one direction is provided in the said water washing | cleaning area, The 1st high pressure discharge nozzle is provided in proximity to a board | substrate near one end edge of the board | substrate conveyed in the said water washing area, At least another 2nd high pressure discharge nozzle is provided in proximity to a board | substrate near one edge of the board | substrate conveyed at predetermined intervals in a board | substrate conveyance direction from the said 1st high pressure discharge nozzle, and the said 1st And discharging the high pressure washing water from the second high pressure discharge nozzle toward the other end edge direction of the substrate to the rear of the substrate transfer direction to form a liquid flow on the other end edge direction of the substrate on the substrate. And forcibly draining the residual liquid on the substrate.
청구항 9에 있어서,
상기 수세 영역 내에, 기판 반송 방향에 있어서 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐의 사이에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 고압 노즐이 설치되고, 당해 고압 노즐로부터 기판의 주면으로 세정수를 고압으로 토출함으로써, 기판 상의 잔류액이 기판 반송 방향에 있어서의 전방측으로 유동하는 것을 막아 기판 상의 잔류액이 세정수로 급속히 치환되고,
상기 고압 노즐로부터 기판 반송 방향에서의 전방측에, 기판 반송 방향에 대해 교차하도록 기체 노즐이 설치되어, 당해 기체 노즐로부터 기판의 주면으로 기체를 직하 방향 내지 기판 반송 방향에 대해 비스듬한 역방향으로 분출함으로써, 기판 상의 부착액이 상기 수세 영역 밖으로 반출되는 것을 저지하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 9,
In the water washing region, a high pressure nozzle is provided between the first and second high pressure discharge nozzles in the substrate conveyance direction so as to intersect with the substrate conveyance direction, and the washing water is discharged at a high pressure from the high pressure nozzle to the main surface of the substrate. As a result, the residual liquid on the substrate is prevented from flowing to the front side in the substrate conveyance direction, and the residual liquid on the substrate is rapidly substituted with the washing water.
A gas nozzle is provided on the front side in the substrate conveyance direction from the high pressure nozzle so as to intersect with the substrate conveyance direction, and the gas is ejected from the gas nozzle to the main surface of the substrate in a direction reverse to the oblique direction with respect to the substrate conveyance direction, A substrate cleaning processing apparatus for preventing the adhesion liquid on the substrate from being carried out of the water washing region.
청구항 10에 있어서,
상기 송액 수단은, 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐과 상기 고압 노즐로 세정액을 송액하고,
상기 제어 수단은, 상기 수세 영역 내로 기판이 반입되기 전에 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐 및 상기 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 개시하고, 상기 수세 영역 내로부터 기판이 반출된 후에 상기 제1 및 제2 고압 배출 노즐 및 상기 고압 노즐로부터의 세정수의 토출을 정지하도록 상기 송액 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 10,
The liquid feeding means delivers the cleaning liquid to the first and second high pressure discharge nozzles and the high pressure nozzle,
The control means starts discharging the washing water from the first and second high pressure discharge nozzles and the high pressure nozzle before the substrate is brought into the water washing region, and after the substrate is taken out from the water washing region. And the liquid feeding means to stop the discharge of the second high pressure discharge nozzle and the washing water from the high pressure nozzle.
청구항 1에 있어서,
상기 수세 영역 및 상기 직수세 영역에 있어서 사용되고 회수된 세정수의 일부가, 상기 치환 수세 영역 내에 설치된 상기 입구 노즐, 상기 고압 노즐 및 상기 고압 배출 노즐로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
A part of the washing water used and recovered in the water washing area and the direct water washing area is supplied to the inlet nozzle, the high pressure nozzle, and the high pressure discharge nozzle provided in the replacement water washing area.
청구항 12에 있어서,
상기 송액 수단은, 제1 및 제2 저류부에 획정되는 순환수 탱크를 구비하고,
당해 제1 저류부로 상기 수세 영역에 의해 획정되는 상기 수세 처리실로부터의 사용이 끝난 세정수가 회수되고, 당해 제2 저류부로 상기 직수세 영역에 의해 획정되는 상기 수세 처리실로부터의 사용이 끝난 세정수가 회수되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method of claim 12,
The said liquid supply means is equipped with the circulating water tank defined in a 1st and 2nd storage part,
The used washing water from the water washing chamber defined by the water washing zone is recovered to the first reservoir, and the used washing water from the washing water treatment chamber defined by the direct washing zone is recovered to the second reservoir. The substrate cleaning processing apparatus characterized by the above-mentioned.
청구항 1에 있어서,
상기 수세 처리실 내에 있어서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 제1 및 제2 칸막이 부재가 설치되어, 당해 제1 칸막이 부재에 의해 상기 치환 수세 영역과 상기 수세 영역이 획정되고, 상기 제2 칸막이 부재에 의해 상기 수세 영역과 상기 직수세 영역이 획정되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 처리 장치.
The method according to claim 1,
First and second partition members extending in the direction intersecting with the substrate conveyance direction are provided in the water washing treatment chamber, and the replacement water washing region and the water washing region are defined by the first partition member, and the second partition member The water washing region and the direct water washing region are defined by the substrate cleaning processing apparatus.
KR1020100110982A 2010-03-18 2010-11-09 Substrate cleaning apparatus KR101073340B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-062152 2010-03-18
JP2010062152A JP2011198892A (en) 2010-03-18 2010-03-18 Substrate cleaning processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110105327A KR20110105327A (en) 2011-09-26
KR101073340B1 true KR101073340B1 (en) 2011-10-14

Family

ID=44602521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100110982A KR101073340B1 (en) 2010-03-18 2010-11-09 Substrate cleaning apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2011198892A (en)
KR (1) KR101073340B1 (en)
CN (1) CN102194657B (en)
TW (1) TWI428969B (en)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103065994B (en) * 2011-10-19 2015-01-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Device for cleaning silicon chip and method for cleaning silicon chip utilizing the same
DE102011118441B8 (en) * 2011-11-12 2018-10-04 RENA Technologies GmbH Plant and method for the treatment of flat substrates
KR101405668B1 (en) * 2011-12-22 2014-06-10 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 Application apparatus
JP2015023138A (en) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ Spinner cleaning apparatus
KR102250366B1 (en) * 2014-05-28 2021-05-12 세메스 주식회사 Apparatus and method for processing substrate
KR102239520B1 (en) * 2014-05-30 2021-04-14 세메스 주식회사 Apparatus and method for processing substrate
CN104588351A (en) * 2014-12-02 2015-05-06 深圳市华星光电技术有限公司 Substrate cleaning device and method for cleaning substrate using the same
KR20160125585A (en) * 2015-04-21 2016-11-01 삼성전자주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
CN105618414A (en) * 2016-03-15 2016-06-01 李赵和 Double-end cleaning gun of semiconductor silicon wafer cleaning machine
JP2018065109A (en) * 2016-10-20 2018-04-26 東京応化工業株式会社 Washing equipment and washing method
CN108620239A (en) * 2017-03-24 2018-10-09 北京淘氪科技有限公司 Nozzle and apply its non-maintaining electrostatic cleaning systems of self-cleaning
WO2018216612A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 シャープ株式会社 Apparatus for treating substrate
CN107224879A (en) * 2017-06-30 2017-10-03 河南新投环保科技股份有限公司 A kind of Flat Membrane swab
JP6865402B2 (en) * 2017-07-10 2021-04-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 Cleaning method and cleaning equipment
CN107552522A (en) * 2017-09-05 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 A kind of water washing device and method for washing of wet method stripping machine
CN108325900B (en) * 2017-09-19 2021-02-02 福建晟哲自动化科技有限公司 Liquid crystal display panel cleaning equipment
CN107755346B (en) * 2017-10-31 2024-02-27 上海格尔恒精材料科技有限公司 Efficient workpiece surface cleaning system and cleaning method thereof
JP7038524B2 (en) * 2017-11-14 2022-03-18 東京エレクトロン株式会社 Cleaning equipment and cleaning method for substrate processing equipment
CN108526097A (en) * 2018-04-28 2018-09-14 武汉华星光电技术有限公司 Substrate cleaning apparatus
CN110052449B (en) * 2019-05-24 2024-07-05 深圳市山木电子设备有限公司 Suction nozzle cleaning machine
CN111463152B (en) * 2020-04-17 2023-03-14 重庆芯洁科技有限公司 High-pressure washing equipment for semiconductor substrate and using method thereof
CN112992731A (en) * 2021-02-05 2021-06-18 昆山基侑电子科技有限公司 Wafer reciprocating circulation cleaning equipment
TWI811885B (en) * 2021-12-10 2023-08-11 力晶積成電子製造股份有限公司 Cleaning apparatus and cleaning method
JP7451781B2 (en) 2022-03-18 2024-03-18 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3552187B2 (en) * 1997-04-07 2004-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and method
JP3695917B2 (en) * 1997-11-27 2005-09-14 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011198892A (en) 2011-10-06
CN102194657A (en) 2011-09-21
TWI428969B (en) 2014-03-01
CN102194657B (en) 2013-06-05
TW201135819A (en) 2011-10-16
KR20110105327A (en) 2011-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101073340B1 (en) Substrate cleaning apparatus
JP5290081B2 (en) Substrate processing equipment
TWI441275B (en) Substrate processing device
TWI424517B (en) Substrate processing device
JP2015099919A (en) Substrate cleaning device
JP5965304B2 (en) Coating device
CN101219427A (en) Substrate processing device
JP2005197487A (en) Substrate treatment equipment
JP2009178672A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR101086517B1 (en) Apparatus for treating a substrate
JP2006278606A (en) Apparatus and method for processing substrate
JP4861970B2 (en) Substrate processing equipment
JP4138504B2 (en) Substrate processing equipment
JP2007266545A (en) Substrate treatment equipment
JP2011129758A (en) Substrate processing device
JP2006019525A (en) Substrate processing device
JP2010131485A (en) Device and method for draining liquid on substrate
JP2010103383A (en) Substrate processing apparatus
JP2006255590A (en) Substrate treatment apparatus
JP5202400B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009032868A (en) Substrate processing apparatus
JP2008227195A (en) Liquid processing unit
KR20060051344A (en) Apparatus for treating substrates
WO2014069577A1 (en) Plate glass washing device and plate glass washing method
US20180324954A1 (en) Treatment fluid extracting device and etching device comprising the latter

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140923

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150917

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160921

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee