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KR101043397B1 - Stripping composition for removing color resist of tft-lcd manufacturing process - Google Patents

Stripping composition for removing color resist of tft-lcd manufacturing process Download PDF

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KR101043397B1
KR101043397B1 KR1020030046979A KR20030046979A KR101043397B1 KR 101043397 B1 KR101043397 B1 KR 101043397B1 KR 1020030046979 A KR1020030046979 A KR 1020030046979A KR 20030046979 A KR20030046979 A KR 20030046979A KR 101043397 B1 KR101043397 B1 KR 101043397B1
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South Korea
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color resist
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ether
amine
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KR1020030046979A
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Inventor
윤석일
김성배
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주식회사 동진쎄미켐
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Publication date
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Abstract

본 발명은 티에프티 엘시디 제조 공정의 칼라 레지스트 제거용 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 티에프티 엘시디의 칼라필터 공정 중 발생하는 불량의 기판을 재사용하기 위해 칼라레지스트 패턴을 제거하기 위한 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a stripping liquid composition for removing color resist of a TFT LCD process, and more particularly, to a stripping solution for removing a color resist pattern in order to reuse a defective substrate generated during a color filter process of a TFT LCD. It relates to a composition.

본 발명의 박리액 조성물은 칼라레지스트 패턴의 제거가 곤란하여 대부분 폐기되었던 칼라필터 기판을 재사용하게 되어 생산수율을 크게 향상시킬 수 있어 경제적이다.The stripper composition of the present invention is difficult to remove the color resist pattern to reuse the color filter substrate which was mostly discarded, so that the production yield can be greatly improved and economical.

칼라 레지스트, 박리액 Color resist, stripping solution

Description

티에프티 엘시디 제조 공정의 칼라 레지스트 제거용 박리액 조성물{STRIPPING COMPOSITION FOR REMOVING COLOR RESIST OF TFT-LCD MANUFACTURING PROCESS}Stripping liquid composition for removal of color resist of TFC manufacturing process {STRIPPING COMPOSITION FOR REMOVING COLOR RESIST OF TFT-LCD MANUFACTURING PROCESS}

도 1은 실시예 5 및 비교예 1의 칼라레지스트 박리액 조성물의 온도를 60 ℃로 하여 칼라레지스트 제거성능을 비교한 주사전자현미경(히다찌사, 모델명; S-4100) 사진을 나타낸 것이다.1 is a scanning electron microscope (Hitachi Corporation, model name; S-4100) photographs comparing the color resist removal performance of the color resist stripper composition of Example 5 and Comparative Example 1 at 60 ° C.

본 발명은 티에프티 엘시디(TFT-LCD)용 칼라 레지스트를 제거하기 위한 박리액 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 칼라필터 공정 중에서 발생하는 불량 기판의 칼라레지스트만을 제거하여 블랙마스크(Black Mask) 또는 유리기판을 재사용하게 하기 위한 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트를 제거하기 위한 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a stripper composition for removing a color resist for TFT-LCD, and more particularly, a black mask or a black mask by removing only a color resist of a defective substrate generated during a color filter process. The present invention relates to a stripper composition for removing a color resist for TFT LCD to reuse a glass substrate.

칼라필터 기판은 칼라필터 적,녹,청 패턴과 각 화소 사이의 누설광을 차단하고 대비를 향상시키기 위한 역할을 하는 블랙 매트릭스, 그리고 액정셀에 전압을 인가하는 공통전극으로 구성되어 있다. 칼라필터를 만드는 공정은 다음과 같다. The color filter substrate is composed of a color filter red, green, and blue pattern, a black matrix that serves to block leakage light between each pixel and improve contrast, and a common electrode that applies a voltage to the liquid crystal cell. The process of making a color filter is as follows.                         

용도에 따라 유리기판 위에 블랙매트릭스 재료로 사용되는 Cr/CrOx 또는 유기재료를 유리기판에 도포하고 패턴을 형성한다. 블랙 마스크 패턴을 형성한 후 색상 구현을 위한 칼라 레지스트 패턴은 사진공정기술에 의해 형성된다. 칼라레지스트를 유리기판 위에 도포하고 노광시켜, 광중합반응에 의하여 칼라레지스트를 경화시킨다. 노광이 끝난 후 칼라레지스트는 현상에 의해 노광되지 않은 부분이 제거되고, 소성과정을 거치게 된다.Depending on the application, Cr / CrOx or an organic material, which is used as a black matrix material, is coated on the glass substrate to form a pattern. After forming a black mask pattern, a color resist pattern for color realization is formed by a photolithography technique. The color resist is applied onto a glass substrate and exposed to light to cure the color resist by photopolymerization. After the exposure is completed, the color resist is removed by the development to remove the unexposed areas and undergoes a calcination process.

칼라레지스트는 안료분산법, 염색법, 전착법 등에 의해 제조되며 이 중 안료 분산법이 주로 사용된다. 일반적으로 칼라레지스트에는 포토레지스트와 같은 감광 조성물인 광중합개시제, 단량체, 바인더 등에 색상을 구현하는 유기 안료가 분산되어 있다. 상기 광중합개시제는 빛을 받아 라디칼을 발생시키는 고감도 화합물이며, 단량체는 라디칼에 의하여 중합반응 개시 후 고분자 형태로 결합되어 현상 용제에 녹지않는 형태가 된다. 바인더는 상온에서 액체 상태의 단량제를 현상액으로부터 보호하며, 안료 분산의 안정화 및 적,녹,청 패턴의 내열성, 내광성, 내약품성 등의 신뢰성을 좌우한다.The color resist is produced by a pigment dispersion method, a dyeing method, an electrodeposition method, etc. Among these, a pigment dispersion method is mainly used. In general, an organic pigment that implements color is dispersed in a color resist such as a photopolymerization initiator, a monomer, a binder, and the like that are photosensitive compositions. The photoinitiator is a highly sensitive compound that receives light to generate radicals, and the monomer is bonded to a polymer after initiation of the polymerization reaction by radicals, thereby insoluble in the developing solvent. The binder protects the liquid monomer from the developer at room temperature, and stabilizes the dispersion of the pigment and determines the reliability of heat resistance, light resistance, chemical resistance, and the like of the red, green, and blue patterns.

현재 칼라필터 공정에서 발생되는 불량 칼라필터 기판의 칼라레지스트는 한번 경화되면, 패턴이 잘못된 부분만을 제거하여 수리하는 것이 거의 불가능하며, 또한 칼라레지스트를 제거할 수 있는 용제가 거의 없었기 때문에 불량 칼라필터는 수리 등의 재작업을 거치지 않고 바로 대부분 폐기처리되고 있다.Bad color filter generated in the current color filter process Once the color resist of the substrate is cured, it is almost impossible to repair by removing only the wrong part of the pattern, and since there is little solvent that can remove the color resist, the bad color filter is Most of them are disposed of immediately without rework.

칼라레지스트는 네가티브형 특성을 갖고 있는데, 일반적으로 네가티브형 레지스트의 경우 포지티브형에 비해 박리제거가 어렵다. 그렇기 때문에, 네가티브형 레지스트는 강력한 박리 성능이 요구되었으며, 이런 이유로 종래에는 무기계 박리액과 플라즈마를 이용한 RIE(reactive ion etching)을 사용하였다. 무기계 박리액의 경우, 황산, 질산, 발연황산, 질산과 과산화수소의 혼합액 등을 120 ℃ 이상의 고온으로 가열하여 사용하게 되면, 작업자들의 안정성에 악영향을 미칠뿐 아니라 가열에 따른 화재위험성 증대로 취급시에 세심한 주의를 요해야만 하는 불편함이 있다. 상기 무기계 박리액에 대한 구체적인 예를 들면, 알킬벤젠술폰산과 비점이 150 ℃이상인 비할로겐화 방향족 탄화수소계 용제의 혼합액이 일본특허공개공보 소51-72503호에, 알킬아릴술폰산과 수성 방향족술폰산, 비할로겐화 방향족 탄화수소계 용제의 혼합액이 미국특허 제4,165,294호에, 유기술폰산과 1,2-디하이드록시벤젠에 극성 또는 비극성 유기용제를 첨가한 스트리퍼가 유럽특허 공보 제0119337호에 각각 개시되어 있다.The color resist has negative characteristics, and in general, the negative resist is more difficult to peel off than the positive type. For this reason, the negative type resist required strong peeling performance, and for this reason, conventionally, reactive ion etching (RIE) using an inorganic stripping solution and plasma was used. In the case of the inorganic stripping solution, when sulfuric acid, nitric acid, fuming sulfuric acid, a mixture of nitric acid and hydrogen peroxide are heated to a high temperature of 120 ° C. or higher, it not only adversely affects the safety of workers but also increases the risk of fire caused by heating. There is discomfort that requires careful attention. As a specific example of the inorganic stripping solution, a mixture of alkylbenzene sulfonic acid and a non-halogenated aromatic hydrocarbon solvent having a boiling point of 150 ° C. or higher is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 51-72503, and alkylarylsulfonic acid, aqueous aromatic sulfonic acid, and non-halogenated solution. A mixture of aromatic hydrocarbon solvents is disclosed in US Pat. No. 4,165,294, and strippers in which polar or nonpolar organic solvents are added to eutectic acid and 1,2-dihydroxybenzene are disclosed in European Patent Publication No. 0119337, respectively.

플라즈마를 이용한 RIE(reactive ion etching)을 이용한 방법의 경우, 일반적인 습식에칭으로는 제거가 불가능한 경화된 칼라레지스트의 에칭은 O2-RIE, SF6 -RIE를 연속적으로 사용하여 제거하는 방법이 미국특허 제5,756,239호에, 흡수층으로 폴리에스터, 폴리아미드, 노블락 레진을 사용하고 장벽층으로는 폴리실란, 폴리실록산, 유기실리콘 화합물, 실리카, 실리콘 니트리드의 혼합물을 사용하는 경화된 칼라레지스트를 흡수층은 산소를 이용한 플라즈마로 장벽층은 육불화황이나 삼불화질소를 이용한 RIE를 사용하는 방법이 미국특허 제5,059,500호에 각각 개시되어 있다. 그러나 이러한 플라즈마를 이용한 칼라필터의 에칭은 고진공, 고에너지가 필 요하며, 공정조건을 잡기가 어려우며, 대면적에는 사용하기 어렵다는 점과 장비의 고가 등과 같은 단점을 가지고 있다.In the case of a method using reactive ion etching (RIE) using plasma, the etching of the cured color resist which cannot be removed by general wet etching is a method of continuously removing by using O 2 -RIE and SF 6 -RIE. 5,756,239, a cured color resist using polyester, polyamide, and noblock resin as an absorbent layer and a mixture of polysilane, polysiloxane, organosilicon compound, silica, and silicon nitride as the barrier layer. As a barrier layer using a plasma, a method using RIE using sulfur hexafluoride or nitrogen trifluoride is disclosed in US Pat. No. 5,059,500, respectively. However, the etching of the color filter using plasma requires high vacuum and high energy, it is difficult to set the process conditions, and it is difficult to use in a large area and has the disadvantages such as the high cost of equipment.

상기의 종래기술의 예에서 알 수 있듯이, 종래의 칼라레지스트 제거방법으로는 안정적으로 대량의 칼라레지스트를 제거하는 것이 곤란하기 때문에 작업자들의 안전성이 문제되거나, 생산성 또는 수율이 떨어지는 문제점이 있다.As can be seen in the above example of the prior art, it is difficult to remove a large amount of color resist stably in the conventional color resist removal method, there is a problem that the safety of workers, productivity or yield is low.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자, 칼라레지스트 패턴의 제거가 곤란하여 대부분 폐기되었던 불량의 칼라필터 기판을 재사용하여 생산수율을 향상시킬 수 있는 티에프티 엘시디의 칼라필터 제조 공정 중에 사용되는 칼라레지스트를 제거하기 위한 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention is to solve the problems in the prior art as described above, it is difficult to remove the color resist pattern, the color filter manufacturing of the TFT LCD can improve the production yield by reusing the defective color filter substrate that was mostly discarded An object of the present invention is to provide a peeling liquid composition for removing a color resist used during the process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은In order to achieve the above object, the present invention

(a) 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드 1 ∼ 10 중량%,(a) 1 to 10% by weight of inorganic alkali hydroxide or alkyl ammonium hydroxide,

(b) 디메틸설폭사이드 40 ∼ 95 중량%, 및(b) 40-95 wt% of dimethyl sulfoxide, and

(c) 물 4 ∼ 50 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼라 필터 재사용을 위한 박리액 조성물을 제공한다.(c) 4 to 50% by weight of water provides a stripper composition for color filter reuse.

바람직하기로는, 본 발명의 조성물은 (d) 수용성 아민 화합물, N-알킬-2-피롤리돈, 디알킬렌 글리콜 에테르, 무기 알칼리 아세테이트, 및 알칸올 아민으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 전체 박리액 조성물 100 중량부에 대하여 0.05 내지 111 중량부로 추가로 더욱 포함할 수 있다.Preferably, the composition of the present invention is at least one compound selected from the group consisting of (d) water-soluble amine compounds, N-alkyl-2-pyrrolidone, dialkylene glycol ethers, inorganic alkali acetates, and alkanol amines It may be further included in 0.05 to 111 parts by weight based on 100 parts by weight of the total peeling liquid composition.

이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 티에프티 엘시디의 칼라필터 공정 중 발생하는 불량의 기판을 재사용하기 위해 칼라레지스트 패턴을 제거하기 위한 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a stripper composition for removing a color resist pattern in order to reuse a defective substrate generated during the color filter process of TF LCD.

본 발명의 칼라 필터 기판의 재사용을 위한 박리액 조성물은 a) 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드를 포함한다. 칼라필터 공정의 경우 잔류 금속에 큰 영향을 받지 않으므로 무기계 알칼리 하이드록사이드의 사용이 가능한 것이다. 상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 안정하지 못하므로 물에 녹아있는 상태를 사용하는 것이 바람직하다.The stripper composition for reuse of the color filter substrate of the present invention comprises a) an inorganic alkali hydroxide or an alkyl ammonium hydroxide. In the case of the color filter process, inorganic alkali hydroxides can be used since they are not significantly affected by residual metals. Since the alkyl ammonium hydroxide is not stable, it is preferable to use a dissolved state in water.

상기 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드 성분의 함량은 전체 조성물에 대하여 1 ∼ 10 중량%가 바람직하다. 상기 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드의 함량이 1 중량% 미만이면 칼라레지스트를 구성하는 고분자 성분으로의 침투능력이 떨어져 칼라레지스트를 완전하게 제거하기 어렵고, 10 중량%를 초과하면 팽윤 현상만 심해지고 칼라레지스트의 고분자 성분에 대한 용해성능이 저하된다.The content of the inorganic alkali hydroxide or alkyl ammonium hydroxide component is preferably 1 to 10% by weight based on the total composition. When the content of the inorganic alkali hydroxide or alkyl ammonium hydroxide is less than 1% by weight, it is difficult to completely remove the colorresist due to poor penetration into the polymer component constituting the colorresist, and when it exceeds 10% by weight, swelling phenomenon. It is severe and the solubility of the color resist in the polymer component is reduced.

상기 무기 알칼리 하이드록사이드는 나트륨하이드록사이드, 및 포타슘하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 1 종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 트리메틸벤질 암모 늄 하이드록사이드, 및 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 1 종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.The inorganic alkali hydroxide is preferably used by selecting one or more from the group consisting of sodium hydroxide and potassium hydroxide. The alkyl ammonium hydroxide is at least one selected from the group consisting of tetraethyl ammonium hydroxide, tetramethyl ammonium hydroxide, tetrabutyl ammonium hydroxide, trimethylbenzyl ammonium hydroxide, and ammonium hydroxide It is preferable to use.

또한, 본 발명의 칼라레지스트를 제거하기 위한 박리액 조성물은 b) 디메틸설폭사이드를 포함한다. 상기 디메틸설폭사이드는 칼라레지스트를 이루고 있는 고분자에 침투하고 칼라레지스트를 유리기판으로부터 분리하는 역할을 한다. 본 발명의 박리액 조성물에서 디메틸설폭사이드의 함량은 전체 조성물에 대하여 40 ∼ 95 중량%가 바람직하다. 상기 디메틸설폭사이드의 함량이 40 중량% 미만이면 칼라레지스트로의 침투력이 약해져 완전하게 제거되지 못하는 문제점이 있고, 95 중량%를 초과하면 칼라레지스트 박리액 조성물의 점도와 어는점을 상승시켜 사용시 편리성을 저하시키는 문제점이 있다.In addition, the stripper composition for removing the color resist of the present invention includes b) dimethyl sulfoxide. The dimethyl sulfoxide penetrates into the polymer constituting the color resist and serves to separate the color resist from the glass substrate. The content of dimethyl sulfoxide in the stripper composition of the present invention is preferably 40 to 95% by weight based on the total composition. If the content of the dimethyl sulfoxide is less than 40% by weight, there is a problem in that the penetration into the color resist is weak and cannot be completely removed. If the content of the dimethyl sulfoxide is more than 95% by weight, the viscosity and freezing point of the color resist stripper composition are increased to increase convenience. There is a problem of deterioration.

본 발명의 칼라레지스트를 제거하기 위한 박리액 조성물에 있어서, c) 물은 필수성분으로서, 이온교환수지를 통해 여과한 순수를 사용하는 것이 바람직하며, 비저항이 18메가오옴(㏁) 이상인 초순수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.In the stripper composition for removing the color resist of the present invention, c) water is an essential ingredient, preferably using pure water filtered through an ion exchange resin, and using ultrapure water having a specific resistance of 18 megaohms or more. More preferably.

상기 물의 함량은 전체 조성물에 대하여 4 ∼ 50 중량%가 바람직하다. 상기 물의 함량이 4 중량% 미만이면 알킬 암모늄 하이드록사이드를 활성화시키지 못해 칼라레지스트로의 침투력이 약해지며, 물의 함량이 50 중량%를 초과하면 공정온도에서 물의 증발로 인한 조성의 변화가 심해 라이프 타임(Life Time)의 저하가 나타난다는 문제점이 있다.The water content is preferably 4 to 50% by weight based on the total composition. If the water content is less than 4% by weight, the alkylammonium hydroxide is not activated, so the penetration into the color resist is weakened.If the water content is more than 50% by weight, the composition change due to the evaporation of water at the process temperature is severe. There is a problem that a decrease in (Life Time) appears.

또한, 본 발명의 칼라레지스트를 제거하기 위한 박리액 조성물은 d) 수용성 아민 화합물, N-알킬-2-피롤리돈, 디알킬렌 글리콜 에테르, 무기 알칼리 아세테이트, 및 알칸올 아민으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 전체 박리액 조성물 100 중량부에 대하여 0.05 내지 111 중량부로 추가로 더욱 포함할 수 있다.In addition, the stripper composition for removing the color resist of the present invention is selected from the group consisting of d) a water-soluble amine compound, N-alkyl-2-pyrrolidone, dialkylene glycol ether, inorganic alkali acetate, and alkanol amine. The compound may be further selected from 0.05 to 111 parts by weight based on 100 parts by weight of the total stripping liquid composition.

상기 수용성 아민 화합물은 박리액 조성물의 성능을 향상시키기 위하여 사용할 수 있다. 상기 수용성 아민 화합물은 수용성 하이드록실 아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 하이드록실 아민은 물의 수소이온과 반응하여 발생된 수산화 이온이 칼라레지스트와 기판 사이의 접촉면으로 효과적으로 침투하게 하는 기능을 발휘하게 하며, 고분자를 용해시키고 고분자와 안료의 접합제를 녹여내는 기능이 있다. 상기 하이드록실 아민은 50% 수용액 상태의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 수용성 아민 화합물의 사용 함량은 전체 박리액 조성물 100 중량부에 대하여 2 ∼ 20 중량부가 바람직하다. 상기 수용성 아민 화합물의 함량이 2 중량부 미만이면 칼라레지스트를 완전하게 제거하기 어렵고, 20 중량부를 초과하면 하부막질에 대한 부식성이 커지는 문제점이 있다.The said water-soluble amine compound can be used in order to improve the performance of a peeling liquid composition. It is preferable to use a water-soluble hydroxyl amine compound as said water-soluble amine compound. The hydroxyl amine exerts a function of effectively penetrating the hydroxide ions generated by reacting with the hydrogen ions of water into the contact surface between the color resist and the substrate, and dissolves the polymer and dissolves the binder of the polymer and the pigment. . It is preferable to use the hydroxyl amine in the state of 50% aqueous solution. The use amount of the water-soluble amine compound is preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total stripper composition. If the content of the water-soluble amine compound is less than 2 parts by weight, it is difficult to completely remove the color resist, and if it exceeds 20 parts by weight, there is a problem in that the corrosiveness to the underlying film becomes large.

본 발명에 따른 칼라레지스트 박리액 조성물에 있어서, 성능을 향상시키기 위하여 상기 N-알킬-2-피롤리돈을 사용할 수도 있으며, N-알킬-2-피롤리돈은 고분자를 용해시키고 팽윤시키는 기능이 있다. 상기 N-알킬-2-피롤리돈의 함량은 전체 박리액 조성물 100 중량부에 대하여 2 ∼ 20 중량부가 바람직하다. 상기 N-알킬-2-피롤리돈의 함량이 2 중량부 미만이면 칼라레지스트로의 구성성분인 고분자에 대한 용해력이 떨어지게 되고, 20 중량부를 초과하면 타 성분의 함량이 줄어들게 되어 칼라레지스트로의 침투력을 약화시키는 문제점이 있다. In the color resist stripper composition according to the present invention, the N-alkyl-2-pyrrolidone may be used to improve performance, and N-alkyl-2-pyrrolidone has a function of dissolving and swelling a polymer. have. The content of the N-alkyl-2-pyrrolidone is preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total stripper composition. When the content of the N-alkyl-2-pyrrolidone is less than 2 parts by weight, the dissolving power for the polymer, which is a component of the color resist, is reduced. There is a problem of weakening.                     

상기 N-알킬-2-피롤리돈은 N-에틸-2-피롤리돈, 및 N-메틸-2-피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.The N-alkyl-2-pyrrolidone is preferably used by selecting one or more from the group consisting of N-ethyl-2-pyrrolidone and N-methyl-2-pyrrolidone.

본 발명에 따른 칼라레지스트 박리액 조성물은 성능을 향상시키기 위하여 디알킬렌글리콜에테르를 사용할 수 있으며, 디알킬렌글리콜에테르는 유리기판으로부터 칼라레지스트를 벗겨내는 특징이 있고 고분자에 침투하고 고분자와 안료입자의 접합제를 용해하는 역할을 한다. 상기 디알킬렌글리콜에테르의 함량은 전체 박리액 조성물 100 중량부에 대하여 2 ∼ 50 중량부가 바람직하다. 상기 디알킬렌글리콜에테르의 함량이 2 중량부 미만이면 칼라레지스트의 용해 능력이 저하되고, 50 중량부를 초과하면 디메틸설폭사이드의 함량이 줄어들게 되어 침투력이 약해지게 된다.The color resist stripper composition according to the present invention may use a dialkylene glycol ether to improve the performance, the dialkylene glycol ether is characterized by peeling the color resist from the glass substrate, penetrates into the polymer and polymer and pigment particles It serves to dissolve the binder. The content of the dialkylene glycol ether is preferably 2 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the total stripper composition. When the content of the dialkylene glycol ether is less than 2 parts by weight, the dissolving ability of the color resist is lowered. When the content of the dialkylene glycol ether is more than 50 parts by weight, the content of dimethyl sulfoxide is reduced, and the penetration force is weakened.

상기 디알킬렌글리콜에테르는 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 및 디프로필렌글리콜모노에틸에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.The dialkylene glycol ether is diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diacetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol It is preferred to use one or more selected from the group consisting of monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monoethyl ether.

또한, 본 발명에 따른 칼라레지스트 박리액 조성물에 있어서, 성능을 향상시키기 위하여 무기 알칼리 아세테이트를 사용할 수 있으며, 무기 알칼리 아세테이트는 고분자 또는 염료에 침투하여 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 알킬아릴 암모늄 하이드록사이드의 기능을 향상시키는 기능이 있다. 상기 무기 알칼리 아세테이트의 함량은 전체 박리액 조성물 100 중량부에 대하여 0.05 ∼ 1 중량부가 바람직하 다. 상기 무기 알칼리 아세테이트 함량이 0.05 중량부 미만이면 칼라레지스트구성 성분인 고분자로의 침투능력에 대한 기능 향상을 기대할 수 없으며, 1 중량부를 초과하면 본 조성중 물의 중량부에 대한 무기 알칼리 아세테이트의 용해력이 떨어져 석출을 초래하는 문제점이 있다.In addition, in the color resist stripper composition according to the present invention, an inorganic alkali acetate may be used to improve performance, and the inorganic alkali acetate penetrates into a polymer or a dye to form an alkyl ammonium hydroxide and an alkylaryl ammonium hydroxide. There is a function to improve the function. The content of the inorganic alkali acetate is preferably 0.05 to 1 parts by weight based on 100 parts by weight of the total stripper composition. If the inorganic alkali acetate content is less than 0.05 parts by weight can not be expected to improve the ability to penetrate into the polymer of the color resist constituent component, if the content exceeds 1 parts by weight of the inorganic alkali acetate to the weight part of water in the present composition is precipitated There is a problem that causes.

상기 무기알칼리 아세테이트는 포타슘 아세테이트, 및 나트륨 아세테이트로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.The inorganic alkali acetate is preferably used one or more selected from the group consisting of potassium acetate, and sodium acetate.

본 발명에 따른 칼라레지스트 박리액 조성물에 있어서, 성능을 향상시키기 위하여 알칸올 아민을 사용할 수 있으며, 알칸올 아민은 감광성 화합물에 대한 용해력이 우수하여 고분자사이에 알킬 암모늄 하이드록사이드의 침투가 쉽도록 도와주는 역할을 하며 고분자와 안료의 접합제를 녹이는 기능도 있다. 상기 알칸올 아민의 함량은 전체 박리액 조성물 100 중량부에 대하여 2 ∼ 20 중량부가 바람직하다. 상기 알칸올 아민의 함량이 2 중량부 미만이면 감광성화합물 및 접합제를 녹이는 기능이 떨어져 기능향상을 기대할 수 없으며, 20 중량부를 초과하면 타 성분의 함량이 줄어들게 되어 칼라레지스트 제거 성능에 안 좋은 영향을 미치게 되는 문제점이 있다.In the color resist stripper composition according to the present invention, an alkanol amine may be used to improve performance, and the alkanol amine has excellent solubility in photosensitive compounds to facilitate penetration of alkyl ammonium hydroxide between polymers. It also helps to dissolve the binder of polymer and pigment. The content of the alkanol amine is preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total stripper composition. If the content of the alkanol amine is less than 2 parts by weight, the function of dissolving the photosensitive compound and the binder is poor, and thus the functional improvement cannot be expected. There is a problem going crazy.

상기 알칸올 아민은 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민, 메틸 에탄올 아민, 에틸 에탄올 아민, 디메틸 에탄올 아민, 디에틸 에탄올 아민, 및 아미노 에톡시 에탄올로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.The alkanol amine may be selected from one or more selected from the group consisting of monoethanol amine, diethanol amine, triethanol amine, methyl ethanol amine, ethyl ethanol amine, dimethyl ethanol amine, diethyl ethanol amine, and amino ethoxy ethanol. desirable.

이하, 본 발명을 실시예를 통해 더욱 상세히 설명하고자 하는데, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것이 아님은 물론이다. 한편, 하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없으면 백분율 및 혼합비는 중량을 기준으로 한 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the scope of the present invention is not limited to the following Examples. On the other hand, in the following examples, unless otherwise stated, percentages and mixing ratios are based on weight.

[실시예][Example]

본 발명의 실시예 및 비교예에 있어서, 칼라레지스트 박리액 조성물에 대한 성능평가는 A사의 칼라필터 기판을 사용하여 칼라레지스트를 제거하는 다음 방법에 의하여 실시하였다.In Examples and Comparative Examples of the present invention, performance evaluation of the color resist stripper composition was carried out by the following method of removing color resist using a color filter substrate of A company.

(1) 칼라레지스트 제거 시험(1) color resist removal test

시편 제조Specimen Manufacturing

하부에 Cr/CrOx이 증착되어 있는 LCD corning 글래스에 칼라필터 패턴을 만들고, 칼라 레지스트는 적,녹,청의 순서로 각각 다음의 사진공정을 이용하여 도포하였다. 범용적으로 사용되는 칼라 레지스트 조성물 (동진쎄미켐 사제, 상품명: DCR-725S)을 스핀 코팅하여 최종 막두께가 1.7㎛가 되도록 도포하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 상기 레지스트막을 90 ℃에서 120초간 프리베이크(pre-bake)하였다. 계속해서, 노광하고 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 현상액으로 21 ℃에서 60초 현상한 후 오븐에서 상기 패턴이 형성된 시편을 220 ℃에서 20분간 하드베이크 하였다.Color filter patterns were made on LCD corning glass with Cr / CrOx deposited on the bottom, and color resist was applied using the following photo process in the order of red, green, and blue. A universally used color resist composition (trade name: DCR-725S available from Dongjin Semichem Co., Ltd.) was spin coated to apply a final film thickness of 1.7 mu m. Subsequently, the resist film was pre-baked at 90 ° C. for 120 seconds on a hot plate. Subsequently, after exposure and development for 60 seconds at 21 degreeC with the 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) developer, the patterned specimen was hard-baked at 220 degreeC for 20 minutes.

칼라레지스트 제거 시험Color resist removal test

시편을 온도 60 ℃에서 칼라레지스트 제거를 위한 박리액 조성물에 각각 5분, 10분, 15분간 침지시켰다. 계속하여, 상기 시편을 칼라레지스트 박리액 조성물로부터 꺼낸 후, 초순수로 수세하고 질소가스로 건조한 후, 패턴내에 칼라레지스 트가 잔류하는지 여부를 주사전자현미경(SEM)으로 검사하여 칼라레지스트 제거 성능을 다음과 같은 기준에 의거하여 평가하고 그 결과를 하기 표 2에 나타냈다.The specimens were immersed in a stripper composition for removing color resist at a temperature of 60 ° C. for 5 minutes, 10 minutes, and 15 minutes, respectively. Subsequently, the specimen was removed from the color resist stripper composition, washed with ultrapure water and dried with nitrogen gas, and then examined by scanning electron microscope (SEM) to determine whether a color resist remained in the pattern. Evaluation based on the same criteria as shown in Table 2 below.

◎ : 적녹청 패턴 모두 완전히 제거된 경우.◎: When all the red cyan patterns are completely removed.

○ : 녹청 패턴만 제거된 경우 경우.○: When only the cyan pattern is removed.

△ : 청 패턴만 제거된 경우 경우.(Triangle | delta): When only a blue pattern is removed.

× : 적녹청 패턴 모두 제거되지 않은 경우X: When not all red cyan patterns are removed

(2) 금속막질 부식성 시험(2) metal film corrosion test

금속막질 부식성 시험Metal film corrosion test

상기 시편을 온도 60 ℃에서 칼라레지스트 제거를 위한 박리액 조성물에 각각 30분 침지시켰다. 계속하여, 상기 시편을 칼라레지스트 박리액 조성물로부터 꺼낸 후, 초순수로 수세하고 질소가스로 건조한 후 패턴의 금속부언더컷 현상이 발생했는지 여부를 주사전자현미경으로 검사하여 부식정도를 다음과 같이 기준에 의거하여 평가하고 그 결과를 하기 표 3에 나타냈다.The specimens were immersed in a stripper composition for removing color resist at a temperature of 60 ° C. for 30 minutes each. Subsequently, the specimen was removed from the color resist stripper composition, washed with ultrapure water, dried with nitrogen gas, and examined with a scanning electron microscope to determine whether the metal undercut phenomenon occurred in the pattern. And the results are shown in Table 3 below.

○ : 하부금속막질에 언더컷 현상이 없는 경우○: When there is no undercut phenomenon in the lower metal film

△ : 하부금속막질에 언더컷 현상이 일부 있는 경우△: when there is some undercut phenomenon in the lower metal film

× : 하부금속막질에 언더컷 현상이 심하게 나타난 경우X: When undercut phenomenon appears severely in lower metal film

실시예 1 ∼ 7 및 비교예 1 ∼ 2Examples 1-7 and Comparative Examples 1-2

본 발명에 따른 성분 (a) ∼ (d)의 함량을 각각 하기 표 1에 나타낸 비율로 혼합하여 각각 실시예 1 ∼ 7 및 비교예 1 ∼ 2의 칼라레지스트 박리액 조성물을 제조하였다. 이와 같이 하여 얻은 칼라에지스트 박리액 조성물에 대하여 위에서 설명한 (1) 칼라레지스트 제거 시험, (2) 금속막질 부식성 시험을 실시하고 그 결과를 하기의 표 2 및 3에 나타내었다.The contents of the components (a) to (d) according to the present invention were mixed at the ratios shown in Table 1 below to prepare the color resist stripper compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 2, respectively. Thus, the color-resist stripping liquid composition thus obtained was subjected to the (1) color resist removal test and (2) metal film corrosiveness test described above, and the results are shown in Tables 2 and 3 below.

칼라레지스트 박리액 조성물의 조성Composition of Color Resist Stripping Liquid Composition (a)
테트라메틸암모늄하이드록사이드
(중량%)
(a)
Tetramethylammonium hydroxide
(weight%)
(b)
디메틸설폭사이드
(중량%)
(b)
Dimethyl sulfoxide
(weight%)
(c)

(중량%)
(c)
water
(weight%)
(d)(중량부)(d) (parts by weight)
수용성 하이드록실 아민Water soluble hydroxyl amine N-알킬-2-피롤리돈N-alkyl-2-pyrrolidone 디알킬렌글리콜에테르Dialkylene glycol ether 포타슘 아세테이트Potassium acetate n-메틸에탄올아민n-methylethanolamine 카비톨Carbitol PGMEPGME
실시예

Example
1One 1One 9595 44 -- -- -- -- -- --
22 44 8080 1616 -- -- -- -- -- -- 33 44 8080 1616 1One 22 -- 33 -- -- 44 66 7070 2424 1One 22 -- 33 -- -- 55 66 6060 3434 22 22 -- -- 0.10.1 1010 66 66 5050 4444 22 22 -- -- 0.30.3 1010 77 66 7070 2424 1One -- 33 0.30.3 -- 비교예Comparative example 1
One
1616 2020 6464 -- -- -- -- --
22 0.20.2 9999 0.80.8 -- -- -- -- --

주)week)

HDA : 하이드록실아민(Hydroxylamine)HDA: Hydroxylamine

NMP : N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

PGME : 1-메톡시-2-프로판올PGME: 1-methoxy-2-propanol

카비톨 : 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 Carbitol: Diethylene Glycol Monoethyl Ether                     

칼라레지스트 박리액 조성물의 칼라레지스트 제거성능Color resist removal performance of color resist stripper composition 침지시간Immersion time 5분5 minutes 10분10 minutes 15분15 minutes

room
city
Yes
1One
22 33 44 55 66 77 88

ratio
School
Yes
1One ×× ××
22 ×× ××

금속 배선 부식성 시험Metal wiring corrosion test 침지시간Immersion time 30분30 minutes 실시예Example 1One 22 33 44 55 66 77 88 비교예Comparative example 1One 22

상기 표 2 및 3의 결과에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예 1 내지 7의 박리액 조성물은 비교예 1 내지 2에 비해 금속 배선 부식성은 종래와 동등 수준이상이며, 특히 칼라 레지스트 제거성능이 매우 우수함을 알 수 있다.As can be seen from the results of Tables 2 and 3, the peeling liquid composition of Examples 1 to 7 of the present invention has a metal wiring corrosion resistance or higher than that of the conventional compared to Comparative Examples 1 to 2, in particular, the color resist removal performance is very high. It can be seen that excellent.

도 1은 실시예 5 및 비교예 1의 칼라레지스트 박리액 조성물의 칼라레지스트 제거성능을 비교한 주사전자현미경(히다찌사, 모델명; S-4100) 사진을 나타낸 것이 다. 도 1은 칼라레지스트 박리액 조성물의 온도를 60 ℃로 하여 시험한 결과를 나타낸 것이다.Figure 1 shows a scanning electron microscope (Hidachi, model name; S-4100) photograph comparing the color resist removal performance of the color resist stripper composition of Example 5 and Comparative Example 1. 1 shows the results obtained by testing the temperature of the color resist stripper composition at 60 ° C.

도 1을 보면, 본 발명의 실시예 5의 박리액 조성물을 사용한 경우 비교예 1에 비해 칼라 레지스트가 깨끗이 제거되었다.1, the color resist was removed clearly compared with the comparative example 1 when using the peeling liquid composition of Example 5 of this invention.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 칼라레지스트 박리액 조성물은 칼라레지스트를 짧은 시간 내에 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 칼라레지스트 제거공정 중의 하부의 금속배선의 부식을 최소화할 수 있으며, 후속의 린스 공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요없이 물만으로 린스 할 수 있는 장점이 있다.As described above, the color resist stripper composition according to the present invention can easily remove the color resist within a short time. In addition, it is possible to minimize the corrosion of the lower metal wiring during the color resist removal process, there is an advantage that can be rinsed with water only in the subsequent rinsing process without the use of organic solvents such as isopropyl alcohol, dimethyl sulfoxide.

Claims (9)

(a) 무기 알칼리 하이드록사이드 또는 알킬 암모늄 하이드록사이드 1 ∼ 10 중량%,(a) 1 to 10% by weight of inorganic alkali hydroxide or alkyl ammonium hydroxide, (b) 디메틸설폭사이드 40 ∼ 95 중량%, 및(b) 40-95 wt% of dimethyl sulfoxide, and (c) 물 4 ∼ 50 중량%를 포함하는 칼라레지스트 박리액 조성물 100 중량부에 대하여, (d) 성분으로서(c) As a component (d) with respect to 100 weight part of color resist stripper composition containing 4-50 weight% of water (i) 수용성 아민 화합물 2 내지 20 중량부, N-알킬-2-피롤리돈 2 내지 20 중량부 및 디알킬렌 글리콜 에테르 2 내지 50 중량부,(i) 2 to 20 parts by weight of a water-soluble amine compound, 2 to 20 parts by weight of N-alkyl-2-pyrrolidone and 2 to 50 parts by weight of dialkylene glycol ether, (ii) 수용성 아민 화합물 2 내지 20 중량부, N-알킬-2-피롤리돈 2 내지 20 중량부, 무기 알칼리 아세테이트 0.05 내지 1 중량부, 및 알칸올 아민 2 내지 20 중량부, 또는(ii) 2 to 20 parts by weight of a water-soluble amine compound, 2 to 20 parts by weight of N-alkyl-2-pyrrolidone, 0.05 to 1 parts by weight of inorganic alkali acetate, and 2 to 20 parts by weight of alkanol amine, or (iii) 수용성 아민 화합물 2 내지 20 중량부, 디알킬렌 글리콜 에테르 2 내지 50 중량부 및 무기 알칼리 아세테이트 0.05 내지 1 중량부를 더 포함하는 칼라 필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.(iii) 2 to 20 parts by weight of a water-soluble amine compound, 2 to 50 parts by weight of a dialkylene glycol ether, and 0.05 to 1 part by weight of an inorganic alkali acetate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기 알칼리 하이드록사이드는 나트륨하이드록사이드, 및 포타슘하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.The inorganic alkali hydroxide is selected from the group consisting of sodium hydroxide, and potassium hydroxide color resist stripper composition for color filter reuse. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드 및 트리메틸벤질 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.The alkyl ammonium hydroxide is at least one selected from the group consisting of tetraethyl ammonium hydroxide, tetramethyl ammonium hydroxide, tetrabutyl ammonium hydroxide and trimethylbenzyl ammonium hydroxide. Color resist stripper composition for the treatment. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수용성 아민 화합물은 하이드록실 아민인 것을 특징으로 하는 칼라필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.The water-soluble amine compound is a color resist stripper composition for color filter reuse, characterized in that the hydroxyl amine. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 N-알킬-2-피롤리돈은 N-에틸-2-피롤리돈, 및 N-메틸-2-피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.The N-alkyl-2-pyrrolidone is at least one member selected from the group consisting of N-ethyl-2-pyrrolidone, and N-methyl-2-pyrrolidone. Resist stripper composition. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 디알킬렌글리콜에테르는 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 및 디프로필렌글리콜모노에틸에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.The dialkylene glycol ether is diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol A color resist stripper composition for color filter reuse, characterized in that at least one selected from the group consisting of monobutyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monoethyl ether. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기알칼리 아세테이트는 포타슘 아세테이트, 및 나트륨 아세테이트로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.The inorganic alkali acetate is a color resist stripper composition for color filter reuse, characterized in that at least one selected from the group consisting of potassium acetate, and sodium acetate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 알칸올 아민은 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민, 메틸 에탄올 아민, 에틸 에탄올 아민, 디메틸 에탄올 아민, 디에틸 에탄올 아민, 및 아미노 에톡시 에탄올로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라필터 재사용을 위한 칼라레지스트 박리액 조성물.The alkanol amine is characterized in that at least one selected from the group consisting of monoethanol amine, diethanol amine, triethanol amine, methyl ethanol amine, ethyl ethanol amine, dimethyl ethanol amine, diethyl ethanol amine, and amino ethoxy ethanol Color resist stripper composition for color filter reuse.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140113114A (en) 2013-03-15 2014-09-24 동우 화인켐 주식회사 Cleaning composition for removing color resist and organic insulating layer
KR20140139745A (en) 2013-05-28 2014-12-08 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101328097B1 (en) * 2006-01-11 2013-11-13 주식회사 동진쎄미켐 A color resist remover composition for tft-lcd preparation
JP4906516B2 (en) * 2006-01-11 2012-03-28 東進セミケム株式会社 Color resist stripping composition for TFT-LCD
KR100793241B1 (en) 2006-06-19 2008-01-10 삼성전자주식회사 Composition for removing a silicon polymer and a photoresist, a method of removing layers and a method of forming a pattern using the composition
KR100842853B1 (en) * 2006-09-27 2008-07-02 주식회사 대원에프엔씨 Aqueous resist stripper formulation
CN101187788A (en) * 2006-11-17 2008-05-28 安集微电子(上海)有限公司 Low etching relative thick photoresist cleaning liquor
CN101201557A (en) * 2006-12-15 2008-06-18 安集微电子(上海)有限公司 Detergent for cleaning thick film photoresist
KR101333779B1 (en) * 2007-08-20 2013-11-29 주식회사 동진쎄미켐 A color resist remover composition for tft-lcd preparation
KR101488265B1 (en) 2007-09-28 2015-02-02 삼성디스플레이 주식회사 Composition for stripping and stripping method
JP5306755B2 (en) * 2008-09-16 2013-10-02 AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 Substrate processing liquid and resist substrate processing method using the same
RU2551841C2 (en) * 2009-05-07 2015-05-27 Басф Се Composites for resist removal and methods of electric devices manufacturing
KR20110018775A (en) * 2009-08-18 2011-02-24 삼성전자주식회사 Composition for stripping color filter and regeneration method of color filter using the same
CN102163011A (en) * 2011-04-29 2011-08-24 西安东旺精细化学有限公司 Stripping liquid composition of photoresist
KR102040064B1 (en) 2012-12-24 2019-11-04 동우 화인켐 주식회사 color resist stripper composition
KR102009532B1 (en) * 2013-08-26 2019-08-09 동우 화인켐 주식회사 A resist stripper composition
KR102009533B1 (en) * 2013-09-06 2019-08-09 동우 화인켐 주식회사 Resist stripper composition and method of manufacturing flat panel display devices using the same
JP2015011356A (en) * 2014-07-18 2015-01-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 Stripping liquid for photoresist
KR20160017477A (en) 2014-08-06 2016-02-16 동우 화인켐 주식회사 Cleaning composition
CN105368611B (en) * 2014-08-06 2018-12-07 东友精细化工有限公司 Cleaning compositions
KR20160018210A (en) 2014-08-08 2016-02-17 동우 화인켐 주식회사 Cleaning composition
US10072237B2 (en) * 2015-08-05 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith
CN105388713A (en) * 2015-12-16 2016-03-09 无锡吉进环保科技有限公司 Aluminum film drainage photoresist stripper in thin-film liquid crystal display
KR20170086965A (en) * 2016-01-19 2017-07-27 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic layer
CN106873236B (en) * 2017-04-11 2019-11-29 惠科股份有限公司 Display panel manufacturing method and display panel
KR101972212B1 (en) * 2017-04-27 2019-04-25 한양대학교 에리카산학협력단 EUV mask cleansing solution and method of fabrication of the same
KR102261821B1 (en) * 2018-04-30 2021-06-08 에스케이씨 주식회사 Heat shrinkable film and method for reproducing polyester container using same
JP7458927B2 (en) 2020-07-28 2024-04-01 東京応化工業株式会社 Processing liquid and substrate processing method
CN113296374A (en) * 2021-05-25 2021-08-24 深圳深骏微电子材料有限公司 Reworking liquid for color filter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0728254A (en) * 1993-07-08 1995-01-31 Kanto Chem Co Inc Resist release solution

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3738996B2 (en) * 2002-10-10 2006-01-25 東京応化工業株式会社 Cleaning liquid for photolithography and substrate processing method
JP4282054B2 (en) * 2002-09-09 2009-06-17 東京応化工業株式会社 Cleaning liquid used in dual damascene structure forming process and substrate processing method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0728254A (en) * 1993-07-08 1995-01-31 Kanto Chem Co Inc Resist release solution

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140113114A (en) 2013-03-15 2014-09-24 동우 화인켐 주식회사 Cleaning composition for removing color resist and organic insulating layer
KR20140139745A (en) 2013-05-28 2014-12-08 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer

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