KR100994323B1 - OLED Deposition Apparatus for Large Size Substrate and deposition Methodology use the deposition apparatus - Google Patents
OLED Deposition Apparatus for Large Size Substrate and deposition Methodology use the deposition apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR100994323B1 KR100994323B1 KR1020080061303A KR20080061303A KR100994323B1 KR 100994323 B1 KR100994323 B1 KR 100994323B1 KR 1020080061303 A KR1020080061303 A KR 1020080061303A KR 20080061303 A KR20080061303 A KR 20080061303A KR 100994323 B1 KR100994323 B1 KR 100994323B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- deposition
- deposition apparatus
- area substrate
- cylindrical
- crucible
- Prior art date
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 200
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 239
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical group [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 도가니 장치에 담겨진 정제되지 않은 유기물 고체분말을 적어도 2단계 이상 증기 상태로 변환시켜 대면적 기판에 유기박막을 증착시키는 공정 중에 정제공정이 함께 이루어질 수 있도록 하는 대면적 기판용 증착장치 및 그를 이용한 증착방법에 관한 것으로, 진공챔버 내에서 대면적 기판을 증착시키기 위한 대면적 기판용 증착장치에 있어서, 내부에 유기물을 수용하고, 그 상부에는 상방으로 돌출되고 개구되어 증기상태의 유기물이 분출되는 분출구가 형성되어 있는 도가니; 상기 증기상태로 분출되는 유기물이 외측 벽에 증착되고, 유기물 증착이 완료되면, 회전되어 증착된 유기물을 증기상태로 변환시켜 분출하는 제 1 증착장치; 및 상기 제 1 증착장치로부터 분출되는 유기물이 외측 벽에 증착되고, 유기물 증착이 완료되면 회전되어 증착된 유기물을 증기상태로 변환시켜 대면적 기판에 증착되도록 분출하는 제 2 증착장치를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a large-area substrate deposition apparatus for converting the organic solid powder contained in the crucible apparatus into a vapor state at least two or more stages, so that the purification process can be performed together with the process of depositing the organic thin film on the large-area substrate. A deposition method for a large-area substrate for depositing a large-area substrate in a vacuum chamber, wherein the organic material is accommodated therein, and the organic material in a vapor state is ejected upwards and opened thereon. A crucible in which a spout is formed; A first deposition apparatus which deposits the organic material ejected in the vapor state on an outer wall and converts the deposited organic matter into a vapor state when the organic material deposition is completed; And a second deposition apparatus for depositing the organic substance ejected from the first deposition apparatus on the outer wall and converting the deposited organic substance into a vapor state when the organic substance deposition is completed, and depositing it on the large-area substrate. It is characterized by.
대면적 기판, 증착, 유기물, 정제, 회전 Large Area Substrate, Deposition, Organics, Purification, Rotation
Description
본 발명은 대면적 기판용 증착장치 및 그를 이용한 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a large area substrate deposition apparatus and a deposition method using the same.
보다 상세하게는, 도가니 장치에 담겨진 정제되지 않은 유기물 고체분말을 적어도 2단계 이상 증기 상태로 변환시켜 대면적 기판에 유기박막을 증착시키는 공정 중에 정제공정이 함께 이루어질 수 있도록 하는 대면적 기판용 증착장치 및 그를 이용한 증착방법에 관한 것이다.More specifically, a large-area substrate deposition apparatus for converting the unrefined organic solid powder contained in the crucible apparatus into a vapor state at least two or more stages so that the purification process can be performed during the process of depositing an organic thin film on a large-area substrate. And a deposition method using the same.
최근 정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광 받고 있다. 이러한 평판표시소자로는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다.Recently, with the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, a flat panel display has been spotlighted as a display device. Such flat panel displays include liquid crystal displays, plasma display panels, organic light emitting diodes, and the like.
그 중에서 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Among them, organic light emitting diodes have very good advantages such as fast response speed, lower power consumption than conventional liquid crystal display devices, light weight, and can be made ultra-thin because there is no need for a separate back light device. It is attracting attention as a next generation display device.
이러한 유기발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다. 즉, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 여기 에너지가 빛으로 발생하는 것이다. 이때 유기 물질의 도판트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.In the organic light emitting device, an anode film, an organic thin film, and a cathode film are sequentially coated on a substrate, and a suitable energy difference is formed in the organic film by emitting a voltage between the anode and the cathode, thereby emitting light by itself. That is, the excitation energy left by recombination of injected electrons and holes is generated as light. In this case, since the wavelength of light generated according to the amount of the dopant of the organic material may be adjusted, full color may be realized.
유기발광소자의 자세한 구조는 도면에는 도시하지 않았지만 기판상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(eletron transfer layer), 전자 주입층(eletron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 여기에서 양극으로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성되며, 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이다. 또한, 음극으로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 최상부에 형성된다.Although the detailed structure of the organic light emitting diode is not shown in the drawing, an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, an emission layer, and an electron transport layer are deposited on a substrate. A layer, an electron injection layer, and a cathode are stacked in this order. In this case, ITO (Indium Tin Oxide) having a small sheet resistance and good permeability is mainly used as the anode. In addition, the organic thin film is composed of a multilayer of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer in order to increase the luminous efficiency, and the organic material used as the light emitting layer is Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA And so on. In addition, a LiF-Al metal film is used as the cathode. In addition, since the organic thin film is very weak to moisture and oxygen in the air, an encapsulation film is formed on the top to increase the life time of the device.
한편, 현재까지 개발된 유기박막형성 방법에는 진공증착법(Vacuum Deposition Method), 스퍼터링(sputtering)법, 이온빔 증착(Ion-beam Deposition)법, Pulsed-laser 증착법, 분자선 증착법, 화학기상증착법, 스핀코터(spin coater) 등이 있다. 이 중에서 현재 상용화되어 있는 기술은 진공증착법이다.Meanwhile, organic thin film formation methods developed to date include vacuum deposition method, sputtering method, ion-beam deposition method, pulsed-laser deposition method, molecular beam deposition method, chemical vapor deposition method, and spin coater ( spin coater). Among these, currently commercially available technology is vacuum deposition.
여기서, 진공증착법이란 유기물이 수용된 도가니 주위를 가열하여 기화 또는 승화시켜 증기(기체)상태의 유기물을 도가니 상부에 위치한 기판에 증착하는 것이다.Here, the vacuum evaporation method is to vaporize or sublime the surroundings of the crucible containing the organic material to vaporize or sublime to deposit the organic matter in the vapor (gas) state on the substrate located above the crucible.
도 1을 참조하여 종래 도가니 장치의 구성을 설명하면, 원통형상의 본체(110) 내부에 유기물을 수용하고, 그 상부에는 상방으로 돌출되고 개구되어 증기상태의 유기물이 분출되는 분출구(111)가 형성되어 있다.Referring to FIG. 1, a configuration of a conventional crucible apparatus is described. An organic material is accommodated in a cylindrical main body 110, and an ejection port 111 is formed at an upper portion thereof to protrude upward and open to eject an organic material in a vapor state. have.
도 2를 참조하여 종래의 도가니 장치를 이용하여 유기박막 증착과정을 설명하면, 유기물 고체분말(120)을 수용한 도가니 장치가 진공챔버(미도시)의 내부에 마련되고, 그 상부에는 기판(S)이 위치한다. 이 상태에서 히터(미도시)에 의해 도가니 장치를 가열하면 유기물이 증발 또는 승화되어 증기상태로 상기 분출구(111)를 통해 분출된다. 분출된 증기는 기판(S)에 응고되어 유기박막이 형성되는 것이다.Referring to FIG. 2, an organic thin film deposition process using a conventional crucible apparatus is described. A crucible apparatus accommodating an organic solid powder 120 is provided inside a vacuum chamber (not shown), and a substrate S is formed on the top of the substrate. ) Is located. In this state, when the crucible apparatus is heated by a heater (not shown), the organic matter is evaporated or sublimed and ejected through the jet port 111 in a vapor state. The ejected vapor solidifies on the substrate S to form an organic thin film.
상기와 같은 유기물 고체분말의 경우 정제시키는 과정에서 정제용 기판에 응고된 유기물을 작업자들이 수작업을 통해 긁어서 모아 유기물 고체분말을 형성시키 기게 되는데, 이 과정을 많이 할수록 순수 유기물 고체분말을 얻을 수 있게 된다.In the case of the organic solid powder as described above, the organic matter solidified on the substrate for purification in the process of purification by workers by scraping to collect the organic solid powder to form, the more the process is to obtain a pure organic solid powder. .
그러나, 이러한 과정에서 작업자가 수작업으로 해야 하기 때문에 유기물 고체분말을 얻는데 많은 시간과 노력이 필요하며, 특히 유기물 고체분말을 수작업으로 긁어 모을 때 많은 양이 손실된다는 문제점이 있다.However, in this process, since the worker has to work by hand, it takes a lot of time and effort to obtain the organic solid powder, and there is a problem in that a large amount is lost when scraping the organic solid powder by hand.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소시키기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 도가니 장치에 담겨진 정제되지 않은 유기물 고체분말을 적어도 2단계 이상 증기 상태로 변환시켜 대면적 기판에 유기박막을 증착시키는 공정 중에 정제공정이 함께 이루어질 수 있도록 하는 대면적 기판용 증착장치 및 그를 이용한 증착방법를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, an object of the present invention is to convert the organic solid powder contained in the crucible device to a vapor state at least two or more steps to form an organic thin film on a large area substrate The present invention provides a deposition apparatus for a large-area substrate and a deposition method using the same so that a purification process can be performed together during the deposition process.
또한, 본 발명의 다른 목적은 증착시키기 위한 유기물이 증착되어 있는 원통형 증착부와 히팅부 사이에 구비된 열차단부를 회전시키면서 상기 원통증착부에 증착된 유기물이 증기 상태로 변환시켜 대면적 기판에 증착시킴으로써, 대면적 기판을 이동시키지 않고 정지상태로 유지하면서도 증착 균일도를 확보할 수 있도록 하는 대면적 기판용 증착장치 및 그를 이용한 증착방법를 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to convert the organic material deposited in the cylindrical vapor deposition portion in the vapor state while rotating the heat shield provided between the cylindrical vapor deposition portion and the heating portion is deposited to deposit the organic material deposited on a large area substrate The present invention provides a deposition apparatus for a large area substrate and a deposition method using the same, which ensures deposition uniformity while maintaining a stationary state without moving the large area substrate.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예는, 진공챔버 내에서 대면적 기판을 증착시키기 위한 대면적 기판용 증착장치에 있어서, 내부에 유기물을 수용하고, 그 상부에는 상방으로 돌출되고 개구되어 증기상태의 유기물이 분출되는 분출구가 형성되어 있는 도가니; 상기 증기상태로 분출되는 유기물이 외측 벽에 증착되고, 유기물 증착이 완료되면, 회전되어 증착된 유기물을 증기상태로 변환시켜 분출하는 제 1 증착장치; 및 상기 제 1 증착장치로부터 분출되는 유기물이 외측 벽에 증착되고, 유기물 증착이 완료되면 회전되어 증착된 유기물을 증기상태로 변환시켜 대면적 기판에 증착되도록 분출하는 제 2 증착장치를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an embodiment of the present invention provides a large-area substrate deposition apparatus for depositing a large-area substrate in a vacuum chamber, wherein the organic material is accommodated therein, and the upper portion protrudes upward. A crucible having an opening formed therein, and a spout port through which an organic substance in a vapor state is ejected; A first deposition apparatus which deposits the organic material ejected in the vapor state on an outer wall and converts the deposited organic matter into a vapor state when the organic material deposition is completed; And a second deposition apparatus for depositing the organic substance ejected from the first deposition apparatus on the outer wall and converting the deposited organic substance into a vapor state when the organic substance deposition is completed, and depositing it on the large-area substrate. It is characterized by.
또한, 본 발명의 다른 실시예는 진공챔버 내에서 대면적 기판을 증착시키기 위한 대면적 기판용 증착장치를 이용한 대면적 기판 증착방법에 있어서, (1) 정제되지 않은 유기물 고체 분말을 도가기에 넣은 후 증착공정이 이루어지도록 개시명령을 입력하는 공정; (2) 복수의 도가니를 가열시키는 공정; (3) 상기 도가니에 내재된 유기물 고체분말이 증기상태로 도가니의 분출구를 통해 분출되도록 하여 제 1 증착장치의 원통형 증착부에 증착면을 형성하는 공정; (5) 원통형 증착부를 회전시키는 공정; (6) 상기 원통형 증착부에 내재된 히팅부를 작동시켜 증착면에 증착된 유기물을 증기 상태로 변환시켜 방출되도록 하여, 제 2 증착장치의 원통형 증착부에 증착되는 공정; (8) 상기 제 2 증착장치의 원통형 증착부를 회전시키는 공정; 및 (9) 상기 제 2 증착장치의 원통형 증착부에 형성된 증착면의 유기물을 증기 상태로 변환시켜 대면적 기판의 일측면에 증착시키는 공정을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, another embodiment of the present invention is a large-area substrate deposition method using a large-area substrate deposition apparatus for depositing a large-area substrate in a vacuum chamber, (1) after putting the unrefined organic solid powder into the crucible Inputting a start command so that a deposition process is performed; (2) heating a plurality of crucibles; (3) forming a deposition surface on the cylindrical deposition portion of the first deposition apparatus by causing the organic solid powder embedded in the crucible to be ejected through the spout of the crucible in a vapor state; (5) rotating the cylindrical vapor deposition unit; (6) operating the heating unit inherent in the cylindrical deposition unit to convert the organic matter deposited on the deposition surface into a vapor state, and to be discharged to be deposited on the cylindrical deposition unit of the second deposition apparatus; (8) rotating the cylindrical deposition unit of the second deposition apparatus; And (9) converting the organic material of the deposition surface formed in the cylindrical deposition portion of the second deposition apparatus into a vapor state and depositing the vaporized material on one side of the large-area substrate.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 도가니 장치에 담겨진 정제되지 않은 유기물 고체분말을 적어도 2단계 이상 증기 상태로 변환시켜 순수 유기물 고체분말을 얻을 수 있는 정제 공정을 대면적 기판에 유기박막을 증착시키는 공정 전에 진행되도록 하여, 정제중에 발생되는 유기물 고체분말의 손실을 제거할 수 있도록 하는 효과가 있다.As described above, the present invention prior to the process of depositing the organic thin film on a large-area substrate in the purification process to convert the unpurified organic solid powder contained in the crucible apparatus into a vapor state at least two stages to obtain a pure organic solid powder By proceeding, it is possible to eliminate the loss of the organic solid powder generated during purification.
또한 본 발명은 유기물 고체분말 정제공정이 자동으로 이루어지도록 함으로써, 종래에서와 같이 정제공정에 투입되던 인력들이 필요하지 않기 때문에 대면적 기판의 전체적인 생산 단가를 낮출 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of lowering the overall production cost of the large-area substrate because the organic solid powder refining process is performed automatically, since the manpower that was put into the refining process is not required as in the prior art.
또한, 본 발명은 대면적 기판을 수직 상태로 증착을 할 수 있도록 하기 때문에 대면적 기판의 늘어짐이 발생하지 않아, 대면적 기판의 전 면적에 대해 증착두께가 균일하게 증착될 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, since the present invention enables deposition of a large area substrate in a vertical state, the large area substrate does not sag, and thus the deposition thickness is uniformly deposited over the entire area of the large area substrate. .
또한, 본 발명은 증착시키기 위한 유기물이 증착되어 있는 원통형 증착부와 히팅부 사이에 구비된 열차단부를 회전시키면서 상기 원통증착부에 증착된 유기물이 증기 상태로 변환시켜 대면적 기판에 증착시킴으로써, 대면적 기판을 이동시키지 않고 정지상태로 유지하면서도 증착 균일도를 확보할 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, the present invention by converting the organic material deposited in the cylindrical vapor deposition portion in a vapor state by depositing on a large-area substrate while rotating the heat shield provided between the cylindrical deposition portion and the heating portion is deposited organic matter for deposition, There is an effect of ensuring the deposition uniformity while maintaining a stationary state without moving the area substrate.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 이 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조로 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention in detail.
본 발명에 따른 대면적 기판용 증착장치의 구성에 대해 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the drawings with respect to the configuration of a large-area substrate deposition apparatus according to the present invention will be described.
(대면적 기판용 증착장치의 실시예1)(Example 1 of the vapor deposition apparatus for large area substrate)
본 발명에 따른 대면적 기판용 증착장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 진공챔버(300)와, 내부에 유기물을 수용하고, 그 상부에는 상방으로 돌출되고 개구되어 증기상태의 유기물이 분출되는 분출구가 형성되어 있는 도가니(310)와, 상기 증기상태로 분출되는 유기물이 외측 벽에 증착되고, 유기물 증착이 완료되면, 회전되어 증착된 유기물을 증기상태로 변환시켜 분출하는 제 1 증착장치(400)와, 상기 제 1 증착장치(400)로부터 분출되는 유기물이 외측 벽에 증착되고, 유기물 증착이 완료되면 회전되어 증착된 유기물을 증기상태로 변환시켜 대면적 기판에 증착 되도록 분출하는 제 2 증착장치(500)와, 상기 진공챔버 내의 구비되어 대면적 기판 증착시 발생하는 열을 제거하는 쿨링장치(600)로 구성된다.In the deposition apparatus for a large area substrate according to the present invention, as shown in FIGS. 1 to 3, a
상기 제 1 증착장치(400) 및 제 2 증착장치(500)는 진공챔버(300) 내에 수직으로 형성된다.The
상기 도가니(310)는 복수개가 구비되며, 상기 복수의 도가니(310)가 진공챔버(300)에 수직 배열, 형성된다. 이때, 상기 도가니(310) 각각의 전단부에는 밸브(320)가 구비되어 있으며, 상기 밸브(320) 각각의 전단부에 복수개가 센서(330)가 구비되어, 상기 밸브(320)로부터 분출되는 유기물의 분출량을 감지하는 컨트롤장치(700)가 구비된다.A plurality of
그리고 상기 센서(330)에 의해 감지된 분출량 감지데이터를 상기 컨트롤장치(700)로 입력하면, 상기 컨트롤장치(700)는 상기 분출량 감지데이터가 기준 분출량 데이터보다 적은지를 판단하고, 적으면 밸브잠금신호를 상기 밸브(320)로 출력하고, 밸브(320)는 상기 밸브잠금신호에 응하여 밸브(320)가 잠금상태로 전환되도록 하고, 이렇게 밸브(320)가 잠금상태로 변환되면서 진공챔버(300) 내부가 진공상태를 유지하게 된다. 도면에는 다 도시하지 못했으나, 도가니의 경우 복수의 호스트 도가니와 복수개의 도펀트 도가니가 구비되어 있으며, 한 개의 호스트 도가니에 구비된 유기물이 떨어질 경우 해당 도가니의 밸브가 잠기고, 또다른 호스트 도가니에 구비된 유기물이 증기 상태로 분출된다. 물론 도펀트 도가니도 호스트 도가니와 동일하게 방법으로 도가니에 보관된 RGB 유기물을 증기상태로 분출시킨다.When the ejection amount sensing data sensed by the
상기 제 1 증착장치(400)는 상기 도가니(310)의 유기물이 증착되는 원통형 증착부(420)와, 상기 원통형 증착부(420) 내부에 구비되어 상기 원통형 증착부(420)의 표면 온도가 임의의 온도로 상승되도록 열을 발생시키는 히팅부(440)와, 상기 원통형 증착부(420)와 히팅부(430) 사이에 위치되며 상기 원통형 증착부(420)의 임의의 위치에 증착된 유기물만 증기상태로 변환되도록 개구된 열차단부(430)와, 상기 원통형 증착부(420)를 회전시키기 위한 모터(450)로 구성된다.The
상기 제 2 증착장치(500)는 원통형 증착부(520), 히팅부(530) 및 열차단부(430)로 구성되어, 제 1 증착장치(400)와 동일한 구성으로 구성되므로, 각 구성요소의 상세 설명은 생략하기로 하며, 상기 모터(450)의 경우 하나의 모터를 이용하여 본 발명에 구비되는 복수의 증착장치가 회전 구동되도록 구현할 수도 있고, 각 증착장치(400) 마다 구비시켜 증착장치가 회전 구동되도록 구현할 수 있다.The
상기 대면적 기판용 증착장치는 상기 제 1 증착장치(400) 및 제 2 증착장치(500)에 각각 구비된 모터(450)의 회전 구동상태를 제어하는 컨트롤장치(700)를 더 포함한다.The large area substrate deposition apparatus further includes a
상기 쿨링부(600)는 가스 플로우(gas flow)를 이용하여 진공챔버(300) 내부를 쿨링시킨다.The
상기와 같이 구성된 대면적 기판용 증착장치의 증착 공정에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the deposition process of the large-area substrate deposition apparatus configured as described above are as follows.
대면적 기판용 증착장치의 증착 공정은 도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이 정제되지 않은 유기물 고체 분말을 도가기(310)에 넣은 후 증착공정이 이루어지도록 개시명령을 입력(P100)하게 하면, 컨트롤장치(700)는 도가니(310)가 가열(P110)되도록 하고, 가열된 도가니(310)의 유기물 고체 분말은 증기상태로 분출구(미도시)를 통해 분출(P120)된다.In the deposition process of the large-area substrate deposition apparatus, as shown in FIGS. 4 and 7, when the unrefined organic solid powder is placed in the
이렇게 분출된 유기물 고체분말은 제 1 증착장치(400)의 원통형 증착부(420)에 증착되어 증착면(410)을 형성(P130)하고, 이렇게 증착면(410)이 형성되면 컨트롤장치(700)는 모터(450)를 구동시켜 상기 원통형 증착부(420)가 회전(P140)되도록 한다. 이때 컨트롤장치(700)는 상기 원통형 증착부(420)의 증착면(410)이 열차단부(430)의 개구에 대향되는 위치에 놓이면 모터(450)가 구동되지 않도록 한다.The organic solid powder thus ejected is deposited on the
그러면 증착면(410)의 온도는 열차단부(430)의 개구를 통해 방출되는 히팅부(440)의 열에 의해 상승되고, 증착면(410)에 증착된 유기물은 다시 증기 상태로 변환되어 진공챔버(300)의 개구(320)를 통해 방출(P150)된다.Then, the temperature of the
이렇게 방출된 유기물은 다시 제 2 증착장치(500)의 원통형 증착부(520)에 증착(P160)되고, 상기 원통형 증착부(520)에 증착면(510)이 형성되면 상술한 바와 같이 컨트롤장치(700)는 모터(550)를 구동시켜 상기 원통형 증착부(520)가 회전(P170)되도록 한다. The organic material thus released is deposited (P160) on the cylindrical deposition unit 520 of the
그러면 증착면(510)의 온도는 열차단부(530)의 개구를 통해 방출되는 히팅부(540)의 열에 의해 상승되고, 증착면(510)에 증착된 유기물은 다시 증기 상태로 변환되어 진공챔버(300)의 개구(330)를 통해 방출(P180)된다.Then, the temperature of the deposition surface 510 is raised by the heat of the heating unit 540 emitted through the opening of the heat shield 530, and the organic material deposited on the deposition surface 510 is converted into a vapor state again to form a vacuum chamber ( It is emitted (P180) through the
이렇게 방출된 유기물은 대면적 기판의 일측면에 증착(P190)된다. 이때 컨트롤장치(700)는 진공챔버(300) 내에 구비된 쿨링장치(600)를 구동시켜 유기물 정제공정 및 대면적 기판에 유기물을 증착하는 공정 중 발생하는 열을 제거하여 진공챔버(300)의 내부 온도가 항상 일정 온도를 유지할 수 있도록 한다.The organic material thus released is deposited (P190) on one side of the large area substrate. At this time, the
한편, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제 1 증착장치(400) 및 제 2 증착장치(500) 사이에 증착용 유기물을 정제하기 위한 증착장치를 더 많이 구비할수록 순도가 높은 유기물을 얻을 수 있게 된다. 즉, 대면적 기판에 유기물을 증착시키기 전에 유기물에 대해 증착공정이 반복적으로 이루어지도록 함으로써 유기물에 포함되어 있던 불순물이 제거된다.On the other hand, as shown in Figure 3, the more the deposition apparatus for purifying the organic matter for deposition between the
(대면적 기판용 증착장치의 실시예2)(Example 2 of the vapor deposition apparatus for large area substrate)
실시에2는 실시예1과는 달리 원통형 증착부가 정방향 또는 역방향으로 회전되는 것이 아니라 상기 원통형 증착부와 히팅부 사이에 구비되는 열차단부(430)가 정방향 또는 역방향으로 회전되도록 함으로써 대형 기판을 이동시키지 않는 상태에서 대형 기판 전면에 유기물이 증착되도록 한다. 이를 좀 더 상세히 기술하면, 도 5에 도시된 바와 같이 도가니(310)의 유기물이 증착되는 원통형 증착부(310)와, 상기 원통형 증착부(310) 내부에 구비되어 상기 원통형 증착부(310)의 표면 온도가 임의의 온도로 상승되도록 열을 발생시키는 히팅부(440)와, 상기 원통형 증착부(310)와 히팅부(440) 사이에 회동 가능하도록 위치되며 상기 원통형 증착부(310)의 임의의 위치에 증착된 유기물만 증기상태로 변환되도록 개구된 열차단부(430)와, 상기 원통형 증착부(310)에 연결되어, 상기 원통형 증착부(310)가 정방향 또는 역방향으로 회전되도록 하는 제 1 모터(450)와, 상기 열차단부(430)에 연결되어, 상기 열차단부(430)가 정방향 또는 역방향으로 회전가능하도록 하는 제 2 모터(550)와, 상기 제 1 모터(450) 또는 제 2 모터(550)가 역방향 또는 정방향으로 구동되도록 하는 컨트롤장치(700)로 구성된다.Unlike the first embodiment, the second embodiment does not move the large substrate by allowing the
이때, 상기 도가니(310)는 복수개가 구비되며, 상기 복수의 도가니(310)가 진공챔버(300)에 수직 배열, 형성된다. 이때, 상기 도가니(310) 각각의 전단부에는 밸브(320)가 구비되어 있으며, 상기 밸브(320) 각각의 전단부에 복수개가 센서(330)가 구비되어, 상기 밸브(320)로부터 분출되는 유기물의 분출량을 감지하는 구비된다.In this case, a plurality of
그리고 상기 센서(330)에 의해 감지된 분출량 감지데이터를 상기 컨트롤장치(700)로 입력하면, 상기 컨트롤장치(700)는 상기 분출량 감지데이터가 기준 분출량 데이터보다 적은지를 판단하고, 적으면 밸브잠금신호를 상기 밸브(320)로 출력하고, 밸브(320)는 상기 밸브잠금신호에 응하여 밸브(320)가 잠금상태로 전환되도록 하고, 이렇게 밸브(320)가 잠금상태로 변환되면서 진공챔버(300) 내부가 진공상태를 유지하게 된다. 도면에는 다 도시하지 못했으나, 도가니의 경우 복수의 호스트 도가니와 복수개의 도펀트 도가니가 구비되어 있으며, 한 개의 호스트 도가니에 구비된 유기물이 떨어질 경우 해당 도가니의 밸브가 잠기고, 또다른 호스트 도가니에 구비된 유기물이 증기 상태로 분출된다. 물론 도펀트 도가니도 호스트 도가니와 동일하게 방법으로 도가니에 보관된 RGB 유기물을 증기상태로 분출시킨다.When the ejection amount sensing data sensed by the
상술한 바와 같이 실시예2의 구성 중 실시예 1과 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 생략하였으며, 동일한 구성에 대해서는 전술한 실시예 1의 설명과 동일하다.As described above, the description of the same configuration as in Embodiment 1 of the configuration of Embodiment 2 has been omitted, and the same configuration is the same as the description of Embodiment 1 described above.
상기와 같이 구성된 대면적 기판의 증착장치의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the deposition apparatus of the large-area substrate configured as described above are as follows.
도 5에 도시된 바와 같이 정제되지 않은 유기물 고체 분말을 도가기(310)에 넣은 후 증착공정이 이루어지도록 개시명령을 입력하게 하면, 컨트롤장치(700)는 도가니(310)가 가열되도록 하고, 가열된 도가니(310)의 유기물 고체 분말은 증기상태로 분출구(미도시)를 통해 분출된다. As shown in FIG. 5, when the unrefined organic solid powder is placed in the
이렇게 분출된 유기물 고체분말은 제 1 증착장치(400)의 원통형 증착부(420)에 증착되어 증착면(410)을 형성하고, 이렇게 증착면(410)이 형성되면 컨트롤장치(700)는 제 1 모터(450)를 회전시켜 증착면이 제 2 증착장치(400)를 향하도록 한 후 제 2 모터(550)를 구동시켜 상기 열차단부(440)가 회전되도록 한다. The organic solid powder thus ejected is deposited on the
그러면 증착면(410)의 온도는 열차단부(430)의 개구를 통해 방출되는 히팅부(440)의 열에 의해 상승되고, 증착면(410)에 증착된 유기물은 다시 증기 상태로 변환되어 진공챔버(300)의 개구(320)를 통해 방출된다.Then, the temperature of the
이렇게 방출된 유기물은 다시 제 2 증착장치(500)의 원통형 증착부(520)에 증착되고, 상기 원통형 증착부(520)에 증착면(510)이 형성되면, 컨트롤장치(700)는 제 1 모터(450)를 구동시켜 상기 원통형 증착부(520)의 증착면(510)이 대면적 기판을 향하도록 회전시킨 후 제 2 모터(550)를 구동시켜 상기 열차단부(430)가 회전되도록 한다. The organic material thus discharged is deposited on the cylindrical deposition unit 520 of the
그러면 증착면(510)의 온도는 열차단부(530)의 개구를 통해 방출되는 히팅부(540)의 열에 의해 상승되고, 증착면(510)에 증착된 유기물은 다시 증기 상태로 변환되어 진공챔버(300)의 개구(330)를 통해 방출된다. Then, the temperature of the deposition surface 510 is raised by the heat of the heating unit 540 emitted through the opening of the heat shield 530, and the organic material deposited on the deposition surface 510 is converted into a vapor state again to form a vacuum chamber ( It is emitted through the
이렇게 방출된 유기물은 대면적 기판의 일측면에 증착된다. 이에 따라 본 발명을 증착장치에 적용시킴으로써, 대면적 기판을 이동시키지 않고 정지상태로 유지하면서도 증착 균일도를 확보할 수 있도록 한다.The organic material thus released is deposited on one side of the large area substrate. Accordingly, by applying the present invention to the deposition apparatus, it is possible to ensure the deposition uniformity while maintaining a stationary state without moving the large area substrate.
이때 컨트롤장치(700)는 진공챔버(300) 내에 구비된 쿨링장치(600)를 구동시켜 유기물 정제공정 및 대면적 기판에 유기물을 증착하는 공정 중 발생하는 열을 제거하여 진공챔버(300)의 내부 온도가 항상 일정 온도를 유지할 수 있도록 한다.At this time, the
한편, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제 1 증착장치(400) 및 제 2 증착장치(500) 사이에 증착용 유기물을 정제하기 위한 증착장치를 더 많이 구비할수록 순도가 높은 유기물을 얻을 수 있게 된다. 즉, 대면적 기판에 유기물을 증착시키기 전에 유기물에 대해 증착공정이 반복적으로 이루어지도록 함으로써 유기물에 포함되어 있던 불순물이 제거된다.On the other hand, as shown in Figure 3, the more the deposition apparatus for purifying the organic matter for deposition between the
이상, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 기술하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형 또는, 변경하여 실시할 수 있음을 알 수 있을 것이다.As mentioned above, although preferred embodiments of the present invention have been described in detail, those skilled in the art to which the present invention pertains may make the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as defined in the appended claims. It will be appreciated that various modifications or changes can be made.
도 1은 본 발명에 따른 대면적 기판용 증착장치의 구성을 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram for explaining the configuration of a large-area substrate deposition apparatus according to the present invention.
도 2는 도 1에 적용된 증착장치의 구성을 설명하기 위한 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view for describing a configuration of a deposition apparatus applied to FIG. 1.
도 3은 도 2의 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining another embodiment of FIG. 2.
도 4는 본 발명에 따른 대면적 기판용 증착장치의 동작 상태를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining an operating state of the deposition apparatus for a large area substrate according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 대면적 기판용 증착장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 블록도이다.Figure 5 is a block diagram for explaining another embodiment of a large-area substrate deposition apparatus according to the present invention.
도 6은 도 5의 다른 실시예의 동작 상태를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining an operating state of another embodiment of FIG.
도 7은 본 발명에 따른 대면적 기판용 증착장치를 이용한 증착방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다.7 is a process flowchart illustrating a deposition method using a deposition apparatus for a large area substrate according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100 : 대면적 기판용 증착장치100: large area substrate deposition apparatus
300 : 진공챔버300: vacuum chamber
310 : 도가니310: crucible
400, 500 : 증착장치400, 500: vapor deposition apparatus
410, 510 : 증착면 420, 520 : 원통형 증착부410, 510:
430, 530 : 열차단부 440, 540 : 히팅부430, 530:
450, 550 : 모터450, 550: motor
600 : 쿨링장치600: cooling device
700 : 컨트롤장치700: control device
Claims (18)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20080046891 | 2008-05-21 | ||
KR1020080046891 | 2008-05-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090121159A KR20090121159A (en) | 2009-11-25 |
KR100994323B1 true KR100994323B1 (en) | 2010-11-12 |
Family
ID=41604301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080061303A KR100994323B1 (en) | 2008-05-21 | 2008-06-27 | OLED Deposition Apparatus for Large Size Substrate and deposition Methodology use the deposition apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100994323B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140073198A (en) | 2012-12-06 | 2014-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Monomer vaporizing device and control method of the same |
WO2015073156A1 (en) * | 2013-11-16 | 2015-05-21 | NuvoSun, Inc. | Method for monitoring se vapor in vacuum reactor apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008081778A (en) | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Ltd | Vapor deposition apparatus, device for controlling vapor deposition apparatus, method for controlling vapor deposition apparatus, and method for operating vapor deposition apparatus |
KR100824991B1 (en) | 2006-11-24 | 2008-04-28 | 세메스 주식회사 | Apparatus of depositing organic layer and method of depositing using the same |
-
2008
- 2008-06-27 KR KR1020080061303A patent/KR100994323B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008081778A (en) | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Ltd | Vapor deposition apparatus, device for controlling vapor deposition apparatus, method for controlling vapor deposition apparatus, and method for operating vapor deposition apparatus |
KR100824991B1 (en) | 2006-11-24 | 2008-04-28 | 세메스 주식회사 | Apparatus of depositing organic layer and method of depositing using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090121159A (en) | 2009-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4312289B2 (en) | Organic thin film forming equipment | |
JP2007314881A (en) | Vapor deposition device for thin film formation | |
US8524313B2 (en) | Method for manufacturing a device | |
JP2005036296A (en) | Production method and production device for organic thin film | |
JP2003173871A (en) | Manufacturing method of organic electroluminescent element | |
WO2010123027A1 (en) | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method | |
KR20080007820A (en) | The rotation evaporator for vapor deposition of thin film and apparatus for vapor deposition of thin film using rotation evaporators | |
KR100994323B1 (en) | OLED Deposition Apparatus for Large Size Substrate and deposition Methodology use the deposition apparatus | |
JP5265583B2 (en) | Vapor deposition equipment | |
JP3863988B2 (en) | Vapor deposition equipment | |
KR100757798B1 (en) | Crucible for depositing organic thin film | |
JP4494126B2 (en) | Film forming apparatus and manufacturing apparatus | |
US9340851B2 (en) | Device and method for preprocessing metallic magnesium | |
KR100624767B1 (en) | OLED evaporation system using shutter rotation for continuous deposition process | |
KR101239808B1 (en) | Method for manufacturing an organic light emitting display device | |
KR100773403B1 (en) | Arrangement method for deposition apparatus of point source and deposition apparatus | |
KR100658731B1 (en) | Evaporation source and organic matter sputtering apparatus with the same | |
KR200356423Y1 (en) | An apparatus for auto-supplying organic compounds | |
KR20200074436A (en) | Source and glass deposition apparatus with the same | |
KR100709265B1 (en) | Apparatus and method for sputtering organic matter | |
KR100695271B1 (en) | Pattern formation method of large area OLED substrate | |
KR101462592B1 (en) | Evaporation material feeding apparatus | |
KR102190640B1 (en) | Linear evaporation source | |
KR100786230B1 (en) | Crucible for depositing organic thin film | |
JP2003109755A (en) | Manufacturing equipment of organic el device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130903 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141002 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151218 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160905 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170901 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180822 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191118 Year of fee payment: 10 |