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KR100902221B1 - 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 - Google Patents

화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 Download PDF

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KR100902221B1
KR100902221B1 KR1020080008517A KR20080008517A KR100902221B1 KR 100902221 B1 KR100902221 B1 KR 100902221B1 KR 1020080008517 A KR1020080008517 A KR 1020080008517A KR 20080008517 A KR20080008517 A KR 20080008517A KR 100902221 B1 KR100902221 B1 KR 100902221B1
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light emitting
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Abstract

본 발명은 유기 발광 다이오드의 열화를 보상함과 아울러 유기 발광 다이오드의 열화 속도를 늦출 수 있도록 한 화소에 관한 것이다.
본 발명의 화소는 캐소드전극이 제 2전원에 접속되는 유기 발광 다이오드와; 제 1전원으로부터 상기 유기 발광 다이오드로 공급되는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소회로와; 상기 유기 발광 다이오드와 상기 화소회로 사이에 접속되며, 상기 유기 발광 다이오드의 열화에 대응하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극의 전압을 조절하는 제 1구동부와; 상기 유기 발광 다이오드로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부를 구비하며; 상기 제 1구동부는 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 초기화 전원 사이에 접속되는 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터와; 상기 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터 사이의 공통노드와 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 사이에 접속되는 피드백 커패시터를 구비한다.

Description

화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치{Pixel and Organic Light Emitting Display Using the Same}
본 발명은 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 유기 발광 다이오드의 열화를 보상함과 아울러 유기 발광 다이오드의 열화 속도를 늦출 수 있도록 한 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.
평판 표시장치 중 유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시한다. 이러한, 유기전계발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점 이 있다.
도 1은 종래의 유기전계발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유기전계발광 표시장치의 화소(4)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 데이터선(Dm) 및 주사선(Sn)에 접속되어 유기 발광 다이오드(OLED)를 제어하기 위한 화소회로(2)를 구비한다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(2)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(2)로부터 공급되는 전류에 대응되어 소정 휘도의 빛을 생성한다.
화소회로(2)는 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호에 대응되어 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어한다. 이를 위해, 화소회로(2)는 제 1전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속된 제 2트랜지스터(M2)와, 제 2트랜지스터(M2), 데이터선(Dm) 및 주사선(Sn)의 사이에 접속된 제 1트랜지스터(M1)와, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극과 제 1전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.
제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단자에 접속된다. 여기서, 제 1전극은 소오스전극 및 드레인전극 중 어느 하나로 설정되고, 제 2전극은 제 1전극과 다른 전극으로 설정된다. 예를 들어, 제 1전극이 소오스전극으로 설정되면 제 2전극은 드레인전극으로 설정된다. 주사선(Sn) 및 데이터선(Dm)에 접속된 제 1트랜지스터(M1)는 주사선(Sn)으로부터 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급한다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전한다.
제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 제 1전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 다른측단자 및 제 1전원(ELVDD)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 2트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성한다.
하지만, 이와 같은 종래의 화소(4)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 따른 효율변화에 의하여 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 없는 문제점이 있다. 다시 말하여, 시간이 지남에 따라서 유기 발광 다이오드가 열화되고, 이에 따라 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 없다. 실제로, 유기 발광 다이오드가 열화 될수록 낮은 휘도의 빛이 생성된다.
또한, 종래의 화소(4)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 인가되는 전압이 캐소드전극에 인가되는 전압보다 항상 높게 설정되기 때문에 열화가 빠르게 진행되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 발광 다이오드의 열화를 보상함과 아울러 유기 발광 다이오드의 열화 속도를 늦출 수 있도록 한 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 화소는 캐소드전극이 제 2전원에 접속되는 유기 발광 다이오드와; 제 1전원으로부터 상기 유기 발광 다이오드로 공급되는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소회로와; 상기 유기 발광 다이오드와 상기 화소회로 사이에 접속되며, 상기 유기 발광 다이오드의 열화에 대응하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극의 전압을 조절하는 제 1구동부와; 상기 유기 발광 다이오드로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부를 구비하며; 상기 제 1구동부는 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 초기화 전원 사이에 접속되는 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터와; 상기 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터 사이의 공통노드와 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 사이에 접속되는 피드백 커패시터를 구비한다.
본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 주사선들로 주사신호를 순차적으로 공급하고, 발광 제어선들로 발광 제어신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부와; 데이터선들로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와; 상기 제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 11항, 제 13항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 기재된 화소를 구비한다.
본 발명의 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 의하면 유기 발광 다이오드의 열화를 보상하여 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 유기 발광 다이오드로 역 바이어스 전압을 인가하여 유기 발광 다이오드의 열화 속도를 늦출 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예가 첨부된 도 2 내지 도 9를 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)과 접속되도록 위치되는 화소들(140)을 포함하는 화소부(130)와, 주사선들(S1 내지 Sn) 및 발광 제어선들(E1 내지 En)을 구동하기 위한 주사 구동부(110)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(120)와, 주사 구동부(110) 및 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다.
주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)로부터 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받는다. 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받은 주사 구동부(110)는 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급한다. 또한 주사 구동부(110)는 주사 구동제어신호(SCS)에 응답하여 발광 제어신호를 생성하고, 생성된 발광 제어신호를 발광 제어선들(E1 내지 En)로 순차적으로 공급한다. 여기서, 발광 제어신호의 폭은 주사신호와 동일하거나 넓은 폭으로 설정된다. 예를 들어, i(i는 자연수)번째 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호는 i번째 주사선으로 공급되는 주사신호와 중첩될 수 있도록 그 폭이 설정된다. 또한, 필요에 의하여 i번째 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호는 i-1번째 주사선 및 i번째 주사선으로 공급되는 주사신호와 중첩될 수 있도록 그 폭이 설정된다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)로부터 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받는다. 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받은 데이터 구동부(120)는 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 주사신호와 동기되도록 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다.
타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 동기신호들에 대응하여 데이터 구동제어신호(DCS) 및 주사 구동제어신호(SCS)를 생성한다. 타이밍 제어부(150)에서 생성된 데이터 구동제어신호(DCS)는 데이터 구동부(120)로 공급되고, 주사 구동제어신호(SCS)는 주사 구동부(110)로 공급된다. 그리고, 타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)로 공급한다.
화소부(130)는 외부로부터 제 1전원(ELVDD) 및 제 2전원(ELVSS)을 공급받아 각각의 화소들(140)로 공급한다. 제 1전원(ELVDD) 및 제 2전원(ELVSS)을 공급받은 화소들(140) 각각은 데이터신호에 대응하는 빛을 생성한다. 여기서, 화소들(140)의 발광 시간은 발광 제어신호에 의하여 제어된다. 한편, 제 1전원(ELVDD)은 제 2 전원(ELVSS) 보다 높은 전압값으로 설정된다.
한편, 도 2에서는 화소들(140)이 하나의 주사선(S) 및 발광 제어선(E)과 접속되는 것으로 도시하였지만 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 실제로, 화소들(140)에 포함되는 화소회로의 구조에 대응하여 화소들(140)은 2개 이상의 주사선들(S) 및 발광 제어선(E)과 접속될 수 있다. 그리고, 화소들(140)은 외부로부터 초기화전원을 추가로 공급받을 수 있다. 여기서, 초기화전원은 화소들(140) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트전극을 초기화하기 위하여 사용된다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 3에서는 설명의 편의성을 위하여 제 n주사선(Sn) 및 제 m데이터선(Dm)과 접속된 화소를 도시하기로 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 화소는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(142)와, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상하기 위한 제 1구동부(144)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부(146)를 구비한다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(142)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(142)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다. 이를 위해, 제 1전원(ELVDD)은 제 2전원(ELVSS)보다 높은 전압값을 갖는다.
한편, 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 변화된다. 실제로, 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압은 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 상승한다.
화소회로(142)는 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급함과 아울러 제 1트랜지스터(M1)(즉, 구동 트랜지스터)의 문턱전압을 보상한다. 이를 위해, 화소회로(142)는 제 1 내지 제 5트랜지스터(M5)를 구비한다.
제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 제 n주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극은 제 1커패시터(C1) 및 제 2커패시터(C2)의 공통노드인 제 1노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호를 제 1노드(N1)로 공급한다.
제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 제 2노드(N2)에 접속되고, 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극은 제 5트랜지스터(M5)의 제 1전극에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1)는 제 2노드(N2)에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다.
제 3트랜지스터(M3)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극에 접속되고, 제 2전극은 제 2노드(N2)에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트전극은 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3)는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 접속시킨다.
제 4트랜지스터(M4)의 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 1노드(N1)에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(M4)의 게이트전극은 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4)는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 제 1전원(ELVDD)의 전압을 제 1노드(N1)로 공급한다.
제 5트랜지스터(M5)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극에 접속되고, 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 그리고, 제 5트랜지스터(M5)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 5트랜지스터(M5)는 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호(하이레벨 전압)가 공급되지 않을 때(즉, 로우레벨 전압) 턴-온되어 유기 발광 다이오드(OLED)와 제 1트랜지스터(M1)를 전기적으로 접속시킨다.
제 1커패시터(C1)는 제 1노드(N1)와 제 1전원(ELVDD) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 1커패시터(C1)는 데이터신호에 대응하는 전압을 충전한다.
제 2커패시터(C2)는 제 1노드(N1)와 제 2노드(N2) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 2커패시터(C2)는 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 충전한다.
제 1구동부(144)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 1트랜지스터(M1)의 게이트전극의 전압(즉, 제 2노드(N2)의 전압)을 제어한다. 다시 말하여, 제 1구동부(144)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 제 2노드(N2)의 전압 하강폭을 제어하면서 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상한다.
이를 위해, 제 1구동부(144)는 발광 제어선(En)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7)와, 제 6트랜지스터(M6)와 제 7트랜지스터(M7) 사이의 공통노드인 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다.
제 6트랜지스터(M6)는 제 3노드(N3)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다.
제 7트랜지스터(M7)는 발광 제어선(En)과 제 3노드(N3) 사이에 위치된다. 여기서, 제 7트랜지스터(M7)의 제 2전극 및 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 즉, 제 7트랜지스터(M7)는 다이오드 형태로 접속되어 발광 제어신호가 공급되지 않을 때(즉, 로우레벨의 전압) 제 3노드(N3)의 전압을 발광 제어선(En)으로 공급한다. 한편, 제 n-1주사선(Sn-1)과 접속된 제 6트랜지스터(M6)와 발광 제어선(En)과 접속된 제 7트랜지스터(M7)는 동시에 턴-온되지 않는다.(턴-온되는 시간이 중첩되지 않는다.)
피드백 커패시터(Cfb)는 제 3노드(N3)의 전압 변화량을 제 2노드(N2)로 전달한다.
제 2구동부(146)는 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가한다. 이를 위해, 제 2구동부(146)는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 8트랜지스터(M8)를 구비한다. 제 8트랜지스터(M8)는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극으로 공급한다. 여기서, 초기화 전원(Vint)의 전압값은 제 2전원(ELVSS)의 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 한편, 제 8트랜지스터(M8)의 턴-온시간은 제 6트랜지스터(M6)의 턴-온 시 간과 중첩되지 않도록 설정된다.
도 4는 도 3에 도시된 화소로 공급되는 구동파형을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4를 결부하여 동작과정을 상세히 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급된다. 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제 3트랜지스터(M3), 제 4트랜지스터(M4) 및 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되면 제 7트랜지스터(M7) 및 제 5트랜지스터(M5)가 턴-오프된다.
제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되면 제 1트랜지스터(M1)가 다이오드 형태로 접속된다. 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되면 제 1노드(N1)로 제 1전원(ELVDD)의 전압이 공급된다. 이때, 제 2커패시터(C2)에는 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 대응하는 전압이 충전된다.
제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 제 3노드(N3)로 공급된다. 여기서, 제 3노드(N3)는 제 1커패시터(C1) 및 제 2커패시터(C2)에 소정의 전압이 충전되는 기간 동안 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압을 유지한다.
이후, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급이 중단되고, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급된다 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되면 제 2트랜지스터(M2) 및 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온된다.
제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되면 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제 1노드(N1)로 공급된다. 이때, 제 1커패시터(C1)는 데이터신호에 대응하는 전압을 충전한다. 한편, 제 2노드(N2)가 플로팅 상태로 설정되기 때문에 제 1노드(N1)로 데이터신호가 공급되더라도 제 2커패시터(C2)에 충전된 전압은 변화되지 않는다.
제 8트랜지스터(M8)가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)의 전압이 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 이 경우, 유기 발광 다이오드(OLED)에는 역 바이어스(reverse bias) 전압이 인가된다. 이와 같이 유기 발광 다이오드(OLED)에 역 바이어스 전압이 인가되면 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 진행속도를 늦출 수 있다.
이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단된다. 발광 제어신호의 공급이 중단될 때 발광 제어선(En)으로는 제 3전압(V3)이 인가된다. 여기서, 제 3전압(V3)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압, 예를 들면 초기화 전원(Vint)과 동일한 전압이 공급될 수 있다.
발광 제어선(En)으로 제 3전압(V3)이 인가되면 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온되면 제 3노드(N3)의 전압이 제 3전압(V3)으로 하강한다. 제 3노드(N3)의 전압이 제 3전압(V3)으로 하강하게 되면 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 2노드(N2)의 전압도 하강한다. 이때, 제 1트랜지스터(M1)는 하강한 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다.
한편, 유기 발광 다이오드(OLED)는 시간이 지남에 따라서 열화된다. 여기 서, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화 될수록 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 상승한다. 따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 제 3노드(N3)의 전압 하강폭이 커진다. 다시 말하여, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 제 3노드(N3)로 공급되는 유기 발광 다이오드(OLED)의 전압이 상승하고, 이에 따라 제 3노드(N3)의 전압 하강폭은 열화되지 않은 경우보다 높게 설정된다.
제 3노드(N3)의 전압 하강폭(즉, 하강되는 전압)이 증가되면 제 2노드(N2)의 하강 전압도 증가한다. 즉, 제 1구동부(144)는 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 제 2노드(N2)의 전압이 더 많이 하강하도록 제어함으로써 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상한다.
한편, 본 발명에서 제 1구동부(144), 화소회로(142)의 구조는 다양한 형태로 변경 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 5를 설명할 때 도 3과 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 화소(140)의 제 1구동부(144')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7')와, 제 6트랜지스터(M6)와 제 7트랜지스터(M7') 사이의 공통노드인 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다.
제 6트랜지스터(M6)는 제 3노드(N3)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다.
제 7트랜지스터(M7')는 초기화 전원(Vint)과 제 3노드(N3) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 7트랜지스터(M7')는 발광 제어선(En)과 접속되어 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되고, 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프된다.
동작과정을 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제6트랜지스터(M6)가 턴-온되어 제 3노드(N3)로 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 공급된다. 이후, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단되어 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되면 제 3노드(N3)의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 하강한다. 이때, 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 3노드(N3)의 전압 변화량에 대응하여 제 2노드(N2)의 전압이 변화된다.
도 6은 본 발명의 제 3실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 6을 설명할 때 도 3과 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 3실시예에 의한 화소(140)의 제 1구동부(144'')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7'')와, 제 6트랜지스터(M6)와 제 7트랜지스터(M7'') 사이의 공통노드인 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다.
제 6트랜지스터(M6)는 제 3노드(N3)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다.
제 7트랜지스터(M7'')는 초기화 전원(Vint)과 제 3노드(N3) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 7트랜지스터(M7'')는 제 n주사선(Sn)과 접속되어 주사신호가 공급될 때 턴-온되고, 주사신호가 공급되지 않을 때 턴-오프된다.
동작과정을 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제6트랜지스터(M6)가 턴-온되어 제 3노드(N3)로 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 공급된다. 이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되어 제 7트랜지스터(M7'')가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되면 제 3노드(N3)의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 하강한다. 이때, 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 3노드(N3)의 전압 변화량에 대응하여 제 2노드(N2)의 전압이 변화된다.
도 7은 본 발명의 제 4실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 7은 도 3에 도시된 화소와 비교하여 화소구조가 변경된다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제 4실시예에 의한 화소는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(142')와, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상하기 위한 제 1구동부(144''')와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부(146')를 구비한다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(142')에 접속되고, 캐소 드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(142')로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.
화소회로(142')는 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급함과 아울러 제 1트랜지스터(M1')(즉, 구동 트랜지스터)의 문턱전압을 보상한다. 이를 위해, 화소회로(142')는 제 1트랜지스터(M1'), 제 2트랜지스터(M2'), 제 3트랜지스터(M3'), 제 4트랜지스터(M4'), 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)를 구비한다.
제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극은 제 10트랜지스터(M10)를 경유하여 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 11트랜지스터(M11)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극은 제 2노드(N2')에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1')는 제 1커패시터(C1')에 충전된 전압에, 즉 제 2노드(N2')에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다.
제 3트랜지스터(M3')의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3')의 게이트전극은 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3')는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1')를 다이오드 형태로 접속시킨다. 즉, 제 3트랜지스터(M3')가 턴-온될 때 제 1트랜지스터(M1')는 다이오드 형태로 접속된다.
제 2트랜지스터(M2')의 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 1전극에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2')의 게이트 전극은 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2')는 제 n주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(D)으로 공급되는 데이터신호를 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극으로 공급한다.
제 4트랜지스터(M4')의 제 1전극은 제 2노드(N2')에 접속되고, 제 2전극은 초기화전원(Vint)에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(M4')의 게이트전극은 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4')는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 2노드(N2')를 초기화한다.
제 10트랜지스터(M10)의 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극에 접속된다. 그리고, 제 10트랜지스터(M10)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 10트랜지스터(M10)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 제 1전원(ELVDD)과 제 1트랜지스터(M1')를 전기적으로 접속시킨다.
제 11트랜지스터(M11)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1')에 접속되고, 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)에 접속된다. 그리고, 제 11트랜지스터(M11)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 11트랜지스터(M11)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1')와 유기 발광 다이오드(OLED)를 전기적으로 접속시킨다.
제 2커패시터(C2')는 제 2노드(N2')와 제 n주사선(Sn) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 2커패시터(C2')는 주사신호의 공급이 중단될 때 제 2노드(N2)의 전압을 상승시킨다.
제 1커패시터(C1')는 제 1전원(ELVDD)과 제 2노드(N2') 사이에 접속된다. 이와 같은 제 1커패시터(C1')는 데이터신호에 대응하는 전압을 저장한다.
제 1구동부(144''')는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 1트랜지스터(M1')의 게이트전극의 전압(즉, 제 2노드(N2')의 전압)을 제어한다. 다시 말하여, 제 1구동부(144''')는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 제 2노드(N2')의 전압 하강폭을 제어하면서 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상한다.
이를 위해, 제 1구동부(144''')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6') 및 제 7트랜지스터(M7')와, 제 6트랜지스터(M6')와 제 7트랜지스터(M7') 사이의 공통노드인 제 3노드(N3')와 제 2노드(N2') 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다.
제 6트랜지스터(M6')는 제 3노드(N3')와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다.
제 7트랜지스터(M7')는 초기화 전원(Vint)과 제 3노드(N3') 사이에 위치된다. 제 7트랜지스터(M7')는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)을 제 3노드(N3)로 공급한다. 여기서, 제 6트랜지스터(M6') 및 제 7트랜지스터(M7')는 서로 다른 시간 동안 턴-온된다.
피드백 커패시터(Cfb)는 제 3노드(N3')의 전압 변화량을 제 2노드(N2')로 전달한다.
제 2구동부(146')는 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가한 다. 이를 위해, 제 2구동부(146')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 8트랜지스터(M8')를 구비한다. 제 8트랜지스터(M8')는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극으로 공급한다.
동작과정을 도 4와 결부하여 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되어 제 4트랜지스터(M4') 및 제 8트랜지스터(M8')가 턴-온된다. 그리고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되어 제 7트랜지스터(M7'), 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-오프된다.
제 4트랜지스터(M4')가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)의 전압이 제 2노드(N2')로 공급된다. 그러면, 제 2노드(N2')의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 초기화된다.
제 8트랜지스터(M8')가 턴-온되면 유기 발광 다이오드(OLED)에 역바이어스 전압이 인가된다.
이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급된다. 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되면 제 2트랜지스터(M2'), 제 3트랜지스터(M3') 및 제 6트랜지스터(M6')가 턴-온된다.
제 3트랜지스터(M3')가 턴-온되면 제 1트랜지스터(M1')가 다이오드 형태로 접속된다. 제 2트랜지스터(M2')가 턴-온되면 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극으로 공급된다. 여기서, 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 초기화되었기 때문에 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극으로 공급되는 데이터신호는 제 3트랜지스터(M3')를 경유하여 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극으로 공급된다. 이때, 제 1커패시터(C1')는 데이터신호에 대응하는 전압을 충전한다.
제 6트랜지스터(M6')가 턴-온되면 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 제 3노드(N3')로 인가된다.
제 3노드(N3')로 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 인가된 이후에 제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단된다.
제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되면 제 2트랜지스터(M2'), 제 3트랜지스터(M3') 및 제 6트랜지스터(M6')가 턴-오프된다. 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단되면 제 7트랜지스터(M7'), 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-온된다.
제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되면 제 3노드(N3')의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 하강한다. 이때, 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 2노드(N2')의 전압도 제 3노드(N3')의 전압 하강량에 대응하는 전압만큼 하강한다. 여기서, 제 3노드(N3')의 전압 하강량에 대응하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 보상된다.
제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되면 제 2커패시터(C2')에 의하여 제 2노드(N2')의 전압이 상승한다. 여기서, 제 2노드(N2')의 전압이 상승되면 라인 저항성분에 의한 데이터신호의 전압 하강량이 보상된다. 여기서, 제 2커패시 터(C2')의 의한 제 2노드(N2')의 전압 상승량은 항상 일정하게 설정되고, 피드백 커패시터(Cfb)에 의한 제 2노드(N2')의 전압 하강량은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 의하여 결정된다.
제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-온되면 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류 패스가 형성된다. 이때, 제 1트랜지스터(M1')는 제 2노드(N2')의 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다.
도 8은 본 발명의 제 5실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 8에 도시된 화소회로(142'')는 제 4트랜지스터(M4')가 제거되고, 제 2트랜지스터(M2'') 및 제 3트랜지스터(M3''), 제 2커패시터(C2'')가 제 n-1주사선(Sn-1)과 접속된다는 점을 제외하고 도 7에 도시된 화소회로(142')와 동일하게 설정된다. 그리고, 도 8의 제 1구동부(144') 및 제 2구동부(146)의 구성 및 동작은 이전에 설명되었기 때문에 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 8의 화소회로(142'')의 동작과정을 도 9의 파형도와 결부하여 설명하기로 한다. 도 9에서 발광 제어선(En)으로 공급되는 발광 제어신호는 제 n-1주사선(Sn)이 공급된 이후에 공급된다.
제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제 2트랜지스터(M2''), 제 3트랜지스터(M3'') 및 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다.
제 3트랜지스터(M3'')가 턴-온되면 제 2노드(N2')의 전압이 제 11트랜지스 터(M11) 및 유기 발광 다이오드(OLED)로 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 공급된다. 즉, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급됨과 동시에 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되지 않는 기간 동안 제 2노드(N2')의 전압이 초기화된다.
이후, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되어 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-오프된다. 그러면, 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제 2노드(N2')로 공급되어 데이터신호에 대응하는 전압이 제 1커패시터(C1')에 충전된다.
제 1커패시터(C1')에 발광 제어신호가 공급된 이후에 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되어 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압이 인가된다. 이후, 제 n주사선(Sn)으로 공급되는 주사신호 및 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단된다. 그러면, 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압이 제 3노드(N3')로 공급되고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 보상될 수 있도록 제 2노드(N2')의 전압이 변화된다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 화소를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 제 1실시예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도이다.
도 5는 도 2에 도시된 화소의 제 2실시예를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 2에 도시된 화소의 제 3실시예를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 2에 도시된 화소의 제 4실시예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 2에 도시된 화소의 제 5실시예를 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 화소회로 4 : 화소
110 : 주사 구동부 120 : 데이터 구동부
130 : 화소부 140 : 화소
142 : 화소회로 144, 146 : 구동부
150 : 타이밍 제어부

Claims (17)

  1. 캐소드전극이 제 2전원에 접속되는 유기 발광 다이오드와;
    제 1전원으로부터 상기 유기 발광 다이오드로 공급되는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소회로와;
    상기 유기 발광 다이오드와 상기 화소회로 사이에 접속되며, 상기 유기 발광 다이오드의 열화에 대응하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극의 전압을 조절하는 제 1구동부와;
    상기 유기 발광 다이오드로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부를 구비하며;
    상기 제 1구동부는
    상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 초기화 전원 사이에 접속되는 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터와;
    상기 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터 사이의 공통노드와 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 사이에 접속되는 피드백 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화소회로는
    상기 제 1전원과 접속된 상기 구동 트랜지스터의 제 1전극과 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 사이에 접속되는 제 1커패시터 및 제 2커패시터와;
    상기 제 1커패시터 및 제 2커패시터 사이의 제 1노드와 데이터선 사이에 접속되며, i(i는 자연수)번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 2트랜지스터와;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트전극과 제 2전극 사이에 접속되며, i-1번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 3트랜지스터와;
    상기 제 1노드와 상기 제 1전원 사이에 접속되며, 상기 i-1번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 4트랜지스터와;
    상기 구동 트랜지스터의 제 2전극과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되며, i번째 발광 제어선으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 5트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 화소회로는
    데이터선과 상기 구동 트랜지스터의 제 1전극 사이에 접속되며, i(i는 자연수)번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 2트랜지스터와;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트전극과 제 2전극 사이에 접속되며, 상기 i번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 3트랜지스터와;
    상기 제 2전원보다 낮은 전압을 가지는 초기화 전원과 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 사이에 접속되며, i-1번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 4트랜지스터와;
    상기 제 1전원과 상기 구동 트랜지스터의 제 1전극 사이에 접속되며, i번째 발광 제어선으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 10트랜지스터와,
    상기 구동 트랜지스터의 제 2전극과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되며, 상기 i번째 발광 제어선으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 11트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화소회로는
    데이터선과 상기 구동 트랜지스터의 제 1전극 사이에 접속되며, i-1(i는 자연수)번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 2트랜지스터와;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트전극과 제 2전극 사이에 접속되며, 상기 i-1번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 3트랜지스터와;
    상기 제 1전원과 상기 구동 트랜지스터의 제 1전극 사이에 접속되며, i번째 발광 제어선으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 10트랜지스터와,
    상기 구동 트랜지스터의 제 2전극과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되며, 상기 i번째 발광 제어선으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되는 제 11트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터는 턴-온되는 시간이 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 화소.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 초기화 전원은 상기 제 2전원 보다 낮은 전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 화소.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 6트랜지스터는 i(i는 자연수)-1번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 상기 공통노드와 상기 유기 발광 다이오드를 접속시키는 것을 특징으로 하는 화소.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 7트랜지스터는 i번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 상기 초기화 전원의 전압을 상기 공통노드로 공급하는 것을 특징으로 하는 화소.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제 7트랜지스터는 i번째 발광 제어선으로 발광 제어신호가 공급되지 않 을 때 턴-온되어 상기 초기화 전원의 전압을 상기 공통노드로 공급하는 것을 특징으로 하는 화소.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제 6트랜지스터는 i(i는 자연수)번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되고, 상기 제 7트랜지스터는 i번째 발광 제어선으로 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되는 것을 특징으로 하는 화소.
  12. 삭제
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2구동부는
    상기 제 2전원보다 낮은 전압값을 가지는 초기화 전원과 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이에 접속되는 제 8트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제 8트랜지스터의 턴-온 시간은 상기 제 6트랜지스터의 턴-온 시간과 중첩되지 않게 설정되는 것을 특징으로 하는 화소.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제 8트랜지스터는 제 i(i는 자연수)주사선 또는 제 i-1주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 것을 특징으로 하는 화소.
  16. 주사선들로 주사신호를 순차적으로 공급하고, 발광 제어선들로 발광 제어신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부와;
    데이터선들로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와;
    상기 제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 11항, 제 13항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 기재된 화소를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 주사 구동부는 i번째 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호가 i-1번째 주사선 및 i번째 주사선으로 공급되는 주사신호와 중첩되도록 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
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